Медленная релаксация примесного возбуждения в легированных полупроводниках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

РГ6 од

2 ноя <ор7 На ,,равах руко,,мси

ХВАЛЬКОВСКИЙ Николам Аркадьевич { ^ •

МЕДЛЕННАЯ РЕЛАКСАЦИЯ ПРИМЕСНОГО ВОЗБУЖДЕНИЯ В ЛЕГИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ

01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Москва 1997 г.

Работа ныиолиена в Институте радиотехники п электроники РАН

Н ау ч н ы ¡1 ру ко подтел ь

доктор физико-математических наук,

профессор, член-корр. РАН Я. Е. Покровский

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических паук А. П. Мельников

кандидат физико-математических наук А. Ф. Полупанов

Ведущая организация: Физическим институт им. П. Н. Лебедева РАН

Отделение Физики Твердого Тела

Защита диссертации состоится 27 ноября 1997 г. в 13.00 час. на заседании диссертационного совета К. 002.74.01 в Институте радиотехники и электроники РАН по адресу: 141120, г. Фрязино Московской области, пл. Введенского, д. I.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ИРЭ РАН.

Автореферат разослан 1997 I .

Ученый секретарь

диссертационного сонета К 002.74.01 кандидат физико-математических наук

- ;^ И. И. Чусов

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Работа посвящена экспериментальному исследованию медленной релаксации примесного возбуждения в полупроводниках со сложной зонной структурой и является частью фундаментальной проблемы - кинетики электронных процессов в легированных полупроводниках.

В легированных полупроводниках наиболее быстрым процессом, определяющим время релаксации неравновесных носителей заряда при монополярном возбуждении, является захват на притягивающие ионы основной донорной или акцепторной (А") примесей. Этот процесс быстрой рекомбинации возможен благодаря захвату носителей в высокие возбужденные состояния примесей, имеющие гигантские сечения захвата. Дальнейшая релаксация возбуждения происходит за счет энергетической диффузии носителей по лестнице близко расположенных возбужденных состояний с испусканием и поглощением акустических фононов (каскадный захват [1, 2]). Однако такая быстрая релаксация возможна лишь в случае, когда существует спектр возбужденных уровнен примеси, энергетическое расстояние между которыми меньше характерной величины энергии фононов, с участием которых осуществляются переходы носителей. По мере спуска носителя но лестнице возбужденных состояний величина энергетических ступенек возрастает. В этом случае внутринентровые переходы могут стать достаточно медленными, а время жизни т* в таких возбужденных состояниях может существенно превысить время жизни свободных носителей т.

Помимо захвата носителей на ионизованные атомы возможен также захват и на нейтральные доноры или акцепторы, в результате которого образуются стабильные состояния, аналогичные отрицательно заряженным атомам водорода - D" (А+) центры [3]. При этом в равной концентрации образуются ионы основной примеси D+ (А"). Рекомбинация D"-D+ (А+-А") состояний может быть достаточно медленным процессом даже при их высокой концентрации [4].

Целью настоящей работы являлось экспериментальное исследование физических процессов в легированных полупроводниках, приводящих к медленной релаксации примесного возбуждения.

Практическая значимость работы заключается в выяснении условий, при которых в легированных полупроводниках может проявляться медленная релаксация примесного возбуждения, ограничивающая быстродействие фотоэлектронных устройств.

Научная новизна (основные положения, выносимые на защиту):

1. Обнаружено, что время релаксации прыжковой поляризационной фотопроводимости с участием долгоживущих возбужденных состояний примесей в кремнии, легированном донорами V и акцепторами Ш групп, возрастает с увеличением массы атомов как основной, так и компенсирующей примеси.

2. Экспериментально установлена фундаментальная зависимость величины прыжковой поляризационной фотопроводимости от концентрации основной примеси. Оба эти результата подтверждают справедливость предложенной ранее модели поляризационной прыжковой фотопроводимости в микроволновом электрическом поле.

3. Обнаружено, что в кремнии, легированном бором, мышьяком и сурьмой, долгоживущими являются наинизшие возбужденные состояния, отщепленные от основного состояния спин-орбитальным или долин-орбитальным взаимодействиями. Фотоионизация этих состояний, заселенных излучением теплового фона, проявляется в возникновении ступенеобразных полос в спектрах поглощения.

4. Обнаружено, что долгоживущие возбужденные состояния примесей в кремнии проявляются в спектрах длинноволновой фотопроводимости, обусловленной Р" (А+) комплексами. Показано, что фотоионизация этих состояний примесей мышьяка и бора приводит к гашению фотопроводимости по О" (А+) зонам. Экспериментально определено время релаксации фотопроводимости, связанной с О" (А+) комплексами в кремнии, легированном бором, галлием и мышьяком.

5. Долгоживущие возбужденные состояния примесей обнаружены также в других полупроводниках со сложной зонной структурой. По релаксации поляризационной прыжковой фотопроводимости определены времена жизни таких состоянии в германии, легированном мышьяком, и фосфиде галлия, легированном теллуром.

Апробация работы. Результаты работы докладывались на Российских конференциях по физике полупроводников в Н.-Новгороде (1993 г.) и С.-Петербурге (1996 г); 22 и 23 Международных конференциях по физике полупроводников в Ванкувере (1994 г) и Берлине (1996 г); 18 Международной конференции по дефектам в полупроводниках (Сендай, 1995 г), 6 Международной конференции по мелким состояниям примесей в полупроводниках (Беркли, 1994) и

Международном симпозиуме по исследованию полупроводниковых приборов (Шарлопсвиль, 1995 г.).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 10 работ.

Структура диссертации. Диссертация состоит из Введения, грех Глав и Заключения; содержит 121 страниц, включая 43 рисунка, I таблицу и библиографию из 59 названии.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ Во введении обоснована актуальность темы диссертации, сформулированы ее цель, научная новизна и практическая ценность полученных в работе результатов, кратко изложено ее содержание.

В первой главе изложены известные из публикаций основные сведения о фотопонпзацни доноров п акцепторов в полупроводниках и захвате носителей заряда на изолированные ноны примесей; диполи, состоящие из ионов основной и компенсирующей примесей; нейтральные атомы основной примеси. Приведены основные выводы и ограничения теории каскадного захвата носителей заряда на притягивающие примесные центры. Рассмотрены 13" (А+) центры, аналогичные отрицательно заряженным атомам водорода, формирование ¡3" (А+) зон п возможность медленной релаксации возбуждении таких зон.

Вторам глава посвящена исследованию релаксации примесного фотовозбуждеиия кремния, легированного и компенсированного донорами V и акцепторами Ш групп в широком диапазоне концентраций.

Описаны методы исследования примесной фотопроводимости при постоянном (ОС) и микроволновом (МС\У) напряжениях смешения в широком диапазоне температур Т (2.2 - 50 К), интенсивности и частоты модуляции (10 Гц - 16 МГц) возбуждающего лазерного луча (3.39, 5.6 и 10.6 мкм). Дано также краткое описание методик исследований в далекой инфракрасной области с помощью фурье-спектрометра. Приведены сведения об исследованных образцах легированного кремния и продемонстрирована возможность определения концентраций основной и компенсирующей примесей по интенсивности донорно-акцепторной люминесценции [А2].

Установлено, что медленная релаксация примесной фотопроводимости при 'МС\\' смещении проявляется в кремнии, легированном примесями В, 1п, Р, Ав, БЬ в концентрациях N0 > 1016 см-' при Т < 15 К [А4]. При этом время релаксации т* увеличивается от 0.5 до 8 мс по мере увеличения массы атомов как основной, так и компенсирующей примесей [А9]. В кремнии, легированном Оа и В1, медленная релаксация не проявляется. Это связано с особенностью энергетического спектра указанных примесей, благодаря которой возможна быстрая релаксация возбуждения примесей за счет эмиссии единственного оптического фонона [5].

Эти качественные результаты явились основой для модели поляризационной прыжковой фотопроводимости в микроволновом электрическом поле, предложенной Я.Е.Покровским >. О.И.Смирновой [6]. Модель основана на предположении, чте, носители заряда накапливаются в глубоких долгоживущих возбужденных состояниях примесей, электронные переходы из которых в основное состояние запрещены правилами отбора.

Поляризационная фотопроводимость возникает за счет прыжковых переходов в микроволновом электрическом поле между возбужденными и ионизованными атомами

основной примеси, локализованными вблизи ионов неосновной примеси. Модель приводит к характерным зависимостям величины МС\У фотопроводимости от концентраций основной и компенсирующей примесей, температуры и интенсивности возбуждения.

В диссертации эти характерные зависимости подтверждены экспериментально. В частности, на примере кремния, легированного бором в концентрациях N0 (1015 - 10" см"3) и компенсированного фосфором в концентрации Ык = 1014 см"3, установлено, что фотоответ экспоненциально уменьшается при уменьшении концентрации основной примеси N0 [А1, АЗ], в соответствие с моделью. По энергии активации экспоненциального участка температурной зависимости МС\У фотопроводимости определены энергии ионизации долгоживущих возбужденных состояний примесей бора и сурьмы в кремнии. Полученные значения соответствуют энергиям ионизации наинизших возбужденных состояний этих примесей, отщепленных от основного спин-орбитальным и долин-орбитальным взаимодействиями [А9, 5].

Обнаружено, что заселение долгоживущих возбужденных состояний вследствие фотоионизации примесей излучением фона комнатной температуры приводит к возникновению ступенеобразных полос поглощения при энергиях, меньших энергии основного состояния [АЗ, А4, А9]. Длинноволновый край поглощения этих полос в случае примесей мышьяка и сурьмы соответствует энергиям 32 - 33 мэВ, т.е. энергии ионизации наинизших возбужденных состояний

БЦГЗ, Г5) этих доноров [5]. В области меньших энергий, в которой можно было бы ожидать проявления "запрещенных " переходов из основного состояния 18(Г1), поглощения обнаружено не было. В случае примеси бора длинноволновая граница полосы поглощения соответствовала энергии 23 мэВ. Эта величина в равной мере соответствует как энергии фотоионизации наинизшего возбужденного состояния примеси бора 15(Г7), так и "запрещенному" переходу дырки из основного I Г8) в это возбужденное состояние [5]. Для установления физической природы этой полосы поглощение в кремнии, легированном бором, было исследовано при одноосном сжатии в направлении [110]. При давлении до 50 МПс край полосы поглощения незначительно сдвигался в область больших энергий, но не расщеплялся, а величина поглощения не изменялась [А9]. Отсюда следует, что полоса возникает при электронных переходах из невырожденного состояния 18(Г7), которое не расщепляется при деформациях, а не из вырожденного основного состояния примеси бора КЯ(Г8). Таким образом, исследование спектров поглощения подтвердило, что долгоживущими действительно являются наинизшие возбужденные состояния доноров и акцепторов, отщепленные от основного состояния долин-орбитальным или спин-орбитальным взаимодействиями и заселенными тепловым фоновым излучением [АЗ, А4, А9].

Отметим, что величина коэффициентов поглощения в кремнии, легированном мышьяком, сурьмой и бором, возрастала приблизительно пропорционально квадрату концентраций этих примесей. Однако однозначного объяснения такой сильной концентрационной зависимости не предложено.

Тепловой фон является интенсивным источником инфракрасного излучения, поглощение которого должно зависеть от заселенности долгоживущих возбужденных состояний примесей. При возбуждении легированных образцов кремния модулированным лазерным лучом (3.39 мкм) была обнаружена модуляция интенсивности излучения фона, прошедшего через образец и попадавшего на фотосопротивление, чувствительное в области 10 - 50 мэВ. Выделение определенных участков спектра фона с помощью охлаждаемых светофильтров показало, что это индуцированное лазером поглощение происходило при энергиях, соответствовавших ионизации наинизших возбужденных состояний примесей бора, мышьяка и индия. Исследование кинетики этого поглощения показало, что время его релаксации близко к времени релаксации МС\У фотопроводимости т* в тех же образцах, если интенсивность фона достаточно мала. Таким образом, исследования спектров и кинетики индуцированного поглощения подтверждают заключение о том, что и в поглощении, и в МС\У фотопроводимости проявляются одни и те же долгоживущие состояния примесей в кремнии [АЗ, А4, А5, А9].

Долгоживущие возбужденные состояния примесей в кремнии проявляются и в спектрах фотопроводимости в области энергий 10 -45 мэВ . При постоянном напряжении смещения и возбуждении излучением фона в этой спектральной области возникает фотопроводимость, связная с Б" (А+) центрами, аналогичными отрицательно заряженным ионам водорода. В слабо компенсированном кремнии, легированном в концентрациях 10,6-1017 см"3 , эти центры, нейтральные и ионизованные атомы основной примеси образуют при гелиевых температурах Э" (А+) зоны,

прыжковый перенос зарядов в которых определяет величину фотопроводимости [3, 4]. При этом преобладание фотопроводимости по (А+) зонам связано как со значительной прыжковой

подвижностью и медленной релаксацией фотовозбуждения зоны, так и с малым временем жизни свободных носителей заряда т [3].

В работе [А 10] было обнаружено, что сильное поглошение, связанное с фотоионизацией долгоживущих возбужденных состоянии примесей, приводит к уменьшению (гашению) фотоответа, обусловленного фотопроводимостью по 0~(А+)зоне. В спектрах фотопроводимости кремния, легированного бором и мышьяком, возникают провалы, спектральное положение и форма которых соответствуют поглощению, вызванному фотоионизапией

долгоживущих возбужденных состояний этих примесей, заселенных за счет фонового излучения [А10]. В кремнии, легированном галлием, провалов в спектре фотопроводимости, как и длинноволновых полос поглощения, обнаружено не было. Это отличие является естественным, т.к. на возбужденных состояниях примеси галлия в кремнии накопления дырок не происходит.

Медленная релаксация возбуждения О" (А+) зон проявляется в зависимости величины фотопроводимости от частоты модуляции излучения фурье-спектрометра, интенсивность излучения которого была на несколько порядков меньше интенсивности фона. При возрастании частоты от 100 до 2000 Гц фотоответ кремнии, легированном бором, галлием и мышьяком в области 10 - 40 мэВ уменьшался более чем вдвое. Отсюда можно заключить, что время релаксации возбуждения в О" (А+) зоне порядка 10"4 с [А10].

Следует подчеркнуть, что хотя процессы релаксации в О" (А+) зоне достаточно медленные, исследованные нами явления медленной

релаксации MCW фотопроводимости и индуцированного поглощения фонового излучения не связаны с D" (А+) состояниями. Было установлено, что в идентичных условиях эксперимента фотопроводимость с участием D" (А+) состояний резко уменьшается в постоянном электрическом поле напряженностью 50 - 150 В, в то время как MCW фотопроводимость и индуцированное поглощение изменяются незначительно [А 10].

Приведенные результаты показывают, что в фотопроводимости сильно ' легированного кремния при постоянном смещении проявляются как D" (А+), так и долгоживущие возбужденные состояния простых доноров и акцепторов и необходимо учитывать их взаимное влияние. Медленные процессы релаксации этих состояний могут прямо или косвенно влиять на быстродействие охлаждаемых фотоэлектрических устройств на основе легированного кремния.

В третьей главе приведены результаты исследования примесной фотопроводимости других полупроводников со сложной зонной структурой.

Синтетический алмаз, сильно легированный акцепторной примесью бора, был тем полупроводниковым материалом, в котором было обнаружено сильное влияние долгоживущих возбужденных состояний примесей на примесную фотопроводимость в постоянном электрическом поле [7, А9]. Было установлено, что, в зависимости от энергии фотонов возбуждающего излучения, накопление дырок происходит в наинизших возбужденных состояниях с энергиями ионизации 130 или 170 мэВ и временами жизни 4-Ю"8 и 210"7 с, которые на много порядков больше времени жизни свободных дырок т ~ Ю-12 с. Хотя свойства долгоживущих возбужденных состоянии

примеси бора в алмазе исследованы достаточно полно [7], представляло интерес сравнить кинетику фотоответа легированного алмаза при постоянном и микроволновом напряжении смещения. Однако вследствие микроскопических (10"5 см"3) размеров монокристаллов алмаза это сравнение удалось выполнить лишь при концентрации бора N0 > 1019 см*3 и при невысокой частоте модуляции возбуждающего лазерного луча (0.63 или 1.15 мкм). Было установлено, что температурная зависимость (100 - 300 К) фотоответа при DC и MCW смещении различаются лишь при Т < 150 К. В этой температурной области DC ответ экспоненциально уменьшается из-за уменьшения прыжковой подвижности при понижении температуры, в то время как MCW практически не изменяется. Наблюдаемое различие не противоречит моделям прыжковой фотопроводимости с участием долгоживущих возбужденных состояний примесей в постоянном [7] и микроволновом [6] электрических полях.

Энергетическая структура донорных примесей в германии и кремнии аналогична [5]. Поэтому следовало ожидать, что наинизшее состояние lS(r5), отщепленное долин-орбитальным взаимодействием от основного состояния доноров, окажется долгоживущим. Это расщепление максимально для мышьяка, и, следовательно, для этой примеси существенное различие боровских радиусов возбужденного и основного состояний должно привести к преобладанию прыжковой фотопроводимости при MCW смещении. Действительно, в германии, легированном мышьяком в концентрации N0 = 1016 см"3 при 2.2 К, MCW ответ превышал ответ при DC смещении почти на два порядка, а время релаксации ответа х* = 310"5 с. Как и в случае кремния, при увеличении уровня фотовозбуждения MCW ответ вначале линейно возрастал, а затем становился сублинейным и насыщался.

Температурные зависимости квазпстационарных МС\\' ответов легированных германия и кремния также были аналогичны. Отсюда следует, что наинизшес возбужденное состояние донорной примеси мышьяка в германии является долгоживущим и характеризуется временем жизни ЗТО"5 с [А8, А9]. Отметим, что это время жизни значительно меньше, чем т* у долгоживущих состояний ряда доноров в кремнии. Поэтому воздействие фона комнатной температуры на МС\У фотоответ германия, легированного мышьяком, практически не влияло.

Энергетическая структура донорных примесей в фосфиде галлия и кремнии также аналогична. Недавно медленная релаксация ЭС фотоответа при импульсном пробое примеси теллура в СаР в поле мощной электромагнитной волны длинноволнового лазера была объяснена существованием долгоживущего возбужденного состояния этого донора [8]. Исследования были возможны лишь в области температур Т > 30 К., поскольку фотопроводимость возникала за счет теплового возбуждения электронов с долгоживущего возбужденного состояния. Значение времени жизни возбужденного состояния примеси теллура 18(ГЗ) т* — 7 мс было получено как подгоночный параметр при интерпретации температурной зависимости времени релаксации. Нами был исследован монокристалл фосфида галлия, легированный теллуром в концентрации 3-Ю17 см"3, аналогичный использованным в [8]. К сожалению, токовые контакты к образцу были совершенно неудовлетворительными для исследования при ОС смещении, и мы ограничились исследованием, МС\У фотоответа при температурах 5 - 30 К и различных частотах (10 - 2000 Гц) модуляции возбуждающего лазерного луча (10.6 мкм)..При низких температурах в \1C\V фотоответе наблюдалась медленная компонента, величина

котором превышала амплитуду быстрой компоненты, по крайней мере, на два порядка, а время релаксации ответа т* соответствовало 8 мс. Зависимость квазистационарного ответа, от температуры имела тот же характер, что и в легированном кремнии. На основании этих экспериментов можно заключить, что и в фосфиде галлия при низких температурах проявляется паинизшее возбужденное состояние примеси теллура, время жизни которого близко к 10"2 с.

Таким образом, эксперименты, проведенные в микроволновом электрическом поле, показывают, что долгоживущие возбужденные состояния доноров и акцепторов проявляются не только в кремнии, но и в германии, фосфиде галлия и алмазе. Хотя долгоживущие состояния примесей проявляются в полупроводниках при различных концентрациях примесей и температурах, они имеют общую физическую природу - долин-орбитальное или спин-орбитальное расщепление основного состояния примесей вследствие сложной зонной структуры полупроводника [А6, А7, А9].

В заключении сформулированы основные результаты, полученные в диссертации:

1. Созданы методики и аппаратура для исследования примесной фотопроводимости полупроводников в широком (2.2 - 50 К) диапазоне температур при постоянном и микроволновом напряжениях смешения и фурье-спектроскопзш фотопроводимости и поглощения в области энергий фотонов 10-50 мзВ.

2. Экспериментально устаноплсно, что время медленной релаксации микроволновой фотопроводимости в кремнии, легированном донорами V и акцепторами Ш групп, возрастает с 0.5 до 8 мс при увеличении массы атомов как основной, так и

компенсирующей примесей. Это подтверждает справедливость модели поляризационной прыжковой фотопроводимости, основанной на предположении о том, что ее величина определяется вероятностью прыжковых электронных переходов между долгоживущимн возбужденными атомами и ионами основной примеси, локализованными вблизи ионов неосновной примеси.

3. На примере кремния, легированного бором в концентрациях 1015 - 1017 см"3 и компенсированного фосфором в концентрации 1014 см"3, показано, что концентрационная зависимость микроволнового фотоответа согласуется с моделью прыжковой поляризационной фотопроводимости и подтверждает справедливость последней.

4. Установлено, что ступенеобразные полосы поглощения в кремнии, легированном бором, мышьяком или сурьмой, обусловлены фотоионизацией наинизших возбужденных состояний этих примесей, заселенных за счет возбуждения фоновым излучением комнатной температуры. Показано, что время релаксации этого индуцированного поглощения близко к временам жизни долгоживущих возбужденных состояний, определенных из экспериментов по микроволновой фотопроводимости. Установлено, что коэффициент поглощения, обусловленного фотоионизацией долгоживущих возбужденных состояний примесей бора, мышьяка и сурьмы в кремнии, квадратично зависит от концентрации основной примеси.

5. Обнаружено, что долгоживущие возбужденные состояния примесей в кремнии проявляются в спектрах длинноволновой фотопроводимости, обусловленной О" (А+) комплексами. Показано, что фотоионизация этих состояний примесей мышьяка и бора, заселенных излучением фона, приводит к гашению фотопроводимости

по D" (А+) зонам. Экспериментально определено время релаксации (1(Н с) фотопроводимости, связанной с D" (А+) комплексами.

6. На примере алмаза, германия и фосфида галлия показано, что и в этих полупроводниках проявляется медленная компонента примесной фотопроводимости при микроволновом напряжении смещения, обусловленная заселением наинизших возбужденных состояний некоторых примесей. Определены времена жизни таких состояний в германии с мышьяком (3-10"5 с) и фосфиде галлия с теллуром (8-10"3 с). Установлено, что в алмазе с бором температурные зависимости поляризационной и перколяционной фотопроводимости отличаются несущественно, что согласуется с моделями прыжковой фотопроводимости.

7. Установлено, что долгоживущие возбужденные состояния проявляются в различных полупроводниках со сложной зонной структурой при различных концентрациях примесей и температурах, но имеют общую физическую природу - долин-орбитальное или спин-орбитальное расщепление основного состояния доноров или акцепторов.

Основные результаты диссертации опубликованы в работах: AI. Хвальковский H.A. Исследование зависимости примесной фотопроводимости в кремнии при микроволновом смешении от концентрации основной примеси /бора/. // Физический ф-т МГУ. Дипломная работа. 1992 (рукопись).

А2. Я.Е.Покровский, О.И.Смирнова, H.A.Хвальковский.

Определение концентрации примесей в кремнии по интенсивности донорно-акцепторной люминесценции. // Тезисы I Российской

конференции по физике полупроводников. Нижний Новгород. 1993. С.214.

A3. Ya.E.Pokrovskii, O.l.Smirnova, N.A.Khvalkovskii. Longliving excited states of impurities in Si. // Solid State Communication. 1995. V.93. P. 405-408.

A4. Ya.E.Pokrovskii, O.l.Smirnova, N.A.Khvalkovskii. Longliving excited states of impurities in Si. // Proceedings of 22 International Conference on the Physics of Semiconductors. Vancouver. Canada. 1994. P. 109-112. A5. Ya.E.Pokrovskii, O.l.Smirnova, N.A.Khvalkovskii. The influence of population on the lifetime of the longliving excited states of impurities in silicon. // 18-th International Conference on Defects in Semiconductors. Sendai. Japan. 1995. P.133.

A6. Ya.E.Pokrovskii, O.l.Smirnova, N.A.Khvalkovskii. Longliving excited states of impurities in diamond-like semiconductors. // 23 International Conference on the Physics of Semiconductors. Berlin, Germany. 1996. P.2689-2692.

A7. O.l.Smirnova, Ya.E.Pokrovskii, N.A.Khvalkovskii. Extrinsic hopping photoconductivity in diamond-like semiconductors. // Proceedings of 1995 International Semiconductor Device Research Symposium. Charlottesville. USA. 1995. P. 225-228.

A8. Я.Е.Покровский, О.И.Смирнова, Н.А.Хвальковский. Медленная релаксация возбужденного состояния донорной примеси мышьяка в германии. // Письма в ЖЭТФ. 1995. T.6I. С.609-612. А9. Я.Е.Покровский, О.И.Смирнова, Н.А.Хвальковский.

Долгоживушие возбужденные состояния примесей в алмазоиодобных полупроводниках. // ЖЭТФ 1997. Т.112. С. 221-236.

AlO. Я.E.Покровский, О.И.Смирнова, Н.А.Хвальковский. Кинетика фотопроводимости и поглощения в D~(A+) зоне легированного кремния. Письма в ЖЭТФ. 1997. Т. 66. В. 4.

СПИСОК ЦИТИРУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1. M.Lax. Cascade capture of electrons in solids. // Phys.Rev., 1960, V.l 12. P. 1502 - 1523.

2. V.N.Abakumov, V.I.Perel, I.N.Yassievich. Nonradiative Recombination in Semiconductors. // Modem Problems in Condensed Matter Physics, 1991, V.33 (North-Holland, Amsterdam)

3. Гершензон E. M., Мельников А. П., Рабинович P. И. Серебрякова H. А. Примесные Н- - подобные центры и обусловленные ими молекулярные комплексы в полупроводниках. // УФН. 1980. Т. 132. С. 353 - 378.

4. Мельников А.П., Гурвич Ю.А., Шестаков Л.Н., Гершензон Е.М. Наблюдение порога подвижности D" - зоны кремния в электрическом поле но спектрам фотопроводимости. // Письма в ЖЭТФ, 1996, Т.63, С. 89 - 94.

5. Ramdas А. К., Rodrigues S. Spectroscopy of the solid-state analogous of the hydrogen atom: donors and acceptors in semiconductors. // Rep. Progr. Phys. 1981. V. 44. P. 1287 - 1378.

6. Я.Е.Покровский, О.И.Смирнова. Модель высокочастотной прыжковой фотопроводимости в легированном кремнии. // ЖЭТФ. 1993. Т. 103. С. 1411 - 1420.

7. О.И.Смирнова, Э.Э. Голик, А.Г.Гонгарь. Долгожикушие возбужденные состояния бора в алмазе. // ФТП.1987.Т.21.С.1278 -1281.

8. Ganichev S. D., Zepezauer E„ Raab W., Yassievich 1. N.. Prctll W. Storage of elections in shallow donor excited states of GaP:Te. // Phys. Rev. 1997.V. 55. P. 9243 - 9246.

Подписано в печать 06.10.1997 г. Формат 60x84/16. Объем 1.16 усл.п.л. Ротапринт ИРЭ РАН. Тираж 100 экз. 3ак.34.