Исследование явлений самоорганизации при эпитаксии гетероструктур тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Электроника по праву считается основой современного этапа научно-технического прогресса. Используемые во всех сферах деятельности общества приборы, датчики, накопители и преобразователи информации, вычислительные системы, создаваемые в микроэлектронике на основе полупроводниковых материалов, обеспечивают выполнение требований, предъявляемых современной экономикой по быстродействию, габаритам и потребляемой мощности. Причем требования к воспроизводимости и оптимизации технологических процессов в микроэлектронике превосходят аналогичные требования в других отраслях промышленности.

Характерной чертой полупроводниковых материалов является их структурная чувствительность. Именно структурной чувствительностью объясняется важная роль, которую играют в микроэлектронике технологические методы получения и обработки полупроводниковых материалов. А этапы становления новых методов получения и контроля полупроводниковых материалов с заданной структурой соответствует этапам развития твердотельной электроники.

Формирование и эволюция неоднородных структур в полупроводниковых материалах происходит как в процессах роста и синтеза, так и в результате технологических воздействий. Структурные неоднородности, с одной стороны, ухудшают электрофизические параметры, а с другой стороны, в условиях контроля типов возникающих структур и их пространственного распределения, позволяет повышать стабильность фаз, геттерировать примеси, обеспечивать когерентность границ раздела, создавать новые типы структур различной размерности (квантовые точки, квантовые нити, квантовые ямы).

Повышение роли исследования структур на поверхности полупроводниковых материалов обусловлено:

• существенным возрастанием с развитием наноэлектроники роли и свойств поверхности при создании новых приборов, по сравнению с традиционной электроникой;

• возрастанием требований к структурному совершенству (регулярности размеров и размещению на кристаллической поверхности), предъявляемых разработкой высокочастотных приборов;

• созданием квантоворазмерных структур пониженной размерности (квантовые точки, нити и ямы);

• интенсификацией использования новых технологий (ионное травление, раскол кристалла в сверхвысоком вакууме, лазерный отжиг, молекулярно-лучевая эпитаксия);

• широким использованием в современной микроэлектронике гетероструктур для получения материалов с требуемыми электронными свойствами;

• применением в современных технологиях интенсивных потоков энергий, частиц и т.д., что определяет существенную неравновесность процессов, приводящих к проявлению эффектов самоорганизации.

Современные экспериментальные работы по исследованию поверхности, базирующиеся на широком применении приборов и методов структурного анализа (рентгеноскопия, фотоэлектронная спектроскопия, электронная микроскопия, туннельная микроскопия), как правило, сочетаются с комплексным моделированием процессов и явлений, которые проясняют картину эксперимента и позволяют исследовать закономерности процессов на поверхности.

Одной из основных проблем, активно разрабатываемых в ряде научных центров как отечественных, так и зарубежных, является проблема использования процессов самоорганизации в создании квантовых нитей и квантовых точек. Последние экспериментальные исследования показали, что структура ступеней поверхности может быть использована для создания системы квантовых нитей, а образование островков в гетероэпитаксиальных слоях - квантовых точек. Однако, без знания закономерностей формирования и эволюции структур в условиях протекания процессов самоорганизации на поверхности полупроводниковых кристаллов невозможно решение такого центрального вопроса, как целенаправленное и контролируемое использование фундаментальных пределов технологических методов наноэлектроники.

Это и определило цели, основное направление и методы исследования диссертационной работы. В ней обобщаются выводы теоретических исследований и результаты моделирования явлений самоорганизации при эпитаксиальном росте гетероструктур.

2. Общая характеристика диссертационной работы

2.1. Характер задач, возникающих при исследовании явлений самоорганизации при эпитаксиальном росте гетероструктур

По мере дальнейшей миниатюризации полупроводниковой электроники, развития наноэлектроники параметры приборов все в большей степени определяются несколькими атомными слоями. Их широкое изучение, связанное с бурным развитием экспериментальных методов, позволило собрать обширный материал о реконструкции и структурных перестройках поверхности различных полупроводниковых материалов. Возможность реализации процессов самоорганизации при эволюции элементов структуры поверхности при синтезе полупроводниковых материалов, а также при технологических операциях производства СБИС определяют тот исключительный интерес к изучению закономерностей этих сложных процессов во многих научных центрах мира.

Осмысление экспериментальных результатов, возможность их целенаправленного использования при разработке нового поколения полупроводниковых приборов на основе квантоворазмерных структур приводит к необходимости расширения старых и разработке новых теоретических представлений о структурах, формирующихся на поверхности растущего кристалла.

Современные технологии (эпитаксиальный рост, диффузия, имплантация, различные виды отжигов) предусматривают неравновесность протекания процессов на поверхности, приводящих к разного рода взаимодействиям элементов структуры между собой, что, в конечном счете, определяет процессы самоорганизации. Отсюда вытекает необходимость построения теоретического описания этих процессов при эпитаксии гетероструктур. В диссертации в качестве наиболее типичных примеров рассматриваются поведение ступенчатой структуры вицинальной поверхности в условиях эпитаксиального роста и поведение адатомов на поверхности полупроводников в условиях формирования островков.

Эти особенности формирования и эволюции элементов структуры поверхности и определили характер задач настоящей диссертационной работы:

1. Развитие теории, описывающей условия возникновения структурных неоднородностей в процессе самоорганизации гетероструктур и их типах в кинетической модели роста;

2. Необходимость учета влияния взаимодействия ступеней при рассмотрении самоорганизации ступенчатых структур;

3. Построение теоретического описания системы частиц на поверхности полупроводника в островковой стадии роста пленки;

4. Необходимость учета влияния кинетических факторов на эпитаксиальный рост квантоворазмерных (2+1)Б псевдоморфных структур на поверхности роста.

2.2. Направление работы и используемые методы

Для теоретического исследования реальной структуры поверхности полупроводников с учетом выделенных выше задач выбрано следующее направление: Исследование явлений самоорганизации при эпитаксии гетероструктур.

Основное внимание при рассмотрении уделено 81 как одному из основных материалов твердотельной электроники, однако, при анализе роста пленок приводятся результаты и для других широко используемых в настоящее время материалов, в частности, ве, ваАэ и гетероструктуры на их основе.

Для исследования закономерностей процессов самоорганизации при росте гетероструктур основное внимание уделено упругому взаимодействию элементов структуры (динамический фактор), процессам диффузии и механизму послойного роста (кинетический фактор).

Динамическое взаимодействие элементов структуры описывается в диссертационной работе упругой энергией взаимодействия, порождаемой упругими дальнодействующими полями, в рамках континуальной линейной теории упругости.

Описание кинетических процессов основано на феноменологических уравнениях процессов диффузии и встраивания отдельных адатомов в структуру ступеней.

Выводы феноменологического описания сопоставлялись и дополнялись результатами модельных рассмотрений.

2.3. Структура диссертации

Диссертационная работа, помимо введения и данной главы, представляющей ее общую характеристику, содержит еще четыре главы, которые посвящены изложению результатов теоретического исследования по теме диссертации.

Во третьей главе дан краткий обзор современного состояния исследований структуры вицинальных поверхностей и процессов роста.

Четвертая и пятая главы посвящены рассмотрению поведения ступенчатой структуры вицинальной поверхности в условиях эпитаксиального роста. В третьей главе представлены выводы теоретических исследований и результаты моделирования явлений самоорганизации при эпитаксиальном росте ступенчатых структур на основе учета кинетических факторов. В четвертой главе представлены результаты моделирования ступенчатых структур с учетом влияния взаимодействия ступеней.

Исследованию влияния упругого взаимодействия и кинетических факторов на формирования квантоворазмерных структур поверхности посвящена шестая глава работы. В первой ее части представлен термодинамический анализ возможных типов структур, возникающих при молекулярно-лучевой эпитаксии, а во второй части проведено компьютерное моделирование процесса молекулярно-лучевой эпитаксии.

2.4. Основные положения диссертации

1. Упругое взаимодействие элементов структуры поверхности полупроводниковых кристаллов является существенным, а в случае гетероструктуры часто и решающим фактором, приводящем к формированию и эволюции в процессе самоорганизации структур пониженной размерности (квантовые точки, квантовые нити).

2. Неустойчивость структуры поверхности полупроводников обусловлена как кинетическими факторами (эффект Швобеля) процесса эпитаксии, так и динамическими факторами взаимодействия ступеней между собой (отталкивание ступеней вицинальной поверхности и притяжение ступеней на поверхности гетероструктур).

3. Упругое взаимодействие частиц на поверхности кристалла приводит к потере термодинамической устойчивости равномерного распределения адатомов по поверхности и структуризации возникающих распределений на субмономолекулярной стадии роста пленок.

4. При образовании (2+1)Б структур на поверхности кристалла наряду с упругим взаимодействием существенную роль играют кинетические факторы процессов осаждения атомов и их миграции по поверхности.

2.5 Основные результаты и выводы диссертации

1. Проведен теоретический анализ устойчивости регулярного распределения ступеней при двух типах граничных условий: по потоку и по концентрации адатомов вблизи террасы. Определен критерий устойчивости системы для граничных условий, определяемых потоком.

2. Проведено компьютерное моделирование ступенчатой структуры, созданной на основе теории Бартона-Кабреры-Франка (БКФ). Определены характерные типы неустойчивости системы, приводящие к процессам самоорганизации (эшелонирование, образование многоатомных ступеней).

3. Проведен анализ уравнения эволюции роста ступенчатой структуры. Определены области стабильности и нестабильности основных решений уравнения. Показаны два типа нестабильности (мода с нарушенной четностью и колебательная мода).

4. Рассмотрено влияние взаимодействия ступеней на их эволюцию при росте пленок. Показано, что экспериментальные исследования поверхности ТаС свидетельствуют о том, что процессы эшелонирования ступеней на поверхности ТаС обусловлены притяжением между ступенями.

5. Построена компьютерная модель, учитывающая взаимодействие ступеней гетероструктур. Показаны различные моды роста. Рассмотрено влияние параметров модели на поведение структуры ступеней в условиях самоорганизации. Проведен количественный анализ полученных структур.

6. Проведен термодинамический анализ начального роста гетерофазы путем формирования когерентных деформированных островков на поверхности кристалла, и показана возможность существования различных мод роста наноразмерных структур.

7. Построена компьютерная модель эпитаксиального роста квантоворазмерных (2+1)Б гексагональных плотноупакованных структур на поверхности кристалла, и на ее основе продемонстрировано влияние различных факторов (температуры, интенсивности пучка, кинетических барьеров, упругого взаимодействия) на процесс самоорганизации образующихся псевдоморфных структур. Проведен количественный анализ полученных структур.

3. Современное состояние исследований структуры вицинальных поверхностей и процессов роста

3.1. Введение

По мере дальнейшей миниатюризации полупроводниковой электроники размеры элементов интегральных схем начинают приближаться к размерам малых кластеров из атомов и молекул. При этом резко возрастает вклад во все протекающие процессы свойств поверхности [1]. В настоящее время к исследованию поверхности привлечен весь мощный арсенал современной физики [2]: электронная микроскопия медленных электронов (ЭММЭ), радиоспектроскопия, фотоэлектронная спектроскопия, сканирующая туннельная микроскопия (СТМ), лазерная диагностика. Доступность поверхности к различного рода активным воздействиям позволяет управлять процессами роста поверхности для создания упорядоченных структур. Это объясняет возрастающий научный и технологический интерес к исследованиям как теоретическим, так и экспериментальным, эпитаксиального роста наноструктур. На Рис.3-1 схематически представлены 5 классов известных самоорганизующихся структур [3], это ступенчатая структура (Рис.3-1а), структура плоских доменов, то есть монослоя высоких островков (Рис.3-16), трехмерные когерентно напряженные островки (Рис.3-1в), многослойные массивы двумерных островков (Рис.3-1г), многослойные массивы трехмерных островков (Рис.3-1д). Несмотря на то, что геометрия всех пяти классов различна, движущей силой упорядочения для всех наноструктур является длиннодействующая сила упругого взаимодействия. Поле упругого напряжения создается вследствие прерывистости тензора собственного напряжения поверхности граничных областей доменов и/или вследствие несоответствия решеток двух материалов, составляющих гетероэпитаксиальную структуру. г д

Рис.3-1 Классы наноструктур

Первые три класса, представленные на Рис.3-1а - 3-1в, являются равновесными структурами. Многослойные массивы островков, Рис.3-1 г и 3-1д являются наноструктурами, образование которых управляется как равновесным, так и кинетически контролируемым упорядочением.

1. В.Ф.Киселев, С.Н.Козлов, А.В.Зотеев Основы физики поверхности твердого тела // МГУ, стр.9 (1999)

2. М.Праттон Введение в физику поверхности // Ижевск: НИЦ "Регулярная и хаотическая динамика", стр.70 (2000)

3. V.A.Shchukin, D.Bimberg Spontaneous ordering of nanostrucnures on crystal surfaces // Rev. of modern phys., v.71(4), pp.1125 (1999)

4. M.M.Dovek, C.A.Lang, J.Nogami, C.F.Quate Epitaxial growth of Ag on Au(lll) studied by scanning tunneling microscopy // Phys.Rev.B, v.40, pp.11973 (1989)

5. O.L.Alerhand, A.Nihat Berker, J.D.Joannopoulos, D.Vanderbilt, R.J.Demuth Finite-temperature phase diagram on vicinal Si(lll) surfaces // Phys.Rev.Let, v.64, pp.2406 (1990)

6. J.J. de Miguel, C.E.Aumann, R.Kariotis, M.G.Lagally Evolution of vicinal Si(001) from double to single - atomic - height steps with temperature // Phys.Rev.Let, v.67, pp.2830 (1991)

7. B.S.Swartzentruber, Y.-W. Mo, R.Kariotis, M.G.Lagally , M.B.Webb Direct determination of step and kink energies on vicinal Si(001) // Phys.Rev.Lett, v.65, pp.1913 (1990)

8. M.Uwaha, Y.Saito Kinetic smoothing and roughening of a step with surface diffusion // Phys.Rev.Lett., v.68, pp.224 (1992)

9. F.Wu, X.Chen, Z.Zhang, M.G.Lagally Reversal of step roughness on Ge-Covered vicinal Si (001) // Phys.Rev.Lett. v.74, pp.574 (1995)

10. Красильник З.Ф. Новые оптоэлектронные свойства полупроводниковых структур // Изв.РАН, сер.физ., т.64(2), стр.194 (2000)

11. Востоков И.Н., Долгов И.Н., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Лобанов Д.Н., Молдавская Л.Д., Новиков А.В., Постников В.В., Филатов Д.О. Однородные наноостровки Ge на Si(001) // Изв.РАН, сер.физ., т.64(2), стр.284 (2000)

12. Пека Г.П. Физические явления на поверхности полупроводников // Киев, Вища пне, стр.17 (1984)

13. C.Misban, O.Pierre-Louis, A.Pimpinelli Advacancy-induced step bunching on vicinal surfaces // Phys.Rev.B v.51, pp.17283 (1995)

14. D.Kandel, J.D.Weeks Simultaneous bunching and debunching of surface steps: Theory and relation to experiments // Phys.Rev.Lett v.74, pp.3632 (1995)

15. Y.Saito, M.Uwaha Morphological instability caused by asymmetry in step kinetics // Phys.Rev.B, v.51, pp.11172 (1995)

16. D.-J.Liu, J.D.Weeks, M.D.Johnson, E.D.Williams Two-dimensional facet nucleation and growth on Si(l 11)// Phys.Rev.B, v.55, pp.7653 (1997)

17. D.-J.Liu, J.D.Weeks Quantitative theory of current-induced step bunching on Si(lll) // Phys.Rev.B, v.57, pp.14891 (1998)

18. Y.Saito, M.Uwaha, Y.Saito Control of chaotic wandering of an isolated step by the driff of adatoms // Phys.Rev.Lett, v.80, pp.4233 (1998)

19. J.Krug, H.T.Dobbs Current-induced faceting of crystal surfaces // Phys.Rev.Lett, v.73, pp.1947 (1994)

20. A.Latyshev, A.Aseev, A.Krasilnikov, S.Stenin Transformation on clean Si (111) stepped surface during sublimation// Surf.Science, v.213, pp.157 (1989)

21. Y.Saito, M.Uwaha Fluctuation and instability of steps in a diffusion field // Phys.Rev.B, v.49, pp.10677 (1994)

22. Березин А.А., Морозов А.И. Ширина ступеней на шероховатой поверхности // ФТТ, т.41, №2, стр354 (1999)

23. D.Kandel, E.Kaxiras Microscopic theory of electromigration on semiconductor surfaces // Phys.Rev.Lett v.76, pp.1114 (1996)

24. Пелещак P.M., Лукиянец Б.А., Зегря Г.Г. Влияние электрического поля на напряженное состояние гетероструктуры // ФТП, т.34, №10, стр.1223

25. J.P.v.d.Eerden, H.Muller-Krumbhaar Dynamic coarsening of crystal surfaces by formation of macrosteps // Phys.Rev.Lett, v.57, pp.2431 (1986)

26. J.Merikoski, J.Timonen, K.Kaski Adsorption on a stepped substrate // Phys.Rev.B, y.50, pp.7925 (1994)

27. D.Kandel, J.D.Weeks Kinetics of surface steps in the presence of impurities: patterns and instabilities // Phys.Rev.B, v.52, pp.2154 (1995)

28. I.Bena, C.Misbah, A.Valance Nonlinear evolution of a terrace edge during step-flow growth // Phys.Rev.B, v.47, pp.7408 (1993)

29. Воронков B.B., Жукова JI.A., Мильвидский М.Г., Симонова Т.В. Анализ факторов кинетического упорядочения вицинали при газовой эпитаксии полупроводников //Поверхность.Физика, химия, механика, №7 (1994)

30. ELElkinani, J.Villain Growth roughness and instabilities due to Shwoebel effect: one-dimensional model // Phys. Sec.l v. 4, pp.949 (1993)

31. A.Natory, Step structure transformation induced by DC on vicinal Si(lll)// Jpn.J. Appl.Phys, v.31, pp.1164 (1992)

32. W.K.Burton, N.Cabrera, F.C.Frank //Phylos. Trans. R. Soc. London Ser. A 243,299(1951)

33. A.K.Myers-Beaghton, D.D.Vvedenski Generalized Burton-Cabrera-Frank theory for growth and equilibration on stepped surfaces // Phys.Rev.A, v.44, pp.10835 (1992)

34. V.Fuenzalida Cluster-size distribution during epitaxial growth from the vapor on strongly misoriented surfaces // Phys.Rev.B, v.44, pp.10835 (1992)

35. Леванов H.A., Степанюк B.C., Хергерт В., Канцельсон А.А., Мороз А.Э., Кокко К. Структура и стабильность кластеров на поверхностях металлов // ФТТ, т.41, №7, стр.1329 (1999)

36. S.N.Luse, A.Zangwill, , D.D.Vvedenski, M.R.Wilby Adatom mobility on vicinal surfaces during epitaxial growth// Surf. Sci. v.274, L535 (1992)

37. C.Ratsch, M/D/Nelson, A.Zangwill Theory of strained-layer epitaxial growth near step-flow // Phys.Rev.B, v.50, pp.14489 (1994)

38. Пчеляков О.П., Двуреченский А.В., Марков В.А., Никифоров А.И., Якимов А.И. Прямой синтез наноструктур при молекулярно-лучевой эпитаксии германия на кремнии // Изв.РАН, сер.физ., т.63(2), стр.228 (1999)

39. G.S.Bales, A.Zangwill Morphological instability of a terrace edge during step-flow growth // Phys.Rev.B v.41, pp.5500 (1990)

40. D.Kandel, J.D.Weeks Theory of impurity-induced step bunching // Phys.Rev.B v.49, pp.5554 (1994)

41. J.Tersoff, Y.H.Phang, Z.Zhang, M.G.Lagally Step bunching instability on vicinal surfaces under strees // Phys.Rev.Lett, v.75, pp.2730 (1995)

42. J.Tersoff Strees-driven alloy decomposition during step-flow growth // Phys.Rev.Lett, v.77, pp.2017 (1996)

43. K.Thurmer, D.J.Liu, E.d.Williams, J.D.Weeks Onset of step antibanding instability due to surface electromigration // Phys.Rev.Lett, v.83, pp.5531 (1999)

44. D.Kandel, J.D.Weeks Simultaneous bunching and de bunching of surface stepps: theory and relation to experiments // Phys.Rev.Lett, v.74, pp.3632 (1995)

45. F.Li, D.Y.Petrovykh, J.Lin, J.L.Viernow, F.J.Himpsel, M.G.Lagally Creation of "Quantum platelets" via strain-controlled self-organization at steps // Phys.Rev.Lett, v.85, pp.5380 (2000)

46. M.Sakurai, C.Thirstrup, M.Aono Nanoscale growth of silver on prepatterned hydrogen-terminated Si(001) surfaces //Phys.Rev.B, v.62, pp.16167 (2000)

47. GJin, Y.S.Tang, J.I.Liu, ELL.Wang Growth and study of self-organized Ge quantum wires on Si (111) substrates // Appl.Phys.Lett, v.74, pp.2471 (1999)

48. F.Liu, J.Tersoff, M.G.Lagally Self organisation of steps in growth of strained films on vicinal substrates // Phys.Rev.Lett, v.80, pp.1268 (1998)

49. T.Uchida, K.Wada Kinetics of MBE growth on flat and stepped surfaces // Appl. Surf. Sci. 60-61, pp.234 (1992)

50. Нестеренко Б.А., Снитко O.B. Физические свойства атамарно-чистых поверхностей полупроводников // Киев, Наукова Думка, стр.58 (1983)

51. V.Repain, J.M.Berroir, B.Croset, S.Rousset, Y.Carreau Interplay between atomic and mesoscopic order on gold vicinal surfaces // Phys.Rev.Lett, v.84, pp.5367 (2000)

52. Кисилев В.Ф., Крылов O.B. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков // М., Наука, стр.23 (1978)

53. D.-J.Liu, D.Kandel, J.D.Weeks Current-induced bending instability on vicinal surfaces //Phys.Rev.Lett, v.81, pp.2743 (1998)

54. Пчеляков О.П., Болховитянов Ю.Б., Двурученский A.B., Соколов Л.В., Никифоров А.И., Якимов А.И., Фойхтлендер Б. Кремний-германиевые наноструктуры с квантовыми точками: механизмы образования и электрические свойства// ФТП, т.34, №11, стр.1281 (2000)

55. Xie, Q., A.Madhukar, P.Chen, N.Kobayashi Vertically self-organized InAs quantum box islands on GaAs(100) // Phys.Rev.Lett, v.75, pp.2542 (1995)

56. Закурдаев И.В., Байзер M.B., Садофьев С.Ю, Рзаев М.М. Исследование процесса распада упругонапряженной пленки германия на поверхности кремния // ФТП, т.34, №5, стр.67 (2000)

57. Ledentsov N.N., V.A.Shchukin, M.Grundmann and others Direct formation of vertically coupled quantum dots in Stranski-Krastanow growth // Phys.Rev.B, v.54, pp.8743 (1996)

58. Востоков H.B., Долгов И.В., Гусев C.A. и другие Упругие напряжения и состав самоорганизующихся островков GeSi на Si(001) // ФТП, т.34, №1, стр.8 (2000)

59. Вавилова JI.C, Капитонов В.А., Мурашова А.В., Тарасов И.С. Особенности эпитаксиального осаждения твердых растворов InGaAsP в области неустойчивости // ФТП, т.34, №11, стр.1307 (2000)

60. Maradudin А.А., R.F.Wallis // Surf.Sci, v.91, pp.423 (1980)

61. Guyer J.E., P.VW.Voorhees Morphological stability of alloy thin films // Phys.Rev.Lett, v.74, pp.4031 (1995)

62. J.D.Rittner, S.M.Foiles, D.N.Seidman Simulation of surface segregation free energies // Phys.Rev.B, v.50, pp.12004 (1994)

63. G.S.Bales, A.Zangwill Microscopic model for columnar growth of amorphous films by sputter deposition // J.Vac.Sci.Technol. A, v.9(l), pp.145 (1991)

64. A.-L.Barabasi Surfactant-mediated growth of nonequilibrium interfaces // Phys.Rev.Lett, v.70, pp.4102 (1993)

65. M.V.Ramana Murty Morphological stability of nanostructures // Phys.Rev.B, v.62, pp.17004 (2000)

66. Zhang Z., Detch J., Metiu H. Surface roughness in thin-film growth: The effect of mass transport between layers // Phys.Rev.B, v.48, pp.4972 (1993)

67. Pal.S., Landau D.P. Monte Karlo simulation and dinamic scaling of surfaces in MBE growth // Phys.Rev.B, v.49, pp.10597 (1994)

68. Marmorkos I.K., Das Sarma S. Atomistic numerical study of molecular-beam epitaxial growth kinetics // Phys.Rev.B, v.45, pp.11262 (1992)

69. Barkema G., Newman M., Breeman M. Model for the shapes of island and pits on (111) surfaces of fee metals // Phys.Rev.B, v.50, pp.7946 (1994)

70. McCoy J., LaFemina J. Monte Carlo simulation of growth of Sb atoms on the GaAs(l 10) surface // Phys.Rev.B, v.50, pp.17127 (1994)

71. Leroyer Y., Pommiers E., Monte Carlo analysis of percolation of line segments on square lattice // Phys.Rev.B, v.50, pp.2795 (1994)

72. Tamborenea P.I., Lai Z.-W., Das Sarma S. Molecular beam epitaxial growth: simulation and continuum theory // Sur.Sci, v.267, pp.1 (1992)

73. Kimoto Т., Matsunami H. Surface kinetics of adatoms in vapour phase epitaxial growth of SiC on 6H-SiC{0001} vicinal surfaces // Appl.Phys., v.75, pp.850 (1994)

74. Бартон, Кабрера, Франк Элементарные процессы роста кристаллов.//М.: Наука, стр.11 (1959)

75. R.L.Schwoebel Step motion on crystal surface// J.Appl.Phys., v.40, pp.614 (1969).

76. Марченко В.И., Паршин А.Я. Об упругих свойствах поверхности кристаллов.//ЖЭТФ, т.79, вып.1, с.257-260 (1980).

77. X.-S. Wang, J.L.Doldberg, N.C.Bartelt,T.L.Einstein, E.D.Williams Terrace-width distributions on vicinal Si (111) // Phys.Rev.Lett, v.65 pp.2430 (1990)

78. Гайдуков Г.Н., Жаринова H.H., Шубин M.A. Исследование поведения ступенчатой структуры вицинальной поверхности // МИЭТ, Материалы Второй Всероссийской научно-технической конференции "Электроника и информатика 97", стр.78 (1997)

79. Гайдуков Г.Н.Б Жаринова Н.Н., Кожевников Е.А. Компьютерный анализ эпитаксиального роста ступенчатых поверхностей // М., Электроника вузов №5, (2001)

80. P.Gambardella, M.Blanc, H.Brune, K.Kuhnke, K.Kem One-dimensional metal chains on Pt vicinal surfaces // Phys.Rev.B, v61, pp.2254 (2000)

81. F. Picaud, C.Ramseyer, C.Cirardet, P.Jensen Confinement effects on the growth of adsorbates: Interpretation of the formation of monoatomic Ag wires on Pt(997) // Phys.Rev.B, v61, pp.16154 (2000)

82. R.Tung, F. Schrey Topography of the Si (111) surface during silicon molecular-beam epitaxy//Phys.Rev.Lett. v.63 pp.1277 (1989)

83. G.Bales, A.Zangwill Morphological instability of a terrace edge during step-flow growth // Phys.Rev.B v.41 pp.5500 (1990)

84. J.Frohn, M.Poensgen, J.F.Wolf, H.Ibach Attractive interaction between steps //Phys.Rev.Lett. v.67 pp.3543 (1991)

85. S.van Dijken, H.J.W.Zandvliet, B.Poelsema Anomalous strong repulsive stepstep interaction on slightly misoriented Si(l 13) // Phys.Rev.B v.55 pp.7864 (1997)

86. S.P.Ahrenkiel, S.H.Xin, P.M.Reimer, J.J.Berry, H.Luo, S.Short, M.Bode, M.Al-Jassim, J.R.Buschert, J.K.Furduna Self-organized formation of compositionally modulated ZnSei.xTex superlattices // Phys.Rev.Lett v.75, pp.1586 (1995)

87. J.Tersoff, C.Teichert, M.G.Lagally Self-organization in growth of Quantum dot superlattices // Phys.Rev.Lett v.76, pp.1675 (1996)

88. R.J.Phaneuf , D. Williams Surface phase separation of vicinal Si(lll) // Phys.Rev.Lett v.58, pp.2563 (1987)

89. J.-K.Zuo, J.M.Carpinelli, D.M.Zehner, J.F.Wendelken Scanning-tunneling-microscopy study of faceting on high-step-density TaC surfaces // Phys.Rev.B v.53, pp.16013 (1996)

90. J.-K.Zuo, D.M.Zehner Terrace-width and step-height enlargement: reconstruction of the TaC (310) surface // Phys.Rev.B v.46, pp.16122 (1992)

91. J.-K.Zuo, RJ.Warmack, D.M.Zehner, J.F.Wendelken Periodic faceting on TaC (110): observations using high-resolution low-energy electron diffraction and scanning tunneling microscopy // Phys.Rev.B v.47, pp.10743 (1993)

92. K.Sudoh,T.Yoshinobu, H.Iwasaki,E.D.Williams Step fluctuations on vicinal Si (113) // Phys. Rev.Lett v.80, pp.5152 (1998)

93. J.-K.Zuo, T.Zhang, J.F.Wendelken, D.M.Zehner Step bunching jn TaC(910) due to attractive step-step interactions //Phys.Rev.B v.63, pp.033404 (2001)

94. A.C.Redfield, A.Zangwill Attractive interractions between steps // Phys. Rev. В v.46, pp.4289 (1992)

95. J.Tersoff, Y.H.Phang, Z.Zhang, M.G.Lagally Step-bunching instability of vicinal surfaces under stress // Phys. Rev. Lett v.75, pp.2730 (1995)

96. Марченко В.И., Паршин А .Я. Об упругих свойствах поверхности кристаллов // ЖЭТФ, т.79, вып.1, стр.257 (1980)

97. Андреев А.Ф., Косевич Ю.А. Каппилярные явления в теории упругости //ЖЭТФ, т.81, вып.4, стр.1435 (1981)

98. S.M.Bhattacharjee Theory of tricriticality for miscut surfaces // Phys. Rev.Lett v.76, pp.4568 (1998)

99. Y.H. Phang, C.Teichert, M.G.Lagally L.G.Peticolas, J.C.Bean, E.Kasper Correlated-interfacial roughness anisotropy in SiixGex/Si superlattices // Phys.Rev.B v.50, pp.14435 (1994)

100. J.Tersoff, Y.H. Phang, Z.Zhang, M.G.Lagally Step- bunching instability of vicinal surfaces under stress // Phys.Rev.Lett v.75, pp.2730 (1995)

101. D.Kandel, J.D.Weeks Step-bunching as a chaotic pattern formation process // Phys.Rev.Lett v.69, pp.3758 (1992)

102. D.Kandel, J.D.Weeks Step motion patterns and kinetic instabilities in crystal surfaces // Phys.Rev.Lett. v.72, pp.1678 (1994)

103. D.Kandel, J.D.Weeks Theory of impurity-induced step bunching // Phys.Rev.B v.49, pp.5554 (1994)

104. D.Kandel, J.D.Weeks Simultaneous bunching and debunching of surface steps: Theory and relation to experiments // Phys.Rev.Lett. v.74, pp.3632 (1995)

105. M.Sato, M.Uwaha Morphological instability caused by asymmetry in step kinetics //Phys.Rev.B v.51, pp.11172 (1995)

106. O.L.Alerhand, D.Vanderbilt, R.D.Meade, J.D.Joannopoulos Spontaneous formation on stress domains on crystal surfaces // Phys.Rev.Lett v.61, pp.1973 (1988)

107. Галицин Ю.Г., Мансуров В.Г., Мощенко С.П, Торопов А.И. Термодинамические и кинетические аспекты реконструкционных переходов на поверхности (001) GaAs // ФТП т.34, №8, стр.978 (2000)

108. F.Liu, J.Tersoff, M.G.Lagally Self-organization of steps in growth of strained films on vicinal substrates // Phys.Rev.Lett v.80, pp.1268 (1998)

109. C.Ratsch, M.D.Nelson, A.Zangwill Theory of strained-layer epitaxial growth near step flow // Phis.Rev.B v.50 pp.14489 (1994)

110. Notzel R., Ledentsov N.N., Daveritz L., Nohenstein M., Ploog K. //Phys. Rev. Lett, v.67, pp.3812 (1991).

111. Moison J.M., Houzay F., Barthe F., Leprince L., Andre E., Vatel O. Self organized growth of regular nanometer-scale InAs dots on GaAs //Appl. Phys. Lett v.64(2), pp.196-198 (1994).

112. Cirlin G.E., Guryanov G.M., Golubok A.O., Tipissev S.Ya., Ledentsov N.N., Kop'ev P.S., Grundman M., Bimberg D. Ordering phenomena in InAs strained layer morphological transformation on GaAs(100) surface //Appl. Phys. Lett v.67(l), pp.97-99 (1995).

113. Гайдуков Г.Н., Кожевников E.A., Копаев Ю.В. Исследование газа взаимодействующих частиц на поверхности твердого тела термодинамическим методом и методом компьютерного моделирования // М.: Препринт ФИРАН №58 (1996)101

114. Shchukin V.A., Borovkov A.I., Ledentsov N.N., Bimberg D. Tuning and breakdown of faceting under externally applied stress //Phys. Rev. В v.51(15), pp.10104-10118 (1995).

115. Г.Н.Гайдуков, Н.Н.Жаринова, Е.А.Кожевников Компьютерный анализ эпитаксиального роста наноразмерных структур // М.: Электроника, №, с.15 (1999)

116. Jensen P., Barabasi A.-L., Havlin S., Stanley H.H. Deposition, diffusion and aggregation of atoms on surfaces: A model for nanostructure growth //Phys. Rev. В v.50(20), pp.15316 (1994).