Моделирование и исследование полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Перечень используемых сокращений.

Введение.

1. Современные полупроводниковые приборы и перспективы их развития.

1.1. Современные силовые полупроводниковые приборы.

1.2. Приборы и структуры с отрицательным дифференциальным сопротивлением.

1.3. Полупроводниковые приборы с И-образными вольт-амперными характеристиками.

1.4. Выводы. Постановка задачи.

2. Моделирование и исследование биполярных структур и приборов с Ы-образной вольт-амперной характеристикой.

2.1. Моделирование и исследование И-прибора на основе однотипных биполярных транзисторов.

2.2. Моделирование и исследование биполярного комплементарного

И-прибора.

2.3. Экспериментальное исследование полупроводникового И-прибора на основе мощного биполярного транзистора.

2.4. Выводы.

3. Моделирование и исследование полупроводниковых биполярно-полевых приборов и структур с Ы-образными вольт-амперными характеристиками.

3.1. Биполярно-полевой прибор с Ы-образной В АХ.

3.1.1. Расчет вольт-амперной характеристики.

3.1.2. Схемотехническое моделирование и экспериментальное исследование.

3.1.3. Биполярно-полевой Ы-прибор с двумя участками отрицательного дифференциального сопротивления.

3.2. МДП-биполярные 1М-приборы с модуляцией тока базы и шунтированием эмитгерного перехода биполярного транзистора.

3.3. Выводы.

4. Моделирование и исследование полупроводниковых структур с комбинированным полевым управлением.

4.1. Метод комбинированного полевого управления процессом переноса носителей заряда в полупроводниковых структурах.

4.2. Физико-топологическое моделирование и оптимизация полупроводникового прибора с комбинированным полевым управлением с нормально закрытым горизонтальным каналом.

4.3. Моделирование структуры с комбинированным полевым управлением с нормально открытым горизонтальным каналом.

4.4. Моделирование и оптимизация элементарной ячейки вертикального транзистора с комбинированным полевым управлением.

4.5. Расчет толщины высокоомного слоя мощного биполярно-полевого транзистора с комбинированным полевым управлением.

4.6. Моделирование полупроводникового прибора с N-образной вольт-амперной характеристикой на основе структуры с комбинированным полевым управлением с нормально закрытым каналом.

4.7. Моделирование полупроводникового N-прибора на основе структуры с комбинированным полевым управлением с нормально открытым каналом.

4.8. Выводы.

В настоящее время развитие силовой электроники неразрывно связано с необходимостью повышения показателей качества и надежности полупроводниковых приборов, в частности, обеспечения их защиты от пробоя. Существующие мощные полупроводниковые приборы, такие как биполярные и полевые транзисторы, тиристоры и симисторы, призванные выполнять функции ключей постоянного и переменного тока, из-за часто возникающих токовых перегрузок имеют непродолжительный срок службы. Даже кратковременные перегрузки выводят прибор из строя или приводят к необратимым ухудшениям характеристик. Поэтому современные разработки мощных приборов, содержащих в выходной вольт-амперной характеристике участок отрицательного дифференциального сопротивления, ведутся в направлении реализации встроенной системы комплексной защиты по току.

Изучению проблем возникновения отрицательного дифференциального сопротивления на статической или динамической вольт-амперной характеристике, которые послужили причиной образования нового направления в электронике -негатроники, посвящено много работ, в том числе таких известных ученых, как С.А.Гаряинов, В.И.Стафеев, Л.Н.Степанова, Н.А.Филинюк, В.П.Дьяконов, И.Д.Абезгауз и многих других.

Следует отметить различный уровень развития приборов со статическими Б- и И-образными ВАХ, так называемых негатронов. На сегодняшний день такие Э-приборы, как тиристоры и симисторы, занимают одно из ведущих мест на мировом рынке изделий силовой электроники (около 9 % от продаж) и продолжают активно прогрессировать. Вместе с тем, за исключением СВЧ диапазона, полупроводниковые как биполярные, так и биполярно-полевые приборы с 14-образной ВАХ остаются малоизученными. Практически отсутствуют силовые КГ-приборы, выполненные в одном кристалле, недостаточно полно исследованы возможности создания приборов с симметричными И-образными ВАХ или с несколькими участками ОДС Ы-типа, которые представляют интерес в качестве защитных устройств узлов электронной аппаратуры, работающих на переменном 6 токе, и элементов в схемах многоуровневой логики и запоминающих устройств. Известные разработки N-приборов характеризуются максимальными значениями тока пика порядка десятых долей ампер и нуждаются в дальнейшей оптимизации схемотехнических и конструктивно-технологических решений с целью улучшения их выходных параметров. Требуются также поиск новых методов управления процессом переноса носителей заряда в полупроводниковых структурах и разработка на этой основе новых типов N-приборов.

Вследствие этого представляется важным проведение дальнейших разработок и исследования биполярных и биполярно-полевых N-приборов повышенной мощности в схемотехническом и интегральном исполнении, расширения их функциональных возможностей путем реализации на их основе приборов с симметричными N-образными ВАХ и приборов с несколькими участками ОДС N-типа, а также поиск новых принципов построения подобных приборов.

В первой главе данной диссертационной работы на основе обзора состояния полупроводниковых приборов рассмотрены перспективы дальнейшего развития приборов с N-образными ВАХ; во второй главе представлены теоретические и 4 экспериментальные результаты исследования биполярных N-приборов, в том числе с симметричной характеристикой и с несколькими участками ОДС; в третьей главе проведены моделирование и исследование биполярно-полевых N-приборов на базе дискретных элементов, а также физико-топологическое моделирование структур; в четвертой главе предложен новый метод комбинированного полевого управления процессом переноса носителей заряда, на основе которого выполнено моделирование разлйчных полупроводниковых приборов (комбинированных полевых транзисторов с нормально закрытым и открытым каналами, полевого и биполярно-полевого транзисторов с комбинированным управлением повышенной мощности, полупроводниковых N-приборов с использованием комбинированных полевых элементов в цепи обратной связи).

По результатам исследований опубликовано 14 научных работ.

Диссертационная работа изложена на 141 странице машинописного текста и состоит из введения, четырех глав, заключения и приложений, содержит 60 рисунков, 6 таблиц и библиографический список из 125 наименований.

4.8. Выводы

На основе предложенного метода комбинированного полевого управления процессом переноса носителей заряда в многослойных полупроводниковых структурах, сочетающего управляющий р-п-переход и МДП-элемент, выполнено моделирование ряда полупроводниковых структур и приборов, при этом были получены следующие основные результаты:

1. Проведены расчеты основных конструктивных параметров, представлены результаты физико-топологического моделирования статических и динамических характеристик двух вариантов КПТ с нормально закрытым и открытым каналом. Сравнение полученных данных показало, что вариант с нормально закрытым каналом в десятки раз превосходит по величине выходного тока и более чем в 4 раза по крутизне, характеристические времена переключения на несколько порядков ниже аналогичных показателей КПТ с нормально открытым каналом, что снижает быстродействие второго варианта структуры.

2. Проведен сравнительный анализ КПТ с нормально закрытым каналом и стандартного МОПТ с индуцированным каналом. Показаны преимущества структуры КПТ по сравнению с МОПТ: канал формируется в объеме полупроводника, а не на поверхности; выходные токи при прочих равных условиях выше, а сопротивление ниже приблизительно в 1.5-2 раза; более высокие значения крутизны характеристик; меньше значение времени включения структуры; граничная частота крутизны в десятки раз больше; выше устойчивость к появлению паразитных всплесков тока в цепи при переходных процессах; легкость получения структур с нужными параметрами (токи утечки, пороговое напряжение открытия канала); выше допустимые рабочие напряжения.

3. Показана возможность создания на основе горизонтальной структуры КПТ мощных вертикальных структур с КПУ (полевой транзистор, БТИЗ). Проведено трехмерное физико-топологическое моделирование элементарной ячейки гексагональной формы полевого прибора средней мощности с рабочими токами

126 порядка ~300 А и временами переключения - 1 не. Кроме того, рассмотрен вариант исполнения высоковольтного п-канального КПТ на р-подложке, что обеспечивает повышение пробивных напряжений при увеличении толщины высокоомного эпитаксиального слоя без роста объемного сопротивления области дрейфа носителей за счет модуляции ее проводимости. Полученное путем решения уравнения непрерывности значение толщины п"-слоя (и^. =120 мкм),отделенного от р-подложки буферным п+-слоем, соответствует пробивным напряжениям ~500 В.

4. Предложены и исследованы с помощью программы для физико-топологического моделирования структуры двух вариантов (с модуляцией тока базы и шунтированием эмиттерного перехода биполярного транзистора) полупроводникового биполярно-полевого И-прибора с использованием КПТ с нормально закрытым и открытым каналом в качестве полевого элемента цепи обратной связи. В обоих случаях выходные характеристики имеют лучшие показатели по токам утечки по сравнению с их аналогами, использующими МДП-элемент, а вариант на основе структуры с нормально открытым каналом является также лучшим по отношению токов пика и минимума.

127

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основным итогом диссертации является решение задачи моделирования и экспериментального исследования статических и динамических характеристик полупроводниковых приборов и структур с Ы-образными ВАХ, имеющей важное значение для физики и техники полупроводников.

В ходе проведения исследований и разработок по теме диссертации получены следующие основные теоретические и практические результаты:

1. Разработанная математическая модель для расчета статической ВАХ Ы-прибора на основе биполярных транзисторов одного типа с шунтирующим механизмом образования участка ОДС имеет качественное согласование с результатами схемотехнического моделирования и экспериментального исследования. Проведены математический расчет, схемотехническое моделирование и экспериментальное исследование комплементарного биполярного 1Ч-прибора с током максимума для макетного образца ~1 А (прибор выпускается серийно ОАО ОКБ "Искра" в г. Ульяновске), на его основе реализована схемотехническая модель прибора с симметричной Ы-образной ВАХ, способного работать на переменном сигнале. При экспериментальном исследовании опытных образцов 1Ч-прибора с повышенным значением тока пика (~1 А), изготовленных на базе модифицированной структуры стандартного транзистора КТ8144, обнаружено, что количество участков ОДС можно изменять от одного до трех в зависимости от уровня управляющего сигнала.

2. На основе теорий биполярного и полевого транзистора с управляющим р-п-переходом разработана математическая модель биполярно-полевого Ы-прибора; полученные при схемотехническом моделировании и экспериментальном исследовании макетных образцов данные качественно согласуются. Предложена схема замещения биполярно-полевого >Т-прибора с двумя участками ОДС, проанализирован механизм их формирования. В результате двухмерного физико-топологического моделирования структур на основе МДП-биполярных Ы-приборов с модуляцией тока базы и шунтированием эмиттерного перехода

128 биполярного транзистора показано, что выходные статические ВАХ таких структур имеют повышенные токи утечки.

3. Предложен метод комбинированного полевого управления процессом переноса носителей заряда в многослойных полупроводниковых структурах на основе сочетания управляющего р-п-перехода и МДП-элемента и проведены расчеты основных конструктивных параметров структуры. В результате физико-топологического моделирования комбинированных полевых транзисторов с нормально закрытым и открытым каналами, стандартного МОП-транзистора с индуцированным каналом показаны преимущества варианта с нормально закрытым каналом по сравнению с нормально открытым: выходные токи в десятки раз, а крутизна более чем в 4 раза выше, времена переключения на несколько порядков ниже; по сравнению с МОП-транзистором: канал формируется в объеме полупроводника, а не на поверхности; выходные токи при прочих равных условиях выше, а сопротивление ниже в 1.5-2 раза; более высокие значения крутизны характеристик; меньше значение времени включения структуры; граничная частота крутизны в десятки раз больше; выше устойчивость к появлению паразитных всплесков тока в цепи при переходных процессах; легкость получения структур с нужными параметрами (токи утечки, пороговое напряжение открытия канала); выше допустимые рабочие напряжения.

4. Показана возможность создания на основе горизонтальной структуры с нормально закрытым каналом мощных вертикальных структур. Проведено трехмерное физико-топологическое моделирование элементарной ячейки полевого прибора средней мощности с рабочими токами порядка ~300 А и временами переключения - 1 не. Путем решения уравнения непрерывности рассчитана толщина высокоомного п-слоя для варианта исполнения п-канального прибора на р-подложке, отделенной от п-слоя буферным п+-слоем, которая обеспечивает повышение пробивных напряжений до 500 В.

5. Предложены и путем физико-топологического моделирования исследованы структуры двух вариантов (с модуляцией тока базы и шунтированием эмиттерного перехода биполярного транзистора) полупроводникового

129 биполярно-полевого Ы-прибора с использованием в цепи обратной связи комбинированных полевых элементов с нормально открытым и закрытым каналами. В обоих случаях выходные характеристики имеют лучшие показатели по токам утечки по сравнению с их аналогами, использующими МДП-элементы, а вариант на основе структуры с нормально открытым каналом является также лучшим по отношению токов пика и минимума.

Дальнейшие исследования по теме диссертации могут быть направлены на проведение более детального (трехмерного) анализа физических процессов и механизмов формирования участка ОДС М-типа, на реализацию новых и оптимизацию по заданным критериям интегральных структур, на расширение их функциональных возможностей, т.е. на создание приборов с несколькими участками ОДС и симметричной ВАХ, двух- и трехэлектродных полупроводниковых Ы-приборов, в частности, двухэлектродного самовосстанавливающегося предохранителя.

130

1. Отечественные транзисторы: БСИТ, СИТ, БТИЗ. - М.: Издательский дом "Додэка-ХХГ, 2001. - 64 с.

2. Герман-Галкин С.Г., Рудский В.А., Юрченко Н.Н. Применение силовых полупроводниковых приборов в преобразовательной технике. (Обзор) / (Преп. / АН УССР. Ин-т электродинамики; № 659). Киев, 1990. - 33 с.

3. Флоренцев С.Н. Состояние и перспективы развития приборов силовой электроники на рубеже столетий // Электротехника. 1999. - №4. - С. 2-10.

4. Андриенко П.Д., Артемьев В.В., Бондарь В.Ю. Опыт применения транзисторов со статической индукцией в сложных бытовых электроприборах // Электротехника. 1996. - №4. - С. 25.

5. Sheng К., Udrea F., Amaratunga G.A.J. Double gate 3D AC switch a new power semiconductor device // (http://eurotraining.net/ESSCIRC2001/essderc2001/data/ 156.pdf).

6. Lorenz L., Zverev I. Second generation of CoolMOS C2 fastest high voltage switch

7. Proceedings of PCIM'2000, Nuremberg 2000.

8. Garner D.M., Udrea F., Lim H.T., Milne W.I. An analytic model for turn off in the silicon-on-insylator LIGBT // Solid-State Electronics. 1999. - Vol. 43, №10. - P. 1855-1868.

9. Bellone S. et al. Realization of a normall-off power bipolar mode JFET // IAS'85, Conf. Rec., New York. 1985. - P.882-888.

10. Блихер А. Физика тиристоров: Пер. с англ. Л.: Энергоиздат, 1981. - 264 с. Ю.Тейлор П. Расчет и проектирование тиристоров: Пер. с англ. - М.:

11. Энергоатомиздат, 1990. 208 с. П.ГерлахВ. Тиристоры: Пер. с нем. - М.: Энергоатомиздат, 1985. - 328 с.

12. Авт. свид. СССР № 708893, 1978, Планарный тиристор / Чалых В.А., Бережное В.Б., Купцов Ю.Ф., Турыгин B.C.

13. Авт. свид. СССР № 347838, 1971, Тиристор / Першенков B.C., Ткачев Б.В.

14. Пат. № 3437891, 1969 (США).131

15. Insulated gate thyristor: Пат. 5874751 США, МПК6 H01L 29/87 / Iwamuro Noriyuki, Harada Yuichi, Iwaana Tadayoshi; Fuji Electric Co., Ltd. №626335; Заявл. 2.4.96; Опубл. 23.2.99; Приор. 5.4.95, №7-079230 (Япония); НПК 257/140.

16. Qm Zuxin, Narayanan E.M.S., De Souza M.M. A lateral MOS-controlled thyristor-enhanced insulated gate bipolar transistor // Solid-State Electronics. 1999. - Vol. 43, №10.-P. 1845-1853.

17. Breil M., Sanchez J.-L., Austin P., Laur J.-P. A new self-firing MOS-thyristor device: optimization of the turn-off performance and experimental results // Microelectronic J. 1999. - Vol. 30, №6. - P. 599-610.

18. Бачурин B.B., Бельков A.K., Дьяконов В.П. Мощные МДП- транзисторы и их применение в электронных схемах // Обзоры по электронной технике. Сер.2

19. Полупроводниковые приборы. изд-во ЦНИИ "Электроника", 1980,- вып.7799.,- 60 с.

20. Блихер А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов: Пер. с англ. / Под ред. И.В. Грехова. JL: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1986. - 248 с.

21. Bulucea С., Rossen R. Trench DMOS transistor technology for high-current (100 A range) switching // Solid-State Electronics. -1991. Vol.34, №5. - P. 493-507.

22. Blackburn D.L. Turn-off failure of power MOSFETs // PESC'85. Toulouse. 1985. -New York, N.Y., 1985. P.429.л

23. Krishna Shenai, Charles S. Korman, B.J. Baliga, P.A. Piacente A 50-V, 0.7-mQ cm , vertical power DMOSFET // IEEE Electron Device Letters. 1989. - Vol.10, №3. - P. 101-103.

24. Krishna Shenai Optimally scaled low-voltage vertical power MOSFET's for high-frequency power conversion // IEEE Transaction on Electron Devices. 1990. -Vol.37, №4. - P. 1141-1153.132

25. Chang H.-R. Numerical and experimental comparison of 60 V vertical double-diffused MOSFETs and MOSFETs with a trench-gate structure // Solid-State Electronics. 1989. - Vol.32, №3. - P. 247-251.

26. Krishna Shenai A 55-V, 0.2-mD-cm2 vertical trench power MOSFET // IEEE Electron Device Letters. -1991. Vol.12, №3. - P. 108-110.

27. Ueda D., Takagi H., Kano G. A New Vertical Power MOSFET Structure with Extremely Reduced On-Resistance // IEEE Transactions on electron devices. -vol.ED-32. -1985. -№1. P. 2-6.

28. Ueda D., Takagi H., Kano G. An Ultra-Low On-Resistance Power MOSFET by Using a Fully Self-Aligned Process // IEEE Transactions on electron devices. -vol.ED-34. -1987. -№4. P. 926-930.

29. Chang H.-R., Black R.D., Temple V.A.K., Tantraporn Wirojana, Baliga B. Jayant Self-aligned UMOSFET's with a specific on-resistance of 1 mQ-cm2 // IEEE Transaction on Electron Devices. 1987. - Vol.ED-34, №11. - P. 2329-2334.

30. Matsumoto S., Ohno Т., Izumi K. Ultralow specific on resistance UMOSFET with trench contacts for source and body regions realised by self-aligned process // Electronics Letters. -1991. Vol.27, №18. - P. 1640-1641.

31. Syau Т., Venkatraman P., Baliga B. Jayant Comparison of ultralow specific on-resistance UMOSFET structures: the ACCUFET, EXTFET, INVFET, and conventional UMOSFET's // IEEE Transaction on Electron Devices. 1994. - Vol.41, №5. - P. 800-807.

32. Cai Jun, Sin Johnny K.O., Мок Philip K.T., Ng Wai-Tung, Lai Peter P.T. A new lateral trench-gate conductivity modulated power transistor // IEEE Trans. Electron Devices. 1999. - Vol. 46, №8. - P. 1788-1793.

33. Zheng Yue-sheng, Asano Tamenasa A new merged bipolar-MOS transistor in a silicon on insulator structure // Jpn. J. Appl. Phys. Pt.l- 1999. Vol.38, №4B. - P. 2501-2505.

34. Кузьмин B.A., Юрков C.H., Поморцева Л.И. Анализ и моделирование статических характеристик биполярных транзисторов с изолированным затвором // Радиотехн. и электрон. -1996.-Т.41, №7. -С. 870-875.133

35. Петров Б.К., Николаенков Ю.К. Диффузионно-дрейфовая модель переходных процессов в биполярных транзисторах с изолированным затвором // Известия вузов. Электроника. 1997. - №2. - С. 58-62.

36. Thapar N., Baliga B.J. An experimental evaluation of the on-state performance of trench IGBT designs // Solid-State Electronics. 1998. - Vol.42, №5. - P. 771-776.

37. Insulated gate transistor: Пат. 5530277 США, МПК6 H01L 29/76 / Otsuki Masahito, Obinata Shigeyuki, Yano Yukio; Fuji Electric Co., Ltd. №321999; Заявл. 12.10.94; Опубл. 25.6.95.; Приор. 14.10.93, №5-256197 (Япония); НПК 257/378.

38. Wang J., Williams B.W. A simulation study of high voltage 4H-SiC IGBTs // Semiconductor Science and Technology. 1998. - Vol.13, №7 - P. 806-815.

39. Deboy G., Purschel M., Schmitt M., Willmeroth A. Compensation devices versus power MOS and high speed IGBT a device physics based guideline for the application // (http://eurotraining.net/ESSCIRC2001/essderc2001/data/407.pdf).

40. Леонов H., Красницкий В., Колеснева С. Двумерное моделирование IGBT // (http.7Лko.ip.bas-net.by/diskseminar/seminar/russiandoc/ManTechMaterials/ LeonovR/LeonovR.htm).

41. Semiconductor device having high voltage protection capability: Пат. 5536958 США, МПК6 H01L 23/62 / Shen Zh., Robb S.P.; Motorola Inc. №433883; Заявл. 2.5.95; Опубл. 16.7.96; НПК 257/356.

42. A breakdown protected transistor device: Евр. патент 0186518 A2, МКИ4 H01L 29/72 / Imamura К., Muramoto К.; Toshiba corp., Япония №85309507.3; Заявл. 24.12.85; Опубл. 2.7.86; Приор. 28.12.84, №279937/84 (Япония).

43. Пат. РФ №2175461, 1998, Интегральный транзистор с защитой от перенапряжений / Новоселов А.Ю., Турин Н.Т., Бакланов С.Г., Новиков С.Г., Гордеев А.И., Королев А.Ф., Обмайкин Ю.Д.

44. Филинюк Н. Негатроника. Исторический обзор // МОО "Наука и Техника". -(http://www.n-t.ru/tp/in/nt.htm).

45. Негатроника / Серьезное А.Н., Степанова Л.Н., Гаряинов С.А. и др. -Новосибирск: Наука. Сибирская издательская фирма РАН, 1995. 315 с.

46. Гаряинов С.А., Сафонов В.М. Полупроводниковая негатроника, состояние и перспективы развития // Электрон, техн. Сер.З. Микроэлектроника, -1987.1341. Вып.4 (124). -С.81-91.

47. Галузо В.Е., Матсон Э.А., Мельничук В.В. Полупроводниковые биполярно-полевые структуры // Зарубежн. электрон, техника. -1981. -№ 10 (244). -50 с.

48. Гаряинов С.А., Абезгауз И.Д. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением. М.: Энергия, - 1970. - 320 с.

49. Гаряинов С.А., Тиходеев Ю.С. Физические модели полупроводниковых приборов с отрицательным сопротивлением. М.: Радио и связь, 1997. - 276 с.

50. Chua L.O., Yu J., Yu Y. Bipolar-JFET-MOSFET Negative Resistance Devices // IEEE. Transactions on Circuits and Systems. -1985. -№1. -P. 46-61.

51. Зи С. Физика полупроводниковых приборов / под ред. Суриса P.A. В 2-х томах. -М.: Мир, 1984.

52. Туннельные диоды. / Под ред. Фистуля. В.И. М.: Изд-во Иностр. лит., -1961.

53. Янчук Е.В. Туннельные диоды в приемно-усилительных устройствах. -М.:Энергия, 1967. - 56 с.

54. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Радио и связь, 1990. - 264 с.

55. Гаряинов С.А., Гаряинов A.C., Плешко Б.К. Обобщенная модель р-п-р-п-структуры // Электрон, техн. Сер.З. Микроэлектроника, -1987. -Вып.4 (124). -С.57-67.

56. Стафеев В.И. S-диодная электроника на полу изоляторах // Радиотехника. 1971. -Т. 26, №10.-С. 5-12.

57. Комаровских К.Ф., Стафеев В.И. Отрицательное сопротивление в некоторых полупроводниковых структурах // Радиотехн. и электрон. -1966. -Т. 11, №9. С. 1624-1633.

58. Новиков С.Г., Новоселов А.Ю., Бакланов С.Б. Турин Н.Т. Схемотехническое моделирование и исследование мощных N-транзисторов // Изв. вузов. Электрон. 1999.-№1.-С. 86-90.

59. Арефьев А.А., Серьезнов А.Н., Степанова JI.H. Эквиваленты приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением. -М.: Знание. -1987. -Сер.2. Радиоэлектроника и связь. -62 с.

60. Gan К.-J., Su Y.-K. Modeling Current-Voltage and Hysteretic Current-Voltage Characteristics with Two Resonant Tunneling Diodes Connected in Series // SolidState Electronics. 1997. - Vol. 41. - №12. - P. 1917-1922.

61. Gan K.-J., Su Y.-K. Improved Circuit Design of Multipeak Current-Voltage Characteristics Based on Resonant Tunneling Diodes //Jpn. J. Appl. Phys. 1997. -Vol. 36. - №10. - P. 6280-6284.

62. Gan K.-J., Su Y.-K., Wang R.-L. Simulation and Analysis of Negative Differential

63. Resistance Devices and Circuits by Load-Line Method and Pspice // Solid-State Electronics. 1998. - Vol. 42. - №1. - P. 176-180.

64. Gan K.-J. Hysteresis Phenomena for the Series Circuit of Two Identical Negative Differential Resistance Devices // Jpn. J. Appl. Phys. 2001. - Vol. 40. - №4A. - P. 2159-2164.

65. Shieh M.-H., Lin H.C. Modeling Hysteretic Current-Voltage Characteristics for Resonant Tunneling Diodes // IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems. 1995. - Vol. 14. - P. 1098-1103.

66. Programmable Unijunction Transistors. Silicon Controlled Rectifiers // New England Semiconductor Technical Data.

67. Programmable Unijunction Transistors. Programmable Unijunction Transistor Triggers // ON Semiconductor. Semiconductor Components Industries, LLC, May, 2000 Rev. 2. - Publication Order Number: 2N6027/D. - (http://www.onsemi.com).

68. Programmable Unijunction Transistors. Silicon Programmable Unijunction Transistors // Motorola Semiconductor Technical Data, 1995.136http://wAvw.daqchina.net/daqchina/chips/ln2n/2N6027.pdf).

69. Пат. РФ №2022412, 1994, Фотосимистор на основе полупроводниковой структуры / Бакланов С.Б., Гайтан Н.Т., Гурин Н.Т.

70. Flores D., Jorda X., Vellvehi М., Rebollo J., Millan J. Cryogenic operation of emitter switched thyristor structures // Solid-State Electronics. 1999. - Vol. 43. - №3. - P. 633-640.

71. Sawant Shankar, Baliga B. Jayant Current saturation control in silicon emitter switched thyristors // Solid-State Electronics. 2000. - Vol. 44, №1. - P. 133-142.

72. Горошков Б.И. Радиоэлектронные устройства: Справочник. М.: Радио связь, 1984. - 400 с.

73. Попова М.В., Смолко Г.Г., Гаряинов С.А., Стафеев В.И. Статические характеристики N-триодов // Радиотехника и электроника. 1965. - Т. 10, № 1. -С. 147-156.

74. Смолко Г.Г., Осипов В.В., Стафеев В.И., Гаряинов C.A., Попова М.В. N-триод -активный элемент электронных схем // Радиотехн. и электроника. -1965. -Т. 10, №8. -С. 1480-1485.

75. Стафеев В.И., Ван-Шоу-цзюе, Филина JI.B. Триоды с N-образной характеристикой // Радиотехн. и электрон. -1962. -Т.7, №8. С. 1404-1408.

76. Игумнов Д.В., Чернышев А.А., Шведов А.Н. Особенности применения оптронов в режиме малых токов. М.: Энергия, 1979. - 56 с.

77. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники: Учеб. пособие. Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2000. - 332 с.

78. Koga Junji, Vanderstraeten Celine, Takagi Shin-Ichi, Toriumi Akira New approach to negative differential conductance with high peak-to-valley ratio in silicon // Jpn. J. Appl. Phys. Pt.l- 2000. Vol. 39. - №4B. - P. 2246-2250.

79. Дюбоу М. Электронный переключатель взамен плавкого предохранителя // Электроника. -1974. -№4. -С.72-73.137

80. Van Hoof C., Genoe J., Hove M.V., Rossum M.V., Mertens R., Borghs G. Four Logic States Using Two Resonant Tunneling Diodes // Electron. Lett. 1989. - Vol. 25. -№4. - P. 259-260.

81. Gan K.-J. Novel Four-Peak or Five-Peak Current-Voltage Characteristics for Three Negative Differential Resistance Devices in Series // Solid-State Electronics. 2000. -Vol. 44. - P. 1597-1602.

82. Gan K.-J., Su Y.-K. Novel Multipeak Current-Voltage Characteristic Of Series-Connected Negative Differential Resistance Devices // IEEE Electron. Dev. Lett. -1998.-Vol. 19.-P. 109-111.

83. Gan K.-J., Su Y.-K., Wang R.-L. Modeling of Three-Peak Current-Voltage Characteristics with Two Resonant Tunneling Diodes Connected in Series // J. Appl. Phys. 1997. - Vol. 81. P. 6825-6829.t

84. Lin H.C. Resonant Tunneling Diodes for Multi-Valued Digital Applications // Proceedings of The International Symposium on Multiple-Valued Logic. 1994. - P. 188-195.

85. Seabaugh A.C., Kao Y.C., Yuan H.T. Nine-State Resonant Tunneling Diode Memory . // IEEE Electron. Dev. Lett. 1992. - Vol. 13. - P. 479-81.

86. Gan K.-J., Su Y.-K. Modeling Multipeak Current-Voltage Characteristics and Hysteresis Phenomena for Several Resonant Tunneling Diodes Connected in Series // Appl. Phys. 1997. - Vol. 82. - P. 5822-8.

87. Guo D.-F., Cheng C.-C., Lin K.-W., Liu W.-C., Lin W. A multiple-negative-differential resistance switch with double InGaP barriers // Appl. Phys. Lett. 1996. -Vol. 69. - №27. - P. 4185-4187.

88. Воробьева Т.А., Новоселов А.Ю., Новиков С.Г., Гурин Н.Т. Биполярный комплементарный прибор с N-образной вольт-амперной характеристикой // Надежность и качество: Книга трудов междунар. симпозиума. Пенза: Изд-во Пенз. гос. ун-та, 2000. - С. 175-178.

89. Дьяконов В.П. Математическая система Maple V R3/R4/R5. М.: Солон, 1998. -400 с.

90. Спиридонов Н.С. Основы теории транзисторов / Киев: Техника, 1975. 360 с.

91. Аронов B.J1., Федотов Я.А. Испытание и исследование полупроводниковых139приборов. Учеб. пособие для специальностей полупроводниковой техники вузов. М: Высш. школа, 1975. - 325 с.

92. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем, Изд-е 3-е, перераб. и доп. М.: "Энергия", 1973. - 608 с.

93. Разевиг В.Д. Применение программ P-CAD и PSpice для схемотехнического моделирования на ПЭВМ. В 4-х выпусках: Вып. 2. Модели компонентов аналоговых устройств. -М.: Радио и связь, 1992. -64 с.

94. Разевиг В.Д. Применение программ P-CAD и PSpice для схемотехнического моделирования на ПЭВМ. В 4-х выпусках: Вып. 3. Моделирование аналоговых устройств. -М.: Радио и связь, 1992. -120 с.

95. Петухов В.М. Транзисторы и их зарубежные аналоги. Справочник в 4 т. М.: ИП РадиоСофт, 2000.

96. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов / Москва: 1973 656 с.

97. Полевые транзисторы. Физика, технология и применения. Пер. с англ. под ред. С.А.Майорова. М.: Советское радио, 1971. - 376 с.

98. Yu Z., Chen D., So L., and Dutton R.W. Pisces-2et 2D Device Simulator // Integrated Circuits Laboratory, Stanford University -1994. p. 233.

99. Yu Z., Griffin P.B, Dutton R.W. Accurate C-V characterization of quarter-micron MOS devices using quantum mechanical corrections and AC simulation // book of IEDEMS'96.140

100. Pisces-2ET and Its application subsystems // Integrated Circuits Laboratory Stanford University, 1994. -315 p.

101. Носов Ю.Р., Шилин В.А. Основы физики работы с зарядовой связью. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1986. - (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). - 320 с.

102. Носов Ю.Р., Шилин В.А. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью. -М.: Советское радио, 1976. 144 с.t

103. Воробьева Т. А., Гурин Н.Т. Полупроводниковая структура с комбинированным полевым управлением // Микроэлектроника и информатика -2002. 9-я всерос. межвуз. науч.-техн. конф. студентов и аспирантов: Тезисы докладов. М.: МИЭТ, 2002. - С. 31.141

104. Воробьева Т. А., Гурин Н.Т. Комбинированное полевое управление процессом переноса носителей заряда в многослойных полупроводниковых структурах // Известия вузов. Электроника. 2002. - №5. - С. 22-30.

105. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. Учеб. пособие для вузов 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит. 1990. - 688 с.

106. Тугов Н.М., Глебов Б.А, Чарыков H.A. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов / Под ред. В.А.Лабунцова. М.: Энергоатомиздат, 1990. -576.

107. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. М.: Радио и связь, 1991. - 528 с.

108. Аваев H.A., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов. М.: Радио и связь, 1991. - 288 с.

109. Полупроводниковые приборы. Транзисторы малой мощности. Справочник. / Под ред. Голомедова A.B. -М.: Радио и связь, 1994. 384 с.

110. Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности:t

111. Справочник 2-е изд., стереотип. - / А.А.Зайцев, А.И.Миркин, В.В.Мокряков и др.: Под ред. А.В.Голомедова. - М.: Радио и связь КУбК, 1994. - 640 с.

112. Гурин Н.Т. Взаимосвязь параметров диэлектрических слоев и порогового напряжения тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов // Электрон, техника. Сер. VI, Микроэлектроника. 1990. - Вып.1(135). - С. 88-90.142