Кинетика ударной ионизации мелких примесных центров и экситонов в германии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение

Глава. I" Ударная ионизация мелких примесных центров и экситонов в полупроводниках (обзор литературы)

§ I.I Мелкие водородоподобные образования в полупроводниках

§ 1.2. Ударная ионизация мелких примесных центров в германии . . </

§1.3. Ударная ионизация экситонов в полупроводниках . 23>

§ 1.4. Кинетические коэффициенты . 2Z

§ 1.5 Оптоэлектронные приборы, работающие на основе примесного пробоя

Глава I Методика эксперимента.4О

§ "2.1 Технология изготовления образцов.ЧО

§ 2.2 Обоснование экспериментальной методики . L

§ 2.3 Экспериментальная установка

Глава 3 Кинетика ударной ионизации мелких примесных центров в германии

§ 3.1 Метод исследования кинетики примесного пробоя фотовозбуждениого германия.

§ 3.2 Коэффициент ударной ионизации мелких цри-месных центров . 5Z

§ 3.3 Коэффициент захвата, носителей заряда на примесные центры.

§ 3.4 Малосигнальный метод изучения кинетики примесного пробоя

Глава 4 Кинетика ударной ионизации экситонов в германии . "72,

§ 4.1 Решение уравнений кинетики

§ 4.2 Методика определения концентрации экси-тонов . "73"

§ 4.3 Коэффициент ударной ионизации экситонов . Я2,

§ 4.4 Коэффициент связывания электронов и дырок в экситон. ^

§ 4.5 Ударная ионизация экситонов в магнитном поле . GO

Глава 5 Кинетический режим усиления фототока при примесном пробое в полупроводниках

§ 5.1 Зависимость кинетики развития примесного пробоя от уровня фотовозбуждения.

§ 5.2 Коэффициент усиления фототока в кинетическом режиме при примесном пробое.

§ 5.3 Экспериментальная реализация кинетического режима усиления фототока.

Интенсивное развитие оптоэлектроники, происходящее в настоящее время, требует более полного понимания свойств носителей заряда в полупроводниках в условиях, когда их температура выше температуры кристаллической решетки. Особенности поведения электронов и дырок, разогреваемых электрическим полем, в значительной степени определяют характеристики целого ряда полу-цроводниковых приборов. Среди них: низкотемпературные фотосопротивления, работающие как в линейном, так и в нелинейном режиме, обусловленном лавинным фотоумножением носителей в условиях, например, примесного пробоя; полупроводниковые счетчики ядерного излучения; лавинные фотодиоды и др. Учет разогрева неравновесных носителей заряда и экситонов, который возникает при интенсивном возбуждении полупроводников светом с энергией кванта, большей ширины запрещенной зоны, важен при анализе свойств устройств, работа которых основана на явлении оптической бистабильности полупроводниковых кристаллов.

Н числу наиболее важных характеристик, определяющих поведение горячих носителей заряда, относятся кинетические коэффициенты связывания (или захвата) и ударной ионизации. Первый из них характеризует темп захвата носителей в непроводящее состояние - на примесный центр в легированном полупроводнике или в эк-ситон в оптически возбужденном кристалле. Второй определяет скорость генерации свободных носителей в греющем электрическом поле за счет ударной ионизации связанных состояний. Хотя рекомбина-ционно-генерационные процессы в электрическом поле в легированных полупроводниках интенсивно изучаются уже на протяжении тридцати лет, в последние годы сильно возрос интерес к экспериментальному определению величин кинетических коэффициентов и их температурной и полевой зависимостей.

Эти исследования стимулируются более глубоким пониманием процессов захвата носителей на кулоновский притягивающий центр и их ионизации, достигнутом в результате нового развития микроскопической теории этих процессов как для случая мелких при

Гт pi месных центров, так и экситонов1- ' J . Последние представляют собой тем более интересный объект для исследования кинетических коэффициентов, что до сих пор отсутствовали какие-либо экспериментальные данные об их поведении в электрическим поле.

Одним из наиболее эффективных методов изучения генераци-онно-рекомбинационных процессов в греющем электрическом поле является исследование кинетики ударной ионизации мелких примесных центров или экситонов. В то время как для экситонной системы такие измерения вообще не производились, анализ первых же результатов исследований такого рода; выполненных для случая примесного пробоя, показал, что временные характеристики тока пробоя могут сильно отличаться от кинетики изменения концентрации носителей заряда из-за существенного вклада переходных явлений на контактах полупроводника.^ . В результате этот метод фактически не использовался в течение всей истории изучения ударной ионизации примесных центров в полупроводника^' Количественные данные о кинетических коэффициентах обычно получались косвенным образом из анализа стационарных характеристик примесного пробоя.

В диссертации разработаны методы изучения кинетики примесного пробоя, позволяющие исключить влияние переходных контактных явлений на кинетику тока, ударной ионизации. Эти методы основаны на. том, что кинетика, тока, пробоя изучается в уеловиях слабого фотовозбуждения кристалла, или стационарного режима пробоя при малой модуляции электрического поля. Суть обоих методов состоит в создании достаточно высокой начальной проводимости кристаллов, при которой характерные времена, переходных процессов на. контактах становятся много меньше времени развития примесного пробоя в образцах.

На основе разработанных методов в настоящей работе проведены детальные исследования кинетики тока, примесного и экси-тонного пробоя с целью экспериментального определения коэффициентов ударной ионизации и связывания носителей тока, и их зависимостей от электрического поля и температуры кристалла., a. также от магнитного поля. Показано также, что особенности поведения кинетики примесного пробоя могут быть использованы для реализации кинетического режима усиления фототока с величиной г* коэффициента усиления до <-10 .

Все исследования проведены на одном материале - германии.

Выбор этого полупроводника, связан с совершенной технологией его производства, позволяющей получать как сверхчистые крис

10 Я таллы с концентрацией остаточных примесных центров «10 см , так и легко управлять типом и величиной концентрации легирующей примеси. Кроме того, германий является "непрямым" полупроводником, что приводит к малой вероятности излучательной рекомбинации неравновесных электронно-дырочных пар и экситонов и, следовательно, к их большому времени жизни, которое достигает —5 величины <^10 с в чистых кристаллах. Это позволяет легко создавать значительные концентрации этих частиц с помощью относительно слабых источников оптического возбуждения. Наконец, все основные характеристики германия хорошо известны, что открывает широкие возможности количественного сравнения теории с экспериментальными данными.

Ь re тп!

Результаты исследований автора опубликованы^работах J

Материал диссертации изложен в пяти главах.

В первой главе дан подробный обзор работ, посвященных изучению ударной ионизации мелких примесных центров и экситонов в полупроводниках и применению этого явления для создания оп-тоэлектронных приборов.

Вторая глава, посвящена, обоснованию методики измерения кинетики примесного пробоя. Показано, что избежать искажающего влияния переходных характеристик контактов на кинетику тока примесного пробоя можно при увеличении проводимости кристалла, до такой величины, когда время диэлектрической релаксации станет много меньше пролетного времени носителей заряда в образце и характерного времени развития пробоя. Предложено использовать с этой целью слабое фотовозбуждение кристалла, или измерять кинетику ударной ионизации в условиях создания в образце стационарного режима, пробоя и приложения малых импульсов напряжения, модулирующих стационарное поле (малосигнальный метод).

В этой главе описана также технология изготовления контактов, их электрические свойства, и экспериментальная установка.

В третьей главе представлены результаты изучения кинетики тока ударной ионизации в п-типа. 6е(2Ь) с и р-типа. с ^«Ю13см"3, как при фотовозбуждении образцов, так и в малосигнальном режиме.

Показано, что начальный наклон кинетики нарастания тока, пробоя позволяет непосредственным образом получить величину коэффициента, ударной ионизации. Измерена, зависимость коэффициента ударной ионизации от электрического поля для доноров и акцепторов и найдено, что она хорошо описывается теоретической зависимостью, построенной в предположении, что распределение горячих носителей заряда по энергии может быть описана, функцией Стреттона. Показано, также, что большая величина коэффициента ■ ударной ионизации для акцепторов, чем для доноров связана с особенностями вида волновой функции дырки на акцепторе. Измерена зависимость коэффициента захвата электронов на. дон; ры от электрического поля и показано, что она хорошо описывается теорией [12].

В четвертой главе представлены результаты изучения кинетики ударной ионизации экситонов в германии. Подробно изложена, методика измерения концентрации экситонов, создаваемых оптическим возбуждением. Она основана на использовании известных данных о положении газовой границы фазового перехода экситонный газ-электронно-дырочная жидкость и изучения пробоя в системе экситонов, находящейся вблизи фазовой границы. Анализ кинетических уравнений для экситонов и свободных носителей заряда показал, что для нахождения коэффициента, ударной ионизации может быть использован тот же способ анализа, кинетики нарастания тока ударной ионизации экситонов, как и в случае примесного пробоя. Получены экспериментальные зависимости коэффициентов ударной ионизации и связывания экситонов от электрического поля при разных температурах и цроведено их сравнение с теоретическими зависимостями.

С помощью найденных кинетических коэффициентов рассчитаны вольт-амперныё характеристики (ВАХ) экситонного пробоя, хорошо описывающие экспериментальные ВАХ.

Измерено влияние поперечного магнитного поля на величину критического поля пробоя и на коэффициент ударной ионизации экситонов. Показано, что в результате падения подвижности носителей тока коэффициент ударной ионизации уменьшается почти на два. р порядка величины уже в магнитном поле«10 Т.

Проведен расчет коэффициента ударной ионизации в магнитном поле.

В пятой главе рассмотрен новый способ усиления фототока в кинетическом режиме, основанный на сильной зависимости задержки примесного пробоя от фотовозбуждения полупроводника.Рассчитано , что максимальный коэффициент усиления фотагока при этом с может достигать величины ~ 10 . Рассмотрены различные режимы работ такого фотосопротивления. Экспериментально реализованный тл л <5 коэффициент усиления в & с /(£ =3*10см составлял величину-10 . Показано, что разработанный способ усиления фототока может быть использован для повышения чувствительности низкотемпературных фотодетекторов.

В заключение сформулируем положения, которые выносятся на защиту.

1. Метод изучения кинетики примесного пробоя в полупроводниках, позволяющий избежать искажений кинетики тока цробоя, обусловленных переходными явлениями на контактах, состоит в повышении начальной проводимости кристалла с помощью фотовозбуждения или стационарного режима пробоя примесных центров до такой величины, чообы время диэлектрической релаксации в образце было меньше как характерного времени развития пробоя, так и пролетного времени.

2. С помощью этой методики впервые проведены прямые измерения коэффициента ударной ионизации доноров и акцепторов в широком диапазоне изменения электрического поля.

3. Измерена зависимость коэффициента захвата электронов на. донорные центры в & от электрического поля. Экспериментальные данные хорошо описываются усовершенствованной теорией каскадного захвата [12].

4. Впервые экспериментально определен коэффициент ударной ионизации экситонов в широком диапазоне изменения электрического поля и температуры. Полученные данные хорошо согласуются с результатами расчетов.

5. Определенная из анализа. BfiX экситонного пробоя температурная зависимость коэффициента связывания электронно-дьтрочных пар в экситон в германии согласуется с предсказанной теоретически в работе [2].

6. Из анализа кинетики экситонного пробоя обнаружено, что коэффициент связывания электронов и дырок в экситон обратно пропорционален величине электрического поля.

7. Критическое поле пробоя экситонов сильно возрастает, a. коэффициент ударной ионизации резко падает в слабом поперечном р магнитном поле < 10 Т. Экспериментально найденный коэффициент ударной ионизации в магнитном поле хорошо описывается сделанным расчетом.

8. Новый режим кинетического усиления фототока, может быть реализован на основе использования особенностей кинетики примесного пробоя фотовозбужденного полупроводника. Величина коэфс. фициента. усиления достигает величины ~ 10 .

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Сформулируем кратко основные результаты работы.

1. Разработана методика изучения кинетики цримееного цробоя в полупроводниках, позволяющая избежать влияния переходных процессов на контактах на кинетику развития тока пробоя.

2. С помощью этой методики впервые цроведены прямые абсолютные измерения коэффициента ударной ионизации мелких доноров и акцепторов в в широком диапазоне изменения электрического поля.

3. Измерена зависимость коэффициента захвата электронов на доноры в бе от электрического поля и показано, что она согласуется с усовершенствованной теорией каскадного захвата [12] .

4. Впервые экспериментально оцределен коэффициент ударной ионизации экситонов в широком диапазоне изменения электрического поля и температуры. Полученные данные согласуются с результатами расчетов.

5. Определена температурная зависимость коэффициента связывания электронно-дырочных пар в экситоны в германии и показано, что она описывается теоретической зависимостью, выведенной в работе [2] .

6. Экспериментально обнаружено, что коэффициент связывания электронов и дырок в экситон уменьшается обратно пропорционально величине электрического поля.

7. Обнаружено сильное возрастание критического поля цробоя и резкое падение коэффициента ударной ионизации экситонов в германии в слабом поперечном магнитном поле И ^ Проведен расчет коэффициента ударнойюнизации в магнитном поле, который хорошо описывает результаты измерений.

8. Предложен новый кинетический режим усиления фототока, основанный на сильной зависимости задержки ударной ионизации примесных центров от интенсивности фотовозбуждения полупроводника. Показано, что коэффициент усиления может достигать величины - Ю6.

В заключение автор приносит свою глубокую благодарность Парицкому Льву Григорьевичу, под руководством которого была выполнена эта работа.

Автор благодарит также своего соавтора Межебовского Б.Е. за помощь в работе.

1. Абакумов В.Н., Перель В.й., Яссиевич И.Н. Захват носителей заряда на притягивающие центры в полупроводниках. /Обзор/ ФТП, 1978, т.12, в.1, с.3-32.

2. Абакумов В.Н., Перель В.И., Яссиевич И.Н. Связывание электронов и дырок в экситоны. ЖЭГФ, 1980, т.78, в.З, с.1240-1252.

3. Koenig S.H. On the nature of electrical condition in Ge at low temperature, non-equilibrium bulk and constant phenomena. Int. Conf. on Solid-State Physics in Electronics and

4. Telecommunications, Brussel, 1958, p.422-431.

5. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках.1. Мир". М., 1977, 562 с.

6. Аснина Ж.С., Парицкий Л.Г. 0 зависимости кинетики электрического пробоя от концентрации электронов в газоразрядном промежутке. Деп. "Электроника" Ц57399/81.

7. Аснина Ж.С., Межебовский Б.Е., Парицкий Л.Г. Кинетика примесного пробоя фотовозбужденного германия. Письма в ЖТФ, 1983, т.9, в.15, с.906-909.

8. Аснина Ж.С., Межебовский Б.Е., Парицкий Л.Г. Малосигнальныйметод изучения кинетики примесного пробоя в германии. Письма в Ш, 1983, т.9, в. 19, с.1208-1212.

9. Аснина Ж.С., Межебовский Б.Е., Парицкий Л.Г. Кинетика экситонного пробоя в германии. Письма в ЖТФ, 1984, т.10, в.2, с.72-76.

10. Asnina J.S., Paritsky L.G. Exciton impact ionization kinetic, in germanium. Proc. Intern. Conf. "Exciton 84", DDR, Gustrow, 1984.

11. Абакумов В.Н., Крещук Л.Н., Яссиевич Й.Н. Захват носителей на притягивающие центры в сильных электрических полях.ШТП, 1978, т.12, в.2, с.264-272.

12. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. "Наука",М.: 1978, 418 с.

13. Ландау Л.Д., Лившиц И.М. Квантовая механика. Физматгиз. М., 1963, 702 с.

14. Kohn W. Shallow impurity states in Si and. Ge. Sol. St.

15. Phys., Academic Press Inc., H.Y., 1957, v.5, p.258-321.

16. Kohn W., Luttinger J.M, Theory of donor states in silicon.

17. Phys, Rev., 1955, v.98, No.4, p.915-972.

18. Luttinger J.M., Kohn W. Motion of electrons and holes in purturb periodic fields. Phys. Rev., 1955, v .97, No.4, p.869-883.

19. Bassani P., Iadonisi G., Preziosi B, Electronic ijnpurity levels in semiconductors. Reports on Prog. Phys., 1974,v.37, No.9, p.1099-1121.

20. Гельмонт Б.Л., Дьяконов М.И. Акцепторные уровни в полупроводниках со структурой алмаза. ФТП, 1971, т.5, в.10, с.2191-2200.

21. Шкловский Б.И., офрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. "Наука", М.: 1979, 416с.

22. McLean Т.Р., London R., Exciton energy levels in Ge and Si. J. Phys.Chem. Sol., 1960, v.13, No.1, p.1-9.

23. Altarelli M., Lipari 1T.O. Indirect Exciton Dispersionand Line Shape in Ge. Phys. Rev. Lett, 1976, v.36,No.11, » p.619-622.

24. Frova A., Thomas G.A., Miller R.E., Kane E.O. Mass Reversal Effect in the Split Indirect Exciton in Ge. Phys. Rev. Lett. 1975, 34, No.25, p.1572-1575.

25. Рыбкин C.M. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.Физ-матгиз М., 1963, 494 с.

26. Frehlich Ы. Theory of electrical breakdown in ionic crystals. Proc. Roy Soc. A, 1937, v.160, p.230-241.

27. Sclar II. , Burstein E. Impact ionization of impurities in germanium. J. Phys. Chem. Solids, 1957, v.2, Mfo.1, p. 1-23.

28. Solar Iff. , Burstein E. , Turner W.J. , Davisson J.\7. Low- temperature breakdown effect in germanium. Phys. Rev., 1953, v.91, No.1, p.215; Theory of low-temperature breakdown effect in germanium. Phys. Rev., 1953, v;92, No.3, p.858.

29. Koenig S.H. Rate Processes and low-temperature electrical condition in n-type Ge. Phys. Rev., 1958, v.110, lffo.4,p.986-988.

30. Заварицкая Э.И. Ударная ионизация примесей в германии. Труды ШАН, 1966, т.37, с.41-101.

31. Чуенков В.А. Электропроводимость валентных полупроводников при низких температурах в сильных электрических полях. ФТТ, I960, т.2, в.5, с.799-809.

32. Zilberstein A. Theory of low-temperature impact ionization in high-purity germanium. Phys. Rev.-, 1962, v. 127, Ио.З» p.744-749.

33. Koenig S.H., Brown R.P. , Shillinger W. Electrical conduction in n-Ge at low-temperature. Phys. Rev., 1962, v.128, No.4, p.1668-1696.

34. Yamashita J. Low temperature electrical breakdown in Ge. J. Phys. Soc. Jap., 1961, v.16, Wo.4,.p.720-732.г

35. Ю. Crandall R.S. Current controlled negative resistance in semiconductors. J. Phys. Chem. Sol., 1970, v.31, No. 10, p.2069-2077.

36. Gurnee M.W., Glicksman M., Yu P.W. Dependence on plasms, density of tiie conductivity of an electron-hole plasma in Geat 2 K. Sol. St. Comm., 1972, v.11, No.1, p.11-14.

37. Yao Т., Inagaki K., Mackawa S., Impact ionization of exci-tons in Ge. Sol. St. Comm., 1973, v;13, No.5, p.533-536.

38. Harada Т., Ivlorigaki K. Concentration of free carriers via exciton-donor interaction and impact ionization of excitons in Cd (S, Se) crystals. J. Phys. Soc. Jap., 1972, v.32, Wo.1, p. 172-191.

39. Smith D.L., Pan D.S., McGill T.C. Impact ionization of excitons in Ge and Si. Phys. Rev. B, 1975, v.12, Wo.10, p.4360-4366.

40. Bluden W., Wagner E. Impact ionization of excitons in GaAs. Phys. Rev., B, 1976, v.13, Wo.12, p.5410-5414.

41. Skromme B.J., Stillman G.E. Impact ionization of excitons and shallow donors in InP. Phys. Rev. B, 19S3, v.28,Wo.8, p.4602-4607.

42. Алтухов П.Д., Ашкинадзе Б.М. Ударная ионизация экситонов в Эе в СВЧ поле. ФТТ, 1975, т.17, в.6, с.1572-1576.

43. Конуэлл Э. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях. Мир, М., 1970, 384 с.

44. Давыдов Б.И. 0 теории движения электронов в газах и полупроводниках. ЖШ, 1937, т.7, в.9-10, с.1069-1089.

45. Stratton R. The influence of interelectronic collisions on conduction and breakdown in covalent semiconductors. Proc.

46. Roy. Soc., 1957, v.242, Wo.1230, p.355-373.

47. Мотт H., Месси Т. Теория атомных столкновений. Мир, М.,1969,756 с.

48. Percival I.e. Cross section for collisions of electrons with hydrogen atoms and hydrogen-like ions. Nucl. Fusion, 1966, v.6, No.3, p.182-187.

49. Lax M. Cascade capture of electrons in solids. Phys. Rev., 1960, v. 119, No.5, p.1502-1523.

50. Абакумов B.H., Яссиевич И.Н. Сечение рекомбинации электрона на положительно заряженном центре в полупроводниках. ЖоШ>, 1976, т.71, в.2, с.657-664.

51. Абакумов В.Н., Перель В.й., Яссиевич И.Н. Теория захвата электрона на притягивающие центры в полупроводниках при фото-возбувдении. ЖШ, 1977, т.72, в.2, с.674-686.

52. Абакумов В.Н., Крещук Л.Н., Яссиевич И.Н. Захват носителей на притягивающие центры в сильных электрических полях. ФТП,1978, т.12, в.2, с.264-272.

53. Гершензон Е.М., Гольцман Г.Н., Мультановскмй В.В., Птицина Н.Г. Захват фотовозбужденных носителей заряда на мелкие примесные центры в германии. IШ, 1979, т.77, в.4, с.1450-1462.

54. Абакумов В.Н. Докторская диссертация. Ленинград. 1980.

55. Липник А.А. Связывание и распад экситона Мотта с учетом точечных кулоновских функций. ФТТ, I960, т.2, в.10, с.2044-2047.

56. Barrau J., Heckmann М., Collet J., Brousseau M. Binding probability of free electrons and free holes into Wannier-Mott exciton in non-polar semiconductors. J. Phys. Chem. Sol., 1973, v.34, No.9, p.1567-1577.

57. Barrau J., Heckman M. and Brousseau M. Determination experimental du coefficient de formation d'excitons dans le sili-cium. J. Phys. Chem. Sol., 1973, v.34, No.3, p.381-385.-<L25

58. Гершензон E.M., Гольцман Г.Н., Мультановский В.В. Птицина Н.Г. Кинетика связывания электронов и дырок в экситоны в германии. ЖЗТФ, 1983, т.84, в.2, с.640-651.

59. Ашкинадзе Б.М., Теве Н.Р. Связывание в экситоны и времена жизни свободных носителей и экситонов в германии. ФТТ, 1984, т.26, в.9, с.2695-2701.

60. Melngailis J., Milnes A.G. Far infrared and submillimeter impact ionization modulator. Proc. IEEE, 1969, v.57, p.806.

61. Wigmore J.R. Bolometor for detecting heat pulses in a magnetic field. J. Appl. Phys., 1970, v.41, No.5, p.1996-2000.

62. Crandall R.S. Photocarrier multiplication due to impact ionization in GaAs. Phys. Letters, 1970, v.32 A, No.7, p.479-480.

63. Crandall R.S. Current controlled negative resistance in semiconductors. J. Phys. Chem. Sol., 1970, v.31, N0.9, p.2069-2077.

64. Crandall R.S. Impurity photoconductivity and impact ionization of shallow states in semiconductors. J. Appl. Phys., 1971, v.42, No.10, p.3933-3938.

65. Khosla R.P., Fisher J.R. Current-controlled negative resistance in CdSe. J. Appl. Phys., 1971, v.42, N0.6, p.2156-2158.

66. Рогачев А.А., Саблина H.A. Рекомбинационное излучение сильно легированного германия. ФГТ, 1966, т.8, в.З, с.866-871.

67. Роуз А. Основы теории фотопроводимости. Мир, М., 1966, 192 с.

68. Lampert М.А., Rose A. Transient behavior of the omic contact. Phys. Rev., 1959, v.113, No.5, p.1236-1239.

69. Пустовойт А.К. Отрицательное сопротивление при низкотемпературном пробое компенсированного п-Qe. ФТП, т.5, в.9, 1971, с.1960-1966.

70. Hansel J.C., Suruki К. Quantum resonance in the valence bands of germanium II. Cyclotron resonance in uniaxially stressed crystals. Phys. Rev B, 1974, v.9, Wo.20, p.4219-4257.

71. Келдыш Л.В., Маненков А.А., Миляев A.B., Михайлова Т.Н. СВЧ пробой и конденсация экситонов в Се. ЖсГФ, 1974, т.бб, №6, с.2178-2190.

72. Маненков А.А., Миляев А.В., Михайлова Т.Н., Мурзина Т.М., Сафаров А.С. Высокочастотный пробой экситонов и кинетика свободных носителей и экситонов в германии в присутствии электронно-дырочных капель. ЖЗТФ, 1976, т.70, №2, с. 695701.

73. Райе Т., Хенсел Дж., Филлипс Т., Томас Т. Злектронно-дыроч-ная жидкость в полупроводниках. Мир, М., 1980, 349 с.

74. Westerwelt R.M. Wucleation phenomena in electron-hole drop formatipn in Ge and Si. I Wucleation rates Phys. Stat.

75. Sol .(b), 1976, v.74, No.2, p.727-739. .

76. Westerwelt R.M. Wucleation Phenomena in electron-hole drop formation in Ge and Si. II. Application to observable phenomena. Phys. Stat. Sol. (b), 1976, v.76, Wo.1, p.31-43.