Термоэлектрические свойства и электронное строение тугоплавких соединений переходных элементов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.стр.

ГЛАВА I. Анализ современного состояния проблемы и постановка задачи.

ГЛАВА 2. Методика исследования термоэлектрических свойств и электронной структуры соединений переходных элементов.

2.1. Общая характеристика анализа процессов переноса

2.2. Методика анализа электро- и теплопереноса в полупроводниках со сложным электронным строением

2.3. Расчет электронного энергетического спектра

2.4. Общая характеристика исследуемых объектов.

ГЛАВА 3. Методы направленного изменения термоэлектрических свойств исследованных соединений

3.1. Регулирование свойств в области гомогенности при отклонении систем от стехиометрического состава

3.2. Легирование

3.3. Формирование оптимальных микроструктур образцов и использование явления анизотропии терлоэлектрических свойств

ГЛАВА 4. Халькогениды.

4.1. Халькогениды стехиометрического состава

4.2. Халькогениды в области гомогенности при отклонении составов от стехиометрических

4.3. Легированные халькогениды

ГЛАВА 5. Пниктиды.

5.1. Пниктиды стехиометрического состава

5.2. Легированные пниктиды.

ГЛАВА 6. Силициды.

6.1. Силициды стехиометрического состава.стр.

6.2. Нестехи(метрические и легированные силициды.

ГЛАВА 7. Бориды.

7.1. Гексабориды стехиометрического состава.

7.2. Легированные гексабориды.

ГЛАВА 8. Обсуждение результатов.

8.1. Основные закономерности изменения свойств в систематизированных группах полупроводниковых соединений

8.2. Влияние дефектов на термоэлектрические свойства

8.3. Общее рассмотрение результатов работы.

ГЛАВА 9. Рекомендации по использованию результатов работы

9.1. Рекомендации научного характера.

9.2. Рекомендации новых технических материалов и критерии их эффективности.;.

Основные направления развития народного хозяйства СССР на 1981-1985 гг., и на период до 1990 г., утвержденные ХХУТ съездом КПСС, предусматривают развитие теоретических и экспериментальных исследований в области физики твердого тела, а также создание и широкое внедрение новых материалов с заранее заданными свойствами.

В номенклатуру полупроводниковых материалов для современной энергетической, радио- и электротехнической промышленности все больше вовлекаются сложные соединения на основе переходных элементов как обладающие благоприятным сочетанием богатого комплекса физических, технологических и эксплуатационных свойств, таких как тугоплавкость, значительные пределы изменения степени вырождения носителей и магнитного состояния атомов, устойчивость к неблагоприятным внешним воздействиям и пр. Среди этих материалов большая доля принадлежит термоэлектрическим и близким к ним по сочетанию . функциональных свойств резистивным, терморезистивным, магнитоэлектрическим и другим материалам.

Как известно, лучшие термоэлектрические материалы получены на полупроводниковых многокомпонентных соединениях или твердых растворах со сложной электронной структурой. Выбранные для настоящего исследования объекты вполне удовлетворяют этим требованиям.

Вопросы прогнозирования и направленного изменения термоэлектрических свойств материалов рационально связывать с такими фундаментальными особенностями их строения как электронная структура и фононные состояния. В связи с этим возрастает потребность в новых представлениях и теоретических моделях электронной природы формирования свойств исследуемых веществ, способствующих установлению непосредственных связей между электронным строением и свойствами вещества.

От успешного решения отмеченного круга вопросов в значительной степени зависит прогресс в разработке и изучении новых термоэлектрических материалов.

Целью настоящей работы явилось выяснение физической природы формирования термоэлектрических свойств в реальных структурах соединений переходных элементов и твердых растворов на их основе и разработка методов прогнозирования эффективных высокотемпературных термоэлектрических материалов.

Это достигалось решением трех основных органически связанных задач:

- с помощью проведения системного исследования комплекса термоэлектрических свойств полупроводниковых и полуметаллических тугоплавких соединений переходных элементов определить функциональные зависимости между различными свойствами и их непосредственные связи с составом, температурой и строением исследуемых объектов;

- на основании установленных закономерностей физических характеристик цутем привлечения существующих и разработки новых эффективных методик и моделей установить связь термоэлектрических свойств исследуемых веществ с особенностями их электронной структуры;

- используя результаты исследования связи термоэлектрических свойств с электронной структурой вещества, разработать физические основы новых путей создания и оптимизации эффективности' термоэлектрических материалов путем направленного изменения их термоэлектрических свойств и выдать конкретные рекомендации по их практическому использованию.

Материал соответствующих исследований изложен в настоящей диссертации, состоящей из девяти глав, заключения, приложения и библиографии.

ВЫВОДЫ

1. Получена новая информация о температурных и концентрационных зависимостях термоэлектрических свойств четырех обширных классов тугоплавких соединений переходных элементов - боридов, силицидов, пниктидов и халькогенидов - и проведен расчет комплекса внутренних параметров, определяющих эти свойства.

2. Разработан и осуществлен системный подход к анализу свойств и их связи с внутренним строением исследованных соединений, опирающийся на классификацию объектов по систематическим группам и разделение физической природы свойств на три основных канала их формирования - электронный, решеточный и микроструктурный.

3. Показано, что полупроводниковые и полуметаллические соединения переходных элементов образуют особый род термоэлектрических материалов, существенно отличающихся от стандартных полупроводников и обладающих рядом общих закономерностей в формировании термоэлектрических свойств и электронной структуры.

4. Показано, что определяющей особенностью исследованного рода полупроводниковых соединений, в частности, четырех его основ- , ных классов, является формирование электронных структур из полос различной природы и различного строения.

5. Установлено, что в рамках отмеченной специфики многообразие строения и свойств отдельных классов, типов и видов тугоплавких соединений определяется сочетанием следующих факторов: взаимным расположением электронных полос, их заселенностью, положением уровня Ферми; степенью локализации, вырождения и механизмом рассеяния носителей тока и различными величинами и характером межатомного взаимодействия.

6. Показано, что основными фундаментальными и отличительными следствиями указанной специфики формирования электронных полос являются тугоплавкость объектов, разнообразие сочетания в' них термоэлектрических свойств, многофакторность связи их с электронной структурой и другими внутренними параметрами и значительные возможности направленного изменения этих свойств в широких пределах.

7. Указанные факторы формирования "электронной структуры и термоэлектрических свойств полупроводниковых соединений переходных элементов корректно описываются в рамках разработанных нами полуэмпирических методов: ГО-ЖАО, суперпозиции стандартных полос и многопараметрических потенциалов межатомного взаимодействия.

8. Основные преимущества предложенных моделей заключаются в а) комплексном системном подходе к изучаемым объектам; б) возможности анализа нерегулярных сложных систем и сплавов; в) корректном учете тугоплавкости и особенностей перекрытия электронных орбиталей различной симметрии б-, (э- и ¿.-типа; г) возможности выделения основных составляющих в химической связи, электро- и теплопереносе, особенно необходимом' при анализе тугоплавких соединений переходных элементов.

9. Показано, что с позиции этих моделей могут быть корректно объяснены и прогнозированы термоэлектрические свойства и рекомендованы методы их изменения и оптимального сочетания для получения и эффективного практического применения новых материалов.

10. По всем предложенным материалам прикладного назначения обобщены известные и определены новые критерии их эффективности; проанализированы способы их оптимизации; оценены предельные достижимые значения критериев и рекомендованы методы их получения. Показана перспективность в этом плане исследованных объектов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В основу настоящей работы положена идея о принципиальном отличии электронной структуры исследуемых соединений от электронного строения стандартных полупроводников и об определяющем значении этого отличия для свойств этих веществ. Изучение термоэлектрических свойств полупроводниковых соединений переходных элементов, выявление связи этих свойств с электронной структурой соединений и выработка методов направленного их изменения проведены с позиции этой главной идеи.

Учет отличительной особенности электронной структуры полупроводниковых соединений переходных элементов, заключающейся в формировании валентной зоны и зоны проводимости электронными полосами существенно различной степени локализации, использован при решении вопросов о механизмах электропереноса, межатомного взаимодействия и практического использования исследованных соединений.

Разработанные и примененные в развитие основной идеи работы методики ГО-ЛКАО, расчета параметров электропереноса и расчета параметров упруго-динамического состояния исследованных классов соединений дали возможность комплексно исследовать основные закономерности формирования термоэлектрических свойств у полупроводниковых соединений переходных элементов.

Разработанные методы направленного изменения термоэлектрических свойств полупроводниковых ~ соединений переходных элементов путем отклонения их составов от стехиометрических, сильного легирования (образования твердых растворов замещения) и применения особых технологических приемов легко поддаются регулированию и контролю, а также количественному прогнозированию.

Исследованные в работе бориды, силициды, пниктиды и халько-гениды являются типичными классами полупроводниковых соединений переходных элементов. Формирование термоэлектрических свойств при переходе от одного класса к другому и внутри классов коррелирует с изменением особенностей электронной структуры и межатомного взаимодействия в веществах.

Появление полупроводниковых свойств среда халькогенидов наиболее типично для монохалькогенидов двухвалентных и полуторных халькогенидов РЗЭ, для которых характерно: а)формирование внешних электронных состояний из высокоплотных локализованных £-состояний РЗЭ и более низкоплотных й-, р- и с(-состояний металла и халькоге-на; б) существенное влияние относительного положения этих полос на тип проводимости и характер электропереноса и межатомного взаимодействия; в) однозначная связь положения и заселенности р-состояний РЗЭ с положением РЗЭ в ряду и подгруппах лантаноидов, с отношением халькоген/металл и с главным квантовым числом халькогена.

Для монопниктидов РЗМ характерны следующие особенности электронной структуры: близкое расположение, а в отдельных случаях даже перекрытие полос (валентной и проводимости) и наложение сильно локализованных £ -состояний на валентную полосу (в виде £" -конфигураций). Эти обстоятельства определяют характер электропереноса и преобладающую полуметалличность этих соединений, в чем и состоит их особое отличие от стандартных полупроводниковых соединений кЧ.

Из полупроводниковых силицидов' переходных элементов наиболее характерны дисилициды хрома, марганца, железа. В этом ряду они отличаются сменой проводимости от р- к п.-типу и прохождением жесткости решетки через минимум. При этом для их электронной структуры характерно смещение высокоплотных с1-состояний.из валентной зоны в зону проводимости, а для величины энергетического разрыва между зонами - прохождение через минимум.

Среди боридов переходных элементов проявление полуцроводни ковых свойств наиболее характерно у гексаборидов двухвалентных металлов (щелочно- и редкоземельных). Для них типично возрастание ширины запрещенной зоны и энергетического разрыва в ряду $т£>6, бо6Б, 5г-В£>Са&£, В этой же последовательности уменьшаются жесткость решетки и величина энергии межатомного взаимодействия.

Во всех четырех классах полупроводниковых соединений,исследованных в работе, существенна связь термоэлектрических свойств с электронной структурой при изменении составов в областях гомогенности и при замещении одного металла другим или одного металлоида другим. При этом изменение отношения металл/металлоид оказывает влияние на все характеристики гораздо сильнее, чем соответствующее замещение одного элемента другим. Увеличение отношения металл/металлоид по сравнению со стехиометрическим приводит к увеличению отрицательной зарядности металлоида и уменьшению положительной зарядности металла; энергетические валентные полосы при этом уменьшаются, полосы проводимости увеличиваются, концентрация носителей тока п.-типа увеличивается. При уменьшении отношения металл/металлоид наблюдаются обратные эффекты. Замещение одного атома другим с отличимой валентностью приводит, в основном, к изменению концентрации носителей тока.

Для всех исследованных классов полупроводниковых соединений характерны общие черты, существенно отличающие их от стандартных полупроводников, которые позволяют выделить среди соединений переходных элементов качественно новый тип полупроводников и полуметаллов - псевдополупроводники и псевдополуметаллы,у которых в запрещенной зоне и вблизи уровня Ферми присутствуют локализованные, высокоплотные полосы, обусловленные с{- и ^-электронными состояниями металлических атомов, что проявляется в ряде особых свойств, таких как сохранение незначительной степени вырождения носителей при значительном содержании примесей и отклонении состава от стехиометрии, переменной валентности, температурной и барической устойчивости свойств и т.д.

1. Жузе В.П., 1усенкова Е.И. Библиография по термоэлектричеству. Л. : Изд-во АН СССР, 1963.-86 с.

2. Редкоземельные полупроводники. Библиографическая информация/ под. ред. В.П.Жузе.- Л. : Изд-во АН СССР, 1974 1981, т.1 * 15.

3. Лашкарев Г.В., Самсонов Г.В. Характеристики некоторых тугоплавких соединений переходных металлов как материалов для термоэлектрических преобразователей.- Атомная энергия, 1962, 13,2, с. 187-194.

4. Самсонов Г.В., Дроздова C.B. Сульфиды.- М. : Металлургия, 1972.- 303 с.

5. Ярембаш Е.И., Елисеев A.A. Халькогениды редкоземельных элементов.- М. : Наука, 1975.- 258 с.

6. Иоффе А.Ф. Физика полупроводников.-М. : Изд-во АН СССР, 1957.- 612 с.

7. Тауц Я. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках.-М. : Изд-во ИЛ, 1962.- 415 с.

8. Киреев П.С. Физика полупроводников.- М. : Высшая школа, 1975.- 405 с.

9. Стильбанс Л.С. Физика полупроводников.- М. : Советское радио, 1967.- 501 с.

10. Ореппшн П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков.- М. : Высшая школа, 1977.- 448 с.

11. Зегер К. Физика полупроводников.- М. : Мир, 1977.- 615 с.

12. Дэвис Д.А. Волны, атомы и твердые тела.- Киев : Наукова думка, 1981.- 283 с.

13. Лифшиц И.М., Азбель М.Я., Качалов М.И. Электронная теория металлов.» М. : Наука, гл. ред. физ.-мат.лит., 1971.- 506 с.

14. Займан Дж. Принципы теории твердого тела.- М. : Мир,1966.- 701 с.

15. Абрикосов A.A. Введение в теорию нормальных металлов.- М. : Наука, гл. ред. физ.-мат.лит., 1972.- 242 с.

16. Фистуль В.И. Сильно легированные полупроводники.- М. : Наука, гл. ред. физ.-мат.лит., 1967,- 456 с.

17. Блатт Ф. Теория подвижности электронов в твердых телах.- М. : Физ.-мат. изд., 1963.- 170 с.

18. Блатт Ф. Физика электронной проводимости в твердых телах.- М. : Мир, 1971.- 472 с.

19. Блекмор Дж. Статистика электронов в полупроводниках.- М. : Мир, 1964.- 392 с.

20. Могилевский Б.М., Чудновский А.Ф. Теплопроводность полупроводников.- М. : Наука, гл. ред. физ.-мат.лит., 1972.- 536 с.

21. Микрюков В.Е. Теплопроводность и электропроводность металлов и сплавов.- М. : Гос. изд-во по черной и цветной металлургии, 1959.- 260 с.

22. Берман Р. Теплопроводность твердых тел.- М. : Мир, 1979.- 286 с.

23. Физические свойства полупроводников aV и aV1/ Под ред. Д. Н.Наследова.- Баку : Изд-во АН АзССР, 1976.- 406 с.

24. Жураковский Е.А. Электронная структура тугоплавких соединений. Киев : Наук, думка, 1976.- 383 с.

25. Немошкаленко В.В., Алешин В.Г. Теоретические основы рентгеновской эмиссионной спектроскопии.- Киев : Наук, думка, 1974.256 с.

26. Немошкаленко В.В., Алешин В.Г. Электронная спектроскопия кристаллов.- Киев : Наук, думка, 1976.- 335 с.

27. Фирмэнс Л., Вэнник Д., Декейсер В. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел.- М. : Мир, 1981.- 467 с.

28. Маррел Дж., Кеттл С., Теддер Дж. Химическая связь.- М. : Мир, 1980.- 382 с.

29. Слэтер Дж. Методы самосогласованного поля для молекул и твердых тел.- М. : Мир, 1978.- 658 с.

30. Галицкий В.М., Карпаков Б.М., Коган В.И. Задачи по квантовой' механике.- М. : Наука, ред. физ.-мат.лит, 1981.- 648 с.

31. Киттель Ч. Квантовая теория твердых тел.- М. : Наука, 1967.512 с.

32. Харрисон У. Псевдопотенциалы в теории металлов.- М. : Мир,1968.- 412 с.

33. Джонс Г. Теория зон Бриллюэна и электронные состояния в кристаллах.- М. : Мир, 1968.- 458 с.

34. Bloch F. On the Quantum Mechanics of Electrons in Crystal Lattice.-Zs.Phys.,1928,¿2,p.555-567.

35. Коллуэй Дж. Теория энергетической зонной структуры.- М. : Мир,1969.- 457 с.

36. Вигнер Е. Теория fpynn. М. : Иностранная лит., 1961.- 312 с.

37. Eyges L.Phys.Rev.,r30,1963,p.2218 цит. по кн. Слэтер Д. Диэлектрики ,полупроводники, металлы.- М. : Мир, 1969. - 648 о.

38. Herring С. New Method of Crystal Wave Function Calculation.

39. Phy s. Re v., 1»¿Z» P • 1169-11 SO.

40. Kleinman L.,Phillips J.C.Crystal Potential and Energy Bands of Semiconductors:Self-Consistent Calculations for Diamond.

41. Phys.Rev.,1959,116,287,p.880-884.

42. Kohn W.,Rostoker J. Ibid.,1954,p.1111 ЦИТ. ПО КН. Крэкнелл А., Уонг К. Поверхность Ферми.-М. : Атомиздат,1978.-350 с.-33442. Korringa J. Bloch Waves Energies Calculation in Metals.-Physica,1947,Ц»P-392-396.

43. Борисоглебский Л.А. Квантовая механика.- Шнек : Б1У, 1981.543 с.

44. Ястребов Л.И., Каднельсон А.А. Основы одноэлектронной теории твердого тела.- М. : Наука, 1981.- 320 с.

45. Каднельсон А.А., Ястребов Л.И. Псевдопотенциальная теория кристаллических структур.- М. : МГУ, 1981,- 192 с.

46. Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках.- М. : Мир, 1974.- 463 с.

47. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках.- М. : Мир, 1977.- 562 с.

48. Мотт Н., Герни Р. Электронные процессы в ионных кристаллах.-М. : Изд-во иностр. лит., 1950.- 561 с.

49. Строунхэмм A.M.,Теория дефектов в твердых телах.- М. : Мир, 1978, т. 2.- 358 с.

50. Glodeanu A. Helium-Like Impurities in Semiconductors.- Phys. Stat. Sol.,1967,J^,p.K43-K46.

51. Лейбфрид Г. Микроскопическая теория механических и тепловых процессов.- М-Л. : Гос. изд-во физ.-мат.лит., 1963.- 206 с.

52. Марадудин А. Дефекты и колебательный спектр кристаллов.- М. : Мир, 1968.- 433 с.

53. Адаменко А.А., Дехтяр И.Я., Михаленков B.C. Влияние деформациина термоэлектродешкущпо СИЛУ сплавов системыNi-Cu .- В кн.: Электронные свойства металлов и сплавов. Киев : Наук, думка, 1966, с. 72-82.

54. Блохинцев Д.И. Квантовая механика.- М. : Атомиздат, 1981.- 596 с.

55. Базаров И.П., Николаев П.Н. Корреляционная теория кристалла.-М. : МГУ, Г98Г.- 232 с.

56. Паули В. Труды по квантовой теории.- М. : Наука, Г975.- 32Г с.

57. Свирский М.С. Электронная теория вещества.- М. : Просвещение, 1980.- 288 с.

58. Тананаев И.В. Физические методы исследования неорганических материалов.- М. : Наука, 1981.- 301 с.

59. Ахматов A.C. Лабораторный практикум по физике.- М. : Высшая школа, 1980.- 360 с.

60. Губанов В.А., Швейкин Г.П. Кластерные и зонные подходы в описании электронной структуры тугоплавких соединений.- Доклады АН СССР, 1979, 246, № 4, с. 913-918.

61. Зубкова С.М., Толпыго К.Б. Энергия, волновые функции дырок в вырожденной р-зоне и анизотропия их примесного рассеяния в кристаллах типа алмаза и сфалерита.- Укр. физ. журн., 1971, 15, В 2, с. 200-207.

62. Baver R.Kinetic Energy and Yirial Theorem in IßAO Method.-Phys.Let.,1973,45A,N.3,p.197-208.

63. Shavitt J.,Karplus M.Gaussian-Transform Method for Molecular In t e g r a 1 s. J. С he m. Phy s,, 19 6 5, , Ii. 2, p. 3 9 Ö - ^ 14.

64. Гагарин С.Г. Программа для расчета зонной структуры твердых тел в приближении сильной связи.- Журн. струк. хим., 1978, 19. № I, с. 53-57.

65. Habbard D. Electron Correlation in the Narrow Energy Bands. Proc. Roy. Soc 1964, A277,p.237-240; 1964, A281, p.401-405;1965, A285, p.542-548; 1966, A296, p. 82-86; 1966, A296, p.100-103

66. Sheludenko L.M.,Kucherenko J.N.,Aleshin V.G. Electron Structure and Chemical Binding in the Titanium and Vanadium Compounds.-J.Phys.Chem.Solids,1981,42,N.9,P.733-742.

67. Ivanovsky A.L.,Gubanov V.A.,Shveikin G.P.,Kurmaiev E.Z. Electronic Structure and Chemical Bonds in Nonstoichiometric Compounds of Refractory Transitions Metals of the IV and Va Subgroups.-J.Less Common Met.,1981,78,N.1,p.1-9

68. Hum D.M.,Wong K.C. Calculation of Transition Metal Band Structure s.-J.Phys.(Proc.Phy s.Soc.),1969,C2,N.5,P.833-840.

69. Johansen G. The Electronic Structure of Barium by RAPW-Me-thod.-Sol.St.Commun.,1969,7,p.731-734.

70. Beleznay F. KKR-Z Calculation of Band Structure in Elementary Semiconductors.-J.Phys.С: Solid State Phys.,1970, N.9,p.1884-1899.

71. Пелецкий В.Э. Исследование электронных свойств переходных металлов в области высоких температур.- М. : ИВТ АН СССР, 1982.43 с.

72. Смирнов Н.Л., Белов Н.В. Гомологические серии в системе химических элементов.- ДАН СССР, 1928, 263, JH, с. 879-883.

73. Горячев Ю.М., Куценок Т.Г., Задворный Л.И. Особенности электронного строения и термоэлектрические свойства сульфида церия.-Изв. АН СССР, неорг. матер., 1968, 4, Jfc II, с. I9I2-I9I4.

74. Власова М.В., Горячев Ю.М., Сорин Л.А. О структуре молекул и твердых тел.- Порошк. метал., 1967, № I, с. 23-27.

75. Горячев Ю.М., Подчерняева И.А. Взаимосвязь поверхностных свойств с электронной структурой переходных металлов.- В кн.: Материалы международной конференции по физическим свойствам и строению переходных металлов.- Киев : Наук, думка, 1974, с. 303307.

76. Горячев Ю.М., Ковенская Б.А., Самсонов Г.В. Конфигурационная модель электронного строения твердого тела и метод Г0-ЛКА0.-- В кн.: Конфигурационная локализация электронов в твердом теле.- Киев : Наук, думка, 1975, с. 19-24.

77. Горячев Ю.М., Кононенко Т.К. Об одном упрощении вычисления энергетического спектра методом Г0-ЛКА0.- В кн.: Конфигурационная локализация электронов в твердом теле.- Киев : Наук, думка, 1975.- 104 с.

78. Самсонов Г.В., Прядко И.Ф., Прядко Л.Ф. Конфигурационная модель вещества.- Киев : Наук, думка, 1971.- 230 с.

79. Самсонов Г.В., Прядко И.Ф., Прядко Л.Ф. Электронная локализация в твердом теле.- М. : Наука, 1976.- 319 с.

80. Кутолин С.А., Чернобровкин Д.И. Пленочное материаловедение редкоземельных соединений.- М. : Металлургия, 1981.- 178 с.

81. Хомский Д.И. Проблема промежуточной валентности. Успехи физ. наук, 1979, 129, № 3, с. 443-446.

82. Brewer L. Energies of the Electronic Configurations of the Singly,Doubly and Triply Ionized LantHanides and Actinides.-J.Optical Society of America,1971,6112,p.1666-1682.

83. Боэм Б., Браун Дж. Характеристики качества программного обеспечения.- М. : Мир, 1981.- 206 с.

84. Айнберг В.Д., Геронимус Ю.В. Основы программирования для единой системы ЭВМ.- М. : Машиностроение, 1980,- 336 с.

85. Глушков В.М.,Словарь по кибернетике.- Киев : Глав. ред. УСЭ, 1979.- 407 с.

86. Андерсон Р. Доказательство правильности программ.- М. : Мир, 1982.- 163 с.

87. Голдин Л.Л. 1уководство к лабораторным занятиям по физике.- И. : Наука, 1964.- 207 с.

88. Павлов Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов.- М. : Высшая школа, 1975.- 206 с.

89. Глазов В.М., Айвазов A.A., Штерн Ю.й. Методика измерения термоэлектрических характеристик полупроводников при высоких температурах (от 300 до 1300 К).- Заводская лаборатория, 1981, 16 3, с. 34-39.

90. Горячев Ю.М., Ковенская Б.А., Шварцман Е.И. Измерение термоэлектрических характеристик материалов при помощи контакта с малой поверхностью в стационарном режиме.- Порошк. металлург., 1980, № 9, с. 54-58.

91. Shtuttard. В.А.Simple Laboratory Method, of Measuring of Some Properties of Semiconductors.-Intern.J.Electr.Eng. Educ.1,1963,N.1,p.15-19.

92. Лашкарев Г.В. Экспресс-метод измерения термоэлектрических характеристик полупроводников.- Приборы и техн. экспер., 1963, № 4, с. I55-161.

93. Лискер И.О. Нестационарный метод измерения термоэлектрических и теплофизических характеристик полупроводниковых материалов.-Инж.-физ.журнал, 1962, 5, №.3, с. 58-63.

94. Лискер И.С., Певзнер М.Б. Вычисление параметров полупроводников на основе измерения электро- и теплофизических, гальвано-и термомагнитных эффектов методом вариации факторов воздействия.- Инж.-физ.журнал, 1978, 34, № 3, е. 470-478.

95. Кучис Е.В. Методы исследования эффекта Холла.- М. : Советское радио, 1974, с. 235.

96. Burnside B.M. University Course and Laboratory Works on Elect-rotechnical Materials.p.2.Apparature for Quality Determination Characteristics of Thermoelectrical Materials.- Intern.J. Electr.Eng.,Educ.4,1966,N.3,p.389-394.

97. Куценок Т.Г. Физические свойства высокотемпературного термоэлектрического материала на основе сульфида церия.: Автореф. дис. . канд. техн.наук.- Киев, 1969.- 24 с.

98. Горячев Ю.М., Самсонов Г.В., Падерно Ю.Б. Перспективы создания термоэлектрических высокотемпературных материалов на основе тугоплавких соединений.- В кн.: Труды научного семинара по жаропрочным материалам (Мозжинка, март 1969) : Тез. докл.

99. М. : ИМЕТ АН СССР, 1969, с. I20-I2I.

100. Флюгге 3. Задачи по квантовой механике.- М. : Мир, 1974, т.1-2. 620 с.

101. Цагарейшвили Д.Ш. Методы расчета термических и упругих свойств кристаллических неорганических веществ.- Тбилиси : Мецниереби, 1977.- 187 с.

102. ПО. Горячев Ю.М., Ярмола Т.М. Влияние величины и характера пористости на электрофизические свойства термоэлектрических материалов.- В кн.: Высокотемпературные бориды и силициды.- Киев : Наук, думка, 1978.- 252 с.

103. Горячев Ю.М., Мургузов М.И. Анализ электропроводности халько-генидов РЗМ.- В кн.: Кристаллохимия тугоплавких соединений.

104. Киев : ОНТИ ИПМ АН УССР, 1972.- 129 -135 с.

105. Seth A.,Paakari Т.,Manninen S.,Christensen A. TiC: LCAO Band Structure and Compton Profile Measurements.-J.Phys.С : Solid State Phys.,1977,ДО,p.3127-3139.

106. Potorocha V.I.,Tckhai V.A. ,Geld P.V. Energy Band Structure of Vanadium,Zirconium and ïïiobium Monocarbides.-Phys.Stat.Sol.

107. Махрачева JI.П. Исследование электронной структуры Tic , vc , TiN методом сильной связи в многоцентровом приближении : Автореф. дис. . канд. физ.-мат. наук.- Свердловск : УТУ, 1978.- 25 с.

108. Schwarz K.,Conclin I. Quantum Theory of Molecules and Solids.- N-X.: McGrow-Hill,1974-, p. 14-9-153•

109. Neckel A.Recent Investigations of the Electronic Structure of the Fourth and Fifth Group Transition Metal Monocarbides,Mo-nonitride s,Monooxide s-Int.J.Quant.Chem.,1983,p.1317-1353.

110. Дьюар М. Теория молекулярных орбиталей в органической химии.-М. : Мир, 1972.- 590 с.

111. Полуэмпирические методы расчета электронной структуры /Под ред. Дж. Сигала.- М. : Мир, 1980, т.1,2.- 1006 с.

112. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика.- М. : Наука, изд-во физ.-мат. лит., 1972.- 368 с.

113. Елютин П.В., Кривченков В.Д. Квантовая механика.- М. : Наука, изд-во физ.-мат. лит., 1976.- 333 с.

114. Горячев Ю.М., Ковенская Б.А., Самсонов Г.В. Расчет электронного спектра соединений переходных металлов методом ГО-ЛКАО.-Известия вузов, Физика, 1974, №. 8, с. 86-90.

115. Goryachev Yu.M.,Kovenskaya В.А.,Samsonov G.V.Calculation of Electron Spectrum of Transition -Metals Compounds by GO LCAO Method.-Science of Sintering,1978,10,p.83-91.

116. Петрашень М.И., Трифонов Е.Д. Применение теории групп в квантовой механике.- М. : Наука, изд-во физ.-мат. лит., 1967.- 307 с.

117. Нокс Р., Гольд А. Симметрия в твердом теле.- М. : Наука, из. физ.-мат. лит., 1970.- 424 с.

118. Каплан И.Г. Симметрия многоэлектронных систем.- М. : Наука, физ.-мат. лит., 1969,- 407 с.

119. Чаркин О.П., Бобыкина Г.В., Дяткина М.Е. Орбитальные потенциалы ионизации атомов и ионов в валентных конфигурациях.- В кн.: Строение молекул и квантовая химия.- Киев : Наук, думка, 1970, с. 155-175.

120. Moore Ch.E.Atomic Energy Levels.-Washington: National Bureauof Standarts,1958.-600 p.

121. German F.,Skilman S. Atomic Structure Calculations.-New Jersey, Prentice Hill,1963.-530 p.

122. Самсонов Г.В., Горячев Ю.М., Подчерняева И.А. Об электронной природе анизотропии поверхностных свойств 3d -металлов.- Гласг ник Хелмского дружства, Белград, 1976, 40, с. 7-8. !

123. Горячев Ю.М., Подчерняева И.А. Электронное строение и поверхностные свойства переходных металлов.- Журн. физ. химии, 1974, 18, 4, с. 813-817.

124. Самсонов Г.В., Горячев Ю.М., Подчерняева И.А. Об электронной природе анизотропии поверхностных свойств переходных металлов.- Доклады АН СССР, 1974, 215, № 4, с. 918-923.

125. Goryachev Yu.M. ,Podchernyaeva I^A. Electronic Structure and.

126. Surface Properties of Transition Metals.-Phys.Stat.Sol. (Ъ),1972,¿6,p.443-448.

127. Самсонов Г.В., Горячев Ю.М. и др. Работа выхода электрона и энергетический спектр тугоплавких карбидов.- В кн.: Эмиссионная электроника.- Махачкала : Д1У, 1976, т.1, с. 135-137.

128. Горячев Ю.М., Подчерняева И.А., Самсонов Г.В. Электронный энергетический спектр и физические свойства NbC^ .- Укр. физ. журн., 1977, 22, №3, с. 266-270.

129. Горячев Ю.М., Подчерняева И.А., Симан Н.И. Анизотропия спектральной плотности состояний в кристаллах ZrC и NbC Известия АН СССР, неорг, матер., 1979, 15, Jé 4, с. 689-693.

130. Paderno Yu.B.,Goryachev Yu.M.,Garf E.E.Poliborides: Structure and Properties.-Eleetr.Technology. P.A.Sci.Warsaw,1970, ¿, 12,p.175-178.

131. Горячев Ю.М., Ковенская Б.А., Тельников Е.Я. Расчет энергетического спектра диборидов титана.- Теор. и экспер. химия, 1971, 7, № 3, с. 387-390.

132. Горячев Ю.М., Ковенская Б.А. и др. Об электронном строении те-траборидов РЗЭ.- Еурн. структурн. химии, 1975, 16, А1? 6, с. 1036-1039.

133. Samsonov G,V.,Goryachev Yu.M.»Kovenskaya В.A. Electronic Structure and Chemical Bonding in Transition Element Borides.- J.1.sjs Common Metals, 1976,47,p. 147-153.

134. Абдусаламова M.H. Физические свойства и электронное строение моновисмутидов РЗМ иттриевой подгруппы : Автореф. дис. . канд. техн. наук.- Киев, 1976.- 27 с.

135. Горячев Ю.М., Куценок Т.Г., Задворный Л.И. Электронное строение и термоэлектрические свойства соединений переходных металлов.- В кн.: Химическая связь в полупроводниках.- Шнек : Наука и техника, 1969, с. 36-41.

136. Аветисян А.О., Горячев Ю.М. и др. Электронное строение сплавов дисилицида хрома.- В кн.: Электронная структура переходных металлов и соединений.- Киев : Наук, думка, 1979, с. 94100.

137. Горячев Ю.М., Ковенская Б.А., Куценок Т.Г. Электронное строение и физические свойства сульфида иттербия с решеткой типа NaClВ кн.: Тугоплавкие соединения редкоземельных элементов.- Душанбе : Дониш, 1978, с. 135-144.

138. Бацанов С.С., Звягина P.A. Интегралы перекрывания и проблемы эффективных зарядов.- Новосибирск : Наука СО АН СССР, 1966, 280 с.

139. Slater J.С.Atomic Shielding Constants.-Phys.Rev.,1930,^6, p.57-64.

140. Хабердитцл В. Строение материи и химическая связь.- М. : Мир, 1974.- 296 с.

141. Glen W.,Erichson N. Energy Levels of Atoms.- J.Phys.and Chem. Sol.,1970,6,N.3,p.831-836.

142. Айвазов М.И., Резчикова T.B., ГУров С.А. Характер межатомного взаимодействия в мононитридах, карбидах, окислах, диборидах3 d- металлов.- Изв. АН СССР, неорг. матер., 1977, 13, Jß 8, с. 1419-1426.

143. Термические константы веществ / Под ред. В,П.Глушко.-М. :

144. ИВТ АН СССР, ВИНИТИ, 1974.- 270 с.

145. Джаффе Г., Орчин М. Симметрия в химии.- М. : Мир, 1967.- 233 с.

146. Горячев Ю.М., Гарф Е.С., Падерно Ю.Б. Экспериментально-теоретическое исследование электронного строения гексаборидов РЗМ. Порошков, металлургия, 1969, № 5, с. 59-63.

147. Горячев Ю.М., Ковенская Б.А., Куценок Т.Г. Электронная структура и физические свойства сульфида иттербия в области гомогенности.- В кн.: Сплавы редких металлов с особыми физико-химическими свойствами.-М : Наука, 1975, с. 127-129.

148. Горячев Ю.М.Ковенская Б.А., Шварцман Е.И. О формировании высших боридов тугоплавких металлов под влиянием высоких давлений.- Физ. и техн. выс. давлений, 1982, № 8, с. 47-49.

149. Голикова О.А. Исследование термоэлектрических свойств высокотемпературных материалов; Автореф. диссер. .докт. физ.-мат. наук.- Л., 1971.- 37 с.

150. Goryachev Yu.M.,Kutcenok T.G.Thermoelectrical Properties and Electronic Structure of Rare Earth Metals Chalchogenides.-High Temperatures High Pressures, 1972,N.4-,p.36-39.

151. Горячев Ю.М., Ковенская Б.А., Андреева Т.В. Электронное строение и физические свойства тугоплавких соединений.- Изв. АН СССР, неорг. матер., 1979, 15, Je 4, с. 583-588.

152. Аветисян А.О., Горячев Ю.М., Ярмола Т.М. Теплофизические свойства и природа межатомного взаимодействия в силицидах переходных элементов. Инженер.-физ. журнал, 1980, № II, с. III6-1120.

153. Самсонов Г.В., Серебрякова Т.И., Неронов В.А. Бориды.- М. : Атомиздат, 1975.- 375 с.

154. Самсонов Г.В., Дворина I.A., Рудь Б.М. Силициды.- М. : Металлургия, 1979.- 271 с.

155. Химия фосфидов с полупроводниковыми свойствами / Под ред. К.Е. Миронова.- Новосибирск : Наука, 1970.- 128 с.

156. Сунцов Н.В., Милославский А.Г. Точечные дефекты и качество полупроводниковых соединений.- Киев-Донецк : Вища школа, 1980.- 120 с.

157. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. М. : Мир, 1969.654 с.168. 1Уров К.П., Карташкин Б.А. и др. Взаимная диффузия в многофазных металлических системах.- М. : Наука, 1981.- 350 с.

158. Глазов В.М., Лазарев Б.В., Жаров В.В. Фазовые диаграммы простых веществ.- М. : Наука, 1980.- 272 с.

159. Агеев Н.В. Диаграммы состояния металлических систем.- М. : Наука, 1981.- 264 с.

160. Аветисян А.О., Горячев Ю.М., Ярмола Т.М. Электронное строение сплавов дисилицида хрома с некоторыми переходными металлами.-В кн.: Электронная структура переходных металлов, сплавов и соединений.- Киев: Наукова думка, 1979, с% 94-98.

161. Горячев Ю.М., Мурашко Н.И., Оболончик В.й. Получение и характеристики соединений типа аЩ?Х4.- Изв. АН СССР, неорг. матер., 1972, 8, № I, с. 9-15.

162. Кубашевский 0., Олкоки С.Б. Металлургическая термохимия.- М. : Металлургия, 1982.- 239 с.

163. Уфимцев В.Б., Лобанов A.A. Гетерогенные равновесия в технологии полупроводниковых материалов.- М. : Металлургия, 1981.- 215 с.

164. Фазовые равновесия в металлических сплавах /Под ред. М.Е.Дриц.-- М. : Наука, 1981.- 288 с.

165. Аветисян А.О., Горячев Ю.М., Ярмола Т.М. Применение вибрационного воздействия при спекании изделий из высшего силицида марганца.- Порошк. ?леталлур., 1978, № 10, с. 38-41.

166. Аветисян А.О., Андреева Т.В., Горячев Ю.М. и др. Влияние технологических факторов и коммутации на вольтамперные характеристики тонкостенных термоэлементов,- В кн.: Прикладные проблемы прямого преобразования.- Киев : Наукова думка, 1977,-с. 142-145.

167. Горячев Ю.М., Симан Н.И., Ярмола Т.М. Влияние пористости и коммутации на термоэлектрическую добротность термоэлементов.-В кн.: Теплотехнические проблемы прямого преобразования энергии.- Киев : Наук, думка, 1975, с. II8-I22.

168. Шварцман Е.И. Термоэлектрические материалы на основе тугоплавких соединений переходных и редкоземельных мателлов.- В кн.: Исследования в области новых материалов.- Киев : ИПМ АН УССР, 1977, с. 153-160.

169. Кирпач Н.С. Приборы теплотехнического назначения.- В кн.: Материалы совещания Секции термо- и фотоэлектрических методов преобразования энергии (Черновцы, январь 1981) : Тез. докл.-Черновцы : Ч1У, 1981, с. 3-4.

170. Анатычук Л.И. 0 перспективах развития термоэлектричества.-Весник АН УССР, 1975, А» 9, с. 30-35.

171. Анатычук Л.И., Ддмитращук В.Т., Лусте О.Я. Поперечная термо-эдс в короткозамкнутом анизотропном кристалле.- Физ. и техн. полупроводников, 1969, № 8, с. 1257-1267.

172. Анатычук Л.И. Термоэлементы и термоэлектрические устройства.-Киев : Наук, думка, 1979.- 766'с.

173. Кудинов В.А. Термоэлектрические свойства композиционных материалов. Журн. техн. физики, 1978, 48, с. I308-I3I2.

174. Дульнев Г.Н., Новиков В.В. Термоэлектрические свойства ультрадисперсных материалов.- Инж.-физ. журнал, 1980, 39, №6, с. 1035-1042.

175. Сергеев В.П., Литвинов В.Ф. Теплофизические и адсорбционные свойства углеродных волокнистых материалов. Вопросы атомной науки и техники, серия "Физика и техника высокого вакуума".

176. Харьков : ХФТИ АН УССР, 1977, вып. 2(8), с. 62-66.

177. Андреева Т.В., Горячев Ю.М., Ярмола Т.М. Тонкостенные термоэлементы на основе силицида марганца. В кн.: Труды ХХ1У се' минара по прямому преобразованию энергии (Киев, май 1977) :

178. Тез. докл.- Киев : ИТТФ АН УССР, 1977, с. 13.

179. Gardner D.V. Liquid for Thermoelectrical Transformers.- Engl. Electr. Journal, 1963,

180. Сундгейм Б. Расплавленные соли в качестве термоэлектрических материалов.- В кн.: Термоэлектрические материалы и преобразователи.- М. : Мир, 1964.- 181 с.

181. Корнвелл К. Возможность использования расплавов солей в ТЭГ"ах. Информ. бюл. ППТЭЭ и ТЭ, 1969, в. 4, с. 23-27.

182. Чопра E.JI. Электрические явления в тонких пленках.- М. : Мир, 1972.- 436 с.

183. Горячев Ю.М., Подчерняева И.А. Анизотропия работы выхода электронов зонноплавленного гексаборида лантана.- В кн.: Труды ХУШ Всесоюзной конференции по эмиссионной электронике (Москва, декабрь 1981) : Тез. докл.- М. : МЭЙ, 1981, с. 33-34.

184. Товстюк К.Д., Стахира И.М., Якимов A.C. и др. Оптические и электрические свойства монокристаллов ln2Se и InSe . В кн.: Труды Всесоюзной конференции по физическим свойствам полупроводников AV и aV1.- Баку : АН АзССР, 1965, с. 385-387.

185. Шуберт К. Кристаллические структуры двухкомпонентных фаз.-М. : Металлургия, 1971.- 531 с.

186. Пирсон У. Кристаллохимия и физика металлов и сплавов.- М. : Мир, ч. 1,2, 1977.- 471 с.

187. Горячев Ю.М., Мургузов М.И. Электропроводность галлохалькоге-нидов.- В кн.: Кристаллохимия тугоплавких соединений.- Киев :1. АН УССР, 1972, с. 38-43.

188. Горячев Ю.М., Мурашко Н.И., Оболончик В.А. Перспективы получения и исследования тройных соединений шпинелевой структуры.

189. В кн.: Некоторые вопросы физики и химии полупроводников сложного состава.- Ужгород : У1У, 1970, с. 72-76.

190. Горячев Ю.М., Мурашко Н.И. Расчет электронного спектра тройных халькогенидов хрома (cd , Cu , Zn )cr2Se¿(.- В кн.: Труды Ш Симпозиума по полуметаллам и полупроводникам с малой шириной запрещенной зоны.- Львов : ЛГУ, с. 64-65.

191. Горячев Ю.М., Мурашко Н.И. Полиморфизм тройных соединений типа Me^Meííx^.- В кн.: Труды 1У Семинара по кристаллохимии элементов и соединений.- Киев : КПИ, 1971, с. 17-20.

192. Горячев Ю.М., Мурашко Н.И. и др. Термоэлектрические и магнитные свойства халькогенидных шпинелей.- В кн.: Сборник трудов У Конференции "Керамика в электронике"- Либице, ЧССР : АН ЧССР, 1974, с. 220-228.

193. Горячев Ю.М., Мурашко Н.И., Оболончик В.А. Некоторые характеристики тройных халькогенидов MeCr2Se4.- В кн.: Химическаясвязь в кристаллах: полупроводников и полуметаллов.- Минск : Наука и техника, 1973, с. I71-175.

194. Горячев Ю.М., Мурашко Н.И., Оболончик В.А. Полиморфизм двойных халькогенидов типа Me^Me^^Se-^B кн.: Некоторые вопросы кристаллохимии тугоплавких соединений.- Киев : ОНТИ ИМА АН УССР, 1974, с. 75-77.

195. Горячев Ю.М., Мурашко Н.И., Семенов-Кобзарь A.A. Аномалия магнитной восприимчивости хромоселенида железа.- В кн.: Химия и физика халькогенидов.- Киев : Наук, думка, 1977, с. 70-75.

196. Горячев Ю.М., Ярмола Т.М. Термоэлектрические свойства керамических тугоплавких полупроводников.- В кн.: "Spindleriv Mlyn"

197. Konference о keramikce pro elektroiriJku. Yugoslavia, 1971, 16-1-10.

198. Самсонов Г.В., Буланов Т.Г., Бурыкина А.Л. и др. Физико-химические свойства окислов.- М. : Металлургия, 1969.- 455 с.

199. Михайлов С.С. Электронная структура сульфидов щелочноземельных металлов.- Журн. струк. химии, 1982, 23, №11, с. 83-87.

200. Zhukov V.P.,Gubanov V.A.,Weber J. The Electronic Structure and Chemical Bonding Calculations in Rare Earth Chalchogenides According to the X SW Method.- J.Phys.and Chem. Solids ,1981,N.8,p.631-639*

201. Farberovich O.V. ,Vlasov S.V. APS? Research of Europium Mono-chalchogenides:1.Band Structure and Electron-Electron Interact ion .-Phys . Stat. Sol. ( b ), 1981 ,'10£, N. 2, p. 755-767.

202. Анисимов В.И., 1убанов В.А. Электронная структура моносульфидов переходных металлов и интерпретация их рентгеновских эмиссионных спектров на основе МО-ЖАО кластерных расчетов.- Журн. струк. химии, 1980, 21, № 3, с. 46-50.

203. Manca P.,Mula G. d-Band Structure of Iron Telluride in the Tight-Binding Approximation.- Solid State Commun., 1969» 2,N.11»P.849-852.

204. Немошкаленко В.В. Рентгеновские эмиссионные спектры дисульфида железа.- Доклады АН УССР, сер. А, 1974, № 12, с.1112 -II16.

205. Gtmtherodt G.,Merlin R.,Griinberg P. Spin-Disorder-Induced Raman Scattering from Phonons in Europium Chalchogenides.I. Experiment.-Phys.Rev.B,1979,20,N.7,P.2834-2849.

206. Моисеев Ю.Н., Сердюк В.А., Иванченко Л.А. Исследование структуры и оптического пропускания конденсатов на основе сульфидов тяжелых РЗЭ. Порошк. металлур., 1978, № 12, с. 43-48.

207. Иванченко Л.А., Падерно Ю.Б., Пилянкевич А.Н. Плазменное отражение света свободншли носителями заряда в некоторых соединениях РЗЭ.- Порошк. металлург., 1978, № 8, с. 38-45.

208. Бабушкин B.C. ЭПР и обменное взаимодействие в Eu^Sm^S- ФТТ, 1980, 22, tè I, с. 269-272.

209. Горячев Ю.М., Куценок Т.Г. Теплофизические свойства и электронное строение халькогенидов редкоземельных металлов.- В кн.: Доклады Ш Европейской конференции по теплофизике (Италия, май 1972).- Турин : ESI , 1972, с. 10-17.

210. Горячев Ю.М. Физические свойства сульфидов РЗМ.- В кн.: Г.В.Самсонов. Сульфиды.- М. : Металлургия, 1972, с. 97-107.

211. Горячев Ю.М., Дроздова C.B. Электронное, кристаллическое строение и магнитные свойства сульфидов иттербия.- В кн.: Электронное строение и физические свойства тугоплавких соединений.-Киев : Наук, думка, 1976, с. 93-98.

212. Горячев Ю.М., Куценок Т.Г., Радзиковская C.B. Общие закономерности формирования полупроводниковых свойств халькогенидов РЗМ в ряду составов MeX-MegX^-MegX^.- В кн.: Диэлектрики.- Киев : КГУ, 1971, с. 39-44.

213. Совестнов A.B., Шабулов В.А., Козлов В.И. Состояние промежуточной валентности самария в твердых растворах.- ФТТ, 1981, 23, № II, с. 3457-3460.

214. Holtzberg F.,Wittig J. Intermediate Valent Metallic SmS and SmSe: A New Puzzle.- Sol. State Commun., 1981,40, N.4,p.315-З19.

215. Cater E.D.,Heslinga D.D.,Savage W.E. et.al. Mixed Valency in alloys of SmSe with SmAs and SmP-J.Appl.Phys, 1981 p.2143-45.

216. Горячев Ю.М., Куценок Т.Г. Термоэлектрические свойства сульфида церия в области гомогенности Ce2S^ -Се^ .- В кн.: Халькогениды.- Киев : Наук, думка, 1967, с. 50-56.

217. Горячев Ю.М., Куценок Т.Г. Исследование теплопроводности сульфида церия в области гомогенности. Физика и техн. полупр., 1969, 3, с. 277-279.

218. Горячев Ю.М., Куценок Т.Г., Иванченко Л.А. Диффузное отражение легированного сульфида церия в области гомогенности Ce2s^ .В кн.: Халькогениды.- Киев : Наук, думка, 1970, вып. 2, с. 154-157.

219. Goryachev Yu.M.,Kutsenok Т.G.Investigation of Temperature Dependence of Heat Conductivity of Cerium Sulfide.- S.Physics-Semic., 1969 , 1, N.2,p.230-233.

220. Горячев Ю.М., Куценок Т.Г. Физические свойства сульфида иттербия в области составов YbS -IbS^ В кн.: Труды Ш Семинара по химии и техническому применению халькогенидов.- Киев : ИПМ АН УССР, 1971, с. 74-77.

221. Горячев Ю.М., Куценок Т.Г. Влияние легирования переходными металлами на электрофизические свойства сульфида иттербия.-В кн.: Получение и исследование свойств соединений РЗМ.- Киев : ОНТИ ИПМ АН УССР, 1975, с. 57-60.

222. Горячев Ю.М., Куценок Т.Г. Электрофизические свойства сульфида иттербия в области составов Tbs -Ybs^ В кн.: Халькогениды.- Киев : Наук, думка, 1974, вып. 3, с. 38-40.

223. Буцик Т.М., Горячев Ю.М. Магнитные и электрофизические свойства полуторных сульфидов РЗМ.- В кн.: Тугоплавкие соединения редкоземельных элементов.- Душанбе : Дониш, 1978, с. 130-135.

224. Горячев Ю.М., Куценок Т.Г. Разработка эффективного термоэлектрического материала на основе сульфида церия.- В кн.: Прямое преобразование тепловой энергии в электрическую, 1965, №1(9), с. 202-205.

225. Горячев Ю.М., Куценок Т.Г. Физические свойства высокотемпературного полупроводника на основе сульфида церия.- В кн.: Неорганические материалы в элементах микроэлектроники.- М. :1. АН СССР, 1968, с. 13-15.

226. А. с. 2546II (СССР). Термоэлектрический материал на основе сульфида церия / Ю.М.Горячев, Т.Г.Куценок, Г.В.Самсонов.-1969.

227. А. с. 251037 (СССР). Термоэлектрический материал на основе сульфида церия / Ю.М.Горячев, Т.Г.Куценок, Г.В.Самсонов и др.- Опубл. в Б. И., 1969, № 27.

228. Jaccard D.,Sierro J.,Bûcher В. Thermoelectric Power of TmS and TnxSe.-Sol.State Commun. ,1979,Ж.10,p.713-715.

229. Molenda J.,Mrowec S., Stoklosa A.Electroconductivity of Ferrum Sulphide at High Temperatures.-Bull.Acad.Pol.Sei.,Sir.Sei. Chem.,1979,2Z,N.78,p.597-599.

230. Mineo Sato,Adachi Gin-Ga,Shiokawa Jiro. Electrical Transport Phenomena in Nonstoichiometric Rare Earth Metals Sulphide EuGd2S4.-J.Solid St.Che m.,1980,,N.3,P.277-281.

231. Berger S.B.,Budnick J.I.,Burch T.J.Systematics of the Hyper-fine and Exchange Interactions in the Chromium Chalchogenide Spinels. Phys. Rev. , 1969 , 179 ,p.272-275.

232. Мургузов M.И. Энергетический спектр соединений типа Физ. и техн. полупров., 1978, 12, с. 1823-1825.

233. Мургузов М.И. Исследование электрофизических свойств соединений типа Ln2GeSe^ .- Там же, с. 1825-1829.

234. Горячев Ю.М., Куценок Т.Г. Некоторые закономерности легирования термоэлектрического сульфида церия.- В кн.: Труды П Республиканского симпозиума по химии и технологии полупроводников.-Черновцы : ЧГУ, 1966, с. 32-35.

235. Горячев Ю.М., Куценок Т.Г. Влияние легирования на электропроводность сульфида церия.- Порошк. металлург., 1967, № I, с. 4347.

236. Горячев Ю.М., Куценок Т.Г. Исследование КТР легированного сульфида церия в области гомогенности.- В кн.: Труды Всесоюзного симпозиума по физическим свойствам и электронному строению РЗМ.- Киев : АН УССР, 1968, с. 36-38.

237. Горячев Ю.М., Куценок Т.Г. Термические свойства легированного , сульфида церия в области гомогенности.- В кн.: Халькогениды,-Киев : Наук, думка, вып. 2, с. 28-31.

238. Горячев Ю.М., Куценок Т.Г. Сульфиды церия, легированные ниобием.- В кн.: Новые неорганические материалы.- М. : НИИтехстекло, 1972, вып. 2, с. 190-194.

239. Горячев Ю.М., Куценок Т.Г. Структура электронных зон полуторного сульфида церия и его физические свойства в области гомогенности.- В кн.: Труды 1У Всесоюзного совещания по квантовой химии.- Киев : АН УССР, 1966, с. 25-28.

240. Горячев Ю.М., Куценок Т.Г., Дроздова C.B. Электронное строение сульфида церия в области гомогенности. В кн.: Труды Международной конференции по физическим свойствам и строению переходных металлов.- Киев : АН УССР, 1972, с. 84-87.

241. Гордиенко С.П., Феночка Б.В., Виксман Г.Ш. Термодинамика соединений лантаноидов.- Киев : Наук, думка, 1979.- 373 с.

242. Вол А.Е. Строение и свойства двойных металлических систем.- М.

243. Физ.-мат. лит., 1959, т.1.- 755 е.; I960, т. 2.- 982 с.

244. Самсонов Г.В. Нитриды.- Киев : Наук, думка, 1969.- 380 с.

245. Ярмола Т.М. Исследование условий получения и физических свойств фосфидов галлия и индия : Автореф. дис. . канд. техн. наук.-Киев, 1970.- 24 с.

246. Самсонов Г.В., Ковенская Б.А., Абдусаламова М.Н. и др. Электронное строение и физические свойства пниктидов РЗЭ иттриевой подгруппы.- В кн.: Тугоплавкие соединения редкоземельных элементов.- .Душанбе : Дониш, 1978, с. 283-288.

247. Абдусаламова М.Н. и др. Ширина запрещенной зоны и параметры электропереноса в моноантимонидах РЗЭ.- Изв. АН СССР, неорг. матер., 14, 1978, № 12, с. 2247-2250.

248. Bertaut E.F. On Sulphides and Raictides.- <

249. Pure and Appl. Chem., 1980 , ¿2 , : '1. И.1.Р.73-92.

250. Hulliger F. Semiconducteurs avec la Structure de Marcasite.-Nature,1963, 12§» N.4885,p.1081-1086.

251. Lai R.B.,Davis J.H.,Powell B.E. The Effect of Thermal Cycling on the Resistance and Morphology of InBi Monocrystals and Polycrystals.-J.Less Common Metals,1972,2£,N.3»p.367-370.

252. Самсонов Г.В., Абдусалямова М.Н. Антшлониды.-Душанбе : Дониш, 1977.- 246 с.

253. Абдусалямова М.Н., Бохан Л.М., Горячев Ю.М. и др. Теплопроводность моноантимонидов РЗЭ.- Теплофизика высоких температур, 1980, В I, с. 208-211.

254. Арсени К.А., Джафоров Т.Д., Дедегкаев T.T. Al^Ga^P GaP- гетеропереходы.- Физ. и техн. полупров., 1969, 3, № 6, с. 933936.

255. Tietjen J.J.,Maruska N.P.,Clough R.B. The Preperation and Properties of Vapor-Deposited. Epitaxial InAs^ P .-Using Arcine1.Лand Pho sphine.-J.Ele сtroche m.So с.,1969,Ц§,N.4,p.492-494.

256. Гнесин Г.Г. Неметаллические тугоплавкие соединения и их практи-4 ческое использование.- Ж. Всесоюзн. хим. общ. Менделеева, 1979, 24, № 3, с. 234-236.

257. Андреева Т.В., Горячев Ю.М. Об электронном строении полупроводников A^V.- В кн.: Диэлектрики и полупроводники.- Киев : КГУ, 1974, с. 100-105.

258. Горячев Ю.М., Андреева Т.В. Электронное строение гексагональных соединений.- В кн.: Методы получения, свойства и применение нитридов.- Киев : ИШ АН УССР, 1972, с. 314-18.

259. Нахмансон Н.И. Расчет зонной структуры гексагонального нитрида бора методом ортогонализированных плоских волн.- ФТТ, 1971, 13, вып. 3, с. 34-40.

260. Курдюмов A.B., Пилянкевич А.Н. Фазовые превращения в углероде и нитриде бора.- Киев : Наук, думка, 1979.- 188 с.

261. Левин A.A. Зонная теория и эмпирические корреляции дляашазо-подобных полупроводниковых кристаллов.- Физ. и техн. полупр., 1971, 5, В 8, с. 78-82.

262. Горячев ЮЛД., Андреева Т.В. Электронная структура и полупрово1.I Удниковые свойства нитридов типа AB. В кн.: Материалы П всесоюзного совещания по широкозонным полупроводника},« (Л., февраль 1979) : Тез докл.- Л.: ЛЭТИ, 1979, с. 87-88.

263. Андреева Т.В., Горячев Ю.М., Ковенская Б.А. Связь электронного строения с электрофизическими свойствами нитридов.- Порошк. металлур., 1981,' № 3, с. 73-76.

264. Горячев Ю.М., Андреева Т.В. Различные модели кристаллическихи электронных структур в системе В-А1-С .- В кн.: Электронное строение и физико-химические свойства тугоплавких соединений и сплавов,- Киев : Наук, думка, 1980, с. 315-318.

265. Гельд П.В., Сидоренко Ф.А. Силициды переходных металлов четвертого периода.- М. : Металлургия, 1971.- 582 с.

266. Горячев Ю.М., Кононенко Т.К. Электронная сттруктура и энергетическая устойчивость соединений типа Me^Si .-В кн.: Конфигурационная локализация электронов в твердом теле.- Киев : Наук, думка, 1975, с. 241-246.

267. Гладышевский Е.И., Водах О.И. Кристаллохимия интерметаллических соединений редкоземельных металлов.- Львов : Вища школа, 1982.- 253 с.

268. Bjezinskaya D.,Laborovskii М. The Study of PtSi Formation.-Electr. Technology,1979,12,N.2,p.93-96.

269. Ainsli H. The Structure of Fe-Si Films Deposited by Reactive Sputtering.-Proc. of 7-th International Vacuum Conference and 3-d International Conference on the Solid State Surface: Vena, 1977,2,p.1631-1638.

270. Beddies G.,Helms H. Verdampfung der Mischung Cr-Si Mischung. Zeit.Technichen Hoch - Schule Karl-Marx-Shtadt, 1978 , 20 ,s.845-848.

271. Steinmetz J.,Roques B. Une Fomille de Silicides Ternaires Isotypes de VgSi^: (T,T')6Si5; T=V,Cr,Mn et T' = Ti,Nb,Ta.-J.Less Common Metals,1977,52,p.247-253.

272. Panfler A. Chemical Composition Influence on the Phase Transition and Transition Temperature in the Region of Homogeneity V^Si Monocrystals.- Phys.Stat.Sol.(a),1977,44,p.499-504.

273. Kawasumi I.,Sakato M.,Nishida I.,Masumoto K. Crystal Growth and Characterization of MnSi ^ ^ . J. Cryst. Growth,1980,N.4,p.651-658.

274. Ормонт Б.Ф. Соединения переменного состава.- Л. : Химия, 1969, 519 с.

275. Коллонг Р. Нестехиометрия. М. : Мир, 1977.- 288 с.

276. Никитин E.H., Тарасов В.И. Электрические свойства твердых растворов на основе высшего силицида марганца.- ФТТ, 1971, 13, с. 3473-3477.

277. Тарасов В.И., Никитин E.H. и др. Проводимость твердых растворов Mn1xFexSi1 j Изв. АН СССР, неорг. матер., 2, № 6, с. I038-I04I.

278. Горячев Ю.М., Аветисян А.О., Шварцман Е.И. Высокотемпературные термоэлектрические материалы на основе боридов и силицидов.- В кн.: Высокотемпературные бориды и силициды.- Киев : Наук, думка, 1978, с. 83-87.

279. Горячев Ю.М., Ковенская Б.С., Шварцман Е.И. Электронное строение и свойства гексаборидов РЗМ.- В кн.: Конфигурационные представления электронного строения в физическом материаловедении.- Киев : Наук, думка, 1977, с. 73-78.

280. Горячев Ю.М., Ковенская Б.А. Электронный энергетический спектрнекоторых диборидов переходных металлов.- В кн.: Труды 1У Всесоюзного симпозиума по кристаллохимии металлов и соединений.-Киев : КПИ, 1971, с. 23-24.

281. Горячев Ю.М., Ковенская Б.А., Самсонов Г.В. и др. Электронная структура диборидов.- В кн.: Материалы Международного симпозиума по электронному строению переходных ?леталлов и сплавов (Киев, май 1972)- Киев : Наук, лумка, 1974, с. 332-336.

282. Горячев Ю.М., Ковенская Б.А., Самсонов Г.В. и др. Электронный спектр и физические свойства диборидов титана ванадия и хрома.-Известия вузов, физика, 1972, № 6, с. 37-41.

283. Горячев Ю.М., Ковенская Б.А., Самсонов Г.В. Дибориды переходных металлов, их электронная структура и свойства.- В кн.: Электронная структура переходных металлов, их сплавов и соединений.- Киев : Наук, думка, 1974, с. 332-338.

284. Одинцов В.В., Горячев Ю.М., Радзиковская C.B. Электронный спектр и физические свойства додекаборидов.- В кн.: Металлофизика.- Киев : Наук, думка, 1971, вып. 37, с. 29-32.

285. Горячев Ю.М., Одинцов В.В. Электронное строение додекаборидов.- В кн.: Конфигурационные представления электронного строения в физическом материаловедении.- Киев : Наук, думка, 1977, с. 77-80.

286. Горячев Ю.М., Ковенская Б.А., Шварцман Е.И. Электронная структура и физические свойства сложных сплавов гексаборидов.- В кн.: Тугоплавкие соединения редкоземельных металлов.- Новосибирск : Наука, 1979, с. 42-46.

287. Tarascón I.M.,Btourneau I.,Hagenmuller P. et.al. Study of Carbon-Substituted EuBg.-Mater.Res.Bull.,1978,13,N.8,p.731-736.

288. Bliznakov G.,Cholovskii J.,Peshev P. Investigations of Cathode Materials Produced from Metals Hexaborides Mixture.- Rev.1.t.Conf.High. Temp.,1969,6,p.159-163.

289. Niichara K. The Preparation and Nonstoichiometry of Samarium Hexaboride . Bull. Chem. Soc. Japan, 1974,N.4 ,p.963-967.

290. Etourneau J.,Naslain R.,Morreu N. Sur quelques Nouvelles Phases Riches en Боге Dans System Bore-Thorium.- "Compt. Rend.Acad.Sci.Colon.",1968,266,p.1452-1458.

291. Меркурио Ж.И. Синтез, термическая стабильность и электрические и магнитные свойства гексаборидов F3M.- Диссертация.-Франция, Бордо : Университет, 1974.- 302 с.

292. Горячев Ю.М., Ковенская Б.А. Химическая связь и электронная структура сложных сплавов гексаборидов.- В кн.: У1 Международный симпозиум по бору и боридам (Болгария, Варна, ноябрь 1978) : Тез. докл., Варна : АН НРБ, 1978, с. 12-13.

293. Горячев Ю.М., Ковенская Б.А., Шварцман Е.И. Схема электронных энергетических уровней в некоторых гексаборидах и их сплавах.-В кн.: Высокотемпературные бориды и силицида. Киев : Наук, думка, 1978, с. 85-88.

294. Горячев Ю.М., Дудник Е.М., Падерно Ю.Б. Электронное строение и физико-химические свойства сплавов и соединений на основе переходных металлов.- Киев : Наук, думка, 1976, с. II4-II6.

295. Одинцов В.В., Горячев Ю.М., Падерно Ю.Б. Структура энергетических полос в кубических додекаборидах металлов.- Журнал структ. химии, 1971, 12, № 2, с. 344-347.

296. Guy C.N.,Van Molnar S.,Etourneau J.,Fisk Z. Charge and. Pressure Dependence of Tc of Single Crystal:Ferromagnetic EuBg.-Solid State Commun., 1980,22,11.10,p.1055-4058.

297. Моисеенко JT.JT., Одинцов В.В. Магнитные свойства додекаборидов иттрия и лютеция.- Изв. АН СССР, неорг. матер., 1979, 15, № 4, с. 698-671.

298. Моисеенко'Л.Л., Одинцов В.В., Грушко Ю.С. Валентное состояние иттербия в додекабориде.- Изв. АН СССР, неорг. матер., 1979, 15, А1? 4, с. 695-698.

299. Aono M.,Kawai S. Nuclear Quadrupole Interaction in Metal

300. Hexaborides (MB6) .-J.Phys.Chem.Sol., 1979,40,N. 11, p.797-802.

301. Noack M.A.,Gibson E.D.,Verhleven J.D. Brightness of LaBg Cathodes.-J.Appl.Phys., 1980, Д1,1Т.10, p. 5566-5567319. 1Урин B.H., Корсукова M.M. Оптические постоянные ЕиВби LaB6.- ФТТ, 1980, 22, № 3, с. 715-718.

302. Lager J.M.,Percheron-Guegan A.,Loriers S. Pressure Variations of the Resistivities of Rare Earth Hexaborides.- Phys.Stat. Sol.(a),1980,60,N.1,K23-K26.

303. Hiebl K.,Sieriko M.J. Chemical Control of Superconductivity in Hexaborides.-Inorg.Chem.,1980, .7,P.2179-2180.

304. Nozaki H. Magnetic Properties and Structure Changes in GdBg Single crystals. J.Phys. C.: Solid State Phys., 1980 , 13, N.14-, p. 2751-2754.

305. Komatsubara Т.,Suzuki T.,Kawakami M. et.al. Magnetic and Electronic Properties of CeBg.- J.Magn.and Magn.Mater.,1980, part 2,15-18,p.963-964.

306. Noack M.A.,Verhleven J.D. The Chemical Characterization of Zone Regined Lanthanium. Hexaboride.-J.Cryst.Growth,1980,49,p.595-599.-364325. Tarascón J.M. ,Etourneau J.,Dordor P. et.al. Magnetic and

307. Transport Properties of Pare and Carbon-Dopped Divalent RE Hexaboride Single Crystals.- J.Appl. Phys., 19Ö0 , ¿1 , N.1,p.574-577.

308. Айвазов М.Я. Высокотемпературная теплопроводность твердыхрастворов C^Sm^Bg- Теплофиз. выс. температур, 1980, 18, № 2, с. 429-433.

309. Tarascón J.M.,Isikawa V.,Cheralier В. et.al. Temperature Dependence of the Samarium Hexaboride and Samarium Lanthanium. Hexaboride(S^xLaxB6) .-J.Phy s., 1980,N. 10, p. 11-1.

310. Kasaya M. Study of the Valence Transitions in La and Yb-Sustituted SmBg.-Solid State Commun., 1980 , , N.9, p.1005-1007.

311. Allen J.W.,Batlogg В.,Wächter P. Large Low-Temperature Hall Effect and Resistivity in Mixed-Valent SmBg.- Phys. Rev. В., 1979,20,N.12,p.4807-4813.

312. Nickerson J.C.,White R.,Lee K.N. et.al. Physical Properties of SmB6.- phys.Rev. B,1971 ,¿,N.6,p.2030-2042.

313. Березин A.A., Голикова O.A., Зайцев В.К., Стильбанс Л.С. и др. Электрические свойства, спектр отражения и механизм проводимости А1В12,- ФТТ, 1973, 15, № 10, с. 952-955.

314. Viala J.C.,Boix J. Boron-Riched B-Si Alloys .- J.Less Common Metals,1980,71,N.12,p.195-197.

315. Редкоземельные полупроводники / Под ред. В.П.Жузе.- Баку : ЭЛМ, 1981.- 283 с.

316. Полупроводниковые арсениды и фосфиды элементов Ш группы / Под ред. Ю.В.Шварцева.- Ташкент : ФАН, 1981.- 158 с.

317. Васильев Д.М. Физическая кристаллография.- М. : Металлургия, 1981.- 248 с.-365336. Дехтяр И.Я., Немошкаленко В.В. Электронная структура и электронные свойства переходных металлов и их сплавов.- Киев : Наук, думка, 1971.- 171 с.

318. А. с. 475665 (СССР). Термоэлектрический материал / Ю.М.Горячев, Н.И.Мурашко, Т.Г.Куценок.- Опубл. в Б. И., 1975, Jfe 24.

319. А. с. 766475 (СССР). Высокотемпературный термоэлектрический материал / Ю.М.Горячев, Б.А.Ковенская, Е.И.Шварцман, 1980.

320. А. с. 364380 (СССР). Термоэлемент на основе силицидов кобальта и марганца / Ю.М.Горячев, А.П.Гройсман, 1967.

321. А. с. 470868 (СССР). Резистивный материал / Ю.М.Горячев, О.И. Шулишова и др.- Опубл. в Б.И., 1975, $ 18.

322. Най Дж. Физические свойства кристаллов.- М. : Мир, 1967.385 с.

323. Сиротин Ю.И., Шаскольская М.П. Основы кристаллофизики.- М. : Наука, 1975.- 680 с.

324. Кнопов П.С. Оптимальные оценки параметров стохастических систем.- Киев : Наук, думка, 1981.- 151 с.

325. Зазимко В.Г. Оптимизация свойств строительных материалов.-М. : Транспорт, 1981.- 130 с.

326. Горячев Ю.М.Переспективы развития тугоплавких термоэлектрических материалов.- В кн.: Труды Семинара по методам прямого преобразования тепловой энергии (Черновцы, январь 1981) : Тез. докл. Черновцы : Ч1У, 1981, с. 5-6.

327. Фетисов В.Б., Мень А.Н., Воробьев Ю.П. Термодинамический вывод основных уравнений метода квазикристаллов.- Изв. СО АН СССР, сер. химич., 1982, 4, с. 122-129.

328. Концевой Ю.А., Литвинов Ю.М., Фаттахов Э.А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур.-М. : Радио и связь, 1982.- 239 с.

329. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела.- М. : Мир, 1980.- 488 с.

330. Поверхностные свойства твердых тел / Под ред. М.Грина.- М.: Мир, 1972.- 432 с.

331. Сирота Н.Н., Ревинский А.Ф. Зонная структура кубического нитрида бора и алмаза по данным комптоновского рассеяния рентгеновского луча. Изв. АН БССР, сер. физ.-мат. наук, 1981, № 4, с. 75-78.

332. Yanace A.,Hasegawa A. Electronic Structure of MnP.- J.Phys.C: Solid St.Phys.,1980, ГЗ,Н.10,p.1989-1993.

333. Weinberger P.,Mallet C.P.,Podloucky R. et.al. The Electronic Structure of HfN,TaIT and UN.-J.Phys.,1980,C13,N.2,p. 173-187.

334. Gambino R.,Estman D.,McGuire I.R.et.al.Magnetic Semiconductors and Enictides.-J.Appl.Phys. ,1971,42,N.4-,p. 1468-1469.

335. Нефедов B.C. Электронная структура v^si на основе кластерной модели.- ФТТ, 23, В 4, 1981, с. 1257-1260.;

336. Nakanishi 0.,Yanaci A.,Hasegawa A. Electronic Energy Band Structure of MnSi.- J.Magn. and Magn. Mater., 1980 ,part 2, 15-18,p.879-880.

337. Соболев В.В., Донецких В.И. Спектры отражения и структура зон кристаллов типа Mg2Si .- ФТТ, 1970, 12, А^ 9, с. 2687.

338. Зайцев В.К., Никитин E.H. и др. Решеточная теплопроводность твердых растворов Mg2Si-Mg2Sn .- ФТТ, 1969, П, № I, с. 2-7.

339. Johnson 0.,Joyner D.J.,Hercules D.H. A Study of the Iron Borides: Electronic Structure . J. Phys. Chem., 1980, 84,N.5,p.542-547.

340. Бондаренко Т.Н. Некоторые данные о межатомном взаимодействии в тетраборидах.- Укр. физ. жкрнал, 1976, 21, № I, с. 146-150.

341. Guy С.N.,Van Molnar S.,Etourneau J.,Fisk Z. Charge and Pressure Dependence of Tc of Single Crystal:Ferromagnetic EuBg.-Solid State Commun.,1980,¿¿,N.10,p.1055-1058.

342. Walch P.E.,Ellis D.E;.,Mueller F.M. Energy Band and Bonding in LaB6and YB6.-Phys.Rev.В.,1977,15,N.4,p.1859-1866.

343. Hasegawa A.,Yanase A. Energy Band Structure and Fermi Surface of LaB6 by a Selfconsistent APW Method-J.Phys.F,1977,£,p.1245

344. Berezin A.A. On the Properties of -A1B12- new Wide Band Semiconductor.-Proc. of 12-th International Conference on the Physics of Semiconductors.-Shtudgurt,1974,p.291-295.

345. Hasegawa A.,Yanase A. The Electronic Structure of EuBg.-J.Phys. C5,l980,41,N.6,p.C5-377-378.

346. Niskitani R.,Aono M.,Tanaka T. et.al.Surface Structures and Work Functions of the LaB6.-Surf .Sei., 1980,9,3,N.2-3,p.535-549.

347. Kasuya T. Mechanism of the Metal Insulator Transition and Various Properties in Samarium Compounds.-J.Phys. C4, 1976, 37,p.261-265.

348. Минин Б.И. Рентгеновские эмиссионные спектры силицидов хрома и марганца.- В кн.: Электронная структура переходных металлов, их сплавов и соединений. Киев : Наук, думка, 1974, с. 198-201.

349. Chazalviel J.N.,Campagna М.,Wetheim G.K.et.al. Electronic Structure and %f-hole Lifetime in Rare Earth Borides.-Phys.Rev.Let.,1976,J7,N.14,p.919-922.

350. Aono M.,Kawai S. ESCA Study of Electronic Structure of SmBg. Sol. St. Commun., 1975, 16,1. N.1,p.13-17.

351. Савченко Н.Д., Цветков В.П. Электронная структура дисилици-да железа.- В кн.: Электронная структура переходных металлов, их сплавов и соединений. Киев : Наук, думка,- 1974.- с.198-201.

352. Longuett-Higgins Н.,Roberts M.V. Electronic Structure of MeBg. Proc.Roy.Soc.,1954,A224,p.336-347.

353. Yamazaki M. Electronic Spectrum Calculation of CaBg.-J.Phys.Soc.Japan,1957,12,p.12-16.

354. Perkins P.G.,Amstrong D.R.,Breeze N. Band Structure Calculations of Hexaborides.-J.Phys.C: Solid St.Phys., 1975 ,0,p.35-58.

355. Klein B.M.,Papaconstantopoulos D.A.,Boyer L.L. Electronic Properties Calculations of Substoichiometry Refractory Mono-carbides NbC ,TaC ,HfС in Coherent Potential Approximation.1. X X .Л

356. Phys. Trans. Metals. Rep. Int. Conf., Leeds, 1980, BristolLondon, 1981, p.53-58.

357. McColm I.J. The Cubic Tetragonal Transformation in Metal .Di-carbides:f-Orbital Participation in Bonding and its Effect on Hardness.- J.Less Common Metals,1981,78,N.2,p.287-300.

358. Федюков A.C., Ивановский A.JI. Возможность стабилизации кубической модификации Nb2C Журн. неорг. химии, 1980, 25,1. J6 10, с. 2595-2599.

359. Жуков В.П., Ивановский А.Л. х^-кластерные расчеты электронной структуры карбидов и нитридов гафния и тантала.- Журн. неорг. химии, 1980, 25, А^ 2, с. 318-322.

360. Аветисян А.О., Горячев Ю.М. Электрофизические свойства сплавов дисилицида хрома с высшим силицидом марганца.- Доклады АН УССР, сер. А., 1980, 10, с. 62-65.

361. Горячев Ю.М., Ковенская Б.А., Самсонов Г.В. О некоторых особенностях температурной зависимости электрофизических свойств Мо2В5 и W2B5 .- Доклады АН УССР,' 1972, № 10, с. 952-955.

362. Уббелооде А. Плавление и кристаллическая структура.- М. : Мир, 1969.- 420 с.

363. Уббелооде А. Расплавленное состояние вещества.- М. : Металлургия, 1982.- 375 с.

364. Францевич Й.Н., Калинович Д.Ф. Аналогия концентрационных зависимостей длительной высокотемпературной прочности сплавов хрома с никелем.- Доклады АН УССР, сер. А., 1978, № 7, с. 660665.

365. Самсонов Г.В., Тимофеева И.И. Характеристическая температура тугоплавких соединений.- Доклада АН УССР, сер. А., 1970, № 9, с. 831-835.

366. Гешко Е.И., ^ушта Г.П. О температурной зависимости интенсивности рентгеновских интерференций вольфрама в интервале температур 300-1100 К. Укр. физ. журнал, 1963, 8, № 12, с. 13581360.

367. Переломова Н.В., Тагиева М.М. Задачник по кристаллофизике.-М. : Наука, 1972./«-192 с.

368. Некрасов М.М., Дадеко Л.И. Прогнозирование деградационных отказов электролюминесцентных индикаторов на основе порошковых фосфоров.- В кн.: Физико-технологические вопросы кибернетики. Киев : ИК АН УССР, 1973, с. 153-160.

369. Стаценко В.М. Исследование влияния импульсных и циклических тепловых воздействий на термоэлектрические свойства : Автореф. диссерт. . канд. техн. наук.- Киев, 1981.- 22 с.

370. Капица П.Л. Эксперимент, теория, практика.- М. : Наука, 1974. 287 с.

371. Федоров В.В. теория оптимального эксперимента.- М. : Наука, 1971.- 312 с.

372. Бурштейн А.И. Физические основы расчета полупроводниковых термоэлектрических устройств.- М. : Физ.-мат. лит., 1962.135 с.

373. Поздняков Б.С., Е.А.Коптелов. Термоэлектрическая энергетика.-М. : Атомиздат, 1974.- 263 с.

374. Охотин A.C., Ефремов A.A. Термоэлектрическиеи генераторы.-М. : Атомиздат, 1971.- 283 с.

375. Охотин A.C., Пушкарский A.C. О новом критерии эффективности термоэлектрических материалов.- Докл. АН УССР, 1972, 203,2, с. 336-539.

376. Котырло Г.К., Лобунец Ю.Н. Расчет и конструирование термоэлектрических генераторов и тепловых насосов.- Киев : Наук, думка, 1980.- 327 с.

377. Черкасский А.Х. Напряжение и КПД термоэлектрического генератора.- Изв. АН СССР, энергия и транспорт, 1967, № 3, с. 45-48.

378. Зорин И.В., Зорина З.Я. Термоэлектрические холодильники и генераторы.- Л. : Энергия, 1973.- 120 с.

379. Котырло Г.К., Козлюк В.Н., Лобунец Ю.Н. О применении металлических термоэлектрических материалов для термогенераторов.-Энергия и электрофикация, 1973, № 2, с. 51-57.

380. Котырло Г.К., Щеголев Г.М. Тепловые схемы термоэлектрических устройств.- Киев : Наук, думка, 1973.- 189 с.

381. Оптимизация радиоэлектронной аппаратуры / под ред. А.Я.Масло-ва.- М. : Радио и связь, 1982.- 200 с.

382. Пономарев М.Ф. Конструкция и расчет микросхем и микроэлементов ЭВА.- М. : Радио и связь, 1982, с. 2982-2988.

383. Антонян А.И., Смолин М.Д., Гребенкина В.Г. и др. Переменные толстопленочные резисторы,- Киев : Наук, думка, 1980.- 231 с.

384. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы.- М. : Высшая школа, 1981.- 431 с.

385. Карягин А.Г. Материалы для электромонтажных работ.- М. : Энер-гоиздат, 1981.- 63 с.

386. Митрейкин И.А., Озерский А.И. Надежность и испытания радиодеталей и радиокомпонентов.- М. : Радио и связь, 1981.- 272 с.

387. Афанасьев В.В., Вишневский Ю.И. Воздушные выключатели.- Л. :

388. Энергоиздат, I981.- 381 с.

389. Roland V. The Theory of Materials for Thermoelectric and Thermomagnetic Arrangements. Proc. IEEE, 1963 , ¿1»p.699-702.

390. Rittner E.C.,Neumark G.F. Theoretical Bound on the Thermoelectric Figure of Merit of Two-Band Semiconductors.-J, Appl.Phys., 1963,ÄN.7,P.2071-2077.

391. Кобцев Ю.Д. 0 возможности получения высокотемпературных тер-мисторов.- Изв. вузов, физика, 1963, Jtè 3, с. I05-II0.

392. Даунов М.И., Аронеон A.C. Влияние смешанной проводимости на полевые и температурные зависимости коэффициента Холла и поперечного магнесопротивления в полупроводнике с тремя сортами носителей.- Изв. вузов, физика, депонировано, 1979, № 2662.

393. Горячев Ю.М., Ковальченко М.С. Высокотемпературные термоэлектрические преобразователи.- Сборник ШТЭЭ и ТЭ, 1964, 2, 75, № 3, с. 120.

394. Андреева Т.В., Баранцева И.Г., Горячев Ю.М. и др. О природе теплопроводности карбидов некоторых переходных металлов 17 и У групп. Порошк. металлур., 1967, № 2, с. 87-90.

395. Горячев Ю.М., Щербань Н.И. О явлении дефекта размеров и энергии химической связи. В кн.: Электронное строение и физические свойства твердого тела. Киев : Наук, думка, 1969, с. 1216.

396. Горячев Ю.М.Новые термоэлектрические материалы.- В кн.: Материалы Советско-болгаро-польского симпозиума по материалам, применяемым в радиоэлектронике (Польша, Кошажн, сентябрь 1969). Кошалин : АН ПНР, 1969, с. 23-24.

397. Ахназарова С.Л., Кафаров В.В. Оптимизация эксперимента в химии и химической технологии.- М. : Высшая школа, 1978.- 319 с.

398. Мирский Г.Я. Характеристики стохастической взаимосвязи и их измерения. М. : Энергоиздат, 1982.- 319 с.

399. Джонсон Н., Лион Ф. Статистика и планирование эксперимента в технике и науке.- М. : Мир, 1981.- 516 с.

400. Габасов Р., Кириллов Ф.М. Методы оптимизации.- Минск : БГУ, 1981.- 350 с.

401. Круг Г.К., Кабанов В.А., Фомин Г.А. Планирование эксперимента в задачах нелинейного оценивания и распознания образов.- М. : Наука, 1981.- 168 с.