Изменение химического состава поверхностного слоя никеля, ниобия, кремяни и их оксидов при контакте с высокочистыми тетрахлоридами кремяни и германия тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.19 ВАК РФ

Еремин, Александр Иванович АВТОР
кандидата химических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ
Нижний Новгород МЕСТО ЗАЩИТЫ
1992 ГОД ЗАЩИТЫ
   
02.00.19 КОД ВАК РФ
Автореферат по химии на тему «Изменение химического состава поверхностного слоя никеля, ниобия, кремяни и их оксидов при контакте с высокочистыми тетрахлоридами кремяни и германия»
 
Автореферат диссертации на тему "Изменение химического состава поверхностного слоя никеля, ниобия, кремяни и их оксидов при контакте с высокочистыми тетрахлоридами кремяни и германия"

7 г. о р у

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК Институт химии высокочйстых веществ

На правах рукописи

г

УДК 543. 422: 546.131:620.199 ЕРЕМИН Александр Иванович

ИЗМЕНЕНИЕ ХИМИЧЕСКОГО СОСТАВА ПОВЕРХНОСТНОГО СЛОЯ НИКЕЛЯ, НИОБИЯ, КРЕМНИЯ И ИХ ОКСИДОВ

ПРИ КОНТАКТЕ С ВЫСОКОЧИСТЫМИ ТЕТРАХЛОРИДАМИ КРЕМНИЯ

И ГЕРМАНИЯ (02. 00. 19 - химия высокочистых веществ) АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук

Нижний Новгород - 1992 г.

Работа выполнена в Институте химии высокочистых веществ Российской Академии наук, г. Нижний Новгород

Научный руководитель:

академик Г.Г.Девятых

г

Официальные оппоненты; доктор химических наук,

профессор В.И.Нефедов

доктор химических наук Г.А.Максимов

Ведущая организация: Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической 'промышленности "Гиредает" (г. Москва)

Защита диссертации состоится * " ОкГлТЬ! 199г? г. в ¿Р часов на заседании специализированного совета по химическим наукам при Институте химии высокочистых веществ Российской Академии наук (Д.003.85.01) по адресу: 603600, г. Нижний Новгород, ГСП-75, ул. Тропинина, 49.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института химии высокочистых веществ РАН

Автореферат разослан т 2 « сеТ/л 199^? г.

Ученый секретарь специализированного совета, кандидат химических наук

С.В.Яньков

-^у.1: > >С7 ВНИКАЯ

мИеЛкОТ^'ЛА

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.

Актуальность теми. Одной из основных причин. препятствуадих получение более частых летучих хлоридов кремния и германия, является. загрязнящее действие материалааппаратуры. Известно, что в результате контакта хлорида со стенками аппаратур! происходит изменение химического состава ее поверхностного слоя. Однако, кинетика и механизм изменения состава поверхности дате основных конструкционных иатерналов (никель, ниобий, кварцевое и силикатные стекла) не исследованы.

Рель работы - исследование кинетики изменения химического состава атоцно-чистой и реальной поверхности никеля, ниобия, кремния и их оксидов при контакте с шсокочистыш тетрахлорида-ш кремния и германия в гидкой и газовой фазах.

Научная новизна щ практическая ценность. Исследована кинетика хлорирования реальной и атомно-чистой поверхности никеля, ниобия, креуния и их оксидов при контакте с летучими тетрахло-ргтдлуи кремния и германия в газовой и хидкой фазах.

Установлено, что хлорирование реальной поверхности никеля на ранних стадиях определяется естественным пассивирупцим слоем, содержащим связанную и адсорбированную воду. Последовательное замещение поверхностных ОН-групп хлором приводит к образовании вначале основного хлорида никеля, а затем его дихлорида, слой которого растет го тому ге механизму, что и на атомно-чистой поверхности никеля. Скорость процесса лимитируется реакцией присоединения иона никеля к хемосорбированному иону хлора.

Определены значения константы скорости и энергии активации хлорирования поверхностного слоя никеля и его оксида в газовой фазе в широком интервале температур. Меньшие значения этих величин для оксида обусловлены наличием в растущем слое дихлорида никеля до 50 шль.% диоксида кремния или германия и более низкой концентрацией никеля в приповерхностном слое оксида.

Показано, что для ранних стадий хлорирования реальной поверхности ниобш? и кремния характерны те гэ процессы, что и для реальной поверхности цнкаля, которые в итоге приводят к образованию лишь ыовомолэкулярного слоя окспхлорздов этих элементов. Накопления продуктов хлорирования нэ происходит, что объясняется свойствами прочной оксидной пленки естественного происхождения, которая ведёт себя подобно .соответствующему* объемному оксиду.

Определены условия уменьшения загрязнящего действия основных конструкциоцных материалов, используемых в процессах получения, анализа и хранения высокочистых тетрахлоридов кремния и германия. Полученные результаты используртся в Институте химии высокочистых веществ при разработке технологии получения высокочистых летучих веществ.

На защиту выносятся: результаты исследований изменения химического состава атомно-чистой и реальной поверхности никеля, ниобия, кремния и их оксидов в зависимости от температуры и времени контакта с высокочистыми тетрахлоридами кремния и германия в жидкой и газовой фазах.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, выводов и списка цитируемой литературы. В первой главе представлен обзор работ, посвященных исследованию химического состава поверхностного слоя металлов и их оксидов в зависимости от окружапцей среда. Вторая глава посвящена описанию методик рентгеноэлектронного (р/э—) анализа химического состава поверхностного слоя исследуемых веществ. В третьей главе приведены экспериментальные результаты кинетического исследования изменений химического состава атомно-чистых и реальных поверхностей никеля, ниобия, кремния и их оксидов при контакте с высокочистыми тетрахлоридами кремния и германия в жидкой и газовой фазах. В четвертой главе полученные результаты обсуждаются в рамках элементарных представлений электронной теории хемосорбции и модели поверхностной молекулы.

Работа изложена на 159 страницах, содержит 35 рисунков и 20 таблиц. Список литературы включает 165 наименований.

Адпробация и публикации. Основные результаты.диссертации докладывались на У11 и ПИ Всесоюзных конференциях по методам получения и анализа высокочистых веществ (г. Горький, 1985 и 1988); Уральской конференции то современным методам анализа и исследования химического состава материалов металлургии, машиностроения, объектов окружающей среда (г. Устинов, 1985); городском семинаре по химии высокочистых веществ (ИХВВ РАН, г.

Нагний Новгород, 1992); городсхом семинаре по рентгеноэлектрон-ной спектроскопии (ИОНХ РАН, г. Москва, 1992). Основное содер-аание диссертации опубликовано в 8 работах, список которых приведен в конце автореферата.

Диссертационные исследования проводились в соответствии с планом УНЦ "Химия" по направлению "Получение и анализ веществ особой чистоты", тема Б.59 (86-90), А гос. регистрации 81062916.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ.

ГЛАВА I. - ИЗМЕНЕНИЕ ХИМИЧЕСКОГО СОСТАВА ПОВЕРХНОСТНОГО СЛОЯ МЕТАЛЛОВ И ИХ ОКСИДОВ ПРИ КОНТАКТЕ С ОКРУНАЩЕЯ СРЕДОЙ.

* (Литературный обзор).

Относительно чистую поверхность твердого тела, свободную от загрязнений биографического и адсорбционного происховдения, мояно исследовать лишь в сверхвысоковакуумных камерах аналитических приборов. Имеются многочисленные результаты исследований взаимодействия таких поверхностей с некоторыми газами. Данные о взаимодействии поверхности с летучими хлоридами кремния и германия в литературе отсутствуют.

Реальная поверхность металлов - это поверхность тонкого пассивирующего оксидао-гидрооксидного слоя, образующегося на воздухе в естественных условиях. Аналогичный естественный пассивирующий слой образуется на поверхности объемных оксидов металлов. Экспериментальные данные о химическом составе и толщине естественного пассивирующего слоя этих веществ немногочисленны и часто противоречивы.

Поведение металлов в процессе естественной пассивации определяется свойствами образующейся оксидной пленки нестехиометри-ческого состава, что позволяет распределить их по двум группам (А ц В). На поверхности металлов группы А (Рг, Рй, Ре, Со, Н1, Си) на ранних стадиях пассивации растет оксидный слой с избытком по кислороду и характеризующийся р-типом проводимости* Для металлов группы В (Б1 А1, Ът, Бп, Но, 117, ГШ) характерно образование оксидного слоя с недостатком по кислороду и п-типом проводимости. Вполне вероятно, что свойства реальной поверхности таких металлов будут отличаться я по отношению к другой (отлич-

- б -

вой от воздуха) химически активной среда. Кроме того, ети свойства могут <йиь разными для реальной поверхности металла я его объемного оксида из-за малой толщины естественного пассивирующего слоя на цеталле. Данные о взаимодействии летучих хлоридов кремния и германия в жидкой ели газовой фазе с реальной поверхностью конструкционных материалов также отсутствуй.

ГЛАВА II», - ЫЁГОДИКА ЭДОПЕРЖфГА.

Химический состав поверхностного слоя образцов исследовался методом рентгеноадектронной спектроскопии на электронном спектрометре ЭС 2401Калибровки спектрометра и спектров проводились в соответствии с известными методиками по лрлям металлов и 1а-линии углерода поверхностных загрязнений [1,21. Разрешение спектрометра, определяемое как полная т*"^ надалушса-те, составляло 1.0 &В для «^-линии золота. Погрешность спре-деления анергий связи ¿£«±0.05 аВ. .

Надежные рентгеноэлектронныа данные имеются только для металлов и их оксидов. Поэтому с помощью образцов срйввния были изучена спектры соединений, наличие которых предполагалось в поверхностном слое исследуемых веществ. Структура образцов сравнения контролировалась методами рентгенострукгуриого анализа и электронографии. Полученные значения анергии связи относительно уровня Ферми материала спектрометра (Й*в) Зй-электровов германия и щюбия, 2р-электронов кремния, никеля и хлора, 18-электронов кислорода в исследованных соединениях проведены в таблицах 1+3 . Было изучено влияние контакта с атмосферным воздухом и процедур нагрева и ионного распыления в камере спектрометра на химический состав поверхностного слоя образцов сравнения. Свойство восстановления оксида и хлорида никеля (II) до металлического никеля при распылении ионами аргона использовалось для проверки адекватности учета зарядки поверхности определенных образцов по 1в—линии углерода поверхностных загрязнений. Энергии связи для металлов и оксидов хорош согласуются с с рекомендуемыми литературными данными. Полученные данные позволили достаточно надежно идентифицировать химический состав поверхностного слоя исследуемых образцов.

Количественные измерения в основном сводились к определению толщины тонких пленок на поверхности оОразцрв по известным ма-

ТАБЛИЦА 1. - Значения Е®в (эВ) 2р-электронов шпиля, хлора и 18-электронов кислорода в исследуемых соединениях никеля.

Химическое соединение N1 2р 0 18 С1 2р С1Ш:С01:[С1] ат.:

N1 853.0 - - 100:0:0

Н10 854.6 529.9 - 45:55:0

"К120э" 855.7 531.7 - 36:64:0

Я1(Ш)2 856.6 532.1 - 31:б9:0

К100Н 858.0 532.2 - 29:71:0

Ш(0Н)С1 856.6 532.2 198.7 30:35:35

Ы1С12 856.6 - 199.6 30:0:70

858.0 533.5 200.5 24:52:24

ТАБЛИЦА 2. - Значения Е®в (эВ) 3(1-электронов ниобия, 1з-электронов кислорода и 2р-электронов хлора в поверхностном слое пентаоксида, пентахлорида и окситрихлорида ниобия*.

Химическое соединение ЫЪ 31 0 18 01 2р [№]:[0]:[С1]

Ш)205 207.6 530.6 29:71:0

Ш>С15 208.3 532.1 199.2 20:40:40

КЬ0013 207.9 531.2:533.3 198.5 15:62:23

* Поверхностный слой пентахлорида и окситрихлорида ниобия не удалось очистить от продуктов хемосорбции вода.

ТАБЛИЦА 3. - Значения Е$в (эВ) 2р-электронов кремния, 3(1-германия и 1э-электронов кислорода в поверхностном слое диоксидов кремния и германия.

Соед-ние 3102 Се02

Линия 2р 0 1з СЭН: СО] ве 31 0 1в [Се]:СО!

Б? , эВ 103.6 533.0 33:67 32.5 532.4 32:68

тодикам [1-3]. Погрешность определения абсолютных значений толщины не превышала 505, а относительных измерений - 1%. Погрешность определения температуры образца АТ=±5°С.

Для получения атомно-чистой поверхности образцов в вакууме

спектрометра использовалось чередование процедур! распыления ионами аргона и нагрева. Не удалось получить атоыно-чистую поверхность ниобия, кремния и оксида рикеля (П). На частично восстановленной поверхности ниобия и кремния регистрировались низшие оксиды, на поверхности оксида никеля - ионы N1?*. Трудности восстановления объяснятся ик /шнтацией кислорода в поверхностный слой ниобия и кремния t восстановлением оксида никеля, до металлического состояния при ионном распылении.

Контакт образцов с »идк^ми хлоридами осуществлялся Ь кварцевой ампуле с последупцим переносом образца в спектрометр. Система твердое тело - газообразный'хлорид исследовалась непосредственно в спектрометре.

ГЛАВА III. - ИЗМЕНЕНИЕ ХИМИЧЕСКОГО СОСТАВА ПОВЕРХНОСТНОГО

СЛОЯ НИКЕЛЯ, НИОБИЯ, КРЕЗШИЯ И ИХ ОКСИДОВ ПРИ КОНТАКТЕ С

ВЫСОКОЧИСТЫМИ ЛЕТУЧИМИ ТЕТРАХЛОРИДАМИ КРЕМНИЯ И ГЕРМАНИЯ.

Первоначально был исследован процесс естественной пассивации исследуемых материалов. На рис.1 представлена зависимость толщины естественной пассивирующей пленки никеля (1), ниобия (2) и кремния (3) от времени контакта с воздухом при норгальшх условиях. Можно выделить две области. Область А характеризует начальную стадию естественной пассивации с образованием тонкого оксидного слоя. Область Б характеризует стадию насыденйя пассивации, которая сопровождается завершающее гидратацией оксидного слоя.

На рис.2 показано изменение естественного пассивирующего слоя металлов при нагреве образцов в вакууме спектрометра. Этот слой на ниобии и кремнии в основном состоит из Nb205_0 и S102_£. При нагреве он изменяется незначительно: удаляется верхний слой гидратной воды.

В естественном пассивирующем слое никеля толщиной примерно 100 I регистрируются оксида и гидрооксида N1(11,111). При нагреве образцов атот слой разрушается. Из рис.2 следует, что энергия активации процесса разрушения составляет 6 {Сдж/моль. Энергия активации разложения объемного гидрооксида никеля по реакции

Ni(0H)2 нюга + Е>0 газ (1)

составляет 92 Кдж/Моль. Эффективная толщина слоя поверхностного

РИС.1 - Зависимость эффективной толщины слоя продуктов взаимодействия поверхности никеля (1), ниобия (2)и кремния (3) от времени контакта с воздухом при нормальных условиях. (А) начальная стадия взаимодействия; (Б) стадия насыщения естественной пассивации.

РИС.2 - Зависимость установившейся эффективной толщины естественного пассивирующего слоя никеля (1), ниобия (2) и кремния (3) от обратной температуры нагрева образца в камере спектрометра, при давлении остаточных газов Ю-7 мм.рт.ст.

(V1 А>-

оксида никеля, который образовался на воздухе и по реакции (1) при нагреве в вакууме, не превышает 25 А. Таким образом, основу естественного пассивирующего слоя нркеля очевидно составляет хемосорбированная вода.

Исследования взаимодействия с хлоридами были выполнены как в хидкой, так и газовой фазе. Закономерности процесса хлорирования в обоих случаях оказались одинаковыми. Поэтому ниге представлены результаты только для газовой фазы.

Процесс первичной хемосорбции на поверхности металлов и их оксидов исследовался при низком парциальном давлении хлоридов. При давлении тетрахлоридов кремния или германия в диапазоне Ю-6 + 10"2 мм.рт.ст. состав поверхностного слоя устанавливается практически мгновенно и зависит только от температуры образ-

ца. На поверхности металлов фиксировались хлор, кислород, а также кремний или германий в состояниях окисления 0,2,4. На поверхности оксидов кремний или германий находятся только в высшем состоянии окисления. Тетрахлориды восстанавливаются металлом до элементарного состояния. Появление поверхностных оксидов кремния и германия на металлах объясняется коадсорбцией воды. Для всех образцов характерным является значительно более высокое содержание кремния по сравнению с германием после контакта с соответствующим хлоридом. По-видимому, хлорид германия взаимодействует с.водой с образованием в основном летучих хлоргер-манов, а хлорид кремния гидролизуется до нелетучих гидроокси-хлоридов и диоксида кремния в конечном счете. При увеличении температуры образцов от 300 до 673 К количество регистрируемых продуктов взаимодействия уменьшается до предела обнаружения метода (порядка 0.1 монослоя). Это подтвервдает, что процесс ограничивается стадией адсорбции.

При давлении насыщенного пара тетрахлоридов на никеле и его объемном оксиде растет слой новой фазы. На атомно-чистой поверхности никеля растет слой его нестехиометрического дихлори-да; на поверхности объемного оксида - аналогичный слой, но обогащенный диоксидом кремния или германия. С увеличением толщины прохлорированного слоя вклад диоксидов заметно уменьшается.

Зависимость аффективной толщины прохлорированного слоя никеля и его оксида от времени контакта с тетрахлоридами удовлетворительно описывается логарифмической функцией. На рис.3 приведена зависимость для тетрахлорида кремния при 673 К. Видно, что оксид хлорируется гораздо медленнее металлического никеля. Энергия актцвации хлорирования в среде тетрахлоридов в пределах погрешности одинакова и составляет примерно 12 Кдж/моль для никеля и 3 Кдж/моль для оксида (рис.4).

При хлорировании реальной поверхности никеля и его оксида химический состав поверхностного слоя вначале определяется основными хлоридами никеля переменного состава. С увеличением температуры образца и времени контакта состав приближается к дихлориду никеля.

Частично восстановленный поверхностный слой ниобия и кремния при контакте с тетрахлоридами в исследуемом диапазоне давлений (10-6-:Ю0 или 250 мм.рт.ст. для тетрахлоридов германия и кремния, соответственно) и при температуре образца 300+373 К окис-

dj

(фч)

ию.з - Изменение эффективной толщины прохлорированного слоя никеля (1) и N10 (2) в зависимости от времени контакта с ЭЮ]^ при Тобр=673 К. Экспериментальные точки описаны зависимостью: (1 = ао+ к * 1р(г/х + 1), т = 1 мин.

(1) <10 - 2.1 1; к = 24.8 1.

(2) <1о=0; к = 4.8 1. Коэффициент корреляции г = 0.96.

епк

ИГО.4 - Изменение константы скорости хлорирования никеля (1) и N10 (2) насыщенными парами S1C14 в зависимости от обратной температуры образца. Экспериментальные точки в полулогарифмических координатах удовлетворительно описываются црямой линией: Ink = ^o-W™- г - " 0.96.

ляется с образованием оксихлоридов ниобия (У) и кремния (1У). С увеличением температуры (373+673 К) состав окисленного слоя вновь определяется пе'нтаоксидом ниобия и диоксидом кремния.

Химический состав реальной поверхности ниобия и кремния при контакте изменяется незначительно. Наблюдаются только следы хлора. После контакта с тетрахлоридом кремния на поверхности ниобия появляется диоксид кремния, а поверхностный слой даокси-

да кремния на кремния заметно увеличивается.

Изменения химического состава поверхностного слоя пентаок-сида ниобия, кварцевого и силикатных стекол при контакте с тетрахлоридами в газовой фазе аналогичны изменениям реальной поверхности щобия и кремния.

37. ОБСУВДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ.

Полученные результаты рассмотрены с точки зрен**-ч зонной модели и модели поверхностной молекулы. Цри анализе процессов выделялись стадии адсорбции, собственно химической реакции и самодиффузии элементов через растущий слой продуктов взаимодействия к реакционной границе раздела фаз.

Хорошо известный процесс хемосорбции кислорода в рамках зонной модели может быть описан уравнениями:

02(газ) + е~ -» 02(хем) (2),

02(хем) + е~ 2 0"(хем) (3),

<Г(хем) + е~ —► 02-(тв) (4).

Хемосорбция воды обычно описывается в представлении поверхностных центров.. Схема адсорбции представлена уравнениями: Ь+ + ^0 —». (Ь:0Н) + (5),

1Г + ^0 —♦ (Ь:Н) + ОН" (6).

Здесь Ь+ и Ь~ - кислотные и основные центры Льшса.

Процесс диссоциативной хемосорбции тетрахлоридов можно представить по аналогии со схемой (2)-(4) уравнениями:

_ / С1~(адс) + ЭС1,(адс) ЭС1Лгаз) + е ' _ 3 (7),

4 \ С12(адс) + ЭС12(адс)

ЭС12(адс) + е" -» С12(адс) + Э(адс) (8),

С12(адс) + е~ -» 2 С1~ (9).

Тетрахлориды восстанавливаются электронами металла до элементарного состояния.

Появление поверхностных оксидов кремния и германия на металлах можно объяснить влиянием воды. Радикалы 301^ южно рассматривать как кислотные центры, которые служат центрами адсорбции 1^0. Аналогично (5) можно написать реакцию, в соответствии с которой образуются летучие хлорсиланы и хлоргерыаны:

СЭ4+С1п]^д^+(4-П)Н20 —♦ (Э4+С1п:(4-П)Н)1+(4-п)0Н^ (10) ОН-группы могут связывать тетрахлорид по реакции:

х*и

х=1

(а)

(?)

(В)

РИС.5 - Подели тонких полупроводниковых пленок на поверхности металлов.

(а) П101+0 (или ШС!^) на никеле; (б) НЪ205_ф на ниобии; (в) БЮ^ на кремнии.

- уровень вакуума; Еф - уровень Ферш; фц, <рп - работа выхода электрона из металла н пленки, соответственно; ЕА, Ер- акцепторные и донорные уровни, соответственно.

ЭС14 + сш; (эс13:0Н)адо + с^

(И)

ЭС1(0Н)Э адо ♦ он;

Э(0Н), „„„ + 014 ■ 4 аде адо

1

ЗЮ2«2 Н^О

Полученные данные по первоначальной хемосорбции хлоридов показали, что реакции (11) с образованием нелетучих гидрооксихлори1-дов более вероятны для тетрахлорида кремния.

Различные теории роста тонких пленок на металлах основаны главным образом на предположении о не стехиометрии состава обра-зущего пленку химического соединения.

На рис.5 представлены зонные модели тонких пленок на металлах. Известно, .что нестехиометрия оксида и дихлорида никеля на рис.5 (а) обусловлена в основном катионными вакансиями. Нестехи-

ометрия оксидов ниобия и кремния на рисунках 5(6,в) связана с анионными вакансиями.

Катионные вакансии на рис.5 (а) образую акцепторные уровни. Часть этих уровней заполняется за счет перехода электронов из металла и валентной зоны пленки. Дырки, образующиеся в валентной зоне ассоциируются с ионами решетки, несущими избыточный положительный заряд (Ы13+).

Анионные вакансии на рисунках 5(б,в) образуют донорные уровни. Часть этих уровней ионизуется за счет перехода электронов в зону проводимости оксида. Появление электронов проводи-димости связывают с ионами решетки, несущими избыточный отрицательный заряд (НЬ4+, Б13+).

Предполагается вакансионный механизм переноса активных компонентов через пленку к ее реакционной поверхности. Рост оксида или дихлорида никеля сопровождайтся переносом иона никеля через пленку к внешней поверхности, где происходит реакция его присоединения к хемосорбированному иону кислорода или хлора. Энергия активации само диффузии никеля в его дихлориде составляет 154 Кдж/моль, а энергия активации процесса хлорирования атомно-чистой поверхности никеля не превышает 12 Кдк/моль. Т.е. можно предположить, что процесс лимитируется поверхностной реакцией. Это .предположение согласуется с наблюдаемым наш логарифмическим законом роста плэнкн Ш.С12+0 и значительным отклонением ее состава от стехиометрического на внешней поверхнорти.

Механизм хлорирования оксида никеля, по-видимому, такой же, как и никеля. Но из-за низкой концентрации свободных носителей в оксиде по сравнению с металлом ионосорбция хлора на оксиде затруднена. Этим можно объяснить меньшее значение энергии активации хлорирования оксида никеля по сравнению с металлом. Меньшие значения константы скорости хлоририрования оксида объясняются уменьшением эффективной площади дихлорида никеля за счет включений диоксида кремния или герлания. Это обстоятельство может способствовать и уменьшению скорости поступления никеля в высокочистые тетрахлориды.

Рост оксидов ниобия и кремния происходит на внутренней поверхности пленок. Ион кислорода переносится к этой поверхности, где присоединяется к иону металла.

Отсутствие заметного проникновения хлора вглубь поверхностной оксидной пленки объясняется низкой концентрацией дефектов

баографгеэскога происхоздения и размерными эффектами (ионный радиус С1~ гораздо более радиуса О2-).

Сказанное шве относилось к втамно-чистой поверхности мо-таллов н их аксклов: Связанная и адсорбированная на их поверхности вода существенно влияет на процесс взаимодействия.

Поверхность пленки оксида никеля обогащена кислотными центрами Лынса (Ь+ - вон Н13+). Связывание вода на этих центрах описывается реакцией (5). Образуются протон может быть связан ионами кислорода решетки с образованием соответствующего гидрооксида .или образовать водородную связь с ионом кислорода адсорбированной молекулы'воды.

Связывание вода на основных центрах Льгаса (ионы НЬ*1", Б!3*) описывается реакцией (6). Образущаяся ОН-группа может диффундировать по анионным вакансиям к реакционной внутренней поверхности пленки. Действительно, ОН-группн в заметных количествах обнаруживается внутри естественного пассивирующего. слоя ниобия и кремния.

Взаимодействие реальной поверхности никеля с тетрахлорида-мп характеризуется постепенным замещением ОН-груш хлором с образованием вначале основных хлоридов никеля,- а затем его дихло-рида. Более высокую скорость поступления никеля на ранних стадиях контакта с высокочистыми тетрахлоридами можно объяснить повышенной растворимостыв основных Хлоридов никеля по сравнению с дахлэрвдом. Слой дихлорида* растет по тому же механизму, что и на атоыно-чистой поверхности никеля. Влияние тонкого оксидного слоя на процесс хлорирования незначительно. Увеличение его толщина должно привести к росту доли второй фазы в прохлорирован-ном слое, т.е. к уменьшению скорости поступления никеля в тет-рахлорид.

Таким образом, оксиды никеля, ниобия и кремния более пассивны по отношению к хлорированию поверхностного слоя, чем сами металлы. С целью уменьшения загрязняющего действия никеля и ниобия можно использовать материал с более толстой оксидной пленкой, чем та, что образуется в процессе естественной пассивации. Кварцевое н силикатные стекла могут быть пассивированы но отношению к роадсорбции вода отжигом в кислороде.

Датируемая литература.

1. Нефедов В.И., Черешн В.Т. Физические метода исследования поверхности твердых тел. U.: Наука, 1933. 296 с.

2. Анализ поверхности методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии./Под ред. Бриггса Д. и Сихд Ы.П. Ы,: Мир, 1987. 520 с.

3. geah И.Р,, Dench W.A.//SvtrI. Interface Analysis. 1979. Y. 1. Ho. 1. P, 2.

ВЫВОДЫ.

1. С помощью образцов сравнения изучены р/э-спектры оксидов, гидрооксидов и хлоридов никеля, ниобия; кремния, германия, наличие которых предполагалось в поверхностном слое исследуемых образцов. Исследовано влияние контакта с атмосферным воздухом и процедур - нагрева и ионного распыления в камере спектрометра на химический состав поверхностного слоя образцов сравнения. Полученные данные позволили достаточно надежно идентифицировать химический состав поверхностного слоя исследуемых образцов.

2. Исследована кинетика изменения химического состава атомно-чистых и реальных поверхностей никеля, ниобия, кремния и их оксидов при контакте с высокочистыми летучими тетрахлоридами кремния и германия в газовой и жидкой фазах.

3. Показано, что процесс хлорирования атомно-чистой поверхности никеля тетрахлоридом кремния или германия лимитируется поверхностной реакцией присоединения иона никеля к хемосорби-рованному иону хлора, которая сопровождается образованием пленки дихлорида никеля. Рост пленки происходит по логарифмическому закону.

4. Поверхность оксида никеля хлорируется заметно медленнее поверхности элементарного никеля. Основу прохлориро^анного слоя составляют дихлорид никеля и диоксвд кремния или германия. Уменьшение эффективной площади контакта за счет включений оксидов кремния или германия уменьшает скорость роста и поступления дихлорида никеля в летучие тетрахлориды.

5. Хлорирование реальной поверхности никеля на ранних стадиях контакта благодаря наличию ОН-групп сопровождается образованием в поверхностном слое вначале основных хлоридов никеля, а затем его дихлорида. Более высокая скорость поступления

никеля в высокочистые хлориды на ранних стадиях контакта объясняется повышенной растворимостью основных хлоридов по сравнению с дихлоридом.

6. Тонкие оксидные пленки естественного происхождения на ниобии и кремнии и соответствупцие объемные оксиды при контакте с тетрахлоридами ведут себя одинаково. Химический состав их поверхностного слоя изменяется незначительно, что объясняется пассивностью поверхности по отношении к ионосорбции $лора и затрудненной диффузией активных компонентов через оксидную пленку.

7. Оксиды никеля, ниобия и кремния более пассивны по отношению к хлорированию поверхностного слоя, чем сами металлы. С целью уменьшения загрязняидего действия никеля и ниобия можно использовать металлы с более толстой оксидной пленкой, чем образующаяся в процессе естественной пассивации. Кварцевое и силикатные стекла могут быть пассивированы по отношению к

ре адсорбции вода отжигом в кислороде.

8. Различия в поведении тетрахлоридов кремния н германия по отношению к исследуемым веществам существуют только на стадии дегидратации окисленного поверхностного слоя: процесс гидролиза тетрахлорида кремния сопровождается образованием его диоксида, а тетрахлорида германия - летучих хлоргерманов.

Основные результаты опубликованы в следующих работах:

1. Ларин Н.В., Краснова С.Г., Еремин А.И., Логинов A.B.', Филимонов И.В. Рентгеноэлектронный анализ поверхности никеля после его контакта с высокочистым тетрахлоридом германия.// Поверхность. Физика, химия, механика. 1985. JS 4. С. 101.

2. Краснова О.Г., Ларин Н.В., Левитский A.B., Левитская А.И., Логинов A.B., Садиков Г.Б., Еремин,А.И. Исследование продуктов взаимодействия трихлорсилана, тетрахлоридов кремния и германия с некоторыми конструкционными материалами/ YII Всесоюзная конф. по методам получения и анализа высокочистых веществ: Тез. докл. в 2-х чч. Горький, Ин-т химии АН СССР, 1985. Ч. 1. С. 20.

3. Ларин Н.В., Еремин А.И. Рентгеноэлектронное исследование образцов германия, полученного различными методами из высокочистого германа/ Уральская конф. по современным методам анализа и исследования химического состава материалов металлур-

гии, наащностроеввя, объектов скруващзй среда. Тез. докл. Устинов, УВД АН СССР, 1965. С. 96.

4. Удалов О.Ф., Сибиряков S.A., Еремин А.И. Загрязняющее действие металлических конструкционных материалов щи их контакте с высокочистым трихлорсилавоы/ YIII Все сошная коаф. го методам получения и анализа высокочистых вецэств. Тез. докл. В 2-Х чч. Горький, Ин-т химии АН СССР, 1968. Ч. 2. С. 101.

5. Краснова С.Г., Логинов. A.B., Удавов О.Ф., Е5»мин А.И. Исследование загрязняющего действия некоторых конструкционных материалов при их контакте с высскочистым трихлорсиданои// Высокочистые вещества. 1988. Я 3. С. 123.

6. Девятых Г.Г., Буланов А.Д., Еремин А.И. Исследование взаимодействия кварцевого стекла с расплавом шсакочистого дихло-рида цинка// Высокочистае вещества. 1990. Л 2. С. 108.

7. Еремин А.И., Ковалев И.Д., Потапов A.M. Рентгеноэлектронные спектры оксидов, гидрооксидов и хлоридов НШС8ЛЯ//ДУ{Н. неорг. химии. 1992. J» 6. Т. 37. С. 1341.

8. Девятых Г.Г., Еремин А.И., Ковалев И.Д. Маханиям загрязняющего действия никеля, ниобия и стекол на основе диоксида кремния на высокочистые тетрахлорида кремния и германия// Высокочистые вещества. 1992. X 4. С. 7.