Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в кремнии в процессе ионно-лучевого синтеза тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. КРАТКИЙ АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР

ЛИТЕРАТУРЫ

1.1. Исторический обзор

1.2. Влияние параметров ионно-лучевого синтеза на 22 микроструктуру, фазовый состав, структурное совершенство, профиль распределения, электрофизические и механические свойства слоёв

CoSi2 и Si

1.2.1. Влияние энергии ионов кобальта

1.2.2. Влияние дозы ионов кобальта

1.2.3. Влияние плотности тока ионов кобальта

1.2.4. Влияние температуры имплантации

1.2.5. Влияние постимплантационного отжига

1.2.6. Влияние разной ориентации подложек: (100) или (111)

1.2.7. Влияние ориентации пластин относительно пучка 37 ионов (эффект каналирования)

1.3. Эффекты сопровождающие ионно-лучевой синтез 41 дисилицида кобальта в кремнии

1.3.1. Катодное распыление и эффект торможения

1.3.2. Эффект аномально высокого радиационно- 41 стимулированного распухания и трансформации микрорельефа поверхности при ИЛС

1.4. Эпитаксиальное наращивание мезоэпитаксиальных 42 слоев

1.5. Применение структур типа CoSi2/Si в электронике

1.6. Граница раздела CoSi2/Si и механические напряжения в 54 слоях CoSi2 в Si

1.7. Процессы фазообразования при формировании 66 скрытого слоя CoSi2 в Si

Актуальность темы. В последние годы значительно возрос интерес к силицидам переходных металлов (Дворина 1991), особенно как к материалам полупроводниковой электроники, перспективным при изготовлении интегральных схем (ИС) с многоуровневой металлизацией, невыпрямляющих контактов и межэлементных соединений в сверхбольших интегральных схемах (СБИС), электродов затворов для структур металл-оксид-полупроводник (МОП) и др. Особенно перспективным представляется использование структур типа кремний/силицид/кремний в качестве быстродействующих транзисторов, диодов Шоттки и т.д. Метод иоино-лучевого синтеза (ИЛС), основанный на высокодозовой ионной имплантации (ИИ) и последующем высокотемпературном отжиге, является одним из наиболее перспективных методов получения таких структур.

К его преимуществам, по сравнению с традиционными методами получения новых фаз связанных с непосредственным наращиванием пленки материала на подложку, относятся: очень чистые условия проведения процесса, исключающие загрязнение образцов нежелательными примесями, точный контроль количества имплантированного материала в широком диапазоне доз, возможность получения, как скрытых слоев, так и поверхностных слоев и многослойных композиций, возможность имплантации ионов на локальных участках мишени, отсутствие зависимости предельной концентрации вводимой примеси от предела растворимости в материале подложки, возможность формирования заданного концентрационного профиля имплантированного материала по глубине подложки путем изменения режимов имплантации и отжига, высокая адгезия имплантированных слоев к подложке, возможность проведения имплантации в широком диапазоне температур, совместимость с операциями технологического планарного процесса микроэлектроники, возможность полной автоматизации процесса и создании на его основе гибких автоматизированных производств различных изделий электронной техники, возможность дальнейшего увеличения уровня интеграции, благодаря незначительному боковому рассеянию при имплантации, высокая точность и воспроизводимость результатов и др. Кроме того, в отличие от традиционных методов, метод ионно-лучевого синтеза не требует сверхвысокого вакуума и тщательной предварительной очистки поверхности пластин.

Такие преимущества метода ионно-лучевого синтеза открывают ему широкие перспективы для решения широкого круга прикладных задач, которые одновременно ставят ряд научных проблем. В промышленности метод ИЛС уже нашёл применение при изоляции скрытых диэлектрических слоёв активных элементов СБИС от подложки кремния. Синтез же слоёв с металлической проводимостью в кремнии не находит пока промышленного применения из-за различных материаловедческих проблем, которые необходимо решить для стабильного получения слоёв с удовлетворительными свойствами.

Особенно большой интерес проявляется к ИЛС тонких слоев дисилицида кобальта (Mantl 1995; Маех 1995), так как система Si-CoSi2 служит модельной системой для изучения процесса фазообразования силицидов при ИЛС (Mantl 1992).

Возрастающий интерес к силицидам переходных металлов связан с тем, что плотность топологии кремниевой технологии практически достигла своего предела, поэтому для дальнейшего прогресса микроэлектроники требуется повышение быстродействия существующих и создание новых быстродействующих полупроводниковых приборов при сохранении размеров активных элементов, применение многоуровневой металлизации, а также использование материалов контактов и локальных межэлектронных соединений, с улучшенными характеристиками. Этим целям хорошо удовлетворяет применение силицидов переходных металлов в качестве тонких проводящих плёнок, обладающих высокими электрофизическими свойствами (низкой электропроводностью, сравнимой с металлами), химическими (хорошими адгезионными свойствами по отношению к кремнию и оксиду кремния, стойкостью к окислению, коррозии, электромиграции и распаду), структурными (высокое структурное совершенство, близкие к кремнию параметры решетки и КТР) и механическими свойствами (силициды имеют более высокую устойчивость к царапанью, чем металлы), а также высокой термостабильностью, радиационной стойкостью и надёжностью (Мьюрарка 1986).

Среди эпитаксиальных силицидов переходных металлов в технологии для создания приборов повышенного быстродействия особый интерес наблюдается к дисилицидам кобальта и никеля (Mantl 1993, 1994), пленки, которых обладают высокой способностью эпитаксиального роста на подложке кремния (несоответствие параметров решетки соответственно 1,22% и 0,46%) и имеют низкое значение удельного сопротивления (14 и 50 мкОмхсм). Однако, отметим, что в то время как решетка CoSi2 комплектна, в дисилициде никеля имеется небольшое число вакансий и избыточных атомов Ni в соответствии с формулой Nii;o4Sii,93 (Гельд, Сидоренко 1971; Самсонов и др. 1979). Кроме того, из-за низкой температуры эвтектики дисилицид никеля не подходит для технологических процессов, в которых температуры могут достигать 900°С, в то время как дисилицид кобальта обладает высокой структурной термостабильностью (до 1100 °С), и, следовательно, совместим с технологическим процессом производства СБИС. Несмотря на то, что наиболее используемым силицидом в качестве локального межсоединения в СБИС и для уменьшения удельного сопротивления затвора в МОП транзисторах в полупроводниковой промышленности является дисилицид титана, по сравнению с CoSi2 он имеет более высокое сродство к кислороду и азоту. В новейших работах (Маех 1995) на основании анализа температурных режимов получения различных силицидных слоёв, зависимостей параметров силицидных дорожек от их ширины, воспроизводимости и выхода годных при получении силицидных слоев, а также способов селективного травления показано преимущество использования CoSi2 вместо TiSi2 в субмикронных элементах СБИС.

Научная актуальность исследования процесса фазообразования скрытых слоев дислицида кобальта в кремнии, полученных ионно-лучевым синтезом, обусловлена необходимостью более глубокого понимания основных процессов, происходящих во время формирования этих структур: распада твердого раствора в ходе имплантации и образования зародышей новой фазы; процессов диффузии, сопровождающих конкурентный рост зародышей с различной морфологической формой; коагуляции или созревания Оствальда; коалесценции и др. С практической точки зрения эти исследования важны в связи с необходимостью определения оптимальных условий ИЛС и формирования на основе этих данных совершенных гетероэпитаксиальных структур типа Si/CoSi2/Si с разной толщиной проводящего слоя, залегающего на различных глубинах.

Однако, несмотря на то, что в последнее время появилось большое число работ по исследованию этих материалов, технология получения совершенных по структуре и электрофизическим свойствам скрытых слоев еще не отработана, так как до сих пор отсутствует однозначное понимание закономерностей процессов фазообразования, конкурентного роста зародышей с разной морфологической формой и дефектообразования в неравновесных условиях высокодозовой ионной имплантации (Palard и др. 1996, 1997). Роль радиационных дефектов и условия образования, когерентных с матрицей достаточно совершенных кристаллических слоев не изучены, а существующие представления о механизмах фазо- и дефектообразования противоречивы. Различия в трактовках экспериментальных результатов во многом определяются как методами исследования, используемыми разными группами авторов, так и технологическими приемами получения скрытых слоев.

Основной целью диссертационной работы являлось установление механизма роста зародышей CoSi2 в кремнии в процессе ИЛС приводящего, в конечном итоге, к формированию скрытого монокристаллического слоя с хорошими электрофизическими характеристиками. Для достижения поставленной цели были разработаны следующие задачи:

1. Провести комплексное экспериментальное исследование процесса образования и конкурентного роста зародышей дисилицида кобальта с разной морфологической формой.

2. Изучить влияние режимов ИЛС на механизм роста зародышей и выявить характерные особенности ИЛС дисилицида кобальта в кремнии, в зависимости от плотности ионного тока, энергии и дозы имплантации, температуры и времени отжига.

3. Методами POP и PC А провести анализ процессов формирования и аннигиляции дефектов в слоях кремния и CoSi2 при ИЛС в зависимости от параметров ионно-лучевого синтеза.

4. Изучить влияние параметров ионно-лучевого синтеза на возникающие в процессе ИЛС дисилицида кобальта в кремнии напряжения.

5. На основании полученной совокупности экспериментальных данных предложить модель образования и конкурентного роста зародышей дисилицида кобальта с разной морфологической формой.

6. Исследовать электрофизические и структурные параметры полученных слоев дисилицида кобальта и верхнележащего кремния в зависимости от параметров ионно-лучевого синтеза, с целью оценки возможности применения полученных гетероструктур в качестве новейших быстродействующих полупроводниковых приборов, межсоединений и проводящих дорожек в СБИС.

Объектами исследований были выбраны кремний ориентации (100), как наиболее используемый материал в современной микроэлектронике и дисилицид кобальта как наиболее перспективный среди силицидов переходных металлов.

В число методов исследования вошли вторичная ионная масс-спектрометрия (ВИМС), рентгеноструктурный анализ (РСА), рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС), рентгеновская дифрактометрия высокого разрешения (РДВР), трёхкристальная рентгеновская дифрактометрия (ТРД), растровая электронная микроскопия (РЭМ), просвечивающая электронная микроскопия высокого разрешения (ПЭМВР), спектроскопия комбинационного рассеяния (СКР), четырёхзондовый метод измерения удельного электросопротивления и другие.

Научная новизна полученных результатов состоит в следующем.

1. Установлено, что на начальных стадиях ИЛС в результате распада пересыщенного твёрдого раствора кобальта в кремнии образуются не два, а три типа зародышей CoSi2 с разной морфологической формой и ориентацией.

16 2

Впервые после отжига образца с низкой дозой (D=l-10 см") обнаружены поликристаллические зародыши CoSi2 с ярко выраженной текстурой по плоскостям (110) и (111) CoSi2 параллельным Si (001).

2. Предложена модель фазообразования и конкурентного роста зародышей с разной морфологической формой, главной особенностью которой является учёт условий формирования слоев CoSi2 во время ИЛС.

3. Впервые обнаружена немонотонная зависимость профиля распределения имплантированных атомов кобальта по глубине в зависимости от плотности ионного тока в диапазоне 5-100 мкА/см . Предложены возможные причины для объяснения подобного поведения.

4. Впервые установлено увеличение напряжений с повышением температуры отжига в гетероструктурах Si/CoSi2/Si(100), полученных ИЛС. и

5. Впервые показано, что зародыши CoSi2 в кремнии находятся в состоянии всестороннего сжатия до образования сплошного слоя.

6. Впервые установлен преобладающий тип дефектов в областях кремния на границах раздела Si/CoSi2/Si(100): для верхней границы это дефекты упаковки, для нижней - ассоциации межузельных атомов.

Научная и практическая ценность работы заключается в разработке модели роста зародышей дисилицида кобальта разной морфологии вплоть до образования сплошного монокристаллического слоя, позволяющей адекватно описать процесс роста зародышей и учесть влияние на него условий ИЛС, а также получении данных о влияния важнейших технологических режимов и условий ИЛС на фазообразование, структурные и электрофизические свойства полученных слоёв дисилицида кобальта в кремнии (100). В результате определены оптимальные технологические условия синтеза слоев CoSi2 при ИЛС, позволяющие получать скрытые высококачественные слои CoSi2 с параметрами и свойствами, требуемыми для различных областей применения.

Полученные гетероструктуры типа кремний/дисилицид кобальта/кремний или дисилицид кобальта/кремний могут быть использованы в микро- и наноэлектронике для создания различных полупроводниковых устройств и систем металлизации, например, в случае больших толщин поводящих слоев -для формирования многоуровневой разводки интегральных схем, многоуровневых низкоомных токопроводящих слоев, невыпрямляющих, омических контактов и проводящих дорожек к мелкозалегающим активным областям СБИС, низкоомных высокотемпературных межэлементных тонкопленочных соединений (Broadbent и др. 1989; White и др. 1991; Lessen и др. 1997), скрытых проводников для сверхскоростных ИС (Roskos и др. 1991), омических контактов для фотоэлектрических преобразователей энергии (Kalkhoran и др. 1994), контактов с барьером Шоттки для защиты элементов электрических цепей от высоковольтного пробоя (Мьюрарка 1986), а в случае малых толщин - для изготовления транзисторов повышенного быстродействия с металлической базой или эмиттером МОП-транзисторов, транзисторов на "горячих" (то есть неравновесных) носителях с "проницаемой" базой (Hatzikonstantinidous и др. 1994, White и др. 1991, Hensel 1986, Rosencher и др. 1986, Hensel и др. 1985), биполярных транзисторов со скрытым коллекторным контактом из CoSi2 (White и др. 1991), оптоэлектронных устройств длительного хранения записанной информации, инфракрасных сенсоров, ультрабыстрых фотодетекторов (Hermanns и др. 1995), а также для уменьшения удельного сопротивления электродов затворов в МОП-структурах и диодов Шоттки, в которых важно расположить скрытый слой близко к поверхности. Существует неплохая перспектива применения CoSi2 в качестве межсоединений для трехмерной интеграции (Robrock и др. 1989).

Представленные в работе результаты могут быть использованы при чтении специальных курсов лекций по "Физическому материаловедению полупроводников" и "Спектроскопическим методам исследования твердых тел".

Связь темы с планом научных работ. Настоящая работа была выполнена в соответствии со следующими научно-техническими планами и программами: программой ГНТП "Новые материалы" (шифр проекта 06.03.) 1996-1998 гг.; межвузовской научно-технической программой "Перспективные материалы" (разделы: "Материалы для микро- и наноэлектроники" и "Энергоресурсосберегающие технологии") 1998-2000 гг.; грантом по фундаментальным исследованиям в области электроники и радиотехники 19982000 гг., грантом института "Открытое общество" по программе "Высшее образование" в рамках конкурса Московского международного Центра-Фонда перспективных исследований при РНЦ "Курчатовский институт" №НВА 802w.

Достоверность и надёжность полученных в диссертации результатов работы подтверждается: физической обоснованностью и корректностью поставленной задачи, выбором современной экспериментальной базы и методов исследования, строгим тестированием применяемых методик измерений по хорошо известным стандартам, сравнением результатов полученных разными методами измерений, корректностью обработки данных, систематичностью исследований, взаимосогласованностью результатов, привлечением для анализа комплексной информации об исследуемых процессах, большим количеством исследованных образцов, в случае сомнительных результатов - повторением эксперимента, статической обработкой полученных данных и сопоставлением с имеющимися литературными данными.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Формирование слоёв и конкурентный рост зародышей CoSi2 с разной морфологической формой в процессе ИЛС может быть описана разработанной автором моделью, начиная от самых первых стадий роста до получения после отжига сплошных слоёв CoSi2.

2. Экспериментальные результаты по распределению кобальта по глубине в зависимости от плотности ионного тока первичных ионов. При повышении плотности ионного тока от 5 до 15-30 мкАУсм2 максимум профиля распределения сдвигается вглубь образца от -80 нм (при 5 мкА/см ) до ~115 нм (при 15-30 мкА/см ), а при дальнейшем повышении плотности тока происходит обратный процесс - максимум профиля сдвигается к поверхности на глубину л до ~ 75 нм (при 100 мкАУсм ).

3. Увеличение степени когерентности межфазных границ кремния с CoSi2 и уменьшение дефектности слоёв CoSi2 и кремния при повышении температуры отжига вызывает увеличение упругих напряжений в гетероэпитаксиальных слоях CoSi2.

4. Всестороннее сжатие мелких зародышей новой фазы связано с действием капилярного давления направленного внутрь зарождающейся фазы, вызванное кривизной поверхности сферических зародышей А-типа, благодаря чему последний растут быстрее.

5. Экспериментальные результаты по влиянию параметров ИЛС (в первую очередь плотности ионного тока и температуры отжига) на структуру и свойства скрытых слоёв.

Апробация работы. Основные положения и результаты диссертационной работы представлялись на следующих Международных конференциях: одиннадцатой международной конференции по модификации материалов ионными пучками (IBMM-98, Амстердам, Голландия, 1998 г.), международной конференции по росту и физике кристаллов, посвящённой памяти М.П. Шаскольской (Москва, 1998 г.), третьей международной конференции росту монокристаллов, проблемам прочности и тепломассопереносу (ICSC-99, Обнинск, 1999 г.), тринадцатой международной конференции по технологии ионной имплантации (ИТ' 2000, Тироль, Австрия, 2000 г.). На Всероссийских конференциях: всероссийской научно-технической конференции с участием зарубежных учёных "Микро- и наноэлектроника-98" (Звенигород, 1999 г.), всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика-99" (Зеленоград, 1999 г.), второй Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния "Кремний-2000" (Москва, 2000 г.), девятой национальной конференции по росту кристаллов НКРК-2000 (Москва, 2000 г.), седьмом Российско-Японском международном симпозиуме по взаимодействию быстрых заряженных частиц с твёрдым телом (Нижний Новгород, 2000 г.).

Публикации. Основные результаты диссертации отражены в двенадцати научных публикациях, список которых приведён в конце диссертации [1-12].

15

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, краткого аналитического обзора, описании методики эксперимента, двух оригинальных глав, заключения, библиографического списка использованной литературы из 179 наименований и авторского списка публикаций из 12 наименований. Общий объём диссертационной работы составляет 200 страниц, включает 148 страниц машинописного текста, 45 рисунков и 7 таблиц.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате проведенных в данной диссертационной работе комплексных экспериментальных и теоретических исследований с применением большого числа взаимодополняемых современных экспериментальных методик, было установлено большое количество закономерностей и особенностей фазообразования и формирования слоёв дисилицида кобальта в кремнии в зависимости от условий ионно-лучевого синтеза (энергии, плотности ионного тока и дозы имплантации, температуры и времени отжига), изучены механизмы зарождения и роста новой фазы при ИЛС, а также изучены возможности практического применения ИЛС для формирования тонких субмикронных слоев микро- и наноэлектроники, оптики и других областей науки и техники. Исследовано влияние параметров ионно-лучевого синтеза на процессы фазообразования и формирования скрытых слоёв дисилицида кобальта в кремнии. Получены эпитаксиальные гетероструктуры Si/CoSi2/Si со слоями CoSi2 толщиной 70-130 нм со стабильными электрофизическими характеристиками (низким удельным сопротивлением ~16 мкОм см), резкими межфазными границами и низкой шероховатостью поверхности кремния (Ra~l,2 нм). Основные выводы сводятся к следующему:

1. Установлено, что на начальных стадиях ИЛС в результате распада пересыщенного твёрдого раствора кобальта в кремнии образуются не два, а три типа зародышей CoSi2 с разной морфологической формой и ориентацией. Впервые после отжига образца с низкой дозой (D= МО16 см") обнаружены поликристаллические зародыши CoSi2 с ярко выраженной текстурой по плоскостям (110) и (111). Ориентация первых (А-тип) - одинакова с ориентацией матрицы кремния, вторых (Б-тип) -двойниковая с плоскостями двойникования {111}, зародыши третьего типа - (В-тип) имеют плоскости соответствующие (ПО) или (111) CoSi2, параллельные (100) кремния. Первые (А-тип) имеют равноосную форму, близкую к сфере или при больших размерах к октаэдру, с когерентными гранями {111}, вторые (Б-тип) - продолговатую форму, близкую к пластине (или диску) с длинными когерентными гранями {111} и некогерентными гранями {ПО}, форма третьих (В-тип) различна для разных поликристаллических зародышей.

2. Предложена модель фазообразования, базирующаяся на конкурентном росте зародышей дисилицида кобальта различной морфологии в процессе ИЛС, что приводит к сплошному слою. При высоких дозах имплантации ионов кобальта в Si в областях, обогащенных кобальтом, образуется пересыщенный твердый раствор. В этом твердом растворе за счет флуктуаций концентрации кобальта формируется фаза дисилицида кобальта, когерентная с матрицей (зародыши А-типа). Различие удельных объемов зародыша и матрицы приводит к упругой деформации, которая снимается за счет возникновения двойникующих дислокаций, в результате чего зародыши А-типа превращаются в Б-тип. Превращения зародышей не происходит в областях с высокой плотностью зародышей А-типа, так как влияние их упругих полей компенсирует возможный выигрыш энергии в результате двойникования. При дальнейшем росте по граням (ПО) двойниковых зародышей и достижении ими размеров примерно 10—15 нм вследствие возрастания упругой энергии происходит релаксация упругих напряжений, связанная с образованием дислокаций на границах раздела частиц новой фазы и матрицы. Эффект этих изменений эквивалентен уменьшению деформации и увеличению поверхностной энергии. Фактор поверхностной энергии препятствует превращению пластинчатых зародышей в очень тонкую и протяженную пластину, поскольку поверхностная энергия минимальна для включений равноосной формы. Поэтому увеличение роли поверхностной энергии крупных зародышей при релаксации напряжений приводит к стремлению зародышей Б-типа приобрести более объемную равноосную форму, но так как существующие двойниковые и некогерентные границы не позволяют сделать это, зародыши Б-типа растворяются и уступают место более термодинамически выгодным зародышам А-типа. После отжига образца с малыми дозами в матрице обеднённой кобальтом образуются благоприятные условия для роста зародышей В-типа.

3. Показано, что сферические зародыши дисилицида кобальта находятся в состоянии всестороннего сжатия, в то время как, сплошной слой CoSi2 находится в плосконапряженном состоянии, из-за разницы параметров решётки. Сделано предположение о том, что всестороннее сжатие зародышей новой фазы связано с действием капиллярного давления, вызванного кривизной поверхности сферических зародышей А-типа и направленного внутрь зарождающейся фазы. Изменение характера напряжённого состояния свидетельствует об образовании сплошного слоя, что позволяет методически просто диагностировать это состояние.

4. Установлен эффект немонотонного смещения максимума профиля распределения кобальта по глубине в зависимости от плотности ионного тока первичных ионов Со+ : при повышении плотности ионного тока от 5 до 15-30 мкА/см происходит сдвиг максимума профиля распределения вглубь образца от -75 нм (при J=5 мкА/см) до -115 нм (при J=15), а при дальнейшем повышении плотности тока - до 100 мкА/см2 происходит обратный процесс - максимум профиля сдвигается к поверхности на глубину до - 65 нм. В первом случае сдвига максимума профиля к поверхности при 5

-л мкА/см определяющим фактором является усиление при аморфизации образца роли радиационно-стимулированной диффузии кобальта, обратный процесс связан с увеличением коэффициента распыления образца при очень высоких J и уменьшением проекционной длины пробега ионов кобальта за счёт увеличения эффективного сечение рассеяния в результате усиления тепловых колебаний решётки при больших температурах.

178

5. Методом обратного резерфордовского рассеяния для изученных условий имплантации получены данные о преобладающем типе дефектов в Si на границах раздела Si/CoSi2/Si(100). Результаты указывают на присутствие на нижней границе CoSi2 с кремнием рассеивающих центров межузельного типа (межузельные атомы или их ассоциации в виде аморфных кластеров). Дефекты на верхней границе Si/CoSi2 были идентифицированы как дефекты упаковки.

179

БЛАГОДАРНОСТИ

Автор считает необходимым выразить глубокую признательность доктору физ.-маг. наук Юрию Николаевичу Пархоменко за научное руководство и помощь в интерпретации результатов исследований, профессорам В.Т. Бублику, С.С. Горелику, М.А. Штремелю за плодотворное обсуждение полученных экспериментальных результатов и полезные советы по тексту диссертации, В.Ю Троицкому и К.С. Коровину за неоценимую помощь в проведении имплантации и отжига. Выражаю благодарность за техническую помощь в проведении экспериментов: Е.А. Выговской (ВИМС), К.Д. Щербачёву (метод рентгеновских кривых качания), A. Romano-Rodriguez (ПЭМ), B.C. Куликаускасу (ОРР), а также всему коллективу кафедры материаловедения полупроводников МИСиС за безмерную поддержку.

1. Баранов А.И., Герасименко Н.Н., Двуреченский А.В., Потапова Л.П. Изменение профилей внедрённого в кремний фосфора в зависимости от дозы и плотности тока ионов. // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. -1978. -Т.4(122). -с.33-39.

2. Бокий Г.Б. Кристаллохимия. М.: Наука, 1971.-400 с.

3. Бухараев А.А., Назаров А.В., Петухов В.Ю., Салихов К.М. Исследование поверхности имплантированного кремния с помощью сканирующего туннельного микроскопа. // Письма в ЖТФ.- 1990.-Т. 16, вып.6.-С.8-11.

4. Вавилов B.C. Некоторые физические аспекты ионной имплантации.// Успехи физических наук. 1985. -Т.145, вып. 2. -С.329-346.

5. Валиев К.А., Евгеньев С.Б., Орликовский А.А. и др. Синтез скрытых слоев дисилицида кобальта в кремнии методом высокодозовой ионной имплантации. // Тр. ФТИАН. 1993. - Т. 6. - С. 70-79.

6. Валиев К.А., Лебедев О.И., Орликовский А.А. Шиловский А.Н. Исследование закономерностей ионного синтеза скрытых слоев CoSi2 в кремнии. // Тр. ФТИАН. 1994. - Т. 8. - С. 102-110.

7. Винокурова Л.И., Власов А.В., Кулатов Э.Т. Электронное строение силицидов переходных металлов.// Силициды. Труды ИОФАН. -Т.32. -М.: Наука, 1991. -С. 26-66.

8. Галаев А.А., Пархоменко Ю.Н., Подгорный Д.А., Щербачев К.Д. Изучение фазообразоваия в скрытых слоях C0S12, полученных методом ионной имплантации // Кристаллография. -1998. -ТАЗ, №2. С. 345-350.

9. Галаев А.А., Пархоменко Ю.Н., Подгорный Д.А., Щербачёв К.Д. Ионный синтез скрытых проводящих слоёв CoSi2 в кремнии. // Известия высших учебных заведений. Цветная металлургия. 1997. -№5. - С. 44-48.

10. Гельд П.В., Сидоренко Ф.А. Силициды переходных металлов четвертого периода. -М.: Металлургия, 1971. -584 с.

11. Глазов В.М., Земсков B.C. Физико химические основы легирования полупроводников. -М.: Наука, 1967. -372 с.

12. Горелик С.С., Скаков Ю.А. и Расторгуев JI.H. Рентгенографический и электронно-оптический анализ. -М: МИСиС, 1994. 327 с.

13. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. -М: Металлургия, 1988. 574 с.

14. Громов Д.Г., Мочалов А.И., Соломатина Т.В., Евдокимов В.Л., Сулимин А.Д., Вахин И.А. Дисилицид кобальта в технологии КМОП СБИС субмикронного уровня: достоинства и проблемы формирования. // Электронная промышленность. -2000. -№3.-С.34-43.

15. Далинин А.Б. Ионный синтез скрытых слоёв химических соединений в кремнии достехиометрическими дозами ионной имплантации. //Высокочистыс вещества.- 1993.- №4.- С.128-137.

16. Дворина Л.А. Перспективы развития исследований в области силицидов. -К.: ИПМ, 1991.-33 с.

17. Зарипов М.М., Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б. Применение ионной имплантации для синтеза тонких пленок силицидов. //Электронная промышленность,- 1985.- Вып.2 (140).- С.37-39.

18. Ионная имплантация / Под ред. Дж.К.Хирвонена -М: Металлургия, 1985.-392 с

19. Ионная имплантация и лучевая технология. /Под ред. Дж.С.Вильямса, Дж.М.Поута. -Киев: Наукова думка, 1988. -360 с.

20. Кумахов М.А., Муралёв В.А., Аверьянов Е.Г., Симонов В.А., Хавкин Л.П. Проективные пробеги и разбросы пробегов для 1240 комбинаций ион-мишень в интервале энергий 20 кэВ < Е< 1000 кэВ.- М.: ВИНИТИ, 1974. -265 с.

21. Курносов А.И, Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных схем. -М.: Высшая школа, 1979. -367 с.

22. Лившиц В.Г. Электронная спектроскопия и атомные процессы на поверхности кремния. -М.:Наука, 1985. -200 с.

23. Мейер Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. -М.:Мир, 1973. -296 с.

24. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. М.: Мир, 1986.-176 с.

25. Пархоменко Ю.Н. Атомная и электронная структура поверхности и фазообразование в многослойных композициях на основе кремния: Дис. докт. физ.-мат. наук Москва, 2000. - 275 с.

26. Петухов В.Ю. Ионно-лучевой синтез тонких пленок в неметаллах: Дис. докт. физ.-мат. наук Казань, 1998. - 311 с.

27. Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б., Гумаров Г.Г. Авт. свид. №1795821. Способ получения мезотаксиальных слоев дисилицида кобальта в кремнии, заяв. № 4826971/25 от 18.05.90.

28. Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б., Зарипов М.М. Модификация структуры и фазового состава кремния при имплантации больших доз Со и Ni. Тезисы докл. XIII Всесоюз. совещ. но физике взаимод. заряж. частиц с кристаллами. М.: Изд-во Моск. ун-та, 1983.-С.104.

29. Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б., Зарипов М.М. Модификация структуры и фазового состава кремния при имплантации больших доз Со и Ni.// Поверхность. Физика, химия, механика.- 1985.-.№2.-С. 104.107.

30. Плешивцев Н.В., Бажин А.И. Физика воздействия ионных пучков на материалы. М.: Вузовская книга, 1998. -392 с.

31. Подгорный Д.А. Изучение фазообразования в скрытых проводящих слоях дисилицида кобальта в кремнии, полученных методом ионного твёрдотельного синтеза: Дис. канд. физ.-мат. наук Москва, 1999. - 123 с.

32. Риссел X., Руге И. Ионная имплантация. -М.: Наука, 1983. -360 с.

33. Ройтбурд A.JI. Теория формирования гетерофазной структуры при фазовых превращениях в твёрдом состоянии.//Успехи физических наук. 1974. -Т.113, вып. 1. -С.69-104.

34. Самсонов Г.В., Дворина JI.A., Рудь Б.М. Силициды. -М.: Металлургия, 1979. -271 с.

35. Система диффузионная однозонная многотрубная СД.ОМ-3/100. Техническое описание и инструкция по эксплуатации. дЕМ1.055.009 ТО, 1983.

36. Комаров Ф.Ф., Кумахов М.А., Ташлыков И.С. Неразрушающий анализ поверхностей твердых тел ионными пучками. -Мн.: изд. «Университетское», 1987.-256 с.

37. Троицкий В.Ю. Модификация поверхностных слоев кремния высокоинтенсивными ионными пучками: Дисс. канд. физ.-мат. наук. -М.: 1996. -200 с.

38. Чистяков Ю.Д., Райнова Ю.П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. -М.: Металлургия, 1979.

39. Уманский Я.С., Скаков Ю.А. Физика металлов. Атомное строение металлов и сплавов. -М.: Атомиздат, 1978. -352 с.

40. Шанк Ф.А. Структуры двойных сплавов. М.: Металлургия, 1973.-760 с.

41. Эллиот Р.П. Структуры двойных сплавов. М.: Металлургия, 1970.

42. Adams D.P., Yalisove S.M., Eaglesham D.J. Interfacial and surface energetics of CoSi2.//J. Appl. Phys. -1994. -V.76,№9. -p.5190-5194.

43. Bai G., Nicolet M.-A., and Vreeland Т., Jr. Elastic and thermal properties of mesotaxial CoSi2 layers on Si. // J. Appl. Phys. -1991. -V.69, №9. -p.6451-6455.

44. Bai G., Nicolet M.-A., Vreeland Т., Jr. Ye Q. and Wang K.L. Strain in epitaxial CoSi2 films on Si(l 11) and inference for pseudomorphic growth. // Appl. Phys. Lett. -1989. -V.55, №18. -p.1874-1876.

45. Barbour J.C., Picraux S.T. and Doyle B.L. Buried silicide synthesis and strain in cobalt implanted silicon.// Mat. Res. Soc. Symp. Proc. -1988. -V.107. -p.269-275.

46. Bischoff L., Heining K.-H., Teichert J. and W.Skorupa. Submicron CoSi2 structures fabricated by focused ion beam implantation and local flash lamp melting. //Nucl.Instrum. and Meth. B. -1996. -V.112, №1-4. -p.201-205.

47. Brice D.K., Barbour J.C. Sputtering of (100) Si by 350 keV Co implantation. // Nucl. Inst. Meth. B. -1989,- V.36. -P.431-438

48. Broadbent E.K., Irani R.F., Morgan A.E. and Mallot P. Application of self-aligned CoSi2 interconnection in submicrometer CMOS transistors. //IEEE Trans. Electron Devices. -1989. -V.36, №11. -p.2440-2445.

49. Browning N.D., Chisholm M.F. and Pennycook S.J. Atomic-resolution chemical analysis using a scanning transmission electron microscope. // Nature.-1993.-V.366. -p. 143-146.

50. Bulle-Lieuwma C.W.T., de Jong A.F. and Vadenhoudt D.E.W. Investigation of the atomic interface structure of mesotaxial Si/CoSi2(100) layers formed by high-dose implantation. //Philos. Mag. A. -1991. -V.64, №2. -p.255-280.

51. Bulle-Lieuwma C.W.T., van Ommen A.H., Ijzedoorn L.J. Microstructure of heteroepitaxial Si/CoSi2/Si formed by Co implantation into (100) and (111) Si.// Appl. Phys. Lett. -1989. -V.54, №3. -p.244-246.

52. Bulle-Lieuwma C.W.T., Van Ommen A.H., Vadenhoudt D.E.W., Ottenheim J.J.M. and de Jong A.F. Microstructure of buried CoSi2 layers formed by high-dose Co implantation into (100) and (111) Si substrates.// J. Appl. Phys. -1991. -V.70, №6. -p.3093-3108.

53. Byun Jeong Soo, Kim Do-Heyong, Kim Woo Shik et.al. Epitaxial growth of CoSi2 layer on (100)Si and facet formation at the CoSi2/Si interface.// J. Appl. Phys. -1995. -V.78, №. -p. 1725-1730.

54. Chen B.S., Chen M.C. Thermal stability of cobalt silicide thin films on Si(100). // J.Appl.Phys. -1993. -V.74, № 2. -p. 1035-1039.

55. Chisholm M.F., Browning N.D., Pennycook S.J., Jebasinski R., Mantl S. Z-contrast investigation of the ordered atomic interface of CoSi2/Si(001) layers.// Appl. Phys. Lett. -1994. -Y.64, №26. -p.3608-3610.

56. Chisholm M.F., Pennycook S.J., Jebasinski R., Mantl S. New interface structure for A-type CoSi2/Si(ll 1).// Appl. Phys. Lett. -1994. -V.64, №18. -p.2409-2411.

57. Colgan E.G., Cabral C., Jr., and et.al. Activation energy for CoSi and CoSi2 formation measured during rapid thermal annealing.// J. Appl. Phys. -1995. -V.77, №2.-p.614-619.

58. Copel M. and Falta J. Frustrated dimers at the CoSi2/Si(001) interface.// Phys. Rev. B. -1993. -V.48, №4. -p.2783-2786.

59. Danilin A.B. Ion-beam synthesis of new phases in silicon interpreted as decay of a supersatured solid state. // Nucl. Instrum. and Meth. B. -1992. -V.62. -p.322-324.

60. Dekempeneer E.H.A., Ottenheim J.J.M., Vandenhoudt D.W.E. et.al. Ion beam synthesis of cobalt silicide: effect of implantation temperature.// Nucl. Inst, and Meth. B. -1991.-V.55. -p.769-772. {1}

61. Dekempeneer E.H.A., Ottenheim J.J.M., Vandenhoudt D.W.E. et.al. Optimum implantation conditions for ion beam synthesis of buried cobalt silicide lagers in Si(100).// Appl. Phys. Lett. -1991. -V.59, №4. -p.467-469. {2}

62. Dekempeneer E.H.A., Ottenheim J.J.M., Zalm P.C. et.al. Thin buried cobalt silicide layers in Si(100) by channeled implantations.// Appl. Phys. Lett. -1991. -V.58, №19. -p.2102-2104. {3}

63. Englert Th., Abstreiter G., Pontcharra J. Determination of existing stress in silicon on sapphire substrate using Raman spectroscopy. // Solid-State Electronics. -1980. -V.23. p.31-33.

64. Evdokimov I.N., Mashkova E.S., Molchanov V.A. On a new method of observing defects annealing in crystals. // Physics Letters. -1967. -V. 25A, №8. -P.619-620.

65. Fichtner P.F.P., Jager W., Radermacher K., Mantl S. Precipitate coarsening and Co redistribution after ion implantation in silicon. //Nucl. Inst, and Meth. B. -1991. -V.59/60. -p.632-636.

66. Fischer A.E.M.J., Vlieg E., van der Veen J.F., Clausnitzer M., and Materlik G. Structure determination of the CoSi2:Si(l 11) interface by x-ray standing-wave analysis.//Phys. Rev. B. -1987. -V.36, №9. -p.4769-4773.

67. Fujitani H., Asano S.Schottky-barrier height and electronic structure of the Si interface with metal silicides: CoSi2, NiSi2, and YSi2. // Phys. Rev. B. -1994. -V.50, №12. -p.8681-8698.

68. Galaev A.A., Parkhomenko Yu.N., Podgorny D.A., Chtcherbatchev K.D. Phase formation of buried CoSi2 layers in Si(100) obtained by ion implantation. -8th Conference on Applications of Surface and Interface Analysis ECASIA'97. -Stockholm, 1997. -p.523-527.

69. Gibson J.M., Bean J.C., Poate J.M., and Tung R.T. Direct determination of atomic structure at the epitaxial cobalt disilicide on (111) Si interface by ultrahigh resolution electron microscopy. // Appl. Phys. Lett. -1982. -V.41. №9. -p.818-820.

70. Guenin G., Ignat M., and Thomas O. Determination of the elastic constants of cobalt disilicide intermetallic compound. // J.Appl.Phys. -1990. -V.68, №12. -p. 65156516.

71. Gumarov G.G., Petukhov V.Yu., Shustov V.A., Khaibullin I.B. Effect of ion current density on the phase composition of ion beam synthesized iron silicides in Si (100). //Nucl. Instr. and Meth. B. -1997. -V.127/128. -p.321-323.

72. Hatzikonstantinidou S., Nilsson H.-E., Frojdh C., Petersson C.S., Kaplan W. Processing and characterization of a PBT device using self-aligned CoSi2 // Semicond. Sci. andTechnol. 1994. -V.9, № 12. - p. 2272-2277.

73. Hamman D.R. New silicide interface model from structural energy calculations.// Phys. Rev. Lett. -1988. -У.60. -p.313-316.

74. Hensel J.C., Levi A.F.J., Tung R.T. and Gibson J.M Transistor action in Si/CoSi2/Si heterostructures. // Appl. Phys. Lett. -1985. -V.47, №2. -p. 151-153.

75. Hensel J.C. Operation of the Si/CoSi2/Si heterostructure transistor. // Appl.Phys.Lett. -1986. -V.49, №9. p.522-524

76. Hermanns J.P., Ruders F., von Kamenski E.S., Roskos H.G., Kurz H., Hollricher O., Buchal C. and Mantl S. Vertical silicon metal-semiconductor-metal photodetectors with buried CoSi2 contact. // Appl. Phys. Lett. -1995. -V.66, №7. -p.866-868.

77. Heurle F.M.D. and Petersson C.S. Formation of thin films of CoSi2: Nucleation and diffusion mechanisms. // Thin Solid Films. -1985. -У.128. -p.283-297.

78. Hsieh Y-F., Hull R., White A.E. and Short K.T. Formation of cobalt silicide in Co+ implanted Si(l 11).// Appl. Phys. Lett. -1991. -V.58, №2. -p. 122-124.

79. Hull R., White A.E., Short K.T. and Bonar J.M. Formation of continuous CoSi2 layers by high Co dose implantation into Si(100).// J. Appl. Phys. -1990. -V.68, №4. -p. 1629-1634.

80. Jiminez J.R., Hsiung L.M., Rajan K. et.al. Control of misoriented grains and pinholes in CoSi2 grown on Si(001).// Appl. Phys. Lett. -1990. -V.57, №26. -p.2811-2813.

81. Kalkhoran N.M., Maruska H.P., Namavar F. Cobalt disilicide intercell ohmic contacts for multijunction photovoltaic energy converts. // Appl. Phys. Lett. -1994. -V.64, №15. -p.1980-1982.

82. Kato K., Takai M., Namba S., Schork R. and Ryssel H. Raman measurement of local SOI structure by SIMOX. // Nucl. Inst. andMeth.B -1991. -V.55. -p.710-713.

83. Khachaturyan A.G. Theory of structural transformations in solids. New York: John Wiley&Sons, 1983. -574 p.

84. Khapachev Yu.P., Dyshekov A.A., Kiselev D.S. The theory of diffraction analysis of elastic-strain states in epitaxial films. //Phys. Stat. Sol. B. -1984. -V.126. -p.37-42.

85. Kohlhof К., Mantl S., Stritzker B. and Jager W. Formation of buried epitaxial Co silicides by ion implantation. // Nucl. Instrum. and Meth. B. -1989. -V39, №1-4. -p.276-279.

86. Kohlhof K., Mantl S., Stritzker B. Formation of buried CoSi2 by ion implantation.//Appl. Surface Sci. -1989. -V.38, №1/4.-p.207-216.

87. Maex K. CoSi2: an attractive alternative to TiSi2. // Semicond. Sci. and Technol. 1995. -V.10, №1. - p.75-80.

88. Maex K., Brijs G., Vanhellemont J. And Vandervost W. Formation of thin films of monocrystalline CoSi2 on (100) Si. // Nucl. Instrum. & Meth. B. -1991. -V.59/60. -p.660-665.

89. Maex K., White A.E., Short K.T., et.al. Amorphization and regrowth in Si/CoSi2/Si heterostructures.//J. Appl. Phys. -1990. -V.68, №11. -p.5641-5647.

90. Malegori G., Miglio L. Elastic properties of NiSi2, CoSi2 and FeSi2 by tight-binding calculations.//Physical Review B. -1993. -V.48, №13. -p.9223-9230.

91. Mantl S. Compound formation by ion beam synthesis and a comparison with alternative methods such as deposition and growth or wafer bonding. // Nucl. Instrum. & Meth. B. -1995. -V.106, №1-4. -p.355-363.

92. Mantl S. Ion beam synthesis of buried metallic and semiconducting silicides.// Nucl. Instrum. and Meth. B. -1993. -V.80/81. -p.895-900.

93. Mantl S. Ion beam synthesis of epitaxial silicides: fabrication, characterization and applications. // Materials Science Reports. -1992. -Y.8, №1/2. -p.1-95.

94. Mantl S. Material aspects of ion beam synthesis of epitaxial silicides. // Nucl. Instrum. and Meth. B. -1994. -V.84, №1. -p. 127-134.

95. Mantl S., Jebasinski R., Hartmann D. The effect of dose on the growth of buried CoSi2 layers in (111) and (100) Si produced by ion implantation.// Nucl. Instrum. and Meth. B. -1991. -V.59/60. -p.666-670.

96. Mantl S., Michel I., Guggi D., Bay H.L. and Mesters St. Formation of epitaxial Si/CoSi2/Si(100) heterostructures using allotaxy.// Appl.Surface Science. -1993. -Y.73. -p. 102-107.

97. Mattheiss L.F., Hamman D.R. Electronic structure and properties of CoSi2.// Phys. Rev. B. -1988. -V.37, №18. -p.10623-10627.

98. Meekison C.D., Booker G.R., Reeson K.J. Spraggs R.S., Gwilliam R.M. and Sealy B.J. Microstructural studies of epitaxial CoSi2 layers on silicon produced by ion beam synthesis and rapid thermal annealing.// J. Appl. Phys. -1993. -V.74, №12. -p.7129-7133.

99. Milman V., Lee M.H., Payne M.C. ■ Ground-state properties of CoSi2 determined by a total-energy pseudopotential method.// Physical Review B. -1994. -Y.49, №23. -p.l6300-16308.

100. Moulder J.F., Sticle W.F., Sobol P.E., Bomben K.D. Handbook of X-ray photoelectron spectroscopy. Perkin-Elmer Corporation, 1992. -261 p.

101. Muller M., Bahr D., Press W., Jebasinski R., Mantl S. Annealing of silicon implanted by a high dose of cobalt ions investigates by in-situ x-ray diffraction.// J. Appl. Phys. -1993. -V.74, №3. -p. 15 90-1596.

102. Namavar F., Sanchez F.H., Budnik J.I. et.al. // Mat. Rec. Soc. Proc.-1987.-V.74.-P. 487-492.

103. Newcombe G.C.F., Lonzarich G.G. Electronic structure of cobalt disilicide.// Phys. Rev. B. -1988. -V37, №18. -p.10619-10622.

104. Norde H., de Sousa Pires J., d'Heurle F., Pesavento F., Petersson, and Tove P.A. The Schottky-barrier height of the contacts between some rare-earth metals (and silicides) and p-type silicon. // Appl. Phys. Lett. -1981.-V.38, №11. -p.865-867.

105. Palard M., Ruault M.-O., Bernas H., Strobel M. and Heinig K.-H. In situ ТЕМ study of the evolution of CoSi2 precipitates during annealing and ion irradiation. // Inst.Phys.Conf.Ser. -1997. -№157. -p.501-506.

106. Palard M., Ruault M.O., Kaitasov O., Bernas H. and Heinig K.-H. Irradiation induced growth of CoSi2 precipitates in Si at 650 °C: An in situ study. // Nucl.Instr. andMeth. B. -1996. -V.120. -p.212-215.

107. Pennycook S.J. and Jesson D.E. High-resolution incogerent imaging of crystals.// Phys. Rev. Lett. -1990. -V.64, №8. -p.938-941.

108. Radermacher K., Mantl S., Kolhof K. and Jager W. Temperature and energy dependence of ion-beam synthesis of epitaxial Si/CoSi2/Si heterostructures.// J. Appl. Phys. -1990. -V.68, №6. -p.3001-3008.

109. Reader A.H., Duchateau J.P.W.B., Crombeen J.E. Epitaxial CoSi2 formation on (100) Si by reactive deposition. // Semicond. Sci. and Technol. 1993. -V.8, - p. 1204-1207.

110. Reiss S., Heinig K.H. Ostwald ripening during ion beam synthesis a computer simulation for inhomogeneous system. // Nucl. Instrum. and Meth. B. -1994. -V.84, №1. -p.229-233.

111. Richter H., Wang Z.P., Ley L. The one phonon Raman spectrum in microcrystalline silicon. // Solid-State Communication. -1981. -V.39. p.625-629.

112. Robrock K.-H., Tu K.N., Abraham D.W. and Clabes J.B. Study of planarization of cobalt silicide lines and silicon surfaces by scanning force microscopy and scanning electron microscopy. // Appl.Phys.Lett. -1989. -V.54, №16. p.1543-1545.

113. Romano A., Vanhellemont J., Bender H. and Morante J.R. A fast preparation technique for high-quality plan view and cross-section ТЕМ specimens of semiconducting materials. //Ultramicroscopy. -1989. -V.31. -p. 183-192.

114. Roskos H., Nuss M.C., Goossen K.W. et.al. Propagation of picosecond electrical pulses on a silicon-based microstrip line with buried cobalt silicide ground plane. // Appl.Phys.Lett. 1991. -V.58, №23. - p.2604-2606.

115. Rosencher E., Badoz P.A., Pfister J.C., d'Avitaya F.Arnaud, Vincent G. and Delage S. Study of ballistic transport in Si-CoSi2-Si metal base transistors. // Appl.Phys.Lett. 1986. -V.49, №5. - p.271-273.

116. Rualt M.-O., Fortuna F., Bernas H. and Kaitasov O. In situ study of in-beam cobalt silicide growth in silicon. // Nucl. Instrum. and Meth. B. -1994. -V.84, №1. -p.135-138.

117. Satyam By.P.V., Sekar K., Kuri G., Sudaravel В., Mahapatra D.P. and Dev B.N. Defects in the ion-beam synthesized epitaxial Si/CoSi2/Si(l 11) system. // Philosophical Magazine Letters. -1996. V.73, №6. -p.309-317.

118. Satyam By.P.V., Sekar K., Kuri G., Sudaravel В., Mahapatra D.P. and Dev B.N. Ion dechanneling studies of defects in an ion-beam-synthesized epilayersandwich system: Si(lll)/CoSi2/Si. // Applied Surface Science. -1998. V.125. -p.173-177.

119. Schick J.T., Bose S.M. Electronic structure of buried NiSi2 or CoSi2 layer in bulk Si. //Phys. Rev. B. -1996. -V.53, №19. -p. 12609-12612.

120. Schippel S., Witzmann A., Lindner J.K.N. Thermal stability of Si/CoSi2 multiple layer systems. //Nucl. Instrum. and Meth. B. -1993. -V.80/81. -p.949-954.

121. Schuppen A., Marso M., Luth H. Overgrown silicon PBT's: calculations and measurements. // IEEE Trans. Electron Devices. 1994. -V.41, N5. - P.751-760.

122. Seidl A., Takai M., Sayama H., Haramura K., Ryssel H., Schork R., Kato K. Residual stress during local SIMOX process: Raman measurement and simulation. // Nucl. Instrum. and Meth. B. -1993. -V.80/81. -p.842-845.

123. Serre C., Perez-Rodriguez A., Morante J.R., Esteve J., Acero M.-C., Kogler R., Skorupa W. Ion beam synthesis of polycrystalline SiC on Si02 structures for MEMS applications. // J. Micromech. Microeng. -2000. -V.10. -p.152-156.

124. Spraggs R.S., Reeson K.J., Gwilliam R.M.G., Sealy B.J., de Veirman A. and van Landuyt J. Dose dependence of crystallinity and resistivity in ion beam synthesised CoSi2 layers. //Nucl. Inst, and Meth. B. -1991. -V.55. -p.836-841.

125. Stephens K.G., Reeson K.J., Sealy B.J., Gwilliam R.M. and Hemment P.L.F. The formation of compound layers in silicon by ion beam synthesis.// Nucl. Inst, and Meth. -1990. -V.50. -p.368-378.

126. Strobel M., Reiss S., Heinig K.-H. Evolution of nanocluster ensembles: Computer simulation of diffusion and reaction controlled Ostwald ripening. // Nucl.Instr. and Meth. B. -1996. -V.120. -p.216-220.

127. Takeda S. The structures of extended defects in Si and other materials studied by HRTEM. // Instr.Phys.Conf. -1997. -№157. -p.25-34

128. Teichert J., Bischoff L., Hesse E., Schneider P., Panknin D., Gessner Т., Lobner B. and Zichner N. Cobalt disilicide interconnects for micromechanical devices. //J.Micromech. Microeng. -1996. -V.6. -p.272-278.

129. Tersoff J. and Tromp R.M. Shape transition in growth of strained islands: Spontaneous formation of quantum wires. // Phys.Rev.Lett. -1993. -V.70, № 18. -p.2782-2785.

130. Tersoff J., Hamman D.R. Bonding and structure of CoSi2 and NiSi2. // Phys. Rev. B. -1983. -V.28, №2. -p. 1168-1170.

131. Trinkaus H., Mantl S. Precipitation kinetics in silicon during ion beam synthesis of buried silicide layers. //Nucl. Instrum. and Meth. B. -1993. -V.80/81. -p.862-866.

132. Tu K.N., Thompson R.D., and Tsaur B.Y. Low Schottky barrier of rare-earth silicide on n-Si. //Appl. Phys. Lett. -1981. -V.38, №8. -p.626-628.

133. Tung R.T., Bean J.C., Gibson J.M., Poate J.M. and Jacobson D.C. Growth of single-crystal CoSi2 on Si(l 11). // Appl. Phys. Lett. -1982. -V.40, №8. -p.684-686.

134. Vandenberg J.M., White A.E., Hull R., Schort K.T. and Yalisove S.M. Anisotropic strain relaxation in buried CoSi2 layers formed by mesotaxy. // J. Appl. Phys. -1990. -V.67, №2. -p.787-791.

135. Vanderstraeten H., Bruynseraede Y., Wu M.F., Vantomme A., Langouche G., Phillips J.M. Aligned and twinned orientations in epitaxial CoSi2 layers.// Appl. Phys. Lett. -1990. -V57, №2. -p.135-137.

136. Vanhellemont J. and Claeys C. A theoretical study of the critical radius of precipitates and its application to silicon oxide in silicon. // J.Appl.Phys. -1987. -№62. -p.3960-3967.

137. Vantomme A., Wu M.F., Langouche G. Single and buried epitaxial metallic layers in Si prepared by ion implantation. // Nucl. Instrum. and Meth. B. -1992. -V.63. -p. 130-137.

138. Vantomme A., Wu M.F., Langouche G., Maex K., Vanderstraeten H. and Bruynseraede Y. Orientation and strain of single and double CoSi2 epitaxial layers formed by ion implantation. // Nucl. Instrum. and Meth. B. -1991. -V.59/60. -p.680-684.

139. Werner P., Jager W. and Schuppen A. Interface structure and Schottky barrier height of buried Cosi2/Si(001) layers.// J. Appl. Phys. -1993. -V.74, №6. -p.3846-3854.

140. White A.E., Short K.T., Dynes R.C., Garno J.P.and Gibson J.M. Mesotaxy: Single crystal growth of buried CoSi2 layers.// Appl. Phys. Lett. -1987. -V.50, №2. -p.95-97.

141. White A.E., Short K.T., Dynes R.C., Gibson J.M. and Hull R. Synthesis of buried silicon compounds using ion implantation. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. -1988. -V.107.-p.3-15. {1}

142. White A.E. and Short K.T. Synthesis of buried oxide and silicide layers with ion beams. // Science. -1988. -V.241. -p.930-935. {2}

143. White A.E., Short K.T., Dynes R.C., Hull R. And Vandenberg J.M. Mesotaxy: synthesis of buried single-crystal silicide layers by implantation. // Nucl. Instrum. and Meth. B. -1989. -V39, №1-4. -p.253-258.

144. White A.E., Short K.T., Dynes R.C., Garno J.P.and Gibson J.M. Mesotaxy: Formation of buried single-crystal CoSi2 layers by implantation. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. -1987. -V.74. -p.481-486

145. White A.E., Short K.T., Maex K. et. al. Exploiting Si/CoSi2/Si heterostructures grown by mesotaxy. //Nucl. Instrum. and Meth. B. -1991. -V59/60. -p.693-697.

146. Witzmann A., Schippel S., Zentgraf A. and Gaiduk P.I. Study of Co silicide formation by multiple implantation.// J.Appl. Phys. -1993. -V.73, № 11. -p.7250-7260.

147. Wu M.F., Vantomme A., Langouche G. et.al. Antiparallel crystal orientation in CoSi2 epitaxial bilayers formed by ion implantation.// Appl. Phys. Lett. -1990. -V.57, №19. -p.1973-1975.

148. Wu M.F., Vantomme A., Langouche G. et.al. Strain and orientation in epitaxial CoSi2(ll 1) layers formed by ion implantation. // Nucl. Instrum. and Meth. B. -1991. -V54. -p.444-452.

149. Zegenhagen J., Huang K.G., Hunt B.D., and Schowalter L.J. Interface structure and lattice mismatch of epitaxial CoSi2 on Si(lll). // Appl. Phys. Lett. -1987. -V.51, №15. -p.l 176-1178.

150. Zentgraf A., Gartner K., Schippel S. and Gaiduk P.I. Influence of damage on the formation of CoSi2 by Co implantation.// Nucl.Instr. and Meth. B. -1996. -V.l 14, №1-2. -p.46-55.

151. Zhu H.N., Liu B.X. Epitaxial CoSi2 layers fabricated by a single-step technique of high-current Co-ion implantation. Rapid communication. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1999.-V. 32, -p. L119-L123.

152. АВТОРСКИЙ СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ

153. Пархоменко Ю.Н., Галаев А.А., Боженов А. В., Выговская Е. А., Щербачёв К.Д. Влияние параметров ионно-лучевого синтеза на формирование слоёв CoSi2 в кремнии. // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. -1999. -№1. С.11-15.

154. Parkhomenko Yu.N., Bozhenov A.V., Chtcherbatchev K.D., Ufimtsev V.B. Epitaxial growth of CoSi2 layers on silicon formed by ion beam synthesis. -Abstracts of the Third International Conference Single Crystal Growth, Strength

155. Problems, and Heat Mass Transfer/ISCS-99. Obninsk, Russia, Institute for Physics and Power Engineering, September 21-24, 1999. - P. 102.

156. Пархоменко Ю.Н., Боженов А. В., Бублик В. Т., Щербачёв К.Д. Модель фазообразования дисилицида кобальта в кремнии в процессе ионно-лучевого синтеза. // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. -2000. -№4. -С.44-49.