Модификация поверхностных слоев кремния высокоинтенсивными ионными пучками тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

На правах рукописи

ТРОИШШЗГ ВЯЧЕСЛАВ ЮРЬЕВИЧ

ИОДИШСЩМ ПОВЕРХНОСТНЫ! СЛОЕВ КРЕШИЯ БШЖОЙНТЕИСИВНЬШ ИОЕШШ ПУЧКИ®

Спе цизльность: 01.04.10 Физика полупроводников н диэлектриков

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

МОСКВА 1996 г.

Работа выполнена в Государственном Научном Центре Российской Федерации ГП "НПО ОРИОН"

Научные руководители:

Официальные оппоненты:

доктор технических наук, профессор И.Г.Стоянова; доктор физико-математических наук, профессор А.П.Новиков доктор физико-математических наук, профессор Н.Н.Герасименко; доктор физико-математических наук, А.Б.Данилин

Ведущая организация:

Московский институт стали и сплавов

Зашита состоится

1996 г. в_часов- на

•заседании диссертационного совета Д.053.02.02 Московского института электронной техники (Москва, 103498).

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке МИЭТ.

Автореферат разослан

* щ

.1996 г.

Ученый секретарь диссертационного совета, к.ф.-м.н., доцент

Б.М.Орлов

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность проблемы.

Ионно-лучеЕые методы обработки материалов обладают рядом уникальных преимуществ, обуславливавших их возрастающее использование в области полупроводниковой технологии. До последнего времени процесс повышения степени интеграции и функциональной сложности изделий микроэлектроники определялся модернизацией технологических процессов, разработанных з момент ее зарождения. В связи с тем, что плотность топологии практически уже достигла предела, дальнейшее совершенствование интегральных схем может быть связано либо с уменьшением размеров топологических элементов (что тоже имеет свой предел), либо с переходом к их многоуровневому построении. И то и другое требует разработки принципиально новых методов ионной обработки, сокращения многочисленных химических и других промежуточных операций.

С начала 80-х годов в ряде исследовательских центров мира проводятся активные исследования по физике взаимодействия высо-коинтенспвных ионных пучков с полупроводниковыми кристаллами. Результатом явилась разработка принципиально новых направлений ионно-лучевой модификации материалов - синтез скрытых диэлектрических и проводящих слоев в кремнии, ионно-лучевое перемешивание, самоотжиговое внедрение электрически активных примесей.

Однако, несмотря на достигнутые успехи, в силу ряда недостатков и ограничений перечисленные вше технологические операции не нашли пока широкого промышленного применения. В частности, один из наиболее перспективных для микроэлектронной технологии процессов - ионно-лучевой синтез - связан с весьма жестким термическим и радиационным воздействием на материал. В связи с этим в настоящее время большое внимание уделяется исследованию физических процессов, протекающих при ионном синтезе, а также поиску способов смягч.гния его режимов. Весьма перспективным в зтом направлении представляется разработка высоксинтен-сивных режимов ионно-лучевого синтеза, позвсляганх значительно сократить длительность радиационного воздействия на материал и за счет активации иснно-стимулируемых механизмов снизить термическую нагрузку на формируемые структуры.

Вместе с тем, кзк показал анализ литературных данных, до настоящего времени далеко не -полной является информация о кинетике накопления дефектов и примеси при виссксинтенсивнсм облу-

ченш кремния, особенностях и механизмах кристаллизации аморфного слоя в процессе самоотжиговой имплантации различных ионов, закономерностях формирования вторичных дефектов и профилей внедряемой примеси, влиянии интенсив: эсти облучения на структуру и характеристики ионно-синтезируемых соединений в кремнии.

При воздействии высокоинтенсивного ионного пучка имеет место значительный разогрев мишени в ходе облучения. Температура кристалла в процессе облучения является важнейшим фактором, влиявдим на все физико-химические процессы, происходящие в материале под действием мощного ионного пучка. Только точное знание температуры процесса позволяет отделить чисто термические эффекты от ионно-стимулированных при анализе экспериментальных результатов.

Перечисленные выше проблемы и определили направленность исследований в представленной работе, целью которой явилось:

- исследование структурно-фазовых перестроек, механизмов самоотжига и особенностей пространственного перераспределения внедряемой примеси в процессе высокоинтенсивного легирования кремния различными ионами;

- исследование и оптимизация режимов отжига имплантированных слоев б с помощью интенсивных ионных пучков;

- исследование и оптимизация режимов высокоинтенсивного ион-но-лучевого синтеза проводящих и диэлектрических слоев в кремнии.

Для достижения данной цели решались следующие задачи:

1. Модернизация системы сканирования ионного пучка в серийном ускорителе БС1-218 с целью повышения эффективной плотности ионного тока и осуществления интенсивных режимов облучения.

2. Модернизация рабочей камеры и источника ионов ускорителя с целью осуществления процессов ионно-лучевого синтеза.

3. Расчет и экспериментальное измерение температуры образцов при различных режимах облучения.

4. Экспериментальное.исследование структурно-фазовых превращений в 'кремнии при Еысокоинтенсивкой ионно-лучевой обработке.

5. Разработка технологических процессов высокоинтенсивного ионно-лучевого синтеза скрытых диэлектрических и проводящих слоев в кремнии на ускорителе со средними токами ионных пучков.

Научная новизна работы состоит в том, что:

- Впервыз показано, что рекристаллизация аморфного слоя,

сформированного на начальном этапе интенсивного ионного облучения кремния, начинается при одной и той же температура С"410°С) независимо от типа иона и плотности ионного тока.

- Впервые экспериментально обнаружено существование значительных механических напряжений нз границе раздела аморфной н кристаллической фаз при интенсивном легировании кремния и влияние этих напряжений на ускорение рекристзллизациокных процессов

- Исследование влияния плотности ионного тока на процессы формирования втор1ГШЫХ дефектов в рекристаллизованных слоях кремния при высокоинтенсивном облучении позволило обнаружить эффект низкотемпературного динамического оттяга протяженных дефектов.

- Обнаружено ускоренное протекание процесса кристаллизации' аморфных слоев на лицевой сторона кремниевой пластины при воздействии интенсивных ионных пучков на ее обратную сторону.

- Показано, что при ионло-лучевом синтезе дисалшидз кобальта увеличение плотности тока ионов Со+ до 20 мкА/см2 приводит к существенному снижению дефектности приповерхностного слоя кремния и образованию связей Со-Б1 непосредственно в процессо ап-лантации.

- Выявлено, что в отлитае от традиционных рэжгаов ионно-лучевого синтеза слоев 313Н4 в кремнии, при высскоинтенсивной имплантации азота локалг:се превышение уровня стехиометрии не 'приводит к его дальнейшему накоплению в этой области. В этом случае непосредственно в процессе облучения форжгруется плато в области концентрационного максимума, а сверхстехлсметрический азот эффективно диффундирует к его краям. ;

Практическая значимость полученных результатов заключается в том, что:

- Показана возможность формирования аномзлыю мелких <~ 0.1 мкм) высоколегированных с~>ев р-типа проводимости и аномально глубоких (до 1 мкм) слсев п-типа в кремнии путем сзмоотзэтозой имплантации ионов ВР^. Р+ и

- Разработаны режимы иокно-лучевого отжига ¡гмпл анткрсваннкх слоев в кремнии, позволяющие снизить термичэсхум нагрузку на обрабатываемую пластину и устранить диффузионное размытие профиля внедренной примеси.

- Путем интенсивного ионного легирования сформированы скрытые слои длсилицида кобальта и в кремнии непосредственно

- б -

в процессе облучения.

- Составлены программы компьютерного расчета:

1. температуры образца для различных режимов электростатического сканирования интенсивного ионного пучка;

2. интегральных характеристик нарушенного слоя по кривым двухкристалыюй рентгеновской дифракции.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Существует критическая температура начала рекристаллизации аморфных слоев в кремнии при самоотжиговых режимах имплантации, не зависящая от типа иона и плотности ионного тока. Она составляет ~ 410°С.

2. Значительные механические напряжения, возникающие на границе раздела аморфной и кристаллической фаз при высокоинтенсивном облучении кремния, ускоряют рекристаллизациошше процессы. Указанный эффект положен в основу модели ионно-стимулированной кристаллизации аморфных слоев в кремния.

3. Облучение Обратной стороны имплантированной пластины вы-сокоинтенсивныш ионными пучками приводит^ эффективному устранению имплантационных дефектов и активации внедренной примеси без диффузионного размытия ее профиля. На основании 'этого предложен способ ионно-лучевого отжига имплантированных слоев в кремнии.

4. При высокоинтенсивном ионно-лучевом синтезе формирование скрытых проводящих и диэлектрических слоев в кремнии происходит непосредственно в процессе облучения.

Лнчшй вклад соискателя.

Соискатель принимал непосредственное участие в получении всех результатов, представленных в диссертации. Результаты проведенных исследований были проанализированы совместно с научными руководителями. Обработка и интерпретация данных, а также выводы сделаны автором лично.

Степень обоснованности научных положений, рекомендаций и выводов, полученных соискателем.

Обоснованность полученных результатов и выводов подтверждается большим объемом проведенных экспериментов (различным исследованиям подверглись порядка 300 имплантированных образцов), использованием методик исследования, позволяющих проводить измерения с высокой точностью и воспроизводимостью.

Апробация работы.

■ Основные результаты работы докладывались и обсуздалясь на IV Всесоюзной конференции "Флуктуационные явления в физических системах", 1985, Пущино; на XVIII Всесоюзном Совещании но физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, 1988, Моск-Еа; на 2 Всесоюзной конференции "Ионно-лучевзя модификация полупроводников и других материалов микроэлектроники", 1989, Каунас; на 3 Международной конференции "Energy Pulse and Particle Beam Modification of Materials (EPM-89)", 19S9, Dresden, DDR; на VII Международной конференции по мжсроэлектронике "Микроэлектроника-90", 1990, Минск; на 3 Всесоюзной конференция "Ионно-лучевая модификация полупроводников и других материалов микроэлектроники", 1991, Новосибирск.

. Публикации. Результаты работы изложены в 10 публикациях, список которых1 приведен в конце автореферата.

Объеы и структура работы. Диссертационная работа состоит из 148 страниц машинописного текста, иллюстрируется 52 рисункам! и состоит из введения, пяти глав, заключения, списка литературы из 164 наименований. Общий объем работы 200 страниц.

СОДЕРЖАНИЕ-РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность'темы диссертации, сформулированы цель и задачи работы, научная новизна и практическая 'значимость полученных результатов, изложены основные положения, выносимые на защиту, определяется ее структура и содержание.

В первой главе на основе анализа литературных данных рассматриваются тенденции развития современной иснно-лучевсй технологии, одной из которых является возрэстэкхэя интенсивность пенных пучков. Бзаимодействие интенсивйшс ионных пучков с ксистал-лами отличают от традиционной ионной импланташш во-первых, значительно большая скорость всех процессов, сопутствуших про-• хождению частиц через вещество и, во-вторых, макроскопический разогрев мпаени вследствие высокой модности подводимой энергии. Очевидно, что два данных фактора существенно меняют хзрактер физико-химических процессов, проходящих в кристалле при внедрении ионов.

Проведенные в начале 80-х годов эксперимента с интенсивными ионными пучкзми показали, что если режим ионного внедрения обеспечивает разогрев кремниевой мишени до температуры, близкой

к температуре ее плавления, то возможно осуществление в одном процессе имплантации и постимплантационного отжига. Неясными на сегодняшний день остаются ответы на два вопроса: какова роль ионного пучка в.явлении самоотжига и насколько возможно уменьшить температуру самоотжиговых режимов имплантации, сделав таким образом перспективным их использование в технологических циклах изготовления элементов микроэлектроники?

Предпосылки для решения указанных проблем безусловно существуют. Известно, например, что даже при умеренных температуре кремниевого образца (200-400°С) и плотности тока ионного пучка (0.5-5 мкА/см"), проходящего через предварительно сформированный аморфный слой, наблюдается час ичное восстановление исходной кристаллической структуры кремния (ионно-стимулированная кристаллизация). В случае же легких ионов данный эффект проявляется даже при комнатной температуре. С целью выяснения механизмов ионно-стимулированной кристаллизации (ИСК) в кремнии я возможности их осуществления при высокоинтенсивной импягнташш приводится обзор имеющихся литературных данных по ИСК в ряде полупроводниковых материалов и влиянию на ее эффективность различных факторов. Рассматривается эффект динамического отжига в кремнии при воздействии ионных пучков различной интенсивности. -

Во второй главе диссертации описываются методики высокоинтенсивного ионного облучения и экспериментального исследования имплантированных структур.

Облучение исследуемых кристаллов в интенсивных режимах осуществлялось на ионно-лучевом ускорителе SCI-218 фирмы BALZEBS (Швейцария). Несмотря на высокое значение интегрального тока пучка (до 4000 мхА в случае ионов Р+ и Аз+) данная установка не позволяет реализовать режимы высокоинтенсивного облучения объектов при имеющейся системе комбинированного сканирования' ионного пучка. С целью расширения возможностей ускорителя в указанном направлении была модернизирована схема управления системой сканирования, что позволило по необходимости отключать ее механическую составляющую. Это дало возможность повысить эффективную плотность тока в процессе облучения до 200 мкА/см2, а в случае стационарного пучка - до 1000 мкА/см2.

Для повышения односодности легирования пластин в режиме электростатического сканирования было сконструировано устройство контроля распределения интенсивности по сечению ионного пучка.

а для однородного облучения пластин большого диаметра (до 100 мм) сверхвысокими дозами (иснно-лучевой синтез) разработана и смонтирована на ускорителе система дополнительного сканирования гхучка, позволившая осуществлять его перемещение и во взаимно-перпендикулярном направлении.

Для осуществления процессов ионно-лучевого синтеза в рабочей камере ускорителя было установлено устройство лампового нагрева образцов в процессе имплантации, а для синтеза проводящих соединений в кремнии путем имплантации ионов тугоплавких металлов была проведена модернизация штатного ионного источника, позволившая увеличить рабочую температуру в тигле с 650°С до 1500°С.

Анализ имплантированных структур осуществлялся с привлечением различных методик. Исследование кинетики структурно-фазовых перестроек в приповерхностных слоях кремния при интенсивном ионном облучении, а также структуры остаточных нарушений и их пространственного распределения осуществлялось методами- просвечивающей электронной микроскопии и обратного резерфордовского рассеяния (ОРР) с использованием эффекта каналлрования. Элект-роннодпфракцисшше измерение на "просвет" я на "отражение" использовались для идентификации соединений, синтезированных методом внсоксинтенсивной ионной имплантации, и анализа их кристаллической структуры. Образование химической связи внедренных атомов с атомами матрицы определялось методами ИК-спектроскспии ■ на пропускание и электронной Око-спектроскопии.

Профили внедренных атомов исследовались с помощью вторичной ионной масс-споктроскоши (ВИМС). Концентрация и подвижность носителей заряда, а также профили электрически активной примеси в ионно-имплантированных образцах измерялись электрофизическими методами.

Для решения вопросов, связанных с механическими напряжения?® в имплантируемых слоях, привлекался менее распространенный метод дифракции рентгеновских' лучей, потребовавший привлечения математического аппарата Фурье-преобразования для анэлиза экспериментальных результатов.

В третьей главе приводятся результаты исследования температурных режимов кремниевых образцов в процессе высоксингенсивно-го ионного облучения. Как отмечалось ранее, температура кристалла в процессе облучения является важнейшим фактором, влияющим на все физико-химические процессы, происходящие в материале

под действием мощного ионного пучка. Именно поэтому для корректного анализа экспериментальных результатов необходимо точное знание температуры объекта в процессе облучения.

Для решения этой задачи в рамках диссертационной работы был проведен теоретически! расчет динамики изменения температуры кремниевых пластин в процессе воздействия на них интенсивных ионных пучков с учетом особенностей крепления образцов и сканирования ионного пучка в проводившихся экспериментах. С целью проверки теоретически рассчитанных значений была разработана методика бесконтактного измерения температуры образцов в условиях высокого вакуума. Для осуществления температурных измерений был сконструирован и установлен в рабочей камере ускорителя . охлаждаемый ИК-фотоприемник. Хорошее согласие экспериментальных и теоретических данных позволяет говорить о корректности проведенных расчетов.

Четвертая глава посвящена описанию экспериментальных результатов исследования структурно-фазовых превращений в приповерхностных слоях кремния при воздействии интенсивных ионных пучков.

При высокоинтенсивном ионном легировании (ВШ) кремния характер структурных изменений в имплантируемых слоях существенно отличается от процессов при традиционной имплантации. Условно процесс ВИЛ монет быть разделен на ряд последовательных, взаимосвязанных стадий : 1) накопление дефектов, 2) аморфизация, 3) твердофазная эпитаксия, 4) структурные перестройки в рекристал-лизозанных слоях. Начальная стадия ВЫЯ, характеризующаяся быстрым накоплением радиационных дефектов в имплантируемой области, оказывает существенное влияние на характер протекания всего процесса. Именно поэтому исследование кинетики накопления дефектов и влияния на нее различных факторов, таких, например, как скорость набора дозы (СЦЦ), является актуальным с точки зрения оптимизации регаагав ВИЛ кремния.

Попытки найти зависимость уровня формируемой дефектности от скорости набора дозы при имплантации различных ионов в кремний предпринимались неоднократно, однако в области доз, близких к порогу аморфизации, это удалось сделать лишь для случая имплантации в кремний собственных ионов. Зависимость имела вид

В нашей работе была предпринята попытка найти эту зависимость для случая имплантации в кремний более тяжелых ионов Р+,

Arr, SP, а азт. Э::спери;.:внтз.шю полученная зависимость имела един И ТО? ЖЗ БИЛ Náef~ Ji/3 для ионов Р+, Аг+ И E?i.

С воиоеьж математической модели, ссксвывакаейся на теории скоростей хпмлческ;« реакций, были проведены расчета дефектной нуклеашм б кремнии пси облучении' различными иенами, которые ноказалн, что экспериментально полученная более сильная зависимость ^.l''"'3 для указанных ионов ке может быть обусловлена влияние»! атомов примеси. В то же время с возрастанием массы йена (что'увеличивает вероятность появления индивидуальных каскадов с высокой плотностью рассеянной в упругих столкновениях энергии) к концентрации атомов принеси механизм нуклеации приближается к гетерогенному типу, подтверждением чего является полученная зависимость ф5,6. Экспериментально найденная на-'

< /о

ми зависимость Nn ~ J ' ° позволяет предположить, что в случае + • i

имплантации ионов Р , кг , Е?0 в кремний имеет место переход ст гомогенного ~ 1/б) к гетерогенному (Mn ~ .1 1/2) механизму дзфектссбразования.

При достижении критической концентрации дефектов в области максимума упруго выделекког энергии начинается амерфиззпня кристаллической матрицы Si. Дальнейшее облучение приводит к расширению аморфного слоя в направлении объема и поверхности. Прове-денкые в работе исследования показали, что при выссксиктенсив-ней имплантации ионов F и Аг+ с энергией 150 кзВ в теплоизолированные пластины (ICO)- и (lll)-Sl во Есем интервале доз облучения со стороны поверхности сохраняется кристаллическая прсс-лсЯка, а при традиционных режимах облучения с низкой плотностью тока смср<£ный слой выходит на поверхность. В случае более тяжелых ионов Ast Sb+ при той же энергии имплантации крнстзллпчес-кая прослойка вблизи поверхности ке сохранялась.

При уменьшении энергии ионов до 100. кэВ эффект сохранения кристаллического поверхностного слоя сказывается в существенной зависимости от плотности ионного тока. Так при легировании кре-:лг,!Я ионами ?' с j = 0.1-1 мкЛ/см" аморфный слой еыхсдпт на поверхность ПРИ <5 = 3* 1014 - ia15CM~~, а при .1 = L0-2C мкА/см~ у поверхности остается кристаллическая прослойка тельной 2С

1 с „о

нм, еплсть до Ф = 2.5 * 1С""см когда вследствие вс-зрсс^ей температуры начинается рекристаллизация аморфного слоя. При ¿ = 25 мкА/см** у поверхности остается уже отдельные кристаллические островки, э дальнейшее увеличение платности тс:-^ приводит к

сплошной акорфигации поверхности. В описанной ситуации имеют место два конкурирующих процесса. Возрастающая к этому времени до 200-200°С температура образца симулирует частичный откпг вводами; дефектов, что тормозит продвижение фронта аморфизащщ к поверхности при плотностях ионного тока 3 = 5-25 мкА/см2. Наряду с этим увеличение плотности тока приводит к росту мгновенной концентрации дефектов, следствием чего является преобладание скорости их генерации над скоростью динамического отжига при близких температурах процесса в случае 3 > 25 мкА/см**. В этих условиях аморфный слой успевает выйти на поверхность до начала своей последующей рекристаллизации.

Размеры образованного на начальном этапе ВИЛ аморфного слоя стабилизируются в интервале доз Ф = Ю^-Ю^см-2 в зависимости от типа иона и плотности тока "3" и в течение некоторого временя облучения остаются неизменными. В то же время, как показали проведенные эксперименты по рентгеновской дифракции и ЭПР, структура аморфного слоя претерпевает заметные изменения. Полученные результаты позволяют сделать вывод о том, что в случае невысоких плотностей ионного тока на начальном этапе амортизации приповерхностная область находится в термодинамически неравновесном состоянии, а дальнейшее облучение приводит к посте-., пенному снятию неравновесия при неизменных границах аморфного слоя. Увеличение же плотности ионного тока существенно повышает неравноЕесность системы в области границы раздела "аморфный слой - кристалл".

Таким образом, вторая стадия ВИЛ заканчивается стабилизацией размеров аморфного слоя при температуре мишени 200-300°С. При этом граница раздела "аморфный слой - кристалл" в случае высоких плотностей ионного тока находится в существенно неравновесном состоянии из-за значительных деформаций 'решетки в приграничных областях, на два порядка превышающих случай пучков малой интенсивности.

Приведенные результаты показывают, что процесс ВИД кремния независимо от плотности ионного тока сопровождается амортизацией приповерхностного слоя, причем порог аморфизаши снижается с ростом скорости набора дозы. Величина плотности тока ионного пучка определяет, будет ли аморфный слой захороненным, или он выйдет на поверхность. Дальнейшее облучение приводит либо к структурным перестройкам в аморфизированной области без измене-

ния ее границ, что имеет место в случае традиционней гелплзнта-ции, либо к частичной или полной се рекристаллизации, что гс.йет место при увеличении плотности ИОННОГО ТОКЗ. lÜiOHHO нз этой стадии и проявляется кардинальное отличие процесса ЕЙЛ от традиционного ионного легирования.

Проведенные с помощью метода 0PF в сочетании с ьффектсм ка-налярования исследования кинетики кристаллизации аморфных слоев в ( 1Q0>- и (lli)-Si при интенсивной имплантации йене в Е*, Р4", Ат+ и- BFg дали следующие результаты:

1. Рекристаллизация аморфных слоев , сформированных на начальном этапе ВИД кремния иопадо Р+, начинается в одном и том ке температурном интервале 4СО-420°С независимо от плотности ионного тока "J". В то г:е время, скорость христаллиззшпг существенно возрастает с увеличением ";)", причем одновременно с этим увеличивается ьклад в рекристаллизациснкыо процессы иенно-стимулированного механизма. Минимальная плотность тока, при которой наблюдалась хотя бы частичная рекристаллизация аморфной фазы, составляла 10 мкА/см2.

2. В случае невысоких плотностей ионного тока (J = 10-25 мкА/см^') фронт кристаллизации движется и со сторспы объема, и со стороны, поверхности. При 3 = 10 мкА/см2 полной рекристаллизации аморфного слоя не происходит (его остаточная толщина составляет 70 нм ). Б слу.зе больших "J" аморфный слой полностью 'рекристаллизуется, однако в месте встречи фронтов кристаллизации формируется дефектная область с повышенной концентрацией дислокаций, устранить которые мокно ли:ль при температурах отзки-га свыше 10G0°C.

3. При J = 50-100 мкА/сЫ френт кристаллизации движется только со стороны объема. Отличительными осеСе;шостямп рек;:мз с 3 = 100 мкА/см2 является и-пщиироЕанне динамического отгзхз втор!ГПшх дефектов, форм рукщихся после скончания процесса рекристаллизации, a также высокая степень совершенства структуры имплантировашшх слоев.

4. Существенное влияние на крсцесс Е1'Л кремния ионами BF? сказывает ориентация имплантируемых пласта!. Если в случае (ЮО)-ориентзции S1 рекристзллпзованный слой по данным CFF и электрошой микроскопии является консхрпстзллпчес.чпм, то в случае (lll)-Sl на поверхности преобладает псликрнстзллкческгя Фаза, причем при дальнейшем облучении размеры зерен увеличивают-

ся. Еще одной особенностью рассматриваемого процесса в случае (100)-ориентации 51 является отсутствие дефектного пика в рек-ристаллизованной области в районе проективного пробега ионов фтора ( ~ 70-80 нм ), что всегда наблюдалось в случае термической рекристаллизации.

Б. На начальной стадии ВИЛ кремния ионами В"1" в приповерхностной области формируются отдельные аморфные включения, отжигающиеся впоследствии при характерных для перечисленных выше ионов температурах динамической рекристаллизации. В более глубоких слоях при этом формируются вторичные дефекты, устраняющиеся линь при Т > 1100°С.

6. Из имеющихся в литературе данных по термическому отжигу кристаллов кремния, облученных ионами аргона, известно, что при температуре ниже 1270К процесс ориентированной кристаллизации практически полностью останавливается, если концентрация аргона на границе раз-дела фаз достигает величины ~1.5*10'ь^ат/см4'. В случае же интенсивной имплантации в кремний ионов Аг+ ориентированной кристаллизации подвергается имплантируемый слой, концентрация атомов Аг в котором в несколько раз превышает . величине) _о

ну 1.5*10"исм , а температура образца по окончании рекристаллизации на превышает 550-600°С.

Анализ проведенных экспериментов позволяет сделать вывод о том, что кристаллизация аморфных слоев 51 в процессе высокоинтенсивного легирования отличается от чисто термической двумя основными особенностями: 1) меньшей начальной температурой (4С0-420°С) и 2) большей скоростью протекания. Указанные отличия подчеркивают ионно-стимулированкыЯ характер процесса, усиливающийся с возрастанием плотности ионного тока.

Говоря о механизме ионно-стимулированной кристаллизации в процессах ВИЛ, необходимо учитывать ряд факторов. Во-первых., процесс этот, безусловно, термически активируемый, т.к. при Т < 4С0°С не проявляется. Во-вторых, возрастающая скорость генерации, наряду с повышенной температурой, приводит к увеличению концентращш подвижных точечных' дефектов вблизи межфазной границы. Диффузия этих дефектов к границе раздела стимулирует перестройку аморфной области. Наконец третьим фактором, который необходимо учитывать при анализе ИСК при ВИЛ кремния, является значительно возрастания деформация его решетки в области границы раздела фаз при увеличении плотности ионного тока. Измене-

- 1 с _

I и —

ние пара:,гетра решетки при этом имеет место на глубинах до нескольких микрон. В следствие большего объема аморфной фазы, ее область вблизи границы раздела с кристаллической матрицей испытывает сжатие. По приводимым в литературе теоретическим оценкам при величине деформации сжатия порядка 5%, высвобождаемой энергии поля напряжений достаточно для снижения энергии активации процесса кристаллизации на 0.5 эВ, что приводит к снижению температуры начала этого процесса на ЛТ = 0.2Тет, где ТКр- температура начала термической твердофазной эпитаксиальной рекристаллизации аморфных' слоев в 31. В наши экспериментах среднее по деформированному слою изменение параметра решетки составляло 2-3%, однако непосредственно в области границы раздела фаз следует ожидать больших значений.

После завершения рекристаллизационных процессов при плотностях тока 3 < 100 мкА/см" на глубине от йр до 2Й_ по данным ОРР наблюдается область с повышенной дефектностью. Для определения структуры этих дефектов были проведены электрсннсмгкрсскошкес-кие исследования, которые показали нахгше з этой области ГПУ включений кремния, существующих в Еида тошсих пластин. При последующем облучении пласт, ¡атые выделения гексагональной модификации кремния трансформируются в объемные включения. Интересно отметить, что структура дефектов, образующаяся при ВИЛ кремния на глубине, превшг"<дей средний проективный пробег ионев, не зависит от сорта внедряемых ионов.

Отдельно следует сказать о случае ВИЛ кремния конами с

о

плотностью ионного тока 3 = 10 мкА/см". Пси дозе облучения Ф = 5*1015см~2 и температуре образца 410°С начавшаяся ранее рекристаллизация аморфного слоя полностью тормозится. Происходит это при приближении фронтов кристаллизации к максимуму упругих потерь ионов. Известно, что избыточная концентрация дефектов в области границы раздела ^аз, превышающая некоторое критшесксе значение, тормозит процесс .кристаллизация. Логично предположить, что чем меньше температура образца, тем меньше критическая концентрация дефектов, тормозящая кристаллический реет на границе раздела, так как с уменьшением температуры возрастает вероятность объединения точечных дефектов з более сложные де-фектше комплексы, которые не могут участвовать в достройке атомных плоскостей на границе раздела. В описываемом случае (3= = 10 мкА/см2) при Ф = 5*1015см~2, по-видимому, и достигается та

критическая концентрация дефектов, которая при данной температуре процесса (410°С) тормозит кристаллизацию. Дальнейшее облучение в этом режиме приводит к изменению направления фазового перехода. Начиная с дозы Ф = 7.5*1015см-2 наблюдается послойный рост аморфной фазы на обеих границах раздела.

Увеличение плотности ионного тока приводит как к возрастанию локальной концентрации дефектов, так и к росту температуры образца. Одновременно с этим усиливается вклад в рекристаллизаци-онные процессы механических напрякзний, возникающих на границе раздела. Поэтому увеличение плотности ионного тока в целом приводит к усиливающемуся преобладанию факторов, стимулирующих

кристаллизацию, над факторами, тормозящими ее. При 3 > 10 р

мкА/см торможения кристаллизации не наблюдалось, что подтверждает приведенные рассуждения.

Еще одной отличительной особенностью процессов ВИЛ кремния является эффект низкотемпературного динамического отжига вторичных дефектов непосредственно в процессе легирования при плотностях тока 3 = 100 мкА/см2 и выше. В этом случае дефекты, устойчивые в интервале температур до 1100°С, отжигаются при температуре образца," не превышающей 880°С.

Эффект исчезновения макродефектов, термически устойчивых в рассматриваемом интервале температур, непосредственно в процессе ВИЛ кремния можно связать с особенностями взаимодействия налетающих ионов с атомами кристаллической решетки. Результаты машинного моделирования показывают, что именно вблизи поверхности кристалла налетающий ион с наибольшей вероятностью создает большие по размерам разупорядоченные области. Если объем кристалла, где развивается плотный каскад, содержит макродефект, то происходит либо полное, либо частичное его разупорядо-чение. Динамически разупорядочэнная область даже при умеренной температуре кристалла (300-400°С) может зэноео апитаксиально кристаллизоваться в матричную решетку без образования макродефектов.

В пятой главе представлены экспериментально полученные результаты, показывающие перспективность использования высокоинтенсивных ионных пучков в микроэлектронной кремниевой технологии. Основными направлениями исследований явились формирование нетрадиционных профилей внедряемой электрически активной примеси, ионно-лучевой отжиг имплантированных слоев, ьысокоинтенсив-

ный ионно-лучевой синтез диэлектрических и проводящих слоев в кремнии.

Очевидно, что процесс« активации внедряемой в режиме ВИЛ примеси должны находиться в тесной взаимосвязи со структурно-Фазовыми изменениями в имплантируемых слоях. Действительно, как показали результата проведенных исследований, резкое уменьшение слоевого сопротивления происходит в момент окончания рекристаллизации аморфного слоя. В случав двустороннее кристаллизации и при невысоких плотностях ионного тока ( J < 50 мкА/см2) имеет место стадия "обратного"' отжига. Данный эффект наблюдался и при других видах отката имплантированного кремния. В случае ВИЛ кремния обратный отжиг может быть связан с вытеснением атомов примеси в междоузлия в процессе структурных перестроек в рек-ристаллизованша слоях, приводящих к формированию протяженных дефектов. При высоких плотностях ионного тока данный эффект не наблюдался, что коррелирует с результатами структурных измерений. Высокоинтенсивная имплантация в температурном режиме, близком к температуре плавленая кристаллического S1 <3=200 мкА/см2, т=1300°С), позволяет добиться практически 100%-ой активации внедряемое примеси.

Как показали результаты C-V измерений в сочетании с послойным стравливанием, увеличение плотности тока ионов Р4" и Аз* при постоянной дезе .епхрования приводит к смешения профиш 'их распределения 8 глубь образца ( при £»100 кэВ глубина залегания примеси может достигать 1 мкм непосредственно после имплантации). В качестве возможных механизмов ускоренной диффузии может рассматриваться как действие механических напряжений (см. гл.4), так и образование подвижных комплексов "примесный атом - точечный, дефект". В случае интенсивного легирования кремния ионами BF| возникает обратная ситуация. Увеличение плотности йот то тока до 100 мкА/см2 приводит, с одной стороны, к смешению максимума концентрационного профиля бора с ростом времени облучения в направлении к поверхности с локализацией его при Ф = 8*1015 см"2 в области 50-60 км <Е=100 кэВ), а с другой стороны, к еие более заметному смепенив к поверхности профиля фтора с последующей его десорбцией с поверхности образца. При облучении кремния меньшими плотностями тока ионов BFo и при стационарном термическом отжиге имплантированных этими ионами слоев S1 подобных эффектов не наблюдалось.

Известно, что в случае кристаллического роста в кремний- на грани (111) присутствие даже"относительнб невысокой концентрации малорастворимых примесей, к которым относится и фтор, приводит к. двум эффектам. Во-первых, происходит замедление процесса кристаллизации, следствием чего можзт явиться сегрегация части примесей (и бора, и фтора) на-двикущ&йся граница' раздела аморфной и кристаллической фаз с последующим осаждением вблизи поверхности - кремния при - полном завершении рекристаллизации (snow-plow эффект). Во-вторых,•малорастворимые приме си, образуя преципитаты и скоплевдя, становятся центрами поликристаллического роста 9 аморфном слое. Электронномшсроскопические исследования образцов (111)-Si, имплантированных ионами ^Fg, подтвердили наличие поликристаллического - слоя вблизи поверхности v. В этом случае процесс.рекристаллизации может сопровождаться ускоренной диффузией•имплантированных примесей через поликристаллический слой, проходящей по границам зерен, с последушим встраиванием примесей вблизи поверхности образца. Такое поведение примеси возможно' -: при. дозах имплантации, .. превышающих

В случае термического ■ отжига образцов кремния, имплантированных малыми плотностями тока ионов BFg, заметного перераспре--деления атомов бора к поверхности, а также десорбции фтора из имплантированных слоев не происходит. В этом случае на глубинах l/2Rp и 2Rp ионов фтора формируются две области с повышенной концентрацией фтора, где аккумулируется большая часть дефектов. Наличие этих дефекта областей, по-видимому, и сдерживает, диффузию бора. Одним из возможных объяснений.локализации фтора в имплантируемом слое является декорирование фтором вакансий, генерированных им самим (х = i/2Rp) и ионами бора (х = 2Rp). Этот процесс может быть достаточно эффективным, так как каждая ва-. кансия может связаться с четырьмя атомами фтора. При интенсивном легировании из-за высокой дипамичндсти.дефектной структуры эффективность процессов захвата атомов фтора снижается.

Как показали проведенные в работе исследования, интенсивные ионные пучки (Е=100-200 кэВ, J=10-150 мкА/см2) с.успехом•могут применяться для отжига имплантированных слоев в кремнии. Для осуществления ионно-лучевого отжига (Ш10) высокоинтенсивному облучению.подвергалась обратная сторона теплоизолированной легированной пластины. Длительность облучения составляла от еди-

шщ до десятков секунд. Преимуществами предлагаемого способа отжига по сравнешш с другими видами постимплантационного отжига являются:

- возможность, путем соответствующего выбора типа иена, осуществления в одном процессе сразу нескольких технологических операций;

- возможность не только уменьшить длительность процесса, но и снизить его температуру без уменьшения процента активации внедренной примеси;

- отсутствие диффузионного размытия профиля внедренной примеси и чистота процесса.

Экспериментально полученные результаты показывают, что ИЛО позволяет эффективно восстанавливать имплантационные нарушения при более низких, по сравнению со стационарным термическим отжигом (СТО), температурах. В зависимости от типа внедренного иона, эта разница в температурах составляет от 100 до 200°С. Таким образом, есть основание предполагать существование атер-мического механизма отжига дефектов и активации имплантированной примеси при высокоинтенсизном облучении обратной стороны пластины.

В качестве возможного механизма рассматривается "эстафетный" механизм размножения точечных дефектов, диффундирухеих через толщу пластины на поверхность, противоположную облучаемой. По .нашему мнению эффективность этого процесса может возрастать в случае повышения температуры образца и увеличения механических напряжений в нем, что и имеет место при ИЛО.

Кроме этого, рентгеноструктурные измерения показали, что при ИЛО на противоположной по отношению к отжигающему пучку стороне пластины формируется повышенная, по сравнению со случаем СТО, концентрация вакансий, способных ускорить,процессы восстановления имплзнтзшганных нарушений и встраивания атомов примеси в узлы кристаллической решет: .1.

Проведенные в работе исследования показали, что увеличение интенсивности пучков в'процессах ионно-лучевого синтеза ШС), во-первых, существенно меняет картину физико-химических процессов в кристалле в процессе воздействия ионного пучка и, во-вторых, устраняет ряд недостатков, присущих традиционным режимам ИЛС проводящих и диэлектрических соединений в кремнии.

Среди силицидов металлов повышенный интерес с точки зрения

применения в технологии СБИС наблюдается к дисилициду кобальта. В настоящее время основной задачей является получение низкоом-ных, когерентно встроенных в подложку слоев дисилидида кобальта в кремнии с резкими границами раздела и минимальным количеством структурных дефектов, что пока трудно достижимо при традиционных режимах МО. Кроме этого, большой интерес вызывает принципиальная возможность осуществления ИЛС Со312 непосредственно в процессе облучения.

Измерения имплантированных ионами Со+ кремниевых образцов с помощью методов ВИМС, ОРР и двухкристальной рентгеновской дифракции показали, что увеличение шгатг^ти ионного тока до 20 ыкА/см2 приводит к следующим результатам: ,

- происходит сдвиг профиля распределения кобальта в глубь кристалла и одновременно с этим диффузия атомов кобальта с крыльев распределения к пику, что приводит к образованию профиля, близкого к П-образному, непосредственно в процессе имплантации. В результате даже при энергии ионов Е=80 кэВ удается получить скрытый слой дисилицида кобальта в кремнии. Наблюдаемый сдвиг профиля, по всей вероятности, можно связать с взаимодействием преципитатов кобальта с дефектами типа ЕОй (Епй-о1-Вал§е), находящимися з конце пробега иона на глубине-большей, чем обычный максимум концентрации дефектов. В случае (1115-51 эти дефекты расположены вдоль плоскостей 31(311), а их природа связывается с кремниевыми междоузлиями, вызывающими локальный переход кремниевой матрицы в гексагональную фазу. Преципитаты, находящиеся в области ЕОИ-дефектов имеют большие раз-кэры, большую стабильность и имеют большую скорость роста, чем находящиеся в области Яр, что и определяет сдвиг профиля в область больших глубин;

- наблюдается заметное улучшение кристаллической структуры, поверхностного слоя креглния непосредственно после имплантации;

- имплантируемый кобальт образует фазу Со312 в процессе интенсивной имплантации, встраиваясь в узлы кристаллической ре-иэтки кремния, не нарушая дальнего порядка, с образованием при Ф=2»101''см_2 сплошного скрытого слоя Со312.

Таким образом, при высокоинтенсивном ШС скрытый слой дисилицида кобальта в кремнии может быть сформирован даже при Е=80 кэВ 2 дозе, не превышающей 2*1017см~? непосредственно в процесса имплантации.

Проведенные в последние года исследования в области формирования скрытых диэлектрических слоев в кремнии показали, что сгатез слоев нитрида кремния имеет ряд Преимуществ по сравнении с синтезом слоев 3102, но и он не лишен определенных недостатков. К ним относятся образование трудноустранимых газовых пузырей даже при незначительном превышении предела стехиометрии, необходимость в длительном . высокотемпературном . отжиге и рост поликристаллической фазы в процессе отжига, что увеличи-

вает токи утечки.

Представленные в данной главе результаты показывают, что высокоинтенсивное легирование ионами с плотностью тока 3=100 мкА/см~ позволяет устранить ряд недостатков традиционных способов ионко-лучевого синтеза Б!,,!^ в ксемнии. Оже-спектры

о -г

_ ;9 ойразцов показывают, что уже при

формируется сплошной, практически оянородзай по составу слой нитрида кремния. Форма сигнала от азота показывает, что атомы находятся в связанном состоянии в состаЕе соединения Б!,,!^.

Совместный анализ результатов ОРР, Оже-электронной и ИК-спектроскопии позволяет сделать вывод о тем, что высоксинтен-сивноэ легирование приводит к синтезу скрытого слоя 313Ы4 с образованием полки в вершине профиля на уровне стехиометрической концентрации. Это является принципиальным отличием высскоинтен-'сивного ионного синтеза от традиционного с использованием малых плотностей тока ионов когда сверхстехиометрический азот выделяется в виде слоя газовых пузырей. При интенсивном облучении значительный разогрев и высокая скорость генерации неравновесных носителей создают благоприятные условия для диффузии избыточного азота на края своего распределения. Важно отметить, что сама по себе высокая■температура (800°С) не является определяющим фактором образования с^иородного по составу слоя нитрида, т.к. имплантация с невысокой плотностью тока в подложку, предварительно нагретую до этой ко температуры, не приводит к аналогичному результату.

Другой отл5гштельпой особенностью высоксинтенсивнсго иеннего синтеза является формирование непосредственно в процессе облучения е-медифпкащгл Б!-,!!, в отличие от обычных режимов легирования, приводящих (посла дополнительного высокотемпературного отжига) к образованию а-модкфпкацкл нитрида кремния. Связано

в определенном интервале глубин

это по-видимому с тем, что при большой плотности тока диффузионный поток азота на межфазную границу столь значителен, что матрица ■ перестает оказывать ориентирующее влияние и растет энергетически более выгодная 0-модификация.

Таким образом, проведенные исследования показали, что с помощью высокоинтенсиЕной имплантации ионов азота в кремниевой матрице могут быть сформированы скрытые кристаллические слои нитрида кремния р-модификации без дополнительного подогрева образцов и их последующего отжига.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

Г

1. Внесенные в отдельные узлы ускорителя SCI-218 со средними токами ионных пучков конструктивные изменения и доработки сделали возможным его использование для осуществления процессов высокоинтенсивного ионного облучения пластин большого диаметра (до 100 мм).

2. Разработана методика и проведены измерения ■ температуры кремниевых образцов в процессе высокоинтенсивного ионного облучения с использованием ИК-фотоприемника.

3. Установлено, что рекристаллизация аморфных слоев, сформированных на начальной стадии высокогатенсивного ионного легирования кремния, носит радиационно-стимулкрованный характер, являясь, в то же время, термически активируемым процессом. Температура начала рекристаллизации в процессе интенсивного легирования составляет ~ 410°С и не зависит от типа иона и плотности ионного тока.

4. Определена нижняя граница самоотжиговых режимов имплантации кремния: при энергии ионов ЕМОО кэВ средняя плотность ионного тока в растре JCp- 10 мгсА/см2, температура мишени при этом " 410°С. При данном режиме легирования начавшаяся после достижения этой температуры рекристаллизация аморфного слоя тормозится при дозе Ф=5*10^см~'1, а дальнейшее облучение приводит к изменению направления фазового перехода. Полная рекристаллиза-

О

ция аморфного слоя имеет место пои JCp>10 мкА/см".

5. Обнаружено, что при интенсивном ионном облучении кремния на границе раздела аморфной и кристаллической фаз возникают значительные механические напряжения (на 2 порядка большие, чем

в случае неинтенсяЕного облучения). Высвобождаемая при снятии этих напряжений энергия оказывает существенное влияние на ускорение рекристаллизационных процессов.

6. В случае высоких плотностей ионного тока (3=100 мкА/см2 и выше) имеет место низкотемпературный (Т ~ 800°С) динамический отжиг протяженных дефектов в рекристаллизованной области, что связывается с взаимодействием плотных каскадов, образующихся при продолжающемся облучении с оставшимися после завершения рекристаллизации макродефектами.

7. Показано, что высокоинтенсивное облучение кремния приводит к заметному перераспределению внедряемой примеси, причем направление этого перераспределения зависит от типа иона. В случае ионов Р+ наблюдается заметное уширение профиля в глубь кристалла, что можно связать с образованием подвижных комплексов "примесный атом-точечный дефект". Высокоинтенсивное облучение ионами В?2 сопровождается смещением обоих профилей (и бора, и фтора) в направлении к поверхности. Данный факт может обуславливаться ускоренной диффузией по границам зерен полифазы, формирующейся вблизи поверхности, и "эпоут-рЮтс" эффектом.

8. Установлено, что при "оздействии интенсивных ионных пучков на обратную сторону ионно-легированной пластины происходит эффективное устранение имплантационных дефектов. Данный способ ионно-лучевого отжига позволяет повысить процент активации внедренной примеси (по сравнению со стационарным термическим отжигом), снизить термическую нагрузку на формируемое приборные структуры, устранить диффузионное размытие примесного профиля, а также совместить в одном процессе несколько технологических операций. Большая, по сравнению с термической, скорость кристаллизации аморфных слоев позволяет говорить о существовании радиашонно-стимулкрованного механизма кснно-лучевого отжига.

9. Выявлено, что повышение плотности тока ионов Со+ до 20 мкА/сиг при ионно-лучезом синтезе скрытых слоев дисилицида кобальта приводит к возникновению связей Со-51 непосредственно в процессе облучения с одновременным улучшением качества поверхностного кремния. В этом случае сплошной скрытый слой Со312 в кремнии может быть получен без дополнительного отжига.

10. Показано, что при высокоинтенсивном ионно-лучевом синтезе скрытых слоев Б^К^ в 81 процесс накопления внедряемого азота качественно отличается от случая традиционных режимов импланта-

шш. Сверхстехиоыетрический азот при интенсивном облучении эффективно диффундирует к краям своего распределения, что приводит к образованию."палки" в области максимума его концентрационного профиля непосредственно в процессе внедрения. При неинтенсивном облучении локальное превышение предела стехиометрии приводит к формировании в этой области слоя газовых пузырей, трудноустранимых даже при высокотемпературном отжиге. Второй особенностью высокоинтенсивного синтеза Si3N4 в Si является формирование непосредственно в процессе облучения его ß-модифи-кации. Данный эффект может быть связан с ослаблением ориентиру-вдего влияния матрицы при высокой скорости роста зародышей новой фазы. ,

I

Основные результата опубликованы в следующих работах:

1. Маковийчук М.И., Острова С.О., Стоянова И.Г., Троицкий B.D. "Шумовая диагностика ионно-легированного кремния". // В сб.:

Тезисы докладов семинара "Электрофлуктуационная диагностика материалов и изделий микроэлектроники". Казань.1983.с.55-57.

2. Карягин С.Н., Кашкаров O.K., Маковийчук М.И., Стоянова И.Г., Троицкий В.Ю. "О корреляции 1/1-шума и спиновых центров в ионно-имплантированных слоях кремния". // В сб.: Тезисы докладов IV Всесоюзной конференции "Флуктуационные явления в физических системах". Пущино. 1985, с.82-83.

3. Троицкий B.D., Макуха D.B., Стоянова И.Г., Шестаков A.B., Гурова Г.А., Никифорова В.П. "Кинетика восстановления структуры и активации внедренной примеси в ионно-имплантиро-вапнных слоях кремния при воздействии интенсивных ионных пучков". // В сб.: Тезисы докладов XVIII Всесоюзного Совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Москва, МГУ, 1988, с.114; // Материалы XVIII Всесоюзного Совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Избранные доклады. Москва, Издательство МГУ, 1989, С.137-139.

• 4. Филатов A.B., Стоянова И.Г., Троицкий B.D. "Электрические флуктуации в кремнии с активационным характером проводимости". // В сб.: Материалы V Всесоюзной конференции "Флуктуа-

цяонше явления в фазпчёскях системах". Налаягг, 1983. Издательство Вильнюсского Гос. .Унив-тз, с.106-10Э.

5. Троящий 3-D., Стоянова М.Г., Макуха Ю.З., Петров С.А. "Структурно-фазовые перестройки в ямшшткруегт слоях Si при воздействии интенсивных пучков фосфора".// В сб.: Тезисы докладсз Всзсозэзпоа конференции "Ионко-лучезая шдафакацня материалов''. Каунас, 198Э г., C.4S.

6. Троицкий ВЛ5-, Нестеров М.Б., Стоянова И.Г. "Особенности процессов ехсокоштзеспееого ионного легирования зрекнся". // В сб.: Тэзисн докладов VII Моздународной конференции по юткроэлоктрскаке "Шкроэлектрокика-ЭО". Минск. 1890г., т.2, C.1S2. •

7. Стоянова К,Г., Троицкий В.5)., Макуха Ю.В., Гурозэ Г.А., Шестаков А.В., Галетика А.В. "Ионно-лучевой отгиг тякантк-рованннх слоев кремния". // Электронная техншса. Сер.7 ( ТОПО ), е!п1.5 (1G2), 1990 г., с.27-29.

8. S.A.Petrcr, P.P.KomaroY, А.Р.КоШсо?, V.Yu.Trcitз!с7. яСГ7а-tallographlc nature of the hexagonal silicon forned by the high-Intercity Ion lraplantatlon". // Physical Research, vol.13, 1990, pp.172-173.

S. Троицкий B.D., Новиков А.П., Стоянова И.Г., Маковайчук М.Й.-"Влияние скорости кабс _.а дозы на канатику накопления дэфэк-тов в кремпик".// В сб.: Тезисы докладов III Всэсоюзеой конференции "ИсЕНО-дучевая модификация полупроводников п других «атэраалов шкроэлектроигаси". Новосибирск. 1991 г.,с.72. // Труда т РАН "Современные проблем - кгкрозлектроннки". Ярославль. 1231 г., сс.142-150.

10. Троицк:!.* В,Ю., Новиков ¿.П., Стоянова И.Г., ЫакоБпйтук И.а. "Зависимость давня дофокгоостз и. изхгнкзмоз дзфзктнаЗ нукяеаши в 31 от шюггести пототха еоноз" // "ВОТ", Серия И, вет.КШЬЗШЭ), 199S, с.27-42.