Исследование оптических констант и фотоэлектрических параметров серебряно-кислородно-цезиевого фотокатода тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Дамасян, Овик Беникович АВТОР
кандидата физико-математических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ
Ереван МЕСТО ЗАЩИТЫ
1991 ГОД ЗАЩИТЫ
   
01.04.07 КОД ВАК РФ
Автореферат по физике на тему «Исследование оптических констант и фотоэлектрических параметров серебряно-кислородно-цезиевого фотокатода»
 
Автореферат диссертации на тему "Исследование оптических констант и фотоэлектрических параметров серебряно-кислородно-цезиевого фотокатода"

ЗаС^ЕЛ СЬРАЗСЗАгШ Я 1ш"ке

жваш

ГССУДАРСШЕНЬ«! ШВЕгСШТ

На правах рукописи

ЛАЛДСЯН Оаая Беникович

УДК 621.383.032.217.2

«ссздоздзда оочгсш констант и «отошхрвдсш

ЯА?А;Д£Т?Од СЕРЕЕ?ЯН0-КйСД0Р0ДН0-ЦЕЗ»1£ВОГО ФОТОКАТОДА 0I.0U.07 - Физика твердого тела

Авгореферат

диссартацви аз соиокавив ученой степени кандидата физико-математических наук

Ереван - 1991

PeCoia выполнена в кэучяо-пройзвсдогьеыаок '

"БсесоюзнШ ввучио-исследовзгелъский институт остико-^йзнчеокиг измерений".

Научный руководитель: кандидат технических взук,

старший научный сотрудник

A.E.iiil^AUiU;

Официальные оппоненты: доктор физико-математических неук,

профессор, член-корреспондент АЕ РА

£ .'1. АРУТ^НЯК

кандидат '¿нзиао-кагенатических наук, стерший научный сотрудник

B.С.АРАКЕЛШ

Ведущая организация: Ереванский физические институт.

Защита состоится " I9S2 г. в чес. не

заседании Специализированного совета К 055.01.11 по присуждение ученой' степени кандидата физико-математических нгук в ¿ренавско!; государственном университете по адресу: Республика Ариеник, 375030, г.Ереван, улЛопронс, 21.

С диссертационной работой могло ознакомиться в библиотека Ереванского государственного университета.

Автореферат разослан

Ученый секретарь Специализированного совете, дс.-'ор физ-цэт.взук

Г.Г.Адонц

( СЕДАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

" Л'И« ■

-----Актуальность тепы. Серебряно-гаслородно-цезиевый (С-К-Ц) ¿отонатод является наиболее широко применяемым-фотокатодом в электронно-оптических а фотоэлектронных приборах, используемых для регистрация излучения з блааней йК-областа спектра а, з особенности, с длиной волны болев 1,1 нки.

Одззко до сих пор отсутствует четкое представление о структуре а химической состава £отокзтода, вследствие чего ыетод его изготовления в значительной степени остается эмпирический, достаточно слонныи, что приводи® а плохой повторяемости его характеристик. Уэаду тем построение адекватной физической модели С-К-Ц фотокатода и установление свяаа иеаду его оптическими а фотоэлектрическими характеристиками позволит пра йориарованаз фотокатода контролировать его параметры и управлять технологически процессом с цедьо получения требуемых характеристик.

Изучении оптических свойств С-К-Ц фотокатодз посвящено большое количество работ. Однако приведенный, в этих работах результаты измерения оптических параметров сально расходятся. Во шю-гих исследованиях оптических характеристик С-К-Ц фотоквтодз предполагается однородпооть а изотропность пленка, что значительно упрощает расчет оптачеоких постоянных фотокатода.,

В последнее враля с поиоцьо рентгеноструктурного анализа установлено, что С-Х-Ц фотонагод состоит из относительно толстой пленки С&20 * в которой взвезены частицы серебра. Такуа систему нельзя (с оптической точки зрения) рассматривать как однородную, поскольку в основе неоднородности облей структуры фотокатодэ лежит неоднородность основного,слоя серебра, представляющего собой оотртковув пленку.

Это означает, что в исследованиях оптических характеристик С-К-Ц фотокатода практически используется некорректная модель (однородная, изотропная пленка), недостаточно полно опнсыаавдс-я происходящие з нэп физические процессы.

¿¿то, в сзоа очередь, приводит к неточным расчетный результатам и недостаточно четкой интерпретации экспериментальных дбн-шх. £ этой связи весьма актуальной язляется задача создавая ;трогой физической модели С-К-Ц фохонатода, определения е;го ол-гаческах постоянных в установления влияния технологических про-

- ч -

цессов формирования фотокатодов на их оптические параметры,что, в конечном счете, дозволит совлвьь для .изготовления дотскзтодов автоматизированные откачяые посты с высокий коэффициентом выхода годных приборов.

Целью диссертационной работы является создание сбосковзЕ-ной с точки зрения физической модели технологии изготовления С-К-Ц дотокатода и разработка основ автоматизации процесса изготовления.

Доставленная в рвботе цель достигалась путей реаевкя следующих задач:

1. Создание физической ыодели С-К-Д фотокатод8 и ее ыэтеиэ-тическое описание.

2. Проведение теоретических в экспериментальных исследований оптических характеристик составлявших компонент С-л-Ц потока-года и расчет его оптических постоянных на основе принятой подели.

3. Установление связи ыезду оптическими и фотоэлектрическими параметрами фотокатода и ее влияния не технологические процессы; изготовления при формировании ^отокатода с Заданными параметрами.

Определение критериев контроля и разработка алгоритме управления, обеспечивавшего реализацию автоматизированного процесса изготовления фотокагода.

Научная новизна диссертационно!: работы состоит в следующей:

Предложена новая обоб-донная модель С-К-Ц фотокатода, представляющего собой трехмерный коллоид. На основании предлотенной ' подели:

' - получены зависимости оптических постоянных фотокатоде от •длины водны падавдего излучения в диапазоне 400*1000ни для разных о?о ьолцин;

ь определена условия нанесения основного слоя серебре с оптимальней дйй 0"К"Ц фотокатодв структурой;

- бй|)6дбй6йы оптические постоянные слоя окиси серебра в диапазоне длин волн пеДвющвго излучения 4СЮ*Ю00ни;

— предложен ыз!£од контроля процессов нейёсения первого слоя серебра, его окисления и нанесения Еюрого слоя серебра С-К>Ц фотокатодз с активацией цезием по •значёнк-яи коэффициента ССраТ1-

лого (со стороны подлоги) огрзненая этих- слоев;

- рззраоо.тзн алгоритм управления основными стЗдиями технологического процесса формирования С-К-Ц фотокатода.

-{эучниа полоаенпя. заносимые на защиту:

1. С-К-Ц £отокзтод необходимо рассмэтризать как трехмерный коллоид, свойствами которого определяются оптические постоянные катода.

2. Характер зависимости коэффициента обратного отражения от ¿сланцы ллзнкз соребрз при резных скоростях испарения язляется средством определения оптимально,*! для С-К-Ц фотокатода структуры слоя сереорз.

5. яда С-К-Ц дотокатодэ оптимальная ¡толщина основного слоя серебра, при ноторой сохраняется его мелкозернистая структура, додкнз состззлять 801-100 а, что достигается при скоростях аспа-

О

рения серебра 0,1*0,3 А/с.

Зависимость коэффициента обратного отранэная от времени характеризует основные циклы технологических процессов нанесения я окисления перзого слоя серебра, нанесения зторого слоя серебра а активации цезием. -

Практическая ценность работы и ев реализация. На основе полученных з работе результатов создан алгоритм .управления автоматизированным процессом изготовления С-К-Ц фотокатода до технологических стадий подпыления серебра и сенсибилизации катода* кислородом. Разработаны а изготовлена основные функциональные узлы для установки автоматического мониторинга оптических свойств фо-тояатода.

Результаты диссертации внедрена в НПО "ВНшЮОИ", что под- ■ тзерндзется-соответствувдим актом внедрения.

Во ВН13И05Й налажен серийный выпуск ВОЛ с помощью разработанной автором установки оптического мониторинга технологического процесса формирования С-К-Ц фотокатода.

Разработаны рекомендация по дальнейшему практическому использовании результатов диссертации с целью создания автоматизированных отнэчных постов, управляемых от авм, для изготовления приборов с С-К-ц фотскатодама.

~ о —

Вклад авторе в разработку избранной проблемы. Совместно о научный руководителей предложена обобщенная модель С-К-Ц (¿,озо-кзтода для расчета его оптических свойств. Авторов разработаны методика и изготовлены установки для исследования оптических характеристик тонких слоев серебра, окиси серебра, окиси цззия и С-К-Ц фотокатода. Проведены экспериментальные исследования данных слоев на макетных образцах в виде фотоэлементов. Авторов предложена методике расчета оптических достоянных слоев, разработаны соответствующие программы к проведены численные расчеты на ЙВМ.

Установлены критерии контроля нанесения основных компонент фотокатода и разработаны программы управления автоматизированным процессом изготовления катода.

Совместно с сотрудниками ВНШОФИ автором изготовлялись необходимые опытные образцы приборов, на которых бил получен основной вкспериментаяьвый материал.

Апробация рабом, ¡¿атериады диссертационной работы докладывались и обсуьсдались на 14 и 15 Всесоюзных-научно-технических конференциях "Высокоскоростная фотография, фотошжа и метрология быстропротекащих процессов (Иосква, 1989, 1991 гг.), У1л Всесоюзной научно-технической конференции молодых ученых и специалистов организаций к предприятий системы Госстанд 1ргз СССР, "Метрология и стандартизация в научно-технической революции".(Новоск- . оирск, 1989 г.), УШ Всесоюзной научно-технической конференции "Фотометрия и се метрологическое обеспечение" (Москва, 1290 г.) а. также на научных семинарах £НИЯ04>И и Ереванского филиала ВНйл-СС-11.

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы ь 7 печатных работах.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы и прилегания. Она изложена на 127 страницах, включает 80 страниц текста, 46 рисунков, I то«1лицу и список литературы из 69 наименований. £ приложении имь'стся акт внедрения результатов диссертации.

КРАТКОЕ .СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ Изложение материала диссертации даотся в последовательности,

сохранявшей естественную очередность этапов достижения основной дели исследования. В некоторых параграфах диссертации содерадт-ся сведения вводного характера, которое отражают специфику изучаемого вопроса.

Зо введении представлено состояние исследуемой проблемы и обоснована актуальность ее решения, сформулированы цель работы и научные положения, выносимые на защиту, характеризуется структура диссертации.

В первой главе представлен краткий обзор оптических свойств С-К-Д шотокэтода исходя из современного представления о его микроструктуре.

С целью создания физической «одели и разработки- основ' технологии изготовления С-К-Ц фотскатода рассматриваются оптические характеристики исследуеиой фоточувствительной структуры, исследуется влияние оптических параметров составных компонент фотокз-тода в а' требования к технологический процессам его изготовления.

Предполагается! что С-К-Д сотокатод представляет собой неоднородную тонкую пленку,, состоящую из-.частиц сере-бра, взвешенных в слое окиси цезия. Оптические, свойства такой системы в сильной степени "зависят от оптических характеристик'образуедих -эту систему веществ,, т.е. серебра и окиси-цезия."

Приводятся результаты исследований тонких серебряных"пленок с помощьв электронного микроскопа. Показано, что серебро не-рас-пределяегся до подложке равномерно, а образует отдельные, изолированные друг от друга частицы -(двухмерный коллоид), размеры и форма которых определяются характером поверхностных^сил," а такке условиями, в которых йроводился процесс образования пленки. При малом количестве.осавденного серебра, соответствующей толщине пленки 20*100 А , не наблюдается слияние гранул л крупные агломераты. По мере возрастания количества серебра наблюдается частичное 'слияние, зерен серебра у. что. постепенно приводит к образованию однородного сплоаного слоя.

Из представления о строении сотокатода как матрицы .-состоящей из ззвеиенных в окиси цезия . частиц-серебра, , и на основе результатов проведенных исследований делается вывод о той,.что пленки окиси цезия могут быть представлены (в отличив-от пленок серебра) как однородные.и изотропные. С учетом-этого определяет-

- С -

?а одгечзокгэ постоянные слоя окися ц83ия.

Лр-адгслэгзеггя а обосасзызазтся обогнанная водьаь С-д-Ц , пуздстззляэдзд сойоа г'-вхизрпчй коллоид нз основе гло;;:;:: о:; а г:: цгзая, 2 которой ¿заедены чгстацы серебра. Лря

сг-ггчзстел .следугцлз сооСзнязгта пседлагаемой «одели:

- о структуру слоя сесесрз, предстазляадег'о сисса .¿гугазрзыЗ коллоид;

- сд^ородзссга а изотропность слоя окиси цезия;

- хргхазрзость коллоадз о сиза структуры истока годэ.

С учэтон лрааягол иод-зла .длл рэсчагз показателей прзломлз-::::.-. и лемсце^ая' аеходзого слоя серебра О-л-Ц ^отокатодз была . аолсл^зслазы известные ссстаоздкая Розенеер?з для коз^зциентов с:., а алия й , К. а пропускания Т1 , полу чанные для ддухиэсно-го коллоадз из частац сереорз на стзкляеной подлоахо. Соогзоде-н«л адод: следуздаЗ взд:

^¿¿(¿Л^ь^-РР^ а,

£¿1

? _ =Р. + £Р4

т*. 9 / . л Л2 \ / _ . \ 1 -ь

(3) (*)

(5)

гдз к , Р. - ксь;,рацаэнгы огрэзения пленки серебрэ со сторона ззкууьэ ("дрязга") а со стороны стеклянная подяоаса ("обратное") ¿.-¿таететзезас; - ваддагудный коа^ацзеаг стрзадния нз Гранада :т5кдо-.гоздух; Р - поларззуеаоать елея; Р* - ез сопряаанавя;

- кокллзкеный показатель праяоаленая частица; 1 -удадьь-ы длотаость слоя; Кс- зелнозов число з вакууие-3--г223 "—-¡-''-з слсл; V - обгеа а радиус частицы соотзетст-

-23 с кии.

К Еьг.'гиак'л: (5) зеличина {г'г)/{ т" -I) г-.- у-^са^с zг серется резгос (<х+{£ }, где достскдвые а и о хгрсктср::::;.!.;: оптические пссгоявнае чзстиц серссрз и счигэйтз;: зе ььдне;..:::;:: сг тсденпы пленке.

ЛДй ре-ккия у-озненкл (1*5) с ¿т. п^сгсз з:!5лсг;; ;.:сле графоаналитический квгод езредед&яйя оптических лос^оейнкх честиц сересра, гаклсчакдаяся 2 предваригед}--.: I рзечгтв хеоре:.-.-чес.ких зависимостей й , К ,Т = 4 ("О 2 ¿;'.'П8гоне

г I IV/

гедичкн а , 6 , Тв при заданно!: показатель -;рслс::::е:-..:л дрс-срачнез поддонки а с-сяскрозгином значении ддкш есдк-'.

величины п » К ч толцкнэ изотропного, гомоггкксгс слся окпез цезия определялись по сссгнсй&нияц лизекга для :: с е?-гов ограаднка К , К' а пропускакил Т при пззеегкем кокзьз:е-ле преломления сгекдянасй поглогь-и.

Расчеты оптических постоянных С-К-Ц «отокагадз ссесз;--..- -лксь пз теории ¡¿зксведла-Гэрнеттз, котерзя позволяет слр£д;;.л:1 дизлекгрвческие постоянные (соответстзевно -П в К ) мстодло-диэяектраческих структур, где коллоидальные част ¡.-да иьгьдзг ззвеавны в диэлектрической слое, .возйоагоссь дрииезгная дан«;,;, •теории вытекает из принятой нема модели С-К-Ц ¿сгьягссдз.

3 предположении сферичности частиц дормулэ изксзоллз-Гар-нотта имеет следующий вид:

где и ¿¡л - соответственно комплексные диэлектрические постоянные частиц серебра и слоя окиси цезия, $ - фактор заполнения.

Во второй глзве приводится описание конструкции зкепери-ментзльноя установки и методики измерений на экспериментальных оаразцзх.

При конструировании экспериментальных приборов осра^здссь внимание на обеспечение возмоняоети одновременного измерения коэффициентов пропускания и отражения пленок со сторона педлег-ки или со стороны ввкууыа, определения количества испаренного серебра (зессЕой толщины слоя), двукратного вапвиванкк'изкегсг

на откачной пост и др.

Предложена методика измерения и расчета оптических характеристик составных с до 92 с учетом многократного ограшшя пучка сзетз йо зхсдзоч окно зяопзриментэдьного образца.

Сяткческиэ хераягзраатика К , а Т исходных слоев сзребр'з, скис;; цез::я и самого С-д-Ц фомкэтода рассчитывались на основе экспериментально измеренная значений интенсивное гей излучения прогеддего 1Т , отраженного со стороны подлоги и со стороны вакуума .

Расчетные формула, основанные на принятой схеме измерения и учатизаьдиэ оптические характеристики самой колбы 'экспериментального образца,

где 1й' = Хг'

У в' t • Зт - измеренные значения интенсивноствй 1ц', 1(3 и 1Т 1 нормированные к интенсивности падаа^аго излучения соответственно; коэффициент отрезания стекла; 2 = (1-- пропускание стекла с учетом многократных отрадная.

-ред52<эвдеиэ функциональная схема усовершенствованного г."з;:г?эльно-выч;:злитильного универсального комплекса, предназначенного .для измерения заэчеяий интенсивноствй ■( 1ц , '/т ).

- С це.'.ьа-лозы^езия порога чувствительности и улучшения стабильности работы коиллахсз КС2У-2, штатный усилитель постоянного тока с-'л зэметсз вз селективный фэзочузствительный нано.вояьт-а?гр с зет;.оззима зысодочувстзительным усилителем тока а син-Хуог^^и детектором. /.змгрзния прозодклись-на.модулированном по изгзнсп.ззогтн снеговом потока.

Спектргльз.че характеристика аотскатодсв измерялись нэ том

имеет слздуяцнл вид:

.- Ри

1,

Т-Я = 1«г -

. Т _ С/г . Т _ Зе .

, _ __ , Д _ __ ,

N

V

(?)

ад усовершенствованно!! комплекса КСВУ-2. В оперативную память вычислительного устройства закладывался файл данных предварительно измеренной энергии излучения за выходной щель» монохро-азторз па кзгдой длине волны.

приводятся основные фото электрические параметры установки:

- диапазон спектральной чувствительности ..... 400*1500 ни,

- порог чувствительности по фототоку......... 2,6x10А

- порог спектральной чувствительности для •

длины волны 1500 ям........................3,5x10"®А/Вт,

о

- спектральное разрешение .................... 0,1 А ,

- погрешность измерения спектральной чувствительности фотокатода ...............................0,7x10"®А/3т.

Оценка погрешностей измерения показали, что величины , 1«' , 7т определялись по принятой методике с погрешностью на более 1%. Это ограничивало поле разброса расчетных значений Л и К частиц серебра в пределах 5*10$ для длин волн в диапазоне 400*700 им и примерно 20;ь - 2 диапазоне 700*1000 на.

В третьей глава излоаены результаты экспериментального исследования оптических постоянных слоев серебра, окиси серебра, окиси цезия и С-К-Ц фотонатодэ.

С цельа определения оптических постоянных п и К напиленного слоя серебра, в соответствии с принятый методой.измерения, находились зависимости энергетических.коэффициентов р' , Й и Т от толщины, слоя для интересующей нас области длин волн и измерялись их спектральные зависимости для клинообразных слоев серебра. Приводятся спектральные а толцинные зависимости коэффициентов Й , Й а Т составных слоев и самого С-К-Ц-фотокз-тодэ в диапазоне длин волн 400*1000 ни.

Предстазлены микрофотография структурных изменений тонких слоев серебра в процессе роста. Показано, что пленки ииеат ост-розковув структуру, состоя'дув из частиц серебра сферической формы, равномерно распределенных по поверхности стеклянной подложки. Из полученных микрофотографий, следует, что.сферичность Формы частиц а, тем самый, возможность применения предложение;: теоретической подели сохраняется при толщинах пленяй серео-з пз более 100 А .

Показано, что оптические постоянные П и К частиц се^ебгз

для пленок с толщкнок не солее IUU А (при постоянной длине зол-Hij) ne зависят от токцины пленки сересра.

Определены оптические постоянные п к К исходных слоев се-ресра, окиси цезия, окиси серебра a ткхз С-л-ц (¿.-охокзгсда ь диапазоне длин волк ^OU-s-lOOC'Ki;«

Показано, что оптические характеристики сотокатода определяется, главные образов, значениями п и к основного слоя сь~ реора.

ria основе данных об оптических постоянных составляется прогноз характеристик фотокатода, используемый для автоматизации процесса его изготовления.

Показано, что скорость напыления к температура прогрева пленки серебра сильно влияют на ее структуру и оптические характеристики, что, в свою очередь, приводит к изменению оптических свойств С-К-Ц фотокетода. Исследовано влияние указанных технологических факторов на оптические свойства С-К-Ц ç-отокато-

Четвертэя глава посвящена разработке автоматизированной системы управления технологическим процессом изготовления С-К-Ц фотокатода.

Приводится краткий обзор современного состояния автоматизированных систем управления технологическими процессами (¿орын-роЕания фотокатодов вакуумных фотоэлектронных приборов.

Принятый в практике способ контроля нанесения основного слоя серебра при изготовлении С-К-Ц фотокатода заключается в измерении пропускания слоя во время изготовления. Такому методу присущ ряд недостатков, и, в первую очередь, он непригоден для ФЭП, у которых конструкция не позволяет осуществить прямое прохождение света через весь прибор и его регистрацию не выходе. Коми предлагается способ проведения контроля ванссоаия основного с::оя серебре по величине коэффициента обратного отражения. Такой слособ легко осудэстЕЛяется для ФоЛ любых конструкций.

Описывается разработанный с учетом полученных экспериментальных результатов способ изготовления С-К-Ц фотокатода, основанный на контроле козффициентэ обратного отраашия.

Установлены критерии контроля технологических процессов нанесения исходного слоя серебра, его окисления, нанесения второ-

го слоя сзресра и зктнзацпи в парах цезия, основанное за результатах азмзсзная коэффициента обратного отражения.

Описывается разработанный малогабаритный елок "Ссзетнтель-приемиик'1, лроднззяаченнаД для контроля технологического процесса изготовления С-К-Ц ¿отокатода по выбранным критериям,Блс:;, сочленяемый с ¿отокатолоа дзготозляемого прибора с помоаыо хер-мостсйксго езето-аолокозкого этутэ, обеспечивает подачу нз фото-кзтед модулированного по интенсивности езетового потока и прием . грэмззого еззтозого елгнзлз фотояриеиником, выход которого езязаа с

Лрпзоднтся функциональная схема автоматизированной установки мониторинга оптических сзойстз фотокатодов. Автоматизация мониторинга базируется нз систаме регистрации, построенной на ос-;?сзз компьатерно-измератзльноа сасзеаа (КИС) "АКСАМИТ", зклз-чаацоа з сосэ аикроЬВ^ с интерфейсом КОЯ, дафроазазоговый а анэ-яогоцп'Урозой пезоорозоззтзла,

£эсь процесс обработки фотокатода разбит нз отдельные стадии. "э ка^доП стздиа используется, как прзаило, свой прогрзм- . мный модуль, отсл92й2Эщ:1й специфические особенности процесса нз дззпой стадии. Комплекс позволяет з режиме непосредственного язелгзэяия нзлрэрызно контролировать текущие значения измеряв- . мых заличшг.

Приводится разработанный алгоритм управления процессом изготовления С-л-Ц фотекзтодз, служащий оонозой для его автоматизации. 3 алгоритм не включены технологические операции лодпыления езрзбр'з а сенсибилизации катодз кислородом, которые не влияют нз зеллчану коэффициента обратного отражения. Сначала задается номер этапа технологического процесса, уровень дума и коитериа фиксации значений й'. Измеряется начальное значение ф' я далее чорзз кзхдуо сааунду зыдзнтся на дисплей теауаао значения , проаззсдится сглааизание а усреднение этих значений, и вычисляется производная с/£/с/т( по зрзмени. Контроль псозодится либо по зпзчзяили Я' до достижения заданной величины, либо по <1$'/от до лзаензиия знака после прохождения минимума . В ссотзетст-зин с трзбозааяяма, обеспечивэвцлаа оптимальнее отраавале фсто-¡;з:одз, нанесение первого слоя сереорз должно прозодитьед со ско-рсстзз не Солее 0,4 д/о. а другой стороны, оптимальной для лер-зого слоя язляетсл величина Я' , разная при г^нне вплзы

430 н!!. Контроль скорости испарения целесообразно проводить по увеличению после прохождения минимального значения и аппроксимировать ее возрастающую ветвь пряной, При оптимальной скорости 0,3 А/с (т.е. 1,5 А за 5 сек.) целесообразно сравнивать Р' через эти промекутки времени (5 сек.) и по производное управлять процессом. Нз экране дисплея выдаются такад экстремальные значения Р .. Аналогичным образом контролируются и остальные технологические процессы формирования С-К-Д фотокатода.

•В. заключении сформулированы основные результаты выполненной работы.

I. Лредлоаена новая обобщенная .модель С-К-Ц ¿отокатода в виде трехмерного коллоида, представляющего собой матрицу из частиц серебра, взвешенных в однородном слое окиси цезия. Предло-ыена методика расчета оптических постоянных фотокатода на основе данной модели. -

■2. Разработаны методика и -установка для-экспериментального исследования оптических характеристик исходных слоев сереора, слоев окиси серебра, окиси цезия и;С-К-Д.фотокотода в целом. Дроведены теоретические и.экспериментальные исследования оптических характеристик С-К-Д фотокатодэ и его составных.'слоев.

■ 3. Получены спектральные зависимости-оптических постоянных в диапазоне длин'золн 400*1000 нм для исходных слоев'серебра, слоев окиси серебра, окиси-цезия с С-К-Д фотокатодэ. при разных ■ толщинах.

.4. £кслериментально установлено влияние толщины, температуры прогрева и скорости нанесения основного слоя серебра на его структуру, й таи "самым, на оптические свойства ^отоквтода.

5. Определены характерные зависимости между оптическими свойствами Фотокэтода и технологическими параметрами его изготовления для получения фотокатодов с.ааданньши свойствами.

6. Предложен метод контроля технологическим процессом изготовления фотокатодэ по величине коэффициента обратного отражения. -

7. По значениям коэффициента обратного отражения выявлены критерии для контроля технологических процессов нанесения и

окисления исходного слоя сересрз, нанесения второго слоя серебра С-К-Ц фотокатода е его активации цезием.

8. По установленным критериям разрзботвны алгоритм авгомэти-зировзнного ¿правления технологическим процессом формирования фотокатода и установка оптического мониторинга изготовления C-ü-Ц фотокзтоде.

9. Во ВНИЛСФй налааен серийный выпуск £0Л с С-Е-Д фотокзто-дзми, технологический процесс формирования которых осуществляется с помощью разработанной устзновка оптического г_;;зтор»шга.

Основные результата опубликована в следующих г ?.'¿тех:

1. Дадэсян О.Б., Ыелаыид А.Е, Расчет оптических характеристик серебряно-кислородно-цезаевого Фотокатода. - В сб.: Х1У Всесоюзная научно-техническая конференция "Высокоскоростная фотография, фотоника и метрология быстропротекаэдих процессов".. Тез.докл. - I9S9, с.55.

2. Дадасян С.Б., Мелаазд А.Е. Оптические'характеристики исходных планок серебра серебряно-кислородно-цезаевого фотокатода. - В сб.: У^ Всесоюзная научно-техническая конференция молодых ученых и специалистов организаций и предприятий системы Госстандарта СССР петрология и стандартизация в научно-технической революции". Тез.докл. - Новосибирск, IS69.c.20?.

3. Дадасян O.E., Пеламид А.Е., Весельницкий '¿,'Л. ^етод измерения спектральных характеристик фотокатодов на спектрально-вычислительном универсальном комплексе ЕСЕУ-2. - В сб.:

ïd Всесоюзная научно-техническая конференция "Фотометрия а ее метрологическое обеспечение". Тез.докл.-ü., 1990, с.95.

4. Дадасян О.Б., пеламид А.Е. Исследование оптических характеристик /¡¿-О-С5 фотокаюдэ. - Электронная техника, 1990, Сер.4, Вып.2(129), с.41-44.

5. Дадасян О.Б., Иелвмид А.Е. Исследование оптических характеристик слоя окиси серебра ). - Электронная техника, 1991, Сер.4, Вып.1(132), с.16-18.

6. Дадасян О.Б., пеламид А.Е. Исследование обратного отражения тонких пленок серебра. - Электронная техника, 1991, Сер.4, вып.1(132),с.13-16.

-елзипд .i.

СлтачзскнЯ мониторинг изготовле-

ния /b-^-ós фотокагсдз. - В сб.: ХУ Всзсокзная азучно-хех-;;пчзская конференция ."¿мсокоеноростнэя фотография, фотоника мггрслзгпя сыстропротзиэЕцих процессов". Таз.докл.- J.,

/ / / '

•ш

п.

I i ■j