Многослойные полупроводниковые структуры с неоднородно распределенными параметрами тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. Теоретические модели адмиттанса поверхностных состояний и метод МОП адмиттанса для исследования межфазных границ раздела с неоднородно распределёнными параметрами.

1.1. Основные теоретические модели адмиттанса поверхностных состояний и модификации метода МОП адмиттанса.

1.2. Туннельно-флуктуационная модель адмиттанса поверхностных состояний.

1.2.1. Однородное пространственное распределение ловушек в диэлектрике.

1.2.2. Экспоненциальное распределение ловушек в диэлектрике.

1.3. Метод адмиттанса для исследования поверхностных состояний с учётом туннельных и флуктуационных эффектов.

1.3.1. Равномерное распределение ловушек.

1.3.2. Экспоненциальное распределение ловушек.

1.4. Одночастотные экспресс-методики определения поверхностных параметров МДП-структур.

1.4.1. Планарно-неоднородные структуры.

1.4.2. Структуры с ловушками, заглубленными в диэлектрик.

Актуальность темы. Многослойные композиции из разнородных материалов, в особенности, системы металл-диэлектрик-полупроводник (МДП), приобрели исключительную актуальность в связи с чрезвычайно широким применением этих систем в полупроводниковых приборах и физических исследованиях. Именно такие системы являются основной технологической композицией для элементной базы интегральных схем и составляют основу современного полупроводникового приборостроения, в том числе микроэлектроники.

В связи с основной тенденцией развития микроэлектроники - повышением рабочей частоты и степени интеграции микросхем - геометрические размеры приборов постоянно уменьшаются. Это приводит к возрастанию влияния различных неоднородностей в МДП-системах, в частности, сложных профилей распределения легирующей примеси в полупроводнике и объёмного заряда в диэлектрическом слое, а также планарной гетерогенности поверхностного заряда на границе раздела диэлектрик-полупроводник. Неоднородно распределённые параметры оказывают существенное влияние на электрофизические характеристики МДП-структур и приборов на их основе: сдвигают пороговое напряжение, уменьшают подвижность носителей тока в инверсионных каналах и крутизну характеристик полевых МДП-транзисторов, изменяют динамические и частотные характеристики МДП-систем и т.п. Вместе с тем, несмотря на большое число публикаций, посвященных исследованию многофазных слоистых систем, и значительные успехи, достигнутые в понимании свойств соответствующих однородных структур, изучение таких систем с неоднородными слоями носит фрагментарный и незавершенный характер.

Прогресс современной микроэлектроники в значительной степени определяется изучением свойств именно систем с неоднородно распределёнными параметрами, развитием методов эффективного теоретического анализа таких систем, разработкой и обеспечением объективными методами контроля технологических процессов, позволяющих создавать слои материалов и межфазные границы с заданными свойствами. Специфика полупроводниковой технологии потребовала адаптации существующих и разработки новых локальных, неразрушающих и высокочувствительных методик, обеспечивающих возможность контроля как отдельных слоев с учётом их микронеоднородности, так и готовых приборов, включая элементы интегральных микросхем. Развитие прикладной метрологии в область реальных многослойных приборных структур, практически всегда неоднородных по технологическим или иным причинам, особенно актуально для такой быстро прогрессирующей области, как микроэлектроника.

Важнейшей практической задачей микроэлектроники является улучшение параметров и характеристик полупроводниковых приборов и элементов интегральных микросхем. Значительных успехов в этой области удалось достичь благодаря применению новых технологий, в частности, ионного легирования. Поскольку вследствие ионной имплантации распределение примеси в полупроводниковой подложке становится существенно неоднородным, возникает необходимость наиболее полного учета влияния этой неоднородности на характеристики приборов. В связи с этим актуальной задачей является создание оптимального метода расчета электрофизических характеристик ионно-легированных полупроводников и, на его основе, комплекса физико-технологических моделей основных элементов МОП интегральных схем, удобных для оптимизации как параметров элементов, так и технологии их изготовления.

Развитие полупроводниковой электроники немыслимо без изучения новых материалов, обладающих специфическими оптическими и электрофизическими параметрами, новых физических явлений в этих материалах и разработки приборов с широкими функциональными возможностями. Так, наряду с основной тенденцией к миниатюризации функциональных элементов в микроэлектронике наблюдается устойчивая потребность и в структурах большой площади, например, фотоприёмниках, дисплеях, химических сенсорах. Уникальные свойства границы раздела З/вЮг делают эту систему основой современной микроэлектроники. Сочетание же развитой кремниевой технологии с использованием других оксидных слоёв, в том числе неидеальных диэлектриков, в частности, У\Юз и ЭпОг, позволяет существенно разнообразить диапазон функциональных свойств таких структур. Вместе с тем, особенности электронных процессов в таких системах изучены недостаточно. В последнее время значительно возрос также интерес к исследованию пористого кремния и гетероструктур на его основе. Пористый кремний относят к перспективным оптоэлектронным материалам, однако малоизученным остаётся вопрос его использования в газочувствительных датчиках. Наконец, практически не исследованы возможности использования многослойных структур с расширенными функциональными возможностями на базе анизотропных материалов, что связано с существенными трудностями материаловедческого и метрологического характера.

Таким образом, из приведённого выше анализа следует актуальность решения проблем физики и метрологии многослойных структур с неоднородно распределёнными параметрами.

Цель работы: установление закономерностей и особенностей протекания электронных процессов в многослойных полупроводниковых системах с неоднородно распределёнными параметрами, разработка физических основ метрологии таких систем, исследование влияния технологических нерднородностей слоев на характеристики элементов кремниевых интегральных микросхем и устройств функциональной электроники с использованием новых полупроводниковых и диэлектрических материалов.

Конкретные задачи исследования включали в себя:

1. Разработку комплексной туннельно-флуктуационной модели адмиттанса поверхностных состояний и методики исследования параметров границ раздела многослойных микронеоднородных структур с учётом флукгуационных и туннельных эффектов, модификацию метода МОП адмиттанса, упрощающую его аппаратурную реализацию.

2. Развитие физических моделей МДП систем с неоднородно распределёнными параметрами и методов теоретического анализа этих систем. Разработку достоверных и прецизионных методик и автоматизированных установок для контроля электрофизических параметров как МДП структуры в целом, так и всех технологических слоев по отдельности с учётом различных энергетических и пространственных неоднородностей.

3. Разработку полуаналитических, технологически ориентированных моделей ионно-легированных и планарно-гетерогенных МДП-транзисторных структур для оптимизации технологии изготовления современных МОП интегральных схем.

4. Разработку методик прецизионной спектроскопии и исследования планарной (поверхностной) и объёмной зарядовой неоднородности подзатворных диэлектрических слоев непосредственно в базовых элементах интегральных микросхем.

5. Развитие методов теоретического анализа и экспериментального изучения перспективных структур функциональной полупроводниковой электроники с неоднородными и анизотропными слоями. Исследование функциональных свойств и новых явлений в таких структурах.

Научная новизна работы.

1. Разработана новая теоретическая модель адмиттанса поверхностных состояний (ПС) в МДП-структуре с неоднородно распределёнными параметрами диэлектрического слоя и границы раздела диэлектрик-полупроводник. В отличие от ранее описанных в литературе моделей, учтено совместное влияние на адмитганс ПС планарной микронеоднородности поверхностного заряда и туннельной перезарядки приграничных состояний в диэлектрике. Модель построена для случайного (гауссовского) распределения поверхностного потенциала и двух профилей пространственного распределения ловушек в диэлектрике - однородного и экспоненциально убывающего вглубь диэлектрика. Модель туннельной перезарядки экспоненциально распределённых в окисле ловушек также предложена впервые.

2. На основе конденсаторной модели Николлиана-Гоетцбергера и теории приповерхностной ОПЗ Гаррета-Браттейна получены теоретические выражения для плотности пространственного заряда и ёмкости приповерхностной ОПЗ полупроводника, учитывающие флуктуационный характер поверхностного потенциала. Разработана методика моделирования теоретической ВФХ планарно-неоднородной МДП-структуры. Установлено значительное влияние планарной неоднородности зарядовых свойств структуры на форму вольт-фарадной характеристики.

3. Разработан полуаналитический метод расчёта параметров ОПЗ в полупроводниках с гауссовским распределением легирующей примеси, показана область практической применимости гауссовской функции для описания профиля имплантированной примеси с учётом диффузионных и граничных эффектов. Предложена методика моделирования теоретических ВФХ МДП-структур со сложным профилем легирования полупроводника путём численного решения уравнения Пуассона методами Рунге-Кутта и пристрелки начальных условий. Исследовано влияние параметров ионной имплантации и отжига на форму ВФХ.

4. Предложена методика расчёта реальной ширины ОПЗ ионно-легированного полупроводника в методе контроля дозы легирования по отношению максимальной и минимальной емкостей МДП-струкгуры. Показано, что замена эффективной ширины ОПЗ её реальной величиной повышает точность контроля малых доз в 2-3 раза. Предложены способы контроля планарной однородности малых доз имплантированной примеси и электрофизических параметров ионно-легированных МДП-структур высокочастотными вольт-фарадными методами. Проведён анализ изменения энергетических спектров граничных состояний в МДП-структурах после ионной имплантации.

5. Впервые обнаружен и исследован эффект аномального усиления радиационной генерации поверхностных состояний на границе раздела кремний -двуокись кремния в МДП-структурах с поликремниевыми затворами при последовательном воздействии ультрафиолетового и рентгеновского излучений. Возможной причиной повышенной генерации ПС является наличие водорода на границе с поликремниевым затвором, который проникает к границе с подложкой при ультрафиолетовом воздействии и стимулирует генерацию ПС при последующем рентгеновском облучении.

6. Разработана теория планарно-неоднородного МОП-транзистора, позволяющая корректно объяснить изменения его подпороговых ВАХ после воздействия ионизирующего облучения. Предложенная методика определения спектра поверхностных состояний, флукгуационного параметра и эффективного заряда в окисле по семейству подпороговых ВАХ и пороговому напряжению МОП-транзистора позволяет контролировать указанные параметры на готовых транзисторах с высокой точностью.

7. Впервые исследован продольный емкостной отклик поверхностно-допированных неупорядоченных оксидных полупроводниковых пленок на воздействие окислительной и восстановительной газовой атмосферы. Показано, что хемосорбционный эффект поля можно использовать для изучения взаимодействия наночастиц благородных металлов (Рс1, Аи) с оксидными полупроводниками (БпОг, N¡0) и создания чувствительных газовых сенсоров емкостного типа.

8. Впервые исследовано влияние процесса наведения центров окраски в а-\Л/Оз на зарядовые параметры гетероперехода а-ЛЛ/Оз/Эк Обнаружен моноэнергетический уровень быстрых поверхностных состояний, расположенный на 0,06 эВ ниже уровня Ферми в кремнии. Показано, что плотность состояний на этом уровне возрастает при электрохромном и уменьшается при фотохромном процессе. Предложена структурно-энергетическая модель процесса окрашивания.

9. Предложен новый способ и разработаны оптимальные технологические режимы выращивания крупных монокристаллов дифосфида цинка моноклинной и тетрагональной модификаций, пригодных для исследования анизотропии физических свойств и практического применения. Обнаружена значительная анизотропия электрофизических и оптических свойств этих монокристаллов. Впервые наблюдалась генерация вынужденного излучения в монокристаллах моноклинного 2пРг.

10. Обнаружены и исследованы на примере монокристаллов дифосфида цинка новые гальвано-анизотропные явления, характерные для монополярных анизотропных полупроводниковых кристаллов - эффект квазихолловской ЭДС и геометрический анизотропно-резистивный эффект. Впервые теоретически и экспериментально показано, что в анизотропных средах возникают вихревые токи, обусловленные тензорным характером электропроводности.

Практическая значимость проведённых исследований.

1. Предложенная туннельно-флуктуационная модель (ТФМ) адмиттанса поверхностных состояний даёт дополнительное понимание электронных процессов в приграничных областях многослойных структур. Учёт совместного влияния туннельных и флуктуационных эффектов предоставляет новые возможности для исследования качества границ раздела структур с неоднородно распределёнными параметрами, повышая информативность и достоверность результатов исследований. На основе ТФМ разработаны новые методики исследования поверхностных параметров МДП-структур с учетом флуктуационных и туннельных эффектов.

2. На основе развитой теории разработана комплексная методика исследования МДП-структур с неоднородно распределёнными параметрами споёв (НРПС), в которой параметры поверхностных состояний (время перезарядки, поперечное сечение захвата, спектральная плотность и др.) и туннельно-флуктуационные параметры (глубина залегания ловушек в диэлектрике и стандартное отклонение поверхностного потенциала) определяются методом адмиттанса, а электрофизические параметры (степень или профиль легирования полупроводника, пороговое напряжение, эффективный поверхностный заряд и др.) - методом ВФХ.

3. Предложен бесконтактный способ контроля важнейших поверхностных параметров (поверхностного электростатического потенциала, эффективного поверхностного заряда, заряда диэлектрического слоя, энергетического спектра ПС) в системе БьЭЮг методом вибрационного динамического конденсатора. Разработан прецизионный метод нестационарной спектроскопии поверхностных состояний в режиме постоянного подпорогового тока МДП-транзистора, позволяющий исследовать энергетический спектр ПС в обеих половинах запрещенной зоны.

4. Разработан и изготовлен измерительно-вычислительный комплекс (ИВК) для автоматизированного контроля электрофизических параметров МДП-структур, реализующий на практике комплексную методику исследования структур с НРПС.

5. Разработан метод исследования объёмного заряда в диэлектрических слоях МДП-структур по токам внутренней фотоэмиссии. Предложен способ нахождения пространственного распределения заряда вблизи границы с полупроводником по полевой зависимости высоты потенциального барьера для фотоэмиттируемых электронов.

6. Разработаны технологически ориентированные модели статических параметров ионно-легированных МОП-транзисторных структур обогащенного и обеднённого типов. Представленные полуаналитические модели базовых элементов МОП ИС могут найти широкое применение в условиях промышленного производства МОП-приборов и интегральных микросхем, поскольку содержат ясное физическое описание основных характеристик приборов, не требуют больших вычислительных ресурсов и хорошо согласуются с экспериментальными данными. С использованием этих моделей разработан способ оптимизации технологии изготовления МОП ИС по статическим параметрам пары тестовых транзисторов, позволяющий повысить выход годных изделий.

7. Показана возможность использования гетероструктур А1/вп02/51 и А1МЮз/31 в качестве фотодиодов с большой площадью гетероперехода. Для структуры с плёнкой аморфного триоксида вольфрама перспективные применения связаны с созданием варикапов и фотоварикапов, а также химических сенсоров емкостного типа.

8. Разработана методика определения структурно-фазовых характеристик пористого кремния емкостным методом. Показана возможность создания на основе гетероструктуры рог-ЭОг /рог-Э сенсора влажности, чувствительного в диапазоне 0-100%.

9. Разработаны методики расчета распределения потенциала электрического поля в анизотропных полупроводниковых пластинах полигональной формы и произвольной ориентации с линейными электродами и в прямоугольном датчике Холла, ориентированном вдоль кристаллофизических направлений, с точечными токовыми электродами. Разработанные методики полезны для моделирования кинетических явлений в структурах на основе анизотропных полупроводников.

10. Предложенная технология выращивания монокристаллов, результаты исследования анизотропии физических свойств и гальвано-анизотропных эффектов в моноклинном дифосфиде цинка могут послужить основой для создания приборов твердотельной электроники, использующих анизотропию свойств этого материала. Обнаруженный эффект стимулированного излучения в монокристаллах ХпРг делает его перспективным оптоэлектронным материалом.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Туннельно-флуктуацйонная модель, учитывающая совместное влияние флуктуационных и туннельных эффектов в электронных процессах на границе раздела диэлектрик-полупроводник, позволяет описать характерные закономерности частотной дисперсии адмиттанеа ПС в структурах с НРПС в наиболее общем виде. Туннельная и флуктуационная модели являются её предельными случаями. Методики, основанные на ТФМ, дают наиболее полную и надёжную информацию о поверхностных и туннельно-флуктуационных параметрах границы раздела диэлектрик-полупроводник. Разработанные на основе ТФМ методики допускают одночастотную модификацию, упрощающую их техническую реализацию и автоматизацию.

2. Флуктуационная модель приповерхностной области пространственного заряда полупроводника даёт возможность корректно учесть влияние крупномасштабных флуктуаций поверхностного электростатического потенциала на вольт-фарадные характеристики МДП-структур и вольт-амперные характеристики МДП-транзисторов в области слабой инверсии, что позволяет использовать метод стационарных подпороговых токов для определения не только зарядовых, но и флуктуационных характеристик границы раздела диэлектрик-полупроводник.

3. Полуаналитическая модель ОПЗ ионно-легированного полупроводника, основанная на аналитическом решении уравнения Пуассона и численном решении трансцендентного уравнения относительно глубины области обеднения, позволяет корректно й с высокой точностью учесть деформацию ВФХ МДП-структуры, вызванную сложным профилем имплантированной примеси, и влияние ионной имплантации на рабочие характеристики МДП-транзистора в области сильной инверсии. Управление параметрами ионной имплантации позволяет управлять элею-рическйми характеристиками приборных МДП-етруктур, включая базовые элементы ИС - п(р)-канальные и ШОП инверторы.

4. Предложенные электрофизические методы исследования многослойных полупроводниковых структур, адаптированные к объекту исследования и учитывающие неоднородность физических параметров композиционных слоев и межфазных границ раздела, позволяют корректно и достоверно определить кинетические параметры поверхностных состояний, их энергетический спектр, электрические параметры и характеристики микрогетерогенных полупроводниковых структур и приборов на их основе.

5. Новые физические явления (хемосорбционный эффект поля, электро- и фотохромные процессы, гальвано-анизотропные эффекты и др.), обусловленные специфическими неоднородностями полупроводниковых и диэлектрических слоев (неупорядоченностью, пористостью, анизотропией), обеспечивают возможность создания новых функциональных устройств. Учёт этих явлений позволяет определить структурно-фазовые и электрофизические характеристики исследуемых структур.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы. В первом параграфе кащой главы даётся краткий обзор современного состояния исследований по проблематике данной главы. Каждая глава диссертации заканчивается кратким резюме, содержащим основные результаты и выводы по данной главе.

Основные результаты и выводы диссертационной работы кратко можно сформулировать следующим образом.

1. Предложена модель туннельной перезарядки электронных состояний, экспоненциально распределённых по толщине диэлектрического слоя, более адекватно описывающая электронные процессы в структурах с тонкими диэлектрическими слоями. Разработаны туннельно-флукгуационная модель адмиттанса поверхностных состояний и методики контроля поверхностных (времени перезарядки, сечения захвата и энергетической плотности поверхностных состояний) и туннельно-флуктуационных (глубины залегания ловушек в диэлектрике и стандартного отклонения поверхностного потенциала) параметров МДП-структур, учитывающие туннельные и флуктуационные механизмы перезарядки ПС. Предложены одночастотные модификации разработанных методик, основанные на обработке экспериментальных С-\/ характеристик, измеренных на фиксированной частоте, позволяющие существенно упростить их аппаратурную реализацию.

2. Разработаны методики моделирования теоретических вольт-фарадных характеристик планарно-неоднородных МДП-структур и структур со сложным профилем легирования полупроводника. Учёт флуктуаций поверхностного потенциала и примесной неоднородности полупроводника в теории ВФХ позволяет более точно контролировать такие электрофизические параметры микронеоднородных МДП-приборов, как напряжение плоских зон, эффективный поверхностный заряд, пороговое напряжение, спектральную плотность поверхностных состояний и др. наиболее простым и удобным для этой цели вольт-фарадным методом.

3. Разработана теория планарно-неоднородного МОП-транзистора, позволяющая корректно объяснить изменения его подпороговых ВАХ после воздействия ионизирующего облучения. Предложенная методика определения спектра поверхностных состояний, флуктуационного параметра и эффективного заряда в окисле по семейству подпороговых ВАХ и пороговому напряжению

МОП-транзистора позволяет контролировать указанные параметры на готовых транзисторах с высокой точностью.

4. Проведён анализ влияния диффузионного перераспределения и сегрегации примесей, имплантированных в систему БЮ^-Эк Показано, что для практически применяемых параметров технологии результирующий профиль описывается гауссовским распределением с погрешностью не более 10% для фосфора и 5% для бора. Использование дважды интегрируемого гауссовского распределения позволяет избежать численного решения уравнения Пуассона и свести задачу нахождения параметров приповерхностной ОПЗ полупроводника к решению трансцендентного уравнения, что при высокой точности минимизирует вычислительные затраты. Разработанные на основе предложенного полуаналитического метода расчета параметров ОПЗ единообразные полуаналитические модели МОП-транзисторов обогащенного и обедненного типов согласуются с экспериментальными данными с погрешностью не более 5%. Использование в явном виде таких технологических параметров, как энергия и доза имплантируемых примесей и параметров термообработок, позволяет применять эти модели для оптимизации технологических процессов на стадии производства МОП ИС.

5. Предложен бесконтактный способ контроля важнейших поверхностных параметров (поверхностного электростатического потенциала, эффективного поверхностного заряда, заряда диэлектрического слоя, энергетического спектра ПС) в системе Б^БЮг методом вибрационного динамического конденсатора. Разработан прецизионный метод нестационарной спектроскопии поверхностных состояний в режиме постоянного под порогового тока МДП-транзистора, позволяющий исследовать энергетический спектр ПС в обеих половинах запрещенной зоны. Первый из этих методов рекомендуется для межоперационного контроля на ранних стадиях производства, второй удобен для тестового контроля готовых интегральных микросхем и специальных исследований, например, изучения радиационно-стимулированных изменений спектра ПС. Предложен метод корректного определения профиля объемной плотности заряда в диэлектрике МДПструктуры по семейству спектральных характеристик фотоэмиссионного тока в МДП-структуре, измеренных при различных напряжениях на затворе.

6. Обнаружен и исследован эффект аномального усиления радиационной генерации поверхностных состояний на границе раздела кремний - двуокись кремния в МДП-структурах с поликремниевыми затворами при последовательном воздействии ультрафиолетового и рентгеновского излучений. Возможной причиной повышенной генерации поверхностных состояний является наличие водорода на границе с поликремниевым затвором, который проникает к границе с подложкой при ультрафиолетовом воздействии и стимулирует генерацию поверхностных состояний при последующем рентгеновском облучении. Последовательное воздействие ультрафиолетового и рентгеновского излучений можно использовать для выявления потенциально ненадёжных МОП-транзисторов с повышенной концентрацией водорода на границе затвор-окисел.

7. Исследован емкостной отклик поверхностно-допированных неупорядоченных оксидных полупроводниковых пленок на воздействие окислительной и восстановительной газовой атмосферы. Показано, что хемосорбционный эффект поля можно использовать для изучения взаимодействия наночастиц благородных металлов (Рс1, Аи) с оксидными полупроводниками (БпОг, N¡0) и создания чувствительных газовых сенсоров емкостного типа. Исследовано влияние на зарядовые параметры гетероперехода а-У\ГОз/81 процесса наведения центров окраски в а-\Л/03 при двойной инжекции в него протонов и электронов и при ультрафиолетовом облучении с различной экспозицией. В структуре с плёнкой \Л/Оз-х обнаружен моноэнергетический уровень быстрых поверхностных состояний, расположенный на 0,06 эВ ниже уровня Ферми в Плотность состояний на этом уровне возрастает при электрохромизме и уменьшается при фотохромном процессе. Предложена структурно-энергетическая модель процесса окрашивания.

8. Электрохимическое травление монокристаллического кремния п-типа ориентации (100) в водно-спиртовом растворе плавиковой кислоты с добавлением окислителя позволяет сформировать слой пористого кремния с микро- и мезопорами с общим объемом до 70%. Доля оксидной фазы в рог-Б! составляет 3-4%. Физическая адсорбция паров воды в микропорах и капиллярная конденсация в мезопорах вызывает эффективное увеличение диэлектрической проницаемости пористого слоя, что может быть использовано для создания сенсора влажности емкостного типа, чувствительного в диапазоне 0-100%. Анализ зависимости емкости такого конденсатора от относительной влажности как изотермы адсорбции дает возможность определения структурно-фазовых характеристик пористого кремния.

9. Обнаружены и исследованы на примере монокристаллов дифосфида цинка новые гальвано-анизотропные явления, характерные для монополярных анизотропных полупроводниковых кристаллов - эффект квазихолловской ЭДС и геометрический анизотропно-резистивный эффект. Впервые теоретически и экспериментально показано, что в анизотропных средах возникают вихревые токи, обусловленные тензорным характером электропроводности. В однородной анизотропной среде эти токи существуют при нелинейном распределении потенциала электрического поля. Примесная неоднородность среды усиливает данный эффект. В неоднородной анизотропной среде вихревые токи электропроводности возникают и при линейном распределении потенциала. Неоднородные анизотропные слои полупроводниковых материалов перспективны для использования в устройствах функциональной электроники. Наблюдаемая впервые генерация вынужденного излучения в монокристаллах моноклинного ХпР2 свидетельствует также о перспективности его применения в оптоэлектронике.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Nicollian Е.Н., Goetzberger A. The Si-Si02 interface electrical properties as determined by metal - insulator - silicon conductance technique // Bell Syst. Tech. Jour. 1967. V. 46. №5. P. 1055-1133.

2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: Пер. с англ. М.: Мир, 1984. Кн. 1. 456 с.

3. Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл диэлектрик - полупроводник. Киев: Наукова думка, 1978. 315 с.

4. Овсюк В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука, 1984. 253 с.

5. Гуртов В.А. Электронные процессы в структурах металл диэлектрик -полупроводник. Петрозаводск: Петрозаводский госуниверситет. 1984. 113 с.

6. Гергель В.А., Сурис Р.А. Теория поверхностных состояний и проводимости в структурах металл-диэлектрик-полупроводник // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1983. Т. 84, вып. 2. С. 719-736.

7. Nicollian Е.Н., Brews J.R. MOS (metal oxide - semiconductor) physics and technology. N.Y.: Wiley & Sons, 1982. 902 p.

8. Бормонтов E.H. Физика и метрология МДП-структур. Воронеж. Воронежский университет. 1997. 184 с.

9. Lehovec К., Slobodsky A. Impedance of semiconductor insulator - metal capacitors // Sol.-St. Electron. 1964. V. 7. №1. P. 59-79.

10. Lehovec K. Frequency dependence of the impedance of distributed surface states in MOS structures //Appl. Phys. Lett. 1966. V. 8. №2. P. 48-50.

11. Brews J R., Lopez ADA test for lateral nonuniformities in MOS device using only capacitance curves//Sol.-St. Electron. 1973. V. 16. №11. P. 1267-1277.

12. Yadava R.D.S. Analytic approach to a.c. conductance method for rapid characterization of interface states in MOS structures // Sol.-St. Electron. 1990. V.33. №1. P. 127-137.

13. Brews J.R. Admittance of an MOS device with interface charge inhomogeneities // J. Appl. Phys. 1974. V. 43. №11. P. 3451-3455.

14. Preier H. Contributions of surface states to MOS impedance // Appl. Phys. Lett. 1967. V. 10. №11. P. 361-364.

15. Khosru Q.D.M., Yasuda N., Taniguchi K. Hamaguchi C. Spatial distribution of trapped holes in Si02 // Jour. Appl. Phys. 1994. V. 76. №8. P. 4738-4742.

16. Nicollian E.H., Goetzberger A. MOS conductance technique for measuring of surface state parameters//Appl. Phys. Lett. 1965. V. 7. №8. P. 216-218.

17. Nicollian E.H., Goetzberger A. MOS study of interface state time constant dispersion //Appl. Phys. Lett. 1967. V. 10. №2. P. 60-64.

18. Nicollian E.H., Goetzberger A., Lopez A. D. Expedient method of obtaining interface state properties from MIS conductance measurements // Sol.-St. Electron. 1969. V. 12. №12. P. 937-944.

19. Brews J.R. Graphical technique to determine the density of interface states at the Si-Si02 interface of MOS devices using the a.c. conductance method // Sol.-St. Electron. 1983. V. 26. P. 711-721.

20. Simonne J.J. A method to extract interface state parameters from the MIS parallel conductance technique//Sol.-St. Electron. 1973. V. 16. №1. P. 121-129.

21. Noras J.M. Extraction of interface state attributes from MOS conductance measurements // Sol.-St. Electron. 1987. V.30. №4. P. 433-437.

22. De Dios A, Castan E., Bailon L, Barbolla J., Lozano M., Lora-Tamayo E. Interface state density measurement in MOS structure by analysis of the thermally stimulated conductance// Sol.-St. Electron. 1990. V. 33. №8. P.987-992.

23. Boudry M.R. Theoretical origins of Nss peaks observed in Gray-Brown MOS studies //Appl. Phys. Lett. 1973. V. 22. №10. P. 530-531.

24. Goetzberger A., Schultz M. Fundamentals of MOS technology // Fectkorper probleme. 1973. V. 16. №1. P. 80-96.

25. Van Overstraeten R.J., Declerck G., Broux G.L. Description of the Si-Si02 properties in the presence of surface charge fluctuations // IEEE Trans. Electron. Dev. 1973. ED-20. №12. P. 1154-1162.

26. Kar S., and Dahlke W.E. Interface states in MOS structures with 20-40 A thick Si02 films on nondegradate Si* // Sol.-St. Electron. 1972. V. 15. №2. P. 231-237.

27. Deuling H., Klausmann E., Goetzberger A. Interface states at the Si-Si02 interface // Sol.-St. Electron. 1972. V. 15. №5. P. 559-570.

28. Warachina M., Ushirokawa A. Conductance (C ) bias (V) method for interface states in MOS structure If Jap. Jour. Appl. Phys. 1975. V. 14. №11. P. 1739-1749.

29. Schuegraf K.F., Ни C. Reliability of thin Si02 H Semicond. Sci. Technol. 1994. V. 9. P. 988-1005.

30. Bormontov E.N., Lukin S.V., Nakhmanson R.S. Tunnel-fluctuation model of the MIS admittance//Sol.-St. Electron. 1999. V. 43, N2. P. 177-187.

31. Bormontov E.N., Lukin S.V. A model of MIS admittance in the presence of tunnel trapping to the near-interface states in insulator if Proc. of the 5th Int. Conf. on Simulation of Devices and Technologies. Obninsk. 1996. P. 31-34.

32. Bormontov E.N., Lukin S.V. Tunnel-fluctuation model of MIS admittance // 1997 MRS Spring Meeting, San Francisco. Symposium J. Abstract #10091.

33. Бормонтов E.H., Лукин C.B. Исследование поверхностных состояний в МДП-структурах с учётом флукгуационных и туннельных эффектов // Тезисы докл. Ill Российской конф. по физике полупроводников «ПОлупроводники-97». М. 1997. С. 318.

34. Bormontov E.N., Levin M.N., Nakhmanson R.S. Obtaining interface state parameters by the MOS admittance technique accounting for fluctuation and tunnel effects // Sol.-St. Electron. 2000. V. 44. N8. P. 1441-1446.

35. Бормонтов Е.Н., Котов С.В., Лукин С.В., Колычев А.И. Экспресс-метод определения микронеоднородности поверхностных параметров МДП-структур // Электронная промышленность. 1994. Вып. 4-5. С. 127-128.

36. Бормонтов Е.Н., Головин СВ., Котов С.В., Лукин С.В. Исследование поверхностных состояний в МДП- структурах методом двухтемпературной полной проводимости // ФТП. 1995. Т. 29. Вып. 4. С. 646-653.

37. Бормонтов Е.Н., Головин С.В., Котов С.В., Лукин С.В. Методика быстрого определения поверхностных параметров планарно-неоднородных МДП-структур П ФТП. 1996. Т. 30. Вы п. 7. С. 1205-1212.

38. Бормонтов Е.Н., Лукин С.В. Исследование приграничных состояний в МДП-структурах одночастотным методом адмиттанса //ЖТФ. 1997. Т. 67. №10. С. 5559.

39. Bormontov E.N., Kotov S.V. New technique for researching of interface states in MIS structures by the conductance method // Proc. 15th European Conf. on Surface Science. Lille. 1995. Abstract #0077.

40. Bormontov E.N., Kotov S.V. Research of interface state parameters in MIS structures by the two-temperature conductance method If 1995 MRS Fall Meeting. Boston. Symposium T. Abstract #T3.9.

41. Градштейн И. С., Рыжик И.М. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений. М.: Наука. 1971. 1108 с.

42. Johnson N.M. Measurement of semiconductor insulator interface states by constant- capacitance deep- level transient spectroscopy // J. Vac. Sci. Technol. 1982. V. 21. №2. P. 303-315.

43. Groeseneken G., Maes H.E., Beltran N., Dekeersmaecker R.F. A reliable approach to charge- pumping measurements in MOS transistors // IEEE Trans. Electron. Dev. 1984. V. ED-31. №1. P. 42-44.

44. Johnson N.M. Energy resolved DLTS measurement of interface states in MIS structures//Appl. Phys. Lett. 1979. V. 34. №11. P. 802-804.

45. Saks N.S., Ancona M.G. Determination of interface trap capture cross section using three-level charge pumping // IEEE Electron. Dev. Lett. 1990. V. 11. №8. P. 339-341.

46. Schultz M. Coulomb energy of traps in semiconductor space-charge regions // J. Appl. Phys. 1993. V. 74. N4. P. 2649-2657.

47. Uren M.J. et al. Interface state capture cross section measurements on vacuum annealed and radiation damaged Si:Si02 surfaces И J. Electrochem. Soc. 1998. V. 145. N2. P. 683-689.

48. McWhorter P.J., Winokur P.S. Simple technique for separating the effects of interface traps and trapped-oxide charge in metal-oxide-semiconductor transistors // Appl. Phys. Lett. 1986. V. 48. N2. P. 133-135.

49. Nakhmanson R.S., Sevastianov S.B. Complex models of surface state admittance // Int. J. Electronics. 1984. V. 56. N3. P. 287-297.

50. Выгодский М.Я. Справочник по высшей математике. М.: Гос. изд-во физико-математической литературы. 1963. 872 с.

51. Shewchun J., Waxman A., Warfield G. Tunneling in MIS structures // Sol.-St. Electron. 1967. V. 10. P. 1165-1186.

52. Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь. 1985. 264 с.

53. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1987.239 с.

54. Garrett C.G., Brattain W.H. Physical theory of semiconductor surfaces II Phys. Rev. 1955. V. 99. №2. P. 376-397.

55. Lindner R. Semiconductor surface varactor II Bell Syst. Tech. Jour. 1962. V. 41. №3. P. 803-831.

56. Нахмансон P.C. Теория поверхностной емкости // ФТТ. 1964. Т. 6. №4. С. 11151124.

57. Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника: Пер. с исп. М.: Высшая школа. 1991. 352 с.

58. Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем: Пер. с англ. М.: Мир, 1989. 632 с.

59. Terman L.M. An investigation of surface states at a silicon silicon oxide interface employing metal - oxide - silicon diodes II Sol.-St. Electron. 1962. V. 5. №3. P. 155-163.

60. Gray P.V., Brawn D.M. Density of Si-Si02 interface states // Appl. Phys. Lett. 1966. V. 8. №2. P. 31-33.

61. Berglund C. Surface states at steam-grown Si-Si02 interfaces // IEEE Trans. Electron. Dev. 1966. ED-13. №11. P. 701-712.

62. Kuhn M. A quasi-static technique for MOS C-V and surface state measurements // Sol.-St. Electron. 1970. V. 13. №6. P. 873-885.

63. Ziegler К., Klausmann E., Kar S. Determination of the semiconductor doping profile right up to its surface using the MIS capacitor // Sol.-St. Electron. 1975. V. 18. №2. P. 189-198.

64. Kinder R., Frank H. Determination of doping profiles for low boron ion implantations in silicon // Sol.-St. Electron. 1988. V. 31. №2. P. 265-268.

65. Zerbst M. Relaxation effecte an Halbleiter Isolator - Grenzflachen U Z. Angew. Phys. 1966. V. 22. №1. S. 3039-3046.

66. Ishivara H. et al. Ion implantation in semiconductors. N.-Y.: Plenum Press. 1975. 345 p.

67. Bormontov E.N., Lukin S.V. Simulation of C-V curves of MIS structures with nonuniformly distributed surface potential II Proc. of the 5th int. Conf. on Simulation of Devices and Technologies. Obninsk. 1996. P. 35-39.

68. Риссел X., Руге И. Ионная имплантация: Пер. с нем. М.: Наука. 1983. 425 с.

69. Iniewski К., Salama CA. A new approach to C-V profiling with sub-Debye-length resolution // Sol.-St. Electron. 1991. V. 34, N3. P. 309-314.

70. Бормонтов E.H., Головин C.B., Чистов Ю.С. Полная проводимость и свойства границы раздела ионно-имплантированных структур M-Si02-Si // Межвуз. сб. научных трудов "Физика и технология материалов электронной техники". -Воронеж. 1992. С. 4-10.

71. Bormontov E.N., Kotov S.V., Lukin S.V. Numerical simulation of C-V curves for MIS structures with nonuniform impurity distribution // The Third Int. Conf. on Simulation of Devices and Technologies. Obninsk. 1994. P. 62-63.

72. Бормонтов Е.Н., Борисов С.Н., Волков О.В., Левин М.Н., Лукин С.В. Моделирование вольт-фарадных характеристик для контроля электрофизических параметров МДП-структур со сложным профилем легирования // Известия вузов. Электроника. 1999. №5. С. 33-39.

73. Дьяконов В.П. Справочник по алгоритмам и программам на языке Бейсик для ПЭВМ. М.: Наука. 1987. 240 с.

74. Zohta Y. Frequency dependence of AV/A(C~2) of MOS capacitors // Sol.-St. Electron. 1974. V. 17. №12. P. 1299-1309.

75. Kennedy D.P., O'Brien R.R. Two-dimensional mathematical analysis of a planar type junction field-effect transistor// IBM Jour. Res. Dev. 1969. V. 13. P. 212-224.

76. Бормонтов E.H., Головин С.В. Автоматизированная установка для контроля и анализа электрофизических характеристик МДП-структур // Известия вузов. Электроника. 1998. №4. С. 95-100.

77. Бормонтов Е.Н., Борисов С.В., Крячко В.В., Лукин С.В. Спектроскопия поверхностных состояний в структурах диэлектрик-полупроводник методом вибрационного конденсатора // Твердотельная электроника и микроэлектроника. Воронеж. 1997. С. 28-34.

78. Zisman W. A new method of measuring contact potential differences in metals // The review of scientific instruments. 1932. N7. P. 367-370.

79. Lenahan P.M., Brower K.R., Dressendorfer P.V. Radiation- induced trivalent silicon defect buildup at the Si-Si02 interface in MOS structures H IEEE Trans. Nucl. Sci. 1981. V. NS-28, No 6. P. 4105-4111.

80. Lenahan P.M., Dressendorfer P.V. Hole traps and trivalent silicon centers in metal-oxide-silicon devices // J. Appl. Phys. 1984. V. 55, No 10. P. 3495-3499.

81. Jupina M.A., Lenahan P.M. Spin depended recombination: a 29Si hyperfine study of radiation induced Pb-centers at Si-Si02 interface // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1990. V. NS-37, No 6. P. 1650-1657.

82. Brews J.R. Dopant density from maximum-minimum capacitance ratio of implanted MOS structures If Sol.-St. Electron. 1982. V. 25, N5. P. 375-379.

83. Баев А.А., Бормонтов Е.Н., Головин С.В. Способ контроля малой дозы ионно-имплантированной примеси // Межвуз. сб. научных трудов "Элементы и устройства микроэлектронной аппаратуры". Воронеж. 1995. С. 68-73.

84. Бормонтов Е.Н., Баев А.А., Головин С.В., Леженин В.П. Способ контроля планарной однородности ионной имплантации // Микроэлектроника. 1998. Т.27, №5. С. 330-334.

85. Bormontov E.N., Baev А.А., Goiovin S.V., Chistov Yu.S. Measuring-computing complex for diagnostics and investigations of MOS LSI technology // Int. Conf. on Advanced and Laser Technologies. M. 1992. Part 5. P. 15.

86. Бормонтов E.H., Головин C.B., Котов С.В. Измерительно-вычислительный комплекс для экспресс-контроля электрофизических параметров и исследования технологии МОП-ИС // Электронная промышленность. 1994. Вып. 4-5. С. 120-121.

87. Мячев А.А., Иванов В.В. Интерфейсы вычислительных систем на базе мини- и микроЭВМ I Под ред. Б.Н. Наумова. М.: Радио и связь, 1985. 248 с.

88. Шевкопляс Б.В. Микропроцессорные структуры. Инженерные решения. Справочник. М.: Радио и связь, 1990. 512 с.

89. Бормонтов E.H., Леженин В.П. Численно аналитическая модель МОП-транзистора с неоднородно легированной подзатворной областью // Микроэлектроника. 1995. Т. 24, №5. С. 343-348.

90. Бормонтов E.H., Леженин В.П., Сай И.В. Полуаналитическая модель МОП-транзистора со встроенным ионно-легированным каналом // Микроэлектроника. 1997. Т. 26, №1. С. 38-41.

91. Бормонтов E.H., Вялых С.А., Леженин В.П., Лукин C.B. Оптимизация технологии изготовления п(р)- канальных МОП ИС по статическим параметрам пары тестовых транзисторов // Микроэлектроника. 1998. Т. 27, №4. С. 282-287.

92. Bormontov E.N., Golovin S.V., Lezhenin V.P., Synorov V.F. Quasi-monodimensional numerical-analytic model of MOSFET with nonuniformly doped sub-gate region. // The Third Int. Conf. on Simulation of Devices and Technologies. Obninsk. 1994. P. 68-69.

93. Баев A.A., Бормонтов E.H., Головин C.B., Леженин В.П. Расчет порогового напряжения МОП-транзистора с неоднородно легированной подложкой. // Межвуз. сб. научных трудов "Элементы и устройства микроэлектронной аппаратуры". Воронеж. ВГТУ. 1995. С. 83-88.

94. Бормонтов E.H., Леженин В.П., Лукин C.B. Аналитическая модель МОП-транзистора со скрытым каналом. // Тез. докл. II Всероссийской науч.-техн. конф. "Электроника и информатика". Зеленоград. 1997. С. 118-119.

95. Бормонтов Е.Н., Левин М.Н., Вялых С.А., Борисов С.Н. Теория планарно-неоднородного МОП транзистора в области слабой инверсии. Методика определения поверхностных параметров //ЖТФ. 2001. Т. 71, №2. С. 61-66.

96. Bormoniov E.N., Lezhenin V.P. A semi analytic n{p)-channel MOS inverter model for 1С production process optimization. // Proc. of the 5th Int. Conf. on Simulation of Devices and Technologies. Obninsk. 1996. P. 43.

97. Бормонтов E.H., Вялых C.A., Леженин В.П., Петров Б.К. Полуаналитическая модель инвертора для оптимизации МОП-технологии // Всероссийская науч.-техн. конф. «Микро- и нанозлектроника». М. 1999.

98. Van Roosbroek W.V., Theory of Flow of Electrons and Holes in Germanium and Other Semiconductors. // Bell. Syst. Techn. J. 1950. V. 29. P. 560-607.

99. Marhsak A. H. Shrivastava R., Law of the Junction for Degenerate Material with Position-Dependent Band Gap and Electron Affinity. // Solid-State Electron. 1979. V. 22. P. 567-571.

100. Van Overstraeten R.J., De Man H.J., Mertens R.P., Transport Equation in Heavy Doped Silicon.// IEEE Trans. Electron Devices. 1973. V. ED-20. P. 290-298.

101. Van Vliet K.M., The Shokley Like Equations for the Carrier Densities and the Current Flows in Materials with a Nonuniform Composition. // Solid-State Electron. 1980. V. 23. P. 49-53.

102. Frey J., Physics Problems in VLSI Devices.// in: Introduction to the Numerical Analysis of Semiconductor Devices and Integrated Circuits. Boole Press. Dublin. 1981. P. 47-50.

103. Hess K., Ballistic Electron Transport in Semiconductors. // IEEE Trans. Electron Devices. 1981. V. ED-28. P. 937-940.

104. Frey J., Transport Physics for VLSI. // in: Introduction to the Numerical Analysis of Semiconductor Devices and Integrated Circuits. Boole Press. Dublin. 1981. P. 51-57.

105. Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits. Edited by P. Antognetti at. al. Martinus Nijhoff Publishers. Boston. 1983.

106. Pao H.C. at. al. Effects of Diffusion Current on Characteristics of MOST.// IEEE Trans. Electron Devices. 1965. Vol. ED-12, P. 139-145.

107. Nischida M, Aoyama M. An improved definition for the onset of heavy inversion in an MOS structure with nonuniformly doped semiconductors. IEEE Trans. Electron Devices. 1980 V. ED 27. No 7. P. 1222 - 1230.

108. Booth R.V. at al. The Effect of Channel Implants on MOS Transistor Characterization. // IEEE Trans. Electron Devices. 1987. V. ED-34. No 12. P. 25012509.

109. Shenai K. Analytical solution for threshold voltage calculation in ionimplanted iGFET's. // Sol. -St. Electron. 1983. V. 26. P. 761 766.

110. Wang P. Double boron implant shortchannel MOSFET. // IEEE Trans. 1977. V. ED-24. P. 196 204.

111. Гергель B.A., Миргородский Ю.Н., Тихомиров П.А., Квазиодномерная модель МОП-транзистора с неоднородно легированной подзатворной областью. // Электронная техника, сер. 3. Микроэлектроника. 1990. Вып. 5(139). С. 64-68.

112. Груданов Н.Б., Сидоренко В.П., Модель МОП-транзистора с ионно-легированным индуцированным каналом. // Эл. техника. Сер.З. вып. 4. С. 22-31.

113. Weng Т. On the shift of threshold voltage of nonuniformly doped MOS transistors. // Sol. -St. Electron. 1980. V. 23. P. 283 284.

114. Dutton R.W., Hansen S.E., Process Modeling of Integrated Circuit Device Technology. // Proc. IEEE. 1981. V. 69. P. 1305-1320.

115. Lindhard J, Scharff M., Sciott H.E., // Kgl. Danske Videnskab., Selskab., Mat. Phys. Medd. 1963. V. 33. No. 14.

116. Biersack J.P. Calculation of projected ranges analytical solutions and a simple general algorithm// Nucl. Inst. & Methods. 1981. V. 182/183. P. 199.

117. МОП СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов / Под ред. П. Антонетти. М.: Мир, 1988.

118. Selberherr S., Guerro Е., Simple and Accurate Representation of Implantation Parameters by Low Order Polynomals. // Solid State Electron., 1981.V. 24. P. 591-593.

119. Lee H. at al. Modeling and measurement of surface impurity profiles of laterally diffused regions. //IEEE J. Sol.-St. Circuits. 1978. V. SC-13. P.455-461.

120. Dang L.M. and Iwai H. Modeling the impurity profile in an ion-implanted layer of IGFET for the calculation of threshold voltages // IEEE Trans. Electron Devices. 1981. ED-27. P. 199.

121. Dasgupta A. and Lahiri S. K., A new boron implanted model suitable for analytical modeling of threshold voltage of MOSFETs // Sol.-St. Electron. 1987. V. 30. P. 12831287.

122. Taylor G. W., Chatterjee P. K. and Chao H. H. A device model for buried- channel CCD's and MOSFET's with gaussian impurity profiles // IEEE Trans. Electron Devices. 1980. ED-27. P. 199.

123. Taylor G. W., Darley H. M., Frye R. C. and Chatterjee P. K. A device model for an ion-implanted MESFET//IEEE Trans. Electron Devices. 1979. ED-26. P. 172.

124. Brews J. R., Threshold shifts due nonuniform doping profiles in surface chanell MOSFETs.//IEEE Trans, Electron Devices. 1979. ED-26. P. 1696-1710.

125. Ratnam P. and Saiama С. A. T. A new approach to the modeling on nonuniformly doped short-channel MOSFETs// IEEE Electron Devices. 1984. ED-31. P. 1289.

126. Karmalkar S. and Bhat K. N. The shifted-rectangle approximation for simplifying the analysis of ion-implanted MOSFETs and MESFETs // Solid-State Electronics. 1991. V.34. P. 681-692.

127. Chern J.G.J, at. al. Computer-aided device optimization for MOS/VLSI // IEEE Trans. Electron Devices Letters. 1980. V. EDL-1. P. 170-172.

128. Шур M. Физика полупроводниковых приборов: в 2-х кн. / пер. с англ. А.А. Кальфа и др. М.: Мир. 1992.

129. Дулан Э. И др. Равномерные численные методы решения задач с пограничным слоем. М.:Мир. 1983.

130. Гафаров П.М., Крупкина Т.Ю. Моделирование МОП-транзистора с узким каналом. // Эл. техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1981. Вып. 3. С. 12-20.

131. Крупкина Т.Ю., Шишигина Л.Ю. Моделирование МОП-транзистора с коротким каналом. // Эл. техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1981. Вып. 2. С.28-34.

132. Крупкина Т.Ю., Романов С.Н. Оптимизация параметров МОП-транзистора по пороговому напряжению. // Эл. техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1985. Вып. 4. С. 47-54.

133. Крупкина Т.Ю. Расчет характеристик МОП-транзистора с неоднородным распределением примеси в подложке. У/ Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1985. Т. 28. № 12 С.31-34.

134. Sigmon T.W., Swanson R. MOS threshold shifting by ion-implantation. // Sol.-St. Electr. 1973. V.16. P.1217.

135. Moschwitzer A. A simple threshold model for depletion MOST. // Phys. St. Sol. 1979. V.53. P.43

136. Гафаров П.М., Песоченко O.A., Шишина Л.Ю. Моделирование МОП-транзистора обедненного типа с малыми размерами. If Микроэлектроника. 1986. Т. 15. С. 156-162.

137. Huang J.S.T., Taylor G.W. Modeling of an ion-implanted silicon gate depletion mode IGFET// IEEE Trans. Electron Devices. 1975. V. ED-22. P. 995.

138. Yau L.D. A simple theory to predict the threshold voltage of short channel IGFET. I! Sol.-St. Electr. 1974. V.17. P. 1059-1063.

139. Akers L.A., Sanchez J.J. Threshold voltage models of short, narrow and small geometry MOSFETs: a review. H Sol.-St. Electr. 1982. V.25. P. 621-641.

140. Van Overstraeten R.J., Declerck G.J. and Broux G. The influence of surface potential fluctuations on operation of the MOS transistor in weak inversion // IEEE Trans. Electron Dev. 1973. V. ED-20. N12. P. 1154-1158.

141. Swanson R.M. and Meindl J.D. Ion-implanted complementary MOS transistors in low-voltage circuits//IEEE Sol.-St. Circuits. 1972. V. SG-7. N4. P. 140-153.

142. Van Overstraeten R.J., Declerck G.J. and Muls P.A. Theory of the MOS transistor in weak inversion new method to determine the number of surface states // IEEE Trans. Electron. Dev. 1975. V. ED-22. N5. P.282-288.

143. Ionizing radiation effects in MOS devices and circuits // Ed. by T.P.Ma and P.V.Dressendorfer. N.-Y.: Wiley Interscience. 1989. 760 p.

144. Fleetwood D.M., Shaneyfelt M.R., Schwank J.R., Winokur P.S., and Sexton F.W. Theory and application of dual-transistor charge separation analysis // IEEE Trans. Nucl. Phys. 1989. V. 36. N6. P. 1816-1824.

145. Shanfield Z. and Moriwaki M.M. Critical Evaluation of the Midgap-Voltage-Shift Method for determination oxide trapped charge in irradiated MOS Devices // IEEE Trans. Nucl. Phys. 1987. V. 34. N6. P. 1159-1165.

146. Van Overstraeten R.J., Declerck G.J. and Broux G. On adequacy of the classical theory of the MOS transistor in weak inversion П IEEE Trans. Electron. Devices. 1973. V. ED-20. N12. P. 1150-1153.

147. Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках. М.: Физматгиз. 1961. 462 с.

148. Тихонов Н.Н., Самарский А.А. Уравнения математической физики. М.: Физматгиз. 1951. 680 с.

149. Бубенников АН. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем. М.: Высшая школа. 1989. 320 с.

150. Bormontov E.N., Lezhenin V.P. Si-Si02 interface property vs T with respect to boron. // 1997 MRS Spring Meeting. San-Francisco. Symposium E. Abstract #10425.

151. Bormontov E.N., Lezhenin V.P., Lukashkov V.V. The influence of impurity segregation on the boron-doped HMOSFET performance. И Proc. of the 5th Int. Conf. on Simulation of Devices and Technologies. Obninsk. 1996. P. 103.

152. Технология СБИС. В 2-х кн. Кн. 1. Пер. с англ. / Под ред. С. Зи. М.: Мир, 1986. 405 с.

153. Букингем М. Шумы в электронных приборах и системах. М.: Мир, 1984. С. 115147.

154. Lang D.V. Deep level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors // J. Appl. Phys. 1974. V. 45, N7. P. 3023-3033.

155. Johnson N.M., Baterlink D.J. Constant-capacitance DLTS measurement of defect-density profiles in semiconductors //J. Appl. Phys. 1979. V. 50, N7. P. 4828-4833.

156. Hoffmann K., Schulz M. Process-induced interface and bulk states in MOS structures fi J. Electrochem. Soc.: Sol. St. Sci. &Tech. 1985. V. 132, N9. P. 2201-2208.

157. Karwath A., Schulz M. Deep level transient spectroscopy on single, isolated interface traps in field effect transistors И Appl. Phys. Letters. 1988. V.52, N8. P. 634637.

158. Brotherton S.D. Photocurrent deep level transient spectroscopy in silicon // J. Appl. Phys. 1984. V. 55, N10. P. 3636-3543.

159. Borsuk J.A., Swanson R.M. Current transient spectroscopy: a high-sensitivity DLTS system// IEEE Trans. Electron. Devices. 1980. V. ED-27, N12. P. 2217-2226.

160. Farner J.W., Lamp C.D., Moose J.M. Charge transient spectroscopy U Appl. Phys. Lett. 1982. V. 41, N11. P. 1063-1065.

161. Simmons J.J., Wei L.S. Theory of dynamic charge and capacitance characteristics in MIS systems containing surface traps // Sol.-St. Electron. 1973. V. 16. P. 43-52.

162. Simmons J.J., Wei L.S. Theory of transient emission current in MOS devices & direct determination of interface trap parameters // Sol.-St. Electron. 1974. V. 17. P. 117119.

163. Simmons J.J., Taylor G. Theory of non-steady-state interfacial thermal current in MOS devices & direct determination of interface trap parameters // Sol.-St Electron. 1974. V. 17. P. 125-130.

164. Wang L.W. MOS interface state density measurements using transient capacitance spectroscopy// IEEE Trans. Electron. Devices. 1980. V. ED-27, N12. P. 2231-2239.

165. Kadlec J., Gundlach K.H. Results and problems of photoemission in sandwich structures // Phys. Stat. Sol. (a). 1976. V. 37, N9. P. 9-28.

166. Powell R.J., Berglund C.N. Photoinjection studies of charge distributions in oxides of MOS structures U J. Appl. Phys. 1971. V. 42, N11. P. 4390-4397.

167. Berglund C.N., Powell R.J. Photoinjection into SiC^: electron scattering in the image force potential well //Appl. Phys. 1971. V. 42, N2. P. 573-579.

168. Левин M.H., Сахаров Б.Н., Гольдфарб B.A. Влияние внутреннего поля в диэлектрике на фотоэмиссионный ток в МДП-структуре // Микроэлектроника. 1984. Т. 3, №1. С. 47-50.

169. Левин М.Н., Бормонтов Е.Н., Татаринцев А.В., Гитлин В.Р. Нестационарная спектроскопия поверхностных состояний в режиме постоянного подпорогового тока МДП транзистора //ЖТФ. 1999. Т. 69, вып. 8. С. 60-64.

170. Левин М.Н., Израйлит В.Л., Татаринцев А.В., Кадменский С.Г. // ПТЭ. 1992. №2. С. 119-122.

171. Левин М.Н., Бормонтов Е.Н., Волков О.В., Остроухое С.С., Татаринцев А.В. Анализ распределения заряда в диэлектрике МДП-структуры по спектральным зависимостям фотоэмиссионного тока // ЖТФ. 2001. Т. 71, вып. 3. С. 44-52.

172. Christensen О. Quantum efficiency of the internal photoelectric effect in silicon and germanium // J. Appl. Phys. 1976. V. 47, N2. P. 689-694.

173. Nicollian E.H., Berglund C.N., Schmidt P.E., Andrews J.M. Electrochemical charging of thermal Si02 films by injected electron currents // J. Appl. Phys. 1971. V. 42. №13. P. 5654-5664.

174. Ma T.P., Dressendorfer P.V. Ionizing radiation effects in MOS devices and circuits. New York: Wiley. 1989. 932 p.

175. Вавилов B.C., Горин Б.М., Данилин H.C., КивА.Е., Нуров Ю.Л., Шаховцов В.И. Радиационные методы в твердотельной электронике. М.: Радио и связь. 1990. 183 с.

176. Першенков B.C., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС. М.: Энергоатомиздат. 1988. 253 с.

177. Левин М.Н., Кадменский С.Г., Татаринцев А.В., Литманович В.И., Чернышев В.Е. Радиационные эффекты в короткоканальных МДП-приборах // Микроэлектроника. 1992. Т.21. №2. С.34-41.

178. Левин М.Н., Литманович В.И., Татаринцев А.В., Чернышев В. В. Прямой метод определения плотности поверхностных состояний по токам накачки заряда // ФТП. 1993. Т.27. Вып. 1. С.3-11.

179. Сахаров Б.Н., Смирнова О.Н., Гольдфарб В.А. Особенности фотоэмиссии в МДП-структурах с учетом локализованного в диэлектрике заряда // Микроэлектроника. 1981. Т. 10. №5. С.463-466.

180. Левин М.Н., Сахаров Б.Н., Гольдфарб В.А. Влияние внутреннего поля в диэлектрике на фотоэмиссионный ток в МДП-структуре H Микроэлектроника. 1984. Т. 13. №1. С.47-50.

181. Griscom D. L. Diffusion of radiolytic molecular hydrogen as a mechanism for the post-irradiation buildup of interface states in Si02-on-Si strructures U J. Appl. Phys. 1985. V.58. №7. P. 2524-2533.

182. Горелкинский Ю.В., Невинный H.H., Люц EA. Перенос водорода в субмикронных слоях Si02 на Si // ФТП. 1994. Т.28. Вып.1. С.41-47.

183. Swank J.R., Fleetwood D.M., Winokur P.S., Dressendorfer P.V., Turpin D.C., Sanders D.T. The role of hydrogen in radiation-induced defect formation in polysilicon gate MOS devices// IEEE Trans. Nucl. Phys. 1987. V.34. №6. P. 1152-1157.

184. Saks N.S., Brown D.B. Interface trap formation via the two-stage H+ process H IEEE Trans. Nucl. Phys. 1989. V.36. №6. P.1848-1857.

185. Mrstik B.J., Rendell R.W. Si-Si02 interface generation during X-ray irradiation and during post-irradiation exposure to a hydrogen ambient// IEEE Trans. Nucl. Phys. 1991. V.38. №6. P.1101-1101.

186. Рябцев C.B, Шапошник A.B. Метод изготовления полупроводникового чувствительного элемента. Патент РФ №2096775.

187. Huck R., Bottger U., Kohl D., Heiland G. Spillover effects in the detection of H2 and СН4 by sputtered Sn02 films with Pd and PdO deposits // Sensors and Actuators. 1989. V. 17. P. 355-359.

188. Fryberger T.B., Erickson J.W., Semancik S. Chemical and electronic properties of Pd/Sn02 (110) model gas sensors H Surface and Interface Analysis. 1989. V. 14. P. 8389.

189. Ryabtsev S.V. Frequency-dependent capacitance of surface-doped gas sensors // Proc. of the 13th European Conf. on Solid State Tranducers "Eurosensors XIII". The Hague, The Netherlands. 1999. P. 93-95.

190. Schottky W. Halbleiter theorie der sperrschicht U Naturwissenschaften. 1938. V. 26. P. 843-850.

191. Brattain W.H., Bardeen J. Surface properties of germanium H Bell Syst. Tech. J. 1953. V. 32, N1. P. 1-32.

192. Пономарев A.H., Приходько В.Г. Структура плотности состояний границы раздела Si-Si02 // ФТП. 1986. Т. 20, вып. 3. С. 427-430.

193. Clark R.W., Tien J.K, Wynblatt P. Loss of palladium from model platinum-palladium catalysts during annealing // Surface and Interface Analysis. 1980. V. 6. P. 5-18.

194. Gutman E.E., Belyscheva T.V., Ryabtsev S.V., Chibirova F.H. Structure factor in chemical sensorics // Proc. of Chemical Sensors 6 Int. Meeting. USA, Gaithersburg. 1996. P. 75.

195. Buzaneva E.V., Strikha V.l. Electronic structure of n-Si (111) surface with deposited metals (Pd, Ni) // Proc. of IX IVC-VI CSS. Extended Abstracts. Madrid. 1983. P. 56.

196. Примаченко B.E., Снитко O.B. Физика легированной металлами поверхности полупроводников. Киев: Наук, думка, 1988. 232 с.

197. Бузанева Е.В., Кузнецов Г.В., Стриха В.И. Влияние температуры на поверхностные электронные состояния в контактах металл-кремний // Микроэлектроника. 1986. Т. 15, №3. С. 275-277.

198. Кукуев В.И., Тутов Е.А., Домашевская Э.П. и др. Управление плотностью эффективного поверхностного заряда в МДП структуре с плёнкой триоксида вольфрама//ЖТФ. 1987. Т. 57, вып. 10. С. 1957-1961.

199. Кукуев В.И., Тутов ЕЛ., Лесовой М.В. и др. Поверхностные состояния и заряд в МДП-структуре с плёнкой триоксида вольфрама // Поверхность: Физ., химия, мех. 1988. №11. С. 87-92.

200. Tutov Е.А., Baev A.A. Charge transfer process in a-WCVSi heterostructure during electro- and photochromism //Appl. Surf. Sei. 1995. V. 90. P. 303-308.

201. Галямов Б.Ш., Обвинцева И. E., Рогинская Ю.Е. Фотоактивация поверхности оксида гетероструктуры S1/WO3 видимым светом // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14, вып. 3. С. 253-256.

202. Галямов Б.Ш., Обвинцева И. Е., Рогинская Ю.Е., Яновская М.И. Полифункциональность гетерострукгур с WO3// Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15, вып. 2. С. 74-77.

203. Тутов ЕА, Рябцев C.B., Бормонтов E.H. Функциональные свойства гетероструктур кремний/ несобственный оксид // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23, №12. С. 7-13.

204. Tutov Е.А., Baev A.A., Bormontov E.N. WO3/S1' based structures for sensors U Abstr. Int. Conf. on Electrotechnical Materials and Components ICEMC-95. Krym. 1995. P. 49.

205. Кукуев В.И., Тутов E.A., Лесовой M.B., Домашевкая Э.П. Изменения ближнего атомного порядка в плёнках а-\Л/Оз в процессе окрашивания, адсорбции воды и в результате старения // Кристаллография. 1988. Т. 33, вып. 6. С. 1551-1552.

206. Кукуев В.И., Сорокина Е.А., Томашпольский Ю.Я. и др. // Изв. РАН. Неорг. матер. 1995. Т. 31, №3. С. 342-345.

207. Тутов Е.А., Кукуев В.И., Баев A.A., Бормонтов E.H., Домашевская Э.П. Электронные процессы в гетероструктуре WO3/SÍ при электро- и фотохромизме // ЖТФ. 1995. Т. 65, вып. 7. С. 117-124.

208. Рожков В .А., Трусова А.Ю., Бережной И.Г., Гончаров В.П. И ЖТФ. 1995. Т. 65, вып. 8. С. 183-186.

209. Ковалевская Г.Г., Мередов М.М., Руссу Е.В. и др. //ЖТФ. 1993. Т. 63, вып. 2. С. 185-190.

210. Слободчиков С.В., Ковалевская Г.Г., Салихов Х.М. И Письма в ЖТФ. 1994. Т. 20, вып. 10. С. 66-70.

211. Гаврилюк А.И., Прохватилов В.Г., Чудновский Ф.А. ФТТ. 1982. Т. 24, вып. 4. С. 982-992.

212. Donnadieu A. Electrochromic materials// Mater. Sci. and Eng. B. 1989. V. 3, N1-2. P. 185-195.

213. Hollinger G., Due T.M., Deneuville A. Charge transfer in amorphous colored W03 films observed by x-ray photoelectron spectroscopy I I Phys. Rev. Lett. 1976. V. 37, N23. P. 1564-1567.

214. Пундур П.А., Даугуль В Д., Лусис А.Р. Плотность встроенного заряда в плёнках WO3 по данным вольт-фарадных характеристик // ЖТФ. 1985. Т. 55, вып. 5. С. 964-967.

215. Кукуев В.И., Тутов Е.А., Солодуха А.М., Лесовой М.В., Домашевская Э.П. Получение электрохромных плёнок на основе триоксида вольфрама методом испарения и конденсации в вакууме // Электронная техника. Сер. 6 (Материалы). 1985. Вып. 6. С. 3-6.

216. Гаврилюк А.И., Секушин НА Электрохромизм и фотохромизм в оксидах вольфрама и молибдена. J1.: Наука, 1990. 104 с.

217. Подлепецкий Б.И., Симаков А.В. // Зарубежная электронная техника. 1987. №2. С. 64.

218. Jung K.H., Shih S„ Kwong D.L. //J. Electrochem. Soc. 1993. V. 140. P. 3046.

219. Properties of porous silicon. EMIS Datareviews series. №18, ed. by L. Canham. IEE, London. 1997. 400 pp.

220. Демидович B.M., Демидович Г.Б., Добренкова Е.И., Козлов С.Н. И Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18, вып. 14. С. 57.

221. Демидович В.М., Демидович Г.Б., Козлов С.Н., Лунга С.П., Петров А.А. // Вестн. Моск. ун-та. Сер.З. Физика. Астрономия. 1996. №4. С. 99.

222. Ковалевский А.А., Баранов И.Л. И Микроэлектроника, 1996. Т. 25, №4. С. 298.

223. Anderson R.C., Muiler R.S., Tobias C.W.// Sensors and Actuators A. 1990. V. 23. P. 835.

224. Taliercio Т., Dilhan M., Massau E., Gue A.M., Foucaran A. // Sensors and Actuators A. 1995. V. 46. P. 43.

225. Плаченов Т.Г., Колосенцев С.Д. Порометрия. Л.: Химия, 1988. 149 с.

226. Черемской П.Г. Методы исследования пористости твёрдых тел. М.: Энергоатомиздат,1985.111 с.

227. Петрова В.В. Микропористость анодных оксидных плёнок алюминия. Петрозаводск: Изд-во Петрозаводского ун-та. 1992. 95 с.

228. McClellan A.L., Harnsberger Н.Е. // J. Colloid Interface Sci. 1967. V. 23. P. 577.

229. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях / Мясников И А, Сухарев В.Я., Куприянов Л.Ю., Завьялов С.А. М.: Наука, 1991. 327 с.

230. Александров Л.Н., Новиков П.Л. // Письма в ЖЭТФ. 1997. Т. 65. С. 685.

231. Бучин Э.Ю., Постников А.В., Проказников А.В., Световой В.Б., Чурилов А.Б. // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21, вып. 1. С. 60.

232. Domashevskaya Е.Р., Kashkarov V.M., Manukovskii E.Yu., Schukarev A.V., Terekhov V.A. // J. Electron. Spectroscopy and Related Phen. 1998. V. 88-91. P. 958.

233. Беляков Л.В., Макарова Т.Л., Сахаров В.И. //ФТП. 1998. Т. 32. С. 1124.

234. Грег С., Синг К. Адсорбция, удельная поверхность, пористость. М.: Мир, 1984. 304 с.

235. Протодьяконов И.О., Силаров С.В. Механика процесса адсорбции в системах газ твёрдое тело. Л.: Наука, 1985. 298 с.

236. Витлеб Г. Датчики. М.: Мир, 1989. 196 с.

237. Рябцев C.B., Тутов Е.А. Тез. докл. 5-й Междунар. конф. "Термодинамика и материаловедение полупроводников". М. 1997. С. 102.

238. Tutov Е.А., Ryabtsev S.V., Kashkarov V.M., Domashevskaya E.P. Abstr. 7th European Conf. on Appl. Surface and Interface Analysis (ECASIA). Goteborg, Sweden. 1997. NM-19. P. 471.

239. Най Дж. Физические свойства кристаллов. M.: Мир, 1967. 350 с.

240. Самойлович А.Г., Коренблит Л.Л. Вихревые термоэлектрические токи в анизотропной среде // ФТТ. 1961. Т. 3, вып. 7. С. 2054-2059.

241. Анатычук Л.И., Лусте О.Я. Вихревые термоэлектрические токи и вихревые термоэлементы (обзор) // ФТП. 1976. Т. 10, вып. 5. С.817-832.

242. Баранский П.И., Буда И.С., Даховский И.В., Коломоец В.В. Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках. / Под общей ред. П.И. Баранского. Киев: Наук, думка, 1977. 270 с.

243. Рашба Э.И., Грибников З.С., Кравченко В.Я. Анизотропные размерные эффекты в полупроводниках и полуметаллах (обзор) // УФН. 1976. Т. 119, вып. 1. С. 3-47.

244. Кравченко А.Ф., Митин В.В., Скок Э.М. Явления переноса в полупроводниковых плёнках. Новосибирск: Наука, 1979. 256 с.

245. Бодюл П.П., Гицу Д.В., Федорко A.C. О «жестокости» энергетических зон висмута И ФТТ. 1969. Т. 11, вып. 2. С. 491-492.

246. Шмарцев Ю.В., Мирзабаев М. Пьезо-аналог эффекта Холла в германии п-типа // ФТП. 1971. Т. 5, вып. 11. С. 2245-2246.

247. Бабин В.П., Гудкин Т.Г., Дашевский З.М., Дудкин Л.Д., Иорданишвили Е.К., Найденов В.И., Коломоец Н.ВМ Нарва О.М., Стильбанс Л.С. Искусственно-анизотропные термоэлементы и их предельные возможности H ФТП. 1974. Т. 8, вып. 4. С. 748-753.

248. Бойко И.И., Романов В.А. Электрические и фотоэлектрические свойства полупроводников с анизотропной проводимостью (обзор) // ФТП. 1977. Т. 11, вып. 5. С. 817-835.

249. Битюцкая Л.А., Бормонтов E.H., Регель А.Р., Сыноров В.Ф. Гальваноанизотропные эффекты в дифосфиде цинка // ФТП. 1981. Т. 15, вып. 10. С. 20432045.

250. Битюцкая Л.А., Бормонтов E.H., Регель А.Р., Сыноров В.Ф. Вихревые токи в средах с анизотропной электропроводностью// Письма вЖТФ. 1982. Т. 8, вып. 14. С. 869-874.

251. Сиротин Ю.И., Шаскольская М.П. Основы кристаллофизики. М.: Наука, 1979. 640 с.

252. Кучис Е.В. Методы исследования эффекта Холла. М.:Сов. радио, 1974.328 с.

253. Коньков В.Л., Ислямов З.И. Об измерении компонент тензора Холла анизотропных полупроводниковых образцов Н Изв. вузов СССР. Физика. 1970. №4. С. 91-95.

254. Павлов Н.И., Якунин Ю.И. Измерение эффекта Холла и магнетосопротивления в слабых и сильных магнитных полях четырёхзондовым методом // ФТП. 1978. Т. 12, вып. 8. С. 1577-1581.

255. Самойлович А. Г., Снарский А А Исследование вихревых термоэлектрических токов //ФТП. 1979. Т. 13, вып. 8. С. 1539-1547.

256. Herring С. Effect of random inhomogeneities on electrical and galvanomagnetic measurements // J. Appl. Phys. 1960. V. 31, N11. P. 1939-1952.

257. Гринберг Г.А. Избранные вопросы математической теории электрических и магнитных явлений. М.-Л.: Изд-во АН СССР, 1948. 727 с.

258. Крылов А.Н. О некоторых дифференциальных уравнениях математической физики, имеющих применение в технических вопросах. М.-Л.: Гостехиздат, 1950. 368 с.

259. Мэтьюз Дж., Уокер Р. Математические методы физики. М.: Атомиздат, 1972. 398 с.

260. Лазарев В. Б., Шевченко В.Я., Гринберг Я.Х., Соболев В.В. Полупроводниковые соединения группы A"BV. М.: Наука, 1978. 256 с.

261. Рашба Э.И., Грибников З.С., Кравченко В.Я. Анизотропные размерные эффекты в полупроводниках и полуметаллах//УФН. 1976. Т. 119. Вып. 1. С. 3-47.

262. Shibata H., Terakado R. Resistance value and field distribution of rectangular anisotropic resistive region. Electron. Lett. 1983. V. 19. N7. P. 518-519.

263. Сибата X., Теракадо P. Об отличии свойств резистивной области с антисимметричным тензором от свойств аналогичной области с симметричным тензором. ТИИЭР. 1985. Т. 73. №9. С. 95-96.

264. Лаврентьев M.A., Шабат Б.В. Методы теории функций комплексного переменного. М.: Физматгиз, 1958. 678 с.

265. Лаврик В.И., Савенко В.Н. Справочник по конформным отображениям. Киев: Наукова думка, 1970. 252 с.

266. Бормонтов E.H., Хухрянский М.Ю., Бессарабов С.А. Двумерное распределение потенциала в анизотропных пластинах полигональной формы // Конденсированные среды и межфазные границы. 1999. Т. 1, №4. С. 315-320.

267. Коньков В.Л. О зависимости постоянной Холла от размеров образца // Изв. вузов СССР. Физика. 1964. №5. С. 91-95.

268. Бормонтов E.H., Коган А.Ю. Особенности измерения компонент тензора Холла анизотропных полупроводников // ВИНИТИ №5136-80. Деп. от 4 дек. 1980 г. М. 8 с.

269. Bate R.T., Bell J.C., Beer A.C. Influence of magnetoconductivity discontinuities on galvanomagnetic effects in indium antimonide // J. Appl. Phys. V. 32, N5. P. 806-814.

270. Потыкевич И.В., Коваль B.C., Любченко A.B., Болтовец Н.С. Диффузионные р -п переходы на основе CdP2 // ФТП. 1972. Т. 6, вып. 11. С. 2274-2276.

271. Курбатов Л.И., Дирочка А.И., Синица Е.М., Шевченко В.Я., Лазарев В.Б., Козлов С.Е. Люминесцентные свойства фосфидов Cd и Zn // Квантовая электроника. 1976. Т. 3, №2. С. 316-320.

272. Сырбу H.H., Стамов И.Г., Хачатурова С.Б. Электрические и фотоэлектрические свойства диодов Шоттки на диарсенидах и фосфидах цинка И ФТП. 1979. Т. 13, вып. 9. С. 1734-1738.

273. Сысоев Б.И., Сыноров В.Ф. Контроль заряда вблизи поверхности в тонких слоях широкозонных полупроводников//ФТП. 1972. Т. 6, вып. 10. С. 1856-1860.

274. Wang Faa-Ching, Bube R.H. Spectral response of a.c, photoconductivity in Zn3P2 H J. Appl. Phys. 1982. V. 53, N4. P. 3335-3338.

275. Радауцан С.И., Сырбу H.H., Стамов И.Г. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов ZnP2(D*)~ ZnF2{C52k) // ДАН СССР. 1977. Т. 236, №1. С. 72-76.

276. Лисица М.П., Мозоль П.Е., Фекешгази И.В. Удлинение лазерных импульсов с помощью полупроводников ZnP2 и CdP2 // Квантовая электроника. 1974. Т. 1, №1, С. 185-187.

277. Битюцкая Л.А., Бормонтов Е.Н., Сыноров В.Ф. Исследование высокотемпературного фазового перехода дифосфида цинка // В кн.: Физико-химия полупроводникового материаловедения. Воронеж: Изд-во ВГУ. 1979. С. 9699.

278. Битюцкая Л.А., Бормонтов Е.Н., Сыноров В.Ф., Угай Я.А. Способ получения монокристаллов бинарных соединений. Авторское свидетельство СССР №980462 от 9.08.82.

279. Сыноров В.Ф., Литвин Л.Т., Битюцкая Л.А., Бормонтов Е.Н., Орлик Л.К. Анизотропия микротвёрдости и плотности дефектов в кристаллах а- и 0-ZnP2 // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1986. Т. 22, №5. С. 709-712.

280. Битюцкая Л.А., Бормонтов Е.Н., Минасянц В.А., Сыноров В.Ф. Травитель для дифосфида цинка. Авторское свидетельство СССР №1205588 от 15.09.85.

281. Битюцкая Л А, Бормонтов Е.Н., Китин Д.В., Литвин Л.Т., Сыноров В.Ф. Травитель для выявления дислокаций в кристаллах дифосфида цинка. Авторское свидетельство СССР №1266257 от 22.06.86.

282. Битюцкая Л.А., Бормонтов Е.Н., Минасянц ВА., Сыноров В.Ф. Способ ориентирования монокристаллов. Авторское свидетельство СССР №1411357 от 22.03.88.

283. Битюцкая Л.А., Бормонтов Е.Н., Компанченко Н.И. Упругие параметры моноклинного дифосфида цинка // В кн.: Кристаллохимия полупроводников и прроцессы на их поверхности. Воронеж: Изд-во ВГУ. 1983. С. 86-89.

284. Битюцкая Л.А., Бормонтов Е.Н., Коркин Ю.В. Дислокации в монокристаллах, выращенных кристаллизацией из расплава // В кн.: Физико-химия гетерогенных систем. Воронеж: Изд-во ВГУ. 1984. С. 96-98.

285. Соболев В.В., Козлов А.И., Маркус М.М., Битюцкая Л.А., Бормонтов Е.Н., Смоляренко Э.М., Романык П.А. Оптические спектры монокристаллов ZnP2, полученных из расплава и газовой фазы // Украинский физический журнал. 1985. Т. 30, №1. С. 36-40.

286. Битюцкая ЛА, Бормонтов Е.Н., Сыноров В.Ф. Анизотропия электрофизических свойств моноклинного дифосфида цинка Н Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1985. Т. 21, №6. С. 889-891.

287. Kawasaki Т., Tanaka Т. Galvanomagnetic effects in cadmium antimonide // J. Phys. Soc. Jap. 1966. V. 21, N12. P. 2475.

288. Лазарев В.Б., Геращенко ОД, Шевченко В.Я., Маренкин С.Ф., Хусейнов Б. Об анизотропии термоэлектрических свойств диарсенида кадмия // ДАН СССР. 1979. Т. 244, №1.С. 142-143.

289. Samoilovich A.G., Nitsovich M.V., Nitsovich V.M. On the theory of anisotropic thermoelectric power in semiconductors // Phys. Stat. Solidi (a). 1966. V. 16, N2. P. 459.

290. Gorban I.S., Grishchenko G.A., Sakalas A.P., Sodeika AS., Tychina I.I., Tkachenko A.K. Electrical properties of ZnP2 single crystals of tetragonal and monoclinic modifications // Phys. Stat. Solidi (a). 1978. V. 48, N2. P. 329.

291. Ray В., Burnet P. Preparative, electrical and optical characteristics of monoclinic zinc diphosphide crystals // Phys. Stat. Solidi (a). 1969. V. 32, N1. P. 113.

292. Горбань И.С., Луговской B.B., Тычина И.И., Федотовский А.В. Линейчатые спектры поглощения кристаллов ZnP2// Письма в ЖЭТФ. 1973. Т. 17, №4. С. 184187.

293. Gorban I.S., Grishchenko GA, Sakalas A .P., Sodeika A.S., Tychina I.I., Tkachenko A.K. Electrical properties of ZnP2 single crystals of tetragonal and monoclinic modifications // Phys. Stat. Solidi (a). 1978. V. 48, N2. P. 329-334.

294. Ray В., Burnet P. Preparative, electrical and optical characteristics of monoclinic zinc diphosphide crystals It Phys. Stat. Solidi (a). 1969. V. 32, N1. P. 113-115.

295. Лазарев В.Б., Вавилов B.C., Чукичев M.B., Шевченко В.Я., Магомед гаджиев Г.Г., Пальма В.Р. Исследование спектров катодолюминесценции ZnP2 моноклинной модификации // ФТП. 1978. Т. 12, №4. С. 673-677.

296. Сырбу Н.Н., Стамов И.Г., Радуцан С.И. Тонкая структура линий поглощения в кристаллах ZnP2 моноклинной модификации // ДАН СССР. Физика. 1982. Т. 262, вып. 5. С. 1138-1142.

297. Хаки мое К., Вавилов B.C., Битюцкая Л.А., Бормонтов Е.Н., Чукичев М.В. Стимулированное излучение при электронном возбуждении кристаллов дифосфида цинка моноклинной модификации // ФТП. 1987. Т. 21, вып. 6. С. 11411143.

298. Соболев В.В., Козлов А.И., Тычина И.И., Романик П.А., Смоляренко Э.М. Свободный экситон и экситонно-примесные комплексы моноклинного дифосфида цинка// Письма вЖЭТФ. 1981. Т. 34, вып. 3. С. 115-118.

299. Сысоев Б. И. Электронные процессы в области пространственного заряда слоев широкозонных материалов // Автореферат диссертации на соискание учёной степени доктора физ.-мат. наук. 1982. 34 с.

300. Антюшин В.Ф. Полевые полупроводниковые гетероструктуры с распределёнными параметрами и зарядовой связью по обогащенному слою // Автореферат диссертации на соискание учёной степени доктора физ.-мат. наук. 1998. 28 с.