Исследование микростриповых газовых камер с полупроводящим покрытием тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.16 ВАК РФ

Физический институт имени П. Н. Лебедева РАН

Физика высоких энергий и космических лучей Лаборатория электронов высоких энергий

На правах рукописи УДК 539.1.074

НЕГОДАЕВ Михаил Александрович

[ССЛЕДОВАНИЕ МИКРОСТРИПОВЫХ ГАЗОВЫХ КАМЕР С ПОЛУПРОВОДЯЩИМ ПОКРЫТИЕМ

Специальность 01.04.16 - физика атомного ядра и элементарных частиц

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Москва 1997

С;

Работа выполнена в Физическом институте им. П. Н. Лебедева Российской Академии наук.

А. А. КОМАР, В. М. ГРИШИН.

Л. Н. СМИРНОВА, Г. А. СОКОЛ.

Ведущая организация: Институт ядерной физики РАН.

Защита состоится_1997 г. в_часов на заседании

диссертационного ученого совета К002.39.04 Физического института им П. Н. Лебедева РАН по адресу: Москва, Ленинский проспект, 53. С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ФИАН.

Автореферат разослан_ 1997 г.

Ученый секретарь Специализированного совета доктор физико-математических

наук В. Д. СКАРЖИНСКЖ

Научные руководители:

доктор физико-математических наук кандидат физико-математических наук

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук кандидат физико-математических наук

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Эксперименты в физике высоких энергий предъявляют повышенные требования к работам характеристикам детекторов элементарных частиц, таких как скорость счета, стабильность ю времени, точность в определении координаты трека прошедшей истцы. Предложенный А. Оэдом в 1980 г. новый тип детектора тонизирующих излучений - микростриповая газовая камера (МСГК), шляется а последние годы предметом интенсивных экспериментальных и сорешческих исследований.

Одной из основных экспериментальных проблем в разработке МСГК вляется изготовление полупроводящих подложек для электродов, позво-яющих избежать накопления заряда и значительно улучшить стабиль-ость газового усиления этих детекторов при больших загрузках, что озволит использовать эти детекторы в будущих экспериментах с ольшой светимостью в физике высоких энергий, таких как, например, ксперимент CMS на LHC в ЦЕРНе , Тем самым они будут способство-ать решению как актуальных проблем в физике высоких энергий, так и спешному применению этих приборов в медицине и технике.

Задачами диссертационной работы являлись: исследование эзможноста использования полупроводящих покрытий для ^электрических подложек в МСГК с целью решения проблемы стекания 1ряда с них; выбор материала покрытий и метода его нанесения; иработка технологии получения полупроводящих покрытий и их '-следование.

Научная новизна.

1. Разработана многоцелевая электрофизическая установка ТЗЛИС", которая позволяет осуществлять ионное облучение

разнообразных мишеней для получения новых материалов, имеющн приложение в различных областях науки и техники.

2. Разработан способ получения высокоомных пленок с электронно проводимостью методом ионно-лучевого распыления.

3. Изготовлены МСПС с полупроводящим покрытием следующ* типов: высокоомное стекло с электронной проводимостью, части восстановленная окись кремния, алмазоподобная углеродная пленк пленка резистивного полиамида.

4. Измерены характеристики МСГК с полупроводящим покрытие Показано, что пассивирование МСГК тонкими пленками стекла электронной проводимостью обеспечивает стабильш спектрометрические характеристики, вплоть до загрузок ~2*105 Гц/мм2

5. Проведены испытания старения МСГК с полупроводяхщ покрытием в интенсивном пучке рентгеновского излучения.

6.Предаожена методика и проведено исследование стойкое микросгриповой структуры МСГК к бомбардировке медленными иона! рабочего газа (Аг).

Практическое значение:

1. Созданная многоцелевая электрофизическая установка "ГЕЛИ является одним из эффективных средств получения пленок различи материалов, которые представляют большой интерес как объек физических исследований, а также пленок, имеющих приложение различных областях науки и техники.

2. Показано, что пассивирование МСГК полупроводяп покрытием обеспечивает стабильные спектрометрические характернси детекторов вплоть до загрузок ~ 2*105 Гц/мм2.

3. Разработанный и исследованный метод пассивации подло; МСГК полупроводящим покрытием является одним из эффективны

;ростых, а также наиболее дешевым средством защиты стандартных иэлектрических подложек, используемых при изготовлении [икростршовых структур МСГК, от накопления на них заряда..

На защиту выносятся следующие положения:

1 .Разработана многоцелевая установка "ГЕЛИС" . Она позволяет существлять ионное облучение разнообразных мишеней для получения овых материалов, которые представляют интерес в различных областях ауки и техники.

2. Разработан способ получения высокоомных пленок с электронной эоводимостыо методом иошю-лучевого распыления.

3. Изготовлены МСГК с полупроводящим покрытием следующих шов: высокоомное стекло с электронной проводимостью, частично »остановленная окись кремния, алмазоподобная углеродная пленка, генка резистивного полиимида.

4. Измерены характеристики МСГК с полупроводящим покрытием, оказано, что пассивирование МСГК. тонкими пленками стекла с ектронной проводимостью обеспечивает стабильные спектрометри-ские характеристики детектора, вплоть до загрузок ~2* 105 Гц/мм2.

5. Проведены испытания старения МСГК с полупроводящим крытием в интенсивном пучке рентгеновского излучения.

6. Предложена методика и проведено исследование стойкости зсростршювой структуры МСГК к бомбардировке медленными ионами оочего газа (Аг).

Апробация работы.

Основные результаты, изложенные в диссертационной работе, шадывались на 1-м Всесоюзном совещании по высокотемпературной рхпроводимости (Харьков, 1988), 2 -м Всесоюзном совещании по сокотемпературиой сверхпроводимости (Киев, 1989), 10-й Всесоюзной

конференции "Взаимодействие ионов с поверхностью" (Москва , 1991) 8-й Всесоюзной конференции по росту кристаллов (Харьков , 1992 ) , Hi 1-м Международном совещании по микростриповым газовым камера* (Гренобль, Франция, 1993), на 2-м Международном совещании по микро стриповым газовым камерам (Легнаро, Италия, 1994), на 3-м Между народном совещании по микростриповым газовым камерам ( Лион Франция, 1995). Получен патент "Способ изготовления пленок i монокристаллов сверхпроводящих металлооксидных материалов j устройства для его осуществления" РФ N5- 2012104. Приоритет о 01.02.91. Результаты работы по созданию МСГК с полупроводящи) покрытием включены в окончательный обзорный доклад межд\ народного сотрудничества R&D - 28 "Разработка микростриповы газовых камер для регистрации излучения и трекинга при высоки загрузках" (ЦЕРН, 1996).

Публикации. По результатам диссертации опубликовано в вщ статей, препринтов, докладов и тезисов 25 работ.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении сформулирована цель работы, кратко изложено содержание глав диссертации и приведены положения, выносимые на защиту.

В первой главе описаны принципы работы МСГК как прибор являющегося современным вариантом развития многопроволочгк пропорциональной камеры (рис. 1,2,3,4), приведен краткий обз< исследований, направленных, на создание относительно недорог« радиационностойкой МСГК, которая нашла бы свое применение как физике элементарных частиц, ящерной физике, рентгеновской астроном] и промышленности, так и в медицинской диагностике.

И Уо

Тонкое окно

Сигнал

Анодная сровопочка

Катод

Рис. 1. Счетчик Гейгера - Мюллера, 1928 г.

Катодные плоскости

Анод

Рис. 2. Многопроволочная пропорциональная камера, 1968 г.

Заряженная частица

Дрейфовый электрод

Диэлектрическая подложка

Дрейфовый промежуток

Лавинная область

Электрод

200 микрон

Рис. 3. Микростриповая газовая камера, 1988 г.

Дрейфовый электрод "

Полупроводящий (резистивный) слой

Газовый объем

Диэпектри подложка

Катод

Рис. 4. МСГК с пассивацией тонкой полупроводящей пленкой

Во второй главе излагаются методы получения тонких пленок, специфика метода ионно-лучевого распыления и его преимуществ по сравнению с другими. Описана конструкция и физические принципы, положенные в основу проекта многоцелевой электрофизической установки "ГЕЛИС", которая представляет собой ускоритель ионов с энергией до 50 кэВ, предназначенный для широкого спектра физических экспериментов, в то же время его можно использовать и для получения тонкопленочных покрытий различных материалов (в том числе пленок высокотемпературных сверхпроводников) методом ионно-лучевого распыления.

Основной частью установки; "ГЕЛИС" (рис. 5) является ускоритель ионов малой энергии, который включает в себя:

• ионный источник (собственно ускоритель) с оборудованием, обеспечивающим его питание;

• систему фокусировки ионного пучка;

• вакуумную систему;

• диагностическую аппаратуру для измерения тока и энергии ионного пучка.

Основные отличия установки "ГЕЛИС" от промышленных ионно-учевых установок, используемых для получения тонких пленок, аключаются в возможности получения пленок при распылении азличных мишеней как в вакууме, так и в химически активной газовой реде, что существенно расширяет спектр физических свойств пленок.

12 3 4 5 6 7 8 9 10

Рис. 5. Установка "ГЕЛИС": 1 - ионный источник дуоплазматрон); 2 - электромагнитная линза; 3 - трехступенчатая шера дифференциальной откачки; 4 - измеритель тока пролетного . urna; 5 - вспомогательный источник ионов; 6 - цилиндр Фарадея; 7 -амера экспонирования мишеней; 8 - устройство для алориметрического определения тока ионного пучка; 9 гектростатический анализатор; 19 - приемники анализируемых истиц; 11 - водоохлаждаемый держатель мишени; 12 - мишень; 13 -шройОпво подачи газа в вакуумную камеру; 14 - подложка; 15 -агреватель подложек.

Вакуумная система установки "ГЕЛИС" обеспечивает рехступенчатый режим дифференциальной откачки, который позволяет оддерживачъ вакуум в области формирования и ускорения ионного учка на уровне ~ 1(И торр при давлетга рабочего газа в камере аспыления до 5 торр, а магнитная линза системы формирования

ионного пучка позволяет, используя механизм газовой компенсации объемного заряда пучка, распылять как проводящие, так I диэлектрические материалы при плотности ионного тока на мишень дс 100 мА/см2

В установке "ГЕЛИС" ускоренный до заданной энергии пучок ионо! из ионного источника необходимо ввести в камеру экспонировали мишеней, пропустив его с минимальным потерями сквозь блок диафрап, камеры дифференциальной откачки вакуумной системы установки Диаметр отверстий диафрагм и расстояние между ними выбираются и: условий требуемого перепада давления рабочего газа между камерой экспонирования мишеней и ионопроводом.

Экспериментально исследована возможность приготовления нг установке "ГЕЛИС" тонких пленок различных материалов, в том чисж пленок ВТСП (состав У-Ва-Си-О), высокоомных полупроводящих плено* (электронное стекло, аморфный кремний, алмазоподобные пленки) Полупроводящие покрытия наносились на подложку МСГК пр! распылении мишеней из высокоомных электронных стекол с р ~109 - 10" Ом* см. В качестве мишеней использовались пластаны из силикатных I фосфатных стекол с электронной проводимостью толщиной 4 - 5 мм \ диаметром около 80 мм, изготовленные по рецептурам и технологии АС НПЦ НИИ электровакуумного стекла.

Удельное сопротивление многокомпонентного силикатного стеклг (р ~ Ю9-Ю10Ом*см) определяется прыжковой проводимостью поляроно! малого радиуса между состояниями с различной валентностью ионо] переходных металлов (ванадий, железо). Фосфатное стекло имеег удельное сопротивление р~ 109 Ом*см, причем, благодаря увеличенному содержанию окиси свинца, проводимость после распыления может

пределяться не только прыжковым, но и зонным (металлическим) механизмом.

В качестве подложек использовались пластинки фотошаблонного варцевого стекла ( р = 1016 Ом * см) размером 127 * 127 * 3 мм3 . На абочей поверхности подложек методом электронно-лучевой итографии была изготовлена микростриповая структура электродов ром) толщиной 0.1 -0.15 мкм с контактными площадками (рис. 6).

_30180 Пт ' ■_•

150x200=30000 пет

180

Рис. 6. Геометрия микрострипоеых электродов.

Контакты через герметичный высоковольтный разъем соединялись тераомметром для контроля сопротивления между микрострипами процессе напыления.

Энергия пучка ионов неона 10-15 кэВ и угол наклона мишен относительно пучка выбирались так, чтобы обеспечить максимальны коэффициент распыления. При токе ионного пучка 0.5-1 мА и времен экспозиции 5-10 часов, толщина пленки составляла 0.1-0.5 мю Неоднородность толщины плешей оценивалась с помощью измерена сопротивления между микрострипами на периферийных част} подложки. Для пленки размерами 100*100 мм2 неоднородность, кг правило, не превышала 100 %.

С целью ускорения окислительно-восстановительных процессов пр распылении компонентов мишени напыление проводилось в атмосфе] кислорода, что позволило сократить время стабилизации величин сопротивления. В этом случае сопротивление пленки стабилизируется I уровне 1014 - 1015 Ом/квадрат в течение двух-трех суток. При распылеш в вакууме значение сопротивления стабилизируется за время 30-40 суто*

Для приготовления полупроводящих покрытий МСГК таю исследовалась возможность использования алмазоподобных плене получаемых при ионно-пучковом распылении ядерно чистого графита пленок частично восстановленной окиси кремния.

Кроме того, в настоящей работе экспериментально, исследова] приготовление полупроводящих полимерных подложек методе облучения исходного полимера-диэлектрика пучком ионов гелия энергией ~ 25 кэВ.

Известно, что облучение несопряженных полимеров ионньи пучками с энергией 10-103 кэВ приводит к огромному (до 20 порядке .увеличению их электропроводности. При этом удельное сопротивлеи

ильно зависит от дозы облучения. Например, десятикратное увеличение ¡озы приводит к росту электропроводности более чем на семь порядков. 1оскольку для МСГК подходят подложки с достаточно высоким дельным сопротивлением, незначительно отличающимся от сопротивле-:ия диэлектрика, необходимо использовать ионы с малой ионизирующей пособностью. Такие ионы обладают большим пробегом, что также селательно для МСГК, поскольку при этом увеличивается толщина полу-роводящего слоя. Поэтому были выбраны ионы гелия с энергией около 5 кэВ, имеющие пробег в полимерных материалах ~ 1 мкм.

Пленки полиимида толщиной 2-10 мкм методом центрифугирования аносились на квадратную подложку из кварцевого стекла размерами 27*127*3 мм3 . Подложки устанавливались в камере экспонирования лановки "ГЕЛИС" на специальном держателе, перед которым асполагалась диафрагма, задающая геометрические размеры области 5лучения пленки. Облучешк пленок осуществлялось ионами гелия с тергией 25 кэВ при остаточном давлении в камере Ю-5 торр. Ток пучка онов на пленку не превышал 10 мкА/см2 .

В таблице 1 приведены результаты измерения поверхностного >противления полиимидной пленки для трех различных доз облучения.

Таблица 1

Зависимость поверхностного сопротивления К5 полиимидной пленки от дозы облучения

Доза, ионов/см2 6.5*1015 1.3*1016 1.6*1016

я*. Ом/квадрат 2.0*1014 2.5*1012 5.4*1011

Предложенный метод позволяет сравнительно быстро приготовить полупроводящие полимерные подложки, причем поверхностное сопротивление легко регулируется дозой облучения.

Полученные с помощью ионно-лучевого распыления пленки позволили существенно улучшить параметры МСГК и упростить технологию ее изготовления. Меняя толщину пленки и удельное объемное сопротивление мишешз, можно значительно увеличить диапазон получаемых поверхностных сопротивлений, что существеннс расширит область применения этих материалов.

В третьей главе приводится описание установки для тестирование МСГК и результаты, "полученные при измерении спектрометрически? характеристик МСГК с полупроводящим покрытием и МСГК изготовленных на подложках из пленок резистивного полимера.

Подложка МСГК с покрытием извлекалась из камеры распылепш установки "ГЕЛИС" и устанавливалась в герметический корпус тестово1 дрейфовой камеры ( рис. 7).

Анодные и катодные микрострипы соединялись параллельно 1 выводились на контактные площадки. Дрейфовый зазор составлял 2.5 см Ионизирующее излучение вводилось в камеру через предусмотренное 1 дрейфовом электроде тонкое окно из алюминизированного майлара После сборки дрейфовая камера откачивалась вакуумными насосами д< давления Ю2 -10'3 торр и наполнялась рабочей газовой смесь* (Аг/СН4=90/10 или "Хе/ССЬ =80/20) до давления, соответствующеп плотности при нормальных условиях (1 атм, 0 °С) .

Измерения рентгеновских спектров проводились следующи) образом. Коллимированный рентгеновский источник в пенал устанавливался в держателе напротив входного окна дрейфовог

электрода. Потенциал дрейфового электрода равнялся -2500 В, что при заземленных катодных стрипах соответствует дрейфовому полю 1 кВ/см.

Рис. 7. Схема тестовой дрейфовой камеры: 1- подложка МСГК с тупроводящим покрытием; 2 - герметический корпус из ржавеющей стали; 3 - окна из алюминизироваиного майлара; 4 -гсоковольтный разъем; 5 - дрейфовый электрод; 6 тевыравнивающий электрод; 7 - полевыравнивающие рамки ысоковольтный делитель); 8 - тефлоновая прокладка.

Сигнал с анодных стрипов, потенциал которых составлял 600-800 В, ступал в спектрометрический тракт, включающий последовательно единенные предусилитель, усилитель, линейную задержку, линейные рота, работающие в режиме самозапуска, и АЦП. Кодированный гнал АЦП поступал через систему КАМАК в вычислительный мплекс ДВК-3, который осуществлял накопление, визуализацию и работку амплитудных спектров. Характеристики пиков вычислялись гем апроксимации по методу наименьших квадратов

экспериментальной гистограммы экспоненциальной функцией, показатель которой представлял собой полином степени 2-6. Наилучшие характеристики показали МСГК с полупроводящим покрытием из высокоомного многокомпонентного силикатного стекла.

На рис. 8 показаны амплитудные спектры от рентгеновских источников «Бе (5.9 кэВ), 241Ат(13.9; 17.8 кэВ) и ,юСс1(22.1 кэВ); измеренные при наполнении камеры газовой смесью Аг/СН4=90/10.

О 100 200 NK О 100 200 300 NK

Рис. 8. Спектры рентгеновских источников 55 Fe (1);

241 Am (2); mCd (3) (газовая смесь Ar/CHt = 90/10, 1атм, О»С).

Рис. 9. Зависимость между энергией рентгеновских квантов и положением максимума соответствующего пика амплитудного спектра. .

На рис. 9 показан график зависимости энергии рентгеновсю квантов от номера канала, отвечающего максимуму соответствующе: пика амплитудного спектра. Видно, что МСГК с полупроводягщ покрытием, нанесенным поверх микростриповой структуры электрод ("over coated"), обладает хорошей линейностью отклика п удовлетворительном разрешении (относительная ширина пика 5.9 кэВ

половине высоты ~ 15-25 %) . Отметим, что на положение пиков не эказывает влияния плотность потока рентгеновских квантов вплоть до ?агрузок 2* 105 Гц/мм2.

Наряду с определением предельной загрузки МСГК с пассивацией структуры микрострииовых электродов полупроводящей пленкой 5ольшой практический интерес представляет дрейф их характеристик со 1ременем при долговременной работе за счет изменения лекгрофизических свойств пленки. Изучение стабильности арактеристик этого типа МСГК при длительной работе с загрузками -105 Гц/мм2 показало малое время их "жизни" (< 1 мКл/см).

На рис. 10 приведена фотография области МС-пластины, одвергавшейся воздействию излучения.

Рис. 10. Область МС - пластины, подвергавшаяся воздействию гучения при длительной работе МСГК. (Светлые участки -кростриповые электроды: в цетре - участок анода, вверху и внизу -гстки катодов.)

Одним из механизмов, который может оказывать влияние на длительность работы МСГК (любого типа), является бомбардировка катодных стрипов ( и их полупроводящих покрытий) ионами рабочегс газа, образующихся в лавине в процессе газового усиления.

Исследования влияния бомбардировки медленных ионов на катода МСГК проводились на установке "ГЕЛИС" по следующей схеме: пучо] ускоренных до энергии ~10 кэВ ионов из ионного источника вводила через диафрагмы а камеру с рабочим газом, где в результате ионизащв рабочего газа образовывались медленные ионы, которые дрейфовали : расположенной параллельно пучку пластине МСГК, на катодны микрострипы которой подавался потенциал, необходимый для ускорени ионов до средней энерпш, приобретаемой ими в реальных условия работы МСГК. Пучок был выключен, когда полный собранный заряд и единицу длины стрипа • составил 30 мКл. На рис. 11 приведен фотография катода микростриповой структуры, на который подавал« потенциал.

Ряс. 11. Распыленный участок катода (1), на который подавался потенциал (темные участки на фотографии - металл). Аноды (2) находились под плавающим потенциалом.

Как видно по фотографии, дефекты, вызванные бомбардировкой ггодов ионами аргона, проявляются в виде рваных краев катодных грипов и их частичного распыления.

В результате проведенного эксперимента можно заключить, что при штелыюй работе МСГК с электродами из хрома толщиной ~ 0.1 мкм и новыми смесями, содержащими в качестве основного компонента >гон (Аг), одним из вероятных механизмов, ответственных за крушение электродов МСГК, является механизм катодного опыления. Действительно, при толщине электродов ~ 0.1 мкм щряжешгость поля у края катода настолько велика, что энергия »мбардирующих ионов может превышать пороговую энергию опыления материала электродов. В результате ионного распыления тодов по их кромке образуются острия, которые могут стать причиной зового пробоя в промежутке катод - анод микростриповой структуры и кода МСГК из строя.

Для уменьшения скорости распыления желательно использовать лее легкие газы, увеличить толщину электродов, а в качестве териалов для них использовать металлы с малым коэффициентом тодного распыления. По всей видимости, для МСГК , изготовленных диэлектрических подложках с полупроводящими покрытиями поверх [кростриповой структуры, воздействие ионов рабочего газа на пленку, крывающую катоды, губительно, и этот процесс приводит к быстрому ходу МСГК из строя. Таким образом, для увеличения времени работы СГК с полупроводящими покрытиями эти покрытия необходимо [юсить непосредственно на подложку до процесса изготовления кростриповой структуры.

В заключении сформулированы основные результаты диссертации.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Разработана многоцелевая электрофизическая установк "ГЕЛИС" . Установка позволяет осуществлять ионное облучени разнообразных мишеней для получения новых материалов, имеющи практическое примените в различных областях науки и техники.

1. Разработан способ получения высокоомных пленок стекла электронной проводимостью методом ионно-лучевого распыления.

3. Изготовлены МСГК с полупроводящим покрытием следующи талон: высокоомное стекло с электронной проводимостью, частичн восстановленная окись кремния, алмазоподобная углеродная пленк; пленка резистивного полиимида.

4. Измерены характеристики МСГК с полупроводящим покрытие* Показано, что пассивирование МСГК тонкими пленками стекла электронной проводимостью обеспечивает стабильнь спектрометрические характеристики детектора вплоть до загрузок 2* К Гц/мм2.

5. Проведены испытания старения . МСГК с полупроводящи покрытием в интенсивном пучке рентгеновского излучения. Время жил МСГК с полупроводящим покрытием поверх микростриповь электродов составила ~ 1 мКл/см.

6. Показано, что при толщине микростриповых электродов ~ 0.1 мь и использовании в МСГК газовых смесей, содержащих в качест основного компонента аргон (Аг) , одним из вероятных механизме способствующих старению МСГК, может быть механизм катодно распыления.

Основные результаты диссертации описаны в работах:

1. Багуля А. В., Казаков И. П., Микертумянц А. Р., Негодаев М. 1 Ромащин В. А., Цехош В. И., Юрков А. Н. Применение фотолитограф

оя создания тонкоплеыочных элементов на основе Y-Ba-Cu-О // Письма ЖТФ, 16(16), 55(1990).

2. Лубан Р. Б., Верховодов П. А., Крыжановская Р. И., Негодаев М. ., Багуля А. В. Изучение воздействия пучка ионов азота средних энергий а поверхность композиционных материалов // Поверхность. Физика, *мия, механика. N*6, 127(1991).

3. Лубан Р. Б., Негодаев М. А., Багуля А. В. Исследование аспыления и кинетической ионно-электронной эмиссии жпозиционных материалов под воздействием пучка ионов средних lepniii // Известия РАН, серия физ., Na6, 130 (1992).

4. Bagulya А. V., Kazakov I. P., Negodaev M. A., Tsekhosh V. I., oronov V. V. In situ growth of superconducting Y-Ba-Cu-O thin films by ion-;am sputtering method // Mater. Sci. Eng., B21,5 (1993).

5. Luban R. В., Negodaev M. A., Bagulya A. V. Investigation of •uttering and .kinetic secondary ion-electron emission of composite materials ider the influence of an ion beam of medium energy // Vacuum, 44, N^9,893

993).

6. Багуля А. В., Гришин В. M., Кроткое В. А., Негодаев М. А. сследование тонкопленочных полупроводящих полимерных подложек ш микростриповых газовых камер // Краткие сообщения по физике ИАН, N*7-8,28 (1993),

7. Багуля А. В., Казаков И. П., Негодаев М. А., Цехош В. И. Способ [готовлашя пленок и монокристаллов сверхпроводящих зталлооксидных материалов и устройство для его осуществления, атент РФ N-2012104. Приоретет от 01.02.91 // Бюллетень изобрет., N^8

994).

8. Багуля А. В., Гришин В. М., Кротков В. А., Негодаев М. А., етровых Н. В. Спектрометрические свойства микростриповой газовой

камеры с полупроводящим покрытием // Краткие сообщения по физике ФИАН, N-1-2, 45 (1994).

9. Багуля А. В., Гришин В. М., Кротков В. А., Негодаев М. А., Петровых Н. В. Ионно-лучевое распыление высокоомных стекол с электронной проводимостью // Краткие сообщения по физике ФИАН, N* 1-2, 50 (1994).

10. Bishai М. R., Gerndt Е. К. Е., Shipsey I: P. J., Wang P. N., Bagulya А. V., Grishin V. М., Negodaev М. A., Geltenbort P. Performance oi microstrip gas chambers passivated by thin semiconducting glass and plastic films //NIM A365, 54 (1995).

11. Bagulya A. V., Grishin V. M., Negodaev M. A., Ligachev V. Some methods of preparation of thin resistive layers with electronics conductivity or dielectric substrates // Proc. Int. Workshop on Micro-Strip Gas Chambers Lyon,(France), November 30 - December 2,243, (1995).

12. Bishai M. R., Gerndt E. К. E., Knapp B. A. Shipsey I. P. J.,Vernoi W. L., Bagulya A. V., Grishin V. M„ Negodaev M. A., Geltenbort P. Glas: micro strip gas chambers passivated by carbon, amorphous silicon, and glas: films // Proc. Int. Workshop on Micro-Strip Gas Chambers, Lyon,(France) November 30 - December 2, 243, (1995).

13. Негодаев M. А., Багуля А. В. Электрофизическая установи "ГЕЛИС" // Препринт ФИАН,№ 11, Мч 1996.

14. Bagulya А. V., Grishin V. М., Kostin А. P., Lomonosov'B. N., Negodaev М. A., Rusakov S. V., Seidel H.-J. Microstrip Gas Chamber for HI Forward Proton Spectrometer // Preprint FIAN, N* 12, 1996.