Диффузионное и ионно-лучевое легирование CdxHg1-xTe тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

АКАДЕМИЯ НАУК СССР ОРДЕНА ЛЕНИНА ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ им.А.Ф.ИСШЕ

На правах рукописи

МЫНБАЕВ КАРИМ ДЖАФАРОВИЧ

УДК 621.315.592 ДИФФУЗИОННОЕ И ИОННО-ЛЭТЕВОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ Ссу^^Те

(01.04.10 - физике полупроводников и диэлектриков )

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Санкт-Петербург 1991

Работа выполнена в С.-Петербургском ордена Ленина Физико-техническом институте им. А.Ф.Коффе АН СССР.

Научный руководитель - доктор физико-математических наук,

профессор

B.И.Иванов-Омский.

Официальные оппоненты - доктор физико-математических наук,

щ■ "»фессор

C.Г.Конников,

- кандидат физико-математических наук К.Ф.Штельмах.

Ведущая организация - НЕГО "Позитрон", , С.-Петербург.

Защита диссертации состоится "/1?" /чсзфгпа. 1992 г.' в /¿7 часов на -заседании специализированного совета К 003.23.02 Физико-технического института им. А.Ф.Иоффе АН СССР по адресу: 194-021, С.-Петербург, Политехническая ул., д.26/

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке института.

Автореферат разослан "7 " ¿реВраЛЯ 1992 г. Отзывы об автореферате в двух экземплярах, заверенные печатью просим выслать по указанному адресу секретарю специа-яизироваяного совета.

Ученый секретарь специализированного совета, кандидат физ.-мат наук

О.И.Бахолдан

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Твердые растворы Cd^Hg^^Te (KPT) являются в настоящее время основным материалом ИК-оптоэлектроники. Тел-лурида кадмия и ртути образуют непрерывный ряд твердых растворов с шириной запрещенной зоны от -0.3 до 1.6 эВ. Это делает возможным не только изготовление на основе одного материала фотоприемников, перекрывающих спектральный диапазон 1+14 мкм, но и формирование на одном полупроводниковом кристалле за счет изменения состава многоцветных ИК-детекторов. Уникальные физические свойства КРТ - малая эффективная масса носителей и низкая диэлектрическая проницаемость-обеспечивают высокое быстродействие приемников излучения, созданных на этом материале.

Создание приборных структур любых типов (фоторезисторов, фотодиодов и др.) требует разработки методов эффективного управления электрофизическими свойствами кристаллов, в частности, методов легирования- Особенностью КРТ является то, что свойства этого материала существенно зависят от концентрации собственных дефектов, легко образующихся из-за слабой химической связи Hg-Te. Это обстоятельство обуславливает, в частности, один из главных недостатков основного на сегодняшний день способа создания р-п-переходов на КРТ - ионной имплантации. Образование большого числа радиационных дефектов в имплантированной области не только непозволяет контролировать в широкие пределах концентрацию носителей заряда в ней, ло и приводит к нестабильной работе приборов и быстрой их деградации. Это обуславливает актуальность разработки альтернативных ионной, имплантации методов легирования КРТ и исследования физических аспектов процессов, происходящих при легировании.

В настоящей работе под легированием понимается воздействие на материал, происходящее посла завершения пэоцесса его выращивания и направленное '-а изменение его свойств путем введения примесных атомов или изменения концентрами собственных дефектов. В качестве методов такого воздействия используется диффузия помеси (индия) и ионно-лучевое травление (ШГГ) - обработка поверхности

низкоэнергетичными ионами аргона (Е<2 кэВ).

Целью работы являлось исследование физических аспектов явлений, имеющих место при легировании КРТ, и разработка модели, описывающей перестройку дефектно-примесной структуры и взаимодействие дефектов в процессе легирования.

Научная новизна. В работе впервые получены следующие результаты.

- На основе предложенной модели, количественно учитывающей взаимосвязь концентрации примеси с концентрацией собственных дефектов и носителей, показано, что снижение эффективности легирования КРТ индием по мере увеличения его концентрации обусловлено самокомпенсацией примеси собственными точечными дефектами, генерируемыми в процессе легирования.

- Исследовано влияние эффекта самокомпенсацш на характер диффузионных процессов в диапазоне температур 300+390 °С и показано, что этот) эффект обуславливает концентрационную зависимость коэффициента диффузии индия в КРТ.

- Разработан способ легирования КРТ индием, из халькогенидного стеклообразного полупроводника системы (Ge-S):In и показано, что использование последнего в качестве диффузанта позволяет эффективно управлять граничными условиями процесса диффузии, не прибегая к независимому контролю за вводимой в процесс массой примеси и диффузантз.

- Показано, что эффект инверсии типа 'проводимости, происходящей при легировании КРТ состава у.<0.24 с концентрацией нескомпенсиро-ванных акцепторов 5-1015+2-1017 см"3 методом ШГГ обусловлен генерацией на поверхности кристалла атомов мгжузельной ртути, их диффузией и аннигиляцией с вакансиями,

- Показано, что электрофизические свойства материала, формирующегося в-результате ШГГ, определяются совокупностью примесного фона и концентрации донорншс дефектов, имекщяхся в образце..

- ИеследоЕзкн кеханкзмы токопротекания в р-п-переходах на основе KFT, е5орк;:роьаннкх методом ШГГ, и показано, что при 60<Т<110 К дсукатрущгма яъпявтся туннельное , а при Т>110 К - термоактива-

Практическая ценность. Результата, полученные в настоящей работе, способствуют развитию представлений о дефектно-примесной структуре КРГ и важны для совершенствования технологии изготовления детекторов УК-излучения на этом материале. По результатам работы показано, что метод ЮТ является перспективным для созданья новой технологии ИК-фэторезиоторов на основе КРТ. На основании полученных результатов разработана также технология создания р-п-переходоз на основе КРТ, позволяющая получать шюгоэлементные фотоприемники о обратными токами через р-n-переход, меньшими,чем у аналогичных диодов, созданных методом ионной имплантации.

Апробация работы. Основные результаты работа докладывались не Всесоюзных семинарах "Прлмеси и дефекта в узкозошшх полупроводниках" (Павлодар, 1987 и 1989), Шестой Всесоюзной конференции по физико-химическим ос;-»вам легирования полупроводниковых материалов (Москва, 1938), Республиканской конференции "Физика и химия поверхности и границ раздела узкощелевых полупроводников" (Алушта, 1990), Всесоюзном семинаре "Многослойные структуры на основе узкощелевых полупроводников" (Нукус, 1990), XII Всесоюзной конференции по физике полупроводников (Киев, 1S90), V Всесоюзном семинаре "Тонкие пленки и эпитаксиальнье слои узкозошшх полупроводников" (Н.Новгород, 1991), а также на семинарах лаборатории фотоэлектрических явлений в полупроводниках ОТ им.А.Ф.Иоффе АН СССР.

По материалам диссертации подано две заявки на изобретение.

В 1990 г. работа "Альтернативные методы легирования узкощелевого полупроводника CcnTg^^Te", основу которой составили материалы настоящей диссертации, удостоена премии Отделения физики твердого тела ФТИ им.А.Ф.Иоффе АН СССР.

Публикации. Основные материала диссертации опубликованы в 11 печатных работах, список которых приведен в конце автореферата.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключенгм и библиографии. Она включает 81 страницу машинописного текста, 40 рисунков, 5 таблиц и список литературы из 80 нг менованк . Общий объем диссертации составляет 135 страниц.

- б -

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Снижение эффективности легирования КРТ индием по мере увеличения его концентрации объясняется электрохимическим взаимодействием атомов индия с системой точечных дефектов и носителей заряда, которое приводит к компенсации примесных атомов собственными дефектами акцепторной природы, генерируемыми в результате легирования .

2. При диффузионном легировании КРТ в диапазоне температур 300+390 °С система Ge£S3:In является эффективным даффузантом, позволяющим.варьировать граничные условия процесса диффузии, не прибегая к независимому контролю за вводимой в процесс массой примеси и диффузанта.

3. Эф|юкт инверсии типа проводимости при ионно-лучевом травлении КРТ состава х~0.2 обусловлен генерацией на поверхности .кристалла мекузельнсй ртути, ее диффузией и рекомбинацией с собственными дефектами - р:/тными вакансиями.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность выбранных ■направлений исследования, сформулирована цель работы,, отмечены научная новизна и практическая значимость исследования, изложена структура диссертации а приведены основтю положения, выносимые на защиту.

Первая глава носит обзорный характер. В ее первой части рассмотрены литературные данные го легированию КРТ индием. Анализируются экспериментальные данные по исследованию эффективности легирования и предложенные для отсвшг этих результатов модели "поведения" индия в КРГ. Приводится обзор по исследован"» диффузии индия з монокристаллах и эпитаксиальных слоях (ЭС) КРТ и констатируется сильное несоответствие подученных в разных работах данных по параметрам диффузионных процессов, а' также различия во взглядах на механизм диффузии. Во второй части главы рассматриваются вопросы модификации свойств КРТ методом ШГГ. Отмечается отсутствие в -литературе единой модели, удовлетворительно описывающей механизм инверсии типа проводимости при ИЛТ КРТ р-тила. В

конце главы кратко анализируются результаты исследования свойств р-п-переходов, созданных на КРТ диффузией индия и методом ЮТ.

На основе анализа литературных данных в заключение первой главы сформулирована постановка задачи диссертационной работы.

Вторая глава посвящена методике экспериментов. Вначале приведена общая характеристика экспериментальных образцов. Ими служили ЭС КРТ составов х=0.2+0.6, полученные методом жидкофазной эпи-гаксии на подложках С<ЗГе в закрытой системе яз растворов, обогащенных теллуром. После выращивания ЭС подвергались предварительному откигу в насыщенных парах ртути. В экспериментах по диффузионному легированию предварительный отжиг шел целью установление квазиравновесных условий последующей диффузии, для чего проводился при той кв. что и диффузия, температуре. В экспериментах по МЛТ образцы отжигались для получения нуяиого типа проводимости и требуемых концентраций носителей.

Подробно рассматривается сама процедура легирования. Так, диффузионное легирование индием проводилось при Т=300+-'590 °С в насыщенных парах ртути с использованием двух видов диффузантов -газовой фазы (паров 1п) и твердой фазы - халькогенидн»зго стеклообразного полупроводника (ХСП) системы' Се-Б с введенным в него индием. После диффузии образцы закаливались от температуры легирования до комнатной. ЮТ осуществлялось ионами аргона с энергией 1.2+1.8'кэВ и дозой облучения 2-Ш1б4-2-1018 ионов/см2.

Далее с главе описаны методики измерений, проводившихся ка легированных образцах. Особое внимание уделено процедуре определения концентрации индия в диффузионно .легированных ЭС методом количественного рентгеноспектрального микроанализа. Рассмотрена также методика исследования электрофизических свойств „тегированных образцов, в частности, измерений температурных зависимостей коэффициента Холла и проводимости, проводившихся при послойном стравливании ЭС. Время жизни носителей заряда определялось из релаксации фотопроводимости, возбужденной гетеропазером СаА1Аз с длиной волны излучения 0.9 мкм.

В конце главы приведено краткое описание методики исследований электрических и фотоэлектрических свойств полученных в ро-

зультате легирования р-п-переходов.

Третья глава посвящена диффузионному легированию ЭС КРТ индием.

В первой части главы на основании экспериментально определенного соотношения в закаленных кристаллах концентрации электронов птт (из холловских измерений) и введенного в кристалл индия С1л (по данным масс-спекгроскопии вторичных ионов) констатируется, что по мере увеличения С1п эффективность л гироввния n77,/CIn падает. Для объяснения этого эффекта предлагается модель, учитывающая взаимодействие атомов вводимой примеси с системой собственных дефектов и носителей заряда. Связь концентраций In, собст-Бэингг дефектов' и носителей устанавливается на основании решения уравнения1электронейтральности (УЭН), соответствующего температуре легирования:

n :t" 2[V = Р + •

где р, [V-^l и (In.^] - концентрации дырок, двукратно заряженных вакансий ртути, рассматриваемых в качестве доминирующих собственных дефектов, и растворенного в ~ эдрешетке металла индия, соответственно. Анализ реакций равновесия меаду дефектами позволил связать величину tV^/] с энергией Ферми Е^. Концентрацию V^ в результате удалось выраз! ь через ее значение в нелегированном материале [V^ 3 и степень отклонения, Е^ от своего равновесного

положения в -гаком матешале Ер :

о

- ^З-ехр'^-Е^/Ю).. (2)

Концентрация V*' была определена в экспериментах по откигу

нелегированных кристаллов КРТ из температурной зависимости р7Т. При Т-633 К она составила для х=0.22- З.а-1015 см"3 , а для х=0.3 - 2.1 -1G15 см"3.

Полученные данные позволили численно решить УЭН (1) и уста-новигь количественную связь меаду концентрациями примеси, собственных дефектов и носителей, в частности, для х=0.22 и Т=633 К

оказалось, что вплоть до значений [In^MO1' см"3 .^дд'-СУ^/ 3.

Ери дальнейшем .увеличении Чп^ 1 начинается аффективная генерация новых вакансий, вызванная введением индия. Тем не менее, высокая эффективность легирования, когда п7Т»[1п^ 3, сохраняется до [1п^З-"5-1017 см"3. При более высоких уровнях легирования его эффективность надает - п?т изменяется слабо за счет компенсации атомов индия вакансиями ргути. Таким образом, с ростом Elii^i происходит переход от приближенного УЭН п^р к n-tlrijj ] и далее-2[V^3=tIn^g3, а < соотношение n^CIn^] выполняется в достаточно узком диапазон концентраций индия. Расчетным путем показывается, что эффективность легирования в диапазоне х=0.2-0.3 от состава практически не зависит, но существенно возрастает с увеличением Т.' Отмечается также хорошее согласие расчетных данных с экспериментальными, полученными н? закаленных кристаллах.

D конце данной части главы установлено влияние эффект.- сию-компенсации на . jpa 'Tep диффузионных: процессов. Показано, чтс> к .фиблихении вакансионного механизма миграции индия наблюдаемый экспериментально близкий к ступенчатому профиль О,. обуслогыо.ч концентрационной зависимостью коэффициента .диффузии индия, возни--кащей в результате возрастания tV^/l с ростом tln^l. Численное решение уравнения диффузии с эффективным ее коэффициента:/ D-D1-IV"З/CVg' J, где D1 - коэффициент диффузии индия при бсско-

Q

лбчно малой концентрации примеси и равновесной .концентрации вакансий [V*' 3, позволило получить профили распределения иада,

близкие по виду к экспериментальным, величина DA составила после подгонки значение 7.6-10"'6 см2/с.

Вторая часть г >тавы посвящена исследованию диффузии индь.. ." ЗС КРТ. Проведенный сравнительный анализ значений поверхности /!; концентрации индая при диффузии из традиционного источника - v^-зовой фазы и твердой фазы - впервые предложенного в настоящей работе ХСП системы Ge2S„:In - показал, что использование пссл.и,-него в ка-.зстве даффузанта является более- предпочтительным. поскольку позволяет' достичь лучшей воспроизводимости результат Исследование кинетики диффузионных процессов позволило уотэво/»*-?

квааиравновесшй характер условий диффузии (глубина инверсии. h~t1/'2). Температурная зависимость h носила активационный характер и позволила оцени в параметры процесса диффузии в приближении IMD*-ехр(-Ед/кТ), где D*- эффективный коэффициент диффузии, ЕА-энергия активации. Величина D* составила 6.2-10"6 смг/с, а Ед б»ла равна {Т—0.1) аВ. Полученное значение совпадающее с энергией активации вакансии ртути в КРТ, также свидетельствовало в пользу вакансионного механизма миграции индия в КРТ. Сравнение полученного значения коэффициента диффузии с литературными данными показало, что оно примерно на порядок меньше значений, полученных на монокристаллах КРТ и близко к величинам D, определенным для ЗС.

Третья часть главы посвящена особенностям ХСП как источника легирующей примеси при диффузионном легировании КРТ. Вначале кратко рассмотрена предыстория вопроса я обоснован выбор соединения Ge2S3:In в качестве диффузанта. Анализ процессов, происходящих при диффузии из ХСП, проведен на основе данных по температурной зависимости h.'Показано, что "выход" индия из ХСП имеет две основные особенности: он возрастает при превышении температурой отюта значения Tg (~330 °С) - температуры "размягчения" ХСП и уменьшается при снижении концентрации индия в ХСП до- значений <2.7'1013 см-3. Последнее обстоятельство обусловлено тем, что индий может находиться в ХСП как в "связанном", так и в "свободном" состоянии, причем второе-возникает только при больших значениях концентрации индия в ХСП (2.7-1020 и 2.7-1021 см"3 в нашем случае).

В конце главы кратко рассмотрены электрические и фотоэлектрические свойства р-n-переходов 'на КРТ, созданных д ¡эфузионшм легированием.

Четвертая глава посвящена легированию КР" методом ионно-лучевого травл&ния (ИТ). В первой части главы приведены результаты исследования эффекта инверсии типа проводимости-при ИЛТ КРТ р--тиг;а. Установлено, что при проведения ИЛТ тонами аргона с энер-14 й 1.2-41.8 кэВ, плотностью тока J~0.03-i-0.60 мА/смг и временем воздействия 1 f30 мин эффект шшерсш наблюдается на ЭС КРТ с

хсО.З и концентрацией некомпенсированных акцепторов NA-ffB*2 ■ 10 " см"3 . Исследования кинетики процесса инверсии показали, что глубина инверсии h~t1//2. Зависимость li(J) была получена в в"це h~ln(J). а связь h и NA-ND выражалась как h~(fIA-ND)-1/'2. Зависимости h от х в диапазоне составов х=0.20+0.24 обнаружено не было.

Электрофизические свойства ЭС KFT, подвергн; :ых ИЛТ, анали-зироьзлись на основе холловских измерений и измерений времени жизни. На основании результатов этих исследований в диапазоне, температур 4.2+300 К было показано, что ИЛТ КРТ п-типа проводимости приводит к формированию приповерхностного слоя материала, демонстрирующего свойства классического п-ттыа с величиной п=(3+30)-101* см-3 и подвижностью электронов f >105 смг/В-с при Т-77 К. По результатам аналогичных измерений, проведенных при послойном стравливании ЭС, было установлено, что распределение аг7 в таком материале характеризуется отсутствием -зависимости n(d), где d - координата по толщине слоя. Время жизни носителей при этом составляло порядка единиц микросекунд." В результате экспериментов по ИЛТ КРТ с исходным n-типом проводимости установлено, что следствием ИЛТ является снижение степени кок. .енсации материале, выражающееся в существенном увеличении

На основании полученных экспериментальных результатов во второй части главы' предложен механизм инверсии типа проводимости и изменения свойств КРТ в результате ИЛТ. Суть механизма заключается в генерации межузельных атомов ртути на поверхности, их диффузии по диссоциативному механизму в глуоь кристалла и рекомбинации с вакансиями ртути - собственными дефектами акцепторного типа, определявшими до этого р-тип проводимости. Полученная в рамках этой диффузионной модели качеств-щная зависимость глубины инверсии от параметров ШТ и Еелачиш NA-ND:

, С -В ,1/г

h ~ f TÎ^'*] ' (3)

где Сд - поверхностная концентрация межузелььой отути, 3 - <~г коэффициент диффузии, хороио соответствует характеру этг.к мостей, установленных экспериментально, n-тип гюводикости

риала, формирующийся в результате ИЛТ, определяется фоновыми до-, норными примесями и собственными дефектами дснорного типа исходного материала. Вывод о существовании последних делается на основе установленной экспериментально пропорциональности величины птт в Ж после ИЛТ концентрации NA-ND в исходном материале. На основе этой взаимосвязи сделано предположение о том, что на стадии предварительного отжига увеличение NA-ND означает рост и ЦА , и N^ т.е. генерация собственных дефектов акцепторного типа влечет ра собой,ровдакие и донорных дефектов. В качестве последних ыредло-крны антиструктурные дефекты.

Третья часть главы посвящена исследованию свойств фоточув ствительных структур, сформированных методом ИЛТ.

В этой части рассматривается вопрос о перспективности метода ИЛТ для создания фэторезистивных структур на КРТ. Отмечается, что параметры получаемого в результате ИЛТ материала (низкая концентрация носителей, их высокая подвижность и время жизни, однородность этих параметров по толщине образца) отвечают требованиям, предъявляемым к материалу для фоторезисторов. Это подтверждается результатами исследований фотоэлектрических свойств ЭС, подвергнутых илт. Так, например, на структурах а непассивированной поверхностью получено значение вольтовой чувствительности 200 В/Вт яри длине волны полуспада 12.7 мкм.

Завершают главу результаты исследований свойств p-n-nepdxo-дов, ™$орлшрова.шшх методом ИЛТ. Ка основа анализа вольтамперных характеристик и температурной зависимости удельного дифференциального сопротивления р-п-переходов в диапазоне 60+200 К покапано, что для р-л-яерэходоэ, сформированных методом JOT, характерными являются: при 60<Т<110 К и обратных смещениях - межзонное туннелированиэ и тукнелировааие через локальные центры, а при Т>110 К- термоактивационные механизмы токопротекания.

Был проведен также сравнительный анализ свойств р-п-перехс-дсв, созданных на одном Kpi. талле КРГ методами ИЛТ и ионной имплантации. По результатам измер¡кий величин обратных темновых токов при смещениях 50 и 100 мВ в р-п-пере одах на ЭС составов 0.109;0.236 делается вывод о том, что применение метода ОТ пои-

воляет достигать значений" таких токов, как минимум, в 2-3 раза меньших, чем при использовании метода ионной имплантации.

В заключении приведет основные выводы, сделашие по результатам исследований физико-химических аспектов диффузионного и ионно-лучевого легирования КРТ. Отмечается, что в первом случае эффект легирования и изменения типа проводимости достигается за счет перекомпенсации собственных дефектов акцепторного типа донорами -атомами примеси, а во втором - рекомбинацией акцепторных дефектов с вводимыми при ИЛТ донорными.

Выводы сформулированы следующим образом:

1. При легировании КРТ индием наблюдается эффект снижения эффективности легирования по мере увеличения концентрации примеси. Этот эффект обусловлен взаимодействием примесных атомов с системой собственных дефектов и носителей заряда, приводящим к само-компексации атомов примеси собственными дефектами, генерируемыми при легировании.

2. Эффект генерации при легировании собственных дефектов - вакансий - имеет? следствием установление концентрационной" зависимости коэффициента диффузии индия, диффундирующего по Еакансионному механизму, и приводит к формированию ступенчатого профиля распределения примеси в кристалле.

3. При диффузионном легировании КРТ индием в диапазоне температур 330<Т<390 °С халькогенидный стеклообразный полупроводник системы (Се-5):1п является эффективным диффузантом. Поверхностная концентрация индия в КРТ при С1пгй.7-1020 см-3 не зависит от концентрации индия в ХСП. При СГп=2.7'1018 см-3 часть индия находится в ХСП в "связанном" состоянии, что обуславливает возможность получения поверхностной концентрации индия в КРТ =$1018 см-3, то есть ' позволяет изменять граничные условия процесса диффузии.

4. При ИЛТ Епитаксиальных слоев (ЭС) КРТ р-типа проводимости ионами аргона с энергией 1.2+1.8 кэВ и дозами 2 -101б+2-1010 ионов/см2 эффект инверсии типа проводимости наблюдается у ЭС с составом х^0.24 и концентрацией нескомпенсироЕЯнных акцепторов Иа-Н8<2-1017 см"3. Глубина инверсии пропорциональна корню квадратному из времени облучения и обратно пропорциональна (1-7 -1?^)т /-г

в исходном материале.

5. Эффэкт инверсии типа проводимости и изменения электрофизически свойств материала в описанных условиях обусловлен генерацией на поверхности КРТ межузельной ртути, ее диффузией и рекомбинацией с собственными дефектами - ртутными вакансиями.

6. При использовании метода ИЛТ с указанны.^ параметрами воздействия формируется однородный по своим свойствам по толщине слой KIT n-тита проводимости с концентрацией электронов при Т=77 К 3-101•1015 см-3, в зависимости от величины NA-NQ в исходном ЭС, .и" их подвижностью >|О5 см2/В-с. Такой материал пригоден для создания фоторезисторов на основе КРТ.

Т. р-п-перехода, сформированные методом ИЛТ на монокристаллах КРТ составов характеризуются туннельными <зона-зона или с уча-

стием локальных центров) механизмами токопротекания при 60<Т<110 К и термоактивационными механизмами при Т>110 К. 8. Применение метода ИЛТ для создания р-n-переходов на монокристаллах KIT указанных составов позволяет при одной и той же технологии выделения мнбгоэлементных фотодиодных структур снизить как минимум б 2-3 раза величину обратных темновых токов через р-п-ггереход при смещении 50 мВ и температуре 77 К по сравнению с токами в диодах, созданных ионной имплантацией.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:'

1 м Иванов Омский В.И., Любиц В.М., Миронов К.Е., Мынбаев Л.Д. Диффузия индия в CdxHg1_xTe из халькогенвдного стеклообразного полупроводника //'Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках. Матер. Всеооюзн. семинара. Павлодар, 1987. С. 117-119.

2. Иванов-Омский В.И., Л'юбин В.М., Миронов К.Е., Мынбаев К.Д. Диффузия индия в твердых растворах Ol^Hg,_хТе // Тезисы докладов Шестой Всесоюзной конференции по физико-' имическим основам легирования полупроводниковых материалов. М., Наука. 1988. С.104-105.

3. Корнякова О.В., Миронов К.Е.,'Мынбаев К.Д., Третьяков В.В. Исследование распределения примесей в Cd^Hg_хТе методом количественного рентгеноспектрального микроанализа // Примеси и дефекты

в узкозонных полупроводниках. Матер. II Всесоюзн. семинара. Павлодар, 1989. ч.И. С. 27-29.

4. Миронов К.Е., Минбаев К.Д., Иванов-Омский В.И. Диффузия индия в япитаксиальных слоях CdHg^Te // ФТП. 1990. Т. 24. В. 3. С. 582-585.

5. Миронов К.Е., Мынбаев К.Д., Гаврилюк Ю.Н., Ижнин И.И. Модификация свойств приповерхностной облает- p-CdxHg1_хТе ионно-лучевнм травлением // Физика и химия поверхности и границ раздела узкощелевых полупроводников. Тезисы докладов Республ. конференции. Львов, 1990. С. 3.

6. Иванов-Омский В.И., Миронов К.Е., Мынбаев К.Д., Гаврилюк Ю.Н., Ижнин И.И. Послойное изменение электрофизических свойств узкощелевого C^Hg,_хТе при ионно-лучевом травлении // Тезисы докладов Всесоюзн. научного семинара "Многослойные структуры на основе узкозонных полупроводников". Нукус, (990. С. 49-50.

7. Иванов-Омский В.И., Мирснов К.Е., Мынбаев К.Д., Гаврилюк D.H., Ижнин И.И. Перестройка дефектно-примесной структуры Cdj(í!g1 при ионно-лучевом травлении // XII Всесоюзн. конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов. Киев, 1990. ч.2. С. °05.

8. Иванов-Омский В.И., Миронов К.Е, Мынбаев К.Д. Электрофизические свойства Ci^Hg,_ Те, подвергнутого ионно-лучевом^ травлению // ФТП. 1990. Т.Х24._В. 12. С. 2222-2224.

9. Миронов К.Е., Мынбаев К.Д. Распределение носителей заряда в р-n переходах, полученных методами ионно-лучевого травления и диффузии // Полупроводники с малой запрещенной зоной и полуметаллы. Матер." VIII Всесоюзн. еймиоймума. Львов, 1391. ч.1. С.148-149.

10. Иванов-Омский В.И., Миронов К.Е., Мынбаев К.Д., Богобоящий В.В.. Изменение дефектной структуры СсН^при легировании индием // ФТП. 1991. Т. 25. В. 8. С. 1423-1428. ■

11. Баженов ПЛ., Гасанов С.И., Иванов-Омский В.И., Миронов К.Е., Мынбаев К.Д. Темновые токи в р-п-переходах, созданных ионно-лучевым травлением на кристаллах Cd^Hg^T // """П. 1991. Т. 25. В. 12. 0.

РТП ТОТФ.зак.ПбО.тирЛОО,j ¿.-изд.л.0,8;12/ХП-1991г. Бесплатно