Метод расчета характеристик распыления материалов первой стенки термоядерных плазменных установок тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.08 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. Распыление конструкционных материалов в реакторах термоядерного синтеза (Обзор).

1.1. Характерные виды распыления в условиях термоядерного реактора.

1.2. Эрозия элементов реактора при распылении и проблема выбора конструкционных материалов.

1.3. Теоретическое описание процессов распыления. 23 ВЫВОДЫ.

ГЛАВА 2. Распыление однокомпонентных материалов легкими ионами.

2.1. Исходные уравнения задачи катодного распыления. Решение задачи в случае линейных каскадов столкновений.

2.2. Модель распыления аморфных материалов легкими ионами.

2.3. Угловое распределение распыленных атомов.

2.4. Энергетический спектр распыленных атомов.

2.5. Расчет коэффициентов распыления легкими ионами.

2.6. Результаты расчетов.

ВЫВОда.

ГЛАВА 3. Распыление многокомпонентных материалов легкими ионами .••.•.«.

3.1. Постановка задачи и исходные уравнения. Решение для режима линейных каскадов столкновений

3.2. Модель распыления многокомпонентных аморфных веществ легкими ионами. •.

3.3. Распыление многокомпонентных веществ постоянного состава. Режим равновесного распыления большими дозами ионов.

3.4. Результаты расчетов. вывода.юб

ГЛАВА 1У. Распыление первой стенки термоядерной установки горячей плазмой.X

4.1. Расчет коэффициентов распыления при взаимодействии горячей плазмы с поверхностью в условиях ТЯР. а) распыление атомами перезарядки. б) распыление ионами плазменных примесей и самораспыление

4.2. Роль распыления в процессах теплопереноса и образования униполярных дуг на границе горячей плазмы и проводящей поверхности.

4.3. Возможность повышения точности анализа плазменных примесей, осажденных на поверхность первой стенки. вывода.ко

Первая стенка вакуумной камеры и некоторые другие конструкционны е элементы термоядерной плазменной установки подвергаются интенсивно^ воздействию потоков частиц и излучений термоядерной плазмы. Одним из наиболее важных цроцессов, цроис-ходящих при взаимодействии горячей плазмы с поверхностью первой стенки, является физическое распыление материала стенки в результате бомбардировки быстрыми топливными частицами дейтерия и трития, cL - частицами и нейтронами, образующимися в результате термоядерной реакции, а также частицами плазменных цримесей. Явление физического распыления заключается в выбивании из вещества атомов поверхностного слоя под действием каскадов столкновений атомов, образованных быстрой первичной атомной частицей или нейтроном, и соцровождаетея разрушением поверхности.

Учет распыления в условиях ТЯР необходим как на стадии проектирования конструкции плазменной установки, так и цри определении оптимальных режимов работы реактора, поскольку распыление частицами горячей плазмы является основным механизмом эрозии первой стенки термоядерной установки и ряда конструкционных элементов, непосредственно взаимодействующих с плазмой. Помимо разрушения элементов установки и связанной с этим цроблемой их периодической замены, распыление приводит к загрязнению дейтерий-тритиевой плазмы тяжелыми примесями, что в свою очередь, вызывает охлаждение плазмы и другие отрицательные изменения её свойств. Таким образом, характеристики распыления материала в значительной степени определяют возможность

- о его использования в ТЯР.

Для детального изучения процессов, связанных с явлением распыления и протекающих на поверхности первой стенки, ограничивающей плазменный объём, и в самой плазме, необходимо црежде всего решить следующие задачи:

1) как для цростых, так и для многокомпонентных материалов, используемых цри конструировании элементов первой стенки и подвергающихся воздействию горячей плазмы, необходимо определить полные коэффициенты распыления (т.е. число выбитых атомов, црихо-дящихся на один упавший ион), а для многокомпонентных материалов - также парциальные коэффициенты распыления атомов каждой из компонент.

Коэффициенты распыления важно знать для оцределения скорости эрозии конструкционных элементов плазменной установки, а также цри изучении динамики поступления и состава плазменных цримесей. Следует выяснить закономерности изменения коэффициентов распыления в зависимости от основных параметров мишени и бомбардирующих её ионов. Наиболее важен случай распыления аморфных и поликристаллических материалов, используемых цри конструировании первой стенки ТЯР, легкими атомами и ионами термоядерной плазмы ( D , Т , Не ) с характерными энергиями от десятков эВ до сотен кэВ, а также ионами плазменных примесей. Интересен случай самораспыления материала первой стенки, наблюдаемый при рециклинге распыленных атомов в плазме.

2) Необходимо определить угловые и энергетические спектры распыленных атомов каждой из компонент материала, что важно для детального анализа состава и пространственного распределения цримесей в плазме с учетом рельефа и геометрической структуры поверхности первой стенки.

- б

3) Для многокомпонентных материалов наибольший интерес представляет определение перечисленных характеристик в режиме равновесного распыления, достигаемом цри больших суммарных дозах ионного облучения первой стенки в процессе эксплуатации термоядерной плазменной установки.

4) Необходимо определить характеристики распыления материалов с учетом углового и энергетического спектров частиц, попадающих из плазмы на поверхность первой стенки установки.

5) Важно изучить влияние распыления на свойства цристеночного слоя плазмы.

Изучение цроцессов распыления имеет важное значение не только для термоядерных исследований, но и для других областей науки, техники и технологии. Распыление широко црименяется для очистки и травления поверхностей, для получения тонких пленок и нанесении защитных и упрочняющих покрытий, цри ионном травлении сталей, сплавов, полуцроводников и диэлектриков, при анализе структуры и состава поверхности. Изученное катодного распыления важно также для устранения или минимизации эрозии конструкционных элементов и других нежелательных последствий, которые вызываются данным явлением в различных цриборах и установках, в частности, - электронных лампах и газоразрядных трубках, ионных источниках, установках для электронно-лучевой сварки и др.

Несмотря на то, что явление катодного распыления было отбыто еще в середине прошлого века, и к настоящему времени накоплен значительный экспериментальный материал по различным аспектам, до сих пор не существует достаточно точного теоретического описания многих экспериментальных результатов. Большинство теорий распыления позволяет расчитывать только одну характеристику - коэффициент распыления, причем получаемые результаты справедливы лишь в узком диапазоне энергий или масс ионов. При описании процессов распыления часто применяются слишком упрощенные подходы, вводятся подгоночные параметры или используются эмпирические соотношения. Особенно слабо разработана теория распыления легкими ионами, и в этом случае для расчетов в основном используется либо метод численного моделирования, либо эмпирические формулы. Наиболее известной теории Зигмунда /31/, описывающей распыление тяжелыми ионами, также свойственен ряд недостатков. В стадии начального развития находится теория распыления многокомпонентных веществ.

Таким образом, разработка методов расчета характеристик распыления простых и многокомпонентных материалов и их использование для изучения распыления в условиях ТЯР, является.акту-альной научной и практической задачей.

В данной работе цредложен метод расчета полных и парциальных коэффициентов распыления, а также угловых и энергетических спектров распыленных атомов цростых и многокомпонентных материалов, основанный на решении системы стационарных кинетических уравнений для линейных каскадов столкновений атомов полубесконечной среда* Рассмотрено црименение полученных результатов для описания распыления поверхности первой стенки горячей плазмой, цри изучении влияния распыления на процессы дугообра-зования и теплопереноса на границе между плазмой и проводящей стенкой, а также для описания потоков атомов, выбиваемых с поверхности первой стенки цри анализе осазденных на неё плазменных цримесей.

На защиту выносятся следующие результаты работы:

1) Метод расчета коэффициентов распыления, угловых и энергетических распределений распыленных атомов простых и многокомпонентных аморфных материалов постоянного состава.

2) Метод расчета характеристик распыления и поверхностных концентраций компонент сложных веществ, распыляемых в равновесном режиме при облучении мишени большими дозами ионов.

3) Методика расчета коэффициентов распыления первой стенки плазменных установок атомами перезарядки, а также ионами плазмы и примесей.

4) Полученные автором соотношения, описывающие закономерности цроцессов распыления аморфных мишеней под действием ионной бом-бардщювки, а также соотношения, характеризующие влияние распыления на свойства пограничного плазменного слоя.

5) Результаты расчетов характеристик распыления цростых и многокомпонентных материалов и характеристик пограничного плазменного слоя.

6) Иллюстрируемые полученными расчетными результатами закономерности распыления моноэнергетическими ионными пучками и горячей плазмой, а также закономерности процессов теплопереноса и дуго-образования на границе горячей плазмы и проводящей поверхности.

Основные результаты диссертации опубликованы в работах /66, 67,78,79,99,100/

Результаты работы были использованы в НПО "Энергия" при разработке конструкционных элементов установки Т-ЗМ и постановке новых экспериментов на ней.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

При конструировании и эксплуатации различных плазменных установок, в частности, установок, предназначеннных для осуществления УТС, необходимо учитывать распыление первой стенки и других конструкционных элементов частицами горячей плазмы. Распыление влияет на состав и пространственное распределение примесей в плазме, что отражается на наиболее важных параметрах плазменной системы. Кроме того, ресурс работы многих деталей установки в большой степени определяется их распылением. В связи с различиями в типах и конструкции термоядерных плазменных установок, многообразием используемых в них материалов и сложностью условий взаимодействия горячей плазмы с поверхностью, применение известных экспериментальных данных по распылению затруднено, и важную роль при описании распыления в плазменных установках приобретают теоретические методы. Большое црактическое значение имеет разработка методов, применимых для расчетов дифференциальных и интегральных характеристик распыления различных конструкционных материалов, в том числе - парциальных характеристик распыления многокомпонентных веществ и сплавов, а также вывод простых аналитических соотношений, описывающих основные закономерности распыления.

В данной работе на основе строго статистического подхода разработан метод расчета характеристик распыления простых и сложных аморфных веществ. Полученные результаты были использованы для описания распыления цри взаимодействии горячей плазмы с поверхностью первой стенки ТЯР, а также в некоторых других областях плазменных исследований.

1. Каминский М. Атомные и ионные столкновения на поверхности металла • М.: Мир, 1967- 508с.

2. Плешивцев Н.6. Катодное распыление. -М.: Атомиздат, 1968 295с. .

3. Плешивцев Н.В. Физические проблемы катодного распыления- М.: ИАЭ им. И.В.Курчатова, 1979 85с.

4. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. /Ред.Бериш Р.- М.: Мир, 1984. -336с.

5. BeJaHscli 9-. erosion tH fusion reacio^S»—{ Мигель Fusion з Ш2 , ЛГ. Al\ N. 6, p. 69 5 ИЪ ,

6. МсСу-аскеи Qr.E.} Stott p,E, P^as>v>ci Sum face. ikUractio* S In to Icq ыа Ics . - blue teair fusion, 4979, V. 49 , N. 7 , p. 889-981.

7. BeiiKScb (i. Sut-^лсе erosion -from pCasi^a iMoJzrtai tutemct.on . loans. Nuc£. MaterW9 , V. 85 -86 , Pabt E>, p. 40ЧЧ -iOGi.

8. Bokdanslc^ 3"- IiMjoo^taid' $ри"Не*-;|лд ^tild dcd"a j-ov ~tolca VvAftk-S a COViAya-lriSOH lM£aSu\rev^2.lAtS Cmd estimate.- Tout-и. Nuc£. Mate*-., 43SO , V. j PaV-t A , p. -foo.

9. Мартыненко Ю.В. Взаимодействие плазмы с поверхностями. В кн.: Итоги науки и техники. Физика плазмы. ТЗ /Ред. Шафранов В.Д./. М.^ВИНИТИ,1982, с.119-175.

10. Мирное С.В. Физические процессы в плазме токамака. М.: Энергоатомиздат, 1983.-185с.

11. Ho&s Gr.TX j \a/i2,ssovv Т.Д. U'ftcit $to\)J askeaik Ы tW presence of e^ectrow -e^vussioto.

12. P£asv*ci PU^SicS, 496? , V. 9 , N. i J p. S7 .

13. Велихов Е.П., йотов В.Д. Основные результаты исследований по УТС и Физике плазмы в СССР за период с августа 1962 по август 1963г. -Вопр.атомн. науки и техн. Серия: Термоядерный синтез. Вып. 1(14), 1964.44.: ИАЭ,1964.-с.З.

14. Lok^ tcrkvi cUav^eS i,v\ ^UV^CXCC. CoV\cUfct'ev\ of PLT.

15. Cobzuy S. A . J T^to H.F. , HosszbacjzL S.M.; Picraux S.T., e.a. Jout-и. NucCcar Mochr., 49?S , V. ?6 } Ы. , v. 77 } H.t'2 j p. 459 -TO.14.isolated Metal J>taVe. exposed "to a ^ta^A. Pv~c>c. «4 ibe РЦс,. Sot., 495S, \/.73 ; Pt.3 , M.

16. Гусева М.И., Мартыненко Ю.В., Плешивцев H.B. Проблемы первой стенки термоядерных реакторов. В кн.: Исследованиеи разработка материалов для реакторов термоядерного синтеза. /Ред. Агеев Н.В.-М.: Наука, 1981,с.I06-II5.

17. Miodus^ewskl Р. , ОаиНъу L, Ol^v-cdio* о arcing tia ISX tolaxiMak . Зоиги. IVuci. Mode^ rt'49 , V. 25 -2G , РлИ: & , p.

18. Бурченко П.Я.,Волков B.C. Эрозия стенок вакуумных камер униполярными дугами в стеллараторах.-В сб.: Докл. Второйвсесоюзной конференции по инжнерным проблемам термоядерных реакторов. Т.4.- Л.:НИИЭФА,1981,с.242-24В.

19. Гервидс В.И., Коган В.И. Зависимость радиационных потерь термоядерной плазмы от атомного номера цримеси и температуры. Письма в ЖЭТФ, 1975, т.21, в.6, с.329-333.

20. Ke^weU F. at/vd V-^oU&i"iov\ theory о £ lu^U -vaciuuiM ^utUrli/^, — Plvtjs. 4955 , V. , M.G> f>. .

21. Магмой t>.E. Tkeov-^ of tke Sfutteriug process.-Pk^S- , <956- } V. ^02 , , p. тъ -ШО.

22. Groedkvcui Ф.Т., SihAon A. Tkob^ of ^ ki^U1. S)?eect LOkS- РЦ?>.

23. Pease S^uttariv^ So&cte uouc,. -Ih: ReucL'.coiAtl ScuoCa ГиЫ-мг-Со^лСе cLi fisica "bhrito.TzriMl", Coirso XIII, ?>ocieta ТЪхСсаьА di fisica ,1. ЪоЯоумк J {%0 , p.

24. P.К. , f^uit 3.M., 3. TUov-e-kcae. aspects 'слЦ^в. s^utUr^ lia tUc. hM/vge 5-2.5йeY. PU^ica } -<960 ; V. 2X , N. \\ , p. -1003 - <OM .

25. Оеипем 0., Bruce- G. Cottect;ov\ cwdl sjput-tc^-iu^ ejcjaerii/vientb V/;tU ho&te. lows. -Nucl. Iwstr. o^K Hdkods^^b^.H, p. 2.51) exiuttae. ehevg^ low. Nuce. Just к QmcI * Wetkocls , АШ p.

26. Булгаков Ю.В., К теории распыления металлов легкими ионами. ЖТФ, 1963, т.ЗЗ, в.4, с.500-504.

27. Мартыненко Ю.В. О зависимости коэффициента распыления от энергии ионов. ФТТ, 1964, т.6, в.12, с.3529-3534; ФТТ, 1966, т.8, в.7, C.2I09-2III.

28. Br-aiAfli W. , Uuu^ied iUeoir^.-Nuce. bivtr. ohaoI MeiWs , 41 ,N.2^.201-209.

29. TkoiM^son IM.W. Tta evvev^ of ejected atouus clwr»^ tke (м'^к sp utterly of — РЦе, Ma^ . ^ <968 , V. (%, N. , p. ШЧ .

30. Si^iAAuwi P. Tkeor^ of SfutteKiAj I. PU^S.

31. V. ^Ц , IV/. 2. ; p. -4Kb.

32. LiiAxtUai-ol N/ie^Se^ V., ScWc^v-ff M. Ctppiroxin/^tioH taetWod Lk classicScateKv/v^ scv-.ee иЫ CoufovuC- rfWvske, Viol. ^eesb^. Mcit.-^s. M^a.jj } 32 p.

33. Rukob Ю.А., Шкарбан И «И. Об одном обощении экспериментальQных данных по распылению металлов ионами цри Ео * 10' -Ю4 эВ. В кн.: Сборник докладов Второго всесоюзного симпозиума "Взаимодействие атомных частиц с твердым телом." -М., 1972, с.196-199.

34. WetssWiai^n S^v^uu^l p. £>utt«-iv»g a^d <£ack9ca-t<Mr{v^1..\f ti^fX to^S "hxr^sts .- loA. tff №Ъ , V. ,M.

35. Consistent tWeov^ ©4 SputHriiAg of Solid ijXJrejets

36. Сои 4о\лл£ал-с1\ллемЬ u^iw) Joower joot^tia^ •fou/. / Кл^а^а IC.j Wojou \C. , IC^ToktlC. Зои-t-w.й^е. РЦа., вп /V. нг , м.з , p.

37. Rode^pev-^er k. , (Oruger W.} (X. a

38. Сл.£СллCatюи of tlo*. olistri £ut;on of Sputteredatoms. Z. PU^jSik, , v. Am, N.i 5 p.m-tto.

39. Лусников А.В. 0 механизме распыления поверхностных атомов* ФТТ, 1978, т.20, в.8, с.2492-2494.

40. Плетнев В.В. Угловое распределение атомов, распыленных с поверхности аморфной мишени. -ФТТ, 1978, т.20, в.II, с.3379-3384.

41. Томпсон М. Дефекты и радиационные повреждения в металлах.- М.: Мир, 1971,-368с.

42. Litt k u. , Feeder S. P \rt Y\A.cOf4j r^COuC contribution io fow ion sputteriu^, Nu<*. lustrauc* Matkods } Л9Ц , NM-^p. 601 ~G<o. »

43. TaCcov\e G-. , 01iva Q. 'Lvoiv^ s^ctv-a oV cutout ьрийедггД keV -£i<j.kt и>и 4^\M&curdlMetft . - PUjSy\/Лъг jM. М , р. гон -гоъ,

44. Гусева М.И., Мартыненко Ю.В. Распыление материалов ионами

45. D+ I f4» He . -Физика плазмы, 1976, т.2, в.4, с.593-596,

46. Skvutk <t\L. s^utterik^ ълоМ |or $<Ъи reactor 5-iv-s.t -waXC i/uate*-ia£s , Зоинл. MucC. Mater. , WS , V. , tf. i , p. 2o - Zi.

47. BoWckuxsk^ S^RotW KU QM awx&fical fovmutai^v\^>oY"tav\t (ow--ewejrc^ lov\ sputter;^. Sour*. aytyC. , N/Л , p.47. Yat^avwura Y , (4<vbswV\cMMi M* , Iiow N. Theoret stuoUcs о\л an €vuy>C*rCccxt -forv^u(a £or

48. ЦлСлЛеллсе. Rc\dl. tif., v.H , M, , p. -6S.48. N.j P. di^c^rion

49. Cons lv\ со\м Jsouwi "targets. IC^C. флмЗк^ Viol. Seesk. M&t. - , Sot .39, N.3,49. flu attest to uuuM-stovMshutteri. -Nwcl.tw.str, aWl MctkooU , Wfc, v. 149, N. 4-2> } p, -srs-8 .50. iri^ue^ T-3., KWiri^uet -Vt'elat M.j

50. X'lairt* 3.&. Sputter;*^ i^ieM cct£cu Matron -for

51. W^et. ш.,me, v.tn ;p. -аз.

52. Линник С.П., Юрасова 6.Б. Распыление двухкомпонентных соединений и сплавов. Поверхность, 1982, №3, с.25-37.

53. Winters И.Г. ,Со&иги 3. И. Iw^ev\ce с4 tU, alt&rM io^nr о\л ple^tV, wec^surevweA^s GfpC.1.tters , me., v.г% ,м.ц m-ш.

54. Hftff P.K. 0 MooUC -for swr-f&ce fo^er cov^ositiovv ckau^cs 1\л s^utt^r»'^ aUo.s силе! оо1лл|эои1лс!?,. Qjojs^. PlujS. Letters, ШЦ , V. , N. Ц , |p. - 2fco.

55. Mo P. S. £-ffe.ctg of cli-ffuSton ov\ jjrefjererf sputte.ri^ of ко«Ало^едле.оиб aWojj suv^ac&s,. Suri. Sci. , V. } N1 , p. гъъ - ге-з.

56. IsWiW Т.} Т<х\лд\Ауа H. Scv^yCe. K^oclct j-ov sur-i-^ce. covvA^o^iiiow cWaAA^es o^- a^ojs сиД cow^ouvvct s ^ сои ^oivv. -Садтс!iaaCaaI fcaot. Ш. Letters , We , V.M3 .1. N. 4-S , p. -149 -m.

57. Кучинский В.В. Изменение состава приповерхностного слоя двухкомпонентного сплава при распылении ионами низких энергий. Поверхность, 1982, №4, с.93-97.

58. Мо££у\лли Т-3. S^utteri^ calculation wiftv tta. discrete.-©roUkcdes HAetW. Nuct. Sa. ,mfc , v. гоч-ги.

59. Mai-HSOH t>.B,) Себореей и C.&. CoMput.v^ ^^uCa-tion^ ofv. й?, (V.G^ p. 2252 -2259.59. £<*i-Kson &Л. Prefe.heMiia£ SjoutUA-iu^ of liuuur^ covAA^ouvvdsа \ллос(еС stud^. Surf. Set. , V.ыл, p. гз. -г? .

60. L.6-. jWcUoh V.tX Mowte.-Садг1о studies of sputUru^ , 7оии. N/uct. } V.^t, К/.v. ; м. >1-2 , p. ичб -Hss.

61. O.S. j M.T. CoiM^u+er siMwCatcoV) oftta.ref^ectiow of ЦЖ-о^ем cw* s^utteru^ of ЦЯгодСм ^rovw Иле-Ы. W^dKtUs. Jouv-и. K/ucl. ., W&j

62. V.Ik V.q^ ,N/.4-2 , p. ЪЧО -ЪЧЧ.

63. Мок M. } Qb£iwSon M.T. Cotwyu-Ыг Sivw.u&xtt'ov\ o-f ^ow-еиег^ s^utt&riiA^ LIA "tW ^с^лодг^ ооШыо\л a^proxi.-vuulW. a^ft. m^V.A^KU.p.^-^.63. тке Spu-tte.(riiA^ iMeckauI^vn tor 'Cou; -еллДЛп^

64. Coiac, • / keWisck R. , Madei-Cex-kbe*- Gr.^ SoUelr^eir &.KU.,

65. Ro&wsou M.T. -appt. PU^., v. Al ,М.Й , p.

66. R,. Coi/u^uier <^\лл.иtatiov» c?f S^utt&rii^ . — Py-oc . 4 -tw Iwtenrw. Vckcuuxvw Cov^r. cwd 3>-rd

67. Cowf. oh ^otid Surfaces ./Ы. Фо'бго^е.и^Ц fc.a.o.-Vi^^ , «ч . Vot. 2, p.

68. Ца^цллИс. L.Gy. y l.fc, Movvte, -CoJrlo cckIua. takloulof 'ti^Vt CoiA S^lA.-tt^ATlw^ л oftU.1.c^deMt адл^ге . -Тоипл. N/uct. Mccber. , Wo J v. Pavt В» p. GGM -&G9.

69. Плетнёв В .В., Семенов Д.С., Тельковский В.Г. Расчет угловых распределений атомов, распыленных легкими ионами. Поверхность,1982, №3, с.54-57.

70. Плетнев В.В., Семенов Д.С., Тельковский В.Г. Линейные ограниченные каскады в теории распыления аморфных веществ. Поверхность, 1983, № 5, с.5-14.

71. Goeirt-^eX Qr.} kaCos М.И. /Monte Car€о Methods intir-Аиsjaort jъУо . Pt-egress. ti* N/uc^eav

72. Vo-e.Z. / td . Hugkes ПХ1. N/e.^ Yoirk : Рег^лю^ Press , з p. 34S.

73. Калашников Н.П., Ремизович B.C., Рязанов М.И. Столкновения быстрых заряженных частиц в твердых телах. -М.: Атомиздат, 1980. 272с.

74. Соболев C.JI. Уравнения математической физики. Изд. 4-е. М.: Наука, 1966. 443с.

75. Таксоне 01iv* й. ' S|eutterмлд <?f ; cow JacketlucdrerCa^s . NuiMCrlccv-C of се e<juc<i;oiA.- OL^pt. PUxjs.} 84 , V. A33, N1.3 Ш -m.

76. Investigation °f -Ion s^uttertiA^ c| ti'touviiuvw-induced ^оиге^селлсе . /Вс^ ML^^weer Ьс^ел! P. jHiwti E. -Wm.K/uce. Mater., nUjV.m-^, p. 7-вг .

77. VCettUe. E Vc^eX&irucU K. Wv-w . tviuce. MaW.^ <<m , N. A-3, ; v.H , nM , p. П6 -<чг .

78. Мартыненко Ю.В. О радиационном повереждении кристаллов при облучении атомншш частицами. ФТТ, 1969» т.П» в.7, с.1968-1972.

79. Torres I.H. luterato^Cc f>oteMt{a^s . -K/.Y.-L. : Gcact . Press > m2 . 2ЧЧ f.

80. Плетнёв В «В., Семенов Д.С., Тельковский В.Г. Модель распыления многокомпонентных веществ легкими ионами. В сб. : Шестая всесоюзная конференция по физике низкотемпературной плазмы (сентябрь 1983г.). Тезисы докладов. Том I - Л.: ЛИЯФ, 1983,с. 210-212.

81. Ландау Л.Д., Лившиц Е.М. Механика. Изд. 2-е. - М.: Наука, 1965. - 204с.

82. SjDutteriwj ^artCcCe i. Pt.2. Sjjuttetfii^jof (xiioолл.^ covvAyoiA-uds } eCectгои a-wd v\eutrov»y c.uv-fc.te topo^rc^W^. / Ы. BcWv-iscU fc. , N/.V. : Sprite*- } тз . - f.

83. Surface Co-^ег coi^po^it(ow?> cWa^es sputteriujсcov^yov^ols . / Li^u Z.L-, Broww W.L., Помет R. . } P&*te, Т.Н. СЦ^С. РЦ& . Letters., Ч.Ъо , ЮЛ2 , p. GIG -G1%.

84. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М., Наука, 1978.-792с.

85. Si^ufcct Р. i O&va GL, Рл£соие. G. Sputtwiv^ o^ toutticouayowcmt * of a theoryNwct.ludr. оме! MetWs , m2. , \М«ЗЦ.; M. 1-3» , p. S4H-SMS.

86. Бакшт Ф.Г., Юрьев В.Г. Призлектродные явления в низкотемпературной плазме.- ЖШ, 1979, т.39, в.5, с.905-944.

87. Чекмарев И.Б. Макроскопические граничные условия в случае поглощающего катода и критерий Бома. В сб.: Шестая всесоюзная конференция по физике низкотемпературной плазмы (сентябрь1983г.). Тезисы докладов. Том I.- Л.: ЛИЯФ, 1983, с.146-148.

88. MecWU Б., feoVvdau^ J. jfcotW J- TU ^wttet-;^ ^'efdof t^y>Lcat Cows fov different reactor

89. VwateAricxts, . I our* . Muc£ . Mat cat. 4W , V. \Ol -•(ОЦ

90. P. ^ Ta^uer E . Pre^utieAriw^ of co\MyouvvoU> olue "to /ti'^Vt iov\ %>с\м^curdiAACvvt , Тоиги.

91. Wuct. Mdtw-.j mi ^у/.-ш-иг, p. 72&-T31.

92. Surface coHAjjoSCtiou eWa^e- TcC uwd&r OAS-Ъ keV U^ctv-о^елл uov\ о vm.^сцг(Яелл£ , / Tocvvtvlca И., Sallct К., OUi S., a.o. Tovlvw . HoJivr., тг 3v.<<G,м. г-з j p. ги -гго\

93. Габович М.Д., Порицкий В.Я., Проценко И.М. Катодное распыление и ионный разряд в слое между плотной высокоионизированной плазмой и соприкосающимся с ней коллектором. Укр. физ. журнал, 1981, т.26, в.1, с.164-165.

94. Сизоненко B.JI. О влиянии высокой вторичной эмиссии электронов на плазменный слой. ГО, 1961, т.51, в.II, с.2283-2291.

95. Бронштейн И.М., Фрайман Б.С., Вторичная электронная эмиссия. М.: Наука, 1969.- 407с.

96. Лисица B.C., Коган В.Н. Атомные процессы в плазме. В кн.: Итоги науки и техники. Физика плазмы. ТЗ. /Ред. Шафранов В.Д. - М.: ВИНИТИ, 1982, с.5-56.

97. Недоспасов А.В., Петров В.Г. Тепловая контракция при теплообмене горячей плазмы с металлической поверхностью.

98. ДАН СССР, 1983, т.269, ».3, с.603-606.