Атомная структура и электронные свойства границы раздела GaAs(100)-(Cs, O) тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ПРИГОТОВЛЕНИЕ АТОМАРНО-ЧИСТОЙ ПОВЕРХНОСТИ

ОаАэСЮО) И ВЛИЯНИЕ АДСОРБЦИИ ЦЕЗИЯ И КИСЛОРОДА НА ЕЁ

СТРУКТУРНЫЕ И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА.

§1.1 Атомарно-чистая поверхность ОаАз(100).

§ 1.2 Химические способы приготовления атомарно-чистой поверхности

ОаАБ( 100).

§1.3. Структура и электронные свойства границ раздела С8/ОаАз(ЮО) и

С5,О)/ОаА8(100).

§1.4. Цель и задачи работы.

ГЛАВА И. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

§2.1 Образцы.

§2.2 Высоковакуумная установка.

§2.3 Оже- и рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия.

§2.4 Дифракция медленных электронов.

§2.5 Спектроскопия характеристических потерь энергии электронов высокого разрешения (СХПЭЭВР).

ГЛАВА III. СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТИ

ОаА8(ЮО).

§3.1 Стехиометрия и остаточные углеродные загрязнения на поверхности ОаАз(ЮО) после обработки в растворе НС1 в изопропиловом спирте и прогрева в вакууме.

§3.2 Сверхструктурные перестройки на поверхности ОаАз(ЮО) при прогревах в вакууме.

§3.3 Электронные свойства поверхности ОаАз(ЮО): влияние сверхструктурных перестроек на работу выхода, изгиб зон, плотность и энергетическое распределение поверхностных состояний.

§3.4 Обсуждение результатов.

Совершенствование методов приготовления атомарно-чистых поверхностей ваАз с заданной стехиометрией и атомной структурой, а также изучение связей атомной структуры и электронных свойств поверхности является одной из основных задач физики поверхности и технологии полупроводниковых приборов. К настоящему времени достаточно хорошо изучены структурные и электронные свойства поверхности арсенида галлия ориентации (110), получаемой сколом в сверхвысоком вакууме, и поверхности ОаА8(ЮО), приготовляемой с использованием технологии молекулярно лучевой эпитаксии (МЛЭ). Поверхности ОаА8(ЮО), приготовляемые химической обработкой и последующим прогревом в сверхвысоком вакууме в отсутствие потоков мышьяка, изучены существенно слабее. Так, например, до настоящего времени на таких поверхностях не удавалось наблюдать всего ряда сверхструктурных перестроек, ранее обнаруженных на поверхностях ОаАз(ЮО), приготавливаемых с использованием МЛЭ. Электронные свойства на таких поверхностях изучены недостаточно.

Кроме исследования атомарно-чистых поверхностей ваАБ, значительный интерес представляют поверхности, покрытые цезием и кислородом. С научной точки зрения система Сз/ОаАз является модельным объектом для исследования фундаментальных закономерностей взаимодействия полупроводников с адсорбатами в силу того, что атом Сб имеет только один валентный электрон, и адсорбция проходит без образования трёхмерных кластеров и химических соединений с полупроводником. Ранее были исследованы закономерности снижения работы выхода [1], металлизация поверхности ваАБ и формирование барьера Шоттки при адсорбции цезия [2,3], цезий-индуцированная адсорбция кислорода [4], поверхностные состояния, индуцированные цезием и кислородом [5]. Тем не менее, ряд вопросов, в частности, о влиянии стехиометрии и атомной реконструкции исходной поверхности ОаАз(ЮО) на эволюцию структурных и электронных свойств поверхности при адсорбции цезия и кислорода изучены недостаточно. Интерес к изучению границы раздела (Сз-ОуОаАБ обусловлен возможностью достижения эффективного отрицательного электронного сродства [6]. Система р-ОаА8(100)-(Сз,0) с отрицательным электронным сродством (ОЭС) имеет большое практическое значение, поскольку широко используется для создания сверхчувствительных, малошумящих, быстродействующих фотоприемников, а также источников ультра-холодных и спин-поляризованных электронов. Хотя модель формирования ОЭС была построена еще в 70-х годах [6], в последние годы накопление новых сведений о структуре и свойствах фотоэмиттеров показали существенную неполноту, а иногда и неадекватность существующих представлений. Это сдерживает осмысленное совершенствование технологии фотоэмиттеров с ОЭС.

Целью диссертационной работы является изучение атомных процессов, лежащих в основе приготовления атомарно-чистой, структурно-упорядоченной поверхности СаАз(ЮО) без использования молекулярных пучков; изучение её атомной структуры и электронных свойств, а также влияния адсорбции цезия и кислорода на структурные и электронные свойства границы раздела р-ОаАз(100)-(С8,0) с отрицательным электронным сродством.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка сокращений и условных обозначений, списка цитируемой литературы.

Основные результаты и выводы диссертационной работы.

1. Обработкой поверхности арсенида галлия раствором НС1:изопропанол в атмосфере азота с последующим прогревом в сверхвысоком вакууме приготовлена структурно-упорядоченная поверхность ОаАз(ЮО) со следующими видами сверхструктурных перестроек: (1х 1) 400°с > (2х4)/с(2х8)

480°с > (2х6)/(3х6) 530°с > (4x1) 580°с > (4х2)/с(8х2). Сверхструктурные переходы являются необратимыми.

2. Пределы изменения величины изгиба зон и электронного сродства на поверхности ОаАв(ЮО), приготовленной химическим способом при прогревах в вакууме, аналогичны наблюдавшимся на поверхностях, приготовленных с использованием МЛЭ. Химической обработкой и последующим прогревом в вакууме приготовлена поверхность ОаАз(ЮО) с концентрацией ПС в запрещенной зоне меньше предела обнаружения метода СХПЭЭВР.

3. Температура фазового сверхструктурного перехода от Аб-стабилизированной поверхности (2х4)/с(2х8) к ва-стабилизированной поверхности (4х2)/с(8х2) может быть снижена на 100-150°С путём адсорбции ~0.5 монослоя Сб на АБ-стабилизированную поверхность.

4. Наибольший квантовый выход фотоэмиттеров с ОЭС на основе ОаАБ с ориентацией (100) достигается при активировании Оа-стабилизированной поверхности со сверхструктурой (4х2)/с(8х2). ва-стабилизированная поверхность ОаАБ(ЮО) обеспечивает максимальную вероятность выхода электронов вследствие большей упорядоченности границы раздела СБ/СаАБ(100)-(4х2)/с(8х2).

5. Наибольшая вероятность выхода электронов в вакуум у фотоэмиттеров на основе р-ОаАБ(100)-(СБ,0) достигается при формировании дипольного (Сб-О) слоя, а наименьшая работа выхода при формировании гетероперехода. Переход от дипольного слоя к гетеропереходу происходит при толщине (Сб,0)- покрытия 2.0-2.5 МЬ.

Данная диссертационная работа была выполнена в отделе неравновесных явлений в полупроводниках Института физики полупроводников СО РАН и Новосибирском государственном университете. Проведение измерений, обработка экспериментальных данных, сборка экспериментальной установки для точного измерения температуры в сверхвысоком вакууме, а также подготовка докладов на конференции выполнялись автором лично. Интерпретация полученных результатов и написание статей проводились совместно с соавторами опубликованных работ. Методика низкотемпературной

153 очистки GaAs была разработана A.C. Тереховым, В.И. Пошевневым, Ю.Г. Галицыным и В.Г. Мансуровым.

Автор считает приятным долгом поблагодарить своего научного руководителя A.C. Терехова за предоставление интересной темы, руководство и поддержку на всех этапах работы. Автор благодарен Н.С. Рудой за предоставление образцов арсенида галлия; Т.П Кириенко за помощь в проведении химической обработки поверхности образцов; Г.Э. Шайблеру за проведение экспериментов по активированию арсенида галлия цезием и кислородом (§.5.3); А.Н. Литвинову за помощь в проведении экспериментов; а также всем сотрудникам лаборатории за повседневную помощь и поддержку, которая способствовала выполнению данной работы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

В данной работе методами ЭОС, РФЭС, ДМЭ и СХПЭЭВР исследованы структурные и электронные свойства поверхности ОаАз(ЮО) после химической обработки и прогрева в сверхвысоком вакууме. Впервые показано, что эволюция сверхструктурных перестроек и электронных свойств такой поверхности аналогична наблюдавшейся на поверхности ОаА8(ЮО), приготавливаемой с использованием метода МЛЭ или получаемой термической десорбцией толстой защитной плёнки мышьяка.

Исследовано влияние адсорбции цезия и кислорода на структурные и электронные свойства поверхности ОаАз(ЮО). Установлено, что температура фазового перехода от Аб- к Оа-стабилизированной поверхности может быть снижена на 100-150°С путём предварительной адсорбции цезия на Дестабилизированную поверхность ОаАз(ЮО). Впервые показано, что наибольший квантовый выход фотоэмиттеров с ОЭС на основе ОаАБ с ориентацией (100) достигается при активировании Оа-стабилизированной поверхности со сверхструктурой (4х2)/с(8х2). Уточнена модель оптимального активирующего покрытия (Сб,0) на поверхности ОаАз(100)-(4х2)/с(8х2).

1. Rodway D.J., AllensonM.B. 1. situ surface study of the activating layer on GaAs(Cs,0) photocathodes.- J.Phys. D: Appl. Phys., 1986,v.19, p.1353-1371.

2. Bechstedt F., SchefflerM. Alkali adsoфtion on GaAs(llO): atomic structure, electronic states and surface dipoles. Surf. Sei. Rep., 1993, v. 18, p. 145-198.

3. Spicer W.E., Chye P.W., Gregory P.E., Sukegawa Т., Babalola I.A. -Photoemission studies of surface and interface states on III-V compounds. J.Vac.Sci.Technol. 1976, v.13, №1, p.233-240.

4. Su C.Y., Spicer W.E., Lindau I. Photoelectron spectroscopic determination of the structure of (Cs,0) activated GaAs (110) surfaces. J. Appl. Phys., 1983, v.54, №3, p.1413-1422.

5. Alperovich V.L., PaulishA.G., TerekhovA.S. Domination of adatom-induced over defect-induced surface states on p-type GaAs(Cs,0) at room temperature. -Phys. Rev. B, 1994, v.50, №8, p.5480-5483.

6. Белл P.Л. Эмиттеры с отрицательным электронным сродством. М.: "Энергия", 1978, 192 с.

7. Terekhov A.S., Tereshchenko O.E., Paulish A.G., Scheibler H.E., Alperovich V.L. Variations of the Fermi level, Photovoltage, and Photoemission Threshold on GaAs(lOO) Surface under Annealing in Hydrogen. Phys. Low-Dim. Struct. 1995, v. 12, p.33-42.

8. Tereshchenko O.E., Chikichev S.I., Terekhov A.S. Atomic structure and electronic properties of HCl-isopropanol treated and vacuum annealed GaAs(lOO) surface. Appl.Surf.Sei. 1999, v. 142, p.75-80.

9. Терехов A.C., Терещенко O.E., Паулиш А.Г., Шайблер Г.Е., Альперович B.J1. Влияние отжига в водороде на электронные свойства поверхности GaAs(lOO). Тезисы 2-ой Российской конференции по физике полупроводников, Зеленогорск, Россия, 1996, т.2, с.68-68.

10. MassiesJ., EtienneP., DezalyF., LinhN.T. Stoichiometry effects on surface properties of GaAs(lOO) grown in situ by MBE. Surf. Sci. 1980, v.99, p. 121-131.

11. Deparis C., MassiesJ. Surface stoichiometry variation associated with GaAs(OOl) reconstruction transitions. J. Cryst. Growth 1991, v. 108, p. 157-172.

12. M6nchW. Semiconductor surfaces and interfaces. Springer-Verlag, Berlin, 1993.-366 p.

13. PianettaP., Lindau I., Garner C.M., Spicer W.E. Chemisorption and oxidation studies of the (110) surface of GaAs, GaSb, and InP. Phys. Rev. B, 1978, v. 18, №6, p.2792-2806.

14. Resch U., Scholz S.M., Rossow U., Müller A.B., Richter W., Förster A. Thermal desorption of amorphous caps from GaAs(lOO) monitored by reflection anisotropy spectroscopy. Appl. Surf. Sei., 1993, v.63, №1, p.106-110.

15. Chen W., Dumas M., Mao D., Kahn A. Work function, electron affinity, and band bending at decapped GaAs(lOO) surfaces J. Vac. Sei. Technol. B, 1992, v.10, № 4, p.1886-1890.

16. Drathen P., Ranke W., Jacobi K. Composition and structure of differently prepared GaAs(100) surfaces studied by LEED and ATS. Surf. Sei., 1978, v.77, №1, p.L162-L166.

17. Biegelsen D.K., Bringans R.D., Northrup J.E., Swartz L.-E. Surface reconstructions of GaAs(100) observed by scanning tunneling microscopy Phys. Rev. B, 1990, v.41, №9, p.5701-5706.

18. Falta J., Tromp R.M., Copel M., Pettit G.D., Kirchner P.D. Ga-As intermixing in GaAs(OOl) reconstructions. Phys. Rev. B, 1993, v.48, №8, p.5282-5288.

19. Chizhovev D., Miller D.L. Scanning tunneling microscopy syudy of the evolution of the GaAs(100) surface during the (2x4)-(4x2) phase transition. Appl.Surf.Sci. 1998, v.123/124, p.192-198.

20. Snyder C.W., Sudijono J., Lam C.H., Johnson M.D., Orr B.G. Surface transitions on annealed GaAs(100). Phys. Rev. B, 1994, v.50, №24, p. 1819418199.

21. Moriarty P., Beton P.H., Ma Y.R., Dunn A.W., Henini M. (2x4)/c(2x8) to (4x2)/c(8x2) transition on GaAs(OOl) surfaces. J.Vac.Sci.Technol. B, 1996, v.14(2), p.943-947.

22. Kahn A. Thirty years of atomic and electronic structure determination of surface of tetrahedrally coordinated compound semiconductors. Surf. Sci. 1993, v.299/300, p.469-486.

23. Pashley M.D., Haberern K.W.- Compensating surface defects induced by Si doping of GaAs. Phys. Rev.Lett. 1991, v.67, №19, p.2697-2700.

24. Pashley M.D., Haberern K.W., Feenstra R.M., KirchnerP.D. Different Fermi level behavior on n- and p-type GaAs(OOl). Phys. Rev. B, 1993, v.52, №7, p.4612-4615.

25. Hashizume T., Xue Q.K., Zhou J., IchimiyaA., Sakurai T. Structures of As-rich GaAs(100)-(2x4) reconstructions. Phys. Rev.Lett. 1994, v.73, №16, p.2208-2211.

26. Avery A.R., Holmes D.M., Sudijono J., Jones T.S., Joyce B.A. The As-terminated reconstructions formed by GaAs(OOl): a scanning tunnelling microscopy study of the (2x4) and c(4x4) surfaces. Surf. Sci. 1995, v.323, p.91-101.

27. Xue Q., Hashizume T., Zhou J.M., Sakata T., Ohno T., Sakurai T. Structures of the Ga-rich 4x2 and 4x6 reconstructions of the GaAs(OOl) surfaces. Phys. Rev.Lett. 1995, v.74, №16, p.3177-3180.

28. Cerda J., Palomares F.J., SoriaF. Structure of GaAs(100)-c(8x2)-Ga. Phys. Rev.Lett. 1995, v.75, №4, p.665-668.

29. Pashley M.D. Electron counting model and its application to island structures on molecular-beam epitaxy grown GaAs(OOl) and ZnSe(OOl). Phys. Rev. B, 1989, v.40, №15, p.10481-10487.

30. Larsen P.K., van der Veen J.F., Mazur A., Pollman J., Neave J.H., Joyce B.A., -Surface electronic structure of GaAs(001)-(2x4): Angle-resolved photoemission and tight-binding calculations. Phys. Rev. B, 1982, v.26, №6, p.3222-3227.

31. Salmon L.G., RhodinT.N.- Angle-resolved photoemission study of GaAs(OOl) surfaces grown by molecular beam epitaxy. J.Vac.Sci.Technol. B, 1983, v. 1(3), p.736-740.

32. MurayamaM., Shiraishi K., NakayamaT. Reflectance difference calculations As- and Ga- rich reconstruction surface structures. Jpn.J.Appl.Phys. 1998, v.37, p.4109-4114.

33. Hirose K., Foxman E., Noguchi T., Uda M. Ionization-energy dependence on GaAs(OOl) surface superstructure measured by photoemission-yield spectroscopy. Phys. Rev. B, 1990, v.41, №9, p.6076-6078.

34. Pashley M.D., Li D. Scanning tunneling microscopy studies of the GaAs(OOl) surfaces and the nucleation of ZnSe on GaAs(OOl). Material Sci.Engin. 1995, v.B30, p.73-80.

35. XinG.X., Martin R.M., Chadi D.J. Theoretical studies of reconstructed GaAs(lOO) surfaces using first principle calculations. J.Vac.Sci.Technol. B, 1987, v.5(4), p.933-938.

36. Srivastava G.P., Jenkins S.J. Atomic geometry and bonding on the GaAs(OOl)-02(2x4) surface from ab initio pseudopotential calculations. Phys. Rev. B, 1996, v.53, №19, p.12589-12592.

37. Schmidt W.G., BechstedtF. Atomic structures of GaAs(100)-(2x4) reconstructions. Surf.Sci. 1996, v.360, p.L473-L477.

38. Northrup J.E., Froyen S. Structure and thermodynamic stability of GaAs(OOl) surfaces. Material Sci.Engin. 1995, v.B30, p.81-86.

39. Pashley M.D., Haberern K.W., Friday W., Woodal J.M., KirchnerP.D. -Structure of GaAs(001)-(2x4)/c(2x8) determinated by scanning tunneling microscopy. Phys. Rev.Lett. 1988, v.60, №21, p.2176-2179.

40. Shiraishi K., Tomonori I.- Atomic and electromic structures of surface kinks on GaAs(OOl) surfaces. Appl.Surf.Sci. 1997, v.121/122, p.98-101.

41. Spicer W.E., Chye P.W., Skeath P.R., Su C.Y., Lindau I. New and unified model Schottky barrier and III-V insulator interface states formation. J. Vac. Sci. Technol., 1979, v. 16, N 5, p. 1422-1432.

42. Hirota Y., Sumitomo K. Thermal effects on the surface fermi level for GaAs(OOl). J.Appl.Phys. 1996, v.79, №10, p.7785-7789.

43. Arciprete F., Clonna S., Fanfoni M., Balzarotti A. Observation of interface states by high-resolution electron-energy-loss spectroscopy in metall-GaAs(l 10) junctions. Phys. Rev. B, 1996, v.53, №19, p.12948-12955.

44. Massies J., Contour J.P. Substrate chemical etching prior to molecular-beam epitaxy: An x-ray photoelectron spectroscopy study of GaAs(OOl) surfaces etched by the H2SO4-H2O2-H2O solution. J.Appl.Phys. 1985, v.58, №2, p.806-810.

45. Chang C.C., Citrin P.H., Schwartz B. Chemical preparation of GaAs surfaces and their characterization by Auger electron and x-ray photoemissiion spectroscopies. J. Vac. Sci. Technol., 1977, v. 14, №4, p.943-952.

46. Vasquez R.P., Lewis B.F., Grunthaner F.J. Cleaning chemistry of GaAs(lOO) and InSb(lOO) substrates for molecular beam epitaxy. J. Vac. Sci. Technol. B, 1983, v.l, №3, p.791-794.

47. Woodal., Freeouf J.L., Pettit G.D. Photoelectrochemical passivation of GaAs surfaces. J. Vac. Sci. Technol. В 1983, v.l, №3, p.795-798.

48. Ohno M., Ishii Y., Miyazava S. Effect of photoirradiation of GaAs surface during HF treatment. J.Electrochem.Soc. 1984, v.131, №10, p.2441-2443.

49. Matsushita K., Suzuki N.,Okuyama S., Kumagai Y. Hydrofluoric-treated GaAs surfaxe analyzed by contact angle measurement and Auger electron Spectroscopy. Jpn.J.Appl.Phys. 1996, v.35, №10(1), p.5293-5296.

50. Hirota Y., Ogino Т., Watanabe Y., Oshima M. -Synchrotron radiation photoelectron spectroscopy study for GaAs(100) surface prepared by deoxygenated and de-ionized water treatment. Appl. Phys. Lett. 1994, v.65, №16, p.2036-2038.

51. Hirota Y., Sugii K., Homma Y. Cleaning effects of running de-ionized water on a GaAs surfaces. J. Electochem. Soc. 1991, v. 138, №3, p.799-802.

52. Галицын Ю.Г., Пошевнев В.И., Мансуров В.Г., Терехов А.С., Окорокова Л.Г. Остаточные углеродные загрязнения на поверхности GaAs, обработанной в спиртовых растворах НС1. Поверхность, 1989, №4, с. 147150.

53. Галицин Ю.Г., Мансуров В.Г., Пошевнев В.И., Терехов А.С. Пассивация поверхности GaAs в спиртовых растворах НС1. Поверхность, 1989, №10, стр. 140-142.

54. Matsumoto S., Yamaga S., Yoshikawa A. New surface passivation method for GaAs and its effect on the initial growth stage of a heteroepitaxial ZnSe layer. Appl. Surf. Sci. 1992, v.60/61, p.274-280.

55. Saletes A., Massies J., Contour J.P., Residual carbon and oxygen surface contamination of chemically etched GaAs(lOO) substrates. Jap. J. Appl. Phys. 1986, v.25, №1, p.L48-L51.

56. Lu Z.H., Lagarde C., Sacher E., Currie J.F., Yelon A. A surface analitical study of GaAs(lOO) cleaning procedures. J. Vac. Sci. Technol. A, 1989, v.7 №3, p.646-650.

57. Ritchie S., Johnson S.R., Lavoie C., Mackenzie J.A., Tiedje Т., Streater R. -Semiconductor substrate cleaning and surface morphology on molecular beam epitaxy. Surf. Sci. 1997, v.374, p.418-426.

58. Bertrand P.A. XPS study of chemically etched GaAs and InP. J. Vac. Sci. Technol. 1989, v. 18 №1, p.28-33.

59. Matsushita K., Suzuki N., OkuyamaS., OkuyamaK. Hydrophobicity of a hydrochloric-treated GaAs surface analyzed by contact angle measurement. J.Electrochem.Soc. 1988, v.145, №145, p.1381-1385.

60. Frese K.W., Morrison S.R. Applications Surf.Sci. 1981, v.8, p.266-277.

61. Song Z., Shogen S., Kawasaki M., Suemune I. X-ray photoelectron spectroscopy and atomic force microscopy surface study of GaAs(100) cleaning procedures, J. Vac. Sci. Technol. B, 1995, v. 13, №1, p.77-82.

62. Song Z., Shogen S., Kawasaki M., Suemune I. X-ray photoelectron spectroscopy and atomic force microscopy surface study of GaAs etching with a HC1 solution, Appl. Surf. Sci. 1994, v.82/832, p.250-256.

63. Koinuma M., Uosaki К. In situ observations of atomic resolution image and anodic dissulution process of p-GaAs in HC1 solution by electrocemical atomic force micrscope. Surf. Sci. 1994, v.311, p.L737-L742.

64. Yao H., Yau S.L. In situ scanning tunneling microscopy of GaAs(lOO), (111)A, (111 )B surfaces in sulfuric acid solution. J. Appl. Phys. Lett. 1996, v.68, №.11, p.1473-1475.

65. Osakabe S., Adachi S. Study of GaAs(OOl) surfaces treated in aqueous HC1 solutions. Jpn.Appl.Phys. 1997, v.36, №12A, p.7119-7125.

66. Kang M.G., Sa S.H., ParkH.H., SuhK.S., Oh K.H. The characterization of etched GaAs surface with HC1 or H3P04 solutions. Thin Solid Films 1997, v,308-309, p.634-642.

67. Koinuma M., Uosaki K. Atomic structure of bare p-GaAs(OOl) and electrodeposited Cu on p-GaAs(lOO) surfaces in H2S04 solutions: an AFM study. J.Electroanalitical Chemistry 1996, v.409, p.45-50.

68. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Под ред. Бриггса Д., Сиха М.П. М.: Мир, 1987. - 600 с.

69. Stocker H.J., Aspnes D.E. Surface chemical reactions on InO.53GaO.47As. Appl. Phys. Lett., 1983, v.42, №1, p.85-87.

70. Alperovich V.L., PaulishA.G., Scheibler H.E., Tynnyi V.I., Terekhov A.S. Unpinned behavior of the Fermi level and photovoltage on p-( 100)GaAs surface facilitated by deposition of cesium. Appl. Surf. Sci., 1996, v. 104/105, p.228-233.

71. Hirota Y. Effects of dissolved oxygen in a de-ionized water treatment on GaAs surface. J.Appl.Phys. 1994, v.75, №3, p. 1798-1803.

72. Graf D., Grunder M., Ludecke D., Schulz R. Reaction of hydrofluoric acid and water with the GaAs(lOO) surface. J. Vac. Sci. Technol. A, 1990, v.8, №3, p.1955-1960.

73. Молекулярная эпитаксия и гетероструктуры. Под ред. Л.Ченга и К.Плога. -М.: Мир, 1989.-582 с.

74. Hirota Y., Watanabe Y., Maeda F., Ogino T. Relaxation of band bending on GaAs(OOl) surface by controlling the crystal defects near the surface. Appl.Sur.Sci. 1997, v.l 17/118, p.619-623.

75. Bartels F., Clements H.J., MonchW. Segregation of As on GaAs(llO) surfaces observed immediately after cleavage. Physica 1983, v.117B&118B, p.801-803.

76. Yablonovich E., Skromme B.J.S., Bhat R., Harbison J.P., GmitterT.J. Bandbending, Fermi-level pinning, and surface fixed charge on chemically prepared GaAs surfaces. Appl.Surf.Sci. 1989, v.54, №6, p.555-557.

77. Berkovitz V.L., Paget D. Optical spectroscopy of ordered GaAs(OOl) surfaces obtained by sulfide passivation. Appl.Surf.Sci. 1993, v.65/66, p.607-611.

78. Ke Y., MilanoS., WangX.W., TaoN., Darici Y. Structural studies of sulfur-passivated GaAs(100) surfaces with LEED and AFM. Surf.Sci. 1998, v.415, p.29-36.

79. First P.N., Dragoset R.A., Stroscio J.A., Celotta R.J., Feenstra R.M. Structure of Cs on GaAs(l 10) as determined by scanning tunneling microscopy. J. Vac. Sci. Technol. A, 1989, v.7, №4, p.2868-2872.

80. Whitman L.J., Stroscio J.A., Dragoset R.A., Celotta R.J. Geometric and electronic properties of Cs structures on III-V (110) surfaces: from ID and 2D insulators to 3D metal Phys. Rev. Lett., 1991, v.66, №10, p. 1338-1341.

81. Kamaratos M., Bauer E. Interaction of Cs with the GaAs(lOO) surface. J. Appl. Phys., 1991, v.70, №12, p.7564-7572.

82. Faraci G., Pennisi A.R., Gozzo F., Rosa S.L., Maegaritondo G. Cs bonding at the Cs/GaAs(l 10) interface. Phys. Rev. 1996, v.53, №7, p.3987-3992.

83. Godstein B. LEED-Auger characterization of GaAs during activation to negative electron affinity by the adsorption of Cs and O. Surf. Sci. 1975, v.47, №1, p.143-161.

84. Vergara G., Gomes L.J., Capmany J., Montojio M.T. Adsorption kinetics of cesium and oxygen on GaAs(lOO) (A model for the activation layer of GaAs photocathodes.). - Surf.Sci. 1992, v.278, p.131-145.

85. Smith D.L., Huchital D.A. Adsorption kinetics of Cs on GaAs. J.Appl.Phys. 1972, v.43, №6, p.2624-2628.

86. Rodway D. AES, photoemission and work function study of the deposition of Cs on (100) and (lll)B GaAs epitaxial layers. Surf. Sci., 1984, v. 147, №1, p.103-114.

87. Derrien J., D'AvitayaA., Adsorption of cesium on gallium arsenide (110). Surf.Sci. 1977, v.65, p.668-686.

88. Sommer A.H., Whitaker H.H., Williams B.F.- Thickness of Cs-O films on GaAs(Cs) and GaAs(Cs-O) photocathodes. Appl.Phys.Lett. 1970, v. 17, №7, p.273-274.

89. Gusev A.O., Paget D., Aristov V.Yu., Soukiassian P., Berkovits V.L., Thierry-MiegV. Combined reflectance anisotropy and photoemission spectroscopies of Cs/GaAs(001) interface formation. J. Vac. Sci. Technol. A, 1997, v. 15, №1, p.192-195.

90. Goldstein В., SzostakD. Different bonding states of Cs and О on highly photoemissive GaAs by flash desorption experiments. Appl.Phys.Lett. 1975, v.26, №3, p.l 11-113.

91. Gusev A.O., Paget D., Aristov V.Yu., Soukiassian P., Berkovits V.L., Thierry-Mieg V. Combined reflectance anisotropy and photoemission spectroscopies of Cs/GaAs(001) interface formation. J. Vac. Sci. Technol. A, 1997, v. 15, №1, p.192-195.

92. Митягин Ф.Ю., Орлов В.П. Исследование чистой и покрытой цезием (100) поверхности GaAs методом дифракции медленных электронов. 1973, том 18, вып.4, стр.876-878.

93. KimJ., Gallagher М.С., Willis R.F. Cs adsorption on n- and p-type GaAs(001)(2x4) surfaces. Appl. Surf. Sci., 1993, v.67, №2, 286-291.

94. Альперович B.Jl., Кузаев B.H., Терехов A.C., Шевелев С.В. Исследование обратимых изменений изгиба зон на поверхности p-GaAs(Cs,0) при комнатной температуре методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. ФТТ, 1995, т.37, в.2, с.344-350.

95. Альперович B.JI. Оптическая спектроскопия поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных структур но основе соединений А3В5. Диссертация докт.физ.-мат.наук , ИФП СО РАН, Новосибирск, 1998, 288 с.

96. Гусев А.О. Химические связи и электронные свойства систем Cs/GaAs(100) и S/GaAs(001). Диссертация канд.физ.-мат.наук, ФТИ РАН, Сакт-Петербург, 1995, 134 с.

97. Yamada К., Asanari J., Naitoh М., Nishigava S. Co-adsorption of cesium and oxygen on GaAs(001) surfaces studied by metastable de-excitation spectroscopy. Surf.Sci. 1998, v.402-404, p.683-686.

98. Spicer W.E., ChyeP.W., SkeathP.R., Su C.Y., Lindau I. New and unified model Schottky barrier and III-V insulator interface states formation. J. Vac. Sci. Technol., 1979, v.16, N 5, p.1422-1432.

99. Plummer E.W., Wong T.M., DiNardoNJ. Semiconductor-to-metal transition in an ultrathin interface: Cs/GaAs(l 10). Phys. Rev. Lett., 1990, v.65, №17, p.2177-2180.

100. Kampen T.U., EyckelerM., Monch W. Electronic properties of cesium-covered GaN(OOOl) surfaces. Appl.Surf.Sci. 1998, v.123/124, p.28-32.

101. Fisher D.G. The effect of Cs-O activation temperature on the surface escape probability of NEA (In,Ga)As photocathodes. -IEEE Trans. Devices, 1974, ED21, p.541-542.

102. Sonnenberg H. Low-work function surfaces for negative-electron-affinity photoemitters. -Appl. Phys. Lett., 1969, v.14, p.289-291.

103. Remmers G., Prietsch C., Domke M., Kaindl G., Oxidation of alkali/GaAs(l 10) interfaces. J.Electr.Spectr.Relat.Phenom. 1990, v.52, p.79-89.

104. Орлов Д.A. Исследования фотоэмиссии из GaAs с отрицательным электронным сродством методом спектроскопии эмитированных электронов. Диссертация канд.физ.-мат.наук, ИФП СО РАН, Новосибирск, 1998, 144 с.

105. Tereshchenko O.E., Chikichev S.I., Terekhov A.S. Composition and structure of HCl-isopropanol treated and vacuum annealed GaAs(100) surface. J.Vac.Sci.Technol. 1999, accepted for publication.

106. Wang Z., Kwan S.L., Pearsall T.P., Booth J.L., Beard B.T., Johnson S.R. Realtime, noninvasive temperature control of wafer processing based on diffusive reflectance spectroscopy. J. Vac. Sci. Technol. B, 1997, v. 15, №1, p. 116-121.

107. Thurmond C.D. The standard thermodynamic functions for the formation of electrons and holes in Ge, Si, GaAs, and GaP. J. Electrochem. Soc., 1975, v. 122, №8, p.l 133-1141.

108. Davis L.E., Riach G.E., Weber R.E. Handbook of Auger electron spectroscopy. 1976, Eden Prairie, Minnesota.

109. Рамбиди Н.Г. Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твёрдых тел. 1985, Москва, «Наука», 224 с.

110. Пинскнер З.Г. Диффракция электронов. 1949, Москва, 392 с.

111. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. -М.: Мир, 1989. -510 с.

112. ИбахХ. Применение электронной спектроскопиии для анализа поверхности. 1980, Рига «Зинатне», 356 с.

113. Dubois L.H., Schwartz G.P., Surface optical phonons and hydrogen chemisorption on polar and nonpolar faces of GaAs, InP, and GaP. Phys.Rev.B, 1982, v.26,№3, p.794-802.

114. Hirose K., UchiyamaA., Noguchi Т., UdaM. -Surface state observed by photoemission yield spectroscopy on GaAs(OOl) surfaces with different superstructures. Appl.Surf.Sci. 1992, v.56-58, p.l 1-14.

115. Drude W., Himpsel F.J., Ludeke R. Inverse photoemission from surface and interface states of III-V semiconductors. J.Vac.Sci.Technol.B 1987, v.5, №4, p.930-932.

116. Degiovanni A., GuyauxJ.L., ThiryP.A., Caudano R. High resolution electron energy loss spectroscopy of GaAs and AlAs grown by molecular beam epitaxy. Surf.Sci. 1991, v.251/252, p.238-242.

117. Aquino A. A., Jones T.S., A comparative study of the adsorption and thermal decomposition of triethylgallium and trimethylgallium at GaAs(lOO) surfacesstidied by electron energy spectroscopy. Appl.Surf.Sci. 1996, v.104/105, p.304-311.

118. Nooney M., Liberman V., XuM., Ludviksson A., Martin R.M. Reaction of HC1 with the GaAs(lOO) surface. Surf.Sci. 1994, v.302, p.192-204.

119. Карапетьянц M.X., Карапетьянц M.JI. Основые термодинамические константы неорганических и органических веществ. 288 с.

120. Некрасов Б.В. Основы общей химии. 1973, "Химия", т. 1, 580 с.

121. Kanski J., Hua Q., Nilsson P.O., Karlsson U.O. Photoemission studies of the GaAs(100)-4xl surface. J.Electr.Spectr.Relat.Phenom. 1990, v.52, p.133-138.

122. Kierren В., Paget D. Formation of the Cs/GaAs(001) interface: Work function, cesium sticking coefficient, and surface opnical anisotropy. J. Vac. Sci. Technol. A, 1997, v.15, №1, p.2074-2080.

123. Ley L., Pollak R.A., McFeely F.R., Kowalczyk S.P., Shirley D.A. Total valence-band denseties of states of III-V and II-VI compounds from x-ray photoemission spectroscopy. Phys.Rev. 1974, v.9, №2, p.600-621.

124. Де-Бур Ж.Г. Электронная эмиссия и явления адсорбции. 1936, НЕСТП СССР, Москва. 340 с.