Особенности примесных состояний теллурида свинца, легированного переходными и редкоземельными элементами тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.09 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ: постановка задачи, цель работы и ее структура

ГЛАВА I: Основные свойства теллурида свинца

ГЛАВА II: Проявление легирующего действия примесных элементов в соединениях на основе РЬТе.

2.1. Легирование теллурида свинца примесями III группы.

2.2. Легирование теллурида свинца иттербием.

2.3. Легирование теллурида свинца хромом.

2.4. Косвенное обменное взаимодействие в солях свинца.

2.5. Проявление легирующего действия Мп в соединениях на основе

РЬТе(Мп).

ГЛАВА III: Методика эксперимента

3.1 Исследовавшиеся образцы

3.2 Методика измерений.

ГЛАВА IV: PbTe(Mn,Yb).

4.1 Экспериментальные результаты.

Актуальность темы:

Узкощелевые полупроводники группы А^В® являются одними из наиболее важных материалов ИК-оптоэлектроники. Это связано с многофункциональностью приборов на основе различных сплавов этих соединений, которые могут применяться для изготовления как фотодиодов и фоторезисторов, так и твердотельных ИК-лазеров. Исследование характера модификации свойств полупроводниковых материалов класса А^В^ при их легировании различными примесями - одно из важных направлений развития современной физики полупроводников [1-5]. Интересные фундаментальные и прикладные результаты получены в процессе исследования необычных примесных состояний, возникающих в этих полупроводниках при их легировании некоторыми переходными металлами и редкоземельными элементами.

Некоторые черты так называемого «DX-подобного» поведения примесных центров, обуславливающего появление в теллуридах свинца, легированных элементами третьей группы, таких интересных эффектов, как стабилизация уровня Ферми и задержанная фотопроводимость, были обнаружены в сплавах РЬТе, легированных Mo, Cr, Yb. Интересно то, что в случае легирования Yb атомы легирующего вещества обладают магнитным моментом и это ведет к усложнению наблюдаемых эффектов. В принципе, введение магнитных примесей в полупроводники класса А^В^ используется достаточно широко, однако основное внимание исследователей привлекало легирование такими элементами, которые, являясь электрически нейтральными например, Мп) модифицируют энергетический спектр полупроводника, но не приводят к образованию каких-либо локальных или квазилокальных уровней в окрестности актуальных зон.

При легировании РЬТе некоторыми переходными и редкоземельными металлами положение уровня Ферми зависит от концентрации введеной примеси. Таким образом, регулируя концентрацию примеси и ширину запрещенной зоны, можно добиться контроля перехода уровня Ферми из разрешенной в запрещенную зону. Так как задача получения полуизолирующих монокристаллов с высокой однородностью электрофизических свойств, которую можно решить, получив материал со стабилизированным уровнем Ферми внутри запрещенной зоны, по прежнему актуальна, то изучение такого перехода, его причин и сопутствующих ему явлений заслуживает пристального внимания.

Помощь в контролировании изменения ширины запрещенной зоны в таких растворах на основе теллурида свинца может оказать дополнительное легирование марганцем. Учитывая то, что сплавы РЬТе(Мп) представляют значительный интерес для многих научных групп, следствием чего является появление порой противоречивых результатов исследований, изучение сплавов РЬТе(Х, Мп), где X - переходный или редкоземельный металл, дающий примесный уровень, может внести дополнительную ясность в понимание свойств теллурида свинца, легированного как металлом X, так и марганцем.

Цель работы

Целью настоящей работы является исследование особенностей примесных состояний, характера изменения энергетического спектра, гальваномагнитных эффектов и магнитных явлений в сплавах PbTe(Yb,Mn), PbTe(Cr, Мп), РЬТе(Мо, Мп) в зависимости от количества введенной примеси.

Научная новизна работы

Научная новизна работы обусловлена тем, что в ней обнаружено новое физическое явление - гигантское отрицательное магнетосопротивление в PbTe(Mn,Yb). Это явление заключается в том, что при температурах ниже 15К в интервале магнитных полей до 5Тл с увеличением магнитного поля происходит падение сопротивления как минимум на два порядка. Эффект отрицательного магнитосопротивления обнаружен также в РЬТе(Мп,Сг) в том же температурном интервале, однако амплитуда эффекта значительно меньше. Обнаруженный эффект объяснен наличием перколяционного транспорта по примесной зоне. Магнитные свойства исследованных веществ определяются слабым антиферромагнитным взаимодействием между ионами марганца

Научная и практическая ценность работы

Ценность результатов работы заключается в том, что исследованные материалы находят применение при изготовлении приборов инфракрасной оптоэлектроники. Совокупность полученных данных может быть использована для поиска новых перспективных материалов в этой области и составления общей картины физических явлений и их причин в узкощелевых полупроводниках группы IV-VI.

Основные положения, выносимые на защиту

1. В твердых растворах PbTe(Mn,Yb) уровень Ферми стабилизирован примесным уровнем внутри запрещенной зоны вблизи валентной зоны во всем исследованном интервале количества примеси. При увеличении концентрации иттербия уровень Ферми имеет тенденцию к смещению вглубь запрещенной зоны

2. В твердых растворах РЬТе(Мп,Сг) уровень Ферми стабилизирован примесным уровнем. Примесный уровень смещается по направлению к дну зоны проводимости внутри запрещенной зоны по мере увеличения концентрации марганца.

3. Эффекты гигантского отрицательного магнитосопротивления в сплавах PbTe(Mn,Yb) и отрицательного магнитосопротивления в сплавах РЬТе(Мп,Сг), обнаруженные в температурном интервале (4,2ч-15)К в магнитных полях до 5Тл, интерпретируются в рамках модели, предполагающей смещение химического потенциала относительно порога подвижности внутри уширенного примесного уровня.

4. Магнитные свойства исследованных веществ определяются слабым антиферромагнитным взаимодействием между ионами марганца.

Аппробация результатов работы

Результаты, полученные в настоящей диссертации, докладывались на следующих конференциях: Первой всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (30 ноября - 3 декабря 1999 г., г. Санкт-Петеребург), 25 Международной конференции по физике полупроводников (Осака, Япония, 2000), 5 Российской 7 конференции по физике полупроводников (10-14 сентября 2001 г., Нижний Новгород), 4 Конференции по физическим явлениям в сильных магнитных полях (19-25 Октября 2001, Санта-Фе, США), 26 Международной конференции по физике полупроводников (Эдинбург, Великобритания, 29 июля - 2 августа 2002), а также на семинарах кафедры физики низких температур и сверхпроводимости физического факультета МГУ.

Публикации

По теме диссертации опубликовано 10 печатных работ [А1-А10], в том числе 3 статьи в научных журналах и 7 публикаций в сборниках тезисов докладов и трудов конференций.

Структура диссертации

Структура работы следующая. В Главе I-II представлены накопленные к настоящему моменту сведения о РЬТе(Мп) и РЬТе, легированного различными примесями, полученные и опубликованные научными группами. В Главе III описаны экспериментальная методика проведенных исследований и исследованные образцы. В Главах IV-VI представленны полученные результаты экспериментальных измерений и проводится обсуждение этих результатов. В Главе VII представлены основные выводы работы.

ГЛАВА 7. ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

В работе были проведены исследования фотоэлектрических, гальваномагнитных и магнитных свойств твердых растворов PbixMnxTe(Yb), PbixMnxTe(Cr), Pbi.xMnxTe(Mo) с различными концентрациями примесей. В результате проделанной работы можно сделать следующие выводы:

1. Показано, что в PbTe(Mn,Yb) уровень Ферми стабилизирован примесным уровнем. Во всем исследованном интервале количеств примеси уровень Ферми стабилизируется внутри запрещенной зоны вблизи валентной зоны. При увеличении концентрации иттербия уровень Ферми имеет тенденцию к смещению вглубь запрещенной зоны.

2. В сплавах PbTe(Mn,Yb) обнаружен новый эффект - гигантское отрицательное магнитосопротивление, наблюдающийся в температурном интервале (4,2-И 5)К в магнитных полях до 5Тл. Амплитуда эффекта составляет около трех порядков величины. Эффект интерпретируется в рамках модели, предполагающей смещение химического потенциала относительно порога подвижности внутри уширенного примесного уровня.

3. Обнаружен эффект стабилизации уровня Ферми и задержанная фотопроводимость при Т < 35 К в РЬТе(Мп,Сг). Примесный уровень, стабилизирующий уровень химического потенциала, смещается по направлению к дну зоны проводимости внутри запрещенной зоны по мере увеличения концентрации марганца.

4. В сплавах PbTe(Mn,Cr) также обнаружен эффект отрицательного магнитосопротивления, наблюдающийся в том же температурном интервале, что и у PbTe(Mn,Yb), но значительно меньший по амплитуде.

5. При низких температурах (Т<15К) проводимость образцов с уровнем Ферми, стабилизированным в запрещенной зоне, определяется перколяционным транспортом носителей заряда по примесной зоне, что при приложении магнитного поля обуславливает отрицательное магнитосопротивление.

6. При высоких температурах (Т>15К) проводимость определяется активацией носителей с примесной зоны в одну из разрешенных зон (зону проводимости для хрома и валентную зону для иттербия) зону проводимости.

7. Магнитные свойства исследованных веществ определяются слабым антиферромагнитным взаимодействием между ионами марганца.

В заключение считаю своим приятным долгом выразить глубокую благодарность моему научному руководителю проф. Дмитрию Ремовичу Хохлову за чуткое руководство, внимание и интересные научные дискуссии при выполнении данной работы.

Хочу также выразить глубокую признательность Людмиле Ивановне Рябовой и Евгению Владимировичу Богданову за постоянный интерес к полученным результатам и множество ценных замечаний, пану Томашу Стори и пану Витольду Добровольскому за внимание, проявленное при проведении

1. А-1. Д.Р.Хохлов, А.В.Морозов. "Гигантское отрицательное магнитосопротивление в твердых растворах PbTe(Mn,Yb), 30 ноября 3 декабря 1999 г., Санкт-Петербург, тезисы докладов, с. 17.

2. А-2. I.I.Ivanchik, D.R.Khokhlov, A.V.Morozov, A.A.Terekhov, E.I.Slyn'ko, V.I.Slyn'ko, A. de Visser, W.D.Dobrowolski. Giant negative magnetoresistance effect in PbTe(Yb,Mn). Phys. Rev. B, 61 R14889-R14892 (2000).

3. Список цитируемой литературы

4. S.N. Chesnokov, D.E. Dolzhenko, I.I. Ivanchik and D.R. Khokhlov "Farinfrared high-performance lead telluride-based photodetectors for space-born applications" Infrared Phys. Technol. Vol. 35, No.l, pp. 23-31, 1994

5. H. Zogg, C. Maissen, J. Masek, T. Hoshino, S. Blunier and A.N. Tiwarl

6. Photovoltaic infrared sensor arrays in monolithic lead chalcogenides on silicon" Semicond. Sci. Technol 6 (1991) C36-C41

7. J. Oswald, P. Pitcher, B.B. Goldberg, G. Bauer "Far-infrared investigations ofstrained PbTe" Physical Review B, Vol.49, No. 24, pp. 17029-17039 (1994)

8. S.S. Varshava, L.N. Pelekh, V.V. Vainberg "Low-temperature sensors basedon telluride microcristals" Sensors and Actuators A, 30 (1992), pp.55-58.

9. J. Ftirst et al., "Midiinfrared IV-VI vertical-cavity surface-emitting lasers withzero-, two- and three-dimensional in the active regions" Applied Physics Letters, Vol. 81, No.2, pp.208-210 (2002)

10. Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов "Методы исследованияполупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe и PbS." Наука, Москва, 1968

11. В.И.Кайданов, Ю.И.Равич. Глубокие и резонансные состояния вполупроводниках типа А4В6. УФН 1985,т. 145,В. 1,с.51.

12. Б.А.Волков, О.А.Панкратов. Электронная структура точечных дефектов вполупроводниках А4В6. -ЖЭТФ 1985,т.88,В.1,с.280.

13. Н.Х.Абрикосов, Л.Е.Шелимова. Полупроводниковые материалы наоснове соединений А4В6. Наука 1975, с. 17.

14. M. Schltiter, G. Martinez, Marvin L. Cohen "Pressure and temperaturedependence of electronic energy levels in PbSe and PbTe". Phys. Rev. B, 12(1975), 2, pp. 650-658

15. M. Baleva, T. Georgiev, G. Lashkarev "On the temperature dependence of theenergy gap in PbSe and PbTe". J.Phys.: Condens. Matter 1 (1990) 29352940

16. J. Oswald, B.B. Goldberg, G. Bauer, P.J. Stiles "Magnetotransport studies onthe metallic side of the metal-insulator transition in PbTe". Phys. Rev. B, 40(1989), 5, pp.3032-3039

17. Б.А.Акимов, В.П.Зломанов, Л.И.Рябова, Д.Р.Хохлов. Перспективныематериалы ИК-оптоэлектроники на основе соединений группы А4В6. -Высокочистые вещества 1991,№6,с.22.

18. B.A.Akimov, A.V.Dmitriev, D.R.Khokhlov, L.I.Ryabova. Carrier transportand non-equilibrium phenomena in doped PbTe and related materials. — Phys.Stat.Sol. 1993,V.137,p.9.

19. О.А.Панкратов, П.П.Поваров. Многоэлектронные эффекты и зарядовыесостояния вакансий в полупроводниках А4Вб. ФТТ 1988, т.30,в.3,с.880.

20. Bauer G. Journal of Applied Physics 47 1721 (1976)

21. Nimtz G., Schlicht В., in Narrow Gap Semiconductors (Springer Tracts in Modern Physics, Vol.98, Ed. G. Hohler) (Berlin: Springer-Verlag, 1983)

22. Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов "Примеси с переменнойвалентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца" УФН, т. 172, №8, с.875-905 (2002)

23. Немов С.А., Равич Ю.И. УФН, т. 168, с.817 (1998)

24. Драбкин И.А., Квантов М.А., Компаниец В.В., Костиков Ю.П.

25. Зарядовые состояния In в РЬТе". ФТП, т.16, в.7, с. 1276 (1982).

26. Акимов Б.А., Брандт Н.Б., Гаськов A.M., Зломанов В.П., Рябова Л.И.,

27. Хохлов Д.Р. Примесные состояния Ga и фотоэлектрические явления в сплавах PbTe(Ga). ФТП, 1983, т. 17, в.1, с.87-92.

28. Драбкин И.А., Мойжес Б.Я. Спонтанная диссоциация нейтральныхсостояний примесей на положительно и отрицательно заряженные состояния. ФТП, 1981, Т.15, в.4, с.625-648

29. Лакеенков В.М., Тетеркин В.В., Сизов Ф.Ф., Пляцко С.В., Белоконь С.А.

30. Поведение примеси Ga в монокристаллах РЬТе. Укр.физ.журн. 1984, т.29, в.5, с.757-759.

31. Сизов Ф.Ф., Пляцко С.В., Лакеенков В.М. Глубокие уровни в РЬТе.

32. ФТП, 1985, т. 19, в.4, с.592-596.

33. Троян Ю.Г.,Сизов Ф.Ф., Лакеенков В.М. Фотоэлектрические свойствавысокоомных монокристаллов PbTe(Ga). ФТП, 1986, т.20, в. 10, с.1776-1781.

34. Брандт Н.Б. Новый класс фотопроводящих радиоционностойкихполупроводниковых материалов. Соросовский образовательный журнал, 1997, 4, с.65-72.

35. Khokhlov D.R. and Volkov В.А. Proc. 23 Internal Conf. Phys. Semicond.

36. Berlin 1996, World Scientific, Singapore) 1996, p. 2941.

37. Волков Б.А., Ручайский O.M. Письма в ЖЭТФ, 62, с.205 (1995).1. ЖЭТФ, 72, с. 178 (2000).

38. Белоконь С.А., Верещагина JI.H., Иванчик И.И., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р.

39. Характер изменения свойств PbTe(Ga) при изменении степени легирования. ФТП, 1992, т.26, в.2, с.264-269.

40. Васильев А.Н., Волошок Т.Н., Волков Б.А., Кувшинников С.В. ЖЭТФ,114, с.1859 (1998).

41. Ю.К.Выграненко, В.Е.Слынько, Е.И.Слынько. Электрические свойстватвердых растворов PbTe-GeTe, легированных иттербием. Неорганические материалы 1995, №31,с.1938.

42. W.Dobrowolski. Resonant states in narrow-gap semimagnetic semiconductors.- World Scientific 1999, September, №69.

43. E.Grodzicka, W.Dobrowolski, T.Story, E.I.Slynko, Yu.K.Vygranenko,

44. M.M.H. Willekens, H.J.M.Swagten, W.J.M. de Jonge. Resonant state of 4fi4/i3 yb ion in Pbl xGexTe Acta physica Polonica A 1996, Vol.90, №4, p.801.

45. Ю.К.Выграненко, Е.И.Слынько. Фотоэлектрические свойства твердыхрастворов Pbi.xGexTe<Ga,Yb>. ФТП 1996,т.30,в.10,с.1876.

46. А.А.Терехов. Особенности примесных состояний в твердых растворах

47. PbTe(Yb) и PbTe(Yb,Ga). Дипломная работа, физический ф-тет МГУ, 1998г.

48. Е.П.Скипетров, Н.А.Чернова, Е.И. Слынько, Ю.К.Выграненко. Глубокийуровень иттербия и фотопроводимость сплавов Pbi xGexTe<Yb>(x^0,04). Материалы электронной техники 1998, №3, с.68.

49. E.P.Skipetrov, N.A.Chernova, E.I.Slyn'ko, Yu.K.Vygranenko. Energyspectrum and parameters of deep impurity level in Pbi.xGexTe alloys doped with Yb. Phys.Rev. В 1999, V.59, №20, p.12928.

50. E.P.Skipetrov, N.A.Chernova. Parameters of Yb-Induced Deep Level in Pbi.xGexTe Doped with Yb. Phys. Stat. Sol. (b) 1999, №211, p. 171.

51. E.P.Skipetrov, N.A.Chernova, E.I.Slynko, Yu.K.Vygranenko. Ytterbium1.duced Impurity States and Insulator-Metal Transition under Pressure in Pbi.xGexTe alloys. Phys. Stat Sol. (b) 1998, №210, p.289.

52. T.Story. IV-VI semimagnetic semiconductors with rare earth ions. Acta

53. Physica Polonica A 1997, Vol.92, №4, p.663.

54. V.D. Vulchev, L.D. Borisova. Impurity States of Chromium in Lead Telluride.- Phys. Stat. Sol. (a) 99, K53 (1987).

55. Гетеркин B.B., Сизов Ф.Ф., Прокофьева Л.В., Громовой Ю.С.,

56. Виноградова М.Н. "Резонансные состояния примесей переходных элементов (Ti, Сг) в РЪТе". ФТТ, 1983, т. 17, в.5, с.782-785.

57. Каширская JI.M., Рябова Л.И., Тананаева О.И., Широкова Н.А.

58. Гальваномагнитные характеристики твердых растворов РЬТе(Сг) при изменении температуры и под давлением. ФТП, 1990, т.24, в.8, с. 1349.

59. В.A. Akimov, N.A. Lvova, L.I. Ryabova. Quantum oscillatory properties ofthe semimagnetic semiconductor PbTe(Cr). Physical Review B, 1998, V.58, N.16, p.10430.

60. Акимов Б.А., Вертлецкий П.В., Зломанов В.П., Рябова Л.И., Тананаева

61. О.И., Широкова Н.И. Осцилляции Шубникова-де-Гааза в РЬТе(Сг). -ФТП, 1989, т.23, в.2, с.244-249.

62. Z. Wilamowski, Т. Story "The ground state of a magnetic impurity determinedby the hybridization with conduction band". Journal of Magnetism and Magnetic Materials 140-144(1995) 1731-1732.

63. M.Grinberg. Spin dependent effects in semimagnetic semiconductors.

64. Physica 1983 117B&118B,p.461.

65. Shinn-Sheng Yu, Ven-Chung Lee. Indirect exchange interaction insemimagnetic semiconductors. Phys.Rev.B 1989 V.40,№15,p.l0621.

66. Z.Korczak, M.Subotowicz. Structural and Galvanomagnetic Properties of Pbj.xMnxTe Single Crystals Grown by the Bridgman-Stockbarger Method. -Phys.Stat.Sol.(a) 1983, V.77,p.497.

67. L.Liu, G.Bastard. Indirect exchange interaction in lead salts. Phys.Rev.B1982 V.25, №1, p.487.

68. Б.А.Акимов, А.В.Никорич, Л.И.Рябова, Н.А.Широкова. Переход металлдиэлектрик в твердых растворах Pbi.xMnxTe(In). ФТП 1989, т.23,в.6,с.1019.

69. J.Niewodniczanska-Zawadska, A.Szczerbakow. Photovoltaic effect in Pbj.xMnxTe. SoI.St.Com. 1980,V.34,№11, p.887.

70. Ю.С.Громовой, С.Д.Дарчук, В.Н.Коновалов, В.М.Лакеенков,

71. С.В.Пляцко, Ф.Ф.Сизов. Состояния Ей и Мп в теллуриде свинца. -ФТП 1989, т.23, в.6, с. 1025.

72. Д.Г.Андрианов, В.Д.Кузнецов, С.О.Климонский, А.А.Бурдакин. Влияниеближнего расслоения на магнитные свойства твердых растворов Pbi. хМпхТе. ФТП 1987, т.21,в.б,с.1106.

73. S.Miotkovska, E.Dynovska, I.Miotkovski, A.Szczerbakow, B.Witkowska,

74. J.Kachniarz, W.Paszkowicz. The lattice constants of ternary and quaternaryalloys in the PbTe-SnTe-MnTe system. Journal of Crystal Growth 1999, №200, p.483.

75. M.Escorne, A.Mauger, J.L.Tholence, R.Triboulet. Magnetic and transportproperties of Pbi.xMnxTe spin-glass. Phys.Rev.B 1984, V29, №11, p.6306.

76. T.Story, G.Karczewski, M.Gorska. Influence of compositional dependence ofthe band structure on magnetic properties of PbSnMnTe. Acta Physica Polonica 1990, V.A77, №1, pi79.

77. Бродовой A.B., Лашкарев Г.В., Радченко M.B., Слынько Е.И., Товстюк

78. К.Д. Влияние примеси Мп на магнитные и электрические свойства узкощелевых полупроводников (Pbi.ySny)ixMnxTe. ФТП, 1984, т. 18, в.9, с.1547-1551.

79. V en-Chung Lee. Indirect exchange interaction between Mn2+ ions in Pbi.xMnxTe. Phys.Rev.B 1986, V.34, №8, p.5430.

80. M.Bartkowski, D.J.Northcott, A.H.Reddoch. Superhyperfine structure in the

81. EPR spectra of Mn2+ ions in PbTe. Phys.Rev.B 1986, V.34, №9, p.6506.

82. J.H.Pifer. Magnetic Resonance of Mn+4~ in PbS, PbSe, and PbTe.

83. Phys.Rev.1967, V.157, №2, p.272.

84. H.Lettenmayr, WJantsch, L.Palmetshofer. Temperature induced clustering of

85. Mn in PbixMnxTe. Sol.St.Com. 1987,V.64, №10, p.1253.

86. Д.Г.Андрианов, Н.М.Павлов, А.С.Савельев, В.И.Фистуль,

87. Г.П.Цискаришвили. Дальнодействующая обменная связь между ионами Мп2+ в Pbi.xMnxTe. ФТП 1980, т.14, в.6, с.1202.1. V.32, p.1069.

88. Д.Г.Андрианов, С.А.Белоконь, С.О.Климонский, В.М.Лакеенков.

89. Осцилляции Шубникова-де-Гааза в Pbi.xMnxTe. ФГП 1988, т.22, в.4, с.670.

90. M.von Ortenberg. A new approach to the theory of semimagneticsemiconductors. Sol.St.Com. 1984, V.52, №2, p.lll.

91. H.Pascher, E.J.Fanter, G.Bauer, W.Zawadzki, M.von Ortenberg. Anomalousmagnetooptical behavior of Pbi.xMnxTe in the interband frequency range. -Sol.St.Com. 1983, V.48, №5, p.461.

92. J.R.Anderson, M.Gorska. Magnetization of Pbi.xMnxTe. Sol.St.Com. 1984,1. Y.52, №6, p.601.

93. M.Bartkowski, A.H.Reddoch, D.F.Williams, G.Lamarche, Z.Korczak.

94. Magnetic susceptibility of Pbi.xMnxTe seniconductor. Sol.St.Com. 1986,V.57, №3, p.185.

95. Shinn-Sheng Yu, Ven-Chung Lee "Indirect exchange interaction insemimagnetic semiconductors". Phys.Rev. B, v.40, No. 15, p. 10621-10624 (1989-11).

96. A. Lusakowski et al. "Magnetic contribution to the specific heat of Pbi.xMnxTe". Phys.Rev. B, vol. 65,165206 (2002).

97. Б.А.Акимов, С.А.Белоконь, З.М.Дашевский, К.Н.Егоров, В.М.Лакеенков,

98. А.В.Никорич, Л.И.Рябова. Энергетический спектр и фотопроводимость твердых растворов Pbi.xMnxTe(Ga). ФТП 1991, т.25, в.2, с.250.

99. А. де Виссер, И.И.Иванчик, Д.Р.Хохлов. Особенностимагнитосопротивления сплавов Pbi-xSnxTe(In) и Pbi.xMnxTe(In) в сверхсильных магнитных полях. ФТП 1996, т.30, в.9, с. 1400.