Формирователи мощных наносекундных и субнаносекундных импульсов на полупроводниковой элементной базе тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.01 ВАК РФ

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК

СИБИРСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ

ИНСТИТУТ ЯДЕРНОЙ ФИЗИКИ им. Г.И. Будкера

РГБ ОД

" ' Па правах рукописи

БЕЛКИН Вениамин Саадиевич

ФОРМИРОВАТЕЛИ МОЩНЫХ НАНОСЕКУНДНЫХ И СУБНАНОСЕКУНДНЫХ ИМПУЛЬСОВ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЕ

01.04.01 - физика физического эксперимента, физика приборов, автоматизация физических исследований

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискапие ученой степени кандидата технических наук

НОВОСИБИРСК—1994

Работа выполнена в Институте ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН

ОФИЦИАЛЬНЫЕ ОППОНЕНТЫ:

Купер

Эдуард Адольфович

Вьюхин

Вячеслав Николаевич

— доктор технических наук, Институт ядерной физики им.Г.И. Будкера СО РАН, г.Новосибирск.

— кандидат технических наук, Институт автоматики

и электрометрии СО РАН, г.Новосибирск.

Ведущая организация: Физико-технический институт

им. А.И. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург.

Защита диссертации состоится 1994 г. в

" /£ " часов на заседании специализированного совета Д.002.24.02 щ Институте ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН.

Адрес: 630090, г. Новосибирск-90,

проспект академика Лаврентьева, 11

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института ядерж физики им. Г.И. Будкера СО РАН.

Автореферат разослан

« /Г » /У 1994 г.

Ученый секретарь специализированного совета

академик ¿и'^Г, Б.В. Чириков

Актуальность темы. Применение высоковольтных нано и субнаносекундных импульсов достаточно обширно в настоящее время и постоянно расширяется вместе с развитием и удешевлением аппаратуры формирования импульсов. Некоторые примеры применения приведены ниже.

Лазеры - возбуждение ячеек Поккельса и т. п.

Экспериментальная физика - поджиг разрядников, формирование электронных и ионных пучков соответствующей длительности, время-пролетная массо и энерго спектрометрия.

Химия - оперативное измерение параметров электролитов.

Биология - импульсный электрофорез хромосом.

Акустолокация - оперативное бесконтактное измерение толщины металлов с высокой точностью.

Радиолокация - импульсная (широкополосная) локация, одно из преимуществ которой в налых габаритах и потреблении питания при большой импульсной мощности системы. Измерение параметров антенных систем во временной области с исключением влияния отражений от поверхности земли, зданий и т. п.

Геолокация - радиолокация земной породы, океана и т. д. для поиска подземных вод, пустот (например в археологии), металлов, направления угольных пластов, измерения толщины льда.

Радиоэлектроника - измерение помехоустойчивости аппаратуры, в том числе ЭВМ, импульсы развертки ЭОП.

Примеры применения можно продолжать л развивать, однако актуальность темы ясна из уже приведенных.

Требования к параметрам импульсов самые разнообразные, особенно в научном эксперименте, и они вместе с развитием радиоэлектроники растут в сторону новых возможностей, поэтому

выделим лишь некоторые. Для радарных установок длительность импульса определяет размерное разрешение объекта локации и ее требуемое типичное значение доли - единицы наносекунд, а требуемая мощность от единиц киловатт до нескольких мегаватт, что для стандартной 50 Ом нагрузки дает амплитуду импульса в сотни вольт - единицы киловольт.

Для георадаров глубина локации определяется скин-слоем лоцируемого объекта и зависит таким образом как от мощности так и от длительности импульса. Для импульсов с полушириной в несколько наносекунд и мощностью в сотни киловатт глубина локации грунта составляет до нескольких десятков метров с разрешающей способностью единицы - десятки сантиметров. Естественным является желание увеличить глубину локации при сохранении разрешающей способности, одним из ограничений является электропрочность антенно-фидерной системы. Амплитуды до 10 кВ выглядят еще вполне приемлемыми.

Амплитуды импульсов и их длительности для применения в лазерной технике и времяпролетных анализаторах лежат в том же диапазоне: единицы киловольт и доли - единицы наносекунд. Например, типичная требуемая амплидуда для питания ячеек Керра в лазерных установках для измерения электронной температуры плазмы методом томсоновского рассеяния составляет 20 кВ при длительности импульсов 10 - 30 не. Поскольку ячейка Керра является малоемкостной нагрузкой, то при подводе импульса кабелем напряжение на нагрузке удваивается по сравнению с напряжением в кабеле и на выходе генератора. Таким образом, требуемая в этом случая амплитуда на выходе генератора 10 кв.

Для активно развиваемой в настоящее время техники

короткоимпульсных ионных и электронных инжекторов и источников рентгеновского излучения диапазон необходимых амплитуд импульсов простирается до сотен киловольт.

История вопроса. Широко известны применяемые в качестве ключевых элементов для создания мощных наносекундных импульсов вакуумные и газоразрядные приборы. Их основными недостатками являются ограниченный срок службы, высокая стоимость, малая удельная (на единицу объема) коммутационная способность, что определяет большие габариты формирователей.

Развитие радиоэлектроники и схемотехники, за последние пятнадцать лет позволило создавать формирователи импульсов амплитудами до десятков киловольт с длительностями в доли -единицы наносекунд на основе полупроводниковой элементной базы, обеспечившей относительно высокий КПД (десятки процентов), повторяемость результатов и низкую стоимость аппаратуры и сделало вакуумные и газорязрядные приборы по крайней мере в указанном диапазоне амплитуд и длительностей неконкурентноспособными.

В 1979г и.В. Грехов с сотрудниками из Ленинградского физико-технического Института им. Иоффе показали возможность формирования киловольтовых импульсов с фронтом менее 1нс полупроводниковыми диодами с задержкой лавинного пробоя (ДЗЛП). Для этого диод включается последоват.ельно с нагрузкой, на него подается постоянное обратное напряжение, близкое к величине лавинного пробоя, и импульс также обратной полярности с крутизной нарастания сотни вольт за не.

Лавинный пробой диода происходит с задержкой в доли -единицы не, так что суммарное напряжение на диоде вырастает

примерно вдвое выше лавинного, затем диод отпирается с фронтом

менее 1нс, прячем остаточное напряжение на диоде может в

определенных условиях быть существенно меньше лавинного. При

увеличения крутизны входного импульса формирование ударной волны

в диоде ■ соответственно формирование более короткого фронта на

выходе происходит и без подачи обратного' смещения на диод. При

подборе диодов допускается их последовательное соединение. В

работах Зиенко С. И. из Смоленского филиала Московского

энергетического института' была показана возможность применения в

качестве ДЗЛП промышленных диодов..

Достаточно давно известны диоды , с накоплением заряда,

некоторые типы диодов, не относящиеся к ним по номенклатуре,

фактически являются достаточно высоковольтными ДНЗ и позволяют

получать следующие типичные параметры импульсов: U х~ 50В при

t, - 0. 2нс для диода КА609 и U - 500 - 800 В при t.-0. 5 - 1 не ф вых tp

для КД204, КД212 (по данным автора).

В 1983г И.В.Грехов с сотрудниками продемонстрировали еще один способ получения мощных наносекундных импульсов в формирователях второго типа с помощью дрейфовых диодов с резким восстановлением запирающих свойств со структурой р+-р-л+.

Если через ДДРВ пропустить импульс прямого тока 1+, длительностью t+, а затем импульс обратного тока 1_, длительностью t_, то при условии:

V ■

где t - время жизни неосновных носителей заряда, диод запирается при равенстве:

2+ = J I ~dt = J I_dt = Q_

t

причем время запирания не превышает единиц наносекунд. Если амплитуда 1_ больше амплитуды 1+ . то происходит разрыв ненулевого тока и при параллельном соединении диода и

нагрузки - формирование выходного импульса.

Те же авторы впервые, продемонстрировали формирователи коротких импульсов с ДДРВ, в которых используются индуктивные накопители в цепях прямого и обратного токов диода, а в качестве ключей этих токов - транзисторы. Это позволило получить КПД более 25% и частоту повторения до ЮОкГц. Они же впервые объединили схемы с ДДРВ и ДЗЛП. Зиенко С.И. показал возможность работы в режиме ДДРВ широкой номенклатуры промышленных диодов.

К концу 80х, началу 90х лучшие разработки в серийном производстве нано- и субнаносекунных генераторов на основе лавинных приборов и полевых транзисторов имела английская фирма Kentech Instruments Ltd по данным ее рекламных проспектов. Параметры используемых ключей и схемотехника в открытых литературных источниках неизвестны. Максимальные параметры импульсов: амплитуда до 9 кВ при фронте 100 пс и частоте повторения 1 кГц. Отличительной особенностью разработок является малое время задержки между запуском и выходным импульсом: 10 - 30 не и малая величина аппертурной неопределенности этого времени - джиттера: 10 - 20 пс. ■ Относительный недостаток генераторов - малый КПД, за счет чего ограничена частота повторения, хотя в рекламных проспектах указано, что при задании конкректных параметров импульсов без их оперативной перестройки эффективность и частота повторения генераторов могут быть повышены.

Разработки автора, рассматриваемые в диссертации, связаны в

основном с формированием коротких импульсов, у которых фронт, спад и длительность на полувысоте одного порядка. Параметры импульсов по фронту и амплитуде близки к параметрам генераторов КепЪесЬ, превосходят их по КПД, поскольку при аналогичных выходных параметрах для наиболее мощных генераторов потребление нашиэ^ разработок меньше в 10 + 20 раз. В то же время представленные в диссертации формирователи имеет большее время задежки выходного импульса от запуска и, соответственно, несколько уступают по джиттеру.

В представленных разработках в качестве выходных формирователей используются серийные низкочастотные

выпрямительные диоды и импульсные диоды микросекундного диапазона в режимах ДДРВ, ДНЗ и ДЗЛП. Проведенные исследования диодов позволили установить границы их применимости Простая схемотехника формирователей и применение недорогих серийных элементов обуславливают простоту повторения, малые габариты и стоимость и делают их пригодными для широкого применения. Развитая система расчетов позволяет с достаточной для практики точностью по заданным параметрам импульса и нагрузки расчитать реактивные элементы формировалей и выбрать подходящие диоды и компоненты первичного ключа.

Существенным отличием от известных ранее схем формирователей является использование насыщающихся

индуктивностей в качестве ключей обратного тока ДДРВ, что резко упрощает схемотехнику формирователей, поскольку в формирователе остается только один первичный активный ключ. Разработки с применением насыщающихся индуктивностей позволили объединить выходные каскады формирователей и магнитные генераторы импульсов

и, тем самым, снизить при необходимости требования к коммутационной способности первичного ключа.

Работы по схемотехнике формирователей проводились в соавторстве с Г. И. Шульженко, исследование работы диодов - под руководством и при участии автора, создание расчетов и вывод предельных соотношений, разработка делителей тока и напряжения -автором диссертации.

Цель работы. Цель работы заключается в развитии новой схемотехники формирователей нано- и субнаносекундных импульсов на основе серийных диодов и насыщающихся индуктивностей, исследовании свойств диодов в режимах формирования таких импульсов, создании системы расчетов формирователей.

Научная новизна. Основными научными результатами работы являются следующие.

-Разработаны новые конфигурации схем для формирования коротких наносекундных и субнаносекундных высоковольтных импульсов на основе ДДРВ, ДЗЛП и насыщающихся индуктивностей, на которые получено три патента России.

-Предложено и проведено исследование поведения диодов в режиме ДДРВ, в результате которого впервые установлено существование ограничения на заряд накачки. Превышение граничного заряда приводит к появлению медленной части фронта выходного импульса при закрывании диодов и неодновременности закрывания разных экземпляров.

-Получены граничные соотношения для максимально возможной амплитуды выходных инпульсов в схемах с максимальными КПД и расчетные формулы для элементов формирователей.

-Исследована возможность применения некоторых новых типов

серийных диодов в качестве ДЗЛП, возможность последовательного включения ДЗЛП в одну формирующую сборку. Показано, что превышение крутизны накачки сборки выше определенного уровня приводит к срабатыванию сборки как единого элемента без удлинения фронта импульса по сравнению с одним диодом.

Практическая ценность. -Разработаны практические схемы формирователей с амплитудами 1 + 10 кВ с длительностью импульса от долей до единиц наносекунд, частотой повторения до десятков килогерц и КПД до 50%, работоспособные на любую нагрузку от холостого хода до короткого замыкания.

-Создана методика расчета и конструирования формирователей для заданой амплитуды и длительности импульса, исключающая подбор экземпляров диодов.

-Разработаны широкополосные делители напряжения на основе промышленных резисторов и развита конструкция широкополосных трансформаторов тока.

-В ИЯФ СО РАН формирователь с амплитудой 500 В и фронтом 1 не применялся как генератор запусковых импульсов и для калибровки широкополосных трактов на установке "ВОДА 1-10". Формирователь с амплитудой 8 кВ и фронтом О. 1 не использовался в импульсном рефлектометре для отработки методики измерения положения границы плазмы и измерения ее плотности.

-В настоящее время в лаб. 7 ведется разработка варианта короткоимпульсного инжектора атомов с высокой частотой повторения, в котором формирователи с амплитудой 10 кВ, фронтом 3 не и длительностью 10 не применяются как источники питания плазменного эмиттера и вытягивающего напряжения. Рассматриваются

возможности применения формирователей для времяпролетного анализа параметров плазмы.

-На основе разработок и при участии автора созданы практические варианты генераторов, применявшиеся в качестве выходных каскадов передатчиков в пробных образцах новых геологических локаторов для измерения толщины льда, для съемки сечения и направления угольных пластов на глубину до 15 метров. Приборы отличаются простотой исполнения и надежностью в работе в различных реальных условиях.

Основные результаты, выносимые на защиту.

1. Создание новых одноключевых конфигураций схем формирователей нано и субнаносекундных импульсов.

2. Результаты экспериментальных исследований промышленных диодов в качестве ДДРВ и дзлп. Ограничение заряда для ДДРВ.

3. Расчеты элементов формирователей при условии получения максимального КПД и ограничения заряда.

4. Двухкаскадные формирователи.

5. Формирователи двуполярных наносекундных импульсов.

6. Широкополосные делители тока и напряжения.

7. Практические схемы формирователей нано и субнаносекундных импульсов с амплитудами импульсов до 10 кв на согласованную 50 Ом нагрузку.

Апробация работы и публикации. Результаты работы докладывались на Международной конференции по нанотехнологии и наноэлектронике (Барнаул. 1992 г.), на семинарах в ИЯФ СО РАН и ННИПИ "КВАРЦ" (Нижний Новгород), опубликованы в статьях и препринте, защищены тремя патентами. Всего по теме диссертации опубликовано 11 работ.

Содержание диссертации. Объем диссертации 97 страниц, 45 рисунков, 45 ссылок на литературные источники. Диссертация содержит введение и пять глав. Введение посвящено обоснованию актуальности темы и истории вопроса. Приводится краткое содержание работы и основные положения, выносимые на защиту.

В первой главе описаны новые конфигурации схем для формирования коротких наносекундных и субнаносекундных высоловольтных импульсов на основе ДДРВ, ДЗЛП и насыщающихся ■ндуктивностей. Одна из них и ее временная диаграмма работы показаны на рис. 1*2. Схемы не содержат активных сопротивлений в мощных цепях накачки диодов и, как следствие, имеют высокий КПД. В качестве наиболее мощного ключа обратного тока ДДРВ используется насыщающаяся индуктивность, таким образом произведено объединение формирователей с ДДРВ и магнитных генераторов тока. В качестве первичных ключей прямого тока ДДРВ используются транзисторы и тиристоры. Произведено сравнение предложенных одноключевых схем с известными ранее двухключевыми. Описаны простые приемы для повышения качественных параметров импульсов: формирование равных фронта и спада, подавление повторных импульсов, подавление предвестника.

Во второй главе рассматриваются экспериментальное' исследование поведения промышленных выпрямительных диодов в режиме ДДРВ, в результате которого впервые установлено существование ограничения на заряд накачки диода. Превышение граничного заряда приводит к появлению медленной части фронта выходного импульса - "предвестника" при закрывании диодов и неодновременности закрывания разных экземпляров.

В условиях ограничения заряда диоды одного типа могут

соединяться последовательно, образуя формирующую ячейку. Может быть полезным параллельное соединение диодов в ячейке для расределения заряда, превышающего граничный для одного экземпляра. Для некоторых типов ДНЗ, в отличие от ДДРВ, превышение критического заряда в первую очередь приводит к неодновременности срабатывания разных экземпляров, и только при дальнейшем повышении заряда накачки и к появлению предвестника.

Показано, что в режимах ДДРВ и ДЗЛП работоспособны большое количество типов диодов. Описаны результаты исследований мощных транзисторов и импульсных тиристоров в качестве первичного ключа.

В третьей главе выведены расчетные соотношения для элементов формирователей для двух типов формируемых импульсов: оптимального с синусоидальным нарастанием и экспоненциальным спадом и гауссовского. В рассчетах принималось формирование импульса без предвестника, т. е. с ограничением заряда. Предполагалось, что в цепи накачки диода отсутствуют активные сопротивления, т. е. формирователь обладает максимальным КПД.

Получены граничные соотношения для максимально возможной амплитуды выходных импульсов в формирователях с ДДРВ. Первое связано с энергетикой выходного импульса. Энергия, расходуемая на создание импульса, исходно всегда накоплена в каком-либо конденсаторе, заряд которого одновременно является зарядом, проходящим через ДДРВ в обратном направлении. Сказанное не зависит от типа применяемой схемы (одно- или двухключевой или других типов), вследствие чего дальнейшие выводы верны в общем.

Приравнивая накопленную в конденсаторе энергию к энергии полезной части импульса с фронтом на нагрузке с учетом

КПД, при ограничении заряда накопительного конденсатора О и в предположении, что напряжение на нем и составляет долю 5 амплитуды выходного импульса и^, получим:

ин * а 6 1уг / ъф ИЛИ ин * »ЦоиТ^' где а - численный коэффициент, связанный с КПД и добротностью эквивалентного выходного контура, в который входят емкость диода, индуктивность накачки и сопротивление нагрузки. Приведенные выражения показывают, что для повышения и необходимо повышать ис-

С другой стороны, представляя О как интеграл обратного тока и учитывая, что его длительность из-за ограниченного

быстродействия ключей не может быть меньше некоторой, получим:

ин а Ь 1^0 /

Третье ограничение связано с рассмотрением конкретной схемы, а именно с применением в предлагаемых схемах насыщающейся индуктивности вместо клича обратного тока и сводится к зависимости амплитуды импульса от начальной ц и конечной Иосл) (в состоянии насыщения) магнитной проницаемости нагнитопровода, заряда накачки и длительности прямого тока:

ин 5 с V» ^/"ост I Ч Получены выражения для коммутируемого тока и мощности

первичного ключа и коэффициента уплотнения формирователя по

мощности. Приведенные соотношения позволяют оценить возможность

создания формирователя, выбрать подходящий тип диодов и

расчитать элементы схемы с достаточной для практики точностью.

Численные коэффициенты рассмотрены для двух случаев:

формирования импульса с синусоидальным фронтом и

экспоненциальным спадом на границе апериодического режима

эквивалентного выходного контура и формирование импульса с равными фронтом и спадом при максимально возможном КПД. Показано, что из-за связи О и емкости диодов рассмотренные случаи строго соблюдаются лишь для отдельных точек ин-

В четвертой главе рассмотрены двухкаскадные формирователя импульсов и формирователи двуполярных импульсов с формой близкой к одному периоду синусоиды, являющиеся развитием схемотехники формирователей.

Двухкаскадные формирователи позволяют преодолеть ограничения на амплитуду коротких импульсов, связанные с магнитными звеньями формирователей, и максимально использовать возможности диодов. функциональная схема формирователя и временная диаграмма работы показаны на рис. 3 и 4. В формирователе используются два ДДРВ, второй подключен к выходу, а сформированный на первом импульс испульзуется для создания обратного тока второго диода. Первый диод выбирается с достаточно большим О, позволяющим удовлетворить условия реализации насыщающейся индуктивности. Второй диод для формирования коротких (единицы наносекунд) импульсов должен иметь малую емкость и, соответственно, малый О, что в данном случае допустимо, поскольку его обратный ток создается высоковольтным и достаточно коротким импульсом первого каскада, в результате чего выполняются условия ограничения и .

Формирователи двуполярных импульсов наиболее адекватны для радарных систем. Рассмотрены два варианта формирования таких импульсов, один с дифференцированием КС-цепочкой первичного импульса с равными фронтом и спадом, второй с параллельным нагрузке короткозамкнутым шлейфом, длиной в половину

длительности первичного импульса, и отсечкой формирующей ячейки от нагрузки в конце первичного импульса еще одним ДДРВ, включенным между формирующей ячейкой и нагрузкой.

В пятой главе описаны практические схемы формирователей с амплитудами 1 + 10 кВ с длительностью импульса от долей до единиц наносекунд, частотой повторения до десятков килогерц и КПД до 50Х, работоспособные на любую нагрузку от холостого хода до короткого замыкания. Приведены разработки схем с высокой частотой повторения и низковольтным источником питания, в которых объединены функции первичного ключа и высоковольтного преобразователя напряжения. Показаны конструкции широкополосных делителей напряжения на основе промышленных резисторов и широкополосных трансформаторов тока. Даны примеры применения формирователей.

Основные параметры некоторых типов формировалей для 50 Ом нагрузки приведены в таблице.

Полярность Двупол, импульс монополярный полярность по требованию

Вых. напр. [В] 300 1200 700 6000 2000 8000

Фронт [НС] 2 1 2 0.2 < 0.15

Длительность на полувысоте [НС] * 3-6 2. 5 2-4 3 0.2 0.5

Джиттер [не] <0.1 <0.1 <0.1 <0.1 <0.1

Задержка от запуска [не] 250 120 250 250 1000

Частота повторения [кГц] 1-10 ** 1 1-50 0.1 - 1 0.4 - 4 0.1 - 1

Питание [В] пах [Вт] + 12 3. 2 - 3. 7 +12 + •■5 +12 +15

5 1 2 / 5 7

Габариты 120 х 60 х 30 ММ3 3 200 х 90 х 40 мм

* - полная длительность импульса с формой, близкой к периоду. ** - автогенератор, для остальных разработок - внешний запуск:

Рже. 1.

Функциональная схема формирователя импульсов с полностью управляемым ключом.

управление

! напр. ключа

I ток диода

напр. конденсатора

напр. лиода

Рис. 2.

Временная диаграмма работы формирователя.

СЗ Др2

Рис. 3.

Функциональная схема двухкаскадного формирователя.

Рис. 4 .

Временная диаграмма работы двухкаскадного формирователя. Положительными показаны прямые токи Д1 и Д2.

Список работ, опубликованных по теме диссертации.

1. Пат. 1747088, Россия, НКИ Н 03 К 5/01. Формирователь наносекундных импульсов B.C. Белкин, Г.и. Шульженко.

N 4817347/21; Заявл. 11.03.90.

2. Белкин B.C. Широкополосный делитель напряжения. ПТЭ, 1990, N5, С. 223.

3. Белкин В. С.,Шульженко Г.и., Формирователи мощных наносекундных и пикосекундных импульсов на полупроводниковой элементной базе. Препринт 91-51, ИЯФ, Новосибирск, 1991.- 35с.

4. Белкин В. С., Марин О. С., Шульженко Г. и. Формирователи высоковольтных наносекундных импульсов на серийных диодах. ПТЭ, 1992, N6, с. 120.

5. Пат. 2004064, Россия, МКИ Н 03 К 5/01. Формирователь наносекундных импульсов B.C. Белкин, Г.и. Шульженко.

N 4942451/21; Заявл. 05.06.91.

Б. Белкин В.С., Шульженко Г. U. Формирователи высоковольтных пикосекундных импульсов. ПТЭ, 1992, N6, с. 125.

7. Белкин B.C., Шульженко Г.и. Формирователь высоковольтных двуполярных наносекундных импульсов синусоидальной формы. Первая международная конференция "Нанотехнология, наноэлектроника и криоэлеитроника. Тезисы докладов. Барнаул. 1992. с. 125-128.

8. Белкин B.C., Шульженко Г.и. Формирователь наносекундных импульсов. Заявка на изобретение N 5022890/21. Заявл. 17.01.92. Положит, решение от 28.12.92.

9. Belkin V.S., Shulzchenko G.I. Forming of high voltage nanosecond and subnanosecond pulses using standart power rectifying diodes. RSI, 1994, 65(3), March, p.751-753.

10. Белкин B.C., Шулыченко Г.и. Генератор высоковольтных двуполярных наносекундных импульсов синусоидальной формы. ПТЭ, 1994, N5, (в печати).

11. Белкин B.C., Шулыченко Г.и. Формирователи высоковольтных наносекундных импульсов с низковольтным питаниен. ПТЭ, 1994, N5, (в печати).