Методика нанооксидирования и травления поверхности n-InGaAs с помощью атомно-силового микроскопа тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.01 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ФОРМИРОВАНИЕ НАНОСТРУКТУР ПОСРЕДСТВОМ СКАНИРУЮЩИХ ЗОНДОВЫХ МИКРОСКОПОВ, МЕХАНИЗМЫ ЛОКАЛЬНОГО ОКСИДИРОВАНИЯ.

1.1 Методы локального оксидирования с помощью СЗМ.

1.1.1. Локальное оксидирование с помощью СТМ.

1.1.2. Локальное оксидирование с помощью АСМ.

1.1.2.1. Локальное оксидирование с помощью ПКАСМ.

1.2. Материалы для локального оксидирования с помощью АСМ.

1.3. Факторы процесса локального оксидирования.

1.3.1. Потенциал зонда.

1.3.2. Время экспонирования.

1.3.3. Влажность окружающей среды.

1.3.4. Покрытие иглы зонда.

1.3.5. Усилие зонда КАСМ.

1.3.6. Амплитуда колебаний зонда ПКАСМ.

1.3.7. Норма роста оксида.

1.4. Преимущества и ограничения методов локального оксидирования с помощью СЗМ.

1.4.1. СТМ-оксидирование.

1.4.2. АСМ-оксидирование.

1.4.2.1. Контактный режим.

1.4.2.2. Полуконтактный режим.

1.4.3. Рабочая атмосфера модификации.

1.4.4. Перспективы развития методов СЗМ-оксидирования.

1.5. Механизм локального оксидирования.

1.5.1. Потенциал зондов относительно поверхности образца.

1.5.2. Пороговое время пассивации поверхности.

1.5.3. Свидетельства электрохимической природы формирования оксидов с помощью СЗМ.

1.5.4. Химические реакции локального оксидирования.

1.6. Физические ограничения метода локального оксидирования.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТОВ.

2.1. Экспериментальная установка локального оксидирования.

2.2. Методика локального оксидирования InGaAs.

2.2.1. Контактный АСМ.

2.2.2. Полуконтактный АСМ.

2.3. Методика макрооксидирования поверхности n-InGaAs в гликоль-водном растворе для анодизации (АГВ).

ГЛАВА 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ПО ЛОКАЛЬНОМУ ОКСИДИРОВАНИЮ N-INGAAS.

3.1. Введение.

3.2. Описание эксперимента.

3.3. Результаты и обсуждения.

3.3.1. АСМ-оксидирование в контактном режиме.

3.3.2. АСМ-оксидирование в полуконтактном режиме.

3.3.3. Травление оксидных линий в растворе HF.

3.4. Выводы.

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЗМОВ И ЗНАЧИМЫХ ФАКТОРОВ ЛОКАЛЬНОГО ОКСИДИРОВАНИЯ.

4.1. Введение.

4.2. Описание эксперимента.

4.3. Результаты и обсуждение.

4.3.1. Результаты по АСМ-оксидированию и травлению.

4.3.2. Обсуждение механизма оксидирования.

4.3.3. Макрооксидирование в растворе АГВ при освещении образца.

4.3.4. Воспроизводимость процесса АСМ-оксидирования.

4.4. Выводы.

В последнее время разнообразные виды нанопроизводственных технологий были исследованы в попытке получить квантовые и одноэлектронные приборы (ОЭП) с хорошими характеристиками. [55, 35] В числе таких технологий - процесс сухого травления, самоорганизованный и селективный рост наноструктурированных массивов, [20, 55, 35, 51, 24] технология оксидирования, зависящая от геометрии Si наноструктур (PADOX)[84] и оксидирование, базирующееся на сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ). [32, 45, 66, 57,46, 33]

В отличие от перечисленных методов, СЗМ-оксидирование реализует резкую смену материала от полупроводника (или металла) к оксиду, обеспечивая резкий потенциальный барьер для носителей, что способствует сильной квантовой локализации и применению оксида в качестве барьеров тунеллирования. В добавок к тому, нанометровое разрешение и способность квазинепрерывного (in-situ) наблюдения за процессом также привлекательны для нанопроизводства с помощью СЗМ. И в самом деле, сканирующая туннельная микроскопия (СТМ) или атомно-силовая микроскопия (АСМ) уже применялась для формирования различных видов единичных квантовых приборов и ОЭП.[32,45]

Актуальность темы обусловлена тем, что метод оксидирования поверхности с помощью атомно-силового микроскопа (АСМ) стоит в ряду прецизионных методов экспериментальной физики, используемых при создании квантовых и одноэлектронных приборов, являющихся основой микро- и наноэлектроники ближайшего будущего. Для реализации подобного класса приборов необходима новая техника и методы литографии материалов с нанометровой точностью. В настоящее время ведется интенсивная разработка таких методов и процессов для литографии на нано-уровне.

Интенсивные исследования были проведены по СЗМ-оксидированию металлов, Si, GaAs, AlGaAs, GaSb, AlGaSb и других полупроводников. [32, 45, 66, 57, 46, 33] Основанные на InGaAs/InAlAs переходах структуры занимают важное место в производстве будущих высокотемпературных квантовых и одноэлектронных приборов благодаря наилучшим транспортным свойствам и большому разрыву зоны проводимости. Наряду с этим, основанная на зондовом оксидировании литография обладает рядом преимуществ перед традиционными методами в плане величины вовлеченных в процесс энергий. Применение процессов со сравнительно малыми значениями энергии ведет к снижению дефектности зон литографии, прецизионности литографии, возможности наблюдения за результатами литографии в процессе и относительной дешевизной оборудования и применяемых материалов.

До настоящего времени не проводилось работ по зондовому нанооксидированию п-InGaAs, несмотря на эффективность и прецизионность метода АСМ-оксидирования и непревзойденные электронные качества указанного материала при производстве квантовых и одноэлектронных приборов.

Также, несмотря на множество публикаций по АСМ-литографии, до настоящего времени проблема воспроизводимости процесса нанолитографии с помощью АСМ не была рассмотрена детально.

Цель диссертационной работы - исследование основных закономерностей процесса АСМ-литографии и выявление механизмов локального оксидирования n-InGaAs. Основные задачи работы включали:

- Создание методики АСМ-литографии и экспериментальной установки на базе сканирующих зондовых микроскопов (СЗМ) NanoScope II и Ilia (Digital Instruments).

- Развитие метода локального оксидирования применительно к слоям InGaAs, согласованным по параметру решетки с InP.

- Определение основных параметров процесса оксидирования слоя InGaAs, оптимальных для прямого формирования потенциальных барьеров квантовых приборов.

- Экспериментальное подтверждение электрохимической природы окисных образований, полученных с помощью АСМ-литографии, в терминах модели Кабрера-Мотта оксидирования полупроводников под воздействием электромагнитного поля.

- Экспериментальное исследование зависимостей основных геометрических параметров сформированных окисных образований от разницы потенциалов зонда и поверхности, времени экспонирования потенциала зонда, влажности рабочей атмосферы и рабочего усилия зонда.

- Сравнительное исследование геометрических параметров наноструктур, полученных при помощи АСМ-оксидирования в контактном и полуконтактном (tapping) режимах.

Научная новизна работы состоит в комплексном исследовании процесса и механизмов локального оксидирования n-InGaAs. В результате проведенных исследований получены следующие новые результаты:

1) Исследованы зависимости геометрических характеристик сформированных линий и точек от разности потенциалов между зондом и поверхностью InGaAs, скорости сканирования зонда при формировании оксида, влажности окружающей среды и силе взаимодействия зонда и поверхности.

2) Проведена экспериментальная оценка величины капиллярной составляющей силы взаимодействия зонда и поверхности в процессе оксидирования InGaAs;

3) Показана электрохимическая природа локального образования оксида.

4) Показана возможность формирования на поверхности n-InGaAs оксидных линий с высокой степенью равномерности по высоте и ширине на длине до 2 микрометров. Практическая значимость работы заключается в том, что в ней:

1) показана возможность формирования линий шириной менее 30 нм и высотой более 5 нм, геометрические характеристики которых удовлетворяют условиям формирования одноэлектронных структур;

2) показана возможность формирования линий и точек на поверхности InGaAs методом зондового оксидирования с флуктуацией высоты и ширины по длине линий в пределах шероховатости исходной поверхности;

3) показано, что оксидные формирования на InGaAs легко стравливаются в растворе HF.

4) экспериментально показано, что смещение порогового напряжения АСМ-оксидирования обусловлено износом проводящего покрытия вершины иглы зонда, в то время как норма оксидирования зависит от электрохимической природы процесса.

Представляемые к защите научные положения.

1. Процесс АСМ-нанооксидирования представляет собой комбинацию традиционной модели Кабрера-Мотта и наведенного пространственного заряда в оксиде в процессе оксидирования.

2. Макро- и АСМ-нанооксидирование имеют единую природу; на это указывает близость значений порогового напряжения и нормы роста оксидов.

3. Норма роста оксида обусловлена природой электрохимических реакций, происходящих в процессе АСМ-оксидирования.

4. Смещение порогового напряжения в область большего напряжения со временем эксплуатации зонда при АСМ-оксидировании вызвано, в основном, износом проводящего покрытия на вершине зонда.

5. Уменьшение доли времени пассивации в общем времени процесса локального оксидирования приводит к улучшению однородности размеров сформированных линейных наноструктур по сравнению с точечными наноструктурами.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались:

- на национальных конференциях Японского Общества Прикладной Физики, Токио, Акита, Фуку ока, 1998-1999;

- на международном симпозиуме International Symposium on Surface Science for Micro- and Nano-Device Fabrication (ISSS-3), Токио, 1999;

- на региональных конференциях Японского Общества Прикладной Физики, Хакодате, Саппоро, 1998-1999;

- на научных семинарах Научно-исследовательского Центра квантовой электроники университета Хоккайдо, в Физико-Техническом институте им. А.Ф. Иоффе и Институте Аналитического Приборостроения Российской академии наук, 2000-2001.

Публикации. Основное содержание работы раскрыто в публикациях:

1. Соколов Д.В. Нанооксидирование и нанотравление n-InQ^GaQ^As с помощью атомно-силового микроскопа: Научное приборостроение (2001) 11, 1, сЛ 5-21.

2. Соколов Д.В. Воспроизводимость процессов нанооксидирования n-Ino.53Gao.47As с помощью атомно-силового микроскопа: Микросистемная техника (2001), 5, с.25-29.

3. Sokolov, D. V.; Fujikura, Н.; Hasegawa, Н. "Scanned-Probe Nano-Scale Oxidation and Etching of n-Type In0.53Ga0.47As" In International Symposium on Surface Science for Micro- and Nano-Device Fabrication (ISSS-3): Tokyo, Japan, 1999; p 45.

4. Sokolov, D. V.; Fujikura, H.; Hasegawa, H. "Nanometer-Scale Patterning on n-InGaAs by AFM Probe-Induced Oxidation in Air (2)" In The 60th Autumn Meeting, 1999; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies: Kobe, Japan, 1999.

5. Sokolov, D. V.; Fujikura, H.; Hasegawa, H. "Nanometer-Scale Patterning on n-InGaAs by AFM Probe-Induced Oxidation in Air" In The 46th Spring Meeting, 1999; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies: Tokyo, 1999; Vol. 1; p 520.

Содержание работы излагается в четырех главах.

В первой главе представлен обзор работ по получению наноструктур посредством сканирующих зондовых микроскопов и обзор возможных механизмов локального оксидирования.

Вторая глава посвящена описанию методик эксперимента. Приведено описание установки, на которой производилось локальное оксидирование поверхности InGaAs; процесса локального оксидирования в контактном и полуконтактном режимах АСМ; методики макроанодизации образца InGaAs в гликоль-водном растворе для анодизации (АГВ) на базе виноградной кислоты.

В третьей главе представлены результаты исследований локального образования оксида п-InGaAs посредством сканирующей зондовой микроскопии; приведены результаты по травлению окисных образований в растворе HF.

В четвертой главе представлены результаты экспериментов по определению механизма локального оксидирования и значимых факторов воспроизводимости процесса АСМ-оксидирования. Представлены результаты электронно-зондового микроанализа (ЭЗМА) окисных образований, полученных методом зондовой литографии. Заметное увеличение концентрации оксида в месте локальной модификации поверхности позволяет говорить о преимущественно окисном характере роста образований. Обсужден предполагаемый механизм локального оксидирования и описан процесс формирования окисного слоя при макроанодизации в АГВ. Сравнение зависимостей толщины оксидного слоя от приложенного напряжения при макро- и локальном оксидировании показало полное соответствие порогового напряжения формирования оксида при КАСМ-оксидировании и нормы роста оксида в полуконтактном режиме соответствующим величинам процесса макрооксидирования. Представленные результаты травления локального оксида в плавиковой кислоте в течение 10 секунд выявили соотношение глубина канавки/высота оксида, равное 1.5, что находится в хорошем соответствии с результатами по травлению локальных оксидов на материалах с близкими химическими свойствами (GaAs и InAlAs). Уменьшение ширины после травления в плавиковой кислоте говорит об отсутствия бокового растравливания образца. Этот факт также является косвенным свидетельством окисной природы образований при зондовой литографии в силу высокой селективности плавиковой кислоты при травлении оксида InGaAs на InGaAs.

Диссертационную работу завершает раздел "Основные результаты и выводы".

Формулы и рисунки пронумерованы по главам. Нумерация цитируемой литературы - единая для всей диссертационной работы.

5. Основные результаты и выводы.

1. Оксидные образования впервые сформированы АСМ-нанооксидированием на поверхности n-InGaAs. Показана окисная природа выступов на поверхности, сформированных локальным приложением потенциала посредством близкого зонда АСМ с проводящим покрытием.

2. Показано, что оксидные формирования легко стравливаются в растворе HF с образованием нано-канавок. Таким образом, показана возможность литографии материалов с InGaAs верхним слоем, выступающим в качестве маскирующего покрытия.

3. Показана применимость полуконтактного режима для формирования оксидных образований высотой более 5 нм и шириной менее 25 нм. Показана возможность формирования оксидных линий с уровнем шероховатости, не превышающем шероховатость базовой поверхности, на длине до 2 мкм. Указанные геометрические параметры оксидных образований демонстрируют применимость метода для производства наноструктур с InGaAs верхним слоем.

4. Показано, что полуконтактный режим обладает лучшей воспроизводимостью локального оксидирования и демонстрирует лучшие геометрические характеристики наноструктур, что говорит о лучшей управляемости процесса нанооксидирования в полуконтактном режиме.

5. Показано, что смещение порогового напряжения АСМ-оксидирования в область большего напряжения вызвано, большей частью, износом проводящего покрытия зонда. Экспериментально показано, что наиболее значимым фактором воспроизводимости АСМ-оксидирования является износостойкость проводящего покрытия зонда. Выявлено, что большая неравномерность геометрических характеристик оксидных точек, сформированных в контактом режиме, по сравнению с точками, сформированными в полуконтактном режиме, обусловлена повышенным износом зонда при формировании и последующем снятии изображения сформированных структур.

6. Показано, что норма роста оксида возрастает при увеличении частоты приложенного к зонду напряжения.

7. Впервые показана тождественность механизмов макро- и АСМ-оксидирования. Близость значений порогового напряжения и нормы роста оксидов подтверждают единую природу этих двух процессов. Данный процесс АСМ-нанооксидирования объяснен комбинацией традиционной модели Кабрера-Мотта и наведенного пространственного заряда в оксиде в процессе оксидирования.

8. Определены параметры оборудования, обеспечивающие лучшую воспроизводимость процесса формирования оксидных точек и линий методом АСМ-оксидирования п-InGaAs в контактном режиме. Рекомендуется производить оксидирование на свету при влажности около 40 % и напряжении на зонде, не превышающем 8 В.

В заключение автор выражает признательность заместителю директора по науке доктору физико-матиматических наук А.О. Голубку за поддержку и предоставленную возможность завершения данной диссертационной работы, а также за ценные замечания и помощь.

Автор бесконечно благодарен своей жене Анне за духовную поддержку, терпение и мудрость за долгие годы работы над диссертацией.

1. Avouris, P., in The Physics of Semiconductors, Scheffler, M. and Zimmermann, R., Editors. 1996, World Scientific: Singapure. p. 51-58.

2. Avouris, P.H., Hertel, Т., and Martel, R., Atomic Force Microscope Tip-Induced Local Oxidation of Silicon: Kinetics, Mechanism, and Nanofabrication. Appl. Phys. Lett., 1997. Vol. 71: p. 285.

3. Barniol, N., Perez-Murano, F., and Aymerich, X., Appl. Phys. Lett., 1992. Vol. 61: p. 462.

4. Betzig, E. and Trautman, J.K., Science, 1992. Vol. 257: p. 189.

5. Cabrera, N. and Mott, N.F., Rep. Prog. Phys., 1949. Vol. 12: p. 163.

6. Campbell, P.M., Snow, E.S., and McMarr, P.J., Fabrication of nanometer-scale side-gated silicon field effect transistors with an atomic force microscope. Appl. Phys. Lett., 1995. Vol. 66: p. 1388.

7. Campbell, P.M. and Snow, E.S., Semicond. Sci. Technol., 1996. Vol. 11: p. 1558.

8. Cerrina, F., Jpn. J. Appl. Phys. Lett., 1992. Vol. 31: p. 4178.

9. Chun, Y.J., Nakajima, S., and Kawabe, M., Jpn. J. Appl. Phys., 1996. Vol. 35: p. LI075.

10. Cumming, D.S., Thorns, S., Beamont, S.P., and Weaver, J.M.R., Appl. Phys. Lett., 1996. Vol. 68: p. 322.

11. Dagata, J.A., Schneir, J., Harary, H.H., Evans, C.J., Postek, M.T., and Bennett, J., Modification of hydrogen-passivated silicon by a scanning tunneling microscope operating in air. Appl. Phys. Lett., 1990. Vol. 56: p. 2001.

12. Dagata, J.A., Schneir, J., Harary, H.H., Bennett, J., and Tseng, W., Pattern generation on semiconductor surfaces by a scanning tunneling microscope operating in air. J. Vac. Sci. Technol., 1991. Vol. B9: p. 1384.

13. Dagata, J.A., Tseng, W., Bennet, J., Dosbisz, E.A., Schneir, J., and Harari, H.H., J. Vac. Sci. Technol., 1992. Vol. A10: p. 2105.

14. Dagata, J.A., Inoue, Т., Itoh, J., and Yokoyama, H., Understanding scanned probe oxidation of silicon. Appl. Phys. Lett., 1998. Vol. 73(2): p. 271.

15. Day, H.C. and Allee, D.R., Selective area oxidation of silicon with a scanning force microscope. Appl. Phys. Lett., 1993. Vol. 62(21): p. 2691.

16. De Lozanne, A.L., Ehrich, E.E., and Smith, W.F., J. Phys.: Condens. Matter, 1993. Vol. 5: p. A409.

17. De Wolf, P., Snauwaert, J., Clarysse, Т., Vandervorst, W., and Hellemans, L., Appl. Phys. Lett., 1995. Vol. 66: p. 1530.

18. Dobisz, E.A., Marrian, C.R.K., Shirey, L.M., and Ancona, M., J. Vac. Sci. Technol., 1992. Vol. BIO: p. 3067.

19. Drexler, H., Leonard, D., Hansen, W., Kotthaus, J.P., and Petroff, P.M., Phys. Rev. Lett., 1994. Vol. 73: p. 2252.

20. Eigler, D.M. and Schweizer, E.K., Nature, 1990. Vol. 344: p. 524.

21. Ejiri, Y., Yasutake, M., and Hattori, Т., Modification of Silicon Surface Produced by Electric Field Enganced Oxidation Through Native Oxide, in International Conference on Solid State Devices and Materials, 1993. p. 606-608.

22. Fontaine, P.A., Dubois, E., and Stievenard, D., Characterization Of Scanning Tunneling Microscopy and Atomic Force Microscopy-Based Techniques For Nanolithography On Hydrogen-Passivated Silicon. J. Appl. Phys., 1998. Vol. 84(4): p. 1776-1781.

23. Glembocki, O.J. and Stalkbush, R.E., J. Electron. Chem. Soc.? 1985. Vol. 132: p. 145.

24. Gordon, A.E., Fayfield, R.T., Litfin, D.D., and Higman, Т.К., J. Vac. Sci. TechnoL, 1995. Vol. B13: p. 2805.

25. Hasegawa, H. and Hartnagel, H.L., Anodic oxidation of GaAs in mixed solutions of glycol and water. J. Electrochem. Soc. (USA), 1976. Vol. 123(5): p. 713-723.

26. Hattori, Т., Ejiri, Y., Saito, K., and Yasutake, M., Fabrication of nanometer-scale structures using atomic force microscope with conducting probe. J. Vac. Sci. TechnoL, 1994. Vol. A12(4 Part II): p. 2586.

27. Heim, M., Eschrich, R., Hillebrand, A., Knapp, H.F., Guckenberger, R., and Cevc, G., J. Vac. Sci. Technol., 1996. Vol. B14: p. 1498.

28. Heinzel, Т., Held, R., Luscher, S., Ensslin, K., and Wegscheider, W. Semiconductor nanostructures with short depletion length and stacked gates, patterned with an atomic force microscope, in Modulated Semiconductor Structures. 1999.

29. Held, R., Heinzel, Т., Studerus, P., Ensslin, K., and Holland, M., Semiconductor Quantum Point Contact Fabricated By Lithography With an Atomic Force Microscope. Appl. Phys. Lett., 1997. Vol. 71(18): p. 2689-2691.

30. Ishii, M. and Matsumoto, K. Oxidation Using AFM and Subsequent Etching in Water of Inverted-Type d-Doped HEMT. in International Conference on Solid State Devices and Materials, 1995. 1995. Osaka.

31. Ishii, M. and К., M., Control of current in 2DEG channel by oxide wire formed using AFM. Jpn. J. Appl. Phys. 1, Regul. Pap. Short Notes (Japan), 1995. Vol. 34(2B): p. 1329-1331.

32. Jinushi, K., Okada, H., Hashizume, Т., and Hasegawa, H., Novel GaAs-based single-electron transistors with Schottky in-plane gates operating up to 20 K. Jpn. J. Appl. Phys. 1, Regul. Pap. Short Notes (Japan), 1996. Vol. 35(2B): p. 1132-1139.

33. Jorgensen, P.J., J. Chem. Phys., 1962. Vol. 37: p. 874.

34. Kasi, S.R., Liehr, M., Thiry, P.A., Dallaporta, H., and Offenberg, M., Appl. Phys. Lett., 1991. Vol. 59: p. 108.

35. Leonard, D., Krishnamurthy, M., Reaves, C.M., Denbaars, S.P., and Petroff, P.M., Appl. Phys. Lett., 1993. Vol. 63: p. 3203.

36. Ligenza, J.K., J. Appl. Phys., 1965. Vol. 36: p. 2703.

37. Lyding, J.W., Abeln, G.C., Shen, T.C., Wang, C., and Tucher, J.T., J. Vac. Sci. Technol., 1994. Vol. (B12): p. 3735.

38. Lyding, J.W., Shen, T.C., Hubacek, J.S., Tucker, J.R., and Abeln, G.C., Nanoscale patterning and oxidation of H-passivated Si(100)-2xl surfaces with an ultrahigh vacuum scanning tunneling microscope. Appl. Phys. Lett., 1994. Vol. 64: p. 2010.

39. Massoud, H.Z., Plummen, J.D., and Irene, E.A., J. Electrochem. Soc., 1985. Vol. 132: p. 2685.

40. Matsumoto, K., Takahashi, S., Ishii, M., Hoshi, M., Kurokawa, A., Ichimura, S., and Ando, A., Application of STM Nanometer-Size Oxidation Process to Planar-Type MIM Diode. Jpn. J. Appl. Phys., 1995. Vol. 34: p. 1387.

41. Matsumoto, K., Ishii, M., Segawa, K., Oka, Y., Vartanian, B.J., and Harris, J.S., Appl. Phys. Lett., 1996. Vol. 68: p. 34.

42. Matsumoto, K., Gotoh, Y., Maeda, Т., Dagata, J.A., and Harris, J.S., Jpn. J. Appl. Phys., 1999. Vol. 38: p. 477.

43. Matsuzaki, Y., Yuasa, K., Shirakashi, J., Chilla, E.K., Yamada, A., and Konagai, M., J. Crystal Growth., 1999. Vol. 201/202: p. 656.

44. McCord, M.A. and Pease, R.F.W., Lift-off metallization using poly(methyl methacrylate) exposed with a scanning tunneling microscope. J. Vac. Sci. TechnoL, 1988. Vol. B6: p. 293-296.

45. Minne, S.C., Soh, H.T., Fueckiger, P., and Quate, C.F., Appl. Phys. Lett., 1995. Vol. 66: p. 703.

46. Minne, S.C., Manalis, S.R., and Quate, C.F., Appl. Phys. Lett., 1995. Vol. 67: p. 3918.

47. Minne, S.C., Manalis, S.R., Atalar, A., and Quate, C.F., J. Vac. Sci. TechnoL, 1996. Vol. B14: p. 2456.

48. Moisson, J.M., Houzay, F., Barhte, F., and Leprince, L., Appl. Phys. Lett., 1993. Vol. 64: p. 196.

49. Moll, A., Schattenburg, M.L., Caster, J.M., and Smith, H.J., J. Vac. Sci. TechnoL, 1990. V0I.B8: p. 1648.

50. Notzel, R., Temmyo, J., and Tamamura, Т., Nature (London), 1994. Vol. 369: p. 131.

51. Okada, Y., Iuchi, Y., Kawabe, M., and Harris, J.S.J., Personal communication.

52. Okada, H., Jinushi, K., Wu, N.-J., Hashizume, Т., and Hasegawa, H., Novel wire transistor structure with in-plane gate using direct Schottky contacts to 2DEG. Jpn. J. Appl. Phys. 1, Regul. Pap. Short Notes (Japan), 1995. Vol. 34(2B): p. 1315-1319.

53. Okada, Y., Amano, S., Kawabe, M., Shimbo, B.N., and Harris, J.S., Nanoscale Oxidation Of Gaas-Based Semiconductors Using Atomic Force Microscope. J. Appl. Phys., 1998. Vol. 83(4): p. 1844-1847.

54. Okada, Y., Amano, S., Iuchi, Y., Kawabe, M., and Harris, J.S., Jr., AlGaAs/GaAs tunneling diode integrated with nanometre-scale oxides patterned by atomic force microscope. Electron. Lett., 1998. Vol. 34(12): p. 1262-1263.

55. Okada, Y., Iuchi, Y., Kawabe, M., and Harris, J.S., Jpn. J. Appl. Phys., 1999. Vol. 38: p. L160.

56. Oshinowo, J., Nishioka, M., Ishida, S., and Arakawa, Y., Appl. Phys. Lett., 1994. Vol. 65: p. 1421.

57. Palik, E.D., Glembocki, O.J., and Heard, J.J., J. Electron. Chem. Soc., 1987. Vol. 134: p. 404.

58. Perez-Murano, F., Abadal, G., Barniol, N., and McMarr, P.G., Appl. Phys. Lett., 1993. Vol. (63): p. 749.

59. Perez-Murano, F., Abadal, G., Barniol, N., and Aymerich, X., J. Appl. Phys., 1995. Vol. 78: p. 6797.

60. Perkins, F.K., Dobisz, E.A., Brandow, S.L., Calvert, J.M., Kosakowski, J.E., and Marrian, C.R.K., Appl. Phys. Lett., 1996. Vol. 68: p. 550.

61. Sakaki, H., Surf. Sci., 1992. Vol. 267: p. 623.

62. Sasa, S., Ikeda, Т., Anjiki, K., and Inoue, M., Jpn. J. Appl. Phys., 1999. Vol. 38: p. 480.

63. Servat, J., Gorostiza, P., Sanz, F., Perez-Murano, F., Barniol, N., Abadal, G., and Aymerich, X., J. Vac. Sci. Technol., 1996. Vol. A14: p. 1208.

64. Shedd, G.M. and Russel, P.E., Nanotechnology, 1990. Vol. 1: p. 67.

65. Shen, T.-C., Wang, C., Lyding, J.W., and Tucker, J.R., Nanoscale oxide patterns on Si(100) surfaces. Appl. Phys. Lett., 1995. Vol. 66: p. 976.

66. Smith, H.I., Ismail, К., Schattenburg, M.L., and Antoniadis, D.A., Microelectron. Eng., 1990. Vol. 11: p. 53.

67. Snow, E.S., Campbell, P.M., and McMarr, P.J., Appl. Phys. Lett., 1993. Vol. 63: p. 749.

68. Snow, E.S., Campbell, P.M., and Shanabrook, B.V., Fabrication of GaAs nanostructures with a scanning tunneling microscope. Appl. Phys. Lett., 1993. Vol. 63(25): p. 3488-3490.

69. Snow, E.S. and Campbell, P.M., Fabrication of Si Nanostructures with an Atomic Force Microscope. Appl. Phys. Lett., 1994. Vol. 64(15): p. 1932.

70. Snow, E.S. and Campbell, P.M., AFM Fabrication of Sub-10-Nanometer Metal-Oxide Devices with in Situ Control of Electrical Properties. Science, 1995. Vol. 270: p. 1639-1641.

71. Snow, E.S., Park, D., and Campbell, P.M., Single-atom point contact devices fabricated with an atomic force microscope. Appl. Phys. Lett., 1996. Vol. 69: p. 269.

72. Snow, E.S., Campbell, P.M., and Perkins, F.K., Nanofabrication with proximal probes. Proc. IEEE (USA), 1997. Vol. 85(4): p. 601-611.

73. Stievenard, D., Fontaine, P.A., and Dubois, E., Appl. Phys. Lett., 1997. Vol. 70: p. 3272.

74. Stockman, L., Neuttiens, G., Van Haesendonck, C., and Bruynseraede, Y., Appl. Phys. Lett.,1993. Vol. 62: p. 2935.

75. Sugimura, H.5 Uchida, Т., Kitamura, N., and Masuhara, H., Nanofabrication of Titanium Surface by Tip-Induced Anodization in Scanning Tunneling Microscopy. Jpn. J. Appl. Phys., 1993. Vol. 32(2): p. L553.

76. Sugimura, H., Uchida, Т., Kitamura, N., and Masuhara, H., J. Phys. Chem., 1994. Vol. 98: p. 4352.

77. Sugimura, H., Yamamoto, Т., Nakagiri, N., Miyashita, M.5 and Onuki, Т., Appl. Phys. Lett.,1994. Vol. 65: p. 1569.

78. Sugimura, H., Kitamura, N., and Masuhara, H., Midification of n-Si(100) Surface by Scanning Tunneling Microscope Tip-Induced Anodization under Nitrogen Atmosphere. Jpn. J. Appl. Phys. 1, Regul. Pap. Short Notes (Japan), 1994. Vol. 33: p. L143.

79. Teuschler, Т., Mahr, K., Miyazaki, S., Hundhausen, M., and Ley, L., Nanometer-scale field-induced oxidation of Si(lll):H by a conducting-probe scanning force microscope: Doping dependence and kinetics. Appl. Phys. Lett., 1995. Vol. 67: p. 3144.

80. Wang, D., Tsau, L., and Wang, K.L., Nanometer-structure writing on Si(100) surfaces using a non-contact-mode atomic force microscope. Appl. Phys. Lett., 1994. Vol. 65: p. 1415.

81. Wang, D., Tsau, L., Wang, K.L., and Chow, P., Nanofabrication of thin chromium film deposited on Si(100) surfaces by tip induced anodization in atomic force microscopy. Appl. Phys. Lett. (USA), 1995. Vol. 67(9): p. 1295-1297.

82. Weis, J., Haug., R.J., Klitzing, K.V., and Ploog, K., Phys. Rev. Lett., 1993. Vol. 71: p. 4019.

83. Wendel, M., Kuhn, S., Lorenz, H., Kotthaus, J.P., and Holland, M., Appl. Phys. Lett., 1994. Vol. 65: p. 1775.

84. Wiesendanger, R., Appl. Surf. Sci., 1992. Vol. 54: p. 271.

85. Wiesendanger, R., Scanning Probe Microscopy and Spectroscopy. 1994, Cambridge: Cambridge University Press.

86. Xu, Y., Mac Donald, N.C., and Miller, S.A., Appl. Phys. Lett., 1995. Vol. 67: p. 2305.

87. Yasutake, M., Eijiri, Y., and Hattori, Т., Personal communication.

88. Yasutake, M., Ejiri, Y., and Hattori, Т., Modification of Silicon Surface Using Atomic Force Microscope with Conducting Probe. Jpn. J. Appl. Phys., 1993. Vol. 32: p. L1021.

89. Shimbo, B.N., Harris, J.S., Jr., Okada, Y., Komarov, S., and Vartanian, B.J. . in MRS Symposium Proc. on Compound Semiconductor Electronics and Photonics. 1996. p. 299.

90. Mamin, H.J. and Rugar, D., Appl. Phys. Lett., 1992. Vol. 61: p. 1003.

91. Владимиров, В.В., and Дроздов, А.В., Изменение строения поверхности в СТМ в результате воздействия электрического поля. Поверхность, 1998. Vol. 2: р. 111-124.

92. Владимиров, В.В., Дроздов, А.В., and Молчунов, В.Д., Влияние вибрации острия на вероятность модификации поверхности импульсом напряжения в сканирующем туннельном микроскопе. Письма в ЖТФ, 1998. Vol. 24(15): р. 42-46.

93. Владимиров, В.В., Дроздов, А.В., and Резанов, А.Н., Влияние материала острия на модификацию поверхности золота импульсом напряжения в сканирующем туннельном микроскопе. Письма в ЖТФ, 2000. Vol. 24(9): р. 36-40.

94. Соколов, Д.В., Нанооксидирование и нанотравление n-In^ ^GaQ 43As с помощьюатомно-силового микроскопа. Научное приборостроение, 2001. Vol. 11(1), сЛ 5-21.

95. Соколов, Д.В., Механизм нанооксидирования n-InQ 53^0 43As с помощью атомносилового микроскопа. Журнал технической физики, 2001.