Математическое моделирование фотолиза кристаллических нитратов натрия и калия светом с длиной волны 253,7 НМ тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

Ананьев, Владимир Алексеевич АВТОР
кандидата химических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ
Кемерово МЕСТО ЗАЩИТЫ
1990 ГОД ЗАЩИТЫ
   
02.00.04 КОД ВАК РФ
Автореферат по химии на тему «Математическое моделирование фотолиза кристаллических нитратов натрия и калия светом с длиной волны 253,7 НМ»
 
Автореферат диссертации на тему "Математическое моделирование фотолиза кристаллических нитратов натрия и калия светом с длиной волны 253,7 НМ"

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Па правах рукописи

ЛПЛИЪНВ ВЛАДИМИР АЛЕКСЕЕВИЧ

МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ФОТОЛИЗА ■ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ НИТРАТОВ НАТРИЯ И КАЛИЯ СВЕТОМ С ДЛИНОЙ ВОЛНЫ 253,7 ИМ

02»00«.04' - физическая химия

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук

Кемерово- ¿990

Работа выполнена в Кемеровском государственном университете

Научный руководитель доктор .химических наук,

. догонт

* . . Невоструев Я.,».

Официальные оппоненты:. . ■' г,октор Физико-математи-

ческих наук,профессор ■ Михайлов М.М. '

кандидат химических наук Долганов B.C.

Ведущая организация : Латвийский университет

- ' _

Защита диссертации состоится "lb" ноября 1990 года в " 1() " часов на заседании специализированного ученого Совета К 064.17.01 по присуждению ученой степени кандидата наук в Кемеровском государственном университете по адресу: 650043,г.Кемерово-43,ул.Красная,6.

С 'диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Кемеровского государственного университета.

Автореферат разослан ")5~" октября 1990 года.

Учений секретарь Специализированного Совета К 064.17.01, к.ф.-м.н., доцент ^ ' Бахроме«?!-.

ОБДЛЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Кристаллические нитраты щелочных металлгв являются хорошо изученными модельными объектами соединений,которые относятся к классу ион-молекулярных, то есть объединяют в себе черты щелочно? .галоидных и молекулярных кристаллов. Их облучение приводит к образовании как делокализованных (зонных), так и локализованных (молекулярных) возбуг ений. Последние особенно интересны для химии, так как локализованное ка одном анионе или связи возбуждение может дезактивироваться е процессе химических реакций. При ятом,какой именно образуется просукт, будет зависеть как от энергии соответствующего восб^денного состояния, так и от конкретного геометрического места его локализации. Например,среди продуктов фотолиза кристаллических нитратов известны нитрит и пероксонитриг. На их образование в настоящее время имеется две точки зрения. По пергой, нитрит появляется при диссоциации пе-роксонитрита, являющегося первичным продуктом превращения воз бужденного нитрат-иона, то есть образование N0^ связано ^.о стоком- возбуждений на дефектный узел решетки, каковым является ОЖ^. Согласно второй точке зрения оба продукта образуются независимо из различных' возбужденных состояний нитрат-иона.

г|ля ответа на вопрос, какая из названных точек зрения реализуется на самом деле, помимо проведения дополнительных окспе-риментов, необходимо решить прямую и обратную кинетическую задачи (ПКЗ и ОКЗ, соответственно) фотолиза кристаллических нитратов, что в аналитическом вице не представляется возможным. На сегодняшний день существуют достаточно надежные методики численного решения подобных задач, относящихся к гомогенному распределению продуктов разложения по образцу. В случае фотолиза необходимо учитывать ряд усложняющих решение задачи моментов, таких как:

а) неполное поглощение света образцом;

б) учет реального профиля поглощенной дозы,который для анизотропного образца неакспоненциален;

в) возможная фильтрация фотолизирующего света продуктами фоторазложения и примесями; ' ! ^ ., •

г) использование данных по накоплению оптической Плотности, а по-' лосе поглощения продуктов, которые для анизотропного .образца^ ■

пряно 1.0 могут быть соотнесены с результатами химического анализа.

Таким образом, актуальность данной работы заключается как в изучении и дискриминации механизма фотолиза нитратов-соединений, находяцих широкое применение в промышленности и науке, так и в создании методики, позволяющей решать подобные задачи для анизотропных кристаллических соединений, облучаемых неполяризоваинкм светом.

Исходя из -этого, целью работы ярилась разработка методики решения ПКЗ и ОКЗ фотолиза кристаллических тел и ее применение для дискриминации механизма фотохимического разложения нитратов щелочных металлов светом с длиной волны 253,7 нм. Из поставленной цата вытекают следующие задачи :

- определение профилей поглощения неполяриэованного света в поли-и ыонокристаллических образцах изучаемых нитратов,обп дающих

" изо - и анизотропными свойствами,соответственно.

- разработка методики решения ПКЗ и ОКЗ фотолиза анизотропных кристаллических образцов с учетсм реального профиля поглощенной дозы и ее реализация на ЭВМ.

- дискриминация механизма фотолиза кристаллических нитратов щелочных металлов.

- определение механизма влияния легирующих примесей на фотолиз нитратов, с учетом их участия в процессах поглощения света и их свойств, как акцепторов возбуждений.

[.'лучная новизна работы заключается в проведении математи -ческого моделирования,фотолиза кристаллических нитратов щелочных металлов неиоляризованным светом с учетом реального профиля поглощенной дозы. При этом установлено, что имеющиеся эксперименталь-'• •е данные по образованию и накоплению продуктов разлояения могут сыть объяснены в рамках модели, предполагающей независимость образования нитрита и пероксонитрита при фотолизе нитратов, и учитывающей анизотропию поглощения фотслизирующего и анализирующего < света матрицей, примесными ионами и продуктами фоторазложения.

. На защиту выносятся следующие основные положения : • I. Разработана и реализована на ЭВМ методика решения ПК2 и ПКЗ фотолиза анизотропных кристаллических тел, позволяющая учитывать негомогенный характер распределения продуктов по образцу,

обусловленный реальным профилем поглощенной дозы.

. Проведенное математическое моделирование механизмов фотолиза нитратов щелочных металлов показало, что при решении ПКЗ и ОКЗ достоверные параметры модели получаются только три корректном учете поглощающих свойств матрицы, примесных ионов и продуктов фоторазложения, а также при учете свойств дгух последних как тушителей возбуждений и катализаторов разложения.

Практическая значимость диссертационной работы состоит в ралработке простой г/етодики определения профиля поглощенной дозы п анизотропных монокристаллах на основании Д'нных по поглощению («поляризованного спета, а также в разработке методики численного определения кинетических параметров фотолиза таких кристаллических тел при облучении неполяризованнмм светом. Эти методики позволяет проподи'. корректны:-' анализ механизмов фотохимического разложения кристаллических соединений,обладающих анизотропными свойствами.

Апробация работы. Материалы диссертации докладывались ч обсуждались на краевой конференции "Химия и химическая технология" в 1934 г. в г.Барнауле, на 4 республиканской конференции молодых ученых-химиков Белоруссии в 1988г. : г.,.!инске; на X Всесоюзном совещании по кинетике л механизму химических реакций в твердом теле в I9Ó9 г. в г.Черногологка; на 6 Всесоюзной конференции молодых ученых*"5изхимия-Э0" в 1990г. в г.Москва. Основные результаты диссертации опубликованы в б работах. Список публикаций приводится в конце автореферата.

Объем и структура. Диссертация состоит из введения,пяти глав, выводов,списка цитируемой литературы и содержит 149 страниц машинописного текста, 34 рисунка,7 таблиц. Список 1тературы включает 105 наименований.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Первая глава посвящена разработке методики решения ПКЗ и ОКЗ фотохимического разложения твердых кристаллических тел. Необходимость этого вызвана тем, что предпринимавшиеся до сих пор попытки решения st:ix задач относились либо к случаям сильно огра-

- с -

ничивающим их применение, либо нолученные общие решения били мало пригодны для количественной обработки экспериментальных данных.

При заметном' падении интенсивности фотолизирующего сьета по .длине образца,концентрация частиц образующихся в первичном акте будет различно!! у противоположных поверхностей облучаемого объект, то есть при фотолизе измеряемые скорости накопления продуктов являются функциями толщины образца, и они не всегда соответствуют истинным, то, есть локальным скоростям, к которым относится закон действующих масс. Следовательно, определение кинетических параметров непосредственно по измеренным скоростям без их приведения к локальным в общем случае некорректно, так как полученные значения будут зависеть от толщины изучаемого объекта.

Проведенный анализ литературы показал, что решение ПКЗ и 01С фотолиза кристаллических тел в квадратурах возможно только для нескольких простых случаев. Таким образом для их решения необходимо использовать численные методы. Решение ПКЗ может состоять в следующем : находится концентрация продуктов фотолиза в каждом элементарном объеме вещества, а затем для определения их суммарного содержания в образце полученная концентрационная зависимость интегрируется. Толщина элементарного-слоя ,при фотолизе плоскопараллельным пучком монохроматического света,в отсутствии диффузии продуктов и в пренебрежении переносе:.; возбуждений может быть найдена из неравенства:

А. (I)

где К -коэффициент поглощения, «?, -величина ошибки. Учет веро- .

ятности переноса возбуждений показывает, чг»о решение корректно, если расстояние переноса не превышает толщину элементарного слоя в формулировке (I); Это же касается и диффузии продуктов.

На практике решение ПКЗ реализовано по следующему алгоритму. В начальный момент времени на основании данных об анизотропных коэффициентах поглощения образца определяется доза.поглощенная в каждом элементарном слое где число слоев Ь. вычисляется из (1), Затем, каким-либо из методов численного интегрирования системы диффуравнений(ДУ)»характеризующей меха-

!изм Фотолиза,определяете^ концентрация продуктов Сп ( в

каждом слое после одного шага t /М, где i -время экспонирования, М- количество шагов интегрирования. При интегрировании на один шаг предполагается, что профиль поглощенной до.,ы неизменен. На втором ^тлпе.с учетом возможного поглощения света продуктами фотолиза определяется новы? профиль поглощенной доэк -

Ifr ( А^ ) и интегрирование системы повторяется на величину еще одного тага ЛÍ . Вычисления повторяются M раз, конечная концентрация продуктов в слое равна СЛ( I,

;;ля определения суммарного содержания ь тдого из продуктов в образце проводится численное интегрирование выражения:

Nn = ffCn(U)dt

о

где J> -плотность образца. Методика численного интегрирования системы ДУ додана быть такой,чтобы изменение концентрации продуктов за одкн шаг, не привело к значительному изменению профиля поглощенно:" дозы. Поэтому в работе использовали метод Рунге-Кут-та четвертого порядка точности с постоянным шагом.

Ясли продукты фоторрзложения слабо поглощают фотолизирующий свет, то в алгоритме решения ПКЗ предусмотрено использование методики, основанной на определении аффективного времени фотолиза каждого слоя. Это позволяет решать систему ДУ только один раэ-для первого слоя, что приводит к значительной экономии времени, которое требуется для расчета.

Константы элементарных стадий могут быть определены путем сравнения результатов расчетов с имеющимися экспериментальными данными об изменении концентрации продуктов , то есть лри решении ОКЗ. Однако, точное описание эксперимента не является доказательством адекватности рассматриваемой модели реальным процессам, так как может оказаться, что несколько механизмог динаково хорошо описывают эксперимент, или же в рамках одного существует несколько наборов констант, которые удовлетворяют искомым требованиям. В случае фотолиза ситуация еще более усложняется. Так, наблюдаемые кинетические особенности накопления продуктов могут объясняться их образованием во все более глубоких слоях образца, или их анизотропными свойствами'по отношению к анализирующему свету. Поэтому при математическом юделировании фотохимического

- Ь -

разложения кристаллических тел, необходимо схему химических реакций с.роить,осповииаясь в первую очередь на механизме деградации энергии в изучаемых объектах, то есть используя схему переходов низкоянергетических возбужденных (1РВ) состояний.

Обзор методом оптимизации функций нескольких переменных позволил вибрать для решения ОКЗ метод деформируемого многогранника (ДМ) и метод скользящего допуска. Таким образом в настоящей работе для дискриминации механизма фотолиза кристаллических тел и определения соответствующих параметров математической модели предлагается следующая методика:

1) На основании схемы переходов ПЭЬ состояний в изучаемой системе и оценки роли каждого из них в образовании и отжиге продуктов записывается механизм фотолиза и определяются ограничения на искомые параметры.

2) 11а основании значений анизотропных коэффициентов поглощения матрицы и зкстинкиии продуктов и примесей определяется профиль поглощенной дозы по глубине образца в начальный момент времени и в процессе фотолиза.

3) Неизвестные параметры математической модели фотолиза определяются при решении ОКЗ методом ДМ, а затем скользящего допуска. -

В конце главы рассматриваются используемые 'в работе методики определения концентрации продуктов фотолиза нитратов мелочны* металлов- нитрита и пероксонитрита,* а также ионов таллия. Источи никем УФ- света служила ртутная лампа ДЕ-30,интенсивность излучения составила 12,72 Ьт-м"^. Спзктры оптического поглощения регистрировали на спектрофотометре "Спекорд". Монокристаллы нитратов натрия и калия выращивали медленным охлаждением или испарением насыщенных водных растворов. Добавки вводили в решетку нитратов совместной кристаллизацией. Таблетки изготавливали прессованием измельченного порошка соответствующего нитрата давлением 10 Ша.

Вторая глава содержит обзор литературы посвященный энергетике ИЭВ состояний нитрат-иона и продуктов его фоторазложения-нитрита,пероксонитрита и кислорода. Из диаграммы НЭВ состояний нитрат-ион» следует,что фотолиз светом 253,7 км приводит к возбуждению состояния симметрии , деградация из которого,воз-; можна по состояниям , А| .

В низкоэнвргетической области нитрит-ион в соответствии С

диаграммой. состояний имеет три полосы поглощения,которые в Е05,-нкх растворах нитритов расположены при ЗЬ4,6 нм (Mij"**" ^Aj") ,267 нм ( — 'Aj) и 210 нм^Зр-"—Эти же полосы наблюдаются V. п нитритах натрия и калия, причем '.«металлическое поле матрип! сла;'о влияет на положение их максимумов относительно таков1, .х г- родных растворах, "ожно ожидать, что их положение сохранится и в твердых нитратах, содержащих нитрит. Однако, в последнем случае экспериментально наблюдается только полоса при 3^0 нм. Это, по видимому, связано с тем,что остальные скрыты под интенсивно?! полосо" поглощения нитрат-иона с максимумом при 6 эБ.

л настоящему времени отсутствуют данные ос энергетике ~

состояний пероксонитрита в кристаллических нитратах. Тем не менее, и меновании данных о спектрах поглощения фотолизованных кристаллов нитратов и их соотнесение с аналогичными данными по спектрам поглощения несопряженных хромофоров со строением R-0-N =0,можно предположить,что 0NC£ помимо полосы поглощения при 350 нм должен поглощать свет в области 220 нм.

Таким образом, поглощение фотолиэиругащего света кристаллами нитратов щелочных металлов может зависеть от концентрации образовавшихся в них при фоторазложении перогссонитрит- и нгтгрит-ионов.

Близость энергетических уровней нитрат-,пероксонитрит-~й нитрит-ионов,свидетельством чего является перекрывание полос поглощения,обусловленного ими, делает возможным тушение НЭВ состояний NO3 на KOg и ONOg .

" "И,наконец,еще один~гГродукт фоторазложения нитратов- кислород практически не поглощает фотолизирующий свет, и значительно слабее остальных продуктов участвует в процессах тушения НЗВ состояний NO3.

D третьей главе определяется профиль поглощенной дозы в кристаллических KN0o и NaNOo, как чистых, так и содержащих NOX.

«J и .

Если поляризованный монохроматический свет падает на образец под произвольным углом, то вектор напряженности электрического поля Е можно выразить через соответствующие моменты диполь-ного перехода Т, jf, if в ионе,ответственном за поглощение света, следующим образом_з" = х-1+ + Х-к , где х,у, z -направляющие косинусы вектора Е. При этом выражение для оптической плотности анизотропного образца,произвольно ориентированного относительно поляризованного светового луча имеет вид:

10'

гЛ ,

* X

л

•10 л

+ У-10'

- 10 -кН

+ х-ю

(3)

где К; ,Ку. - анизотропные коэффициенты поглощения,

С^ , -оптические пути в соответствующих направлениях. Если свет поляризован частично, то коэффициенты х,у, х определяется из уравнения вида:

х = Хг-^з + Х2 • )

(4)

где =(11п)/( 1^1/1) -степень поляризации света, а 1а - интенсивности двух взаимоперпендикулярных компонент,характеризующихся векторами напряженности электрического поля Е^ и Е. . Количество квантов света поглощенных в элементарном слое

равно:

Для случая аксиальной симметрии,которая реализуется в нитратах щелочных металлов, и неполяризованного света уравнение <3) преобразуется к^виду: ^

10"Д-+ ( 1-Я) где «С -коэффициент, характе- |0 ризующий одновременно и сте- ^ ^ пень поляризации света и д ориентацию образца относительно светового луча. Из зависимости оптической плот- ' ьости в няполяризованном д<)

свете от толщины кристалла нитрата можно определить и коэффициенты поглощения К|. и КЙ для Е1С" _и_"е1|С,соот-эетственно.где С- главная ¿сь симметрии нитрат-иона. Па рис.1 показана зависи-месть оптической плотности

¿ч и

) (5)

I 1 3 А 5 6 7

Рис. I. Зависимость оптической плотности при 253,7 нм в непо-ляризованном све^е от толщины кристалла КЫОо (точки-экспе-

римент,сплошная к^яван расчет), при 253,7 :ш в неполяризованном свете от толщины кристалла ЗШОд. Дяя нитрата натрия зависимость имеет подобный вид. Определение неизвестных параметров в уравнении (6) проводили п:- методу ДМ. В качестве критерия достоверности использовали метод наименьших квадратов. Полученные значения анизотропных коэффициентов поглощения и Л приведены в табл.1. Моделирование завися-

мости оптической плотности от степени .неоднородности толщины кристалла.показало,что этот фактор слабо влияет на точность определения исковых параметров. Значение К^3*1, было также определено при измерениях оптической плотности в неполяризованном смете, направленном параллельно оси С кристалла КЫ0~. 3 этом случае поглощение описывается законом Вера с к^53,7 59 см"?

Таблица I

Анизотропные ког> ;Д)ициенты поглощения и в нитратах натрия и калия

Матрица ! Kf3'7 ! К?,53'7 i [л253,7 ' ucp < кэ#,? '

| см-1 | см-''' 1 СМ-1 1

KN03 . ' i 60,34 ! 5,90 ! 42,2 \ 49,Z- 9,3! 0,52

NaN03 ' ! 47,20 ! 12,81 ! 33,4 ! ) 0,70

Из найденных значений коэффициентов поглощения были оцеке-ны■ средние коэффициенты поглощения К£р"' =( 2-K¿ • • )/3, приведенные в табл.1, и соответствующие эффективным коэффициентам поглощения Kgj|3' Для поликристаллических образцов. Поелед-ни:; параметр был оценен независимым образом- по распределению фотолитического нитрита по таблетке нитрата калия. Как видно ';з табл.1 теоретические и экспериментально найденные значения хорошо согласуются мёжду собой.

По данным табл. I б--ли определены профили поглощенной дозы в моно- и поликристаллич^еких образцах изучаемых нитратов,облагающих анизо- и изотропными свойствами,соответственно. На рис.2 представлен подобный профиль для KNOg.

Для определения анизотропных коэффициентов экстиккции NOg, были изучены монокристаллы KNOg и NaNOg, содеркащие нитрит. Диапазон исслёдованных концентраций составил (I ■!• 100) 10 Коэффициент распределения нитрита между твердой и жидкой фазой постоянен и равен 0,011 - 0,003 и 0,006 - 0,002 для нитратов калия и. натрия,соответственно.

Анизотропные кээфф ициенты экстинкции нитрита,определение

по вышеописанной методике»приведены в табл.2. Монокристаллы нитрата калия,содержащие нитрит, ввеченлый сокристаллнгаии-ей,имеют катоиую поверхность, что.по-видимому,связано с дополнительным отражением я/или рассеянием света поверхностью образцов.-Расчет показывает, что величина оптической плот-кости .обусловленная несовершенством поверхности,составляет 0,04 и 0,06 для длин волн 355 нм.и 253,7 нм,соответс1 -венно. На фотолизованных образцах К-КЮ" такого явления отмечено не было. Из табл.2

0,5 х и

е-м*,*

Рис,2. Профиль поглощенной дозы в 1-почи-и 2-монокристад-яическом сбразиах нитрата калия, нормированный на дозу,поглощенною в поверхностном слое полукристаллического образца.

следует, что нитрит/образующийся при экспонировании КМО^,поглощает фотолиэирующий свет. Это объясняет ,лаблядаемое экспериментально, незначительное увеличение оптической плотности при 253,7 нм в фотолизованных кристаллах КГЯОд.

Таблица 2.

Анизотропные коэффициенты экстинкции нитрита в нитратах натрия.и калия.

Патрица

!

нм

!

¿i (El(Г) ! g,tmic ) ' <5*00

!л моль~"см"^

т т г т

!л моль см -Мл моль Асм-1

шо3 шо3

NaNO, NaNO"

'3

! 355 ! 5,3 1 50,5 ! 20,4

! 253,7 ! 0,5 ! 6,В Г 2,6

! 350 ! 23,2 ! 133,9 ! 60,1

! 253,7 ! О 10 ! О

Используя данные табл.1 и 2 были расчитанн профили поглощенной дозы в поли- и монокристаллических образцах нитрата калия,содержащих нитрит, введенный сокристаллизаглей. Оказалось,что в

поргих изменение прл'иля поглощенной дозк обуел'.клишо в основном наличием на поверхности рассейпа^щей пленки и практически не зависит от концентрации добавки. г\ря вторых,з пополнение к этому, наблюдается незначительное уменьшение глубины фотолиза при уреличении концентрации примеси. Необходимо отметить,что профиль поглощенно:" дозк в фотолизовянных КИО^ л ЫаЫО^ практически не отличается от такояого в необлученных образцах.

Ь- гла'е четвертой рассматриваются имеющиеся в литературе механизмы фотохимического разложения нитратов щелочных металлов и проводится,математическое моделирование фотолиза.

По первому механизму, в дальнейшем модель I.предполагается, что ОЫО^ является первичш-'м. продуктом фотолиза и образуется при изомеризации возбужденного нитрат-иона, а ;штрит является продуктом его диссоциации. Помимо того, ОЫО^ дает вклад в химический анализ на ЫО^ . Совокупность этих двух процессов обуславливает линейное накопление нитрита,анализируемое химическим анализом.

По второму механизму- модель 2, предполагается, что нитрит и пероксонитрит образуются независимо друг от друга из различных возбужденных состояний нитрат-иона. При этом по обеим моделям накопление пероксонитрита молно описать одной схемой,основанной на диаграмме ^переходов НЭВ состояний нитрат-иона и продуктов его фоторазлоткенйя, и которая рассматривается в модели 2. С учетом схемы образования нитрита по этой модели, механизм образования

продуктов можно представить в следующем виде:

НО- (l^-^-NOg K(V) (7) "

NO^iV)-^—ONO^ (в)

NG3* (VUW- NO3* (I,3AJ) (9)

ONO g , + NOg* (I>3Äj)-K4~2-N0g (Ц) (10)

N05* (I,3Aj)—"ö-^NOg (lk[) (II)

NOg* (h') — NO3* (3E") . (12)

N05* (V)— NOg +0 (13)

NOg* <V)— NOg (Ц) +<j. (14)

Из диаграмм электронных состояний следуст,что образовавшиеся в ходе фотолиза нитрпт-кокы могут тушить возбужденные состояния

нитрат-иона, как симметрии , так и и не участвуют в

я //

тушении с --.тояний симметрии иЕ ;

N02 + Шд* (V)—^—МО^ С1/^) ЫОр ^ (Ш

N0^ + N03* (1,3А')-КТ0-1\[0з (Ц) + (16>

Атомарный кислород, образовавшийся при фотолизе атакует нитрат-ион с образованием молекулярного кислорода и нитрит-.'.зна.

Накопление нитрита и пероксонитрита при фотолизе кристаллических нитратов щелочных металлов по модели 2 и приили«ении стационарности по промежуточным продуктам описывается системой ДУ:

где 1р (отж) = ГУ ^ % + имеет смысл квантового выхо-

да возбужденных состояний,приводящих к отжигу пероксонитрита ; У?Ш0р = К3/ (К2+ К3+ Кб)-К? / (Кг,+ Кд) - начальный квантовый выход нитрит-ионов; (¡СЧОКО^ ) = «^-Кс / (К2+К3+К£)- квантовый выход пероксонитрита; К= Кд / (К^+Кз+Кц; Кл- константа скорости П-той реакции; , квантовый выход возбужденных сос-

тояний нитрат-иона симметрии .

В исследованной области падающей,энергии ¿= Ю^эВ-см"2, накопление нитрита линейно, что возможно,если К^ИО^^! •

Содержание N0^ в образце .расчитываемое по модели I,меньше чем определяемое химическим анализом, и его накопление нелинейно.

Используя экспериментальные данные по накоплению N0^ и 0Ы0£ при фотолизе кристаллических КЫОз и ЫаЗМОд светом с длиной волны 253,7 нм-и методику решения ОКЗ, изложенную выше, были определены кинетические параметры модели 2,приведенные в табл. 3.

Расчет зависимости профиля концентрации пероксонитрита от Бремени экспозиции по глубине твердого }Ж0з показал, что его распределение можно описать функцией Р ( I).которая состоит из трех участков-зон. Если пренебречь тушением НЭВ состояний нитрат-иона на нитрите, то на первом участке концентрация пероксонит-

- и,

, ита неизменна и определяется соотношением скоростей образования и отжига.

1аблица 3.

Кинетические параметры механизма гЬотолиза КЫС3 и ЫаЫ03

Матрица ! (/(КО?) ! усогад;;) </?(ота)!Кг/ К4 ! к10/к4

! кв-1 ! кв"1 к в"1 ! см-3 '

шо3 !1,2-Ю~2 '1,3-Ю"1 0,21 <9,15-Ю18! 5-10"2

ИаКОз !3,С>-10~2 0,28 !5,20-Ю19! 3-Ю"2

Второй участок-реакционная зо-. на,характеризуется резким уменьшением концентрации перо-ксонитрита до нуля. В третьей > зоне концентрация мала и ее можно принять равной нулю. Мо- " делирование показывает,что процесс фотолиза можно условно разделить на два этапа: на первом происходит формирование реакционной зоны,причем ее форма и скорость образования зависят от анизотропии поглощения света

образцом а ка втором-наблюда-ется ее движение параллельно фотолиоируемой поверхности,без изменения формы,как видно из рис.3.

Проведенный расчет показывает,что отжиг пероксонитрита обусловлен синглетньми состояниями нитрат-иона симметрии^.

На основании данных о накоплении оптической плотности в не-поляризованном свете в фотолизованных монокристаллах КМО^и ЫаЫО^ и механизма фотолиза,приведенного выше,п4и решении ОКЗ определены анизотропные коэффициенты экстикции ОКО^- в матрицах изучаемых нитратов,которые нриведе"ч в табл.4.Кроме этого окаэ^-

а

ИО5, ГА

Рис, 3.Профиль концентрации пероксонитрита при фотолизе монокристалла КМОд. Числа у кривых-время фотолиза в мин.

- к; -

лось,что перокеонитрнт не поглощает ¿йтсл.тррчкф!? еьст.

Таблица

Анизотропные коэффициенты экетинкпии ОМО^ в КМО, и МаМС.,

Матрица ! А т<и 1 г* . £¡1 > (ср.

? им -т -I ■моль ■'■СИ ' л-моль"^- см~^

Ш03 ! 350 ' 3830 Т зес ! 2670

НаЫ03 ' 335 Г 145С ' 1030 ' 131С

Из кинетического анализа следует,что изучение только чистых нитратов натрия и калия не позволяет однозначно дискриминировать модель фотолиза.

В главе пять рассматривается механизм влияния добавок на фотолиз кристаллических.нитратов.

При построении модели фотолиза кристаллических тел,содержащих добавки,необходимо учитывать все многообразие форм влияния последних как УФ-абсорберов,тушителей возбуждений и катализаторов разложения. Для этого,во-первых,необходимо"определить про -филь поглощенной энергии в легированной системе. Во-вторых,на основании диаграмм НЭВ состояний примеси определить возможность тушения НЭВ состояний ионов матрицы,или наобо—т. При этом может оказаться так,что перераспределение энергии между различными состояниями приводит к увеличению выхода одного из продуктев,то есть проявляются свойства примеси как катализатора разложения.

Для уточнения механизма фотолиза нитратов в качестве добавок были выбраны ионы Н0£ и

Изучение накопления пероксонитрита в системе КЪГОд'.ЫО^ показало,что уже в области самой Малой изученной концентрации добавки - 10 моль-г"* выход ОЫО^ меньше чем в чистом нитрате. При увеличении содержания примеси в образце происходит дальнейшее уменьшение выхода.

Численное моделирование накопления пероксонитрита в рассматриваемой системе с учетом реального профиля поглощенной энергии и механизма образования ОЫО^, изложенного выше,позволило опи-

сать имеющиеся экспериментальные результаты, уточнить значение и определить величину К .которые приведены в табл.5.

Накопление нитрита в нитрате калия,легированном N0^ линейно I) области доз до 10^ зВ-г-*. Зависимость начального квантового выхода нитрита от содержания примеси имеет минимум в области самой малой исследованной концентрации N0^ . Наличие подобного экстремума легко объяснить изменением профиля поглощенной энергии б легиро! ¡пых кристаллах по сравнению с чистыми. При .увеличении содержания добавки происходит рост начального квантового выхода нитрита. В рамках модели I этот факт объяснить не удается, а в рамках модели 2 только если предположить,что наблюдаемая тенденция связана с увеличением выхода нитрита из трип-летных состояний нитрат-иона вблизи примеси. Причиной усиления разложения может являться-наличие вблизи нитрита,введенного со-кристаллизацией,свободной полости,которая занята молекулой кислорода, если ЫС>2 образовался фотохимически. Изучение газовыделения чистых и облученных образцов нитрата калия показало,что диффузия кислорода в рассматриваемых соединениях отсутствуем,то есть последнее предположение верно.

• - Для учета большей эффективности диссоциации нитрат-иона Еблизи примесного нитрита необходимо ввести реакцию:

Ь ~ (33) + ШОРд-^И— Ш0;рд + N0;; + 0 (18)

С учетом которой начальный квантовый выход нитрита ^ (N0^), в легированных образцах следующим образом зависит от концентрации добавки :

где А=К+К /(р+1)В=К-КЙ(р+1); К^К^/К^ р=Кд/К?. Кроме того, необходимо ввести в формулу (19) поправочный коэффициент,равный отношению доз,поглощенных в допированном образце , и чистом ¡¡ШОз.

Полученные при решении ОКЗ кинетические параметры приведены в табл.5. Моделирование роста оптической плотности пру. фотолизе монокристаллов нитрата калия с учетом полученных кинетических параметров позволяет описать имеющиеся экспериментальные результаты.

В табл. 5 также приведены кинетические параметры механизма фотолиза нитрата натрия,содержащего нитрит.

.Таблица 5

Кинетические параметры механизма фотолиза нитратов натрия и калия,содержащих нитрит

Матрица ! К10/К4 ! К ! К" ' р

! ! ■ см3 ! см3 '

шо3 ! 1,665-Ю"20 ' 3,155-Ю"19 ! 3,244

ЫаН03 !4,9-10-1 ! 1,201-Ю-19 I 1

Величина р характеризует отношение вероятностей интеркомбинационной конверсии возбужденного нитрат-иона симметрг 3Е и его диссоциации. Если из одного триплетного состояния нитрат-иона образуется два N0^ ,то выход триплетных состояний -предшественников .нитрита равен 0,026 ке-^. Полученные кинетические параметры также позволяют оценить критические расстояния переноса энергии $с, соответствующие расстоянию между донором и акцептором, при котором скорость передачи г-лергии равна скорости дезактивации донора б отсутствии акцептора. Зти значения приведены в табл. б.

Таблица 6

критические расстояния переноса энергии возбуждения в.кристаллических нитратах натрия и калия "

Матрица ! ! Й0(3Е") ! Л?0СХА*>

! нм ! нм ! ил

КЫ03 ! -1,6 ? -2,6 ! -"3,0

]МаК03 1 -1,0 ! ! -1,6

Влияние ионов таллия на механизм фотолиза нитрата кат./я носит комплексный характер. Первый путь-это изменение профиля поглощенной дозы. Из зависимости оптической плотности при 253,7 нм в неполяризованном свете от толщины монокристаллов нитрата калия,

содержащих различную концентрацию таллия,определены анизотропные коэффициенты экстинкции,обусловленные введением . Они равны 3000 л-моль-*, ем"* и 300 Л'МОЛь-*. см"-'- для SIC и Е НС, соответственно. Наблюдаемое увеличение поглощения фотолизирую-щего света может быть связано как с усилением синглет-триплет-ного перехода в нитрат-исне в присутствии иона тяжелого металла, так и с поглощением саета непосредственно ионами таллия в результате перехода

Таким образом,легирование таллием нитрата калия приьодит ц уменьшению глубины фотолиза,причем чем больше концентрация добав ки,тем сна меньше. При концентрации ионов Тt I мольн.% на пря^ мое возбуждение Fír?3 состояний нитрат-иона симметрии расходуется не более фотолизирушего света.

Ьторой ¡¡уть состоит .в увеличении выхода триплетных состояний предшественников нитрита из синглетных за счет усиления спин-орбитального взаимодействуя.

Экспериментально в области малых концентраций таллия нао'-людаётся резкий рост начального квантового выхода нитрита,ратем при увеличении содержания, добавки^ в образце его изменение прямо пропорционально концентрации ТС . ¿,

Из кинетического анализа следует.,что механизмы влияния таллия ча фотолиз нитрата калия,исключающие перенос энергии возбужден..я от примеси к нитрат-иону, не описывают эксперимент. Наиболее предпочтительным сказался следующий механизм влияния добавки:

ТС (3Pj) (20)

Ы03 (h{) +ТГ* <? (ХГ) +тГ (V . (£1) '

те (.3рх)—+ «$- (22)

■ МОГ* {br-r ТЕ* (Js0) —к14—Tf(rS0) +0+ N0¿ (23)

Совпадение начальных участков на кривых накопления оптической плотности при 350 нм при фотолизе монокристаллов нитратг. калия,со- ' держащих различную концентрацию ионов таллия,показывает,что^по' • реакции (21) образуются !!ЭВ Состояния ни грат-иона симметрии4 ,Е • Известно,что при больших временах экспонирования я системе'

КИОд: ТС* наблюдается ингибирование образования нитрита. Математическое моделирование с учетом кинетических параметров,определенных рхнее, и реального профиля погтощенной дозы,позволяет качественно объяснить имеющиеся экспериментальные результаты.

Проведенные исследования позволяют еще раз подчеркнуть,что нитрит и пероксонитрит образуются независимо друг от друга. 3 противном случае не удается объяснить увеличение начального квантового выхода нитрита при Фотолизе системы КЫО^ : с ростом концентрации добавки, при неизменном выходе персксонитрита.

В конце глаЕЫ анализируются возможные причины влияния многозарядных катионов ьа фотолиз кристаллических нитратов, и утверждается, что все имеющиеся на сегодняшний день экспериментальные факты могут быть объяснены их свойствами УФ-абсорбероз,тушителей НЭВ состояний нитрат-иоков и катализаторов разложения.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДИ

1. Разработана методика решения ПКЗ и ОКЗ фотолиза анизотропных кристаллических тел,у<-.лтывающая негомогенный характер распределения продуктов по образцу.

2. Проведено математическое моделирование механизмов фотохимического' разложения кристаллических нитратов светом с длиной волны 253,7 нм. Показано,что корректный кинетический анализ возможен только при учете реального профиля поглощенной энергии. Установлено, что механизм фотолиза,предполагающий,что нитрит- и пероксонитрит-ионы образуются независимо друг от друга,адекватно описывает все имеющиеся на сегодняшний день экспериментальчые результаты.

3. Показано, что профиль энергии,поглощенной в изучаемой сис-■зме,зависит от анизотропных свойств нитратной матрицы,а также от

присутствия в изучаемой систоме легирующих примесей.

4..При решении ОКЗ определены параметры математической модели фотолиса нитратов натрия и калия- Это квантовь..- выходы перо-ксанитрит-иона и НЭВ состояний нитрат-иона (*Ат,3Е* в КК0о ч *Ат

1 т | '-^ о и А

^.ЫаЫОд), критические расстояния переноса энергии ( Е , Е ,

б КЫОд и в ЫаЫОд) и анизотропные коэффициенты

энстинкции продуктов фоторазложения.

5.Показано,что влияние примеси на фотолиз нитратов обуслов-

лен ее свойствами как УФ-абсорбера,тушителя НЭВ состояний нит-,. рат-иона и катализатора разтожения. ...

Основные результаты диссертации опубликован1! в следующий работах:

1. Микдин М.Б.,Ананьев В.А.,Невоструев В.А. Радиационное образование электрон-недостаточных радикалов в кристаллических нитратах / В кн."Тез.докл.Всес.конф.по теор.и прикл.радиац.химии.-Обнинск, 19с54."-М. :Каука,I934.-C.242.

2. Ананьев В. А. ,Миклин'-!.Б. ,Невоструев В.А. Кинетические особенности фотохимического разложения твердых кристаллических нитратов / В кн."Тез.докл.У1 Всес.совещание по фотохимии.-Новосибирск, 16-18 мая 1969г."- Новосибирск,1989.-т.2.-С.257.

3. Ананьев В.А. и др. Влияние гомофазных добавок на образование пероксонитрита npi; фотолизе нитрата калия/ В кн."Тез.докл.X Всес. совещание по кинетике и мех-му хим.реакций в тв.теле.-Июнь 1989г.

Черноголовка."-Черноголовка,1989.-т.2.-С.68-69.

4. Ананьев В.А.,Кондратова Г.А. Влияние нитрит-ионов на фотолиз нитратов щелочных металлов/ 3 кн."Тез. докл.У1 Всес.конф.молодых ученых и специалистов по физ.химии.■ Физхимяя-90"-М.:НШГЭХШ.-1990- т.3.-С.55-56.

5. Миклкк М.Б.,Кригер Л.Д..Ананьев В.А.,Невоструев В.А. Термический и фотохимический отжиг продуктов в фотолизованном нитрате калия// ХВЭ.-1989.-т.23,№ 6.-С.506-503.

6. Ананьев В.А.,Миклин М.5.,Невоструев В.А. Фотохимическое разложение нитрата калия.Обратная кинетическая задача//ХВЗ.-1990.-' т.24,ff 2.-С.146-150.

Ротапринт КемГУ. Тираж 100 экз. Заказ b Ь / . 1990г.