Исследование полупроводниковых термоэлектрических интенсификаторов теплопередачи и разработка устройств для термостабилизации радиоэлектронных систем тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

РТ6 Ой-

Дагестанский государственный университет

На правах рукописи . УДК 621.362:537.322

ГАДЖИ ЕВА СОЛТАНАТ МАГОМЕДОВНА

ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ИНТЕНСИФИКАТОРОВ ТЕПЛОПЕРЕДАЧИ И РАЗРАБОТКА УСТРОЙСТВ ДЛЯ ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИИ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ

Специальность 01.04.10. - Физика полупроводников и диэлектриков

Авторефер ат

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

МАХАЧКАЛА - 1996

Работа выполнена в Дагестанском государственном техническом университете.

Научный руководитель • доктор технических наук, профессор

Исмаилов Т.А.

Официальные оппоненты - доктор физико-математических наук,

профессор Сафаралиев Г.К. - доктор технических наук, профессор Иванов О.П.

Ведущая организация • Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет.

Защита состоится "22" декабря 1996 г. в час. на

заседании специализированного совета К.063.61.06 по присуждению ученой степени кандидата физико-математических наук в Дагестанском государственном университете по адресу: 367025,' г.Махачкала, ул. М.Гаджиева 43а в актовом зале.

С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке Даггосуниверситета.

Автореферат разослан " ноября 1996 г.

Ученый секретарь специализированного совета, ' г

доктор технических наук, профессор Ш.А.Гайдаров

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы диссертации. Исследование и разработка специальных средств теплозащиты радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), создание принципиально новых типов систем охлаждения, отвечающих специфическим требованиям, изучение их энергетических и технико-экономических показателен является важной народнохозяйственной задачей.

Элементы радиотехники и электрорадиоматериалы обладают ограниченной теплостойкостью, т.е. могут нормально работать лишь в заданном диапазоне температур. Причина состоит в различных физических и химических процессах, которые при повышении (или понижении) температуры либо развиваются лавинообразно, либо приводят к усиленному старению материалов.

Анализ статистических данных об отказах показывает, что нестабильность параметров элементов из-за воздействия температуры составляет 60-70 %.

Все расширяющая область применения полупроводниковых термоэлектрических устройств (ТЭУ) (микроэлектроника, радиоэлектроника, лазерная техника, оптика и т.д.) выдвигает новые требования к оборудованию и средствам для обеспечения интенсивного отвода теплоты от источников с высокими удельными тепловыми нагрузками. Эти требования столь разнообразны, противоречивы и необычны, что их выполнение является сложной и не всегда разрешимой задачей.

Существующие в настоящее время устройства и системы для отвода теплоты и термостатирования не всегда отвечает указанным требованиям и не для всех объектов могут бьггь использованы, а их применение часто связано с отсутствием более совершенных систем и аппаратов. Поэтому, исследование и разработка специальных полупроводниковых термоэлектрических интенсификаторов теплопередачи (ТЭИТ) и систем термостатирования, обеспечивающих интенсивный отвод теп-

лоты от источников с высоким удельным» тепловыми нагрузками, оптимизация их конструктивных, электро- и теплофизических и режимных параметров является важной научно-технической задачей.

Применение полупроводниковых ТЭУ для охлаждения и термоста-билизацим в РЭА обусловлено рядом достоинств: возможность создания миниатюрных охлаждающих устройств, где применение иных способов охлаждения встречает существенные трудности; неограниченные ресурсы работы; отсутствие в охлаждающих системах рабочих жидкостей и газов, следовательно, отсутствие опасности загрязнения окружающего пространства; независимость параметров холодильника от ориентации в пространстве или влияние поля тяжести; возможность работы при больших механических перегрузках; возможность регулирования и статирования температуры путем регулирования тока питания; быстродействие и возможность получения заданной временной зависимости. "Гермоэлеюрическим охлаждением достигается интенсификация теплойтвода, что позволяет увеличить мощность элеюронной аппаратуры и повысить плотность монтажа.

Все вышеизложенное обуславливает актуальность проведения настоящего исследования.

Цель диссертационной работы. Целью настоящей работы является разработка и создание на основе полупроводниковых термоэлектрических преобразователей принципиально новых интенсификаторов теплопередачи контактного типа с различными тепловыми схемами и проведение комплекса теоретических и экспериментальных исследований, направленных на создание математических моделей и методик расчета.

Достижение указанной цели предполагает решение следующих основных задач:

I. Разработка математических моделей полупроводниковых ТЭИТ ¡контактного типа с учетом многомерности температурных полей в ■элементах конструкции.

2. На основе проведенных исследований разработка новых конструктивных вариантов полупроводниковых ТЭИТ с различными тепловыми схемами.

3. Разработка инженерных методик расчета основных параметров полупроводниковых ТЭИТ контактного типа.

4. Проведение комплекса экспериментальных исследований с целью подтверждения теоретических данных.

5. Практическая реализация результатов работы.

Методы исследования. Для решения поставленных задач использованы методы системного анализа, информатики, теории множеств, метод верхней релаксации для ускорения сходимости итерационного процесса, метод Гаусса-Зейделя.

Научная новизна работы. В диссертационной работе защищаются следующие положения, представляющие научную новизну:

1. Теоретические принципы решения проблемы по интенсификации теплопередачи от объектов с высокими удельными тепловыми нагрузками на основе применения полупроводниковых термоэлектрических преобразователей.

2. Математические модели полупроводниковых ТЭИТ:

а) контактного типа с объектом теплового воздействия в виде замкнутого объема или элемента;

б) контактного типа с промежуточным теплоотводом с учетом неодномерности температурных полей.

3. Метод определения рациональной области применения ТЭИТ.

Практическая ценность и внедрение результатов работы. Разрабо-

гана методика для всестороннего анализа работы полупроводниковых РЭИТ н определения влияния характеристик объекта и других факто-зов на энергетические и технико-экономические показатели.

В работе решена задача, позволяющая получать трехмерное емпературное поле при локальном переносе теплоты. Предложены >ригинальные тепловые схемы с промежуточным теплоотводом, позво-

ляющие значительно повысить, в зависимости от условий работы энергетическую эффективность устройства.

Создана методика сравнительного анализа систем естественного > термоэлектрического охлаждения элементов и узлов радиоэлектрон ной аппаратуры.

Проведенные теоретические и экспериментальные исследование позволили разработать практические рекомендации по использовании полупроводниковых ТЭИТ при различных условиях эксплуатации < учетом тепловых нагрузок, массогабаритных характеристик и други> показателей для объектов.

Полученные результаты исследований нашли практическое применение в различных организациях и предприятиях. Многие разработки при непосредственном участии автора испытаны, внедрены у переданы организациям Министерства авиационной промышлености средств автоматики и систем управления, электронной промышленности, а именно:

• полупроводниковая термоэлектрическая система для интенсификации теплопередачи и термостабилизации элементов РЭА в изделиях ДагНИИРА ПО "Азимут", позволяющая улучшить тактико-технические показатели и работоспособность объекта в условиях эксплуатации;

- полупроводниковые термоэлектрические переносные интенсифи-каторы для жидких диффузантов на ПО "Эльтав", применяемые при изготовлении микросхем и способствующие повышению качества выпускаемой продукции;

- полупроводниковые ТЭИТ для отвода тепла от мощных микросхем, транзисторов и электронных узлов с дискретными источниками выделений тепловой энергии;

- полупроводниковое ТЭУ для испытания элементов и узлов РЭА при низких температурах на ПО "Эльтав".

Проводимые исследования включены в Российскую Государственную научно-техническую программу "Технологам, машины и производства будущего" по 3-му разделу "Исследование, разработка, освое-. ние и выпуск мелкосерийной и малотоннажной наукоемкой продукции для отраслей народного хозяйства России".

Реализация результатов работы на объектах улучшает тактико-технические данные, эффективность, точность и качество устройств и систем. Внедрение разработанных устройств и систем на предприятиях позволяет достичь существенного экономического эффекта.

Апробация работы. Отдельные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на Международной научно-технической конференции "Современные проблемы нетрадиционной" энергетики" (Санкт-Петербург, 1994), Первом Международном симпозиуме "Интеллектуальные системы 94" (Махачкала, 1994), Всероссийском совещании "Холодильная техника России. Состояние и перспективы" (Санкт-Петербург, 1995), Всероссийской научно-технической конференции . "Состояние и перспективы развития термоэлектрического приборостроения" (Махачкала, 1995), Всероссийской научно-технической конференции "Информационно-управляющие системы и специализированные вычислительные устройства для обработки и передачи данных" (Махачкала, 1996), III Международной научно-технической конференции "Актуальные проблемы электронного приборостроения АПЭП-96" (Новосибирск, 1996).

Публикации. Результаты диссертации опубликованы в 12 печатных работах.

Структура и объем диссертации. Диссертационная работа изложена на 230 страницах машинописного текста, иллюстрирована 52 рисунками на 57 страницах и 16 таблицами на 13 страницах и состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы, включающего 179 наименований, приложений на 15 страницах и документов о внедрении работы на 9 страницах.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении к диссертационной работе обосновывается актуальность проблемы, цель и основные задачи исследования.

В первой главе проведен обзор публикаций, посвященных полупроводниковым ТЭУ, реализующим эффект Пельтъе в установках различного назначения, указывающий на то, что области их применения затрагивают не только традиционные сферы охлаждения или нагрева объектов и потоков теплоносителей соответственно ниже или выше температуры окружающей среды.

Показано, что в ряде устройств, а именно в полупроводниковых ТЭИТ, обеспечивается принудительная передача теплоты от объектов с высоким температурным потенциалом х объектам с низким температурным потенциалом. При этом возможно многократное снижение массы и габаритов теплообменных устройств.

Отмечено, что известные конструктивные решения полупроводниковых ТЭИТ, реализующие чаще всего интенсификацию процесса охлаждения присоединенных к ним тепловыделяющих элементов, отвечают схеме: объект - термоэлектрическая батарея - теплообменник . В то же время, основная особенность полупроводниковых ТЭИТ, отличающая их от других типов термоэлектрических тепловых насосов, а именно, совпадение направления естественной и принудительной передачи теплоты открывает дополнительные возможности для совершенствования конструкций и должна учитываться при разработке расчетных методик.

Указано, что нзвсстные методики оценки эффективности полупроводниковых ТЭИТ выполнены также лишь применительно к устройствам контактного типа и не учитывают реального распределения температурных полей в элементах конструкции. Отмечено, что оптимизация энергетических, массогабаритных и технико-экономических по-

казателеЛ полупроводниковых ТЭИТ контактного типа должна проводиться с учетом специфики объекта теплового воздействия, условия работы, временного характера изменения нагрузок и температуры окружающей среды, что позволит правильно оценить возможности полупроводниковых ТЭИТ и проводить целенаправленный и обоснованный их выбор для различных объектов. Показано, что отсутствие разработок и всесторонних исследований по полупроводниковым ТЭИТ является препятствием для более широкого внедрения их в различные отрасли народного хозяйства.

Во второй главе разработаны математические модели полупро» водниковых ТЭИТ в стационарном режиме. Показано, что обеспечение тепловых режимов тепловыделяющих элементов в зависимости от конструктивного исполнення полупроводниковых ТЭИТ можно осуществлять различными тепловыми схемами, обязательно включающими тепловыделяющий элемент, термоэлектробатарею и радиатор, рассеивающий выделяемую термоэлектробатареей мощность в окружающую среду.

• Предложено повысить теплорассеивающую способность пластины при ее локальном нагреве за счет применения промежуточного тепло-отвода между источником тепловыделений и теплопоглощающей стороной термоэлектробатареи. Отмечено, что посредством промежуточного теплоотвода часть нагрузки от источника тепловыделений рассеивается в окружающую среду под действием естественной разности температур, вследствии чего термоэлектробатарея работает в условиях меньшей тепловой нагрузки и меньшего температурного напора, что расширяет область эффективного применения полупроводниковых ТЭИТ.

Отмечено, что при проведении расчетов температурных полей на поверхности радиоэлектронных плат, содержащих определенное количество. тепловыделяющих элементов, возникает проблема точного определения температуры в каждой точке и перегрева отдельных

элементов свыше допустимого уровня, причем, если рассматривать каждый элемент в отдельности и рассчитывать температурные толя как суперпозицию всех температурных попей тепловыделяющих элементов, то это приведет* тому, что после расчета отдельно взятого элемента придется ввести поправку его температуры за счет наложения температурных полей других тепловыделяющих элементов.

Применение метода энергетических балансов приводит к следующему уравнению для температуры в каждой расчетной точке: А, А. А.

—(Р|Т1 + РгТг) +—(ИЛ! + ¥*Та) + —(Ыз + Г«Тб)+а00(Та-То) Ьх Ьу Ьг

Т =-1-----(I)

Л Я А.

_(Ъ+РгН — (?1 + р4) + — (Ь + Еб)

Ьх Ьу Ъг

ЬхЬу ЬхЬг ЬуЬх

зде Р|=С| -; ?1=Сг -; Рз=Сз- :

4 4 4

ЬуЬг ЬгЬх ЬгЬу

Рч= С4- ; Рз = Сз- ; Р6 = С6-

4 4 4

(2)

еде Р| - площадь грани элементарного объема; Ьх^^ - шаг сетки по осям координат; Л - коэффициент теплопроводности материала; Т| -температура средней точки соседнего элементарного объема; С|=1...4 -коэффициенты площади 1рани элементарного объема; сц, - коэффициент теплоотдачи; ¡=1...б - номер, граничащего с расчетным, элементарного объема: по оси х - слева 1, справа 2; по оси у - снизу 3, сверху 4; по оси г - спереди 5, сзади 6.

Численный расчет температурного поля в ограниченной пластине реализован в версиях ЕОХРЯО-программ, решающих системы хонеч-шо-разносгных уравнений методом Гаусса-Зейделя с использованием метода ускорения сходимости итерационного процесса.

На рис.1 и 2 приведены результаты теоретических исследований величин отводимой теплоты от источника (^ш через термобатарею (^б и промежуточным теплообменником <2* для полупроводниковых ТЭИТ в зависимости от конструктивных и теплофизических параметров.

<г.Вт

(2, Вт

'.•с

11/

50

100

.150 200а, Вт/и«

Рис. I. Зависимость отводимой теплоты от разности температур источника и теплопоглощаххцих слоев

полупроводниковой термобатареи при Х»520 Рис. 2. Зависимость отводимой теплоты сгт

Вт/мК, а=|00 Бт/я'К (1 • источник тепловыделений, коэффициента теплоотдачи прм Х=320 Вт/иК,

2 - термобатареи, 3 - промежуточный а<*100 Вт/м'К, ДТ"2К (1 • термобатарея, 2 -

теплообменник.) источник тепловыделений, 3 • промежуточный

теплообменник.)

Показано, что в случае термосгабилизации замкнутого объема (рис.3) в нем обеспечивается температура Т| при температуре среды, омывающей внешние спаи термоэлектробатареи, Тг. Тепловая нагрузка на тер-моэлеюробатарею определяется суммой внутренних тепловыделений V/1 и теплопри-токов (теплопотерь) (^т со стороны среды, омывающей объем сгатирования Т22. Отличие тепловой схемы режима термостабилизации элемента или микросборки (рис. 4) заключается в том, что под температурой сгатирования понимается температура корпуса элемента. Величина тепловой нагрузки V/' определяется с учетом возможного рассеивания части выделяемой

« Т» '41 Рис. 3. Теплови схема режима

сгатирования объема сн» 10*

Тк

♦ 4« 1 сц Т» Рис. 4. Тепловая схема режима статирования алемента

(поглощаемой) объектом мощности в окружающую среду. Коэффициенты теплопередачи по внутренней и наружной стороне задаются соответственно как си, сс2 и выражение для холодопроизводительности имеет вид:

I X X <3'г Q4I-0.Se---) - - .- .

БвКа с1К2 а Ка д, = --- (3)

1 X I X

(1 + 0,5е---).(1 -0,5е- + -)- -

БвКл <1К| БвКг сРКЖг

Выражение для теплопроизводительности:

I X X <У\ 0!г{\ + 0,5е-+- )- -.-

БвК.1 ¿К., <1 К1 д2 = -- (4)

IX I

(I +0,5е---).(! -0,5е- + -)- -

БвК.! с1К1 БвКг <1К2 ^КЖг

ще е - коэффициент термо-э д.с. вещества; 8 - площадь термоэлектробатареи по веществу; X - коэффициент теплопроводности вещества; <1 ■ высота ветви; Бв - площадь сечения ветви; К) и Кг - коэффициенты теплопередачи соответственно на охлаждающей и нагревающей сгоро-нах; I - сила тока питания.

Рассмотрена методика выбора полупроводниковых ТЭУ дш охлаждения элементов и узлов РЭС. Температурные поля электронной узла с теплообменником и без него, с применением полупроводниково го ТЭИТ и с промежуточным теплообменником приведены на рис.5 Разработанная методика позволяет определять потребное количеств« каждого типоразмера полупроводниковых термоэлектрических моду

с полупроводниковым ТЭИТ н промежуточным теплоотаодом

Рис.5. Температурные поля радиоэлектронного модуля

лей, выполнять их компановку в габариты необходимой площади рассчитывать режим питания, энергетические коэффициенты и масс] полупроводниковой термоэлектрической батареи.

При разработке методики предусмотрено шесть возможных режи мов работы термоэлектробатареи: три режима при охлаждении (отвод теплоты) объема (элемента) статировання и три режима при нагрев (подводе теплоты).

Сформулирован вывод, что применение полупроводниковых тер мобатарей в качестве интенсифнкатора теплопередачи значительна улучшает массогабаритные характеристики гегшоотводящкх систем качество работы тепловыделяющих объектов и целесообразно при н< больших температурных напорах между тепловыделяющим элемента и средой. Отмечено, что преимущество термоэлектрического охлажд< ния в массогабаритных показателях увеличивается при повышени температуры горячих спаев термобатареи, что требует увеличен энергопотребления.

Третья глава посвящена экспериментальным исследованиям п< лупроводниковых ТЭИТ. Отмечено, что для проведения экспериме! тальных исследований полупроводниковых ТЭИТ контактного таг был разработан стенд, позволяющий провести теплотехнические ист тания устройств как в стационарных, так и в динамических режим: работы, посредством изменения температуры среды в камере и отвод мой мощности от элементов РЭА. На рис.6 приведены теоретические экспериментальные зависимости теплоты, отводимой промежуточнь теплоотводом и термобатареей, от величины рассеивающей мощное тепловыделяющего элемента, подтверждающие правомочность в; бранных математических моделей для полупроводниковых ТЭИТ.

Приведены зависимости температур различных элементов терм электрического интенсифнкатора теплопередачи от рассеивают мощности источника тепловыделений (рис.7, рис.8). Применен промежуточного теплообменника значительно улучшает характерист

Рис. 6. Теоретические и экспериментальные зависимости отводимой теплоты промежуточным теплообменником и термобатареей от величины рассеиваемой тепловыделяющим элементом мощности при подключенных двух модул« ( "*• • теория, а , в -эксперимент, I-термобатарея, 2* промежуточный теплообменник)

т. К 4)3 / А- 1

393 «

333 / /

3 10 13 20 «»Вт Рнс, 7. Эплгсркменталывдс зависимости температур различны! умастил полупроводннговья ТЭИТ без промежуточного теплоебмеянхка от мощности источник» тепловыделений ( . температура ясточнюс»

тепловылеленя», • . теплообменника термобатарея, 1=1,8 А, Т., ,. -251 К).

ю 20 зо

Рис. 8. Эксперимент альянс завясямостя температур различных участия ТЭИТ с промежуточным теплообменником от мощности источник* тепловыделений ( • . температура источник» тепловыделений, X . теплообменника термобатарея, А . промежуточного теплообменника, 1=1,8 А, Т-,,. «291 К).

Т,К 28} 219 275 271

Рис. 9. Зависимость температуры стабилизации от тока питания при Т«,.."25'С ( —• теория, А -эксперимент)

Т,К

290,3

290

2ОТ.З

А

Рис, 10. Зависимость температуры теплообменника от ток» питания Т«, ..«23*С ( — • теория, Л ■ эксперимент)

элемеятоя радиоэлектронное аппаратуры.

элементе« радиоэлектронное аппаратуры.

ки термоэлектрического интенсифнкатора теплопередачи. Например, применение промежуточного теплоотвода при мощности источника тепловыделений 20 Вт уменьшает температуру корпуса источника с 152°С до 58°С. При этом температура теплообменника термобатареи при наличии дополнительного теплообменника снижается на 5°С.

Сравнение результатов теоретических расчетов и экспериментальных исследований показывают, что абсолютные значения отличаются друг от друга во всем интервале в среднем на 12... 15%. На рис.9 и рис.10 приведены расчетные и экспериментальные зависимости стати-руемой температуры и температуры теплоотводящего радиатора от величины тока питания.

Из приведенных зависимостей следует, что разработанная математическая модель с достаточной точностью описывает результаты экспериментальных исследований.

В четвертой главе приведены разработанные полупроводниковые ТЭИТ. Проведенные теоретические и экспериментальные исследования положены в основу разработки полупроводниковых ТЭИТ различного назначения, отличающихся конструкцией, режимами работы, спецификой объекта и условиями эксплуатации.

Разработан полупроводниковый ТЭИТ, изображенный на рис.11 и предназначенный для охлаждения элементов РЭА, диапазон рабочих температур которых выше температуры окружающей среды. Проведенные теоретические и экспериментальные исследования подтверждают, что уменьшение габаритов устройства достигается использованием двух небольших радиаторов вместо одного большого.

Применение дополнительного теплообменника, примыкающего к охлаждаемому элементу и теплопоглощающим спаям термоэлектробатареи, позволяет несколько повысить эффективность устройства. Разработано устройство, изображенное на рис. 12, обеспечивающее эффективное протекание процесса интенсификации теплопередачи, а

также возможность автоматического поддерживания заданного теплового режима работы элементов с высокой точностью (±0,1 °С).

Для использования на предприятиях электронной промышленности в лаборатории термоэлектричества ДГТУ разработано полупроводниковое ТЭУ, предназначенное для интенсификации, термостабили-зацин и регулирования с большой точностью расхода количества жидких диффузантов, используемых при производстве микросхем в электронной промышленности.

Практическая реализация разработанных устройств обеспечивает высокую надежность и эффективность работы изделий и позволяет улучшить конструктивные и энергетические показатели.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

Решена важная научно-прикладная проблема интенсификации теплопередачи и температурной стабилизации и управления режимами работы полупроводниковых приборов и устройств с дискретными тепловыми нагрузками путем применения полупроводниковых термоэлектрических преобразователей.

Разработаны различные тепловые схемы полупроводниковых ТЭИТ контактного типа, позволяющие получить конкретные рекомендации по их использованию для различных объектов и условий эксплуатации.

Созданы математические модели для полупроводниковых ТЭИТ контактного типа с объектом теплового воздействия в виде замкнутого объема ил» элемента, а также с промежуточным теплоотводом, с учетом неодномерности температурного поля в теплообменниках и на поверхности электронного узла. Получены зависимости для коэффициента неодномерной теплопередачи, необходимые для корректного расчета

теплообменника как элемента конструкции полупроводниковых ТЭИТ.

Разработанные методики являются эффективным инструментом, позволяющим разработчикам сравнивать системы естественного и термоэлектрического отвода теплоты и проводить целенаправленный выбор полупроводниковых ТЭИТ в зависимости от предъявляемых требований.

Использование термобатарей в качестве полупроводниковые ТЭИТ значительно улучшает массогабаритные характеристики тепло-отводящих систем и качество работы тепловыделяющих объектов. ,.

Экспериментальные исследования для полупроводниковых ТЭШ контактного типа подтвердили правомочность разработанных математических моделей.

Разработана методика по эффективному применению полупроводниковых ТЭИТ в приборах и устройствах, учитывающая специфику ^ назначение объекта, конструктивные и теплофизические характерисги ки и режимы работы.

На основе проведенных исследований разработаны полупровод никовые ТЭУ различного назначения, которые нашли применение I радиотехнике, микроэлектронике и других отраслях. Ряд методик и ре комендаций по использованию полупроводниковых ТЭИТ внедрены г производство и нашли практическое применение в организациях > предприятиях различных Министерств и ведомств.

Совокупность результатов проведенных исследований позволяв-использовать их в качестве научной основы'в дальнейшем при разра ботке и создании полупроводниковых ТЭИТ. Необходимость продол жения работ в. этом направлении подтверждается включением их ] Российскую государственную научно-техническую программу.

ПУБЛИКАЦИИ ПО ТЕМЕ .ДИССЕРТАЦИИ

маилов ТА., Гаджиева С.М. Термоэлектрические полупроводнико-е интенсификаторы теплопередачи.// Изв.ВУЗов, Приборостроение, >4 г., т37, N 11-12.- с.74-75.

маилов ТА., Гаджиева С.М. Разработка и создание термсолектри-:ких полупроводниковых иктенсификаторов теплопередачи для эле-нтов радиоэлскгроннки.//Гезисы докладов Международной научно-;.конференции "Современные проблемы нетрадиционной энергети-"- г.С.-Петербург, 1994г.-с.77-78.

¡маилов ТА., Йсабеков И.М., Гаджиева С.М.Эксергетическая оцен-эффективности полупроводниковых термоэлектрических интенси-1каторов теплопередачи.// Сборник научных трудов ДПТИ, Рос-я, Респ. Дагестан, Махачкала, 1994.-С.184-189. сманлов ТА., Гаджиева С.М. Высокоэффективные термоэлеетриче-ие полупроводниковые интенсификаторы теплопередачи контактно-| типа для радиоэлектронных систем.// Тезисы докладов Первого еждународного Симпозиума "Интеллектуальные системы 94"- Рос-1Я, Дагестан, г.Махачкала, 1994.-С.248-250.

1джиева С.М., Исмаилов ТА. Математическая модель термоэлектри-хкого интенсификатора теплопередачи контактного типа.//Сборник 1учных трудов ДПТИ "Актуальные проблемы информатики, управ-:ния и радиоэлектроники", Россия, Дагестан, Махачкала, 1994 г. смаилов ТА.,Гаджиева С.М. Экспериментальные исследования полу-роводниховых термоэлетрических интенсифихаторов теплопередачи энтактаого типа7/Изв.ВУЗов, Приборостроение, 1995г., т.38,стр.51 -53. 1смаилов ТА., Гаджиева С.М. Расчет термоэлектрических ннтенсн-нкаторов теплопередачи для гермостабилизации узлов радиоэлектро-нкнУ/ Тезисы докладов Всероссийского совещания "Холодильная :хника России. Состояние и перспективы."-г.Санкт-Петербург, 1995

8. ИсмаиловТА., Гаджиева С.М. Термостабилизация микросхем с nj менением полупроводниковых термоэлектрических интенсификатор теплопередачи контактного типа7/ Тезисы докладов Всероссийск научно-технической конференции "Состояние и перспективы развит термоэлектрического приборостроения" -г. Махачкала, 1995 г.-с.8-10.

9. Гаджиева С.М., Мамедов КА. Моделирование теплофизическ процессов в термоэлектрических полупроводниковых устройствах д элементов с высокими удельными тепловыми потоками.// Тезисы t кладов Всероссийской научно-технической конференции "Состояни! перспективы развития термоэлектрического приборостроения г.Махачкала, 1995 г.-с.41-42.

10. Гаджиева С.М. Разработка методики автоматизированного расчс параметров термомодуля для обеспечения необходимых тепловых ] жимов электронного устройства с распределенными источниками т< ловыделений.ЛТезисы докладов Всероссийской науч.- т конф."Информацнонно-управляющие системы и специализированн вычислительные устройства для обработки и передачи данных"- Да: стан, г.Махачкала, ДГТУ, 1996г.-с.125.

11. Гаджиева С.М. Математическая модель трехмерного теплового пс радиоэлектронного устройства в условиях применения термоолектри1 ского охлаждения.// Тезисы докладов Всероссийской науч.-тех. ко» "Информационно-управляющие системы и специализированные в числительные устройства для обработки и передачи данных"- Да стаих-Махачкала, ДГТУ, 1996 Г.-С.62.

12. Исмаилов ТА., Гаджиева С.М., Гаджиев Х.М. Применение полутц: водниковых. термоэлектрических тонкопленочных модулей для ри лирования выходных параметров микроэлектронной аппара: ры7/Тсзисы докладов III Международной научно-технич. конференц "Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП-96) г.Новосибирск, НГТУ, 1996 г.-с.1 (2-113.