Кристаллизация многокомпонентных полупроводников в градиентном температурном поле и их свойства тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Введение .!.

Глава 1. Закономерности процессов градиентной жидкофазной кристаллизация твердых растворов.

1.1. Терминология, классификация и основные представления методов кристаллизации полупроводников в градиентном силовом поле.

1.2. Ki шел пса градиентной кристаллизации.

1.3. Стабильность эпитакспального процесса и распределение компонентов в пере-крнста.\лизовапиых слоях.

1.4. Закономерности спонтанного формирования суСсгрухтурьг эпнтаксиальных слоев

1.5. Основные направления исследований.

Выводы.

Глава 2. Техника градиентной кристаллизации многокомпонентных гетеро-структур.

2.1. Технологическая оснастка процессов выращивания гетероструктур в поле температурного градиента.

2.2. Конструкции нагревательных устройств и технологических кассет для получения многокомпонентных структур

2.3. Формирование жидких зон, подготовка исходных материалов и проведение процесса перекристаллизации в поле температурного градиента

2.4. Управление температурным полем. Вопросы автоматизации управления температурно-временным режимом.

2.5. Формирование заданных концентрационных профилей гетероструктур путем возвратно-поступательного движения жидких зон.

Выводы.

Глава 3. Кристаллизация многокомпонентных твердых растворов А3В5 и низкоразмерных гетероструктур.

3.1. Соединения А3В5 и трехкомпонентные гетероструктуры на их основе.

3.2. Четырех- и пятикомионентные твердые растворы полупроводниковых соединений Л3В5.

3.3. Термодинамическая устойчивость многокомпонентных твердых растворов

3.4. Квантоворазмерные полупроводниковые гетероструктуры.

3.5. Краткая характеристика известных методов получения иизкоразмерных структур

3.6. Синтез низкоразмерных структур методом ГЖК.

Выводы.

Глава 4. Интерфазные взаимодействия в многокомпонентных гетеросистемах.

4.1. Уравнения фазовых равновесий.

4.2. Моделирование упруго-деформированных гетеросистем.

4.3. Концепция когерентной диаграммы состояния.

4.4. Особенности фазовых превращений в Bi-содержащих гетеросистемах.

Выводы.

Глава 5. Кинетика градиентной кристаллизации : феноменологические аспекты

5.1. Исследование начальных стадий роста и метастабильпых фаз в многокомпонентных гетеросистемах

5.2. Зависимость скорости роста твердых растворов от различных факторов

• 5.3. Особенности кристаллизации многокомпонентных висмутсодержащих гетероструктур па основе InSb и GaP.

5.4. Морфология движения линейных зон и дефектообразоваиие в многокомпонентных гетеросистемах.

Выводы.

Глава 6. Кинетическая теория градиентной кристаллизации и самоорганизация в многокомпонентных гетеросистемах.

6.1. Стабилизация многокомпонентных твердых растворов.

6.2. Обобщенная кинетическая теория градиентной кристаллизации.

6.3. Динамическое описание движения жидких зон в поле температурного градиента

6.4 Закономерности деформаций локальных зон при их миграции в кристалле

6.5. Вопросы морфологической устойчивости межфазных границ.

6.6. Механизмы самоорганизации в многокомпонентных гетеросистемах.

Выводы.

Глава 7. Свойства и возможности применения многокомпонентных гете-роструктур, выращенных в градиентном поле.

7.1. Структурное совершенство многокомпонентных полупроводниковых материалов.

7.2. Электрофизические характеристики многокомпонентных пленок и низкоразмерных гетероструктур

7.3. Фотоэлектрические свойства многокомпонентных твердых растворов и сверхрешеток.

7.4. Использование многокомпонентных гетероструктур в оптоэлектронике 326 * 7.5. Свойства двумерных электронных систем и возможности их применения

Выводы.

Актуальность. Достижения электроники, наряду с успехами в таких сферах человеческой деятельности, как энергетика, космонавтика и генная инженерия, являются в настоящее время определяющими факторами научно-технического прогресса. Развитие электроники в значительной степени определяется достижениями физики полупроводников и технологии новых полупроводниковых материалов. К новым перспективным материалам относятся, в частности, полупроводниковые структуры па основе многокомпонентных твердых растворов А3В5 и А4Вб. Интерес к ним вызван возможностью формирования структурно совершенных гетеропереходов за счет одновременного согласования параметров решетки и коэффициентов термического расширения сопрягающихся материалов, а также увеличением числа степеней свободы твердых растворов, позволяющим синтезировать элементную базу приборов с заданными свойствами.

Кристаллизация таких твердых растворов из жидкой фазы перспективна, в первую очередь, в силу контролируемости термодинамического и морфологического состояния межфазных границ, а также концентрации безызлучательпых центров рекомбинации, что существенно для многих оптоэлектронпых приборов. Достаточно хорошо изучен так называемый консервативный метод жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ)[1], в котором эпитакспя происходит за счет охлаждения раствора-расплава. В течение процесса материал не добавляется в жидкую фазу извне и не удаляется (кроме перехода в кристалл). Закономерности такой эпитаксии хорошо изучены[2,3], и дальнейшее развитие метода сдерживается рядом принципиальных недостатков. Снижение температуры неизбежно изменяет концентрацию и коэффициенты распределения компонентов, что ограничивает возможности управления составом пленок твердых растворов в направлении роста. Весь расплав в условиях консервативного метода оказывается пересыщенным и кристаллизация происходит при концентрационном переохлаждении. Поэтому для уменьшения дефектности эпитакспальпых слоев и пленок необходимо использовать растворы-расплавы толщины порядка ожидаемого поперечного размера кристалла, что уменьшает запас кристаллизуемого вещества. Таким образом, консервативная ЖФЭ сужает возможности управления составом, совершенством и толщиной эпитаксиальных слоев (ЭС).

Переход к неконсервативному варианту ЖФЭ путем подпитки раствора-расплава позволяет устранить указанные ограничения, расширить пределы управления составом и толщиной слоев, а кристаллизацию проводить в неизотермическнх условиях, что приносит дополнительные возможности в задании конфигурации температурного поля. Подпитка раствора-расплава может осуществляться веществом-источником в различных агрегатных состояниях. Движущей силой такой неконсервативпой ЖФЭ является градиент свободной энергии Гпббса, обусловленной различными причинами: градиентом температуры, электрическим током, смешением растворов-расплавов и др. Первый вариант получил название метода зонной перекристаллизации градиентом температуры (ЗПП) полупроводников. Он характеризуется малым пересыщением на фронте кристаллизации, высокой изотермпчностыо и низкими значениями концентрационного переохлаждения[4]. Используя при ЗПГТ подпитку из твердого источника или из расплава, можно управлять распределением компонентов но толщине слоя и таким образом выращивать как варизонные, так и однородные по составу пленки многокомпонентных твердых растворов (МТР), а также многослойные структуры. В настоящей работе совокупность процессов ЖФЭ в поле температурного градиента определена термином "градиентная жидкофазная криста~ъшзация"(ГЖКК), поскольку ЗПГТ подвергается бинарная подложка, в итоге же формируются многокомпонентные гетероструктуры. Помимо указанных возможностей, полезных для выращивания планариых структур, градиентная кристаллизация позволяет формировать монокристаллические микрообласти с контролируемыми электрофизическими свойствами н заданной топологией внутри кристалла. Это весьма актуально для создания объемных элементов интегральных схем, излучателей с перестраиваемыми в рабочем режиме характеристиками [5] и в перспективе — трехмерной архитектуры информационно-управляющих систем [6]. Кинетика и гидродинамика движения включений в твердых растворах влияет на протекание ряда важных технологических процессов: спекание пористых тел, расширение ТВЭЛов атомных реакторов, отказ электронных устройств и др. [7]. Наконец, обозримая перспектива исследований кристаллизации в градиентном поле — это возможность получения так называемых низкоразмерных гетероструктур полупроводников, в которых возникают принципиально новые физические явления, обусловленные пространственным ограничением носителей заряда. Основой для воплощения указанных свойств является наличие в гетероструктурах многоуровневого энергетического спектра, в том числе, на основе сверхпериодического потенциала[5].

В топких кристаллических пленках происходит дополнительное расщепление энергетических зон. Совокупность значений энергии для всевозможных продольных компонент импульса носителей заряда образует так называемую рахмериую подзону. При этом плотность состояний электронов и дырок приобретает ступенчатый характер, что и определяет особые электрические и оптические свойства низкоразмерных, или кваптово-размерпых структур (КРС) туниелированне носителей под действием электрического поля, когда основное состояние одной ямы совпадает с возбужденным состоянием следующей; стимулированное излучение, если такое тупнелирование происходит с оптически возбужденными носителями, отрицательная дифференциальная проводимость па участке вольт-амперной характеристики («обращение» закона Ома), отрицательный коэффициент поглощения, усиление и генерация колебаний с предельной частотой свыше 1012Гц.

Наблюдение кваптово-размерных эффектов возможно только при соблюдении ряда условий, из которых два основных- 1) расстояние между уровнями АЕ до.\жно удовлетворять выражению

АЕ = Еп+1 - Е„» 5Е = Ь! т, где г - время релаксации, т.е., среднее время между двумя последовательными актами рассеяния электрона (в противном случае все особенности спектра окажутся смазанными), и 2) — однородность пленки по толщине, чтобы возможные «стуиеныар) размерных уровней были существенно меньше расстояния между ними. Толщина пленок должна быть соизмерима с электронной длиной волны де Бройля, т.е.

X — 2кк! (2т*Е)1/2

Здесь т* и Е — соответственно эффективная масса и энергия носителей заряда. В металлах и большинстве полупроводников, где эффективная масса электронов того же порядка, что и масса покоя свободных электронов то, А, ~ 10 8 - 10 7 см, т.е., сравнима с периодом кристаллической решетки. Изготовление столь тонких пленок представляет весьма трудную технологическую задачу, а к настоящему времени ряд КРС (на основе AlGaAs, GaAsInP[8] и PbSnSeTe[9]) получен достаточно дорогостоящими эпитаксиальными методами — посредством молекулярно-лучевой эпитаксии и из паров металло-оргаиических соединений (МОС-гидридная технология). Однако существует возможность создания КРС на основе пленок со значительно большей толщиной, если в ее состав входят полр1еталлы- такие, как сурьма и висмут. Эффективная масса носителей при этом m* ~ 0.01 то, и длина волны де Бройля А, ~ 10 7 м, т.е., в тысячу раз больше[10]. Таким образом, эффекты размерного квантования должны проявляться в субмикронных Bi-содержащих пленках толщиной ~ 0,1 мкм.

К началу выполнения настоящей работы в литературе имелась ограниченная информация по исследованию и реализации многокомпонентных приборных структур методами ГЖК.

Сообщений о получении в поле температурного градиента многокомпонентных твердых растворов и многослойных KpucmcLWoe, обладающих субструктурой и сложным энергетическим спектром, вообще нет. Влияние условий градиентной кристаллизации на х1ектронный спектр многокомпонентных полупроводников рассматривалась лишь в нескольких отдельных работах[11,12]. Метод градиентной криста,ьшзации с точки зрения создания уыовий самоорганизации упорядоченных структур практически не исследования. В теории отсутствует единая концепция градиентной криста,ъаизации многокомпонентных гетероструктур. Поэтому тема диссертационной работы является актуа,1ъной с научной и с nputciadmü точек зрения.

Целью работы являлись разработка научных основ кристаллизации многокомпонентных полупроводников в градиентном температурном поле, исследование возможностей и условий формирования многокомпонентных гетероструктур с заданным энергетическим спектром из обогащенных висмутом расплавов в поле температурного градиента; изучение закономерностей процесса роста кристаллов, характеризующих разрабатываемую физико-технологическуга концепцию в применении к жидкофазной эпитаксии слоев твердых растворов InSbBi, AlInSbBi, GaAsP<Bi>, GAInAsSbBi и AlGalnSbBi; исследование твердофазных превращений в указанных структурах и изучение закономерностей структурной эволюции, определяющей свойства элементной базы электронной техники.

В связи с этим решались слелуюшие залачи: теоретические и экспериментальные исследования процессов кристаллообразования и неконсервативной эпитаксии многокомпонентных гетероструктур из обогащенных висмутом расплавов в ноле температурного градиента; исследование условий формирования низкоразмерных структур в поле температурного градиента, выявление критериев согласованного поведения кристаллизующейся многокомпонентной гетеросистемы; разработка физико-математических моделей фазовых превращений, термодинамической устойчивости и формирования субструктуры мпогокомпонентых гетероэпитаксиальных слоев на основе висмутсодержащих твердых растворов 1п5ЬВ1, АПпБЫМ, СаАзР<В1>, СЛГпАбБЬВ! и АЮаЫБЫМ; исследование морфологической стабильности движения локальных многокомпонентных жидких зон в анизотропном кристалле под действием градиентного температурного поля; теоретические и экспериментальные исследования кинетики кристаллизации многокомпонентных гетероструктур при подпитке раствора-расплава твердой и жидкой фазами; изучение кристаллического совершенства слоев и электрофизических параметров неравновесных многокомпонентных гетероструктур; разработка аппаратурно-методического оформления градиентной кристаллизации гетероструктур с заданной субструктурой и энергетическим спектром; теоретические и экспериментальные исследования структурной эволюции многокомпонентных полупроводников, формируемых в ноле температурного градиента; исследование электрофизических и фотоэлектрических свойств висмутсодержащих твердых растворов и разработка физических основ практического применения многокомпонентных и сверхрешеточных структур в оптоэлектронпке.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Представленная физико-технологическая концепция градиентной кристаллизации многокомпонентной гетерофазной системы позволяет адекватно моделировать формирование структуры и субструктуры элементной базы приборов электронной техники с управляемыми фотоэлектрическими параметрами.

2. Направление градиентной жидкофазиой кристаллизации определяется геометрической суммой сил, в поле которых движется жидкая зона. Скорость миграции зоны пропорциональна равнодействующей внешних и внутренних сил и обратно пропорциональна сумме коэффициентов, имеющих смысл факторов сопротивления процессам кристаллизации, растворения и диффузионно-кинетического переноса атомов через зону.

3. Кристаллизация варизонных эпитакснальных слоев с заданным градиентом состава и субструктурой происходит за счет внутренних сил, обусловленных термодинамической нетождествеппостыо твердых веществ па межфазных границах многокомпонентных жидких зон.

4. В условиях неконсервативиой жидкофазиой эпитаксии в градиентном поле возможно формирование заданной матрицы свойств кристаллизующейся многокомпонентной гетероструктуры. В обогащенных висмутом пленках и объемных кристаллах с Вьсодержащпми кластерами имеет место пространственное ограничение носителей заряда и возможно формирование структур с квантовыми ямами, нитями и точками.

5. При малых скоростях роста твердых растворов (до 0,01 мкм/с) в поле температурного градиента висмут образует твердый раствор в подрешетке сурьмы. С увеличением скорости кристаллизации возрастает число антиструктурпых дефектов (В1 лЗ и Ви). В фосфорсодержащих гетеросистемах - СаР<В1>-СаР и СаАзР<В1>-СаР висмут распределяется преимущественно в межузельных позициях. б. Управление составом кристаллизуемых в поле температурного градиента многокомпонентных структур основано на смещении фазовых равновесий упругими напряжениями и осуществляется посредством осцплляций температуры горячей границы локальной зоны с амплитудой ~ 0,1-^0,5 К. Программирование температурного поля производится на основе широтпо-импульспой модуляции тока нагревателей.

7. Формирование энергетического спектра в четырех- и пятикомпонентных гетероструктурах основывается на эффекте изменения ширины запрещенной зоны (Е^) под действием упругих напряжений, генерируемых в заданной области кристалла в поле температурного градиента. В многослойных гетероструктурах 1п5ЫИ-1п5Ь размерное квантование поперечного движения "легких" электронов приводит к перегруппировке состояний внутри зоны 1п$ЬВ1.

8. Свойства многокомпонентных гетероструктур, интересных с точки зрения их применения в электронной технике, практически полностью определяются внутренней топологией кристаллов, формируемых в процессе некопсервативной градиентной эпитаксии — механическим состоянием и рельефом межслойных границ, сплошностью гомогенных включений, длиной кластеров, концентрацией и распределением дефектов внедрения. Регулярные области твердых растворов замещения существенной роли в формировании эксплуатационных параметров не играют.

Совокупность перечисленных положений и конкретных результатов исследований составляет основу нового научного направления, которое можно сформулировать следующим образом: иекоисервативная градиентная кристаллизация многокомпонентных полупроводников с заданной энергетической структурой.

Научная новизна работы.

1. Предложена физико-технологическая концепция градиентной кристаллизации многокомпонентных полупроводниковых гетеросистем, позволяющая с единых позиций описать формирование структуры и свойств элементной базы приборов электронной техники нового поколения.

2. Экспериментально исследована и теоретически обобщена кинетика кристаллизации многокомпонентных твердых растворов, обладающих субструктурой гетероэпитаксиальпых слоев в поле температурного градиента.

3. Обнаружен эффект размерного квантования носителей заряда на больших масштабах 0,1 мкм) в многокомпонентных гетеросистемах с заданным распределением полуметаллов (сурьмы и висмута).

4. Проведен физико-химический анализ начальных стадий перекристаллизации твердых растворов локальными зонами. Критические явления в ростовых композициях интерпретированы с позиций нелинейной физики.

5. Теоретически обоснована и подтверждена экспериментально возможность формирования сверхрешеточных гетероструктур с толщиной слоев Ь ~ 100 нм из жидкой фазы в поле температурного градиента.

6. Впервые обнаружены и теоретически изучены для висмутсодержащих твердых растворов различные виды конфигурационной (стартовая, деформационная, решетчатая) и траекторией неустойчивостей миграции многокомпонентных жидких зон.

7. Исследованы структурные, электрофизические и фотоэлектрические параметры формируемых в градиентном поле полупроводниковых гетероструктур различного назначения.

Практическая значимость.

1. Разработаны физические основы неконсервативной кристаллизации многокомпонентных полупроводниковых гетероструктур с заданным энергетическим спектром в градиентном температурном поле.

2. Предложен относительно простой метод получения низкоразмерных структур, основанный на прецизионном управлении эиитаксиальным процессом в поле температурного градиента.

3. Предложены и разработаны специальные методы формирования жидких зон, расширяющие возможности и повышающие воспроизводимость неконсервативной кристаллизации многокомпонентных твердых растворов.

4. Получены варизонные слои 1п5ЬВ1/1п5Ь, АПпБЫМ/ХпБЬ и АЮа1п5ЬВ1/1п5Ь толщиной до 50 мкм с заданным электронным спектром, пригодные для формирования элементной базы фотодетекторов и ихаучателей инфракрасной области спектра (3,5-8,5 мкм), а также многослойные структуры ¡пБЬВМпБЬ с толщиной слоев 100-150 нм, в пределах слоя однородные по составу, которые могут быть использованы в качестве ннжекционных излучателей. На подложках СаР выращены эпитаксиалыше пленки СаАзР<В1> и Са1пЛзР<В1> толщиной до 15 мкм, легированные висмутом (п < 5-10 18 см-3), которые могут использоваться для разработки фотоприемных устройств и светодиодов в видимой и ближней инфракрасной области. 5. Разработана принимающая гетероструктура GalnSbBi/InSb. Длина волны принимаемого излучения - 12.5 мкм, максимум пороговой чувствительности — 8-Ю"12 Вт при соотношении сигнал/шум = 10 (значение этого параметра для лабиринтных фотоприемников па основе InSb составляет 1011 Вт), время спада импульса фотоответа (от 0.9 до 0.1 Imax) - 1,5-^2 не 5 не для аналогичных фотодетекторов) при подаче отрицательного смещения 5В.

Апробапия работы. Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на Международных научных конференциях "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Таганрог, 1997, 1998, 1999, 2000 и 2002 гг), Всероссийской научно-технической конференции "Новые материалы и технологии" (Москва, 1998), Третьей международной конференции "Рост монокристаллов, проблемы прочности и тепломассоперепос" (Обнинск, 1999 г.), Международной конференции "Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах" (Ульяновск, 1999 г. ), Международной конференции "Оптика полупроводников" (Ульяновск, 2000 г. ), IX и X Национальных конференциях по росту кристаллов (Москва, 2000 и 2002 г.), II Международной научно-практической конференции "Информационные технологии в моделировании и управлении" (Санкт-Петербург, 2000), VI Китайско-Российском Симпозиуме "Новые материалы и технологии" (Пекин, 2001), 47 Интернациональном Коллоквиуме "Mechanical Engineering and Nanotechnology" (г. Ильменау, Германия, 2002), межвузовских научно-технических конференциях, а также на конференциях, совещаниях, семинарах лаборатории физики полупроводников ВИ ЮРГТУ и кафедры физики ЮРГТУ.

ПУБЛИКАЦИИ. По результатам диссертации опубликовано 84 печатные работы, в которых полностью изложены ее основные положения, в т.ч. монография "Градиентная жидкофазная кристаллизация многокомпонентных полупроводниковых материалов" (в соавторстве с д.ф.-м.н., проф. Лозовским В.Н. и д.ф.-м.н., проф. Луниным Л.С.).

ВКЛАД АВТОРА В РАЗРАБОТКУ ПРОБЛЕМЫ. Личный вклад автора в получение научных результатов, составляющих защищаемые в диссертации положения, заключается в следующем: постановка задач, выбор объектов исследований, разработка теоретических моделей, постановка экспериментальных методик, участие в экспериментах и измерениях или непосредственное руководство ими. Лично диссертантом произведена интерпретация наблюдаемых явлений и ее сравнение с имеющимися теориями. Соискателю принадлежит также анализ и теоретическое обобщение данных, накопленных в результате проведенных исследований, в том числе, опубликованных совместно с другими авторами.

ОБЪЕМ РАБОТЫ И ЕЕ СТРУКТУРА. Настоящая работа состоит из введения и семи глав, общих выводов, списка литературы и приложений, содержит 363 страницы машинописного текста, 134 иллюстрации, 16 таблиц. Библиография включает 333 наименования.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ РАБОТЫ

1. Разработаны основные аспекты теории градиентной кристаллизации многокомпонентных полупроводников: модели кинетики, устойчивости эпитакснального процесса и распределения компонентов (1 глава и раздел 2.5); механизмы интерфазного взаимодействия ГЖК в многококомпонентных гетеросистемах (4 глава); ггачальные стадии градиентной кристаллизации и метастабильные состояния (раздел 5.1); обобщенная кинетическая теория ГЖК (раздел 6.2); динамические аспекты движения многокомпонентных жидких зон (6.3-6.5); механизмы самоорганизации упорядоченных структур в многокомпонентных гетеросистемах и формирование субструктуры МТР(б.б).

2. В градиентном температурном поле возможно создание стартовых условий формирования самоупорядоченных гетер о структур.

3. Градиент концентрации, возникающий в поле градиента температур, вызывает внутренние силы, ответственные за эпитаксиальный рост слоев как постоянного, так и переменного состава. По этой схеме осуществляется управление ГЖК многокомпонентных полупроводников с за\анными свойствами.

4. В эпитаксиальных слоях многокомпонентных твердых растворов с переменным по толщине содержанием висмута, или содержащих висмутовые кластеры, на достаточно больших масштабах (~ 0,1 мкм) заметны эффекты размерного квантования.

5. Специальная конфигурация температурного поля и управляемое движение локальных зон в полупроводниковой матрице обеспечивают заданное распределение упругих напряжений, являющееся важным фактором формирования кристаллохимических и фотоэлектрических параметров синтезируемых структур.

6. Для уменьшения динамической нестабильности растворяющей границы жидкой зоны в многокомпонентных Вьсодержащих полупроводниках фронт растворения плоской зоны необходимо ориентировать перпендикулярно к кристаллографическому направлению наибольшей скорости роста <111> и градиенту температуры. Ось линейной зоны также должна быть перпендикулярна направлениям <111>, соответствующим плоскостям, ограняющим передний фронт, и градиенту температуры.

7. Скорость роста при ГЖК пропорциональна равнодействующей внутренних и внешних сил, действующих на жидкую зону, и обратно пропорциональна сумме факторов, имеющих смысл сопротивлений атомно-кинетическим процессам на межфазных границах и диффузионно-конвективному массопереносу.

8. Стационарность процесса ГЖК достигается тогда, когда растворение поверхностного слоя на исходной матрице многокомпонентной жидкой зоной не приводит к существенному уменьшению свободной энергии, превышающему эквивалентную внешнюю движущую силу.

9. Установлено, что технология ГЖК В1-содержащих полупроводников позволяет получать: варизонные слои 1п5ЬВ1/1п5Ь, А11п5ЬВ1/1п5Ь и АЮаЫБЬВ^пБЬ толщиной до 50 мкм с заданным электронным спектром, пригодные для формирования элементной базы фотодетекторов и излучателей инфракрасной области спектра (3,5-8,5 мкм)\

- многослойные структуры 1п5ЬВь1п5Ь с толщиной слоев 100-150 им, в пределах слоя однородные по составу, которые могут быть использованы в качестве инжекционных излучателей; варизонные слои 1пСа5ЬВ1 и 1пСаАз5ЬВ1 с убывающим содержанием мышьяка толщиной до 200 мкм; однородные слои пятикомпопептпых твердых растворов (ПТР) 1пСаАз5ЬВ1 толщиной до 150 мкм, пригодные в качестве фоточувствительных элементов оптоэлектронных устройств в диапазоне 7-5-14 мкм; эпитакспальиые пленки СаАзР<В1> и Са1пАзР<В1> толщиной до 15 мкм, легированные висмутом (п < 5-10 18 см-3), которые могут использоваться для разработки фотоприемных устройств и светодиодов в видимой и ближней инфракрасной области.

10. Дальнейшие задачи, поставленные в рамках разрабатываемого направления: разработка теории формирования упорядоченных твердотельных матриц с иерархической субструктурой; описание процессов зародышеообразоваиия твердых растворов из многокомпонентных расплавов в градиентном поле заданной конфигурации:, топологическое описание симметрии осциллирующего фронта кристаллизации в рамках модели случайного распределения атомов; получение температурных и концентрационных зависимостей параметров взаимодействия, имеющих важное значение в расчете фазовых диаграмм; промышленный синтез висмутсодержащих гетероструктур с заданными свойствами; исследование процессов деградации, структурного совершенства, электрофизических и фотоэлектрических свойств синтезированных твердых растворов; разработка конструкций электронных устройств на основе висмутсодержащих твердых растворов, учитывающих наблюдаемые в них новые физические явления, особенности технологии получения этих кристаллических структур и программирование в процессе получения их эксплуатационных свойств.

1.síyHUHsLC., Попов В.П., Благин A.B., Овчинников ВА, Технология получения пятикомпонентных гете-роструктур 1.GaAsSbBi/InSb для фотоприемных устройств. Изв. вузов. Сев. - Кавк. регион. Техн. науки. 1997.-JA 2. С.89-93.

2. Ежовский Ю.К Поверхностные наноструктуры — перспективы синтеза и использования/Химия. Со-росовский образовательный журнал. Т.б, N° 1. 2000. С.56-63.

3. Кузнецов В.В., Москвин П.П., Сорокин B.C. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. /М.: Металлургия, 1991. 175 с.

4. Акчурин Р.Х., Акимов О.В. Тонкослойные упругонапряженные гетероструктуры InAsi.x.ySbxBiy/InSb: расчет некоторых физических параметров.// Физика и техника полупроводников. 1995. Т.29. Вып. 2. С.362-369.

5. Андреев B.Al., Аолгинов„ 1.М., Третья/сов Д.Н. Жидкофазная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. — М.: Советское радио. — 1975. — 327 с.

6. Уфимцев В.Б., Акчурин Р.Х. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии. — M.: Металлургия.- 1983.-222 с.

7. Геворкян В А., Голубев- LB., Петросян С.Г., ШикА.Я., Шмарцев Ю.В. Электрожидкостная эпитаксия / / ЖТФ. 1977. -Т.47, Вып.б.-С. 1306—1318.

8. Делшн B.IL, Буджан „ 1.Л1, Кузнецов ФА. О роли электропереноса в электрожидкостной эпитак-сии//ЖТФ, 1978. Т.48. Вып.7. С. 1442-1445.

9. WoodallI.A1. Isothermal solution mixing growth of thin Gai xAlxAs layers//J. Electrochem. Soc. — 1971. V. 118, Л°1. — P. 150-153.

10. Силин А.П. Полупроводниковые сверхрешетки // УФН, 1985. Т.147. Вып. 3, С. 485-521.

11. Ethels R.D., Grinberg I., Nudd G.R. Development of a three — dimensional circuit integration and computer architecture//Proc. SPIE., 1981. V. 282. X°l. P. 64-72.

12. Гегузин Я.Е., Кривоглаз MA. Движение микроскопических включений в твердых телах. — М.: Металлургия. 1971. - 344 с.

13. E.Re^ek, U.Shichijo, ВЛ-Vojak, N.Holonyak. Jr. Appl. Phys. Lett, 31, 534 (1977).

14. Акчурин P.X., Жега*тн BA., Сахарова T.B., Серегин C.B. Получение многослойных гетероструктур на основе арсенида-антимопида-висмутида индия метолом "капиллярной" жидкофазной эпитаксии// Письма в ЖТФ. 1997. Т.23. Лв 7. С. 51-55.

15. Кулюткина Т.Ф., Марончук A.ÎL, Шутов C.B. Получение сверхтонких слоев GaAs и AlGaAs жидкофазной эпитаксией // Кристаллизация и свойства кристаллов. Новочеркасск, Набла, 1993. С. 28-32.

16. Hurle D.T.J., Mullin J.B., Pike Е.К Thin alloy zone critallization//J.Mat. Science. -1967. V.2, - P. 46 - 62.

17. Попов В.П. Неконсервативная жидкофазная эпитаксия полупроводников: Дне. . докт. техн. наук. -Новочеркасск, 1987.

18. Anthony T.K, Cline Н.Е. The kinetics of droplet migration in solids in an acceleration field//Phil. Mag. — 1970. V.22, №178. - P. 893 - 901.

19. Cline I I.E., Anthony T.K The migration of liquid droplets in solids//J. Cryst. Growth. 1972. - V.14/15, Л°5. - P. 965 - 969.

20. Cline H.E., Anthony T.K The thermomigration of liquid droplets through boundaries in solids//Acta Metallurgica. 1971. - v. 19, №6.-P. 491-495.

21. Cline H.E., Anthony T.K The interaction of liquid droplets with a grain boundary in large accelerational fields//Phil. Mag. 1971. - V. 24, X°189. - P. 695 - 703.

22. Пфанн В.Дж. Зонная плавка. М.: Мир. - 1970. — 366 с.

23. Вольф ГА., Млаеский А.И. Зонная плавка с растворителем//В кн.: Рост кристаллов. М.: Мир. — 1977. — Т.1. - С. 244-292.

24. La^ot'ski V.N., Popov V.P. Temperature gradient zone melting//Prog. Cryst. Growth Charact. — 1983. — V.6, №1. — P.l 23.

25. P/ann W.G. Temperature gradient zone metting//J. Metals. 1955.

26. Иоффе А.Ф. Два новых применения эффекта Пельтье//ЖТФ. 1956. -Т.26, Х°2. - С. 478 - 483.

27. С.Ю.Карпов, СА.Никишин, LL 1.Портной, А.В.Синявский. Многоволновые лазерные излучатели на основе твердых растворов AlxGai.xAs. ЖТФ, 1985. Т. 55. Вып. 10. С. 1962-1966.

28. Lo^ovsAJ V.N., Konstantinova G.S. Growth from high — temperatures solutions effected by chemical potential gradients//J. Cryst. Growth. 1981. - V.52, №2. - P. 327 - 331.

29. Anthony T.K Grain driven zone melting//}. Appl. Phys. - 1984. V.56, K°2. - P. 477 - 485.

30. Wagner R.5., Doherty C.J. Controlled vapor liquid — solid growth of silicon crystals//J. Electrochem. Soc. - 1966. V.113,j\o12.-P. 1300-1308.

31. Тиваргизов E.II. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. — М.: Наука. — 1977. — 303 с.

32. Хухрянский Ю.П., Николаева Е.П. Изотермическая жидкофазная эпитаксия германия и крем-ния//ФТТ. 1976. - Т. 18, Л°1. - С. 315 - 316.

33. Тамазов АА., Гайдина * LH, Адтяов В.Н., Моцарь A.IL, Палешник * 1.11., Юрко Т.П. Расчет состава жидкой и твердой фаз в системе Ga — А1 — As при охлаждении с испарением летучего компонен-та//Изв. вузов. Физика. 1980. - Л°9. - С. 80-83.

34. Woodall I.M., Hovel H.J. Isothermal etch back regrowth method for high Gai xAlxAs—GaAs solar cells//Appl. Phys. Lett.—1977.-v.30, №9.-P.492-493.

35. Wagner KS., Ellis W.C. Vapor liquid - solid mechanism of single crystal growth//Appl. Phys. Lett. — 1964. - v.4, j\°l. - P. 89-91.

36. Wagner KS., Ellis W.C. The vapor — liquid — solid mechanism of crystal growth and its application to sili-con//Trans. Met. Soc. AI ME. 1965. V. 233, Л'об. - P. 1053 - 1059.

37. Чернов АА. О движении включений в твердых телах//ЖЭТФ. — 1956. — Т.31, ЛГе5. — С. 709 804.

38. Ти.1лер В А. Перемещение жидкой зоны через твердое тело I, П//Зонная плавка. — М.: Металлургия. 1966. - С. 110-130.

39. HamakerR.W„ White W.B. Mechanism of single — crystal growth in InSb using temperature gradient zone melting//J. Appl. Phys. 1968. - v.39, №3. - P. 1758 - 1765.

40. Hamaker R.W., White W.B. Growth and characterization of GaJni.xSb solid solutions using temperature gradient zone melting//J. Electrochem. Soc. 1968. - v.39, Лг°3. - P. 1758 - 1765.

41. Антанавичюс P., Мачюяайтис Ч. Выращивание кристаллов Gai.xInxSb методом зонной плавки с градиентом температуры//Литовский физический сборник. — 1978. — Т. 18, 4. — С. 499-505.

42. Ъеяащенко Д.К. Явления переноса в жидких металлах и полупроводниках. М.: Атомиздат. — 1970. — 399 с.

43. Kleinknecht IIP. Lateral traveling solvent growth in indium arsenid//J. Appl. Phys. 1966. - V. 37, X°6. -P. 2116-2122.

44. Константинова Г.С. О кинетике ЗПГТ в системе кремний — алюминий//В кн.: Кристаллизация и свойства кристаллов — 11овочеркасск. 1971. — Т.239. — С. 155 — 158.

45. Новочеркасск. — 1981. — С. 3 — 9.

46. Германов В.Ю., Гермамов C.IL К методике исследования кинетики кристаллизации методом ЗПГТ при снижении температуры с постоянной скоростью//В кн.: Кристаллизация и свойства кристаллов.11овочеркасск. — 1981. — С. 66 — 72.

47. Удянская А.Н. Исследование зонной плавки с градиентом температуры в системе кремний алю-миний//В кн.: Зонная плавка с градиентом температуры. — Новочеркасск. — 1967. — Т. 170. — С. 31 — 40.

48. Петросян С.Г., ШикА.Я., Шмаруев Ю.В. К теории жидкостной эпитаксии с градиентом температу-ры//ФТТ. 1974. - Т. 16, В.2. - С. 392 - 397.

49. Никимин С А. К анализу массопереноса при электрожидкостной эпитаксии арсенида гал-лия//ЖТФ. 1983. - Т. 53, В. 3. - С. 538-544.

50. Геворкян В~А., Голубев* 1.В., ХачатрянЛ.П., Шмарцев Ю.В. К вопросу о кинетике роста в равновесной • электрожидкостной эшггаксии//ЖТФ. — 1983. — Т. 53, В. 3. С. 545-549.

51. Zjtkiemct^ Z.K Electroepitaxy from a limited solution volume growth kinetics calculations//}. Cryst. Growth. 1983. -V. 61, №5. - P. 665 - 674.

52. Демин B.H., Кузнецов ФА. О применимости диффузионного приближения в моделях процессов ЭЖЭ//ЖТФ. 1984. - Т. 54, В. 5. - С. 934-937.

53. Jastrebski L., Imamura Y., Gatos H.C. Thickness uniformity of GaAs layers grown by electroepitaxy//J. Electrochem. Soc. 1978. -V. 125, JS&7. - P. 1140-1146.

54. Jastrebski L, Gatos II.C. Current — controlled growth, segregation and amphoteric behavior of Si in• GaAs//J. Cryst. Growth. 1977. - V. 42, №3. - P. 309-314.

55. Clusters of atoms and molecules. Springer Series in Chemical Physics, Berlin, Heidelberg, Springer Verlag, 1994. V. 52.

56. R.F. Service Small Clusters Hit the Big Time, Science. V. 271,1996. P. 920-922.

57. S.N.Khappa, D.Jena. Phys. Rev. V. 51,1995.-P.13705-13716.

58. Константинова Г.С. Рост из раствора расплава под действием химического потенциала//В юг.: Кристаллизация и свойства кристаллов. — Новочеркасск. — 1981. — С. 23-27.

59. Scidensticker KG. Kinetic effects in temperature gradient zone melting//J. Electrochem. Soc. — 1966. — v.113, №2. P. 152- 159.

60. Попов В.П., * \озовский B.II. О нестабильности линейных зон при зонной плавке с градиентом тем-пературы//В кн.: Вопросы физики полупроводников. — Новочеркасск. — 1967. — Т. 170. — С. 57-62.

61. Труфманов А.П. Структурная динамика многокомпонентных твердых растворов А'В5 и А4Вй, формируемых в поле температурного градиента: Диск. т. наук. — Новочеркасск, 2001.

62. Афиногенова М.А., Благим А.В., Благина * 1.В., Баранник АА. Исследование механизмов роста макроступеней кристаллов при градиентной кристаллизации твердых растворов.// Кристаллизация и свойства кристаллов. — Межвуз. сб. науч. Тр. 2002.

63. Mullins W.W., Sekerka KF. Stability of a planar interface during solidification//J. Appl. Phys. — 1964. — V.35, №2. — P. 444-451.

64. Воронков B.B. Условия образования ячеистой структуры фронта кристаллизации//ФТТ. — 1964. —• Т. 6. № 10.-С. 2984-2988.

65. Зайденстикер Р. Устойчивость поверхности раздела фаз при зонной плавке с градиентом темпера-туры//В кн.: Проблемы роста кристаллов. — М.: Мир. — 1968. — С. 197-205.

66. Кан /X О морфологической устойчивости растущего кристалла//В кн.: Проблемы роста кристаллов. М.: Мир. - 1968. - С. 127-145.

67. Цвейбак П.Я., Соколов IIA., КарпухинС.В. Концентрационная переохлаждение при выращивании эпитаксиальных слоев РЬТе из растворов расплавов в свинце//Электронная техника. — Сер. 6. — Материалы. 1979. - В. 3. - С. 56-63.

68. Stringfellow G.B. The importance of lattice mismatch in the growth of GaxIm XP epitaxials crystals//J. Appl. Phys. 1972. -V.43, №10. - P. 3455 - 3459.

69. Ф 104. Воронков B.B., Аолгинов. I.M.,- \апшин A.II., Мильвидский М.Г. Эффект стабилизации состава в эпитаксиалыюм слое твердого раствора//Кристаллография. — 1977. — Т.22. — С. 375-378.

70. Small М.В., Ghe£ R., Potemski KM., Woodal I.M. The formation of Gai.xAlsAs layers on the surface of GaAs//Appl. Phys. Lett. 1979. - v.35, ЛвЗ. - P. 209 - 210.

71. SmallM.B., Ghe% К Growth and dissolution on kinetics of III —V heterostructures formed by LPE//J. Appl. Phys. 1979. - v.50, №12. - P. 5322 - 5329.

72. Baranov A.N., Konnikov S.G., Popova T.B., Umanskj V.E., Yakovlev Yu. P. Liquid phase epitaxy of Gai xAUSbi yAsy/GaSb//J. Cryst Growth. 1984. - v.66, №3. - P. 547 - 552.

73. Bolkhovityanov Yu. B. The peculiarities of isothermal contact of liquid and solid phase during the LPE of A'B5 compounds//J. Cryst Growth. 1981. - v.55, КяЗ. - P. 591 - 598.

74. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. М.: Металлургия. 1987. 256 с.

75. Комник Ю.Ф., Пилипенко В.В. Эпитаксия висмута на слюде//Кристаллография, 1971. Т. 16. В. 2. С. 428-431.

76. Романенко В.Н. Управление составом полупроводниковых кристаллов//М.: Металлургия. — 1976. — 368 с.

77. Романенко В.Н. Управление составом полупроводниковых слоев. — М.: Металлургия. — 1978. — 192 с.

78. MukaiS., Jo/ma IL, M Hsuhasbi J., Janngisawa S., Kuîsuwada N. Liquid phase epitaxial growth of Al-GalnPAs lattice matched to GaAs//Appl. Phys. Lett. 1984. 44. 9. 904—906.

79. Аолгинов AI. M., Ильин M. А., Мильвидский H. Г. и др. Электрические и оптические свойсства твердых растворов GaJm-xAsi уРу, легированных теллуром, оловом и германием //ФТП. 1978. Т. 12. ЛЪ 2. С. 343.

80. Monton Р. Н. Growth and characterisation of InGaAsP Iatticematched to InP//J. Maternais science. 1984. 16. 11.2935.

81. Аолгинов * 1. M., Ильин M. A., Михайлова H. Г., Чупахина В. M. Легирование

82. H.Haken. Synergetics. Springeer, Berlin, Heidelberg. 1997.

83. Копьев П.С.,Аеденцов H.H. // ФТП. 1988. Т.32. С. 1729.

84. Хачатурян А.Г. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов. М.: Наука, 1974.

85. S trinke llow G.B. J. Cryst. Growth. 1983. V. 65. P. 454.

86. Jpatova LP., Malysbkin V.G., Sbcbukin VA. J.Appl. Phys.1993. V. 74. P.7198.134. lpatova I.P., Malyshkin V.G., Sbcbukin VA. Phil. Mag. 1994. V. 70. P. 557.

87. Марченко В.И., Паршин А.Я. ЖЭТФ.1980. T.79. С. 257.

88. Андреев А.Ф. ЖЭТФ.1981. Т.80. С. 2042.

89. Марченко В.И. ЖЭТФ.1981. Т.81. С. 1141.

90. Третьяков 10.А» Олейников H.H. Гудилин ЕА. Самоорганизация в физико-химических системах на пути создания новых материалов//Известия РАН. Неорган, материалы, 1994, Т. 30, N° 3, С.291-305.

91. Буддо B.1L, Курносое А.И., ^{озовский В.Н., Попов В.П. Повышение эффективности процесса получения диффузионно-сплавных р-п-переходов большой площади//Изв. Сев. Кавк. науч. центра высшей школы. Технические науки. — 1974. — в.З. — С. 74 — 76.

92. Ренълн В.Р. Технология полупроводникового кремния. — М.: Металлургия. — 1969. — 335 с.

93. Ба~1юк A.B., Попов В.П. Особенности жидкофазной эпитаксии в поле температурного градиента из вертикального слоя раствора расплава//Пзв. Ан СССР. Неорган, материалы. — 1986. — Т.22, Х°2. — С. 195 200.

94. Anthony T.R., Cline НЕ. Electron beat heater for thermomigration//US Pat. 554590. 1977.

95. Chang M, Kennedy R. The application of temperature gradient zone melting to siliconwafer processing. // J. Electrochem. Soc. 1981. V.128. P. 2193-2198.

96. Акчурин Р.Х. Евгенъев С.Б., Зиновьев В.Г. и др. Гетерогенные равновесия в системах Аш — Bv // Электронная техника. Сер. Материалы. — 1984. — №10. — С. 62-65.

97. Аолгинов * 1. М., Елисеев П. Г., Мильвидский М Г. Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах //Квантовая электроника. 1976. Т. 8. 7. С. 1381—1383.

98. Аолгинов ¿ 1. AL, Елисеев П. Г., Пшаилов И. Иижекционные излучательные приборы на основе многокомпонентных полупроводниковых твердых растворов //Итоги науки и техники. Сер. Радиотехника. Т. 21. С. 3-115.

99. Милне А., Фойхт А- Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник /Под ред. В. С. Вавилова. М., 1975. 432 с.

100. Шарма Б- L, ПурохитР.К Полупроводниковые гетеропереходы/ Под ред. Ю. В. Гуляева. М., ■ 1979. 227 с.

101. Андреев В. М., Аолгинов ¿ 1. M., Третьяков Л- II- Жидкостная этггаксия в технологии полупроводниковых приборов. М., 1975. 320 с.

102. Богданкевич О. В., Ааранок С. Л., Елисеев П. Г. Полупроводниковые лазеры. М., 1976. 416 с.167'.АанилинБ. С. Интегральная оптоэлектроника. Современное состояние и перспективы развития //Итоги науки и техники. Сер. Электроника. 1986. Т. 18. С. 89—132.

103. J.J.Lee, J.D.Kim, M.Ra^egy. Room temperature operation of 12 Цт InSbBi infrared photodetectors on GaAs substrates. Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. № 5. P. 1-3.

104. Chen C.J., 01sgon N. A., Tu C.W., Garlinski P. A. Monolithic integrated receiver front end consisting of a photoconductive derector and a GaAs selectively doped heterostrycture transistor // Ibid 7 681—683.

105. КрессеяТ., Нельсон Т. Свойства и применения пленок соединений элементов групп III и V, полученных эпитаксией из жидкой фазы //Физика тонких пленок. М., 1977. Т. 7. С. 276.

106. Бублик В. Т., Морозов А. Н., Освенский В. Б. и др. Расчет области гомогенности арсенида галлия //Кристаллография. 1979. Т. 24. X» 6. С. 1230.

107. Зотова Н. В., ЯсиневичП. Н. Оже-рекомбинация в n-InAs и твердых растворах GaJnt.xAs // ФТП.1977. Т. 11. № 10. С. 1882.

108. Падо,1ко А.Г., Перри Ф.С., ¿ Лазарев В.Б. Фотоэлектрические свойства неохлаждаемых детекторов на основе тонких слоев антимонида индия. // Изв. РАН. Неорган, материалы. 1994. Т.30. 2. С.156-163.

109. Kowalski A., PiotromkiJ. Intrinic Infrared Detector. Prog. Quant. Electr. 1988. V.12. P. 87-289.

110. Charge -Coupled Devices/Ed. Barbe D.F., Berlin, Heidelberg, N.-Y. Springer Verlag, 1980.

111. А.Берг, П. Айн. Светодиоды. Пер. с англ. Под ред. А.Э.Юновича. М.: Мир, 1979.

112. Маръев В.Б., Полов В.П. Жидкостная эпитаксия GaAsi.xP* при постоянной температуре // Кристаллография. 1974. - Т. 19. - В. 1. - С. 193-194.

113. Маръев В.Б. Зонная плавка с градиентом температуры в системах GaP и GaAsP: Дис. .канд. ф.-м. наук, Новочеркасск, 1974.

114. Стреяъченко С.С., ¿ Лебедев В.В. Соединения A,nBv. M.: Металлургия. - 1984. - 144 с.

115. Аолгинов* 1. AI., Аружинина* 1. В., Елисеев П. Г. и др. Структурное совершенство эпитаксиалыюй гетерограницы GaAs—AlxGai.xAs//11аучные трудьг Гиредмета. М., 1974, Вып. 56. С. 8.

116. Бу блик В. Т., Аолгинов * I. AL, Аружинина ¿i. В. и др. Исследование кристаллического совершенства гетероструктур в системе твердых растворов GaAs—AlAs и его влияние на характеристики инжек-ционных лазеров//ЖТФ. 1974. Т. 44. № 7. С. 1499.

117. Tsang W. T. Extension of lasing wavelengths beyond 0,87цт GaAs/AUGai.xAs double-geterostructure lasers by in the GaAso87 active layers during molecular beem epltaxy//Appl.Phys. Lett. 1981. V. 38, X° 9. P. 664.

118. Говорков А. В., Аолгинов * 1. M., Аружинина* i. В. и др. Дефекты структуры и люминесценция в эпитаксиальных слоях GaAsxSbi х//Кристаллография. 1977. Т. 22. Х° 5. С. 1060.

119. Иден Р. Фотодиоды с гетеропереходом на твердых растворах соединений Аш Bv д\я высокочувствительных 1,06 мкм приемников ТИИЭР. 1975. Т. 68. С. 32.

120. Аейбук В.Г., Виклюк Я.И., Раренко U.M. Расчет зонной структуры твердого раствора InSbBi. // ФТП. 1999. Т. 33. Вып. 3. С. 289-292.

121. Алфимова А~ Благин A.B., .Ijhuh^LC. Лавинные фотодиоды на основе сверхрешетки InSb

122. SbBi. Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: Тр. седьмой между-нар. науч.-техн. конф. Таганрог: ТРТУ, 2000. -4.1. - С. 172-174.

123. Благин A.B. О механизме формирования сверхрешеточных структур в ходе кристаллизации многокомпонентных висмутидов. 11зв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки,- 2000. J\T° 2. - С. 78-80.

124. Максимов С.К. Формирование диссипативных структур при кристаллизации эпитаксиальных слоев многокомпонентных соединений ArirBv и аморфных пленок Ta-Si Кристаллография. 1994,Т.39, Х° 2. С. 315-321.

125. Гришин А. II., Горбатый П. Ш. Электролюминесценция р-п-структур на основе твердых растворов InxGai „As: Si //Изв. вузов. Сер. Физика. 1979. 8. С. 97.

126. NagaiE. Koguche I. Ge-doped GaxIm.xAs LED's in 1 Jim wavelength region//J. Appl. Phys. 1978. V. 49.• X° l.P. 45.

127. Бохвалов Ю.Б., Мельников ., Страстелев СА., Чикичев СЛ. Получение эпитаксиальных слоев GaAs с равномерным распределением примеси//В кн. Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. 1977. Новосибирск. Наука. Ч. I. С. 135-138.

128. Knesset IL, Nuese С. J., Olsen G. II. Red-emitting GaAsP/InGaP heterojunction lasers//J. Appl. Phys. 1978. 49. 6. 3i40.

129. Nuese C.J., Olsen G.H., Ellenberg IL, Gannon J. J. Zamerowski T.J. C-W Room-temperature InxGai. xAs/InyGai.yP 1,06 цт lasers//Appl. Pnys. Lett. 1976. V. 20. № 12.P. 387.

130. Cheung D.T., Andrews AN., Gertner F.R., Williams C. S. eial. Sacxside-illuminated InAsi-xSbx InAs narrowand //Ibid. 1977. V 30. № 11. P. 587.

131. Mc. GroodyJ.C., Loren^AI.R., PlaskettT.S. The Gunn effect and conduction band structure in GaxIni xSb alloys. Solid State Communs, 1969. V. 7. Лв 9. P. 901-903.

132. Hilsum C., Rees H.D. Tree-level oscillator: a new form of transferred-electron device.-Electron letters, 1970. V. 6. Лг» 9. P. 277-278.

133. Anturas GA. Growth and characterization of liquid phase epitaxial Ga JnixSb. — J. Cry stall Growth, 1972. V. 16. № 1. P. 181-182.

134. Болховитянов Ю.Б. Контактные явления на границе раздела фаз перед жидкофазной гетероэпи-таксией соединений AinBv //Препринт 2-82. Новосибирск. - 1982. — 51с.

135. Rao М. V., Tiller WA. The system In-Ga: thermodynamics and computed phase equilibria.- J.Mater. Sei., 1972. V. 7. № 1. P. 14-18.

136. Мильвидский М.Г., Пелевин O.B., Сахаров БА. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений. М., "Металлургия", 1974. 392 с.

137. Bloom G.M., Plaskett T.S. Indium-gallium-antimony ternary phase diagram. — J. Electrochem. Soc. 1971. V. 118. Xo 11.P. 1831 -1834.

138. Plaskett T.S. Woods J.E. The growth and some properties of GaxInixSb.- J. Crystall Growth, 1971. V. И.ЛвЗ. P. 341-344.

139. RogalskiA. InAsi.xSbx Infrared Detectors 11 Prog. Quant. Electr. 1989. V.13. P.191-231.

140. G.C. Osborn. J. Appl. Phys., 1982. V. 53, P. 1586.

141. G.C Osborn. J.Vac. Sci. Technol., 1983. V. 1. 2. P. 379.

142. G.C Osborn. }.Vac. Sci. Technol., 1984. V. 2. Лв 2. P. 176.

143. Сорокин B.C., Рубцов Э.Р. Расчет спинодальных изотерм в пятикомпонентных твердых растворах А3В5.// Неорган, материалы. 1993. Т. 29.№ 1. С. 28 32.

144. Пригожий II., Азфэй Р. Химическая термодинамика. Новосибирск: Наука, 1966. 509 с.

145. Казаков AIL, Кишмар И.Н. Критические явления в четырехкомпонентных системах // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1987. Т.23. Л'в 1. С.12-15.218., ijt/Kuu B.IL, Пинскер Т.Н. Размерное квантование. М.: Знание. 1983 Лв 3.

146. Рогачева E.IL, Тригоров С.Н., Кривулькин II.M. и др. Зависимость структуры и гальваномагнитных свойств тонких пленок висмута от толщины. Сб. докл. 12-го междунар. Симпозиума "Тонкие пленки в электронике". — Харьков, 2001. ISTFE—12. С. 6-10.

147. Келдыш, 1.В. ФТГ, 1962. Т. 4. С. 2265.

148. Алферов sK.IL. История и будущее полупроводниковых гетероструктур. ФТП, 1998. Т. 32. Кя 1. С. 3-18.

149. Esaki L,.Tsu R IBM J. Res. Dev., 1970. V. 14. P. 61.

150. Р.Ф.Казаринов, PA.Cjpuc. ФТП, 1971. T. 5. C. 707; 1972. T. 6. C. 120; 1973. T.7. C. 347.

151. Tsu К, EsakiL. Appl. Phys. Lett. 1973. V.22. P.562. » 225. Алферов Ж.П., Жиляев Ю.В., Шмарцев Ю.В. ФТП, 1971. Т. 5. С. 196;

152. Ludowise М„ Diets? W.T., Lewis С.К, Camras M.D., Holonyak N., Fuller B.K, Nixon MA. Appl. Phys. Lett., 1983. V. 42. P. 487.

153. Chang LL, EsakiL, Howard W.E., Ludke K. J. Vac. Sci. Technol., 1973. V. 10.P.11.

154. Chang LL, EsakiL., TsuK, Appl. Phys. Lett., 1974. V. 24. P. 593.

155. Dingle JR., Stormerll.L, GossardlLL, Wiegmann W. Appl. Phys. Lett. 1978. V. 33. P. 665.

156. Delagebeaudeuf D. et a,I. Electron Lett. 1980. V. 16. P. 667.

157. Mimura Т., Hiyami~u, Fuji Т., Nanbu KA. Jpn. J. AppL Phys. 1980. V. 19. L225.• 232. J.P. van der Ziel, Dingle R, Miller КС., Wiegmann W., Kordland WA. Appl. Phys. Lett.1975. V. 26. P. 463.

158. Dupuis R.D., Dapkus P.D., Holonyak N. Reyk EA., Chin К Appl. Phys. Lett.1978. V. 32. P. 295.

159. Tsang W.T. Appl. Phys. Lett. 1982. V. 40. P. 217.

160. Алферов Ж.И., Васильев A.H., Иванов C.IL, Копъев Г1.С., ^Леденцов ILIL, s\уценко М.Э., Мелъцер Б.Я., Устинов В.М. Письма ЖТФ. 1988. Т. 14. С. 1803.

161. Faist J. et al. Science, 1994. V. 264. P. 553; Electron. Lett., 1994. V. 30. P. 865.• 237. Gzimsditch M., Khan M.K, KuengA, SchulierlK Phys. Rev. Lett., 1983, V.51. P.498.

162. BaneijeeL, Schullerl.K J. Low Temp. Phys., 1984, V. 54. P.506.

163. Iafiate G.J., Ferry D.K, Reich KK— Surf. Sci., 1982, V. 113. P.485.

164. Reich KK, Ferry D.K, Crondin RO. Phys. Rev. Ser. B, 1983, V.27. P.3483.

165. Игнатов AA. ДАМ СССР, 1983. T .273. C.1351.

166. ШикАЯ. ФТП, 1974. Т. 8. С. 1841.

167. Mciman N.N. J. Math. Phys., 1983. V.24. P. 539.

168. ХеерманМ. Полупроводниковые сверхрешетки/Пер. с англ. : М.: Мир, 1989. 582 с.

169. Алферов Ж.И., Гарбузов А-3., Арсентьев П.Н., Бер Б.Я., Вавилова ^ 1.С., Красовский В.В., Чудинов А.В. ФТП, 1985. Т. 19. С. 1108.

170. Алферов Ж.11.^Лндреев В.М., Воднев АА., Конников С.Г., ^ Ларионов В.Р, Нофебицкий КЮ., Румянцев В.А, Хвостиков В.П. Письма ЖТФ. 1986. Т. 12. С. 1089.

171. Alferov Zh., Andreev V.M., Konnikov S.G., Larionov V.K, Pushny B.V. New LPE Method of Obtaining AlGaAs I leterostructures. Kristall und Techni, 1976. V. 11, № 10. P. 1013-1020.

172. Акчурин P.X., Комаров A-B. Формирование многослойных упругонапряженных гетерокомпозиций методом ЖФЭ. I. Теор. аспекты проблемы и расчетная модель. ЖТФ, 1997. Т. 67. Кя 7. С. 42-49.

173. Т.Ф. Кулюткина, II.E. Марончук, А.В. Шорохов. Выращивание субмикронных слоев при импульсном охлаждении насыщенного раствора-расплава //Письма в ЖТФ.1995. Т.21, Вып.20. С.1-5.

174. A. V.Kalashnikov, I.EMaronchuk, AJ.Maronchuk, A V.Shorokhov. Functional Materials. 2000, V. 7. 2. P. 291-296.

175. Карих E-A- Оптоэлектроника. Учебн. пособие для студентов вузов. Минск, БГУ, 2000. 263 с.

176. Сысоев ИУ1. Метол зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлек-тронных приборов на основе многокомпонентных полупроводниковых соединений А3В5. Дис. канд. техн. наук— Новочеркасск, 1993.

177. Ф 255. Рубцов Э. Р. Особенности фазовых превращений в системах твердых растворов с низкой термодинамической устойчивостью: Дис. . канд. ф.-м.наук Санкт-Петербург, 1994.

178. Казаков All., Мокрицкий ВА., Романенко В.Н., Хитоеа^ L / под ред. Романенко В.Н. Расчет фазовых равновесий в многокомпонентных системах. -М.:Металургия. 1987. С.10-57.

179. Onabe К Thermodinamics of type Ai.xBxCi.yDy III-V qurternary soHd solutions //J. Phis. Chem. Solids. 1982. 43.11. 1071-1086.

180. Jordan A S., Ilegems M . Solid — Liquid Equilibria for Quaternary Solid Solution Involving Compound Semiconductors //J. Phys. and Cem Solids . 1975. V. 36. Nq 4. P. 329-342.

181. Киреев E.II. Исследование кинетики зонной плавки с градиентом температуры в системах Si-Au, Si-Al, Si-Al-Au: Дис. . канд. ф.-м. наук. Ростов-на-Лону,1974.

182. Finch A., Quarre И A.C.//Ргос. Phys. Soc. L. - 1934. - V. 48. - P. 148.

183. Frank F.C., Van Der Mem JA.//Ytoc. Roy. Soc. Edinburgh. A. 1949. - V. 198. - X° 1052. - P.205 -225.

184. Тхорик ЮЛ., Хазан¿ I.С. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитак-сиальных системах. Киев: Наукова думка. — 1983. - 304 с.265. ltersdorf I.//Thin soHd films. 1981. - V. 85. - № 3 - 4. - P.241 - 261.

185. Концевой ЮЛ., * Хитвинов Ю.М., Фаттахов ЗА. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь. - 1982. - 240 с.

186. Справочник по электротехническим материалам/Под ред. IO.B. Корицкого, В.В.Пасынкова, Б.М.Тареева. Т. 3. — А., Энергоатомиздат. 1988. - 726 с.

187. Ван-дер-Мерве Дж. Х//Монокристаллические пленки: Сб. статей. М.:Мир. 1966. С.172- 201.

188. Тутаковский А.К Пчеляков О.П., Стенин С.И.//Кристаллография. 1980. - Т. 25. - К? 4. - С.806 -814.

189. Mattem J.W., MaderS., Light T.B.//). Appl. Phys. 1970. - V. 41. - № 9. - P. 3800 - 3804.

190. Mattem J.W.//). Vac. Sei. and Technol. 1975. - V. 12. - 1. - P. 126 -123.

191. Олыен Г.Х., Эттенберг Л/.//Рост кристаллов: Сб. статей М.: Мир - 1981. Вып. 2. - С.9 -76.

192. Ball СЛ., Laird С.//Thin solid films. 1977. - V. 41. - До 9. - P. 307 - 314.

193. Прохоров ПЛ., Захаров Б.Г., Кунакина О.Н., Акимов Г.Г.//Поверхность. 1983. Т. 5. С.23-31.

194. Матвеев БЛ., Петров B.IL, Стусь ILM. и (^.//Поверхность. Физика, химия, механика. 1986. - N°7. - С. 41 - 44.

195. Аорфман В.Ф., Петрушиш СЛ., Шупегин Mu I.//AAI I СССР. 1979. - Т. 246. - 5. - С.1159 -1162.

196. Кузнецов В.В., Садовский В., Сорокин B.C.//ЖФХ. 1985. - Т. 59. - ,\Ъ 2. - С. 322 - 328.

197. Болховитянов Ю.Б., Юдаев В.И. Начальные стадии формирования новой фазы при жидкофазной эпитаксии соединений AniBv. Новосибирск: Ин-т физики полупроводников. - 1986. 114 с.

198. Nachoty RE, Pollack МЛ., Beere E.D. et. al.//}. Electrochem. Soc. 1978. - V.125. - X° 7. - P.1053 -1058.

199. Shattcharya P.K, Srinivasa P.K.//). Appl. Phys. 1983. - V. 54.: X> 9. - P. 5090 - 5095.

200. Nakajama K, Tanahachi T.,AkitaK et al//). Appl. Phys. 1979. - V. 50. - p.4975 - 4981.

201. GengM., Cook LW., Tashima M.M., Stillman G.E.//). Electron Materials. 1980. - V.9. - Кя 2. - P.241 -280.

202. Pearsall T.P., QuillecM., Pollack МЛ //Appl. Phys. Lett. 1979. - V. 35. - Xe 4. - P.342-344.

203. E. Lendvay, УЛ. Gevorkyan, L Petras, I. Po^sgal, T. Görög and an. Tóth Liquid phase epitaxy of AlGalnSb Journal of Crystal Growth, North-Holland, Amsterdam, 1985. V. 73, P. 63 -72.

204. Попов В.П., Буддо В.И., Вяасенко Н.В., Зотов у1.П., * озовский В.Н., ¿ [упин^ Í.C., Марьев В.Б., Сапеякин C.II. Способ выращивания эпитаксиальньгх слоев тройного соединения//А.с. СССР 614573 от 14.03.1978.

205. Рогачева Э.Д., Розенбяюм АЛ., Варламова Г.Б., Бормотова* 1.11. Статистическое исследование заро-дышеобразования эпсомита при нестационарных условиях кристаллизации // "Кристаллизация и свойства кристаллов", Новочеркасск, 1975. С.32.

206. Кидяров Б.П., Болховитянов Ю.Б., Аемьянов ЭЛ. Статистическое исследование кинетики зародыше-образования в расплавах. ЖФХ., 1979, Х» 3.

207. Кидяров Б.И. Кинетика начальной стадии кристаллизации полупроводников и пьезоэлектриков из расплавов и растворов: Дис.канд. ф.-м. наук. Новосибирск, 1973.

208. Скрипов Н.П. Метастабильная жидкость. М., Наука, 1972.

209. Бахвалов П.Г. Численные методы М., Наука, 1982 .427 с.

210. Alfimova D.h., Konstantinov PA., ~Lunin L.S. Efficiency ssolar cells for mechatronik// 2nd Polish-German Workshop. Werkreuge der Mechatronik 14-15 may, 1998. Ilmenay, Deutschland. Ilmenay,1998.

211. Зиновьев В.Г., Моргун A.H., Уфимцев В.Б. Поведение висмута в эшггаксиальных слоях GaSb<Bi> // Изв. РАН. Неорган, материалы. 1993. Т.29. № 2. С. 177-180.

212. Алфимова 1., Благим A.B., Овчинников ВА. Получение и свойства висмутсодержащих пленок GaAsP<Bi>. Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр/Южно-Рос. гос. техн. ун-т (НПИ), Новочеркасск: Набла, 1999 - С. 66-70.

213. Ж. Москвин П.П., СорокинВ.С//ЖФХ. 1983. Т. 57. Вып. 7. С. 1684 1689.

214. Попов В.П., Мшибашева 1Л. Влияние температурных условий на форму жидкого включения в анизотропном кристалле//! 1зв. Сев.-Кавк. науч. центра высшей школы. Естественные науки. 1975. Л°2. С. 40-42.

215. Овчаренко А.Н. Нелинейные явления в процессе эволюции межфазных границ при ЗПГТ: Дисканд. ф.-м. наук. Новочеркасск, 1988.

216. Кулинич Н.В. Эволюция межфазных границ в процессе ЗПГТ с учетом гидродинамических эффектов: Дисканд. т. наук. Новочеркасск, 1998.

217. ТА.Черепанова. Флуктуационньш механизм неустойчивости растущих граней кристаллов. Докл. АН СССР. 1976. Т.226. Л° 5. С.1066-1068.

218. Сизов Ф.Ф., Козырев Ю.Н., Кладько В.П., Пляцко C.B. Эпитаксиальные слои и сверхрешетки Si/Sii-,Gex. Получение и структурные характеристики // Физика и техника полупроводников, 1997. Т.31. N° 8. С. 922-925.

219. Clemens В.М., Gay J.G. Phys. Rev. V. 35. 1987. P. 9337.

220. Нг'/sum C. Rees H. D. Tree-level occillator : a new for of transferred — electron device/Electron letters, 1970, V. 6. 9. P. 277 278.

221. Фалеев H.H., Чалдышев B.B., Куницын A.E., Третьяков B.B. и др. //ФТП, 1998. Т. 32. Л° 1. С. 24-31.

222. Твердые растворы в полупроводниковых системах. Справочник/ Под ред. B.C. Земскова. - М.: Наука, 1978. 197 с.

223. Аксененко М.Д., Красовский ЕЛ. Фоторезисторы. М.:Сов.радио, 1973. С.28.

224. Свечников Г.С. Тенденции развития фотоприемников для систем обработки оптической информации (обзор)//Журнал прикл. спектроскопии, 1986. Т.54. С.11-26.

225. Е.Я Глушко, В.Н. Евтеев. Расчет иерархической сверхрешетки PbS-C в полиямной модели. ФТП, 1997. Т. 31. ЛУ7. С. 889-892.

226. Бяагин Л.В., Кодин В.В., Алфимова ■!•> Баранник АЛ. Влияние условий выращивания на распределение InBi в варизонных слоях In.Sbi.vBi*, полученных при однократном проходе плоской зоны.// Изв. вузов. Сев.- Кавк. регион. Техн. науки. 2002, Л» 4. С. 77-81.

227. Intersubband transitions in qantum wells / Ed. E. Rosencher, B. lue vine // NATO ASI Series. Ser. В. Phusics. V. 288. Plenum Press. N.-Y. and London, 1992.

228. Vaist J., Capasso E, Sivico D.L. et ai. 1994. V. 264. P. 553-556.

229. Gauthier O.-Lafaje, Sauvage S. BoucaundP. et. al. //Appl. Phus. Lett. 1997. V. 70. N. 24. P. 3197-3199; Proceedings of Intern. Sumpos. "Nan o s truc tures: Phusics and Technology". St. Petersburg, 1997. P. 567-570.

230. Л.Е.Воробьев, A-А.Фирсов, ВЛ.Шалыгин и др. Спонтанное длинноволновое межуровневое излучение в лазерных структурах с квантовыми точками/Письма в ЖТФ, 1998. Т. 24. Х° 15. С. 20 26.