Генерационно-рекомбинационные процессы в неоднородных полупроводниковых структурах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

^ Ло,3, На правах рукописи

V

4

о '

/ /// х / / с-/-,-» 1/у ¿п V ^

ГРУШКО Наталия Сергеевна

ГЕНЕРАЦИОННО-РЕКОМБИНАЦИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В НЕОДНОРОДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ

Специальность - 01.04.10 Физика полупроводников и диэлектриков

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Ульяновск - 1999 г.

Работа выполнена в Ульяновском государственном университете.

Официальные оппоненты:

Доктор физико-математических наук, профессор Георгобиани А. Н.

Доктор физико-математических наук, профессор Михайлин В. В.

Доктор физико-математических наук, профессор Никитенко A.B.

Ведущая организация:

Московский институт стали и сплавов

Защита состоится « 20» января 2000 г. в 15 часов на заседании диссертационного совета Д 003.74.01 в Физико-технологическом институте РАН по адресу: 117281, г. Москва, Нахимовский проспект 34.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ФТИАН.

Автореферат разослан « /57 » декабря 1999 г.

Ученый секретарь диссертационного совета кандидат физико-математических наук

Вьюрков В. В.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. В большинстве случаев для анализа работы полупроводниковых приборов используются самые простые модели генеранионно-рекомбинационных процессов. При рекомбинации с участием ловушек применяется модель Шокли-Рида, сечения захвата оценивают с помощью приближения Лэкса, полевые зависимости аппроксимируют на основании теории Френхеля-Пуля. Как правило, отмеченные модели недостаточно точны. Например, отличительной особенностью неупорядоченных полупроводников, наряду с прочими, является появление внутренних электрических полей, флуктуаций зонного потенциала, распределение локализованных состояний по энергиям внутри щели подвижности. Результатом данных особенностей становится пространственное разделение электронов и дырок. Для этого случая модель Шокли-Рида не пригодна. В то же время, адекватное описание переноса носителей заряда в неоднородных и неупорядоченных полупроводниках весьма важно с точки зрения практического использования данной группы полупроводников. Поэтому к моменту постановки решаемых в работе задач оставалась актуальной проблема построения обобщенной модели рекомбинации, учитывающей все практически важные случаи протекания процессов.

Вольтамперные характеристики приборов (ВАХ), как правило, используются для диагностики механизмов переноса тока, и практически не используются для определения параметров центров рекомбинации. Расширяется применение полупроводниковых структур с компенсированными слоями, неоднородных и неупорядоченных полупроводников. ВАХ структур данного типа имеют свои важные особенности, которым не уделено достаточного внимания. Это заставляет вернуться к рассмотрению теоретических выражений для этих важных характеристик и поиску простых, но эффективных методов определения энергий активации и коэффициентов захвата центров, участвующих в генерационно-рекомбинационных процессах с учетом специфики разнообразных материалов. Недостаточное внимание уделено определению оптических

параметров центров. Эти проблемы по-прежнему остаются актуальными в связи с развитием силовой, высокочастотной и оптоэлекгроники.

В настоящее время общепризнанна важная роль многофононных процессов в оптических и безызлучательных переходах с участием глубоких центров и очевидна ограниченность модели Лэкса. Дальнейшее развитие получила теория электронных переходов в электрических полях. Применение этих, более сложных подходов, сдерживается отсутствием параметров упомянутых моделей и методов их определения. Практически нет исследований, посвященных экспериментальному определению параметров электрон-фононного взаимодействия в полупроводниковых материалах, которые играют важную роль в многофононных процессах и определяют температурные и полевые зависимости кинетических коэффициентов центров рекомбинации.

На основании изложенного можно сделать вывод, что тема диссертации является актуальной и составляет крупную научную проблему, требующую теоретического обобщения и экспериментальной проверки.

Цель работы-. Построение обобщенной модели для скорости рекомбинации, пригодной для широкого класса полупроводников, как совершенных, так и неупорядоченных. Экспериментальная проверка данной модели, а также физическое обоснование алгоритмов определения параметров центров рекомбинации и исследование поведения этих параметров в полях, характерных для полупроводниковых приборов.

Для достижения поставлешюй цели решаются следующие задачи:

1. Выводится выражение для скорости рекомбинации через глубокие уровни ловушек с учетом пространственного разделения электронов и дырок, а также распределения энергетических уровней рекомбинационных центров по энергиям. Из этой общей модели получаются частные: Шокли-Рида, индуцированной и туннельной рекомбинации.

2. Выводятся выражения, описывающие ВАХ двух и многозарядных центров, а также центров, распределенных по энергиям, с учетом туннельной стадии

рекомбинации. Эти выражения согласуются с выводами других моделей и экспериментами.

3. Находятся преобразования монотонных ВАХ в кривые с экстремумами, на основании чего разрабатываются алгоритмы определения параметров центров, участвующих в рекомбинации, - рекомбинационная спектроскопия.

4. Для проверки полученных теоретических выражений, проводятся многочисленные эксперименты с использованием структур на основе кремния, арсенида и фосфида галлия, фосфида индия, карбида кремния, халькогенидных стеклообразных полупроводников, в ходе которых результаты вычисления по новым теоретическим алгоритмам сравниваются с результатами апробированных независимых емкостных и токовых экспериментов.

5. Изучаются особенности рекомбинационных процессов в структурах с многозарядными центрами, находятся диагностические признаки многозарядности и предлагаются методы определения параметров таких центров.

6.Анализируются вероятности туннельной рекомбинации компенсированных и неупорядоченных полупроводников, определяются параметры ловушек, участвующих в туннельной рекомбинации, исследуется их роль в процессах переноса тока контактов металл-неупорядоченный полупроводник и гетеропереходов на основе стеклообразных полупроводников. Находятся критерии оценки степени неоднородности полупроводников: дисперсия флуктуаций зонного потенциала и параметры распределения локальных состояний по энергиям.

7. Исследуется поведение параметров рекомбинационных центров в электрических полях, характерных для работы полупроводниковых приборов.

Новые научные результаты работы.

1. Получено обобщенное выражение для скорости рекомбинации, описывающее как рекомбинационные процессы в одной области пространства, так и в двух ту1шельно-связанных областях, включающее в качестве частных случаев модели: Шокли-Рида, туннельной и индуцированной рекомбинации.

2. Выведены выражения для вольтамперных характеристик совершенных и неупорядоченных полупроводников и ряда дифференциальных коэффициентов этих характеристик, описывающих рекомбинацию через двух и многозарядные центры, а также туннельную рекомбинацию. Определены пределы применимости данных выражений.

3. Последовательно проанализировано влияние многозарядносга центров рекомбинации на важнейшие электрические характеристики полупроводниковых структур: емкостные и токовые. Найдены диагностические признаки многозарядности и обоснованы методы определения параметров таких центров.

4. Установлено, что в неупорядоченных полупроводниковых соединениях, в качестве которых исследовались компенсированные полупроводниковые слои СаАБ и БЮ, а также структуры на стеклообразных халькогенидных полупроводниках, имеет место туннельная рекомбинация, проявляющаяся в типичном виде вольтамперных характеристик, описываемых теорией, развитой в данной работе.

5. Теоретически обоснованы и экспериментально проверены алгоритмы определения параметров распределения локальных состояний по энергиям в структурах с компенсированным слоем в области пространственного заряда.

6. Показана доминирующая роль многофононных процессов захвата на глубокие уровни в полупроводниках, начиная с кремния. Установлено, что модели, учитывающие элекгрон-фононное взаимодействие лучше, чем простая модель Френкеля-Пуля, описывают зависимости скоростей термической эмиссии и сечений фотоионизации от напряженности электрических полей в области их изменения, характерной для полупроводниковых приборов.

7. Разработана новая модель описания полевых зависимостей для электронно-колебательных переходов между вырожденными электронными состояниями, опирающаяся на выражение свертки чисто

электронного перехода в электрическом поле и форм-функцию соответствующего оптического перехода.

8. Выполнен широкий круг экспериментов на полупроводниках разных групп и классов, разнообразных полупроводниковых структурах с областью пространственного заряда, которые подтверждают применимость разработанных теоретических моделей.

Научно-практическая значимость работы:

1. Разработаны, теоретически обоснованы, экспериментально проверены и аппаратурно оформлены новые алгоритмы определения параметров рекомбинационных центров, опирающиеся на дифференциальные коэффициенты ВАХ, измеренных при прямом смещении р-и-переходов и контактов металл-полупроводник. Тем самым создано новое направление диагностики - рекомбинационная спектроскопия.

2. Разработан метод определения параметров многозарядных центров, основанный на термостимулированной емкости и проанализированы систематические ошибки, связанные с пренебрежением свойствами многозарядности центров.

3. Определены параметры многочисленных центров рекомбинации в полупроводниках, нашедших широкое применение в современной микро- и оптоэлектронике.

4. Разработан ряд алгоритмов и способов определения параметров электрон-фононного взаимодействия и форм-функции оптического перехода, которые позволяют рассчитывать полевые и температурные зависимости рекомбинационных и оптических характеристик центров с глубокими уровнями.

5. Созданы фотоприемники М-ТпЬ^ с компенсированной базой, обладающие инжекционным усилением фототока и высокой чувствительностью в коротковолновой области спектра. Обосновано соотношение параметров, обеспечивающих максимальный квантовый выход.

6. Разработаны методы определения дрейфовых и рекомбинационных барьеров в неупорядоченных полупроводниках, величину которых важно знать при разработке прикладных вопросов использования данных полупроводпиков.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту:

1. Обобщенное выражение для скорости рекомбинации, полученное в работе, включает как частный случай широко известную модель Шокли-Рида, описывает случай рекомбинации в туннельно-связанных областях и предсказывает новое явление - индуцированную рекомбинацию.

2. Выражения для ВАХ, полученные с использованием обобщенной скорости рекомбинации, описывают многочисленные экспериментальные результаты по рекомбинации в области пространственного заряда структур, изготовленных на полупроводниках различных классов и групп.

3. Существуют преобразования вольтамперных характеристик, измеренных при прямом смещении, которые приводят к кривым с особенностями, позволяющими определять параметры рекомбинационных центров при фиксированной температуре, что допускает их широкое диагностическое использование, в том числе непосредственно на этапах контроля результатов выполнения отдельных технологических операций.

4. Признаками многозарядности, по которым можно диагностировать наличие таких центров, являются появление (в узких областях напряжения прямого смещения) значений дифференциального коэффициента ВАХ, превышающих 2, а также минимумов на кривой приведенной скорости рекомбинации в этой же области напряжений.

5. В структурах сильнолегированных, компенсированных полупроводников наблюдается туннельная рекомбинация. По величине тока на этом участке можно найти вероятность туннельного прыжкового переноса и концентрацию дефектов в компенсированном слое. Исследование термогенерации в таких полупроводниках позволяет определить плотность локальных состояний.

6. Из обобщенной модели рекомбинации вытекает модель дисперсионного транспорта, объясняющая поведение подвижности в халысогенидных стеклообразных полупроводниках.

7. В структурах с областью пространственного заряда, изготовленных на основе компенсированных, фоточувствительных слоев, при условиях, установленных в данной работе, наблюдается явление инжекционного усиления, которое приводит к значительному росту квантового выхода в подобных приборах.

8. Полевые зависимости скоростей термической эмиссии и сечений фотоионизации в ОэАб и 1пР следует описывать с учетом элеюрон-фононного взаимодействия. При этом новый способ описания данных зависимостей, полученный в работе, хорошо согласуется с экспериментом.

Достоверность полученных результатов определяется построением физических моделей для теоретических расчетов с учетом основных явлений, определяющих свойства системы, многократной экспериментальной проверкой результатов расчета с применением различных независимых способов измерения и обработки, использованием для измерений аттестованной аппаратуры и апробированных методик, согласием полученных результатов с известными литературными данными.

Вклад автора в разработку проблемы. Диссертация является обобщением работ, выполненных автором за период с 1973 по 1999 гг. В совместных работах автору принадлежат разработка теоретических моделей, проведение расчетов и анализ результатов. Более половины экспериментов также проведено автором, остальные - его аспирантами, дипломниками и сотрудниками. Автор работы вырастила кристаллы фосфида индия, легированные железом, и изготовила ряд тонкопленочных структур, исследованных в работе.

Значение работы. Разработанная автором обобщенная модель для скоросп рекомбинации в туннельно-связанных областях, многочисленные приложена и следствия данной модели, апробированные экспериментально на различны: типах и классах полупроводников являются существенным вкладом в физик полупроводников. На основании выводов данной модели построены новы алгоритмы определения параметров центров рекомбинации, проверенные н практике, используемые в научно-исследовательских и производственны организациях. Часть фундаментальных результатов, полученных автором используется в учебном процессе. Итогом работы явилось решение крупно] научно-технической проблемы физики полупроводников i полупроводниковой электроники - исследование механизмов протекани рекомбинационных процессов в реальных, неупорядоченных и пространственw неоднородных полупроводниках.

Апробация диссертации.

Результаты диссертации опубликованы в 79 научных работах, включая : монографии, 39 статей, 34 публикаций в трудах конференций международног и всероссийского уровня. Сделаны доклады на следующих научны конференциях: Всесоюзная конференция «Физические процессы гетеропереходах» (Кишинев, 1974), Всесоюзная конференция «Новы полупроводниковые соединения и их свойства» (Кишинев, 1975), Всесоюзна конференция «Физические основы работы контакта металл-полупроводник (Киев, 1975), Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и и применение» (Кишинев, 1976), VI Межотраслевая конференция молоды ученых (Москва, 1976), 11-ая Всесоюзная конференция «Физические процесс! в полупроводниковых гетероструктурах» (Ашхабад, 1978), 2-ая Всесоюзна конференция «Тройные полупроводники и их применение» (Кишинев, 1979] Международное совещание по электрическим и оптическим явлениям твердом теле (Варна, 1980), Всесоюзная конференция «Физические явления некристаллических полупроводниках» (Кишинев, 1980), 1-ая Всесоюзна конференция «Физика и технология тонких пленок» (Ивано-Франковск, 1981

3-тья Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение» (Кишинев, 1983), Всесоюзная конференция «Фосфид индия и его применение» (Кишинев, 1985), Координационное совещание социалистических стран «Оптоэлектроника - 89» (Баку, 1989), Всероссийский семинар «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» (Черноголовка, 1990), Всесоюзная школа-семинар «Диагностика, надежность, неразрушающий контроль электронных устройств и систем» (Владивосток, 1990), VI Всесоюзная конференция «Аналитические методы исследования материалов и изделий микроэлектроники» (Кишинев, 1991), Всесоюзная конференция «Физические основы деградации и надежности полупроводниковых приборов» (Кишинев, 1991), Всесоюзная конференция «Актуальные вопросы материаловедения в электронной технике» (Ставрополь, 1995), Международная конференция «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах» (Ульяновск, 1997), Третья Российская универсигетско-академическая конференция (Ижевск, 1997), Всероссийская научно-техническая конференция «Микро- и наноэлектроника 98», (Звенигород, 1998), Международная конференция «Оптика полупроводников» (Ульяновск, 1998), Международная конференция «Физические процессы в неупорядоченных полупроводниках» (Ульяновск, 1999).

Структура диссертации и объем диссертации: Диссертация изложена на 301 странице, содержит 168 рисунков, 35 таблиц, 429 ссылок на оригинальную научную литературу.

Содержание работы В первой главе диссертации получено обобщенное выражение для скорости рекомбинации и уравнения для вольтамперных (ВАХ) характеристик р-п-переходов и контактов металл-полупроводник при рекомбинации в области пространственного заряда (ОПЗ).

Вывод формулы для обобщенной скорости рекомбинации опирается и модель, в соответствии с которой рассматривается рекомбинация в двух смежны туннельно-связанных областях. В каждой из областей имеютс рекомбинационные центры, энергетические состояния которых распределены п энергиям. Данные центры обмениваются с уровнями протекания валентной зоны зоны проводимости, а также туннельно между собой. Выражение для скорост рекомбинации в этом случае имеет вид:

+ (1) > I + +

Д,* = (Я)А* (¿') - (Е)сл (Е)пк = (£)(« +«,(£))

Другие обозначения соответствуют обозначениям Шокли. Из (1) вытекаю: частные модели рекомбинации.

Модель Шокли-Рида. Эта известная модель вытекает из формулы (1), есш предположить, что, во-первых, рекомбинация происходит через дискретньк уровни энергии, а именно: ^V^JÍ(£) = Лг(,^í^(£-£w), где: Е^- энергии акгиваци* ловушек, - их концентрация, а, во-вторых, коэффициенты захвата ловушек I одной из областей равны нулю, т.е. они отсутствуют. Применив эти условия (с,* = с^ - 0), получаем из (1):

с-1пч+п) + сМ>+Р)

Формула (2) полностью совпадает с выражением для скорости рекомбинации через ловушку в «р> области полупроводниковой структуры. (Здесь учтено, что р,п, = и,2). Можно применить еще одно приближение, а именно и>-> 0. Тогда, с учетом дискретности энергий рекомбинационных центров получаем:

сЛ"и + +/';) + +Л)'

То есть рекомбинация протекает в обеих областях независимо.

Туннельная рекомбинация. Для получения выражения скорости рекомбинации этой модели необходимо предположить, что в одной области ловушки обмениваются только с электронным уровнем протекания, а в другой - с дырочным. Предположив, что ср]—0 и с„4=0, из (1) получим:

Эта модель применяется для объяснения результатов экспериментов глав 4, 5 и 6. В частности, насыщение скорости рекомбинации и появление соответствующего участка на вольтамперной характеристике, связанного с конечностью вероятности туннельного перехода. Из обобщенной модели рекомбинации следует вывод о существовании явления индуцированной рекомбинации, которое заключается во взаимном влиянии туннелыю-связанных областей на рекомбинационные процессы друг друга. В работе выполнено математическое моделирование всех упомянутых частных случаев рекомбинации.

Далее в главе 1 более подробно анализируется модель Шокли-Рида для простых двухзарядных центров. Получено удобное для анализа экспериментальных результатов выражение для ВАХ при рекомбинации в ОПЗ через несколько двухзарядных центров:

А д^К^И^К 2 кт

' ' - + + сртР1, Х № -и)'

Результаты моделирования показывают, что формула (5) лучше по сравнению с результатами других авторов аппроксимирует выражение, полученное численным интегрированием скорости рекомбинации по ОПЗ. В работе определены граничные значения напряжения прямого смещения, до которых (5) может успешно применяться. Данная формула послужила основой для разработки ряда алгоритмов определения параметров рекомбинационных центров.

Установлено, что для анализа сложных рекомбинационных процессов с участием нескольких двухзарядных центров удобно ввести новую величину -приведенную скорость рекомбинации, которая имеет физический смысл обратного времени жизни и определяется формулой: 1,(Ц) д(У„-Ц)

КЛи) = -

ехр

2 кТ

-1

2 кТ

(6)

В соответствии с (5) приведенная скорость рекомбинации для одиночного центра имеет вид:

2", + п1с» + Р'ср

(7)

Выражение (7) при самом низком уровне инжекции возрастает экспоненциально Яар = согшехр(д1//2кТ), а затем принимает постоянное значение

Я„р = Я™ - с„с12. Такой вид зависимости (7) позволяет разделять

суперпозицию рекомбинационных процессов на отдельные составляющие и определять параметры рекомбинационных центров. В частности, энергию активации уровня можно определить по напряжению Со.з, которое определим как напряжение, при котором выполняется условие Я„р= /2 тогда,

спп 1 +СРР\ - 2п1-у1с„ср - Полагая, что уровень лежит выше середины

запрещенной зоны, т. е. срр1«с\п,, находим:

Е -дийЛ кТ,

-+ 8, где: 8 = — 1п

2 2

1 сЖ

4 срЫ,

В последнем пункте главы 1 анализируется влияние различных факторов на вид вольтамперной характеристики (5). В частности влияние распределения центров по координате и компенсации материала, приводящего к появлению флуктуаций зонного потенциала.

В главе 2 рассматриваются алгоритмы преобразования ВАХ, которые преобразуют монотонную зависимость в кривую с экстремумами, каждый из которых означает изменение скорости рекомбинации и связан либо включением в процесс рекомбинации еще одного центра, либо перезарядкой многозарядного. Преобразование ВАХ осуществляется путем вычисления дифференциальных коэффициентов, определение которых и связь с параметрами рекомбинационных центров приведены ниже.

Экстремумы на зависимости данных дифференциальных коэффициентов от напряжения позволяют вычислять энергию активации (по формуле (8)) и другие параметры центров рекомбинации. В работе рассматриваются и другие преобразования, которые применяются для тех же целей.

В главе 2 представлен обширный экспериментальный материал по исследованию рекомбинационных центров в структурах на основе кремния и фосфида галлия, на основе которого апробируются новые методы определения параметров глубоких центров, и проводится сопоставление с хорошо зарекомендовавшими себя методиками. В частности, для этого проанализирован метод термостимулированной емкости, получено выражение в случае ионизации многозарядных центров и определены систематические ошибки, которые допускаются, когда многозарядность не учитывается. Результаты экспериментов на различных кремниевых структурах сведены в табл.1.

Таблица 1

Энергии активации глубоких центров в структурах с р-п-переходом на основе кремния, вычисленные по различным методикам

Е, К др ди У ТСЕ ТГ Е, К м 81/ У ТСЕ ТГ

Четырехсегментные переходом ютоприемники с р-п-(1 группа) Четырехсегментные переходом ютоприемники с р-п-(2 группа)

Е1 0.57 0.58 Е1 0.56 0.56

Е2 0.54 0.55 Е2 0.55 0.55 0.55

ЕЗ 0.53 0.54 0.52 ЕЗ 0.53 0.54 0.52

Е4 0.48 0.48 0.42 Е4 0.52 0.50 0.50

Е5 0.40 0.41 0.40 Е5 0.45

Е6 0.38 Е6 0.40

Е7 0.25 Е7 0.3

Лавинные фотоприемники ФД-131к рш-фотоприемники ФД-141к

Е1 Е1 0.60 0.6

Е2 0.56 0.56 0.60 Е2 0.56 0.56

ЕЗ 0.55 0.55 0.55 0.55 ЕЗ 0.55 0.55 0.55 0.55

Е4 0.54 Е4 0.53 0.54

Е5 0.52 0.51 0.52 Е5 0.48 0.50 0.51 0.46

Е6 0.48 0.45 Еб 0.44

Е7 0.26 0.25 0.32 Е7 0.36 0.36

Е8 Е8 0.25

Планарные //-«-переходы Планарные />-л'-переходы

Е1 0.58 0.65 Е1 0.65 0.65

Е2 0.52 0.51 0.51 0.54 0.54 Е2 0.60

ЕЗ 0.42 0.46 0.48 0 ЕЗ 0.54 0.53 0.55 0.55 0.55

Е4 0.36 0.39 0.35 Е4 0.51

Е5 0.30 0.31 Е5 0.43 0.45 0.46 0.43

Еб Еб 0.37 0.40

Е7 Е7 0.20 0.20

Таблица демонстрирует согласие независимых экспериментов, полученных на различных структурах, между собой. В диссертации проведено сопоставление с

литературными дашшми, полученными различными авторами. Таким образом, подтверждается достоверность полученных теоретических результатов и экспериментальных данных.

Следует отметить, что в работах других авторов процессы рекомбинации в ОПЗ не использовались для определения параметров центров, кроме того, в диссертации анализируется ряд различных алгоритмов преобразования ВАХ, число которых этим не исчерпывается. В связи с этим можно сделать вывод, что материал главы 2 открывает новое направление в диагностике полупроводниковых структур - рекомбинационную спектроскопию, которая включает ряд методов и позволяет: разделять сложные процессы на составляющие; определять параметры отдельных центров и их вклад в рекомбинацию; определять, через какие центры идет рекомбинация -двухзарядные либо многозарядные; применять токовые методы непосредственно на пластинах в ходе выполнения технологических операций.

Далее исследуется влияние потока фотонов из примесной области спектра па рекомбинацию в области пространственного заряда и разрабатывается алгоритм определения сечения фотоионизации глубоких центров.

В главе 3 исследуются рекомбинационные процессы в структурах, содержащих многозарядные центры. Получены общие выражения для заполнения отдельных зарядовых состояний центров (//„) и скорости рекомбинации через такие центры:

В диссертации выполнено моделирование процессов рекомбинации в структурах с участием многозарядных центров. В результате моделирования показана важная роль перезарядки отдельных состояний центра и найдены условия диагностики многозарядности центра. Экспериментальная проверка теоретических положений проводилась на ОаР - светодиодах и /»-«-переходах на

(П)

»+1 т-1 к

1ГКГК

где: VI = е\т +сряр, у' = е'ра + сптп.

основе кремния, легированного золотом. На обоих типах образцов обнаружены признаки, характерные для многозарядных центров. Разработаны алгоритмы обработки результатов с использованием аналитических выражений для ВАХ и моделирования. Полученные параметры центров хорошо согласуются с литературными данными и емкостными измерениями.

В результате сопоставления теоретических и экспериментальных результатов можно сделать вывод, что признаками многозарядности, по которым можно диагностировать наличие центров данного типа, являются появление (в узких областях изменения напряжения прямого смещения) значений дифференциального показателя ВАХ, превышающего 2 и наличия минимума на кривой приведенной скорости рекомбинации в этой же области напряжений.

Для многозарядных центров последовательность определения параметров центров усложняется. Расчет проводится в таком порядке: эксперимент, расчет параметров по двухзарядным моделям, моделирование с учетом возможной многозарядности, дополнительный эксперимент в нужном диапазоне температур и напряжений.

В главе четвертой исследуются компенсированные неоднородные полупроводниковые структуры на основе СаАв, легированного кремнием, и карбида кремния (БЮ). В компенсированных слоях ОаАэ начальный участок ВАХ описывался туннельно-рекомбинационными токами, которые при росте уровня инжекции переходили в токи рекомбинации в ОПЗ. На последнем участке были найдены параметры энергетических уровней. Для этого использовались выражения для ВАХ, учитывающие флуктуации потенциала в компенсированном слое:

(12)

е'„+е'р+ ехр

2 кТ

Были измерены спектры электролюминесценции, по которым определена дисперсия флуктуаций зонного потенциала (сг2) и рассчитана поправка к энергии

а2

уровня, связанная с флуктуациями: =Ет- . Результаты приведены в табл.2.

Таблица 2.

Сопоставление энергий активации глубоких уровней образцов с различной дисперсией флуктуаций потенциала.

Образец n4's n5s n5's N2j n2s

0.028 0.015 0.032 0.020 0.049

Е5,эВ 0.475 0.444 0.462 0.456

Е6,эВ 0.425 0.426

Е7, эВ 0.382 0.394 0.397

Е8,эВ 0.355 0.345 0.344 0.337 0.344

Е9, эВ 0.310 0.315 0.304 0.293 0.316

ЕЮ, эВ 0.265 0.286

Примечание: Энергии в таблице приведены с учетом поправки, связанной с флуктуациями.

Поправка, приведенная во второй строке табл.2, улучшает согласие значений энергии активации, определенное на различных образцах, дает хорошее согласие с результатами емкостных измерений и литературными данными. Это говорит о достоверности формулы (12) и модели, в результате которой она получена.

Для уточнения механизма формирования тока на начальном участке было выполнено моделирование по формуле (4). Вероятность прыжка определялась величиной интеграла перекрытия:

w(r) = vexp(-2r /а), (13)

где: v - частота характеристического фонона в GaAs; г - расстояние между узлами, равное длине прыжка. Это среднее расстояние между примесями. г »JVJ1'3.а = й/-j2mEj - радиус локализации. Для расчетов были проведены дополнительные измерения концентрации и энергии ловушек методом ТСЕ. Результаты моделирования хорошо согласуются с экспериментальным значением

тока начального участка, что указывает на ведущую роль туннельной рекомбинации в формировании тока данного участка.

Известно, что разупорядочение приводит к энергетически неэквивалентному положению отдельных рекомбинационных центров, что вызывает распределение их энергетических состояний в запрещенной зоне полупроводника с некоторой плотностью. Для этого случая были получены выражения для скорости термогенерации и разработан метод восстановления плотности локальных состояний вблизи середины запрещенной зоны. Этот метод опирался на вычисленные в работе теоретические выражения для тока термогенерации. Были получены выражения, которые связывали экспериментальные температурные зависимости емкости и термоэмиссионного тока со скоростью термической эмиссии и плотностью распределения локальных состояний вблизи середины запрещенной зоны:

2(У,±Ц)4С2) де.Б2 с1Т

фуе^ПсГГ^Уда/кТ) )_

(И)

01

Для проверки данной модели были выполнены эксперименты на специально подобранных образцах кремниевых фотоприемников с компенсированным слоем. Образцы отбирались по признаку величины дисперсии флуктуаций зонного потенциала, которая определялась по температурной зависимости емкости:

а1 = (кТу

1 Г7Жг Т дех | Шп(Л^,/Л^У„)-а7Л : £/ /Д с1 ОТ £вдТ Ч{У,+и) ) кТ

(15)

Были выбраны две группы образцов с дисперсией: первая - 0.0004 эВ2 и вторая — 0.0009 эВ2. Степень разупорядоченностн контролировалась также методом растровой микроскопии в режиме наведенного тока и У-модуляции. Сопоставление вычислений плотности состояний по формулам (14) и емкостными измерениями показало удовлетворительное согласие, что подтверждает достоверность выбранной модели. При исследовании данных структур были установлены признаки, которые позволяют определять качество кремниевых р-п-переходов. Однородные качественные переходы отличаются сильной

температурной зависимостью и слабой полевой зависимостью обратного тока. Неоднородные, наоборот, обладают менее выраженной температурной и более сильной полевой зависимостями обратного тока, что связано с усиливающимися туннельными процессами. Анализ литературных данных показал, что неоднородность исследованных образцов может быть связана с комплексами вакансия кремния-кислород. Если предположить, что несколько комплексов ассоциируется в один макроскопический дефект. Это объяснет сразу несколько фактов: снижение концентрации центров с энергией 0.55 эВ в образцах второй группы по сравнению с первой, увеличение сечений захвата, что и наблюдается экспериментально. Вокруг дефекта создается область упругих деформаций и деформации зонного потенциала, способствующих возникновению распределенных по энергиям локализованных состояний.

Показано, что ВАХ структур на основе карбида кремния формируют процессы рекомбинации и туннелирования. Методами рекомбинационной спектроскопии определены энергии активации глубоких уровней и проанализированы температурные зависимости положения диагностических максимумов на кривых дифференциальных коэффициентов.

В пятой главе продолжено исследование процессов рекомбинации в структурах с пространственным разделением электронов и дырок. В качестве объекта исследования были выбраны пленочные структуры на халькогенидных стеклообразных полупроводниках (ХСП) АвгБез, А^з и их твердых растворов, в которых процессы прыжковой проводимости и туннельной рекомбинации ярко выражены. Для того, чтобы сопоставить теорию первой главы (формулы 1 и 4) с экспериментальными результатами, было выполнено комплексное исследование ХСП. Методами токов, ограничешшх пространственным зарядом (ТОПЗ), определены концентрации и законы распределения локализованных состояний по энергиям. Показано, что вблизи уровней протекания локализованные состояния распределены по экспоненциальному закону, а вблизи центра щели подвижности распределение соответствует нормальному закону с энергией центра распределения 0.5-0.6 эВ, дисперсией 0.004-0.006 эВ2 и концентрацией 2*1017 см'3. Экспериментально показано, что в структурах имеет место дисперсионный

транспорт, который приводит к сильным температурным зависимостям подвижности. Для объяснения поведения подвижности была использована модель туннельной рекомбинации, которая объясняет поведение подвижности в широком диапазоне температур и из которой модель дисперсионного транспорта вытекает как частный случай.

Существование пространственного разделения электронов и дырок было подтверждено двумя независимыми экспериментами. Во-первых, было обнаружено и исследовано явление остаточной проводимости, в результате чего определена высота дрейфовых потенциальных барьеров: 0.19 - 0.6 эВ . Во-вторых, были исследованы вольтфарадные характеристики структур М-Аз28е3-81, которые показали, что положительные и отрицательные заряды внутри пленки расположены статистически, и центры их. местоположения не совпадают. Концентрация положительно и отрицательно заряженных зарядов примерно равна, и поэтому с полным основанием данный аморфный полупроводник можно рассматривать как сильно компенсированный. В объеме такого полупроводника возникают крупномасштабные флуктуации потенциала с энергией порядка ширины запрещенной зоны. Размеры таких флуктуаций могут быть порядка и больше толщины диэлектрика МДП-конденсатора. Для Аз25с3 получены значения N„=3.5x10", ^=2.7x10", /МО16 и Л^~6.8х10п см"3 . Таким образом, действительно, наблюдается случай сильной компенсации (Л'¿»р).

Вычисленные параметры локализованных состояний позволили сопоставить экспериментальные ВАХ с расчетами по формуле (4). Экспериментальные результаты, достаточно хорошо описываются этой формулой при значениях ш = 4 10'21см3 с'1. Для того, чтобы оценить вклад в вероятность туннельного перехода многофононных процессов, была сделана оценка вклада туннельного перехода за счет интеграла перекрытия. Оценка дает величину м>о = 2x10"15. Экспериментальное значение вероятности туннельного перехода и данная величина позволяют оценить значение коэффициента захвата по формуле: ср = Лехр(-Ф) = и)/н>0. Данная величина в среднем равна 2 Ю^.смЛ:'1.

Она, как и среднее расстояние туннельного скачка (8 10"7 см) находятся в

разумных пределах. Что косвенным образом подтверждает верность выбранной модели.

Таким образом, результаты глав 4 и 5 показывают, что увеличение степени разупорядочения полупроводника приводит к явлению пространственного разделения электронов и дырок. При этом рекомбинациошгые процессы сопровождаются туннелированием. В качестве критерия перехода от модели рекомбинации с мелкомасштабными флуктуациями к модели туннельной рекомбинации может служить величина рекомбинационного барьера в неупорядоченной структуре.

В работе также исследованы процессы деградации пленочных структур ХСП при различных условиях хранения, и показано существование процессов перестройки локализованных состояний в процессе храпения.

В шестой главе исследуются гетероструктуры Бе-АзгЭез и контакты металла с сильно компенсированными полупроводниками 2п1п284 и СсЮагЭ,;. Показано, что в гетероструктурах также имеют место токи туннельной рекомбинации. Кроме того, исследованы особенности фототока данных гетеропереходов и показана существенная роль распределения локальных состояний по энергиям внутри щели подвижности. Обсуждаются особенности люксамперных характеристик твердых растворов селенид - сульфит мышьяка. В компенсированных структурах на основе 2п1п284 обнаружено инжекционное усиление фототока. Усиление наблюдается при прямом смещении контакта металл-полупроводник. Квантовый выход фототока превышает 102 в структурах с оптимальной толщиной базы. Проводится анализ, результаты которого позволяют выбрать оптимальную толщину базы.

В главе седьмой исследуется шшяние электрон-фононного взаимодействия и электрического поля на кинетические коэффициенты генерационно-рекомбинационных процессов. Для определения параметров электрон-фононного взаимодействия были выбраны оптические свойства центров рекомбинации. Это связано с тем, что теория электрошю-колебательных переходов и ее приложения хорошо разработаны. В данной работе приведен использованный впервые в России (1973-1974 г.) для определения параметров электрон-фононного

взаимодействия метод фотоемкости. В ходе работы развита теория фотоемкостного метода, экспериментальные приемы его осуществления, кроме того, автором работы методом зонной плавки выращены образцы фосфида индия, легированного железом и получены барьеры Шотпси на их основе для исследования емкостных свойств. В результате цикла измерений на структурах Аи-1пР:Ре получены спектры сечений фотоионизации для переходов как электронов в зону проводимости, так и дырок в валентную зону, энергии термической и оптической ионизации. Полученные параметры обладают характерными для электрон-фононного взаимодействия признаками: сумма энергий оптических переходов в зону проводимости и валентную зону превосходит ширину запрещенной зоны, энергия оптической ионизации превышают энергию термической ионизации, хвосты спектров сечений фотоионизации описываются нормальным распределением. Для определения параметров взаимодействия была использована свертка форм-функцик оптического перехода (/(г)) с наиболее существенным членом разложения вероятности чисто электронного перехода с центра в одну из разрешенных зон, которая приведена в работе [1] для спектров сечения фотоионизации:

Параметры определялись несколькими способами: перестраивалии спектры сечений фотоионизации вида (17) в соответствующих координатах уравнение свертки (16) решалось методом Тихонова и определялась форм-функция оптического перехода /(с). Из этой функции в дальнейшем с помощьк выражений для первых моментов определялись искомые параметры. Результать для фосфида индия приведены в табл.3.

Расчеты, выполненные различными методами, согласуются между собой.

В работе также исследовались излучательные комплексы Уоа-8по (вакансия галлия - атом олова, замещающий галлий в ближайшем о:

На

(16)

а также ее аппроксимация на длинноволновом краю:

(17)

вакансии узле), и Уа^м (вакансия галлия - атом серы, замещающий атом мышьяка в ближайшем от вакансии узле). В этом случае форм - функция вычислялась непосредственно из спектров излучения, а параметры электрон-фононного взаимодействия определялись на основании соотношений, связывающих их с первыми моментами форм-функции.

Таблица 3.

Параметры электрон-фононного взаимодействия для некоторых центров в

в1пР

Переход Энергия оптической ионизации, эВ Дисперсия, эВ2 При 77 Тепловыделе -ние, эВ Энергия чисто электронного перехода, эВ

Яп4 1.31 0.0009 0.27 1.04

Чр4 0.65 0.0038 0.29 0.36

ЧпЗ 1.32 0.0022 0.40 0.92

ЧрЗ 0.89 0.0030 0.40 0.49

Полученные параметры электрон-фононного взаимодействия использовались для объяснения результатов исследования скоростей термической эмиссии от напряженности электрического поля. Полевые зависимости измерялись методом изотермической релаксации емкости при различных обратных смещениях поверхностно - барьерных диодов. С ростом напряженности поля величина скоростей эмиссии экспоненциально нарастала. Причем скорость нарастания была выше, чем ожидалось в соответствии с эффектом Френкеля-Пуля. Для объяснения этих зависимостей были использованы теоретические работы, опирающиеся на однокоординатную модель электрон-фононного взаимодействия. Результаты расчетов и эксперимента в целом согласуются. В частности, эксперименты, выполненные на фосфиде индия, хорошо описываются теорией Тимашева, в соответствии с которой скорость эмиссии описывается формулой:

где - вероятность перехода без поля, у - аналог постоянной Френ-

келя, но уже с учетом электрон-фононного взаимодействия,

у = [1+(£,„(р)-5Ю>Га-2]^, (19)

(еПУ

241 ' Чс^Г

где - энергия чисто электронного перехода, а2 =(м2), а параметр а

должен удовлетворять условию---

А 12£Г

В табл.4 приведем значения параметров, при которых получалось наилучшее совпадение теории с экспериментом.

Однако, применение однокоординатного приближения требует достаточно жестких ограничений на параметры системы и характеристики колебаний. Эта модель, как правило, не может быть использована в том случае, когда энергетические состояния вырожденные. Для того, чтобы преодолеть этот

Таблица 4.

Параметры, характеризующие поведение глубоких центров в области объемного

заряда

N т°,к Параметры, Параметры, определенные из энергии

определенные из поле- термической активации и спектров сечений

вых зависимостей е"-р фотоионизации'

у 1<Г у 103 I ЭКС 4 ^ Е Ч.Р а2103 В V 101и 0ЫЧ А

(В/см)"2 (В/см)'1Д (эВ) (эВ)2 (эВ) (В/см)"2

1 220 3.9 0 0.53 8.3 0.22 3.7

228 3.3 0 8.7 3.3

3 174 0.53 4 0.54 8.4 0.28 0.69

4 155 1.47 3 038 5.1 0.19 1.08

174 0.98 3 5.7 0.74

недостаток, был разработан новый метод описания полевых зависимостей на основании уравнения свертки вероятности чисто электронного перехода с форм-функцией соответствующего оптического перехода. Выражение для вероятности квантовомеханического перехода с учетом элекгрон-фононного взаимодействия было записано в виде:

^ = у(*К (20)

-оО

где - г) - вероятность чисто электронного перехода с i - подуровня

мультиплета исходного состояния центра на у - подуровень конечного состояния

мультиплета, а - выражение для форм-функции оптического перехода с

/ - подуровня мультиплета исходного состояния центра на _/- подуровень

конечного состояния мультиплета, ^ - суммирование по всем подуровням

и

мультиллетов 1 и 2.

Необходимые для расчета форм-функции вычислялись из эксперимента, как это было описано выше, а в качестве вероятности чисто электронного перехода выбиралось выражение Франца для туннелирования сквозь треугольный потенциальный барьер. Данный метод, впервые использованный в работе, позволил достаточно хорошо описать полевые зависимости скоростей термической эмиссии. Достоинством этого метода является простота, отказ от использования однокоординатного приближения и допущений, возникающих при этом.

В заключении главы 7 были исследованы и объяснены с помощью моделей, учитывающих электрон-фононное взаимодействие полевые зависимости оптических сечений фотоионизации центров в фосфиде индия и арсениде галлия.

Заключение

1.Получено общее выражение для скорости рекомбинации в пространственно-неоднородной структуре на основе модельного представления о двух туннельно-связанных областях, из которого в качестве частных случаев вытекают:

- скорость рекомбинации простого двухзарядного центра (модель Шокли-Рида);

- скорость рекомбинации при существовании нескольких параллельных независимых каналов;

- скорость рекомбинации с учетом туннелирования (туннельная рекомбинация);

- скорость индуцированной рекомбинации, учитывающая туннельную перезарядку и взаимное влияние друг на друга центров соседних, туннельно-связанных областей.

Проанализированы условия реализации частных моделей и их диагностические признаки, в частности, насыщение скорости туннельной рекомбинации, связанное с ограничением пропускной способности туннельного канала при определенных вероятностях туннелирования.

2. Получено аналитическое выражение для тока рекомбинации в области пространственного заряда с участием нескольких двухзарядных центров, которое лучше согласуется с прямыми численными расчетами, чем приближения других авторов. Получено выражение для ВАХ, описывающее рекомбинацию в структурах с флуктуациями зонного потенциала, показано, что наличие флукгуаций уменьшает эффективную энергию ионизации центров. В качестве критерия реализации данной модели либо модели туннельной рекомбинации предлагается использовать величину рекомбинационного барьера.

3. Разработаны физические основы определения важнейших параметров рекомбинационных центров: оптических и термических энергий ионизации, коэффициентов захвата и фотоиоиизации, параметров элеюрон-фононного взаимодействия, параметров, характеризующих распределение локальных состояний по энергиям. Определены параметры рекомбинационных центров в

ряде полупроводниковых структур на основе кремния, ОаАэ, ОаР, 1пР, ЭЮ, ХСП и других.

При этом теоретически и экспериментально обоснована группа методов, основанная на новых алгоритмах преобразования ВАХ - рекомбинационная спектроскопия.

Все методы апробированы и экспериментально подтверждены на различных структурах, перечисленных выше.

4. Всесторонне проанализирована роль многозарядности центров рекомбинации в генерационно-рекомбинационных процессах. Получено общее выражение для концентрации центров в различных зарядовых состояниях, показана важная роль перезарядки данных центров при воздействии различных внешних факторов и отличающихся условий проведения эксперимента.

Выведены формулы для:

- скорости рекомбинации в области пространственного заряда для центров с произвольным числом зарядовых состояний;

- концентрации центров в различных зарядовых состояниях;

- нестационарной изотермической и термостимулированной генерации с трехзарядных центров.

На основании этого разработаны алгоритмы анализа ВАХ р-л-переходов при прямом смещении, а также результатов исследования термостимулированных тока и емкости. Теоретические результаты апробированы на образцах кремния, легированного золотом, и фосфида галлия.

5. Показано, что с ростом степени разупорядочения полупроводниковых материалов возникают условия для пространственного разделения электронов и дырок, что приводит к возникновению и развитию процессов туннельной рекомбинации. Это подтверждается сопоставлением обобщенной модели туннельной рекомбинации с результатами экспериментов на компенсированных полупроводниковых структурах на основе арсенида галлия, карбида кремния и ХСП.

Модель туннельной рекомбинации описывает начальный участок ВАХ при прямом смещении структур с компенсированным слоем на основе СаАв, БЮ, а

также металл - ХСП и гетеропереходов на основе ХСП. Данная модель объясняет поведение дрейфовой подвижности в ХСП в широком диапазоне температур, и из нее вытекает в качестве высокотемпературного приближения модель дисперсионного транспорта.

6. Получено выражение для скорости генерации в ОПЗ через распределенные по энергиям локальные состояния. На этой основе предложена методика восстановления данного распределения, основанная на измерении температурных зависимостей стационарного обратного тока и емкости, которая апробирована на неоднородных структурах кремния, содержащего комплексы \г5;-0. Показано, что в фотоприемниках эти комплексы контролируют время жизни и диффузионную длину неосновных носителей заряда.

7. Разработаны новые методы вычисления из экспериментальных результатов редко определяемых параметров элекгрон-фононного взаимодействия, которые оказывают самое существенное влияние на зависимости кинетических коэффициентов генерационио-рекомбинационных процессов от температуры и напряженности электрического поля. Данные методы опираются на особенности кинетики фотоемкости при разных начальных условиях состояния центров и спектры излучения.

Исследование полевых зависимостей скоростей термической эмиссии и сечений фотоионизации центров в арсениде галлия и фосфиде индия с очевидностью продемонстрировало, что только модели, учитывающие данное взаимодействие, адекватно описывают экспериментальные результаты.

При этом разработан новый метод расчета полевых зависимостей кинетических коэффициентов, опирающийся на выражение свертки форм-функции оптического перехода с вероятностью соответствующего чисто электронного перехода в электрическом поле.

8. Созданы структуры с инжекционным усилением, чувствительные в коротковолновой области спектра, на основе М- 2п1п254. Найдено оптимальное соотношение между толщиной базы прибора и диффузионной длиной неосновных носителей заряда, обеспечивающие максимальный квантовый выход.

9. Обоснован отбор фоточувствительных слоев, обеспечивающих высокий

контраст при термопластической записи по высоте дрейфовых потенциальных

барьеров.

Список основных работ, опубликованных по теме диссертации.

1. Булярский C.B., Грушко Н.С. Физические принципы функциональной диагностикир-п переходов с дефектами. Кишинев: Штиинца, 1992. 235с.

2. Булярский C.B. Грушко Н.С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М: МГУ, 1995.402 с.

3. Грушко Н.С. Материалы электронной техники. Ульяновск, 1994. 75с.

4. Булярский C.B., Грушко Н.С., Коротченков Г.С., Молодян И.П. Об определении некоторых параметров глубоких центров в фосфиде индия, легированном хромом и железом. Деп. в ВИНИТИ. №6668-73. 1973.

5. Грушко Н.С., Гуткин A.A. Спектры сечений фотоионизации глубоких примесных центров в фосфиде индия, легированном железом //ФТП. 1974. Т.8. №9. С. 1816-1820.

6. Грушко Н.С., Гуткин A.A. Применение фотоемкостного метода для исследования электрон-фононного взаимодействия при фотоионизации глубоких примесных центров в InP // ФТП. 1975. Т.9. №7. С.58-62.

7. Булярский C.B., Грушко Н.С., Гуткин A.A., Наследов Д.Н. Полевые зависимости термической ионизации центров в слое объемного заряда барьеров Au-n-InP:Fe // ФТП 1975. Т.5. №2. С.287-291.

8. Бакалейников JI.A., Булярский C.B., Грушко Н.С.. Гуткин A.A. Влияние электрического поля на фотоионизацию глубокого центра при электронно-колебательных переходах// ФТП. 1976. Т. 10. С.363-365.

9. Грушко Н.С., Руссу Э.В., Слободчиков C.B. Фотопроводимость фосфида индия, легированного железом и никелем // ФТП. 1975. Т.9. №2. С.343.

10. Арама Е.Д. Грушко Н.С., Житарь В.Ф., Радауцан С.И. Электрические и фотоэлектрические характеристики диодов Ni-Znli^ //Доклады АН СССР 1976. Т.227. №6. С. 1329-1331.

П.Арама Е.Д., Грушко Н.С., В.Ф.Житарь, Радауцан С.И. Влияние базы на параметры диодов, изготовленных из высокоомного ZnIn2S4 // Письма в ЖТФ. 1977. Т.З. №6. С.254-258.

12. Грушко Н.С., Дону B.C., Житарь В.Ф., Радауцан С.И. Исследование вольтамперных характеристик поверхностно-барьерных диодов на основе CdGa2S4.//®Tn. 1980. №i. С.69-73.

13.Арама Е.Д., Грушко Н.С., Житарь В.Ф. Потенциальная диаграмма контакта In-ZnIn2Sj //Теоретические и экспериментальные исследования сложных полупроводниковых соединений. Кишинев: Штиинца, 1978. С. 113-117.

14. Арама Е.Д., Грушко Н.С., Житарь В.Ф. Самолегирование кристаллов ZnIn2S4 в процессе отжига в различных средах //В сб.: Физика сложных полупроводниковых соединений. 1979. С.95-100.

15. Арама Е.Д., Грушко Н.С. Определение показателя преломления в Z11I112S4 // Сб. Физика сложных полупроводниковых соединений. 1979. С.95-100.

16.Грушко Н.С., Дону B.C., Житарь В.Ф., Радауцан С.И. Электрические характеристики двойных поверхностно-барьерных диодов на основе CdGa2S4 //Получение и исследование новых материалов полупроводниковой техники. Кишинев, 1980. С.90-98.

17. Грушко Н.С., Дону B.C., Житарь, В.Ф., Радауцан С.И. Исследование вольтамперных характеристик двойных поверхностно-барьерных характеристик диодов GdGa2S4.// ФТП. 1980. Т. 14. С.69.

18. Грушко Н.С., Барсук A.A., Булярский C.B., Дону B.C., Житарь В.Ф. Радауцан С.И. Исследование термостимулированного тока в GdGaÄ.// ФТП. 1980. Т. 14. С. 1140.

19. Грушко Н.С., Панасюк JI.M., Провоторов И.Л.. Изучение потенциальной диаграммы структуры Sb-As2Se3-Si. // ФТП. 1980. Т. 14. С. 1140-1145.

20. Грушко Н.С., Гоглидзе Т.И., Панасюк JI.M. Особенности C-V характеристик МДП структур на основе халькогенидного стеклообразного полупроводника //ФТП. 1982. Т.16. С. 1271-1273.

21.Грушко Н.С., Булярский C.B., Гоглидзе Т.И., Панасюк JI.M., Рябухина Г.Н. Влияние неоднородности полупроводникового материала на контрастность изображения в фотографическом режиме// ФТП. 1981. Т. 15. С. 1656.

22. Грушко Н.С., Гоглидзе Т.И., Панасюк Л.М., Герасименко JI.A. Исследование термостимулированных процессов в стеклообразных полупроводниках на основе селенида мышьяка //В сб. Полупроводниковые материалы для твердотельной электроники. Кишинев: Штиинца, 1982. С.220-225.

23. Булярский C.B., Евсеев Е.П., Руссу Е.В. Глубокие рекомбинационные центры в InP и InGaAsP // Сб. Материалы для полупроводниковой электроники. Кишинев. 1984. С. 136.

24. Булярский C.B., Грушко Н.С., Бутылкина H.A., Лукьянов А.Е., Назаров М.В., Степин И.О. Неоднородности в кремниевых р-п переходах // Известия Вузов. Физика. 1991. №4. С.71-76.

25. Булярский C.B., Грушко Н.С., Генерационно-рекомбинационные процессы в неупорядочешшх полупроводниках //Сб. науч. трудов: Частицы. Волны. Вещество. УлПИ. 1993. С.88-98.

26. Булярский C.B., Стратан И.В., Грушко Н.С. Термостимулировапный ток и емкость структур, содержащих многоуровневые глубокие центры //ФТП. 1987. Т.21. С. 1730-1732.

27. Булярский C.B., Грушко Н.С., Сомов А.И., Лакалин A.B. Рекомбинация в области пространственного заряда и ее влияние на коэффициент передачи биполярного транзистора//ФТП. 1997. Т.31. С.1146-1150.

28. Булярский C.B., Грушко Н.С., Лакалин A.B., Сомов А.И. Снижение коэффициента передачи биполярного транзистора за счет рекомбинации в ОПЗ // Сб. Твердотельная электроника. Ульяновск, 1996. С.4.

29. Грушко Н.С. Рекомбинация в неупорядоченных полупроводниковых материалах и в структурах с ОПЗ на их основе //Учен. зап. Ульяновского государствешюго университета. Сер. физическая. 1999. Вып.2(5). С.51-55.

50. Булярский C.B., Грушко Н.С., Лакалин A.B. Две методики определения энергии активации глубоких уровней из анализа тока рекомбинации в области пространственного заряда р-п перехода //Заводская лаборатория. 1997. Т.63. С.25-30.

31. Грушко Н.С. Рекомбинация в областях пространственного заряда полупроводников // Труды лекторов школы. Критические технологии и фундаментальные проблемы. Физика конденсированных сред Ульяновск, 1999. С.81-99.

32.Грушко Н.С., Лакалин A.B. Рекомбинация в области пространствешюго заряда барьера Шотгки // Ученые записки УлГУ. Сер. Физическая. 1997. С.44-48.

33.Грушко Н.С., Жуков A.B., Комлев A.B., Захаров Д.Н. Влияние концентрации легирующей примеси на комплсксообразование GaAs. Построение конфигурационно-координатной диаграммы центра Vc-a-SAs // Ученые записки УлГУ. Сер. Физическая. Вып. 1(3). 1997. С.44

34.Булярский C.B., Грушко Н.С., Лакалин A.B., Дифференциальные методы определения параметров глубоких уровней по рекомбишционным токам р-п перехода//ФТП. 1998. T.32. С. 1193-1196.

35.Булярский C.B., Воробьев М.О., Грушко Н.С., Лакалин A.B. Определение параметров глубоких уровней по дифференциальным коэффициентам вольтамперных характеристик // Письма в ЖТФ. 1999. №5. С.22-27.

36. Булярский C.B., Воробьев М.О., Грушко Н.С., Лакалин A.B. Рекомбинационная спектроскопия глубоких уровней в GaP светодиодах. // ФТП. 1999. T.33. №6. С.733-727.

37. Грушко Н.С., Жуков A.B., Захаров Д.Н. Построение конфигурационных диаграмм центров VGaSAs и VGaSnGa в GaAs // Ученые затеки УлГУ. Сер. Физическая. 1998. №1(4). С.52-55.

38. Булярский C.B., Грушко Н.С., Жуков A.B. Расчет полевых зависимостей скорости эмиссии с глубоких центров, опираясь на экспериментальную форм-функцию оптического перехода // ЖЭТФ. 1999. Т.116. №2(8). С. 1-8.

39. Булярский C.B., Грушко Н.С., Жуков A.B. Полевая зависимость скорости термической эмиссии дырок с комплекса VoaS в арсениде галлия //Ученые записки УлГУ. Сер. Физическая. 1999. №2(7). С.30-38.

40. Булярский C.B., Грушко Н.С., Жуков A.B. Рассчет вероятности оптических переходов в сильных электрических полях // Ученые записки УлГУ. Сер. Физическая. 1999. №2(7). С.39-53.

41. Грушко Н.С., Гоглидзе Т.И., Панасюк Л.М., Пыизарь Л.П. Получение и электрические характеристики некоторых тонких пленок стеклообразных полупроводников // Тез. докл. I Всес.конф. по физике и технологии тонких пленок (явления переноса). Ивано-Франковск, 1981. С. 169.

12. Арама Е.Д., Грушко Н.С. Спектры фототока диодов на основе Znlr^ в области 2.5-4.7.эВ // Всес. конф. Тройные полупроводники й их применение. Кишинев, 1976. С. 160-161.

t3. Грушко Н.С., Ротарь А.И.. Электрические и фотоэлектрические свойства слоев селенида мышьяка, легированных таллием и теллуром. //Всес. конф. Тройные полупроводники и их применение. Кишинев, 1983. С.253.

14. Грушко Н.С., Гоглидзе Т.И., Панасюк JI.M. Физические свойства гетеропереходов халькогенидное стекло-кремний. //Всес. конф. Физические явления в некристаллических полупроводниках. Кишинев, 1980. С. 119 -122.

15. Грушко Н.С., Панасюк Л.М. Фотоэлектрические явления в структурах халькогенидное стекло- кремний // Межд. совещ. по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в твердом теле. Варна, 1980. С.55-61.

16. Грушко Н.С. Фотоэмиссия в стеклообразных гетеропереходах // Труды координационного совещания соц. стран по физическим проблемам оптоэлектроникн. Оптоэлектроника-89. Баку, 1989. С.51.

17. Грушко Н.С. Люксамперные характеристики твердых растворов при комнатной температуре и температуре записи при различных напряженностях электрического поля // Профессорско-преподавательская конф. Кишинев КГУ. 1987.

18. Грушко Н.С., Гоглидзе Т.И., Панасюк Л.М. Влияние низкотемпературного отжига на изменение концентрации дефектов в пленках As2Se3-As2Se3 // VI конф. по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск .1982.

■9. Булярский C.B., Грушко Н.С., Лакалин А.В. Анализ выражений для тока рекомбинации в ОПЗ р-п перехода и разделение сложных рекомбинационных процессов на составляющие // Труды межд. конф. "Центры с глубокими

уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах. Ульяновск: УлГУ, 1997. С.65.

50.Булярский C.B., Грушко Н.С., Лакалин A.B. Рекомбинационная спектроскопия глубоких уровней в области пространственного заряда р-п перехода // Всерос. научно-техническая конф. "Микро- и наноэлектроника -98". Звенигород, 1998.

51.Булярский C.B., Грушко Н.С. Диагностика неоднородностей, приводящих к флуктуадиям зонного потенциала // IV Всес. конф. Аналитические методы исследования материалов и изделий микроэлектроники Кишинев, 1991. С.47.

52. Грушко Н.С., Жура И.А., Мшенский В.А. Дрейфовая подвижность дырок в твердых растворах ХСП // Тр. Всесоюзной конфер. «Тройные полупроводники и их применение». Кишинев, 1983. С.252.

53.Булярский C.B., Грушко Н.С., Жуков A.B. Влияние электрон-фононного взаимодействия на процессы фото и термоионизации на процессы в сильных электрических полях // Тр. международной конференции «Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах». Ульяновск,

С.28-29.

1999. С.95.

Введение.

Глава 1. Обобщенная модель пространственно - неоднородной рекомбинации с участием ловушек.

1.1. Формула для скорости рекомбинации в пространственно - неоднородной структуре.

1.2. Частные модели рекомбинации

1.2.1. Модель Шокли-Рида.

1.2.2. Туннельная рекомбинация.

1.2.3. Индуцированная рекомбинация.

1.3. Рекомбинация в области пространственного заряда при малом уровне инжекции.

1.4. Аналитические выражения, описывающие рекомбинационные токи прямо смещенного /»-«-перехода при низком уровне инжекции.

1.5. Приведенная скорость рекомбинации и использование данной величины для определения параметров глубоких центров.

1.6. Влияние различных факторов на величину рекомбинационных токов.

1.6.1. Влияние распределения концентрации глубоких уровней по координате в области пространственного заряда на ВАХ.

1.6.2. Рекомбинация в области пространственного заряда с флуктуациями зонного потенциала.

1.7. Выводы к главе 1.

Глава 2. Рекомбинационная спектроскопия.

2.1. Дифференциальный показатель наклона ВАХ.

2.2. Дифференциальный коэффициент у.

2.3. Теоретический анализ метода термостимулированной емкости и его применение для получения параметров глубоких центров.

2.4. Рекомбинационные процессы в кремниевыхр-л-переходах.

2.5. Генерацис$нно - рекомбинационные процессы при освещении прямосмещенного /?-и-перехода светом из области примесного поглощения.

2.6. Рекомбинационная спектроскопия в GaP светодиодах.

2.7. Выводы к главе 2.

Глава 3. Рекомбинация в областях пространственного заряда полупроводниковых структур с участием многозарядных центров.

3.1. Степень заполнения многозарядных центров при инжекции носителей заряда в ОПЗ.

3.2. Перезарядка глубоких центров в области пространственного заряда прямосмещенного ^-«-перехода.

3.3. Анализ токов рекомбинации в области пространственного заряда GaP светодиодов.

3.4. Рекомбинационные процессы в кремниевых /»-«-переходах, легированных золотом.

3.5. Выводы к главе 3.

Глава 4. Генерационно-рекомбинационные процессы в компенсированных слоях кристаллических полупроводников.

4.1. Определение параметров флуюуаций зонного потенциала по спектрам люминесценции.

4.2. Рекомбинация в области пространственного заряда светодиодов на основе GaAs и твердых растворах, легированных кремнием.

4.3. Туннельная рекомбинация в структурах с компенсированными слоями.,.

4.4. Определение дисперсии флуктуаций зонного потенциала по температурным зависимостям емкости /»-«-перехода.

4.5. Выявление неоднородностей в кремниевых структурах методами растровой электронной микроскопии.

4.6. Вольтамперные характеристики неоднородных р-я-переходов при большом уровне инжекции.,.

4.7. Обратные вольтамперные характеристики неоднородных р-п-переходов.

4.8. Определение вероятностей перехода зона - уровень по вольтамперным характеристикам неоднородных образцов.

4.9. Определение плотности локальных состояний глубоких уровней.

4.10. Влияние неоднородностей на свойства р-п-переходов на основе SiC.

4.11. Выводы к главе 4.

Глава 5. Рекомбинация в пространственно неоднородных структурах.

5.1. Некоторые особенности рекомбинации неупорядоченных полупроводников

5.2. Вероятность туннельной рекомбинации в некристаллических полупроводниках.

5.3. Скорость туннельной рекомбинации.

5.4. Уравнение для вольтамперной характеристики, описывающей туннельную рекомбинацию в области пространственного заряда.

5.5. Определение параметров стеклообразных полупроводников.

5.5.1. Анализ вольтамперных характеристик.

5.5.2. Восстановление энергетического распределения локализованных состояний методом токов, ограниченных пространственным зарядом.

5.5.3. Определение подвижности в стеклообразных полупроводниковых материалах импульсным методом.

5.5.4. Определение дрейфового потенциального барьера.

5.5.5. Определение параметров уровней из исследования термостиммулированных процессов ' в стеклообразных полупроводниках.

5.5.6. Определение параметров донорных и акцепторных центров в стеклообразных материалах.

5.6. Рекомбинация в контактах металл - халькогенидный стеклообразный полупроводник.

5.7. Некоторые свойства гетеропереходов халькогенидное стекло кремний.

5.8. Влияние низкотемпературного отжига на изменение концентрации дефектов в пленках ХСП.

5.9. Выводы к главе 5.

Глава 6. Поверхностно-барьерные структуры и гетеропереходы на основе сложных соединений.

6.1. Поверхностно-барьерные структуры на основе сложных соединений.

6.2. Электрические и фотоэлектрические харакетристики контактов M-As2Se3 и Сг-Se.

6.3. Рекомбинация в гетероструктурах Se- АвгЭез.

6.4. Особенности фототока в гетеропереходах на основе стеклообразных полупроводников.

6.5. Люксамперные характеристики на основе твердых растворов As2Se3XS3(1.X).

6.6. Поверхностно-барьерные структуры M-Znfa^.

6.7. Инжекционное усиление фототока в поверхностно-барьерных структурах М-ZnIn2S4.

6.8. Самолегирование кристаллов ZnIn2S4 в процессе отжига в различных средах.

6.9. Двойные поверхностно-барьерные структуры M-CdGa2S4-M.

6.10. Выводы к главе 6.

Глава 7. Влияние электрон-фоннонного взаимодействия и электрического поля на кинетические коэффициенты генерационно-рекомбинационных процессов.

7.1. Фотоемкостной эффект в поверхностно-барьерных структурах.

7.2. Определение абсолютных значений сечений фотоионизации.

7.3. Анализ спектрального распредления стационарйой фотоемкости и сечений фотоионизации в структурах Au-InP:Fe.

7.4. Анализ сечений фотоионизации многозарядных центров.„

7.5. Экспериментальное определение параметров электрон-фононного взаимодействия.

7.6. Определение параметров элегарон-фононного взаимодействия из форм-функции оптического перехода методом моментов.

7.7. Полевые зависимости скорости термической эмиссии.

7.7.1. Расчет полевых зависимостей скорости термической эмиссии в однокоординатном приближении и сравнение их с экспериментом.

7.7.2. Расчет полевых зависимостей скорости термической эмиссии с использованием экспериментальной форм-функции оптического перехода и сравнение их с экспериментом.

7.8. Полевые зависимости сечений фотоионизации.

7.8.1. Расчет полевых зависимостей сечений фотоионизации в однокоординатном приближении и сравнение их с экспериментом.

7.8.2. Расчет полевых зависимостей сечений фотоионизации с использованием экспериментальной форм-функции оптического перехода и сравнение их с экспериментом.

7.9. Выводы к главе 7.

Актуальность темы. В большинстве случаев для анализа работы полупроводниковых приборов используются самые простые модели генерационно-рекомбинационных процессов. При рекомбинации с участием ловушек применяется модель Шокли - Рида, сечения захвата оценивают с помощью приближения Лэкса, полевые зависимости аппроксимируют на основании теории Френкеля - Пуля. Как правило, отмеченные модели недостаточно точны. Например, отличительной особенностью неупорядоченных полупроводников, наряду с прочими, является появление внутренних электрических полей, флуктуаций зонного потенциала, распределение локализованных состояний по энергиям внутри щели подвижности. Результатом данных особенностей становится пространственное разделение электронов и дырок. Для этого случая модель Шокли-Рида не пригодна. В то же время адекватное описание переноса носителей заряда в неоднородных и неупорядоченных полупроводниках весьма важно с точки зрения практического использования данной группы полупроводников. Поэтому к моменту постановки решаемых в работе задач оставалась актуальной проблема построения обобщенной модели рекомбинации, учитывающей все практически важные случаи протекания процессов.

Вольтамперные характеристики приборов (ВАХ), как правило, используются для диагностики механизмов переноса тока, практически не используются для определения параметров центров рекомбинации. Расширяется применение полупроводниковых структур с компенсированными слоями, неоднородных и неупорядоченных полупроводников. ВАХ структур данного типа имеют свои важные особенности, которым не уделено достаточного внимания. Это заставляет вернуться к рассмотрению теоретических выражений для этих важных характеристик и поиску простых, но эффективных методов определения энергий активации и коэффициентов захвата центров, участвующих в генерационно-рекомбинационных процессах с учетом специфики разнообразных материалов. Недостаточное внимание уделено определению оптических параметров центров. Эти проблемы по-прежнему остаются актуальными в связи с развитием силовой, высокочастотной и оптоэлектроники.

В настоящее время общепризнанна важная роль мношфононных процессов в оптических и безызлучательных переходах с участием глубоких центров и очевидна ограниченность модели Лэкса. Дальнейшее развитие получила теория электронных переходов в электрических полях. Применение этих, более сложных подходов, сдерживается отсутствием параметров упомянутых моделей и методов их определения. Практически нет исследований, посвященных экспериментальному определению параметров электрон-фононного взаимодействия в полупроводниковых материалах, которые играют важную роль в многофононных процессах и определяют температурные и полевые зависимости кинетических коэффициентов центров рекомбинации.-------

На основании изложенного можно сделать вывод, что тема диссертации является актуальной и составляет крупную научную проблему, требующую теоретического обобщения и экспериментальной проверки.

Цель работы: Построение обобщенной модели для скорости рекомбинации, пригодной для широкого класса полупроводников, как совершенных, так и неупорядоченных. Экспериментальная проверка данной модели, а также физическое обоснование алгоритмов определения параметров центров рекомбинации и исследование поведения этих параметров в полях, характерных для полупроводниковых приборов.

Для достижения поставленной цели решаются следующие задачи:

- 1. Выводится выражение для скорости рекомбинации через глубокие уровни ловушек с учетом пространственного разделения электронов и дырок, а также распределения энергетических уровней рекомбинационных центров по энергиям. Из этой общей модели получаются частные: Шокли -Рида, индуцированной и туннельной рекомбинации.

- 2. Выводятся выражения, описывающие ВАХ двух и многозарядных центров, а также центров, распределенных по энергиям, с учетом туннельной стадии рекомбинации. Эти выражения сопоставляются с выводами других моделей и экспериментами.

- 3.Находятся преобразования монотонных В АХ к кривые с экстремумами, на основании чего разрабатываются алгоритмы определения параметров центров, участвующих в рекомбинации, - рекомбинационная спектроскопия.

- 4. Для проверки, полученных теоретических выражений, проводятся многочисленные эксперименты с использованием структур на основе кремния, арсенида и фосфида галлия, фосфида индия, карбида кремния, халькогенидных стеклообразных полупроводников, в ходе которых результаты вычисления по новым теоретическим алгоритмам сравниваются с результатами апробированных независимых емкостных и токовых экспериментов.

- 5. Изучаются особенности рекомбинационных процессов в структурах с многозарядными центрами, находятся диагностические признаки многозарядности и предлагаются методы определения параметров таких центров.

- бАнализируются вероятности туннельной рекомбинации компенсированных и неупорядоченных полупроводников, определяются параметры ловушек, участвующих в туннельной рекомбинации, исследуется их роль в процессах переноса тока контактов металл - неупорядоченный полупроводник и гетеропереходов на основе стеклообразных полупроводников. Находятся критерии оценки степени неоднородности полупроводников: дисперсия флуктуаций зонного потенциала и параметры распределения локальных состояний по энергиям.

- 7. Исследуется поведение параметров рекомбинационных центров в электрических полях, характерных для работы полупроводниковых приборов. Новые научные результаты работы:

1. Получено обобщенное выражение для скорости рекомбинации, описывающее как рекомбинационные процессы в одной области пространства, так и в двух туннельносвязанных областях, включающее в качестве частных случаев модели: Шокли - Рида, туннельной и индуцированной рекомбинации.

2. Выведены выражения для вольтамперных характеристик совершенных и неупорядоченных полупроводников и ряда дифференциальных коэффициентов этих характеристик, описывающих рекомбинацию через двух и многозарядные центры, а также туннельную рекомбинацию. Определены пределы применимости данных выражений.

3. Последовательно проанализировано влияние многозарядности центров рекомбинации на важнейшие электрические характеристики полупроводниковых структур: емкостные и токовые. Найдены диагностические признаки многозарядности и обоснованы методы определения параметров таких центров.

4. Установлено, что в неупорядоченных полупроводниковых соединениях, в качестве которых исследовались компенсированные полупроводниковые слои СаАэ и БЮ, а также структуры на стеклообразных халькогенидных полупроводниках, имеет место туннельная рекомбинация, проявляющаяся в типичном виде вольтамперных характеристик, описываемых теорией развитой в данной работе.

5. Теоретически обоснованы и экспериментально проверены алгоритмы определения параметров распределения локальных состояний по энергиям в структурах с компенсированным слоем в области пространственного заряда.

6. Показана доминирующая роль многофононных процессов захвата на глубокие уровни в полупроводниках, начиная с кремния. Установлено, что модели, учитывающие электрон-фононное взаимодействие лучше, чем простая модель Френкеля-Пуля, описывают зависимости скоростей термической эмиссии и сечений фотоионизации от напряженности электрических полей в области их изменения, характерной для полупроводниковых приборов.

7. Разработана новая модель описания полевых зависимостей для электронно-колебательных переходов между вырожденными электронными состояниями, опирающаяся на выражение свертки чисто электронного перехода в электрическом поле и форм-функции соответствующего оптического перехода. ч*

8. Выполнен широкий круг экспериментов полупроводниках разных групп и классов, разнообразных полупроводниковых структурах с областью пространственного заряда, которые подтверждают применимость разработанных теоретических моделей.

Научно-практическая значимость работы:

1. Разработаны, теоретически обоснованы, экспериментально проверены и аппаратурно оформлены новые алгоритмы определения параметров рекомбинационных центров, опирающиеся на дифференциальные коэффициенты ВАХ, измеренных при прямом смещении р-и-переходов и контактов металл-полупроводник. Тем самым создано новое направление диагностики - рекомбинационная спектроскопия.

2. Разработан меггод определения—параметров многозарядных центров, основанный на термостимулированной емкости и проанализированы систематические ошибки, связанные с пренебрежением свойствами многозарядности центров.

3. Определены параметры многочисленных центров рекомбинации в полупроводниках, нашедших широкое применение в современной микро и оптоэлектронике.

4. Разработаны ряд алгоритмов и способов определения параметров электрон-фононного взаимодействия и форм-функции оптического перехода, которые позволяют рассчитывать полевые и температурные зависимости рекомбинационных и оптических характеристик центров с глубокими уровнями.

5. Созданы фотоприемники М-2п1п284 с компенсированной базой, обладающие инжекционным усилением фототока и высокой чувствительностью в коротковолновой области спектра, проведено теоретическое обоснование инжекционного усиления тока.

6. Разработаны методы определения дрейфовых и рекомбинационных барьеров в неупорядоченных полупроводниках, величину которых важно знать при разработке прикладных вопросов использования данных полупроводников.

Основные положения и результаты, выносимыёна защиту:

1. Обобщенное выражение для скорости рекомбинации, полученное в работе, включает как частный случай широко известную модель Шокли-Рида, описывает случай рекомбинации в туннельносвязанных областях и предсказывает новое явление - индуцированную рекомбинацию.

2. Выражения для ВАХ, полученные с использованием обобщенной скорости рекомбинации, описывают многочисленные экспериментальные результаты по рекомбинации в области пространственного заряда структур, изготовленных на полупроводниках различных классов и групп.

3. Существуют преобразования вольтамперных характеристик, измеренных при прямом смещении, которые приводят к кривым с особенностями, позволяющими определять параметры рекомбинационных центров при фиксированной температуре, что допускает их широкое диагностическое использование, в том числе непосредственно на этапах контроля результатов выполнения отдельных технологических операций.

4. Признаками многозарядности, по которым можно диагностировать наличие таких центров, являются появление в узких областях напряжения прямого смещения величин показателя дифференциального наклона ВАХ, которые превышают 2, а также минимумов на кривой приведенной скорости рекомбинации в этой же области напряжений.

5. В структурах сильнолегированных, компенсированных полупроводников имеет место туннельная рекомбинация. По величине тока на этом участке можно найти вероятность туннельного прыжкового переноса и концентрацию дефектов в компенсированном слое. Исследование термогенерации в таких полупроводниках позволяет определить плотность локальных состояний.

6. Из обобщенной модели рекомбинации вытекает модель дисперсионного транспорта, объясняющая поведение подвижности в халькогенидных стеклообразных полупроводниках.

7. В структурах с областью пространственного заряда, изготовленных на основе комйенсированных, фоточувствительных слоев, при условиях, установленных в данной работе, наблюдаемся явление инжекционного усиления, которое приводит к значительному росту квантового выхода в подобных приборах. 8. Полевые зависимости скоростей термической и сечений фотоионизации в ОаАэ и 1пР следует описывать с учетом электрон-фононного взаимодействия. При этом новый способ описания данных зависимостей, полученный в работе, хорошо согласуется с экспериментом. Достоверность полученных результатов определяется построением физических моделей для теоретических расчетов с учетом основных явлений, определяющих свойства системы, многократной экспериментальной проверкой результатов расчета с применением различных, независимых способов измерения и обработки, использованием для измерений аттестованной аппаратуры и апробированных методик, согласием полученных результатов с известными литературными данными.

Вклад автора в разработку проблемы. Диссертация является обобщением работ, выполненных автором за период с 1973 по 1999 гг. В совместных работах автору принадлежат разработка теоретических моделей, проведение расчетов и анализ результатов. Более половины экспериментов также проведено автором, остальные его аспирантами, дипломниками и сотрудниками. Автор работы вырастила кристаллы фосфида индия, легированные железом и изготовила ряд тонкопленочных структур, исследованных в работе.

Значение работы. Разработанная автором обобщенная модель для скорости рекомбинации в Туннельносвязанных областях, многочисленные приложения и следствия данной модели, апробированные экспериментально на различных типах и классах полупроводников являются существенным вкладом в физику полупроводников. На основании выводов данной модели построены новые алгоритмы определения параметров центров рекомбинации, проверенные на практике, используемые в научно-исследовательских и производственных организациях. Часть фундаментальных результатов, полученных автором, используется в учебном процессе. Итогом работы явилось решение крупной л* научно-технической проблемы физики" полупроводников и полупроводниковой электроники - исследование механизмов протекания рекомбинационных процессов в реальных, неупорядоченных и пространственно неоднородных полупроводниках. Апробация диссертации.

Результаты диссертации опубликованы в 79 работах, включая 2 монографии, 39 научных статей, 34 публикации в трудах конференций международного и всероссийского уровня. Сделаны доклады на следующих научных конференциях: Всесоюзная конференция «Физические процессы в гетеропереходах» (Кишинев, 1974), Всесоюзная конференция «Новые полупроводниковые соединения и их свойства» (Кишинев, 1975), Всесоюзная конференция «Физические основы работы контакта металл-полупроводник» (Киев, 1975), Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение» (Кишинев, 1976), VI Межотраслевая конференция молодых ученых (Москва, 1976), П-ая Всесоюзная конференция «Физические процессы в полупроводниковых гетероструктурах»- (Ашхабад, 1978), 2-ая Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение» (Кишинев, 1979), Международное совещание по электрическим и оптическим явлениям в твердом теле (Варна, 1980), Всесоюзная конференция «Физические явления в некристаллических полупроводниках» (Кишинев, 1980), 1-ая Всесоюзная конференция «Физика и технология тонких пленок» (Ивано-Франковск, 1981), 3-тья Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение» (Кишинев, 1983), Всесоюзная конференция «Фосфид индия и его применение» (Кишинев, 1985), Координационное совещание социалистических стран «Оптоэлектроника - 89» (Баку, 1989), Всероссийский семинар «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» (Черноголовка,, 1990), Всесоюзная школа-семинар «Диагностика, надежность, неразрушающий контроль электронных устройств и систем» (Владивосток, 1990), VI Всесоюзная конференция «Аналитические методы исследования материалов и изделий микроэлектроники» (Кишинев, 1991), Всесоюзная конференция * «Физические основы деградации и надежности полупроводниковых приборов» ~

Кишинев, 1991), Всесоюзная конференция «Актуальные вопросы материаловедения в электронной технике» (Ставрополь, 1995), Международная конференция «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах» (Ульяновск, 1997), Третья Российская университетско-академическая конференция (Ижевск, 1997), Всероссийская научно-техническая конференция «Микро и наноэлекироемка 98», (Звенигород, 1998), Международная конференция «Оптика полупроводников» (Ульяновск, 1998), Международная конференция «Физические процессы в неупорядоченных полупроводниках» (Ульяновск, 1999).

Структура диссертации и объем диссертации: Диссертация изложена на 301.страницах, содержит 168 рисунков, 35 таблиц, 429 ссылок на оригинальную научную литературу.

7.9. Выводы к главе 7 1.Описаны основные закономерности изменения фотоемкости. Определены абсолютные значения сечений фотоионизации на примере структур Аи-1пР:Ре.

2.Рассмотрены особенности кинетики фотоемкости при разных начальных условиях. Определены пороговые энергии сечений фотоионизации и с какой зоной идет обмен носителями. Сумма энергий пороговых сечений фотоионизации, характеризующих обмен носителями с зоной проводимости и валентной зоной, для одних и тех же центров превышает ширину запрещенной зоны, что объясняется решеточной релаксацией при захвате носителя на глубокий центр. Показано, что даже при наличии многозарядности центров в ШР.Те, они проявляются как независимые уровни во всей области спектра.

3. Экспериментально определены параметры электрон-фононного взаимодействия. Фотоемкость позволяет контролировать принадлежность параметров одному и тому же центру. Неравенство термической и оптической энергии объясняется решеточной релаксацией.

4.Определены параметры электрон-фононного взаимодействия из форм-функции оптического перехода методом моментов для ОаАБ^п и йаАз^, когда частоты основного и возбужденного состояния разные. Построены конфигурационно-координатные диаграммы излучающих комплексов. Искомые форм-функции найдены с помощью метода регуляризации Тихонова 0-го порядка (для 1пР).

5. Изучены полевые зависимости скоростей термической эмиссии. Они рассмотрены согласно модели С.Ф.Тимашева. Определены коэффициенты, ответственные за возрастание скоростей термической эмиссии в электрическом поле. Рассчитаны полевые зависимости с использованием форм-функции оптического перехода.

6.Рассчитаны полевые зависимости сечений фотоионизации в рамках однокоординатной модели и с использованием форм-функции оптического перехода.

7. Показано, что в электрическом поле адиабатические потенциалы основного и возбужденного состояний центра вдоль оси энергий сближаются на некоторую величину.

Заключение.

Получено общее выражение для скорости рекомбинации в пространственно-неоднородной структуре на основе модельного представления о двух туннельно-связанных областях, из которого в качестве частных случаев вытекают:

- Скорость рекомбинации простого двухзарядного центра (модель Шокли-Рида);

- Скорость рекомбинации при существовании нескольких параллельных независимых каналов;

- Скорость рекомбинации с учетом туннелирования (туннельная рекомбинация);

- Скорость индуцированной рекомбинации, учитывающая туннельную перезарядку и взаимное влияние друг на друга центров соседних, туннельно-связанных областей.

Проанализированы условия реализации частных моделей и их диагностические признаки, в частности насыщение скорости туннельной рекомбинации, связанное с ограничением пропускной способности туннельного канала при определенных вероятностях туннелирования.

2. Получено аналитическое выражение для тока рекомбинации в области пространственного заряда с участием нескольких двухзарядных центров, которое лучше согласуется с прямыми численными расчетами, чем приближения других авторов. Получено выражение для ВАХ, описывающее рекомбинацию в структурах с флуктуациями зонного потенциала, показано, что наличие флуктуаций уменьшает эффективную энергию ионизации центров. В качестве критерия реализации данной модели либо модели туннельной рекомбинации предлагается использовать величину рекомбинационного барьера.

3. Разработаны физические основы определения важнейших параметров рекомбинационных центров: оптических и термических энергий ионизации, коэффициентов захвата и фотоионизации, параметров электрон-фононного взаимодействия, параметров, характеризующих распределение локальных состояний по энергиям. Определены параметры рекомбинационных центров в ряде полупроводниковых структур на основе кремния, ваАв, ваР, 1пР, ХСП и других.

При этом теоретически и экспериментально обоснована группа методов, основанная на новых алгоритмах преобразования ВАХ - рекомбинационная спектроскопия.

Все методы апробированы и экспериментально подтверждены на различных структурах, перечисленных выше.

4. Всесторонне проанализирована роль многозарядности центров рекомбинации в генерационно-рекомбинационных процессах. Получено общее выражение для концентрации центров в различных зарядовых состояниях, показана важная роль перезарядки данных центров при воздействии различных внешних факторов и отличающихся условий проведения эксперимента.

Выведены формулы для:

- скорости рекомбинации в области пространственного заряда для центров с произвольным числом зарядовых состояний;

- концентрации центров в различных зарядовых состояниях;

- нестационарной изотермической и термостимулированной генерации с трехзарядных центров.

На основании этого разработаны алгоритмы анализа ВАХ /»-«-переходов при прямом смещении, а также результатов исследования термостимулированных тока и емкости. Теоретические результаты апробированы на образцах кремния, легированного золотом, и фосфида галлия.

5. Показано, что с ростом степени разупорядочения полупроводниковых материалов, возникают условия для пространственного разделения электронов и дырок, что приводит к возникновению и развитию процессов туннельной рекомбинации. Это подтверждается сопоставлением обобщенной модели туннельной рекомбинации с результатами экспериментов на компенсированных полупроводниковых структурах на основе арсенида галлия, карбида кремния и ХСП.

Модель туннельной рекомбинации описывает начальный участок ВАХ при прямом смещении структур с компенсированным слоем на основе ваАз, БЮ, а также металл - ХСП и гетеропереходов на основе ХСП. Данная модель объясняет поведение дрейфовой подвижности в ХСП в широком диапазоне температур и из нее вытекает в качестве высокотемпературного приближения модель дисперсионного транспорта.

6. Получено выражение для скорости генерации в ОПЗ через распределенные по энергиям локальные состояния. На этой основе предложена методика восстановления данного распределения, основанная на измерении температурных зависимостей стационарного обратного тока и емкости, которая апробирована на неоднородных структурах кремния, содержащего комплексы У8г О . Показано, что в фотоприемниках эти комплексы контролируют время жизни и диффузионную длину неосновных носителей заряда.

7. Разработаны новые методы вычисления из экспериментальных результатов редко определяемых параметров электрон-фононного взаимодействия, которые оказывают самое существенное влияние на зависимости кинетических коэффициентов генерационно-рекомбинационных процессов от температуры и напряженности электрического поля. Данные методы опираются на особенности кинетики фотоемкости при разных начальных условиях состояния центров и спектры излучения.

Исследование полевых зависимостей скоростей термической эмиссии и сечений фотоионизации центров в арсениде галлия и фосфиде индия с очевидностью продемонстрировало, что только модели, учитывающие данное взаимодействие, адекватно описывают экспериментальные результаты.

При этом разработан новый метод расчета полевых зависимостей кинетических коэффициентов, опирающийся на выражение свертки форм-функции оптического перехода с вероятностью соответствующего чисто электронного перехода в электрическом поле.

8. Созданы структуры с инжекционным усилением, чувствительные в коротковолновой области спектра, на основе М- 2п1п284. Найдено оптимальное соотношение между толщиной базы прибора и диффузионной длиной неосновных носителей заряда, обеспечивающие максимальный квантовый выход.

9. Обоснован отбор фоточувствительных слоев, обеспечивающих высокий контраст при термопластической записи по высоте дрейфовых потенциальных барьеров.

1. Булярский C.B., Грушко Н.С. Физические принципы функциональной диагностикир-п переходов с дефектами. Кишинев. Штиинца.1992. 235с.

2. Булярский C.B. Грушко Н.С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. МГУ. 1995. 402 с.

3. Грушко Н.С. Материалы электронной техники. Ульяновск. 1994. 75с.

4. Булярский C.B., Грушко Н.С., Коротченков Г.С., Молодян И.П. Об определении некоторых параметров глубоких центров в фосфиде индия, легированном хромом и железом.// Деп.ВИНИТИ. №6668-73. 1973.

5. Грушко Н.С., Гуткин A.A. Спектры сечений фотоионизации глубоких примесных центров в фосфиде индия, легированном железом.//ФТП. 1974.Т.8. №9. С. 1816-1820.

6. Грушко Н.С., Гуткин A.A. Применение фотоемкостного метода для исследования электрон-фононного взаимодействия при фотоионизации глубоких примесных центров в InP.// ФТП. 1975. Т.9. №7. С.58-62.

7. Булярский C.B., Грушко Н.С., Гуткин A.A., Наследов Д.Н. Полевые зависимости термической ионизации центров в слое объемного заряда барьеров Au-n-InP:Fe.// ФТП 1975. Т.5. №2. С.287-29!

8. Бакалейников JI.A., Булярский C.B., Грушко Н.С. Гуткин A.A. Влияние электрического поля на фотоионизацию глубокого центра при электронно-колебательных переходах // ФТП. 1976. Т. 10. С. 363-365.

9. Грушко Н.С., Руссу Э.В., Слободчиков C.B. Фотопроводимость фосфида индия, легированного железом и никелем.// ФТП, 1975. Т.9. №2. С.343.

10. Арама Е.Д. Грушко Н.С., Житарь В.Ф., Радауцан С.И. . Электрические и фотоэлектрические характеристики диодов №^п1п284.//Доклады АН СССР1976. Т.227. №6. С. 1329-1331.

11. П.Арама Е.Д., Грушко Н.С., В.Ф.Житарь, С.И.Радауцан Влияние базы на параметры диодов, изготовленных из высокоомного ZnIn2S4 // Письма в ЖТФ.1977.Т.З. №6 С.254-258.

12. Грушко Н.С., Дону B.C., Житарь В.Ф., Радауцан С.И. Исследование вольтамперных характеристик поверхностно-барьерных диодов на основе CdGa2S4.// ФТП. 1980. №1. С.69-73.

13. Арама Е.Д., Грушко Н.С., Житарь В.Ф. Потенциальная диаграмма контакта 1п-ZnIn2S4 .//Теоретические и экспериментальные исследования сложных полупроводниковых соединений. Кишинев: Штиинца. 1978. С. 113-117.

14. Грушко Н.С., Дону B.C., Житарь В.Ф., Радауцан С.И. Электрические характеристики двойных поверхностно-барьерных диодов на основе CdGa2S4. //Получение и исследование новых материалов полупроводниковой техники. Кишинев 1980. С.90-98.

15. Грушко Н.С., Дону B.C., Житарь, В.Ф., Радауцан С.И. Исследование вольтамперных характеристик двойных поверхностно-барьерных характеристик диодов GdGa2S4.// ФТП. 1980. Т.14. С.69.

16. Грушко Н.С., Барсук A.A., Булярский C.B., Дону B.C., Житарь, В.Ф., Радауцан С.И. Исследование термостимулированного тока в GdGa2S4.// ФТП. 1980. Т.14. С.1140.

17. Грушко Н.С., Панасюк Л.М., Провоторов И.Л. Изучение потенциальной диаграммы структуры Sb-As2SerSi. // ФТП. 1980. Т.14. С.1140-1145.

18. Грушко Н. С., Гоглидзе Т. И., Панасюк Л. М. Особенности c-V характеристик МДП структур на основе халькогенидного стеклообразного полупроводника. // ФТП. 1982. Т.16. С.1271-1273.

19. Грушко Н.С., Булярский C.B., Гоглидзе Т.И., Панасюк Л.М., Рябухина Г.Н. Влияние неоднородности полупроводникового материала на контрастность изображения в фотографическом режиме// ФТП. 1981. Т. 15. С. 1656.

20. Булярский C.B., Евсеев Е.П., Руссу Е.В. Глубокие рекомбинационные центры в InP и InGaAsP .// Сб. Материалы для полупроводниковой электроники. Кишинев. 1984. С. 136.

21. Булярский C.B., Грушко Н.С., Бутылкина H.A.,Лукьянов А.Е.Назаров Н.В.,Степин И.О. Неоднородности в кремниевых р-п переходах.// Известия Вузов. Физика. 1991. №4. С.71 -76.

22. Булярский C.B., Грушко Н.С., Генерационно-рекомбинационные процессы в неупорядоченных полупроводниках.// Сб. науч. Трудов Частицы. Волны. Вещество. УлПИ. 1993. С.88-98.

23. Булярский C.B., Стратан И.В., Грушко Н.С. Термостимулированный ток и емкость структур, содержащих многоуровневые глубокие центры.// ФТП. 1987. Т.21. С.1730-1732.

24. Булярский C.B., Грушко Н.С., Сомов А.И., Лакалин A.B. Рекомбинация в области пространственного заряда и ее влияние на коэффициент передачи биполярного транзистора.//ФТП. 1997. Т.31. С.1146-1150.

25. Булярский C.B., Грушко Н.С., Лакалин A.B., Сомов А.И. Снижение коэффициента передачи биполярного транзистора за счет рекомбинации в ОПЗ. // Сб. Твердотельная электроника. Ульяновск. 1996. С.4.

26. Грушко Н.С. Рекомбинация в неупорядоченных полупроводниковых материалах и в структурах с ОПЗ на их основе. // Ученые записки Ульяновского государственного университета. Серия физическая. 1999. Вып.2(5). С.51-55.

27. Булярский C.B., Грушко Н.С., Лакалин A.B. Две методики определения энергии активации глубоких уровней из анализа тока рекомбинации в области пространственного заряда р-п перехода.// Заводская лаборатория. 1997. Т.63. С.25-30.

28. Грушко Н.С. Рекомбинация в областях пространственного заряда полупроводников.// Труды лекторов школы. Критические технологии и фундаментальные проблемы. Физика конденсированных сред Ульяновск. 1999. С.81-99.

29. Грушко Н.С., Лакалин A.B. Рекомбинация в области пространственного заряда барьера Шоттки. // Ученые записки УлГУ серия Физическая. 1997. С.44-48.

30. Грушко Н.С., Жуков A.B., Комлев A.B., Захаров Д.Н. Влияние концентрации легирующей примеси на комплексообразование GaAs. Построение конфигурационно-координатной диаграммы центра VGa-SAs.// Сб. Ученые записки УлГУ, серия физическая, вып. 1(3) 1997. С.44

31. Булярский С.В.,Грушко Н.С., Лакалин A.B., Дифференциальные методы определения параметров глубоких уровней по рекомбинационным токам р-п перехода. // ФТП. 1998. Т.32. С. 1193-1196.

32. Зб.Булярский C.B., Воробьев М.О., Грушко Н.С., Лакалин A.B. Определение параметров глубоких уровней по дифференциальным коэффициентам вольтамперных характеристик.// Письма в ЖТФ. 1999. №5. С.22-27.

33. Булярский C.B., Воробьев М.О., Грушко Н.С., Лакалин A.B. Рекомбинационная спектроскопия глубоких уровней в GaP светодиодах. // ФТП. 1999. Т.ЗЗ. №6. С.733-727.

34. Грушко Н.С. Жуков A.B., Захаров Д.Н. Построение конфигурационных диаграмм центров VGaSAs и VGaSnGa в GaAs .// Ученые записки УлГУ. Серия физическая. 1998. №1(4). С.52-55.

35. Булярский C.B., Грушко Н.С., Жуков A.B. Расчет полевых зависимостей скорости эмиссии с глубоких центров, опираясь на экспериментальную форм-функцию оптического перехода. // ЖЭТФ. 1999. Т.116. №2(8). С. 1-8.

36. Булярский C.B., Грушко Н.С., Жуков А.В.Полевая зависимость скорости термической эмиссии дырок с комплекса VGaS в арсениде галлия.// Ученые записки УлГУ. Серия физическая. 1999. №2(7). С.30-38.

37. Булярский C.B., Грушко Н.С., Жуков A.B. Рассчет вероятности оптических переходов в сильных электрических полях.// Ученые записки УлГУ. Серия физическая. 1999. №2(7). С.39-53.

38. Арама Е.Д., Грушко Н.С. Спектры фототока диодов на основе ZnIn2S4 в области 2.5-4.7.эВ.// Всес. конф. Тройные полупроводники и их применение. Кишинев 1976. С: 160-161.

39. Грушко Н.С., Ротарь А.И. Электрические и фотоэлектрические свойства слоев 'селенида мышьяка, легированных таллием и теллуром. // Всес. конф. Тройные полупроводники и их применение. Кишинев .1983.С.253.

40. Грушко. Н.С., Гоглидзе Т.И., Панасюк Л:М. Физические свойства гетеропереходов халькогенидное стекло-кремний. //Всес. конф. Физические явления в некристаллических полупроводниках. Кишинев. 1980. С.119 -122.

41. Грушко Н.С., Панасюк Л.М. Фотоэлектрические явления в структурах халькогенидное стекло- кремний. // Межд. совещ. По фотоэлектрическим и оптическим явлениям в твердом теле. Варна . 1980. С.55-61.

42. Грушко Н.С. Фотоэмиссия в стеклообразных гетеропереходах.// Труды координационного совещания соц. стран по физическим проблемам оптоэлектроники. Оптоэлектроника-89. Баку. 1989. С.51.

43. Грушко Н.С. Люксамперные характеристики твердых растворов при комнатной температуре и температуре записи при различных напряженностях электрического поля.// Профессорско-преподавательская конф. Кишинев КГУ.1987.

44. Грушко Н.С., Гоглидзе Т.И., Панасюк Л.М. Влияние низкотемпературного отжига на изменение концентрации дефектов в пленках As2Se3-As2Se3.// У1 конф. по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск .1982.

45. Булярский C.B.i Грушко Н.С., Лакалин A.B. Рекомбинационная спектроскопия глубоких уровней в области пространственного заряда р-п перехода.// Всерос. научно-техническая конф. "Микро и наноэлектрони'ка -98" Звенигород. 1998. С.28-29.

46. Булярский C.B., Грушко Н.С. Диагностика неоднородностей, приводящих к флуктуациям зонного потенциала.// IV Всес. конф. Аналитические методы исследования материалов и изделий микроэлектроники Кишинев. 1991. С.47.

47. Грушко Н.С., Жура И.А., Мшенский В.А. Дрейфовая подвижность дырок в тонуих растворах ХСП. // Труды Всесоюзной конференции «Тройные полупроводники и их применение» . Кишинев. 1983. С.252.

48. Шкловский Б.И., Эфрос A.JI. Электронные свойства легированных полупроводников. М: «Наука». 1979. 416 с.

49. Васько Ф.Т, Пипа В.И. Донорные состояния в туннельно-связанных квантовых ямах.// ЖЭТФ. 1999. Т115.№4. С. 1337-1352.

50. Алещенко Ю.А., Казаков И.П., Копаев В.В., Копаев Ю.В., Корняков Н.В., Тюрин А.Е. Интерференционная ионизация примесей в системе квантовых ям. // Письма в ЖЭТФ. 1999. Т.69. №3. С194-199.

51. Shocley W., Read W.T., Statistics of the recombination of holes and electrons.// Phys. Rev. 1952. Vol.87. P.835-842.

52. Пикус Г.Е. Основы теории полупроводниковых приборов. M: Наука. 1965. 448 с.

53. Акимов Ю.С., Рыжиков Ю.В. Инжекция электронов и дырок в изоляторы и полупроводники. Часть 1. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. 1972. №4. С. 17-76.

54. Акимов Ю.С., Рыжиков Ю.В. Инжекция электронов и дырок в изоляторы и полупроводники. Часть 2.// Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. 1972. №6. С.17-76.

55. М.Ламперт. П.Марк. Инжекционные токи в твердых телах. М: Мир. 1973. 413 с.

56. Булярский C.B., Грушко Н.С. Физические принципы функциональной диагностики р-п переходов с дефектами. Кишинев. Штиинца.1992. 235с.

57. Булярский C.B. Грушко Н.С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. МГУ. 1995. 402 с.

58. Yu A.Y.C. Snow Т.Н. Minority carrier injection of metal-silicon contacts. // Solid State electronics. 1969. V.12. P.155-161.

59. Грушко H.C., Лакалин A.B. Рекомбинация в области пространственного заряда барьера Шоттки. // Ученые записки УлГУ серия Физическая. 1997. С.44-48.

60. Sah С.Т, Noyce. R.N., Shockley W. Carrier generation and recombination in p-n junction characteristics. // Proc. IRE. 1957. V.45. P. 1228-1235.

61. Булярский C.B., Грушко H.C., Сомов А.И., Лакалин A.B. Рекомбинация в области пространственного заряда и ее влияние на коэффициент передачи биполярного транзистора.// ФТП. 1997. Т.31. С.1146-1150.

62. Булярский C.B., Грушко Н.С., Лакалин A.B. Две методики определения энергии активации глубоких уровней из анализа тока рекомбинации в области пространственного заряда р-п перехода.// Заводская лаборатория. 1997. Т.63. С.25-30.

63. Старосельский В.И. Моделирование тока генерации-рекомбинации носителей заряда в р-п переходе // Микроэлектроника. 1994. Т.23. С.50-56.

64. Еремин В.К., Строкан И.Б., Чикомова-Лузина О.П. Захват носителей тока локальными скоплениями примеси в электрическом поле р-п перехода // ФТП. 1985. Т.19. С.70-76.

65. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия. // Под ред. Бургера Р., Донована Р. М.: Мир. 1969. 451 с.

66. Булярский C.B. Глубокие центры безызлучательной рекомбинации в светоизлучающих приборах. Штиинца.1987. 107 с.

67. Воронков Г.Г., Воронкова Г.И., Калинушкин В.П., Мурина Т.М. Примесные облака в бездислокационном кремнии. // ФТП. 1979. Т.13. С.846-853.

68. Воронков Г.Г., Воронкова Г.И., Калинушкин В.П., Мурина Т.М. Примесные облака в кремнии.//ФТП. 1979. Т.13. С. 1137-1141.

69. Бонч-Бруевич B.JL, Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука. 1977. 672 с.

70. Узаков A.A., Эфрос Ф.Л. Влияние случайного поля на энергию активации электронов в зону проводимости. // ФТП. 1987. Т.21. С.922-926.

71. Узаков A.A., Эфрос А.Л. Высокотемпературное разложение термодинамических функций электронов в примесной зоне. // ЖЭТФ. 1981. Т.81. С.1940-1946.

72. Dhariwal S.R., Ojha V.N., S h arm a R.C. Voltage saturation at the high -low junction find ITS effect on the I-V characteristics off diode. // Sol. Stat. Electron. 1988. V.31. P.1383-1389.

73. Иванова E.A., Наследов Д.Н., Царенков Б.В. Электрические свойства диффузионных р-п- переходов в арсениде галлия. Прямая ветвь вольтамперной характеристики. /7 Радио!ехника и электроника. 1965. Т. 10. С.703-714.

74. Иванова Е.А.,. Наследов Д.Н., Царенков Б.В. Электрические свойства диффузионных р-п переходов в арсениде галлия. Обратная ветвь вольтамперной характеристики. // Радиотехника и Электроника. 1965. Т.10. С.715-719.

75. Елисеев П.Г., Манько М.А. О природе термоактивационного тока и излучения в сильнолегированных р-п переходах. // ФТП. 1968. Т.2. С.3-10.

76. Евстропов В.В., Калинин Б.Н., Царенков Б.В. Неклассический термоинжекционный ток в GaP р-п структурах. // ФТП. 1983. Т.17. С.599-606.

77. Евстропов В.В., Стусь Н.М., Смирнова H.H., Филаретова Г.М., Федоров Л.М., Сидоров В.Г. Неклассический термоинжекционный ток в InAsSbP/InAs р-п структурах. //ФТП. 1986. Т.20. С.762-765.

78. Дубровская Н.С., Кривошеева Р.И., Мескин С.С., Недельский Н.Ф., Равич В.Н., Соболев В.И., Царенков Б.В., Чичерин Л.А. Квантовый выход излучения GaAs р-п структур, легированных кремнием. // ФТП. 1969. Т.З. С. 1815-1820.

79. Евстропов В.В., Петрович.И.Л., Царенков Б.В. Ток, обусловленный рекомбинацией через пятизарядный центр в слое объемного заряда (GaAl) As р-п структур.// ФТП. 1981. Т. 15. С.2152-2158.

80. Аникин М.М, Евстропов.В.В., Попов И.В., Растрегаев В.Н., Стрельчук.А.М., Сыркин А.Л. Неклассический термоинжекционный ток в карбид-кремниевых р-п структурах.// ФТП. 1989. Т.23. С.647-651.

81. Стрельчук A.M., Евстропов В.В., Дмитриев В.А., Черенков А.Е. Прямой и обратный ток р-п структур на основе 6H-SiC, изготовленного бесконтейнерной жидкостной эпитаксией.// ФТП. 1995. Т.29. С.2169*2179.

82. Аникин М.М., Евстропов В.В., Попов И.В., Стрельчук A.M., Сыркин А.Л. Разновидность неклассического термоинжекционного тока в карбид-кремниевых р-п структурах.// ФТП. 1989. Т.23. С.1813-1818.

83. Евстропов В.В., Киселев К.В., Петрович И.Л., Царенков. Б.В., Ток, обусловленный рекомбинацией через многоуровневый (многозарядный) центр в слое объемного заряда/?-« структуры.// ФТП. 1984. Т. 18. С. 1852-1857.

84. Евстропов В.В., Киселев К.В., Петрович И.Л., Царенков Б.В. Скорость рекомбинации через многоуровневый (многозарядный) центр.// ФТП. 1984. Т. 18. С.902-912.

85. Технология СБИС. Под ред. Зи С.М. Т. 1,2. М: Мир. 1986. 400 с.

86. Булярский С.В., Грушко Н.С., Лакалин А.В. Рекомбинационная спектроскопия глубоких уровней в области пространственного заряда р-п перехода.// Всерос. научно-техническая конф. "Микро- и наноэлектроника -98" Звенигород. 1998. С.28-29.

87. Булярский С.В.,Грушко Н.С., Лакалин А.В., Дифференциальные методы определения параметров глубоких уровней по рекомбинационным токам р-п перехода.// ФТП. 1998. Т.32. С.1193-1196.

88. Берман Л.С. Емкостные методы исследования полупроводников. М: Наука. 1972. 104 с.

89. Buehler N.G. Impuring centers in p-n junction determined from shifts in the thermally stimulated current and capacitance responds with heating rate //Sol. State Electron. 1972. V.15. P.69-79.

90. Sah S.T., Chan W.W., Fu H.S. Thermally stimmullated capacitance (TSCAP) in p-n junction .// Appl. Phys. Let. 1972. V.20. P. 193-195.

91. Перель В.И., Эфрос Ф.Л. Емкость р-п перехода с глубокими примесями //ФТП. 1967. Т.1. С.1693-1698.

92. Булярский С.В., Радауцан С.И. Определение параметров глубоких рекомбинационных центров с помощью модифицированного метода термостимулированной емкости.// ФТП.1981. Т.15. С.1443-1446.

93. Булярский С.В., Стратан И.В., Грушко Н.С. Термостимулированный ток и емкость структур, содержащих многоуровневые глубокие центры.// ФТП. 1987. Т.21. С.1730-1732.

94. Вертопрахов Е.В., Сальман Г.С. Термостимулированные процессы в полупроводниках .М: Наука. 1972. 336 с.

95. Булярский С.В., Грушко Н.С., Коротченков Г.С., Молодян И.П. Об определении некоторых параметров глубоких центров в фосфиде индия, легированном хромом и железом.// Деп.ВИНИТИ. №6668-73. 1973.

96. Милнс.А. Глубокие уровни в полупроводниках. М: Мир. 1987. 576 с.

97. Вавилов B.C., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М: Наука. 1990. 211 с.

98. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М: Радио и связь. 1981. 248 с.

99. Мильвидский М.В., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников; М: Металлургия. 1984. 345 с.

100. Yip K.L. The latties vacancy in Si and Ge.// Phys. Stat. Solidy (b). 1987. V.66. №2. P.619-624.

101. Lois S.G., Schuter M.,- Chelikowskii L. Self consistent electronic state to reconstructed Si vacancy models.// Phys.Rev.B. 1971. V.3. P.2556-2561.

102. Watkins G.D., Troxel J.R., Chatterjes A.P., Vacancies and iterstitials in silicon. // In «Defects and Radiation Effects in Semiconductors » The Institute of Phys. 1979. P.16-34.

103. Lindstrom L.G., Dehriein G.S. Mechanism of the enhencement in divacansy production by oxygen during electron irradiation of silicon. //J .Appl.Phys. 1982. Vol.53.P.8686 8690.

104. Gohnson W.L., Shankey O.G., Dow G.P., Deep level assotiated with impurities and bond centered interstitial site in silicon. // Phys.Rew. B. 1984. Vol.30 . P.2070-2079.

105. Глинчук К.Д., Литовченко H.M., Скрыль C.H. Рекомбинационные центры в термообработанном кремнии.// Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 1985. №7. С.58-67.

106. Граф К., Фишер Г. Время жизни в кремнии и его влияние на работу кремниевых фотоэлементов.// Сб. Преобразование солнечной энергии. Вопросы твердого тела. М: Энергоиздат 1982. 154 с.

107. Babich V.M., Baran N.P., Budak A.A. On the properties of the termodonors -II in Cz:Si crystal high carbon content. // Phys. Stat. Sol.(a). 1984.Vol.86 №2. P. 679-685.

108. Глинчук К.Д., Ильгишин B.A., Литовченко H.M. О рекомбинационных свойствах кремния, содержащего кислород.// ФТП 1979. Т. 13. №10. С. 19271932.

109. Schmalz К., Gaworzenskii P., Krisch F. Deep level in Czohralski p-Si to head treatment at 600 to 900 C. //Phys. Stat. Sol.(a) 1984. Vol.81. №2. P. 165-175.

110. Melsi A., Coursell E., Zundel T. Process indused and gold acceptor in silicon. // Phys.Rew.B. 1984. Vol 36. P, 8049 -8063.

111. Feichtinger H.,Macier R. Dynamishe Untersuchung von landzey th aStii cllCn Ш detertempen Silizium.//Acta Phys. Austria. 1979. Vol.51. P.185-193.

112. Домбровский P.P., Сережкин Ю.Н. Температурная зависимость захвата электронным центром закалки в кремнии.// ФТП. 1984. Т. 18. №3. С.417-419.

113. Kaiser W. Fricch R. Oxygen recombination centers. // Phys Rew. 1958. Vol.112. P. 1546-1554.

114. Nolzlein K., Pensl G. Trap spectrum of the New oxygen donor. // Appl.Phys. 1984.VoI. A34. P.155-167.

115. Shmaltz K. Gamorzenckii P. On the donor activity of Oxygen in Silicon // Phys. Stat Sol.(a) 1981. Vol 81. P.151-160.

116. Hwang J.M., Shroter D.K. Recombination Properties of oxygen presipitated silicon. //J.Apll Phys. 1986. Vol.59. P.2476-2486

117. Глинчук К.Д., Литовченко H.M., Птицын В.Ю. Рекомбинационные характеристики «очувстляющих» центров в кремнии.// Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 1987. №11. С.59-67.

118. Глинчук К.Д., Литовченко Н.М. Некоторые особенности изменения времени жизни в термобработанном, содержащем кислород кремнии.// Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 1987. №11. С.59-67.

119. Fuller C.S., Doluden F.P. Recombination Properties of oxygen presipitated silicon. // J. Appl.Phys. 1988: Vol.29. P. 1264-1271.

120. Абдурахманов К.П., Умаров T.A., Ходжаев М.Д. О природе термического 'центра с уровнем 0ю41 эВ в кремнии.// Изв. ВУЗОВ. Физика. 1984. №10 . С.243-247. •

121. Xie .V.M., Vu Y.Y., Wang K.L. Deep level defect study of moleculyar beam epitaxial grown silicon film.//Appl.Phys.Lett. 1986. Vol 48. P.287-295.

122. Lemke H. Strosstelllenrectioner bei Au-dotierrten Silliziumkristallen. // Phys.Stat Sol. 1985. Vol A92. P.139-247.

123. Tulach L., Frank N., Pina B. Gold and residual impurities in silicon. // Phys.Stat.Sol.(a) 1986. Vol. 95. K87-89.

124. Азимов С.А., Юнусов М.С., Нуркузиев Г.Ш. Фотоэлектрические свойства кремния, легированного осмием.// ФТП. 1979. Т. 13. С.239-241.

125. Капитонова JIM.,Костина Л.С.,Лебедев А.А.,Мачкамов Ш.Исследова-ние сечений захвата фотонов на уровни термодефектов в п-Si.// ФТП. 1974. Т.8. С.1182-1185.

126. Као К., Чуанг В. Перенос электронов в твердых телах. М: Мир.1984. Т.1. 352 с. Т.2. 368 с.

127. Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями. Ташкент. ФИАН. 1981. 200 с.

128. Беляев А. Д., Звягин И.П. К теории рекомбинации в аморфных полупроводниках с квазинепрерывным спектром локализованных сос-тояний.// ФТП. 1991. Т.25. С.35-40.

129. Leiderman A.Yu. On the generation-recombination current in p-n-junctions of semiconductors with continious gap-state spectrum. // Phys. Stat. Sol. (a). 1985. V.87. P.303-372.

130. Шик А.Я. Теория />-л-перехода с интенсивной генерацией-рекомбинацией носителей.//ФТП. 1982. Т.16. С.320-323.

131. Асрян Л.В., Половко Ю.А., Шик А.Я. Разделение и рекомбинация неравновесных носителей в области пространственного заряда р-л-перехода. // ФТП. 1987. Т.21. С.880-885.

132. Lucovsky G.P.Y. On the fotoionization of deep impurity centers in semiconductors. //Sol.State Comm. 1965. V.3. P.299-308.

133. Ридли Б. Квантовые переходы в полупроводниках. M: Мир.1986. 304 с.

134. Булярский C.B., Воробьев М.О., Грушко Н.С., Лакалин A.B. Определение параметров глубоких уровней по дифференциальным коэффициентам вольтамперных характеристик.// ЖТФ. 1999. №5. С.22-27.

135. Булярский C.B., Воробьев М.О., Грушко Н.С., Лакалин A.B. Рекомбинационная спектроскопия глубоких уровней в GaP светодиодах. // ФТП. 1999. Т.ЗЗ. №6. С.733-727.

136. Сережкин Ю.Н., Акимов П.В., Федосеев В.М. Гибридный метод определения параметров глубоких уровней в р-п переходах.// ФТП, 1978. Т.12. С.1079-1084.

137. Левин Е.И., Нгуен В.Л., Шкловский Б.И. Прыжковая проводимость в сильных электрических полях. Численный эксперимент на ЭВМ. // ФТП. 1982. Т.16. С.815-821.

138. Коган Л.М. Полупроводниковые светоизлучающие диоды. М: Энергоиздат. 1983.207 с.

139. Берг А., Дин П. Светодиоды. М: Мир. 1979. 686 с. '

140. Амброзевич A.C. Дефектообразование в фосфидогаллиевых светодиодных структурах зеленого свечения при воздействии внешних факторов. // Диссертация на соискание ученой степени к.ф.м.н. Ульяновск 1996.

141. Излучательная рекомбинация в полупроводниках.// Сб. статей под ред. Покровского Я.Е. М: Наука. 1972. С.304-307.

142. Точечные дефекты в твердых телах.// Сб. статей под ред. Болтакса Б.И., Машовец Т.В.99. bother J.E. Electron nature of vacanciens in tetrahedrally coordinated semiconductors// Phys.Rew. B. 1977. V.15. P.3928-3944.

143. Jaros M.,Strivastava G.P. Localized states in presence of a phosphorus vacancy in GaP// J.Phys. Chem. Sol. 1977. V.38. P.1399-1405.

144. Свелин P.А. Термодинамика твердого состояния. M: Металлургия. 1968. 312 с.

145. Pazzio A.,Brescasin L.M. Electronic structure of neutral and negativly charged gallium vacancies in GaP.// J. Phys. C: Sol. State Phys. 1982. V.15. P.213-219.

146. Торчинская T.B., Берлинских Т.Г., Смиян О.Д. Природа нестабильности свечения в светоизлучающих GaP:N структурах.// ФТП. 1992. Т.26. С.454-460.

147. Кольцов Г.И., Юрчук С.Ю. Изучение природы глубоких центров в ионноимплантированном фосфиде галлия. // ФТП. 1994 Т.28. С. 1661-1667.

148. Lang D.V. Fast capacitance transient apparatus: Application ZnO and О centers in GaP p-n junction // J.Appl.Phys. 1974. V.45. P.3014-3022.

149. Омельяновский Э.М., Фистуль В.И. Примеси переходных металлов в полупроводниках. М: Металлургия. 1983. 280 с.

150. Shocley W., Last J.T., // Phys.Rev. 1957. V.107. Р.392-396.

151. Sah С.Т., Shocley W.//Phys.Rev. 1958. V.109. P.l 103-1107.

152. H.J.Hoffman. A comment concerning the monotonnous shift of the Fermi level with increasing temperature in semiconductore. // PhysXett. 1980. V.78A. P. 175177.

153. Поляков И.О., Товстюк К.Д. Механизм стабилизации уровня Ферми дефектами при низких температурах. // ФТТ. 1981. Т.8. С.2480-2481.

154. Баграев Н.Т., Машков В.А., Туннельные центры с отрицательным U и фотостимулированные реакции в полупроводниках. // Письма в ЖЭТФ. 1984. Т.39. №5. С.211-213.

155. Маллер Р.С., Кейминс Т.И. Элементы интегральных схем. М.: Мир. 1989. 630 с.

156. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М: Мир. 1984. T.l. Т.2. 453 с.

157. Бард И. Нелинейное оценивание параметров М: Статистика. 1979. 349 с.

158. Дэннис Дж., мл. Шнабель Р. Численные методы безусловной оптимизации и решения нелинейных уровнений. М: Мир.1988. 440 с.

159. Берман Л.С. Введение в физику варикапов. Л.: Наука. 1968. 180 с.

160. Алимов Д.Т., Гольдман В.Я., Оксенядлер Б.Л., Хабибуллаев П.К. Краудиоиы- одномерные дефекты с отрицательной энергией корреляции. // ФТТ. 1985. Т.27. №11. С.3477-3479.

161. Bullis W.H. Properties of gold in silicon.//Sol. State Electron. 1973. P. 617-623.

162. Bruchner. Electrical propertiers of gold- doped silicon.// Phys. Stat. Solidi. 1971. A4. P.685-690.

163. Shaklee F.S., Larkin J.B., Kendall D.L. Heat treatments of gold doped silicon diodes.// Proc.IEEE. 1969. V.57. P.1481-1486.

164. Iwauchi S., Tanaka T. The effects of traps in semiconductor on the Characteristics of MOS transistors.//Japan J.Appl.Phys. 1968. V.7. P. 1237-1240.

165. Richman P .The effect of gold doping upon the characteristics of MOS field-effect transistors with applied substrate voltage.// Proc.IEEE. 1968. V/56. P.774-778.

166. Yoru D. and Sah C.T.// Solid State Electronics. 1974. V.17. P.193-200.

167. Sah C.T., Wang C.T. //J.Appl.Phys. 1975. V.48. P. 1767-1770.

168. Tulach L., Frank H., Pina В., Janu H. Gold is residual impurity in silicon devices. //Phys.Stat.Sol.(a). 1986. V.95. К 87-88.

169. Xic Y.N., Wu Y.Y., Wang K.L. Deep level defect study of molecular beam epitaxially grown silicon films. // Appl.Phys.Lett. 1986. 48(4) P.287-289.

170. Tavendale A.J., Pearton S.J. Deep level, quenched -in defects in silicon doped with gold, silver, iron, copper or nickel. // J.Phys.C: Sol. State Phys. 1983. V.16. P.1665-1673.

171. Рыльков B.B. Захват дырок на отрицательно заряженные атомы бора в легированном слабо компенсированном кремнии при низких температурах.// ФТП. 1988. Т.22. №9. С.1661-1665.

172. Auret F.D., Nel Н. Detection of minority-carrier defects by deep level transient spectroscopy using schottky barrier diodes.// J. Appl. Phys. 1987. V.61(7). P.2546-2549.

173. Воронков В.Б., Лебедев А.А., Мамадалимов А.Т. и др. Исследование параметров уровней железа в «-Si емкостными методами. // ФТП. 1980. Т. 14. №10. С.2050

174. Lee Y.N., Kleinheuz R.L., Corpett J.W. TPR of thermally induced defect in silicon. // Fhhl.Phys.Lett. 1977. V.31.(3). P.142.

175. Берман Л.С., Власов C.H. Исследование рекомбинационных параметров дефектов термообработки в диодах из п- кремния .//ФТП.1987.Т.12(9).С.1847-1851.

176. Assal L.V., Leite J.R. Electronic propeties the iron-boron impurity pair in silicon. // Phys Rev.B. 1987 V.36 (2) P.1296 -1306.

177. Абдурахманов К.П., Умаров Т.А., Хаджаев М.Д. О природе термического центра с уровнем Ev+0.41 эВ в Si.// Физика. 1984 №10Н. С.243-249.

178. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение. Сб. под ред. Кесаманлы Ф.П. и Наследова Д.Н. М.:Наука.1973. 471с.

179. Булярский C.B., Фистуль В.И. Термодинамика взаимодействующих дефектов в полупроводниках. М.: Наука .1997. 402с.

180. Леванюк А.П., Осипов В.В. Теория люминесценции сильно легированных компенсированных невырожденных полупроводников .// ФТП. 1973. Т.7 №6. С.1069-1080.

181. Леванюк А.П., Осипов В.В. К теории примесной излучательной рекомбинации сильно легированных полупроводников.// ФТП. 1973. Т.7. №8. С.1575-1584.

182. Осипов В.В. Теория электролюминесценции сильно легированных полупроводников.// ФТП 1973. Т.7. №11. С.2106-2113.

183. Соловьева Е.В., Каратаев В.В., Немова Г.А. О компенсации в монокристаллах арсенида галлия, содержащих элементы IV группы.// ФТП 1973. Т.7. №11.С.2126-2130.

184. Королев В.Л., Сидоров В.Г. Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия.// ФТП. 1988. Т.22. №8. С.1359-1364.

185. Mott N.F. Conduction in glasses containing transition metal ions. // J. Non-Cryst.Solids. 1968. V.l.P.1-10.

186. Mott Н.Ф., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М: Мир. Т.1 368 с.

187. Коугия К.В., Теруков Е. И., Фус В. Рекомбинация в аморфном гидрогенезированном кремнии.// ФТП. Т.32. С.27-34. '

188. Спитцер В. Многофононное решеточное поглощение. Сб. Оптические свойства полупроводников. Под ред. Р. Уиллардсона и А.Бира. М.: Мир 1970. 345 с.

189. Грушко Н.С. Рекомбинация в неупорядоченных полупроводниковых материалах и в структурах с ОПЗ на их основе. // Ученые записки Ульяновского государственного университета. Серия физическая. 1999. Вып.2(5). С.51-55.

190. Грушко Н.С. Рекомбинация в областях пространственного заряда полупроводников.// Труды лекторов школы. Критические технологии и фундаментальные проблемы. Физика конденсированных сред Ульяновск. 199$. С.81-99.

191. Saniara В. A Temperature and pressure dependences of the dielectric constants of semiconductors// Phys. Rev. B. 1983. V.27. №6. P.3494-3505.

192. K.Kao, В.Хуанг. Перенос электронов в твердых телах М: Мир. 1984. Т.1. 350 е., Т.2.367 с.

193. Физика соединений А2В6 .под ред. А. Н. Георгобиани,, М.К.Шейкмана. М:. Наука. 1986.

194. Шик А.Я. Статистика носителей и термодинамическая релаксация в неоднородных полупроводниках // :ЖЭТФ. 1976. Т.71. С. 1159-1165.

195. Глинчук К.Д., Литовченко Н.М. , Трошин А.Л., Марченко Р.И. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 1987. С.35-39.

196. Глинчук К.Д., Литовченко Н.М., Скрыль С.И. Рекомбинационные центры в термообработанном кремнии.// Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 1985. №7. С.58-66.

197. Глинчук К.Д., Литовченко Н.М., Сальник З.А., Скрыль С.И., Трошин А.Л. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 1985. №7. С.66-72.

198. Булярский C.B., Грушко Н.С., Бутылкина H.A.,Лукьянов А.Е.Назаров Н.В.,Степин И.О. Неоднородности в кремниевых р-п переходах.// Известия Вузов. Физика. 1991. №4. С.71-76.

199. Булярский C.B., Грушко Н.С. Диагностика неоднородностей, приводящих к флуктуациям зонного потенциала.// IV Всес. конф. Аналитические методы исследования материалов и изделий микроэлектроники Кишинев. 1991. С.47.

200. Булярский C.B., Грушко Н.С., Генерационно-рекомбинационные процессы в неупорядоченных полупроводниках.// Сб. науч. Трудов Частицы. Волны. Вещество. УлПИ. 1993. С.88-98.

201. Веренчикова Р.Г., Водаков Ю.А., Литвинов Д.П., Мохов E.H., Роенков А.Д., Санкин В.И., Ультрафиолетовые карбид-кремниевые фотоприемники.// ФТП. 1992. Т.26. №6. С.1008-1013.

202. Иванов А.П., Челноков В.Е. Полупроводниковый карбид кремния -технология и приборы. (Обзор).// ФТП. 1995. Т.29. №11. С.1921-1943.

203. Аникин М.М., Лебедев A.A., Полетаев Н.К., Стрельчук A.M., Сыркин А.Л., Челноков В.Е. Глубокие центры и сине-зеленая электролюминесценция в 4Н-SiC.// ФТП.1994.Т.28. №3. С.472-477.

204. Жерздев A.B., Карпов В.Г., Певцов А.Б. . Пилатов А.Г., Феоктистов H.A. Электролюминесценция в p-í-n структурах на основе a -Si i-xCx:H i i ФТП. 1992. Т.26. №4. С.750-754.

205. Аникин М.М., Стрельчук A.M., Сыркин А.Л., Челноков В.Е., Черенков А.Е. Характер температурной и токовой зависимостей' интенсивности краевой инжекционной электролюминесценции SiC р-п структур.// ФТП. 1994. Т.28. №2. С.284-288.

206. Минков И.Ю., Морозенко Я.В., Наблюдение ультрафиолетовой люминесценции в монокристаллическом SiC-бН.// ФТП. Т.25 №3. С.504-506.

207. Вавилов B.C., Водаков Ю.А., ИвановА.И., Мохов E.H., Роенков А.Д., Чукичев М.В., Веренчикова Р.Г. Люминесценция эпитаксиальных слоев 6Н-SiC, облученных быстрыми электронами.// ФТП. 1991. Т.25 №4. С.762-766.

208. Аникин М.М., Кузнецов Н.И., Лебедев A.A., Стрельчук A.M., Сыркин А.Л. Связь желтой электролюминесценции в бН-SiC с глубокими центрами.// ФТП 1990. Т.34.№.8 С.1384-1390.

209. Дмитриев В.А., Коган Л.М., Морозенко Я.В., Царенков Б.В., Челноков В.Е., Черенков А.Е. Фиолетовый 8Ю-4Н-светодиод. // ФТП .1989. Т.2. №1 С.39-43.

210. Евстропов В.В., Линьков И.Ю., Морозенко Я.В., Пикус Ф.Г. Фотолюминесценция компенсированного SiC-бН. // ФТП. 1992. Т.26. №6. С.969-978.

211. Николаев Ю.Н., Титов М.Н. Термостимулированная ЭДС светодиодов из карбида кремния.// ФТП. 1973. Т.7. №4. С.685-670.

212. Янков P.A., Фельсков М., Кройсем У., Куликов Д.В., Пецольдт.И., Скорута В., Трушин Ю.В., Харламов B.C., Цыганков Д.Н. Высокотемпературная имплантация ионов и Al в 6H-SÍC при высоких дозах.// Письма в ЖТФ. 1997. Т.23. № 16. С.7-14.

213. Лебедев A.A., Полетаев Н.К. Глубокие центры и электролюминесценция легированных бором 4H-SÍCр-п структур.// ФТП. 1996. Т.ЗО. №3. С.427-431.

214. Лебедев A.A., Полетаев Н.К., Растегаева М.Г., Савкини Н.С. Электролюминесценция бН-SiC р-п структур, легированных алюминием.// ФТП. 1994. Т.28. №10. С.1769-1775.

215. Аникин М.М., Кузнецов Н.И., Лебедев A.A., Полетаев Н.К., Стрельчук A.M., Сыркин А.Л., Челнаков В.Е. О зависимости положения максимума ЭЛ в диодах на основе бН-SiC от плотности прямого тока.// ФТП. 1994. Т.28. №3. С.445-449.

216. Аникин М.М., Зубрилов A.C., Лебедев A.A., Стрельчук А.П., Черенков А.Е. Рекомбинационные процессы в бН-SiC р-п структурах и влияние на них глубоких центров. // ФТП. Т.25. №3. С.479- 486.

217. Петренко Т.Л., Тесленко В.В., Мохов E.H. ДЭЯР и электронная структура примесных центров бора в бН-SiC // ФТП. 1992.Т.26. №9. С.1556-1562.

218. Балландович B.C. Акцептор скандий в бН-SiC //ФТП. 1991. Т.25. №2. С.287-294.

219. Грушко О.С. Определение рекомбинационных параметров дислокации методом наведенного тока. // Сб. Твердотельная электроника. Серия физическая. Средневолжский научный центр. 1996. С. 14-20.

220. Наумов A.B., Санкин В.И. Время жизни неравновесных дырок на основе SiC .// ФТП. 1989. Т.23. №6. С.1009-1013.

221. Стрельчук A.M., Евстропов В.В., Дмитриев В.А., Черенков А.Е. Прямой и обратный ток р-п структур на основе бН-SiC, изготовленных безконтейнерной жидкостной эпитаксией.// ФТП. 1995. Т.29. №12. С.2169-2178.

222. Евстропов В.В. Стрельчук A.M. Нейтронно- облученные SiC(6H) р-п структуры: токопрохождение// ФТП. 1996. Т.30. С.92-99.

223. Аморфные полупроводники. Под ред. Бродски . Mí Мир. 1982. 414 с.

224. Барановский С.Д., Карпов В.Г. Локализованные электронные состояния в стеклообразных полупроводниках. // ФТП. 1987. Т.21. С.3-17.

225. Барановский С.Д., Ивченко Е.А., Шкловский Б.И. Новый режим туннельной рекомбинации фотоносителей в аморфных полупроводниках. // ЖЭТФ. 1987. Т.92. №6. С.2234-2244.

226. Street R.A.//Adv.Phys. 1981. V.30. Р.593.

227. RentzchR., Shlimak I.S.//Phys. St. Sol.(a) 1977. V.43. P.231.

228. Safarov.V.I., ShlimakI.S., Titkov A.H. //Phys. St. Sol. 1970. V.41. P.439.

229. Абакумов В.И., Меркулов И.А., Перель В.И., Яссиевич И.Н. К теории многофонного захвата электронов на глубокий центр. // ЖЭТФ. 1985. Т.89. №4(10). С.1472-1486.

230. Карпус В., Перель В.И. Многофононная ионизация глубоких центров в полупроводниках в электрическом поле.// ЖЭТФ. 1986. Т.91. №6(12). С.2319-2331.

231. Барановский С.Д., Карпов В.Г., Шкловский Б.И. Безызлучательная рекомбинация в "некристаллических полупроводниках. // ЖЭТФ. 1988. Т.94. №3. С.278-288.

232. Tsang С., Street R.A. //Phys. Rev. В. 1979. V.19. Р.3027.

233. Барановский С.Д., Карпов В.Г. Многофононная прыжковая проводимость. // ФТП. 1986. Т.20.№ 10. С.1811-1815.

234. Reiss H., Fuller C.S., Morin F.T.// Bell. Syst. Techn. J. 1956. V.35. P.535.

235. Lax M. Cascad captur of electron in solids.// Phys.Rev. 1960. V.119. P. 15021523.

236. Абакумов B.H., Перель В.И., Яссиевич И.Н. Захват носителей заряда на притягивающие центры в полупроводниках. // ФТП. 1978. Т. 12. С.3-32.

237. Зейц Ф. Современная теория твердого тела. М: Гостехиздат. 1949. 450 с.

238. Хуан Кунь, Рис А. Теория оптических и безызлучательных переходов в центрах. // Сб. Проблемы физики полупроводников. М:Гостехиздат. 1957. С.389-406.

239. Давыдов А.С. Теория безызлучательных переходов в молекулах, находящихся в растворе.//ЖЭТФ. 1953. Т.24. С.397-408.

240. Кривоглаз М.А. Теория тепловых переходов.// ЖЭТФ .1953. Т.25. С.191-207.

241. Пекар С.И. О влиянии деформации решеток электронами на оптические и электрические свойства кристаллов.// УФН. 1953. Т.50. С.197-252.

242. Коварский В.А. Кинетика безызлучательных процессов. Кишинев. 1968. 202 с.

243. Wagner М. Nonradiative Transtion: fundamental difficulties of the adiabatic base approach. // Phys. Stat. Sol.(b). 1984. V.l 15. P.457-462.

244. Перлин Ю.Е., Цукерблат Б.И. Эффекты электронно-колебательного взаимодействия в оптических спектрах примесных парамагнитных ионов. Кишинев: Штиинца.1974. 308 с.

245. Ландау Л.Д., Лившиц Е.М. Квантовая механика. М: Наука. 1974. 702с.

246. Markwart Т.// J. Phys. С. 1981. V.14. №4(10). Р.1410-1418.

247. Passler R. Nonradiative muitiphonon capture of thermal and hot carriers by deep traps in semiconductors for the alternative regimes of small and large lattice relaxation.// Czech J. Phys. B. 1984. Vol.34. P. 377-401.

248. Passler R. Temperature dependence of the nonradiative muitiphonon carrier capture and injection properties of deep trap in semiconductor.// Phys. Stat. Sol. (b). Part 1. 1978. Vol. 85. P. 203-215. Part 2. 1981. Vol.103. P.673-686.

249. Булярский C.B., Грушко Н.С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М:МГУ 1995 г. 402 с.

250. Ortuno М., Pollak М.//РЫ1. Mag. В. 1983. V.47.№6. Р.93-98.

251. Силиньш З.А. Электронные состояния органических молекулярных кристаллов. Рига: Зинатне. 1978. 344 с.

252. Фельц А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. М: Мир. 1986. 556 с.

253. Стеклообразный сульфид мышьяка и его сплавы (физические свойства и применение) под редакцией Коломийца Б.Т. Кишинев. Штиинца. 1981. 210 с.

254. Архипов В.И., Руденко А.И., Андриеш A.M., Иову М.С., Шутов С.Д. Нестационарные инжекционные токи в неупорядоченных твердых телах. Кишинев: Штиинца. 1983.170 с.

255. Грушко Н.С., Ротарь А.И. Электрические и фотоэлектрические свойства слоев селенида мышьяка, легированных таллием и теллуром. // Всес. конф. Тройные полупроводники и их применение. Кишинев .1983.С.253.

256. Грушко Н.С. Материалам электронной техники. Ульяновск. 1994. 75с.

257. Булярский C.B., Грушко Н.С., Гоглидзе Т.И., Панасюк Л.М., Рябухина Г.Н. Влияние неоднородности полупроводникового материала на контрастность изображения в фотографическом процессе.// ФТП.1 981. Т.15. С.1656-1657.

258. Сандомирский В.Б., Ждан А.Г.// ФТП. 1973. Т.7. С. 1314.

259. Шик А.Я. К теории остаточной проводимости. // ФТП. 1977. Т.П. С.777-784.

260. Н. С. Грушко, Т. И. Гоглидзе, Л. М. Панасюк. Особенности C-V характеристик МДП структур на основе халькогенидного стеклообразного полупроводника. // ФТП. 1982. Т.16. С.1271-1273.

261. Рябова Л.М., Шеберстов В.И.// ЖНПФиК.1965. Т.10. С.222-229.

262. Сб. Фотоника . под ред. М.Балкански, П.Лалемана. М: Мир. 1979.

263. Гуревич С.Б., Ильяшенко H.H., Коломиец H.H., Любин В.М., Наливайко В.И., Цукерман В.Г. Оптические методы обработки информации. Л: Наука. 1974.231 с.

264. Street В.А., MottN.F. //Phys.Rev.Lett. 1975. V.39. P. 1293-1299.

265. MottN.F., Davis E.A., Street R.A. //Phil. Mag. 1975. V.32. P.961-979.

266. Kastner M., Adler D„ Fritzsche Y. //Phys .Rev. Lett. 4976. V.37. P. 1504 -1510.

267. Гергель В.A.// ФТП. 1979. T. 13. C.654-660.

268. Грушко H.С., Панасюк Л.М., Провоторов ПЛ. Изучение потенциальной диаграммы структуры Sb-As2Se3-Si. //ФТП. 1980. Т.Н. С.1140-1145

269. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л.// ЖЭТФ. 1972.Т.62. С.1156 6111.

270. Келдыш Л.В. О влиянии колебаний решетки на рождение электронно-дырочных пар в сильном электрическом поле // ЖЭТФ. 1958. Т.34, С.962-970.

271. Грушко. Н.С., Гоглидзе Т.И., Панасюк Л.М. Физические свойства гетеропереходов халькогенидное стекло-кремний. //Всес. конф. Физические явления в некристаллических полупроводниках. Кишинев. 1980. С.119 -122.

272. Грушко Н.С., Гоглидзе Т.И., Панасюк Л.М. Влияние низкотемпературного отжига на изменение концентрации дефектов в пленках As2Se3-As2Se3.// У1 конф. по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск .1982.

273. Архипов В.И., Руденко. А.И. // Письма в ЖТФ. 1979. Т.5. С.614.

274. Maje С.А. .Effect age in vitreous As2Se3 //Thin Films. 1982. V.41. №4. P.337-339.

275. Попов. H.A. // ФТП. 1981. Т.15. №2. C.369-374.

276. Черкасов Ю.А., Борондина М.С. и др. Фототермопластические пленки для микрофильмирования.// Опто-механическая промышленность. 1980. №4. С.ЗЗ-36.

277. Буздуган А.И., Зеленина Л.И., Постников A.A., Субботин С.С.,Шутов С.Д., ФТП материалы на основе ГС из стеклообразных полупроводников.// ЖНИПФиК. 1983. Т.28. №6. С.440-444.

278. Буздуган А.И. и др. Двухслойная гетероструктура из стеклообразных полупроводников с инжекционной сенсибилизацией.// II Всес. конф.

279. Формирование оптического изображения и методы его обработки. Кишинев. 1985.

280. Андриеш A.M., Акимова E.H. и др. Фотоинжекция носителей заряда в гетероструктурах Se-As2Se3//II Всес. конф. Формирование оптического изображения и методы его обработки. Кишинев. 1985.

281. Jhiwata Tatumi и др. Studies on amorphous chalcogenide PVK photoreceptor. I photoreceptor with on extended spectral response.// Se electrophotogr. 1980.T.18. №1. P. 17-84.

282. Постников A.A. и др. Высокоразрешающая фототермопластическая пленка.// ЖНИПФиК . 1978. Т.23. С.458-463.

283. Зеленина Л.И., Постников A.A., Табатадзе Д.Г., Павлов A.B.// Труды III Всес.конф. по бессеребряным и необычным фотографическим процессам. Вильнюс. 1980. сек. II. С.93.

284. Зеленина Л.И. и др. ФТП материал. A.C. №689586.СССР.МКИ.С 03С5/08, з.03.04.78.оп.07.07.81.Б.29.ИЗР. 81. 101.№23.С1.

285. Буров А.П. и др. Предельная светочувствительность ФТП регистрирующих сред при инжекционной сенсибилизации селенида кадмия.//И Всес. конф. Формирование оптического изображения и методы его обработки. Кишинев . 1985.

286. Любин В.Л. и др. Мишень телевизионной передающей трубки.№343316. CCCP.MKH.H01j 1/78. Оп. 22.06.72. 3.28.05.71.

287. Зеленина Л.И., Постников A.A., Табатадзе Д.Г. Зависимость электрофотографических свойств системы Se-ПВК ТП от материала проводящего слоя. // ЖНИПФиК. 1979. Т.24. №3.

288. Эйшли Силидзу и др. Светочувствительный материал. П. №51-1412. Япония. 103 131 (G03C1/72) 3.02.08.71 оп. 17.01.76.

289. Jnt. Business Mach Corp. Способ изготовления электрофотоматериалов. П. №2298814. Франция. МКИ Z03Z5/ 04. Оп. 24.09.76 № 39 Пр.США.23.01.75.

290. Taniguchi Yoskio, Yamamoto Hidcoki et.al. A highly sensitive chologenide photoconductor in a near inphrared wave elength region.//J. Appl. Phys.l981.52.V.12. P 7261-7269.

291. Iskiwata T et. al. Near IR sensitive electrophotographic receptor. //J. Appl.Phys. 1980. V/51. №1. P.444-445.

292. Кулешин Л.Г., Тамашконас С.И. Электрофотографический многослойный материал. A.C. №911446.СССР. МКИ С03С5/08. 3.29.05.80 оп. 7.03.82. Б.№9. ИЗР. 82. В.108.№42.С.4.

293. Патент США №3639120. Кл. 96/15. Оп. 01.02.72.

294. Фаривер Ю.У:, Байрамов А.И., Джафаров Т.Д. Влияние подложки ГС типа As2Se3- монокристаллический полупроводник на электрические свойства 'As2Se3-mieHOK. //Препринт №97.АН Азерб. ССР. Институт физики. Баку. 1984.

295. Черкасов Ю.А. ФТП процесс в проблеме записи изображений в реальном времени. // Труды ГОИ. Л.1982. Т.51. С.92-99.

296. Брук Л.И. и др. Фоточувствительность высокоомных структур на основе селенида цинка.// II Всес. конф. Формирование оптического изображения и методы его обработки. Кишинев 1985.

297. Полупроводниковые фотоприемники УФ, видимый и ближний инфракрасный диапазоны спектра. Под ред. Стафеева. М. Радио и связь. 1984.

298. Нарисэ Ясусукэ. Фотопроводящий слой для видиконов. П.№46-4283. Япония. 97(5) 112 2 (HOlj). э.13.03.68.

299. Зеленина Л.И. и др. ФТП материал. A.c. № 896591. СССР.МКИ C03C3/08. 3.21.05.80. Г № 143Р. 82.В. 108. №8. СЛ.

300. Володина А.П. и др. Аморфный сплав Se-Te в качестве материала для инжекдионного слоя ФТПН. // Фундаментальные основы оптической памяти и среды. 1982. № 13. С. 102.

301. Панасюк Л.М., Манушевич Г.Н., Гоглидзе Т.П., Провоторов В.Л. Влияние температуры на вольтамперные характеристики тонких слоев As2Se3y/Om.l98().T.14.№l.C.62-68.

302. Грушко Н.С., Дону B.C., Житарь В.Ф., Радауцан С.И. Исследование вольтамперных характеристик поверхностно-барьерных диодов на основе CdGa2S4.// ФТП. 1980. № 1. С.69-73.

303. Грушко Н.С., Панасюк Л.М. Фотоэлектрические явления в структурах халькогенидное стекло- кремний. // Межд. совещ. По фотоэлектрическим и оптическим явлениям в твердом теле. Варна . 1980. С.55-61.

304. Грушко Н.С. Фотоэмиссия в стеклообразных гетеропереходах.// Труды координационного совещания соц. стран по физическим проблемам оптоэлектроники. Оптоэлектроника-89. Баку. 1989. С.51.

305. Константинов О.Н., Мезрин O.A., Трошин С.И. // ФТП. 1987. Т.21. №12. С.2142-2148.

306. А.Фельц. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. М: Мир . 1986. 556 с.

307. Грушко Н.С., Гоглидзе Т.И., Панасюк Л.М. Особенности C-V характеристик МДП структур на основе халькогенидного стеклообразного полупроводника.// ФТП. 1982. Т.16. С.1271-1273.

308. Панасюк Л.М. Влияние полупроводникового слоя на формирование оптического изображения и методы его обработки. //II Всес. конф. Формирование оптического изображения и методы его обработки. Кишинев.1985.Т.1.С.45-49.

309. Конзело Л.А., Нямцу С.Н., Панасюк Л.М. Определение оптимального времени экспозиции методом численного моделирования скрытого изображения в ФТПЗ. /Л1 Всес конф. Формирование оптического изображения и методы его обработки. Кишинев. 1985. Т.1. С.41.

310. Грушко Н.С. Люксамперные характеристики твердых растворов при комнатной температуре и температуре записи при различных напряженностях электрического поля.// Профессорско-преподавательская конф. Кишинев КГУ.1987.

311. Коломиец Б.Т., Любин В.М. К вопросу о механизме фотопроводимости в 'аморфных и халькогенидных слоях.// ФТТ.1960. Т.П. №1. С.52-54.

312. Стеклообразный сульфид мышьяка и его сплавы. Под ред. Коломийца. Кишинев. Штиинца. 1981.

313. Любин В.М., Межов И.И., Баратов А.Г. О зависимости фотопроводимости стеклообразных полупроводников от напряженности электрического поля.// ФТП. 1980. Т.14. №.3. С.529-533.

314. Нисков В.Я., Кубацкий Г.А. Сопротивление омических контактов в тонких слоях полупроводников.// ФТП. Т.4. №9. 1970.

315. Радауцан С.И., Житарь В.Ф., Райлян В.Я. Оптическое поглощение монокристаллов ZnIn2S4.// ФТП. 1975. Т.9. №12. С.2278-2283.

316. Арама Е.Д. Грушко Н.С., Житарь В.Ф., Радауцан С.И. . Электрические и фотоэлектрические характеристики диодов №-гп1п284.//Доклады АН СССР1976. Т.227. №6. С.1329-1331.

317. Васильев A.M., Головнер Т.М. и др.// ФТП. 1969. Т.З. №8. С.1276.

318. Gartner W.W.// Phys.Rev. 1959. V.l 16. №1. Р.84-93.

319. Арама Е.Д., Грушко Н.С., В.Ф.Житарь, С.И.Радауцан Влияние базы на параметры диодов, изготовленных из высокосмного ZnIn2S4 // Письма в ЖТФ.1977.Т.З. №6 С.254-258.

320. Стафеев В.И., Каракушан Э.И. Магнитодиоды. М: Наука. 1975.

321. Арама Е.Д., Грушко Н.С. Спектры фототока диодов на основе ZnIn2S4 в области 2.5-4.7.эВ./У Всес. конф. Тройные полупроводники и их применение. Кишинев 1976. С. 160-161.

322. Радауцан С.И., Андриеш A.M., Мустя И.Г., Доника Ф.Г. Спектры поглощения и фотопроводимости нового полупроводникового соединения Zn2In2S5.// ФТП. 1971. Т.5. №3. С.578.

323. Cingolani A., Ferrara M., Minafra A., Adduci F., Tañíalo. Fotoelectrical properties of ZnIn2S4.//Phys. Stat. Sol.(a). 1974. V.23. P.367.

324. Тэзлэван В.Э., Щербан К.Ф. Очувствление монокристаллов твердого раствора разреза CdS-In2S3. // В кн. Физические свойства сложных полупроводников. Кишинев Штиинца. 1973.

325. Булярский C.B. Исследование поверхностно-барьерных структур на основе Cd 1п284.//Автореф. канд. дис. Кишинев. Штиинца. 1973.

326. Физика и химия соединений А2В6. Под ред. проф. Медведева С.А. М: Мир. 1970. 408 с.

327. Иванов-Есипович Н.К. Инженерные основы пленочной микроэлектроники. Л. Энергия. 1968. 200 с.

328. Радауцан С.И., Житарь В.Ф., Райлян В.Я. Оптическое поглощение монокристалловZnIn2S4 .//ФТП. 1995. Т.9. С.2278-2280.

329. Bossachi A., Bossachi В., Frandi S., Hernander L. Optical properties of a quaze-disordered semiconductor ZnIn2S4.//Sol. Stat. Comm. 1973. V.13. P.1805-1811.

330. Арама Е.Д., Грушко H.C., Житарь В.Ф. Самолегирование кристаллов 'ZnIn2S4 в процессе отжига в различных средах.//Сб. Физика сложных полупроводниковых соединений. 1979. С.95-100.

331. Гицу Д.В. и др. //Труды шестой межд. конф. По аморфным и жидким полупроводникам. Л. 1976.

332. Springford M.//Proc. Phys. Soc. 1963.V.82. P. 1029-1036.

333. Радауцан С.И., Житарь В.Ф., Дону B.C. // ФТП. 1975. Т.9. С. 1018-1022.

334. Beun J.A., Nitche R., Lichtensteger M.L. // Physica. 1960. V.26. P.647-651.

335. Житарь В.Ф. и др. // В сб. Физика и химия сложных полупроводников. Кишинев: Штиинца. 1975. С.50-56.300. 67. Cowall T.A., Weoda J. //Brit. J. Appl. Phys. 1967. V.18. P.1045-1050.

336. Бьюб P. Фотопроводимость твердых тел. M: 1962. 362 с.

337. Лущик Ч.Б. Исследование центров захвата в щелочно-галлоидных кристаллах.// Труды ИФА. Тарту.1955. 350 с.

338. Kivits Р. // J. Phys.С: Solid State Phys. 1976. V.9. Р.605-611.

339. Kivits P., Reulen J., Hendrick J., Venempol F., Vanklur J. //J. of Luminescence. 1978. V.16. P.145-152.

340. Грушко H.C., Дону B.C., Житарь В.Ф., Радауцан С.И. Электрические характеристики двойных поверхностно-барьерных диодов на основе CdGa2S4. //Получение и исследование новых материалов полупроводниковой техники. Кишинев 1980. С.90-98.

341. Концевой Ю.А., Кудин В.Д. Методы контроля технологии производства полупроводниковых приборов М: Энергия. 1973. 322 с.

342. Goodman A.M.//J. Appl. Phys. 1963. V.34. Р.329 .

343. Williams R. // J.Appl. Phys. 1966. V.37. P.3411.

344. Furukawa J., Ishibashi. //Jap.J. Appl. Phys. 1967. V.6 .P.13.

345. Furukawa J., Ishibashi //Jap. J. Appl.Phys. 1967. V.6. P.503.

346. Furukawa J. //Jap.J. Appl.Phys. 1967. V.6. P.675.

347. Карпенко В.П., Кашерининов П.Г., Матвеев O.A. //ФТП. 1970 .T.4. C.937.

348. Котина И.М., Мазурик Н.Е., Новиков С.Р., Хусаинов А.Х.//ФТП. 1969. Т.З. С.374.

349. SahC.T., Rosier L.L., Forbes L.// Appl.Phys.Lett.l970.V.15.P.316.

350. Sah C.T., Forbes L., Rosier L.L., Tasch A.F. // Sol. St. Electron. 1970. V.13. P.759.

351. RosierL.L., SahC.T.//J. Appl. Phys. 1971. V.42. P.4000.

352. Sah. C.T., Rosier L.L., Forbes L. //Appl. Phys. Lett. 1969.V.15. 316.

353. Sah C.T., Ning Т.Н., Rosier L.L., Forbes L. // Sol. State Com. 1971.V.9. P.917.

354. Tasch A.P. SahC.T.//Phys.Rev. 1970. V.1.P.800.

355. Гуткин A.A., Каган Н.Б., Наследов Д.Н., //1971. T.5. C.l 144.

356. Braun S., Gimmeiss H.G., Allen R. //Phys.stat.solidi.(a).1972.V.14.P.527.

357. Lindguist P.F.,.Bube R.H //J/Appl.Phys. 1972. V.43. P.2830.

358. Грушко H.C., Гуткин А.А. Спектры сечений фотоионизации глубоких примесных центров в фосфиде индия, легированном железом .//ФТП. 1974.Т.8. №9. С.1816-1820.

359. Руссу Е.В. Автореферат кандидатской диссертации. АН МССР. Кишинев .1994.

360. Гольдберг Ю.А, Наследов Д.Н., Царенков Б.В.//ПТЭ.1971. №3. С.207.

361. Bocker R. // Solid-State Electronics. 1973. №16. P. 1241.

362. Yu A.Y.C., Snow E.H.// J.Appl.Phys. 1968. V.39. P.3008.

363. Smith B.L., Rhoderick R.H.// Brit.J.Appl.Phys.(J.Phys.D) 1969. 2. P.465.

364. Гуткин A.A., Решетихин Ю.Ю., Царенков Б.В.// ПТЭ. 1962. N5. С.200.

365. Иващенко А.И., Ковалевская Г.Г., Алюшина В.И., Наследов Д.Н., Слободчиков С.В. //ФТТ.1973. Т. 15. С.284.

366. Ковалевская Г.Г., Клотынып Э.Э., Наследов Д.Н., Слободчиков С.В. //ФТТ. 1966. Т.8. С.2415.332. .Ковалевская Г.Г, Алюшина В.И., Слободчиков С.В. // ФТП. 1973. Т.7. С.181.

367. Millin J.B., Royle A., Straughan B.W., // J. Crystal Crowth 1972. V.13/14. P.640.

368. Гуткин А.А., Лебедев А.А., Раду Р.К., Талалакин Г.Н., Шапошникова Т.А.// ФТП. 1972. Т.6. С. 1954.

369. Herman III J.M., Sah С.Т.// Appl. Phys. Lett. 1973. V.44. P.1259.

370. Kukimoto H., Henry C., Miller C.L.// Appl. Phys. Lett. 1972. V.21. P.251.

371. Kukimoto H., Henry C., Merrit F.R.// Phys. Rev. B.1973. V7. P.2486.

372. Messmer R.P., Waltkins C.D. //Phys. Rev. Lett. 1970. V.25. P.656.

373. Георгобиани A.H. Природа и параметры центров излучательной рекомбинации в фосфиде индия.//Фосфид индия в полупроводниковой электронике. Тез докл.Кишинев.1985.С.18-19.

374. Eaves L., Smith F.W., Skolnick M.S., Cockayne В. An investigation of the deep level photoluminescence spectra of InP(Mn), InP(Fe) and undoped InP// J.Appl.Phys. 1982. 53. №7. P.4955-4963.

375. Kaschel W.H. , Kaufmann U., Bishop S.G. Optical and ESR analysis of the Fe acceptor in InP // Ibid. 1977. V.21. №12. P.1069-1073.

376. Георгобиани A.H., Микуленок A.B., Панасюк Е.И. и др. Глубокие центры в нелегированных и легированных железом монокристаллах фосфида индия//ФТП. 1983. Т. 17. №4. С.593-598.

377. Oberstar J.D., Streetman B.G. Anneling en capsulants for InP II : Photiluminescence studies.//Thin Solid Films. 1982. V.94. №2. P.161-170.

378. Yu.P.W. A model for the -l.lOev emission band in InP.//Ibid.l980 V.34 №3. P.183-186.

379. Barrau J., Thanh D.X., Brousscan M.et.al.The zero-phonon luminescence from Cr2+ in InP.//Physica BC.1983.V.116. №1/3. P.456-460.

380. Негрескул B.B., Руссу E.B., Радауцан С.И., Чебан А.Г. Излучательная рекомбинация в легированных кристаллах фосфида индия.//ФТП. 1975. Т.9. №5. С.893-900.

381. Коган М.Н., Седунов Б.И.// ФТТ. 1966. Т.8. С.2382.

382. Skolnick M.S., Dean P.J., Pitt A.D. ,et.al.Optical properties of copper related centres in InP.//J. Phys. C: Solid State Phys. 1983.V. 16. №10. P,1967-1985.

383. Грушко H.C.,Руссу Э.В., Слободчиков C.B. Фотопроводимость фосфида индия, легированного железом и никелем. // ФТП. 1975. Т.5. №2. С.343-347.

384. Barankova Н. Photoluminescence of SSD and LES grown InP // Phys. Status Solidi A.1982. V.71.№2. P.K153-K156.

385. Rawamura Y., Asahi H., Nagai H. Electrical and optical properties of Be-doped InP grown by molecular beam epitaxy.// J. Appl. Phys. 1983. V.54. №2 .P.841—846.

386. Kawanmura Y.,Asahi H., Nagai H. Electrical and optical properties of Be doped InP grown by moleculiar beam epitaxy.// J. Appl. Phys. 1983.V. 54. №2. P.841-846.

387. Георгобиани A.H., Микуленок A.B., Равич B.H. и др. Фотолюминесценция кристаллов InP и InP:Fe с имплантированной примесью магния.//ФТП. 1983. ,Т.17. №12. С.2177-2179.

388. Kubo R. Phys. Rew. 1952. V.86. Р.929-928.

389. Ребанэ К.К. Элементарная теория колебательно2й структуры спектров примесных центров кристаллов. М: Наука. 1969. 230 с.

390. Гросс Е.С., Сафаров В.И., Седов В.Е., Марущак В.А.,// ФТТ, 1969. Т.11, С.348 354.

391. Карел Ф. Физика примесных центров. Мат. Семинара АН ЭССР. ИПФ: Таллин. 1972. 397 с.

392. Роуз А. Основы теории фотопроводимости. М: Мир. 1966. 140 с.

393. Грушко Н.С., Гуткин А.А. Применение фотоемкостного метода для исследования электрон-фонноного взаимодействия при фотоионизхации глубоких примесных центров в InP.// ФТП. 1975. Т.9. №7. С.58-62.

394. Булярский С.В., Грушко Н.С., Гуткин А.А., Наследов Д.Н. Полевые зависимости термической ионизации центров в слое объемного заряда барьеров Au-n-InP:Fe.// ФТП 1975. Т.5. №2. С.287-291.

395. Ребане К.К., Пурга А.П., Сильд О.И. К теории электронно-колебательных переходов в кристаллах и молекулах. Метод моментов // Труды ИФА АН ЭССР.1961. вып.14. с. 31-47.

396. Lax М. Cascade capture of electrons in solids // Phys.rev. 1960, Vol.119, P.1502-1523.

397. Крамер Г. Математические методы статистики.- М. «Мир», 1975, 648с.

398. Аверкиев Н.С., Гуткин А.А., Осипов Е.Б. и др. Влияние смешивания электронных состояний электронно-колебательным взаимодействием на строение и пъезоспектроскопические свойства ян-теллеровских акцепторов в GaAs //ФТП, 1991, т.25, в. 11, стр.1976.

399. Gutkin А.А. Anisotropic acceptors induced in GaAs by group I elements Cu, Ag, Au: Properties and trends // Proc. Of the 1st Natuonal Conf. On Defects in Semiconductors. St. Petersburg, Russia, 1992, p. 13.

400. Gutkin A., Reshchikov М. Sedov V. Distortions of vacancy complexes in n-GaAs and their reorintation under uniaxial stress // Proc. Estonian Acad. Sci. Phys. Math., 1995, v.44, No 2/3, p.212.

401. Williams E. W. Evidence of self-activated luminescence in GaAs. The gallium donor centre // Phys. Rev. 1968, v. 168, p.922.

402. Hwang C.J. Optical properties of n-type GaAs. Formation of efficient hole traps during annelingin Te-doped GaAs // J. Appl. Phys., 1969, v.40, p.4584.

403. Williams E. W. Photoluminescence II: Gallium arsenide.// Semiconductors and Semimaterials, v.8, 1972, P.321.

404. Мильвидский М.Г., Прошко Г.П., Шершакова И.Н. Особенности спектральных характеристик фотолюминесценции арсенида галлия, легированного элементами IV группы // Науч. Труды Гиредмета, 1972, т.46, №2, стр.56.

405. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б.б Прошко Г.П., Шершакова И.Н. О природе дефектов в GaAs, сильно легированных телуром // ФТП, 1972, т.6, в. 1, с.224.

406. Вовненко В.И., Глинчук К.Д., Лукат К., Прохорович А.В. Изменение рекомбинационных и колебательных свойств глубоких центров люминесценции при пластической деформации GaAs //ФТП, 1981, т. 15, в.6, стр.1003.

407. Фальковский JI. А., Бродовой А. Б. и др. Спектр фотолюминесценции арсенида галлия, легированного Si и Sn // ЖЭТФ. 1981. Т.80. в.1. с.334.

408. Буянова И. О., Остапенко С. С., Шейнкман М. К. Наблюдение дефектов в GaAs<S> методом НСГУ// ФТП. 1985. Т.27. в.З. с.748.

409. Андрианов Д. Г., Кузнецов В. Д. и др. Фотолюминесценция n-GaAs, выращенного методом газофазной эпитаксии // ФТП. 1987. Т.21. в.6. с.1106.

410. Джумамухабетов Н.Г., Дмитриев А.Г. Фотолюминесценция модифицированных кристаллов GaAs<Te> // ФТП. 1988. т.22. в. 10. с.1880.

411. Оборина В. И., Мелев В. Г. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев арсенида галлия, легированного одновременно серой и оловом // Неорг. Матер., 1989, т.21, №1, с.5.

412. Аверкиев Н. С., Гуткин А. А., Рещиков М. А. А. Сосновский В.Р. Оптическая анизотропия центра, взывающего полосу фотолюминесценции с максимумом вблизи 1.18 эВ в GaAs:Te. Поляризованная фотолюминесценция // ФТП. 1991. Т.25. в.1. с.50.

413. Averkiev N.S., Gutkin A.A., Reshchikov M.A., Sosnovskii V.R. Symmetry of VGaTeAs complex in GaAs and its reorientation at low temperature // Proc. Of the 1st Natuonal Conf. On Defects in Semiconductors. St. Petersburg, Russia, 1992, P.31.

414. Аверкиев H. С., Гуткин А. А. Осипов Е.Б., Рещиков M. A. A. Сосновский В.Р. Симметрия комплекса VGaTeAs в GaAs и его переориентация при низких температурах // ФТП. 1992. Т.26. в.7. с. 1269.

415. Джумамухабетов Н.Г., Дмитриев А.Г. К вопросу о природе полосы излучения (1.23-125) эВ в спектре люминесценции кристаллов GaAs<Te> //ФТП. 1992. т.25. в.5.с.958.

416. Богданова В. А., Давлеткильдеев H.A., Семиколенова Н. А. и др. Фотолюминесценция с участием глубоких уровней в GaAs:Te// ФТП. 1992. Т.26. B.5.C.818.

417. Гуткин А. Ä., Рещиков М. А. Сосновский В.Р. Исследование комплекса VcaSnoa в GaAs методами поляризованной фотолюминесценции g пъезоспектроскопии. Строение комплекса и его переориентация при низких одноосных давлениях) // ФТП, 1993, Т.27, в.9, с.1516.

418. Гуткин А. А., Рещиков М. А. А. Сосновский В.Р. Исследование комплекса VGaSnGa в GaAs методами поляризованной фотолюминесценции и пъезоспектроскопии. Явление двухступенчатого выстраивания // ФТП, 1993, Т.27, в.9, с. 1526.

419. Глинчук К.Д., Прохорович А.В. Влияние облучения быстрыми нейтронами на фотолюминесценцию кристаллов n-GaAs(Te) // ФТП, 1997, т.31, №5, стр.533.

420. Gutkin A., Reshchikov М. Sedov V. Mechanism for the Low-Temperature Alignment of Distotions of the VGaTeAs Complexes in n-type GaAs under Uniaxial Pressure // Zeitschrift fur Phys. Chem., Bd. 200, 1997, p.217.

421. Гуткин А. А., Рещиков M. А. А. Седов B.E. Исследование комплекса VGaTeAs в n-GaAs с помощью поляризованной фотолюминесценции в диапазоне температур 77-230 К // ФТП, 1997, т.31, №9, стр.1062.

422. Ребане К.К., Трифонов Е.Д., Хижняков В.В. Квазилинейчатые электронно-колебательные спектры // Труды ИФА АН ЭССР. вып.27. С. 3-17.

423. Ребане К.К., Пурга А.П., Сильд О.И. К теории электронно-колебательных переходов в кристаллах и молекулах.Расчет различных моделей// Труды ИФА АН ЭССР.1963. вып.20. С. 48-75.

424. Ребане К.К., Сильд О.И. О связи между полосами поглощения и излучения // Оптика и спектроскопия. 1960. т.9. С. 521-523.

425. Бейтман Г., Эрдейн А. Таблицы интегральных преобразований. Преобразования Бесселя. Интегралы от специальных функций. М., «Наука», 1970, т.2.

426. Верлан А.Ф: Сизиков B.C. Методы решения интегральных уравнений с программами для ЭВМ. Справочное пособие. Киев, «Наукова Думка», 1978г.

427. Zener С. A. A theory of the electrical breakdown of solid dielectrics // Proc. Royal Soc., (London), 1934, v. 145, p.523.

428. Франц В. Пробой диэлектриков. М., ИЛ, 1961.

429. Эсаки JI. Туннелирование. в кн.: Туннельные явления в твердых телах. М., «Мир», 1973, стр.51.

430. Тимашев С.Ф. О термическом поглощении в сильном электрическом поле ниже края поглощения // ФТТ. 1972, т. 14, с.2621.

431. Тимашев С.Ф. О термической ионизации глубоких центров в слое объемного заряда в полупроводниках // ФТТ, 1972, т. 14, с. 171.

432. Тимашев С.Ф. Об эффекте Френкеля при термополевой ионизации глубоких центров в слое объемного заряда в полупроводниках // ФТТ, 1974, т. 16, с.804.

433. Тимашев С.Ф. Электрические и оптические явления при электронных переходах в области пространственного заряда в полупроводниках с участием глубоких центров // Диссертация на соис. уч. ст. докт. ф.-м. н., М., 1975.

434. Куджмаускас Ш.П. Теория туннелирования электронов из глубоких примесных уровней в зону проводимости в сильных электрических полях с учетом многофононных процессов // Лит. Физ. Сб., 1976, т. 19, № 4, с.459.

435. Kiveris A., Kudzmauskas S., Pipinys P. Release of electrons from trap by an a electryc field with phonon participation // Phys. Stat. Sol., 1976, v.37, p.321.

436. Далидчик Ф.И. Многофононные туннельные процессы в однородном электрическом поле // ЖЭТФ, 1978, т.74, в.2, с.472.

437. Pons D., Makram-Ebeid S. Phonoh assisted tunnel emission of electrons from deep levels in GaAs. // J.Phis. (France)/ 1979,v.40, No 12, p. 1168.

438. Makram-Ebeid S. Effect of electric field on deep-level transients in GaAs and GaP // Appl. Phys. Lett., 1980, v.37, No 5, p.464.

439. Makram-Ebeid S., Lannoo M. Quantum model for phonon assisted tunnel ionization of deep levels in semiconductors // Phys. Rev., 1982, v.25, No 10, p. 6406.

440. Makram-Ebeid S., Lannoo M. Electric-field-induced phonon-assisted tunnel ionization from deep levels in semiconductors // Phys. Rev. Lett., 1982, v.48, No 18, p. 1281.

441. Георгобиани A.H., Пипинис П.А. Туннельные явления в люминесценции полупроводников. М., «Мир», 1994.

442. Rosier L.L., Sah С.Т.,// Solid State Electron. 1971. V.14. P.41-48.

443. Yau L.D., Simily V., Sah C.T.// Phys.Stat.Sol. 1972. V.13. P.457-464.

444. Френкель Я.И.// ЖЭТФ. 1938. T.12. P.1292-1298.

445. Абакумов B.H., Карпус В., Перель В.И., Яссиевич И.Н. Влияние заряда глубокого центра на многофононные процессы термоионизации и захвата электронов // ФТП, 1988, т.22, в.2, с.262.

446. Карпус В. Влияние электрон-фононного взаимодействия на ионизацию глубоких центров сильным электрическим полем// Письма в ЖЭТФ, 1986, т. 44, с.344.

447. Абакумов В.Н., Курносова О.В. Пахомов А.А., Яссиевич И.Н. Многофононная рекомбинация через глубокие примесные центры // ФТТ, 1988, т.ЗО, в.6, с.1793.

448. Абакумов В.Н., Карпус В., Перель В.И., Яссиевич И.Н. Термополевая ионизация примесей. Многомодовое рассмотрение // ФТТ, 1988, т.ЗО, в.8, с.2498.

449. Перлин Ю.Е., Эффекты электронно-колебательного взаимодействия в оптических спектрах примесных парамагнитных ионов // УФН, 1963, т.80, в.4.,с.553.

450. Булярский С.В., Грушко Н.С., Жуков А.В. //ЖЭТФ. 1999. Т. 116. №2(8). С.1-8.

451. Burgiel J.C.// Appl. Phys. Lett. 1966. V.9. P.389.

452. Burgiel J.C., Braun H.J.// J. Appl. Phys. 1969. V.40. P.2583.

453. Вавилов B.C. , Стопачинский В.Б., Фан ба Нян.// Краткие сообщения по физике. ФИАН СССР. 1972. Е.5. С.66.

454. Стопачинский В.Б., Фан ба Нян, Фок М.В.// ФТТ. 1972. Т. 14. С.3575.

455. Nishino T.,Yamagida T.,Hamakawa Y. // Japan-J. Appl. Phys. 1972. V.ll. P.1221.

456. Будянский В.И., Данияров О., Шейкман М.К. // ФТП. 1973. Т.7. С. 1296.

457. Гудкин А.А., Наследов Д.Н., Фараджиев Ф.Э. // ФТП. 1974. Т.8. С.463.

458. Тимашев С.Ф. // ФТТ. 1972. Т.14. С.2621.

459. Бакалейников JI.A., Булярский С.В., Грушко Н.С. Гуткин A.A. Влияние электрического поля на фотоионизацию глубокого центра при электроно-колебательных переходах // ФТП. 1976. Т. 10. С. 363-365.

460. Булярский С.В., Грушко Н.С., Жуков A.B. Рассчет вероятности оптических преходов в сильных электрических полях.// Ученые записки УлГУ. Серия физическая. 1999. №2(7). С.39-53.

461. Виноградов B.C. Теория многофононного поглощения света // ФТТ, 1970, т.12, в.12, стр.3081.