Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10
Тема работы Автор Год
Оптические свойства нанокристаллов германия в плёнках оксида германия

Интерес к полупроводниковым нанокристаллам (НК) и аморфным нанокластерам в диэлектрических плёнках обусловлен перспективами их использования в оптоэлектронных приборах и устройствах энергонезависимой памяти [1]. Вследствие размерного квантования носителей заряда, электронные и оптические свойства нанокластеров зависят от их размеров [2-4…

Марин, Денис Викторович 2013
Оптические, электрические и фотоэлектрические свойства нанокристаллического оксида индия

Объекты и методы исследования. Для решения поставленных задач в качестве объектов исследования были выбраны нанокристаллические образцы оксида индия с размером нанокристаллов от 7 до 20 нм. Эксперименты проводились с использованием следующих методов…

Форш, Екатерина Александровна 2013
Оптический отклик открытых полупроводниковых квантовых точек

Изучение КТ как самостоятельного объекта научных исследований, направленное на понимание квантово-размерных зависимостей в энергетической структуре, началось в начале 80-х годов совместно с развитием синтеза полупроводниковых нанокристаллов в стеклах. Наиболее информативным инструментом в исследовании энергетической структуры оказались методы…

Королев, Никита Викторович 2013
Особенности взаимодействия молекулярных пучков с поверхностью кремния в условиях выращивания слоев методом вакуумной химической эпитаксии

Метод получения низкотемпературных слоев карбида кремния может быть использован для создания поверхностных наноструктурированных гетерокомпозиций на основе кремния и его кубической карбидной фазы…

Смыслова, Татьяна Николаевна 2013
Особенности катодолюминесценции полупроводниковых структур на основе AlInGaN

Однако, несмотря на беспрецедентно быстрое развитие технологий III-N и достигнутые за последние 20 лет успехи в создании различных приборов, ряд проблем в этой области остается нерешенным. Эти трудности в первую очередь связаны со значительным различием в параметрах решетки GaN-InN-AIN и отсутствием коммерчески доступных гомоэпитаксиальных…

Кузнецова, Яна Вениаминовна 2013
Особенности электронной структуры и динамические свойства полупроводникового соединения CuAlO2

Полупроводниковое соединение СиАЮ2 входит в группу прозрачных проводящих оксидов (ППО) с электрической проводимостью р-типа. Проявляемый в последнее время активный интерес к этой группе соединений, имеющих химическую формулу СиМ02, где М - трехвалентный металл (А1, ва, Бс, У, Сг), связан, прежде всего, с перспективой их практического применения во…

Шульгин, Дмитрий Анатольевич 2013
Особенности электронно-энергетической и атомной структуры и фотолюминесценции пленок SiOx имплантированных углеродом

Самым дешевым способом решения данной задачи является создание приемников и генераторов излучения в рамках планарной кремниевой технологии. Но сдерживающим моментом в данном подходе является низкий выход люминесценции кремния как непрямозонного полупроводника. Уменьшение размеров кристаллов кремния до единиц нанометров и встраивание их в…

Спирин, Дмитрий Евгеньевич 2013
Поверхностные явления и наноразмерные эффекты при кристаллизации в гетерофазных системах

Одной из возможностей управления такими процессами является формирование на поверхности монокристалла регулярного нанорельефа, который может не только обеспечивать реализацию эпитаксии на наноразмерном уровне, но и сформировать шаблон для самоорганизации на поверхности кластеров и отдельных атомов. Работы в этом направлении на протяжении последних…

Каневский, Владимир Михайлович 2013
Получение и исследование наноструктурированных гибридных материалов InSb-MnSb с высокими критическими температурами

В настоящее время быстро развивается новая ветвь электроники -спинтроника. В спинтронных устройствах манипуляции с информацией происходят посредством изменения спина электронов. Поэтому приборы спинтроники будут обладать меньшим тепловыделением, увеличенным быстродействием и большей устойчивостью к ионизирующим излучениям по сравнению с приборами…

Алам Махмудул 2013
Процесс формирования экситонов в GaAs и AlGaAs при нерезонансном оптическом возбуждении

Экситонные эффекты наблюдаются в полупроводниках в довольно широком диапазоне условий - низких и средних плотностях оптического возбуждения, от гелиевых до комнатных температур. В настоящее время повышенный интерес к экситонам связан с их влиянием на оптические свойства полупроводниковых структур. Экситонные эффекты в полупроводниках перспективны…

Кожемякина, Елена Владимировна 2013
Процессы рекомбинации и разогрева носителей заряда в наноструктурах с квантовыми ямами

Научная значимость работы. В работе детально исследована динамика фотолюминесценции в лазерных структурах с КЯ ЬЮаАьЗЬ/ГпАЮаАяЯЬ в широком диапазоне параметров КЯ. Впервые в структурах с квантовыми ямами ¡пСаАяЗЬЛпАЮаАзБЬ экспериментально обнаружено явление резонансной оже-рекомбинации. Экспериментально и теоретически исследован разогрев носителей…

Винниченко, Максим Яковлевич 2013
Радиационная деградация функционирования кольцевых структур в кремниевых детекторах ядерных излучений

Одним из стимулов интенсивного развития кремниевых детекторов ядерных излучений являются новые задачи экспериментальной физики высоких энергий. Так, исследование фундаментальных процессов, происходивших на ранней стадии развития Вселенной, моделирование предельно конденсированного состояния материи в нейтронных звездах, поиски бозона Хиггса и ряд…

Фадеева, Надежда Николаевна 2013
Реальная структура мозаичных кристаллов в системе Ge-Si и условия ее возникновения

Экспериментальное доказательство возможности использования дифракции у-излучения привело несколько лет назад к идее создания Гамма-телескопа. Основным элементом у-телескопа является кристаллическая дифракционная линза, состоящая из концентрически упорядоченных элементов (монохроматоров) прямоугольного сечения, расположеных в положении дифракции…

Борисова, Дарья Александровна 2013
Рост и дефектообразование кристаллов полупроводникового карбида кремния, выращенного по методу ЛЭТИ

Карбид кремния (БЮ) является одним из наиболее перспективных материалов для высокотемпературной, радиационно-стойкой, силовой и быстродействующей электроники, так как обладает уникальными физическими и электронными свойствами. К этим свойствам относятся: широкая запрещенная зона (примерно в три раза больше, чем у кремния), высокое критическое поле…

Лебедев, Андрей Олегович 2013
Сенсорные свойства полупроводниковых нанотубулярных систем

Помимо углеродных нанотрубок особое внимание в последние годы уделяется недавно синтезированным борным нанотрубкам [2], обладающим более стабильными проводящими характеристикам. Обнаружено, что все они, независимо от особенностей морфологии поверхности, типа и диаметра, являются узкозонными полупроводниками. Именно эта стабильность позволяет…

Поликарпова, Наталья Павловна 2013
Создание и исследование наногетероструктур в узкозонных системах на основе арсенида индия

Для продвижения в область спектра свыше 3 мкм необходимо использовать в качестве матричных слоев узкозонные полупроводниковые материалы такие, как ваБЬ и МАв. Однако до настоящего времени на основе наногетероструктур с квантовыми точками в узкозонных системах ШБЬ/ОаБЬ и ¡пЗЬ/ГпАв оптоэлектронные приборы не были созданы. Наиболее длинноволновой из…

Романов, Вячеслав Витальевич 2013
Структура и механические свойства кристаллов ZrO2 частично стабилизированных Y2O3

Для развития современной техники необходим поиск новых, особо прочных материалов, а также улучшение физико-химических свойств уже применяемых материалов. Частично стабилизированный диоксид циркония (ЧСЦ) является одним из таких материалов, который выгодно отличается по механическим свойствам от особо прочных керамических материалов. Кристаллы ЧСЦ…

Милович, Филипп Олегович 2013
Структурные и оптические характеристики эпитаксиальных пятикомпонентных твердых растворов в гетероструктурах на A3B5

Наиболее успешно квантовые структуры используются для создания гетеролазеров и транзисторов. Применение гетероструктур с квантовыми ямами и сверхрешетками в полупроводниковых лазерах позволяет снизить пороговые токи и использовать более короткие волны излучения, что повышает быстродействие, снижает энергопотребление оптоволоконных систем…

Терновая, Вера Евгеньевна 2013
Структурные, оптические и фотоэлектрические свойства аморфного кремния, модифицированного фемтосекундным лазерным излучением

Наибольшее распространение среди путей получения nc-S¡:H на данный момент получил метод плазмохимического осаждения из газовой фазы смеси моносилана и водорода. Однако в последнее время рассматриваются возможности формирования нанокристаллического кремния путем лазерной кристаллизации пленок a-Si:H. Основными преимуществами данного способа…

Емельянов, Андрей Вячеславович 2013
Технология и оптические свойства фотонно-кристаллических структур на основе макропористого кремния

Во второй главе приводится описание использованных в работе методик эксперимента и расчета. Рассмотрены основные технологические операции и применение анизотропного травления (AT) для создания различных затравочных центров на исходных пластинах w-Si ориентации (100) с помощью стандартных методов фотолитографии, в результате которых на пластинах…

Ли, Галина Викторовна 2013