Менханизмы формирования зарядового состояния атомных частиц при вторичной ионной эмиссии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.04 ВАК РФ

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им. М.В.Ломоносова

Р Г Б ОД

1 5 ДЕК 1938

УДК 537.534 На правах рукописи

КЛУШИН Дмитрий Владимирович

МЕХАНИЗМЫ ФОРМИРОВАНИЯ ЗАРЯДОВОГО СОСТОЯНИЯ АТОМНЫХ ЧАСТИЦ ПРИ ВТОРИЧНОЙ ИОННОЙ ЭМИССИИ

Специальность 01.04.04. - физическая электроника

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени канидата физико-математических наук

Москва 1996

Работа выполнена на физическом факультете Московского Государственного Университета им. М.В.Ломоносова.

Научные руководители:

доктор физико-математических наук, профессор Гусева М.Б.

(физический факультет МГУ им. М.В.Ломоносова)

доктор физико-математических наук Уразгильдин И.Ф.

(физический факультет МГУ им. М.В.Ломоносова)

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук Мартыненко Ю.В.

(Российский Научный Центр "Курчатовский институт")

кандидат физико-математических наук Девятко Ю.Н.

(Московский инженерно-физический институт)

Ведущая организация - НИИЯФ МГУ им. М.В.Ломоносова

Защита состоится 1996 года в часов

на заседании диссертационного совета К.053.05.22 в МГУ по адресу: 119899 Москва, Воробьевы горы, физический факультет, аудитория

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке физического факультета МГУ.

Автореферат разослан " 4 " ¿ЫШ^ыЯ 1996 года.

-77

Ученый секретарь

диссертационного совета Кубарев В.А.

общая характеристика работы

актуальность темы. Электронный обмен между атомной частицей и поверхностью твердого тела является одним из фундаментальных аспектов взаимодействия "атом-поверхность". Этот процесс лежит в основе многих физических явлений, происходящих на поверхности, имеющих помимо чисто научного большое прикладное значение. Благодаря этому в последние годы наблюдается повышенный интерес к всестороннему рассмотрении проблемы перезарядки.

Несмотря на большое число работ в этой области исследований, до сих пор нет общепризнанной точки зрения на физические процессы формирования зарядового состояния атомной частицы при ее взаимодействии с поверхностью. Современное понимание механизмов формирования вторичных ионов при ионном облучении различных материалов является далеко еще неполным: ряд закономерностей вторичной ионной эмиссии (ВИЗ) остается необьясненным, различные модели ВИЗ часто противоречат друг другу. Следует отметить, что даже для самой простой ситуации (эмиссия вторичных ионов в основном состоянии с чистой поверхности обыкновенных металлов) проблема создания единого подхода, описывающего различные аспекты ВИЗ, до сих пор остается неразрешенной. Адекватное описание процесса ВИЗ актуально и для практических приложений, прежде всего, потому что вторичная ионная эмиссия лежит в основе одного из самых чувствительных методов анализа поверхности - вторичной ионной масс-спектрометрии.

Большинство вторичных ионов составляют однократно заряженные положительные или отрицательные ионы, хотя их доля в общем потоке вторичных атомных частиц весьма незначительна. Для чистой поверхности металла или полупроводника доля частиц, покидающих поверхность в виде однократно заряженных положительных ионов, составляет ю~5 - Ю~3, Экспериментальные трудности при исследовании ВИЭ связаны с проведением экспериментов в сверхвысоком вакууме с хорошо контролируемыми условиями. Наиболее важным, но неясным является вопрос о локальном состоянии поверхности в области эмиссии вторичного иона. Прямые экспериментальные исследования области распыления в течение достаточно короткого временного интервала эмиссии (порядка ю-13 с) в настоящее время практически неосуществимы. Поэтому

для описания ВИЭ прежде всего нужны определенные приближения, касающиеся электронных свойств возмущенной области твердого тела, из которой происходит эмиссия. В связи с этим модели перезарядки между распыленной частицей и поверхностью твердого тела развиваются по мере развития таких приближений.

Современные модельные представления о формировании вторичных ионов в основном состоянии связаны с туннелированием электронов между распыленным атомом и поверхностью твердого тела. Кроме того, в последнее время активно исследуется роль возбуждений электронной подсистемы распыляемой области твердого тела в формировании зарядового состояния эмитируемой частицы. Представляемая работа является дальнейшим развитием этих вопросов в теории ВИЭ.

цель работы состояла в теоретическом исследовании физических процессов, ответственных за формирование однократно заряженных вторичных ионов в основном состоянии при эмиссии с чистой поверхности твердого тела.

научная новизна. В работе впервые получены следующие научные результаты:

- Получено аналитическое решение задачи перезарядки между электронным уровнем атомной частицы и зоной электронных состояний твердого тела в рамках нестационарной модели Андерсона-Ньюнса с равновесными начальными условиями для суммарной системы "гибридизованный атом + поверхность". Полученное решение исследовано для двух частных случаев: слабого и сильного изменения положения атомного уровня в зависимости от расстояния до поверхности. Проанализированы основные механизмы, ответственные за формирование вторичных ионов.

- Исследована динамика локальной электронной температуры в области каскада столкновений при вторичной ионной эмиссии. Изучено влияние остывания электронной подсистемы в каскадной области на вероятность ионизации и формирование энергетических распределений вторичных ионов.

- В рамках предложенной теории объяснены зависимость вероятности ионизации распыленного атома металла от скорости отлета от поверхности и сдвиг положения максимума энергетического распределения вторичных ионов при увеличении

угла эмиссии. Продемонстрировано количественное соответствие теоретических и экспериментальных результатов, что не удавалось ранее при использовании других моделей ВИЗ.

- Предложен способ определения степени локального разогрева электронной подсистемы твердого тела в области взаимодействия с падающим на поверхность пучком атомных частиц.

научная и практическая ценность.

Полученное в диссертации решение задачи перезарядки в случае отлета атомной частицы от поверхности твердого тела дало возможность объяснить в рамках единого подхода совокупность экспериментальных закономерностей при вторичной ионной эмиссии.

Полученные результаты можно рассматривать как еще один шаг на пути создания количественного метода вторично-ионной масс спектрометрии (БИМС), которая на данный момент является самым чувствительным методом анализа состава поверхности.

Исследование роли локального электронного разогрева в формировании вторичных ионов может быть использовано при экспериментальном изучении свойств электронной подсистемы в области распыления.

защищаемые положения.

- Квантовомеханический подход к описанию вторичной ионной эмиссии с поверхности металлов, выявляющий два основных механизма формирования вторичных ионов: туннельный и механизм термализации, с возможностью преобладания одного из них.

- Объяснение совокупности экспериментальных закономерностей ВИЗ (абсолютное значение вероятности ионизации, поведение вероятности ионизации от скорости эмитируемой частицы, сдвиг энергетических распределений вторичных ионов при изменениии угла эмиссии) в рамках предложенного модельного подхода.

- Анализ влияния динамики локальной электронной температуры в области каскада столкновений в твердом теле на процесс образования вторичных ионов.

Способ определения степени локального разогрева электронной подсистемы твердого тела в области распыления.

апробация работы. Результаты исследований, которые вошли в диссертацию, были доложены на XV и XVI Международных

конференциях по атомным столкновениям с твердым телом (Лондон, Канада, 1993; Линз, Австрия, 1995), на х Международном симпозиуме по неупругому взаимодействию ионов с поверхностью (Вайоминг, США, 1994), на XII Конференции по взаимодействию атомных частиц с твердым телом (Звенигород, Россия, 1995).

публикации. Теме диссертации посвящено 16 публикаций, список которых приведен в конце автореферата.

структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения. Работа содержит 134 страницы, включая 16 рисунков и список литературы из 173 наименований.

содержание работы. Во введении обосновывается актуальность темы, формулируется цель исследований, новизна и практическая значимость работы, приводятся основные положения, выносимые на защиту, излагается структура диссертации.

Первая глава является литературным обзором по теме диссертации. Литературный обзор условно разбит на две основные части. В первой из них рассмотрено развитие теории перезарядки и состояние данной области в настоящее время. Вторая часть посвящена вторичной ионной эмиссии, причем описаны как современные модельные представления ВИЗ, так и ее основные экспериментальные закономерности.

во второй главе сначала изложена постановка задачи электронного обмена при взаимодействии атомной частицы с поверхностью твердого тела. Показано, что при слабо неадиабатическом движении частицы задача резонансной перезарядки с твердым телом сводится только к описанию отлета. Обосновано использование равновесных начальных условий для суммарной системы "гибридизованный атом + поверхность", .

При использовании метода уравнений движения для операторов получено аналитическое решение для заселенности атомного уровня Еа при произвольных начальных условиях. Затем с применением температурных функций Грина расчитаны равновесные начальные условия и получено выражение для вероятности ионизации Р+ отлетающей атомной частицы при эмиссии из равновесного состояния.

Далее во второй главе рассмотрена ситуация, когда положение атомного уровня практически не меняется с расстоянием г до

поверхности (Ea(z)=const<o, (отсчет от уровня Ферми)). Для случая нулевой температуры получено асимптотическое выражение для вероятности ионизации р+, анализ которого позволяет понять полученные результаты с физической точки зрения.

Когда скорость отлетающего атома бесконечно мала, то р+ -> о (т.к. Еа<о), т.е. на уровне Ед находится электрон. С увеличением скорости появляется возможность ионизации уровня Еа. Это может осуществляться по двум каналам.

Первый обусловлен тем, что эффективное время пребывания атома в области взаимодействия с поверхностью конечно, а значит есть неравная нулю вероятность нерезонансного перехода электрона на вакантное место выше уровня Ферми. При этом начальное состояние особой роли не играет, т.к. при медленном отлете атома вероятность заселенности уровня Еа близка к единице; важно лишь, насколько неадиабатичным является отлет,. поэтому этот канал можно назвать "динамическим".

Второй канал связан с эффектами "памяти" системы. Наличие гибридизации приводит к тому, что электроны в некотором смысле являются "коллективизированными", т.е. в какой-то степени принадлежащими и зоне твердого тела, и уровню Еа. Идет постоянный обмен электронами между уровнем и зоной, причем наиболее подвержены этому обмену электроны с энергиями в окрестности Еа. Поэтому при отлете атомной частицы вероятность ионизации определяется также интегральным вкладом от разности квазирезонансных электронных переходов с атома в зону и наоборот. Очевидно, что эта вероятность зависит как от начального состояния, так и от того, насколько быстро атомная частица удаляется от поверхности.

В случае, если вклад в перезарядку обоих каналов сравним, то они интерферируют, что приводит к слабопромодулированной осциллирующей зависимости вероятности ионизации от скорости.

Далее проанализирована роль температурных эффектов в формировании зарядового состояния отлетающей от поверхности атомной частицы для случая E&(z) const.

Третья глава посвящена теории вторичной ионной эмиссии с поверхности металла.

Рассмотрен процесс перезарядки при отлете атомной частицы от поверхности металла с учетом сдвига атомного уровня Eg(z) распыленной частицы за счет потенциала изображения. Принималось

во внимание, что атомный уровень Ед(г) меняется значительно в зависимости от расстояния до поверхности и пересекает уровень Ферми на некотором расстоянии го.

Задача решалась для двух предельных случаев, отличающихся соотношением между локальной электронной температурой те в области распыления, которая использовалась в качестве подгоночного параметра, и характерной энергией возбуждения электронов »V за счет конечного времени взаимодействия; -перпендикулярная составляющая скорости атомной частицы, 1/1 -характерное расстояние затухания электронных волновых функций вне металла. Были получены и проанализированы решения для вероятности ионизации распыленного атома в низкотемпературном

(те<<г^) и высокотемпеРатУРном (тв»*у ) слУчаях*

С точки зрения вторичной ионной эмиссии из металлов наиболее интересным оказывается высокотемпературный режим (те»гу ). Энергетическое распределение вторичных ионов, эмитируемых из металла, имеет выраженный максимум в диапазоне энергий 5+15 эВ, Если для указанного диапазона энергий оценить температурный параметр тв/?у , то окажется, что для си, например, высокотемпературный режим осуществляется уже при те>500 к.

Электронная температура в области бомбардировки требует отдельного обсуждения. Этот вопрос подробно рассматривается в четвертой главе. Однако, следует отметить, что те отличается от ионной температуры в области распыления и может достигать по некоторым оценкам несколько тысяч к.

Полученное в высокотемпературном случае выражение для вероятности ионизации Р+ помимо слагаемого, характерного для низкотемпературного режима и обусловленного кинетическими эффектами, связанными с пересечением атомным уровнем частицы уровня Ферми, имеет второе слагаемое. Это слагаемое описывает "термализацию атомного уровня", т.е. установление заселенности атомного уровня, отвечающей локальной электронной температуре в области эмиссии.

Показано, что полученные теоретические результаты не вступают в противоречие с двумя наиболее известными в настоящее время моделями перезарядки при вторичной ионной эмиссии. Более того, при определенных условиях эти модели являются частными случаями более общей модели, рассмотренной в настоящей диссертации.

Таким образом, при вторичной ионной эмиссии можно выделить два механизма формирования зарядового состояния: туннельный механизм (название "туннельный" носит условный характер и его использование связано с устоявшимся названием "модель электронного туннелирования") и механизм термализации. В низкотемпературном режиме основную роль играет туннельный механизм. Какой из механизмов преобладает при высокотемпературном режиме, зависит от конкретной ситуации. Это определяется многими факторами (поведением уровня Еа(2)/ расстоянием нейтрализации го, шириной уровня, локальной электронной температурой и др.), и требует в каждом случае

0.5 1.0

2.0 2.5 3.0 3.5

1/V (1(Г s/cm)

Рис.1. Зависимость от скорости вероятности ионизации атомов металла, распыленных ПОД углом 45 из ЧИСТЫХ поликристаллов Та, Nb, И Си. Экспериментальные точки (А. Wucher, H.Oechser, Surf, sei. (1988), 199, р.567.)

обозначены темными квадратами; сплошные линии представляют теоретические кривые. Вертикальный масштаб выбран в соответствии с экспериментальной работой.

отдельного рассмотрения.

Тем не менее, в общем случае можно предсказать характерное поведение вероятности ионизации Р+ от обратной скорости 1/у^. При больших скоростях V ситуация соответствует низкотемпературному режиму, и единственным механизмом формирования иона является туннельный, что соответствует линейному участку в зависимости 1пр+ при малых l/vL. С уменьшением скорости реализуется высокотемпературный режим. Однако, даже для высокотемпературного режима до некоторых., может преобладать туннельный механизм. При дальнейшем уменьшении скорости начинают проявляться температурные эффекты, и очень быстро механизм термализации становится преобладающим в формировании зарядового состояния иона (выход на насыщение кривой 1пР+ с увеличением обратной скорости .

В конце третьей главы произведено сравнение полученных теоретических результатов с известными экспериментальными данными по зависимости вероятности ионизации от обратной скорости для ряда металлов (Си, иь, та), см. рис.1. Продемонстрировано, что предлагаемый теоретический подход позволяет получить очень хорошее согласие с экспериментом не

только характера поведения Р+ от , но и по абсолютного

+

значения р (чего не удавалось ранее для других теоретических моделей).

в четвертой главе рассмотрено влияние динамики локальной электронной температуры в области распыления на формирование вторичных ионов.

Влияние столкновительного каскада, развивающегося в твердом теле при вторичной ионной эмиссии, на электронную подсистему можно свести к появлению эффективного источника разогрева <2(г,1:), мощность которого пропорциональна энергии, переданной бомбардирующей частицей в каскад. Было выбрано удобное координатное распределение для сз(г,Ъ). Временное поведение 0(г,Ь) задавалось в общем виде и учитывало расширение геометрической области каскада и процессы его развития и затухания.

Подробно рассмотрен вопрос о правомерности использования концепции локальной электронной температуры на временном масштабе, характеризующем каскад столкновений (несколько сотен фс). Обосновано существование локального квазиравновесия

ю

электронной подсистемы с повышенной температурой в области распыления.

Проанализировано уравнение баланса энергии для электронов. При этом область распыления рассматривалась как двух-температурная система, состоящая из электронной и фоионной подсистем. Показано, что в период интенсивного развития каскада столкновений электронная подсистема получает значительно больше энергии от каскада, чем она способна отдать в фононную подсистему. Энергообмен между двумя подсистемами важен за пределами источника разогрева (каскада), а также по мере уменьшения мощности источника. Однако, в период формирования вторичных ионов энергообменом электронов с фононной подсистемой можно пренебречь.

Получено аналитическое выражение для локальной электронной температуры те в области каскада столкновений и исследована временная динамика те. Показано, что в случае бомбардировки поверхности атомными частицами с энергией в несколько кэВ возможен локальный разогрев электронной подсистемы до нескольких тысяч к.

Далее в четвертой главе проанализировано влияние остывания электронной подсистемы в области распыления на формирование вторичных ионов. Показано, что уменьшение локальной электронной температуры с характерным временным масштабом, соответствующим времени жизни каскада столкновений (- 1 пс), не меняет значительно зависимость вероятности ионизации от обратной скорости р+(1^±) . Однако, совершенно иначе обстоит дело при формировании энергетического распределения вторичных ионов. Продемонстрировано, что наличие даже слабого остывания электронной подсистемы в области столкновительного каскада может существенным образом влиять на формирование энергетического спектра вторичных ионов, особенно при больших углах эмиссии. Наблюдается сдвиг положения максимума энергоспектра.

Концепция влияния остывания электронной подсистемы на формирование вторичных ионов может с успехом использоваться и для полупроводников. Обсужден ряд особенностей, которые необходимо учитывать в случае применения предложенной теории к полупроводникам.

Проанализированы экспериментальные результаты по угловой зависимости энергетических распределений вторичных ионов

кремния, см. рис.2. Особо отмечается, что теоретические результаты хорошо согласуются с экспериментальными не только для сдвига энергоспектров при увеличении угла эмиссии (изменение положения максимума в зависимости от угла эмиссии), но и для абсолютного значения вероятности ионизации, что не удавалось получить ранее в рамках других подходов.

10

ш

10 20 30 40 50 60 70 6 (угол эмиссии (град.))

Рис.2. Положение максимума энергетического спектра вторичных

ионов кремния в зависимости от угла эмиссии. Остывание

электронной подсистемы задавалось в виде те(Ъ) = т ,

где т ~ зооо к, 1 ~ 500 йс. " ое о *

В конце четвертой главы предлагается методика определения степени локального разогрева электронной подсистемы при вторичной ионной эмиссии, исходя из зависимости вероятности ионизации от температуры образца т .

Если электронная температура в области распыления те и ионная температура то совпадают, то примерный ход зависимости 1пР+ от 1/Т0 будет соответствовать кривой 1 на рис.з, т.е. меняться линейно от обратной температуры 1/то- Наличие локального разогрева электронной подсистемы приведет к отклонению от линейной зависимости (кривая 2 на рис.з), т.к. в этом случае источником поддержания температуры в большей мере

является внешнее воздействие (например, падающий пучок или столкновительный каскад в твердом теле), которое вызывает разогрев, а не ионный остов, хотя последний и может являться основным каналом отвода тепла. По величине загиба кривой 1пР+ от 1/т можно судить о степени локального разогрева электронов.

Рис.з. Зависимость вероятности ионизации (1пр+) от обратной температуры образца (1/то): 1) в случае отсутствия локального разогрева электронной подсистемы; 2) при наличии локального разогрева, а и р - независящие от то константы. (Т^ + /3)1/2 -электронная температура в области разогрева.

в заключении представлены выводы из диссертационной работы.

В представленной работе обобщены результаты теоретического исследования процессов формирования зарядового состояния атомных частиц при вторичной ионной эмиссии. Ряд принципиальных теоретических результатов получен впервые.

1. Показано, что при слабо неадиабатическом движении атомной частицы около поверхности задача резонансной перезарядки с твердым телом может быть рассмотрена только для отлета частицы. При этом обосновано использование равновесных, в смысле суммарной системы "гибридизованный атом + поверхность", начальных условий, которые были расчитаны с использованием температурных функций Грина.

Получено аналитическое решение задачи перезарядки между уровнем Еа атомной частицы и зоной электронных состояний в рамках нестационарной модели Андерсона-Ньюнса с равновесными начальными условиями. Полученное решение исследовано для двух частных случаев: слабого и сильного изменения положения атомного уровня Ea(z) в зависимости от расстояния до поверхности.

2. В случае Ea(z) ~ const показано наличие двух каналов перезарядки:

"динамического" - переход электрона в возбужденное состояние выше уровня Ферми за счет конечности характерного времени выключения взаимодействия;

связанного с "памятью" системы - влияние сформировавшихся к началу отлета равновесных условий на конечное зарядовое состояние.

Разобраны ситуации, когда один из указанных каналов является преобладающим, а также случай квантовой интерференции этих каналов.

3. При учете сдвига атомного уровня Ea(z) распыленной частицы, например за счет потенциала изображения в случае металлов, показано, что в формировании зарядового состояния вторичного иона участвуют два основных механизма:

туннельный - механизм резонансной нейтрализации при пересечении уровнем атомной частицы уровня Ферми;

термализации - установление заселенности атомного уровня, отвечащей локальной электронной температуре металла в области распыления.

В общем случае одновременно присутствуют оба механизма, но в зависимости от конкретной ситуации может преобладать один из них. Продемонстрировано, что полученные теоретические результаты не вступают в противоречие с наиболее известными в настоящее время моделями перезарядки при ВИЗ: ни с моделью электронного туннелирования, ни с моделью Шроубека. Более того, при определенных условиях эти модели являются частными случаями изложенной в настоящей работе теории.

4. Исследована динамика локальной электронной температуры в области каскада столкновений при вторичной ионной эмиссии.

Показано, что в случае бомбардировки поверхности атомными частицами с энергией в несколько кэВ возможен локальный разогрев электронной подсистемы до нескольких тысяч к.

Рассмотрено влияние остывания электронной подсистемы в области каскада на вероятность ионизации и формирование энергетических спектров вторичных ионов. Установлено, что наличие даже очень слабого остывания электронной подсистемы за время перезарядки может существенным образом влиять на форму энергоспектров, особенно при больших углах эмиссии.

5. Объяснена зависимость вероятности ионизации распыленной частицы от скорости ее отлета от поверхности. Сравнение с экспериментальными результатами для вероятности ионизации в зависимости от обратной скорости вторичного иона демонстрирует количественное совпадение данных теории и эксперимента.

Объяснен сдвиг положения максимума энергетического распределения вторичных ионов в сторону больших энергий при увеличении угла эмиссии. Продемонстрировано хорошее соответствие теоретических и экспериментальных результатов не только для положения максимума энергетического спектра вторичных ионов, но и для абсолютного значения вероятности ионизации, что не удавалось ранее при использовании других моделей ВИЭ.

6. Предложен способ определения степени локального разогрева электронной подсистемы твердого тела в области эмиссии, исходя из зависимости вероятности ионизации от температуры образца.

СПИСОК публикаций ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

1. Гусев М.Ю., Клушин Д.В., Уразгильдин И.Ф., Шаров C.B., "Влияние особенностей зонного спектра на перезарядку атомов При ИХ СТОЛКНОВеНИИ С поверхностью", ЖЭТф, 1993, том юз, СТр. 2102-2115.

2. Клушин Д.В., Гусев М.Ю., Уразгильдин И.Ф., "Механизмы формирования зарядового состояния атомной частицы при ее отлете от поверхности твердого тела", жэтф, 1994, том юб, СТр. 225-243.

3. Urazgil'din I.F., Gusev M.Yu., KXushin D.V., Sharov S.V., "Effect of Band Structure on Charge Exchange during Atom-Surface Collisions", Phys. Rev. B, 1994, vol. 50, pp. 55825586.

4. Klushin D.V., Gusev M.Yu., and Urazgil'din I.F., "Charge State of Atomic Particles Ejected from Solid Surfaces: Influence of Initial Conditions", Nucl, Instr. Meth. B, 1994, vol. 90, pp. 542-546.

5. Klushin D.V., Gusev M.Vu., Urazgil'din I.F., "Velocity dependence of ionization probability of secondary ions emitted from metal surfaces", Nucl. Instr. Heth. B, 1995, vol. 100, pp. 316-321.

6. Гусев М.Ю., Клушин Д.В., Шаров С.В., Уразгильдин И.Ф., "Теория зарядового обмена атомной частицы с ограниченной зоной электроннных состояний поверхности", ЖЭТф, 1996, ТОМ 109, стр. 562-580.

7. Клушин Д.В., Лысенко С.А., Гусев М.Ю., Матулевич Ю.Т., Коллигон Дж.С., Уразгильдин И.Ф., "Особенности формирования энергетических спектров вторичных ионов при различных углах ЭМИССИИ", Изв.РАН, физ.серия, 1996, ТОМ 60, N4, СТр.198-200.

8. Klushin D.V., Gusev M.Yu., Lysenko S.A., Urazgil'din I.F., "Effect of the local electronic temperature on secondary-ion spectra", Phys. Rev. B, 1996, vol. 54, pp. 7062-7066.

9. Клушин Д.В., Гусев М.Ю., Лысенко С.А., Уразгильдин И.Ф., "Особенности формирования энергетических спектров вторичных ионов при различных углах эмиссии", Материалы хи Междунар. конф. "Взаимодействие ионов с поверхностью", 5-8 сентября 1995г., Звенигород, М., Том 1, стр. 237-240.

ю. Гусев М.Ю., Клушин Д.В., Уразгильдин И.Ф., Шаров С.В., "Теория зарядового обмена атомной частицы с ограниченной зоной электроннных состояний поверхности", Материалы хи Междунар. конф. "Взаимодействие ионов с поверхностью", 5-8 сентября 1995г., Звенигород, М., Том 1, стр. 149-152.

11. Klushin D.V., Gusev M.Yu., and Urazgil'din I.F., "Features of Electronic Exchange During Ejection of Atomic Particle from a Solid Surface" in : Proc. of the 15-th Internat. Conf. on Atomic Collisions in Solids, London (Canada) July 1993, p.B50.

12. Klushin D.V., Gusev M.Yu., and Urazgil'din I.F., "Mechanisms of Charge State Formation of Atomic Particles during the Secondary Ion Emission from Metals" in : Proc. of the 10-th Inelastic Ion Surface Collisions Workshop , The Grand Targhee Resort, Alta, Wyoming (USA) August 1994, p.48.

13. Klushin D.V., Gusev M.Yu., Lysenko S.A., colligon J.S., and Urazgil'din I.F. "Secondary ion spectrum dependence on the angle of ion emission", 16th Internat. Conf. on Atomic Collisions in Solids (ICACS 16), July 17-21, 1995, Linz, Austria, A76.

14. Urazgil'din I.F., Gusev M.Yu., Klushin D.V., and SharovS.V., "Charge exchange between an atomic particle and a finite band of electron states of the surface", 16th Internat. Conf. on Atomic Collisions in Solids (ICACS 16), July 17-21, 1995, Linz, Austria, A43.

15. Klushin D.V., Gusev M.Yu., Lysenko S.A., and Urazgil'din I.F., "The effect of the local electronic temperature on secondary ion spectrum", Internat. Symposium on Dynamical Quantum Processes on Solid Surfaces (DQPSS'95), September 2 0-22, 1995, Osaka, JAPAN

16. Urazgil'din I.F., Gusev M.Yu., Klushin D.V., Sharov S.V., "The effect of surface electronic structure on charge exchange in atom-surface collisions", 13th Internat. Vacuum congress/ 9th Internat. Conf. on Solid Surfaces (IVC-13/ICSS—9), 25-29 September, 1995, Yokohama, JAPAN, p.426.