Граничные эффекты емкостного высокочастотного разряда тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.08 ВАК РФ

Введение

Глава I Электрическое поле в граничных областях разряда

1.1 Распределение ВЧ напряжения в разрядном промежутке

1.1.1 Электрическая эквивалентная схема разряда.

1.1.2 Методика измерений

1.1.3 Экспериментальные результаты и их анализ

1.1.4 Специфика распределения ВЧ напряжения в асимметричном разряде

1.2 Экспериментальные методы изучения квазистационарного электрического поля

1.2.1 Особенности экспериментального изучения квазистационарного электрического поля в емкостном ВЧ разряде

1.2.2 Зондовая методика

1.2.3 Бесконтактный метод

1.2.4 Методика управления приэлектродными скачками квазистационарного потенциала

1.3 Зависимость приэлектродного квазистационарного скачка потенциала и , от параметров разряда

1.3.1 Зависимость и, от амплитуды ВЧ напряжения

1.3.2 Зависимость и, от давления газа

1.3.3 Зависимость и 5 от материала электродов и рода газа

1.3.4 Частотная зависимость иДО

1.3.5 Скачок потенциала и, в емкостном ВЧ разряде с внешними электродами

1.4 Характер результирующего электрического поля в граничных областях емкостного ВЧ разряда

Выводы из главы I

Глава II Транспорт зарядов в приэлектродной области

2.1 Характер движения ионов

2.2 Электронные потоки от электродов в плазму.

2.2.1 О присутствии электронов в приэлектродном слое пространственного заряда

2.2.2 Методика измерения плотности пе эмиттированных электродом электронов

2.2.3 Зависимость концентрации пе0 от ВЧ напряжения

V „ и тока I „ разряда

2.2.4 Экспериментальное изучение приэлектродных электронных потоков

2.3 Свойства границы "приэлектродный слой пространст венного заряда - плазма"

2.4 Перенос электронов из плазмы на электроды

2.5 Зависимость механизма емкостного ВЧ разряда от транспорта зарядов на электроды

Выводы из главы II

Глава III Вольт - амперная характеристика емкостного ВЧ разряда .Одно - и двухэлектродный разряды

3.1 Методика определения и физический смысл вольт-амперной характеристики емкостного ВЧ разряда

3.2 Зависимость вольт-амперной характеристики от параметров разряда

3.3 "Батарейный эффект" в емкостном ВЧ разряде

3.4 Вольт-амперная характеристика одноэлектродного емкостного ВЧ разряда

Выводы из главы III

Глава IV Приграничные электронные пучки

4.1 Явление возникновения приграничных электронных пучков в емкостном ВЧ разряде

4.1.1 Приэлектродные электронные пучки

4.1.2 Пристеночные электронные пучки

4.2 Методы диагностики электронных пучков в емкостном ВЧ разряде

4.3 Параметры электронных пучков емкостного ВЧ разряда низкого давления

4.4 Процессы пространственной и временной релаксации приэлектродных электронных пучков

4.5 Роль электронов пучка в балансе заряженных частиц приэлектродной плазмы

Выводы из главы IV

Глава V Электронный энергетический спектр приэлектродной плазмы

5.1 Современные исследования ЭЭС плазмы емкостного

ВЧ разряда

5.2 Экспериментальные методы изучения ЭЭС пллзмы данной работы

5.2.1 Ленгмюровская зондовая методика

5.2.2 Метод определения второй <12Г(У) производной-.

5.2.3 Метод электростатического энергоанализатора 195 5.3 Энергетическое распределение электронов плазмы емкостного ВЧ разряда при выполнении условия

5.4 ЭЭС плазмы емкостного ВЧ разряда в случае а0е»К„

5.5 ЭЭС плазмы асимметричного емкостного ВЧ разряда

5.6 Временной ход физических процессов и его влияние на ЭЭС приэлектродной плазмы

5.6.1 Экспериментальный метод изучения временной зависимости ЭЭС плазмы

5.6.2 Основные закономерности временного хода

ЭЭС внутри периода ВЧ поля

5.6.3 Влияние поперечного магнитного поля на временной ход ЭЭС приэлектродной плазмы асимметричного емкостного ВЧ разряда

Выводы из главы V

Глава VI Пучково- плазменные неустойчивости в емкостном

ВЧ разряде. Разряд со вторичным "СВЧ - пробоем" 231 6.1 Экспериментальные данные о присутствии пучковой неустойчивости в исследованном емкостном

6.2 Анализ характеристик пучковой неустойчивости

6.2.1 Параметры пучково-плазменной неустойчивости в симметричном емкостном ВЧ разряде

6.2.2 Проявление пучково-плазменной неустойчивости в асимметричном емкостном ВЧ разряде

6.3 Емкостной ВЧ разряд со вторичным "СВЧ - пробоем" 242 Выводы из главы VI

Глава VII Поперечный емкостной ВЧ разряд, поддерживаемый

7.1 Особенности экспериментального изучения поперечного емкостного ВЧ разряда среднего давления

7.2 Состояние нейтральной компоненты газоразрядной

ВЧ разряде приэлектродными электронными пучками плазмы

7.2.1 Методика двухлучевой оптической интерферометрии

7.2.2 Метод многолучевой интерферометрии

7.2.3 Экспериментальные результаты и их обсуждение

7.3 Физические свойства плазмы поперечного емкостного ВЧ разряда

7.3.1 Энергетические характеристики повеления электронов газоразрядной плазмы

7.3.1.1 Методика определения эффективной температуры электронов Т *

7.3.1.2 Результаты измерений Т" и их обсуждение

7.3.2 Плотность электронов плазмы пеи ее зависимость от параметров разряда

7.3.2.1 Методика измерения пе а. Метод штарковского уширения спектральных линий б. Методика СВЧ - интерферометрии

7.3.2.2 Экспериментальные результаты и их обсуждение

7.4 Роль граничных эффектов в поддержании разряда

Выводы из главы VII

1. АКТУАЛЬНОСТЬ РАБОТЫ

Современный научно - технический прогресс во многом определяется быстро развивающимся комплексом высоких технологий, в котором ведущую роль играет использование газоразрядной плазмы. В качестве примера важнейших применений ионизованных газов достаточно назвать такие хорошо известные области как плазменная технология, лазерная техника и плазмохимия [ 1 - 3 ]. В настоящее время зачастую используется ионизованная среда, близкая по своим свойствам к квазиравновесной плазме положительного столба тлеющего разряда постоянного тока, отличающейся узким электронным энергетическим спектром ( ЭЭС ) с характерными энергиями 0 < ее< 25 - 50 эВ . Характеристики такой плазмы весьма консервативны и существенно изменяются лишь при больших изменениях внешних параметров разряда.

Подобное положение вещей не может удовлетворять современным потребностям науки и техники, требующим разработки источников плазмы с расширенным диапазоном изменения ее параметров.

Достаточно хорошо исследованы физические свойства плазмы центральных областей тлеющего разряда постоянного тока и ВЧ разряда в широком диапазоне давлений [ 4 - 6 ].

Новые возможности открывает использование приэлектродной плазмы, поддерживаемой совокупностью граничных процессов, в особенности, в условиях их существенной нелокальности.

Широкое распространение в многочисленных научно - технических областях получила плазма емкостного высокочастотного разряда ( ЕВЧР ).

В соответствии со сказанным выше, актуально изучение таких физических процессов и характеристик приграничных областей ЕВЧР как электронно - эмиссионные процессы на электродах, переменное и квазиста8 ционарное электрические поля , транспорт зарядов в приэлектродном слое пространственного заряда ( ПСПЗ ) , роль геометрии разрядного промежутка и др. , которые до настоящего времени исследованы весьма слабо. Явно недостаточно разработаны методы диагностики параметров приэлек-тродных областей ЕВЧР, которые должны быть бесконтактными в силу большой чувствительности указанных областей разряда к различным возмущающим факторам.

В центре внимания диссертационной работы находилось обнаруженное автором явление возникновения высокоэнергетичных приэлектродных электронных пучков (ПЭП) в ЕВЧР, которые являются важнейшим фактором формирования ЭЭС приэлектродной плазмы.

Весьма актуальным является изучение ЕВЧР, в которых эффекты пучково-плазменного взаимодействия, приводящие к пучково-плазменным неустойчивостям (ППН), играют важную роль. Данные о таких исследованиях отсутствуют в литературе.

Постоянно актуальной будет проблема создания плазмы с хорошо управляемыми параметрами. Из известных на сегодня способов получения ионизованной среды приэлектродная плазма ЕВЧР, по-видимому, является управляемой с помощью максимального количества факторов воздействия.

Очевидно, что источник плазмы с управляемым в широком диапазоне ЭЭС представляет интерес для различных областей науки и техники, начиная от плазменной технологии и кончая исследованиями фундаментальных проблем астрофизики и неравновесной плазмы.

2. ЦЕЛЬ И ОСНОВНЫЕ ЗАДАЧИ РАБОТЫ

Целью настоящей работы являлось изучение граничных эффектов в ЕВЧР для выяснения роли физических процессов вблизи поверхностей, ог9 раничивающих разрядный промежуток, в механизме создания приэлек-тродной плазмы и формировании ее ЭЭС.

Здесь под граничными эффектами подразумеваются: 1) эмиссия электронов с поверхности электродов, 2) суперпозиция внешнего и внутреннего электрических полей в ПСПЗ, 3) формирование ПЭП, 4) транспорт зарядов в ПСПЗ, 5) краевые эффекты ВЧ поля, 6) влияние геометрии электродов на физические условия в разряде.

Основными задачами являлись следующие:

1. Разработка экспериментальных методов исследования физических процессов в ПСПЗ и определение с их помощью характеристик приэлек-тродного электрического поля, параметров процесса эмиссии электронов с поверхности электродов и транспорта зарядов.

2. Обоснование корректности получаемых ВАХ разряда и проведение их детального анализа с целью получения количественной информации о параметрах ПСПЗ и приэлектродной плазмы.

3. Экспериментальное изучение явления возникновения высокоэнерге-тичных ПЭП, их параметров и пространственной релаксации по импульсу и энергии, а также - эффектов пучково-плазменного взаимодействия.

4. Проведение экспериментальных исследований квазистационарных и разрешенных по времени ЭЭС приэлектродной плазмы ЕВЧР и механизмов их формирования.

5. Изучение оптико-спектроскопическими методами параметров плазмы поперечного ЕВЧР в инертных газах, поддерживаемой граничными процессами, а также - свойств оптически активной среды Не-№- и Не - СсГ- лазеров, создаваемой данным разрядом.

Поставленные задачи определили содержание диссертационной работы, выполненной в период с 1970 по 1995 год на кафедре физической электроники физического факультета МГУ им. М. В. Ломоносова.

10

Совокупность выявленных в диссертации граничных эффектов ЕВЧР, играющих важную роль в механизме поддержания приэлектродной плазмы, разработка невозмущающих методов исследования граничных физических процессов и полученные новые результаты о физических свойствах и параметрах приэлектродной плазмы определяют новое направление -«Методы создания и экспериментального изучения плазмы с регулируемым в широких пределах ЭЭС, поддерживаемой граничными эффектами у поверхности с высоким ВЧ электрическим потенциалом».

3. НАУЧНАЯ НОВИЗНА работы заключается в том,что в ней впервые:

1. На основании экспериментальных исследований характеристик электрического поля в ПСПЗ установлено, что возникающее в результате суперпозиции внешнего ВЧ поля и поля в ПСПЗ результирующее самосогласованное электрическое поле в ПСПЗ ЕВЧР представляет собой импульсы постоянного поля, эквивалентные приэлектродному квазистационарному скачку потенциала.

2. Экспериментально исследован характер движения электронов в приэлектродной области ЕВЧР. Установлено, что, в отличие от традиционных модельных представлений об отсутствии электронов в ПСПЗ, они присутствуют постоянно. При этом движение электронов имеет не колебательный характер, а импульсно-периодический: электроны плазмы движутся к электроду в положительный полупериод поля, а вторичные у-электроны - ускоряются от электрода в отрицательный полупериод.

3. Разработаны бесконтактные методы, применимые к ЕВЧР с внутренними и внешними электродами для измерений: 1) квазистационарного скачка потенциала в ПСПЗ;2) плотности эмиттированных электродом электронов, а также - 3) изучения пространственной релаксации ПЭП по импульсу и 4) диагностики параметров ПСПЗ и приэлектродной плазмы по виду вольт-амперной характеристики ЕВЧР среднего давления.

11

4. Проведено экспериментальное изучение зависимости квазистационарного скачка потенциала в ПСПЗ от основных параметров ЕВЧР: обнаружена зависимость от материала электрода и рода газа и установлен характер зависимости от частоты ВЧ поля. Впервые измерены параметры ПСПЗ ЕВЧР с покрытыми диэлектриком электродами : скачок потенциала, толщина ПСПЗ и энергия ионов на электроде.

5. Впервые экспериментально исследованы плотности электронов, эмиттированных внутренними электродами и диэлектрическим покрытием электродов ЕВЧР. Установлен характер зависимости плотности эмиттированных электронов от амплитуды и частоты приложенного ВЧ напряжения. Проведено сравнительное изучение плотностей эмиттированных электронов для электродов ЕВЧР и катода тлеющего разряда постоянного тока.

6. Обнаружено новое физическое явление - возникновение в ЕВЧР высокоэнергетичных приэлектродных электронных пучков (ПЭП). Проведены исследования этого явления в широком диапазоне экспериментальных условий, позволившие измерить плотности и энергии пучков, изучить пространственную релаксацию ПЭП по импульсу и энергии и выяснить ее механизмы. Экспериментально обнаружены пристеночные электронные пучки, эмиттируемые с диэлектрических боковых стенок разрядной трубки и обусловленные краевым эффектом ВЧ поля в ЕВЧР.

На основании экспериментальных результатов сделан вывод о существовании универсального физического явления : находящаяся под ВЧ потенциалом поверхность любого материала в ионизованном газе становится источником электронных пучков.

7. Экспериментально исследованы электронные энергетические спектры приэлектродной плазмы ЕВЧР с симметричными электродами в условиях определяющей роли столкновений электронов с атомами. Установлено, что ЭЭС плазмы имеют немаксвелловский характер, будучи обогащенными высокоэнергетичными электронами. При этом с увеличением ВЧ на

12 пряжения ЭЭС расширяется, а эффективная температура группы "медленных" электронов уменынается.В этих условиях вклад "быстрых" электронов ПЭП в процесс ионизации превышает 90 %. Теоретически показано, что обогащение приэлектродной плазмы "быстрыми" электронами приводит к увеличению скорости ухода зарядов с эффективным коэффициентом диффузии, превышающим обычный коэффициент амбиполярной диффузии в десятки раз.

8. Проведено экспериментальное изучение ЭЭС плазмы асимметричного ЕВЧР (АЕВЧР) в окрестности заземленного электрода, которая создается ПЭП активного электрода малой площади и представляет собой ранее не исследованное плазменное образование. Получены квазистационарный и разрешенный по времени ЭЭС плазмы АЕВЧР.Экспериментально исследована динамика физических процессов в приэлектродной области в течение периода ВЧ поля и ее влияние на ЭЭС плазмы. Обнаружено,что в разные фазы периода ВЧ поля на электрод приходят потоки тепловых электронов с энергиями в сотни эВ и электронов ПЭП активного электрода.

9. Проведен количественный анализ полученных экспериментальных результатов с целью обнаружения присутствия пучково-плазменных неус-тойчивостей ( ППН ) в исследованных ЕВЧР. Установлено возбуждение ППН черенковского типа в приэлектродной плазме, срываемой периодическим коллапсом ПСПЗ. С помощью наблюдения пучкового пика ЭЭС плазмы АЕВЧР исследован временной ход развития ППН, в результате чего установлено характерное соотношение длительностей гидродинамической и кинетической стадий неустойчивости.

Обнаруженное обогащение ЭЭС плазмы ЕВЧР разогретыми СВЧ полями ППН электронами говорит об интенсификации ионизационных процессов в плазме, что дает основание классифицировать исследованный разряд как ЕВЧР со вторичным " СВЧ -пробоем".

13

10. Экспериментально исследованы параметры плазмы поперечного ЕВЧР ( ПЕВЧР ) среднего давления. Обнаружена аномально низкая эффективная температура электронов плазмы ПЕВЧР Тем ~ 0.2 - 0.5 эВ, которая не может объяснить наблюдаемые высокие концентрации электронов плазмы пе ~ 1012 — 1 о'3 . Установлено, что решающий вклад в ионизационные процессы обусловлен присутствием ПЭП.

11. Сформулировано следующее из экспериментальных результатов модельное представление о формировании пространственно протяженной, структурированной границы "ПСПЗ - плазма " в результате взаимодействия электронов плазмы с приэлектродным потенциальным барьером. Последнее сопровождается образованием внутри барьера потенциальных ям, наполняемых потоками высокоэнергетичных электронов плазмы. Экспериментально установлено, что при повышенных ВЧ напряжениях и частотах поля параметры ПСПЗ приближаются к стационарным. Для последних режимов ЕВЧР предложен новый механизм переноса электронов плазмы на электрод с помощью перемещающихся от плазмы к электроду потенциальных ям.

4. НАУЧНАЯ И ПРАКТИЧЕСКАЯ ЦЕННОСТЬ полученных в диссертации результатов обусловлена тем, что они существенно расширяют наши знания о физических процессах в ВЧ разрядах и представляют большой практический интерес для оптимизации процессов в генераторах плазмы на основе ЕВЧР и их практического использования в технологиях микроэлектроники, материаловедении и плазмохимии.

Выяснение физического механизма разряда дает возможность создавать плазму с нужными параметрами. Приэлектродная плазма в наибольшей степени отражает специфику каждого типа разряда и отличается легкостью в управлении ее параметрами. Полученные результаты показывают, что с помощью ЕВЧР можно создавать неравновесную плазму с чрез

14 вычайно разнообразными ЭЭС, удобную для проведения фундаментальных исследований такой плазмы.

Исследования приэлектродных процессов в ЕВЧР позволили выяснить механизмы формирования ЭЭС плазмы, что дало возможность:

- создать поколение эффективных лазеров на смесях инертных газов с парами металлов с возбуждением поперечным ЕВЧР;

- разработать проект ВЧ-плазмохимического реактора для производства интегральных схем, ожидаемые параметры которого, по оценкам учреждений научно-технической экспертизы, превышают достигнутый мировой уровень.

Источники ВЧ-плазмы с управляемым ЭЭС перспективны в следующих практически важных областях :

- в плазмохимии для создания ионизованных сред с заданным составом;

- для создания простейшими техническими средствами электронных пучков различных конфигураций, включая пучки большой площади сечения, для электронной обработки поверхностей с дозированными энергетикой и плотностью электронных потоков;

- для создания ВЧ электронных квазипушек мультикэвного диапазона для воздействия извне на объекты внутри замкнутых диэлектрических полостей;

- для возбуждения электронными пучками ЕВЧР с оптимизированными параметрами люминофоров в осветительных лампах и др.

5. ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ, ВЫНОСИМЫЕ НА ЗАЩИТУ :

1. Экспериментально обнаружено, что возникающее вследствие суперпозиции приложенного ВЧ напряжения и поля зарядов в приэлектрод-ном слое пространственного заряда результирующее электрическое поле в

15

ПСПЗ емкостного высокочастотного разряда представляет собой импульсы постоянного поля. Изучены зависимости приэлектродной квазистационарной разности потенциалов, близкой по величине к амплитуде приложенного ВЧ напряжения, от основных параметров ЕВЧР. Обнаружена зависимость данной величины от рода газа и материала электродов , объясняемая эмиссионными процессами на электродах, и установлен характер ее частотной зависимости, определяемой движением ионов в ПСПЗ.

Создан бесконтактный метод диагностики параметров ПСПЗ ЕВЧР, в котором слой рассматривается как электрическая емкость, образующая с последовательно соединенными емкостью изолирующего электрод слоя диэлектрика и вводимой диагностической емкостью эффективный емкостной делитель напряжения. Впервые с помощью данного метода измерены параметры ПСПЗ ЕВЧР с покрытыми диэлектриком электродами : приэлектродный квазистационарный скачок потенциала, составлявший сотни Вольт и выше, толщина слоя, изменявшаяся в пределах 1 см , и энергии ионов на электроде порядка единиц и десятков эВ.

2. В отличие от традиционных модельных представлений об отсутствии электронов в ПСПЗ ЕВЧР, экспериментально установлено их постоянное присутствие . При этом движение электронов в ПСПЗ носит не колебательный, а импульсно - периодический характер : у - электроны в отрицательный полупериод поля ускоряются от электрода, а электроны плазмы в положительный полу период идут к электроду.

3. Впервые в ЕВЧР обнаружены приэлектродные электронные пучки. Измерены плотности и энергии ПЭП. Показана возможность фокусировки ПЭП с помощью геометрии электродов. Экспериментально изучена пространственная релаксация ПЭП по импульсу и энергии и выяснены механизмы релаксации, обусловленные парными соударениями или пуч-ково-плазменной неустойчивостью. Теоретически показано, что обогащение плазмы в окрестности электродов "быстрыми" электронами ПЭП при

16 водит к увеличению скорости ухода зарядов, благодаря диффузии с эффективным коэффициентом , превышающим обычный коэффициент ам-биполярной диффузии в десятки раз.

Разработана бесконтактная методика изучения релаксации ПЭП по импульсу с помощью исследования пространственного распределения амплитуды осцилляции свечения на частоте ВЧ поля.

Экспериментально обнаружено, что, вследствие краевого эффекта ВЧ поля, с диэлектрических боковых стенок разрядной трубки возникают стеночные электронные пучки с энергиями в сотни эВ.

Установлено существование универсального физического явления : находящаяся под ВЧ потенциалом поверхность любого материала в ионизованном газе становится источником электронных пучков.

4. Разработан бесконтактный метод измерения плотности эмитти-рованных электродами ЕВЧР электронов с помощью измерения абсолютных интенсивностей спектральных линий в ПСПЗ. Этим методом впервые измерена плотность эмиттированных электронов с поверхности диэлектрических покрытий внешних электродов, составлявшая 105 -101 см~ъ.

5. Экспериментально исследован квазистационарный электронный энергетический спектр приэлектродной плазмы ЕВЧР с симметричными плоскими электродами в случае частых столкновений электронов с атомами и в условиях возбуждения пучково-плазменной неустойчиво-сти.Установлено обогащение ЭЭС электронами повышенных энергий , его зависимость от рода газа, а также - определяющий вклад в процесс ионизации газа высокоэнергетичных электронов ПЭП, который может превышать 90% при значительной роли столкновительных процессов в плазме.

6. Методом энергоанализатора изучены квазистационарный и имевший в определенной фазе периода ВЧ поля максимальную ширину ЭЭС плазмы асимметричного ЕВЧР с повышенными плотностями ПЭП. Установлено, что аномально широкий ЭЭС плазмы заканчивается пучковым

17 пиком, который в квазистационарном ЭЭС имеет как квазимоноэнергетич-ный, так и расплывшийся по энергии вид, но всегда является квазимоно-энергетичным в упомянутой выше фазе. Показано, что вид ЭЭС плазмы АЕВЧР существенно зависит от возникновения пучково-плазменной неус-точивости черенковского типа, периодически срываемой коллапсом ПСПЗ.

7. Экспериментально изучены параметры плазмы поперечного ЕВЧР среднего давления, поддерживаемого приэлектродными процессами, в результате чего установлено соотношение плотностей "быстрых" и медленных" электронов — ~10"6 - Ю-5, обнаружена аномально низкая эффективная температура квазимаксвелловской группы электронов плазмы Тем ~ 0.2-0.5эВ при их концентрации пе ~ 1012 -10йсм'3, что указывает на решающий вклад в ионизационные процессы малочисленных высоко-энергетичных электронов ПЭП.

8. Полученные экспериментальные результаты показывают, что помимо традиционного диффузионного механизма переноса электронов плазмы на электроды ЕВЧР в условиях его малой интенсивности возможен альтернативный дискретный механизм переноса электронов с помощью периодически перемещающихся от плазмы к электроду потенциальных ям в приэлектродном потенциальном барьере.

6. ВКЛАД АВТОРА

Личный вклад автора в работы, написанные в соавторстве и вошедшие в диссертацию, является определяющим.

7. СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Диссертация состоит из введения, семи глав, заключения, двух приложений и списка цитированной литературы.

ВЫВОДЫ ИЗ ГЛАВЫ VII

1. Разработана интерферометрическая методика определения распределения плотности нейтрального газа в ПЕВЧР с учетом рефракции зондирующего излучения.Исследовано радиальное распределение плотности газа р(г) в ПЕВЧР среднего давления в Аг . Обнаружена

279 обусловленная геометрией электродов анизотропия распределения р(г) и ее существенная зависимость от параметров разряда У,р и £

2. По допплеровскому уширению контуров спектральных линий Не измерена усредненная по поперечному сечению разрядной трубки температура газа Та, изменявшаяся в зависимости от давления и амплитуды ВЧ напряжения в пределах от 1000 К до 2200 К.

3. Экспериментально обнаружено, что в плазме ПЕВЧР в Не в диапазоне давлений р = 5 -50 Тор устанавливается состояние ЧЛТР для энергетических уровней атомов со значениями главного квантового числа п > 5. При этом посредством определения заселенности высоковозбужденных уровней атомов (5<«<15) измерена эффективная температура Тем основной массы электронов плазмы, значения которой изменялись в интервале 0.2- 0.5 эВ.

4. Двумя методами - по штарковскому уширению контуров спектральных линий и с помощью СВЧ-интерферометрии - измерены концентрации электронов в плазме ПЕВЧР среднего давления в Не и Аг; полученные значения находились в диапазоне 1011 - 1014см~3.

5. Установлено, что в плазме ПЕВЧР в Не и Аг ионизационные процессы обусловлены присутствием «быстрых» электронов с относительной концентрацией — = Ю-6 - Ю-5 , происхождение которых связа

Пе но с ПЭП. Показано, что при р > 40 Тор преобладающим процессом исчезновения заряженных частиц является диссоциативная рекомбинация, при этом присутствие молекулярных ионов Не* обнаружено спектроскопическим методом в интервале давлений 10-50 Тор, а в случае р> 20 Тор интенсивность излучения молекулярной полосы о

Не^ (4650 А) достигает интенсивности наиболее сильных атомных спектральных линий.

280

В заключение сформулируем основные выводы, следующие из работы.

1. Выдвинуто и экспериментально подтверждено предположение о том, что возникающее в результате суперпозиции приложенного ВЧ поля и поля присутствующих зарядов результирующее электрическое поле в ПСПЗ ЕВЧР представляет собой импульсы постоянного поля. Экспериментально исследованы зависимости амплитуды приэлектродного квазистационарного скачка потенциала Us от основных параметров ЕВЧР низкого давления. При этом обнаружена зависимость Us от материала электрода и рода газа, объясняемая электронно-эмиссионными процессами на электроде, а также установлен и количественно объяснен характер его частотной зависимости, определяемый движением ионов в ПСПЗ.

Создан оригинальный бесконтактный метод измерения скачка потенциала U,, пригодный для исследований ЕВЧР как с внутренними, так и внешними электродами, с помощью которого впервые экспериментально изучены параметры ПСПЗ в ЕВЧР с покрытыми диэлектриком электродами: разность потенциалов Us, толщина слоя ds и энергия ионов sis на электроде.

2. В отличие от традиционных модельных представлений об отсутствии электронов в ПСПЗ ЕВЧР, экспериментально установлено их присутствие там в течение всего периода ВЧ поля. При этом показано, что движение электронов в ПСПЗ, в соответствии с указанным выше временным ходом электрического поля, носит не колебательный, а периодически импульсный направленный характер.

3. Впервые в ЕВЧР экспериментально обнаружены высокоэнергетичные приэлектродные электронные пучки (ПЭП), направленные от электродов к центру разрядного промежутка. Проведен цикл экспериментальных исследований ПЭП в ЕВЧР низкого давления, в результате которых осуществлена

281 визуализация пучков, измерены их плотности пеЬ и энергии ггеЬ, показана возможность пространственной фокусировки ПЭП с помощью соответствующей конфигурации электродов. Экспериментально изучены процессы пространственной релаксации ПЭП по импульсу и энергии и установлены ее механизмы. Разработана оригинальная оптическая методика измерения длины пространственной релаксации ПЭП по импульсу, применимая, в отличие от традиционной поляризационной методики, в широком диапазоне давлений газа.

4. Разработан оригинальный бесконтактный метод измерения плотности эмиттированных с поверхности электродов электронов пе0 , с помощью которого впервые измерены плотности эмиттированных электронов в ЕВЧР, в том числе и с диэлектрических покрытий внешних электродов ЕВЧР.

Показано, что величина пе0 в исследованных условиях практически равна плотности ПЭП пеЬ, так что данный метод служит также для измерения плотности электронных пучков в ЕВЧР низкого давления.

5. Выдвинуто и экспериментально подтверждено предположение о том, что вследствие краевого эффекта ВЧ поля в окрестности электродов с диэлектрической боковой поверхности разрядной трубки возникают пристеночные электронные пучки (СЭП). Установлено, что благодаря СЭП, заметная часть энергии выходящего из разряда ВЧ поля возвращается обратно.

6. На основании проведенных исследований ЕВЧР выдвинуто предположение о формировании пространственно протяженной, структурированной границы «ПСПЗ-плазма» в результате взаимодействия приэлектродного потенциального барьера с электронами плазмы, имеющими широкий ЭЭС с пучковым максимумом на конце, которое должно сопровождаться образованием внутри упомянутого барьера потенциальных ям, наполняемых потоками высокоэнергетичных электронов плазмы.

282

Экспериментально установлено, что при повышенных напряжениях V. и частотах поля характеристики ПСПЗ приближаются к стационарным, и плазма не касается электродов на протяжении всего периода ВЧ поля. Для подобных режимов ЕВЧР выдвинута гипотеза о дискретном механизме переноса электронов плазмы на электроды посредством периодически перемещающихся от плазмы к электродам потенциальных ям, подтверждением которой могут служить полученные экспериментальные результаты.

7. Экспериментально обоснована методика корректного получения вольт-амперных характеристик ЕВЧР. Обнаружена зависимость ВАХ от конфигурации электродов. Исследована ВАХ одноэлектродного ЕВЧР. В результате сравнительного изучения ВАХ одно- и двухэлектродного ЕВЧР установлена возможность перехода второго типа разряда в первый.

С учетом экспериментально установленного значительного влияния граничных эффектов ЕВЧР среднего давления на его ВАХ и с использованием эквивалентной электрической схемы разряда, разработан ВАХ-метод диагностики параметров ПСПЗ и приэлектродной плазмы, а также - параметров «батарейного» эффекта в этом разряде.

8. В условиях как определяющей роли столкновительных процессов (о>0е < уеп), так и при пониженных давлениях (со0е » уеп) в ЕВЧР с симметричными электродами в Не, Хе и воздухе методом зонда Ленгмюра, вводимого в разряд миниатюрного энергоанализатора-зонда и энергоанализатора на заземленном электроде исследован квазистационарный ЭЭС приэлектродной плазмы. При этом установлены немаксвелловский характер ЭЭС, простирающегося на десятки и сотни эВ, его зависимость от рода газа, в частности, влияние эффекта Рамзауэра на вид ЭЭС, а также - определяющий вклад в процесс ионизации высокоэнергетичных электронов ПЭП.

9. Наряду с экспериментами по исследованию ЕВЧР с достаточно большими площадями поверхности электродов, в которых плотности ПЭП малы,

283 проведено изучение асимметричного ЕВЧР с малой площадью активного электрода, что позволило на 1-2 порядка увеличить плотности пучков.

Исследованная плазма АЕВЧР создавалась у заземленного электрода ПЭП от активного электрода и представляет собой ранее не изученное плазменное образование.

Полученный при этом методом энергоанализатора общий вид квазистационарного ЭЭС с шириной энергетического интервала до 3 кэВ включает в себя узкую квазимаксвелловскую группу «холодных» электронов и весьма протяженную высокоэнергетичную область, заканчивающуюся пучковым пиком с максимальными энергиями ееЪ ~ 2еУ эВ. Особенностью данного ЭЭС являлось то, что в зависимости от амплитуды ВЧ напряжения и давления газа, носившей пороговый характер, пучковый пик ЭЭС был квазимоно-энергетичным или расплывшимся по энергии.

10. С помощью энергоанализатора ЭЭС плазмы АЕВЧР исследовался также с разрешением во времени. При этом основное внимание уделялось фазе

Ък периода ВЧ поля ф = —, когда ЭЭС имел максимальную ширину. Обнаружено принципиальное различие между квазистационарным и разрешенным во времени ЭЭС АЕВЧР: соответствующий упомянутой фазе пик ЭЭС был всегда близок к моноэнергетичному.

11. В целях выяснения влияния динамики физических процессов в течение периода ВЧ поля в приэлектродной области на ЭЭС плазмы, изучен временной ход потока электронов на заземленный электрод АЕВЧР. Установлено, что в отрицательный полупериод ВЧ напряжения на активном электроде поток электронов на заземленный электрод состоит из двух последовательных импульсов, первый из которых формируют тепловые электроны плазмы с энергиями порядка десятков - сотен эВ, а второй - представляет собой поток направленных частиц от активного электрода с энергиями порядка сотен

284 тысяч эВ. Обнаруженная резкая немонотонность характера движения электронов из плазмы объясняется периодическим коллапсом ПСПЗ.

12. С целью изучения ЭЭС приэлектродной плазмы ЕВЧР разработан ряд экспериментальных методик: 1) четырехэлектродный энергоанализатор-зонд малых размеров, вводимый в исследуемую область плазмы; 2) разрядная трубка с резко асимметричной геометрией электродов и смонтированным на заземленном электроде энергоанализатором, позволявшая получать ПЭП повышенной плотности и, как следствие, изучать высокоэнергетичную часть ЭЭС; 3) экспериментальная процедура регистрации и компьютерная обработка кривых задержки энергоанализатора для получения квазистационарных и разрешенных во времени ЭЭС; 4) методика разложения единого наблюдаемого электронного импульса осциллограмм сигнала энергоанализатора в случае пониженной плотности электронных пучков на два импульса, соответствующих потоку тепловых электронов и электронному пучку от противоположного электрода.

13. Обнаружено возникновение пучково-плазменных неустойчивостей в приэлектродной плазме исследованного ЕВЧР, подтверждением чего являются экспериментальные факты: 1) обнаруженный пороговый эффект резкого расплывания квазимоноэнергетичного пучкового пика ЭЭС плазмы при монотонном увеличении ВЧ напряжения; 2) установленные аномально короткие длины релаксации ПЭП по импульсу; 3) обнаружение потоков тепловых электронов с энергиями ееТ> 600 эВ на электрод; 4) зафиксированный срыв генерации «горячих» электронов в приэлектродной плазме при коллапсе ПСПЗ, уменьшающем инкременты 1111Н, после чего регистрировался нерассеянный электронный пучок от активного электрода. Установлено, что значительную роль в характере возбуждения ППН в ЕВЧР играет геометрия разряда - конфигурация электродов и длина разрядного промежутка.

285

14. Объектом изучения являлась черенковская ППН двух видов: 1) столкновительно-диссипативная с инкрементом = со

Ое

ПеЬ «ое

V Пе Уе„ J и 2) бесстолкновительная с инкрементом §2 = со

Ое П еЬ

Ч2ПеУ

Для исследованного ЕВЧР уточнено условие развития ППН, принимающее вид: 5>уеп,2со. Произведенные и„ оценки длин раскачки ППН Ь, 2 еЬ

1,2 соответствуют экспериментальным данным.

Обнаруженное обогащение ЭЭС плазмы «горячими» электронами, разогретыми СВЧ-полями ППН, свидетельствует о повышении интенсивности ионизационных процессов в плазме, на основании чего можно классифицировать исследованный разряд как ЕВЧР со вторичным «СВЧ-пробоем».

15. Для исследованных симметричных ЕВЧР в Не и воздухе оценками установлено, что ~ 32 ~ уеа, поэтому развитие ППН затруднено, что подтверждается слабым обогащением полученных ЭЭС плазмы высокоэнерге-тичными электронами. Обнаружено, что в ЕВЧР в Хе при V, < 600 В электронный спектр аномально обогащен «быстрыми» частицами, а при У> 600 В их число быстро уменьшается. Такое поведение ЭЭС обусловлено проявлением столкновительно-диссипативной неустойчивости при У,<600 В и ее резким ослаблением при У> 600 В, что определяется эффектом Рамзауэра, влияющим на величину частоты упругих столкновений электронов с атомами. В плазме данных СЕВЧР главным фактором формирования группы «медленных» электронов являлось ВЧ поле, а «хвоста» энергетического распределения - ППН.

16. В АЕВЧР в воздухе экспериментально установлено, что в отсутствие условий для возбуждения ППН пучковый пик ЭЭС плазмы является квази

286 моноэнергетичным, а при возникновении таких условий с увеличением ВЧ напряжения полуширина этого пика увеличивается на порядок.

С помощью наблюдения пучкового пика ЭЭС плазмы АЕВЧР исследован временной ход характеристик ППН внутри периода ВЧ поля, в результате чего установлено, что в присутствии ППН полуширина расплывания пучкового пика по скоростям существенно превосходит характерную теоретическую величину, по достижении которой завершается гидродинамическая стадия неустойчивости. Таким образом, наблюдаемый квазистационарный пучковый пик соответствует кинетической стадии ППН, намного превышающей по длительности начальную гидродинамическую стадию. 17. Экспериментально установлено, что в ЕВЧР плоской геометрии при малых амплитудах ВЧ напряжения V, квазистационарное пространственное диффузионное распределение концентрации заряженных частиц имеет невозмущенный характер

Пе(Х) = поС08

При повышенных напряжениях (V. > 1 кВ) распределение пе(х) приобретает характерный колоколообразный вид, будучи существенно возмущенным граничными эффектами ускоренного дрейфового ухода ионов на электрод в отрицательный полупериод ВЧ поля и интенсивной амбиполярной диффузией в положительный полупериод.

Теоретически показано, что обогащение плазмы ПЭП в окрестности электродов «быстрыми» электронами приводит к увеличению скорости ухода зарядов, благодаря диффузии с эффективным коэффициентом В*, который может превышать коэффициент амбиполярной диффузии Ба в десятки раз. 18. Экспериментально изучены характеристики плазмы поперечного ЕВЧР среднего давления в инертных газах: исследовано радиальное распределение плотности нейтрального газа в разрядной трубке; измерена средняя по сечению трубки температура газа Та =(1200-2400)Х; измерена концентрация

287 электронов плазмы пе =1012 -10йсм'3; установлено, что в плазме ПЕВЧР в Не при давлениях 5-50 Тор возникает состояние 4J1TP для энергетических уровней атомов со значениями главного квантового числа п > 5; посредством измерения заселенностей высоковозбужденных уровней атомов обнаружена аномально низкая эффективная температура основной массы электронов плазмы Тем ~ 0.2 - 0.5 эВ; на основании экспериментальных данных установлено, что ионизационные процессы в плазме ПЕВЧР обусловлены присутствием «быстрых» электронов с относительной концентрацией — ~ Ю-6 - 10~5,

Пе происхождение которых связано с ПЭП.

19. На основании проведенных исследований граничных эффектов ЕВЧР сделан вывод о существовании универсального физического явления : находящаяся под ВЧ потенциалом поверхность любого материала, погруженная в ионизованную газовую среду, становится источником электронных пучков.

Данное фундаментальное физическое явление может иметь разнообразные практические применения, среди которых отметим следующие:

- создание источников плазмы для изучения сильно неравновесной плазмы и использования в лазерной технике, плазменной технологии и плазмо-химии;

- создание простыми техническими средствами электронных пучков различных конфигураций, включая пучки большой площади сечения, для электронной обработки поверхностей с дозированными энергетикой и плотностью электронных потоков;

- создание ВЧ электронных квазипушек мультикэвного диапазона для воздействия извне на объекты внутри замкнутых диэлектрических полостей;

- возбуждение электронными пучками люминофоров в источниках света и др.

288

1. Chapman В. Glow discharge process-sputtering and plasma etching. N. Y. : Willey-1.terscience. 1980.

2. Иванов И. Г., Латуш Е. Л., Сэм М. Ф. Ионные лазеры на парах металлов. М.: Энергоатомиздат. 1990.

3. Химия плазмы: Сб. статей. Вып. 13./ под ред. Б. М. Смирнова. М.: Энерго атомиздат. 1987.

4. Грановский В. Л. Электрический ток в газе. М.: ГИТТЛ, 1952 с. 543.

5. Голубев B.C., Пашкин C.B. Тлеющий разряд повышенного давления. М.: Наука, 1990, 334 с.

6. Райзер Ю.П. Физика газового разряда. М.: Наука, 1992, 536 с.

7. Левитский С. М. Исследование потенциала зажигания ВЧ разряда в газе в переходной области частот и давлений ЖТФ,1957,т.27, в.5, с. 970- 977.

8. Левитский С. М. Потенциал пространства и распыление электродов в вы сокочастотном разряде. ЖТФ, 1957, т. 27, в. 5, с. 1001-1009

9. Райзер Ю. П., Шнейдер M. Н., Яценко Н. А. Высокочастотный емкостный разряд. М.: Наука, 1995. 310 с.

10. Смирнов А. С., Орлов К. Е. Самосогласованная модель высокочастотного емкостного разряда низкого давления. Письма в ЖТФ, 1997. т. 23 с. 39-45

11. Липатов Н. И., Пашинин П. П., Прохоров А. М., Юров В. Ю. Особенно сти капилллярных разрядов волноводных газоразрядных лазеров. Труды ИОФАН. 1989. т. 17 с. 53-116.

12. Латуш Е. Л., Михалевский В. С.,Сэм М. Ф.,Толмачев Г. Н., Хасилев В. Я. Генерация на ионных переходах металлов при поперечном ВЧ возбужде нии. Письма в ЖЭТФ, 1976, т. 24, с. 81-83.

13. Технология СБИС. т. 1, 2./ под ред. С. Зи. М.: Мир, 1986.

14. Плазменная технология в производстве СБИС/ под ред. Н. Айнспрука и Д. Брауна. М.: Мир, 1987, с. 470.304

15. Френсис Г. Ионизационные явления в газах. М.:Атомиздат,1964,с.302.

16. Kojima S., Takayama К., Schimachi S. Probe measurements for high-frequency discharge. J.Phys. Soc. Jap. 1953. V. 8. P. 55.

17. Солнцев Г. С., Порохин А. Г., Чистякова Н. М. Измерение электриче ских полей в высокочастотном разряде низкого давления с помощью электронного пучка. Изв.АН СССР. Сер.Физ.1959.т.23 с.1026-1030.

18. Савинов В.П. Исследование механизма стационарного высокочастот ного разряда. Дисс. канд. физ.-мат. наук, М., 1970.

19. Кузовников А.А., Савинов В.П. Пространственное распределение параметров стационарного высокочастотного разряда.

20. Вестн. МГУ, сер. физ., астрон. 1973, №2. с. 215-222.

21. Годяк В. А. Стационарный высокочастотный разряд низкого давления.

22. Физ. плазмы. 1976. т. 2 с. 141-151.

23. Godyak V. A., Khanneh A. S. Ion Bombardment Secondary Electron Maint-nance of Steady RF Discharge.

24. EE Trans. Plasma. Sci. 1986, V. PS-14. No. 2, P. 112-123.

25. Gottscho R. A., Mandich M. L. Time-resolved optical diagnostics of radio fre quency plasmas J. Vac. Sci. Technol. 1985. V.A3. P. 617

26. Gottscho R. A. Glow-discharge sheath electric fields: Negative-ion, power, and frequency. Phys. Rev. 1987. V. A36. P. 2233-2242.

27. Belenguer Ph., Boeuf J. P. Transition between two different regimes of RF discharges. Proc. ESCAMPIG. Orleans, 1990. P. 394-395,

28. Graves D. B. Fluid model simulations of a 13.56-MHz rf discharge: Time and space dependence of rates of electron impact excitation.

29. J. Appl. Phys. 1987 V. 62 P. 88-94.

30. Richards A.D.,Thompson B. E.,Sawin H.H. Continuum modeling of argon ra diofrequency glow discharges. Appl. Phys. Lett. 1987 V. 50 P. 492-494.

31. Джерпетов X. А., Патеюк Г. M. Исследование высокочастотного разряда методом зондов. ЖЭТФ. 1955 т. 28 с. 3.305

32. Garscadden A., Emeleus K. G. Notes on the Effect of Noise on Langmuir Probe Characteristics. Proc. Phys. Soc. 1962 V. 79 P. 535-541.

33. Butler H. S., Kino G. S. Plasma Sheath Formation by Radio-Frequency Fields. Phys. Fluids. 1963 V. 6 P. 1346-1355.

34. Годяк В. А., Кузовников А. А. Эффект выпрямления ВЧ поля в приэлек тродных слоях. Тез. докл. на Межвузовской конф. по химии и физике низкотемп. плазмы М., 1967, с. 59.

35. Годяк В. А., Кузовников А. А., Савинов В. П., Эль Саммани А. Якуб. О стационарных полях в ВЧ разрядах низкого давления.

36. Вестн. МГУ сер. физ., астрон. 1968. №2, с. 126-127.

37. Кузовников А. А., Савинов В. П. О влиянии собственных стационарных электрических полей на свойства высокочастотного разряда. Радиотехн. и электроника, 1973, т. 18 с. 816-822.

38. Kuzovnikov A. A., Kovalevsky V. L., Savinov V. P., Yakunin V. G. Experimental study of the rectifying properties of HF discharge.

39. Proc.XIII-th Intern. Conf. on Phen. Ionized Gases. 1977. Berlin P.I P.343-344.

40. Кузовников А. А., Ковалевский В. Д., Савинов В. П. Исследование зави симости собственных постоянных электрических полей ВЧ разряда от его параметров. Вестн. МГУ сер. физ., астрон. 1983 т. 24 с. 28-32.

41. Яценко Н. А. О высоком постоянном потенциале плазмы ВЧ разряда. Труды МФТИ. Сер. «Общ. и молек. физика». Долгопрудный.: МФТИ, 1978, с. 226-229.

42. Bruce R. Н. Ion response to plasma excitation frequency J. Appl. Phys. 1981 V. 52 P. 7064-7066.

43. Gill M. Sustaining mechanism in RF plasmas Vacuum, 1984.V.34, P.357-364.

44. Kohler K., Coburn J. W., Home D. E., Kay E., Keller J. H. Plasma potentials of 13.56-MHz RF argon glow discharge in a planar system.

45. J. Appl. Phys. 1985 V. 57 P. 59-66.306

46. Metze A.,Ernie D. W.,Oskam H. J. Application of the physics of plasma sheaths to the modeling of rf plasma reactors J. Appl. Phys. 1986.V.60 P. 3081.

47. Ковалевский В. JI., Савинов В. П., Якунин В. Г. Собственные электростатические поля в безэлектродном емкостном ВЧ разряде.

48. Тез. докл. IV Всес. конф. по физ. газ. разряда. 1988.Махачкала.Ч.1. с. 96-97.

49. Ковалевский В. Д., Кузовников А. А., Рябый В. А., Савинов В. П., Якунин В. Г. Способ контроля параметров плазмы низкого давления в ВЧ емко стном разряде. Авт. свид. СССР на изобретение №1531827, 1989.

50. Райзер Ю. П., Шнейдер M. Н. Высокочастотный разряд среднего давле ния между изолированными и оголенными электродами.

51. Физ. плазмы. 1988 т. 14 с. 226-232.

52. Савинов В. П. «Батарейный эффект» в ЕВЧР с заземленным электродом. Тез. докл. VII конф. по физ. газ. разряда. 1994. Самара, ч. 1 с. 84-85.

53. Shneider F. Zum Mechanismus der Hoch frequenzent ladung zwischen ebenen Platten. Z. Angev. Phys. 1954 B. 6, H. 5, s. 456-462.

54. Асеев A.B. Фазовые соотношения в радиотехнике. M.: Радио, 1954, с.381.

55. Каган Ю. М., Перель В. И. Зондовые методы исследования плазмы. УФН, 1963 т. 81 с. 409.

56. Chen Sin-Li, Sekiguchi Т. The system of instant direct recording plasma pa rameters with the aid of the triplet probe. J.Appl.Phys.l965.V.36 P.2363-2375.

57. Ионов H. И. Исследование газоразрядной и космической плазмы с помо щью многоэлектродных зондов. ЖТФ. 1964 т. 34 с. 194.

58. Bohm С., Perrin J. Retarding-field analyzer for measurements of ion energy distributions and secondary electron emission coefficients in low-pressure radio frequency discharges. J. Rev. Sci. Instrum. 1993 V. 64 P. 31-44.

59. Godyak V. A. Plasma-Surface Interactions and Processing of Materials/ Eds. O. Auciello. Netherlands: Kluwer Academic Publishers, 1990. P. 90.

60. Гинзбург В. JI. Распространение электромагнитных волн в плазме. М.: Физматгиз. 1960 с. 552.307

61. Allis W. P., Brown S. C., Everhart E. Electron density distribution in HF dis charge at plasma resonance. Phys. Rev. 1951 V. 84 P. 519.

62. Годяк В. А. Статистический нагрев электронов на осциллирующей грани це плазмы. ЖТФ, 1971 т. 41 с. 1364-1368.

63. Райзер Ю. П., Шнейдер M. Н. Динамика приэлектродных слоев, ангармо ничность тока и батарейный эффект в асимметричном высокочастотном разряде низкого давления. Физика плазмы. 1992. т. 18 с. 1211.

64. Lieberman M. A. Spherical shell model of an asymmetric rf discharge J. Appl. Phys. 1989 V. 65 P. 4186-4191.

65. Beck H. Zum Mechanismus der Hoch Frequenzentladung. Zeitschr. Phys. 1935 V. 97 P. 355-375.

66. Яценко H. А. Связь высокого постоянного потенциала плазмы с режимом горения ВЧЕР среднего давления. ЖТФ, 1981 т. 51 с. 1195-1204.

67. Яценко Н. А. Экспериментальное исследование ВЧ разряда и комбиниро ванного разряда при средних давлениях.

68. Дисс. канд. физ.-мат. наук. М.: МФТИ. 1978.

69. Чен Ф. Введение в физику плазмы. М.: Мир, 1987 с. 398.

70. Barnes M. S., Colter F. J., Elta M. E. Large-signal time-domain modeling of low-pressure RF glow discharge. J.Appl. Phys. 1987 V. 61 P. 81-89.

71. Ярамышев Г. С. Исследование высокочастотного асимметричного разря да в магнитном поле. Дисс. канд. физ.-мат. наук. М.: МГУ, 1975.

72. Данилин Б. С., Киреев В. Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов. М.: Энергоатомиздат, 1987, с. 327.

73. Яценко Н. А. О радиальной структуре ВЧ разряда в электрическом поле плоского конденсатора. В сб. Всесоюзн. совещ. Высокочастотный разряд в волновых полях. Тез. докл. Горький. 1987 с. 22.

74. Яценко Н. А. ВЧ емкостной разряд: Формы его существования и приме нение в лазерах. Дисс. докт. физ.-мат. наук. М. 1992.

75. Чистяков П. Н. Зависимость нормальных катодных падений потенциала308

76. V^ в инертных газах от различных факторов. Таблица величин VKn. Физическая электроника, вып. 3. Сб. статей под ред. П. Н. Чистякова. МИФИ. Атомиздат, 1966, с. 3-19.

77. Кузовников А. А. Взаимодействие квазистационарного ВЧ поля с плаз мой газового разряда. Дисс. докт. физ.-мат. наук. М. 1969.

78. Александров А. Ф. Импеданс плоского конденсатора, полностью или час тично заполненного плазмой. I. ЖТФ 1965 т. 35 с. 35.

79. Александров А.Ф. Импеданс плоского конденсатора ,полностьюили частично заполненного плазмой.И ЖТФ. 1965. т.35 с.226.

80. Тарасова В.В. Исследование низкочастотных резонансов ограниченной плазмы Дисс.канд.физ.-мат. наук. M ,МГУ 1969

81. Браун С. Элементарные процессы в плазме газового разряда М.: Атомиздат, 1961, с.323

82. Ковалевский B.JL, Савинов В.П. Экспериментальное обоснование модели физического механизма емкостного ВЧ разряда низкого давления Физика плазмы. 1994.Т.20.С.322-334.

83. Kuzovnikov A.A., Kovalevsky V.L., Savinov V.P., Yakunin V.G.The investi gation of physical properties of the near-electrode region of HF discharge

84. J. de Phys. 1979. V.40. P.C7-459.

85. Андреев А.Д. Изменение свечения и потенциала в плазме на границе с диэлектриком в поле высокой частоты

86. Вестн. Белорусск.гос.университета. 1969.№2,с.78-80.

87. Ковалевский B.JL, Савинов В.П., Сингаевский И.Ф. Пространственно-временная структура физических процессов в приэлектродных областях емкостного ВЧ разряда Материалы конф."Физика низкотемператур ной плазмы ". Петрозаводск. 1995 .Т.2, с.243-245.

88. Яценко H.A. Исследование интегральных характеристик приэлектродных слоев в ЕВЧР среднего давления ТВТ.1982.т.20.с.1044-1051.

89. Tsui R.T. Calculation of Ion Bombarding Energy and Its Distribution309in rf Sputtering. Phys.Rev. 1968. V. 168. P. 107-113.

90. Wild C., Koidl P. Structured ion energy distribution in radio frequency glow-discharge systems Appl.Phys.Lett. 1989. V.54. P.505.

91. Flamm D.L. Frequency effects in plasma etching glow discharges in argon. J.Vac.Sci.Techn. 1986. V.A4. P.729-738.

92. Kakuta S., Makabe Т., Tochikubo F. Frequency dependence on the structure of radio frequency discharges J.Appl.Phys. 1993. V.74.P.4907-4914.

93. Hebner G., Kushner M. Phase and energy distribution of ions incident on elec trades in radio frequency discharges J.Appl.Phys. 1987 V.62.P.2256.

94. Allis W.P., Rose D.J. The transition from Free to Ambipolar Diffusion Phys.Rev. 1954.V.93.P.84.

95. Капцов H.A. Электрические явления в газах и вакууме. М.: ГИТТЛ, 1950, с.804.

96. Riemann K.-U. Theoretical analysis of the electrode sheath in rf discharges J.Appl.Phys. 1989. V.65.P.999- 1004.

97. Goedheer W. J., Meijer P.M. Ion sheath kinetics in RF discharges at frequencies close to the ion plasma frequency

98. Abstr. ESCAMPIG-X. Orleans. 1990. P.388- 389.

99. Перель В.И., Пинский В.И. О влиянии неоднородного переменного поляна свойства высокочастотного разряда ЖТФ. 1963 .Т.ЗЗ .с.ЗЗ.

100. Брусиловский Б.А. Кинетическая ионно-электронная эмиссия. М. Энергоатомиздат. 1990.С.184

101. Смирнов А.С., Цендин Л.Д. Приэлектродные слои в самостоятельном ВЧразряде среднего и высокого давления. ЖТФ. 1991. Т.61 .с.64-73

102. Ковалевский В.Л.ДСондраков Р.Е.,Савинов В.П.,Сингаевский И.Ф Физический характер проводимости приэлектродных слоев емкостного ВЧ разряда.

103. Тез.докл.УШ конф.по физ.газ.разряда.1996.Рязань.Ч.2, с.60-61.310

104. Энгель А. Ионизованные газы. М.: ГИФМЛД959.

105. Каримов Р.Г., Муравьев И.И. О распределении интенсивности спектральных линий вдоль отрицательного тлеющего свечения Изв.ВУЗов,физика. 1975 .№6,с. 87-91.

106. Запесочный И.П., Фельцан П.В. Возбуждение инертных газов при электронно-атомных столкновениях

107. Украинский физ.журнал.1965.т.10.с.1197- 1208.

108. Богданов И.П.ДОргенсон C.B. Сечение прямого электронного возбуждения уровней атомов: измерения с использованием импульсного электронного пучка и временной развертки излучения Оптика и спектроскопия.1986.т.61,с.241-245.

109. Hagstrum H.D. Anger Ejection of Electrons from Molibdenum byNoble Gas1.ns Phys. Rev.l956.V.104.P.672-683.

110. Малышев В.И. Введение в экспериментальную спектроскопию М.: Наука. 1979,с.479.

111. Излучательные свойства твердых материалов. Под ред.A.M. Шейндлина. М.: Энергия. 1974, с.215.

112. Голубовский Ю.Б. Об определении интенсивности излучения объемного источника света. Вестн.ЛГУ.1967.№10,с.64-69

113. Бородин B.C., Голубовский Ю.Б. Некоторые вопросы применения объемных источников в спектроскопии плазмы Вестн. ЛГУ. 1970.№ 16,с.49-54.

114. Богородский М.М., Римашевская Л.Р., Семиохин Е.А. Методика расчетаконцентрации тяжелых частиц в низкотемпературной плазме по абсо лютным интенсивностям спектральных линий Вестн.МГУ. 1976.сер. химия.т.17, с.402-406.

115. Ошерович А.Л., Виролайнен Я.Ф. Времена жизни уровней гелия311

116. Вестн. ЛГУ .№4,с. 140-141.

117. Ingmar S.G.,Braithwaite N.S. Ion and electron energy analysis at a surface inan RF discharge J.Phys.D.: Appl.Phys.l988.V.21.P.1496-1503.

118. Казанцев С.А., Субботенко A.B. Поляризационная диагностика низкотемпературной плазмы Физ.плазмы.1984.т.10.с.135-142.

119. Казанцев С.А. Астрофизические и лабораторные приложения явления самовыстраивания УФН. 1983.т. 139.С.621 -666.

120. Vidaud P., Durrani S.M., Hall D.R. Alpha and gamma RF capacitive discharges in N2 at intermediate pressures.

121. J.Phys.D.: Appl.Phys. 1988. V.21, P.57-66.

122. Hebner G.A., Verdeyen J.T. The Spatial and Temporal Evolution of the Glow in an RF Discharge

123. EE Trans.Plasma Sci., 1986, V.PS-14. P.132.

124. Godyak V.A., Piejak R.B., Sternberg N. A Comparison of RF

125. Electrode Sheath Models. IEEE Trans.Plasma Sci.l993.V.21.P.378-381. Юб.Смирнов A.C., Фролов K.C., Уставщиков А.Ю. Энергетическоеи временное распределение заряженных частиц, бомбардирующих электрод в ВЧ разряде

126. Материалы конф."Физика низкотемпературной плазмы". Петрозаводск. 1995 .т.2.с. 178-180. 107.Sommerer T.J.,Hitchon W.N.,Harvey R.E., Lawler J.E.

127. Self-consistent kinetic calculations of helium rf glow discharges Phys.Rev. A. 1991. V.43 .P.4452-4472. Ю8.Ковалевский В.JI., Савинов В.П., Сингаевский И.Ф.,Якунин В.Г. Особенности динамики электронных потоков на электроды емкостного ВЧ разряда

128. Тез.докл.ХХ1Х Научн.конф.по физ.-мат.и естеств.наукам Рос. Университета Дружбы народов.Москва. 1993.4.1 ,с. 16.312

129. Диагностика плазмы.Под ред.Р.Хаддлстоуна, С.Леонарда М.:Мир.1967.

130. Яценко Н.А. Влияние диэлектрического покрытия электродов на характеристики ВЧ-генераторов плазмы

131. Генераторы низкотемпературной плазмы. 1986.Минск.: Наука и техника.Ч.2, с.68-69.

132. Бонч-Бруевич A.M. Радиотехника в экспериментальной физике М.: Наука, 1966.С.768.

133. Капцов Н.А. Электроника. М.: ГИТТЛ.1956,с.460.

134. Радиофизическая электроника.Под ред.Н.А.Капцова. М.: Изд. Моск.ун-та.1960.

135. Кузовников А.А., Савинов В.П. Возникновение электронных пучков встационарном ВЧ разряде Тез.докл.П Всес.конф.по физ.низкотемп. плазмы. 1968.Минск,с. 190.

136. Кузовников А.А., Савинов В.П. О возникновении электронных пучков в стационарном ВЧ разряде

137. Вопросы физики низкотемпературной плазмы.Минск.: Наука и техника, 1970.313

138. Alexandroy A.F.,Kovalevsky V.L., Savinov V.P., Singaevsky I.F. The edge effect of electron beam generation from the walls restricting the HF discharge

139. Proc.ICPIG-XXII, Hoboken, 1995. V.2,P. 167-168.

140. Ковалевский В.Л., Савинов В.П., Сингаевский И.Ф. Краевой эффект генерации стеночных электронных пучков в емкостном ВЧ разряде

141. Тез.докл.VII конф.по физ.газ.разряда .Самара. 1994.4.1 ,с.84-85

142. Ковалевский В.Л., Савинов В.П., Сингаевский И.Ф. Наблюдение электронных пучков с диэлектрических стенок межэлектродного про межутка ВЧ разряда

143. Тез.докл.У Всеросс.конф."Учебный физический эксперимент и его совершенствование".Пенза.2000,с.64-65.

144. Казанцев С.А., Субботенко A.B. Наблюдение электронных пучков в емкостном высокочастотном разряде.

145. Письма в ЖТФ.1984.т.10.с. 1251-1254.

146. Черных К.А. Исследование зависимости физических свойствемкостного высокочастотного разряда от его внешних параметров. Дипл.работа.М. :МГУ, 1991.

147. Мак-Даниель И. Процессы столкновений в ионизованных газах М.:Мир.1967,с.832.

148. Казанцев С.А., Ковалевский В.Л., Кузовников А.А., Моторыгина М.Б., Рысь А.Г.,Савинов В.П. Характер движения электронов в приэлектродных областях емкостного ВЧ разряда

149. Вестн. ЛГУ. 1990.сер.4.№4,с.26-32.

150. Батанов Г.М., Петров Н.Н. О вырывании электронов из стеклаионами гелия и аргона ФТТ.1959.Т.1, с.1586-1588.

151. Казанцев С.А.,Свелокузов А.Е., Субботенко А.В. Исследование анизотропии движения электронов в плазме емкостного высокочастотного разряда низкого давления ЖТФ.1986.т.56, с.1091-1099.

152. Александров А.Ф., Богданкевич Л.С., Рухадзе А.А. Основы электродинамики плазмы.М.: Высшая школа, 1988:

153. Godyak V.A., Piejak R.B., Alexandrovich В.М. Measurements of electron energy distribution in low-pressure RF discharges Plasma Source Sci.Technol.l992.V.l, P.36.

154. Holstein T. Energy Distribution of Electrons in High Frequency Gas Discharges Phys.Rev.l946.V.70, P.367-384.

155. Kline L.E.,Kushner MJ. Computer Simulation of Material Processing Plasma Discharges Solid State and Mater.Sci. 1989.V. 16,P. 1.

156. Kaganovich I.D.,Tsendin L.D. The Space Time - Averaging Procedure and Modeling of the RF Discharge,Part II : Model ofCollisional Low-Pressure RF Discharge. IEEE Trans.Plasma Sci. 1992.V.20,P.66-75.

157. Dilonardo M., Capitelli M., Winkler R., Wilgelm J. Electron energy distribution functions in RF molecular plasmas Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 1986. V.68, P.287.

158. Winkler R.,Dilonardo M., Capitelli M., Wilhelm J. Electron energy distribution functions in RF molecular plasmas

159. Plasma Chem.Plasma Proc. 1987. V.7, P. 125.315

160. Makabe Т., Goto N. The time behaviour of electron transport in RFfields in gases J.Phys.D. 1988. V.21, P.887.

161. Kushner M.J. Electron kinetics in RF molecular plasmas IEEE Trans.Plasma Sci. 1986. V.PS-14, P.188.

162. Kline L.E., Partlow W.D., Bies W.E. Electron and Chemical kinetics in methane rf glow-discharge deposition plasmas J.Appl.Phys.1989. V.65, P. 70-78.

163. Дятко H.A., Кочетов H.B., Напартович А.П. Влияние инерционности энергетического распределения электронов на частоту ионизации в слабоионизованной плазме ВЧ разряда

164. Физика.плазмы.1985.т.11, с.739.

165. Волкова Е.А., Попов A.M., Поповичева О.В., Рахимова Т.В. Влияние пространственно-временной нелокальности энергетического спектра электронов на кинетические коэффициенты в плазме высокочастотного разряда Физика.плазмы.1990.т.16, с.738.

166. Горбунов Н.А , Иминов К.О., Кудрявцев А.А. Формирование нелокальной функции распределения электронов по энергиям в разрядной плазме молекулярных газов ЖТФ.1988.т.58, с.2301-2309.

167. Capitelli М., Celiberto R., Gourse С., Winkler R., Wilgelm J. Electron energy distribution function in He-Co radio-frequency Plasmas :

168. The role of vibrational and electronic superelastic collisions J.Appl.PhyS. 1987.V.62, P.4398.

169. Хасилев В.Я., Михалевский B.C., Толмачев Г.Н. О быстрых электронах в поперечном высокочастотном разряде Физика.плазмы.1980.т.6,с.430-435.

170. Shi В., Fetzer G.J., Yu Z., Meyer J.D., Collins G.J. Influence of Electron Collisions Inside the Cathode Sheath Upon the Electron Energy Spectrum in the Negative Glow Region of a Gas Discharge316

171. EE J.Quant.Electr. 1989. V.25, P.948-954.

172. Gill P.,Webb C.E. Electron energy distribution in the negative glow and their relevance to hollow cathode lasers

173. J.Phys.D.: Appl.Phys. 1977. V.10, P.299-311.

174. Winkler R., Capitelli M., Gourse C., Wilhelm J. On the secondary electron beam impact on the self-consistent RF bulk plasma description Proc.ESCAMPIG-VIII. Orleans. 1990. P.390.

175. Surendra M., Graves D.B., Morey I.J. Electron heating in low-pressure rf glow discharges Appl.Phys.Lett. 1990. V.56, P. 1022-1024.

176. Boswell R.W., Morey I.J. Self-consistent simulation of a parallel-plate rf discharge Appl.Phys.Lett. 1988. V.52, P.21.

177. Kaganovich I.D., Tsendin L.D. Low-Pressure RF Discharge in theFree-Flight Regime IEEE Trans.Plasma Sci. 1992. V.20, P.86-92.

178. Godyak V.A., Piejak R.B. Abnormally low electron energy and heating-mode transition in a low-pressure argon rf discharge at 13.56 MHz

179. Phys.Rev.Lett. 1990. V.65, P.996.

180. Kazantsev S.A., Subbotenco A.V. Polarisation spectroscopy of a high- fre quency discharge plasma

181. J.Phys.D.: Appl.Phys. 1987 V.20, P.741-753.

182. Волкова JI.M., Девятов A.M., Кралькина E.A., Шушурин С.Ф.

183. О возможности определения функции распределения электронов поэнергиям в плазме по интенсивностям спектральных линий Вестн.МГУ. 1975. №6, с.735.

184. Dilecce G., Capitelli М., De Benedictis S. Electron-energy distribution func tion measurements in capacitively coupled rf discharges317

185. J.Appl.Phys. 1991. V.69, P. 121.

186. Kimura T.,Ohe K. Electron Energy Distribution Detection in Symmetrically Driven RF Argon Discharges JapJ.Appl.Phys. 1993. V.32, P.3601-3605.

187. Godyak V.A., Piejak R.B., Alexandrovich B.M. Evolution of the Electron-Energy-Distribution Function during rf Discharge Transition to the High Voltage Mode Phys.Rev.Lett. 1992. V.68, P.40.

188. Lawler J., Den Hartog E., Hitchon W. Electron Energy Balance in the Nega tive Glow region Phys.Rev. 1991. V.A43, P.4427-4437.

189. Koenig H.R.,Maissel L.I. Application of RF Discharges to Sputtering IBM J.Res.Devel. 1970 .V.14, P.168-171.

190. Смирнов A.C., Уставщиков А.Ю., Фролов K.C. Энергетическое распределение электронов и ионов, бомбардирующих электрод в вы сокочастотном разряде

191. Вагнер С.Д., Игнатьев Б.К., Цендин Л.Д. Модуляция оптического излу чения ВЧ разряда в неоне, обусловленная зависимостью функции рас пределения быстрых электронов от времени1. ЖТФ. 1978 .т.48, с. 1191

192. Medicus G, Simple Way to Obtain the Velocity Distribution of the Electrons in Gas Discharges Plasmas from Probe Curves J.Appl.Phys. 1956.V.27, P.352-358.

193. Ионов Н.И., Тондегоде В.И. Зондовые характеристики, получаемые с помощью различного типа зондов, в плазме газового разряда ЖТФ.1964.Т.34, с.354-360.

194. Вагнер С.Д., Вироланен Я.Ф., Каган Ю.М. Функции распределения элек318тронов по энергиям в ВЧ разряде в Ne ЖТФ. 1968.Т.38, с.930-931.

195. Воробьева Н.А., Каган Ю.М., Миленин В.М. О функции распределения электронов по скоростям в положительном столбе ртутного разряда. И. ЖТФ.1964.Т.34, с.146-148.

196. Годяк В.А. Исследование взаимодествия ВЧ поля с граничным слоем плазмы Дисс.канд.физ.-мат.наук.М.: МГУ, 1968.

197. Boyd R., Twiddy N. Electron energy distributions in plasmas. I Proc.Roy.Soc. 1959 . V.A250, P.53-68.

198. Tonks L., Mott-Smith H.M., Langmuir I. Flow of Ions through a small orifice in a charged plate Phys.Rev. 1926. V.28, P. 104-112.

199. Коваленко A.B., Рожанский Н.И., Сена JI.А. Направленный токи характеристики зондов в ртутной дуге ЖТФ. 1934. т.4, с. 1688.

200. Boyd R. The collection of positive ions by a probe in an electric discharge Proc.Roy.Soc. 1950. V.201, P.329-334.

201. Анго А. Математика для электро- и радиоинженеров. М. : Наука, 1965

202. Кархов А.Н. О механизме образования горячей электронной компоненты при взаимодействии электронного пучка с плазмой ЖЭТФ. 1970. т.59, с.356-365.

203. Kovalevsky V.L., Savinov V.P. Low Pressure Capacitive RF Discharge Mechanism Experimental Study

204. Plasma Physics Reports. 1994. V.20, P.292-302

205. Александров А.Ф., Ковалевский В.Л., Савинов В.П., Сингаевский И.Ф. Электронный энергетический спектр приэлектродной плазмы емкост ного ВЧ разряда низкого давления

206. Тез.докл.УШ конф.по физ.газ.разряда. Рязань. 1996. Ч.2,с.48-49

207. Александров А.Ф., Савинов В.П., Сингаевский И.Ф. Аномальный нагрев электронов приэлектродной плазмы асимметричного емкостного ВЧ разряда низкого давления в присутствии поперечного магнитного поля319

208. Тез.докл.Международной научно-техн.конф."Проблемы и прикладные вопросы физики". Саранск. 1997.С.36-37.

209. Alexandrov A.F., Savinov V.P., Singaevsky I.F. The asymmetrical capacitive HF low pressure discharge near-electrode plasma electron energy spectrum Contr.Papers of ICPIG-XXIII, Toulouse. 1997. V.l, P. 108-109

210. Александров А.Ф., Савинов В.П., Сингаевский И.Ф. Зависимость ЭЭС приэлектродной плазмы емкостного ВЧ разряда низкого давления от рода газа

211. Тез.доклТХ конф.по физ.газ.разряда. Рязань. 1998. 4.1, с.100-101

212. Савинов В.П., Сингаевский И.Ф. Методические особенности наблюдения эффекта вторичного "СВЧ-пробоя" в емкостном ВЧ разряде низкого давления

213. Тез.докл.ГУ Всеросс. научно-метод.конф."Учебный физический экспе римент и его совершенствование ". Пенза. 1998, с.46

214. Александров А.Ф., Савинов В.П., Сингаевский И.Ф. Энергетическое распределение электронов в приэлектродной плазме емкостного ВЧ разряда низкого давления Вестн.МГУ.сер.З, физика, астрономия. 1998. №6,с.52-55

215. Ковалевский В.JI., Савинов В.П., Сингаевский И.Ф. Временной ход физических процессов в приэлектродной плазме асимметричного ЕВЧР низкого давления

216. Тез.докл. II Международной научно-техн.конф."Проблемы и прикладные вопросы физики".Саранск. 1999. с.8320

217. Александров А.Ф., Савинов В.П., Сингаевский И.Ф. Особенности механизма формирования квазистационарного ЭЭС приэлектродной плазмы ЕВЧР низкого давления Тез.докл.П Международной научно-техн.конф."Проблемы и прикладные вопросы физики". Саранск. 1999. с.9

218. Савинов В.П., Сингаевский И.Ф. Эффекты плазмопучкового взаимодействия , поддерживающие ЕВЧР низкого давления Тез.докл.П Международной научно-техн.конф."Проблемы и прикладные вопросы физики". Саранск. 1999. с. 10

219. Александров А.Ф., Савинов В.П., Сингаевский И.Ф. Особенности механизма формирования квазистационарного ЭЭС плазмы ЕВЧР низкого давления

220. Материалы Всеросс.конф."Физическая электроника", Махачкала. 1999, с.50-53

221. Alexandrov A.F., Savinov V.P., Singaevsky I.F. Energy distribution of electrons in the near-electrode plasma of low-pressure HF capacitive discharge

222. Moscow University Physics Bulletin. 1998.V.53, P.63-66

223. Александров А.Ф., Савинов В.П., Сингаевский И.Ф. Зависимость электронного энергетического спектра приэлектродной плазмы ВЧ разряда низкого давления от рода газа

224. Известия РАН. Сер.физ. 2000.Т.64, с.1387-1392

225. Alexandrov A.F., Savinov V.P., Singaevsky I.F. The dependence of low pressure RF Discharge near-electrode plasma electron energy distribution on gas type Bull.Russian Acad.Sci.Phys. 2000. V.64.№7, p.895-901

226. Александров А.Ф., Ковалевский В.JI., Савинов В.П., Сингаевский И.Ф. Механизмы пространственной релаксации приэлектродных электронных пучков в ВЧ разряде низкого давления Тез.докл. X конф.по физ.газ.разряда.Рязань. 2000.4.2, с. 158-160321

227. Александров А.Ф., Рухадзе А.А., Савинов В.П.,Сингаевский И.Ф Электронный энергетический спектр приэлектродной плазмы асимметричного емкостного ВЧ разряда низкого давления Письма в ЖТФ. 1999. т.25, с.32-39

228. Alexandrov A.F., Rukhadse A.A., Savinov V.P.,Singaevsky I.F. The electron energy spectrum of the near-electrode plasma of the asymmetrical capacitive RF low pressure discharge Techn.Physics Letters. 1999. V.25, P.752-759

229. Ковалевский В.JI., Савинов В.П., Сингаевский И.Ф., Якунин В.Г. Относительная плотность приэлектродных электронных пучков в плазме емкостного ВЧ разряда

230. Тез.докл. 1Хконф.по физ.газ.разряда.Рязань.1998.Ч.1,с.102-103

231. Ковалевский В Л., Савинов В.П., Сингаевский И.Ф. Относительная плотность приэлектродных электронных пучков в плазме емкостного ВЧ разряда

232. Известия РАН.Сер.физ.2000.т.64, с. 1363-1365

233. Kovalevsky V.L., Savinov V.P., Singaevsky I.F. The near-electrode electron beam density in the capacitive radiofrequency discharge plasma Bull.Russia Acad.Sci. Physics. 2000.V.64.№7, P.968-971

234. Витрук П.П., Яценко H.А. Малогабаритный щелевой волноводный СОг лазер средней мощности с ВЧ-возбуждением

235. Письма в ЖТФ. 1989.Т.15, с. 1-5

236. Кузовников А.А., Маляров А.В., Савинов В.П., Якунин В.Г. Спектроскопическое исследование параметров плазмы ВЧ разряда Тез.докл. I Всес.совещ.по физ.электр.пробоя газов.Махачкала. 1982,с.73-74

237. Кузовников А.А., Маляров А.В., Савинов В.П., Якунин В.Г. Исследование радиального распределения плотности нейтрального газа в плазме ВЧ разряда322

238. Тез.докл. I Всес.совещ.по физ.электр.пробоя газов.Махачкала.1982.С.101-102

239. Кузовников A.A., Маляров A.B., Савинов В.П., Якунин В.Г. Исследование параметров плазмы ВЧ разряда среднего давления спектроскопическим методом

240. Вестн.МГУ. 1983. Сер.З,физика,астрономия.т.24, с.79-80

241. Kuzovnikov A.A., Savinov V.P., Yakunin V.G. Study of the transversal medium pressure HF discharge plasma parameters Proc. ICPIG-XVI. Dusseldorf. 1983. P.476-477

242. Кузовников A.A., Маляров A.B., Савинов В.П., Якунин В.Г. Пространственное распределение молекулярных ионов Не \ в поперечном ВЧ разряде в гелии Тез.докл. II Всес.совещ. по физ.электр.пробоя газов.Тарту.1984. 4.1, с.108-110

243. Кузовников A.A., Савинов В.П., Якунин В.Г. Исследование зависимости кинетики электронов плазмы поперечного ВЧ разряда от физических ус ловий его создания Тез.докл. II Всес.совещ.по физ.электр.пробоя газов.Тарту.1984.4.1, с.114-116

244. Kuzovnikov A.A., Malyarov A.V., Savinov V.P., Yakunin V.G. Molecular ions He \ spatial distribution in helium HF discharge Abstr. VII Europ.Sect.Conf.Atom.Molec.Phys.Ionis.Gases. P. 162-163

245. Кузовников A.A., Маляров A.B., Савинов В.П., Якунин В.Г. Физические параметры поперечного ВЧ разряда Тез.докл.Всес.научно-техн.семин. "Контроль плазменных технологических процессов в элек тронике и микроэлектронике". Минск. 1986. с.26

246. Маляров A.B., Савинов В.П., Якунин В.Г. Процесс ионизации в323плазме поперечного ВЧ разряда Тез.докл.Всес.семин."Процессы ионизации с участием возбужденных атомов". Ленинград. 1988. с. 145-146

247. Ковалевский В.Л., Савинов В.П., Урьева И.А. Процессы ионизации и возбуждения в приэлектродных областях ВЧ разряда Тез.докл.Всес.семин."Процессы ионизации с участием возбужденных атомов". Ленинград. 1988.С.137-138

248. Kuzovnikov A.A.,Malyarov A.V.,Savinov V.P.,Yakunin V.G. The pecualiari ties of electron concentration dependence on pressure and gas sort in transver sal HF discharge Abstr.IXEurop.Sect.Conf.Atom.Molec.PhysicsIonis.Gases. Lisbon. 1988.P.347-348

249. Двинин C.A., Кузовников A.A., Маляров A.B., Савинов В.П., Тез.докл. IV Всес.конф.по физ.газ.разряда. Махачкала. 1988.4.1, с.88-89

250. Кузовников A.A., Савинов В.П., Якунин В.Г. He-Cd+- лазер на попереч ном ВЧ разряде Вестн.МГУ. Сер. Физика,астрономия. 1980.Т.21, с.75-77

251. Кузовников A.A., Новоселов А.Н., Савинов В.П., Якунин В.Г. He-Ne- лазер на поперечном ВЧ разряде

252. Радиотехника и электроника. 1980.Т.25, с. 1677-1682

253. McNeil J.R., Collins G.J., De Hoog F J. Copper ion laser : Line broadening studies. J.Appl.Phys. 1979. V.50, P.618-6189

254. Кузовников A.A., Маляров A.B., Савинов В.П., Якунин В.Г. Изучение нелинейных явлений на границе плазмы ВЧ разряда среднего давления Тез.докл. III Всес.конф."Взаимодействие электромагнитных излучений с плазмой". Алма-Ата. 1982. с.114-116

255. Борн М., Вольф Э. Основы оптики. М.: Наука. 1973.С.720

256. Якунин В.Г. Физические параметры плазмы поперечного ВЧ разря да,поддерживаемого собственными электростатическими полями Дисс.канд.физ.-мат.наук. М. : МГУ. 1985

257. Исаченко В.П., Осипова В.А., Сукомел А.С Теплопередача. М. :324

258. Энергоиздат. 1981. с.416 21 З.Фриш С.Э. Оптические спектры атомов. М. : ГИФМЛ.1963.С.640

259. Wulf Н. Die Lineprofile thermisch angeregter Helium linen Zeitschr.f.Phys. 1958. B.15, S.614-631

260. Голубовский Ю.Б., Ржевский B.H. Атомные температуры в положительном столбе разряда при средних давлениях винертных газах Оптика и спектроскопия. 1976.Т.41, с.385-389

261. Грим Г. Спектроскопия плазмы . М. : Мир. 1969.С.652

262. Батенин В.М., Зродников B.C., Роддатис В.К., Чиннов В.Ф. Спектроскопическое исследование СВЧ-разряда в водороде ТВТ, 1975,т.13,№2, С.270

263. Батенин В.М., Зродников B.C., Роддатис В.К., Чиннов В.Ф. Эксперимен тальное исследование СВЧ-разряда в гелии

264. Физ.плазмы, 1976,т.2, №5, с.831

265. Drawin H.W. Validity conditions of the local thermodynamical equilibrium . In : Progress in plasma and gas electronics. Ed. by Rompe R., Steenbeck M.B. 1975. V.l, P.592

266. Хасилев В.Я. Исследование активных сред ионных лазеров на парах металлов с поперечным высокочастотным разрядом Дисс.канд.физ.мат.наук. Ростов-на-Дону. 1981

267. Бердичевский М.Г., Марусин В.В. Химическая активность ВЧЕ разрядов Изв.СО АН СССР, сер.техн.наук. 1982. №3, с.28-36

268. Касабов Г.А., Елисеев В.В. Спектроскопические таблицы для низкотемпературной плазмы. М. : Атомиздат. 1973. с. 159

269. Малышев В.И. Введение в экспериментальную спектроскопию М. : Наука. 1979. с.480

270. Спектроскопия газоразрядной плазмы .Сб.статей. Л.: Наука. 1978.С.362325

271. Фуголь И.Я., Григоращенко А.Н., Мышкис Д.А. Применение метода реабсорбции для определения концентрации метастабильных атомов гелия Труды ФТИНТ. 1969.В.5, с.50-64

272. Биберман JI.M., Воробьев B.C., Якубов И.Т. Кинетика неравновесной низкотемпературной плазмы. М. : Наука. 1982.С.З76

273. Бочкова О.П., Разумовская Л.П. Спектроскопические исследования вы сокочастотного разряда в гелии

274. Оптика и спектроскопия. 1965. t.XVIII. с.777-784

275. Hurt W.B., Robertson W.W. Atomic and Molecular Emission in the Negative Glow of Helium Discharge . J.Chem.Phys. 1965. V.42, P.556-562

276. Фриш С.Э., Богданова И.П., Бочкова О.П. О роли молекулярно-ионных образований при возбуждении спектральных линий атомов ДАН СССР. 1964.T. 156, с.54-57

277. Александров С.В., Елагин В.В, Фотиади А.Э. Новые лазерные переходы в He-Cd+- лазере с поперечной ВЧ накачкой. Письма в ЖТФ. 1980.Т.6, с. 160-161

278. Голант В.Е. СВЧ методы исследования плазмы. М. : Наука. 1968.С.327

279. Хилд М., Уортон Р. Микроволновая диагностика плазмы. М. : Атомиздат. 1968.с.352

280. Cooper J. Plasma spectroscopy.

281. Reports on progress in physics. 1966. V.29.Part I, P.35-130

282. Moore C.E. Atomic Energy levels. US GPO, Washington D.C. 1971 NSRDS-NBS. V.l, P. 183

283. Двинин C.A. Исследование механизма формирования пространственных структур в стационарном СВЧ разряде внутри волновода326

284. Дисс.канд.физ.мат.наук. М. : МГУ. 1983.

285. Марков Г.Т.,Сазонов Д.М. Антенны. М.:Энергия.1975. с.384-398

286. Григоренко Г.В.,Душин Л.А.,Скибенко А.И. Влияние рефракции на точность определения плотности плазмы при микроволновой интерферометрии

287. В сб. Высокочастотные свойства плазмы. Киев. 1968. в.З.,с.178-187

288. Ковалевский В.Л., Кондраков P.E., Савинов В.П., Сингаевский И.Ф ВАХ-метод диагностики параметров приэлектродных слоев и плазмы емкостного ВЧ разряда Материалы конф. "Физика и техника плаз мы". Минск. 1994.Т.1, с.373-376

289. Савинов В.П. Изучение физических свойств и параметров емкостного ВЧ разряда методом вольт-амперных характеристик

290. Тез.докл. II научно-метод.конф. "Использование научно-технически дос тижений в демонстрационном эксперименте".Саранск . 1994. с. 179

291. Ковалевский В.Л., Кондраков P.E., Савинов В.П., Сингаевский И.Ф Физические свойства одноэлектродного емкостного ВЧ разряда пони женного давления Тез.докл. Международной научно-техн.конф. "Проблемы и прикладные вопросы физики". Саранск . 1997 . с.36-37

292. Беннет В.Р. Газовые оптические квантовые генераторы УФН.1963 .т.81,с.119-184

293. Белоусова И.М., Знаменский В.Б. Об особенностях механизма генерации гелий-неоновой смеси, возбуждаемой разрядом в полом катоде

294. ЖПС. 1976 .т.25, с.434-440

295. Криндач Н.И., Туницкий Л.Н. Сравнительные исследования дугового и высокочастотного разрядов, применяемых в He-Ne лазере327

296. ЖТФ. 1968 .т.28, с.865-870

297. Хирд Г. Измерение лазерных параметров . М. : Мир. 1970

298. Аллен JL, Джонс Д. Основы физики газовых лазеров. М. : Наука. 1970

299. Виттеман В.Я., Илюхин Б.И., Кочетов И.В., Очкин В.Н., Петере П.Я., Удалов Ю.Б.,Цхай С.Н. О влиянии частоты возбуждающего поля на ха рактеристики активных сред С02 лазеров с ВЧ накачкой Препринт ФИАН №31. Квантовая электроника. 1994, 28 с.

300. Heeman-Ilieva М.В., Udalov Yu.B., Witteman W.J., Peters P.J., Hoen K., Ochkin V.N. RF excited 1.1 W/cm waveguide C02 laser J.Appl.Phys. 1993, v.74, № 7, p.4786-4788

301. Могильницкий Б.С. Усиление некоторых видов генерации в разряде по лого катода Оптика и спектроскопия . 1974 .т.37, с.231-236

302. Муравьев И.И., Солдатов А.Н., Климкин В.М., Янчарина A.M. Исследо вание условий разряда в полом катоде для получения генерации на

303. Л 1,15 мк неона Изв.ВУЗов. Физика. 1968.T.12, с. 125-127

304. Дятлов М.К., Касьян В.Г., Левин В.Г. Самоселекция частот в гелий-кадмиевом лазере с поперечным ВЧ возбуждением Письма в ЖТФ. 1977.T.3, с.644-646

305. Годяк В.А., Кузовников A.A., Савинов В.П., Эль Саммани А.Я. Стационарные поля в ВЧ разряде низкого давления Тез.докл. Меж вуз.конф.по физ.и хим.низкотемп.плазмы .1967. М. : Изд.МГУ. с. 18

306. Александров А.Ф., Кузовников A.A., Рухадзе A.A., Савинов В.П. Пространственное распределение параметров в ВЧ разряде Тез.докл. II Всес.конф.по физ.низкотемп.плазмы. 1968.Минск. Изд. АН БССР. с.5

307. Kuzovnikov A.A., Kovalevsky V.L., Savinov V.P., Yakunin V.G. Study of the boundary region of the HF discharge plasma by the optical method Proc.III Europ.Conf.Atom.Molec.Phys.Ionis.Gases. Bratislava. 1976. P.67

308. Кузовников A.A., Ковалевский В.Л., Савинов ВП., Якунин В.Г. О физи ческих свойствах приэлектродных областей ВЧ разряда Тез.докл. V328

309. Всес.конф.по физ.низкотемп.плазмы.1979. Киев. : Изд. АН УССР, с.367

310. Кузовников A.A., Ковалевский В.Л., Савинов В.П. О динамике процессов в приэлектродных областях ВЧ разряда Труды VIII Всес.конф.по гене рат.низкотемп.плазмы. 1980 . Новосибирск. Ч.Ш, с. 127-130

311. Kuzovnikov A.A., Kovalevsky V.L., Savinov V.P. The physical mechanism of arising of highly non equilibrium HF discharge plasma Kurzfass.Vortr. V Tagung "Physik und Techn.Plasmas". 1980 . Greifswald. s. 107-108

312. Елисеев H.B., Кузовников А А., Савинов В.П., Якунин В.Г.Об одном ме ханизме ВЧ нагрева электронов ограниченной плазмы Тез.докл. III Всес.конф."Взаимодействие электромагнитного излучения с плазмой". Алма-Ата. 1982 . с.37-38

313. Казанцев С.А.,Ковалевский В.Л.,Кузовников A.A.,Савинов В.П Характер движения электронов в емкостном ВЧ разряде Тез.докл.Всес.совещ. "ВЧ разряд в волновых полях". Горький. 1987. с. 13

314. Бояршинов Ю.А., Маляров A.B., Рябый В.А., Савинов В.П.,Якунин В.Г. Плазмохимический реактор. Авт.свид. СССР на изобрет.№ 1463115,1987.

315. Воробьев В.В., Кондаков М.И., Маляров A.B., Рябый В.А.,Савинов В.П. Способ плазмохимического удаления с поверхности полупроводнико вых пластин органических соединений

316. Авт.свидетельство СССР на изобретение № 1429842 . 1988

317. Бояршинов Ю.А., Рябый В.А., Савинов В.П., Спорыхин A.A. Плазмохимический реактор

318. Авт.свидетельство СССР на изобретение № 1524739 . 1989

319. Gordeev A.I.,Malyarov A.V.,Ryaby V.A.,Savinov V.P.,Yakunin V.G Changing of oxygen plasma parameters in RF discharge over photoresist sur face Abstr. IX Europ.Sect.Conf.Atom.Molec.Physics Ionised Gases. Lisbon. 1988 . P.347-348

320. Ковалевский В.Л., Савинов В.П.,Урьева И.А. Экспериментальное исследование электронной эмиссии на электродах ВЧ разряда329

321. Тез.докл. 1УВсес.конф. по физ.газ.разряда. Махачкала.1988.4.1, с.98-99

322. Савинов В.П. Изучение газового разряда В кн. Спецпрактикум по газо вой электронике и физике плазмы М. : Изд.МГУ. 1988. с.4-19

323. Кузовников А.А., Савинов В.П. Физический механизм ВЧ разряда низко го давления Тез.докл. Всес.семин. по высокочастотному пробою газов. Тарту. 1989. с. 16-20

324. Гордеев А.И., Ковалевский В.Л., Савинов В.П, Урьева И.А.,Якунин В.Г. Приэлектродные потоки заряженных частиц в емкостном ВЧ разряде Тез.докл.Всес.семин. по ВЧ пробою газов. Тарту. 1989. с.81-83

325. Гордеев А.И.,Савинов В.П.,Якунин В.Г. Динамика электронных потоков в приэлектродных областях ЕВЧР Тез.докл.Х1 Всес.конф.'Тенераторы низкотемп.плазмы".Новосибирск. 1989.4.2., с. 127-130

326. Savinov V.P., Yakunin V.G. Charge particles flows dynamics to HFdischarge electrodes

327. Proc. XIX Intern.Conf.Phen.Ionis.Gases. Belgrad. 1989.Part 1, P. 123-124

328. Бояршинов Ю.А.,Маляров А.В.,Рябый B.A.,Савинов В.П.,Спорыхин А.А. Плазмохимический реактор Авт.свид. СССР на изобрет. №4474132. 1989

329. Ершов А.П., Кузовников А.А., Савинов В.П. Физика граничных слоев плазмы. М. :Изд.МГУ. 1990, 80 с.

330. Гордеев А.И., Ковалевский В.Л., Савинов В.П., Шорин А.В. Эффекты квазистационарных полей в приэлектродных областях емкостного ВЧ разряда Тез.докл. VIII Всес.конф.по физ.низкотемп.плазмы. Минск. 1991. 4.1, с.59-60

331. Gordeev A.I., Kovalevsky V.L., Savinov V.P., Shorin A.V.

332. Гордеев А.И., Ковалевский В.Л., Савинов В. Динамика физических процессов в приэлектродной области емкостного ВЧ разряда Тез.докл.У1 конф.по физ.газ.разряда.Казань.1992.Ч.2,Р.166-167

333. Гордеев А.И., Ковалевский B.JL, Савинов В.П., Черных К.А. Зависимость характера перехода между режимами емкостного ВЧ разряда от физических условий

334. Тез.докл.У1 конф.по физ.газ.разряда.Казань.1992.4.2,с.168-169

335. Киреев В.Ю., Ковалевский В.Л., Рябый В.А., Савинов В.П., Спорыхин A.A., Сухоруков С.С., Шейко Л.И., Якунин В.Г., Ястребов В.Г. Плазмохимический реактор баррельного типа Патент России. №2024990. кл. 5 H01L 21/302, 1992.

336. Александров А.Ф., Рябый В.А., Савинов В.П., Якунин В.Г. Физические процессы при обработке полупроводниковых пластин в плазме ВЧ раз ряда Тез.докл. Российской конф. с участием зарубежных ученых "Микроэлектроника-94". Звенигород. 1994. 4.1, с.239-240

337. Alexandrov A.F., Riaby V.A., Savinov V.P., Yakunin V.G. Electrophysical interaction of silicon wafers with glow discharge Plasmas Contr.Papers XI Intern.Conf. on Gas Discharges and Their Applications. Tokyo. 1995. Part 1, P.498-502

338. Рябый В.А., Савинов В.П., Спорыхин A.A., Якунин В.Г.

339. Об экспериментальной оценке электростатического напряжения , возни кающего на МОП-структурах при плазменной обработке ,

340. Труды ФТИРАН. 1995.№10, с. 150-157

341. Рябый В.А., Савинов В.П., Спорыхин A.A.,Якунин В.Г. Электрические331пробои МОП-структур важнейший фактор плазменной деградации микроэлектронных чипов Микроэлектроника . 1996. т.25, с. 127-134

342. Riaby V.A., Savinov V.P., Sporikhin А.А., Yakunin V.G. The MOS-structures electrical damage the most important factor of microelectronic chip plasma degradation Russian Microelectronics. 1996. V.25, P.45-52

343. Ковалевский B.JI., Савинов В.П., Сингаевский И.Ф. Особенности меха низма возбуждения оптического излучения емкостного ВЧ разряда низ кого давления Сб. Вопросы прикладной физики под ред. В.К.Свешникова.Саранск.Изд.МГПИ. 1996.С. 14-18

344. Савинов В.П., Сингаевский И.Ф. Особенности транспорта заряженных частиц на электроды емкостного ВЧ разряда низкого давления Тез.докл.УШ конф.по физ.газ.разряда.Рязань.1996. 4.2, с.81-82

345. Ковалевский В.Л., Савинов В. Методика измерения параметров элек тронных пучков в емкостном ВЧ разряде низкого давления Тез.докл. IV Всеросс.научно-метод.конф. "Учебный физический экспе римент и его совершенствование". Пенза. 1998. с.47

346. Александров А.Ф., Рябый В.А., Савинов В.П. Особенности электрофи зического взаимодействия кремниевых пластин с газоразрядной плазмой Тез.докл. XXVI Звенигородской конф. по физ.плазмы и УТС. Звенигород. 1999. с.269

347. Савинов В.П., Якунин В.Г. Особенности газовых лазеров с накачкой емкостным ВЧ разрядом Межвузовский сб. научных работ "Источники излучения" под ред. В.К.Свешникова. Саранск.1999. Изд.МГПИ. с.8-11

348. Савинов В.П., Сингаевский И.Ф. Дискретный механизм переноса электронов плазмы на электроды ВЧ разряда

349. Тез.докл. X конф.по физ.газ.разряда. Рязань.2000. 4.1, с.11-13

350. Ковалевский В.Л., Савинов В.П. Частотная зависимость процесса электронной эмиссии с электродов ВЧ разряда низкого давления Тез.докл. X конф. по физ.газ.разряда.Рязань.2000.Ч.2,с. 160-161