Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов (AgInTe/2)/x (2HgTe)/1-x тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

Глава I. СЛОЖНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ НА ОСНОВЕ ХАЛЬКОГЕНИДОВ РТУТИ (Литературный обзор)

§ I.I. Общая характеристика халькогенидов ртути

§ 1.2. Сплавы халькогенидов ртути с бинарными соединениями группы А В

§ 1.3. Общие физические свойства тройных алмазоподобных полупроводников системы aV11^

§ Г. 4. Общая характеристика сплавов четверных полупроводниковых соединений

§ 1.5. Сплавы халькогенидов ртути с тройными соединениями AIBIIIC^

§ 1.6. Дефекты решетки в халькогенидах ртути и сложных соединениях на их основе

Выводы.

Глава II. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

§ 2.1. Получение сложных полупроводниковых соединений на основе халькогенидов ртути

§ 2.2. Подготовка образцов для измерений

§ 2.3. Методика структурных исследований

§ 2.4. Методика электрических,оптических и фотоэлектрических измерений

§ 2.5. Методика измерений длинновременных релаксаций проводимости

§ 2.6. Погрешности измерений

Глава III. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ

Л111^1 - АПВУ

§ 3.1. Кристаллическая структура.

§ 3.2. Распределение состава по объег^у слитков

§ 3.3. Электрические свойства (AglnTe^^HgTe)

§ 3.4. Спектральные характеристики фотопроводимости в области края собственного поглощения

§ 3.5. Фотопроводимость в (AgInTe2)x(2HgTe)j

Экспериментальные результаты.

§ 3.6. Обсуждение экспериментальных результатов по фотопроводимости

Выводы.

Глава 1У. ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ

И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ (AgInTe2)x(2HoTe)I^x

§ 4.1. Влияние термической обработки на электрические свойства.

§ 4.2. Остаточная проводимость кристаллов при освещении коротковолновым светом

§ 4.3. Влияние ультрафиолетового и рентгеновского излучения на электрические свойства

§ 4.4. Кинетика остаточной проводимости при ультрафиолетовом и рентгеновском облучении

§ 4.5. Влияние электрического поля на электрические свойства кристаллов.

§ 4.6. Возможные причины особенностей физических свойств (A^InTe2)x(2H<gTe)Ix.

Выводы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

Актуальность теш.Общее число элементарных полупроводников невелико;их электрофизические свойства не настолько разнообразны, чтобы удовлетворить требования современной полупроводниковой техники.Число же полупроводниковых соединений практически неограничено и,следовательно,всегда можно найти вещества с нужными для практики свойствами [1.19].

Для поиска новых сочетаний свойств большие возможности представляет группа алмазоподобных полупроводников, в частности, сложные полупроводниковые соединения на основе халькогени-дов ртути,которые на сегодняшний день подучили интересные и важные технические приложения [i. 1,2,9].

До настоящего времени,однако,изучались в основном твердые растворы халькогенидов ртути с бинарными соединениями (HgTe-CdTe, HgTe-ZnTe, HgSe-I^Seg и т.п.) то есть тройные соединения.

На основе халькогенидов ртути возможно образование и четверных композиций [1.9] .которые к началу данной работы почти не исследовались. Тем не менее изучение свойств четверных соединений, в частности, соединений, выступающих под общей формулой ^IgIIlQyi AIIByif ЯВЛЯется многообещающим. В данном случае, кроме получения всей гаммы промежуточных свойств можно использовать исключительные свойства одного из соединений, не слишком меняя свойства другого, выбранного в качестве основы. Названные многокомпонентные гетеровалентные алмазоподобные фазы исследованы еще недостаточно, чтобы можно было говорить об их практическом использовании, тем не менее, можно быть уверенным, что оригинальные свойства этих веществ - неупорядоченное располо жение многих сортов атомов в строгой алмазоподобной структуре, большие области гомогенности при сохранении ряда свойств внутри этих областей, малая теплопроводность,сильная компенсация носителей заряда могут быть выгодно применены в конкретных приложениях [1.1,9].

Представление об алмазоподобных полупроводниках, в част -ности,четверных А^В^Сгр - А^В^, входящих в общую систему химических соединений, позволит установить связь между веществами различных типов и сможет служить основой для рационального научного поиска материалов.

Цель диссертационной работы заключалась в исследовании электрических,оптических и фотоэлектрических свойств твердых растворов (AgInTe2)x(2HgTe)jx в зависимости от условий выращивания, состава и внешних воздействий.

Научная новизна заключается в получении новых и принципиально важных результатов:

1.практически подтверждена возможность получения методами Бриджмена-Стокбаргера и твердотельной рекристаллизации четверныных соединений на основе халькогенидов ртути: AgInTe2-HoTe,A6GaTe2-HgTe и CuGaSe^-HdSe;

2.исследованные соединения имеют электрические,а также фотоэлектрические и оптические свойства при освещении видимым и ИК светом,подобные известным полупроводникам;

3.электронный тип проводимости и концентрация равновесных носителей заряда в твердых растворах AglnTeg-HgTe определяется в основном одним из сортов собственных атомов металлов (Ag,In или Hg)находящихся в междоузлии в результате образования пар Френкеля и играющих роль доноров.Определена энергия ионизации таких доноров;

4.изучены основные закономерности в изменении фототока и времени релаксации фотопроводимости, их природа; 5.обнаружена остаточная проводимость, которая связывается с рождением дополнительных по сравнению с равновесными пар Френкеля при определенных внешних воздействиях на кристалл; 6.обнаружено и исследовано образование выпрямляющих изотипных переходов в результате длительного (несколько часов) облучения образцов при 77 К ультрафиолетовым излучением в присутствии напряжения смещения.

Практическая ценность работы. Экспериментально показана возможность получения новых твердых растворов замещения на основе халькогенидов ртути: AglnTeg-HgTe, AgGaTe2~HgTe, GuG-aSeg-Но5е при использовании методов Бриджмена-Стокбаргера и твердо -тельной рекристаллизации.

Проведены систематические исследования электрофизических, оптических и фотоэлектрических свойств нового полупроводникового материала (твердого раствора (AglnTerJ^SHgTe) , необходимые для создания приборов на их основе.

Результаты исследований свидетельствуют о целесообразности развития исследований, направленных на возможное использование (AgInTe2)x(2HgTe)jx для изготовления элементов памяти, выпрямляющих переходов и ИК-детекторов.

9еновные положения, выносимые на защиту.

1. Твердые растворы (AgInTe2)x(2HgTe)jx от чистого теллурида ртути до 60 мол.% Ао1пТе<р сохраняют структуру сфалерита. Постоянная решетки в этом диапазоне составов линейно уменьшается, а ширина запрещенной зоны увеличивается с составом.

2. Тип проводимости и концентрация равновесных электронов в области примесной проводимости определяются собственными дефектами (междоузельными атомами одного из металлов), создающими мелкие донорные уровни в запрещенной зоне с энергией ■~0,05 эВ. Изменение концентрации неравновесных носителей заряда с температурой при облучении светом из области примесного и собственного поглощения связано с рекомбинацией и прилипанием носителей на глубоком (-0,33 эВ) и мелком (-0,05 эВ) донорных уровнях.

3. В твердых растворах (AglnTe^^SHgTe) при термической закалке или облучении охлажденных до 77 К кристаллов ультрафиолетовым либо рентгеновским излучением возникает остаточная к а проводимость с временем релаксации 10 .10 с. 0П обусловлена образованием неравновесных пар Френкеля, что связано с неэквивалентностью химических связей атомов металлов первой, второй и третьей групп с атомами шестой группы. Время релаксации определяется скоростью аннигиляции пар Френкеля, зависящей от температуры.

4. При длительном (несколько часов) облучении охлажденных до

77 К образцов ультрафиолетовым излучением в присутствии напряжения смещения образуются выпрямляющие п-п+ переходы. Выпрямляющий эффект сохраняется и при отогреве до комнатной температуры. Механизм формирования выпрямляющего перехода состоит в образовании повышенной концентрации френкелевских пар в приповерхностном слое образца и дрейфа их компонентов в электрическом поле.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы докладывались на У-ом Всесоюзном симпозиуме по полупроводникам с узкой запрещенной зоной (г.Львов, 1980 год); II-ой республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (г.Одесса,1982 год); на научных конференциях профессорско-преподавательского состава Дрогобычского педагогического института (по итогам научно-исследовательских работ за 1979. 1984 годы).

Публикации. Основные результаты диссертационной работы отражены в 5-ти работах.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитированной литературы. Объем диссертации составляет 150 страниц, из них 103 машино -писного текста, 45 рисунков и 3-х таблиц.Список цитируемой литературы включает 126 наименований.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

1. Разработана технология кристаллов (AgInTe2)x(2HgTe)jx для исследований их физических свойств. Установлено, что методы Бриджмена - Стокбаргера и твердотельной рекристаллизации могут быть использованы для выращивания кристаллов четверных соединений на основе халькогенидов ртути: AgInTe2-HgTe, AgGaTe2- HgTe, СиСабе2 - HgSe.

2. Установлено, что в области X ^ 0,6 рассматриваемые соединения кристаллизуются в структуре сфалерита. Постоянная решетки в этом диапазоне состава линейно уменьшается, а ширина запрещенной зоны увеличивается с составом. При изменении содержания AgInTe2 от 30 до 60 молярных процентов запрещенная зона изменяется в пределах 0,19^ Eg ^ 0,55 эВ.

3. Установлено, что исследованные соединения имеют электри -ческие, а также фотоэлектрические и оптические свойства, подобные известным полупроводникам. В работе получены кристаллы (AglnTeg) (2HgTe)j п.- типа проводимости с концентрацией электронов при 77 К и подвижностью

Ю15. Л013см~3 и Ю2. ЛО^м^/В-с соответственно.

Электронный тип проводимости и концентрация равновесных носителей заряда определяется в основном одним из сортов собственных атомов металлов (Ag, In или Hg), находя -щихся в межузлии в результате образования пар Френкеля и играющих роль доноров. Энергия ионизации таких доноров равна — 0,05 эВ.

4. Показано, что закономерности в изменении фототока и времени релаксации фотопроводимости связаны с процессами рекомбинации и прилипания на глубоком ( 0,33 эВ) и мелком ( 0,05 эВ) донорных уровнях.

5. Впервые установлено, что в твердых растворах замещения (AgInTe2)x(2HgTe)jx при термической закалке или облучении охлажденных до 77 К кристаллов ультрафиолетовым либо рентгеновским излучениями возникает остаточная проводимость. 0П обусловлена образованием неравновесных пар Френкеля, что связано с неэквивалентностью химических связей атомов металлов первой, второй и третьей групп с атомами шестой группы.

Время релаксации остаточной проводимости при азотных с; температурах составляет 10 .10 с. Оно определяется скоростью аннигиляции неравновесных пар Френкеля. Увеличение вероятности аннигиляции пар с повышением температуры вяляется причиной температурного гашения остаточной проводимости.

Излучение из области фундаментального поглощения и электрические поля, не превышающие пробойного значения, не влияют на 0П и ее кинетику.

6. Впервые установлено, что при длительном (порядка часов) облучении образцов ультрафиолетовым излучением в присутствии напряжения смещения образуются выпрямляющие изотипные п-п+ переходы. Механизм формирования выпрямляющего перехода состоит в образовании повышенной концентрации френкелевских пар в приповерхностном слое образца и дрейфа их компонентов в электрическом поле.

7. Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов (Аа1пТе£)х(2НбТе)jx свидетельствуют о целесообразности развития исследований, направленных на возможное использование этих материалов для изготовления элементов памяти, выпрямляющих переходов и ИК детекторов.

1.1. Бергер J1.И. ,Прочухан В.Д. Тройные алмазоподобные полу -проводники: М. 1965, 151 с.

2. Берченко Н.Н., Кревс В.Е., Средин В.Г. Полупроводниковые твердые растворы и их применение: M.I982, 208 с.

3. Блейкмор Дж. Статистика электронов в полупроводниках: М. 1964, 224 с.

4. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников: М. 1977, 672 с.

5. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках : Л.1972, 384 с.

6. Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках: М.1981,368с.

7. Вайнштейн Б.К., Фридкин В.М., Инденбом В.Л. Современная кристаллография: т.2. М. 1979, 427 с.

8. Винецкий В.А., Холодарь Р.А. Радиационная физика полупроводников: Киев. 1979, 336 с.

9. Горюнова Н.А. Сложные алмазоподобные полупроводники: М. 1968, 265 с.

10. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках: M.I98I, 368 с.

11. Корсунский М.Н. Аномальная фотопроводимость и спектральная память в полупроводниковых системах:М.1978,319 с.

12. Крёгер Ф. Химия несовершенных кристаллов:М.1969,654 с.

13. Кучис Е.В.Методы исследования эффекта Холла:М.1974,328.

14. Лашкарев В.Е.,Любченко А.В.,Шейнкман М.К.Неравновесные процессы в фотопроводниках:Киев.1981, 201 с.

15. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках: М.1977,562 с.

16. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках: М.1963, 494 с.

17. Роуз А.Основы теории фотопроводимости: М.1966,151 с.

18. Смит Р. Полупроводники: M.I982, 558 с.

19. Угай Я.А.Введение в химию полупроводников:М.1975,302с.

20. Уманский Я.С. Рентгенография металлов и полупроводников: М.1969, 237с.

21. Уханов Ю.Н. Оптические свойства полупроводников:М.1977, 366 с.1. ТТ УТ

22. Физика и химия соединений А АВ .Пер. с англ.под ред. Поторака О.М.: M.I969, 624 с.2:1.Абакумов В.Н. К вопросу о механизмах лазерного отжига полупроводников. ФГП,1963, т.17,вып.12,с.2224.

23. Абдуллаев А.,Витовский Н.А.,Машовец Т.В.,Морозов Ю.Г. Ионизационный механизм создания дефектов структуры в антимониде индия. ФТП.1975,т.9,вып.I, с.68-75.

24. Александров А.Н.,Никитин В.А. 0 выборе нормалей и методах градуировки призменных инфракрасных спектрометров. Успехи физ.наук.1955.т.54,№1,с.3-59.

25. Андрухив М.Г.,Войтович О.Е.,Матюшкин В.П.,Сидорчук С.Ф. Цюцюра Д.И.,Шуптар Д.Д.Фотоэлектрические свойстватвердых растворов (AglnTer)) (2Н$Ге)- Физическая электроника,1981,т.16,вып.2,с.85-91.

26. Белов В.В.,Заитов Ф.А.,Поповян П.Э. Диффузия кадмия в теллуриде ртути. ФГП,1969,т.7,с.2016.

27. Бовина Л.А.,Савченко Ю.Н.,Стафеев В.И. Гальваномагнитные явления в узкозонном CdxHgjxTe при гелиевых температурах. ФГП, 1975,вып.9,с.26-30.

28. Бовина Л.А.,Савченко Ю.Н.,Стафеев В.И.Гальваномагнит -ные явления в узкозонных твердых растворах Cd Hgj Те. ФГП,1975,вып.9,с.2084-2090.

29. Богобоящий В.В.,Гаврилюк ЮиИ.,Елизаров А.И.,Корнияш А.А. Особенности генерации собственных дефектов в CdHgTe.

30. В кн: Труды VI-го Всесоюзного симпозиума по полупроводникам с узкой запрещенной зоной и полуметаллам.Л.1883.

31. Бродин М.С.,Давыдов Н.А.,Шаблий И.Ю. Действие лазерного излучения на оптические спектры монокристаллов cais , ФГП,1976,т.I0,вып.4,с.625-631.

32. Вавилов B.C.,Плотников А.Ф.,Ткачев .Исследование дефектов структуры в монокристаллах кремния методом фото-проводимо сти.- ФГП,1962,т.4,вып.2,с.3447-3454.

33. Вирт И.С.,Сидорчук С.Ф.,Цюцюра Д.И.Исследование структурных свойств твердых растворов (Cn&aSe2)x(2Hg3e^jx.

34. В кн: Тезисы У-го Всесоюзного симпозиума по полупроводникам с узкой запрещенной зоной и полуметаллам.Львов, 1980,ч.1,с.250-251.

35. Витовский Н.А.,Емцев В.В.,Машовец Т.В. 0 распределении пар Френкеля,возникающих в германии при облучении, по расстояниям между их компонентами.ФГП,1983,т.17,в.12,с. 2224.

36. Войтович 0.Е.,Сидорчук С.Ф.,Цюцюра Д.И.,Шуптар Д.Д. Долговременные релаксации.Эффект остаточной проводи -мости в монокристаллах (AgInTer))x(2HgTe) ФГП, 1982, т.16,вып.2 758.Деп.

37. Войтович О.Е.,Любченко А.В.,Цюцюра Д.И.,Шуптар Д.Д., Получение и исследование электрических свойств твердых растворов (AgInTer))x(2HgTe)jx. Физ.электроника, 1980,вып.20,с.63-65.

38. Гашимзадэ Ф.М.Зонная структура полупроводниковых соет tv vдинений типа А В С.? со структурой халькопирита. ФГП, 1963,т.5,с.П99.

39. Горшков А.В.,Заитов Ф.А.,Шангин С.Б.Диффузия компенеетов и примесей в CcIq gHgQ дТе.В кн. :Труды У1°-го Всесоюзного симпозиума по полупроводникам с узкой запрещенной зоной и полуметаллам.Львов,1983, с.62.

40. Горюнова Н.А.,Федорова Н.А. К вопросу об изморфизме соединений с ковалентной связью. ДАН СССР,1953,ХС,№6,с.1039-1042.

41. Жузе В.П.,Сергеева В.М.,Штрум Е.Л. Полупроводниковые соединения с общей формулой АВХ^.-Ж.тех.физ.,1958, т.28,№ 10,с.2093.

42. Зарубин Л.И.,Цюцюра Д.И.,Шнейдер А.Д.Коеф1ц1ент Холла- 143 та електропров1дн1сть в HgTe-ZnTe при низьких температурах. УФЖ,I967,I2,c.I9I5.

43. Иванов-Омский В.И.,Коломиец Б.Т.,Малькова А.А.,Огородников В.К.,Смекалова К.П.Электрические свойства монокристаллов HgTe р-типа и его сплавов с CdTe.-Изв.АН СССР. Сер.физика.1964,т.28,№ 6,с.1057-1064.

44. Иванов-Омский В.И. и др. Подвижность электронов в НоТе. Докл.АН CCCP,I965,I62,№6,c.1269-1270.

45. Иванов-Омский В.И.,Коломиец Б.Т.,Малькова А.А.Оптические и фотоэлектрические свойства HgTe и его сплавов с CdTe. -ФГТ,1964,6,№5,с.I457-I46I.

46. Иванов-Омский В.И.,Огородников В.К.,Сидорчук П.Г.В кн: Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок, ч. I . Новосибирск, 1977, с. 141. J44.

47. Иванов-Омский В.И.,Ковалевская Н.А.,Курбанов К.Р. В кн: Материалы У-го Всесоюзного симпозиума по полупроводникам с узкой запрещенной зоной и полуметаллам.Львов,с.166.

48. Кив А.Е.,Соловьев В.Н.Демпфирование химическими связями атомных смещений в алмазных кристаллах.-ФТП,1977,II, вып.9,с.I083-1088.

49. Кив А.Е.,Малкин А.А.,Янчук В.А.Подпороговый механизм дефектообразования при сверхплотном возбуждении электронной подсистемы кристалла.-ФТП,1974,т.8,вып.6,с.II94-I196.

50. Киреев П.С.,и др. О природе быстродействия приемников излучения из CdxHgjxTe на основе фоторезистивного эффекта.- ДАН СССР,1970,193,№5,с.1019-1021.

51. Коноплева Р.Ф.,Юферов А.А.Электрические свойства Ge, компенсированного разупорядоченными областями.-Ш1, 1973,т.7,вып.II,c.2086-2I3I.

52. Корберт Дж.,Бургуен Ж.Дефектообразование в полупроводниках.- В кн. '.Сборник статей "Точечные дефекты в твердых телах".М.1975,с.Ю0.

53. Крайченко О.А.,Мартинюк Б.Б.,Пашковский М.В. О возможности существования ударного механизма образования радиационных дефектов в CcixHgjxTe. В кн:Труды У1-го Всесоюзного симпозиума по полупроводникам с узкой запрещенной зоной и полуметаллам.Львов,1983.

54. Кревс В.Е. О природе дефектов решетки в селениде ртути. ФГП,1973,т.15,вып.9,с.2815-2816.

55. Левицкая Т.Д.,Ванюков А.В.Давление насыщенного пара тел-лурида ртути.- Изв.АН СССР,сер.Неорг.материалы,1970,б,№5,с.849-854.

56. Левицкая Т.Д. и др. Т-х и р-х проекции фазовой диаграммы состояния теллурида ртути.- Изв.АН СССР.Сер.Неорг. материалы,1970,6,№3,с.559-560.

57. Левицкая Т.Д.и др. Р-Т-Х диаграмма и энергия образования точечных дефектов в теллуриде ртути.- Изв. АН СССР. Сер.Неорг.материалы,1970,6,№5,с.855-859.

58. Левицкая Т.Д.и др. Нейтральные дефекты в теллуриде ртути. Изв.АН СССР,1970,б,№3,с.556-558.

59. Литвиненко А.Е.,Мурин Л.И.,Ткачев В.Д.Роль междоузель- 145 ных атомов в образовании радиационных дефектов в кремнии. ФГП,1976,т.10,выл.6,с.1083-1088.

60. Лубочкова Г.А.Внутреннее трение в монокристаллах HgTe. В кн. .-Материалы У-го Всесоюзного синпозиума по полупроводникам с узкой запрещенной зоной и полуметаллам.Львов,

61. Луцив Р.В.,Савицкий В.Г.,Пляцко Г.В.,Дружинин А.А. Воздействие импульсного лазерного излучения на п -CdxH£l-xTe-~ 1978,т. 12, вып. 3,с.427.

62. Матюшкин В.П.,Сидорчук С.Ф.,Цюцюра Д.И.,Огородников В.К. Остаточная проводимость в (AgInTe,?)q ^(2HgTe)q ^ .

63. ФГП,1984,т.18,вып.9,с. 1651-1654,

64. Пашковский М.В.,Соколов Е.Б.,Берченко Н.Н.,Соколов Н.М. Cd Hgj Те новый материал электронной техники.-Зарубежная электронная техника.№12/84, М.1974,с.3-55.

65. Пашковский М.В.и др. Фотоэлектрические свойства спла -bob Cd Hgj Те и методы изготовления ИК фотоприемников.- Зар.электронная техника.1973,№24 с.З.

66. Полыгалов Ю.Н.,Поплавной А.С.,Ратнер A.M. Простой модельный потенциал для расчета зонной труктуры кристаллов с решеткой халькопирита.- Изв.ВУЗов.сер.физика,1971,т.II,с.132-135.

67. Савицкий В.Г.,Филатова А.К.,Алексеенко М.Н.Получение и свойства тонких слоев CdxHgjxTe.- Зарубежная электронная техника. 1974.№12/84.М.с.56.

68. Сандомирский В.Б.,Ждан А.Г. Модель замороженной (остаточной) проводимости. Письма в ЖЭТФ,1972,5,№7,с.408-410.

69. Сандомирский В.Б.,Ждан А.Г.,Месерер М.А.,Гуляев Н.Б. Механизм "замороженной" (остаточной) проводимости.- ФГП, 1973,т.7,вып.7,с.1314-1327.

70. Ткач Ю.Я. Фотопроводимость аморфного полупроводника в модели "искривленных" зон. ФГП,1975,т.9, вып.6, с.1071 - 1075.

71. Холодарь Г.А. Эволюция спектров фотопроводимости р-кремния после облучения гамма-лучами и электронами.- В кн.: Радиационная физика неметаллических кристаллов. Минск. 1970, с.67.

72. Цюцюра Д.И.,Шнейдер А.Д. Некоторые полупроводниковые свойства полупроводниковой системы HgTe CdTe, нагретой в парах ртути. - УФК,1965,10, №2, с.228-229.

73. Цюцюра Д.И. Автореферат кандидатской диссертации "Получение и исследование электронных свойств твердых растворов ZnHgj Те". Львов, 1970,с.78.

74. Цюцюра Д.И.,Сидорчук С.Ф.,Войтович О.Е.Фотопроводимость монокристаллов твердых растворов (Ао1пТе2)х(2НоТе)- В кн.: Тезисы докладов П-ой республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Одесса,1982,с.228.

75. Чернявский В.В.,Горюнова Н.А.Дансеваров Р.Ю.Залежн1сть ширини заборонено1 зони в1д складу твердого розчину в розр1з1 2CdTe CnlnTeg системы Си - Cd - In - Те.-УФЖ, 1966, т.II, № II, с.1235.

76. Шейнкман М.К.,Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках. ФГП, 1976, т.10. вып. 2, с.209-234.

77. Шейнкман М.К.,Маркевич И.В.,Хвостов . .Модель остаточной проводимости в полупроводниках и ее параметры в CcLS : Ag: Cfr .- ФГП, 1971, т,5,вып.Ю,с.1904-19П.

78. Шик А.Я. Рекомбинация неравновесных носителей и фотопроводимость в неоднородных полупроводниках. ФГП, 1975, т. 9, вып. II, с. 2129- 2134.

79. Шик А.Я. Фотопроводимость случайно неоднородных полупроводников. ШЭТФ, 1975, т.9, вып.II, с. 2079.

80. Шик А.Я.,Буль А.Я. Долговременные релаксации проводи -мости в полупроводниках. ФГП, 1976, т.10, вып.2,с. 209-234.

81. Шкловский Б.Н., Эфрос А.Л. Полностью компенсированный кристаллический полупроводник как модель аморфного полупроводника. ЖЭТФ, 1972, 62, с.II56-2265.

82. Шнейдер А.Д.,Гаврищак И.В. Структура и свойства системы HgTe-CdTe. ФГТ, I960, т.2, вып. 9, с.2079-2081.

83. Шнейдер А.Д.,Гаврищак И.В. Микротвердость системы HgTe-CdTe. УФЖ, 1963, т.8, вып. 9, с. 1028-1029.

84. Шнейдер А.Д.,Гаврищак И.В. Исследование электрических свойств дырочных полупроводников системы HgTe-CdTe. ФГТ,1963, т.5, вып.4, с. I208-I2I2.

85. Шнейдер А.Д.Дмурко И.С. Фотоэлектрические свойства слоев теллурида кадмия, активированного ртутью. ФГТ, 1962, т.4, вып.З, с.806-807.

86. Шнейдер Д.А.,Цюцюра Д.И.,Макаренко В.В.Григорович Г.М. Некоторые электрические и фотоэлектрические свойства системы HgTe -ZnTe.-УШ, 1965, т.Ю, № 8,с.915-917.

87. Эфрос А.Н. Плотность состояний и межзонное поглощение света в сильно легированных полупроводниках. УФЖ, 1973, III, № 3, с.451-482.- 148

88. Astakov O.B.,Berger L.I.,Dovletov K. Elektrical conductivity and thermoelectricity of liquid and solid indium silver telluride AgInTe2, Izv. Akad.Nauk Ser. Fiz.Khim.Geol.Nauk, 1973, p.688 690.

89. Corhett J.W.,Bourgoin J.C.,Weigel C., Mechanisms of defect production. In: Radiation Damage and Defects in Semiconductors, 1972. - Conf. Ser. N 16, London and Bristol. The Institute of Physics,1975, P«1 - 26.

90. Corhett J.W.,Bourgoin J.C. Defect creation in semiconductors. In: Point Defects in Solids.- New York,London: Plenum Press,1975, v.2.p.1 - 161.

91. Gelmont В.L.,Ivanov-Omski V.I. and Ogorodnikov V.K.-The Electron-Electron Interaction in Gapless Semiconductors.Phis. Stat. Sol.(b), 69, 717 (1975).

92. Groves S.,Paul W. Band Structure of Gray Tin.- Phys.

93. Sev.Letters,1963., 11,p.194 200.2.73' Harman Т.О. at al. Unusually larg electron hall mobility magnetoresistance and magneto-Hall effects in HgTe.-Phys.Chem.Solids,1964,25,p.931.

94. Ivanov-Omskij V.I.,Kolomiets B.T.,Malkova A.A.,Mektiev A.SH.-The valence hand of HgTe.-Phys. Stat. Sol.,1969, 32,1T 1 ,р.ЬЗ 88.

95. Ivanov-Omskij V.I.,Kolomiets B.T.,Malkova A.A.Ogorodnikov V.K.,Smekalova K.P. Galvanomagnetic properties of mercury telluride.- Phys. Stat. Sol.,1969, 8,N 2,p.6l3-618.

96. Ivanov-Omskij V.I.,Mironov K.E.,Ogorodnikov V.K.,Phys. Stat.Sol.(a),1980,v.58,p.2,77* Kane E.,Semiconductors and Semimetals, vol.1,Academic Press, N 4,1966,p.75.

97. Konnikov S.G.,Ogorodnikov V.K.,Sydorchuk P.G. Phys.Stat. Sol.(a),1975, v.27,p.43-48.2.79» Lawson W. i).,Nielsen S., Putley E.H.,Joung A.S.-Preparation and properties of HgTe and mixed crystals of HgTe-CdTe.-J.Phys.Chem.Solids.,1959,v.9,P.525-529.

98. Mc.Nally P.J.Development of (HgCd)Te elevated temperature photovoltaic detectors.-Covrrnment Keports Unnoun-cements.1975 , 75 15,94.

99. Pasemann L.,Cordts W.,Heinrich A.,Monecke I. Band structure calculation of ZnSiP2.-Phis.Stat. Sol.(Ъ),1976,77, N 2,p.527-555.

100. Rodot H. Solution Solides entere Composes Semi-Conduc-teurs Binnaires et Ternaires.-Proceeding Intern.Conf. on Semicond. Physics.Prague,1960,p.1010-1014.

101. Rodot H. Etude de 1 equilibre de phases dans le tellu-rure de mercure.-J.Phys and Chem. Solids, 1964,2>,N 2,p.85-95

102. Sandrock R.,Trousch J. Simmetrieeigenschaften der Energie-bander der Chalkopyritstruktur.- Z. Naturforsch.,1964, Bd.19 a,s.844.

103. Stankiewich J. et al. Pressure and temperature dependences of CdHgTe alloy Hall mobilites. Phys. Stat. Sol.(Ъ),1972,49, N 1,s.387-393.

104. Stankiewich J. et al. On certain properties of CdHgTe mixed crystals.-Electron Techn.,1972,5, N 2,p.73-78.

105. Stelzer E.L. et al. Mercury cadmium telluride as an infrared detector material.-IEEE.Trans.Electron.Dev., 1969,N 10,880-884.

106. Verie C. Sur la structure de handes des alliages HgTe-CdTe.Mesures electriques.-Phys.Stat.Sol.,1966,17,N 2, p. 889-901.

107. Vtfang С. С., Shin S.H.,Chu M. ,Lanir M. ,Vanderv/yck A.H., J.Electrochem.Soc. Solid State.Sci. and Technol.1980, v.127, N 1,p.175

108. Watkins G.D.,Lattice defects in II-YI compounds.-In:

109. Radiation Effects in Semiconductors,1976.-Conf.Ser.N 31, Bristol and London: The Institute of Physics,1977,p.95-111.

110. В заключение считаю приятным долгом выразить сердечную благодарность ЦЮЦЮРЕ Дмитрию Ивановичу за предоставление темы, постоянный интерес к работе и помощь в процессе выполнения работы.