Физические свойства и структурные особенности легированных германием монокристаллов кремния, выращенных в условиях жидкостной подпитки тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

На правах рукописи

РГВ од

1 з дек ?пт

ЕЖЛОВ Вадим Сергеевич

ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И СТРУКТУРНЫЕ ОСОБЕННОСТИ ЛЕГИРОВАННЫХ ГЕРМАНИЕМ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ В УСЛОВИЯХ ЖИДКОСТНОЙ ПОДПИТКИ

Специальность 01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Москва 2000

Работа выполнена в Московском государственном институте стали и сплавов (технологическом университете)

Научный руководитель: кандидат технических наук,

профессор Дашевский М.Я.

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, профессор Якимов Е.Б.

доктор технических наук, профессор Батавин В.В.

Ведущая организация:

Московский государственный институт электроники и математики

Защита состоится

декабря 2000 г. в

ч. на заседании

диссертационного совета Д 053.08.06 в Московском государственном институте стали и сплавов (технологическом университете) (117936, г. Москва, Ленинский проспект, д.4, корпус "К", к._).

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Московского государственного института стали и сплавов (технологического университета).

Автореферат разослан " $,))" ноября 2000 ]

Ученый секретарь диссертационного

совета Д 053.08.06, д.ф-м.н. В.В. Герасысин

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы

Легирование кремния изовалентными примесями, которые, как правило не являются электрически активными, однако могут влиять на процессы дефектообразования, - один из перспективных путей управления его свойствами.

Германий в кремнии является изовалентной примесью. Установлено, что германий влияет на энергию образования точечных дефектов, способствует гетгерированию примесей, тормозит образование термодоноров в кремнии. Установлено также, что после облучения электронами изменение физических свойств в легированных германием монокристаллах кремния происходит иначе, чем в нелегированных.

В связи с тем, что германий заметным образом влияет на физические свойства монокристаллов кремния, важно изучение распределения его в объеме монокристалла. Важнейшей является задача разработки рекомендаций по выращиванию монокристаллов кремния большого диаметра, содержащих одновременно несколько легирующих примесей с заданным их распределением по кристаллу.

Изучение влияния германия на образование дефектов в монокристаллах кремния в условиях облучения быстрыми электронами и имплантации ионов разных масс позволит расширить представления о природе возникающих дефектов.

Цель и задачи работы

Целями работы являлось изучение влияния германия па образование радиационных дефектен в монокристаллах кремния.

Для их осуществления требовалось решить следующие задачи:

з

• выявить особенности распределения германия в сложнолегировашшх монокристаллах кремния, выращенных модифицированным методом Чохральского - методом жестко закрепленных сообщающихся сосудов;

. выявить природу и концентрацию дефектов, возникающих в монокристаллах кремния, легированных германием при облучении их электронами с энергией 6 МэВ и флюенсами 1012-1016 см-2;

• выявить природу и концентрацию дефехстов, возникающих в монокристаллах кремния, легированных германием при имплантации ионов УВ подгруппы (Р, БЪ).

Научная новизна

Установлено, что в легированных германием монокристаллах кремния, выращенных модифицированным методом Чохральского (методом жестко закрепленных сообщающихся сосудов), германий распределен макрооднородно; однако наблюдающиеся микронеоднородноста в его распределении могут быть связаны с микроколебаниями параметров процесса выращивания;

Определен эффективный коэффициент распределения германия в кремнии (КЭфф=0,58) при концентрации германия в расплаве ~1 ат.% и следующих параметрах выращивания: скорость роста ~1 мм/мин; скорость вращения кристалла ~20 об/мин; скорость вращения тигля ~5 об/мин;

Установлено, что в облученных быстрыми элекгронами легированных германием монокристаллах кремния концентрация дивакансий и К-центров (комплексов, связанных с дивакансией, атомами углерода и кислорода) выше, чем в нелегированных монокристаллах;

Установлено, что при имплантации в монокристаллы кремния р-типа ионов фосфора образуются донорные центры Е\гК0,2±0,03) эВ и

Еу-(0,3±0,03) эВ, при этом введение германия уменьшает концентрацию центра Еу+(0,2±0,03) эВ и увеличивает концентрацию центра Еу+(0,3±0,03) эВ;

Установлено, что при имплантации в монокристаллы кремния ионов сурьмы образуются дефекты допорного типа Еу( (0,24+0,05) эВ, Еу+(0,50±0,05) эВ и акцепторного типа Ес-(0,45±0,05) эВ, при этом введение германия увеличивает концентрацию акцепторных центров.

Практическая значимость

Полученные данные о распределении германия в монокристаллах кремния могут быть использованы при совершенствовании метода жестко закрепленных сообщающихся сосудов при выращивании монокристаллов кремния и других полупроводников большой массы с заданным распределением одной или нескольких примесей.

Исследования процессов образования и взаимодействия дефектов кристаллической структуры монокристаллов кремния, легированных германием, при воздействии электронных и ионных пучков могут быть использованы при разработке новых приборов и технологических процессов, использующих электронное облучение и имплантацию.

Основные положения, выносимые на защиту

При облучении электронами (Е=6МэВ, флюенсами 1012-1015 см"2, при температурах ~80 и ~360 К) монокристаллов кремния, легированных и нелегированных германием, образуются дефекты донорного типа с энергетическими положениями Еу+(0,2+0,03) эВ (дивакансия) и Еу+(0,36±0,03) эВ (К-центр). Германий увеличивает концентрацию этих дефектов.

При имплантации ионов фосфора в монокристаллы кремния, легированные и нелегированные германием образуются дефекты донорного типа с энергетическими положениями Еу+(0,2±0,03) эВ и £у+(0,3±0,03) эВ.

5

Германий увеличивает концентрацию дефектов Бу|(0,3±0,03) эВ и уменьшает Бу+(0,2+0,03) эВ.

При имплантации ионов сурьмы в монокристаллы кремния, легированные и нелегированные германием образуются дефекты донорного типа Еу+(0,24±0,05) эВ, Е\Н (0,5±0,05) эВ и акцепторного типа Ес-(0,45±0,05) эВ. Концетрация донорных дефекгов не зависит ог содержания германия, а концентрация дефектов акцепторного типа растет с увеличением концентрации германия.

Апробации работы Результаты работы докладывались и обсуждались на:

- Первой Всероссийской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-96") (Москва, 1996);

- V Международной конференции "Термодинамика и материаловедение полупроводников" (Москва, 1997);

- Втором Российском симпозиуме "Процессы тепломассопереноса и рост монокристаллов и тонкопленочных структур" (Обнинск, 1997);

- Международной конференции по росту и физике кристаллов, посвященной памяти М.П.Шаскольской (Москва, 1998);

- летней школе "Кремшш-98" (Москва, 1998);

- Третьей Российской конференции "Процессы тепломассопереноса и рост монокристаллов н тонкопленочных структур" (Обнинск, 1999);

- Второй Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Крсмний-2000") (Москва, 2000);

- IX Национальной конференции по росту кристаллов (НКРК-2000) (Москва, 2000);

б

- научных семинарах кафедры материаловедения полупроводников Московского института стали и сплавов.

Публикации

По материалам диссертации опубликовано 10 печатных работ.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов и списка литературы, состоящего из 104 наименований. Работа изложена на 157 страницах и включает 71 рисунок и 27 таблиц.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении дана общая характеристика работы, обоснована актуальность темы, сформулированы цели и задачи работы, ее научная новизна и основные положения, выносимые на защиту.

Первая глава посвящена краткому анализу литературных данных, необходимых для последующих разделов работы и характеризующих состояние исследований к моменту постановки работы. Рассмотрено поведение германия в кремнии. Обсужден процесс выращивания монокристаллов кремния, легированных одновременно несколькими добавками, модифицированным методом Чохральского - методом жестко закрепленных сообщающихся сосудов. Проанализировано влияние германия на процессы образования дефектов в легированных монокристаллах кремния при облучении их электронами с высокими энергиями и при имплантации в монокристаллы кремния ионов УВ подгруппы Периодической системы Менделеева. Описаны физические процессы, лежащие в основе экспериментального исследования глубоких уровней методом нестационарной емкостной спектроскопии (БЫ8), и обсуждены возможности и ограничения этого метода.

На основании анализа литературных данных обоснованы и сформулированы цели работы.

Вторая глава посвящена описанию особенностей и условий подготовки образцов к измерениям, а также кратко проанализированы экспериментальные методики, использующиеся в данной работе. Описаны блок-схемы установок для проведения экспериментов. Дано описание установок для облучения быстрыми электронами при температурах ~360 К и ~80 К и имплантации в кремний ионов разных масс (Р, ЭЬ). Приведены режимы огжигов имплантированных монокристаллов кремния.

Распределение германия изучали методом рентгеновского микроанализа с использованием установки СатБсап СБ 44.

Для определения параметров глубоких уровней в запрещенной зоне кремния использовали один из наиболее чувствительных методов, применяемых в современной физике и материаловедении - метод нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (НЕСГУ или БЬТБ).

Концентрацию носителей заряда в кристаллах определяли с помощью эффекта Холла. Измерение удельного сопротивления осуществляли четырехзондовым методом при 300 К. По результатам этих измерений рассчитывалась подвижность носителей заряда.

Содержание кислорода в кремнии определяли по спектрам ИК-поглощения в области длин волн 5-15 мкм.

Время жизни неосновных носителей заряда определяли по спаду лазерно-индуцированной фотопроводимости.

Для выявления дислокаций использовали селективное травление монокристаллов кремния.

В третьей главе описаны объекты исследования, условия и особенности получения монокристаллов кремния и их свойства. Приведены схемы препарирования образцов.

Четвертая глава содержит описание результатов исследований:

• распределения германия в монокристаллах кремния, выращенных методом жестко закрепленных сообщающихся сосудов;

• свойства и структурные особенности монокристаллов кремния после облучения их электронами с энергией б МэВ;

• свойства и структурные особенности монокристаллов кремния, легированных германием, после имплантации в них элементов УВ подгруппы (Р, БЬ).

Метод жестко закрепленных сообщающихся сосудов (ЖЗСС) относится к методам с жидкостной капиллярной подпиткой; он позволяет выращивать не только однороднолегированные, но и совершенные, в том числе бездислокационные, монокристаллы. С его помощью можно выращивать легировашше монокристаллы, с однородным распределением нескольких примесей. В настоящей работе в монокристаллах кремния, легированных совместно бором и германием, выращенных методом ЖЗСС, исследовали распределение германия. Исследования показали, что использованная технология получения монокристаллов позволила вырастить монокристаллы кремния, с макрооднородным распределением германия.

Физические свойства исследуемых монокристаллов кремния представлены в табл. ].

Распределение германня в монокристаллах исследовали методом рептгеноспектральпого микроанализа. Этот метод обладает высокой локальностью и позволил определять колебания концентрации германия с

чувствительностью до МО19 см'3 при средней концентрации германия 2,8-1020 см'3.

Таблица 1

Физические свойства исследуемых монокристаллов кремния

Концентрация бора, см'3 1,4.10"

Концентрация германия, см"3 2,8-Ю20

Концентрация кислорода, см"3 -8-1017

Подвижность дырок, см2/В-с -350

Время жизни неосновных носителей заряда, мке -100

Плотность дислокаций, см"2 -104

Было проведено изучение распределения германия по длине и поперечным сечениям монокристаллического слитка. Исследование по длине слитка проводили, определяя концентрацию германия на поперечных шайбах, при различных долях закристаллизовавшегося расплава. Объемы, которые исследовали для определения концентрации германия, составляли величину порядка нескольких тысяч кубических микрометров. Распределение, полученное при определении концентрации германия в таких объемах, рассматривали как макрораспределение. Исследование показало, что германий распределен макрооднородно по длине монокристалла и на поперечных сечениях. Таким образом, разработанная технология выращивания монокристаллов методом ЖЗСС позволяет получать монокристаллы кремния массой несколько килограмм с макрооднородным распределением германия.

Было проведено изучение распределения германия в монокристаллах кремния при оценке его содержания в меньших объемах монокристалла (объем монокристалла, в котором определяли содержание германия, составлял ~4 мкм3). Распределение германия, полученное в ходе исследований таких объемов, рассматривали как микрораспределение. Микрораспределение германия исследовали но длине монокристалла и на поперечных сечениях на

ю

отрезках прямых длиной 200 мкм. Исследуемые объемы были расположены на расстоянии 10 мкм друг от друга. Выявлены отклонения концентрации германия от среднего значения. Максимальное изменение концентрации германия от среднего значения 2,8-1020 см"3 составляло на поперечных сечениях ±4-1019см"3 и па продольных сечениях ±5-1019 см"3. Это микронеоднородное распределение германия может быть связано с колебаниями параметров процесса выращивания монокристалла, например, пульсациями мгновенной скорости роста, следовательно, с изменением эффективного коэффициента распределения германия.

В этой главе также приведены результаты изучения влияния германия на природу и концентрацию радиационных дефектов, возникающих в монокристаллах кремния, облученных электронами с энергией 6 МэВ и флюенсами МО12 - МО16 см"2. Облучение проводили при температуре -360 К и -80 К.

Объектами исследования являлись монокристаллы кремния легированные бором и совместно бором и германием. Их физические свойства подобны свойствам приведенным в табл.1. Концентрацию германия в монокристаллах кремния изменяли от 0,5 до 2 ат.%

Изучение радиационных дефектов проводили с помощью метода нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (НЕСГУ или СЬТБ). Спектры ПЬ'ГЯ получали в интервале температур 77-350 К.

Предварительно, перед облучением электронами были сняты спектры БЬТБ исследуемых монокристаллов. Глубоких уровней в образцах монокристаллов кремния, легированных бором и совместно бором и германием, не было обнаружено.

После облучения при -360 К и -80 К образцов 51<В> и 81<В,Ое> быстрыми электронами на спектрах ВЬТ,3 обнаружены два пика,

соответствующих донорным дефектам с уровнями Е\^(0,20±0,03) эВ и Еу+(0,3б±0,03) эВ. Концентрация дефектов, связанных с этими уровнями больше в монокристаллах, содержащих германий (рис.1). С увеличением флюенса и концентрации германия растет концентрация обнаруженных дефектов.

После сопоставления параметров дефектов с литературными данными можно предположить, что глубокий донорный уровень Еу+(0,20±0,03) эВ принадлежит дивакансии (У2+), а уровень Еу+(0,36+0,03) эВ - К-пентру (Уг-О-С). Это может быть связано с тем, что введение в кремний германия (примеси, приводящей к отрицательной дилатации) облегчает образование при облучении вакансионных дефектов.

Е=*6МэВ,

А

364-Щ Е-6М5В «МО1* сы"5

А

1 /

I! /1

Гдоперйтуре. К

а б

Рис.1. Спектры ПЬТБ облученных быстрыми элекфонами монокристаллов кремния, нелегированных германием (а) и легированных германием (Ио^З-Ю20 см"3) (б).

Сразу же после облучения быстрыми электронами при ~360 К нг образцах были измерены электрофизические свойства. В монокристаллах БКВ^ и 5><В,Ос> концентрация дырок уменьшается. Это уменьшение связано

12

по-видимому, с образованием термодоноров в процессе облучения, причем концентрация термодоноров в образцах, легированных германием, меньше. Подвижность основных носителей заряда после облучения существенно не меняется, а время жизни неосновных носителей заряда резко упало. После облучения быстрыми электронами при -80 К концентрация дырок не изменилась.

После имплантации ионов фосфора в монокристаллы кремния, легированные и нелегированные германием и последующего отжига при 550 °С, были сняты спектры DLTS и обнаружены донорные уровни в запрещенной зоне Ev+(0,20±(),03) эВ и Ev+(0,30±0,03) эВ. Эти уровни связаны с образовавшимися дефектами. При введении германия концентрация дефекта, связанного с глубоким уровнем Ev+ (0,20±0,03) эВ уменьшалась. В монокристаллах кремния, содержащих германий, концентрация дефектов, создающих глубокий уровень Еу* (0,30+0,03) эВ была выше по сравнению с монокристаллами кремния не содержащими германий.

Имплантация в монокристаллы кремния ионов сурьмы и последующий отжиг при 550 °С привели к образованию дефектов с энергетическими положениями уровней в запрещенной зоне Ev+(0,24±0,03) эВ, Ev+(0,50±0,03) эВ и Ес-(0,45+0,03) эВ. Первые два дефекта являлись донорами, а последний акцептором. Концентрация дефектов, связанных с допорными уровнями существенно не зависела от содержания германия, а концентрация дефектов, связанных с акцепторным уровнем заменю увеличивалась с ростом содержания германия. Возможно, что акцепторный центр принадлежит комплексу, состоящему из атомов сурьмы и вакансий.

В пятой главе обсуждаются результаты, полученные в работе.

Основные выводы по результатам проведенной работы:

1. Установлено, что в монокристаллах кремния, легированных германием и выращенных методом жестко закрепленных сообщающихся сосудов, германий распределен макрооднородно. Однако при уменьшении анализируемых объемов монокристалла до ~4 мкм3, выявлены микронеоднородности в распределении германия. Отклонения концентрации германия от среднего значения (2,8 1020 см'3) составляли 4,5-Ю19 см'3. Предположено, что это связано с микроколебаниями скорости роста, а, следовательно, с изменением эффективного коэффициента распределения германия.

2. Определен эффективный коэффициент распределения германия в кремнии (Кэфф) при концентрации германия в расплаве ~1 ат.% и следующих параметрах выращивания: скорость роста ~1 мм/мин; скорость вращения кристалла ~20 об/мин; скорость вращения тигля ~5 об/мин. Эффективный коэффициент распределения равен ~0,58.

3. Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней установлено, что в облученных быстрыми электронами {Е=6 МэВ, Ф=(М014 - 1-Ю15) см'2, То6х&80 К) монокристаллах кремния, однороднолегированных бором и совместно бором и германием, образуются радиационные дефек-гы донорного типа, создающие глубокие уровни; параметры дефектов:

а) (0,20+0,03) эВ, сечение захвата 4-10'16 сиг;

б) £ц-+(0,36±0,03) эВ, сечением захвата 1-Ю"15 см2.

Сопоставление установленных параметров дефектов с литературными данными позволяет считать, что выявленными дефектами являются дивакансия (У2) и А'-центр (ОгСх-У2). Введение германия увеличивает

концентрацию этих дефектов. Таким образом, германий способствует образованию точечных дефектов (или их комплексов), содержащих вакансии.

4. Установлено, что с увеличением флюенса быстрых электронов концентрация выявленных дефектов растет в большей степени в монокристаллах кремния, легированных германием. Так, например, концентрация дивакансий в легированных германием монокристаллах кремния при увеличении флюенса с ТО14 до 10ь см"2 увеличивается вдвое по сравнению с нелегнрованными монокристаллами.

5. При исследовании влияния имплантации донорных примесей с разными массами (Р, ЯЬ) методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней установлено:

5.1. при имплантации фосфора (£=250 кэВ, флюенс 1012 см'2, ТО1Ж^550 °С, (огл: ~30 мин.) в монокристаллах кремния, однороднолегированных бором и совместно бором и германием, в /ьобласти образуются вторичные радиационные дефекты донорного типа, создающие глубокие уровни; параметры дефектов:

а) £>К0,2±0,03) эй, сечение захвата МО"17 см2;

б) £,+(0,3±0,03) эВ, сечение захвата МО"16 см2.

При введении германия концентрация дефектов, связанных с уровнем Е] +(0,2±0,03) эВ уменьшается, а связанных с уровнем £[+(0,3±0,03) эй увеличивается.

5.2. при имплантации сурьмы (¿'-=250 кэВ, флюенс 1012 см'3, Готж=650 °С, ?отж-30 мин.) в монокристаллах кремния, однороднолегированных бором и совместно бором и германием, в ¿»-области образуются вторичные радиационные дефекты, создающие глубокие уровни; параметры дефектов: а) £г* (0,24+0,05) эВ, сечение захвата 1 ТО"16 см2, донор;

15

б) £У+(0,50±0,05) эВ, ссчение захвата 1-Ю"11 слг, донор;

в)Ес-(0,45±0,05) эВ, ссчение захвата МО"15 см2, акцептор. Концентрация дефектов £t+(0,24±0,05) эВ и £гК0,5±0,05) эВ не зависит от содержания германия; концентрация дефектов £с-(0,45±0,05) эВ с увеличением концентрации германия растет. Высказано предположение, что эти радиационные центры представляют собой комплексы точетшых дефектов, в частности уровень Ес-ф,45±0,05) эВ, по-видимому, образован комплексом атомов сурьмы и вакансий.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Дашевский М.Я., Карпов Ю.А., Филиппов М.Н., Ежлов B.C., Музыченко Г.А., Петров В.В., Широкопояс A.B., МихненкоВ.М. Особенности распределения германия в легированных монокристаллах кремния, выращенных методом жестко закрепленных сообщающихся сосудов //Изв. вузов Цветная металлургия, 1997, №5, с.32-36.

2. Дашевский М.Я., Иванченко В.И., Филиппов М.Н., Ежлов B.C., Широкопояс A.B. Распределение германия в монокристаллах кремния /В сб. трудов Второго Российского симпозиума "Процессы тепломассопереноса и рост монокристаллов и тонкоиленочных структур". Обнинск, 1998, с.181-188.

3. Дашевский М.Я., Ежлов B.C., Ладыгин Е.А., Горюнов H.H.. Горшунов B.C., Мусалитин A.M., Юрчук С.Ю. Свойства облученных быстрыми электронами монокристаллов кремния, легированные германием //Изв. вузов Материалы электронной техники, 1999, №4, с.27 29.

4. Дашевский М.Я., Карпов Ю.А., Филиппов М.Н., Ежлов B.C. Музыченко Г.А., Петров В.В., МихненкоВ.М. Особенноат

распределения германия в легированных монокристаппах кремния, выращенных методом жестко закрепленных сообщающихся сосудов. //Тезисы докладов Первой Всероссийской конференции по метериаповедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-96"), Москва, 1996, с.51.

5. Дашевский МЛ., Филиппов М.Н., ЕжловВ.С., Широкопояс A.B. Особенности распределения германия в легированных монокристаллах кремния, выращенных методом нормальной кристаллизации. //Тезисы докладов V Международной конференции "Термодинамика и материаловедение полупроводников", Москва, 1997, с.43.

6. Дашевский МЛ., Иванченко В.П., Филиппов М.Н., ЕжловВ.С., Широкопояс A.B. Распределение германия в монокристаллах кремния. //Тезисы докладов Второго Российского симпозиума "Процессы тепломассопсреноса и рост монокристаллов и тонкопленочных структур", Обнинск, 1997, с.53.

7. Дашевский М.Я., Иватгченко В.И., Филиппов М.Н., Ежлов B.C., ЛевтовВ.Л., Романов В.В. Структурные особенности и физические свойства легированных монокристаллов кремния, выращенных в условиях микрогравитации. //Тезисы докладов Международной конференции по росту и физике кристаллов, посвященной памяти М.П.Шаскольской, Москва, 1998, с.53.

8. Дашевский МЛ., Антипин Л.Г., ЕжловВ.С. Физические свойства сичънолегированных монокристаллов кремния. //Тезисы докладов Второй Российской конференции по метериаловеденшо и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-2000"), Москва, 2000, с.54.

9. Дашевский М.Я., Нжлов B.C., Ладыгин Е.А., Горюнов H.H., Мусалитин A.M., ЮрчукС.Ю., ГоршуновВ.С. Образование дефектов в спожнолегированных монокристаллах кремния при облучении их быстрыми электронами. //Тезисы докладов Второй Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-2000"), Москва, 2000, с.55.

10. Дашевский М.Я., Ежлов B.C., Мусалитин А.М., Горшунов B.C., Ладыгин Е.А., Горюнов H.H., ЮрчукС.Ю., Дефект ообразование в легированных германием монокристаллах кремния при облучении их быстрыми электронами. //Тезисы докладов IX конференции по росту кристаллов (НКРК-2000), Москва, 2000, с.

Подписано в печать 20.11 2000г.

Формат бумаги 60x86/16 Тираж 100 экз.

Заказ № ЪЧ

Объем 1 пл.

Отпечатано в типографии МИСиС 117936, г. Москва, Ленинский проспект, 4

ВВЕДЕНИЕ

1. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

1.1. Поведение германия в кремнии

1.2. Выращивание монокристаллов кремния, легированных германием

1.3. Образование дефектов в легированных германием монокристаллах кремния, облученных электронами с высокими энергиями

1.4. Образование дефектов в легированных монокристаллах кремния после имплантации ионов VB подгруппы Периодической системы Д.И.Менделеева

1.5. Возможности и ограничения метода DLTS при определении параметров дефектов, создающих в запрещенной зоне кремния глубокие уровни

1.6. Цели работы

2. METO ДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ

2.1. Рентгеноспектральный микроанализ

2.2. Нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней (DLTS)

2.3. Определение концентрации носителей заряда с помощью эффекта Холла; определение удельного сопротивления; расчет подвижности носителей заряда

2.4. Определение содержания кислорода

2.5. Определение времени жизни неосновных носителей заряда

2.6. Селективное травление

2.7. Облучение монокристаллов кремния быстрыми электронами

2.8. Имплантация в монокристаллы кремния ионов элементов

VB подгруппы

2.9. Режимы отжига имплантированных образцов

3. ОБЪЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ

4. ИССЛЕДОВАНИЕ И ЕГО РЕЗУЛЬТАТЫ

4.1. Распределение германия в легированных германием монокристаллах кремния, выращенных методом жестко закрепленных сообщающихся сосудов

4.2. Физические свойства монокристаллов кремния после облучения их быстрыми электронами с энергией 6 МэВ

4.3. Физические свойства монокристаллов кремния после имплантации в них элементов VB подгруппы

5. ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ 138 ВЫВОДЫ 148 СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Важность исследования физических свойств и структурных особенностей монокристаллов кремния определяется тем, что кремний является основным материалом микроэлектроники, силовой электроники, солнечной энергетики. Наряду с исследованием влияния электрически активных добавок на физические свойства кремния, большой интерес представляет изучение влияния изовалентных добавок (ве, Яи) на эти свойства.

Известно /1-9/, что германий - основная изовалентная добавка в кремнии -влияет на энергию образования точечных дефектов, тормозит скорость образования термодоноров в кремнии, влияет на скорость диффузии примесей. Германий способствует созданию внутреннего геттера в объеме монокристаллов кремния, что влияет на их рекомбинационные свойства, в том числе увеличивает время жизни неравновесных неосновных носителей заряда. Германий влияет на радиационную стойкость кремния/10-12/.

В связи с тем, что германий заметным образом влияет на физические свойства монокристаллов кремния, важно изучение распределения его в объеме монокристаллов, выращенных различными методами и разработка процесса выращивания монокристаллов кремния с макро- и микрооднородным распределением германия.

Изучение механизма образования и природы различных точечных дефектов в бездислокационных и малодислокационных монокристаллах кремнии, подвергнутых различным видам воздействия (облучению быстрыми электронами, имплантации ионов различных масс), является важной фундаментальной задачей. Представляет безусловный интерес исследование процессов образования радиационных точечных дефектов в монокристаллах кремния, легированных германием и анализ путей управления типом и концентрацией этих дефектов с помощью изовалентных добавок.

В работе изучали физические свойства и структурные особенности монокристаллов твердых растворов системы кремний-германий; концентрация германия составляла ~(0,5-2) ат.%.

ВЫВОДЫ

Исследованы физические свойства, и структурные особенности малодислокационных монокристаллов кремния, легированных германием (в интервале концентраций 5-Ю19 - 5-1020 см"3) и бором (~1015 см"3), выращенных методом Чохральского и методом жестко закрепленных сообщающихся сосудов.

1. Установлено, что в монокристаллах кремния, легированных германием и выращенных методом жестко закрепленных сообщающихся сосудов, германий распределен макрооднородно. Однако при уменьшении анализируемых объемов монокристалла до -4 мкм, выявлены микронеоднородности в распределении германия. Отклонения концентрации германия от среднего значения (2,8-10 см' ) составляли 4,5-1019 см3. Предположено, что это связано с микроколебаниями скорости роста, а, следовательно, с изменением эффективного коэффициента распределения германия.

2. Определен эффективный коэффициент распределения германия в кремнии (Кэфф) при концентрации германия в расплаве ~1 ат.% и следующих параметрах выращивания: скорость роста ~1 мм/мин; скорость вращения кристалла -20 об/мин; скорость вращения тигля -5 об/мин. Эффективный коэффициент распределения равен-0,58.

3. Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней установлено, что в облученных быстрыми электронами (Е=6МэВ, Ф=(1-1014 - МО13) см"2, Гобл.-80/О монокристаллах кремния, однороднолегированных бором и совместно бором и германием, образуются радиационные дефекты донорного типа, создающие глубокие уровни; параметры дефектов: а) ЯгК0,20±0,03)сечение захвата 4-10"16 см2\ б) £"гК0,36+0,03) эВ, сечением захвата МО"13 с/и2.

Сопоставление установленных параметров дефектов с литературными данными позволяет считать, что выявленными дефектами являются дивакансия (У2) и /Лцентр (<9,-С.г^). Введение германия увеличивает концентрацию этих дефектов. Таким образом, германий сцособствует образованию точечных дефектов (или их комплексов), содержащих вакансии.

4. Установлено, что с увеличением флюенса быстрых электронов концентрация выявленных дефектов растет в большей степени в монокристаллах кремния, легированных германием. Так, например, концентрация дивакансий в легированных германием монокристаллах кремния при увеличении флюенса с 1014 до 1015 см-2 увеличивается вдвое по сравнению с нелегированными монокристаллами.

5. При исследовании влияния имплантации донорных примесей с разными массами (Р, БЬ) методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней установлено:

5.1. при имплантации фосфора (£'=250 кэВ, флюенс 10 см'", отж. 550 С, отж=30 мин.) в монокристаллах кремния, однороднолегированных бором и совместно бором и германием, в /^-области образуются вторичные радиационные дефекты донорного типа, создающие глубокие уровни; параметры дефектов: ^

17 0 а) Е]Л{0,2±0,03) эВ, сечение захвата 1 • 10" см"; б) £У+-(0,3±0,03) эВ, сечение захвата 1- Ю"16 см2.

При введении германия концентрация дефектов, связанных с уровнем £У+(0,2±0,03) эВ уменьшается, а связанных с уровнем £>+(0,3±0,03) эВ увеличивается.

5.2. при имплантации сурьмы (7^250 кэВ, флюенс 1012 см'2, ТОГЖ=650 °С, ¿отж.^30 мин.) в монокристаллах кремния, однороднолегированных бором и совместно бором и германием, в /^-области образуются вторичные

150 радиационные дефекты, создающие глубокие уровни; параметры дефектов: а) £V+(0,24±0,05) эВ, сечение захвата 1-Ю"16 см2, донор; б) £V+(0,50±0,05) эВ, сечение захвата 1-Ю"11 см2, донор; тс 9 в) Fc-(0,45±0,05) эВ, сечение захвата 1-10" см , акцептор. Концентрация дефектов £Y+(0,24±0,05) эВ и i?//+(0,5+0,05) эВ не зависит от содержания германия; концентрация дефектов .£'с-(0,45±0,05) эВ с увеличением концентрации германия растет. Высказано предположение, что эти радиационные центры представляют собой комплексы точечных дефектов, в частности уровень Ес-(0,45±0,05) эВ, по-видимому, образован комплексом атомов сурьмы и вакансий.

В заключении считаю своим долгом выразить искреннюю благодарность проф. Дашевскому М.Я. за постановку задачи и научное руководство, постоянную помощь и полезное обсуждение полученных результатов. Автор выражает благодарность сотрудникам кафедры материаловедения полупроводников и других кафедр МИСиС, оказывавшим помощь в проведении эксперимента. •

1. М.Г.Кекуа, Э.В.Хуцишвили Твердые растворы полупроводниковой системы германий-кремний. Тбилиси: Мецниереба, 1985.

2. Бугай A.A., Максименко В.М., Неймарк Е.И., Шанина Б.Д., Грачев В.Г., Шаховцов В.И. "Изучение локальных искажений ячеечного потенциала доноров в сплаве Sij.xGex методами ЭПР и спин-решеточной релаксации" //ФТТ, 1984, том 26, вып.11, с.3338-3346.

3. Неймарк Е.И., Шанина Б.Д. "Локальное искажение кристаллического потенциала и примесные состояния в сплаве кремний-германий" //ФТП, 1987, том 21, вып.4, с.757-759.

4. Соловьева Е.В., Мильвидский М.Г. "Особенности дефектообразования в полупроводниках при изовалентном легировании" //ФТП, 1983, том 17, вып.11, с.2022-2024.

5. Горбачева H.H., Курбаков А.И., Мильвидский М.Г., Рубинова Э.Э., Трунов В.А., Туровский Б.М. "Структурное несовершенство монокристаллического кремния, легированного германием" //Кристаллография, 1986, том 31, вып.5, с.994-996.

6. Дашевский М.Я., Лымарь С.Г., Докучаева A.A., Итальянцев А.Г., Антонова H.A. "Влияние германия на поведение кислорода в кремнии" //Неорганические материалы, 1985, том 21, №11, с. 1827-1830.

7. Дашевский М.Я., Докучаева A.A., АнисимовК.П. "Влияние германия на образование термодоноров в кремнии" // Неорганические материалы, 1986, том 22, №10, с.1599-1601.

8. БабичВ.М., Баран Н.П., Зотов К.И., КирицаВ.Л., Ковальчук В.Б. "Низкотемпературная диффузия кислорода и образование термодоноров в кремнии, легированном изовалентной примесью германия" //ФТП, 1995, том 29, вып. 1, с.58-64.

9. Дашевский М.Я., Корляков Д.Н., Ладыгин Е.А., Мусалитин A.M., Шилин Б.А. "Влияние облучения электронами на физические свойства легированных германием монокристаллов кремния" //ФТП, 1990, том 24, вып. 12, с.2073-2079.

10. П.Хируненко Л.И., Шаховцов В.И., Шинкаренко В.К., ШпинарЛ.И., Ясковец И.И. "Особенности процессов радиационного дефектообразования в кристаллах Si<Ge>" //ФТП, 1987, том 21, вып.З, с.562-565.

11. Блецкан Н.И., Кузнецов В.И., Лугаков П.Ф., Салманов А.Р., Цикунов A.B. "Особенности образования радиационных дефектов вкремнии, легированном германием" //ФТП, 1988, том 22, вып. 12, с.2223-2226.

12. Мизрухин J1.B., Хируненко Л.И., Шаховцов В.И., Шинкаренко В.К., Яшник В.И. "Межпримесное взаимодействие в кремнии с нейтральными примесями" //ФТП, 1989, том 23, вып.7, с. 186-190.

13. Грехов A.M., ГунькоВ.М., Шаховцов В.И. "Исследование электронной структуры изоэлектронных примесей в кремнии. Атомы С, Ge и их комплексы с вакансиями" //ФТП, 1987, том 21, вып.10, с. 1837-1841.

14. Дашевский М.Я. В сб.: "Научные школы МИСиС - 75 лет". М.: МИСиС, 1996, с.462.

15. Дашевский М.Я., Макеев К.И. /Научные труды Гиредмета, т.102 (1985).

16. Дашевский М.Я., Михненко В.М., Петров В.В. и др. //Петербургский журнал электроники, 1994, №5.

17. Романенко В.Н. Управление составом полупроводниковых кристаллов. М.: Металлургия, 1976.

18. Кекуа М.Г., Пагава М.О., Габричидзе Л.Л., Кобулашвили Н.В. //Неорганические материалы, 1995, том 31, с.716.

19. Туровский Б.М., Горбачева Н.И. "Зависимость эффективного коэффициента распределения германия в кремнии от концентрации германия в расплаве" //Неорганические материалы, 1990, том 26, №5, с.904-906.

20. Горбачева Н.И. "Концентрационные зависимости коэффициента диффузии и эффективного коэффициента распределения примеси германия в кремнии" //Неорганические материалы, 1990, том 27, №10, с.2036-2040.

21. Дашевский М.Я., Петров В.В., Михненко В.М. "Свойства легированных монокристаллов кремция, . выращенных методами Чохральского и жестко закрепленных сообщающихся сосудов" // Неорганические материалы, 1987, том 23, №3, с.357-360.

22. Дашевский М.Я. Выращивание из расплавов кристаллов полупроводников с заданными свойствами. М.: МИСиС, 1971.

23. Баженов В.К., Фистуль В.И. "Изоэлектронные примеси в полупроводниках. Состояние проблемы" //ФТП, 1984, том 18, вып.8, с.1345-1362.

24. Вавилов B.C., Ухин H.A. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборов. М.: Атомиздат, 1969.

25. Корбет Дж., БургуэнЖ. Точечные дефекты в полупроводниках /Под ред. Б.И.Болтакса, Т.В.Машовец, А.Н.Орлова. М.: Мир, 1979.

26. Итальянцев А.Г., Курбаков А.И., Мордкович В.Н., Рубинова Э.Э., Темпер Э.М., Трунов В.А. "Влияние нейтронного облучения и отжига на свойства кремния, легированного германием" //ФТП, 1988, том 22, вып.5, с.834-838.

27. Дашевский М.Я., Докучаева A.A., Корляков Д.Н., Салманов А.Р., Хашимов Ф.Р. //Неорганические материалы, 1988, том 24, №9, с.1413-1418.

28. Дашевский М.Я., Корляков Д.Н., МиляевВ.А., Никитин В.А. //ФТП, 1988, том 22, вып.6, с. 1146-1149.

29. Голубев В.Г., ЕмцевВ.В., Клингер П.М., Кропотов Г.И., Шмарцев Ю.В. "Процессы образования радиационных дефектови в Si:Ge при 4.2, 78 и 300 К" //ФТП, 1992, том 26, вып.З, с.574-577.

30. Хируненко Л.И., Шаховцов В.И., Шумов В.В. "Радиационное дефектообразование в кремнии, легированном германием, при низкотемпературном облучении" //ФТП, 1998, том 32, вып.2, с.132-134.

31. Бугай A.A., Максименко В.М., Туровский Б.М., Хируненко Л.И., Шаховцов В.И., Шинкаренко В.К., Горбачева Н.И. "Исследование радиационных дефектов в сплаве Si-Ge методом ЭПР и ИК спектроскопии" //ФТП, 1984, том 18, вып. 11, с.2020-2023.

32. Атабаев И.Г., СаидовМ.С., Хируненко Л.И., Шаховцов В.И., Шинкаренко В.К., ШпинарЛ.И., ЮсуповА. "О механизме дефектообразования в сплавах Si.¡.xGex при электронном облучении" //ФТП, 1987, том 21, вып.З, с.570-575.

33. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981.

34. ЕмцевВ.В., Клингер П.М., ФистульВ.И., Шмарцев Ю.В. "Особенности взаимодействия изовалентной примеси германия с собственными дефектами в кремнии" //Электронная техника: сер. Материалы., 1991, вып.6(260), с.53-56.

35. Кучинский П.В., Ломако В.М., Рутковский И.З., Счастный В.В., Тарасевич А.Д., Шахлевич Л.Н. "О влиянии германия на образование электрически активных дефектов в кремнии" //ФТП, 1988, том 22, вып.4, с.634-637.

36. Кузнецов В.И., Лугаков П.Ф., Салманов А.Р., Цикунов A.B. "Накопление и отжиг основных компенсирующих радиационных дефектов в p-Si (¡e " //ФШ, 1989, том 23, вып.8, с.1492-1495.

37. Емцев В.В., Клингер П.М., ФистульВ.И., Шмарцев Ю.В. "Особенности взаимодействия изовалентной примеси германия с собственными дефектами в кремнии" //ФТП, 1991, том 25, вып.6, с.997-1003.

38. Дашевский М.Я., Корляков Д.Н., Кузнецов Е.А. //Неорганическиематериалы, 1985, том 21.

39. Lee Y, CorbettJ.W., Brower K.L. //Phys. St. Sol. (a). 1977, V.41, N2, p.637-647.

40. Лугаков П.Ф., Лукашевич T.A., Шуша B.B. //ФТП, 1979, том 13, вып.2, с.401-404.

41. Ferenczi G., Londos С.А., Pavelka Т. Somogyi M., Mertens A. //Def. Semicond. Trans. Teclm. Publ. Ltd. Switzerland, 1986, p.947-951.

42. Помозов Ю.В., СоснинМ.Г., Хируненко Л.И., Яшник В.И., Абросимов Н.В., Шрёдер В., Хёне М. "Кислородосодержащие радиационные дефекты в Sii.xGex" //ФТП, 2000, том 34, вып.9, с. 1030-1034.

43. Г.А.Гусаков, А.П.Новиков, В.М.Анищик "О температурной зависимости критической дозы аморфизации кремния при ионной имплантации" //ФТП, 1994, том 28, вып.9, с.1672-1678.

44. Физические процессы в облученных полупроводниках /Под ред. Л.С.Смирнова. Новосибирск: Наука, 1977.

45. Вавилов B.C., Кекелидзе Н.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1988.

46. Жуковский П.В. "Влияние условий ионной имплантации на деф'ектообразование в кремнии" //ФТП, 1992, том 26, вып.1, с. 150-158.

47. Ионная имплантация и лучевая технология /Под ред. Дж.С.Вильямса, Дж.М.Поута. Киев: Наукова думка, 1988.

48. Hove L., Rainville M.N., Harigan Н.К., Thompson D.A. //Ibid. 1980, 170, p.419.

49. Ионная имплантация в полупроводники и другие материалы /Сборник статей пер с англ. под ред. В.С.Вавилова. М.: Мир, 1980.

50. Е.И.Зорин, П.В.Павлов, Д.И.Тетельбаум Ионное легирование полупроводников. М.: "Энергия", 1975.

51. Corbett J.W., Karins J.P., Tan T.Y. //Nucí. Instrum. and Meth., 1981, 182/183, p.457.

52. Tokuyama T. "Nature and Annealing Behavior of Disorders in Ion Implaiited Silicon" //Japanese Journal of Applied Physics, 1978, V.17, N8, p.1301-1315.

53. B.С.Вавилов "Некоторые физические аспекты ионной имплантации" //Успехи физических наук, 1985, том 145, вып.2, с.329-346.

54. М.Ю.Барабаненков, А.В.Леонов, В.Н.Мордкович, Н.М.Омельяновская "Влияние природы бомбардирующих ионов на образование радиационных дефектов в кремнии" //ФТП, 1998, том 32, вып.5, с.523-526. .

55. М.Ю.Барабаненков, А.В.Леонов, В.Н.Мордкович, Н.М.Омельяновская "Влияние фотовозбуждения n-Si in situ при имплантации малых доз ионов на образование радиационных дефектов" //ФТП, 1999, том 33, вып,5, е.537-541.

56. М.Ю.Барабаненков, А.В.Леонов, В.Н.Мордкович, Н.М.Омельяновская "Особенности влияния фотовозбуждения p-Si in situ при имплантациималых доз ионов на формирование радиационных дефектов" //ФТП, 1999, том 33, вып.8, с.897-899.

57. В.С.Вавилов "Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы" //Успехи физических наук, 1997, том 167, вып.4, с.407-412.

58. Л.С.Берман, А.А.Лебедев Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л : Наука, 1981.

59. D.V.Lang. J. "Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors" //Appl.Phys., 1974, V.45, N7, p.3023-3033.

60. Антонова И.В., Васильев А.В., Панов В.И., Шаймеев С.С. "Применение емкостной методики DLTS к исследованию полупроводников с неоднородным распределением примесей (дефектов)" //ФТП, 1988, том 22, вып.6, с.998-1003.

61. G.L.Miller, D.V.Lang, L.C.Kimerling. "Capacitance transient spectroscopy" //Ann. Rev. Mater. Sci. 1977, 7, p.377-448.

62. Комаров Б.А., Коршунов Ф.П., Мурин Л.И. "Роль полевых эффектов при определении концентрации термодоноров в кремнии методом DLTS" //ФТП, 1994, том 28, вып.З ,с.498-505.

63. Laimoo М. "Theory of deep level defects in semiconductors" //Journal of Applied Physics, 1988, V.59, N6, p.2497-2508.

64. Grimmeiss H.G., Ovren C. "Fundamentals of junction measurements in the study of deep energy levels in semiconductors" // Journal of Physics. Ser. E., Scientific Instrumentation, 1981, V. 14, N10, p.1032-1042.

65. Johnson N.M. " Deep-level transient spectroscopy: characterization and identification of electronic defects" //Optical Engineering, 1986, V.25, N5, p.698-704.

66. Kaniewska M., KaniewskaJ. "Capacitance methods used for the study of deep levels" //Electron Technology, 1985, V. 18, N3-4, p.37-53.

67. Urli N. "Characterization of defects in semiconductors by capacitance methods" //Journal of Experimental and theoretical Physics, 1978, V.8, p.68-70.

68. Morimoto J . "" //Journal of Applied Physics, 1986, V.39A, N3, p.197-202.

69. Singh R.K., Singh V., Corbet J., Das A. "Paired temperature spectroscopy: anovel method to characterize traps in semiconductors " // Journal of Physics. Ser. C; Solid State Physics, 1986, V.19, N13, p.2177-2187.

70. Stievenard D., Lannoo M., Bourgoin J.C. "Transient capacitance spectroscopy in heavily compensated materials" //Physica, 1985, V.129B, N1-3, p.422-425.

71. Васильев А.В., Смагулова С.А., Шаймеев C.C. "К методике обработки спектров DLTS" //ФТП, 1983, том 17, вып.1, с.162-164.

72. Антонова И.В., Шаймеев С.С. "Температурная зависимость амплитуды пика DLTS в кремнии с глубокими центрами" //ФТП, 1993, том 25, вып.5, с.847-851.

73. Комаров Б.А. "Влияние условий эксперимента на результаты обработки 0175'-спектров методом анализа формы линии" //ФТП,1992, том 26, вып.9, с. 1625-1630.

74. Астрова Е.В., Лебедев A.A. "Новый способ обработки спектров DLTS" //ФТП, 1990, том 24, вып.З, с.549-552.

75. Вывенко О.Ф., БазловН.В., Целищев С.Л. "Об определении энергии ионизации глубоких уровней из данных DLTS" //ФТП, 1990, том 24, вып.12, с.2208-2210.

76. Берман Л.С., Клингер П.М., Фистуль В.И "Определение параметров глубоких центров в перекомпенсированном полупроводнике методом температурной зависимости емкости и активной проводимости" //ФТП, 1989, том 23, вып.11, с.1947-1950.

77. Шматов A.A. "Обработка спектров релаксационной спектроскопии глубоких уровней методом математического моделирования" //ФТП,1993, том 27, вып.8, с.1282-1285.

78. Лебедев A.A. "Емкостная спектроскопия глубоких уровней при обмене носителями тока с обеими разрешенными зонами" //ФТП, 1997, том 31, вып.4, с.437-440.

79. F.Hasegawa. Japan. J. Appl. Phys. (I), 1985, 24, p. 1356.

80. Берман Л.С. "Анализ сигналов релаксации емкости, состоящих из нескольких экспонент" //ФТП, 1998, том 32, вып.6, с.688-689.

81. Количественный электронно-зондовый микроанализ. /Под ред. В. Скотта, Г. Лава. М.: Мир, 1986

82. Конников С.Г., Сидоров А.Ф. Электронно-зондовые методы исследования полупроводниковых материалов и приборов. М.: Энергия, 1978.

83. Кучис Е.В. Гальвано-магнитные эффекты и методы их исследования. М.: Радио и связь, 1990.

84. Ильин М.А., Коварский В.Я., Орлов А.Ф. "Определение содержания кислорода и углерода в кремнии оптическим методом" //Заводская лаборатория, 1983, №3, с.49.

85. Александрова Г.И., Ильин М.Я., Рашевская Е.П. "О количественном определении содержания кислорода в кремнии" //Электронная техника. Сер. Материалы, 1976, вып.10, с.97-100.

86. ГОСТ 19658-81. "Кремний монокристаллический в слитках" М.: Издательство стандартов, 1990.

87. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. /Под ред З.Ю.Готра. М.: Радио и связь, 1991.

88. Бабич В.М., БлецканН.И., Венгер Е.Ф. "Кислород в монокристаллах кремния" Киев: "Интерпресс ЛТД", 1997.

89. Бургуэн Ж., ЛанноМ. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты. М.: Мир, 1985.

90. Абдуллин Х.А., Мукашев Б.Н. "Дефекты в p-Si, облученном при 77 К: энергетический спектр и кинетика отжига" //ФТП, 1994, том 28, вып. 10, с. 1831-1841.

91. Вавилов B.C., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. "Дефекты в кремнии и на его поверхности" М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1990.

92. Макаренко Л.Ф. "Проверка применимости модели моновалентного дефекта для описания свойств комплекса вакансия-кислород в кремнии "//ФШ, 2000, том 34, вып. 10, с. 1162-1165.

93. Рейви Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. М.: Мир, 1984.

94. Милъвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984.

95. Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями. /Под ред. В.И. Фистуль. М.: Металлургия, 1987.

96. Мукашев Б.Н., Абдуллин Х.А., Горелкинский Ю.В. "Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии" //УФН, 2000, том 170, №2, с.143-155.

97. Колесников Н.В., ЛомасовВ.Н., Мальханов С.Е. «Влияние зарядовых состояний вакансий на накопление дивакансий в кремнии при электронном облучении» //ФТП, 1989, том23, вып.11, с.1921-1926.

98. Технология полупроводникового кремния. /Под ред. Э.С. Фалькевича. М.: Металлургия, 1992.

99. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. М.: Металлургия, 1988.

100. Технология ионного легирования. /Под ред. С.Намбы. М.: Советское радио, 1974.1. ЮЗ.ГОСТ Р 50431-92.

101. Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1985.