Прецизионная электронография тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.18 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. Электронная дифрактометрия в электронографии

1. Введение. О методах измерения интенсивностей.

2. Система электронной дифрактометрии с одномерным сканированием и механическим вращением образца.

2.1. Метод измерения.

2.2. Измерение интенсивностей отражений на электронограммах от текстур при вращении образца в электронографе ЭР-100.

2.3. Измерение интенсивностей отражений при дифракции электронов от мозаичных монокристаллов.

3. Примеры использования системы измерения дифракционных картин от текстур с вращением образца в структурном анализе

3.1. Исследование минералов слюд.

3.2. Электронографическое исследование смешанных соединений меди (II) с глицином и серином.

4. Система измерения с двумерным сканированием дифракционной картины перед неподвижным приемником

4.1. Задачи по разработке новой электронной системы регистрации.

4.2. Усовершенствованная система измерения интенсивностей рефлексов дифракции быстрых электронов

4.3. Применение системы с двумерным сканированием к бинарным ионным кристаллам.

4.4. Пример применения электронного дифрактометра к исследованию положения атома водорода в брусите.

5. Уточнение геометрии дифракционных картин в электронографии.

6. О влиянии диффузного фона на точность структурных исследований.

ГЛАВА II. Метод учета многоволновых эффектов первичной экстинкции в частично ориентированных поликристаллических тонких пленках.

1 .Введение.

1.1.Двухволновая дифракция в поликристаллах.

1.2.Поправки по Бете с помощью «динамических потенциалов».

1.3.Эффекты многоволновой дифракции.

1.4.0 роли поглощения в динамическом рассеянии электронов.

2. Экспериментальные исследования динамических эффектов в поликристаллических тонких пленках.

2.1. Дифракция электронов с энергией 350 кэВ в кристаллах . 81 СизБЬБз

2.2. Экспериментальное исследование динамических эффектов при дифракции электронов в частично ориентированных пленках.

3. Разработка методов учета многоволновой дифракции в частично ориентированных поликристаллических тонких слоях.

3.1. Способ расчета «ошибок возбуждения» в общем случае «несистематических» многоволновых взаимодействий при дифракции быстрых электронов.

3.2. Учет специфики ориентаций и функций распределения кристалликов при многоволновом расчете интенсивностей отражений в частично ориентированных пленках.

4. Изучение процессов многоволнового рассеяния в частично ориентированных поликристаллических образцах

4.1 Текстурированных пленки РЬ8е.

4.2. Учет многоволновой дифракции быстрых электронов в мозаичных монокристаллических пленках LiF.

ГЛАВА III. Прецизионная электронография аморфных пленок

1. Методы электронно-дифракционного исследования структуры.

1.1. Введение.

1.2.0 методах получения структурной информации о ближнем порядке.

1.3. К вопросу об учете фона при исследовании структуры ближнего порядка в аморфных тонких пленоках Ge и GeTe.

1.4.0 возможности структурного определения аморфных веществ сложного состава в экспериментах по дифракции электронов.

2. Структурные исследования аморфных пленок с использованием электронной дифрактометрии.

2.1. Аморфный кремний.

2.2.Гидрированный аморфный кремний. а) Особенности структуры и свойств приграничных областей аморфного гидрированного кремния. б) О влиянии легирования на свойства a-Si:H. в) Зависимость образования моногидридных связей и структурных изменений в a-Si:H от термообработки. г) Влияние потенциала смещения на подложке в процессе плазмохимического осаждения на содержание водорода, структурное состояние и некоторые свойства аморфного гидрированного кремния.

2.3. Исследование структуры аморфных пленок Dy - Со с магнитной анизотропией.

2.4. Изучение атомной структуры пленок сплава А10)86 Mn0j4, полученных импульсной лазерной возгонкой.

ГЛАВА IV. Химическая связь и электростатический потенциал

1. 1.1.Введение.

1.2. Исследование химической связи методом дифракции электронов высокой энергии.

1.3. О роли внутренних и внешних электронов в атомах при дифракции быстрых электронов (на примере запрещенного рефлекса 222 в алмазоподобном Ое)

2. Определение распределения валентных электронов в приближении Слэйтера.

2.1. О приближении Слэйтера.

2.2. Рапределение валентных электронов в

2.3. Изучение характера сил связи в соединении СбВг.

3. 3.1. Каппа-модель и химическая связь.

3.2. Изучение химической связи в бинарных кристаллах 1лР, №Р,

4. Количественное определение кристаллического электростатического потенциала методом электронографии

4.1. Роль электронографии в определении ЭСП.

4.2. Краткие сведения об электростатическом потенциале.

4.3. Применение дифракции электронов и рентгеновских лучей для измерения кристаллического электростатического потенциала

§0: сравнительное исследование.

4.4. Распределение ЭСП в МпО.

4.5. Определение ЭСП с помощью аналитических моделей.

ГЛАВА V. Введение в «физическую электронографию».

1. Задачи физической электронографии.

2. Оценка реальной точности определения электростатического потенциала.

3. Определение физических свойств по электронографическим данным.

4. Привлечение дифракции электронов в сходящемся пучке.

4.1. Исследование зарядовой плотности в Си20.

4.2. Исследование 81С 4Н количественным методом дифракции электронов в сходящемся пучке.

5. Совместное применение дифракции электронов и рентгеновских лучей к исследованию свойств бинарных кристаллов.

ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ И ВЫВОДЫ.

Дифракция электронов высокой энергии (десятки кЭВ и более) имеет ряд существенных особенностей, которые определяют ее специфику и область применения[1-3]. Это сильное взаимодействие электронов с веществом и рассеяние на электростатическом потенциале объекта. С одной стороны, это определило изучение тонких пленок и поверхностных слоев, а также веществ, которые невозможно получить в объеме, достаточном для рентге-ноструктурного анализа (например, редкие минералы), как наиболее эффективную область применения ДЭВЭ и , с другой стороны, обозначило целый ряд его отличительных свойств от других дифракционных методов изучения структуры вещества. Среди них: быстрая сходимость рядов Фурье-потенциала, возможность наблюдать в одной дифракционной картине (ДК) полный набор дифракционных интенсивностей, более уверенная обнаруживаемость легких атомов в присутствии тяжелых, насыщенность при увеличении толщины кристалла дифракционной картины динамическими эффектами, которые существенно расширяют возможности ДЭВЭ в плане диапазона структурных методов, наличия дополнительной структурно-физической информации в энергетическом спектре прошедших через объект и потерявших часть энергии дифракционных пучков.

Существует общая проблема изучения связи структуры с физическими свойствами, весьма важная с т.зр. ее научной значимости для физики, химии твердого тела, кристаллохимии и практического применения в развитии современных микро- и нанотехнологий , в плане совершенствования методов контроля структуры и свойств в процессе приготовления тонкопленочных элементов для микро- и наноэлектроники. Здесь развитие известных и разработка новых методов, использующих дифракцию электронов высокой энергии является чрезвычайно актуальной и важной задачей. Для решения вопросов связи структуры с физическими свойствами очень прогрессивным является комбинирование данных, получаемых с помощью ДЭВЭ, с другими дифракционными методами: электронной микроскопией, дифракцией рентгеиновских и нейтронных лучей [4].

К настоящему времени развит целый ряд методов ДЭВЭ, используемых для структурных исследований аморфных и кристаллических веществ: дифракция электронов в сходящемся пучке (ДЭСП) [5], количественная дифракция электронов в сходящемся пучке (КДЭСП) [6], метод критического напряжения (КН) [7], дифракция в сверхтонких пучках или нанодифракция (НД) [8], микродифракция (МД) [9,10], дифракция на отражение [11, 12] и др.

Среди упомянутых методов электронография или структурный анализ с помощью ДЭВЭ (ЭДСА) занимает особое достойное место. С ее помощью выполнено огромное число структурных исследований: полупроводников [13, 14] диэлектриков, окислов переходных металлов [15] , минералов [16,10], полимеров и органических веществ [17].

В ЭДСА используется широкий плоско-параллельный пучок быстрых электронов, падающий на поликристаллический, как правило, тонкопленочный объект с разной степенью ориентации микрокристалликов. Это определяет три возможных типа дифракционных картин (ДК) [ 1 -2]: кольцевые (типа Дебая), типа текстуры с дужками и типа монокристаллов - точечные. Важным обстоятельством является то, что в одном таком эксперименте можно полу^чить полный набор дифракционных максимумов, что необходимо для проведения структурного анализа с достаточным разрешением.

Начало работ в области электронографии (40-е годы) и затем развитие самой школы электронографического структурного анализа (50-е годы) было положено в пионерских работах З.Г.Пинскера и его монографии «Дифракция электронов» [1]. Фундаментальное обоснование ЭДСА получил в книге Б.К.Вайнштейна «Структурная электронография» [2] (см.рис.1). Эти книги до сих пор являются основополагающими для всех специалистов, работающих в этой области.

СВЯЗЬ МЕТОДОВ ДИФРАКЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ

Связь : структура —свойства

Рис.1.

Для перехода от интенсивностей к структурным амплитудам при проведении структурных исследований использовалась кинематическая теория с поправками на эффекты первичной экстинкции в двухволновом приближении. Это направление решает следующие основные структурные задачи: определение атомной структуры и микроструктуры кристаллов, определение неизвестных фаз и их идентификация, анализ распределения электростатического потенциала с точки зрения положений максимумов и отождествления их с атомами, анализ высот пиков потенциала и определение химического состава, изучение параметров тепловых колебаний атомов в изотропном приближении, исследование структуры ближнего атомного порядка [18]. Важно отметить, что использование полученных из электронографического эксперимента данных о распределении ЭСП происходило на качественном или в отдельных случаях на полуколичественном уровне. Это определялось уровнем развития точности эксперимента и методов обработки экспериментальных данных.

Несколько позже, в 50-х гг., за рубежом начало развиваться свое направление структурного анализа, в котором исследовались микромонокристаллы (рис.1). Пучок электронов высокой энергии фокусировался так, что он прохо^цил в пределах одного микромонокристалла. Для этого развивались и соответствующие методы дифракции: ДЭСП, КДЭСП, КН, МД, метод пересечения линий Кикучи (ПКЛ), метод пересечения линий Кикучи высокого поряди-ка, метод использующий слабые рефлексы высокого порядка и др.

Вместо кинематической теории, используемой в первом направлении (ЭДСА на поликристаллах), применялась многоволновая и именно благодаря этому, решались многие задачи прецизионного ЭДСА, например, высокоточное определение моделей структурных амплитуд Ф^ их фаз. Вместе с обычными структурными задачами: определение симметрии элементарной ячейки, решение вопросов энантиоморфности, уточнение координат атомов и т.п., ставились и решались задачи по изучению химической связи и, следовательно, физико-химических свойств кристаллов [19,20].

Такие количественные методы, как КДЭСП, КН, ПКЛ, использовались для экспериментального определения модулей и их фаз для первых порядков нескольких отражений (или единичных отражений), поскольку только они несут информацию о перераспределении валентных электронов при образовании химической связи, а остальные отражения добавлялись из теоретического расчета или из данных прецизионного рентгеновского эксперимента [6]. Использование этих методов для оценки средних и дальних отражений, необходимых для проведения преобразования Фурье по полному набору Фьк1, сталкивается с трудностями экспериментального характера (необходимостью наклонять образец на большие углы и выбором достаточно широкого плоскопараллельного участка на микромонокристалле). В этом смысле электронография, позволяющая в одном эксперименте получать полный набор дифракционных максимумов, имеет явное преимущество.

Следует отметить еще одно важное свойство дифракции электронов высокой энергии - чрезвычайно высокую (примерно в 1000 раз большую по сравнению с обычным рентгеновским излучением ) интенсивность дифракционных картин, сравнимую с интенсивностью синхротронного излучения. Благодаря этому качеству ДЭВЭ, возможно исследование быстропротекающих процессов, таких например, как фазовые переходы и процессы роста тонких пленок или поверхностных слоев. Важно то, что изучение можно проводить за очень короткое время с высокой статистической точностью и успевать получать большой объем информации.

С начала своего становления электронография решала в основном структурные задачи, в которых использовались особые свойства в распределении электростатического потенциала (см. выше). Однако, как мы уже отмечали, построение ЭСП и его анализ проводился лишь на качественном или в лучшем случае полуколичественном уровне. Здесь имеются в виду первые работы Б.К.Вайнштейна и В.Ф.Дворянкина, посвященные исследованию характера сил связи в кристаллах [21].

Современное состояние СА характеризуется переходом от изучения атом-ной структуры к исследованиям природы химической связи и соответственно связи структуры с физическими свойствами кристаллов. В этом направлении большое развитие получили методы прецизионной рентгенографии [22], когда на основе экспериментальных данных о распределении электронной плотности судят о перераспределении зарядов при образовании химического соединения и вычисляют ряд возникающих при этом физических свойств.

Как мы покажем ниже, ЭДСА имеет ряд преимуществ перед дифракцией рентгеновских лучей при исследовании эффекта образования химической связи, обязанных более высокой чувствительности дифракции быстрых электронов к этому эффекту. С другой стороны, знание распределения ЭСП, получаемого с помощью дифракции электронов, имеет большое значение для изучения связи структуры со свойствами. Действительно, ЭСП вносит основной вклад в эффективный потенциал, входящий в теорию функционала плот-ности и уравнение Шредингера и, следовательно, отвечает за основную часть энергии связи частиц в кристалле, т.е. определяет многие свойства кристал-лов. Комбинирование ЭСП с распределением электронной плотности откры-вает новые возможности в изучении связи структуры и свойств кристаллов.

Таким образом, для решения упомянутых задач важнейшей этапом современной электронографии, является развитие прецизионности ее методов, т.е. развитие «прецизионной электронографии».

Для развития прецизионной электронографии необходимо решение следую-щих проблем: а) разработка электронной дифрактометрии для прецизионного измерения интенсивностей дифракционных картин; б)развитие методов учета эффектов первичной экстинкции в двух и многоволновом случаях; в)совершенствование способов учета некогерентного фона при дифракции быстрых электронов; г)развитие современных методов оценки точности полученных электроно-графических данных.

Данная диссертационная работа посвящена решению, главным образом , первых трех задач. Развитая система электронной дифрактометрии использована при изучении структуры аморфных веществ, в основном, в их связи со свойствами и природы химической связи в ряде простейших кристаллов со структурой типа №01.

Особые свойства дифракции электронов позволяют при условии развития прецизионной электронографии поставить вопрос о разработке «физической электронографии» , основной задачей которой является изучение связи физических свойств кристаллов с их атомной структурой на основе данных о прецизионном распределении ЭСП.

Целями диссертационной работы являлись:

- развитие прецизионной электронографии путем разработки методов электронной дифрактометрии для прецизионного измерения интенсивнос-тей и расположения рефлексов в дифракционных картинах и методов учета эффектов первичной экстинкции в общем многоволновом случае в частично ориентированных поликристаллических тонких пленках;

- разработка методов количественного вычисления электростатического потенциала по электронографическим данным;

- развитие методов электронографического изучения химической связи в кристаллах и проведение исследований связи в бинарных ионных кристаллах;

- развитие методов вычисления физических свойств тонких кристаллических пленок непосредственно из экспериментальных электроннодифракцион-ных данных путем совместного применения дифракции электронов и рентгеновских лучей и оценка точности электронографических структурных данных;

- разработка прецизионной электронографии аморфных тонких пленок и проведение структурных исследований аморфных веществ с полупроводниковыми и магнитными свойствами и квазикристаллической структурой.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения с выводами и списка литературы.

ВЫВОДЫ

По результатам выполненных в диссертационной работе исследований могут быть сформулированы следующие выводы:

1. Развита прецизионная электронография, позволяющая проводить структурные исследования тонких пленок с высокой точностью на основе количественного определения электростатического потенциала, изучать характер химической связи и связь структуры со свойствами.

2. Разработаны два метода электронной дифрактометрии для измерения дифракционных картин любого типа: новый метод с вращением образца в двух плоскостях и одномерным сканированием перед неподвижным приемником и усовершенствованный метод с двумерным сканированием дифракционной картины. Разработан комплекс программ для процесса измерения и обработки интенсивностей, дополнительной статистической обработки измерений, и проведения полного структурного исследования.

3. Анализ геометрии образования электронограмм с учетом кривизны сферы отражения, зависящей от длины волны падающих электронов, позволил уточнить геометрическую теорию формирования электронограмм и повысить точность определения геометрических параметров.

4. Экспериментально показано, что динамическое рассеяние в поликристаллических пленках ослабевает при повышении ускоряющего напряжения от 100 до 400 кВ и таким образом расширяются границы применимости кинематического приближения.

5. Разработаны и реализованы алгоритмы учета многолнового рассеяния в частично ориентированных поликристаллических тонких пленках (текстуры и мозаичные монокристаллы). Применение развитых методик к текстурам и мозаичным монокристаллам приводит в целом к улучшению сходимости между вычисленными и экспериментальными интенсивностями рефлексов. Предложен алгоритм расчета многоволновых интенсивностей для «несистематических» взаимодействий.

6. Предложен метод учета некогерентного фона при структурном анализе аморфных веществ путем вычитания из экспериментальной кривой интенсивности аморфной фазы фона от закристаллизованного того же вещества с одновременным использованием фильтра для отсева неупруго рассеянных электронов.

7. Предложен метод электроннодифракционного структурного анализа двух и более компонентных веществ с применением функций атомного рассеяния рассчитанных методом парциальных волн, заключающийся в использовании нелинейной зависимости атомных амплитуд от длины волны электронов. Измерение распределений интенсивностей при разных ускоряющих напряжениях при дифракции электронов от тонких аморфных пленок позволяет получать необходимый для разделения парных корреляционных функций набор экспериментальных данных с последующим построением структурной модели.

8. Разработан пакет программ и проведены прецизионные структурные исследования аморфных слоев гидрированного кремния, используемого в качестве фотопреобразователей. С позиций структурных данных проанализирована связь атомной структуры ближнего порядка с условиями получения и физическими свойствами 8кНх. Работа позволила оптимизировать процесс получения 8кНх с наилучшими физическими параметрами.

9. Прецизионное структурное исследование аморфных пленок в системе Бу-Со , используемых для носителей магнитооптической записи, позволило выявить природу перпендикулярной магнитной анизотропии, связанной с особенностями ближнего порядка в расположении атомов РЗ и ПМ.

10. Прецизионное электронографическое изучение структуры ближнего порядка квазикристаллического сплава А16Мп в аморфном состоянии показало, что моделью структуры ближнего порядка в тонких аморфных пленках состава А16 Мп, является икосаэдрическая упаковка атомов.

11. Экспериментально показано на примере объекта со структурой алмаза (Ое), что с повышением ускоряющего напряжения увеличивается роль в рассеивающем потенциале внутренних сферически симметричных электронов, за счет чего уменьшается интенсивность запрещенного рефлекса 222, обусловленного внешними ковалентно связанными электронами.

12. Для исследования природы химической связи в электронографии разработана методика, основанная на анализе атомного рассеяния в приближении Слэйтера, и развит метод анализа химической связи в электронографии с помощью каппа-модели, учитывающей перенос электронов и сферическую деформацию ионов. Проведены с высокой точностью количественные измерения распределения валентных электронов в соединениях М^О, СбВг, ЫБ, ЫаБ. Оценена доля ионности-ковалентности химической связи.

13. Развитые методы прецизионной электронографии позволили впервые перейти к количественному восстановлению ЭСП. Впервые в электронографии использован расчет потенциала по аналитическим моделям, что позволило избежать волны ошибок, связанной с обрывом ряда и неточностями в измерении интенсивностей, с высокой точностью вычислены распределения ЭСП в ионных кристаллах М^;0, ЫБ, ЫаР. Сопоставление измеренных электронно-дифракционных распределений ЭСП с таковыми в прецизионной рентгенографии и с рассчитанными неэмпирическим методом Хартри-Фока позволило с большей объективностью оценить высокую точность восстановления ЭСП методами электронографии.

14. Впервые в электронографии по данным прецизионных электронно-дифракционных измерений рассчитаны диамагнитная восприимчивость, статическая электронная поляризуемость, низкочастотная диэлектрическая проницаемость и средняя ширина запрещенной зоны для диэлектриков МпО и М^;0. Хорошее совпадение с независимыми экспериментальными данными и результатами расчетов другими методами позволяет заключить

249 о возможности использования этих физических характеристик, полученных напрямую из электронно-дифракционных амплитуд, в теоретических модельных расчетах.

15. В работе впервые продемонстрировано успешное совместное использование методов дифракции электронов и рентгеновских лучей для решения задач прецизионного восстановления ЭСП и вычисления физико-химических свойств бинарных кристаллов.

16. Сформулировано новое направление электронографических исследований: физическая электронография, в которой данные прецизионного структурного анализа используются для изучения природы химической связи и расчета физических свойств кристаллов. Методы физической электронографии включают методы прецизионной электронографии, методы дифракции быстрых электронов на микро-монокристаллах, электронную спектроскопию и методы расчета физических свойств.

Хочу выразить искреннюю благодарность своим первым учителям в электронографии Р.М.Имамову, который был непосредственным руководителем моей кандидатской диссертации, и З.Г.Пинскеру. Я глубоко признателен Б.Б.Звягину за постоянное и полезное сотрудничество.

Большую помощь в разработке систем электронной дифрактометрии и программного обеспечения оказали сотрудники C.B.Орехов, К.В.Кулыгин и аспирант А.К. Кулыгин. При развитии метода учета первичной экстинк-ции большую работу в экспериментальной части и проведении громоздких расчетов провел аспирант В.С.Пармон. Важную роль в проведении структурных исследований магнитных аморфных пленок , предоставлении образцов и их электронно-микроскопическом изучении сыграла Л.И Вершинина, сотрудница Института физики СО РАН. В последней части работы, посвященной изучению химической связи и количественному определению электростатического потенциала, большая помощь оказана аспирантом Г.Г.Лепешовым. Хочу также поблагодарить В.Г.Цирельсона за плодотворное сотрудничество в вопросах исследования природы химической связи и распределения потенциала.

Данная работа выполнялась, главным образом, в лаборатории электронографии в течение более 30 лет в тесном контакте с сотрудниками лаборатории, которым я выражаю искреннюю благодарность за творческую и теплую обстановку.

1. Пинскер З.Г. Дифракция электронов. М. Л.: Изд-во АНСССР, 1949. 404 с.

2. Вайнштейн Б.К. Структурная электронография. М.: Изд-во АН СССР, 1956. 314с.

3. Vainshtein В.К., Zvyagin В.В., Avilov A.S. Electron Diffraction Structure analysis// Electron Diffraction Techiques. Ed.by J.M.Cowley. Oxford . University Press. 1992.V.1. Ch.6. P.216- 312.

4. Авилов A.C. Введение «физическую электронографию» //Изв.АН СССР.Серия физич. Т.61. №11. С. 1934-1944 (1997)

5. Goodman P. Accurate Structure Factor and Symmetry Determination. In: Electron Diffraction 1927-1977 : The Inst.Phys.Conf.Ser., N41. Bristol and London. 1978, p. 116-127.

6. Spence J.C.H. On the accurate measurement of structure-factor amplitu-des and phases by electron diffraction. //Acta Cryst. 1993. V.A49. P. 231 274.

7. Rimer L. Transmittion Electron Microscopy. New-York: Springer-Verlag.1984. 374 p.

8. Tanaka N., Mihama K. Nanometer-area Electron Diffraction of Semiconductors Superlattices in Transmission Electron Microscopy //Ultramicroscopy. 1988. V. 26. P. 37-42.

9. Zuo J.M. and Spence J.C.H. Electron Microdiffraction. Plenum press. New York and London. 1992. 358 p.

10. Drits V.A. Electron Diffraction and High-Resolution Microscopy of Mineral Structures. Springer-Verlag. Berlin Heidelberg . 1987. 304 p

11. MacLaren, J.M., Pendry, J.B., Rous, P.J., Saldin, D.K., Somorjai, G.A., Van Hove, M.A., and Vvedensky, D.D. Surface Crystallographic Information Service. A Hand book of Surface Structures. D.Reidel Publishing Co. Dordvecht, Holland. 1987. 432 p.

12. Larsen, P.K., and Dobson, P.J. Eds. Reflection High Energy Electron Diffraction and Reflection Electron Imaging of Surfaces. Plenum Press, New York and London. 1988. 247 p.

13. Имамов P.M. Дифракция электронов и ее применение к расшифров-ке структуры полупроводников. Докторская диссертация. Москва 1977. 335 стр.

14. Семилетов С.А. Структура и физические свойства тонких пленок некоторых полупроводников. Докторская диссертация. Москва 1969. 341 стр.

15. Хитрова В.И. Электронография окислов переходных металлов IV V групп и гидроксилов никеля с межслоевыми катионами щелечных и щелочноземельных элементов. Докторская диссертация. Москва 1994. 319 стр.

16. Звягин Б.Б. Электронография и структурная кристаллография глинистых минералов. «Наука», М., 1964, стр.112.

17. Dorset D.L. Structural electron crystallography. New York.: Plenum Press. 1995. 452 p.

18. Татаринова JI.И. Электронография аморфных веществ. М.:Наука. 1972. 101 с.

19. Cowley J.M. Electron Diffraction: an introduction// Electron Diffrac-tion Techiques. Oxford . University Press. 1992.V.1. Ch.l. P.l- 74.

20. Spence J.C.H. Accurate Structure Factor amplitude and Phase Determination. // Electron Diffraction Techniques. Oxford . University Press. 1992.V.l.Ch.8. P.360 -438.

21. Вайнштейн Б.К., Дворянкин В.Ф. Влияние химической связи на атомное рассеяние электронов.//Кристаллография. 1956. Т. 1. С.626-630.

22. Tsirelson B.G., and Ozerov R.P. Electron Density and Bonding in crystals. Bristol: Adam Hilger, 1996. 517 p.

23. Ямзин И.И. Атомное рассеяние электронов. //Труды Института кристаллографии АН СССР. 1949. Вып.5. С.69-112.

24. Kuwabara S. Variation of Electron Diffraction Intensities with Tilting Angle and X H. // J.Phys.Japan. 1962. V.17. Suppl. B-2. P. 115-119.

25. Kuwabara S. Variation of Electron Diffraction Intensities of BiOCl Films with Tilting Angle and X H. //J.Phys.Soc.Japan. 1962. V.17. P.1414-1422.

26. Horstamann H., and Meyer G. Ene Gegenfeldanordnung zur Messung von Energie-und Winkelvertelungen Gestrenter Elektronen //Z.Physik. 1960. B.159.S. 563-583.

27. Raether H.A. Measurements on Elastic and Inelastic Scattering Intensities Intensities of Electrons. //J.Phys. Japan. 1962. V.17.Suppl.1. B-2. P.61-66.

28. Багдыкьянц Г.О. и Алексеев А.Г. Авт.свид. No. 120949. кл.42. К4607. Бюлл.изобретений, No 10, (1959).

29. Багдыкьянц Г.О. и Алексеев А.Г. Измерение интенсивностей и устранение фона рассеянных электронов при электронографических исследованиях //Известия АН СССР.Сер.физич. 1959. Т.23. С.773 776.

30. Grigson C.W.B., Tillett P.I. On scanning electron diffraction system //Int.J.Electron. 1968. V.24. P.101- 138.

31. Heritage M.B., Tompson M.F. Small angle Electron Diffraction of Very thin Films//J.Appl.Phys. 1970. V.41. 407-414.

32. Grigson C.W.B., Dove D.B. Scanning Electron Diffraction of Film Growth. //J.Vac.Sci.Techn.V.3. 120-128(1966)

33. Denbigh P.N., Dove D.B. Scanning Electron Diffraction Observation on Diffuse Inner Rings from Very Thin Vapor-Deposited Films //J.Appl.Phys. 1967. V.38. P. 99-102.

34. Алексеев А.Г., Кушнир Ю.М., Левкин Н.П. Методы измерения интенсивностей в электронографии //ПТЭ. 1968. Т.З.С.З 21.

35. Takagi S. and Suzuki. Intensity measurement in electron diffraction by means of a CdS single crystal. //Acta Cryst. 1955. V.8. P. 441 -447.

36. Snyder D.D. and Bleil C.E. On the Mechanism for Carrier Excitation in CdS //J.Appl.Phys. 1959. V.30.P.736-739.

37. Pfister H. Electronenbestrahlung von P-N-Sperrschichten in GaAs. //Z.Naturforschung.V. 12a.P.217 (1957)

38. Lenander S. Measurement of Electron Diffraction Intensities by Means of Geiger Counters Experimental Detrmination of Relaitive Values of the Atomic Factor for Gold, Silver and Aluminium. //Arkiv fyz. 1954. V.8. P.551 -613.

39. Тютиков A.M., Ефимов А.И. О работе вторичноэлектронного умножителя открытого типа в режиме счета импульсов //ПТЭ. 1962. Т.1.С.154- 157.

40. Тютиков A.M., Кузьмина М.Ф., Тумарева Т.А. Некоторые технологические и эксплуатационные особенности вторично-электронных умножителей открытого типа //Изв.АН СССР. Серия физич. 1962. Т.26. С.1390 1391.

41. Albrecht W.W., Niedrig H. Temperature dependence of electron diffraction intensities of thick polycrystalline foils //6th Intern.Congress on Electron Microscopy. Kyoto. 1966. V.l. P.51 52.

42. Horstmann H., Meyer G. Wirkungsquerschnitt und Winkelvertellung der Elastischen und Unelastischen Elektronenstrelung in Aluminium-schichten //Z.Physik. 1961. V.164.P.21 -26.

43. Grigson C.W. High Speed Direct Recording System for Electron Diffraction. //Nature. 1961. V.192. P.647.

44. Denbigh P.N., Grigson C.W. Scanning electron diffraction with energy analysis. //J.Scient.Instr. 1965. V.42.P.305 312.

45. Grigson C.W. Improved Scanning Electron Diffraction System //Rev.Scient.Instrum. 1965. V.36.P.1587- 1611.

46. De Ruijter W.J., and Weiss J.K. Methods to measure properties of slow-scan CCD cameras for electron detection. //Rev. Sci. Instr. 1992. V.63. P.4314-4321.

47. Sherman M.B., Brink J and Chiu W. Perfomance of a slow- scan CCD camera for macromolecular imaging in a 400 kV electron cryomicroscpe//Micron. 1996. V.27. P. 129-139.

48. Zuo J.M. Electron Detection Characteristics of slow-scan CCD camera //Ultramicroscopy. 1996. V.66. P.21-33.

49. Авилов А.С., Имамов P.M., Семилетов С.А. Прецизионное измерение интенсивностей отражений на электронограммах от текстур и мозаичных монокристаллов //ПТЭ. 1976. No 3. С. 214 -217.

50. Авилов А.С. Измерение интенсивностей отражений на электронограммах от текстур с помощью вращения образца на электронографе ЭР-100//Кристаллография. 1976. Т.21. С.1117-1121.

51. Авилов А.С. Электрическое измерение интенсивностей отражений при дифракции электронов от мозаичных монокристаллов //Кристаллография. 1979. Т.24. С.178-181.

52. Dorset D.L. and D. F. Parsons Electron diffraction from single, fully-hydrated, ox-liver catalase microcrystals // Acta crystall. 1975. A31. P.210-219.

53. Dorset D.L. Persistance of n-beam dynamical effects in high voltage electron-diffraction from single thin paraffin micricrystals. // J.Appl.Phys. 1976. V.47. P.780 782.

54. Dorset D.L The interpretation of quasi-kinematical single-crystal electron diffraction intensity data from paraffins // Acta crystall. 1976. V.A 32. P.207- 213.

55. Cowley J.M., Moodie A.F. The scattering of electrons by atoms and crystals. I. A new theoretical approach //Acta crystall. 1957. V.10. P.609-621.

56. Ципурский С.И., Дриц В.А., Авилов А.С. Применение электро-нометрического измерения интенсивностей для электроног-рафических структурных исследований //Тезисы докл.Х Всесоюзной конференции по электронной микроскопии. Ташкент. 1976. T.I. С.317.

57. Ципурский С.И., Дриц В.А Эффективность электронографического способа измерения интенсивностей при проведении электронографи-ческих структурных исследований. //Изв.АН СССР. Серия физич. 1977. Т.41.С.2263 -2271. (1977).

58. Guven N. Crystal Structures of 2Mi phenite and 2Mj muscovite.

59. Z.Kristallogr. V.134. P.487 (1971)

60. Rothbauer R., Odaniel H. Neutron diffraction measurements Of muscovite. // Acta Crystall. 1971.A V.25. P. SI 19 S120.

61. Plancon A., Tsipursky S.I., Drits V.A. Calculation of intensity distribution in the case of oblique texture electron diffraction //J.Appl.Crystall. 1985. V.18.P.191 199.

62. Дриц В.А., Ципурский С.И., Плансон А. Применение методики расчета распределения интенсивности для электронографического структурного анализа// Изв.АН СССР. Серия физич. 1984. Т.48. С.1708 1713.

63. Дьякон И.А., Дону C.B., Чапурина Л.Ф., Авилов А.С. Кристаллическая структура смешанного соединения меди (II) с глицином и рацемическим серином//Кристаллография. 1984. Т.29. С.384-385.

64. Дьякон И.А., Дону C.B., Чапурина Л.Ф., Авилов A.C. Кристаллическая структура смешанного соединения меди (II) с глицином и L-серином //Кристаллография. 1991. Т.36. С.219-221.

65. Ман Л.И., Пармон B.C., Имамов P.M., Авилов A.C. Электроногра-фичес кое определение структуры тетрагональной фазы Т15Те3 //Кристаллография. 1980. Т.25. С. 1070-1073.

66. Авилов A.C., Имамов P.M., Семилетов С.А. Электронографичес-кий структурный анализ. Его возможности и перспективы развития. Сб. «Современная электронная микроскопия в исследовании вещества». Москва «Наука». 1982 г. С.73-79.

67. Авилов A.C. Прецизионные исследования в электронографическом структурном анализе. В кн. Методы структурного анализа. Москва «Наука». 1989 г. С.256-271.

68. Orekhov S.V., Avilov A.S. Precision intensity measurements in electron diffraction//XII European crystallogr. meeting. Moscow. 1989. V.3. P. 136.

69. Авилов A.C., Вершинина Л.И., Орехов C.B., Попова И.А., Сте-панов А.Г. Использование электронного дифрактометра в изучении атомной структуры аморфных магнитных пленок Dy-Co //Изв.АН СССР.Серия физич. 1991 .Т.55. С.1609-1614.

70. Vershinina L.I., Avilov A.S., Skluev S.Z., Zhigalov V.S., Stepanov A.G., Frolov G.I., Orekhov S.V. The Structure of amorphous Dy-Co films with magnetic anisotropy//phys.stat.sol. (a), 1990. V.121. P.K145-K148.

71. Dorset D.L., Zemlin F. Direct Phase Determination in Electron Crystallography: The Crystal Structure of an n-Paraffin.// Ultramicroscopy. 1990. V.33. P.227-236.

72. Doyle P.A., and Turner P.S. Relativistic Hartree-Fock X-ray and electron scattering factors //Acta Crystall. 1968. A24. P.390-397

73. Bird D., and Preston A.P. Direct measurement of crystallographic phase by electron diffraction. //Phys.Rev.Letters. 1987. V.59.P.1216-1219.

74. Жухлистов А.П., Авилов A.C., Феррарис Д., Звягин Б.Б., Плотников В.П. Свидетельства трехпозиционного упорядочения распределения водорода в структуре брусита Mg(OH)2 по данным электронной дифрактометрии //Кристаллография. 1997. Т.42.1. С.841-845.

75. Zigan F., Rothbauer R., Odaniel H. Refinement of Structure of Byyerite Al(OH)3, including a suggestion for H-position. //Z. Kristall. 1967. B.125. S. 317-323.

76. Desgranges L., Calvarin G., Chevriet G. Interlayer interactions in M(OH)2: a neutron diffraction study of Mg(OH)2 //Acta Crystall. 1966. B.V.52.P.82 -86.

77. Catti N., Ferraris G., Hull S., Pavese A. Compression and H- disorder in Brucite Mg(OH)2 to 11 Gpa Powder Neutrone- Diffraction //Phys.Chem.Minerals. 1995. V.22. P.200 -206.

78. Parise J.B., Leinenweber K., Weidner D.Y., Tan K., Vondreel R.B. Pressure induced H-bonding neutron diffraction study of brucite Mg(OH)2 to 9.3 GPa // Amer.Miner. 1994. V.79. P. 193 196.

79. Авилов A.C., Имамов P.M. О влиянии кривизны сферы отражения на геометрию расположения рефлексов на электронограммах от текстур //Кристаллография. 1979. Т.24. С. 1037-1042.

80. Авилов А.С., Имамов P.M. и Пинскер З.Г. Состояние и перспективы прецизионной структурной электронографии //Изв.АН СССР, Серия физич. 1980. Т.44. С.1134- 1138.

81. Авилов А.С., Имамов P.M., Караханян Р.К. и Пинскер З.Г. Исследование интенсивностей электронной дифракции на пленках NH4C1, NaCl и Т1С1 с использованием электрической регистрации и электронного фильтра//Кристаллография. 1973. Т.18. С.49-55.

82. Алексеев А.Г., Бояндина Л.Г., Бульба И.А., Верцнер В.Н., Гулый A.M., Капличный В.Н., Кисель Г.Д., Овчинников О.П., Сур А.С., Трегубов М.И. и Щербень Н.М. Промышленный электронограф ЭР-100 .

83. Изв.АН СССР. Серия физическая. 1970. Т.34. С. 1404 1407.

84. Алексеев А.Г., Верховская Т.А., Воробьев Ю.В. Электронный фильтр с низким уровнем собственных шумов для устранения фона неупруго рассеянных электронов // Изв.АН СССР. Серия физическая. 1970. Т.34 С.1424- 1427.

85. Стасова М.М., Вайнштейн Б.К. Уточнение строения группы NH4 в структуре хлористого аммония. //Труды Ин-та кристалл. АН СССР. 1956. Т.12. С.18-24.

86. Kuwabara S. Accurate Determination of Hydrogen Position in NH4C1 by Electron Diffraction//J.Phys.Soc.Japan. 1959. V.14. P.1205-1216.

87. Blackman M. On the Intensities of Electron Diffraction Rings. //Proc.Roy.Soc. 1939. V.173. P.68-82 .

88. Kuwabara S. Variation of Electron Diffraction Intensities with Crystal Size.//J. Phys. Soc. Japan. 1957. V.12. P.637- 643.

89. Horstmann M., and Meyer G. Messung der Elastischen Electronen-beugungsin-testaten Polykrytalliner Aluminium Schicten// Acta Cry stall. 1962. V.15.P.271-280.

90. Wedel N. Messung der elastischen und unelastischen Elektronen-streuinten-sitaten polykristalliner Silber-Schichten //Acta Crystall. 1963. V.16. P.1213- 1216.

91. Kuwabara S., Turner P.S., Cowley J.M. Variation of Electron Diffarc-tion Intensities of BiOCl Lamellar Polycrystals with Wavelenght, Crystal Thickness and Filtering //6th Intern.Congress on Electron Microscopy. Kyoto. 1966. V.l. P.59 60.

92. Kuwabara S. Variation of Electron Diffraction Intensities of BiOCl Lamellar Polycrystals with Wavelength, Crystal Size and Filtering// J.Phys.Soc.Japan. 1967. V.22. P.1245-1250.

93. Bethe H.A. Theorie der Bengung von Electronen an Kristallen // Ann. Physik. Lpz. 1928. B.87. S.55-129.

94. Horstmann M. Einfluss der Kristalltemperatur auf die Intensitäten Dynamischen Electroneninterferenzen//Z.Phys. 1965. B.183. S.375-381.

95. Cowley J.M., Kuwabara S. Electron diffraction intensities from polycrystalline material containing heavy atoms //Acta Crystall. 1962. V.15.P.260 271.

96. Peng, L.-M., Cowley, J. M. Dynamical diffraction calculations for RHEED and REM. // Acta Cryst. 1979. V. A42. P. 545 556.

97. Cowley J.M., Moodie A.F. The scattering of electrons by atoms and crystals. III. Single-crystal diffraction patterns. //Acta Crystall. 1959. V.12. P.360-366.

98. Pinsker Z.G. and Imamov P.M. Electron Diffraction Structure Analysis: Some Results and Prospects of the Development. //Indian Journal of Pure & Appl.Phys. 1981. V. 19. p.926 932.

99. Turner P.S., Cowley J.M. The Effect of n-Beam Dynamical Diffraction on Electron Diffraction Intensities from Polycrystalline Materials // Acta Crystall. 1969. V.A25. P.475-481.

100. Имамов P.M., Пинскер З.Г. Электронографическое исследование соединения AgTlSe2. //Кристаллография. 1965. Т.10. С.199 -204.

101. Horstmann М., Meyer G. Messung der Elastischenbeugungsinten-sitaten Polykristalliner Alluminium-Schichten //Acta Crystall. 1962. V.15. P.271-281.

102. Kuwabara S., Takamatsu Y. Variation of Electron diffraction Intensities with energy loss. 1. Gold, Silver and Aluminium Films. //J. Phys. Japan. 1969. V.26. P.431 452.

103. Дворянкина Г.Г., Пинскер З.Г. Исследование структуры Fe4N //Кристаллография. 1958. Т.З. С.438 443.

104. Лобачев А.Н., Вайнштейн Б.К. Об установлении характера рассеяния электронов (динамического или кинематического) при элект-ронографических структурных исследованиях. // Кристаллогра-фия. 1956. Т.1. С.472-473.

105. Удалова В.В., Пинскер З.Г. Экспериментальное исследование многократного рассеяния электронов в поликристаллических пленках золота и алюминия.//Кристаллография. 1972. Т.17. С. 90-98.

106. Cowley J.M. Diffraction Physics. New York: North Holland, 1981. 430p. Second Eddition.

107. Gjonnes J. Inelastic interactions in dynamic electron scattering. // J.Phys.Soc.Japan. 1962. V.17. Suppl. BII. P. 137 141.

108. Авилов А.С., Имамов P.M., Пинскер З.Г. Дифракция электронов с энергией 350 кэВ в кристаллах Си38Ь8з//Кристаллография. 1971. Т. 16. С.628 -631 .

109. Miyake S. Transition from dynamical to kinematical intensities of electron diffraction by crystals. //J.Phys.Soc.Japan. 1968. V.14.1. P.1347- 1352.

110. Cowley J.M. Crystal structure determination by electron diffraction

111. Progr.Materials Sei. V.13. P.2691 (1968)

112. Авилов A.C., Имамов P.M., Мурадян Jl.А. Электронографическое исследование некоторых фаз в системе Cu-Sb-S //Кристаллография. 1970. Т.15. С.716-721 .

113. Имамов P.M., Паннхорст В., Авилов A.C., Пинскер З.Г. Экспериментальное исследование динамических эффектов при дифракции электронов в частично ориентированных пленках. //Кристаллография. 1976. Т.21. С. 364-369.

114. Авилов A.C., Пармон B.C. К вопросу об учете несистематических многоволновых взаимодействий при дифракции быстрых электронов //Кристаллография. 1983. Т.28. С.383- 385

115. Авилов A.C., Пармон B.C., Семилетов С.А., Сирота М.И. Расчет интенсивностей отражений при многоволновой дифракции быстрых электронов в поликристаллических образцах// Кристаллография. 1984. Т.29. С. 11- 15.

116. Авилов A.C., Пармон B.C., Семилетов С.А. и Сирота М.И. Расчет интенсивностей при многоволновом упругом рассеянии быстрых электронов в поликристаллах //Известия АН СССР. Серия физическая. 1983. Т.47. С.1183 1187.

117. Авилов A.C., Пармон B.C. Изучение процессов многоволнового упругого рассеяния быстрых электронов в текстурированных пленках PbSe //Кристаллография. 1992. Т.37. С. 1379- 1390.

118. Авилов A.C., Пармон B.C. Учет многоволновой дифракции быстрых электронов в мозаичных монокристаллических пленках LiF //Кристаллография. 1990. Т.35. С. 1249-1256.

119. Pfluger J., Fink J., Weber W. et al. Dielectric properties of TiC, TiN,VC, VN from 1,5 to 40 eV determined by electron energy-loss spectroscopy //Phys. Rev. В Solid State. 1984. V.30. P.l 155-1163.

120. Клява Я.Г. Ближний порядок в некристаллических твердых телах //Ж. Структурной химии. 1986. Т.27. С. 186-192.

121. Б.К.Вайнштейн К теории метода радиального распределения //Кристаллография. 1957. Т.2. С. 29- 37.

122. Л.И.Татаринова. Структура твердых аморфных и жидких веществ. М.: Наука. 1983. 151 с.

123. Б.К.Вайнштейн. О нормировке кривой интенсивности в методе радиального распределения //Докл.АН. 1957. Т.112. С.640 643.

124. И.Д.Набитович, Я.И.Стецив, Я.В.Волощук. Определение когерентной интенсивности и интенсивности фона по экспериментальной кривой рассеяния электронов //Кристаллография. 1967. Т.12. С.584 590.

125. О.И.Васин, Г.И.Гладышева, Э.Е.Дагман. Нормировка интерференционной функции в методе радиального распределения //Кристаллография. 1983. Т.28. №3. С.446-451.

126. А.С.Авилов, А.Бурян, С.А.Семилетов, В.Ф.Жданович. Исследование аморфных и кристаллических пленок GeTe методом дифракции электронов//Кристаллография. 1976. Т.21.№5. С.998-1001

127. Leonhardt R., Richter H., Rossteut W. Elektronenbeugungsunters Uchungen zur Struktur Dunner Nichtkristalliner Schichten// Z. Phys. 1961. B.165. S. 121-127.

128. Б.Т.Бойко, Л.С.Палатник, А.С.Деревянченко Дифрактометричес-кое изучение структуры аморфного галлия на электронографе с противополем // Физ. твердого тела. 1967. Т.9. С. 1625 1630.

129. A.S.Avilov. Electron Diffraction Structure Analysis of Thin Amorphous Films./ XVI International Congress and General Assembly of crystallography. 1993 China, Beijing. Coll.abstracts. P.353.

130. Ibers J.A., and Hoerny J.A. Atomic scattering amplitudes for electrondiffraction //Acta Crystall. 1954. V.7. P.405 408.

131. Vaishtein B.K., Ibers J.A. Scattering amplitudes for electrons. In : International Tables for x-ray crystallography. Vol. 3. Physical and chemical tables. Birmingham, 1962. P.216 - 227.

132. Волков В.В. К вопросу оценивания спектров компонентов по спектрам и родственных смесей //Ж.Прикладной спектроскопии. 1988. Т.48. С. 436-442.

133. Гречушников Б.Н., Калинкина И.Н., Волков В.В., Петров И.П. Об однозначности решения задачи разделения аддитивных спектров смесей на спектры компонентов //Ж.Прикладной спектроскопии. 1984. Т.40. С. 89-92.

134. Lawton W.H., Sylweestre Е.А. Self modeling curve resolution. //Technometrix. 1971.V.13. P. 617-622.

135. Anstis G.R., Liu Z., Lake M. Investigation of amorphous materials by electron diffraction the effects of multiple scattering //Ultramicroscopy. 1988. V.26. P.65 - 72.

136. Laridiani M., Sadoc J.F., and Raox D. Structure of Amorphous CuY5 : Anomalous X-ray Diffraction and Modelling //J.Non-crystal.solids. 1987. V.91.P. 217-234.

137. Vyatkin A.F., Farber L.E., Orekhov S.V., Avilov A.S.Structure of Amorphous Silicon Layers Deposited under Ultrahigh Vacuum at Different Substrate Temperature.//Thin Solid Films. 1989. V.183. P.357-362 .

138. Kaverina I.A., Korobtsov V.V., Lifshits V.A., Zavodinskii V.G. and Zotov A.V. The influence of the structure of amorphous silicon deposition in ultrahigh vacuum on the solid phase epitaxial growth rate //Thin Solid Films. 1984. V.l 17.P.101 106.

139. Зарифьянц Ю.А., Абрамов В.О., Гальченко Ю.Л., Авилов А.С., Чукичева Г.М. Особенности структуры и свойств приграничныхобластей аморфного гидрированного кремния.// Вестник Моск.Ун-та. 1986. Т.27. С.91-93.

140. Cracusyk J.F. Structure of Glow Discharge Amorphous Silicon //Phys.Stat.Sol. (a). 1979. V.55. №1. P. 231-242.

141. Абрамов В.О., Авилов А.С., Белоконов А.Н., Зарифьянц Ю.А., Миляев В.А., Ширков А.В.Влияние легирования на структуру и диффузионные параметры аморфного гидрированного кремния // Краткие сообщения по физике. ФИАН. 1988. №8. С. 16-18.

142. Аморфные полупроводники, под редакцией Бродски. М.:Мир. 1982. 419 с.

143. Lohneysen H.V., Schink N.Z., Beyer W. Direct Experiment Evidence for Molecules Hydrogenn in Amorphous Si:H //Phys.Rev.Lett. 1984. V.52. P. 549-552.

144. Ходос Ю.А., Кузнецов Г.Д., Авилов A.C., Аленков В.В. Влияние потенциала смещения на подложке в процессе плазмохимичес-кого осаждения на содержание водорода, структурное состояние и некоторые свойства аморфного гидрированного кремния

145. Поверхность. Физика, химия, механика. 1989. № 4 С .140-142.

146. Suzuki Т., Ichinose Н., and Aoyagi Е. Microstructure and magnetic properties of sputter deposited Ho-Co alloy thin film with perpendicular magnetic anisotropy //JapanJ.Appl.Phys. 1984. V.23. P.585 - 592.

147. Орехов C.B., Авилов А.С., Семилетов C.A., Янсон Т.И. Изучение атомной структуры пленок сплава А10>86 Мп0;.4 , полученныхимпульсной лазерной возгонкой//Кристаллография. 1989.Т.34.С. 1049-1059 .

148. Воусе J.B., Mikkelsen J.C., Bridges F., Egami Т. Extended X-ray-absorption fine structure study of quasicrystalline Al-Mn alloys //Phys.Rev. 1986. B33. P. 7314-7317.

149. Marcus M.A., Chen H.S., Espinosa G.P., Tsai C.L. Distance distributions about Mn in icosahedral and crystalline Al-Mn-Si. //Solid State Commun. 1986. V.58. P. 227-230.

150. V.G.Tsirelson, A.S.Avilov, Yu.A.Abramov et all. X-ray and Electron Diffraction Stydy of MgO.//Acta crystall. 1998.V.B54. P. 1- 8.

151. Vainshtein B.K. Application of electron diffraction to the study of the chemical bond in crystals. // Q.Rev.Chem.Soc. 1960. V.14. P. 105 132.

152. Авилов А.С.,Имамов P.M., Пинскер З.Г., Федотов А.Ф. О влия-нии ускоряющего напряжения на интенсивность запрещенного рефлекса 222 Ge при дифракции электронов //Кристаллография. 1973. Т. 18.С. 840- 841.

153. Hattori Н., Kuriyama Н., Katagava Т. Absolute Measurement of Structure Factors of Si Single Crystals by Means of X-ray Pende-lossung Fringes// J. Phys.Soc.Japan. 1965. V.20. P. 988-993.

154. Hattori H., Kuriyama H., Kato N. Effects of X-ray Polarization of Pendelossung Fringes //J. Phys.Soc.Japan. 1965. V.20. P. 1047- 1052.

155. Dawson B. Covalent Bond in Silicon.// J.Proc.Roy. Soc. 1967. A298. P. 379-394.

156. Dawson B.X-ray Scattering and Covalent Bonding Germanium // J.Proc.Roy. Soc. 1967. A298. P. 395 408.

157. Kreutle M., Meyer-Ehmsen G. Determination of Real and Imajinary Structure Potential of Si from Electron Diffraction Intensities. //Phys.Stat.Solidi. 1969. V35. K17-K22.

158. Kreutle M., Meyer-Ehmsen G. Determination of Structure Potentials and Absorption Potentials of Silicon from Electron Diffraction Intensities //Phys.Stat.Solidi. 1970. V.a8. P. 111-118.

159. Turner P.S., Cowley J.M. The determination of structure factors from dynamical effects in electron diffraction. //Acta Crystall. 1969. V. 25. P. 129-135.

160. De Marco J.J., Weiss R.J. Absolute X-ray scattering factors of silicon and germanium //Phys. Rev. 1965. A137. P. 1869 1873.

161. Meyer-Ehmsen G. Untersuchungen zur Normalen und Anomalen Absorption von Elektronen im Silizium und Germanium - Einkristallen bei Verschiedenen Temperaturen // Z.Phys. 1969. B.218. S.352 -359.

162. Man L.I., Avilov A.S., Semiletov S.A. Determination of valence electron distribution in simple structures by high-energy electron diffraction technique// XIII Hungarian Diffraction conference. Coll.abstracts. Budapesht.1989. P.43-44.

163. Avilov A.S.,and Man L.I. HEED for determination of valence electron distributions in simple structures. //XVth Congress and General Assembly of International Union of Crystallography. Bordeaux, France. July, 1990. Collected abstracts. P.C-268.

164. Бунтарь А.Г. Атомный фактор рассеяния рентгеновских лучей и электронов в приближении Слэйтера//Кристаллография. Т. 11. №5. 722-730(1966)

165. Slater J.C. Atomic Shelling Constants //Phys. Rev. 1930. V.36. P.57 64.

166. Авилов A.C., Семилетов С.А., Стороженко B.B. Исследование распределения валентных электронов в MgO методом дифракции электронов//Кристаллография. 1989. Т.34. С. 191-198.

167. Clementi E., Raimondi D.L., Reinhard W.P. Atomic scattering constants from SCF functions . 2. Atoms with 37 to 86 electrons //J.Chem.Phys. 1968. V.38. P.2686 -2699.

168. Wolberg J.R. Prediction analysis. D.Van Norstand Company. Inc.

169. Princeton, New Jersy, Toronto, London, Melbourne. 1967. 289 p.

170. Яковлев K.M. Математическая обработка результатов измере-ний. М.: Гостехиздат, 1955. С.349

171. Некрасов Б.К.К расчету эффективных зарядов на атомах в MgO // Докл.АН СССР. Т. 187. 338 (1969)

172. Левин A.A., Сыркин Я.К., Дяткина М.Е. Электронное строение соединений AnBVi со структурой NaCl // ЖСХ. 1966. Т.7. С. 757 -768.

173. Саркисов Э.С. Классификация неорганических кристаллов на основе расчета их межатомных расстояний. //Изв.АН СССР. Неорган.матер. 1969. Т.5. С.441 -449.

174. Левин A.A. Электроотрицательность атомов в бинарных кристаллах со структурой каменной соли // Журн.Всес.хим.общ.им.Д.И.Менделеева. 1972. Т. 17. С. 3 8.

175. Бацанов С.С. Экспериментальные основы структурной химии. М.: Изд-во стандартов. 1986. 239 с.

176. Nefedov W. Bestimmung von Atomladungen in Molekülen Mit Hilfe der Rontgenemissionsspektren//Phis.stat.solidi. 1962. B.2. S.904-922.

177. Gutbier H. Uber den Zusammenhang Zwischen Effektiver Atomladung und Bildingswarme Einer Verbindung //Z.Naturforsch. 1964. A.19.1. S.1154-1157.

178. Shannon R.D., Prewitt C.T. Effective ionic radii in oxides and fluorides // Acta Cry stall. 1969. B.25. P.925 928.

179. Дорфман Я.Т. Диамагнетизм и химическая вязь. М.: Физматгиз, 1961. 231 с.

180. Ivanov-Smolenskii G.A., Tsirelson V.G., Ozerov R.P. Determination of the diamagnetic susceptibility and the electron static polarizability of crystals from X-ray diffraction data // Acta Crystall. 1983. V. A.39. P.411 -419.

181. Авилов A.C., Семилетов C.A., Стороженко B.B. Изучение характера сил связи в соединении CsBr электронографическим методом // Известия АН СССР. Серия физическая. 1984. Т.48. С. 1753 1757.

182. Авилов А.С. О количественной определении кристаллического электростатического потенциала методом электронографии. //Кристаллография. 1998. Т. 43. С. 983 991.

183. Цирельсон В.Г. Химическая связь и тепловое движение атомов в кристаллах. Итоги науки и техники. Серия: кристаллохимия. Т.27. 1993. 268 с.

184. Coppens P., Guru Row T.N., Leung P., Stevens E. D.,. Becker P. J and Yang W. Net atomic charges and molecular dipole moments from spherical-atom X-ray refinements, and the relation between atomic charge and shape //Acta crystall. 1979. V. A35. 63-72

185. International Tables for Crystallography. Vol.C. ed. Wilson A.J.

186. Dordrecht-Boston-London: Kluwer Acad. Publ., 1992.

187. Хирш П., Хови А., Николсон Р. и др. Электронная микроскопия тонких кристаллов. М.:Мир, 1968. 574 с.

188. Треушников Е.Н. О вычислении одноэлектронных волновых функций и энергий молекул и кристаллов с использованиемрентгеновских дифракционных данных. // ФТТ. 1994. Т.36. С. 12361245.

189. Якимавичус И.А., Батарунас И.В. Атомные факторы рассеяния рентгеновских лучей и их применение для исследования энергетического спектра электронов. //Физика молекул. Республ. Межвед. сб. Киев. Академия Наук УССР. 1976. №2. С.61-74.

190. Варнек А.А., Озеров Р.П. Определение электростатического потенциала по рентгенодифракционным данным //Электронные состояния и химическая связь. Тр.Моск-го хим.-техн.ин-та. М., С.54 (1984)

191. Романов Е.Г. Пути повышения эффективности электронографи-ческих исследований, обеспечивающие получение дополни-тельной физической информации //Изв.АН СССР. Серия физи-ческая. 1984. Т.48. С. 2418-2422.

192. Avery J., Larsen P.S., Grodzicki M.//Local Density Approximations in Quantum Chemistry and Solid State-Physics/ Eds. Dahl A.D. and Avery J. New York: Plenum Press, 1984. P.733.

193. Becker P., Coppens P. About the Coulomb potential in crystals //Acta Cry stall. 1990. A.46. P. 254 267.

194. Крашенинников M.B. Методы вычисления электростатического потенциала // Электронные состояния и химическая связь. Тр.Моск-го хим.-техн.ин-та. М., С.84 (1984)

195. Stewart R.F. Mapping of Electrostatic properties from Bragg Diffraction Data.//Chem.Phys.Lett. 1979.V.65. P. 335 342.

196. Варнек A.A., Цирельсон В.Г., Озеров Р.П. Расчет энергетических характеристик кристаллов по дифракционным данным методом функционала плотности //Докл.АН СССР. 1981. Т.257. С.382 385.

197. Avery J. Transferable integrals in a deformation density approach to crystal orbital calculations. 1. //Int.J.Quant.Chem. 1979.V.16. P. 1265 -1277.

198. Варнек А.А. Рентгеновский электростатический потенциал в кристаллах с разными типами химической связи. Канд. диссерт. М.:МХТИ им. Д. И.Менделеева. 1985.

199. Bentley J. Determination of Electronic Energies from Experimental electron densities // J.Chem.Phys. 1979.V.70. P. 159 164.

200. Hirshfeld F.L., Rzotkievwicz S. Electrostatic binding in first row AH and A2 diatomic molecules //Molec.Phys. 1974. V.27. P. 1319 - 1343.

201. Avery J., Ormen P.J., Mullen D.Transferable integrals in a defor-mation density approach to crystal orbital calculations. 7. Crystal-field theory using measured and Potentials. //Intern. J.Quant. Chem.Symp. 1981. V.15. P.477-486.

202. Эпштейн С. Вариационный метод в квантовой химии. М. : Мир. 1977. 362 с.

203. Politzer P., Parr R.G. Some new energy formulas for atoms and molecules //J.Chem.Phys. 1974. V.61. P.4258 4262.

204. Zuo J.M Automated structure-factor refinement from convergent-beam electron diffraction patterns. .//Acta Crystall. 1993. A.49. P.429- 435.

205. R.Holmestad, J.P.Morniroli, J.M.Zuo, J.C.H.Spence, A.Avilov. Quantitative CBED studies of SiC 4H// Inst.Phys.Conf.Ser. 1997. No 153: Section 4. P.137-140

206. V.G.Tsirelson, A.S.Avilov, Yu.A.Abramov et all. X-ray and Electron

207. Diffraction Stydy ofMgO.//Acta crysta. V.B54.№1. 8-l-(1998)

208. Lowrence J.L . Debye-Waller factors for magnesium oxide. //Acta crystall. 1973. V.A29. P.94 97.

209. Vidal-Valat G., Vidal J.P., Kurki-Suonio К X-ray study of the atomic charge densities in MgO, CaO, SrO and BaO. //Acta Crystall. 1978. A34. P. 597-603.

210. Gajdardziska-Josifovska M., McCartney M.R., de Ruijter W.J., Smith D.J., Weiss J.K., and Zuo J.M. Accurate measurements of mean inner potential of crystal wedges using digital electron holography

211. Ultramicroscopy. 1993. V.50. P. 285 293.

212. Лобанов H.H.,Цирельсон В.Г., Щедрин Б.М. Оценка точностиэлектронной плотности и электростатического потенциала по дифракционным данным. //Кристаллография. 1995. Т.35. С.589 -595.

213. Sasaki S., Fujino К., & Takeuchi Y. X-ray determination of electrondensity distributions in oxides: MgO, MnO, CoO and NiO and atomic scattering factors of their constituent atoms // Proc. Jpn. Acad. Ser. 1979. B55. 43-48.

214. Стрельцов B.A., Цирельсон В.Г., Крашенинников M.B. и др. Фильтрация функции распределения электронной плотности , построенной по дифракционным данным. // Кристаллография. 1985. Т.30. С.62- 66.

215. Авилов А.С., Китанех Р., Цирельсон В.Г. Распределение электростатического потенциала в МпО// Кристаллография. 1997. Т.42. С.660-664.

216. Цирельсон В.Г. Химическая связь и тепловое движение атомов в кристаллах. Итоги науки и техники. Сер.Кристаллохимия. Т.27.М.:ВИНИТИ, 1993. 268 с.

217. Пугачев А.Т. Тепловое расширение тонких пленок фуллерита С60II ЖЭТФ. 1998. Т.14. С.1868 1875.

218. Gupta R.K., Haridasan Т.М. Debye-Waller factors for magnesium oxide. //Acta Cry stall. 1973. V.A29. P.579-584.

219. Cowley R.A., Cocrahn W., Brockhou B.N., and Woods A.D.B. Lattice Dynamics of Alkali Halide Crystals. Ш. Theoretical. //Phys.Rev.1963. V.131. P.1030 1039.

220. Sanger P.L. An experimental determination of the ionic state of MgO by single- crystal method // Acta Crystall. 1969. A25. P.694-699

221. Barron T.H.K. Room-temperature Debye-Waller factors of magne-sium oxide //Acta Crystall. 1977. АЗЗ. P.602 606.

222. Togawa S. Experimental Study on X-ray Scattering Factors of Magnesium Oxide. //J.Phys.Soc.Japan. 1965. V.20. P.742 747.

223. Beg M.M. Debye temperature of MgO powder by elastic neutron scattering//Acta Crystall. 1976. A32. P.154-158.

224. Sabine T.M., Von Dreele R.B., Jorgersen J.E. Extinction in time-of-flight neutron powder diffractometry //Acta Crystall. 1988. A44.P.374 379.

225. Butt N.M., Bashir J., Nasir Khan M. Compilation of Temperature Factors of Cubic Compounds //Acta Crystall. 1993. V.A49. P. 171 174.

226. Абаренков И.В., Братцев В.Ф., Тулуб A.B. Неэмпирический расчет поляризуемости ионов в окислах металлов //Физ.Тв.Тела.1982. Т.24.С.272 274.

227. Phillips J.C. Dielectric Definition of Electronegativity //Phys. Rev.Lett. 1968. V.20. P.550 559.

228. Van Vechten I.A. Covalent System. I. Electronic Dielectric Constant //Phys.Rev. 1969. V.182. P.891 897.

229. Phillips J.C. Covalent bonding in crystal. Molecules and polimers. Chicago: The University of Chicago Press, 1970.

230. Tsirelson V.G., Avilov A.S., Zavodnik V.E., Spence J.C.H. Quantitative