Исследование и разработка радиоактивационных методов анализа полупроводниковых материалов на циклотроне тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.16 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

1. СОСТОЯНИЕ МЕТОДОВ АНАЛИЗА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ.

1.1. Полупроводниковые материалы и методы их анализа

1.2. Ядерно-физические методы анализа элементного состава полупроводников.

1.3. Состояние активационных методов анализа на заряженных частицах.

Постановка задачи.

2. РАЗРАБОТКА РАДИОАКТМВАЦИОННЫХ МЕТОДИК АНАЛИЗА КРЕМНИЯ

2.1. Техника эксперимента.

2.2. Микроэлементный состав кремния

2.3. Определение концентрации кислорода и углерода.

2.4. Распределение элементов по глубине образцов.

2.5. Распределение кислорода в кремнии.

3. АКТИВАЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ ЗАРФЖНЫМИ ЧАСТИЦА]1® НА ЦИКЛОТРОНЕ.

3.1. Активация протонами и дейтронами.

3.2. Активация ионами гелия-3.

3.3. Избирательность радиоактивационного анализа полупроводниковых материалов.

3.4. Радиохимические методы анализа полупроводников с выделением 0.

3.5. Инструментальные методы определения элементов в некоторых полупроводниках.

3.6. Метрологические характеристики методик анализа

Электронные приборы, широко применяющиеся в технике, изготавливаются легированием чистых полупроводниковых материалов различными химическими элементами. В качестве основного материала при изготовлении таких приборов применяются кремний и германий. В состав полупроводников входят 776, <J/, [yi, urCf, Известны сложные полупроводники карбид кремния, антимониды индия, галлия, алюминия, арсениды и фосфиды галлия, селенид кадмия, сульфиды цинка и свинца, теллурид свинца и т.д. Совершенство и надежность работы приборов во многом зависят от качества материалов, используемых при их изготовлении. В настоящее время разработаны способы получения полупроводниковых материалов, в которых содержание ряда элементов составляет 10-- Концентрации некоторых из них находятся даже на уровне Ю""-- I Предельно допустимые концентрации средних и тяжелых элементов во многих полупроводниках по техническим условиям не должны превышать 10""-10 2 в то время как газообразующих Ю-Ю""* 2-4 Очистка полупроводников от кислорода весьма затруднительна. Необходимость контролирования таких низких концентраций примесей предъявляет жесткие требования к чувствительноетям используемых методов. Необходима разработка высокочувствительных методов определения содержания примесей и легирующих добавок и др.), а также их распределения в готовых приборах. Химические, физико-химические и некоторые физические методы не отвечают этим требованиям, так как их чувствительность обычно находится на уровне Ю Ю /5, 7-10 Радиоактивационный анализ может способствовать решению /.В.О.М.и.Р.Ге.проблемы аналитического контроля на стадии наладки технологических режимов производства высокочисгых полупроводников 12, 31 Актйвационный анализ с помощью реактора позволяет определять большинство алементов (за исключением легких) при концентрациях Ю-Ю" 6, 7, 13-21, 24, 26 А предел обнаружения многих элементов -активационным методом составляет 10"" Ю"" 22, 23, 25 Методы, основанные на использоваг нии быстрых нейтронов и -квантов высокой энергии, в некоторых случаях позволяют определять примеси L п и на уровне 10-10"" 28,30 Значительные трудности возникают при анализе малых содержаний (ниже 10"* которые сильно влияют на свойства полупроводников. Одним из наиболее возможных способов их определения на уровне 10"-10 является метод активационного анализа на заряженных частицах (ААЗЧ) 31-34 Актйвационный анализ на ионах пЕ используется для определения L и в кремнии, карбиде кремния, германии, теллуриде кадмия, фосфиде и арсениде галлия. Активацией протонами определяется содержание азота в монокристаллах карбида кремния, кремнии, полученных различными методами, а дейтронами содержания кислорода в селене, углерода в кремнии 32 Работ, посвященных различным аспектам использования метода для анализа полупроводников, очень мало. Практически не исследованы вопросы распределения элементов в готовых изделиях. Применение ААЗЧ для установления концентрации элементов с 1 0 до сих пор не рассмотрено. Не разработаны методы определения легких элементов в сложных полупроводниках, не известно применение различных вариантов ААЗЧ для анализа разнообразных их компонентов, осваиваемых по новым технологическим процессам. При изготовлении кремниевых приборов используется высокотемпературное окисление (ВТО), которое сопровождается диффузией кислорода в исходные кристаллы. Кислород влияет на параметры приборов, поэтому определение его концентрации и распределения после ВТО практически важно. Однако до сих пор методом М З Ч не определяется распределение кислорода в кремниевых образцах и его влияние на изготовление мощных полупроводниковых приборов. Для измерения распределения кислорода в толстых слоях методом мгновенного ядерного анализа (где при одном облучении измеряется распределение кислорода в небольших слоях) требуется многократное облучение 35 Классический метод ИК-спектроскопии 36-39 регистрирует только оптически активный кислород и не дает сведений о его абсолютной концентрации и распределении/2*3 На ядрах полупроводниковых элементов во многих случаях образуются позитронно-активные радионуклиды, что очень часто осложняет применение недеструктивных вариантов ААЗЧ. Реакции на ядрах полупроводниковых элементов, мало изучены. Измерены выходы короткоаашущих радиоактивных нуклидов и сечения активации для таких компонентов полупроводников, как J, ULUL 6/32,40, 41 Функции возбуждения ядерных реакций, описанные в литературе, приведены для ограниченного диапазона энергий заряженных частиц и не всех рассматриваемых полупроводников 42, 43-49 в связи с чем невозможно получить информацию о необходимых параметрах разрабатываемых методик анализа, о влиянии основ. Не изучены ядерно-физические характеристики реакций, вызываемых заряженными частицами на ядрах полупроводниковых материалов, необходимые для проведения активационного анализа, при оценке влияния радиоактивных нуклидов, образующихся от основы, на чувствительности определения примесей. Кроме того, не конкретизированы возможности применения метода в исследованиях различных процессов термообработки при изготовлении полупроводниковых приборов. Таким образом, существует ряд проблем, связанных с применением метода ААЗЧ для анализа полупроводниковых материалов. Не изучены реакции, происходящие под действием различных типов заряженных частиц на ядрах полупроводниковых элементов, не выяснена их роль при определении концентрации примесей и легирующих элементов; отсутствует оценка необходимых коэффициентов радиохимического выделения нуклидов. В соответствии с этим, целью этой работы явилось изучение перечисленных аспектов, показ аналитических возможностей ААЗЧ при определении элементного состава полупроводников; разработка высокочувствительных экспрессных, многоэлементных методов анализа широко применяемых полупроводников (с// tolL)* исследование методики определения микроконцентраций кислорода и углерода, а также их распределение в образцах кремния; практическое внедрение разработанных методик. Дня решения поставленной задачи была разработана методика и экспериментально определены микроконцентрации кислорода в исходных и послойное распределение его в высокотемпературно окисленных при различных режимах образцах кремния. Изучены влияние других примесей на определение концентрации газообразующих примесей и ядерные реакции, протекающие на нуклидах полупроводниковых материалов при облучении их протонами, дейтронами, ионами Экспериментально измерены функции возбуждения ядерных реакций, вызываемых заряженными частицами и выходы J -квантов возникающих радионуклидов, проведена оценка избирательности и уровня помех от основы при определении концентрации L t N и в полупроводниковых материалах активацией заряженными частицами.Представлены результаты комплексных исследований ядернофизических проблем активационных методов анализа полупроводниковых материалов на циклотроне: методика анализа различных марок исходных полупроводниковых материалов высокой чистоты на содержание в них кислорода и других примесей и послойного распределения кислорода в ВТО образцах кремния; определение послойного распределения, растворимости, коэффициента и глубины диффузии кислорода в ВТО образцах кремния в зависимости от условия термообработки; экспериментальные данные по функциям возбуждения ядерных реакций и выходам радионуклидов, образующихся на ядрах полупроводниковых элементов при облучении их прогонами и дейтронами, вычисленные значения выходов радионуклидов по реакциям на ионах НВ оценка избирательности и уровня помех от основы при анализе полупроводниковых материалов; конкретные методики анализа полупроводников. Работа состоит из грех глав и двух приложений. В первой главе приведен литературный обзор состояния методов анализа полупроводниковых материалов и дается постановка задачи. Во второй главе представлены результаты исследования некоторых физических вопросов метода активационного анализа на заряженных частицах при определении послойного распределения примесей в полупроводниковых материалах и описана техника эксперимента. Приведены экспериментальные данные по определению концентрации кислорода в различных исходных образцах кремния и послойного его распределения в образцах, прошедших высокотемпературное окисление в различных режимах, соответствующих производству кремния для полупроводниковой промышленности. Изучены растворимость и коэффициент диффузии кислорода при этих режимах. В третьей главе приведены результаты измерения и оценки и основных ядерно-физических данных реакций и радионуклидов исследования влияния основы при анализе полупроводниковых материалов. Описаны радиохимические и инструментальные методики анализа.I. СОСТОЯНИЕ МЕТОДОВ АНАЖЗА ПОЛУПРОВОДЕШКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ I.I. Полупроводниковые материалы и методы их анализа С момента открытия транзисторного эффекта в полупроводниковом германии высокой степени чистоты возрос интерес к изучению свойств различных полупроводниковых материалов и созданию электронных приборов на их основе. По уникальным характеристикам (малым размерам, низкому потреблению энергии, длительному сроку службы) полупроводниковые приборы значительно превосходят электровакуумные. Полупроводники широко применяются в микроэлектронике, различных логических системах, радиоэлектронике, кибернетике, автоматике, радарной и ракетной технике и во многих других областях. В соответствии с этим ускорились темпы разработки новых типов полупроводниковых приборов, технологических способов их создания. С момента получения полупроводникового материала антимонида индия ассортимент полупроводниковых материалов сильно возрос, лишь трудности очистки и стабилизации вещества ограничивают их число. Кроме основных элементарных полупроводниковых материалов кремния и германия, известны такие сложные материалы, как 01 и, MSS, Ш (ktP, Cdk M.Pu5S.PStMMs другие. Большинство сплавов, в состав которых входят халькогениды (сульфиды, теллуриды, селениды галлия, сурьмы, мышьяка), также обладают полупроводниковыми свойствами. Высокочистые сложные полупроводники нашли широкое применение в качестве приемников Ж лучей, высокотемпературных силовых диодов, фотоэлементов,туннельных диодов и т.д. Создание надежно работающих полупроводниковых приборов с улучшенными характеристиками зависит от чистоты и совершенства II исходных веществ; содержание примесей не должно превышать 10-10 а в отдельных случаях даже Ю-Ю"-- 1-4 В основе физических процессов, определяющих основные электрофизические характеристики, лежат химические свойства и кристаллическая структура полупроводников. Сверхнизкие концентрации посторонних атомов часто коренным образом изменяют электрические, оптические, магнитные, тепловые свойства, рабочие характеристики полупроводников. Стабилизация основных свойств полупроводников достигается легированием их различными элементами. Искусственно вносимые контрол1фуемые примеси могут, например, ослабить чувствительность чистого полупроводника к температуре, исключить шувш и другие побочные явления в электронном приборе. При создании таких приборов в основном используются полупроводники высокой степени чистоты, свободные от примесей легких( L i и некоторых средних элементов. Примеси вводят в определенные участки, слои высокочистых полупроводников в очень малых контролируемых дозах примерно 10-10" При этом часто происходит их непроизвольное загрязнение примесями из материалов тиглей, носителей конструкции и т.п. В зависимости от способа получения, изготовления и типа полупроводников уровень концентрации примеси в кристаллах может быть разным. Например, в высокочистом германии примеси всех элементов за исключением кислорода (содержание его на несколько порядков выше и следы его удалить из твердых материалов затруднительно), составляют Ю см или Ю"--- Для полупроводникового кремния нежелательны примеси В, Р, ж, Fe,M, [и/1/. Известна технология получения кремния с Ю--- см примесей, однако и в этом случае концентрация растворенного кислорода значительна. Для антимонидов, арсенидов и фосфидов медь, кобальт, B.CJ.O P.U5 кремния, железа, алюминия, олова и сурьмы в германии и его двуокиси с чувствительностью I0""-I0 Q Химическими методами можно анализировать содержание 19 элементов с чувствительностью 10-10 а углерода 10"" /.Спектральный анализ позволяет определять содержание П о Lcl, HQ* SL 55.5п. М, Си, йр Ог. Мп. Ti. и, Fe. Bi. и ЛЬ Б селене с чувствительностью lOT-VT II Методом изотопного уравновешивания также возможно определять содержание кислорода в кремнии с чувствительностью (1*2) ЛО" Q fyl Полярографические, калориметрические, хш;1ико-спектрадьные методы 9 применимы для анализа более 16-ти гликроэлементов в металлическом галлии высокой чистоты. Концентрации примесей /7.10" и результаты трех методов согласуются в пределах ошибок эксперимента. Метод активационной авгорадиографии, определяющий распределения лития, бора, азота, кислорода и др. в различных материалах облучением заряженными частицами низкой энергии, тлеет чувствительность по определению 10" 103 вес 10 Таким образом, чувствительности классических, физических и физико-химических методов анализа находятся на уровне 10-10/4 что не удовлетворяет требованиям современной полупроводнхшовой промышленности. Высокой чувствительностью отличаются методы, использующие свойства атомных ядер, в частности ядерно-физические, широко используемые для анализа полупроводниковых ьлатериалов. 1.2. Яцерно-физические методы анализа элементного состава полупроводников Нейтронно-активационный анализ. Один из надежных методов определения чистоты полупроводниковых материалов радиоактивационный. Работы по анализу полупроводниковых материалов развиваются в трех направлениях 12 I) анализ с радиоХ1шическим выделением нуклидов, образующихся от определяемых элементов; 2) недеструктивные методы, основанные на использовании свойств некоторых нуклидов испускать каскадные -кванты, а также специальные методы регистрации квантов, р -частиц; 3) экспресс-методы определения поверхностной концентрации и распределения элементов. Преи1,1ущество метода активационного анализа с использованием реакторных нейтронов в том, что он позволяет определять большое число nprniecen в полупроводниковых материалах на уровне lO--IO" 6, 7, 12-17, 25-31 Эти материалы уже в процессе получения очищаются от многих примесей. Однако примеси в них газообразующих элементов имеют наибольшую концентрацию, которые невозможно определять с достаточной чувствительностью с использованием тепловых и быстрых нейтронов. Активационное определение примесей в полупроводниковых соединениях осложняется из-за высокой наведенной активности основы, в результате чего требуется химическое выделение. В связи с этим в активационном анализе полупроводниковых материалов немаловажно изучение влияния основы и оценка необходимых коэффициентов радиохимического выделения. При использовании химического выделения необходимо определить коэффициент очистки, химический выход, время, необходимое для полного выделения аналитического радионуклида. Коэффициент очистки показывает до какой степени чистоты должна быть отделена мешающая примесь при анализе элемента. Химический выход показывает процент радионуклида относительно валового количества радионуклида до химического выделения /31/ Коэффициент очистки и химический выход можно найти лишь тщательным изучением влияния основы при облучении материалов активирующими частицами. Однако до сих пор этот вопрос в отношении полупроводников недостаточно изучался и проблема химического выделения решалась для частных случаев. С использованием нейтронной активации 15 были определены содержания меди, марганца, цинка, кадмия, кобальта, железа, никеля, теллура, хрома в арсениде галлия путем экстракции с последующим

Основные результаты работы были представлены на Ш-Респуб-ликанской конференции молодых физиков (Ташкент, 1976 г), 1У -Всесоюзном Координационном совещании по активационному анализу (Тбилиси, 1977 г), Всесоюзном совещании "Ядерно-физические методы анализа на заряженных частицах" (Ташкент, 1978 г), Четвертой Всесоюзной конференции по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов (Москва, 1979 г), 1У-Всесо-юзной конференции "Методы исследования и определения газов в металлах и неорганических материалах" (Ленинград, 1979 г) и изложены в 15 научных трудах.

В заключении считаю своим приятным долгом выразить благодарность руководству, партийной и профсоюзной организациям Института ядерной физики Академии наук Узбекской ССР, создавшим необходимые условия для проведения экспериментов и получения основных результатов.

Искренне признательна моим научным руководителям - доктору физико-математических наук, профессору Муминову В.А. и заведующему лабораторией активационного анализа на заряженных частицах, кандидату физико-математических наук Мухаммедову С. за непосредственное руководство, поддержку и консультации.

Я благодарна сотрудникам ФТИ АН СССР Лебедеву А.А. и Витман Р.Ф. за изготовление образцов и обсуждение результатов.

Признательна т. Султанову В., Рахманову А., Васидову А. и всем остальным сотрудникам лаборатории за эффективную помощь при проведении экспериментов.

Благодарна руководству и обслуживающему персоналу циклотрона за своевременную и квалифицированную подготовку ускорителя к экспериментам.

- 107 -ЗАКЛЮЧЕНИЕ

С использованием циклотрона исследованы активационные характеристики большинства полупроводниковых материалов, применяемых в изготовлении деталей приборов. Разработаны оригинальные методы определения послойного распределения элементов, примесного состава широко применяемых полупроводников. Результаты исследования показали, что радиоактивационный анализ на заряженных частицах является высокочувствительным методом при определении концентрации кислорода и углерода на уровне Ю*6 см~3 и ниже, большого числа средних элементов на уровне (20-3).I0"3 %.

С целью выяснения уровня мешающей радиоактивности нуклидов, образующихся от основы и примесей, при определении содержания кислорода в JI рассчитаны радиоактивности нуклидов, образующихся от примесных элементов, и проведен протонно-активационный анализ исходных кристаллов. Найдено, что радиоактивности нуклидов, образующихся от примесных элементов, не превышает значения Ю"2-Ю~5 Бк, а для Си, В?, 5L Fu составляют

I0~3-I0~5 Бк и, за исключением Сг. 2п и г с , при определении концентрации примесей кислорода или других легких элементов практически не влияют.

Исследованием примесного состава кремния протонной активацией найдено, что предел обнаружения примесных элементов Fe, Ог, V, 9а, 9-е в выбранных условиях анализа составляет (1,9-25).10"7 % и не оказывает заметного влияния на анализ. Использованием активации исходных образцов кремния различного типа протонами, ионами Fi ж Fe найдены содержания в них кислорода и углерода I,3-I,5.I016 см-3 и (1,6-2,1).I017 см"3, соответственно. В кристаллах, выращенных методом Чохральского, (2-5).I017 см-3 кислорода и (2-3).Ю17 см"3 углерода.

Изучены концентрации, растворимость, распределение и коэффициент диффузии кислорода в образцах кремния, прошедших высокотемпературное окисление в различных режимах, соответствующих производству кремния для полупроводниковой промышленности. Изучено влияние условий термообработки на концентрацию кислорода в кремнии. Найдено, что наилучшей защитой от проникновения кислорода в кремний является пленка Л/Zj? , выращенная в парах воды. Показана целесообразность использования активационного анализа на заряженных частицах в изучении распределения кислорода в кремнии и разработана методика определения послойного его распределения. Получено, что для образцов без диффузантов зависимость ) хорошо согласуется с зависшлостью ) t а в присутствии диффузантов эта зависимость носит немонотонный характер с максимумом на глубине проникновения 40-50 мкм. Коэффициент диффузии кислорода в образцах кремния без диффузантов (6,8-8,2).10"^ см2/с и в пределах ошибок совпадает с результатами, полученными методом ИК-поглощения, и результатами более ранних работ. А коэффициент диффузии в образцах (ВТО) кремния в присутствии диффузантов (1,2-2,6).10"-^ см^/с измерен только методом радиоактивационного анализа в связи с тем, что большая концентрация носителей тока на поверхности образцов после диффузии В и Р приводит к сильному увеличению ИК-поглощения в широкой области спектра и на фоне этого поглощения практически невозможно измерить поглощение, вызванное присутствием кислорода в Si . Эти работы проведены совместно с ФТИ АН СССР, где были изготовлены образцы, получены результаты по ИК-поглощению и проведено обсуждение результатов. Результаты применены при выяснении условий ВТО кремния, используемых при изготовлении мощных полупроводниковых приборов и дали экономический эффект.

Изучена степень активации полупроводников под действием различных заряженных частиц с целью оценки необходимых факторов радиохимической очистки и выбора соответствующего метода при определении легких и ряда других элементов. Измерены сечения ядерных реакций и выходы радионуклидов, образующихся при облучении протонами и дейтронами. Получено, что для ядер je , НО, 1(4 п , 69 п 125 ггт id f ba % № значения сечений активации протонами и дейтронами при энергии II МэВ составляют 400-1000 мб, на 7?п /28 ггт /ЗО'Т t/Зр j U6C J ядрах J£, 1в , 1-В , (yd % Ш , Jit сечения реакций - 100-250 мб. Из 21 функции возбуждения в интервале энергии протонов и дейтронов от порога реакции до II МэВ 15 измерены нами, а остальные уточнены.

Измерены выходы ^ -квантов 26 радионуклидов, образующихся при облучении протонами и дейтронами. Значения Yy находятся в пределах 10^-10® ^ -кв . Полученные результаты сравнивались с имеющимися в литературе и выявили удовлетворительную сходимость.

Значения сечения реакций js. выходов радионуклидов, образующихся при облучении ионами - , получены расчетным путем и составили 10-250 мб и 10^-10® Бк мкА~*ч~* соответственно при энергии F-ty =14 МэВ.

Следовательно, при облучении полупроводников заряженными частицами активируемость основы очень сильная и необходимо применение методов анализа с радиохимическим выделением аналитического радионуклида. Поэтому в работе с использованием величины выходов радионуклидов оцениваются избирательность метода и уровень помех от основы при определении С, ff, 0 и ряда других элементов. Найдено, что при определении концентрации С, tf, О в полупроводниках, содержащих /Is, Тв, Зв, 5 , активацией ускоренными легкими ионами избирательность метода достигает и при этом требуется применение радиохими

- по ческих вариантов активационного анализа с фактором химической о о очистки 10 -10 . Наиболее благоприятными характеристиками обладает кремний при использовании всех ^ипов заряженных частиц Тв, J К , Cd при использовании ионов .

Показана возможность анализа кислорода, азотами углерода, с быстрым выделением радионуклида и по реакции ТКИе^ГО по разработанной ранее схеме выделения. Определено содержание кислорода в ЕдР^ , азота - в карбиде кремния и углерода - в сплаве C^Sl, что составило 3,2.1019 см3; 1,2.1018 см-3 и I.I017 см-3,соответственно.

Разработаны недеструктивные методы анализа полупроводников активацией заряженными частицами. Найдено содержание серы в образцах кремния с целью определения его растворимости в интервале температур Ю00-1270°С и ряда элементов в карбиде кремния про-тонноактивационным методом. Показано, что только методом ААЗЧ можно определить полную концентрацию серы в исследованных образцах, что составило (1-8).I0*7 см"3 и примерно на два порядка больше значения, определенного по электрически активным центрам серы в кремнии. Активацией дейтронами ( Frf =10 МэВ, Jd =0,4 мкА, toEn =20 мин) и методом НАА определено содержание марганца в эпитаксиальных слоях карбида кремния. Установлено, что эпитак-сиальные слои, выращиваемые в присутствии марганца, загрязняются им до концентрации Ю-4 %.

Определены примеси в fi -карбиде кремния активацией протонами. Найдено, что содержание примесей

UY и го в карбиде кремния составляет (2-5).I017 см-3, содержание 1.I0*7 см-3 а содержание F& наибольшее - 4.I0*3 см-3.

1. Финкильштейн Д.Н. Чистота вещества. М. :Атомиздат, 1975,223 с.

2. Сажин Н.П. Развитие в СССР металлургии редких металлов и полупроводниковых материалов. М.: 1967. 136 с.

3. Технология полупроводниковых материалов / Пер. с анг. Инглицина М.Н./ М.: Оборонгиз, 1961. 314с.

4. Бочкарев Э.П. Физико-химические свойства полупроводниковых материалов. М. 1977. 194 с.

5. Троицкая Я.М. Современное состояние анализа селена и теллура. В кн.: Методы определения и анализа редких элементов. М.: Изд. АН СССР, 1961, с.580-627.

6. Назаренко В.А. Современное состояние аналитической химии германия. В кн.: Методы определения и анализа редких элементов. М.: Изд. АН СССР, 1961, с.400-462.

7. Усманова М.М., Янковская Т.А., Холявко Е.П.,Ходжамбердыева А., Азовцева Л.Н. Нейтронно-активационные методы исследования микропримесного состава полупроводникового германия. Заводская лаборатория, 1983, т.49, Л 2, с.62-64.

8. Швангирадзе P.P., Оганезов К.А., Чихладзе В.Я.Использование полого катода для определения кислорода в кремнии методом изотопического уравновешивания. -В кн.:Методы определения и исследования состояния газов в металлах.М.:Наука,1968, с.83-87.

9. Лысенко В.И., Ким А.Г. Методы концентрирования веществ в аналитической химии. М.: Наука, 1965. 200 с.

10. Ю.Бабикова Ю.Ф., Гусаков А.А., С.С.Казаков, В.М.Минаев. Современное состояние и перспективы развития активационной авторадиографии. В кн.Использование ускорителей в элементном анализе. Ташкент: Фан, 1980, с.47-60.

11. П.Зайдель А.Н., Островская Г.В., Островский Ю.И. Техника и практика спектроскопии. М.: Наука, 1979, 416 с.

12. Алимарин И.П. Анализ полупроводниковых материалов. М., Наука, 1968, 264 с.

13. Алимарин И.П., Яковлев Ю.В. Ядерно-физические методы анализа. Атомная энергия, 1969, т.26, с.127-132.

14. Алимарин И.П., Яковлев Ю.В. Ядерно-физические методы анализа. В кн.: Ядерно-физические методы анализа вещества. М.: Атом-издат, 1971, с.5-14.

15. Догадкин Н.Н., Яковлев Ю.В. Активационное определение примесей в граммовых навесках арсенида галлия. В кн.: Ядернофизические методы анализа вещества. М.: Атомиздат I97I.C.29-35.

16. Боганч Я., Чех Ш., Элек А. и др. Применение активационного анализа для определения примесей в материалах для полупроводниковой техники. В кн.: Ядерно-физические методы анализа вещества. М., Атомиздат 1971, с.46-51.

17. Ламбрев В.Р., Родин И.Н. и др. Нейтронно-активационный анализ полупроводниковых материалов. В кн.: Ядерно-физические методы анализа вещества. М.: Атомиздат, 1971, с.90-93.

18. Усманова М.М., Янковская Т.А., Холявко Е.П.Доджамбердыева АА Нейтронно-активационные методы исследования примесного состава особо чистого германия.-Докл.АН УзССР,1976,1!з II, с.24-26.

19. Jaskolka I.N. ,Rowinska L.,Wilis L.Application of neutron activation analysis for the determination of implantation profiles of phosphorus in semiconductor grade silicon.-J.Radio-anal.Chem .1977,v.38,N1,p.29-35.

20. Niese S.I. Neutron activation analysis of semiconductor silicon . -J .Radioanal.Chem.,1977,v.38,N2,p.37-41.

21. Verheijke M.L.,Verplanee J.C.Overall instrumental thermal neutron activation analysis of high purity materials.-J.Radioanal .Chem.v.15,N2,p.509-515.

22. Opdebleck Т.Activation analysis basis for chemical similarity and classification.-J.Radioanal.Chem., 1977, v 37, no 1, p. 213-221.

23. Аббосов 0., Кедири С., Старчик JI.П. Гамма и нейтронно-акти-вационный анализ с применением лишенного ускорителя электронов на 4,2 МэВ. В кн.: Ядерно-физические методы анализа вещества. М.: Атомиздат, 1971, с.244-247.

24. Махмудов Б.С. Исследование карбида кремния, легированного различными примесями, методами нейтронно-активационного анализа. Автореф.диссерт. на соискан.ученой степени канд.физ.мат.наук. Ташкент, 1982, 22 с.

25. Luts G.J. Calculation of sensitivities in photon activationanalysis.-Anal.Chem., 1969, v.41, N3, p. 424-427.

26. Яковлев Ю.В. Основные проблемы анализа веществ высокой чистоты. Заводская лаборатория, 1962, т.28, № 6, с.643-644.

27. Ильин М.А., Коварский В.Я., Орлов А.Ф. Определение содержания кислорода и углерода в кремнии оптическим методом. -Заводская лаборатория, 1984, т.5, № I, с.24-32.

28. Венков С.Н., Зюбко В.А. и др. Автоматизированная установка для анализа газов на быстрых нейтронах. В кн.: Активадион-ный анализ. Ташкент, ФАН, 1971, с.323-329.

29. Тустановский В.Т. Оценка точности и чувствительности активационного анализа. М.: Атомиздат, 1976, 192 с.

30. Пронман И.М. Современное состояние активационных методов определения газовых смесей в металлах и полупроводниковых материалах. В кн.: Методы определения и исследования состояния газов в металлах. М.: Наука, 1968, с.134-141.

31. Кузнецов Р.А. Активационный анализ. М.: Атомиздат, 1974, 281 с.

32. Муминов В.А., Мухаммедов С. Ядерно-физические методы анализа газов в конденсированных средах.Ташкент,ФАН,1977,206с.

33. Krasnov N.N.,Dmitriev P.P.,Dmitrieva Z.P.,et al.Proc.of conf.the uses of cyclotrons in Chemistry,Metallurgy and Biology,London, 1970,p.341-345.

34. Newman R.C.,Willis I.B.Vibrational absorption of carbon in silicon.-J.Phys.Chem.Solids,1965,v.26,N2,p.373-379.

35. Реньян В.P. Технология полупроводникового кремния. М.: Металлургия, 1969, 334 с.

36. Витман Р.Ф., Лебедев А.А. Определение коэффициентов диффузии примесей по оптическому поглощению. Физика и техника полупроводников. 1978, т.12, с.2069-2071.

37. Endo Y.,Yutsuriugi Y.,Akiyama N. and Nozaki Т. IR-absorpti-on spectrometry for the carbon in silicon as the combination with charged particle activation analysis.-Anal.Chem. 1972,v.44,p.2258-2264.

38. Poline IJ.T.,Tanaka S.,Amono Н. et al.Euclear reactions of 69 n Г/Гja and ItGL With 13-56 MeV protons.-Uucl.Phys. 1963,v.43, 113, p. 500-522.

39. Ilatowitz J.B. and Wolke R.L.Isomeric Gross Sections and Yield Ratios of (d, P) Reactions below 15 MeV.Phys.Rev., 1967,v.155,N4,p.1352-1361.

40. Скакун E.A., Юпочарев А.П., Ракивненко Ю.Н., Романии И.A. Функции возбуждения {Р, П ) и (Р реакции на изотопах кадмия. Изв. АН СССР, 1975, т.39, № I, с.24-30.

41. Otozai K.,Kuse S.,Okamura H.et al.Excitation functions for deiteron-induced reactions.-Nucl.Phys.,A,1968,v.107,N 2, p.427-435.

42. Debuyst R.and Vander Striht A.Excitation functions and80n SO/ЯПyield ratios for the isomeric pair и*-, Uc formed in (d,2*li)у (ol, P/t J an£ 2ft) reactions on selenium.-J.Inorg.lmcl.Chem.,1968,v.30,H3,p.691-698.

43. Paul P.Goetzee and Max Peisach.Activation Gross Sections for Deuteron-Inauced Reactions on some elements of the First Transition Series up to 5,5 MeV.-Radiochim.acta,1972,v17,H1, p.1-6.eR

44. Дмитриев П.П., Панарин М.В., Дмитриева З.П. Выходы D7 ,в ядерных реакциях с г , к- и <?с -частицами.- Атомная энергия, 1982, т.52, в.1, с.72.

45. Bowen L.H. and Ivvine J.Y/.Uuclear Excitation Functions^and1. Thick-Target Yields

46. T, Жгг , % (d, T) and Phys.Rev.1962,v.127,N5,p.1698-1704.

47. Махмудов Б.С., Саидбеков Д.Т., Юлдашев Т.Ф. Растворимость Мп* SiC. Изв. АН УзССР сер. физ.-мат.наук, 1977, .ь 4, с. 78-79.

48. Александрова Г.Н., Демидов A.M., Котельников Г.А. и др. Определение содержания кислорода в германии и кремнии при активации ионами гелия-3. В кн.: Методы определения и исследования состояния газов в металлах. М.: Наука, 1968, с. 102-108.

49. Александрова Г.Н., Демидов А.Н., Борисов Г.И. и др. Определение содержания кислорода и углерода в некоторых чистых материалах активацией ионами Нв . В кн.: Активационный анализ. Ташкент: ФАН, 1971, с.210-214.

50. Aleksandrova G.I.,Shmanenkova G.I.,Shulepnikov M.U. et.al. Analyse de metaux rares et de materiaux semiconductors a'l aide de 1'activation aux nelions-3 et aux neutrons thermi-ques, -J.Radioanal.Chem.1974,v.19,N1,65-75.

51. Пронман Н.М., Кудинов Б.С. Определение углерода, азота и кислорода в редких металлах и полупроводниковых материалах

52. J -активационным методом с чувствительностью %.- В кн.: Ядерно-физические методы анализа вещества. М.: Атомиздат, 1971, с.222-231.

53. Краснов Н.Н. Физические основы активационного анализа на заряженных частицах. Атомная энергия, 1969, т.26, вып.З, с.284-285.

54. Краснов Н.Н., Дмитриев П.П., Константинов Н.О. Сравнение способов определения примесей углерода и кислорода методом активационного анализа на различных заряженных частицах.

55. В кн.: Ядерно-физические методы анализа вещества. М.: Атомиздат, 1971, с.173-180.

56. Муминов В.А., Мухаммедов С. Состояние и перспективы развития ядерно-физических методов анализа на заряженных частицах. В кн.: Использование ускорителей в элементном анализе. Ташкент, ФАН, 1980, с.4-40.

57. Краснов Н.Н., Дмитриев П.П., Дмитриева 3.П.Константинов H.Q

58. Молин Г.А. Выходы изотопов . . при облученииуглерода и кислорода заряженными частицами. Атомная энергия, 1969, т.27, вып.2, с.125-128.

59. Долгиенко А.П., Корниенко Н.Д., Литовченко Н.Г. Определение содержания кислорода в кремнии и карбиде кремния путем активации ^ -частицами с энергией 27,2 МэВ. В кн.:Ядерно-физические методы анализа вещества. М.: Атомиздат, 1971,с.184-188.

60. Schuster E.,Wohleben К.The nondestructive determination of Carbon in Silisium to use reaction 'X(d,n)'SH -г .Anal. Chim., 1961, v. 24,Ю, p. 175-183.

61. Куин П.Н. Радиоактивационный анализ примесей в карбиде кремния. В кн.: Карбид кремния. М.: Мир, 1972, с.290-300.

62. Tilbury S.,Wall V/.IT.Activation analysis by high energy particles .-nucleonics.1965,v.29,H9,p.70-78.

63. Nozaki T.,Yatsurugi Y.,Akiyama N.et.al.Behaviour of light impurity elements in the production of semiconductor silicon. -J.Radioanal.Chem. 1974, v. 19, IT 1,p.109-128.

64. Debrun J.L.,Barrandon J.N. and Behaben P.Irradiation of elements from to 42 with 10 MeV proton and application to activation analysis.-Anal.Chem.1976,v.48,N1,p.167-172.

65. Ефимов И.E., Горбунов Ю.Н., Козырь Н.Я. Микроэлектроника. М.: Высш.школа, 1977, 416 с.

66. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. ГЛ.: Энергия,1973, 655 с.

67. Козлов И.П., Литвиенко А.Г., Лучаков П.Ф., Мишук С.В., Ткачев В. О комплексах кислород-дивакансия в кремнии. ФТП, 1972, т.6, в.10, с.2048-2050.

68. Витман Р.Ф., Лебедев А.А. Влияние кислорода на характеристики приборов с Р -It переходами. Электротехническая промышленность, сер. Преобразовательная техника, 1978,вып.7 (102), с.4-6.

69. Мордкович В.Н. 0 влиянии кислорода на проводимость кремния. ФТТ, 1964, т.6, с.847-851.

70. Васидов А. Исследование физических проблем применения протонного активационного анализа и разработка методов определения примесей в легких сплавах. Диссерт. на соискан.ученой степени канд.физ.-мат.наук. Ташкент, 1982, с.32-38.

71. Демьяновский О.Б., Лейкин Е.М., Яблонин К.И.Стабильный одноламповый интегратор для мониторов ядерных излучении. -Приборы и техника эксперимента, 1963, Ш 3, с.82-84.

72. Затолокин Б.В. Исследование и разработка некоторых проблеми методов активационного анализа на циклотроне. Автореф.диссерт. на соискан. ученой степени канд.физ.-мат.наук. Ташкент, 1978, 16 с.

73. Немец О.Ф., Гофман Ю.В. Справочник по ядерной физике. Киев: Наукова Думка, 1975, 415 с.

74. Затолокин Б.В., Константинов Н.О., Краснов Н.Н. Использование протонов с энергией II МэВ в активационном анализе. -Атомная энергия, 1977, т.42, вып.4, с.311-314.

75. Schweikert Е.А. Advances in accelerator based analysis techniques .-J.Radioanal.Chem. 1981,111 -2, p. 195-212.

76. Мухаммедов С. Исследование протонно-активационного анализа некоторых легких и средних элементов. Диссерт. на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук, Ташкент, 1973, 125 с.

77. Мордкович В.Н., Бломкин Э.П., КОпцева Ю.А. Электронная техника. Полупроводниковые приборы, 1967, вып.1, № I, с.27-30.

78. Гринштейн П.М., Лазарева Г.В., Орлова Е.В. и др. Об условиях температур 600-800°С. Физика и техника полупроводников, 1978, т.12, № I, с.121.

79. Haas G.T. The Diffusion of oxygen in Silicon and Germanium. -J.Phys.Chem.Solids,1960,v.15,N1,p.108-111.83. bogan R.A. and Peters A.J. Diffusion of oxygen in silicon. -J.Appl.Phys., 1959.v.30,11 11 ,p. 1927-1929

80. Юлдашев Г.Ф. Исследование характера распределения и растворимости ряда примесей в монокристаллах карбида кремния методами нейтронно-активационного анализа. Автореферат на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук. Ташкент, 1973, 15 с.

81. Гусева Н.Б., Никитина И.П., Ситникова А.А. и др. Изучение изменения структурного совершенства безтигельного кремния в результате высокотемпературной обработки. ФТТ, 1979,- 124 -в. 21, № 5, с.1376-1380.

82. Гусев Н.Г., Дмитриев П.П. Квантовое излучение радиоактивных нуклидов. М.: Атомиздат, 1977, 397 с.

83. Муминов В.А. Исследование и разработка основных проблем и методов комплексного использования циклотрона для элементного анализа. Автореф.диссерт. на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук. Ташкент, 1973, 22 с.

84. Муминов В.А., Мухаммедов С., Султанов В., Рахманов А. Определение содержания кислорода, углерода и азота по ядерным реакциям на заряженных частицах. Изотопы в СССР, 1977, № 50, с. 40-44.

85. Султанов Б. Исследование и разработка методов определения содержания углерода, азота и кислорода активацией на заряженных частицах. Автореф.диссерт. на соискан. ученой степени канд.физ.-мат.наук. Ташкент, 1977, 16 с.

86. Хайдаров Р.А. Исследование методов определения элементов сi? от 12 до 30 и Мо на заряженных частицах. Автореф.диссерт. на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук. Ташкент, 1977, 17 с.

87. Стародубцев С.В., Романов A.M. Прохождение заряженных частиц через вещество. Ташкент, АН УзССР, 1962, 225 с.

88. Krivan K.,Krivan V.Thick target yields and analytical sensitivity for reactions induced v/ith 12 IvIeV protons Ti, Fe, Zh, , Ж Pd, Та and V/.-Z.Anal.Chem.,1979,v.259, 114, p. 348-355.

89. Hershberger R.L.,Flirm D.D.,Gabbard F.and Jonson C.H.

90. Systematica of pronon absorption deduced from (Py P') andп \ 107,109 л

91. H, Ft) cross sections for 2j6,7 MeV pcotons on rtQ5V сand JH -Phys.Rev.C.,1980,v.21,КЗ,p.896-901.

92. Лебедев А.А., Султанов H.A., Тучкевич B.M. // -образное отрицательное сопротивление и фотопроводимость Р Si с примесью серы. ФТП, 1971, 5, с.22-38.

93. Юнусов М.С. Электрофизические свойства кремния, легированного элементами платиновой группы. Известия АН УзССР, сер. физ.-мат.наук, 1979, № 3, с.47-49.

94. Carlson R.О.,Kali R.N.,Rell E.M.Sulfer in silicon.-J.Phys. Chem.Solids,1959,v.8,N1,p.81-83.

95. Юнусов M.C., Каримов M. Растворимость серы в кремнии. Изв. АН УзССР, сер.физ.-мат.наук, 1978, № 2, с.80-82.

96. Zatolokin B.V.,Konstantinov И.О.,Krasnov N.N.Thich Target1. ЪЧнг гп 5 S пfyields of it and Li produced by varionscharged particles on phosphorus,sulphur and clorine targets-Int.J.Appl.Radiat.Isotop.,1976,v.27,КЗ,p.159-161.

97. Krasnov N.N.,Konstantinov I.0.,Malukhin V.V.Investigation of the depth distribution of impurities by charged-particle activation.-J.Radioanal.Chem.,1973,v.16,439-444.

98. Вакилова Г., Витман Р.Ф., Воронков В.Б., Лебедев А.А., Мухаммедов С. Влияние диффузантов на распределение кислорода в дислокационном кремнии. Физика и техника полупроводников. 1981, т.15, вып. 7, с.1436-1438.

99. Вакилова Г., Витман Р.Ф., Воронков В.Б., Лебедев А.А., Муминов В.А., Мухаммедов С. Исследование влияния условий термообработки на концентрацию кислорода в кремнии. Преобразовательная техника. 1979, вып. 9(116), с.1-3.

100. Вакилова Г., Муминов В.А., Мухаммедов С. Многоэлементный анализ полупроводникового кремния активацией на заряженных частицах. Докл. АН УзССР, 1979, № 9, с.33-34.

101. Васвдов А., Вакилова Г., Мухаммедов С. Функции возбуждения

102. Изв. АН УзССР, сер. физ.-мат. 1981, № 3, с.93-94.

103. Вакилова Г., Султанов Б. Определение содержания кислорода- В кн.: Использование ускорителей в элементном анализе. Ташкент: ФАН, 1980, с.74-78. 109. Вакилова Г., Витман Р.Ф., Воронков В.Б., Лебедев А.А.,

104. Муминов В.А., Мухаммедов С., Рожков В.М. Исследование диффузии кислорода в кремнии различными методами. В кн.:Легирование полупроводников. Москва, Наука, 1982, с.114-120.ядерных реакций типа (Р, tl ) на изотопахпо реакцииво фторсодержащих материалах.

105. Вакилова Г., Витман Р.Ф., Лебедев А.А., Мухаммедов С. К вопросу о поведении кислорода при высокотемпературной обработке. Физика и техника полупроводников. 1982, № 12, с.2204-2207.

106. Вакилова Г., Васидов А., Мухаммедов С., Султанов Б., Рахманов А. Влияние основы при анализе полупроводниковых материалов активацией дейтронами. Тезисы Ш-Республи-канской конференции молодых физиков. Ташкент: ФАН, 1976,с.140.

107. Вакилова Г., Муминов В.А., Мухаммедов С. Методика определения распределения кислорода в кремнии активацией заряженными частицами. Активационный анализ в науке и технике. Ташкент: ФАН, 1980, с.120-126.