Исследование физических свойств компенсированного марганцем кремния и структур на его основе тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ОСОБЕННОСТИ ФИЗИЧЕСКИХ ЯВЛЕНИЙ В КОМПЕНСИРОВАННЫХ

ПОЛУПРОВОДНИКАХ.

§1. Электрические и гальваномагнитные свойства компенсированных и сильно компенсированных полупроводников.

§2. Особенности фотоэлектрических свойств компенсированных полупроводников.

§3. Некоторые соображения о неоднородных полупроводниках.

ГЛАВА П. МЕТОДИКА ПОЛУЧЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ КОМПЕНСИРОВАННОГО МАРГАНЦЕМ КРЕМНИЯ С РАЗЛИЧНОЙ СТЕПЕНЬЮ КОМПЕНСАЦИИ И КОНЦЕНТРАЦИЕЙ ПРИМЕСИ.

§1. Технология легирования кремния марганцем различными способами.

§2. Технология изготовления компенсированного марганцем кремния со специальными контактами.

§3. Установки для исследования электрических и фотоэлектрических свойств.

§4. Методика измерения сационарных вольтамперных характеристик.

§5. Методика измерения магнитосопротивления образца.

§6. Погрешности измерений.

ГЛАВА Ш. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА КОМПЕНСИРОВАННОГО МАРГАНЦЕМ КРЕМНИЯ.

§1. Поведение марганца в кремнии в зависимости от степени компенсации и параметров исходного материала.

§2. Особенности электрических свойств сильно компенсированного марганцем кремния.

§3. Исследование магнитосопротивления компенсированного марганцем кремния.

§4. Обсуждение результатов.

КРАТКИЕ ВЫВ0.1Р.

ГЛАВА 1У. ФОТО-И ОСТАТОЧНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ КОМПЕНСИРОВАННОГО МАРГАНЦЕМ КРЕМНИЯ С РАЗЛИЧНОЙ СТЕПЕНЬЮ КОМПЕНСАЦИИ И КОНЦЕНТРАЦИЕЙ ПРИМЕСИ.

§1. Влияние степени компенсации и концентрации компенсирующих примесей на фотоэлектрические свойства.

§2. Влияние степени компенсации и концентрации компенсирующих примесей на температурное и инфракрасное гашение фотопроводимости.

§3. Влияние степени компенсации и концентрации компенсирующих примесей на остаточную проводимость.

§4. Фотоэлектрические свойства компенсированного кремния, легированного при выращивании.НО

§5. Влияние % -облучения на электрические и фотоэлектрические свойства компенсированного марганцем кремния. ^^

§6. Обсуждение результатов.

КРАТКИЕ ВЫВОДЫ.

ГЛАВА У. ОСОБЕННОСТИ ИНЖЕКЦИОННЫХ ЯВЛЕНИЙ В СИЛЬНО КОМПЕНСИРОВАННОМ МАРГАНЦЕМ КРЕМНИИ.

§1. Токи монополярной инжекции.в компенсированном марганцем кремнии.

§2. Фотоэлектрические свойства компенсированного марганцем кремния при наличии монополярной инжекции.

§3. Стимулированная полем остаточная проводимость.

§4. Обсуждение результатов.

КРАТКИЕ ВЫВОДЫ.

НЕКОТОРЫЕ В03М0Ш0СТИ ПРАКТИЧЕСКОГО ПРИМЕНЕНИЯ СИЛЬНО КОМПЕНСИРОВАННОГО КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО МАРГАНЦЕМ.

ОБЩИЕ ВЫВОДИ.

Одним из наиболее широко используемых материалов в современной полупроводниковой микроэлектронике является кремний, компенсированный примесями, создающими в запрещенной зоне глубокие энергетические уровни, так как свойства таких материалов существенно отличаются от свойств материалов слабо компенсированных, собственных, а также компенсированных радиационными дефектами или мелкими примесями. Это отличие проявляется, во-первых, в обнаружении новых физических явлений, а во-вторых, в возможности использования этих материалов для создания целого ряда принципиально новых полупроводниковых приборов и устройств на их основе. С другой стороны, исследование физических явлений в компенсированном и сильно компенсированном кремнии, легированном элементами переходной группы, представляет особый интерес с точки зрения решения ряда фундаментальных вопросов физики неупорядоченных систем и физики глубоких центров в полупроводниках, привлекающих в последнее время большое внимание как теоретиков, так и экспериментаторов .

Актуальность проблемы обусловлена, с одной стороны, широким применением компенсированных материалов в современной полупроводниковой электронике и возможностью создания новых классов приборов на основе дальнейшего изучения физических свойств этих материалов, а с другой стороны, крайне малой изученностью физических свойств компенсированного и сильно компенсированного кремния, легированного элементами переходной группы.

Легирование кремния примесями с глубокими уровнями дает воз-ложность в достаточно широком интервале варьировать удельное составление, концентрацию и время жизни носителей тока и позволяет разработать технологию получения компенсированного кремния с задан

- 6 ными и воспроизводимыми свойствами.

Сильно компенсированные полупроводники, в частности, кремний, можно рассматривать как отдельный класс полупроводниковых материалов, свойства которых существенно отличаются от свойств слабо компенсированных. Это связано с возникновением флуктуа-ционных потенциалов, величина и природа которых в основном определяются особенностью распределения и взаимодействия примесных атомов в объеме кристалла. Поэтому исследования электрофизических, фотоэлектрических, оптических свойств таких материалов и инжекционных явлений в структурах на их основе позволяют не только выявить ряд интересных, ранее неизвестных физических явлений, но и показывают возможность применения сильно компенсированного кремния для создания новых и перспективных приборов.

Цель работы. Основной целью настоящей работы являлось комплексное исследование физических свойств компенсированного марганцем кремния и структур на его основе в зависимости от степени компенсации и способа легирования, а также определение целесообразности использования такого материала в полупроводниковой электронике.

В связи с этим в работе были поставлены следующие задачи:

- изучить электрические свойства и магнитосопротивление образцов $1<Мп> с различной степенью компенсации и концентрации примесей, полученных различными способами;

- исследовать особенности фотоэлектрических свойств компенсированного марганцем кремния в зависимости от степени компенсации и концентрации компенсирующих примесей, а также от способа легирования;

- исследовать особенности монополярной инжекции в структурах р+ - р - р+ и р+ - п - р+ на основе компенсированного марганцем кремния с различными степенями компенсации;

- исследовать особенности радиационного дефекторообразования при # -облучении в сильно компенсированном 8С<Ма> в зависимости от концентрации примесей;

- определить возможности практического использования таких материалов и структур на их основе в полупроводниковой электронике.

Для получения достоверных и однозначных результатов,использованы различные методы исследования: электрические, гальваномагнитные, фотоэлектрические, оптические и другие.

Объект исследований. В качестве объекта исследований использовались слитки монокристаллического кремния р- и п-типов то то о проводимости с концентрациями бора от 1Сг до 10х см »выращенные методами Чохральского и бестигельной зонной плавки. Компенсирующей примесью был выбран марганец. Работа выполнена в проблемной лаборатории физики полупроводников по плану НИР ТашГУ им. В.И.Ленина, по теме: "Исследование явлений переноса в полупроводниках, полупроводниковых приборах и диэлектриках" ( № гос. регистрации 76025031).

Научная новизна работы. I. Исследованы возможности электрических, гальваномагнитных и фотоэлектрических свойств компенсированного марганцем кремния в зависимости от степени компенсации К и концентрации компенсирующих примесей (при К= c(?n~5t ),а также от способа легирования (диффузионного и при выращивании).

Установлено, что физические свойства таких материалов практически не зависят от концентрации компенсирующих примесей (в интервале 10^ * Ю1^ см"3) и от способа легирования, а в основном определяются значением К. В сильно компенсированных образцах ( I 1-к|<с1) впервые обнаружены высокие продольное и поперечное магнитосопротивление,индуцированная электрическим полем остаточная проводимость (ОП), спектральная память (в интервале Ьч) 0,62+1,5 эВ), электрическая память и другие.

2. Впервые псследовано влияние ^ -облучения (Б =107+1010 Р) на свойства сильно компенсированного 31<Мл> . Показано, что электрические, фотоэлектрические параметры таких материалов досо таточно стабильны к у -облучению до - 3*10 Р, и с ростом концентрации компенсирующих примесей стабильность параметров сохраняется при больших дозах (10^ Р).

3. Впервые исследованы особенности монополярной инжекции в р+-р-р+ и р+-п-р+ структурах на основе компенсированного ^1<Мп> с различной К в широком интервале температур, электрического поля, интенсивности и спектра освещения. Установлено, что ВАХ таких структур имеет сублинейный участок. С ростом К протяженность этого участка увеличивается, а показатель ВАХ уменьшается.

4. Впервые исследованы влияние монополярной инжекции на фотопроводимость (ФП), температурное (ТГ) и инфракрасное гашение (ИКГ)

ФП и ОП. Показано, что меняя приложенное напряжение в структуре {н- - р - р+ можно в широком интервале варьировать фоточувствительность, ОП, глубину ТГ и ИКГФП и время фотоответа.

5. Предложена кластерная модель распределения примесей в $1<Мп>, на основе которой можно объяснить всю совокупность полученных экспериментальных результатов. Показано, что структура, зарядовое состояние и размеры таких кластеров определяется, в основном, степенью компенсации материала.

Практическая ценность работы. Показаны возможности использования обнаруженных явлений для создания высокочувствительных и достаточно радиационно стойких фоторезисторов, терморезисторов, элементов оптической и электрической памяти, структуры с Б и Ь/ -образными ВАХ и ВАХ с сублинейным участком,чувствительных к Ж свету и поперечному и продольному магнитному полю. Также показано, что $1<Мп> можно использовать в качестве высокоомных подложек и изолирующих слоев, причем такие материалы в отличие от других достаточно радиационно стойки.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Электрические, фотоэлектрические и рекомбинационные свойства компенсированного Б1<Мп> не зависят от способа легирования и концентрации компенсирующих примесей и, в основном определяются степенью компенсации материала.

2. В сильно компенсированном £1<Мл> кинетика образования и скорость введения радиационных дефектов существенно отличаются от слабо компенсированных и собственных материалов и, в основном определяются взаимодействием радиационных дефектов с примесными кластерами.

3. Установлено, что в структурах р+ -р - р+ на основе $1<Мп> электрическое поле вызывает стимуляцию остаточной проводимости (ОП). Величина ОП, её время релаксации при этом достигают гигантских значений (6=109+Ю10, Т > Ю^е ) и управляются электрическим полем.

4. Величина фототока структур р+ - р - р+ превосходит на 1+1,5 порядка фототок образцов $1<Мп> , а время фотоответа при этом уменьшается в 5+10 раз благодаря существованию инжек-ционно-оптического усиления фототока в таких структурах. Это может быть использовано для создания чувствительных фотоприемников и фотоинжекционных приборов.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсувдались на Республиканской конференции "Фотоэлектрические явления в полупроводниках" (Ужгород, ноябрь,1979 г.), на П -ом Всесоюзном совещании по глубоким уровням в полупроводниках (Ташкент, октябрь* 1980г.) на отчетно-научных конференциях профессорско-преподавательского состава Таш1У им.В.И.Ленина (1979-1982гг), на объединенном семинаре по физике полупроводников физического факультета и НИИ прикладной физики Таш1У им. В.И.Ленина.

- 10

Публикация. По теме диссертации опубликовано II работ.

Объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав и общего заключения. Основное содержание изложено на страницах машинописного текста, содержит 60 рисунков,Ютаблиц и библиографию со 112 наименованиями.

- 168 -ОБЩЕ ВЫВОДЫ

I. Исследованы особенности электрических, гальваномагнитных и фотоэлектрических свойств кремния, компенсированного марганцем в зависимости от степени компенсации и концентрации компенсирующих примесей. Установлено, что физические свойства Si<Mn> практически не зависят от концентрации (в интервале 10^+10^ см ) компенсирующих примесеи, а в основном определяется значением К.

2. Впервые исследованы магнитосопротивление образцов в зависимости от степени компенсации в широком интервале температур и интенсивности освещения. Показано, что с ростом К возрастает как поперечное, так и продольное МС, а в образцах с

П-Ю « I значения их практически не отличаются. С ростом тнмпературы или интенсивности освещения величина МС уменьшается, особенно это существенно в случае продольного МС.

3. В сильно компенсированном образце с 11-К1«1 впервые обнаружены индуцированная электрическим полем ОП как в примесной, так в области собственного поглощения, управляемая электрическим полем память и спектральная память ЬтГ = 0,62+1,3 эВ.

4. Впервые исследованы электрические и фотоэлектрические свойства Si<Mn> , полученного при выращивании. Установлено, что характер и природа неоднородностей не зависят от способа легирования, а определяются в основном зарядовым состоянием и расположением примесных атомов в решетке, а также взаимодействием их с дефектами кристаллической решетки.

5. Впервые исследованы особенности радиационного дефекто-образования в сильно компенсированном Si<Mn> с различной концентрацией марганца при у -облучении

В -I07 * Ю10 Р).

Установлено, что электрические, фотоэлектрические и рекомбина-ционные свойства таких материалов являются устойчивыми к радиао ции в области до 10° рентген. Результаты объяснены взаимодейст

- 169 вием радиационных дефектов с неоднородностью компенсированного $К Мгь> .

6. Впервые исследованы особенности монополярной инжекции в р+ - р - р+ и р+ - п - р+ структурах на основе 5кМп> с различными степенями компенсации в широких интервалах температур, интенсивности освещения и электрического поля. Установлено,'что в ВАХ таких структур после квадратичного участка наблюдает*-ся сублинейный, протяженность которого увеличивается с ростом К, а показатель ВАХ уменьшается.

7. Исследовано влияние монополярной инжекции на фотоэлектрические свойства структур р+ - р - р+ на основе $и<£Мп> . Показано, что фоточувствительность таких структур как в примесной, так и в собственной области поглощения существенно превосходит образцы $1<Мп> . Меняя напряжение, можно в широком интервале варьировать значение и время релаксации ОП, глубину ТГ и ИКГ и время фотоответа.

8. Все наблюдаемые особенности электрических, гальваномагнитных, фотоэлектрических и рекомбинационных свойств компенсированного £1<Мп> и структур на его основе достаточно хорошо объясняются в рамках кластерной модели неоднородности полупроводников.

9. На основе полученных результатов показана возможность использования $1<Мп> для создания чувствительных фотоприемников ИК излучения и термисторов, стойких к ^ - излучению. Кроме того можно создать магнитодиоды, работающие как в поперечном так и в продольном магнитном поле, элементы электрической и оптической памяти.

В заключение считаю своим приятным долгом выразить сердечную благодарность моему научному руководителю доценту Баха-дырханову М.К. за постановку задачи исследования и постоянную помощь при выполнении работы на всех её этапах. Я признателен моему научному консультанту доценту Тешабаеву А.Т. и доценту Турсунову A.A. за постоянное внимание к работе и стимулирующие дискуссии, и Карпову Ю. за предоставление ряда образцов для исследований. Особую благодарность хочу выразить сотрудникам кафедры Физики полупроводников и диэлектриков ТашГУ им. В.И.Ленина за сердечную атмосферу и постоянную помощь, во многом способст-вовашие выполнению исследований.

1. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Примесная зона и проводимость компенсированных полупроводников. - ЖЭТФ, 1971, т.60, с.867-873.

2. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. ЖЭТФ, 1971, т.61, с.816-824.

3. Дыхне A.M. О вычислении кинетических коэффициентов сред со случайными неоднородностями. ЖЭТФ, 1967, т.52, с.264-268.

4. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Теория протекания и проводимость сильно неоднородных сред. УВД, 1975, т.117, с.401-405

5. Скал А.С.,Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Письма в ЖЭТФД973, т.17,с.522-526.

6. Шик А.Я. Статистика носителей и термические релаксации в неоднородных полупроводниках. ЖЭТФД976, т.71,с.П59-П65.

7. Шик А.Я. Магнитосопротивление неоднородных полупроводников. Ш1Д975, т.9,№5, с.872-875.

8. Шик А.Я. ФТПД975, т.9, №6, с.1152-1154.

9. Beer А.С. Galvanomagnetic Effects in Semiconductors.-Acad. Press. N.Y. London, 1963.

10. Заварицкая Э.И.,Воронова И.Д.,Рождественская Н.В. Переход металл-диэлектрик в магнитном поле в компенсированном арсе-нида галлия. Ш1Д973, т.7, №8, с. 1479-1483.

11. Баранский П.И., Байдаков В.В., Сеитов Е.П. Поперечное магнитосопротивление компенсированного п-&е в слабых и классически сильных магнитных полях. ЗэТП, 1973, т.7, №1, с.200-203.

12. Babich V.M., Baranskii P.Y., Sherehel. The influence of Oxygen and impurity fields on Magnetoresistance of n-Ge in strong Magnetic.-Phys. Stat. Sol., 1970, v.42, N1, p. K23-K27.

13. Митин В.В.,Тхорик Ю.А., Шварц. Гальваномагнитный эффектв пленках р -германия. Ш1,1976, т.Ю, №7, с.1407-1410.

14. Шик А.Я. Эффект Холла и подвижность электронов в неоднородных полупроводниках. Письма в ЖЭТФ, 1974, т.20, №1, с .1419.

15. Herring G. Effect of Random Inhomogeneitiee on Electrical and Galvanomagnetic Measurements.-J.Appl. Phys., 1960; v.31, N11, p.1939-1953.

16. Винецкий B.JI., Кухтарев H.B. К теории подвижности, эффекта поля и магнитосопротивления в неоднородном полупроводникев слабых "неомических" полях. Ш1, 1972, т.6, с.1029-1030.

17. Дыхне A.M. Аномальное сопротивление плазмы в сильном магнитном поле. ЖЭТФ, 1970, т.59, №2, с.641-646.

18. Яременко Н.Г., Потапов В.Т., Ивлева B.C. Электропроводность и эффект Холла в сильно компенсированном п- при низких температурах. <Ш1,1972, т.6, №7, с.1238-1244.

19. Потапов В.Т., Трифонов В.И., Чусов И.И., Яременко Н.Г. Эффект Фарадея в сильно компенсированном ri-JnSS- §ТП, 1972, т.6, №7, с.1227-1231.

20. Гальперин Ю.С., Эфрос А.Л. Внутризонное поглощение электро. магнитных волн в легированном полупроводнике. ФТТ, 1969,т.II, №8, 2301-2306.21.

21. Weisberg L.R. Anomalous Mobility Effects in Some Semiconductors and Insulatiors.- J. Appl. Phys., 1962, v.33, p.1817-1821.

22. Лапышев А.В., Стельмах В.Ф., Ткачев В.Д. Подвижность электронов в неоднородных кристаллах арсенида галлия. Изв. ВУЗов, физика, 1972, в.11, с.145-149.

23. Головкина Э.Д., Левченя Н.Н., Шик А.Я. Аномалия температурной зависимости холловской подвижности в компенсированном п.-Ье . $ТП,1976,т.Ю, Ш, с.383-385.

24. Шейнкман М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках. ФТП, 1976, т.Ю, с.209-231.

25. Шейнкман М.К., Маркевич И.В., Хвостов В.А. Модель остаточной проводимости в полупроводниках и ее параметры в CdS :

26. Aj : СЕ . ФТП, 1971, т.5, МО, с.1904-1908.

27. Сандомирский В.В., Дцан А.Г., Мессерер М.А., Гуляев И.В. Механизм замороженной (остаточной) проводимости полупроводников. ФТП, 1973, т.7, №7, с.1314-1323.

28. Карпович И.А., Звонков Б.Н., Ризаханов М.А. Явления остаточной проводимости в пленках CdSe . ФТТ, 1970, т.12, №8, с.220-2223.

29. Эфрос А.Л. Плотность состояния и межзонное поглощение света в сильно легированных полупроводниках. УШ, 1973, т.III, с.451-456.

30. Шкловский Б.И., Эфрос A.JI. Полностью компенсированный кристаллический полупроводник как модель аморфного полупроводника. ЖЭТФ, 1972, т.62, с.1156-1160.

31. Болтакс Б.И., Городецкий С.М., Бахадырханов М.К., Куликов Г.С. Компенсированный кремний. Л.: Наука, 1972, с. 102.

32. Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках. М.: Наука, 1961, с.266.

33. Павлов Л.П. Методика определения основных параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1975, с.48.

34. Carlson R.O. Properties of Silicon Doped with Manganese.-Phys. Rev., 1956, v.104, p.937-941.

35. Woodbury H.H., Ludwig G.W. Spin resonanse of transition metals in Silicon.- Phys. Rev., 1960, v.117, N1, p.107-108.

36. Бахадырханов M.K., Болтакс Б.И., Куликов Г.С. Диффузия, электроперенос и растворимость примеси марганца в кремнии. -ФТТ, 1972, т.14, с.1671-1676.

37. Ахмедова И.М., Берман A.C., Костина Л.С., Лебедев A.A. Исследование параметров уровней марганца в кремнии емкостными методами. ФГП, 1975, т.9, №12, с.2351-2354.

38. Бахадырханов М.К., Зайнабидинов С., Комилов Т.С., Тешабаев А.Т. Фотоэлектрические свойства кремния, легированного марганцем.- ФПГ, 1975, т.9, №1, с.76-80.

39. Тешабаев А.Т., Хамидов А., Азизов К.А., Бахадырханов М.К. Влияние степени компенсации и концентрации компенсирующих примесей на фотоэлектрические свойства Si<Mn>. Изв. АН УзССР, серия физ.-мат., 1980, №6, с.50-54.

40. Нгуен Ван Лиен, Шкловский Б.И. Уровень протекания в сильно компенсированном полупроводнике. МП, 1979, т.13, с.1763-1770.

41. Аскаров Ш.И., Бахадырханов М.К., Мастеров В.Ф., Щтельмах К.Ф. Исследование методом ЭПР межпримесного взаимодействия серы и марганца в кремнии. ФТП, 1982, т.16, F7, с.1308-1310.

42. Фистуль В.И. Состояние и энергетический спектр примесей переходных металлов в кремнии. В кн.: Глубокие уровни в полупроводниках. Ташкент, 1981, с.31-42.- 175

43. Коноплева Р.Ф., Юферов A.A. Электрические свойства германия, компенсированного разупорядоченными областями. ФТП, 1973, т.7, с.2086-2093.

44. Шик А.Я. Подвижность неравновесных носителей в неоднородных полупроводниках. ФТП, 1976, т.10, c.III5-III8.

45. Шаховцов В.И., Шаховцова М.М. Магнитосопротивление G-e и St облученных нейтронами. ФТП, 1979, т.13, №4, с.795-798.

46. Бахардыханов М.К., Зайнабидинов С., Оптимальные условия получения компенсированного кремния никелем. Изв. АН УзСССР, 1976, №6, с.73-74.

47. Кропман Д.И., Шейнкман М.К. Аномальная температурная зависимость темновой проводимости в пленках US: Си : С£ . -ВД1, 1975, т.22, № 4, с.777-781.

48. Винецкий В.Л., Шейнкман М.К., Ясковец Н.И. О природе аномальной температурной зависимости темновой проводимости полупроводников. ФИ1, 1974, т.10, №7, с.1535-1539.

49. Дахно А.Н., Емельяненко О.В. и др. Особенности переноса электронов в компенсированных кристаллах a-JnP . ФТП,1979, т.13, №9, с.1788-1794.

50. Дахно А.Н., Емельяненко О.В., Лагутова Т.С., Шик А.Я. Магнитосопротивления в неоднородных кристаллах п- JnP. Ш91980, т.14, №6, c.III0-III5.

51. Каратаев В.Т., Мильвидский М.Г., Рытова Н.С., Фистуль В.И.

52. О компенсации в n-JnAs . ФТП, 1977, т.П, №9, с.1718-1722.

53. Барисс В.О., Клотынып Э.Э. Определение параметров локального уровня в полупроводниках. Рига: "Зинанте", 1978, с.123.

54. Шаховцов В.И., Шаховцова С.И., Ясковец И.И. Подвижность носителей тока в германии с областями разупорядочения. ФТП, 1975, т.9, Ш, с.2200-2202.

55. Bachentoss G. Conductivity mobilities of electrons and holes in heavily doped silicon.-Phys.Rev.,1957,v.108,p.1416-1421.

56. Корнюшин Ю.В. Теория подвижности эффекта Холла и магнитосо-противления неоднородных полупроводников. Ш1, 1976, т.10, №5, с.964-966.

57. Омельяновский Э.М., Фистуль В.И., Мильвидский М.Г. Подвижность электронов в сильно легированном кремнии. ФТТ, 1963, т.5, Ю, с.921-927.

58. Бахадырханов М.К., Комилов Т.С., Назаров Т. Оптические свойства кремния с примесью марганца. В кн.: Труды ТашГУ, Ташкент, ТашГУ, 1974, № 459, с.78-84.

59. Бахадырханов М.К., Турсунов A.A., Аскаров Ш.И., Азизов К.А., Талипов Ф.М. Фотоэлектрические явления в компенсированном марганцем кремнии. В кн.: Труды ТашГУ, Ташкент, ТашГУ, 198I, № 668, с.24-34.

60. Любченко A.B., Шейнкман М.К. Определение параметров центров прилипания в полупроводниках по температурной зависимости фототока. УПК, 1973, И, с.131-137.

61. Калашников С.Г., Маев Р.Г. Теории температурного гашения фотопроводимости. ФТП, 1971, т.5, с.522-530.

62. Бахадырханов М.К., Турсунов A.A., Азизов К.А., НигманходжаевС.С. Инфракрасное гашение фотопроводимости и ОП в St<Mn> . ФТП, 1970, т.14, с.2247-2251.

63. Любченко A.B., Шейнкман М.К. О максимальных скоростях гашения фотолюминесценции и фототока в широкозонных полупроводниках.- В кн.: Проблемы физики срединений А^ В^. Вильнюс, 1972, т.2, с.34-39.

64. Бахадырханов М.К., Нигманходжаев С. Инфракрасное гашение

65. ФП в кремнии, легированном кобальтом. ФТП, 1976, т.10,с.734

66. Азимов С.А., Юнусов М.С., Каримов Ф.А. Электрические свойства кремния, легированного радием. ДАН УзССР, 1972, Ml, с.25-27.

67. Лебедев А.А., Мамадалимов А., Махкамов Ш. Исследование фотоемкости в кремнии, легированном серебром. ЗШ1, 1972, т.б, Ml, с.2198-2201.

68. Ахмедова М.М., Лебедев А.А., Махкамов Ш. Исследование фотоемкости диодов из SL-c.Pt> . ШП, 1975, т.9, с. 140-143.

69. Роуз А. Основы теории фотопроводимости. М.: иЛ, I962,c.I23.

70. Шнейдер А.Д. Кинетика нарастания фототока и явление гашения фотопроводимости сернистого кадмия. ЖГ9?, 1956, т.26, №7, с.1428-1432.

71. Бахадырханов М.К., Турсунов А.А., Хайдаров К. Температурное гашение фотопроводимости в кремнии, компенсированном марганцем. Ш1, 1980, т.14, №5, с.966-9697

72. Комилов Т.С. Исследование фотоэлектрических свойств и темпе-ратурно-электрических неустойчивостей в кремнии, легированном марганцем. Автореф. Дис. . Канд.физ.-мат.наук. -Ленинград, 1977, - 18с.

73. Bonch-Bruevich V.L., Landsberg E.G. Recombination mehanisms.

74. Phys. Stat. Sol., 1968, v.29, p.9-43.

75. Bube R.H. Infrared quenching and unified description of photoconductivity phenomena in cadmium sulfide and selenide.-Phys. Rev., 1955, v.99, M, p. 1105-1116.

76. Бонч-Бруевич В.Л. Коэффициенты рекомбинации при наличии кулоновского барьера. В кн.: Физика твердого тела. М., 1958, т.2, с.182-185.

77. Калашников С.Г., Бонч-Бруевич В.Л. Шизика полупроводников.1. М.: Наука, 1977, с.673.

78. Ьапуоп Н.Р. Electrical and optical properties of vitreous selenium.- Phys. Rev., 1965, v.130, N1, p.134-143.

79. Шик А.Я. "К теории остаточной проводимости в неоднородных полупроводниках". Ш1, 1977, т.П, с.777-779.

80. Кязым-Заде А.Г. О полевом гашении остаточной фотопроводимости в пленках селенида индия. Ш1, 1979, т.13, с.1843-1845.

81. Абдинов А.Ш., Кязым-Заде А.Г., Ахмедов А.А. Полевое гашение остаточной фотопроводимости в монокристаллах JnSe . -ДАН Аз.ССР, 1977, т.33, F6, с.72-77.

82. Бахадырханов М.К., Азизов К.А., Тешабаев А.Т. Влияние степени компенсации и концентрации примесей на остаточную проводимость (ОП) в n-Si<Mrtf §ТП, 1980, т.14, №12, с.2297-2300.

83. Вавилов B.C., Ухин Н.А. Радиационные дефекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1979.

84. Физические процессы в облученных полупроводниках. Ред. Смирнов Л.С., Новосибирск, Наука СО АН СССР, 1977.

85. Watkins G.D.- In: Lattice Deffects in Semicond. Conf. Ser. N 231, Inst, of Phys. bondon-Brystol , 1975;

86. Бахадырханов M.K., Зайнабидинов С., Взаимодействие атомов глубоких примесей с радиационными дефектами в кремнии приtf -облучении. ВД1, 1977, т.II, с.285-289.

87. Коноплева Р.§., Литвинов В.Л., Ухин H.A. Особенности радиационного повреждения в полупроводниках частицами высоких энергий. М.: Наука, 1971, с.61.

88. Юферов А.Л. "Исследование влияния разупорядоченных областей, созданных частицами высоких энергий, на электрические и рекомбинационные свойства германия".: Автореф. Дис. . канд. физ.-мат.наук. Ленинград, 1975. -18с.

89. Нигманходжаев С.С. Особенности фотоэлектрических свойств сильно компенсированного кремния, легированного марганцем и кобальтом: Автореф. Дис. . Канд.физ.-мат.наук. Ленинград, 1980. -16с.

90. Stein H.I. Electrical stadies of neutron irradiated n-type Si : defect structure and anealing. - Phys. Rev. , 1967,v. 163, N3, p.801-808.

91. Коноплева P.§., Юферов A.A. О рекомбинации на областях разупорядочения. Ш1, 1975, т.9, №3, с.413-419.

92. Вайткус Ю.Ю., Урбялис А., Гришкявичгос Д., Вишакас Ю.К. Явление остаточной фотопроводимости в неоднородных монокристаллах селенида кадмия. В кн.: Проблемы физики соединений АП ВУ1 . Вильнюс, 1972, т.2, с.194-198.

93. Бахадырханов М.К., Турсунов A.A., Аскаров Ш.И., Азизов К.А., Хайдаров К.Х. О природе неоднородностей потенциала в компенсированном марганцем кремнии. ДАН УзССР, 1981, МО,с.32-34- 180

94. Бахадырханов M,К., Азизов К.А., ТУрсунов А.А. ВАХ сильно компенеированного марганцем кремния п-типа. ФТП, 1983, т.17, №4, с.759.

95. Э4. Бахадырханов М.К., Турсунов А.А., Азизов К.А., Ташходжаев Т.К. ВАХ компенсированного марганцем кремния Р-типа. В кн.: II Всесоюзное совещание по глубоким уровням в полупроводниках. ч1. Тезисы докладов, Ташкент 22-24 октября 1980, Ташкент 1980, с.57.

96. Ламперт М., Марк П. Инжекционыые токи в твердых телах. -М.: Мир, 1973, с.322.

97. Вишакас Ю.К., Мачкус П.В., Смилга А.А., Юшка Г.Б. Исследование микропараметров полупроводников с использованием ТОГО и кинетики ТДМЗ. В кн.: Проблемы диэлектрической электроники. Ташкент, ФАН, 1974, с.23-40.

98. Пискарев В.В., Яржемдицкий В.В. Примесная фотопроводимость в условиях монополярной инжекции.-Изв. ВУЗов, сер. Физика, 1978, №10, с.126-128.

99. Бахадырханов М.К., Хамидов А., Гигантская остаточная проводимость в p-Si<Mn>. Ш, 1979, т.13, №5, с.1036-1038.

100. Hevman R., Woodbury H.H., Tuber W.W. Photoconductivity in manganese doped germanium. - Phys. Hev. , 1956, v. 102, H5, p.613-617.

101. Баубинас P. О природе центров чувствительности в кристаллах селенида кадмия. Литовский физич.журнал, 1974, т.14,с.609-613.

102. Bube Н.Н. Analyses of photoconductivity applied to cadmium -sulfide type photoconductivity.- J. Phys. Chem. Solids, 1957, v.1, p.234-248.

103. Бахадырханов M.K., Азизов К.А., Турсунов A.A. Стимулированная ОП электрическим полем в p-Sl<Mn> . €КЕП, 1981, т. 15, Я, с.12-14.

104. ЮЗ. Артур Д., Бардеш В., Браун М., Гибсон А. Экслюзия носителей тока в германии. В кн.: Проблемы физики полупроводников. М., 1957, с.205-212.

105. Брей Р. Экслюзия неосновных носителей тока в германии.

106. В кн.: Проблемы физики полупроводников. М., 1957, с.221-234.

107. Абдурахманов Х.М., Аронов Д.А., Книгин П.И., Королев 13.С. Прохождение тока через переходы в кремнии с глубокими уровнями. В кн.: Физические явления в полупроводниковых структурах с глубокими уровнями и оптиэлектроника. Ташкент, ФАН, 1971, с.26-31.

108. Быковский Ю.А., Зуев В.В., Кирюхин А.Д., Шкаланда В.А. Сублинейные ВАХ длинных п+-п-п+ структур на основе электронного кремния, легированного Au . ФТП, 1980, т.14, №11, с.2184-2187.

109. Агарев В.Н., Стафеев В.И, 0 нелинейности ВАХ неоднородных полупроводниковых структур с р-п переходами. ФТП, 1976, т.10, F7, с.1308-1310.

110. Сандомирский В.Б., Мусаханова Н.М. Метод времени пролета носителей заряда в полупроводниках в условиях контролируемого . заполнения ловушек. ФТП, 1981, т.15, №4, с.818-822.

111. Сурис P.A., Щуке Б.И. Теория нелинейных переходных процессов в компенсированном полупроводнике. ШТП, 1980, т.14, №8,с. I507-I5I5.

112. НО. Жданова Н.Г., Каган М.С., Сурис P.A., %кс Б.И.

113. Электрические переходные процессы в компенсированном германии. ФТП, 1980, т.14, №8, с.1518-1523.