Нелинейные среды для эффективного отражения при четырехволновом взаимодействии на 10,6 МКМ тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.03 ВАК РФ

ВВВДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ g

1.1. Обращение волнового фронта оптического излучения: Основные понятия и свойства.

1.2. Методы ОВФ в нелинейных средах. Вырожденное четырехволновое взаимодействие.

1.3. Механизмы нелинейного взаимодействия и среды для ОВФ ЧВ на длине волны 10,6 мкм.

1.3.I Механизм нелинейности третьего порядка связанной с ангармоничностью колебаний осциллятора.ZZ

1.3.I.I Ангармонизм движения связанных электронов в полупроводниках.

1.3.1.2. Ангармонизм колебательного движения в молекулярных газах.

1.3.2. Нелинейная восприимчивость свободных носителей в полупроводниках.

1.3.3. Генерация свободных носителей.

1.3.4. Эффекты насыщения.

ГЛАВА П. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ УСТАНОВКА ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ОТРАЖЕНИЯ

ПРИ ЧВ ИЗЛУЧЕНИЯ ИМПУЛЬСНОГО С02-ЛАЗЕРА.

2.1. Импульсный одномодовый одночастотный лазер

2.2. Приборы и методы измерения параметров излучения импульсных COg- лазеров

2.3. Исследование характеристик одномодового одночас- * тотного импульсного COg- лазера.

2.4. Экспериментальная установка для исследования отражения при ЧВ и методика измерения эффективности отражения.

2.5. Исследование отражения при ЧВ в G& ^

ГЛАВА Ш. ОТРАЖЕНИЕ ПРИ ЧВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ.

3.1. Вклад теплового механизма нелинейности в отражение при ЧВ в полупроводниках.

3.1.1. Расчет вклада теплового механизма нелинейности в эффективность отражения при ЧВ.

3.1.2. Экспериментальные результаты

3.2. Исследование отражения при ЧВ в Info, InSS и

GaSS.

3.2.1. Измерение коэффициента линейного поглощения.

3.2.2. Измерение порога разрушения . &

3.2.3. Измерения констант нелинейного поглощения в

InSSz Info

3.2.4. Расчет эффективности отражения при ЧВ с учетом линейного и нелинейного поглощения

3.2.5. Зависимость И от ^ в образцах Infis и IflSS при комнатной температуре

3.2.6. Влияние температуры на /?. при ЧВ в узко зонных полупроводниках.

3.3. Нелинейная восприимчивость третьего порядка jC^ в Info жЫе .П

ГЛАВА 1У. ИССЛЕДОВАНИЕ ОТРАЖЕНИЯ ПРИ ЧВ В РЕЗОНАНСНЫХ

МОЛЕКУЛЯРНЫХ ГАЗАХ.IZ

4.1. Механизмы нелинейности при ЧВ в молекулярных газах.

4.1.1. Исследование отражения при ЧВ в BCd^.^

4.1.2. Исследование отражения ЧВ в .Г

4.2. Отражение в SIfc при нестационарном ЧВ.

4.3. Отражение в при стационарном ЧВ.

Разработка методов обращения волнового фронта (ОВФ) в средней инфракрасной (ИК) области спектра представляет особый интерес в связи с тем, что именно в этом диапазоне работают наиболее мощные и эффективные лазеры на молекулах HF » DF » СО, С02. В отличие от видимого и ближнего ИК диапазона длин волн, где основные результаты по практическому применению явления ОВФ получены методом самообращения при вынужденном рассеянии на гиперзвуковых волнах (ВРМБ), в средней Ж области спектра, этот метод до сих пор не реализован. ^Единственным методом получения ОВФ в этом диапазоне на сегоднящний день пока является метод вырожденного четырехволно-вого взаимодействия (ЧВ).

ОВФ-зеркало, как и любое другое зеркало характеризуется определенным набором свойств. Для ОВФ-зеркал это-качество обращения, эффективность отражения, динамический диапазон, спектральные и поляризационные свойства. В настоящее время при вырожденном ЧВ, в том числе и в среднем Ж диапазоне длин волн продемонстрирована возможность получения высокого качества ОВФ / Zb,40/* проведены исследования динамического диапазона /*/./, 73/» спектральных и поляризационных / 14fZ4/ свойств ОВФ-ЧВ зеркал. Все эти свойства не проявляют какой либо специфической зависимости от частоты излучения. В то же время эффективность отражения /?. зависит квадратично от частоты излучения и, следовательно, в области например, 10,6 мкм Я оказывается уменьшенным более чем в 100 раз по сравнению с эффектом в видимом диапазоне при прочих равных условиях. Из-за этого, в частности, реально достигнутые /£ в среднем Ж диапазоне для лазерных импульсов микросекундной длительности не превышают ~ 20$. В этой связи поиск и исследование нелинейных сред, пригодных для реализации высоких эффективностей отражения лазерного излучения в среднем Ж диапазоне представляется важной и актуальной задачей. обданная работа посвящена поиску и исследованию нелинейных оптических сред для эффективного отражения при ЧВ излучения импульсных С02~ лазеров, а также анализу механизмов, ответственных за нелинейное взаимодействие в этих средах. В основные задачи диссертации входило:

- исследование физических механизмов нелинейного взаимодействия определяющих эффективность отражения при ЧВ в различных нелинейных средах на 10,6 мкм

- выбор наиболее перспективных нелинейных сред для эффективного отражения при ЧВ излучения импульсных COg- лазеров и определение предельных величин эффективностей отражения в этих средах.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Обнаружено отражение при ЧВ в полупроводниках на 10,6 мкм за счет теплового механизма нелинейного взаимодействия, которое для характерного импульса СО2- лазера в оптимальных условиях может достигать 40%.

2. Показано, что предельная эффективность ЧВ отражения в узкозонных полупроводниках, прозрачных в области 10,6 мкм определяется константами линейного и нелинейного поглощения и константой нелинейного взаимодействия для каждого конкретного образца и может достигать значений, превышающих ~ 100$.

3.Измерена константа нелинейного поглощения в Illfls , составляющая при температуре 300К ~ 0,14 - 0,07 см5/МВт3.

4. Измерены нелинейные восприимчивости третьего порядка в Ms И 1пЯ на 10,6 мкм, составляющие ~ 10~7 и I0"5 СГСЕ, соответственно, и превышающие расчетные данные в ~ 30 раз в In/к ив ~ 1000 раз в

5. Экспериментально доказано, что основным механизмом нелинейного взаимодействия при ЧВ в резонансно поглощающих молекулярных газах на 10,6 мкм является модуляция коэффициента поглощения за счет насыщения резонансоного перехода. Установлено, что в стационарных условиях максимальное отражение при точном резонансе не может превышать 10-15$.

6. Обнаружено аномально большая эффективность отражения (до 80%) при нестационарном взаимодействии в резонансно поглощающих газах и дана физическая интерпретация обнаруженного эффекта.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

В данной работе получены следующие основные результаты.

1. Обнаружено отражение при ЧВ в прозрачных в области 10,6 мкм полупроводниках, обусловленное тепловым механизмом нелинейности.

2. Показано, что в узкозонных полупроводниках рост эффективности отражения при ЧВ в зависимости от интенсивности накачки ограничивается наведенным нелинейным поглощением, а не порогом пробоя на поверхности. Максимальная эффективность отражения определяется коэффициентами линейного и нелинейного поглощения и константой нелинейного взаимодействия и в таких полупроводниках, как XwAs и JyiSi может превышать 100%.

3. Экспериментально определены коэффициенты нелинейного поглощения В Inh И InSi на длине волны 10,6 мкм при комнатной температуре, причем в ТнЙ£ эта величина, составляющая 0,14 + 0,07 см^/МВт3, измерена впервые.

4. Измерены нелинейные восприимчивости третьего порядка в In/Ь (-2,5-Ю"7 СГСЕ^ и Iv\S& (~КГЬ СГСЕ), которые превышают известные из литературы теоретически рассчитанные значения в ~ 30 раз в Infl& и в 1000 раз в TftS>&

5. Экспериментально установлено, что в резонансно поглощающих газах на 10,6 мкм основным механизмом нелинейного взаимодействия при ЧВ является модуляция коэффициента поглощения за счет насыщения резонансного перехода. Выявлены характеристики молекулярных газов, определяющие эффективность ЧВ отражения: сечение резонансного поглощения и время V-T релаксации возбужденного уровня. Показано, что в стационарных условиях максимальное отражение при точном резонансе не может превышать 10-15%.

6. Обнаружено аномально большое отражение (до а/80%) при нестационарном взаимодействии в резонансно поглощающих газах и дана физическая интерпретация обнаруженного эг|)фекта.

На основе полученных результатов можно сделать следующий вывод: узкозонные полупроводники Jjlfls , TnS& и резонансно поглощающие газы Sf- и ЗСС3 могут быть использованы в качестве нелинейных сред для получения высоких эффективностей отражения при ЧВ на

10,6 мкм в схемах обращения волнового фронта при умеренных интенр сивностях лазерного излучения (0,1-10 МВт/см ). Полученные в диссертации результаты, в частности, были использованы в работе по исследованию ОВФ в резонансных газах /40/, где было достигнуто высокое качество ОВФ (до 95%) при эффективности отражения ^40% по мощности и ^10% по энергии.

Выработанные на основании проведенных исследований критерии отбора перспективных нелинейных сред для эффективного отражения при ЧВ могут быть использованы и на других рабочих длинах волн лазеров среднего ИК-диапазона (С0-, 4)F - , HF -лазеры).

В заключение автор выражает глубокую признательность Н.Г.Басову за предоставленную возможность учиться и работать в лаборатории Квантовой радиофизики ФИАН и постоянный интерес к работе. Автор выражает также глубокую благодарность своим научным руководителям А.Н.Ораев-скому, Ф.С.Файзуллову за руководство работой и всестороннюю поддержку, научному консультанту В.И.Ковалеву за многочисленные дискуссии и всестороннюю помощь, А.В.Виноградову за полезные обсуждения, М.Р.Раух-ману за предоставление образцов, В.В.Каратаеву за измерения концентрации носителей и их подвижности в образцах, В.Б.Федорову и А.И. Вислобокову за большую помощь в создании экспериментальной установки, а также всем сотрудникам сектора "Оптические измерения" лаборатории Квантовой электроники ФИАН за создание творческой и дружеской атмосферы, в которой выполнялась данная работа.

1. Зельдович Б.Я., Поповичев В.И., Рагульский В.В., Файзуллов Ф.С. О связи между волновыми фронтами отраженного и возбужденного света при вынужденном рассеянии Мандельштаима-Бриллюэна.-Пись-ма в КЭТФ, 1972, т.15, № 3, с.160-164.

2. Бельдюгин И.М., Галушкин М.Г., Земсков Е.М., Мандрасов В.И.0 комплексном сопряжении полей при ВРМБ.- Квантовая электроника, 1976, т.З, №11, с.2467-2470.

3. Сидорович В.Г. К теории " бриллюэновского зеркала".- ЖТФ, 1976, т.46, $ ю, с.2168-2174.

4. Зельдович Б.Я., Шкунов В.В. О воспроизведении волнового фронта при вынужденном комбинационном рассеянии света.-Квантовая электроника, 1977, т.4, № 5, с.1090-1098.

5. Зельдович Б.Я., Мельников Н.А., Пилипецкий Н.Ф., Рагульский В.В. Наблюдение эффекта обращения волнового фронта при вынужденном комбинационном рассеянии света.- Письма в ЖЭТФ, 1977, т.25, J6 I, с.41-44.

6. Hellwarth R.W. Generation of time-reversed wave fronts by nonlinear reflection.- JOSA, 1977, v.67, N 1, p.1-3.

7. Yariv A., Pepper D.M.Amplified reflection, phase conjugation, and oscillation in degenerate four-wave mixing.-Opt.Lett.,1977, v.1. N1, p.16-18.

8. Шостко C.H., Подоба Я.Г., Ананьев Ю.А., Волосов В.Д.,Горланов А.Е Об одной возможности компенсации оптических неоднородностейв лазерных устройствах.- Письма в ЖТФ,1979,т.5, с.29-31.

9. Yariv A. Compensation for atmospheric degradation of optical beam transmission by nonlinear optical mixing. Opt. Comm., 1977, v. 21, N 1, p. 49-50.

10. Avizonis P.V., Hopf F. A., Bomberger N.D., Jacobs S.F., Tomita

11. A., Womack K.H. Optical phase conjugation in a lithium formate crystal.-Appl.Phys.Lett., 1977, v.31, N 7, p.435-437.

12. J3# Yariv A. Four-wave nonlinear optical mixing as real time holography.- Opt.Comm., 1978, v.25, N 1, p. 23-25.

13. Зельдович Б.Я., Ковалев В.И., Морачевский Н.В.,Файзуллов Ф.С. Влияние поляризации на эффективность отражения при четырех-фотонном взаимодействии в германии на 10,6 мкм.-В кн.: Труды УТ Вазиловской конференции. Новосибирск, 1979, ч.П, с.188-192.

14. Кломберген Н. Нелинейная оптика. Перевод с англ. под ред. С.А.Ахманова и Р.В.Хохлова.- М., Мир, 1966, с.3-424.

15. Ковалев В.И., Морозов В.В., Файзуллов Ф.С. Возникновение непрозрачности и разрушение оптических материалов под воздействием импульсного лазера на двуокиси углерода.-Квантовая электроника, 1974, т.1, № 10, с.2172-2177.

16. Зельдович Б.Я., Яковлева Т.В. Влияние линейного поглощения и отражения на характеристики четырехволнового ОВФ.-Квантовая электроника, 1981, т.8, № 9, с.1891-1898.

17. Jamroz W. The third-order electric susceptibilities of NaCl and KC1 monocrystals.- Opt. and Quan.Electr., 1980,v.12,6,p.443

18. Flytzanis C., Ducuing J. Second order optical susceptibility of III-V сompounds.-Phys.Lett.,1966, v.26A, N 7,p.315-316.

19. Юха С., Еломберген H. Нелинейные оптические восприимчивости1.I Усоединений А В и элементарных полупроводников УТ группы.- В кн.: Нелинейные свойства твердых тел.Сборник статей.Под ред.

20. B.М.Фаина. М., Мир, 1972, с.17-35.-16521. Винн Дж. Смешение трех оптических частот в GaAs , Ge , Si и inAs В кн.: Нелинейные свойства твердых тел. Сборник статей под ред. В.М.Файна. М., Мир, 1972, с.90-110.

21. Bergman Е.Е., Feldman В.Т., Bigio J.Т., Fisher R.A. High-efficiency pulsed 10.6 urn phase-conjugate reflection via degenerate four-wave mixing.-Opt.Lett.,1978,v.3,N 3,p. 82-84.

22. Бигио И.Дж., Фелдман Б.Дж., Фишер Р.Н., Бергман Э.Е. Эффективное обращение волнового фронта в германии и в инвертированном углекислом газе (обзор).-Квантовая электроника, 1979, т.6,1. II, с.2318-2324.

23. Басов II.Г., Зельдович Б.Я., Ковалев В.И., Файзуллов Ф.С., Федоров В.Б. Отражение многочастотного сигнала при четырех-волновом взаимодействии в германии на 10,6 мкм.- Квантовая электроника, 1981, т.8, Й 4, с.860-864.

24. Elci A., Rogovin D. Physe conjugation in nonlinear molecular gases.- Chera.Phys.Lett., 1979, v. 61, N 2,p. 407-409.25a. Elci A., Rogovin D., Depatie D., Haueisen D. Phase conjugation ifa ammonia.- JOSA, 1980, v.70, N 8, p. 990-998.

25. Wolff P.A., Person G.A. Theory of optical mixing by mobile carriers in semiconductors.- Phys.Rev.Letts, 1966, v.17, N 19, p. 1015-1017.

26. Вонг Ч.С., Ресслер H.B. Нелинейные оптические эффекты, связанные с электронами проводимости в полупроводниках.- В кн.: Нелинейные свойства твердых тел. Сборник статей под ред.В.М. Файна. М., Мир, 1972, c.III-117.

27. Khan М.А., Kruse P.W., Ready J.E. Optical phase conjugation in ^S(1x)Cd^Te.- Opt.Lett., 1980, v. 5, N 6, p. 261-263.

28. Patel C.K.N., Slusher R.F., Fleury P.A. Optical nonlinearities due to mobile carriers in semmconductors.- Phys.Rev.Lett., 1966, v. 17, N 19, p. 1011-1015.

29. Yuen S.Y., Wolff P.A. Difference-frequency variation of the free-carrier-induced, third-order nonlinear susceptibility in n-InSb.- Appl.Phys.Lett.,1982, v.40, N 6, p. 457-459.

30. Бонч-Бруевич B.M., Калашников С.Г. Физика полупроводников.-М., Наука, 1977, с.3-672.

31. Jain R.K., Steel D.G. Degenerate four-wave mixing of 10.6 um radiation in Hg1 Cd Те.- Appl.Phys.Lett., 1980, v. 37,1. N 1, p. 1-3.

32. Jain R.K., Klein М.Б. Degenerate-four-wave mixing in near band gap of semiconductors.- Appl.Phys.Lett., 1979, v.35» N 6, p. 454-456.

33. Jain R.K. Degenerate four-wave mixing in semiconductors: application to phase conjugation and to picosecond-resolved studies of transient carrier dynamics.-Optical Engineering, 1982, v.21, N2, p. 199-218.

34. Khan M.A., Bennet R.L.H., Kruse P.W. Bandgap-resonant optical phase conjugation in n-type Hg1 Cd Те at 10.6 um.- Opt.1.""Jv A1.tt., 1981, v. 6, N 11, p. 560-562.

35. Watkins D.E., Phipps C.R., Thomos S.J. Observation of amplified reflection through degenerate four-wave mixing at COg laser wavelength in Ge.-Opt.Lett., 1981, v.6, N 2, p. 76-78.

36. Ярив А. Квантовал электроника. M., Советское радио, 1980, с. 3-488.

37. Басов Н.Г., Ковалев В.И., Лесив А.Р., Файзуллов Ф.С. Исследование обращения волнового фронта излучения импульсного COgлазера при четырехволновом взаимодействии в sP/- Письмаьв ЖТФ, 1982, т.8, № 8, с.451-455.

38. Басов Н.Г., Ковалев В.И., Файзуллов Ф.С. Динамический диапазон отражения при четырехволновом взаимодействии в резонансных средах на 10,6 мкм.- Квантовая электроника, 1983, т.10, № 6, с.1276-1278.

39. Steel D.G., Lam J.P. Multiline phase conjugation in resonant materials.-Opt.Lett., 1980, v.5, N7, p. 297-299.

40. Steel D.G., Lind R.C., Lam J.P. Degenerate four-wave mixing in a resonant homogeneously broadened system.- Phys.Rev.A, 1981, v. 23, N 5, p. 2513-2524.

41. Бергер H.K., Новохатский В.В. Обращение волнового фронта с использованием маломощных СО2- лазеров.- В кн.: Лазерные пучки: Сборник научных трудов. Хабаровск, ХГ1И, 1981, с.39-50.

42. Watkins D.E., Figueira J.F., Thomos S.J. Observation of resonantly enhanced degenerate four-wave mixing in doped alkali halides.-Opt.Lett., 1980, v.5, N4, p. 169-171.

43. Miller D.A., Smith S.D., Wherrett B.S. The microscopic mechanism of third-order optical nonlinearity in InSb.-Opt.Comm., 1980, v.35, N 2, p.221-226.

44. Miller D.A.B.,Harrison R.G., Johnston A.M., Seaton C.T., Smith S.D. Degenerate four-wave mixing in InSb at 5 K.-Opt.Comm.,1980, v.32, N 3, p.478-480.

45. Комолов В.Л., Ярошецкий И.Д., Яссиевич И.Н. Явление просветления при вынужденных переходах в полупроводниках.- ФТП, 1977, т.II, вып.1, с.85-93.

46. Grimmeis И.G., Ovren G., Ludwig W., Mack R. Identification of deep centers in ZnSe.-J.Appl.Phys., 1977, v.48, N 12, p. 5122-5126.

47. Свердлов A.M., Ковнер M.A., Крайнов Б.P. Колебательные спектры многоатомных молекул.M., Наука, 1970, с.3-560.

48. Пахомов И.И., Рожков О.В., Рождествин В.Н. Оптико-электронные квантовые приборы. М., Радио и связь, 1982, с.3-456.

49. Condhaleker А., Holzhauer Е. Single longitudinal mode operation of high pressure pulsed COg laser.- Phys.Lett., 1973, v. 46A, N 3, p. 229-230.

50. Данилычев B.A., Керимов O.M., Ковш И.Б. Молекулярные газовые лазеры высокого давления " Радиотехника" (Итоги науки и техники). М., ВИНИТИ, 1977, с.5-254.

51. Данишевский A.M.,Кастальский А.А., Рывкин С.М., Ярошецкий Н.Д. Увлечение свободных носителей фотонами при прямых межзонных переходах в полупроводниках.- ЖЭТФ, 1970, т.58, вып.2, с.544-550.

52. Н.Г.Басов, Б.Я.Зельдович, В.И.Ковалев, Ф.С.Файзуллов, В.Б.Федоров. Отражение многочастотного сигнала при четырех-волновом взаимодействии в германии на 10,6 мкм.-Квантовая электроника, 1981, т.8, № 4, с.860-864.

53. Бажулин А.П., Ирисова И.А., Сосорев B.C., Тимофеев Ю.П., Фридман С.А. Радиовизор-прибор для визуального наблюденияи регистрации полей ИК-СВЧ излучения.-Вестник АН СССР, 1973, № 12, с.15-22.

54. Рагульский В.В., Файзуллов Ф.С. Простой метод измерения расходимости лазерного излучения.- Опт. и спектр., 1969, т.27, вып.4, с.707-708.

55. Ковалев В.И. Метод измерения расходимости излучения импульсных COg- лазеров.- В кн.: Импульсная фотометрия. Сборник статей, выпуск 4. Л., Машиностроение, 1975, с.117-119.

56. Frazier G.F., Willkerson J.D., Lindsay J.M. Infrared photography at 5 um and 10 um.- Appl.Optics, 1976, v.15, N 6,p.1350-1352- I 7067. Джеймс Т. Теория фотографического процесса. Перевод с англ. под ред. П.Л. Картужанского. Л., Химия, 1980, с.3-672.

57. Ковалев В.И., Лесив А.Р., Файзуллов Ф.С., Федоров В.Б., Фотографическая регистрация излучения импульсного COg- лазера на Основе эффекта тепловой сенсибилизации фотоэмульсии.-ПТЭ,1983, № I, с. 149-151.

58. Акустические кристаллы. Справочник А.А.Бяистанов, В.С.Бондарен-ко, Н.В.Переломова, Ф.Н.Стрижевская.В.В.Чкалова, М.П.Шасколь-ская; под ред. М.П.Шаскольской.- М., Наука, 1982, с.3-632.

59. Gurard A., Beaulieu A.J. A TEA C02 laser with output pulse length adjustable from 50 ns to 5 us.-IEEE Journ. of Quant. Electr., 1974, v.QE-10, N 6, p. 521-526.

60. Милер M. Голография: Перевод с чеш.- Пер. А.С.Сударушкин, В.И.Лусников.-Л.: Машиностроение. Ленинградское отделение, 1979, с.3-207.

61. А.С.Рубанов, Е.Б. Ивакин. Нестандартные тепловые дифракционные решетки.- В кн. Квантовая электроника и лазерная спектроскопия. Под ред.Самсона. Минск, Наука и техника, 1974, с.407-425.

62. Tocho J.O., Sibett W., Bradley D.J. Thermal effects in phase-conjugation in saturable absorbers with picosecond pulses.-Opt.Comm., 1981, v.37, N 1, p. 67-73

63. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М., Наука, 1977, с.3-268.

64. Воронкова Е.М., Гречушников Б.Н., Дистлер Г.И., Петров И.П. Оптические материалы для инфракрасной техники. Справочное издание.- М., Наука, 1965, с.1-336.

65. Шалимова К.В. Физика полупроводников.- М., Энергия, 1976, с.3-416.

66. Маделунг 0. Физика полупроводниковых соединений элементов Ш и У группы. Перевод с англ. под ред. Б.И.Болтакса.-М.,Мир, 1967, с.3-478.

67. Данишевский A.M., Датрин А.А., Рыбкин С.М., Ярощецкий И.Д. О влиянии индуцированного поглощения свободными носителямина двухфотоннук фотопроводимость в полупроводниках.- ЖЭТФ, 1969, т.56, вып.5, с.1457-1462.

68. Казакова Л.А., Шалабутов Ю.К., Уханов Ю.И. Исследование дырочного арсенида- индия оптическими методами.- ФТП, 1979, т.13, вып.2, с.242-247.

69. Mitra S.S., Judell N.H.K., Vaidyanathan A., Guenther A.H. Three-photon absorption in direct-gap crystals.- Opt.Lett., 1982, v. 7, N 7, p. 307-309.

70. Келдыш Л.В. Ионизация в поле сильной электромагнитной волны.

71. ЖЭТФ, 1964, т.47, вып.5 (II), с.1945-1957.

72. Kleiman Н., Marcus S. COg laser pulse shaping with saturable absorbers.-J.Appl.Phys., 1973, v.44, N4, p.1646-1648.

73. Гаяочкин В.Г., Ораевский А.Н. Особенности поглощения молекулами интенсивного ИК излучения (обзор).-Квантовая электроника, 1979, т.6, № 5, с.885-901.

74. Houston P.L., Novak A.V.,Steinfeld J.I.-J.Chem.Phys.,1973,v59,p.3373 .

75. Lavique P., Lashamber J.L. Pressure-dependent absorption in BCl^ at 10.6 u.-Appl.Phys.Lett., 1971, v.19, N6, p.176-179.

76. Lind R.G., Steel D.G., Dunning G.J, Phase conjugation by resonantly enhanced degenerate four-wave mixing.-Optical Engineering, 1982, v.21, N2, p.190-198 .

77. Steinfeld J.I., Burak J., Sutton D.G.,Novak A.V. Infrared double resonance in sulfer hexaflouride.-Journ.of Chem.Phys., 1970, v.52, N10, p.5421-5434- .

78. Басов Н.Г., Гаяочкин В.Т., Ораевский А.Н., Стародубцев Н.Ф. Особенности спектра поглощения SFg при больших интенсивностях ИК излучения.- Письма в ЖЭТФ, 1976, т.23, вып.10, с.569-574.

79. Басов Н.Г.Галочкин В.Т., Картышев В.Г., Ляпин А.Г.,Мазурин И.М. Ораевский А.Н., Стародубцев Н.Ф. Особенности поглощения молекулами SP^ больших интенсивностей ИК излучения.- ЖЭТФ, т.72, вып.З, 1977, с.918-927.

80. Виноградов Ан.В. Два типа нелинейных оптических восприимчивос-тей. Препринт ФИАН, 1984.9'6. Kane 0# Band structure of indium antimonide.—J.Phys.Chem. Solids,- 1957, v.1, N 4, p.249-261 .

81. Yuen S.Y. Pour-wave mixing via optically generated free carriers in Hg^Cd^Te.-Appl.Phys.Lett. ,1982,v.41 ,N7,p.590-592.

82. Ерохин А.И., Морачевский H.B., Файзуллов Ф.С. Лазерный метод исследования температурной зависимости показателя преломления конденсированных сред.-Препринт ФИАН, 1977, № 122.

83. Sparks М» Optical Distortion by Heated Windows in High-Power Laser Systems.-Preprint R-545-PR, 1971.

84. Басов Н.Г., Ковалев В.И., Мусаев М.А., Файзуллов Ф.С. Исследование отражения при четырехволновом взаимодействии в резонансных газах на 10,6 мкм.-Препринт ФИАН, 1981, № 204.

85. Н.Г.Басов, Ковалев В.И., Мусаев М.А., Файзуллов Ф.С. Исследование отражения при четырехволновом взаимодействии в резонансных газах на 10,6 мкм.-Тезисы докладов Ш Всесоюзной конференции " Оптика лазеров", Ленинград, 2-4 января 1982г., с.286-287.

86. Ковалев В.И., %саев М.А., Файзуллов Ф.С. Вклад теплового механизма в отражение при вырожденном четырехволновом взаимодействии на 10,6 мкм.-Квант, электроника, 1984, т.II, № I,с.85-90.

87. Ковалев В.И., Мусаев М.А., Файзуллов Ф.С. Отражение при вырожденном взаимодействии в inAs и inSb на длине волны 10,6 мкм.-Препринт ФИАН, 1984.

88. Ковалев В.И., Мусаев М.А., Файзуллов Ф.С. Пробой на поверхности и нелинейное поглощение полупроводников при воздействии излучения импульсного COg- лазера. Квант, электроника, 1984, т.II, № 4.