Динамический хаос в нелинейных акустоэлектронных системах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

«13 -1. 9:?

КАБАРДИНО-БАЛКАРСКИЙ ОРДЕНА ДРУЖБЫ НАРОДОВ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

На правах рукописи

ЖОХОВ Владимир Викторович

УДК 534.21; 548.52

ДИНАМИЧЕСКИЙ ХАОС В НЕЛИНЕЙНЫХ АКУСТОЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМАХ

(01,04.07 — Физика твердого тела)

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Нальчик—1991

Работа выполнена в Институте физики им. X. И. Амирханова ДН

НАУЧНЫЙ РУКОВОДИТЕЛЬ — доктор физико-математических наук, профессор А. 3. Эфендиев

ОФИЦИАЛЬНЫЕ ОППОНЕНТЫ:

.доктор .физико-математических паук Ю. Д. Мансфельд кандидат физико-математических наук О. Г. Ашхотов

Ведущая организация — Московский институт электронной техники.

па заседании специализированного совета К 063.88.01 по присуждению ученс степени кандидата наук в Кабардино-Балкарском государственном университет (360004, Нальчик, К-Б Г У, ул. Чернышевского, д. 173)

, С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке университета.

АН СССР.

Защита состоится «

Автореферат разослан « К

Ученый секретарь специализированного совета кандидат физ.-мат. наук

А. А. АХКУБЕК01

ОБЦАЯ Ш»АКТШСТШ РАБОТЫ.

Актуальность диссертации обусловлена следующими причинами. Микроэлектроника предъявляет к современном приборным структурам довольно жесткие требования, а именно:выдерживание больших электрических мощностей без изменения сзо^и. рабочи;-параметров; работа в широком температурном интерзале структурная совместимость компонентов, входящих в двойные соединения. К акустоэлектронным (АЭ)приборным структурам, в вида пьезопре-образователь-звукопровод, предъявляются дополнительные требования, позволяющие повысить эффективность их работы, такие как: наличие материалов с высоким значением коэффициента электрс -механической связи (КЭЖ); близкие значения постоянных крис -таллической. решетки и механических имподансов; материал пьезо-преобразователя должен обладать высоким удельным электрическим сопротивлением. Выполнение последних двух требований является наиболее Еажным, так как позволяет внешним электрическим полем возбуждать моадаую акустическую волну и передавать ее, без значительных потерь на переходном слое, в звукопровод. Этим трв -боваяиям хорошо соответствует АЭ структура в вида селенового пьезопреобразователя (Ш)эпитаксиально выращенного на теллуровом звукопроводе. Однако, для её реализация необходимо раз -работать оптимальный технологический режим роста Ш на теллуре и исследовать их свойства. Известно, что теллур является классическим пьезополупроводником с сильной анизотропией АЭ взаи -модействыя и рекордно большим значением КЭМЗ. Кроме того, существует неравномерность распределения плотности потока фо -нонов внутри конуса усиления звука.

Указанные особенности нелинейных свойств монокристаллов теллура и система селен-теллур,, соответственно, дате аозиох-

ность предположить о существовании в них в критических электрических полях, таких когда .где ^р. -скорость дрейфа носителей тока, - скорость звука в кристалле, динамической системы со стохастическим поведением.Наблюдением и исследованием нелинейных неравновесных процессов,приводящих к возникновению и развитию хаотических движений в АЭ системах никто не занимался, а изучение этих явлений в пшро -ком диапазоне электрических полей представляет научный и пра-' ктическлй интерес.

Пельд Работа является:

- разработка оптимального технологического режима получения селеновых ПП на теллуровых звукопроводах ориентации (1010) и исследование их кристаллической структуры, а также пьезоэлектрических свойств;

- наблюдение и исследование картины динамического хаоса в АЭ системах в сильных электрических полях на примере • монокристаллов теллура и системы селен-теллур;

- проведение машинного эксперимента по построению математических моделей динамической АЭ системы со стохастическим поведением ввиде фазовых и спектральных портретов;

- на основании эксперимента-ьных результатов и анализа,существующих теорий нелинейных процессов разработать теоретический механизм образования и развития динамического хаоса в АЭ системах. . .

Объектом исследования являются .монокристаллы теллура и сг-стема селен-теллур, выбор которых обусловлен,с одной стороны, ярко выраженной анизотропией пьезоэлектрических свойств, а с другой тем, что именно в этих материалах могут иметь место сценарии развития динамического хаоса.

Научная новизна и защищаемые положения. В работе:

- разработано новое устройство, основанное на использовании коэффициента аккомодации, для получения качественных монокристаллических слоев селена на теллуре (1010), проведены структурные исследования пленок селена о применением растровой электронной микроскопии, электронографии и рентгеноструктурно— го анализа; полученные экспериментальные результаты по кинетике кристаллизации селена находятся в удовлетворительном, согласии с теорией кристаллизации полимеров;

- показано, что мононристаллические слои селена, эпитак -сиальво выращенные на теллуре, могут работать, как эффективные Ш в частотном диапазоне от . 140 ЦЩ до 230 МШ при комнаткой температуре. •

Впервые:

- в системе с сильно нелинейным АЭ взаимодействием обнаружены .перехода типа порядок-хаос-порядок;

. - исследован процесс самоорганизации АЭ динамической системы со стохастическим поведением;

- построены фазовые и спектральные портреты АЭ-динамической системы;

- предложен теоретический механизм образования и развития динамического хаоса в АЭ системах.

Научно-практическое значение работы заключается в том,что:

-•на основании разработанного устройства появилась возможность определить оптимальный технологический- режим эпитакси-ального роста селеновых ПЕГ на■теллуровых звукопроводах;

- исследованные пьезоэлектрические свойства селена,поз- .

■воляют использовать его как эффективные Ш в области частот от 140. МГц до 230 МЩ при комнатной температуре;

- об.;аруг.енпые в ситано нелинейных АЭ системах в крити -ческнх злектротеских полях процессы образования и развития дата:,пресного хаоса, фазовые переходы типа порядок-хаос-порядок, а так ко явление самоорганизации динамической систеш, открыли новый дяя науки класс дпссипатпвнцх динамических систем;

- разработанный на основания теории нелипейшх систем теоретический механизм образования и развития динамического хаоса в АЭ системах позволил интерпретировать экспериментальные результаты.

Апробация работы и ттублл'л'тат. Результат» настоящей ра -боты домалывались на: ХП Европейской кристаллографической ■ конференции (Москва,1989), П Международной конференции "Акустоэлектропшса-89" (Варна,1939), Х1У Всесоюзной конференции по акустоэлектропике и физической акустике твердого тела (Ккзлнев, 1989), Всесоюзной конференции " Акустоэлектронныэ устройства обработки информации на поверхностных акустических волках" (Черкассы, 1990), ХП Всесоюзной конференции по физике полупроводников (Киев, 1990)ь XI Всесоюзной акустической кон -ференции (Москва, 1991), Всесоюзной школе "Взаимодействие электромагнитных еолн с твердым тело.:" (Саратов, 1991).

Основные результаты диссертации отражены в 10 публикациях и в авторском свидетельстве, список которых приводится в конце автореферата.

Структура и объем диссертации. Диссортация состоит из введония, четырех глав и заключения. В конце работы приведен список цитируемой литературы из 122 наименований. Объем диссертации, включая 36 рисунков, 2 таблицы и список опубликованной литературы, составляет 126 страниц.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ.

Во введении обосновывается актуальность выбранной темы исходя из требований, предъявляемых к АЭ приборным структурам и уровня раззития теорий дассипативных динамических систем со стохастическим поведением; характеризуется цель и научно-п^а-ктическая значимость диссертационной работы.

В первой глазе дан литературный обзор по существующим методам получения эпитаксиальных слоев селена на теллуре, а также по исследованию их структуры и пьезоэлектрических свойств.

В большинстве работ авторами используется наиболее доступный, с точки зрения технического воплощения, метод элитакси-ального роста из паровой фазы. Но, полимерная структура молекул селена в'состоянии пара, в частности, свидетельствует о том, что полимолекулам для их расщепления необходима намзэго большая тепловая энергия, которую данный метод не в состоянии сообщить. Б технологической части диссертационной работы будет описано устройство, позволяющее за счет своих конструктивных особенностей, почти исключить этот существенный недоста -ток, свойственный термическому испарению селена з вакууме.

В большинстве технологических работ, авторами приводятся различные температурные режимы подложек при получении как поли, так и монокристалличесхих слоев. Это свидетельствует о том, что селен является достаточно сложным мат-ериалом для эпита-лсиальногс роста. Такое расхождение определяется, по-видимому/, особенностями зарождения конкретного слоя, существованием в состоянии нара различных по размерам и тепловой энергии молекулярных полимеров, скоростью потока, его остстсчныа давлением и т.д.

Характерные отличия присутствуют и в результатах струк-

турных исследований, из которых следует, что размеры отдельных кристаллитов мозаики достаточно неопределенные, их ориентация относительно базисной плоскости не всегда соответствует теоретическим предположениям, присутствуют большие углы разброса.

Работы по исследовании пьезоэлектрических свойств селеновых слоев, выращенных на теллура, показывает., что эти слои могут использоваться как ПП ультразвука в мегагерцевом диапазоне при температуре жидкого азота.

Анализ литературы по данному вопросу позволил использовать накопленный авторами опыт по эпитаксиальному росту пленок селена на теллура и получить на их основе эффективные ПИ, работавшие при комнатной температуре. •

Если решение вышеизложенных проблем имеет,в большей степени, практическое значение,то вопрос о стохастическом поведении АЭ сиотем представляет особый научный интерес.

Развитие теории нелинейных динамических систем привлекло. внимание экспериментаторов к исследованию процессов, происходящих в этих системах. Отличаются они от обычных неустойчивостей сложной непериодичностной временной структурой колебаний и характеризуются рядом признаков, таких как переход к хаосу через последовательность бифуркаций при вариации некоторого управляющего параметра системы, например, величины и направления электрического и магнитного полей,температуры и т.д.

Причем,в противоположность флукту'ационным явлением, существующим в любых условиях (в том числе и в термодинамическом равновесии), стохастические колебания возникают в сильно неравновесных и существенно нелинейных системах. Теория стохастических колебаний является одной из основных частей синергетики - науки о сложных, непериодических процессах, разработанной Х.Хакеном и развитой в трудах ф.ВДуна,академиков

Л.В.Гапспова-Грехова, Ю.К.Паделы, В.И.Арнольда и других ученых.

Известно, что исследованию нелинейных процессов в полупроводниках посвящено много научных работ и теорий, однако, в последнее время рядом авторов обнаружены такие нелинейные поведения полупроводниковых систем, которые подчиняются сценариям развития динамического хаоса. Эксперименты проводились з Сс/&,и- критических и закритических условиях,

а параметрах.® надкритнчпости чаще всего выбирались электрические а магнитные, поля, градиент температур и освещение.При помещении полупроводника в такие услоеия и изменении управляющего параметра, характеристики кристалла меняются от линейных до квазилинейных,а затем принимают хаотический вид.'Характерно отметить, ч,то этот прсцесс язляется обратимым, то есть при уменьшении управляющего параметра система вновь переходит в линейный режим. Однако, для реализации этого перехода не обязательно изменять внешние условия. В некоторых реяимах хаотического двикения в системе наблюдается, так называемый,процесс самоорганизации, когда параметр надкрктичностк в данный момент постоянен. В настоящее время на исследование этих процессов направлены усилия многих ученых, так как данная проблема представляет благодатную почву для развития нелинейной физики.

Во втотой главе описывается технология получения монокря-сталлических слоев селена на теллуровых подложках ориентации (1010), исследуются их структура и пьезоэлектрические свойства.

Разработано устройство., пр;шциы работы которого основал на использования коэффициента аккомодации, описывающего поведение молекул пара вблизи нагретой поверхности.

Данное устройство позволяет получать совершенные монокристаллические слои из паровой фазы и отличается от традиционного метода термического испарения в вакууме наличием дополни -тельных тепловых дефлекторов. Усредняя тепловым полем дефлек -тора молекулярный поток пара, усредняются, соответственно, и размеры кольцеобразных полимолекул (глобул), это положительно сказывается на качестве переходного слоя и зарождении эпитак -сиальной пленки.

Для различных температур подложки и дефлектора получена серия эпитаксналышх слоев селена на теллуре. Проведены, кош -лексные структурные исследования кинетики кристаллизации селена. при различных технологических режимах. Эти исследования основаны на методах растровой электронной микроскопии ОЕОЬ -35), электронографии (ЭМР-100) ,рентгеноструктураого анализа(ДР0Н-2).

Сравнивая стадии сгруктурообразования селена при различных температурах теплового дефлектора и подложки, можно отметить, что значительные отличия б размерах цепочек, их агрегатных состояний для конкретных технологических режимов роста селена являются определяющими факторами при его кристаллисниш. Это приводит к тему,что при низких температурах дефлектора и подложки создаются кинетические условия для высокой скорости роста глобулярных образовашй,которые о повышением температур, в результате разрыва молекулярных цепочек, переходят в более совершенную структуру - пластинчатый сферолит.Появление следующей надмолекулярной структуры - фибриллярного сферолита, представляющего собой отдельные,плотноупакованные пластинчатые сферолиты, пачки,рассматривается уже как отдельное структуро-совершеыное образование и представляет качественную монокристаллическую фазу.Однако, дальнейшее повышение температур отрицательно сказывается на однородности слоя,которая прямо зави-

ит от линейного размера пленки по толщине. Это однозначно тсазывает на непригодность данного технологического режима для юлучения эффективных селеновых Ш. На основании проведенных структурных исследований определен оптимальный технологичес -ий режим получения таких преобразователей и показано,что ки-[втика кристаллизации селена подчиняется теории кристаллиза -сии полимеров.

Наблюдению пьезоэлектрического' эффекта в селеновых Ш юсвящена следующая часть второй главы, в которой исследуются [ри 300К основные резонансные частоты (014) полученных Ш , [аходящиеся в пределах 175 МГц и 230 МГц для толщины Ш 10мкм [ 7 мкм, соответственно. Используя метод "отражения", наблю-;ались эхо-тяпульсн по амплитудам которых определены потери на ройное прербразование, составляющие 40Д5 . Показано, что юлученные селеновые слои не уступают широко известным Ш из а»0 л и*/80л ■.

Третья глава посвящена исследованию хаотического шве -;ения АЭ систем в сильных электрических полях. На примере гьезополупроводниковых кристаллов теллура и системы селен-геллур показано, что сильно нелинейное АЭ взаимодействие,воз-шкающее в критических электрических полях,приводит к развисши динамического хаоса.

Наблюдалось изменение тока во времени в монокристаллах теллура У. - среза с концентрацией носителей тока 2,7*7* Ю^см-3 и подвижностью 2»4,Ю3см2,1Р|',е'"1 при температуре 77К. На опыте обнаружено,чтс при некоторых значениях эх <трического поля известный режим периодических колебаний тэка з цепи,содержащей такой кристалл.когда период колебаний определяется временем пробега АЭ домена по образцу,сменяется рс -кимом возникновения двух,трех и более доменов и соответствующим

увеличение:.* частоты колебаний. При дальнейшем увеличении электрического шля возникает хаотические колебания тока,которые соответствуют хаотическому зознккновешж) в неустойчивой среде АЭ демонов.Аналогичный переход к хаосу наблюдался при У и 2НЕ.

Импульсные вольт а:лперпие характеристики образцов показывают, что значение тока при заданном напряжении, неоднозначно: одному и тому не значению разности потенциалов соответствует несколько значений тока. Это еще раз указывает на хаотическое возникновение распространяющихся по кристаллу АЭ доменов,пространственный маептаб кезду которыми случаен.

Для сверхкритическях электрических полей, таких, что

на токовых осциллограммах наблюдались точки бифуркации, в.которых происходи!- удвоение, утроение и т.д. частоты ■ колебаний при фиксированных значениях поля. Форш колебаний носит релаксационный характер, причем рост тока во времени происходит очень быстро, а уменьшение его сравнительно медленно.

Это объясняется тем, что пространственные размеры домена малы / —3 —^

Сне более 10 4-10 ""см), и поэтому при выходе из кристалла такого домэна, распространяющегося со скоростью звука, ток в цепи резко нарастает. Характерное время такого нарастания где £ - размеры домена и, следовательно, оказывается поряд -

о п

ка 10 4-10" см. Если считать, что колебания однозначно связаны с распространением в кристалле доменов, то очевидно, что-из-за сильной нелинейности и нелокальности постепенно с ростом электрического поля возникает ситуация, когда в кристалле зарождается один акустоэлектрический домен, затем два, три т.д. тогда в соответствии с обычной картиной развития динамического хаоса частота колебаний будет меняться скачкообразно.Именно это картина наблюдается в многочисленных экспериментах.

Образование хаотического поведения тока для системы се-ен-теллур исследовалось в сильных электрических полях о Ю6.В-см-1 при 77°К. Длительность прикладываемого шлпульс-ого поля составляла 10*30 мкс. Система работала в режиме ге-ератора напряжения. Толщина исследованных селеновых пленок енялась от 5 до 10 мкм.

При подаче прямоугольных импульсов тока в критических

5 Т

лектрических полях выше 4*10 В*см возникают периодические олэбания тока, которые о ростом напряженности электрического оля переходят в хаос. При постоянном электрическом доле во ремени наблюдалась самоорганизация системы. Это находится в довлетворительном согласии о известной картиной вырождения ха-са. Механизм возникновения хаоса, по-видимому, обусловлен перемешиванием поверхностных и объемных зарядов. Причем,возни -аадиК под действием импульса электрического поля пьезопотен-рал понижает рекомбинационные барьеры, что приводит к увели-' :ешпо теша рекомбинации через них, т.е. высота барьера управ-яется располокекякм в барьерной области ракомбинационным уро-яем. .

На основании полученных экспериментальных результатов, »отроены математические модели в вило фазовых портретов',каж-;ой точке на которых соответствуют частные решения системы :елинейных уравнений, (.■•..; описывающей данный процесс. Для бо-;ее~-качественной оценки изменения частоты колебаний тока во (ремени были построены спектральные портреты; причем,портреты ¡троились как для хсаждого периода, колебаний, так и для от -[ельных цугов.

В четвертой глава данной работы описаны сценарии образо->ания динамического хаоса, показана универсальность удвоения

периода по Фейгенбауму, наличке эволюционного хаоса и хаоса через "перемежаемость". Отличаются они, как временными интервалами периодических и хаотических движений, так и характером описания этих движений. Однако, объединяет их то, что все они успешно реализуются на примере нелинейной АЗ системы, в которой образуется динамический хаос. Его образованию предшевству-ют определенные режимы генерации акустических фононов,которые способствуют развитию АЭ доменов.

Нелинейный механизм возникновения неустойчивости,который приводит к развитию картины динамического хаоса состоит в периодическом разрушении и возникновении вновь ажустоэлектричес-кого домена из-за корреляции фаз акустических колебаний внутри самого домена. Эти колебания о одинаковыми частотами и близкими волновыми векторами в результате динамической интерференции создают такое суммарное электрическое поле внутри домена, которое то захватывает электроны в потенциальные ямы и тогда скорость электронов равна или близка к срокости звука , то становится столь мало, что электроны (дырки) вырываются из потенциальных ям и ток в цепи резко увеличивается. Из-за того, что число интерферирующих пар акустических волн может быть достаточно велико, то этот нелинейный механизм может сущест -венно изменять значение тока от его омического значения до значения близкого к насыщению, концентрация

электронов, - скорость звука .

Предполагается,что приведенный механизм взаимодействия доменов с носителями тока в критических электрических полях позволяет.теоретически объяснить явление динамического хаоса в АЭ системах и создать строгую теоретическую модель этого весьма интересного и важного для нелинейной физики процесса.

В заключении подводится итог проделанной работе.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1). Разработано устройство для получения монокристалличес-их слоев селена на теллуровых подложках ориентации ( 1010 ). айден оптимальный технологический режим выращивания эпитакси -льных слоев с необходимыми ориентацией и размерами блоков.

2). Проведены структурные исследования монокристалличео -их пленок селена, выращенных на теллуровых подложках. Показа-о, что с увеличением температур подложки и дефлектора происхо-ит изменение условий кристаллизации селена с кристаллическим овершенствованием структуры. На стадии образования фибриллярных $еролитов селена обнаружен процесс двойникования, который оп -эделяется особе.шостями роста (двойники роста) и зависит от де-эктов упаковки, характерных для данного технологического ре -има.

Полученные экспериментальные результаты по кинетике крис-аллизации селена находятся в удовлетворительном согласии о эорией кристаллизации полимеров.

3). Показано, монокристаллические слои селена, эпитаксиаль-э выращенные на теллуре, могут работать как эффективные пьезометрические преобразователи в частотном диапазоне от 140 МГц

э 250 МГЦ при комнаткой температуре.

Определепы основные резонансные частоты (ОРЧ) селеновых реобразователей, согласующиеся о расчетными. Обнаружен резонанс ЗВ при введении звука, в теллур, который объясняется совпадени-л ОРЧ пьезопреобразователя с одной из гармоник, имеющихся в зстотном спектре анизотропного кристалла теллура. Определен ко-£фициент потерь на двойное преобразование,составляющий 40Д6.

4). На примере образцов с ВАХ, имеющими участок с ОДП, жазано,что АЭ система селен-теллур и монокристалл теллура, 5ладают ярко выраженными нелинейными свойствами, определяемыми

сильной анизотропной АЭ взаимодействия. В критических электрических полях, когда возникает усиление УЗВ электронами прово-. димости, обнаружены осцилляции тока, объясняемые неустойчивым поведением образовавшихся АЭ доменов. Изменение частоты и периода осцилляции, при дальнейшем повышении внешнего электрического поля, носит закономерный характер и подчиняется сцена рию образования хаоса (Фейгенбаума).

5). В системе с сильно нелинейным АЭ взаимодействием в условиях сверхзвукового дрейфа носителей тока обнаружены переходы типа порядок-хаос-порядок, проявляющиеся с ростом электрического поля в последовательном превращении простых периодических колебаний тока через бифуркации удвоения периода в хаотический режим и в трансформации хаотических колебаний в регулярные через удвоения частоты при дальнейшем повышении параметра надкри-тичности*

6). В сильно нелинейной акустоэлектронной системе в условиях звуковой неустойчивости обнаружены и исследованы фазовые переходы типа порядок-хаос-порядок, развивающиеся по различным сценариям (сценарий Фейгенбаума, эволюционный, переходной, пе-ремежаемрсти и ползучий) в зависимости от электрических характеристик образцов и величины параметра надкритичности.

7). Впервые' в акустозлектронных системах обнаружен процесс самоорганизации, когда в пределах существования хаотического аттрактора находится замкнутый цикл автоколебаний.

8). При помощи математического моделирования проведен численный эксперимент и построена математическая модель в виде фазового портрета диссипативной динамической системы,описываемой нелинейными уравнениями.

Построены спектральные портреты,соответствующие переходным процессам и показано,что при бифурякационноы переходе из-

Ш9НЯ9 чаогосного опвктра колебаний сопровождается эначитель-м выделением амплитуды второй гармоника.

9). Анализ полученных экспериментальных разул га «в, рао-)г фазовых траекторий л соогветогвупцих опекгральных поргре-)в позволяли теоретически описать нелинейный мвхянази возник->вения неустойчивости, который приводи! к развитию картины шамического хаоса в акустовлзктроаных системах.

10). Полученные екоперямвнтальные результаты и првдлокен-& теоретический механизм развития динамического хаоса в аку-гоалвктронных ояотемах могут внести свой вклад в изучение я эзвятие нелинейной физики я нелинейной ахустоадектронякя, в эотноотя.

Отдельные чаотя работ докладывались не конференциях

. R.I.Baahlrov, V.I.Pustovolt, V.Z.Zhokbov, g.g.blberman, V.V.Zhokhov. Dynamic chaos in unstable noa-lincar aooueto-» electronic eystems.//"AE-t}9H, Varna, Bulgaria. iV.1, P. 270.

. VvY.Zbokhov^ V.Z.7-holchov, Ы.К.ЫЪехвш. Sous structural features of eplt&xially grown selenium films on tellyrium substrates.//XII European ciyetallographic meeting. Koacow, USSR, 1989,V.1, P.257. I. Р.И.Батяров, В.И.Пуоювойт, В.3.Жохов, Н.Н.Лаберыан, B.B.Ie-хов. Динамический хаоо в неустойчивых нелинейных акусто-электронных системах./Д1У Всесоюзная конференция но акуо-гоэлектронике а физической акуогикв твердого гада. Г.Килш-нев, 13-15 июня, 1989, r.I, o.2I.

4. И.К.Кашлов, Р.И.Балшров, В.И.Цустовойт, В.З 1охов,Н.Н.Ли-берман, В.В.Жохов. Акустоэлектронные системы со стохасти -ческпм прведением .//Материалы конференции "Акустоэлектроиные устройству обработки информации на поверхностных акустических волнах". Черкассы, 6-8 сентября,1930, с.275.

5. И.К.Камшюв, Р.И.Бьширов, В.И.Цустовойт, В.3.2охов,Н.Н.Ли-берман, В.В.Кохов. Динамический хаос в условиях звуковой неустойчивости.// ХП Всесоюзная конференция по физике полупроводников. г.Киев, 23-25 октября,1990, т.2, с.160д

6. И.К.Кашлов, Р.И.Балшров, В.И.Цустовойт, В.3.1охов,Ы.Ы. Либерия, В.В.Жохов. Динамический хаос в акустоэлектронных системах с генерацией фононов.// XI Всесоюзная акустическая

• конференция. И.,1991, 0.49.

7. И.К.Камидов, Р.И.Балшров, В.И.Цустовойт, В.В.1охов,Н.Н.1и-берман,В.В.1охов. Генерация электромагнитных волн а сгзте-мах со стохастическим поведением.// Труды Всесоюзной школы. "Взаимодействие электромагнитных волн с твердым телом". Саратов, изд.Саратовского университета, 19Э1, с.124.

Печатались в научных журналах и сборниках.

.V

1. В.В.Еохов, А.З.Эфендивв, В З.Жохов. Пьезоэлектрические свойства пленок селена,осажденных на теллур.//Известия ВУЗов,

' серия "Физика", 1989, 10, с.127.

2. В.В.Еохов. К вопросу о стохастической неустойчивости тока в системе оелен-теллур.// Сб.трудов Института физики Дат. ФАН СССР. "Транспортные в магнитные явления в полупроводниках и ыеталооксидах", Махачкала, 1989, с.120.

3. Р.И.Башмров, В.З.Кохов, Н.Н.Либерман, А.М.ЭДусаев,В.В.Еохов. Фазовыо переходы порядок-хаос- и хаос-порядок в динамике

стохастическрй неустойчивости монокристаллов теллура.//Cd. трудов Института физики Дат.ФАН СССР "Фазовые переходы и теплофззические свойства многокомпонентных систем",Махачкала, 1990, с. 160.

Защищены.авторскими сводетельством.

. В.З.Дохов, В.В.Жохов. Устройство для получения монокристаллических слоев./ A.C. & 1555400, 1989.