Исследование влияния дефектов решетки на свойства монокристаллов CdSiAs2 тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

введение.

1. физика и химия тройного соединения Cc/SzAs2 (обзор литературы).

1.1. Кристаллическая структура соединений А^В^С^

1.2. Исследования зонной структуры кристаллического

Cc/SzAs^.

1.3. Исследование явлений переноса носителей заряда в CcfSiA$2.

1.4. Исследования электрически активных дефектов решетки.

1.5. Фоточувствительность и рекомбинация носителей заряда.

1.6. Постановка задачи.,.

2. методика жсперимента.

2.1. Метод получения монокристаллов соединения CdSiA$2 из раствора в расплаве.

2.2. Методика термообработки кристаллов.

2.3. Подготовка образцов к измерениям.

2.4. Методика измерения кинетических коэффициентов

2.5. Методика измерения спектров фотопроводимости.

2.6. Методика исследования излучательной рекомбинации.

3. исследование взаимосвязи электрических свойств и условий легирования соединения Cc/St'A$2.

3.1. Электрические свойства специально не легированных монокристаллов р- Сс/<$гА$2.

3.1.1. Энергетический спектр уровней акцепторов.

3.1.2. Механизм рассеяния дырок.

3.2. Электрические свойства монокристаллов р-типа, легированных химическими примесями.

3.2.1. Исследование температурных зависимостей кинетических коэффициентов.

3.2.2. Температурная зависимость холловской подвижности дырок.

3.2.3. Энергетический спектр дырок в легированных посторонними химическими примесями кристаллах.

3.2.4. Легирование тетраэдрических стекол.

3.3. Исследование поведения радиационных дефектов в кристаллах Co/3iAs2 и ZnSiA$2.

3.3.1. Электрические свойства кристаллов р- Cc/SiA$ и р-Zn<SiA$2, облученных электронами.

3.3.2. Электрические свойства кристаллов р- Co/Si As и облученных протонами.

3.3.3. Закономерности поведения радиационных дефектов в соединениях Co/SiAs2 и ZnSiAs2.

3.4. Влияние равновесия кристалл-пар на электрические свойства кристаллов Cc/SiAs2.

3.4.1. Условия термодинамического равновесия. ЮЗ

3.4.2. Экспериментальные результаты термообработки.

3.4.2.1. Термообработка в условиях минимального свободного объема.

3.4.2.2. Термообработка в насыщенных парах мышьяка. Ю

3.4.2.3. Термообработка в насыщенных парах кадмия.

3.4.2.4. Термообработка в условиях минимального общего давления.

3.4.2.5. Термообработка в присутствии чистого индия. Ю

3.4.3. Электрические свойства слоев Cc/SiAs2 /7-типа проводимости. ПО

3.4.4. Обсуждение результатов термообработки Cc/Si'As2 jj

Краткие выводы по главе 3.

4. ИССЛЕДОВАНИЯ ФОТО ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И Ш.ШНЕСЦЕНТНЫХ СВОЙСТВ МОНОКРИСТАЛЛОВ CcfSiAs2.

4.1. Фотоэлектрические свойства монокристаллов р-типа проводимости, выращенных без легирующих примесей.

4.1.1. Характеристика исследованных образцов.

4.1.2. Исследования фоточувствительности в зависимости от концентрации дырок в образцах.

4.2. Изучение влияния термообработки кристаллов р-типа в различных условиях.

4.2.1. Спектры фотопроводимости кристаллов р-типа проводимости.

4.2.2. Спектры фотопроводимости слоев 77-типа проводимости.

4.3. Фотоэлектрические свойства монокристаллов р-типа, однородно легированных примесями в процессе выращивания.

4.3.1. Характеристика исследованных образцов.

4.3.2. Спектры фоточувствительности Cc/SiAs^ зависимости от природы легирующих примесей.

4.3.3. Влияние легирования на параметры фотопроводимости Cc/SiAs2.

4.4. Исследования анизотропии фотоактивного поглощения монокристаллов Cc/Si'Asp.

4.4.1. Фотопроводимость специально не легированных кристаллов.Т

4.4.2. Фотопроводимость однородно легированных примесями кристаллов.

4.5. Рекомбинационное излучение (РИ) монокристаллов р-типа проводимости,выращенных без легирующих примесей.

4.5.1. Характеристика исследованных кристаллов.

4.5.2. Исследование температурных зависимостей спектров

4.6. Исследование РИ в зависимости от отклонении состава Cc/SiA$2 от стехиометрии.

4.7. Рекомбинационное излучение монокристаллов CdSiAs2 р-типа проводимости, однородно легированных примесями в процессе выращивания.

4.7.1. Характеристика исследованных образцов.

4.7.2. Исследования спектров РИ.

4.8. Исследование рекомбинационного излучения слоев

4.9. Исследование анизотропии РИ Cc/SiAs^.

Краткие выводы по главе 4.

изучение алмазоподобных полупроводниковых соединений типа п ту у

А В С 2» к которым относится и исследуемое в работе соединение - диарсенид кадмия и кремния Co/SiAs2* Такие его свойства, как большое значение нелинейной восприимчивости и двулучепре-ломления, оптимальное с точки зрения создания солнечных элементов значение ширины запрещенной зоны EG = /,55 эВ /1,3,4/, анизотропия кристаллической решетки и т.п. могут найти широкое применение в устройствах полупроводниковой оптоэлектроники. В принципе уже доказана перспективность CdSiAs2 для создания фотодиодов, переключающих устройств, источников и детекторов линейно-поляризованного излучения и т.п. Z*27.

В связи с возможностями широкого использования в полупроводниковой опт о электронике CdSiAs2 актуальным является как совершенствование параметров кристаллов, так и комплексное изучение физических свойств этого полупроводника, в частности,электрических, фотоэлектрических и излучательных. Этот вопрос важен, так как позволяет судить о практических возможностях управления параметрами сложного полупроводника.

Целью настоящей работы является экспериментальное исследование поведения собственных и примесных дефектов решетки и определение возможностей управления физическими свойствами кристаллов Oc/S/ASg. Путем исследований электрических, фотоэлектрических и люминесцентных свойств выращенных без специального легирования, термообработанных в контролируемых условиях, содержащих специально введенные примеси и облученных кристаллов, изучить энергетический спектр образующих при этом центров. На основании сведений, полученных из указанныъ исследований, предложить модель энергетического спектра дефектов решетки и определить условия конверсии типа проводимости р -—п , приводящие к образованию мелких донорных центров. Провести поляризационные ■исследования фотопроводимости и рекомбинационного излучения £Ь(ЗД4$рВ собственной и примесной области спектра. Изучить возможность управления спектральным диалозоном коэффициента фотоплеохроизма и степени линейной поляризации рекомбинационного излучения посредством введения в запрещенную зону уровней дефектов. Для реализации поставленных задач по известной методике га j были выращены пригодные для исследований монокристаллы Cc/SlAs2 р-типа проводимости без специального легирования,а также в присутствии ряда посторонних химических элементов, что обеспечило изменение концентрации свободных дырок при Т=300 К в наборе изучавшихся кристаллов в пределах шести-семи порядков от Ю12 до Ю18 см"3.

Научная новизна диссертации заключается в следующих результатах:

I. Изучены температурные зависимости концентрации свободных дырок,удельного сопротивления и холловской подвижности в ШИтр рокой области изменения концентрации свободных дырок от 10 до Ю18 см"3 в специально не легированных и содержащих посторонние примеси образцах р-типа проводимости. Определен энергетический спектр электрически активных центров, сделан вывод о механизме их рассеяния и электрической активности соответствующих дефектов.

2. Путем термообработки кристаллов р-типа в контролируемых условиях установлена возможность получения монокристашш-ческих сильнолегированных слоев Cc/SiА$2 п -типа проводимости. Обсуждается природа образующихся доноров и доказан факт существования в CdSiA$2 мелких донорных уровней.

3. Изучена фоточувствительность монокристаллов p-CdSiAs2 и слоев Ti-Cc/SiA$2 в зависимости от концентрации и типа введенных дефектов. Определены параметры фоточувствительности образ

•» цов и обсуждаются их спектральные зависимости в связи с концентрацией носителей заряда, состоянием поверхности и условиями термообработки. На основании поляризационных исследований определены параметры зонного спектра CcfSiAs2 и обнаружена анизотропия примесного фотоактивного поглощения.

4. Впервые исследованы спектры рекомбинационного излучения (РИ) кристаллов р-типа и слоев п -типа проводимости в интервале 4,2-300 К в зависимости от концентрации дырок, легирующих элементов и термообработки. Обсуждается природа доминирующих полос. Построена температурная зависимость ширины запрещенной зоны Экспериментально обнаружена высокая эффективность РИ в легированных Go кристаллах р-типа, которая находится на характерном для

GaAs уровне.

5. В результате поляризационных измерений, показано, что степень поляризации краевого РИ достигает 80% и практически не зависит от температуры. Установлено также, что легирование CdSiAs2 позволяет смещать максимум степени линейной поляризации в длинноволновую область спектра, не снижая ее амплитуду по сравнению с краевым РИ.

Приведенные результаты получены впервые и составляют существо положений, вносимых на защиту.

Практическая ценность результатов, представленных в диссертации, состоит в получении количественной и качественной информации о параметрах и свойствах энергетического спектра носителей заряда в кристаллах CdSiA^ необходимой для использования этого вещества в устройствах поляризационной оптоэлектроники и солнечных элементах. Экспериментальные закономерности, обнаруженные в данной работе, могут послужить развитию теоретического изучения электронных характеристик рассматриваемого полупроводника.

Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения. Первая глава представляет собой обзор литературы по состоянию исследования физических свойств Cc/SiAs2* Во второй главе описаны аппаратура и экспериментальные методики, применяемые в процессе выполнения работы. Кратко описаны способы и результаты выращивания, а также легирования Cc/SiAs2. В третьей и четвертой главах приводятся и обсуждаются оригинальные данные экспериментального исследования энергетического спектра центров в Cc/SiAfy в зависимости от концентрации свободных носителей заряда, типа доминирующих дефектов решетки и ориентации кристаллов. В заключении представлены общие выводы.

Основные результаты диссертации позволяют сформулировать следующие выводы:

1. Исследована температурная зависимость коэффициента Холла и удельного сопротивления специально не легированных монокристалтр J7 лов р-типа проводимости с концентрацией дырок от 10 до 10 см при 300 К в области температур 80-400 К, Определена энергия активации акцепторных центров и степень их компенсации. Обнаружен ряд различающихся энергетических уровней акцепторов,энергия активации которых Ед возрастает с ростом сопротивления образцов и перемещением уровня Ферми к середине запрещенной зоны. Значение Ед возрастает от 0,085 до 0,43 эВ. Наблюдаемая закономерность связывается с наличием в кристаллах р-типа после выращивания множества уровней, электрическая активность которых определяется положением уровня Ферми в образце.

2. Показано, что холловская подвижность дырок в специально не легированных образцах в широкой области концентраций дырок при 300 К остается практически постоянной и—300 см^/В»с, что соответствует Up для электронного аналога этого соединения^Ду. На основании концентрационной зависимости Up можно считать , что рассеяние дырок в области 300 К в CdSiAs^ лимитируется в основном колебаниями решетки. Установлено,что экспериментальная зависимость р от концентрации дырок при 300 К аппроксимируется эмпирическим выражением р — -р—-— , что согласуется с у 300 К доминирующим механизмом рассеяния дырок на колебаниях решетки в окрестности Т = 300 К.

Температурная зависимость холловской подвижности дырок при

Т-^200 К подчиняется в специально не легированных образцах зако-// ну Up~T , где ОС = 1,5*2,5. Последнее также свидетельствует в пользу рассеяния дырок на колебаниях решетки. С понижением Т 200 К начинает проявляться рассеяние на статических дефектах решетки.

3. Изучены температурные зависимости удельного сопротивления и концентрации дырок в монокристаллах р-типа, полученных введением в расплав элементов 1-й (Сг/ ,Ад,Аи), ш -й (Go, In ), 1У-й (Sn) и У1-й (Sg ) групп Периодической системы, Определена энергия активации акцепторных центров, степень компенсации, раздельные концентрации акцепторов и доноров, а также обсуждается механизм рассеяния дырок в однородно легированных посторонними примесями кристаллах CcfSiAs^p концентрацией дырок от 10^ до см""3 при 300 К. Показано, что зависимость

Up и Ед от концентрации дырок в этих кристаллах ложатся на соответствующие зависимости для специально не легированных образцов.

Сделан вывод о характере поведения вводимых в расплав посторонних примесей. Показано, что легирование Cc/SiAsg галлием приводит к образованию кристаллов с вырожденным дырочным газом. Эффективными донорами квалифицированы примеси All, Iti и

Se.

Введение примесей в процессе получения CdSiAs2 не позволяет обеспечить конверсии типа проводимости р-+~71.

4. Проведено исследование радиационного легирования на электрические свойства кристаллов ^-CdSiAs^i их аналога р-ZnSiAs2.Обнаружено, что облучение электронами (Е0^2 МэВ, 2)-Ю19см~2) и ионами К* (Е^5 МэВ,0—5-Ю15см~2) приводит к компенсации исходной дырочной проводимости и увеличению сопро

Q ТП тивления доуО—10-10 Ом-см при 300 К. Наблюдается "аномальная" зависимостьуЭ образцов ^-CdSiAs^vi p-ZnSiAs^ интегрального потока ионов: сопротивление кристаллов проходит через максимальное значение при 52) —5 -10*^ см""2 и затем начинает снижаться до 0м«см при ЕГ^/см2. Предполагается, что это уменьшениеуО обусловлено наступлением проводимости по уровням дефектов. В интервале температур 20-600°С изучена термическая стабильность радиационных дефектов. Найдено несколько стадий отжига радиационных центров донорной и акцепторной природы. Сделан вывод о аналогии в изменении свойств CdSiASgi его электронного аналога GqA$.Предполагается, что вызванное облучением изменениеуэ связано с образованием вакансий Vq^ и V^ - акцепторов и Yls" Д°Н0Р0Б» что определяет в конечном счете смещение уровня Ферми к Eg/2. Как и процесс выращивания, радиационное легирование не позволяет достичь КТП .

5. Проведен анализ возможных изменений состава CdSzAS£ при нагреве кристалла в различных условиях, определены основные типы возникающих при этом дефектов решетки за счет отклонений от стехиометрии CdSlAS2 На основании исследований температурных зависимостей кинетических коэффициентов в отожженных кристаллах осуществлен выбор доминирующих дефектов решетки, соответствующий наблюдаемому изменению в свойствах CdSzAs*>. Установлено, что отжиг р- CdSz'ASg совместно с Cdили As значительно увеличивает степень компенсации акцепторов. Предложена модель дефектной структуры

6. Установлена возможность создания монокристаллических сильнолегированных слоев

CdSiAs2 71 -типа проводимости путем термообработки кристаллов р-типа совместно с чистым индием или кадмием. Наиболее легированные слои толщиной до 0,2 мм с эффек

Т7 тивной концентрацией электронов дох;2» 10 и холловской подвижностью до 260 см3/В«с удается получать при термообработке р- CdSiAs2 совместно о In. Показано, что температурное изменение концентрации свободных электронов в области 77-300 К и удельного сопротивления в интервале 77-300 К и при 4,2 К в слоях 77-типа слабое. Полученные результаты объясняются образованием в CdSiASg мелких донорных центров.

7. Проведены исследования фотопроводимости специально не легированных кристаллов ^-CdSiAs^b зависимости от концентрации свободных дырок, Установлено, что максимальная фоточувствительность в этих кристаллах достигает «80 мА/Вт при 300 К, эффективное время жизни фотодырок лежит в пределах от 3*10"^ до

4 «10 с-И максимально в образцах с концентрацией дырок р » Т6 ч

2*10 см при 300 К. Установлено, что фоточувствительность р-CdSiAlSgзаметно увеличивается при эВ, достигает максимума вблизи энергии прямых переходов и не обнаруживает резкого спада вплоть до 3 эВ. На основании спектральных особенностей ФП определены энергии А- и В-переходов, их температурный коэффициент, а также идентифицированы уровни дефектов решетки, обусловленные отклонениями состава от стехиометрии в процессах получения монокристаллов из растворов-расплавов.

8, Изучено влияние термообработки кристаллов р- CdSiAs2 на спектры ФП. Показано, что термообработка в парах

Cd , совместно cZ/7 и в вакууме сопровождается образованием в приповерхностном слое мелких доноров и приводит к конверсии типа проводи-мостиуО-^/Z. Термообработка в парах As , которая не вызывает КТП, сопровождается размытием длинноволнового края ФП и возрастанию относительного вклада фоточувствительности в примесной области, Максимальные величины фоточувствительности и крутизны длинноволнового края ФП достигаются в результате термообработки образцов, совместно с Cd* Сильное понижение крутизны длинноволнового края ФП слоев Jl—CdSiAs£ln> до 12-14 эВ""1 связывается с размытием краев свободных зон, из-за легирования CdSiAs2.

9. Исследована фоточувствительность однородно легированных примесями Clt, Ад * Аиу Go у Sn , Se, а также одновременно 171 и Se образцов р- CdSiAs2 .Рекордная для CdSlAs2фоточувствительность 420 мА/Вт установлена для легированных Ад кристаллов ]>-CdSiA$2c концентрацией дырок ~2'10*^см""3 (300 К) .Легирование посторонними примесями не обнаруживает ярко выраженных особенностей в спектрах ФП, примесная ФП имеет вид широкой бесструктурной полосы с заметным фотоответа от 0,7-1 эВ. Энергетическое положение А- и В-переходов такое же, что и для не легированных кристаллов. Крутизна длинноволнового края ФП падает с ростом уровня легирования.

10. Показано, что спектры ФП в неполяризованном свете представляют собой наложение спектров при Е И с и Е± с. Из поляризационных измерений ФП определены энергия А- и В-переходов и их температурный коэффициент. Обнаружена зависимость коэффициента фотоплеохроизма от скорости поверхностной рекомбинации. Максимум амплитуды положительного фотоплеохроизма характерен образцам с низкой скоростью поверхностной рекомбинации и соответствует энергии А-перехода. Высокое значение ^наблюдается и в области примесного поглощения, что связывается с его анизотропией, которая соответствует правилам отбора для А-переходов.

11. Впервые изучены параметры рекомбинационного излучения специально не легированных кристаллов р- CdSiAs^Q широкой области температур 4,2-200 К и концентрации носителей заряда от 10*^ до Ю^см""3 (300 К). Идентифицированы основные механизмы РИ. Определена экситонная ширина запрещенной зоны CdSiAs2 и построена температурная зависимость ширины запрещенной зоны в области 4,2-200 К.

12. Установлено, что термообработка кристаллов р- CdSiAs2 совместно с Cd или As сопровождается сильным снижением эффективности РИ. Термообработка кристаллов р- CdSiAsz совместно о Cd практически не влияет на структуру спектров РИ, исходных кристаллов и приводит к образованию доноров 0,054 эВ, которые можно приписать вакансиям в подрешетке мышьяка. Термообработка кристаллов р- CdSiAs^овме стно с As вызывает тушение краевого РИ и возгорание широкой длинноволновой полосы. Энергия ионизации этих центров оценивается 0,41 и 0,55 эВ. Показано, что изменения состава CdSiASgв направлении увеличения концентрации As или Cd связано с образованием дополнительных центров излучательной и безизлучательной рекомбинаций.

13. Впервые изучены спектры РИ однородно легированных примесями

Мп, Pt) монокристаллов р- CdSiAs^ Определены вводимые при легировании уровни дефектов решетки. Обсуждается их природа. Обнаружены мелкие акцепторные состояния в легированных во кристаллах р-типа, в которых эффективность РИ намного выше, чем в не легированных образцах и достигает уровня GoAst» На основании исследования температурных зависимостей РИ и влияния уровня возбуждения сделаны выводы о природе наблюдаемых переходов. В легированных Go кристаллах РИ изучено вплоть до 300 К. Обнаружено и исследовано РИ слоев 71-CdSlAs^Ifl X Сделан вывод о донор-но-акцепторном механизме рекомбинации с участием мелких доноров YiQ -50 мэВ.

14. Выполнены поляризационных исследования РИ специально не легированных и легированных примесями кристаллов р- CdSiAs2 а также слоев 71-Cc/SiAs^. Краевое излучение характеризуется положительным знаком степени линейной поляризации, которая достигает 75-80% и сохраняется практически неизменной в области 4,2-200 К. Обнаружено, что величина £ для донорно-акцепторных переходов в слоях п - cdsias^frt> находится на уровне значения для А-переходов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ Б данной работе проведены экспериментальные исследования влияния точечных дефектов решетки различного происхождения на физические свойства монокристаллов диарсенида кадмия и кремния

СdSi As2

1. Горгонова Н.А. Сложные алмазоподобные полупроводники.-М.: Советское радио,1968, 268 с.

2. Прочухан В.Д., Рудь Ю.В. Перспективы практического применения полупроводников 1978, т.12, вып.2 ,с,209-229.

3. Averkieva G.K.,Goryunova N.A. ,Proch.uhan V.D. , Rud Yu.Y., Serginov M. Elektrically Active Point Defects in CdSiAs2 Crystals. Phys.Stat.Solyd. (a}-, 1971,5,3, p. 571-576.

4. Прочухан В.Д., Рудь Ю.В., Сергинов M. Получение и физические свойства соединения Cc/Si'As2, Изв.АН СССР. Неорган, материалы, 1973, т.9, №7, C.II57-II6I.

5. Полупроводники aVcV Под ред.Горюновой Н.А.,Валова

6. Ю.А. Н.: Советское радио, 1974, 374 с.t t tit

7. Dhar S., Nag B.R., Etching Solution for ZnGeP2. J.Chem.1. Phys., 1978,P.120-122.i tit'

8. Siegel W., Ziegler E., Fhys. Stat.Sol., (a), 1974, 21, t *p. 639-642.

9. Вайполин A.A., Османов 3.0., Рудь Ю.В. Алмаз оподобные полупроводники в стеклообразном состоянии. ФТП, 1965, т.7, с.2266-2268.

10. Чалдншев В.А., Покровский В.И. Свойства симметрии энергетических зон кристаллов со структурой халькопирита. Изв.Вузов. Физика, I960, JS 2, с.173-181.

11. Чалдышев В.А. Возможная структура энергетического спектра кристаллов типа халькопирита. Изв.Вузов. ФизикаД962, J'3 2, с.98-103.

12. Sandrock R.,Treusch J., Symmetry properties of the Energy Band of the Chalcopirite structure, Z.Naturf., 19 a 844- 850 .

13. Ziets M., Eossler U., Bestimung der Energiebandstruc-tur von Kristalien mit chalcopyritditten nach der k-p St'orungerechnung Z.Naturforch. 1964, 19 a, 718, p.850-856.

14. Чалдышев B.A., Караваев Г.Ф. К вопросу о структуре валентной зоны соединений типа калькопирита. Изв.Вузов. Физика, 1963, ib 5, с.103-112.

15. Караваев Г.Ф. Исследование энергетического спектра и правил отбора для непрямых переходов электронов в кристаллах.-Дисс.канд.физ.-мат.наук. Томск, 1965. - 186 с.

16. Гашимзаде Ф.М. Зонная структура полупроводниковых сое2 Л Rдинений типа А В С g со структурой халькопирита. ФТТ, 1963,5, Г-4, с.II99-1201.

17. Гашимзаде Ф.М. Энергетический спектр дырок в полупроводниках со структурой халькопирита. Изв.АН АзССР, Сер.физ.-мат.и техн.наук, 1963, JS 3, с.67-76.

18. Goryunova ГГ.A., Poplavnoy A.S., Polygalov Yu.I., Chal-dyshev v.a., Energy Band Structure of Ternary Diamond like A2bV2 Type Semiconductors.- Phys.Stat.Sol. ,1970,v.39,9,p.9-17

19. Борщевский А.С., Валов Ю.А., Горюнова H.A., Османов Э.О.,

20. Рыбкин С.М., Шпеньков Г.П. Излучательная рекомбинация в кристаллах CdGeAs2 и CdSiA$2- фтп, 1968, т.2, в.9, с.1367-1369.

21. Довлетмурадов Чв, Овезов К,, Прочухан Б.Д., Рудь Ю.Б,, Сергинов М. Фотоэлектрические свойства и возможности практического использования гомодиодов из CdSiAs2. -ФТП, 1976, т.10, в.9, с.1659-1664.4 » . . it ,

22. Averkieva G.K.,Goryunova N.A., Prochukhan Y.D. , Rud Yu. V., Serginov M. Electric Properties of CdSiAs2, Crystals- Fnys. Stat.Sol., 1969,3^,K5-K8.

23. Serginov M.,Gorunova N.A.,Prochukhan V.D., Rud. Yu. V. High-Temperature Investigation of the Conductivity of CdSiAsi i 4 U

24. Cryatal-Phys.Stat.Sol. (a), 1970, K75-K78.

25. Сергинов M., Рудь Ю.В., Прочухан Б. Д., Гасанли Ш.М. Исследование электропроводности и постоянной Холла кристаллов CdSiAs^ области низких температур. Всесоюз.конф.по электр. и опт.свойствам кристаллов и сложных соединений типаaW^

26. Сергинов М. Получение и исследование физических свойств монокристаллов тройного соединения CdSzAs2 : Автореф.дисс. канн.физ.-мат.наук. Баку, 1971. - 22 с.р/с

27. Прочухан В.Д. Полупроводниковые материалы типа АтВ С Материалы У1 зимней школы по физике полупроводников.ЛИЯФ, Л., 1974, с.280-334. '

28. Прочухан В,Д. О поведении составляющих решетку элемен2 A Rтов в соединениях типа А В С g. Б кн.: Некоторые вопросы химии и физики полупроводников сложного состава. Ужгород, 1970,с.40-44.

29. Прочухан В.Д. Исследования в области химии полупроводников А2В4С52• Дисс.д-ра хим.наук. - Л., 1972. - с.25.

30. Грищенко Г.А., Любченко А.В., Тычина И.И. Локальные электронные состояния в монокристаллах Zn<SiP2 р-типа.Всесоюз.конф. "Тройные полупроводники". Тезисы докл.Кишинев, 1971,с.3-6.

31. Аверкиева Г.К., Прочухан В.Д., Таштанова М. О влиянии отклонений от стехиометрии на свойства полупроводника ZnSiASg ДАН СССР, 1972, т.206, IS 3, с.638-640.

32. Аверкиева Г.К., Горюнова Н.А., Прочухан В.Д.,Серги-нов М. О влиянии отклонений от стехиометрического состава на свойства полупроводника CdSiA$2. ДАН СССР, 1970, т. 181, J5 4, с.811-813.

33. Григорьева B.C., Прочухан В.Д., Рудь Ю.В., Яковен-ко А.А. Собственные доноры в кристаллах ZnGeP2 . Письма в ЖТФ, 1975, т.1, в.З, с.130-132.

34. Довлетмурадов Ч., Овезов К., Прочухан В.Д., Рудь Ю.В., Сергинов М. Конверсия типа проводимости р- CdSiA$2. Письма в ЖТФ, т.1, в.19, с.878-881.

35. Аверкиева Г.К., Прочухан В.Д., Сергинов М. О легировании полупроводника CdSlA$2 . Изв.АН ЛатвССР, сер.химическая, 1972, !& I, с.9-13.

36. Сергинов М., Рудь Ю.В., Прочухан В.Д., Скрипкин В.А. Термоэдс и эффективная масса дырок в Cd$iA$2. Всесоюзн. конф.по электр.и опт.свойствам кристаллов и сложных соеди9 A Rнений типа А В С g• Тезисы докл.Ашхабад, 1971, с.233-234.

37. Сергинов М.,Рудь Ю.В., Прочухан В.Д.,Скрипкин В.А. Термоэдс и эффективная масса дырок в CdSlAs2. Изв.АН ТССР. Сер.физ.-техн.,хим.и геол.наук, 1973, J5 3, с.104т106.

38. Брудный В.Н., Кривов М.А., Потапов А.И., Прочухан В.Д., Рудь Ю.В. Радиационные дефекты в кристаллах CdSiASgH Zn$iA$2) облученных электронами. ФТП, 1978, том 12, в.6,с.П09-ШЗ.

39. Колчанова Н.М.,Прочухан В.Д.,Рудь Ю.В.,Сергинов М. Фотопроводимость кристаллов CdSz'A$2 • Изв.АН ТССР, сер. физ.-техн.хим и геол.наук, 1973, В I, с.108-110.

40. Мосс Т.О. Оптические свойства полупроводников. М.,ШГ., 1961, -304 с.

41. Аверкиева Г.К., Карымшаков Р.К., Прочухан Б.Д., Серги-нов М. Исследование инфракрасного поглощения в CdSiAs2. -ФТП, 1970, т.4, в.З, с.591-593.

42. Лебедев А.А., Овезов К., Прочухан Б.Д., Рудь Ю.В.»,Сер-гинов М. Фотопроводимость кристаллов CdSzAs2 Б поляризованном свете. Письма в ЖГФ, 1976, т.2, в.9, с.385-390.4 i * •

43. Shay J.S., Buechler Е. Electrorestanse Spectra of CdSiAs2 and CdGeAs2 Phys.Stat.Sol., 1971, B3, 2598-2604

44. Shay J.L.,Wernick J.H.TernaryChalcopirite Semicond.,* * t

45. Growth,Electronic Properties a. Appl.Pergamon.Press,Oxford,1975.

46. Аверкиева Г.К., Горюнова H.A., Прочухан B.I., Рыбкин C.M., Сергинов М., Шретер Ю.Г. Вынужденное рекомбинадионное излучение CdSzA^. ФТП, 1971, т.5, в.1, с.174-175.

47. Мальцева И.А., Прочухан В.Д., Рудь Ю.В., Сергинов М. Поляризация фотолюминесценции в кристаллах CdSzA$2 . ФТП, 1976, т.Ю, в.6, с.1222-1224.

48. Сергинов М. Получение и исследование физических свойств монокристаллов тройного соединения CdSlAs2. Дисс. канд.физ.-мат.наук. - Баку, 1971. - 153 с.

49. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ (Справочник). М.: Наука, 1979, с.207-211.

50. Грум-Гржимайло С.Б. Приборы и методы для оптического исследования кристаллов. Изд."Наука", 1972, 128 с.

51. Поплавной А.С., Полыгалов Ю.И., Чалдышев В.А. Структура энергетических зон полупроводников с решеткой халькопирита: I ZnSiP2 . Изв.Вузов, Физика, 1969, В 7, с.59-66.

52. Поплавной А.С., Полыгалов Ю.И., Чалдышев В.А. Структуpa энергетических зон полупроводников с решеткой халькопирита:И MgSiP2 , Zn GeP2 , ZnSiAsz, CdSiP2 . Изв.Вузов, Физика, 1970, J& 6, с.95-100.

53. Поплавной А.С., Полыгалов Ю.И., Чалдышев В.А. Структура энергетических зон полупроводников с решеткой халькопирита: ZnSnP?, Cd$nP2, ZnGeA$2, CdGeAs2,Zn$nAs2,CdGeP2> CdSz'A$2 . Изв.Вузов, Физика, 1970, IS 7, c.17-22.

54. Поплавной А.С. Зонная структура динамики решетки и явления переноса в некоторых сложных полупроводниках.Автореф. дисс.докт.физ.-мат.наук. Новосибирск, 1983. - 42 с.

55. Мамедов А., Полушина И.К., Рудь Ю.В., Сергинов М. Электрические свойства специально нелегированных монокристаллов р- CdSiAs2. Изв.АН ТССР. Сер.физ.'-техн.хим и геол.наук, 1981, № 4, с.31-39.

56. Абдурахимов А.А., Мамедов А., Полушина И.К., Рудь Ю.В., Сергинов М., Довлетмурадов Ч. Энергетический спектр дырок в легированных кристаллах р- CdSzAs2. Изв.АН ТССР. Сер.физ.-техн.хим и геол.наук, 1981, .£ 5, с.12-17.

57. Prochukhan V.D., Rud Y u.V. Radiation Defects in H+ -irradiated p-CdSiASg and p-ZnSiAs2 Crystals., Radiat.Effects. , 1982, v. 59, p. 211-215.

58. Блекмор М. Статистика электронов в полупроводниках. -М.: Мир, 1964, 392 с.

59. Григорьева B.C., Прочухан В.Д., Руць Ю.В., Яковенко А.А. Подвижность и энергетический спектр дырок в монокристаллах ZnGeP2 . ФТП, 1974, т.8, в.8, с.1582-1585.

60. Маделунг Q. Физика полупроводниковых соединений элементов Ш и У групп. М.: Мир, 1967. - 478 с.* t

61. Siegel W., Ziegler Е., Kiihnel G. Some Electrical Properit! 4 , . ,ties of ZnSiAs2 Phys.Stat.Sol. (a), 1973,v.18,2,p.521-524.

62. Вайполин A.A., Горюнова H.A., Османов Э.0.,Рудь IO.B. Новые стеклообразные соединения. ДАН СССР, сер.физическая химия, 1965, т.160, JS 3, с.633-634.

63. Вайполин А.А., Османов Э.О., Рудь Ю.В. Алмазоподобные полупроводники в стеклообразном состоянии. ФТТ, 1965, 7,с.2266-2268.

64. Тычина И.И. Получение монокристаллов полупроводниковых соединений CdGeF^ и ZnGef-1 и исследование их свойств: Автореф.дисс.физ.-мат.наук. Киев, 1966. - 19 с.

65. Болтовец Н.С., Горюнова Н.А., Прочухан В.Д., Сергинов М. Получение CdSiA$2 в стеклообразном состоянии. ДАН СССР, сер.физическая химия, 1970, т.190, $ 3, с.619-620.

66. Горюнова Н.А., Златкин Л.Б., Марков Ю.Ф., Стеханов А.И. О существовании алмазоподобного полупроводника в стеклообразном состоянии. ДАН СССР, сер.Физика, 1969, т.181, JS 3, с.582-583.

67. Болтовец Н.С., Борщевский А.С., Горюнова Н.А. Вольт-амперные характеристики стеклообразного CdSzA<s2 . Журнал Электронная техника, серия 14, Материалы, в.2, с.84-85.

68. Борщевский А.С., Коцюруба E.G. К вопросу о кристаллизации полупрово,цниковых стекол CdGeA$2 и CdGeP2 . Физика и химия стекла, 1976, т.2, в.4, с.365-368.

69. Горюнова Н.А., Коломиец Б.Т. Новые стеклообразные полупроводники. Изв.АН СССР, серия физическая, 1956, т.XX, JS 20, с.1496-1500.

70. Горюнова Н.А.,Коломиец Б.Т. К вопросу о закономерностях стеклообразования в халькогенидных стеклах. Стеклообразное состояние. Труды Ш Всесоюзн.совещания.Изд.АН СССР, М.-Л., 1959, с.71-78.

71. Серегин П.П., Сивков В.П., Насрединов Ф.С., Картенко Н.Ф., Васильев Л.Н., Бахтияров А.1Д. Механизм влияния примесных атомов золота на электрические и оптические свойства стеклообразных селенидов мышьяка. ФТП, 1976, т.10, в.7, с.1325-1329.

72. Коломиец Б.Т., Лебедев Э.А., Рогачев Н.А. Влияние примесей на электрические и оптические свойства стеклообразного селенида мышьяка. ФТП, 1974, т.8, в.З, с.545-548.

73. Федотов В.Г., Леонов Е.И., Ивахно В.Н., Горюнова Н.А., Тычина И.И. О некоторых электронных свойствах стеклообразного CdGeP2 . ФТП, 1969, т.З, в.II, с,1739-1742.

74. Петрусенко С.К. В сб.: "Физика конденсированного состояния", КИМ, Киев, 1978, с.78-82.

75. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. 7 Мир, 1982, 664 с.79e Brudnyi V.N.,Voevodina O.V.,Krivov M.A. Investigationof defects in electron-irradiated CdSiAsp Crystals.-Fiz.Tekhn.- I

76. Poluprovod.,1975,v.10,p.1311.

77. Кривов М.А., Мелев Б.Г. Электрофизические свойства компенсированного р-ZnSfiAs^, Изв.Вузов, Физика, 1980, 5, с.134-136.

78. Brudnyi Y.N., Krivov М.А., Potapov A.I.,Polushina I.К.t t »

79. Prochukhan V.D. , Rud Yu.Y. Change of Electrical Properties in

80. Electron Irradiated CdGeAs? Crystals. Phys.Stat.Sol. (a), 1978, * t4.9, p. 761-765.

81. Брудный B.H., Воеводин В.Г., Вяткин А.П., Ведерникова• I I • . .

82. Т.Н., Воеводина О.В., Грибенников А.И., Кривов М.А., Мелев Б.Г.

83. Исследование радиационных дефектов в некоторых соединениях 2 4 S

84. А В С g. Всесоюз.конф."Тройные полупроводники и их применение". Тезисы докл., Кишинев, 1978Г

85. Глазов В.М., Лебедев В.Б., Молодых А.Д., Пашинкин А.С.о л

86. Термическая диссоциация соединений А В ASg. Изв.АН СССР. Неорган, материалы, 1979, 15, с.1730-1734".

87. Мамедов А., Паримбеков З.А., Рудь Ю.В., Серпшов М., Люминесцентные свойства специально нелегированных кристаллов р- Cc/SiASr, . ФТП, 1982, т.16, в.4, с.722-725.

88. Абдурахимов А.А., Мамедов А., Прочухан В.Д., Рудь Ю.В. Сергинов М. Фотоэлектрические свойства легированных монокристаллов Cc/Sz'As2 . 5-я Всесоюз.конф.по физико-химическим основам легирования полупроводников. Тезисы докладов. Москва, 1982.-8с.

89. Мамедов А., Паримбеков З.А., Прочухан В.Д.,Рудь Ю.В. Сергинов М. Влияние легирования на рекомбинационнпе излучениемонокристаллов CdSiAs2 . 5-я Всесоюз.конф.по физико-химическим основам легирования полупроводников. Тезисы дохшадов.Москва, 1982, с.9.

90. Абдурахимов А.А., Мамедов А., Рудь Ю.В,, Сергинов М. Фотопроводимость и энергетический спектр специально не легированных монокристаллов р- CdSiAs^ Изв.АН ТССР, сер.физ.-техн. хим и геол.наук, 1983, JS I, с.15-24.

91. Абдурахимов А.А., Мамедов А., Рудь Ю.В., Сергинов М. Влияние легирования посторонними примесями на фотопроводимость монокристаллов р-CdSi'As2. Изв.АН ТССР, сер.физ.-техн.хим. и геолог.наук, 1983, № 2, с.23-29.

92. Мамедов А., Паримбеков З.А., Рудь Ю.В., Сергинов М. Люминесцентные свойства специально нелегированных кристаллов р- CdSzA^. Изв.АН ТССР, сер.физ.-техн.хим, и геол.наук, 1983, J* 5, с.13-19.

93. Мамедов А., Паримбеков З.А., Рудь Ю.В., Сергинов М. Рекомбинационное излучение легированных кристаллов р-CdSiA$2 Изв.АН ТССР, серия физ.-техн.хим и геолог.наук, 1984, $ 5,с.

94. Шилейка А. Оптические исследования зонной структуры соединений А^В^С^• В кн.: "Многодолинные полупроводники" под ред.Ю.Пожела. Изд.Мокслас, Вильнюс, 1978, с.145.

95. Gross E.F. , Novikov B.V., The Fine Structure of the Spectral Curves of Photoconductivity and Luminescence Exciton and its correlation to the Exciton absorption Spectrum. J. Phys. Chem. Solids., 1961,22, 1.

96. Мамедов А., Паримбеков 3.A., Рудь Ю.В. "Фотоэлектрические и люминесцентные свойства слоев n-CdSiAs^", Украинский физический журнал, 1984, т.29, В 2, с.290-293.

97. Арсенид г an лия. Получение, свойства и применение. Под ред.Касаманды Ф.П. и Наследова Д.Н. Монография. Наука, М.,1973, с.472.

98. Тауц Я. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках. ИЛ, М., 1962, с.253.t 4 * ' t *

99. Leite R.C.C.,Digiovanni A.J., Frequencyshift with temperature as Evidance for Donor-Acceptor Pair Recombination in4 4 *

100. Relatively Pure n-type GaAs, Fhys.Rev., 1967, 7 .

101. Yee J.H., Condas G.A., The Excitation Yntensity Effects in the Band-Edge Emission of GaAs and CdBe (E/T) . J.Appl.Phys.41968, 39, 2.

102. Камалов M.H., Колесник Л.И., Мильвидский М.Г., Шерша-коЕа И.Н, Влияние стехиометрии на процессы рекомбинации в кристалла:: GaAe<Si> ФТП, 1980, JS I, с. 159-163.4 » / ♦ /

103. Morgan T.N. , Plaskett T.S., Pettiol E.D. Pair Spectra4 41.volving Si Donors in GaP.Phys.Rev. ,1969,120,3, p.84-5.о с

104. Физика и химия соединений А В /Йод ред.Медведева С,А. М., Мир, 1970, с.421.

105. В заключение считаю своим приятным долгом выразить мою глубокую благодарность моим научным руководителям Виталию Даниловичу Прочухану и Юрию Васильевичу Рудь за постоянное внимание и всемерную поддержку при выполнении работы.