Кросс-релаксационный YAG:Er3+ лазер тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.04 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ОБЗОР ЖГЕРАТУШ.

§ I. Методы увеличения эффективности твердотельных лазеров

§ 2. Кристаллические лазеры среднего ИК диапазона Л > 2 мкм)

§ 3. Спектроскопические и генерационные исследования кристаллов иттрий-алюминиевого граната, активированного ионами Ег3+

ГЛАВА П. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ИОН-ИОННОГО ПЕРЕНОСА

ЭНЕРГИИ В КРИСТАЛЛАХ ИЭАГ.

§ I. Разновидности ион-ионного переноса энергии электронного возбуждения (по литературе).

§ 2. Кросс-релаксационные переходы -*"

41я/ иона Ег*3+ в ИАГ. а) спектр генерации на переходе ~~ при селективном возбуждении. б) спектр генерации на кристаллах ИЭАГ при азотной температуре

§ 3. Кросс-релаксационные переходы с уровня кооперативный процесс)

ГЛАВА Ш. ВЛИЯНИЕ КРОСС-РЕЛАКСАЩИ НА ПРОЦЕССЫ ФОРМИРОВАНИЯ

ИНВЕРСНОЙ НАСЕЛЕННОСТИ И ГЕНЕРАЦИИ НА ПЕРЕХОДЕ ИША £^ВИАГ.

§ I. Анализ балансных уравнений. Условие стационарной инверсии на переходе - ^/¿з^

§ 2. Генерация на переходе ^Infa — ^/J^ при накачке импульсами миллисекундной длительности

§ 3. Расчет скоростных уравнений на ЭВМ

§ 4. О предельном КПД лазера на кристаллах ИЭАГ.

§ 5. О возможности получения непрерывной генерации на переходе ^Ilife ~ ^ ^ =2,94 мкм) в кристаллах ИЭАГ.

ГЛАВА 1У. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ИАГ: £л/3+

ЛАЗЕРА.

§ I. Тепловой режим работы кристаллов ИЭАГ а) измерение тепловых потерь в кристаллах ИАГ: ЕЛ3+. б) тепловая линза.

§ 2. Эффективный импульсно-периодический ИАГ: лазер а) резонатор лазера. б) длительность импульса возбуждения . НО в) влияние концентрации на КПД лазера. НО г) энергетические параметры лазера в режиме свободной генерации. ПЗ

В последнее десятилетие большое внимание уделяется поиску и исследованию активированных кристаллов для создания эффективных лазеров, работающих при комнатной температуре в трехмикронной области спектра. Лазеры этого диапазона необходимы для решения фундаментальных задач в физике твердого тела [I] , квантовой электронике [2] , молекулярной спектроскопии [з] , медицине [4] и т.д. Несмотря на то, что к настоящему времени выполнен широкий круг работ по исследованию как активированных кристаллов, так и лазеров на их основе, проблема создания эффективного твердотельного лазера трехмикронного диапазона оставалась нерешенной. Этот диапазон был представлен лишь химическими и газовыми лазерами [б] .

Говоря о трудностях продвижения в длинноволновую область спектра, следует отметить следующее:

Во-первых, выбор некогерентных источников накачки ограничен Максимум светоотдачи наиболее эффективных из них - газоразрядных ламп - лежит в видимом диапазоне спектра, что приводит к большим стоксовым потерям и уменьшению энергетической эффективности накачки. В связи с этим необходим поиск активных сред, а также новых функциональных схем и принципов возбуждения лазеров, позволяющих наиболее эффективно использовать излучение накачки.

Во-вторых, переходы, на которых получен эффект генерации в трехмикронной области спектра при комнатной температуре ( ~~ для иона и Для иона

Но»* ) обладают рядом специфических особенностей. Для данных переходов характерно большое время жизни нижнего лазерного уровня, значительно превышающее время жизни верхнего. Такие переходы известны в литературе как "самоограниченные". Инверсная населенность на самоограниченном переходе может быть реализована только при импульсной накачке. Накопление возбужденных центров на долгоживущем нижнем уровне приводит к снижению усиления. Получение высоких КЦЦ кристаллических лазеров, работающих с ламповой накачкой на таких переходах, связывалось многими авторами с разработкой эффективных методов ускорения дезактивации нижнего лазерного уровня. Однако, работы в этом направлении не привели к положительному результату.

Одним из методов повышения эффективности ламповой накачки является увеличение концентрации активных центров в лазерной среде. В многочисленных работах последних лет по исследованию активных сред для лазеров трехмикронного диапазона большое внимание уделяется поиску высококонцентрированных кристаллов [табл.1.3] .

Наиболее перспективным лазерным материалом на сегодняшний день являются кристаллы со структурой граната, активированные редкоземельными ионами. В 1974 году в работе [б] была получена генерация на переходе иона Е?"3* в кристаллах иттрий-алюминиевого граната 0^ (ИАГ) при концентрации ионов Ег^* 30 вес.%. В дальнейшем авторами этой работы был проведен широкий круг спектрально-люминесцентных исследований системы ( Уу.^ у ^^ )3 Ав5 * Показано, что верхний лазерный уровень не подлежит концентрационному тушению вплоть до полного замещения ионов У на ионы Ёг^и генерация была получена во всем концентрационном ряду при 0 < ^ I, реализованы различные режимы работы лазера: свободная генерация, модуляция добротности, частотный режим. Проведенные исследования показали, что спектроскопические характеристики лазерного перехода " иона ^ в ИАГ значительно отличаются от характеристик наиболее эффективных четырехуровневых сред, для которых характерны близкий к I квантовый выход люминесценции с верхнего лазерного уровня - и высокая скорость дезактивации нижнего лазерного уровня. Люминесценция с уровня иона Ер3+ ИАГ сильно потушена за счет многофононных переходов, квантовый выход люминесценции не превышает 1,5%. Время жизни нижнего лазерного уровня более чем в 20 раз превышает время жизни верхнего лазерного уровня. Сечение вынужденных переходов на длине вол

•ч 20 2 ны Л =2,94 мкм составляет 2,6*10 см . Анализ полученных с 3+ спектроскопических данных показывал, что кристаллы ИАГ: с/" не удовлетворяют традиционным требованиям, предъявляемым к средам, генерирующим по четырехуровневой схеме и вопрос о возможности создания эффективного лазера на этом кристалле оставался открытым.

Наше внимание было обращено на особенности схемы энергетических уровней иона ЕР , где наличие большого числа ре-зонансов способствует развитию различных процессов безызлуча-тельного переноса энергии возбуждения за счет ион-ионного взаимодействия (кросс-релаксация). В такой системе при больших концентрациях активатора и при высоких уровнях возбуждения кросс-релаксация приводит к значительному перераспределению населенностей уровней. До настоящего времени взаимодействие одноименных центров в активных средах рассматривалось как отрицательное явление, приводящее к концентрационному тушению люминесценции, которое ограничивало введение высоких концентраций активатора. Впервые нами было обнаружено, что кросс-релаксация в лазерах может играть положительную роль, приводя к значительному увеличению инверсии и повышению энергетической эффективности ламповой накачки. г 3+

Как будет показано в настоящей работе, в ИАГ:пЛ лазере накопление возбужденных ионов на нижнем долгоживущем лазерном уровне приводит к их эффективному взаимодействию и переносу энергии возбуждения с нижнего лазерного уровня на верхней взаимодействия возбужденных ионов носит существенно нелинейный характер и его вероятность зависит от населенности нижнего лазерного уровня. При определенном уровне возбуждения вероятность этих переходов превышает вероятность радиационного распада нижнего лазерного уровня, в лазере реализуется трехуровневая схема генерации и возможно установление стационарной инверсии на переходе \ ^у^ — • Наряду с этим, в системе имеет место взаимодействие возбужденных ионов с невозбужденными (резонансные переходы ^^, ^ * веР0"" ятность которых зависит от концентрации активатора. При больших г концентрациях ионов с/* вклад этих переходов в заселение лазерных уровней становится определяющим. В данном случае кросс-релаксация приводит к уменьшению потерь на вспомогательных переходах. Анализ энергетического баланса ИАГ: лазера, выполненный с учетом имеющих место резонансных переходов показал, что предельный КПД ИАГ: Ел3*лазера значительно ( в три раза) превышает КОД, определяемый стоксовыми потерями. резонансные переходы

Процесс

Работа посвящена исследованию влияния кросс-релаксации на формирование инверсии и процессы генерации в ИАГ: Е?3*лазере ( Л =2,94 мкм). Проведенные исследования позволили целенаправленно подойти к выбору условий возбуждения кристаллов ИАГ: и создать первый в мире эффективный лазер трехмикронного диапазона, работающий при комнатной температуре (КПД 1,5%, дифф. КОД 3%, средняя мощность 16 Вт).

Диссертация состоит из 4-х глав, введения и заключения.

В первой главе дан литературный обзор методов повышения эффективности преобразования энергии накачки в стимулированное излучение. Приведены параметры эффективных твердотельных лазеров среднего ИК-диапазона. Рассматриваются особенности лазерных переходов,на которых получен эффект генерации в трехмикронной области спектра при комнатной температуре; особое внимание уделяется системе (У)Ег')3Ав^ (переход Л =2,94 мкм).

Вторая глава посвящена экспериментальному исследованию кросс-релаксации в кристаллах ИАГ: Ер . Разработана методика исследования кросс-релаксационных переходов с уровня •

Изучен спектр генерации на переходе — при различных условиях возбуждения. Показано, что дезактивация состояния оз^ осуществляется, в основном, за счет кросс-релаксационных переходов »

Исследована кинетика люминесценции на переходах » иона в ИАГ* Показано, что имеет место процесс взаимодействия возбужденных ионов, при котором осуществляются переходы — »

Описана методика определения константы скорости возбуждений за счет данных переходов.

В третьей главе обсуждается влияние кросс-релаксации на кинетику и эффективность генерации ИАГ: лазера.

На основе анализа кинетических уравнений показано, что на переходе ~ может быть реализована стационарная инверсия. Приведен расчет скоростных уравнений на ЭВМ.

Экспериментально реализован квазинепрерывный режим генерации при накачке импульсом прямоугольной формы длительностью 2 мс. Получено хорошее согласие экспериментальных результатов с расчетами, выполненными с учетом процесса взаимодействия возбужденных ионов.

В четвертой главе основное внимание уделяется вопросам, связанным с реализацией высоких энергетических показателей лазера на кристаллах ИАГ: Ер , работающего в режиме свободной генерации. Изучен тепловой режим кристаллов. Проведен выбор оптимальных условий возбуждения. Достигнутый КПД лазера составил 1,5$.

В заключении приведены основные результаты работы.

Основные результаты работы заключаются в следующем:

1. Выяснен механизм образования инверсной населенности перехода ^¿Н/л ~ ^^ иона ^ ^ в кристаллах иттрий-эрбий-алюминиевого граната: а) впервые на основе спектрально-люминесцентных исследоваг з+ ний установлено, что в кристаллах ИАГ: СЛ имеет место перенос энергии возбуждения с долгоживущего нижнего уровня на верхний лазерный уровень. Показано, что данный процесс связан с взаимодействием ионов , . возбужденных до энергии состояния . Измерена константа скорости переноса ).

При концентрации ионов Ер 50 вес$ 'СО'к =2,5* Ю'^см^/с. Вероятность кросс-релаксации ( , ) при уровнях возбуждения характерных для режимов генерации прео т вышает 10 сек ; б) изучение спектра генерации на переходе — -при возбуждении кристаллов в различные области спектра поглощения (0,3-1,2 мкм) и (0,6-1,2 мкм) показало, что релаксация энергии возбуждения с уровня осуществляется по кросс-релаксационному механизму. При этом уменьшаются потери энергии на вспомогательном переходе — и увеличивается скорость заселения нижнего лазерного уровня.

2. Впервые проведен анализ работы лазера на основе кинетических уравнений, составленных с учетом кросс-релаксационных процессов. Показано, что на переходе

43/^ может быть реализована стационарная инверсная населенность, если и г вероятность кросс-релаксационных переходов с уровня 1 43 превышает скорость спонтанного распада этого состояния (трехуровневая схема генерации). Получено аналитическое выражение для скорости накачки, необходимой для установления етацио

4т 47 нарной инверсии лазерного перехода 1 //Д •^меет мес~ то хорошее соответствие с экспериментальными результатами по режимам работы и энергетическим параметрам лазера.

3. Создан кросс-релаксационный лазер на кристаллах ШГгЕР** с высокими энергетическими характеристиками в режиме свободной генерации:КОД 1,5%, дифференциальный КПД 3%. Выходная энергия до 6 Дж при длительности импульсов генерации до 1,5 мс. При частоте повторений 10 Гц получена средняя выходная мощность 20 Вт.

В заключении автор диссертации считает приятным долгом выразить благодарность Т.М.Муриной и В.И.Жекову за научное руководство работой, академику А.М.Прохорову за постоянное внимание к работе, Х.С.Багдасарову, Л.А.Кулевскому и А.А.Манен-кову за научное сотрудничество и плодотворные обсуждения, а также всем сотрудникам лаборатории Колебаний, которые способствовали выполнению данной работы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Зубов Б.В., Калинушкин В.П., Крынецкий Б. В., Мишин В.А., Мурина Т.М., Прохоров A.M. Рассеяние света в Ge п-типа при объемном возбуждении неравновесных носителей. - Письма в ЖЭТФ, 1974, т.20, вып.З, с.167-170.

2. Давыдов A.A., %левский Л. А., Прохоров A.M., Савельев А. Д., Смирнов В.В. Параметрическая генерация CdSe с накачкой от лазера на CaF2 : Dy2+ . Письма в ЖЭТФ, 1972, 15,с.725.

3. Кавецкий P.E., Полищук Е.И., Гамалея Н.Ф., Мурина Т.М., Шевель А.Ф. Первый опыт применения импульсного диспрозиево-го лазера в хирургическом эксперименте. I Всесоюзная конференция "Средства и методы квантовой электроники в медицине".

4. Справочник по лазерам, /под общей редакцией А.М.Прохорова М.: Сов.радио, 1978, т.1, с.504.

5. Каминский A.A. Современные тенденции развития физики и спектроскопии лазерных кристаллов. Изв.АН СССР сер.физ., 1981, т.45, № 2, с.348-358.

6. Каминский A.A., Мак A.A., Пашинин П.П., Попов Ю.М. Достижения в области лазеров на основе конденсированных сред. В кн.: Справочник по лазерам, /под общей редакцией А.М.Прохорова - М.: Сов.радио, 1978, тЛ, с.237-259.

7. Вебер М.Дк. Лазеры на диэлектрических кристаллах. В кн.: Справочник по лазерам. / под общей редакцией А.М.Прохорова -М.: Сов.радио, 1978, т.1, с.259-296.

8. Каминский A.A. Новые лазерные кристаллы с ионной структурой. В кн.: Справочник по лазерам / под общ. ред. А.М.Прохорова - М.: Сов.радио, 1978, т.1, с.296-324.

9. Методы расчета оптических квантовых генераторов / подобщ.редакцией Б.И.Степанова Минск: Наука и техника, 1966, т.I - 484 е., 1968, т.2 - 656 с.

10. Микаэлян А.Л., Тер-Микаэлян М.Л., Турков Ю.Г. Оптические генераторы на твердом теле. М.: Сов.радио, 1967 - 384 с.

11. Белостоцкий Б.Р., Любавский Ю.В., Овчинников В.М.

12. Основы лазерной техники. Твердотельные ОКГ /под ред.А.М.Прохорова М.: Сов.радио, 1972 - 408 с.

13. Koechner W., Solid-State laser engineering New York:1. Springer, 1975, 620 p.

14. Реди Дк. Промышленное применение лазеров. М.: Мир, 1981 - 638 с.

15. Каминский A.A. Лазерные кристаллы М.: Наука, 1975 -256 с.

16. Эммет Л., Крупке У.Ф., Тренхолм Дк.Б. Будущее мощных твердотельных лазерных систем. Квантовая электроника, 1983, т.Ю, № I, с.5-43.

17. Импульсные источники света / под ред. И.С.Маршака М.: Энергия, 1978 - 472 с.

18. Johnson L.F., Van Uitert L.G., Rubin J.J., Thomas R.A. Energy transfer from Er^+ to Тв?+ and Ho^+ ions in crystals. Phys.Rev., 1964, v.133A, Ho1, p.494-498.

19. Воронько Ю.К., Каминский A.A., Осико В.В., Прохоров A.M. Новый тип кристаллов для ОКГ с оптическим возбуждением. -Изв. АН СССР, сер.неорганические материалы, 1966, т.2,7, C.II6I-II70.

20. Devor D.P., Soffer В.Н., Robinson М. Stimulated emission from Ho3+ at 2 jrn in HoF^. Appl.Phys. Lett., 1971, 18, 122-144.

21. Liberman I., Larson D.A., Church C.H. Efficient Nd:YAG CW laser using alkali additive lamps. IEEE J.Quant Electr. 1969, v.5, No.5, p.238-241.

22. Баранов С.А., Колпакова И.В., Кононова М.Ю. Об эффективности накачки лазеров импульсными ксеноновыми лампами с интерференционными покрытиями. Квантовая электроника, 1978, т.5, с.174-176.

23. Водопьянов К.Л., Ильичев Н.Н., Малютин А.А.,Подгаецкий В.М. Повышение эффективности неодимовых лазеров преобразованием излучения накачки в люминесцирующей жидкости. Квантовая электроника, 1979, 6, № 8, с.1795-1798.

24. Алферов Ж.И., Андреев В.И., Гарбузов Д.З., Давидюк Н.Ю., Ларионов В.Р., Пашинин П.П., Прохоров A.M., Тучкевич В.М.

25. Модель лазера на основе YAG : Bä?+ с полупроводниковым преобразователем в системе накачки. Квантовая электроника, 1976, 3, № б, с.1349-1352.

26. Басов Ю.Г. Влияние отраженного излучения на импульсный ксеноновый разряд в кварцевых трубках. ЖПС, 1981, т.35, № 3, с.389-402.

27. Ostermayer P.W., Allen R.B., Dierschke E.G. Roomtemperature CW operation of GaAs1-3C Px diode pumped M : YAGlaser. Appl. Phys. Lett, 1971, v. 19, Ho. 10, p. 289-292.

28. Мхитарян В.М., Никогосян В.P., Партамян X.B. Возбуждение рабочих примесей в лазерных кристаллах при электрическом разряде. Квантовая электроника, 1982, т.9, № 10,с.2081-2082.

29. Гапонцев В.П., Жаботинский М.Е., Изынев A.A., Кравченко В.Б., рудницкий Ю.П. Эффективное преобразование индуцированного излучения 1,054— 1,54 мкм. Письма в ЖЭТФ, 1973, т. 18, вып.7, с.428-431.

30. Жеков В.И., Лобачев В.А., Мурина Т.М., Прохоров A.M. Эффективный лазер кросс-релаксационного типа с Л =2,94мкм. Квантовая электроника, 1983, 10, 9, с.1871-1874.

31. Костин В.В. Энергетические характеристики, температурный2+режим и конструкция ОКГ на Са?2 : Dy . Дис. канд. техн.наук. М., ФИАН, 1973 - 146 с.

32. Beck R., Gurs К. Ho-laser with 50-W output and 6,5 % slope efficiency. Jornal of Applied Physics, 1975, v.46, No.12, p.5224-5225.

33. Weber M.J., Bass M., Varitimos Т.Е., Bua D.P. Laser Action from Ho3+, Ep+ and Tm3+ in YALO^ IEEE Jorn. of Quantum Electronics, 1973, v. QE-9, Ho.11, p.1079-1084.

34. Chicklis E.P., Naiman C.S., Folweiler R.C., Gable D.R.,

35. Jenssen H.P., Linz A. High-efficiency room-temperature3+206 mm laser using sensitized Ho"' : YLF. Appl. Phys. Lett. 1971, 19, N0.4, p. 119-121.

36. Robinson М., Devor D.P. Thermal switching of laser emission of Er^+ at 2.69 m and Tm^+ at 1.86 ra in mixed crystals of CaFgiEriyiEmFy " Appl. Phys. Letts., 1967, 10, 167-170.

37. Батыгов С.Х., Кулевский Л.А., Лаврухин С.А.Лазер на Кристаллах CaFg-Erí^ . In: Kurzfassungen. Internationale Tagung "Laser

38. Teil 2, Dresden, 1973, S.K 97.

39. Батыгов С.Х., булевский Л.А., Прохоров A.M., Осико B.B., Савельев А. Д., Смирнов В.В. Лазер на кристалле СаР2-Ер+ при комнатной температуре. Квантовая электроника, 1974, т.1, № 12, с.2633-2635.

40. Гомелаури Г.В., %левский Л.А., Осико В.В., Савельев А.Д., Смирнов В.В. Одномодовый лазер на СаР2 : Ег3+ с модулированной добротностью. Квантовая электроника, 1977, т.З, № 3, с.628-629.

41. Жеков В.И. Спектрально-люминесцентные и генерационные свойства кристаллов иттрий-эрбий-алюминиевого граната. Дис. канд.физ.-мат.наук. М., ШАН, 1977. - 128 с.

42. Багдасаров Х.С., Данилов В.П., Жеков В.И., Мурина Т.М.,

43. Маненков A.A., Тимошечкин М.И., Прохоров A.M. Импульсныйз+лазер на кристаллах Y3A15°12 : Ег с высокой концентрацией активатора в частотном режиме. Квантовая электроника, 1978, т.5, № I, с.150-152.

44. Chicklis Е.Р., Naiman O.S., Esterowitz L., Allen R., Deep red emission in Но:¥Ы?. IEEE J.Quant. Electron., 1977, v. QE- 13, No. 11, p. 893-895.3+

45. Каминский A.A. Неорганические материалы с Ln ионами для получения стимулированного излучения трехмикронного диапазона. Неорганические материалы, 1979, т. 15, № 6, с.1028-1036.

46. Каминский A.A., Павлюк A.A., Чан Нгок, Бобович Л.И., Федоров В.А., Любченко В.В. Трехмикронное стимулированное излучение ионов в кристаллах KY(wo^)2 при 300 К. Доклады АН СССР, 1979, т.245, с.575.

47. Каминский A.A., Б|утаева Т.И., Иванов А.О., Мочалов И.В.,

48. Петросян А.Г., Рогов Г.И., Федоров В.А. Новые данные о3+ 3+стимулированном излучении кристаллов с ионами Er и Но .- Письма в ШТФ, 1976, т.2, с.787-793.

49. Каминский A.A., Иванов А.О., Саркисов С.Э., Мочалов И.В., Федоров В.А., Ли Л. Комплексные исследования спектрально- генерационных характеристик кристалла LuAio^ с ионами Hd3+ . ЖЭТФ, 1976, т.71, в.З, с.984-1002.

50. Каминский A.A., Бугаева Т.И., Кеворков А.М., Федоров В.А., Петросян А.Г., Гриценко М.М. Новые данные о стимулированном излучении кристаллов с высокой концентрацией ионов- I. неорганические материалы, 1976, т.12, с.1508-1511.

51. Каминский A.A., Федоров В.А., Нгок Чан. Трехмикронное стимулированное излучение ионов Но3+ в кристаллах ЬаНЪО^- Ж. неорганические материалы, 1978, т.14, № 7, 1357.

52. Бутаева Т.И., Каминский A.A., Петросян А.Г., Багдасаров Х.С. Стимулированное излучение при 300°К кристалловс ионами Но3+ и LP . ДАН Арм.ССР, 1976, т.63, № 4, с.232-238.

53. Каминский A.A., Петросян А.Г. Сенсибилизированное стимулированное излучение на самонасыщающихся трехмикронных переходах ионов Но-*+ и ЕзР+ в кристаллах Lu^ai^o12- Ж. неорганические материалы, 1979, т.15, с.543-544.

54. Johnson L.F., Guggenheim H.J. Laser emission at

55. Зуит from Dy3+ in BaYgFg. Appl. Phys. Letts., 1973,v.23, No.2, p.96-98.

56. Антипенко Б.М., Ашкалунин A.M., Мак A.A., Синицын Б.В., Томашевич Ю.В., Шахкаламян Г.С. Трехмикронная генерация на ионах Dy3+ . Квантовая электроника, 1980, 7, № 5, с.983-986.

57. Ткачук A.M., Петров М.В. Оптические спектры и многочастотная генерация вынужденного излучения кристаллов LiYF^-Er3* .- Оптика и спектроскопия, 1978, 45, вып.1, с.147-154.

58. Каминский A.A., Павлюк A.A., Бутаева Т.И., Бобович Л.И., Любченко В.В. Стимулированное излучение в диапазоне 2,8Ьдкм самоактивированного кристалла KEr(wo4)2 . ж. неорганические материалы, 1979, т.15, с.541-542.

59. Prokhorov A.M., Kaminskii A.A., Osiko V.V., Timoshechkin M.I. Zharikov E.V., Sarksov S.E., Petrosyn A.G., Butaeva T.I. Investigations of the 3 mkm stimulated emission from Er ions. Phys. Stat. Sol.(a), 1977, v.40, k69-k72.

60. Kaminskii A.A., Butaeva T.I., Fedorov V.A., Bagdasarov Kh.S., Petrosyn A.G. Absorption, luminescence and stimulated emission investigations in Lu^Al^O^g-Er^*" Crystals.

61. Phys. Stat. Sol.(a), 1977, v.39, p.541-548.

62. Каминский А.А. Новая функциональная схема трехмикронныхкристаллических лазеров,- Доклады АН СССР, 1979, т. 246, I, с. 63 65.

63. Kaminskii А.А., Petrosyn A.G., Denisenko G.A., Butaeva T.I.,

64. Fedorov V.A., Sarkisov S.E. Spectroscopie properties and 3mkmstimulated emission of ions in (Y- Er Alc 0„o1.х x J 5 12end (bu^^r^)" А1,-012 garnet crystal sistem. Phys.

65. Status Sol.(a), 1982,71,2, p.291-313.

66. Андриасян M.A., Варданян H.B., Костанян P.Б. О влиянии4 Тпоглощения энергии возбуждения с уровня ^Л ионов эрбия на режим работы лазеров на кристаллах $ Яг

67. Квантовая электроника, 1982 , 9, №6, с. 1269-1271.

68. Андриасян М.А. , Варданян Н.В., Костанян Р.Б. Миллисекуццный лазер на ' .- Квантовая электроника,1982, №3, с. 604 605.

69. Johnson L.F., Geusic J.E., Van Uitert L.G. Coherent oscillations from Tm3+, Ho3+, Yb3+ and

70. Er^+ ions in yttrium aluminium garnet• Applied Physics letters, 1965, v.7, N0.5, p.127-129.

71. Johnson L.P., Geusic J.G., Van Uitert L.G. Efficient, high-power coherent emission from Ho^+ ions in yttrium aluminium garnet assisted by energy transfer. Applied Physics letters, 1966, 8, 200-202.

72. Васильев И.В., Зверев Г.М., Колодный Г.Я., Онищенко A.M. О резонансной передаче энергии возбуждения между примесными редкоземельными ионами. ЖЭТФ, 1969, 56, вып.1,с.122-133.

73. Зверев Г.М., Колодный Г.Я., Онищенко A.M. Резонансные и нерезонансные процессы передачи энергии возбуждения от ионов Ти^+ и Но^+ к ионам Ег^+ в кристаллах

74. Y, Ег)3 А15 012 . ЖЭТФ, 1969, 57, вып.3(9), с.794-805.

75. Зверев Г.М., Колодный Г.Я., Онищенко A.M. Безызлучательные переходы между уровнями трехвалентных редкоземельных ионов в кристаллах иттриево-алюминиевого граната. ЖЭТФ, 1971, 60, вып.З, с.920-928.

76. Зверев Г.М., Гармаш В.М., Онищенко A.M., Пашков В.А., Семенов А.А., Колбацков Ю.М., Смирнов А.И. Индуцированное излучение трехвалентных ионов эрбия в кристаллах иттриево--алюминиевого граната. ЖПС, 1974, 21, с.820-823.

77. Judd B.R. Optical absorption intensities of rare-earth ions. Phys. Rev.,1962, v. 127, p.750-761.

78. Ofelt G.S. Intensities of crystal spectra of rare-earth ions. J.Chem. Phys., 1962, v. 37, p.511.

79. Riseberg L.A., Moos H.W. Multiphonon orbit lattice relaxation of excited states of rare-earth ions in crystals. Phys. Rev., 1968, 174, p.429-438.

80. Антипенко Б.М., Томашевич Ю.В. Параметры интенсивности для Ег3+ , Но3+ и в кристалле иттрий-алюминиевого граната. ЖПС, 1978, 44, вып.2, с.272-275.

81. Koningstein J.A., Geusic J.E. Energy levels and crystal-field calculations of Er3+ in yttrium aluminium garnet. Phys. Rev., 1964, 136 A,p.726-728.

82. Kaminskii A.A., Laser Crystal, their physics and properties, Springer-Verlag, Berlin / Heidelberg / New York 1981.

83. Thornton J.R., Rushworth P.M., Kelly E.A.,Memillan R.W., and Harper L.L. in Proc. 4-th Conf. Laser Technology,v. 2, Univ. Michigan, Ann Arbor 1970 (p.1249).

84. Ашуров M.X. Структура и спектроскопические свойства лазерных кристаллов, содержащих ионы гольмия и эрбия.- Дисс. канд.физ.-мат.наук. М., ®АН, 1978. 142 с.

85. Ашуров М.Х., Басиев Т.Т., Воронько D.K., Жариков В.И., Мурина Т.М., Осико В.В., Тимошечкин М.И., Щербаков И.А. Безызлучательные потери на переходе 1— ±иона в кристаллах Y^A15012 , Gd^SigAi^O^ ,

86. Gd^Ga^012 , CaP2 . Квантовая электроника, 1978, 5, с.1028-1033.

87. Georgescu S. Energy levels and some spectroscopic characteristics of Br3+ in YAG. Rev.Roum. Phys., 1982, 27, No.6-7, p.633-637.

88. Van Uitert L.G., Johnson L.F. Eneigy transfer between rare-earth ions. J.Chem. Phys., 1966, 44, 9,p.3514-3522.

89. Овсянкин В.В., Феофилов П.П. 0 механизме суммирования электронных возбуждений в активированных кристаллах. -Письма в ЖЭТФ, 1966, т.З, с.494-497.

90. Ливанова Л.Д., Сайткулов И.Г., Столов А.Л. Процессы суммирования квантов в монокристаллах СаР2 и SrP2 t активированных ионами »3+ и Yb3+ . . иг, 1969, т.II, № 4, с.918-923.

91. Ostermayer P.W., Van Vitert L.G. Cooperative energy transfer from Yb^"1" in YP^. Proc. Rev., B, 1970, v. 1, No. 11, p. 4208-4212.

92. Феофилов П.П. Кооперативные оптические явления в активированных кристаллах. В кн.: Физика примесных центровв кристаллах. Таллин: АН ЭССР, 1972, с.539-563.

93. Auzel P. Compter quantique par transfert d'energie deux ions de terres rares dans un tungstate mixte et dans un verre. C.R.Acad. Se. Paris, 1966, v.262, p.1016-1019.

94. Овсянкин В.В., Феофилов П.П. Кооперативная люминесценция конденсированных сред. ЖПС, 1967, т.7, с.498-506.

95. Johnson L.F., Guggenhein H.J, Rich Т.О., Octermayer F. Infrared-to-visible conversion by rare-earth ions in crystals. J.Appl. Phys., 1972, v. 43, Ho./3, p. 1125-1137.

96. Толстой H.A., Абрамов А.П. Свечение солей уранила при повышенном уровне оптического возбуждения. Оптика и спектр., 1966, т.21, вып.2, с.171-177.

97. Овсянкин В.В. Об эффективности кумуляции энергии возбуждения в кристаллах ВаР2 Ег/3+ . - Оптика и спектр., 1970, т.28, с.206-208.

98. Овсянкин В.В., Феофилов П.П. Кооперативная сенсибилизация люминесценции в кристаллах, активированных редкоземельными ионами. Письма в ЖЗТФ, 1966, т.4, с.471-473.

99. Озель Ф.Е. Материалы и устройства, использующие антисток-совы люминофоры с переносом энергии. ТИИЭР, 1973, т.61, № 6, с.87-120.

100. Johnson L.F., Guggenheim H.J. Infrared-pumped visible laser. Appl. Phys. Letts., 1971, v. 19, No. 2, p. 44-47.

101. Johnson L.F., Guggenheim H.J. New laser in the visible from Er^+ ions in BaYgFg. Appl. Phys. Letts, 1972, v. 20, p. 474-477.

102. Мак А.А., Антипенко Б.М. Редкоземельные преобразователи спектра излучения неодимовых лазеров. ЖПС, 1982, т.37, № 6, с.1029-1045.

103. Жеков В.И., Зубов Б.В., Лобачев В.А., Мурина Т.М., Прохоров A.M., Шевель А.Ф. Механизм образования инверснойf. — т о ,населенности между уровнями и иона Егв кристаллах . Квантовая электроника,1980, 7, 4, с.749-753.

104. Жеков В.И., Лобачев В.А., Мурина Т.М., Прохоров A.M. Спектр генерации на самонасыщащихся переходах в высококонцентрированных средах. Квантовая электроника, 1981, 8, 2, с.451-454.

105. Жеков В.И., Лобачев В.А., Мурина Т.М., Прохоров A.M. Кооперативные явления в кристаллах Y^A15°12 : Ег"3+- Квантовая электроника, 1984, II, I, с.189-192.

106. Багдаеаров Х.С., Жеков В.И., Лобачев В.А., Мурина Т.М., Прохоров A.M. Стационарный режим генерации в лазере на Y3Al5°12:£/"i+ 2'94 мкм> Т= 300 К). Квантовая электроника, 1983, 10, № 2, с.452-454.

107. Багдаеаров Х.С., Жеков В.И., булевский Л.А., Лобачев В.А., Мурина Т.М., Прохоров A.M. Гигантские импульсы лазерного излучения кристаллов иттрий-эрбий-алюминиевого граната.- Квантовая электроника, 1980, 7, № 9, с.1959-1965.

108. Koechner W. Absorbed pump power, thermal profile and stresses in a CW pumped M : YAG crystal. -Applied Optics, 1970, v. 9, Ио. 6, p. 1429-1434

109. Foster J.D., Osterink L.M. Thermal effects in a Hd : YAG laser. Jornal of Applied Physics, 1970, v. 41, Ho. 9, p. 3656-3663.

110. Baldwin G.D., Riedel E.P. Measurements of dynamic optical distortion in Hd doped glass laser rods. - Jornal of Applied Physics, 1967, v. 38, No. 7, p. 2726-2738.

111. Белостоцкий Б.P., Губанов А.С. Тепловой режим твердотельных оптических квантовых генераторов. М.: Энергия, 1973. - 167 с.

112. Slack G.A., Oliver D.W. Thermal conductivity of garnets and phonon scattering by rare-earth ions.- Physical review B, 1971, v. 4, Ho. 2, p. 592-609.

113. Ованесян К.Л., Петросян А.Г., Ширинян Г.0., Аветисян А.А. Оптическая дисперсия и тепловое расширение гранатов1.3A15012 , Er-jAlejO-jg » Y3A15°12- Изв.АН СССР, сер. неорганические материалы, 1981, т.17, № 3, с.459-462.

114. НО. Блажко В.В., Бубнов М.М., Дианов Е.М., Чиколини А.В. Измерение температурной зависимости коэффициента линейного расширения и температурного коэффициента показателя преломления лазерных стекол. Квантовая электроника, 1976, т.З, № 5, с.II5I-II53.

115. I. Koechner W. Thermal lensing in a Hd : YAG laser rod. Applied Optics, 1970, v. 9, Ho. 11, p. 2548-2553.

116. Koechner W., Rice D.K. Effect of birefringence on the performance of linearly polarized

117. YAG : Nd laser. IEEE Jornal of quantum electronics, 1970, QE-6, 9, 557-567.

118. Chun M.K., Bischoff J.T. Thermal transient effects in optically pumped repetitively pulsed lasers.- IEEE Jornal of Quantum electronics, 1971, QE-7, No. 5 , p. 200-202.

119. Kogelnik H. Imaging of optical modes Resonator with internal lenses. - The Bell sistem technical jornal, 1965, v. 44, No. 3, p. 455-494*