Нелинейное многосигнальное взаимодействие в усилительных структурах СВЧ с учетом их шумовых свойств тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.03 ВАК РФ

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ СОКРАЩЕНИЙ

ВВЕДЕНИЕ

1 МОДЕЛИРОВАНИЕ УСИЛИТЕЛЕЙ СВЧ ДИАПАЗОНА С УЧЕТОМ ИХ ШУМОВЫХ И НЕЛИНЕЙНЫХ СВОЙСТВ

1.1 Моделирование усилителя СВЧ на полевом транзисторе в нелинейном режиме

1.1.1 Нелинейная физическая модель полевого транзистора

1.1.2 Определение параметров модели транзистора на основе измеренных S-параметров

1.1.3 Определение параметров модели транзистора на основе их конструктивных данных

1.1.4 Учет паразитных параметров модели полевого транзистора

1.1.5 Влияние конструктивных параметров полевого транзистора на нелинейные характеристики малошумящего усилителя

1.2 Моделирование полевого транзистора в нелинейном режиме с использованием пакета программ "DESIGN LAB"

1.2.1 Моделирование полевого транзистора

1.2.2 Моделирование биполярного транзистора

1.2.3 Моделирование полупроводникового диода

1.3 Моделирование полевого транзистора с двумя затворами Шотки

1.4 Аналитическая модель НЕМТ - транзистора

1.5 Модель СВЧ усилителя с учетом шумовых свойств

1.5.1 Модель транзисторного СВЧ-усилителя

1.5.2 Моделирование преобразователей СВЧ-диапазона

1.6 Моделирование электронных усилителей

Выводы

2 ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭМС ВХОДНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ СВЧ

2.1 Нелинейные эффекты во входных усилителях СВЧ

2.1.1 Блокирование

2.1.2 Блокирование по шумам

2.1.3 Перекрестная амплитудно-фазовая конверсия

2.1.4 Перекрестные искажения

2.1.5 Интермодуляция

2.1.6 Другие эффекты

2.2 Система параметров и характеристик ЭМС МШУ

2.2.1 Параметры ЭМС МШУ

2.2.2 Характеристики ЭМС МШУ

2.3 Принципы построения теории ЭМС МШУ

2.3.1 Ограничения метода эквивалентного четырехполюсника

2.3.2 Методы, используемые для корректного построения теории

Выводы

3 НЕЛИИНЕЙНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ СИГНАЛА И ШУМА В СВЧ

УСИЛИТЕЛЯХ

3.1 Анализ нелинейного усиления сигнала и собственного шума в присутствии монохроматической помехи в СВЧ усилителе

3.1.1 Теоретический анализ нелинейного взаимодействия интенсивной сосредоточенной помехи с собственным шумом транзисторного усилителя

3.1.2 Изменение уровня собственного шума ЛБВ в нелинейном режиме

3.1.3 О возможности образования комбинационного шума вне полосы усиления

3.1.4 Экспериментальные исследования усилителей на ЛБВ

3.1.5 Исследование других типов входных усилителей

3.2 Анализ усиления сигнала на фоне внешних шумов в нелинейном режиме

3.2.1 Взаимодействие помехи и внешнего шума в транзисторном усилителе

3.2.2 Анализ усиления сигнала на фоне внешних шумов в нелинейном режиме ЛБВ

3.2.3 Частотные характеристики внешнего и интермодуляционного шума

3.2.4 Совместное усиление монохроматического сигнала и шума с ограниченным спектром

3.2.5 Образование интермодуляционного шума

3.216 Результаты экспериментальных исследований

3.3 Изменение коэффициента шума входного усилителя в нелинейном режиме

Выводы

4 ОПТИМИЗАЦИЯ РЕЖИМА РАБОТЫ МШУ С ЦЕЛЬЮ УЛУЧШЕНИЯ ЕГО ХАРАКТЕРИСТИК ПОМЕХОЗАЩИЩЕННОСТИ

4.1 Влияние напряжения смещения на стоке транзистора на характеристики электромагнитной совместимости ТРУ

4.2 Влияние напряжения смещения на затворе транзистора на характеристики электромагнитной совместимости ТРУ

4.3 Оптимизация режимов работы усилительно - преобразовательных каскадов в среде программ РБрюе

4.3.1 Влияние режима работы ТРУ на блокирование, перекрестные искажения и амплитудно-фазовую конверсию

4.3.2 Анализ эффекта интермодуляции в усилителе

4.3.3 Коэффициент шума и частотные характеристики усилителя при различных электрических режимах работы транзистора

4.3.4 Явления перекрестных искажений и амплитудно-фазовой конверсии в смесителе

4.3.5 Анализ эффекта интермодуляции в смесителе

4.4 Выбор оптимальных режимов работы входного модуля при действии помех

4.5 Возможность построения адаптивного входного модуля РПУ

Выводы.

5 АВТОМАТИЗИРОВАННОЕ ИЗМЕРЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК

ЭМС МШУ

5.1 Измеряемые параметры и характеристики

5.2 Измерительная установка

5.3 Основные соотношения

5.4 Алгоритмы измерений

5.5 Автоматизированное измерение характеристики восприимчивости приемника по побочным каналам приема

Выводы

Диссертационная работа посвящена разработке методов моделирования и анализа нелинейного взаимодействия многочастотных и шумовых сигналов во входных малошумящих устройствах радиоприемников сверхвысокочастотного (СВЧ) диапазона с учетом особенностей физических принципов усиления в различных структурах и приложению этих методов к решению практически важных задач электромагнитной совместимости (ЭМС).

Актуальность темы. В современных радиофизических исследованиях важное место занимает анализ многочастотных процессов в нелинейных системах как с распределенными, так и с сосредоточенными параметрами. К ним, в частности, могут быть отнесены получившие наибольшее распространение транзисторные усилители СВЧ диапазона. Они находят широкое применение в современной аппаратуре радиосвязи и телевидения, радиолокации, радионавигации и др. Поэтому возникающие в этой области исследования задачи довольно разнообразны, содержательны и имеют четкую практическую направленность - сведение к минимуму нежелательных последствий нелинейных эффектов. Интенсивная деятельность в этом направлении стимулируется постоянно возрастающими требованиями к показателям качества передачи, приема и обработки информации в современных радиокомплексах. Интерес к многочастотным явлениям возрос ещё и потому, что резкое увеличение количества радиосредств обострило проблему электромагнитной совместимости [1,2,10,12]. Решение этой важной проблемы может быть осуществлено, во-первых, уменьшением побочных излучений передающих устройств, во-вторых, применением специальных широкополосных сигналов и методов их обработки, в-третьих - снижением восприимчивости к радиопомехам приемно-усилительных трактов[1,3]. В последнем случае решающую роль призвано сыграть совершенствование входных цепей радиоприемника. В диапазоне СВЧ в настоящее время на входе приемных систем применяются так называемые малошумящие усилители (МШУ): транзисторные (ТРУ), параметрические (ПУ), электронно-вакуумные (ЭСУ, ЛБВ, ЛОВ и др.), выполненные в виде отдельных самостоятельных блоков, позволяющих реализовать высокую чувствительность. Наиболее широкое распространение получили малошумящие транзисторные усилители. Преимуществом этих приборов является одновременное сочетание достаточно большого коэффициента усиления и довольно низкого коэффициента шума не только в сантиметровом, но уже и в миллиметровом диапазоне [4-6]. Параметрические усилители используются в основном в наземных системах спутниковой связи и прослушивания галактики. Электронно-вакуумные приборы находят применение только в тех диапазонах частот, в которых им нет замены на твердотельные. Поэтому основное число современных публикаций посвящено вопросам моделирования, анализа и синтеза усилителей на полевых транзисторах с одним и двумя затворами Шотки (ПТШ) и НЕМТ-транзисторах, в которых может быть достигнут наиболее низкий коэффициент шума. [7,8]

Устойчивая тенденция к комплексированию радиосредств, размещенных на ограниченных площадях (корабль , самолет, ракета и др.), требует поиска конкретных путей значительного увеличения динамического диапазона радиоприемной техники. В виду того, что конструктивные и технологические возможности в этом направлении к настоящему времени практически исчерпаны, то актуальной задачей стала разработка способов адаптации МШУ, позволяющих реализовать возможность совместной работы радиосредств в экстремальной электромагнитной обстановке (ЭМО).

По-прежнему остается актуальным и совершенствование комплекса параметров и характеристик приборов, по которым может быть проведена их достоверная оценка с точки зрения ЭМС, регламентируемая государственным стандартом [9]. В связи с этим повышенное внимание уделяется и методам измерений этого комплекса характеристик. Состояние вычислительной техники на сегодняшний день, наличие современных микроконтроллеров управления каналом общего пользования, цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразователей позволили вывести измерительную технику на новый качественный уровень. Появилась возможность получения в короткие сроки достоверной информации об измеряемых параметрах изделий СВЧ диапазона. В этой связи возникла необходимость разработки автоматизированных измерительных систем, обеспечивающих требования ГОСТа к измерениям характеристик электромагнитной совместимости входных усилителей.

Вычислительная мощность современных компьютеров предопределила появление множества схемотехнических программ, предназначенных для моделирования и разработки сложных электронных схем СВЧ. Большая память и быстродействие компьютеров позволяют решать задачи, не упрощая, а наоборот, усложняя модель, для достижения более высокой точности ее представления. Появилась возможность доработки известных программных пакетов с целью их применения для расчета характеристик электромагнитной совместимости.

Необходимо также отметить, что большое число публикаций и то видное место, которое занимает данная тематика в научных программах и конференциях подтверждает незавершенность исследований в этой области. Поэтому актуальным является проведение целенаправленного комплекса теоретических и экспериментальных исследований, направленных на разработку более совершенных входных трактов радиоприемных устройств (РПУ).

Цел ъю диссертационной работы является:

1. Установление в результате теоретических и экспериментальных исследований зависимостей нелинейного взаимодействия многочастотного и шумового сигналов различных уровней в усилителях на ОаАэ транзисторах с барьером Шотки от:

- конструктивных параметров используемых транзисторов;

- режима работы транзисторов в усилителе;

- уровней шумового и монохроматического сигналов и их расположения в рассматриваемой частотной области.

2. Разработка принципов построения новых адаптивных входных трактов.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

- разработка нелинейных моделей арсенид-галиевых полевых транзисторов СВЧ диапазона с одним и двумя затворами Шотки и НЕМТ-транзисторов;

- разработка адекватных моделей твердотельных и электронно-вакуумных входных малошумящих усилителей и модулей;

- исследование влияния конструктивных и электрофизических параметров ПТШ на нелинейные характеристики каскада усиления;

- формулировка принципов построения теории ЭМС МШУ;

- теоретический и экспериментальный анализ нелинейного взаимодействия многочастотного сигнала с собственными и внешними шумами усилителя;

- оптимизация режимов работы входных усилителей и модулей с целью улучшения характеристик помехозащищенности и создания нового типа адаптивных МШУ;

- разработка средств автоматизированных измерений характеристик

ЭМС входных трактов РПУ на базе современных микроконтроллеров и персональных ЭВМ;

Научная новизна.

Впервые проведен целенаправленный комплекс теоретических и экспериментальных исследований влияния конструктивных и электрофизических параметров структур полевых транзисторов на характеристики электромагнитной совместимости. Разработаны адекватные нелинейные физические модели исследуемых транзисторов с учетом всех шумовых источников. Разработанная методика анализа позволила провести оптимизацию конструкции структуры прибора с учетом шумовых свойств и синтезировать транзистор с большим значением границы линейности. Впервые проведен анализ возможностей увеличения значения верхней границы динамического диапазона (ВГДД) у транзисторов с двумя затворами Шотки и транзисторов с высокой подвижностью носителей (НЕМТ). Разработаны пакеты программ моделирования и анализа характеристик перечисленных транзисторов, а также усилителей, выполненных на этих транзисторах. Проведено сравнение возможностей разработанных пакетов с известными моделирующими программами РБрюе. Проведена доработка последних до возможности расчета характеристик электромагнитной совместимости.

Впервые проведено всестороннее теоретическое и экспериментальное исследование нелинейного взаимодействия интенсивной помехи с собственными и внешними шумами в твердотельных усилителях с различными полевыми транзисторами. Результаты получены для транзисторов с одним и двумя затворами Шотки, а также НЕМТ-транзисторов. Проведено сравнение с результатами исследований, проведенных автором для электронно-вакуумных усилителей на примере ЛБВ. Представлены экспериментальные характеристики ЭМС, измеренные в широкой полосе частот для всех типов МШУ. Анализ приведенных результатов позволил впервые с единых позиций представить физическую картину нелинейного взаимодействия многочастотного сигнала и шума и по-новому интерпретировать явление блокирования усилителя с учетом блокирования его шумов. Новые понятия легли в основу государственного стандарта ГОСТ 29180-91 [9].

Установлено теоретически и подтверждено экспериментально влияние напряжений смещения на электродах всех типов транзисторов на характеристики электромагнитной совместимости малошумящих усилителей. Выявлена также зависимость этих характеристик от смещения на электродах активных элементов преобразователей частоты. Проведенные теоретические исследования позволили выработать алгоритм управления приемно-преобразовательными трактами, а экспериментальные результаты - получить зависимости управления конкретными изделиями.

В процессе оптимизации режима работы приемно-преобразовательного тракта проанализирован полный набор его основных характеристик, таких как коэффициенты усиления и шума, верхняя граница линейности, и характеристик электромагнитной совместимости - блокирование, перекрестные искажения, амплитудно-фазовая конверсия. Проведенный анализ позволил установить взаимосвязь между некоторыми из них. Установлено незначительное влияние на амплитудно-частотные характеристики МШУ при разумном изменении его режима работы. Отмечено отсутствие корреляции между значениями амплитудно-частотной характеристики и характеристикой частотной избирательности по блокированию, что ещё раз подтверждает наличие инерционности в усилителе.

Совокупность проведенных в диссертационной работе теоретических и экспериментальных исследований всех типов МШУ позволяет сделать вывод о возможности создания входного тракта, адаптивного к изменяющейся электромагнитной обстановке. Адаптационный алгоритм позволяет выбрать из заданной области значений необходимый оптимальный набор напряжений в сложившейся ЭМО. Заданный набор напряжений формируется с учетом различия структурного построения входных модулей и температурных режимов работы. Рассмотрены различные источники информации о параметрах помеховой обстановки на входе МШУ.

Представленные в работе автоматизированные методы измерений и измерительный комплекс позволяют проводить измерения и контроль полного набора характеристик ЭМС МШУ и приемных систем. Для оценки характеристик ЭМС приемных систем предусмотрено измерение побочных каналов приема в диапазоне изменения уровня помехи более 80 дБ.

Методы исследования. Исследования проведены с помощью математических аппаратов теории колебаний, теории электрических цепей и сигналов, теории измерений и автоматического регулирования, численных и статистических методов и методов компьютерного моделирования.

Достоверность результатов диссертации.

Достоверность теоретических результатов обеспечивается строгостью используемых математических моделей, корректностью упрощающих допущений, сходимостью вычислительных процессов к искомым решениям, выполнимостью предельных переходов к известным решениям, соответствием результатов расчета эксперименту.

Достоверность экспериментальных результатов обеспечена применением аттестованной стандартной измерительной аппаратуры, обработкой экспериментальных данных с помощью современных методов на ЭВМ.

Основные положения, выносимые на защиту: 1. Комплекс теоретических и экспериментальных исследований влияния конструктивных параметров однозатворных и двухзатворных структур полевых транзисторов на характеристики электромагнитной совместимости;

2. Результаты исследования физических процессов нелинейного взаимодействия многочастотного сигнала с собственным и внешним шумом в твердотельных усилителях СВЧ на полевых и НЕМТ-транзисторах. Новая интерпретация коэффициентов шума и блокирования МШУ в присутствии помех с учетом изменения собственных шумов;

3. Совокупность результатов теоретического и экспериментального анализа влияния режима работы активных элементов в твердотельных структурах на основные односигнальные характеристики и характеристики электромагнитной совместимости. Методы адаптации входных трактов РПУ к различной ЭМО;

4. Система автоматизированных измерений и контроля побочных каналов в СВЧ приемнике и полного набора характеристик ЭМС МШУ (структура, алгоритм, программы тестирования и управления).

Совокупность научных результатов, изложенных в диссертации, можно рассматривать как решение крупной научной проблемы по исследованию нелинейных многочастотных процессов, протекающих на фоне собственных шумов в ОаАэ и АЮаАзАЗаАз структурах полевых и НЕМТ-транзисторов и направленной на совершенствование существующих и создание новых адаптивных входных трактов приемных систем СВЧ.

Практическая ценность. Разработанные методы исследования позволяют оптимизировать конструктивные, электрофизические и электрические параметры полупроводниковых структур с целью повышения границы линейности. Предложенные методы определения параметров могут найти применение при формировании адекватных моделей транзисторов и усилителей для расчета характеристик ЭМС. Результаты исследования нелинейного взаимодействия многочастотного и шумового сигналов на фоне собственных шумов МШУ привели к уточнению понятия эффекта блокирования и пониманию процессов, приводящих к изменению коэффициента шума в присутствии помех.

На основе предложенных алгоритмов адаптации могут быть разработаны адаптивные усилительно-преобразовательные тракты с улучшенными характеристиками ЭМС. В работе введено векторное определение параметра "intercept point" , позволяющее проводить сравнение усилителей, работающих в различных режимах. Показано влияние учета паразитных параметров модели транзисторов на характеристики электромагнитной совместимости.

Совместно с НПО "Исток" разработан и внедрен в производство автоматизированный комплекс для измерения и контроля полного набора характеристик ЭМС МШУ.

Предложенные алгоритмы, разработанные пакеты программ, некоторые прикладные задачи, решенные в работе, имеют самостоятельный научный и практический интерес и могут служить разработке более совершенных приборов, использующихся в условиях других дестабилизирующих факторов.

Результаты диссертационной работы использованы при выполнении 15 НИР с предприятиями МО, МЭП и МРП, комплексных целевых программ, проводимых по постановлениям директивных органов. Часть материалов диссертации выполнена в соответствии с координационным планом НИР АН СССР на 1986-1994гг. по проблеме "Физическая электроника", комплексной научно-технической программы Минвуза РСФСР "Университеты России" (1990-2001гг.) и "Вуз-Черноземье" (1995-1998гг.). Проведенный комплекс исследований оказал существенное влияние на разработку государственного стандарта ГОСТ 29180-91 [9].

Материалы диссертации использованы в разделах курсов "Электроника

СВЧ", "Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств", "Автоматизированные измерительные системы в научных исследованиях", "Современные информационные технологии в электронике", а также при постановке лабораторных работ по АСНИ.

Состояние исследуемой проблемы. Постоянно возрастающее количество радиосредств приводит в настоящее время к резко увеличивающейся загрузке радиодиапазона. Несмотря на то, что практика показала перспективность освоения новых сверхвысокочастотных диапазонов, процесс использования уже освоенных диапазонов не только не снижается, но ещё более возрастает, что соответственно влечёт за собой и возрастание непреднамеренных электромагнитных помех [10]. В результате этого, относительное изменение уровней помех и полезных сигналов на входе радиоприёмных устройств даже в обычных условиях может составить 90-100 дБ. А при работе радиоэлектронных средств (РЭС) в условиях экстремальной ЭМО перепад уровней достигает 140-160 дБ и более [11]. Поэтому очень остро стоит проблема обеспечения ЭМС РЭС, решение которой может быть осуществлено только на основе системного подхода, когда при разработке средств целенаправленно закладывается свойство аппаратуры функционировать совместно с другими средствами [12,13]. Это относится как к аппаратуре в целом, так и к отдельным её элементам. В области исследования приёмных систем существуют монографии [10,14-16], определяющие пути совершенствования главного тракта приёма. Ввиду того, что наиболее уязвимой частью при воздействии сильных помех являются входные цепи, значительное число работ посвящено их отдельному исследованию [17-20]. Исследование нелинейности в усилителе СВЧ является важной задачей, так как от характеристик его помехозащищённости будет зависеть и помехозащищённость приёмника в целом.

В приёмниках СВЧ диапазона на входе используются малошумящие усилители, конструктивно выполненные в виде отдельных функциональных блоков, имеющих свой набор параметров и характеристик [21,22], аналогично тому, который имеет приёмное устройство [23].

В настоящее время в качестве входных усилителей в СВЧ диапазоне получили наибольшее распространение транзисторные усилители, в частности усилители на полевых транзисторах с барьером Шотки. Их применение обусловлено высоким коэффициентом усиления и низким коэффициентом шума в сантиметровом и миллиметровом диапазонах. В последние годы появилось значительное число отечественных [24-26] и зарубежных [27-30] публикаций, посвященных различным аспектам функционирования СВЧ усилителей на транзисторах в нелинейных режимах работы. Однако исследованию характеристик в широкой полосе частот уделено недостаточное внимание, практически отсутствует информация об характеристиках ЭМС транзисторных МШУ.

Из других типов усилителей используются параметрические там, где необходимо получить высокую чувствительность, электростатические - там, где необходимо иметь высокую линейность и электрическую прочность, а также лампы бегущей и обратной волны - там, где им нет замены на транзисторные.

Во входных усилителях уровень полезного сигнала, как правило, соответствует линейному участку его односигнальной амплитудной характеристики, а электрический режим - максимальному усилению при минимальном коэффициенте шума. Обычно считается, что нелинейные явления возникают главным образом из-за действия интенсивного мешающего излучения, называемого помехой, частотно-энергетические параметры которой не могут контролироваться. Поэтому многосигнальные характеристики входных усилителей исследуются в широкой полосе частот, и, в основном, являются типовыми характеристиками частотной избирательности по тем или иным нелинейным эффектам радиоприёмных трактов [16,23,31].

Основными параметрами, характеризующими МШУ, являются коэффициент усиления и коэффициент шума [32,33]. Присутствие интенсивной помехи на входе МШУ приводит к снижению коэффициента усиления, определяемому коэффициентом блокирования [7,10,341]. Этот эффект выражается в уменьшении выходной мощности полезного сигнала [23,34]. Однако помеха воздействует не только на полезный сигнал. Её влияние способствует также и изменению собственного шума МШУ.

Анализ нелинейных и шумовых свойств твердотельных СВЧ устройств базируется на математических моделях используемых твердотельных приборов и подключённых к ним линейных цепей с сосредоточенными и распределёнными параметрами. Корректность модели определяет полноту и строгость анализа рассматриваемой нелинейной системы. Анализ процессов с помощью строгой модели позволяет оценить границы применимости упрощённых моделей. В СВЧ диапазоне наиболее удобно описание твердотельных приборов с помощью ^-параметров при синтезе линейных устройств [35]. Однако, уже при оценке устойчивости необходимо знание параметров в широкой полосе частот, а при анализе нелинейных явлений необходимо вводить дополнительные константы для описания зависимостей ^-параметров прибора от амплитуды сигналов на его входе и выходе. Задача дополнительно усложняется, если падающая и отражённая волны содержат ряд гармоник с различными амплитудами. Поэтому для ПТШ в качестве моделей широко используются эквивалентные схемы с сосредоточенными нелинейными элементами [36-38].

Если выбор количества элементов схемы определяется решаемыми задачами, то проблема идентификации нелинейных параметров, определения набора констант, характеризующих элементы эквивалентной схемы конкретных типов ПТШ, остаётся важной, не до конца решённой и в настоящее время. Одни авторы используют модифицированную теорию Шокли для определения параметров модели ПТШ исходя из геометрических и электрофизических параметров прибора и приложенных напряжений [39-41]. Другие для этих целей используют экспериментальные зависимости [42-45]. И тот, и другой метод имеет свои преимущества и недостатки и выбирается, исходя из поставленных задач и имеющихся возможностей.

Собственные шумы ПТШ имеют тепловую и диффузионную природу и обычно моделируются четырьмя шумовыми генераторами тока в эквивалентной схеме транзистора [46-48]. Параметры шумовых источников, как правило, рассчитываются на основе модифицированной теории Шокли [39,49,50]. Необходимо отметить, что теория Шокли и рассчитанные на её основе шумовые, линейные и нелинейные параметры модели ПТШ применимы только для транзисторов с длиной затвора не менее 0,5 мкм. Для моделирования субмикронных ПТШ привлекают другие теории, позволяющие учесть процессы, протекающие в коротких затворах [51-54].

Анализу нелинейных характеристик СВЧ усилителей на ПТШ посвящено много работ [28,55-63,97,98], но в них исследовались только либо одночастотные нелинейные характеристики [55,59,61], либо амплитудные интермодуляционные характеристики [56,58,63]. В качестве методов анализа нелинейных свойств в этих работах использовались метод функциональных рядов Вольтерра [57,58,63,97,98], метод гармонического баланса [28,62] и метод обобщённых рядов [56,60]. В работах [64,65] проведено сравнение результатов, полученных разными методами, и показано, что для слабо нелинейных систем, нелинейные характеристики которых можно аппроксимировать рядом третьей степени, или для небольших уровней мощностей входного воздействия наиболее эффективным является метод рядов Вольтерра [66]. К достоинствам этого метода относятся:

1. Явная связь отклика и воздействия.

2. Одновременный компактный учёт инерционных и нелинейных свойств цепи.

3. Блочное представление преобразования входного воздействия в виде суммы позволяет упростить задачу разделения нелинейных продуктов различных порядков. В итоге оказывается возможным изучение отдельных видов нелинейных преобразований.

4. Возможность введения известного понятия передаточной характеристики цепи, связывающей воздействие и отклик в явном виде.

5. Простая связь применяемых на практике нелинейных критериев с характеристиками ядер цепи.

6. Удобство использования аппарата рядов Вольтерра при анализе нелинейных искажений в устройствах. Это объясняется линеаризацией и алгебраизацией системы нелинейных дифференциальных уравнений цепи при использовании преобразования Лапласа. В результате исследование нелинейных искажений облегчается благодаря применению методов анализа линейных цепей.

Исследованию шумовых характеристик ТРУ в нелинейном режиме уделено, на наш взгляд, недостаточно внимания. Лишь в [67] проведён теоретический анализ изменения коэффициента шума усилителя на биполярном транзисторе, но только за счёт изменения усиления внешнего шума.

При изучении воздействия помехи в широкой полосе частот основную роль играют характеристики частотной избирательности по допустимому изменению параметра рассматриваемого нелинейного эффекта. Характеристики частотной избирательности приёмника по блокированию и интермодуляции [15,68,69] в основном определяются входным усилителем и поэтому сохраняют свой вид для приёмника в целом. Исключение составляет случай, когда мощность помехи оказывается достаточной для проявления нелинейных свойств смесителя. Возрастание коэффициента шума как за счёт блокирования, так и за счёт интермодуляции ухудшает условия приёма полезного сигнала [1,10].

Снижение качества приёма полезных сигналов приводит к необходимости постановки задачи оптимизации приёмно-усилительных трактов [11,15,31,] и, в частности, к выбору оптимального по нелинейным критериям режиму работы входного ТРУ.

Необходимость ослабления нелинейных искажений в радиоэлектронной аппаратуре требует развития практических методов линеаризации отдельных каскадов и всего устройства в целом. Кратко рассмотрим некоторые из них.

Использование малошумящих устройств с широким створом характеристики передачи "вход-выход" [70,71] дало возможность существенно линеаризовать главный тракт приема (ГТП) РПУ. Например, применение мощных СВЧ-транзисторов позволило значительно расширить динамический диапазон (ДД) ГТП в диапазоне декаметровых волн. Однако применение таких приборов приводит к значительному снижению КПД устройства и повышению его себестоимости.

Применение линейной отрицательной обратной связи (ЛООС) в целом повышает линейность тракта. Однако одновременно с этим цепь ЛООС порождает взаимодействие нелинейных продуктов различных порядков и полезного сигнала, что может быть причиной целого ряда нежелательных явлений. Использование традиционных видов ЛООС [66] (параллельной по напряжению и последовательной по току) должно обязательно учитывать влияние глубины ЛООС как на НИ, так и на шумы каскадов, поскольку, например, резистивные виды связи приводят к значительной потери мощности сигнала, а также к заметному увеличению уровня шумов. Некоторые специальные виды ЛООС ("бесшумная" ЛООС или ЛООС "без потерь") предназначены для расширения ДД без заметного увеличения уровня шумов. Для этого применяется цепь ЛООС, содержащая реактивные элементы, например, высокочастотные трансформаторы [72], что может привести к снижению устойчивости устройства.

Применение ЛООС по входному сигналу в преобразователе частоты приводит к тому, что увеличение порога блокирования сопровождается примерно пропорциональным уменьшением коэффициента преобразования, что не всегда допустимо [11].

Компенсация нелинейных эффектов с использованием нелинейных свойств источника сигнала и нагрузки существенно зависит от разброса параметров элементов и дестабилизирующих факторов, вследствие чего этот способ имеет низкую воспроизводимость [11]. Реализация нелинейной отрицательной обратной связи требует высокой стабильности характеристик элементов тракта.

Эффективность балансных компенсаторов существенно зависит от идентичности характеристик полупроводниковых компонент. Одно из перспективных направлений реализации компенсационных методов -формирование многих полупроводниковых компонент на одном кристалле.

Современная радиоэлектронная аппаратура характеризуется отчетливой тенденцией к усложнению. Многокаскадное устройство - это сложная структура, содержащая большое число активных и пассивных элементов, параллельные каналы, цепи обратной связи и компенсации. Такое устройство, состоящее из отдельных звеньев [73], должно соответствовать принципу инвариантности [74].

Под инвариантностью здесь понимают свойство системы противостоять возникновению нелинейной помехи. Из принципа инвариантности следуют две группы общих методов борьбы с НИ. Первая группа методов сводится к исключению появления помех на выходе каждого звена системы; к ней относятся традиционные способы повышения линейности каскадов, рассмотренные выше. Вторая группа методов основывается на исключении нелинейных мешающих сигналов на выходе системы как целого, хотя на выходе ее отдельных звеньев могут присутствовать продукты нелинейности. Эти методы основаны на улучшении структурных свойств устройства [75, 76], что обеспечивается оптимизацией способов соединения каскадов. Оптимизация структурной схемы приводит к улучшению качества функционирования системы в целом за счет некоторого ухудшения параметров отдельных звеньев. С точки зрения такого системного подхода, все решения можно также разбить на две основные группы.

К первой группе относятся решения, основанные на использовании параллельных каналов. Идея такого подхода заключается в следующем: каковы бы ни были НИ основного канала, всегда можно создать параллельный канал из усилителя (аттенюатора) и фазовращателя (линии задержки), через который пройдет только тот продукт, который необходимо подавить. На выходе устройства сигналы каналов суммируются. Компенсируемые составляющие НИ на выходах параллельных каналов должны иметь противоположные фазы и равные амплитуды (фазовое и амплитудное условия компенсации, соответственно). На этом способе основано множество предложений, например, компенсатор интермодуляционных помех, возникших в смесителе [77]. К недостаткам подобных решений можно отнести:

- ухудшение отношения полезный сигнал-шум за счет введения дополнительного канала;

- сильное, не всегда оправданное усложнение схемы.

Ко второй группе относятся решения, основанные на получении противофазных продуктов в одном канале. Этот подход основан на использовании нелинейных и инвертирующих свойств каскадов. К недостаткам данного метода можно отнести:

- выполнение фазового условия компенсации только для НИ определенного порядка;

- для подавления НИ нечетного порядка существенную роль играют повторные взаимодействия продуктов нелинейности.

В качестве примера реализации данной группы решений можно привести устройство [78], содержащее два идентичных инвертирующих усилителя и аттенюатор между ними. В этом случае, при равенстве коэффициента ослабления аттенюатора коэффициенту усиления усилителя, происходит подавление НИ четных порядков. Но подобные двухкаскадные устройства имеют малый коэффициент передачи. Поэтому, в одноканальных структурах рекомендовано использование трех и более каскадов. В работе [79] представлено трехкаскадное устройство, которое применяется в ГТП РПУ. Оно состоит из двух усилительных каскадов и преобразователя частоты; причем удалось найти режим работы каскадов, обеспечивающий уменьшение блокирования и интермодуляционных искажений.

Для одновременного ослабления НИ различных порядков практикуется применение комбинации решений, относящихся к описанным выше основным группам. Сложные, но довольно эффективные, структурные схемы приведены в [80, 81]. В работе [82] рассматриваются схемы построения п-каскадных усилителей с подавлением на выходе интермодуляционных помех второго и третьего порядков. Идея заключается в том, что образующиеся в каждом из каскадов и усиленные последующими каскадами продукты интермодуляции используются для компенсации друг друга в выходном каскаде; при этом существенную роль играет повторное взаимодействие продуктов интермодуляции с составляющими исходных частот.

Особую группу представляют решения, основанные на применении адаптивных устройств, для функционирования которых необходимо:

- выделить НИ;

- -оценить уровень НИ, и в случае превышения заданного критерия -изменить параметры устройства.

Так, например, в [83] для подавления нелинейных искажений сигнала помехами соседних каналов предложено снабдить первый преобразователь частоты приемника цепью АРУ с управлением от отдельного амплитудного детектора источником тока преобразователя частоты. В [84] предлагается защищать вход РПУ аттенюатором с адаптивной регулировкой. А в [85] для понижения уровня интермодуляционных помех предложено адаптивно смещать захватывающую несколько каналов АЧХ ГТП асимметрично с принимаемым сигналом так, чтобы один из взаимодействующих сигналов почти полностью подавлялся, а второй ограничивался у частоты среза трапециевидной АЧХ ГТП. С целью уменьшения уровня остатков узкополосных помех, лежащих в полосе полезного сигнала, на выходе устройства при наличии мощных внеполосных по отношению к полосе полезного сигнала помех предложено устройство [86], содержащее усилитель, генератор поиска и N самонастраивающихся фильтров.

Предложено множество адаптивных устройств, построенных на основе использования принципов и методов статистической радиофизики [87-93]. Возможно использование адаптивных предыскажений для повышения линейности многоканальных широкополосных усилителей [94].

С каждым годом приобретают все большее значение вычислительные методы. Технологический прогресс сделал возможным проектирование больших функциональных блоков, содержащих в одной схеме тысячи взаимосвязанных элементов. Кроме прогресса в развитии ЭВМ на все аспекты машинного анализа цепей и проектирования сильное воздействие оказали четыре главных новшества в численных методах: операции с разреженными матрицами, линейные многошаговые методы решения систем алгебраических и дифференциальных уравнений, метод присоединенной схемы при вычислении чувствительности и использование методов нелинейного программирования в задачах оптимизации. В последние десять лет стали доступными зарубежные программы машинного анализа цепей, использующие одно или несколько из перечисленных новшеств.

Именно прогрессивное развитие численных методов анализа электронных схем различной степени сложности [95,96,98,99,112,113,128] способствовало созданию большого количества схемотехнических программных продуктов [97,119,120,124-127].

Таким образом, проведенный анализ теоретических и экспериментальных работ, а также некоторых технических решений позволил заключить следующее:

1. Для решения задач, касающихся ЭМС РЭС, самостоятельный интерес представляет исследование характеристик усилительных и преобразовательных каскадов РПУ диапазона СВЧ.

2. При расчете нелинейных характеристик каскада необходимо использовать такие его модели и такие методы анализа, которые позволили бы рассмотреть с единых позиций наиболее полным образом влияние помех на качество работы этого каскада.

3. При проектировании входных модулей РПУ необходимо учитывать возможность его работы в нелинейном режиме и предусматривать снижение нежелательных эффектов.

4. Исходя из того, что расширение динамического диапазона входных • каскадов РПУ за счет совершенствования используемого полупроводникового материала и промышленных технологий достигает насыщения, следует направить усилия на отыскание оптимальных структур ГТП РПУ, а также путей управления характеристиками входного тракта в зависимости от ЭМО.

5. Из имеющегося многообразия схемотехнических программных продуктов необходимо выбрать пакеты программ, позволяющие моделировать электронные схемы различной степени сложности, и адаптировать их для решения многообразных задач по обеспечению ЭМС РЭС.

6. Для проверки теоретических расчетов и возможности получения параметров моделирования из экспериментальных данных, необходимо разработать методики проведения эксперимента и измерительные установки.

Краткое содержание работы.

В первом разделе обосновывается выбор нелинейных моделей СВЧ усилителей на однозатворных и двухзатворных полевых и НЕМТ-транзисторах с учётом их шумовых свойств. Для анализа и синтеза ТРУ, в качестве модели может быть использована эквивалентная схема с сосредоточенными нелинейными параметрами, которая для самого транзистора может включать до 20 элементов. Выбор нелинейных элементов модели и вид их представления основывался как на собственных результатах, так и на экспериментальных исследованиях, проводимых рядом авторов [55,101]: нелинейными считаются крутизна транзистора, его выходная проводимость и ёмкость затвор-исток, которые представляются в виде разложений в степенные ряды по напряжениям на них в окрестности рабочей точки. Для определения значений линейных и нелинейных параметров модели ПТШ предложены две методики. Расчётная - из конструктивных параметров, и из экспериментальных данных. При использовании эксперимента в качестве исходных данных выбираются вольтамперные характеристики транзистора и его малосигнальные ^-параметры. Зная связь параметров модели ПТШ с исходными экспериментальными данными, определяются их значения с помощью симплексного модифицированного метода многопараметрической оптимизации [102]. Для расчёта значений параметров эквивалентной схемы

ГТТПТ применялась модифицированная теория Шокли, использующая одномерную модель транзистора, обоснованную для ПТШ с длиной затвора более 0,5 мкм. На основе этой теории рассчитаны зависимости основных параметров модели транзистора от смещающих напряжений на затворе и на стоке. В работе показана необходимость учета паразитных элементов при расчете характеристик ЭМС.

Сравнение значений параметров модели ПТШ, полученных другими методами, позволяет сделать вывод о возможности применения расчётных значений линейных и нелинейных параметров транзистора для анализа нелинейных свойств ТРУ. Более точные значения характеристик усилителя как в линейном, так и в нелинейном режимах, получены при определении значений параметров модели из экспериментальных данных.

Для реализации описанного метода разработан отдельный модуль компьютерной программы, позволяющий рассчитывать значения параметров моделей, представленных различными эквивалентными схемами, от самой простой до наиболее полной. При этом в качестве исходных данных используются экспериментально измеренные малосигнальные 8-параметры, либо их набор для различных частот и режимов. Вводятся дополнительные условия, предназначенные для контроля сходимости решений. При использовании набора 8-параметров программа может рассчитывать не только значения элементов ЭС, но и их коэффициенты разложения в степенной ряд, что необходимо при исследовании нелинейных характеристик усилительного каскада. Проведенные исследования позволили рассчитать зависимость параметров ЭС, а также коэффициента усиления, коэффициента шума и верхней границы динамического диапазона по линейности усилителя Дл от конструктивных параметров ПТШ. На этой основе была проведена оптимизация конструктивных параметров для расширения динамического диапазона МШУ. Показано, что динамический диапазон может быть расширен при наличии резерва по усилительным и шумовым свойствам транзистора. Значительный выигрыш в величине Дл получен при незначительном ухудшении основных параметров.

Одним из способов решения проблемы анализа нелинейных схем является подход, основанный на дискретизации моделей элементов нелинейных динамических схем. Формально этот подход позволяет рассчитывать с заданной точностью нелинейно-параметрические цепи любой степени сложности. Именно он положен в основу большинства современных 8Р1СЕ-совместимых программ моделирования электронных схем. В настоящей работе проведено адаптирование пакета 8Р1СЕ-совместимых программ для исследования нелинейных явлений во входных транзисторных усилителях при решения задач электромагнитной совместимости. Для нахождения спектральных составляющих полезного и мешающего сигналов на выходе устройства, необходимых для расчета нелинейных эффектов, применялся графический постпроцессор, с помощью которого определялась область анализа на временной оси, и проводилось Фурье-преобразование.

Для расчета характеристик каскада использована модель полупроводникового прибора, формирование и определение параметров которой является самостоятельной задачей. После подготовительного этапа, который заключается в задании эквивалентной схемы с сосредоточенными элементами модели и математического описания, определяются параметры модели. Для определения значений линейных и нелинейных параметров моделей транзистора предложены методики, основанные на использовании экспериментальных и справочных данных. Предложено совместно использовать программы оптимизации и моделирования. Программа оптимизации варьировала искомые параметры для нахождения минимума целевой функции, представляющей собой нормированную сумму квадратов отклонений, определяемых с помощью программы моделирования, расчетных значений заданной характеристики, от экспериментальных или справочных. Поиск минимума целевой функции осуществлялся градиентными методами. На основе семейства выходных характеристик, с помощью метода оптимизации наименьших квадратов, определялись значения параметров, участвующих в математическом описании статических режимов работы транзисторов. Для каждого режима по постоянному току схема замещения нелинейного прибора линеаризовалась, и находились параметры, участвующие в описании динамического режима работы транзистора на основе 8-параметров, измеренных в линейном режиме. 8-параметры многополюсника рассчитывались по соответствующим узловым потенциалам. В этом случае генератор входных сигналов представлялся последовательно соединенными через выходное сопротивление двумя нормированными на 1 В источниками напряжений. Такое специальное представление генератора имеет важную самостоятельную ценность - разработчики СВЧ систем могут использовать обычные схемотехнические программы, рассчитывающие напряжения, для расчета 8-параметров многополюсников.

Для определения параметров, участвующих в описании шумовых процессов, необходимы характеристики, в которых присутствует коэффициент шума. Для анализа нелинейных шумовых явлений на этом этапе необходимо вводить совокупность дополнительных источников, моделирующих шумы. В линейном случае достаточно определить параметры, описывающие фликкер-шумы.

В качестве примера применения изложенного выше подхода, а также иллюстрации его точности, был рассмотрен на основе адаптированной модели Рейтона ОаАз гетеропереходный полевой транзистор №33200, для которого имелись в наличии все интересующие нас данные, включая экспериментальные 8-параметры.

Несмотря на то, что для МШУ СВЧ диапазона вследствие малого коэффициента шума перспективными являются МЕ8РЕТ и НЕМТ, в длинноволновой части СВЧ диапазона на практике довольно часто применяются биполярные транзисторы. Поэтому, в диссертационной работе для общности рассмотрены нелинейные эффекты и в устройствах на биполярных транзисторах.

Для анализа нелинейных процессов в усилителях на биполярных транзисторах использовалась расширенная модель Гуммеля-Пуна, которая позволяет учесть эффекты, возникающие при больших смещениях на переходах. Параметры модели биполярного транзистора определялись на основе подхода, который использовался и для определения параметров полевого транзистора, что подчеркивает универсальность этого подхода. Он же может использоваться и для нахождения 8рюе-параметров диодов -преобразователей СВЧ.

Класс электронно-вакуумных усилителей представлен лампой бегущей волны. Разработанная аналитическая модель с учетом флуктуации электронов в пучке позволяет рассчитывать характеристики ЭМС в широкой полосе частот.

Во втором разделе рассмотрены характеристики, определяющие электромагнитную совместимость МШУ. Проблема электромагнитной совместимости радиоэлектронных средств формулируется как проблема способности РЭС одновременно функционировать в реальных условиях эксплуатации с требуемым качеством при воздействии на них непреднамеренных электромагнитных помех и не создавать при этом недопустимых радиопомех другим РЭС [1,2,34,103-104]. Эта задача с каждым годом становится всё более трудно выполнимой, поскольку происходит постоянное увеличение числа находящихся в эксплуатации РЭС, увеличивается плотность использования радиочастотного спектра и возрастает общее количество технических средств, создающих непреднамеренные электромагнитные помехи.

Проблема ЭМС имеет комплексный характер, ее решение связано с оптимизацией работы РЭС как на аппаратном уровне, представленном радиоэлементами, узлами, функциональными блоками, станциями, так и на организационном уровне, включая распределение рабочих частот, пространственное размещение станций, источников и рецепторов излучения и т.д. На аппаратном уровне электромагнитная совместимость должна обеспечивается конструированием радиоустройств, для которых реализуются надлежащие параметры и характеристики. Находясь на более низком иерархическом уровне решения задачи обеспечения ЭМС, характеристики отдельных функциональных составляющих должны обеспечивать помехоустойчивость передающих и приемных систем. Отмечается влияние качества спектра, генерируемого передатчиком, свойств антенн на ЭМС передающих и приемных устройств, а также свойств входных усилителей высокой частоты на ЭМС приемных устройств.

При разработке новых РЭС к характеристикам ЭМС радиоустройств предъявляются определенные требования, связанные с реальной электромагнитной обстановкой, в которой будет действовать РЭС. Выполнение этих требований предполагает наличие соответствующих методов анализа и синтеза характеристик ЭМС.

В качестве входных усилителей СВЧ обычно используют специальные малошумящие усилители, обеспечивающие максимальную чувствительность приемника. Полоса этих усилителей, как правило, значительно шире полосы основного канала приемника. Поскольку МШУ стоят на входе радиоприемного тракта непосредственно после антенны, влияние на него помех, в том числе тех, частоты которых лежат за пределами основного канала, чрезвычайно велико. Нелинейные свойства МШУ приводят к тому, что действие помех вызывает нелинейные искажения принимаемого по основному каналу полезного сигнала. Поэтому в основу количественного описания таких искажений в МШУ положен комплекс характеристик ЭМС, играющих основную роль в определении помехозащищенности всего приемного тракта. С этой целью найдены выражения и введены параметры, определяющие чувствительность приемника в условиях действия помех, расширено понятие блокирования усилителя.

В настоящее время перечень параметров и характеристик ЭМС МШУ, а также требования к ним, нормированы ГОСТом [9]. Выполнение требований ГОСТа обязательно для всех выпускаемых и вновь разрабатываемых МШУ. Пути решения данного комплекса вопросов относятся к области теории ЭМС МШУ и освещаются в данной главе.

Основной задачей, решаемой в рамках теории ЭМС МШУ, является получение отклика усилителя на многосигнальное входное воздействие в условиях нелинейности процесса усиления. Считается, что причиной нелинейности являются внеполосные помехи высокого уровня, в то время как полезный сигнал, поступающий по основному каналу приема, имеет низкий уровень, соответствующий условиям линейного усиления. Важнейшим обстоятельством при решении данной задачи служит то, что МШУ диапазона СВЧ являются существенно инерционными устройствами, а также то, что анализ характеристик ЭМС предполагает рассмотрение больших (практически произвольных) расстроек между полезным сигналом и помехами. В этих условиях искомый отклик не может быть связан с входным воздействием какой-либо действительной или комплексной передаточной функцией, получив которую можно было бы исследовать нелинейное преобразование широкого входного спектра в усилителе. Поэтому подход на основе использования широко известного метода эквивалентного четырехполюсника [1,11,16,31,66] для построения теории ЭМС МШУ оказывается мало эффективным, поскольку он связан с рядом упрощающих предположений, накладывающих существенные ограничения на вид спектра входного воздействия. С помощью этого метода может быть решен только узкий круг задач в рамках теории ЭМС. Таким образом, теория ЭМС МШУ диапазона СВЧ оказывается неизбежно связанной со сложным анализом физических процессов взаимодействия в усилителе, а также с моделированием и с анализом моделей, рассмотренных в предыдущей главе, максимально адекватно описывающих эти процессы в каждом типе усилителя.

Поэтому теория транзисторного усилителя СВЧ использует представление транзистора в виде эквивалентной схемы с сосредоточенными элементами, в которой учитываются его нелинейные и инерционные свойства, которые как правило разделить не удается. А теория параметрического усилителя основывается на анализе стандартной эквивалентной схемы с единственным нелинейным элементом. Данная, относительно простая модель позволяет свести анализ к решению уравнений нелинейных вибраторов, находящихся под действием нескольких гармонических сил [57-59], с помощью хорошо разработанных методов нелинейной механики [60].

Если для твердотельных усилителей инерционные свойства являются дополнительным мешающим фактором, с которым приходится считаться в СВЧ-диапазоне, то электронно-вакуумные усилители СВЧ являются принципиально инерционными устройствами, поскольку механизм усиления в них основан на длительном взаимодействии электронного пучка с электромагнитными полями. Задача для этих усилителей решается уже не методами теории цепей, а методами СВЧ-электроники: для нахождения отклика производится интегрирование уравнений взаимодействия электронного пучка с электромагнитным полем при многосигнальном входном воздействии. Процесс взаимодействия включает в себя две части: модуляцию электронного пучка электромагнитным полем и возбуждение электромагнитного поля модулированным пучком. Таким образом, задача является самосогласованной: в ее рамках приходится совместно решать уравнения движения электронов в электромагнитном поле и уравнения возбуждения электромагнитного поля модулированным пучком.

Вид отклика усилителя на входное воздействие, полученный тем или иным методом, несет информацию о зависимости параметров (амплитуды и фазы) выходного полезного сигнала от параметров (амплитуд и частот) помех, действующих на вход усилителя. Данные зависимости представляются в форме ЭМС-параметров и ЭМС-характеристик МШУ. Отклик содержит также зависимость от структурных и конструктивных параметров усилителя и от его электрического режима. Это позволяет исследовать возможности оптимизации конструкции усилителя и его режима питания с точки зрения ЭМС а также разработать методы управления ЭМС-характеристиками в целях оперативной адаптации радиоприемника к помеховой обстановке.

Поскольку в настоящее время отсутствуют труды, обобщающие результаты исследований по проблемам анализа и оптимизации характеристик ЭМС МШУ (за исключением весьма краткого обзора [21]), в данной главе поставлена задача по возможности восполнить этот пробел.

МШУ рассматривается как каскад радиоприемника, в наибольшей степени влияющий на его показатели ЭМС. Дается определение параметров и характеристик ЭМС МШУ в соответствии с принятыми стандартами. Здесь же рассматриваются общие принципы построения теории ЭМС МШУ различных типов.

Общим упрощающим предположением в теории контроля ЭМС МШУ является слабая нелинейность всех описываемых процессов. Для выполнения этого условия считается, что мощность полезного сигнала на входе МШУ соответствует условиям линейного усиления, а мощности помех лишь незначительно выходят за рамки верхней границы динамического диапазона усилителя, которая определяется по критерию допустимых (то есть малых) уровней нелинейных искажений.

При рассмотрении конкретных типов МШУ принята во внимание относительная массовость их практического применения. Так, в настоящее время в связи с успехами твердотельной электроники происходит повсеместное вытеснение электронно-вакуумных МШУ полупроводниковыми, в основном транзисторными, так как они имеют преимущества по габаритам, массе и энергопотреблению. Однако выпуск ЛБВ и использование их во вновь разрабатываемых приемных устройствах ещё продолжается, хотя и в меньших масштабах. Здесь играет роль высокая надежность и долговечность ЛБВ, а также устойчивость к перегрузкам входным сигналом.

ЭСУ является довольно сложным по своему устройству и схеме питания относительно узкополосным усилителем, к тому же не отличающимся особенно низким коэффициентом шума среди остальных типов МШУ. Поэтому он нашел применение только в специальных разработках, где в число основных требований входит высокий динамический диапазон линейного усиления и максимальная устойчивость по отношению к мощным входным воздействиям. Устройство ЭСУ таково, что сам усилитель предохраняет последующие каскады приемника от перегрузок: помеха недопустимо высокого уровня вызывает оседание электронного луча, полностью блокирует усилитель, в результате прохождение всех сигналов и помех, благодаря хорошей развязке входа и выхода усилителя, прекращается. По окончании действия помехи усилитель продолжает выполнять свои функции без каких-либо последствий.

ПУ, несмотря на свой чрезвычайно низкий коэффициент шума, также не нашел массового применения в связи со своей сложностью и высокой стоимостью [33]. К тому же ПУ обладают весьма низкой устойчивостью к перегрузкам входным сигналом в связи с возможностью выгорания диода.

Поэтому ПУ применяется только в уникальных особо высокочувствительных радиоприемных устройствах: в радиоастрономической аппаратуре, системах слежения и связи с космическими объектами, в аппаратуре спутниковой связи и в радиолокационных станциях дальнего обнаружения.

По настоящему широкое и массовое применение в качестве МШУ СВЧ-диапазона в последнее время получили транзисторные усилители, не уступающие ЛБВ по основным параметрам на тех же рабочих частотах, но имеющие преимущества по габаритам, энергопотреблению и простоте схемы питания. Недостатком ТРУ по сравнению с ЛБВ является возможность выхода из строя при перегрузках входной мощностью. С целью компенсации этого недостатка одновременно с широким внедрением ТРУ производится разработка средств защиты его от перегрузок.

Изложенные в данной главе обстоятельства позволяют понять, почему основное внимание в диссертации уделено исследованию транзисторного усилителя. Здесь же дано по возможности полное представление о современном состоянии этой теории, включая ее основные аспекты:

- моделирование ТРУ в нелинейной области с учетом шумовых свойств транзистора;

- методы анализа ЭМС-характеристик ТРУ на основе его эквивалентной схемы, включая входные и выходные линейные схемы согласования;

- исследование зависимости ЭМС-характеристик от структурных параметров транзистора и усилителя в целом, а также от режима питания;

- способы оптимизации структуры и режима питания ТРУ по критерию наилучших показателей ЭМС.

Результаты, отраженные в этой главе, использованы при разработке Государственного [9] и отраслевого стандартов [22].

В третьем разделе разрабатывается методика анализа нелинейного взаимодействия многочастотных и шумовых сигналов в усилителях СВЧ. Шумовые токи представляются случайным процессом, являющимся суперпозицией гармонических колебаний, амплитуда и фаза которых случайна. Это более общий случай модели, предложенной Релеем, для которой им получено известное распределение. В таком представлении реальный процесс со спектральной плотностью G(co) заменяется некоторым эквивалентным случайным процессом в полосе До, представляющим собой суперпозицию п колебаний со случайными начальными фазами и средним квадратом амплитуд, равным С(оз)А(д/п.

В настоящее время достаточно хорошо исследованы источники собственных шумов ТРУ и природа их возникновения. Однако, дальнейшей разработки требуют вопросы, связанные с исследованием изменения уровней этих шумов при работе усилителя в многочастотном нелинейном режиме. Решение такой задачи представляет интерес, во-первых, с радиофизической точки зрения, так как позволяет расширить представление о многочастотных процессах во входных устройствах, во-вторых, с практической - поскольку может служить основой совершенствования современных МШУ.

Для анализа работы усилителя в нелинейном режиме используется метод функциональных рядов Вольтерра. Основа метода, как известно, заключается в том, что исходя из значений линейных и нелинейных параметров модели устройства, составляются системы алгебраических уравнений, в которых все свободностоящие токи и напряжения заменяются ядрами соответствующих порядков, а входное воздействие заменяется 1 для линейной подсистемы и 0 для подсистем высших порядков. Эти подсистемы последовательно решаются относительно ядра искомой переменной. Особенностью анализа собственных шумов усилителя является то, что воздействие в виде сигнала подаётся на вход усилителя, а воздействие в виде источника шума находится в одной из внутренних ветвей схемы. Поэтому при расчёте ядра первого порядка на частоте сигнала изображение входного воздействия находится в правой части уравнения, описывающего входную ветвь, а при расчёте ядер первого порядка на частотах составляющих шума изображение входного воздействия должно стоять в правой части уравнения, описывающего соответствующую ветвь схемы. Ядра высших порядков находят из ядер первого порядка, рассчитанных для разных точек включения генераторов воздействия.

На основе этого метода выведено соотношение для расчёта изменения спектральной плотности собственного шума ТРУ под действием помехи, мощность которой соответствует нелинейной области усиления. Это соотношение учитывает изменение спектральных плотностей всех источников собственных шумов в усилителе. Показано, что коэффициент изменения собственных шумов ТРУ в нелинейном режиме зависит не только от коэффициентов изменения шумов паразитных сопротивлений затвора и истока и совместного шума затвора и канала, но и от уровня вклада каждого шумового источника в собственный шум усилителя.

С помощью выведенных соотношений проведён расчёт коэффициента изменения собственного шума ТРУ при воздействии на его вход интенсивной помехи. Показано, что с увеличением мощности помехи происходит подавление собственного шума. При этом выявлено, что шум канала практически не изменяется, остальные же источники шумов подавляются приблизительно одинаково. Также установлено, что помеха оказывает различное влияние на величину подавления собственного шума и усиливаемого сигнала. Существующее различие в подавлении приводит к изменению в нелинейном режиме коэффициента шума усилителя.

Для анализа выходного спектра ТРУ в полосе частот введены в рассмотрение его частотные свойства. Возможность учёта частотных свойств позволила проанализировать нелинейные явления в широкой полосе частот.

Для анализа подавления собственных шумов в электронно-вакуумных усилителях учтено наличие флуктуаций электронов в пучке до входа в пространство взаимодействия. Эти флуктуации и приводят к образованию собственного или внутреннего шума в электронных усилителях. Здесь представлена аналитическая теория нелинейного взаимодействия, результатом анализа которого является так же, как и у транзисторного усилителя, подавление собственного шума. Для всех типов усилителей проведены экспериментальные исследования и показано, что везде имеет место разница в подавлении собственного шума и сигнала, приводящая к изменению коэффициента шума усилителя. Наличие разницы объясняется различными механизмами усиления собственного шума и сигнала. Исследована возможность образования комбинационного шума вне полосы усиления.

Далее в разделе проведён анализ нелинейного взаимодействия в усилителях многочастотных и шумовых сигналов, создаваемых внешними источниками естественного или искусственного происхождения. В отличие от собственных, шумы внешних источников имеют такой же механизм усиления, что и сигналы. Поэтому в нелинейном режиме изменение уровней сигнала и составляющих шума осуществляется в одинаковой степени. Однако наряду с изменением происходит и образование комбинационных составляющих второго, третьего и более высоких порядков, которое приводит к ухудшению выходного отношения сигнал/шум. В работе исследован вклад комбинационных спектров различного вида в общую шумовую картину. Установлено, что наибольшее влияние оказывают составляющие третьего порядка вила 2юп-С0к (соп - частота помехи, СО^ - составляющая из спектра шума). При рассмотрении взаимодействия в полосе частот проанализированы зависимости входной мощности монохроматической помехи от её частоты для постоянной величины выходного уровня основных и комбинационных составляющих шума, приходящихся на частоту сигнала. Такого рода характеристики, определяющие частотную избирательность по известным нелинейным эффектам, используют при решении задач ЭМС.

В этой главе исследована модель взаимодействия шумовой помехи с ограниченным спектром и полезным сигналом. При этом считалось, что спектры сигнала и помехи не перекрываются. Приведенные энергетические соотношения позволяют проанализировать амплитудные искажения сигнала. Представленные экспериментальные результаты подтверждают расчетные данные.

В четвертом разделе на основе нелинейной шумовой модели ТРУ, предложенной в главе 1, и разработанного в главе 3 метода анализа, рассмотрены вопросы обеспечения оптимального сочетания односигнальных и многосигнальных характеристик, позволяющего использовать потенциальные возможности усилителя в насыщенной электромагнитными помехами обстановке. Речь идёт об отыскании путей управления характеристиками МШУ в меняющейся ЭМО. Проведены теоретические исследования зависимостей коэффициента усиления, выходной мощности собственных шумов, динамического диапазона по блокированию (ДДБ) и ДКШ усилителя от смещающих напряжений на стоке и затворе транзистора, которые характеризуют режим работы ТРУ. Совместный анализ расчётных кривых позволяет определить для каждого уровня помехи такие значения напряжений смещения, при которых достигается максимальное для данных условий отношение сигнал/шум. Экспериментальные результаты, приведённые в разделе, подтверждают эффективность предлагаемых способов оптимизации характеристик в соответствии с выбранным критерием качества путём изменения электрического режима работы ТРУ

При адаптации режимов работы транзистора к заданной ЭМО ширина рабочей полосы пропускания усилителя практически не изменялась даже при сдвиге рабочей точки на крутой участок выходной характеристики транзистора. Поэтому был сделан вывод о сохранении частотных характеристик при изменении напряжений стока и затвора в заданном диапазоне значений.

Проведен анализ режимов, позволяющих снизить эффекты блокирования и перекрёстных искажений усилителя интенсивной помехой. Установленная в первой главе связь между блокированием и перекрестными искажениями позволяет использовать при исследовании этих явлений два квазигармонических сигнала - полезный сигнал малого уровня и мешающий сигнал большого уровня на разных частотах. Следить же необходимо за изменением модуля составляющей выходного напряжения на частоте полезного сигнала для анализа явлений блокирования и амплитудных перекрестных искажений, и аргумента - для анализа амплитудно-фазовой конверсии.

Показано, что увеличение напряжения на стоке в допустимом диапазоне изменения его значений и с изменением напряжения смещения на затворе в сторону порогового его значения, расширяется динамический диапазон по блокированию при незначительном уменьшении коэффициента усиления.

Эти же изменения напряжений приводят к незначительному увеличению динамического диапазона по АФК и к уменьшению колебаний фазы полезного сигнала.

Изменение напряжения на коллекторе биполярного транзистора практически не влияет на динамический диапазон по блокированию усилительного каскада; верхнюю границу динамического диапазона можно расширять, изменяя напряжение на базе. Этот факт имеет важное практическое значение - при адаптивном управлении достаточно регулировать только напряжение на базе; кроме того, ЭМС характеристики усилителя не будут меняться при колебаниях напряжения на коллекторе.

Проведены исследования влияния режима работы транзисторов на коэффициент интермодуляции третьего порядка. Показано, что при использовании координаты "intercept point" для сравнения усилителей в различных режимах работы, необходимо использовать её векторную величину.

В работе исследованы нелинейные явления в диодных и транзисторных смесителях при различных режимах работы. Схема замещения полупроводникового диода представлялась в виде последовательного соединения омического сопротивления и параллельно включенных нелинейного источника тока, управляемого напряжением, и емкости р-п-перехода. Для анализа работы диода в СВЧ диапазоне эквивалентная схема дополнена последовательным подключением индуктивности, характеризующей индуктивности выводов.

Значения параметров, участвующих в описании статических режимов работы диода, найдены на основе вольт-амперных характеристик, а динамических режимов работы - вольт-фарадных или иммитансных характеристик диода. Реальная и мнимая составляющие иммитанса определялись из анализа по переменному току линеаризованной для заданного режима по постоянному току эквивалентной схемы диода. SPICE-параметры моделируемого диода были найдены на основе экспериментальных (справочных) вольт-амперных и иммитансных характеристик с помощью метода оптимизации наименьших квадратов. Был также предложен и другой способ определения значений параметров модели диода - по нескольким экспериментальным значениям постоянного тока через диод и емкости диода при соответствующих напряжениях смещения диода на основе решения численными методами систем неявных нелинейных уравнений, непосредственно описывающих модель диода.

Нелинейные свойства транзисторного смесителя зависят только от нелинейности характеристик транзистора, поэтому для упрощения задачи анализировалась модель транзистора, нагруженного на активное сопротивление, приблизительно равное выходному сопротивлению транзистора. Для анализа нелинейных явлений в отдельном смесителе на один из выводов исследуемой модели непосредственно подключались квазимонохроматические сигналы, играющие роль полезного сигнала и помех, на другой из выводов - сигнал гетеродина. Явления блокирования устройства и перекрестных искажений сигнала, как уже отмечалось, имеют общую физическую природу, и поэтому рассмотрены амплитудные перекрестные искажения и интермодуляция 3-го порядка. Найдены оптимальные режимы и уровни гетеродина для заданного уровня помехи, обеспечивающие минимальные искажения сигнала. Описан проведенный эксперимент по определению изменения коэффициента интермодуляции 3-го порядка относительно номинального режима. Результаты расчета и эксперимента хорошо согласуются.

Проведено исследование характеристик ЭМС входного модуля приемника на полевых транзисторах, представляющего собой последовательное соединение двух каскадов - усилителя и смесителя, выполненных по схеме с общим истоком. На основе предложенной методики найдены режимы транзисторов по постоянному току, при которых обеспечивались заданные значения коэффициентов передачи и интермодуляции 3-го порядка. Значения уровней составляющих полезного сигнала и интермодуляции при различных управляющих напряжениях, найдены с помощью программы моделирования, и использованы для построения поверхностей коэффициентов передачи и интермодуляции с применением двумерной кубической сплайн-интерполяции. В результате были получены области управляющих транзисторами напряжений, оптимальных с точки зрения ЭМС.

Проанализировано изменение эффекта интермодуляции при изменении структуры схемы. Например, структура смесителя, выполненная по схеме с общим истоком, оказывается предпочтительнее для практического использования. Разработанная методика позволяет определять не только оптимальные режимы структур, но и сравнивать сами структуры.

Проведенные теоретические и экспериментальные исследования с целью нахождения оптимальных режимов работы полупроводниковых СВЧ приборов в условиях действия интенсивных помех, позволил предположить возможность построения адаптивного входного модуля радиоприемного устройства, у которого выбор режима должен осуществляться автоматически, в зависимости от электромагнитной обстановки. Было показано, что снижение воздействия помех на входной модуль с помощью аттенюатора, установленного на входе приемника, менее эффективно по сравнению с изменением режимов самого модуля. Приведен пример конкретного адаптивного модуля, один из блоков которого представлял собой последовательную усилительно-преобразовательную структуру, а другой блок реализовывал адаптивное управление. Кроме структурной схемы устройства, рассмотрен один из вариантов алгоритма, осуществляющий управление данной структурой на основе адаптивного переключения режимов работы активных элементов модуля.

Пятая глава диссертационной работы посвящена построению автоматизированного измерительного комплекса для измерения полного набора параметров ЭМС МШУ. Необходимость проделанной работы объясняется тем, что для эффективного использования входных малошумящих усилителей СВЧ диапазона в помеховой обстановке необходимо знание большого числа их параметров. Сюда входят как основные параметры (коэффициент усиления и коэффициент шума), так и параметры электромагнитной совместимости. В настоящее время параметры электромагнитной совместимости малошумящих усилителей и методы их измерений стандартизованы и подлежат обязательному контролю. Эти параметры являются многосигнальными и методики их измерения отличаются сложностью и связаны с большими затратами времени. Алгоритм измерения, в том числе управление внешними устройствами, съем и обработка данных с выхода приемника, реализованы программно с помощью IBM PC -совместимого компьютера (не ниже 486), в состав которой входят модули ЦАП и АЦП. Комплекс состоит из приемника ИП-5 с управляемым от ЭВМ блоком модуляторов и управляемого СВЧ тракта, разработанного в НПО "Исток". Блок СВЧ - тракта изготовлен по современной технологии в микрополосковом исполнении с разъемами для подключения устройств. Он содержит управляемые пинаттенюаторы, предназначенные для изменения мощности сигналов и помех, и пинмодуляторы, модулирующие выходной сигнал испытываемого усилителя. Пинмодуляторы управляются сигналами, вырабатываемыми системой программного управления приемника. Для измерения того или иного параметра МШУ требуется определенное сочетание управляющих сигналов, подаваемых на элементы СВЧ - тракта. Это сочетание обеспечивается программой, реализующей алгоритм измерения. Измерительная информация может быть передана на ЭВМ с целью запоминания или для дальнейшей обработки и представления результатов. Отметим, что один из каналов ЦАП используется для выработки дополнительного аналогового сигнала, который подается на систему питания исследуемого усилителя для выполнения программы оптимизации режима по заданному критерию. Данная возможность расширяет область применения измерителя.

Особенностью данной измерительной установки в сочетании с методикой измерений является высокая скорость и точность измерений. При создании комплекса были использованы модули АЦП и ЦАП отечественной фирмы L-Card, работающие в составе IBM PC. Разработанная программа позволяет производить измерение всех необходимых параметров МШУ в автоматическом режиме и отображать результаты в удобной форме. Модуль канала общего пользования (КОП) обеспечивает связь с панорамным измерителем, с помощью которого проводятся измерения побочных каналов приемника. Эти характеристики являются составной частью характеристик частотной избирательности. Приведены примеры вывода результатов измерений.

В заключении сформулированы основные выводы и результаты.

Апробация работы.

Основные материалы по всем разделам диссертации докладывались на следующих симпозиумах, конференциях и совещаниях:

VIII, XI, X Всесоюзной межвузовской конференции по электронике СВЧ (Ростов-на-Дону, 1976; Киев, 1979; Минск, 1983);

Научно-технической конференции "Электромагнитная совместимость и устройства СВЧ" (Киев, 1977);

Всесоюзных научно-технических совещаниях "Проблемы электромагнитной совместимости радиоэлектронных средств различного назначения" (Москва, 1979; Таганрог, 1982);

Всесоюзных научных сессиях, посвященных Дню радио (Москва, 1976, 1979);

Всесоюзной научно-технической конференции "Проблемы космической связи" (Москва 1979);

Семинаре НТШ "Нелинейные эффекты в радиоприемных и усилительных устройствах" (Москва, 1979); втором Всесоюзном симпозиуме "Нелинейные искажения в приемно-усилительных устройствах" (Минск, 1980);

Всесоюзных научно-технических конференциях "Развитие и внерение новой техники радиоприемных устройств" (Горький, 1981, 1985, 1989);

Всесоюзном научно-технтческом совещании "Проблемы электромагнитной совместимости радиоэлектронных средств" (Москва, 1982)

Всесоюзных научно-технических конференциях "Метрология в радиоэлектронике" (Менделеево, Моск.обл., 1984,1985);

Научно-технической конференции "Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств в подвижных службах" (Даугавпилс. 1985);

Всесоюзном научно-техническом симпозиуме "Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств" (Харьков, 1986);

Республиканской научно-технической конференции "Методы и средства измерений в области электромагнитной совместимости" (Винница, 1987,1991);

Всеросийской научно-технтческой конференции "Актуальные проблемы твердотельной электроники" (Таганрог, 1995, 1996, 1997, 1999, 2000);

Международной научно-технической конференции "Антенно-фидерные устройства,системы и средства связи" (Воронеж, 1996);

Международном симпозиуме по электромагнитной совместимости и электромагнитной экологии (Санкт-Петербург, 1993, 1995, 1997, 2000);

Всероссийской научно-технической конференции "Электроника и информатика" (Зелиноград, 1997);

Научно-технической конференции "Радиолокация, навигация и связь" (Воронеж, 1997, 1998, 1999, 2000).

Материалы диссертации обсуждались на тематических заседаниях семинаров научно-технических школ " Электроманитная совместимость в радиоэлектронике" и "Усилительные устройства", на совещаниях и заседаниях секции КНТС в отраслевых НИИ (п/я А-1067, Р-6028, Х-5806, В-2194, в/ч 67947, в/ч 33872, в/ч 60130) на совещаниях и семинарах по

49 комплексной целевой программе "Черешня-РВО" и др. Результаты работы отражены в 15 отчетах по НИР.

Пу бликации. Основные результаты работы изложены в 98 публикациях и в специальных изданиях: 28 статьях и 45 работах, опубликованных в материалах конференций.

В статьях и докладах, написанных в соавторстве, соискателю принадлежат постановка задач, выбор методов их решения, ряд аналитических результатов, физическая интерпретация результатов, разработка алгоритмов и обоснование методов эксперимента, результаты экспериментов.

Структура и объём диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения, библиографического списка и приложения. Общий объём диссертации составляет 402 страницы, включая 75 рисунков на 43 страницах, библиографического списка из 316 наименований на 26 страницах, и двух приложений на 11 страницах.

6 ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Таким образом, в работе проведен комплекс теоретических и экспериментальных исследований, направленных на улучшение характеристик электромагнитной совместимости входных трактов приемных устройств СВЧ диапазона.

1. Определено влияние геометрических и электрофизических параметров структур полевых однозатворных и двухзатворных транзисторов на границу их линейности. Показано, что оптимизация набора конструктивных (геометрических и электрофизических) параметров позволяет получить транзистор с более высоким значением верхней границы динамического диапазона. Разработаны пакеты программ расчета линейных и нелинейных параметров эквивалентной схемы на основе конструктивных данных, а также расчета характеристик электромагнитной совместимости усилителей на полевых транзисторах. Разработана методика анализа и расчета характеристик ЭМС НЕМТ-транзизторов. Методика учитывает зависимость нелинейных элементов эквивалентной схемы от двух напряжений затвора и стока одновременно.

2. Для возможности анализа и расчета характеристик блокирования, перекрестных амплитудных и фазовых искажений, интермодуляции и других характеристик электромагнитной совместимости адаптированы программные продукты схемотехнического проектирования Spice. В работе показана методика применения пакета программ DesignLab для моделирования, анализа, расчета и оптимизации характеристик ЭМС входных малошумящих усилителей и преобразователей СВЧ диапазона.

3. Проведено моделирование входных СВЧ усилителей с учетом формирования внутренних шумов. Разработана методика исследования нелинейного взаимодействия собственных и внешних шумов в усилителе с интенсивной помехой. Показан механизм подавления полезного сигнала, собственных и внешних шумов СВЧ усилителя интенсивной монохроматической помехой и шумовой помехой с ограниченным спектром. Проведены детальные теоретические и экспериментальные исследования нелинейного взаимодействия помехи, сигнала и шума во всех типах входных усилителей СВЧ диапазона. В результате проведенных исследований разработана методика расчета двухсигнального коэффициента шума, а также уточнено понятие блокирования усилителя. В виду того, что разработанные методы теоретического и экспериментального анализа МШУ рассчитаны на исследование характеристик ЭМС в широкой полосе частот, удалось обнаружить, объяснить и провести оценку уровня внеполосного шумового излучения в присутствии помехи и выработать рекомендации по выбору центральной частоты основного канала приёма в усилителе. 4. Всесторонние исследования по оптимизации режимов работы активных элементов всех типов усилителей, позволили определить пути реализации принципов их адаптации к соответствующей электромагнитной обстановке. В качестве целевой функции при выборе режима работы, использована зависимость максимального отношения сигнал/шум на выходе усилителя для заданного уровня помехи на его входе. Для каждого типа усилителя экспериментально получены характеристики управления режимом работы, закладываемые в алгоритм адаптации. Разработаны методы и общие принципы построения алгоритмов адаптации путем управления режимом работы МШУ. Наряду с входными усилителями в работе проведены исследования по оптимизации характеристик ЭМС преобразователей СВЧ диапазона. Полученные результаты совместной оптимизации режимов работы усилителя и преобразователя найдут применение при разработке усилительно-преобразовательных трактов, выполненных в виде цельных модулей, состоящих из усилителя, смесителя и каскадов усиления по первой промежуточной частоте. Такие модули смогут функционировать в электромагнитной обстановке, значение мощности помех которой, выше на 8 -12 дБ.

5. Разработаны автоматизированные методы измерения и контроля полного набора характеристик электромагнитной совместимости, включая побочные каналы приема, в диапазоне изменения уровней мощности помехи, порядка 70 - 80 дБ. Разработанный совместно с ГНПП "Исток" автоматизированный измерительно-вычислительный комплекс внедрен на предприятиях МЭП для обеспечения и контроля характеристик ЭМС МШУ в соответствии с ГОСТ 29180-91.

Итогом диссертационной работы явилось решение достаточно крупной научной проблемы радиофизики и электроники СВЧ, связанной с разработкой методов комплексного теоретического и экспериментального исследования входных трактов приемных систем, с точки зрения электромагнитной совместимости, и проведением самих исследований. Выполнение основной цели потребовало решения сопутствующих задач, имеющих самостоятельное значение. Материалы диссертации активно используются в учебном и научном процессе кафедры электроники ВГУ, где и выполнена данная диссертация. Она явилась обобщением работ автора, выполненных в период с 1980 по 2000 гг. Основные материалы диссертации, посвященные исследованию твердотельных усилителей, относятся к периоду 1995 - 2000 гг.

В заключении хочу выразить глубокую благодарность научному коллективу сотрудников кафедры электроники, с которым мне посчастливилось работать все эти годы. Благодарю Алгазинова Э.К., Нестеренко Ю.Н., Мымрикову H.H., Аверину Л.И., Дыбоя A.B., Иркутского O.A., Лопатина А.И., Кравца М.А. за постоянное участие в проведении научных исследований кафедры в области электромагнитной совместимости МШУ, частью которых явилась данная диссертация.

Выражаю глубокую признательность сотрудникам ГНПП "Исток"

365

Обрезану О.И., Мноян В.И., Лебедевой Т.Я., Нартовой Н.И., - за поддержку научных исследований и предоставление образцов электронно-вакуумных и транзисторных усилителей, а при необходимости, и экспериментальную базу отдела 400; сотрудникам НПК-5 - Швецову Б.Н., Бажанову A.C.,- за постоянное участие в разработке АИВК и его внедрении.

Благодарю Луговского В.В., сотрудника НПО "Сатурн", за предоставленный конструктив усилителя на полевых транзисторах, для проверки адаптационных возможностей усилителя.

Благодарю Серова В.М., сотрудника НПО "Салют", за предоставленные образцы усилителей на биполярных транзисторах .

Нестеренко Ю.Н. и Дыбоя A.B. благодарю также за помощь, оказанную при оформлении диссертации.

1. Владимиров В.И., Докторов А.Я., Елизаров Ф.В. и др. Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств и систем/ Под ред.Н.М.Царькова.- М.: Радио и связь, 1985. 272с.

2. Петровский В.К, Седельников Ю.Е. ЭМС радиоэлектронных средств.-М.: Радио и связь, 1986. 216с.

3. Бабанов Ю.Н., Силин A.B. Проблема взаимных помех при совместной работе радиосистем. Учебн.пособие.- ГГУ,1975.

4. Higashisaka A., Mizuda Т. 20-Ghz Band monolithic GaAs FET low-noise amplifier// IEEE Trans.- 1981. v.MTT-29, N 1. - P. 1-6.

5. Watkins E. Т., Schellenberg J.M., Hockett L.H. A 60ghz GaAs FET Amplifier// MTT-S Digest 1982. - P. 145-147.

6. Ohata K., Itoh H. 6 to 18 Ghz GaAs FET amplifier with 3 dB noise figure// Microwave J. 1988. - 31, N1. - P. 172-174.

7. Егудин А.Б., Еленский В.Г., ЧкаловаО.В. СВЧ полевые транзисторы с двумя затворами (полевые тетроды)// Зарубежная электроника.-1982. №6.-С.80-94.

8. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия: Пер. с англ.-М.: Мир, 1991.- 632 с.

9. ГОСТ 29180-91. Совместимость технических средств электромагнитнаяю Приборы СВЧ. Усилители малошумящие. Параметры и характеристики. Методы измерений.

10. Князев А.Д. Элементы теории и практики обеспечения электромагнитной совместимости радиоэлектронных средств. М.: Радио и связь, 1984. -336с.

11. Богданович Б.М. Радиоприёмные устройства с большим динамическим диапазоном.- М.: Радио и связь, 1984.- 176с.

12. Калашников Н.И. Основы расчёта электромагнитной совместимости систем связи через ИСЗ. М.: Связь, 1970. -160с.

13. Челышев В.Д. Приёмные радиоцентры: Основы теории и расчёта высокочастотных трактов.- М.: Связь, 1975.- 264с.

14. Грибов Э.Б. Нелинейные явления в приёмопередающем тракте аппаратуры связи на транзисторах.- М.: Связь, 1971. 264с.

15. Палшков В. В. Оптимальные высокочастотные тракты радиоприёмников.-М.: Радио и связь, 1981. 144с.

16. Голубев В.И. Оптимизация главного тракта приёма радиоприёмного устройства.- М.: Радио и связь, 1982.- 144с.

17. Бокк О.Ф., Грибов Э.Б., Чернолихова В.П. Динамический диапазон транзисторных каскадов радиоприёмных устройств/УРадиотехника.- 1974.-т.29, N 6.- С.65-70.

18. Бокк О.Ф., Грибов Э.Б., Чернолихова В.П. Динамический диапазон транзисторных каскадов радиоприёмных устройств/УРадиотехника.- 1974.-т.29, N 11.- С.70-77.

19. Бокк О.Ф. Предельные возможности линеаризации усилителей радиочас-тоты//Радиотехника. 1976. - t.31,N6. - С.67-72.

20. Борисов В.И. Оценка избирательности современных приёмных устройств при одном мешающем сигнале на входе// Радиотехника.- 1981.- т.36, N 5,-С.85-90.

21. Алгазинов Э.К., Мноян В.И. Входные усилители СВЧ в свете требований электромагнитной совместимости// Радиотехника.- 1985.- N 8.- С.3-13.

22. Отраслевой стандарт РМ 11.332.517-83.- М.: Базовый отдел стандартизации, 1983.- 39с.

23. ГОСТ 23611-79. Совместимость радиоэлектронных средств электромагнитная. Термины и определения.

24. Хотунцев ЮЛ. Интермодуляционные искажения в приёмных и передающих СВЧ полупроводниковых устройствах// Известия ВУЗов. Радиоэлектроника. 1983. - 26, N10. - С.28-38.

25. Хотунцев ЮЛ. Моделирование нелинейных задач полупроводниковой электроники СВЧ// Известия ВУЗов. Радиоэлектроника.- 1986.- 29, N 10.-С.20-27.

26. Дмитриев В.Д., Брунее А.И., Коротаев В.М. Анализ и расчёт СВЧ усилителей на ПТШ по нелинейным критериям// Известия ВУЗов. Радиоэлектроника.-1988.-31,N7.-С.68-71.

27. Rhyne G. W., Steer M.B. Simulation of intermodulation distortion in MESFET circuits with arbitrary frequency séparation of tones// IEEE MTT-S Int.Microwave Symp. Digest, N.Y.- 1986.- P.547-550.rd

28. Gilmore R.J., Kiehne R., Rosenbaum F.J. Circuit design to reduce 3 order intermodulation distortion in FET amplifiers// IEEE MTT-S Int.Microwave Symp. Digest, N.Y.- 1985.- P.413-416.

29. Curtice W.R. Nonlinear analysis of GaAs MESFET amplifiers, mixers and distributed amplifiers using the harmonic balance technique// IEEE Trans. Microwave Theory and Tech.- 1987,- v.35, N 4.- P.441-447.

30. Crosmun A.M., Maas S.A. Minimization of intermodulation distortion in GaAs MESFET small-signal amplifiers// IEEE Trans. Microwave Theory and Tech.-1989.-v.37, N9.-P.1411-1417.

31. Голубев B.H. Эффективная избирательность радиоприёмных устройств.-М.: Связь, 1978.- 144с.

32. Шварц Н.З. Усилители СВЧ на полевых транзисторах.- М.: Радио и связь, 1987.- 200с.

33. Кукарин С.В. Электронные СВЧ приборы.- М.: Радио и связь, 1981.- 272с.

34. Уайт Д. Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств и непреднамеренные помехи: Пер. с англ./ Под ред. А.И.Сапгира. Комментарии А.Д.Князева.- М.: Сов. радио, 1977.- 348с.

35. Шварц Н.З. Линейные транзисторные усилители СВЧ.- М.: Сов.радио, 1980.-368с.

36. Ghione G., Naldi С., Petterpaul Е. Physical and equivalent circuit models for GaAs MESFETs: Proc. 5th Annu. ESPRIT Conf., Brussels.- 1988, November.-P.52-69.

37. Копаенко В.К., Романюк В.А. Эквивалентная схема ПТШ для расчёта нелинейных СВЧ-устройств// Известия ВУЗов. Радиоэлектроника.- 1987.30, N 1.- С.47-50.

38. Sango М., Pitzalis О., Lerner L. A GaAs MESFET large-signal circuit model for nonlinear analysis// IEEE MTT Int.Microwave Symp. Digest, N.Y.- 1988.-P. 1046-1053.

39. Pucel R., Haus H., Statz H. Signal and Noise Properties of GaAs Microwave Field-effect Transistors// Advances in Electronics and Electron Physics.- 1975.-v.38.- P.195-265.

40. Фролов A.B. Обобщённая модель СВЧ-транзистора с барьером Шотки.- В кн.: Нелинейные проблемы полупроводниковой электроники СВЧ. Меж-вуз.сб.научных трудов.- М.: МГПИ, 1986.- С.55-73.

41. Sugeta Т., Ida М., Uchida М. Microwave Performance of GaAs-Schottky Barrier Gate FETs// Rev.Elect.Commun. Labor.- 1975.- v.23, N11-12,- P.l 1821192.

42. Kondoh H. An accurate FET Modelling from measured S-parameters// IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Digest, New York.- 1986.- P.377-380.

43. Смыслов F.M. Программа обработки измеренных параметров рассеяния и вторичных шумовых параметров СВЧ-транзистора на мини-ЭВМ// Электронная техника, Электроника СВЧ.- 1985.- N11.- С.74-75.

44. Ferrero A., Pisani U. A computer aided procedure for experimental characterization and small-signal modeling of MESFETs// Eur. Trans. Telecommun. and Relat. Technol.- 1990,- N 4,- P.477-486.

45. Trew R.J. MESFET models for microwave computer-aided design// Microwave J.- 1990.-N5.- P.l 15-130.

46. Gupta M., Pitzalis O. Microwave noise characterization of GaAs MESFETs by on wafes measurement of the output noise current// IEEE MTT Int.Microwave Symp. Digest, N.Y.- 1987,- P.513-516.

47. Букингем M. Шумы в электронных приборах и системах. Пер.с англ.- М.: Мир, 1986,- 399с.

48. Gupta М., Greiling P. Microwave noise characterization of GaAs MESFETs: Determination of extrinsic noise parameters// IEEE Trans. Microwave Theory and Techn.- 1988.- N 4.- P.745-751.

49. Pitzalis O. Demystify noise circuit modeling and analysis// Microwave and RF.- 1990.- N11.- P.91-98.

50. Демиховский В.Я., Дутышев В.H., Павлов Т.П., Сатанин A.M. Численное моделирование шумовых процессов в ПТШ// Микроэлектроника.- 1989.18, N 14.- С.372-374.

51. Петров Г.В., Толстой А.И. Основные направления в моделировании субмикронных полевых транзисторов с затвором Шоттки// Известия ВУЗов. Радиоэлектроника.- 1986.- 29, N10.- С.28-42.

52. Пашковский А.Б., Тагер А. С. Диффузионный шум в полевых транзисторах с субмикронным затвором// Известия ВУЗов. Радиофизика.- 1987.- 30, N 9.- С.1150-1157.

53. Feng Y., Hintz A. Simulation of submicrometer GaAs MESFETs using a full dynamic transport model// IEEE Trans. Electron Devices.- 1988.- 35, N 9.-P.1419-1431.

54. Гарбер Г.З. Исследование эквивалентной схемы СВЧ полевого транзистора с субмикронным затвором Шоттки на GaAs// Микроэлектроника. -1989.- 18, N 2.- С.99-105.

55. Law C.L., Aitchison C.S. Prediction of wideband power performance of MESFET devices using the Volterra series representation// IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Digest, New York.- 1986.- P.487-489.

56. Rhyne G. W., Steer M.B. Generalized power series analysis of intermodulation distortion in a MESFET amplifier: simulation and experiment// IEEE Trans. Microwave Theory and Techn.-1987.-35, N12.- P.1248-1255.

57. Lambrianou G., Aitchison C.S. Power characterisation of a MESFET amplifier using small-signal measurements and Volterra Series// Int. Microwave Symp. Digest, N.Y.- 1985,- P.409-412.

58. Krozer V., Hartnagel H. Intermodulation distortion analysis of cascaded MESFET amplifiers using Volterra series representation// Int. J. Electron.-1985.- 58, N4.- P.693-708.

59. Gilmore R.J., Rosenbaum F.J. Modelling of nonlinear distortion in GaAs MESFETs// IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Digest, N.Y.- 1984.- P.430-431.

60. Rhyne G. W., Steer M.B., Bates B.D. Analysis of nonlinear circuits driven by multi-tone signals using generalized power series// IEEE Int. Symp. Circuits System Digest.- 1987.- P.903-906.

61. Materka A., Kacprzak T. Computer calculation of large-signal GaAs FET amplifier characteristics// IEEE Trans. Microwave Theory and Techn.-1985.-N2.- P.129-135.

62. Epstein B.R., Perlow S., Rhodes D. Large-signal MESFET characterization using harmonic balance// IEEE Int. Microwave Symp. Digest, N.Y.- 1988.-P.1045-1048.

63. Maas S., Neilson D. Modeling GaAs MESFETs for inter modulation analysis// Microwave J.-1991.- N5.-P.295-300.

64. Steer M.B., Khan P.J., Tucker R.S. Relationship of Volterra series and generalized power series// Proc. IEEE.- 1983.- N 12.- P.1453-1454.

65. Maas S.A. Analysis and optimization of nonlinear microwave circuits by Volterra series analysis// Microwave J.- 1990.- N 4.- P.245-251.

66. Богданович Б.M. Нелинейные искажения в приёмно-усилительных устройствах.- М.: Связь, 1980,- 280с.

67. Бокк О.Ф. Коэффициент шума транзисторного каскада при воздействии большого сигнала// Радиотехника.- 1980.- т.35, N 5.- С.12-16.

68. Ли За Сон. Влияние коэффициента усиления и параметров нелинейности каскадов на интермодуляционную избирательность радиоприёмного устройства// Радиотехника и электроника.- 1983.- т.28, N 1.- С. 107.

69. Борисов Б.И. К вопросу частотной избирательности связных приёмных устройств.- В кн.: Проблемы электромагнитной совместимости радиоэлектронных средств различного назначения. Всесоюзное научно-техническое совещание.- М.: Радио и связь, 1978.- С.37.

70. Rohde U.L. Communications receivers for the year 2000. Part 1. Ham Radio Mag., 1981, v. 14, N 11, p. 12-29.

71. Rohde U.L. Communications receivers for the year 2000. Part 2. Ham Radio Mag, 1981, v. 14, N 12, p. 36 - 44.

72. Norton D.E. High dynamic range transistor amplifiers using lossless feedback. Microwawe J, 1976, May, p. 53 - 56.

73. Исакович H.H. Структурная модель усилительных и параметрических трактов радиоприемных устройств// Радиотехника. 1999. - №1. - С.30-33.

74. Богданович Б.М. Принцип инвариантности и борьба с нелинейными поражениями сигнала в приемно-усилительных трактах// Радиотехника. -1991. -№ 12.-С.43 -47.

75. Малевич И.Ю. Линеаризация характеристик усилительных трактов// Радиотехника. 1995. - №1-2. - С.27-29.

76. Богданович Б.М., Черкас Л.А. Структурные методы повышения линейности радиотрактов на основе теории чувствительности// Радиотехника. -1985. -№10. -С. 20-24.

77. А. с. № 684746 (СССР), МКИ H 04 В 1/10. Компенсатор интермодуляционной помехи. /Авт. Тихонов А.И. Заявл. 8.01.76, № 2311979.

78. Пат. 4628278 (США), МКИ H 03 F 1/32. Усилитель с малыми искажениями четными гармониками. 1987.

79. Лабутин В.К. О применении адаптивных регулировок в радиопремных устройствах//Вопросы радиоэлектроники. Сер. 12:ОТ, вып.32.-1966, С. 318

80. А.с. № 1739828 (СССР), МКИ H 04 В 1/10. Устройство компенсации интермодуляционных помех. / ВГУ; Авт. Сбитнев Ю.П., Захаров В.И. Заявл. 9.11.89, №475133.

81. А.с. № 1729262 (СССР), МКИ H 04 В 1/10. Устройство компенсации интермодуляционных помех. / ВГУ; Авт. Сбитнев Ю.П, Захаров В.И. Заявл. 9.11.89, №2311979.

82. Мымрикова Н.Н., Сбитнев Ю.П. Оптимальная структура многокаскадных усилителей для компенсации искажений сигнала// Международный симпозиум по электромагнитной совместимости. Санкт-Петербург, 1993. -С. 451-454.

83. Заявка №1265725 (Япония). 2Г125П. Радиоприемник//РЖ Радиотехника. -1993.-№2.

84. Адаптивная идентификация и подавление эффекта амплитудно-фазовой конверсии в радиоприемном тракте// Минск: Радиотехника, 1992. № 21. -С. 69 - 72.85. 10Г43П// РЖ Радиотехника. 1994. - № 10.86. 7Г124П// РЖ Радиотехника. 1990. - № 7.

85. Стратонович Г.П. Принципы адаптивного приема. М.: Сов. радио, 1973.- 143с.

86. Шаров А.Н., Семисошенко М.А. Синтез адаптивного алгоритма оценивания характеристик радиопомех// Радиотехника. 1986. - №9. - С.54-57.

87. Розов В.М., Держаны Х.И. Эффективность экстраполяции в усилителях с автоматическим регулированием режима// Радиотехника. 1990. - №7. -С.18-21.

88. Левынзон Ф.А., Герценштейн М.Е. Повышение динамического диапазона измерения сигнала в системах адаптивной компенсации помех// Радиотехника. 1985. - № 11. - С. 89-91.

89. Доронин В.В., Созинов П.А. Задача адаптивного управления параметрами PJIC программного обзора в условиях радиоэлектронного подавления// Радиотехника. 1997. - №5. - Вып.22. Радиосистемы. - С.91-93.

90. Скачков В.В. Анализ эффективности адаптивной обработки сигналов в условиях дестабилизирующих воздействий// Радиотехника. 1998. - №11.- С.10-14.

91. Лукъянчук А.Г., Афонин И.Л., Савицкий И.В. Повышение помехоустойчивости системы спутниковой связи методом адаптивного приема// Известия ВУЗов. Радиоэлектроника. 1997. - т.40, №8. - С.66-69.

92. Асович ПЛ., Иванов В.А., Соловьев A.A. Использование адаптивных предыскажений для повышения линейности многоканальных широкополосных усилителей// Радиотехника.

93. Жигалов И.Е. Автоматизированное функционально-схемотехническое моделирование нелинейных устройств// Известия ВУЗов. Радиоэлектроника. 1997. - т.40, №1. - С.23-32.

94. Влах И., Сингхал К. Машинные методы анализа и проектирования электронных схем: Пер. с англ./ Под ред. Туркина A.A. М.: Радио и связь, 1988. -560с.

95. Разевиг ВД. Применение программ P-CAD и PSpice для схемотехнического моделирования на ПЭВМ. Вып.З. Моделирование аналоговых устройств. М.: Радио и связь, 1992. - 111с.

96. Богданович Б.М., Шакирин А.И. Машинный анализ трактов передачи сигналов по критериям нелинейности. Радиотехника, 1978. - № 7. - С. 2938.

97. Жигалов НЕ. Автоматизированное гибридное проектирование нелинейных радиоустройств с использованием функциональных рядов// Радиотехника. 1997. - №12. - С.78.

98. Григорук A.A., Тимофеев В.И. Верификация нелинейных моделей электронных цепей СВЧ на классе Жестко-устойчивых численных методов// Известия ВУЗов. Радиоэлектроника. 1998. - т.41, №1 - С.41-51.

99. Jastrzebski А.К. Non-linear MESFET Modelling: 17th Eur.Microwave Conf., Rome: Conf.Proc.- Tunbeidge Wells.- 1987.- P.599-604.

100. Реклейтис P., Рейвиндран А., Рэгсдел К. Оптимизация в технике. M.: Мир, 1986.- 280с.

101. Князев А.Д., Пчелкин В.Ф. Проблемы обеспечения совместной работы радиоэлектронной аппаратуры. —- М.: Сов. радио, 1971. — 200с.

102. Буга H.H., Конторович В.Я., Носов В.И. Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств: Учебное пособие для вузов. — М.: Радио и связь, 1993. —240с.

103. Miller J.E. Investigation of GaAs MESFET Small-signal Equivalent circuits for use in a Cell Library: 19th Eur.Microwave Conf., London, 4-7 Sept.: Conf.Proc.- Tunbeidge Wells.- 1989.- P.991-996.

104. Platzker A., Tajima Y. Large-signal GaAs FET Amplifier CAD Program// IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Digest.- 1982,- P.450-452.

105. Willing A.H, Rausher C., Santis P. A Technique for Predicting Large-Signal Performance of a GaAs MESFET// Trans.IEEE.- 1978.- v.MTT-26, N 12.-P.1017-1023.

106. Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления: Пер. с англ./ Под ред. Д.В.Ди Лоренцо, Д.Д.Канделуола.- М.: Радио и связь, 1988.- 496с.

107. Ван дер Зил А. Шум. Источники. Описание. Измерение: Пер. с англ./ Под ред. А.К.Нарышкина.- М.: Сов.радио, 1973.- 225с.

108. Чу а Л.О., Пен-Мин Лин. Машинный анализ электронных схем: Пер. с англ./ Под ред. В.Н.Ильина М.: Энергия, 1980.- 640с.

109. Shockley W. A Unipolar Field-effect Transistor// Proc.IRE.- 1952,- v.40, N11.-P.1365-1376.

110. Sone J.,Takayama Y. A Small-signal Analytical Theory for GaAs Field-effect Transistors at large drain Voltages// IEEE Trans.- 1978.- v.ED-25, N 3.- P.329-337.

111. Ml. Аверина JI.И. Нелинейное взаимодействие многочастотных и шумовых сигналов в СВЧ усилителях на полевых транзисторах: Дис. канд. физ.-мат. наук. Воронеж, 1998. - 145с.

112. Дыбой А.В. Оптимизация электрофизических и геометрических параметров полевых транзисторов в нелинейном режиме работы малошумящих усилителей СВЧ диапазона: Дис. канд. физ.-мат. наук. Воронеж, 1998. -160с.

113. Разевиг В Д. Применение программ P-CAD и PSpice для схемотехнического моделирования на ПЭВМ. Вып.2. Модели компонентов аналоговых устройств. М.: Радио и связь, 1992. - 65с.

114. Statz К, Newman P., Smith I.W., Pucel R.A., Haus Н.А. GaAsFET device and circuit simulation in SPICE// IEEE transactions on electron devices. 1987. -ED-34. - P. 160- 169.

115. Балыко A.K., Ковтунов Д.А., Юсупова НИ., Козлов Г.П. Моделирование нелинейного источника тока по известным малосигнальным параметрам// Радиотехника и электроника. 1995. - т. 40. Вып.З - С. 512-515.

116. Манченко Л.В., Юсупова НИ., Козлов Т.Н., Балыко А.К. Моделирование источников тока в эквивалентной схеме полевого транзистора по результатам измерения вольт-амперной характеристики// Радиотехника и электроника. 1995. - т. 40. Вып.4 - С. 659-664.

117. Nandita DasGupta and Amitava DasGupta. A New SPICE MOSFET Level 3-Like Model of HEMT's for Circuit Simulation// IEEE transactions on electron devices. vol. 45, N7. - 1998. - P. 1494-1500.

118. Гринберг Г. С., Могилевская Л.Я., Хотунцев ЮЛ. Моделирование на ЭВМ нелинейных устройств на ПТШ// Радиотехника и электроника. 1995. - т. 40. Вып.З - С. 498-502.

119. Комплект прикладных программ для схемотехнического проектирования интегральных микросхем/ МГЦНТИ, 1991. Инф. листок № 272-91.

120. Antognetti P., Massobrio G. Semiconductor device modeling with SPICE. McGraw-Hill, Inc. New York, 1988. - 391 p.

121. Артеменков А.В. Формализованная модель полевого транзистора и комплекс программ автоматического расчета параметров// Изв. ВУЗов СССР. Радиоэлектроника. 1987. - т.ЗО, № 6. - С. 57-63.

122. Маничев В.Б. Новые алгоритмы для программ анализа радиоэлектронных схем// Известия ВУЗов. Радиоэлектроника. 1995. - т.38, №7. - С.53-59.

123. Чахмахсазян Е. А., Мозговой Г. П., Силин В. Д. Математическое моделирование и макромоделирование биполярных элементов электронных схем. М.: Радио и связь, 1985. - 144 с.

124. Иркутский О.А. Моделирование нелинейных процессов во входных каскадах радиоприемных устройств. Канд. Диссертация. Воронеж, ВГУД999 147с.

125. Getreu I. Modeling the bipolar transistor. Tektronix Laboratories, Oregon, USA, 1978, ISBN 0-444-41722-2 (vol. 1).

126. Орлов С.И. Анализ и синтез СВЧ транзисторного усилителя с общим эмиттером// Радиотехника и электроника. 1997. - т.42, №3. - С.328-333.

127. Орлов С.И. Об эквивалентной схеме СВЧ транзисторного усилителя с общей базой// Радиотехника и электроника. 1997. - т.42, №2. - С.204-209.

128. Родерик Э. X. Контакт металл-полупроводник. М.: Радио и связь, 1982. -208 с.

129. Robert В. Darling. IEEE Trans., 1989, v.MTT-37, №9.-P.618-623

130. Фролов А.В. Обобщенная модель СВЧ-транзистора с барьером Шотки. В кн.: Нелинейные проблемы полупроводниковой электроники СВЧ. Меж-вуз. сб. научных трудов. - М.: МГПИ, 1986.-С.53-57.

131. Пожела Ю. К. Физика быстродействующих транзисторов: Монография.-Вильнюс: Моноклас, 1989.- 264 с.

132. Loret D. Two dimensional numerical model for the High Electron Mobility Transistor. - Solid- State Electronics, 1987, v. 30, № 11, pp. 1197 - 1203.

133. Shawki Т., Salmer G. and El-Sayed O. MODFET 2-D Hydrodynamic Energy Modeling: Optimization of Subquarter-Micron-Gate Structures. IEEE Trans, on Electron Devices, 1990, v. 37, №1, pp. 21-29.

134. Abdel Aziz M.,El-Sayed M.,El-Banna M. An analytical model for small signal parameters in HEMTs including the effect of source/drain extrinsic resistances.- Solid- State Electronics, 1999, v. 43, p. 891 900.

135. Crosmun A. M., Maas S. A. Minimization of Intermodulation distortion in GaAs MESFET small-signal amplifiers. IEEE Trans, on MTT, 1989, v. 37, № 9, pp. 1411-1417.

136. Rhyne G. W. And Steer M. B. Generalized power series analysis of intermodulation distortionin a MESFET amplifier: simulation and experiment. IEEE Trans, on MTT, 1987, v.35, № 12, pp. 1248 - 1255.

137. MeyerJE. RSA Rev. 1971, v. 32, p. 42.

138. Микроэлектронные устройства СВЧ / Под ред. Г.И.Весе-лова. М.: Высшая школа, 1988.- 280с.

139. Фано Р. Теоретические ограничения полосы согласования произвольных импедансов: Пер. с англ./ Под ред. Г.И.Слободенюка.- М.: Сов.радио, 1965.- 120с.

140. Маттей Г.Л., Янг Л., Джонс Е.М. Фильтры СВЧ, согласующие цепи и цепи связи: Пер. с англ./ Под ред. Л.В.Алексеева и Ф.В.Кушнира.- М.: Связь, 1971.- 200с.

141. Мелихов C.B., Кологривов В.А. Метод анализа и расчета широкополосного преобразователя частоты в режиме сильных гармонических воздействий// Радиотехника. 1999. - №1. - С.38-45.

142. Лавренко Е.Ю., Лукьянов А.И. Особенности синтеза цепей согласования диодного смесителя СВЧ с учетом высших гармоник частоты гетеродина// Радиотехника. 1990. - №1. - С.25-27.

143. Будилович Н.В., Нечаев В.Г., Струков И.А., Тандит A.B. Принудительное смещение в балансном ортомодовом смесителе// Радиотехника. 1992. -№12. - С. 19-24.

144. Кац A.M., Ильина Е.А., Манькин И.А. Нелинейные явления в СВЧ приборах О-типа с длительным взаимодействием.-М.: Сов.радио, 1975.-294с.

145. Шумы в электронных приборах. Под ред. Л.Д.Смулина и Г.А.Хауса.-М.: Энергия, 1964.-484с.

146. Амплитудно-фазовая конверсия. /Под ред. Г.М. Крылова. М.: Связь, 1979.

147. Заварин Г.Д., Мартынов В.А., Федорцов Б.Ф. Радиоприемные устройства. — М.: Воениздат, 1973. — 423с

148. Железовский Б.Е., Кальянов Э.В. Многочастотные режимы в приборах СВЧ,—М.: Связь, 1978. —256с.

149. ГОСТ 23872-79. Совместимость радиоэлектронных средств электромагнитная. Номенклатура параметров и классификация технических характеристик.

150. Мымрикова H.H. О корректности расчета многосигнальных характеристик ЛБВО методом квазистационарной амплитуды//Радиотехника и электроника. — 1980. — №11. — С. 2472-2474.

151. Коробова А.Д., Сбитнев Ю.П. Приближенный метод анализа помехозащищенности параметрических усилителей //Межвузовский научно-техн. сб. "Повышение помехоустойчивости и эффективности радиоэлектронных систем". — Горький: Изд. ГГУ, 1977. — №2. — С.75-80.

152. Алгазинов Э.К., Коробова А.Д. Аналитический метод оценки характеристик помехозащищенности параметрических устройств на полупроводниковых диодах. 4.1. Расчетные соотношения//Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. — 1985. — Вып.2. — С.8-13.

153. Алгазинов Э.К., Коробова А.Д. Аналитический метод оценки характеристик помехозащищенности параметрических устройств на полупроводниковых диодах. 4.2. Анализ характеристик//Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. — 1985. — Вып.З. — С. 14-18.

154. Боголюбов H.H., Митрополъский Ю.А. Асимптотические методы в теории нелинейных колебаний. — М.: Наука, 1974. — 504с.

155. Канавец В.И, Сандалов А.Н., Пикунов В.М. Приближенная нелинейная теория многочастотных процессов в электронных приборах с продольным взаимодействием//Радиотехника и электроника. — 1978. — №1. — С.132-144.

156. Сивяков Б.К. Советов Н.М. К решению нелинейных уравнений многочастотного режима работы ЛБВ волновым методом//Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. — 1979. — Вып.6. — С.29-36.

157. Алгазинов Э.К, Мымрикова H.H. Теоретический анализ взаимодействия в ЛБВ двух сигналов в широкой полосе частот// Радиотехника и электроника. — 1980. — №4. — С. 792-800.

158. Алгазинов Э.К, Мымрикова H.H. Исследование влияния локального поглотителя на выходные характеристики ЛБВ в двухчастотном режи-ме//Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. — 1980. — Вып.2. — С.21-28.

159. Алгазинов Э.К, Мымрикова H.H. Частотные характеристики интермодуляционных колебаний в ЛБВО при двух и трехчастотном усилении//Изв. вузов СССР. Радиоэлектроника. — 1980. — №10. — С.68-70.

160. Алгазинов Э.К, Мымрикова H.H. Исследование амплитудных и фазовых характеристик двухсекционной ЛБВО при двухчастотном входном воз-действии//Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. — 1981. — Вып.10. — С.63-65.

161. Алгазинов Э.К., Мымрикова H.H. Исследование двухсигнальных характеристик ЛОВО-усилителя//Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ.1981. — Вып.7. — С.52-54.

162. Алгазинов Э.К., Мымрикова H.H. Анализ двухчастотного режима секционированного JIOBO-усилителя с широкодиапазонной перестройкой резонансной частоты/УЭлектронная техника. Сер. Электроника СВЧ. — 1981.1. Вып.8,—С.13-15.

163. Лопухин В.М., Рошаль A.C. Электроннолучевые параметрические усилители поперечных волн//УФН. — 1965. — №2. — С. 297.

164. Банке В.А., Лопухин В.М., Саввин В.Л. Сверхмалошумящие усилители циклотронных волн// УФН. — 1969. — №4. — С. 545-569.

165. Лопухин В.М., Рошаль A.C. Электроннолучевые параметрические усилители. — М.: Сов. радио, 1968. — 240с.

166. Железовский Б.Е. Электроннолучевые параметрические СВЧ-усилители.1. М.: Наука, 1971. — 3 84с.

167. Шевчик В.Н., Трубецков Д.И. Аналитические методы расчета в электронике СВЧ. — М.: Сов. радио, 1970. — 584с

168. Рошаль A.C. Резонатор с поперечным однородным полем в качестве устройства связи с быстрой циклотронной волной//Радиотехника и электроника. — 1965. — №1. — С. 73-82.

169. Банке В.А., Саввин В.Л. К теории процессов усиления в электростатическом усилителе//Радиотехника и электроника. — 1970. —■ №11. ■— С. 2317-2321.

170. Алгазинов Э.К., Нестеренко Ю.Н. Характеристики блокирования электростатического усилителяЮлектронная техника. Сер. Электроника СВЧ. — 1983. —Вып.5. —С.3-6.

171. Алгазинов Э.К., Нестеренко Ю.Н. Усиление двухчастотного сигнала электростатическим усилителем//Изв. вузов СССР. Радиоэлектроника. — 1983. —№7. —С.29-36.

172. Бондарев A.C. Процессы взаимодействия в усилительных элементах ЭСУ СВЧ// Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. — 1972. — Вып. 12.1. С.74-83.

173. Современная радиолокация/ Под.ред. Ю.В.Кобзарева.- М.: Советское радио, 1969.- 704с.

174. Алгазинов Э.К., Китаев Ю.И. Исследование совместного усиления в ЛБВ монохроматического и шумового сигналов// Радиотехника и электроника.- 1972.- т. 17, N 10.- С.22-24.

175. PaikS.F. Disign formulas for helix dispersion shaping.-IEEE Trans., v. ED-16, № 12, p.p. 1010-1014.

176. Бецкий O.B., Казаринов К.Д., Нечаев В.M. Внеполосное шумовое излучение в ЛБВО при подаче на вход лампы монохроматического сигнала.- В кн.:VIII Межвузовская конференция по электронике СВЧ: Тез.докл., Рос-тов-наДону, 1976, с.87.

177. Бецкий О.В., Нечаев В.М. О влиянии усиливаемого сигнала на шум ЛБВО. IX Межвузовская конференция по электронике СВЧ: Тез.докл., Киев, 1979, с.189.

178. Мымрикова H H. Методы нелинейного волнового анализа в многочастотной теории СВЧ приборов с продольным взаимодействием.// Канд. диссертация, МГУ. 1983.

179. Васильев А.П. Исследование переходных тепловых процессов в ЛИД.// Электронная техника. Сер.1, Электроника СВЧ, 1975, вып.8, с.26-31.

180. Защита от радиопомех/ Под ред. Максимова М.В.- М.: Сов.радио, 1976.-496с.

181. Кремер И.Я., Владимиров В.И., Карпухин В.И. Модулирующие помехи и приём радиосигналов.- М.: Сов.радио, 1978.- 480с.

182. Справочник по основам радиолокационной техники/ Под ред. Дружинина В.В.- М.: Воениздат, 1967.

183. ШлезингерР.Радиоэлектронная война. М.: Воениздат, 1963.

184. МанъкинИА., Школьников В.Г. Теоретический анализ взаимодействия протяженного электронного потока с полем широкополосного сигна-ла.//Радиотехника и электроника, 1981, т.26, №8, с.21-26.

185. Крейнгелъ Н.С. Шумовые параметры радиоприёмных устройств.- Л.: Энергия, 1969,- 168с.

186. Чистяков H.H. Радиоприёмные устройства.- М.: Сов. радио, 1978.- 275с.

187. Стратонович Г.П. Принципы адаптивного приёма.- М.: Сов.радио, 1973.-143с.

188. Репин В.Г., Тартаковский Г.П. Статистический синтез при априорной неопределённости и адаптации Информационных систем.- М.: Сов.радио, 1977.-432с.

189. Fukui H. optimum noise figure of microwave GaAs MESFETs// IEEE Trans. Electron devices.- 1979.- ED-26.- P. 1032-1037.

190. Нивинский B.E. О влиянии явления амплитудно-фазовой конверсии на прием сигналов. Труды ГосНИИ ГА, вып. 136. Связь в гражданской авиации СССР. - М., 1976. - С.33-36.

191. Малевич И.Ю. Оценка интермодуляционных параметров высоколинейных приемно-усилительных трактов// Радиотехника. 1995. - №6. - С. 19-21.

192. Шарапов Ю.И. Преобразование частоты Fn4= Fr- Fc при Fr> Fc и постоянной частоте гетеродина без заданных комбинационных составляющих// Радиотехника. 1997. - №12. - С.79-83.

193. Шарапов Ю.И. Сравнительные характеристики разностных видов преобразования частоты// Радиотехника. 1986. - №8. - С. 66-70.

194. Петров Г.В. Исследование характеристик смесителей СВЧ диапазона на основе диодов с барьером Шоттки// Микроэлектроника. 1982. - т.11, вып.1.-С. 64-69.

195. Болмусов Ю.Д. Амплитудно-фазовая конверсия в стробоскопических преобразователях частоты// Радиотехника. 1991. - №3. - С. 13-16.

196. Болмусов Ю.Д. Искажение частотно-модулированных сигналов в каскадах, работающих с отсечкой тока// Радиотехника. 1991. - №5. - С.27-30.

197. Уильям К., Ли. Техника подвижных систем связи. М.: Радио и связь, 1985. -392с.

198. Сбитнев Ю.И Интермодуляционные свойства двухканальных усилителей. Радиотехника. - 1989. - № 8. - С. 94-97.

199. Малевич НЮ. Проектирование высоколинейных усилительных трактов с последовательной структурой//Радиотехника. 1999. - №1. - С.91-93.

200. Ледовская В.И, Шульгин В.Ф. Оптимизация динамического диапазона по интермодуляции третьего порядка//Радиотехника. 1985. - №2. - С.30-32.

201. Тура В.А. Метод оценки динамического диапазона по интермодуляции для радиоэлектронных устройств, содержащих нелинейные четырехполюсники// Радиотехника. 1994. - №6. - С. 39-44.

202. Алмазов-Долженко К.И., Пантыкин С.В., Швецов Б.Н. Автоматизированный приемник для измерения шумовых параметров электронных приборов. Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ, 1979, вып. 4. - С. 58-67.

203. Измерители КСВН панорамные Р2-98.Р2-104, Р2-106.Р2-108. Техническое описание и инструкция по эксплуатации. — 0.140.008. ТО.

204. Антоненко В.В., Ксензенко П.Я., Луговский В.В., Романенко Ю.Н. Оптимизация характеристик ЭМС транзисторных каскадов выбором режимов работы транзистора// Твердотельная электроника сверхвысоких частот.-1990.-N3.- С. 17-20.

205. Schroeder W.E., Gewartowski J.W. MESFETs amplifier in a large-signal mode// IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Digest, N.Y.- 1978.- P.279-281.

206. Strid E.W., Duder T.C. Experimental research of work the MESFETs amplifier// IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Digest, N.Y.- 1978,- P. 135137.

207. Minasian R.A. Intermodulation distortion analysis of MESFET amplifiers using Volterra series representation// IEEE Trans.- 1980.- MTT, v.28, January.- P.l-8.

208. Narayanan S. Transistor Distortion Analysis Using Volterra Series Representation// Bell Syst.Tech.J.- 1967.- v.46, May.- P.991-1024.

209. Алгазинов Э.К., Аверина Л.И, Бобрешов A.M. Моделирование работы транзисторных СВЧ- усилителей в нелинейном режиме. // Всероссийская конференция "Информационные технологии и системы": Тез. докл.,16-19окт. 1995г.-Воронеж, 1995.-С.84-86.

210. Аверина Л.И., Бобрешов A.M. Влияние паразитных сопротивлений полевого транзистора на нелинейные характеристики усилителя на его основе //Радиолокация, навигация, связь: V междунар. науч.-техн. конф, 2023 апр.1999 г.- Воронеж, 1999.-Т.З.-С.1474-1476.

211. Алгазинов Э.К., Бобрешов A.M., Дыбой A.B. Физико-топологическая модель GaAs полевого транзистора с затвором Шотки с учетом паразитных сопротивлений. //Изв.вузов. Электроника.-1999.-N3.-C.31-34.

212. Алгазинов Э.К., Бобрешов A.M., Дыбой A.B., Нестеренко Ю.Н. Компьютерное моделирование полевых транзисторов СВЧ-диапазона. //Материалы региональной научно- технической программы (РМНТП) "ВУЗ-Черноземье". Этап 1998 г.-Воронеж, 1999.-С.83-87.

213. Бобрешов A.M., Иркутский O.A. Моделирование входных цепей адаптивного СВЧ приемника для решения задач электромагнитной совместимости.// Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2000 -№1 - т.З -с.54-57.

214. Алгазинов Э.К., Бобрешов A.M., Иркутский O.A. Анализ нелинейных явлений во входном усилителе на полевом транзисторе с использованием пакета программ Pspise. // Радиотехника. 1999. - №11.- с.32-33.

215. Алгазинов Э.К., Аверина Л.И., Бобрешов A.M. Определение S-параметров твердотельного прибора в нелинейном режиме работы.// Известия ВУЗов. Радиоэлектроника.- т.43.- №6.- 2000.- с.33-36.

216. Алгазинов Э.К., Бобрешов A.M., Иркутский O.A. Определение параметров модели на примере полевого транзистора. //Изв. вузов.Электроника,-1999.-N6.- С.35-40.

217. Алгазинов Э.К., Бобрешов A.M. Захаров В.И., Сбитнев Ю.П. Особенности работы входных каскадов СВЧ приемника при мешающих сигналах большого уровня. В кн.: XXXI Всесоюзная научная сессия, посвященная Дню радио. Тез. докл., М., 1976, с. 41-42.

218. Алгазинов Э.К., Бобрешов A.M. Интермодуляционные процессы в усилителях радиочастоты. В кн.: ХХХ1У Всесоюзная научная сессия, посвященная Дню радио. Тез. докл., М.: 1979, с.39.

219. Алгазинов Э.К., Бобрешов A.M., Мымрикова H.H. О восприимчивости к помехам ретрансляторов космической связи, использующих ЛБВ. В кн.: Проблемы космической связи, Всесоюзная научно-техническая конференция. Тез. докл. М.: 1979, с.23.

220. Алгазинов Э.К, Бобрешов A.M. Определение и расчет двухсигнального коэффициента шума. В кн.: Нелинейные искажения в приемно-усилительных устройствах. Материалы Второго Всесоюзного симпозиума. Минск, 1980, с. 181-184.

221. Бобрешов A.M. Об изменении коэффициента шума ЛБВ в нелинейном режиме. В кн.: Активные СВЧ-узлы радиоприемных устройств. НТШ Усилительные устройства. Тез. докл. М.: 1978, с.4-5.

222. Алгазинов Э.К, Бобрешов A.M. Коэффициент шума приёмника при наличии помех// Радиотехника.- 1980.- N6.- С.35-36.

223. Алгазинов Э.К., Бобрешов A.M. Оценка чувствительности СВЧ приемника с ЛБВ на входе в условиях помех.- Электросвязь, №7, 1980, С. 16-17.

224. Алгазинов Э.К., Бобрешов A.M. Особенности работы входного ЛБВ-усилителя в условиях действия помех. В сб.: Электромагнитная совместимость и устройства СВЧ. Киев, 1977, с.59-60.

225. Бобрешов A.M. О влиянии мощной непрерывной помехи на коэффициент шума ЛБВ. В. кн.: Проблемы электромагнитной совместимости радиоэлектронных средств различного назначения. Второе Всесоюзное научно-техническое совещание. М.: 1978, с. 23-24.

226. Алгазинов Э.К., Бобрешов A.M., Аверина Л.И. Изменение шумов в усилителе на полевом транзисторе в нелинейном режиме //Радиотехника и электроника.-1996.-Т.41,N11.- С. 1386-1389.

227. Алгазинов Э.К, Бобрешов A.M. Теоретический анализ усиления в ЛБВ многочастотного сигнала на фоне шумов// Изв.Вузов. Радиоэлектроника.1981.-N 12.- С.3-9.

228. Бобрешов A.M., Позин П.А., Сенаторов А.К., Шулъженко С.Н. Повышение точности пеленгации методом поляризационной селекции сигна-лов.//Вопросы рассеяния и оптимального приема радиоволн. Воронеж.-1975, с.56-62.

229. Бобрешов A.M. Оптимизация СВЧ усилителей в условиях действия помех. В кн.: Проблемы электромагнитной совместимости радиоэлектронных средств. Всесоюзное научно-техническое совещание. М.: Радио и связь,1982, с.73.

230. Алгазинов Э.К, Бобрешов A.M. О выборе оптимального режима входного СВЧ усилителя в условиях действия помех. В кн.: Научно-техническая конференция, посвященная 85-летию со дня изобретения радио. Тез. докл. М.: 1980.-230 с.

231. Алгазинов Э.К, Бобрешов A.M. Оптимизация двухсекционного ЛБВ усилителя ву многочастотном режиме. В кн.: X Всесоюзная научная конференция "Электроника СВЧ". Тез. докл. Минск, 1983, с.285.

232. Алгазинов Э.К, Аверина Л.И., Бобрешов A.M., Нестеренко Ю.Н., Фертиков В. В. Опыт информатизации обучения студентов по радиофизическим специальностям вузов //Образовательные технологии: Меж-вуз.сб.науч.тр.-Воронеж, 1995.-Ч.1.- С. 14-19.

233. Бобрешов A.M., Лопатин А.И. Анализ ЭМС-характеристик MIT ТУ на НЕМТ-транзисторах. //Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2000 - №2 - т.З - с.76-78.

234. Алгазиное Э.К., Аверина Л.И., Бобрешов A.M. Коррекция режима работы транзисторного усилителя в присутствии помех //Научно- техническая конференция "Направления развития систем и средств связи", 23-25 апреля 1996 г.-Воронеж, 1996.-Т.З,- С.1166-1168.

235. Алгазиное Э. К.,. Бобрешов А.М, Иркутский O.A. Малошумящий усилитель на полевом транзисторе при различных электрических режимах работы. /Мзв.вузов.Электроника.-1998.-1Ч4.- С.50-54.

236. Алгазиное Э.К., Бобрешов A.M., Иркутский O.A. Оптимизация режимов работы входного модуля приемника // Известия ТРТУ, N3, 2000.-е. 75-78.

237. Алгазиное Э.К., Бобрешов A.M., Иркутский O.A. Моделирование адаптивного приемника.//Радиолокация, навигация, связь: VI междунар. Науч,-тех. Конф.,25-27 апр. 2000 г. Воронеж-т.З.- с. 1748-1754.

238. Бобрешов A.M., Аверина Л.И., Лопатин А.И. Исследование границы линейности МШУ на НЕМТ транзисторе в зависимости от режима его ра-бот.//Радиолокация, навигация, связь: VI междунар. Науч.-тех. Конф.,25-27 апр. 2000 г. - Воронеж-т.З.- с. 1796-1800.

239. Алгазинов Э.К., Бобрешов A.M., Аверина Л.И. Коррекция режима работы усилителя на полевом транзисторе при наличии помех.// Электронная техника. Сер. СВЧ-Техника.- вып.2.- 1999.- с.36-38.

240. Алгазинов Э.К., Бобрешов A.M., Иркутский O.A. Нелинейные искажения в смесителе при различных режимах работы.// Известия ВУЗов. Радиоэлектроника.- т.43- №3.- 2000.- с.64-69.

241. Алгазинов Э.К., Бобрешов A.M., Клементьев Ф.М. О возможности повышения эффективности входного ЛБВ-усилителя в условиях действия помех.- //Повышение помехоустойчивости и эффективности радиоэлектронных систем и устройств. Вып.2, Горький, 1977.- С.85-88.

242. Бобрешов A.M., Михалёва Л.И, Мымрикова H.H. Влияние режима входных каскадов ТРУ на помехозащищённость РПУ// Тез.докл. Всес.конф. "Развитие и внедрение новой техники радиоприёмных устройств и обработки сигналов" М.: Радио и связь, 1989.- С.23.

243. Бобрешов A.M., Кононов А.Д., Сенаторов А.К, Шулъженко С.Н. К вопросу имитации поляризованного радиолокационного эхо-сигнала.//Теория и практика радиополяриметрии. Межвузовский тематический научный сборник. Таганрог.-Вып. 1.-1976,с.42-46.

244. Алгазинов Э.К., Бобрешов A.M., Иркутский O.A. Анализ режимов работы смесителя в присутствии помех // Труды военного института радиоэлектроники. Воронеж, 1998. - Вып. 5. - С. 183.

245. Алгазинов Э.К., Бобрешов A.M., Бажанов A.C., Швецов Б.Н. Методы измерения характеристик ЭМС входных приборов СВЧ радиоприемных устройств. Радиотехника, 1985, №9, с. 87-89.

246. Алгазинов Э.К., Бобрешов A.M. Методики измерений характеристик входных СВЧ-усилителей, влияющих на показатели ЭМС РЭС. Воронеж, ВГУ, 1979.-17 с. 21

247. МС68НС11Е9. Структурная организация микроконтроллера: Метод, пособие по изучению микроконтроллеров MOTOROLA/ Сост. Алгазинов Э.К., Бобрешов A.M.,.Нестеренко Ю.Н.-Воронеж:ВГУ,1996.- Ч. 2.-63с.

248. МС68НС11Е9. Структурная организация микроконтроллера: Метод, пособие по изучению микроконтроллера MOTOROLA/Сост. Э.К.Алгазинов, А.М.Бобрешов, Ю.Н.Нестеренко.-Воронеж: ВГУ, 1996.-Ч. 1.-76с.

249. МС68НС11Е9. Структурная организация микроконтроллера: Метод, пособие по изучению микроконтроллеров MOTOROLA/ Сост. Э.К.Алгазинов, А.М.Бобрешов, Ю.Н.Нестеренко.-Воронеж: ВГУ, 1996.Ч. 2.-63с.

250. Алгазинов Э.К., Бобрешов A.M., Бажанов A.C., Нестеренко Ю.Н. Автоматизированный комплекс для измерения характеристик ЭМС входных усилителей СВЧ.// Сб. научных трудов. Международный симпозиум ЭМС-93, 4.2, с.548-550, С.-П.-1993.

251. Бобрешов A.M., Нестеренко Ю.Н, Наседкин A.A. Автоматизация совместных измерений A4X.// Тезисы VII ВНТК "Датчик-95".-т.1.- с. 145-146.-Крым- 1995.

252. Алгазинов Э.К., Бобрешов A.M., Нестеренко Ю.Н. Опыт организации практических занятий по методам измерений характеристик ЭМС РУ.// Сб.научных трудов Международный симпозиум по ЭМС и ЭМЭ.-С.-П.-1995-С.210-211.

253. Алгазинов Э.К., Бобрешов A.M., Нестеренко Ю.Н., Бажанов A.C. Автоматизированный измеритель шумовых характеристик СВЧ-устройств.// Тезисы докладов VIII НТК "Датчик-96".- т.2.- с.352.- Гурзуф.-1996.

254. Алгазинов Э.К., Бобрешов A.M., Нестеренко Ю.Н. Автоматизированное измерение характеристик ЭМС РПУ с помощью панорамного измерителя.// III международный симпозиум по ЭМС и ЭМЭ. Сб. научных докладов,- Ч.2.- С.-П.-1997-С.255-257.

255. Бобрешов A.M., Нестеренко Ю.Н, Харин В.Н. Многофункциональный автоматизированный измеритель характеристик ЭМС.// Всесоюзный симпозиум "Проблемы ЭМС технических средств".- тез. докладов.- Суздаль.-1991.- с.53.

256. Бобрешов A.M., Нестеренко Ю.Н., Харин В.Н. Автоматизированный комплекс для измерения побочных каналов приема входных модулей и радиоприемных устройств.//Сб. тезисов докладов НТС "Обеспечение ЭМС технических средств".- М.-1991.- с.36-37.

257. Бобрешов A.M., Лопатин А.И. Распределение электронов в двумерной потенциальной яме НЕМТ-транзистора. //Физика волновых процессов и радиотехнические системы. -2000 -№3 т.З - с.55-57.

258. Алгазинов Э.К, Бобрешов A.M., Иркутский O.A. Анализ режимов работы смесителя в присутствии помех. //Пятая межвузовская научно-техническая конференция: Тез. докл., 20 мая 1998 г.-Воронеж, 1998.-С.183.-(Тр./ВИРЭ; Вып. 3).

259. Бобрешов A.M., Лопатин А.И. Модель управления зарядом НЕМТ-транзистора. // Известия ТРТУ, N3, 2000. с. 183-186.