Фотоэлектрические и контактные явления в монокристаллах BI12 Sio20 тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

РГ6 од

российская академия наук 1 п ДПР ленина институт общей

' и неорМической химии им. н. с. курнакова

На правах рукописи

ЦИСАРЬ Игорь Владимирович

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ В|128Ю20

(02.00.04 — физическая химия)

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук

Москва 1993

Работа выполнена в ордена Ленина институте общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН.

Научный руководитель: доктор химических наук, профессор В. М. Скориков

Официальные оппоненты: доктор технических наук, профессор В. А. ФЕДОРОВ, кандидат физико-математических наук, ведущий научный сотрудник В. А. ПРОРВИЧ

Ведущая организация — Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова, г. Москва

Защита состоится оссеин 1993 г. в40 часов на

заседании специализированного совета К 002.37.02 по присуждению ученой степени кандидата наук при Институте общей и неорганической -химии им. Н. С. Курнакова РАН (117907, Москва, Ленинский проспект, 31).

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ОХН РАН по адресу: Москва, Ленинский проспект, 31.

Автореферат разослан < 7 » 1993 г.

Ученый секретарь .

специализированного совета кандидат химических наук^^^^

1^3. Г. ЖУКОВ

ОШЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность тем ы. Монокристаллы силиката висмута со структурой силяенита ( В112зю20) обладают фотопроводимостью в видимой области спектра и линейным электрооптическим эффектом. Сочетание этих свойств сделано эти кристаллы перспективным материалом для .устройств пространственной модуляции света (ПМС) типа ПРШ, ПРИЗ, ЭПОС, а также в качестве реверсивных сред для объемной голографии. Однако, требования к оптическим и фотоэлектрическим свойствам кристаллов значительно различа- . ются в зависимости от типа устройства. Дня .устройств ПМС типа ПРШ требуется высокая фоточувстзительность на длине волны записывающего излучения, тогда как в сирокоапертугных амплитудных и фазовых модуляторах света (А£МС) необходимо иметь минимадьнув фоточувствителъность кристалла. Кроме того, как в ШС, так и в АШС требуется как можно меньший коэффициент поглощения света а сочетании с высоким электрооптическим коэффициентом.

Улучшение характеристик .устройств оптоэлектроники в значительной степени связано с целенаправленным изменением свойств кристаллов за счет легирования, которое позволяет как повышать в сотни раз значение стационарной фотопсоводи- . мости, так и полностью ее подавлять. Однако, вопрос влияния -состава и степени легирования на оптические, фотоэлектрические а электрсоптические свойства монокристаллов силиката вис- .' мута из.учен еще недостаточно.

Кроме того, свойства контактов к широкозонным полупроводникам з структуре металл-силикат висмута-металл в настоящее время мало изучены. 3 то же время известно, что в про-

цессе записи изображения пространственную модуляцию света оп- : ределяет электрическое поде объемного заряда. Поэтом.? необходимо .учитывать .условия на границе электрод-кристалл пт>и ис-

I

следовании процессов переноса заряда и объемного распределения электрических полей в монокристаллах силиката висм.уга.

Цель работы - исследование влияния соотавэ и концентрации примесей на оптические, фотоэлектрические и электроопти- I ческие свойства, а также на контактные явления в монокрис- I таллзх силиката висмута.

Для достинения этой цели необходимо было решить следующие задачи:

-синтезировать монокристаллы силиката висмута, легированные добавками различного соста.,э и концентрации;

-измерить и интерпретировать спектры пропускания, стационарные и кинетические зависимости фототока, а твкхе спектры КРС и ИК~епектры выращенных монокристаллов;

-исследовать дисперсию показателя преломления и электрооптические свойства легированных монокристаллов;

-измерить с помощью метода Кельвина контактную разность потенциалов (КРП) при нэпылении на образцы различных металлических электродов и определить работу выхода электрона из легированных монокристаллов;

-исследовать фотоэлектретный эффект и определить параметры поляризации и деполяризации легированных монокристаллов силиката висмута.

Научная новизна. Исследована концентрационная зависимость коэффициента поглощения и стационарного фототока в .монокристаллах в±128Ю20 . легированных са и Ыо и установлено, что с ростом концентрации СсЮ в шихте происходит га-

шение фоточувствитепьности и смещение максимума фототока в область больших энергий за счет эффекта "обесцвечивания".

Изучено влияние легирования В124С(11Ло04о на электропроводность, стационарную и кинетическую зависимость фототока силиката висмута и показано, что .увеличение концентгацив примеси в шихте (1,5 тсс.%) приводит к смещении уровня Ферми к потолку валентной зоны, изменению механизма рекомбинации основных носителей заряда и увеличению на два порядка времени фо-тоогклака. С дальнейшим увеличением концентрации вл^сшлоо^ до 50 иаос.% в пихте происходит гашение фоточувствительности . почти на пять порядков по сравнению с нелегированным силикатом висмута.

Исследован продольный электрооптический эффект, оптическая активность, дисперсия показателя преломления, спектры 1{РС и ИК-спектры монокристаллов В112зю20, легированных В124СсШо040 . Установлено, что электрооптические свойства, а также колебательные спектры при легировании изменяются несущественно.

С помощью метода Кельвина изучена зависимость КРП силиката висмута от концентрации В124С(Шо040 в шихте,, и определена работа выхода электрона из этих монокристаллов. Уста-, новлена корреляция между концентрационными зависимостями КШ и темнового тока. Исследовано влияние материале напылен--ного металлического электрода на величину КТО легированных мйнокриствллов силиката висмута.

Исследована спектральная зависимость КРП, и определена величина потенциального барьера нэ свободной поверхности кшстэллов, а также плотность поверхностных уровней. Представлен механизм захвата контактным полем яеравнбвесннх носи-

телей загяда, объясняющий возникновение вссиуетгии фототоков поляризации и деполяризации при приложении электрического поля в разных направлениях.

Птактичеокая значимость работы.

1. Обнаруженный в кристаллах силиката висмута, пегиро- | Банных В12^Сс1Мо040 , аффект гашения фотопроводимости и умень- , шенкя коэффициента оптического поглощения при неизменных ди- | электрических и электрооптических свойствах можно использо- , вать при выращивании монокристаллов силиката висмута, .удов- |

I

летворящих требованиям при создании АШС. По результата» ' данных исследований полечено авторское свидетельство |

Й4856815/26, зэявл. 02.08.90 г. |

2. Методика измерения КРП з ^кгокозонных полупроводниках со структурой сипленвта на основе зонда Кельвина дает возможность изучить рельеф поверхностного потенциала полупроводников. Кроме того, данная методика может быть использована пш исследовании кинетики адсорбции пазличных газов на поверхности кристаллов.

3. Экспериментальные данные по изучению влияния материала напыленного металлического контакта на величину КРП можно использовать при решении проблемы поиска омических контактов в монокристаллах силиката висмута.

Аптюбация т?аботы и публикации. Основные результаты ра- -боты докладывались и обсуждались на научно-практической конференции "Висмутовые соединения и материалы" (Коктебель,1992), на ежегодных научных конференциях ИОНХ РАН (Москва,1989, 1991). По материалам диссертации опубликовано 3 печатные работы и получено одно авторское свидетельство.

Структура и обьем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы из 136 наименований. Рзбота изложена на 133 страницах, содержит 40 рисунков п 3 таблицы.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность выбранного направления исследования, сформулированы цель и задачи настоящей работы, приведены основные результаты и их практическая зна- • чимость, а такке краткое изложение последующих глав.

Первая глава представляет собой литературный обзор, в котором приводятся сведения о фазовом взаимодействии с участием оксидов вз^о^и эао2 , рассмотрены особенности кристаллической структуры соединений со структурой типа силлени-та. Проанализированы основные известные данные, касающиеся стационарных и переходных характеристик фотопроводимости. Обсуждается влияние легирования различными элементами на оптические и фотоэлектрические свойства монокристаллов силиката и германата висмута. Рассматриваются различные режимы экранирования электрического поля, и анализируется влияние освещения контакта на ВАХ в структуре металл-силикат (германат) висмутэ-металл. Приведен обзор литературных данных по использованию кристаллов со структурой силленита в различных уст-рЪйствах оптоэяектроники, и в конце обзора сделан вывод о необходимости исследования оптических, фотоэлектрических и электрооптических свойств монокристаллов. В11231020 °оста-и степени легирования, в также контактных явлений в этих

монокристаллах.

Втогэя глава посвящена синтез.? монокристаллов силиката висмута, а также методическим аспектам данной работы. Монокристаллы В112зю20 были синтезированы из расплава методом Чохральского в атмосфере воздуха. Легирование монокристаллов |

осуществлялось введением в шихту дойавки из оксидов ряда |

1

элементов. Содержание вводимых элементов в выращенных монокристаллах контролировалось методом лазерной масс-спектго- | метрии (ЛМС). |

I

В работе рассматриваются методики измерения спектров [ пропускания, дисперсии показателя преломления и расчета коэф-! фициента поглощения в диапазоне длин волн 400-700нм. Пред- |

I

ставлена методика измерения стационарных и кинетических зави-1 си.мостей фототока кристаллов в широком спектральном диапазоне, позволяющая регистрировать как прямоугольную ступеньку возбуждения, так и одиночные световые импульсы с малой длительностью фронта (~1СГ®с), формируемые электродинамическим затвором.

Для изучения продольного электрооптического эффекта пс-пользовалиоь образцы, вырезанные из кристаллической були по плоскости (100), При этом элекгрогирацаонный эффект отсутствует, и все изменения эллипса поляризации при приложении электрического поля связаны с линейным электроопгвческим эффектом. Тасчеч разности фаз между распространяющимися компонентами светового потока выполнялся согласно методике, описанной в работе (Чмнрев В.И..Скориков В.М., Неогган.материалы, 1983, Т.19, №2, С.259-263). Исходя из линейной зависимости разности фаз от приложенного к образцу напряжения рассчитывался электрооптически'й коэффициент г41 при фиксирован- .

ной длине волны пада'щего света.

ИК-спектры пропускания снимались в диапазоне частот 4000-400 а спектры КРС изучались на спектрофотометре

ДФС-24 с Аг -лазером (Л =5145,319 А) (совместно с д.х.н. Н.А.Чумаевским, И0НХ РАН).

В третьей главе представлены результаты исследования оптических, фотоэлектрических и электрооптических свойств монокристаллов В112ЗЮ20 , легированных различными добавками (с<10, ИоО^ и В124с<Шоо40 ) в разной концентрации.

В работе измерены спектральные зависимости фототока и коэффициента оптического поглощения выращенных монокристаллов. Сравнивая эти зависимости для исходного и легированных монокристаллов силиката висмута, можно заключить, что введение Ъ'оО^ (0,016-0,8 масс.^ио ) в шихту мало изменяет спектр поглощения (кривые 2-4 на рис.1), тогда как легирование 0(10 (0,03-1 масс.% са) приводит к "обесцвечиванию" монокристал-лэ-смещению края поглощения в коротковолновую область спектра, и исчезновению "плеча" (11 й) =2,6-2,8 эВ) в спектре поглощения (кривые 5-7). Введение 0(10 или Мо0з в шихту понижает фоточувствительность на два порядка при концентрациях в шихте больших 0,25 явсс.%. Существенным отличием этих двух спектральных зависимостей фототока является тот факт, что с увеличением степени легирования максимум фототока смещается в область больших энергий (см.рис.2). В этом случае м'охно установить следующую эмпирическую связь между коэффициентом поглощения сС и максимумом фототокв:

7ф - 0С~9,5 , А .; ( I )

фчким образом, эффект гашения фотопроводимости при легирова-

Bi12Si020 (1), Bi12Si020:Mo (2-4): 2-0,016; 3-0,16; 4-0,8 Л'ЭСС^Мо, Bi12Si020sCd (5-7)s 5-0,02; 6-0,2; 7-1 »acc%Cd в шихте.

Рис.2. Спектральная зависимость фототока монокристаллов В11231020 (1)и В112зю20:Са

(2-4): 2-0,02; 3-0,2; 4-1 МЭСС$ Сй В ШИХТе.

нии cd монокристаллов силиката висмута связан со ступенчатым уменьшением коэффициента поглощения.

Введение в исходную шихту добавки B124CdMo040 также приводит к гашению фоточувствительности почти на пять порядков (рис.3), а связь между концентрацией добавки С (I—18 иасо.% Big^cdUoO^Q ) в шихте и фототоком на длине волны (Л=470нм) определяется следующим выражением:

^М-ЛхрИ.згс) J ( 2 ) ■

Основызвясь на измеренной концентрационной зависимости-темно-вого тока, а также кинетических зависимостях фотогока, иссле- . дуемых монокристаллов, можно сказать, что легирование Bi24CdMo040 приводит к смещению уровня Ферми к потолку валентной зоны и смене типа проводимости с п (для нэлегирован-ного Bii2Si020 ) на р за счет образования при легировании в запрещенной зоне силиката висмута глубоких рекомбияационных уровней С 1l6J>2.6 эВ). В этом случае происходит увеличение на два порядка времени фотооткликв по сравнению с исходным силикатом висмута.

При облучении кристалла светом (Я < 500нм) происходит, ионизация глубоких примесных центров и, следовательно,уменьшается область пространственного заряда, за счет захвата контактным полем неравновесных носителей.заряда. Концентра- ' ционная зависимость фототока ( 2 ) качественно отражает уве-" личение высоты потенциального барьера в приконтактной области кристалла с ростом концентрации Bi24CdMo040 в шихте.Этот факт экспериментально подтверждается измеренной концентра--ционной зависимостью КШ (см.рис.4). Как видно из рис.4,простуживается корреляция между КРП и электропроводностью, при этом увеличение КРП с.ростом концентрации Bip.CdMoO.» в -

Рис.3. Спектральная зависимость фототока монокристаллов bí12sío20(i) и bí12sío20: Bi24CdMo040(2-7)î 2-1; 3-1,5; 4-10; 5-16; 6-16; 7-33 -vacc-% Bi24CdMoO40 в шихте.

Рис.4. Концентрационная зависимость КРП монокристаллов В11233.020:В124СсШо040 ДЛЯ 1-1ИСг, 2-1п и з_си контактов.Пунктирная линия-зависимость темнового токе.

шихте связано с изменением положения уровня Ферми в объеме кристалла.

В работе изучен продольный электрооптический эффект,оптическая активность и дисперсия показателя преломления в монокристаллах В112ЗЮ20, легированных В124С(1!^о040 . Из-за сильного различия ионных радиусов иона Б14+ и примесных ио- . нов ьа и мо , последние не входят в кислородные тетраэдры, а замещают висмутовых полиэдрах. Это подтверждается тем, что в ИК-спектрах и в спектрах КРС монокристаллов В112зю20 » легированных С(1 и ыо , не возникают новые линии, •• а также не происходит изменение интенсивности и ширины фонон-. ных линий в области частот, связанных с колебаниями'ионов 314+ в тетраэдрическом кислородном окружении в кристаллической решетке со структурой силленита. Также-при легировании не происходит изменение электрооптических свойств монокристаллов силиката висмута ( г41 =(4,3+0,4)-10~^2м/В), а существенно изменяются их оптические свойства-, в частности,, дисперсия показателя преломления у легированных монокристаллов выше, чем у исходного силиката висмута. Эти экспериментальные данные согласуются -с расчетом, проведенном в работе (Давыдов С.Ю., Леонов Е.И., ФТТ, 1986, Т.28, №6, С.1742-1747), где показано, что основной вклад в диэлектрическую проницаемость вносит виемуткисдородный комплекс, тогда как за электрооптические свойства ответственны кислородные тетраэдры. ••

3 четвертой главе обоснована методика измерения КРП 'на основе зонда Кельвина монокристаллов В:1-1231020 • легированных Вх^СсШоОдо, . Рассмотрена динамика образования облэсти ;

объемного заряда при сближении металла и полупроводника на расстояние взаимодействия. Исследовано влияние материала напыленного на образец металлического электрода (1п» ЫАСг, Си) •на КРП, а также проанализирована зависимость полезного сиг-

«

нала от расстояния между электродом сравнения и образцом при отклонении от параллельности. Экспериментально показано, что при больших расстояниях (<1>0,1мм) зависимость полезного сигнала от 1/«1 носит линейный характер. В воздушном промежутке (электрод сравнения-кристалл) при компенсации КРП совпадает по величине и направлению с внешней регулируемой эдс. В этом случае достаточно рассмотреть КРП правого напыленного . на образец металлического контакта, для того чтобы опреде-» лить работу выхода электрона из исследуемого монокристалла силиката висмута. Предварительно определялась КРП металлических' пленок Си и 1п на стекле, полученных распылением в вакууме ( 1СГ5ми рт ст): ^(щсг-си)—0,3 В-, Ук(ЫЛСг-1п)-0,4Б. Показано, что за исключением исходного силиката висмута величина работы выхода электрона из легированных монокристаллов- выше, чем из к*Сг . В этом случае'при напылении металли--.■ ческих электродов (кюг.ха) приповерхностная область полупроводника р -типа будет представлять собой запорный слой (зоны изогнута, вниз). Экспериментальные кривые 1,2 и 3 (рис.4) соответствуют напыленным на образцы металлам:тсг, 1п, Си . Форма кривых не зависит от напыленного металла, но они смещены друг относительно друга на величину, равную-КТО между металлами. Некоторое расхождение экспериментальных •данных при напылении Ха -электрода связано с. образованием прослойки оксида индия, в результате чего величина КРП умень-

шилась.

Исследована спектральная зависимость КРП в монокгистал-лах В11231020 » легированных В124с<Шо040 (рис.5). КРП исходного силиката висмута (кривая I) остается неизменной (контакт- ИОг) в интервале длин волн 38&-500нм, что соответствует случаю плоских зон. Следовательно, работа выхода элек-тройа из монокристалла В1Ч2^020 гавна: " =4,ЗэВ, а электрон-' ное сродство ( ^С=3,6эВ). Поскольку монокристаллы ^г^го» легированные £124С(Шо040 имеют р -тип проводимости, а гдбо--та выхода эдектронэ из них выше, чем'из , то в этом

случае с уменьшением длины волны Л КРП уменьшается (кривые 2-4) за счет разделения контактным полем неравновесных носителей заряда. При этом днрки диффундируют в обьем, а электроны, скапливаясь в приповерхйостной области , понижают величину поверхностного потенциала.

Кз зависимости КРП от интенсивности подсветки (^=500нм) ' определена величина потенциального'бэгьера на. свободной поверхности монокристалла В112бю20 : 18масс.$ В124с<Шо040

(V =0,8эВ), и оценена плотность поверхностных уровней: 8

и =2,4' юа см"2. При такой концентрации поверхностных уровней не происходит экранировки контактного поля, вознйкэюще-. го при напылении металлических эяектгодов.

Монокристаллы исходного и легированного В124С(Шо040 силиката висмута обладают фотоэлектретнам эффектом. При пги--локении внешнего электрического поля в разных направлениях возникает ассиметрия фототоков полягизации (кривые 1,2 на'' рис.6) и деполяризации (кривые I ,]Г ), связанная с генерацией фотодырок в.пгикоктактноЯ области'

а< 550нм) легиго-

Ус, Б ¡темноте

Рис.5. Спекттальнзя зависимость КРП монокристаллов В112ЗЮ20 (1) и В112ЗЮ20: В124само040 (2-4)« 2-1; 3-1.5? 4-10 мэсс.2 В1„.с<ШоО._ в шихте.

Рис.6. Кинетические зависимости фототокэ монокристалла В11231020:1»5мзсс.^ в±24С<Шо040

(Я =470нм).1-осветается положительный электрод, 2-освещается отрицательный электгоц; Т и Д -освещаются'соответствующие электроды после закорачивания образца.

ванного силиката висмута и различием в механизмах их захвата контактным полем. Определен заряд фотоэлектрета, освобожденный пти деполягиаации, то есть закорачивании и освещении поп

ложительного (ч^ =2,9-1(Г Кл) или отрицательного (Ч^ £

■ 1,5-1СГ^ Кл) электрода после поляризации. Время, необходимое для поляризации образца при освещении ( Л=470нм) составляло Т"-10 мин., после чего заряд фотоэлектгета переставал расти, что соответствовало процессу установления динамического равновесия.

В заклсчении сформулированы основные результаты работы и выводы. Они сводятся к следупцему:

1. Не основании исследований концентрационных зависи-• моетей коэффициента поглощения я фототока' в спектральном

диапазоне 0,3-0,75мкм в монокристаллах В112ЗЮ20 . легированных са. и мо установлено: с ростом концентрации саб в шихте в пределах I. масс.$ происходит гашение фоточувствительности на два порядка и смещение максимума фототока в об- ' ласть больших энергий за счет эффекта "обесцвечивания" кристалла, что мркет быть использовано при выращивании монокристаллов силиката висмута с заданными оптическими-и фотоэлектрическими свойствами, удовлетворяющих требованиям ■ при создании А<ШС.

2. Изучен продольный- электрооптический эффект, оптическая активность, дисперсия показателя преломления, 'а

■ также ИК-спектры пропускания и спектра КРС монокристаллов В1-12зю20 , легированных С4 и Мо , Результаты этих .исследований показали, что из-за различия ионных радиусов иона 314+ и примесных ионов са2.+ и Ыо6+ последние не входчт в

кислородные тетраэдры. Поэтому колебательные спектры, а также эдектрооптические свойства легированных монокристаллов и исходного силиката висмута совпадают.

3. С.помощью метода Кельвина исследована КРП монокристаллов Б112зю20 , легированных са и ц0 • Величина КРП ис-еледуемьх монокристаллов зависит от рзботы выхода электрона из напыленного металлического контакта.

4. Установлено, что с ростом концентрации добавки В124С(111о040 в шихте происходит увеличение КРП легированных монокристаллов силиката висмута, что коррелирует с концентрационной зависимостью электропроводности. Такой способ легирования приводит к смещению уровня Ферми к потолку вз-

» лентцой зоны и, следовательно, увеличению потенциального барьера в приповерхностной области монокристалла.

5. Исследование зависимости КРП от интенсивности подсветки ( Л =500нм) позволило определить величину потенциального барьера на свободной поверхности монокристалла В112ЗЮ2р , легированного В124с<1Мо040 (ув=0,8эВ), и оценить концентрацию поверхностных уровней (к

При такой концентрации поверхностных уровней не происходит экранировки, контактного поля, возникающего при напылении металлических электродов.

6. Изуче'н фотоэяектретный.эффект в монокристалле силиката висмута, легированном В124СсШо040 . Показано, что ассиметрия фототоков поляризации и деполяризации, в такуе разнице в величине' заряда фотовпектрета при приложении к

• кристаллу внешнего электрического поля в разных направлениях связана.с генерацией фотодырок и различием в механизмах

их захвата контактным полем.

. Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах: ,

1. Чмырев В.И., Скориков В.М., Цисарь И.З., Васильев А.Я., Каргин Ю.О., Дудкинв Т.Д. Оптические, фотоэлектрические и электрооптические свойства монокристаллов Bii2Si(^o , легированных cd и м0 // Высокочистые вещества. 1991. Я2.

С.88-92. . ' ■

2. Васильев А.Я., Скориков В.М., Чмырев В.И., Каргин Ю.Ф., Цисарь И.3., Дудкина Т.Д. Способ получения монокристаллов силиката висмута. A.C. №4856815/26, зэявл.02.08.90г., опубл. 22.08.91г.

3. Чмырев З.И., Скориков В.М., ЦисарЪ И.В., Васильев А.Я. Синтез монокристаллов Bi12sio20 в исследование влияния различных напыленных контактов на их работу выхода // 3 сб.: Материалы научно-практической конференции "Висмутовые соединения и материалы". Коктебель, 1992,. С.72-73,

4. Чмырев В.И., Цисарь И.В., Скориков В.М., Васильев А.Я. Измерение работы выхода монокристаллов Bi^SiOgQ методом Кальвина // Неорган, материалы. .1993. Т.29. Щ.

С.262-269.

ИНСТИТУТ ОБЦЕП И НЕОРГАНИЧЕСКОЙ ШЛИ Заказ !5Z Обьем -/«.а. Тираж ¿СЮ Типография ШСиС, ул.Орджоникидзе, 8/9