Исследование субмикронных рельефных прямоугольных структур методом растровой электронной микроскопии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

РГБ ОД

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ИНСТИТУТ ОБЩЕЙ ШЗИКИ

На правах рукописи УДК 637.БЗЗ

Стрижкон Илья Борисович

ИССЛЕДОВАНИЕ СУВМИКРОННЫХ РЕЛЬВИШ ПРЯМОУГОЛЬНЫХ СТРУКТУР МЕТОДОМ РАСТРОВОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ-

Специальность 0! .01.10.. физика полупроводников и диэлектриков.

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических неук

МОСКВА 1994.

Работа выполнена в Институте общей физики Российской Академии Наук

Научные руководители: доктор физико-математических паук,

профессор А.В.Раков, кандидат физико-математических.наук, стерший научный сотрудник Ю.А.Новико)

Официальные оппоненты: док гор физико-математических наук

М.Н.Филиппов кандидат физико-математических наук, стерший научный сотрудник Ю.А.Кудвяр

Ведущая организация:

Московский Государственный Универсип им.М.В.Ломоносова, физический факуль'

Заауита состоится " &" & г. в ^ часов

на заседании Специализированного Ученого Совета Д.003.49.03 Институте' общей физики Российской Академии Нале по адресу: г. Москва, ул. Вавилова, 38.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института общей физики Российской Академии Наук Автореферат разослан М А 1994 г.

Ученый секретарь Специализированного Ученого Совета, доктор {кзико-математических наук, профессор

Н. А.Ирис

э ; ,

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

гуальность работы Исследование поверхности твердого а Змикронным рельефом при помощи растровой' электронной мшфо--, апзи <РЭМ) .в режиме сбор» вторичных медленны!:.'олектрснбл ЧЭ) продставляет большой научный и практаческий йнг'арсс. Про-; вдние таких йкспериментоз позволяет получить твуф №фэрмагош физических механизмах вторичной эдектроягной эмиссий ьагкро--,, : ■ льефной поверхности, о природе формирования изабралвшш к М при сканировании Электронным аоедэм элементов микрорельефа, такаю решать прикладные метрологические задачи. 1 ;;

Детальное исследование рвльефти поверхностей естественно! ' чать с объектов, имеющих наиболее простой профиль поверхносг-й структуры с известными с высокой точностью линейными рпз*ю- : ки, например, прямоугольный. При этом желательно иметь едва-дный по атомному составу материал рельефного эджент;*. Нади!-; 9 таких объектов упрощает задачу моде-гаровадия взададействдя ектрошюго пучка РЗМ с простой" рельефной поверхность») и поз-', ляет проводить прямые сопоставления модельных расчетов с эко-риментальными результатами с гослэдущими выводами д мэхз- ■ змах генерации вторичных медяенных электронов, дапцих вклад видеосигнал (ВС) растрового электронного микроскопа. Ввиду огократных исследований таких элементов, предпочтительнее пользовать объекты с щелевидным профилем, которые Оолео восостойки, по сравнению с выступающим рельефом.

Цель дисс(.ртацкотюй работа состояла в создашш щелевидвых с; микронвкх рельефных прямоугольных структур с известными с вы кой точностью линейни/л размерами, исследовании с их помощью механизмов формщюеания изображений в растровой электронной микроскопии в рекимэ'сбора вторичных медленных электронов и сравнении традиционных модельных представлений с экспериментальными результатами. Научная новизна работы

1. Разработана и научно обоснована технология изготовления щелевидвых рельефных прямоугольных структур (РПС) с известными с высокой точностью линейными размерами, что позволило сравнить результаты эксперимента и моделирования. Созданы щелевидные РПС с ширинами, лежащими в диапазоне 100-500 нм и с погрешностями менее I нм.

2. Проведено моделирование по методу Монте-Карло формирована! видеосигналов в РЭМ иа основе традиционного механизма, связа! ного с многократным рассеянием электронов зонда и ионизацией ими атомов исследуемого вещества, от прямоугольных щелевидныз структур, выполнены* из кремния, с варьируемой глубиной и ши{ ной для широкого диапазона энергий электронного зонда, имвпцс го разные диаметры, при одновременном учете наклона и расхода мости.

3. Обнаружено несоответствие результатов традиционного модел! рования и эксперимента по всем параметрам видеосигнала.

4. Обнаружено и доказано влияние на формирование РЭМ-изобракс

шя в режиме сбора вторичных медленных электронов эффекта "схря швеям" электронов из поверхностных состояний, предсказанного »> )еботе [I], наряду о общеизвестным механизмом генерации ВМЭ, связанным с многократным рассеянием электровов зонда и иониза

да 3 ими атомов исследуемого вещества.

/

к Методом растровой электронной микроскопии прямым експеримен •ом определена толщина естественного окисла на поверхности гремния. Полученное значение ftQ10 = 2,39 ± 0,12 нм находится I согласии с литературными данными. [аучная и практическая ценность работы

Созданы щелевидные рельефные прямоугольные структуры с убкикронной шириной и разл. ш глубинами. Проведены иссле рвения рвлье$ных прямоугольных субкикронных структур »«тодом 'астровой электронной микроскопии, которые позволили объяснить «схождение результатов экспериментов с традиционными модальны и представлениями о процессе формирования РЭМ-изобраиений и оказать существование неизвестного ранее механизма эмиссии торичшх медленных электронов при взаимодействии зонда РЭМ с сследуемым образцом. В качестве такого механизма предложен э£> ект стряхивания электронов из поверхностных состояний, сущест ^вание которого доказано экспериментально. Его учет необходим ри моделировании формирования изобракений в РЭМ рельефных труктур о целью применения растровых электронных микроско ов для решения метрологических задач.

Использование полученных в работе РПС позволяет проводить

калибровку растровых электронных микроскопов с определением таких параметров, как увеличение и диаметр элэктронвого зонда, а также следить за стабильностью работы РЭМ. Кроме того., с помощью РПС мозно получать необходимые поправки при проведении измерений размеров рельефных структур на этих микроскопах.

Апробация работы. Материалы диссертации были долокенн на 15 Всесоюзной конференции по электронной микроскопии (Суздаль, 1990), 3 Всесоюзном семинаре "Микролитография" (Черноголовка, 1990), 7 Всесоюзном симпозиуме по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел (Звенигород, 1991), Всесоюзной научно-технической конференции '"Метрологические проблемы микроэлектроники" (Ыенделеево.1991), Международной конференции "Боапп^-ЭЗ" (США, 1993), 8 Всесоюзном симпозиуме по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел (Черноголовка,1993), 2 Международной конференции "НАНО II" (Москва. 1993), а такзе на сименарах в ИОФ РАН, МГУ (фнз.фак.), НИИМЭ. Публикации. По результатам диссертации опубликовано 15 печатных работ список которых приведен в конце автореферата. Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения четырех глав и заключения. Полный объем диссертации составляет 122 страницы, включая 37 рисунков, 3 таблицы и список литературы из 79 наименований.

СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ Во введении обоснована актуальность поставленной задачи, оформулировены цель работы, научная новизна и практическая ценность полученных результатов.

В первой главе дается обзор литературы, в котором рассмат риваются общие понятия о растровой электронной микроскопии (РЭМ). Проводится анализ состояния работ по моделированию фор шарования РЭЫ-изображений. Обсуадаются недостатки в достоинства существупвдх моделев. Описываются стандартные образцы, которые используются в настоящее время для калибровки растровых электронных микроскопов. Показаны существующие трудности сравнения экспериментальных результате при РЭМ-исследоааниях этих структур с результатами моделирования из-за сложных профилей у них. Из анализа литературных данных определяются задачи, которые необходимо решать при РЭМ-исследованиях. >

Вторая глава посвящена технология изготовления долевидной рельефной прямоугольной структуры (РПО). Перечислены основные требования к такой структуре, описаны технологические процессы для их реализации. В основу РПО заложен известный о высокой точностью линейный субмикронный размер Тх, являющийся расстоянием между параллельными и гладкими стенками цели. В качестве такой структура была выбрана трехслойная структура иово-вь -БЮ^ - аморфннй-34, в которой, после ее создания, с помощью селективного травления удаляется средний слой Б10^ до образования вели нужной глубины. Размер И определяет толщина слоя

b'lOg. измеренная высокоточным аллипсометрическнм методом. Эк пернмент&льно определена толщина естественного окисла, котрс после селэктивного травления образуется на поверхности стенс канавки и изменяет измеренный размер h. Описаны погрешности, вносимые в размер h. во время проведения технологических операций при изготовлении РПС.

По разработанной технологии изготовлены РПС на основе кремния п- и р-типов проводимости. Размеры полученных структ и их погрешности приведены в таблице 1. Представлены микрофо графии прямоугольных рельефных структур и видеосигналы (ВО) них, полученные на разных микроскопах в режиме сбора вторичн медленных электронов (ВМЭ) (энергия ВМЭ Евмэ< 60 эВ с наиб лее вероятной энергией Е ~ 3 вВ), которые схематично изобре на на рис.1.

Таблица I. Аттестованные ширины h^ и погрешности АЛ^ щелевад ных прямоугольных структур, выполненных на основе кремния п- и р-типа проводимости.

1 h{ ± ДЛ{, lai

n-РПС р-РПС

1 2 3 4 92,8 ± 0,4 128,5 ± 0,3 344,4 * 0,8 486,2 t 0,8 98,9 ± 0,4 150,7 ± 0,3 369,7 ± 0,8 434,7 ± 0,0

s

Рис Л. Схематичное изображение иедксигнакв v. 'лЗозаачвжшм характеризуют. его параметров.

Глава з посвящена результатам модеядездотаг методом Мошм Карло формирования ввдесю*гналов в РЭМ от прю-.оуголышх пылевидных структур. Пра stcw используется лаффервнджольво.» тезер фордовское сечение упругого рассеяния с параметр.«®,. экранирования, взятыми кз расчетов э£фяктсвблизсстд в: элокгрошпй ли-тох'рафии. Для расчета полных потерь энергии электрона при его неупругом взаимодействии с атомами используется формула Бете. Моделирование траектории электрона прекращается '.в. случав достижения им энергии, равной потенциалу ионизации атома, а тага» в том случав, вата расстояние мваду двумя соседними топали упругого взаимодействия становится порядка десятых долей нано метра.

Моделирование осуществлялось для прямоугольных щелевндных структур, выполненных из кремния, о ширинами щелей h в диапазоне 0.1-0,5 Miat и глубинами Н « 0,5-2,0 мкм, первичных электронов с анергиями К » 1-30 кэВ, с диаметрами электронного зонда d =» 10-100 нм и одновременным учетом наклона и расхрдимости пучка зонда.

В расчетах формы видеосигнала применялись четыре шда функциий сбора ВМЭ: I)"полный" сбор ВЫЭ; 2)"абсолютно черная щель" (отсутствие выхода ВМЭ из щели); 3)"геометрический" сбор, учитывающий диффузионный характер ВМЭ и геометрию щели и 4)"полевой" сбор, отражающий наличие локального электрического поля на краю щели и вытягиьаюцего электроны поля детектора ВМЭ.

Приводятся примеры смоделированных траекторий для энергий электронов Е - 1-30 кэВ. В результате анализа модельных кривых видеосигналов определёны величины сдвига максимумов ВС О относительно края цели в соответствии с выражением

л « 2/м - го, (I)

где 1 - расстояние мевду максимумами ВС, а У - увеличение микроскопа (для видеосигнала, полученного с помощью моделирования U т X). Демонстрируются расчетные зависимости величины 0 от энергии электронов эонда Е, радиуса зонда г , ширины h и глубины Я щеле видных канавок. Показано, что при и Н > 0,5 мкм значение величины 8 не зависит от h к Н.

Лелеется вывод о том, что сдвиг максимума ВС О относитель но положения края щели имеет положительный знак (3>о), т.е.

расстояние мекду максимумами 1<С больше истинного размера Н те ле видной структуры.

Приводятся результаты моделирования видеосигналов при нак ло1Шом положении электронного зонда и наличии у него расходи-димости. Отмечается, что в случае использования "полной" и "полевой" функций сбора ЬЮ (при учете расходимости и наклона электронного зонда) видеосигнал становится существенно асимметричным с одним узким и высоким максимумом, соответствующим внутренней области щели, и вторим ппзккм и широким максимумом. В результате анализа модолышх кривых ВС делается вивод о том, что узкие максимума, сдвиг которых имеет значение Д < О, возможны только при наклопном полонетм оси зонда относительно стенок щели и только около одной из них.

В четвертой глаье приводятся экспериментальные результаты исследования щм« видных структур на растровом электронном микроскопе б-806 фирмы "кияпМ" в режиме сбора вторичных медленных электронов. Основные параметры характеризующие видеосигналы показаны на рис.1.

В эксперименте определялись средние расстояния между мак симумами I( от кахдой из щелей с вириной (см. таблицу I) для структур на основе кремния п- и р-типов проводимости, вычислялись стандартные отклонения о( и погрешности А1{ среднего расстояния мэзду максимумами.

В рямках линейной модели расстояние мекду максимумами кривой ВС I связано с шириной щелевидной канавкл Н и увеличением

геМ изоормиэния И соотношением (I). В случае независимости Ы и П от ширины щели, можно написать систему уравнений для двух щелей с ширинами h^ и Л^

- 1( / X - 20

^ - lJ / и - га

(2).

где I и J * 1,2,3,4 (1>}) - индексы, соответствующие номеру щел и таблице I. Система (2) имеет решеше

1£ - I,

М. - -¿- , (3)

и N - Ь г л, - х.п.

а . -!_£. . (4)

" 2<г1 ' V

отметим, что независимость И от Н ьишшо обоснована, так как увеличение является характеристикой РЭМ, а на щолевидной струк туры, в то время как независимость б от Ь необходимо доказывать.

На рис.2 представлены результаты определения б но парам щелей для р-РПС на одном из микроскопов. Видно, что в пределах ошибок значение О не зависит от того, по каким парам щелей оно определялось. Аналогичный результат наблюдался на обоих микроскопах с обеими РПС, что указывает на правильность прадаоло-кения о независимости сдвига максимума от ширины щели. Средни« значения И и 0 для обоих РЭМ и обеих РПС, определенные по метод

наименьших квадратов, представлены в таолице г.

■ Анализ формы криьих ВС, полученных в экспериментах, црово димых в разное время, показал, что соотношение интенсивностей левого и цравого максимумов кривой ВС меняется от опита к опыту. Поятому, исследования относительных интенсивностей максимумом йо 1т проводилось путем усреднения амплитуд левого и правого пиков в соответствии с выражением

I.,

(5)

где , и То - определены на рис.1, к - 1,2...и (в данном експерименте п - 20-26). Обнаружено, что величина / возрастает в несколько раз о ростом Н.

2 1 3-1 4-1 3 -2 4 2 4 -Л 1-]

о

5 10 15 -20 <5«

зз;

Рис.2. Значения сдвига максимума видеосигнала определен ные по парам щолевидаых структур I и J на одном из мик. роскоиов для р РИС. Сплошная линия соответствует сред нему значении, штриховые - интервалу погрешностей.

Исследование полуширин гмкоь ю ВС от щелевидаой канавки прокалилось на структуре о шириной = 434,7 нм и глубиной Н - 0,86 мкм. Среднее значение полуширин« поставило и» --- 12,2 * 2,8 нм.

•Гчопица 2. Значения сдвига максимума ВС относительно края щели 0, увеличения РЭМ-изображения М и их погрешностей, определенные с помощью п- и р-РПО для двух микроскопов в-806 фирма "ниаоМ", эксплуатируемых в разных условия

¡микроскоп 0 ± 40, нм М 1 ДМ

п -РПС р -РПО п-ИЮ р-РПС

| гам-А 1 РЗМ-В -0 -0 3 4 ± 0,1 ± 0,3 -6,9 -2,8 ± 1.1 ± 0,4 150000 ± 1000 150500 1 400 152300 4 161,. ДО ± 1000 500

Все измеренные полуширины пиков ВС, по крайней мере, в 10 раз уже расчетных.

В диссертации описан способ калибровки РЭМ и проведены г помощью денных РПС измерения эффективного диаметра зонда микроскопов. Для использованных в работе микроскопов измеренные диэметры равны

й = 29,1 ± 0,8 нм (РЭМ-А), й = 20,0 ± 4,0 нм (РЭМ-В). Значения этих величин такке не соответствуют значениям полуширин пиков ь> . получаемых в рамках классических линейных моде-

лей формирования ВС, в которых и>т > а. Кроме того, в эксперименте следовало ожидать более значительные размеры полуширины пика ВС при данных глубинах щелей, так как, за счет многократного рассеяния электролов в веществе, эффективный диаметр зонда внутри вещества сильно увеличивается, что должно проявлятся в виде широкого пика ВС, но в эксперименте этого не наблюдается.

Отмечается еще одно несовпадение экспериментальных и модельных результатов. Для условий данного эксперимента (Е = 25 кеВ, Н > 0,5 мкм и Н » г ) модельное О имеет зпачение б » 12 ± 2 нм,

ю

но вксаернмантальное всегда меньше или равно нулю (О < О).

На основе приведенных в диссертации результатов делается вывод о том, что в формирование ВС вносит вклад еще, по крайней мере, один неизвестный ранее механизм генерации ВМЭ.

Для того, чтобы доказать существование эмиссии электронов по неизвестному механизму, были проведены эксперименты с наклонным положением оси зонда РЭМ относительно стенок щелевидных канавок РПС. Схема эксперимента и форма получаемого видеосигнала привел на на рис.3. Из эксперимента были определены значения следующих величин ("-" и "+" - знак угла наклона)

' • Хс^.Зр) ----—- 1 — (6)

5 1 2 1+(В3,5г) - Г+(В4.52)

и

3Л « -■* - - 1-- ■ ■ (?)

у • 2 1_<В3,Яа) - 1_(В4,52)

Отмотим, что первая из них характеризует эффекты, связанные с

В) В» Вг В4

ц и.

(а)

(б)

Рис.3. Схема эксперимента (а) и форма видеосигнала (б), получаемого при наклонном падении электронного пучка (х - расстояние вдоль линии сканирования).

прохождением электронного зонда через поверхность стенки щели при движении из твердого тела, а вторая - из вакуума. Их значения оказались равны

К3(т-ЬЧ,а~51) = 1,38 ± 0,18, (8) Ку(т-81,а-81) = 0,60 ± 0,05. (9) Различия между К3 и Ку указывают на то, что в видеосигнал дают вклад по крайней мере два механизма образования вторичных медленных электронов. Причем один из них зависит от направления

движения налетающего электрона. Ото свойство является достаточ но уникальным; В настоящее время известно только одно физичес кое явх.чше, которое имеет такое свойство. Это квантовый меха низм "стряхивания" электронов из поверхностных состояний, пред сказанный в работе [I].

В диссертации подробно исследован вклад этого эффекте в формируемый видеосигнал в во вторичных медленных электронах при взаимодействии электронного зонда РЭМ о рельефной поверхностью, в том числа определены соотношения времен подлета, ре лаксации, экранирования. Приводится способ разделения вкладов обоих механизмов. После этого используется величина

Iu(Sub.)

lUSub.) « —Z-, (10)

IQ(Sub.)

которая представляет собой отношение интенсивности по кванто вому механизму к классическому для данного вещества (Sub.). В случае щелевидной структуры, одна из стенок которой выполнена из монокремния, а другая из аморфного, для щелей с ширинами 369,7 нм и 434,7 нм были получены следующие значения

K(n-si) » о.в t о.г, K(a-S£) * 2,6 t о,з. Видно, что для a-Sl вклад от квантового механизма генерации ' вторичных медленных электронов значительно (в 2,6 раза) пре-выпает вклад от классического механизма.

Для проверки были определены отношения ийтенсишюстей мо

нокремния к аморфному по двум механизмам Г (т-51)

р----------- - 1.38 » 0,18, (II)

Г0<а-5()

1ь(т-50

--- „ О,62 ± 0,12. (12)

Г^а-Ж)

~ 1,2.

Согласно современным моделям

10(яЧ51) р(т~Я1)

10(а-51)

где р - шютность соответствующего вещества, что достаточно хороню совпадает о опытным значением (II). Это подтверздает правильность интерпретации результатов эксперимента.

Таким образом, в формирование видеосигнала в РЭМ в режиме сбора вторичных медленных электронов вносит вклад кроме традиционного механизма, связанного с многократным рассеянием электронов зонда РЭМ и ионизацией ими атомов вещества, еще и эфф ,<т стряхивания электронов из поверхностных состояние.

В Заключении изложены основные результаты и выводы диссертации

' " ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ К ВЫВОДУ ДИССЕРТАЦИИ

В диссертационной работе решена научная задача экспериментального обнаружения с помощы) метода растровой электронной микроскопии квантового механизма генерации вторичных медленных электронов поверхностью твердого тела, тек называемого эффекта "стряхивания" электронов из поверхностных элекуроаных состоя-

шй. Существование такого эффекта было предсказано в 1993 году ) работе Ю.А.Новикова, А.М.Прохорова и А.В.Ракова (I) на ос-юве выполненного ши рассмотрения результатов исследования снованных изменений состояния квантовых систем, проведенных академиком А.Б.Мигдалом в 30-х годах и названных им эффектом 'встряхивания" квантовых сиотем.

Учет обнаруженного квантового механизма позволил объяснить ^совпадение полученных в диссертации вксперимэнтальных и рвотных результатов по формированию видеосигналов в растровом электронном микроскопе в режиме обора вторичных медленных элек тронов. Расчет форм видеосигналов проводился по методу Монте-Карло, в основу которого закладывался известный классический механизм генерации вторичных медленных электронов, связанный о многократным рассеянием первичных электровов и ионизацией ими атомов исследуемого вещества.

В диссертации разработан и применен метод калибровки раст ровых рлектрошшх микроскопов с целью использования последних в качестве измерительных средств в электронной промышленности.

вывода

I. Впервые созданы щелевидныв рельефные прямоугольные структуры на основе кремния с известными (с точностью не хуке 1 1 нм) раз мерами их ширин в диапазоне 0,1-0,5 мкм. Это позволило методом растровой электронной микроскопии выполнить экспериментальную

проверку моделей физических механизмов вторичной электронной эмиссии микрорельефной поверхности твердого тела.

2. Проведено сравнение форм экспериментально наблюдаемых видеосигналов растрового электронного микроскопа, работающего в режиме обора вторичных медленных электронов, при исследовании созданных структур с модельными кривыми видеосигналов, получении из численных расчетов по методу Монте-Карло. Показано качественное несовпадение экспериментальных и модельных видеосигналов по всем их основным характеристикам: положению максимумов, полуширине пиков и пиковой интенсивности.

3. Экспериментальным путем обнаружено существование квантового механизма генерации вторичных медленных влектроков поверхностью твердого тела - эффекта "стряхивания" электронов из поверхностных электронных состояний под воздействием налетающего электрона. Учет этого эффекта позволил объяснить несовпадение характеристик экспериментально наблюдаемого и расчетного видеосигналов.

4. 'Разработан и применен способ калибровки растровых электронных микроскопов с помосты» субмикронных щелевидных рельефных прямоугольных структур. Это позволило аттестовать эти приборы и проводить на них измерения размеров субмакронных элементов мик-. роадектронных устройств.

Цитированная литература.

I. Новиков Ю.А., Прохоров A.M., Раков A.B. Эмиссия электронов из поверхностных состояний.// Поверхность, 1993, Ü 3, с. 22-24.

Основные материалы диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Мартынов В.В., Новиков D.A., Пешехонов C.B., Прохоров A.M., Раков A.B., Стрижков И.Б., Щучкин А.Г. Эталонная линейная мера для измерения ширины рельефных субмикронных элементов на растровом электронном микроскопе.// 3 Всесоюзный семинар "Микролитография", Тезисы докладов, Черноголовка, 1990,

с.234-235.

2. Мартынов В.В., Немцев Г.З., Новиков Ю.А., Пешехонов C.B., Раков A.B., Стрижков И.В., Щучкин А.Г. Измерение ширины субмикронных элементов на растровом электронном микроскопе с помощью эталонной линейной моры.// 14 Всесоюзная конференция по электронной микроскопии, Суздаль, 1990, Тезисы докладов, с. 220-221.

3. Новиков D.A., Раков A.B., Симонов А.Н., Стрижков И.Б., Ухов В.А. РЭМ-измерения щелевидных субмикронных структур

в кремнии.// 7 Всесоюзный симпозиум по растровой электронной микроскопии, Звенигород, 1991 г., Тезисы докладов, с.22.

4. Мартынов В.В., Немцев Г.З., Новиков Ю.А., Иешехонов C.B., Прохоров A.M., Раков A.B., Стрижков И.В., Щучкин А.Г. Проблемы измерения линейных размеров рельефных структур на растровом электронном микроскопе.// Препринт * 61. М.: ИОФ АН СССР, 1990, 33 с.

Б. Новиков ¡O.A., Раков A.B., Симонов А.Н., Стрижков И.Б., Цибульский В.В. РЭМ измерения линейных размеров рельефных оубмикрошшх структур в изделиях микроэлектроники.// Все-союз.науч.-техн. конф."Метрологические проблемы микроэлектроники", Москва, 1991, Тезисы докладов, с.9-10.

G. Новиков Ю.А., Раков A.B., Симонов А.Н..Стрижков И.Б., Цибульский В.В. РЭМ-изобрахсение щелевидных структур в кремнии.// Препринт * 26. М.: ИОФ АН СССР, 1991, 26 с.

7. Йовиков Ю.А., Пешехонов C.B., Раков A.B., Симонов А.Н., Стрижков И.Б., Цибульский В.В. Исследование рельефных структур на поверхности кремния методом растровой электронной микроскопии.// Поверхность, 1993, *б, с.49-66.

8. Новиков Ю.А., Раков A.B., Стрижков И.В., Цибульский В.В. Вторичная электронная эмиссия рельеф..эй поверхности при наклонном падении первичных электронов.// Поверхность, 199." *6, с. 13-23.

9. Новиков Ю.А., Раков A.B., Симонов А.Н., Стеколин И.Ю., Стрижков И.Б. Взаимодействие вторично-эмиссионных электронов с рельефной поверхностью.// Известия Академии наук, сер. физическая, 1993, т.57, Jt 8, с. 67-72.

.10. Новиков С.A., Раков A.B., Отеколнн ИЛ».. Отрижкон U.K.. Пыбульсквй В.Н. MüxamiSMH формирования видеосигнала ь растровом электронном микроскопе.// Известил Академии наук, сер. физическая, 7993, т.67, Я О, о. 73-74.

П. Новиков ¡O.A., Пешвхоноа О.В., Раков A.B., Седов О.Ь., (.¡ими нов А.Н., Стеколин И.Ю., Стрижков И.Р. Определение оснррнш характеристик ГЭМ о помощью адалевидных субмикроншх струм у |i .в кремнии.// Известия Академии наук, сер. физическая, Ï393, т.57, » 8, с. 84-93.

1?. Новиков Ю.А., Пешахоно» C.B., Раков A.B., Симонов А.П., Сте колин И.Ю., Стрижков !1.H., Цибульский В.В. Калибровки раот ровых электронных микроскопов для измерения рюмяроп ¡/вльоф ных субмикронных элементов.// Измерительная техника, 1993, * 8, с. 62.-64.

13. Новиков Ю.А., Пешехонов C.B., Раков A.B., Стеколин И.Ю., Стрижкой И.Б. Определение диаметра электронного зонда ГЭМ. // Измерительная техника, 1993, # 12, о. 2.4-25.

14. Новиков Ю.А., Пешехонов C.B., Раков A.B., Стеколил И.Kl., Стрижков И.В. Щелевидная линейная мера субмикронного диапазона для ГЭМ.// Электронная промышленность, 1993, #8,

с 73-75.

16. Movikov ïu.A. , Peehekhonov s.V., ProkViorov A.M., Itakov A. v.. Strlzlihov T.B. Slit-like referenoe gauge of eubmluron range for ooarmJng eieotron mici-OBOopes.// Seannin^, 190"1« Vol.IS, Но. Э.Р.115.

Подписано в печать 25 апреля 1994 года Заказ № 104.Тираж 150 акз. 1.5 д.л. Отпечатано в FVfliC ФИАН Москва,В-333,Ленинский проспект,53.