Исследование особенностей механизма генерации многомодовых непрерывных InCaAsP/InP ( λ =1.3 мкм) лазеров раздельного ограничения, выращенных методом краткоконтактной жидкофазной эпитаксии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ОРДЕНА ЛЕНИНА ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ им.А.Ф.ИОФФЕ

на правах рукописи

ЗАЙЦЕВ Сергей Витальевич

ИССЛЕДОВАНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ МЕХАНИЗМА ГЕЗШРАШИ МНОГОМОДОВЬК НЕПРЕРЫВНЫХ 1пЦаАеР/ГпР (Ы.Зикм) ЛАЗЕРОВ РАЗДЕЛЬНОГО ОГРАНИЧЕНИЯ. ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ КРАТКОКОНТАКТНОЙ ЖВДКОФАЗНОЙ ЭПИГАКСИИ

специальность 01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на ооиокание ученой степени кандидата физико-матеметичеоких наук

Санкт-Петербург 1994

Работа выполнена в .Ордера Ленина физико-техническом институте им.А.4>.Исх!фе РАН.

Официальные оппоненты: доктор физико-матс.-атичесних наук, профессор Б.В.Царенков, кандидат физико-математических наук А.Л.Закгвйм.

Ведущая организация: Санкт-Пбтероургекий государственный технический университет.

Защита состоится 1994г. в/^"часов на

заседании специализированного совета И- К 003.23.01 при Ордена Ленина физико-техническом институте им.А.Ф.Иоффе РАН по адресу: 194021, Санкт-Петербург. Политехническая ул, д.26.

Отзывы на автореферат в двух екземплярах, заверенные печатью, просьба высылать по вышеуказанному адресу на имя ученого секретаря специализированного оове а.

Автореферат разослан

Ученый секретарь специализированного совета кандидат физико-математических наук

994г.

(Г.С.Куликов)

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ Актуальность тему определяется тем, что в связи о развитием технологии выращивали, гетероструктур эффекты размерного квантования в твердых растворах в последние года стали активно изучаться в физике полупроводников и испсльзояатьоя в полупроводниковой олектрош;ке.

Исследования полупроводниковых структур о квочтовораз-мерными слоями привели к открытию новых явлений в физике полупроводников, обусловленных эффектами изменения распределения плотности состояний по энергии в таких структурах, что сказывается на других важных параметрах структуры. На основе таких структур были существенно улучшены параметры ряда полупроводниковых приборов.

К началу данной работы была в основном разработане специальная технология выращивания методом кидкофазной эпитакеии ( ЖФЭ ) тонких слоев четверных твердых растворов в системе 1пСаАвР путем сокращен*1? времени контакта между раствором-расплавом и подложкой в процессе роста слоя, позволившая воспроизводимо получать тонкие слои четверных твердых растворов 1пС®4зР и исследован ряд их характеристик и свойств применительно к созданию на их основе мощных полупроводниковых лазеров. Однако некоторые существенные характеристики оставались неисследованными. Так, были разработаны методики определения толщины тонких слоев методом исследования их фотолюминесценции и был показан высокий кьантовий выход их спонтанной лкки несценшш при невысоком уровне возбуждения, не не были исследованы аффекты, связанные о размерным квантованием в т.онтан-

3

ной люминесценции таких слоев. Рыли созданы простейшие дозоры на осново структур, полученных этим методом, но не были исследованы оффйкти, связанные с размерным квантованием при вынужденной рекомбинации .в них. Это но позволяло оптимизировать конструкцию лазеров.

Цель ¿онного исследования - установить пути расширения возможностей лазеров но основе четверных твердых растворов в емстеме ШкигРЛпР ( X = 1.3мкм ) за счет изучения особенностей рекомбинации в квй..говоразмерных структурах на основе четверных ТЕердых растворов в системе 1пСаАвР/1пР.

Объектом исследования были лазерные 1пСаАзР/1пР гетеро-отруктуры, полученные методом краткоконтактной жидкофазной вгштаксии и полосковые лазеры на их основе.

Методом исследования было изучение электролюминесценции Лазерных гетероструктур. Исследовались спектральше, пороговые, мощностние характеристики излучения и их зависимость от температуры, а также пространственное распределение излучения. Полученные данные сопоставлялись с данными фотолюминес-цонтнет исследований, електронной микроскопии и рентгено-структурных исследований.

Задачи исследования;

- развитие електролюминесцентного метода исследования спонтанной рекомбинации применительно к изучению вффектсв размерного квантования в лазерных гетероструктурах,

- развитие методов из; товления и измерения параметров лазеров гсолосковой конструкции,

- изучение особенностей излучательних характеристик. по-лвекевих лк.ерсь различных конструкция,

4

- исследование особенностей вынужденной рекомбинации а полосковых лазерах на основе гетероструктур, полученных методам ЖФЭ и проявляющих свойстса, свяоышые о размерным квантованием в активной области.

Результаты работы!

Исследованы особенности спектров спонтанной електролюми-носценцин лазерных 1пСаАеР/1пР гетороструктур, полученных методом краткокоитактной ЖФЭ, связанные о эффектами размерного квантования в активной области.

Развиты методы изготовления непрерывных лазеров полооко-вой конструкции на их основе таких структур и методы исследования их мощноотных, тепловых, иороговых и доградационных характеристик.

Исследована зависимость излучательных характеристик лазеров полосковой конструкции от длйиы резонатора, потерь на выход излучения из резонатора, ширины волноводе и температуры.

На основе полученных данных созданы образцы лазеров полосковой конструкции с рекордными пороговыми и мощностными характеристиками в непрерывном рокимэ генерации.

Проведено сравш1тельно9 сопоставление полученных экспериментальных дашшх о выводами различных моделей зоны с размерным квантованием и сделан вывод о наилучшем их соответствии выводам модели квантовых точек о различними размерами.

Представляемые к защите научные положения:

Положение ( об эффектах размерного квантовании )

В влект^элюмшюсценции ламорних 1п0аАеР/1пР гет*рострук-

5

тур раздельного ограничения, полученных методом жидкофазной эпитакски с малыш временами выращивания активного слоя, проявляются аффекты размерного гчантования плотности состояний носителей заряда, выражающиеся в появлении дополнительных максимумов в спектрах спонтанной рекомбинации при увеличении плотности тока накачки.

Положение 2 ( о параметрах полосковых лазеров )

Сокращении времени контакта раствора-расплава с подложкой при выращивании Методом ЖФЭ пленарных лазерных 1пСаАаРЛпР гетероструктур раздельного ограничения с длиной бонны излучения 1.3 мкм позволяет при создании на их основе лазеров полосковой конструкции о диэлектрическими покрытиями на сколах :

- снизить пороговую плотность тока ( до 360 А/сма )5

- повисать внешнюю дифференциальную квантовую эффективность (до 83® с одного зеркала) вблизи порогового то.са лазера,

- повысить КПД преобразования ток-свет ( до 5ОХ )

и за счет втого повысить предельную мощность излучения лазера , в непрерывном режиме ( до 500 мвт с одного зеркала ).

Положите 3 ( о соответствии характеристик излучения моде. I одиночной квазильумерноЛ квантовой ямьг )

Спектральные и чергетические характеристики излучения полосковых лазеров, изготовленных на основе 1пСаАаР/1пР гете-роструктур с раздельным ограничением, полученных методом Ж«Э путем сокращения времени кентькта раствори-расплава с подложкой, не соответствуют модели рекомбинации в одиночной квази-дьумерной потенциальной яме, но могут быть ошюаны в рьмках модели реисмбинйш«: ь слое "кьантсьих точек", имеющих

6

различные размеры.

Приоритет результатов ^ Представляемые к защите резулъ т~ты исследований елоктролмымносценпшх свойств 1пСаАвР/1пР РО ДГ-отруктур, полученных методом ЖФЭ путем сокращения времени контакта раствора- расплава с подложкой при выряашвании активного слоя, получены впервые.

Значение результатов г

Исследование особенностей спектров спонтанной электролюминесценции лазерных 1п0аАвР/1пР тетероструктур раздельного ограничения дает необходимую инфорх:ацию для создания полоско-вых лазеров на их основе.

Создание лазеров полосковой конструкции и исследование зависимости излучательных характеристик лазеров полосковой конструкции от длины резонатора, потерь на выход излучения из резонатора, ширины волновода и температуры дает информацию об особенностях процесса вынужденной рекомбинации в активной области, необходимую для оптимизации параметров лазеров.

Анализ полученных данных позволил ооздать образцы лазеров полосковой конструкции 0 улучшенными пороговыми и мо'ц-

ноотными 'характеристиками в непрерывном режиме генерации.

Проведенное сравнительное сопоставление полученных экспериментальных д' 'шых о выводами различных, моделей зоны с размерным квантованием позволяет выработать рекомендации по дальнейшему совершенствованию характеристик лазеров, объясняет, трудности при достижении одномодового рекима генершрш и открывает преимущества их применения в режиме сверхвысокочастотной модуляции излучения.

Структура диссертации у диссертация состоит из введения, трех.глав, заключения и списка литеротуры.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Введение. В. ныл показана актуальность изучения инфекционных лазере в как элементной базы ВОЛС, раскрыто влияние параметров лазеров на параметры ВОЛС, влияние конструкции ластра на параметры лазера и значение выбора технологии выращивания гетероструктуры для создания лазеров резличных конструкций. Проведено также сравнение основных ■мтитаксивльных методик применительно к создайию 1пСаАвР/1пР РО ДГ - лазеров и мотивирован выбор использованной в работе жидкофазой впи-такоиалыюй технологии выращивания гетероотруктур.

Во введении даны также сведения о структуре работы и приведены положения, выносимые на защиту.

Первая глава посвящена пленарным лазерным гетерострук-турам раздельного ограничения в системе 1пСаАвР/1пР, полученным методом модифицированной ¡КФЭ и особенностям их електролю-минесцентних свойств.

Ь первом параграфе рассмотрена технология ЖФЭ в системе 1г^аАзР/1пР и сфог'улированы, проблемы выращивания тонких слоев етим методом.

Во втором параграфе описана модификация метода КО, разработанная в лаборатории Д.З.Гарбуз~ва ГИ им А.Ф.Ио^фе и предназначенная для выращивания тонких слоев четверных твердых раотьеров 1п}аАзР путем сокращения времени контакта 'ррс-таор&-расплава с подлозгкей и ее отличил от других методов.

В третьем параграфе рассмотрен конкретний режим выращн вяния гетероструктур, являвшихся предметом исследования в длиюй работе.

В четвертом параграфе описана получаемая в результате пленарная лазерная РО ДГ - структура и особенности схемы ширины запрещенной зоны в ней, связанные со спецификой использованной ростовой технологии.

В пятом параграфе рассмотрены квантсворазмерны« эффекты в спектрах 1пСаЛаР/СпР РО ДГ - структур, наблюдавшиеся в ходе электрслюминесцентннх исследований излучения пленарных образцов в режиме спонтанной излучательной рекомбинации и выражавшиеся в наличии дополнительных максимумов в спектре излучения, которые при исследовании связывались с наличием в энергетическом спектре состояний выраженных подзон размерного квантования.

В шестом параграфе проведен анализ КРЭ и способов определения толщины активного слоя фотолюминесцентным методом и методом электронной микроскопии. Показано, что непосредственное измерений толщины активного слоя затруднено в силу наличия рядом слоев близкого состава, а фотолюшшесцентиый метод дает усредненное значение толщины.

В седьмом параграфе приведены результаты исследования образцов, имеющих четыре отражающих грани и генеоирущих лазерное излучение в замкнутей моде. Отмечено, что использование описанной технологии позволяет доотичь лазерной генерации при рекордно низких плотностях тока накачки.

Вторая гл<1ва посвящена исследованию лазорев подосновой

9

конструкции, генерирующих излучение в модах Фабри-Перо.

В первом параграфе рассмотрены области применения исследуемых лазеров и требования к пространственным и энергетическим характеристикам излучения, накладывающие ограничение на лолосковую конструкцию лазеров и определяющие направление оптимизации лазеров. Сформулированы требования к конструкции лазеров.

Во втсрсм параграфе перечислены и описаны использованные в работе конструкции колосковых лазеров, проведен сравнительный анализ их основных сеойств и оптимальных областей применения.

В третьем параграфе исследовано значение теплового сопротивления лазеров для достижения непрерывного режима генерации и основные факторы, влияющие на его величину. Приведены также примененные в работе методы его снижения. Проведен анализ способа монтака лазеров к теплоотводу и деградаци-оннне свойства лазеров в непрерывном режиме излучения при большой излучаемой мощности.

В четвертом параграфе приведен анализ зависимости параметров полосковых лазеров от потерь а выход излучрния как метод исследования физических процессов, протекающих в активней области при вт"чувдекной излучательно»» рекомбинации в слое четверного твердого раствора. Рассмотрена зависимость пороговой плотности тока, внешней дифференциальной квантоьой Г'ффоктиьности (.ДКЭ), тепле®ого и омического сопротивлений и и:-: влияние на предельную достижимую мощность лязора. Проанализировано особенность зависимости ИКЭ от длины резонатора, сн-лемшай с пэдонкем- ДКЭ в лазерах с коротким резонаторы и

• 10

обоснован вывод о том, что такое- поведение расходится о пред сказаниями расчетов в рамках модели лазера о раздельным ограничением и одиночной квантовой ямой в качестве активной области.

В пятом параграфе рассмотрено влияние отражающих покрытий, нанесенных на греки инкекционного лазера, на его излуча-тельные характеристики. Показано, что варьируя длину резонатора лазера и кое<£фициенты отражения нанесенных покрытий, можно существенно увеличить внешнюю дифференциальную квантовую вффективность вынужденной рекомбинации с одного торца лазера, снизить пороговую плотность тока и абсолютный пороговый ток лазера, увеличить предельно достижимую мощность излучения в непрерывном режиме. Исследование зависимости пороговой плотности тока и внешней ДКЭ от потерь на выход излучения в лазере показало хорошее совпадение экспериментальных результатов с расчетным» в части влияния отражающих покрытий на параметры лазеров, что подтверждает высокое качество покрытий, нанесенных по технологии, разработанной в ходе данной работы. Специальные исследования показали, что деградационные характеристики лазеров при нанесении покрытий этим методом «е снижаются. В'Ходе исследований был подтвержден факт аномального снижения ДКЭ ь области высоких удельных потерь излучения .

В шестом параграф? исследовано влияние ширины волновода на параметры лазеров различных конструкций применительно к достижению предельных мощностей излучения в волноводной моде нулевого порядка. Рассмотрена зависимость пороговой плотности тока и ДКЭ ®т шриш волновода- в лазерах различней конетрук-

11

щш. Показано значительное снижение дифференциальной квантовой эффективности и возрастание пороговой плотности тока с уменьшением ширины волновода, которое связывается в том числе и о теш ке причинами, что и падение ДО в лазерах о большими потерями на выход излучения.

В седьмом параграфе приведены свойства полученных в результате вышеописанных исследований лазеров как приборов оптоелектроники. Показано, что путем сокращения времени контакта раотвора-раоплава с подложкой в процессе роста лазерной гетероструктуры раздельного ограничения в системе 1пСаАаР/1пР и последующего изготовления из пленарных гетероструктур лазеров маза- и зарощекной мезаполосковой констругадай удаетоя достичь рекордных абсолютных мощностей излучения из одиночного лазера, работающего в многомодовом реалме. Так, предельная мощность непрерывного излучения мезаполооковохо лазера о шириной ыезы 17 мкм превысила 500 мВт из одного торца, а для зарощенной мезалолооковой конструкции предельная мощность, достигнутая в ходе данной работы, ооотавила более 460 мВт при ширине ыезы 12 мкм , причем ета конструкция обеспечивает значительный орок службы лазера. Рекордная ДКЭ составила 63 мВт/мА вблизи порога генерации, причем порог в указанном лазере ооотавил 35 мА, а предельная мощность достигалась при 600 мА и ооотавила более 360 мВт при комнатной температуре. Максимальный КПД преобразования ток- свет превысил 50%.

Для лазеров, излучающих в волноводной моде нулевого порядка, по указанным ранее причинам были достигнуты значительно Более окромные результаты.. Хотя достигнутая в ходе данной работы мощость непрерывного излучения 70 мЕт на перед-

12

нем зеркале и являлась лучшей в СССР в момент получения, она уке заметно уступала результатам, полученным на лазерах, выращенных методом ЧОСУи. Главной причиной, ограничивающей предельную достижимую мощность в лазера*, оказалось падение ДКЭ при возрастании потерь излучения, проявляющееся в зависимости Д1СЭ от длины резонатора, ширины волновода и превышения накачки над порогом ( при увеличении тока накачки лазера ДКЭ значительно падает ). Анализу причин самого втого явления и посвящена следующая глава.

В третьей главе обсуждаются особенности излучательных характеристик 1пСаЛвР/1пР лазеров о раздельным ограничением и квантоворазмерным активным слоем, полученных методом крвт-коконтактной ЖФЭ в свете модели излучательной рекомбинации в одиночной квантовой яме.

В первом параграфе описана классическая модель вынужденной излучательной рекомбинации в квазидвумерной квантовой яме и основные отличия такой рекомбинации ст случая рекомбинации в объемном полупроводнике: сужение спектра усиления, стабилизация максимума спектра усиления при изменении накачки и резкий длинноволновый край спектра усиления и т.п.

Во ьтором параграфе приводится сравнение експеримен-талышх спектров излучения лазеров в режиме генерации и предсказаний модели. Показано, что вопреки предсказаниям модели кьазидвумерного слоя ¿лрина спектра генерации такого лазера заметно больше, чем у лазеров с толстой активной область». Ширина еггектра генерации лазера при десятикратном пр^ьишеяии

тока над пороговым достигает 400 Я, то есть сравнима о шириной опектра спонтанной люминесценции. Ожидаемого резкого длинноволного края в спектрах генерации совершенно не наблюдается.

В третьем" параграфе анализируется изменение спектра излучения лазера о увеличением тока накачки. Показано, что, как правило, генерация начинается в одной или двух модах резонатора Фабри-Перо на длине волны .3 мкм и, при увеличении тока накачки в 7-10 раз, спектр ее уширяется до диапазона 1.28 - 1.32 мкм, то есть составляет 400 8. При етом максимум опектра генерации обычно смещается на длину волны 1.315 мкм, т.е. в длинноволновую сторону. Эта специфическая особенность генерации наблюдается воспроизводимо во всех лолооковых лазерах, полученных исследуемым методом, и находится в прямом противоречии не только с предсказаниями модели рекомбинации в квантоворазмерном слое, но и о представлениями о вынужденной рекомбинации в толотой активной облаоти, допускавдими смещение максимума спектра генерации в отсутствие разогрева активной облаоти только в коротковолновую сторону.

В четвертом параграфе приведены результаты анализа пространственного распределения энергии излучения в лазерном . волноводе и вне его, а также процесса перераспределения энергии между лазерными модами при изменении накачки, и сделан вывод о суперпозиции мод, не свойственной для сугубо нелинейных сред, таких, как лазерные активные области.

В пятом параграфе проведено сравнение экспериментальной зависимости пороговой плотности тока от потерь в лазерах полооковой конструкции и результатов расчетов, проведенным в

14

рамках модели рекомоинащя! в квзнтоворазмерном слое. Отмечено существенное их расхождение и проведен анализ возможных причин их расхождения. Сделан вывод о неадекватности исполъзова-ной в расчетах модели реальной активной области лазера.

В шестом параграфе приводится сжатое описание особенностей ЖФЭ-роста четверных твердых растворов 1тйаАвР/1пР = связанных с их термодинамической неустойчивостью

(по материалам зарубежных публикаций). Показано, что слои четверных твердых растворов 1п0аА8Р/1пР (Х=1.ЗДга), выращенные методом ЖФЭ, никогда не бывают однородными на оубмикронной школе и всегда имекг ячеистую структуру, причем глубина модуляции состава и размер ячеек зависит от условий роста. Аналогичные исследования в ФТИ не проводились.

В седьмом параграфе предложено использовать известную модель квантовь'х точек, имеющих широкое распределение по размерам, для описания полученных излучательных характеристик лазеров и сформулировано, как в рамках этой модели предлагается интерпретировать особенности этих.характеристик.

В заключении сформулированы основные результаты работ«

1. Исследованы с.обеннооти спектров спонтанкой электролюминесценции лазерных 1пЦаАвР/1пР гэтероструктур, полученных методом крзткоконтактноя ЖФЭ, связанные о ©фактами размерного квантования в активной области.

2. Развиты методы изготовления непрерывных лаиеров полоско-.вой конструкции на их основе таких структур и методы исследования их мощностных, тепловых, пороговых и деградационшч характеристик.

та

3< Исследована зависимость излучательных характеристик лазеров полосковой конструкции от длины резонатора, потерь на выход излучения из резонатора, ширины волновода и температуры.

4. На основе полученных данных созданы образцы лазеров полосковой конструкции с рекордными пороговыми и мсщиостными характеристиками в непрерывном режиме генераций.

5. Проведено сравнительное сопоставление полученных экспериментальных данных с выводами различных моделей зоны о размерным квантованием и сделан вывод о наилучшем их соответствии выводам модели квантовых точек с различными размерами.

Содержание работы отражено в следующих научных публикациях:

1. Д.З.Гарбузов, С.В.Зайцев, А.Б.Нивин, А.В.Овчинников, И.С.Тарасов, А.Б.Комиссаров. "Непрерывные меаалолосковые InGaAßP/InP лазеры о Х=1.3мкм. Снижение порогов, повышение мощности", Письма в ХТФ, т.12,в.7, со.660-663.

2. К.И.Алферов, Д.З.Гарбузов, С.В.Зайцев, Н.Ю.Давидюк, А.Б.Нивин, H.A.Стругов, И.С.Тарасов. "Непрерывный InCaAsP/InP ;х=1.3мкм) лазер раздельного ограничения мощностью 270мВт-(Т=20°С,1=900мА, внешнее диелектрическое зеркало). Письма в ЖТФ,- 1967, т.13, в.9, стр.552-557.

3. Х.И.Алферов. Д.З.Гарбузов, С.В.Зайцев, А.Б.Нивин, А.В.Овчинников, И.С.Тарасов. "Квантоворазмерные InGaAßP/InP PO ДГ лазепы о Ы.Зыки (1пор=410А/сма, 23°С). ФТП, 1987,

т.5, в.о, стр.024-829.

4. Д.З.Гарбузов, С.В.Зайцев, Н.Д.Ильинская, А.В.Овчинников, К.Ю.Кижаев, А.Б.Нивин, H.A.Стругов, И.С.Тарасов "Мощные по-

16

лосковые 1п0аАвР/1пР РО лазеры для ВОЛС ( Х=1.55мкм, Т=ЗООК, Р=50мВт), Письма в ЖТФ, 1987, т.13, в.9. стр.535-537

5. Д.З.Гарбузов, С.В.Зайцев, Н.Д.Ильинская, В.И.Колышкин, А.В.Овчинников, И.С.Тарасов, М.К.Трукан "Исследование срока службы непрерывных мезаполосковых 1пСаАвР/1пР лазеров раздельного ограничения (Х=1.3мкм)", ЖТФ, 1988, т.57, в.9,

стр.1822-1824.

6. Д.З.Гарбузов, С.В.Зайцев, В.И.Колышкин, М.М.Кулагина, И.А.Мокина, А.В.Овчишшков, .А.Б.Нивин, И.С.Тараоов. "Заро-щешше непрерывные 1пСаАвР/1пР (Х=1.3.^км) лазеры раздельного ограничения (^ЗбСЛ/ема,Р=ЗбОмВт,Т=1а°С)", Письма в ЖТФ, 1988, Т.14, в.2, стр.99-104.

7. Д.З.Гарбузов, С.В.Зайцев, В.И.Колышкин, Т.А.Налет, А.В.Овчинников, И.С.Тарасов. "Мезаполосковые 1пСаАвР/1пР квантоворазмерные лазеры раздельного ограничения- (Х=1.3мкм, ^ЗЗОА/см2, Р=0,5Вт, Т=18°С), Письма в ЖТФ, 1988, т.14, в.З, стр.241-^4?.

8. М.И.Беловолов, Д.З.Гарбузов, Е.М.Дианов, С.В.Зайцев, А.П.Крюков, И.С.Тарасов. "Токовые перестроечные- характеристики 1п0аАеР/1пР гетеролазеров с внешним дисперсионным резо-наторсм", Письма в .-КЭТФ, 1988, т.14, в.23, стр.2116-2120

9. И.И.Беловолов, Д.З.Гарбузов, К.М.Дианов, С.В.Зайцев, А.П.Крюков, И.С.Тарасов. "Бистаеильный режим квантоворпзмер-ных 1п0аАеР/1пР лазеров с внешним дисперсионным резонатором". Письма в ЖЭТФ, 1988, т 14 В.23, стр.2128-2132.

10. Д.З.Гарбузов, С.В.Зайцев, Т.А.Налет, Л.В.Овчгасшков, '1.С.Тарасов."Зависимость от потэрь на выход пороговой плотности тока и дифференциальной эффективности РО ДГС 1п0аАеР-. .1пР(Х-1.;м>г< )лазерсь". Письма в ЖП, 1990, г. 1гз,ь. 9. 3.60-54.

~\Т '

РТП ПИЯФ,вак.16,тир.100, уч.-мзд.л.Х; 2*/ХП-1993 г. Беоплатно