О роли примесей в формировании электронных свойств и пиннинга дислокаций в кремнии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

На правах рукописи

БАДЫЛЕВИЧ Михаил Владимирович

О РОЛИ ПРИМЕСЕЙ В ФОРМИРОВАНИИ ЭЛЕКТРОННЫХ СВОЙСТВ И ПИННИНГА ДИСЛОКАЦИЙ В КРЕМНИИ

Специальность 01.04.07 - физика конденсированного состояния

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Черноголовка 2005

Работа выполнена в Институте физики твердого тела РАН

Научный руководитель: доктор физико-математических наук, профессор Виталий Владимирович Кведер

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук Борис Владимирович Петухов доктор физико-математических наук Илья Иосифович Тартаковский

Ведущая организация: Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород

Защита состоится « » -СС+СН сЯ^ 2005 года в О часов на заседании диссертационного совета Д002.100.01 в Институте физики твердого тела РАН по адресу: 142432, Московская область, г. Черноголовка.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ИФТТ РАН.

Автореферат разослан « /У » СЫСиЯ, 2005 года

/

/ Ученый секретарь диссертационного совета

© Бадылевич М.В. 2005 О ИФТТ РАН 2005

Общая характеристика работы.

Актуальность темы диссертации.

Кремний является основой современной микроэлектроники и солнечной энергетики и такая ситуация сохранится еще как минимум 10 лет. Бурное развитие кремниевой микроэлектроники во многом обеспечивается успехами в области «инженерии дефектов» в кремнии, основанной на понимании процессов генерации, диффузии и взаимодействия различных собственных и примесных дефектов. Современная «инженерия дефектов» позволяет не только управлять свойствами материала, но и создавать новые объекты, интересные как с точки зрения фундаментальной физики, так и для дальнейшего развития микроэлектроники В частности, используя процессы самоорганизации в системе собственных и примесных дефектов можно контролируемым образом создавать новые нано-структурные объекты различной размерности в объеме или на поверхности кремния, с новыми интересными свойствами.

В последние несколько лет в области инженерии дефектов в кремнии особенно возрос интерес к исследованию процессов взаимодействия таких дефектов, как дислокаций, с другими собственными и примесными дефектами и их влиянию на электронные свойства дислокаций Это обусловлено рядом причин: С точки зрения дальнейшего развития кремниевой микроэлектроники сейчас возникли новые актуальные фундаментальные задачи, направленные на исследования перспектив использования внутри кремниевых чипов оптоэлектронных компонентов Для этого требуется создание светодиодов (а еще лучше - инжекционных лазеров) излучающих свет с длиной волны порядка 1.3-1.6мкм, совместимых с кремниевой технологией. Одним из путей решения этой проблемы является использование дислокационной люминесценции

Другой причиной является широкое использование дешевого мультикристаплического кремния для изготовления солнечных элементов. Дислокации как в границах зерен, так и в самих зернах этого материла сильно влияют на время жизни неосновных носителей тока и во многом определяют энергетический выход солнечных батарей Поэтому очень актуальны исследования, направленные на достижение фундаментального понимания процессов рекомбинации носителей тока на дислокациях и поиск методов, позволяющих модифицировать электронные свойства дислокаций и снизить скорость рекомбинации на н " .ности

исследований процессов взаимодействия дислокаций с примесями связана с широким использованием дислокаций для гетерирования вредных примесей в микроэлектронных технологиях При этом возникает последующая задача закрепления дислокаций с целью избежать их открепления, размножения и проникновения в активные области интегральных схем во время технологических операций в процессе производства

Для решения этих актуальных проблем необходимо понимание фундаментальных аспектов процессов взаимодействия дислокаций с примесными дефектами Не смотря на продолжительные исследования в этой области, остается не решенным ряд важных вопросов, без понимания которых затруднительно решение вышеописанных проблем. Коротко рассмотрим некоторые из этих вопросов

На сегодняшний день хорошо известно существование дислокационной люминесценции 01-04 В настоящий момент природа 03/04 люминесценции представляется относительно ясной, тогда как природа Т>\Г02 люминесценции, перспективной для создания кремниевых светодиодов, пока далека от полного понимания. В частности, до начала данной работы не было представления даже о порядке величины концентрации этих центров Также не до конца ясна роль примесей в формировании центров излучательной и безизлучательной рекомбинации носителей на дислокациях. Было непонятно, связаны ли как-то энергетические дислокационные уровни, регистрируемые при нестационарных емкостных измерениях (ОЬТЗ) с дислокационной люминесценцией Дислокационное излучение, наблюдаемое различными авторами, имело при комнатной температуре крайне низкий квантовый выход (не более 10"6) Для создания эффективных светоизлучающих элементов на его основе необходимо было исследовать возможности увеличения квантового выхода дислокационной люминесценции (т е увеличения доли излучательных переходов, по сравнению с безизлучательными)

Другим фундаментальным вопросом, касающимся взаимодействия дислокаций с примесными атомами, является характер этого взаимодействия, а именно сводится ли оно лишь к взаимодействию примеси с полями деформаций вокруг дислокаций, или в ядре дислокации происходят специфические твердотельные химические реакции примесей Во втором случае можно ожидать наличие спин-зависимых стадий реакций, т.е. возникает возможность менять ход процесса взаимодействия примеси с дислокациями приложением магнитных полей Различные спин-зависимые реакции дефектов хорошо известны в щелочно-галлоидных кристаллах, однако в кремнии до

; . цт^ч»"«1 -> I 4

♦ -»« а* «о

——-- —-

начала данной работы не проводилось систематических исследований подобных эффектов.

Упомянутым выше вопросам посвящена настоящая диссертация, что и определяет ее актуальность

Цель работы

Основной задачей данной работы было изучение влияния взаимодействия дислокаций с некоторыми примесными атомами на формирование электрических свойств дислокаций в кремнии и их пиннинг Задача настоящей работы состояла в следующем:

• Провести методами нестационарной емкостной спектроскопии (Т)ЬТ5) и люминесценции комплексное исследование взаимосвязи глубоких центров, проявляющихся в ОиТБ с центрами ответственными за дислокационную люминесценцию в пластически деформированном кремнии

• Исследовать роль некоторых примесных атомов в формировании энергетических уровней, дислокационной люминесценции и безизлучательной рекомбинации на дислокациях в кремнии

• Произвести оценку концентрации центров дислокационной люминесценции 01, 02

• Выяснить возможность создания эффективных светодиодов на основе дислокационной люминесценции и исследовать их характеристики

• Установить, влияет ли магнитное поле на процесс пиннинга дислокаций в кремнии, определяемый их взаимодействием с кислородом и тем самым выяснить наличие спин-зависимых процессов при взаимодействии кислорода с дислокациями в кремнии.

Научная новизна работы

Научная новизна данной работы состоит в следующем-

Впервые была исследована взаимосвязь между концентрацией глубоких дислокационных электронных состояний, детектируемых методом ОИ/Гв в кремнии как п-, так и р-типа, и квантовым выходом дислокационной люминесценции Показано, что последовательное применение гетерирования и водородной пассивации, приводящее к

сильному уменьшению концентрации глубоких дислокационных электронных состояний, детектируемых методом ОЬТ8, сопровождается значительным (на несколько порядков) увеличением квантового выхода дислокационной люминесценции в области высоких (вплоть до комнатной) температур Полученные данные свидетельствуют о том, что центры, ответственные за дислокационную люминесценцию в кремнии, не дают вклада в наблюдаемые спектры БЬТЗ.

Впервые были изготовлены кремниевые светоизлучающие р-п структуры на основе дислокационной электролюминесценции, имеющие достаточно высокую (порядка 0.1%) внешнюю квантовую эффективность при комнатной температуре Из измерений спектров фототока этих структур впервые удалось оценить концентрацию центров люминесценции 01(02).

Впервые было обнаружено и исследовано влияние магнитного поля на стартовые напряжения для движения индивидуальных дислокаций в кремнии. Было показано, что величина эффекта зависит от количества кислорода, предварительно собранного дислокациями. Таким образом, было показано наличие спин-зависимых реакций кислорода на дислокациях

Практическая значимость работы

Практическая значимость работы состоит в следующем:

В работе продемонстрирована возможность создания кремниевых светодиодов с излучением в области 1 6 мкм, имеющих большую квантовую эффективность при комнатной температуре, что важно для дальнейшего развития кремниевой микроэлектроники путем использования внутри чипов различных оптоэлектронных элементов.

Полученные в работе результаты показывают перспективы использования последовательной «очистки» дислокаций гетерированием и водородной пассивацией для сильного снижения безизлучателыюй рекомбинации свободных носителей на них, что может быть использовано для увеличения кпд солнечных элементов изготовленных из поликристаллического кремния

Проведенные исследования влияния магнитного поля на величину стартовых напряжений для движения дислокаций в кремнии позволяют разработать новые методы управления пиннингом дислокаций во время технологических обработок кремния при изготовлении микроэлектронных чипов

Основные положения, выносимые на защиту

1 Установлена обратная взаимосвязь между концентрацией дефектов с глубокими электронными состояниями на дислокациях в кремнии, детектируемых методом ОЬТБ, и квантовым выходом дислокационной люминесценции , 02. Показано, что уменьшение концентрации дефектов, детектируемых методом БЬТБ, достигнутое применением гетерирования или водородной пассивации, приводит к значительному увеличению квантового выхода дислокационной люминесценции в области высоких температур. Наоборот, увеличение концентрации глубоких дефектов после декорирования дислокаций N1 вызывает падение квантового выхода дислокационной люминесценции.

2 В спектральной зависимости фототока дислокационных р-п структур обнаружены полосы возбуждения, соответствующие по энергетическому положению дислокационной люминесценции 01 и 02. Из этих измерений впервые удалось оценить по порядку величины концентрацию центров люминесценции 01(02).

3. Анализ' полученных результатов по измерениям ОЬТБ, зависимостей дислокационной люминесценции от температуры и интенсивности накачки, а также фототока дислокационных р-п структур показал, что центры, ответственные за дислокационную люминесценцию в кремнии, не дают вклада в наблюдаемые нами спектры ОЬТБ и сделать определенные выводы о модели и природе 01(02) люминесценции в кремнии.

4 Показано, что магнитное поле способно влиять на величину стартовых напряжений для Движения дислокаций в кремнии выращенном методом Чохральского и обусловленных захваченным на дислокации кислородом Показано, что магнитное поле влияет на кислород, который предварительно был накоплен дислокациями и практически не оказывает влияние на процесс его последующего накопления Таким образом, показано наличие спин-зависимых реакций кислорода на дислокациях в кремнии.

Апробация работы.

Публикации По материалам диссертации опубликовано 5 печатных работ в реферируемых научных журналах.

Основные результаты работы докладывались на следующих конференциях'

1 XIV Симпозиум "Современная химическая физика" , 2002, Туапсе;

2 X Международная конференция "Gettering And Defect Engineering in Semiconductor Technology 2003", Berlin, Germany;

3 VI Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники 2003", С.-Петербург;

4 III Международная конференция "Микромеханизмы пластичности, разрушения и сопутствующих явлений», на базе XLI Международного семинара «Актуальные проблемы прочности", 2003, Тамбов;

5 10th International Conference on Extended Defects in Semiconductors 2004, Chernogolovka, Russia;

Структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, 4 глав, заключения, основных выводов и списка цитируемой литературы 0&3 наименований). Объем диссертации составляет (hi страниц, в том числе Ч Ъ рисунков.

Краткое содержание работы

Во введении дана общая характеристика работы, обоснована актуальность темы, сформулирована цель, научная новизна и основные положения, выносимые на защиту

В первой главе представлен литературный обзор основных работ, рассмотрение которых позволяет в общих чертах представить картину существовавшего на момент выполнения диссертационной работы понимания процессов взаимодействия дислокаций в кремнии с примесными дефектами и электронных свойств дислокаций в кремнии Вначале коротко рассматриваются общие вопросы структурных особенностей дислокаций в Si, их электрические и оптические свойства.

С позиции электронных свойств, дислокации представляют собой квазиодномерные многоатомные подсистемы в общей системе кремневого кристалла, относящиеся к классу «протяженных дефектов» При помощи электронной

микроскопии высокого разрешения было установлено, что подвижные дислокации, возникающие при пластической деформации 81 и Ое, расщеплены на частичные ([1]) Измерения комбинированного резонанса (см [2]) позволили не только доказать наличие одномерных дислокационных зон, но и определить их положение Сейчас можно считать установленным, что с регулярными участками 60° дислокаций в кремнии связаны две одномерные зоны заполненная зона ЕОу=Еу+0 08еУ и пустая зона Епс=Ес-0.08еУ, отщепленные от валентной зоны Е\ и зоны проводимости Ее, соответственно

Далее описаны особенности использования ОЬТЗ-спектросконии для исследования свойств дислокаций Нестационарная спектроскопия глубоких уровней (ОЬТБ) изначально разрабатывалась как инструмент для экспериментального исследования и определения электрических параметров точечных дефектов с глубокими уровнями Поэтому применение данного метода для исследования протяженных дефектов, таких как дислокации, имеет ряд особенностей. Рассмотрены теоретические и практические критерии для определения типа состояния дефектов при помощи ОЬТ5

Отдельная часть обзора касается рассмотрения основных результатов исследования свойств дислокаций в кремнии при помощи 01_Т5 и люминесценции Одной из первых работ, в которой методом ОЬТЗ подробно исследуются энергетические уровни дефектов образующихся в кремнии в процессе пластической деформации, явчяется [3] В этой работе впервые было обращено внимание на логарифмическую зависимость амплитуд 01_Т5 пиков от длительности заполняющих импульсов, которая позволяет отличить электронные состояния, локализованные на протяженных дефектах, от точечных дефектов в объеме кристалла Были определены характеристики захвата и эмиссии носителей на эти дефекты В работе [4] впервые обнаружено рекомбинационное излучение, связанное с дислокациями в кремнии (которое в дальнейшем получило название - дислокационная люминесценция) При 1=4 2К дислокационному излучению авторы сопоставили серию линий с энергией в максимуме 0 812, 0 875, 0 934, 1 ООО эВ, которые были названы линиями 01, 02, ОЗ, 04 соответственно Существенный шаг в понимании физической природы линий 03/04 был сделан в работе [5], где была обнаружена зависимость энергетического положения этих линий от величины расщепления 60° дислокаций (т е ширины дефекта упаковки между частичными 30° и 90° дислокациями, образующими полную 60° дислокацию) Авторами [61 исследовались дислокационные фото- и электролюминесцентные

свойства сильно деформированных кристаллов кремния при комнатной температуре, и была предложена модель строения 01/02 центров, как сильно локализованных состояний на дислокациях

Отдельно в обзоре рассматриваются результаты исследования влияния предыстории дислокаций на их свойства Рассматриваются работы по исследованию формирования свойств дислокаций после термических обработок, гетерирования и пассивации водородом.

Следующая часть литературного обзора касается спин-зависимых реакций дефектов в кристаллах Обсуждаются основные принципы и закономерности протекания таких реакций Приведены основные результаты по исследованию «магнито-пластических эффектов» в различных твердых телах Рассматривается возможность существования спин-зависимых стадий твердотельных реакций в кремнии

Затем рассматриваются основные теоретические и экспериментальные работы посвященные изучению подвижности и пиннига дислокаций в кремнии. С позиции движения дислокаций кремний представляет собой кристалл с глубоким потенциальным рельефом Пайерлса, определяющим закономерности их подвижности Первые измерения скоростей дислокаций в элементарных полупроводниках 81 и Ое были проведены в работе [7]

Особо выделяется роль примеси в формировании подвижности дислокаций. Авторы [8] впервые высказали предположение о влиянии точечных дефектов на процессы диффузионного движения перегибов дислокаций и смогли объяснить существование стартовых напряжений для движения индивидуальных дислокаций, наблюдаемых ими В работах [9, 10] была расширена теория движения дислокаций в присутствии примесных стопоров, в рамках приближения сосредоточенной силы В дальнейшем, на основе этих модельных представлений, в [11] была предложена статистическая модель, объясняющая наличие стартовых напряжений при движении дислокаций влиянием неоднородного распределения дефектов вокруг дислокаций («собиранием» примесей дислокацией) В работе [12] представлены результаты исследования закономерностей формирования стартовых напряжений для движения дислокаций в кремнии с большой концентрацией кислорода (Сг-Э^

В конце главы производиться обобщение рассмотренных данных и делается постановка задачи работы.

Вторая глава касается методических аспектов данной работы Приведены исходные характеристики образцов кремния, использованных в работе Рассматриваются физические аспекты методики измерения подвижности и стартовых напряжений для движения индивидуальных дислокаций

Далее описываются основные принципы экспериментальных исследований методами ОЬТЭ Рассматриваются физические аспекты метода, схема ОЬТЭ-установки, процедура подготовки Шотки-диодов на исследуемых образцах Так же приводятся последовательности технологических обработок образцов Описывается процедура проведения измерений, люминесценции и ЬВ1С

В третьей главе приведены полученные в работе экспериментальные результаты по выявлению спин-зависимых процессов взаимодействия дислокаций с кислородом в кремнии и их обсуждение

Обнаружено, что если при комнатной температуре поместить между полюсами постоянного магнита с индукцией В=2Т на 3 часа образец кремния выращенного методом Чохральского имеющий большую концентрацию растворенного

кислорода, то это приведет к сильному (почти вдвое) уменьшению величины стартовых напряжений для движения предварительно введенных индивидуальных дислокаций по сравнению с контрольными измерениями, выполненными на тех же образцах, но без обработки полем (см Рис 1). Аналогичные измерения, проведенные на образцах кремния, имеющего на два порядка меньшее содержание кислорода, не выявили подобного эффекта Измерения ОЬТ5 так же не выявили изменения концентрации электрически активных центров после обработки полем

Известно, что величина стартовых напряжений для движения дислокаций в Сг-главным образом определяется захваченными на дислокации атомами кислорода Проведенные измерения ИК-спектров до и после обработки магнитным полем показали, что концентрации атомарного кислорода растворенного "в объеме образца не меняются, что согласуется с простыми оценками, показывающими, что за время обработки полем при комнатной температуре диффузное перемещение кислорода не превышает одного параметра решетки Таким образом, мы исключили возможность изменения величины стартовых напряжений вследствие магнитостимулированного изменения состояния объемного кислорода Было сделано предположение о том, что наблюдаемое изменение стартовых напряжений после выдержки образцов в магнитном поле связано с модификацией состояния кислорода, захваченного дислокациями Дальнейшие эксперименты подтвердили это Было показано, что величина эффекта

Рис. 1 Зависимости скорости движения индивидуальных дислокаций от сдвигового напряжения, измеренные до (1) и после (2) выдержки образца в ч магнитном поле В=2Т, при

Т=295К 2 часа. Стрелками показаны значения стартовых напряжений. На врезке -величина эффекта от длигпельности выдержки в магнитном поле В=2Т.

О

20

40 х [МРа]

60

изменения стартовых напряжений возрастает при увеличении времени предварительного (до обработки полем) отжига образцов с дислокациями, во время которого происходит накопление кислорода дислокациями. При этом обработка полем не приводила к заметному влиянию на процесс накопления и состояние кислорода, захватываемого дислокациями уже после действия поля.

В работе [12] было показано, что величина стартовых напряжений для движения дислокаций Тэт, измеряемая при одной и той же температуре прямо пропорциональна концентрации кислорода в ядре дислокаций Иох, т.е. тят^КМох, где К - коэффициент пропорциональности. Расчеты, основанные на полученных нами экспериментальных результатах и результатах [12] показали, что после действия магнитного поля коэффициент пропорциональности К уменьшается в 2.5 раза. Это эквивалентно уменьшению средней величины полной энергии кислорода на дислокации на 70 мэВ, в предположении, что все атомы кислорода на дислокации являются равнозначными.

Чтобы доказать спиновую природу наблюдаемого эффекта, нами были произведены измерения стартовых напряжений для движения индивидуальных дислокаций в Сг^ после выдержки в течение 30 мин при комнатной температуре в постоянном магнитном поле с различной индукцией, в присутствии микроволнового поля и без, т.е. условиях возникновения спинового резонанса. ПЬлученные результаты представлены на Рис 2 Было обнаружено резонансное изменение величины стартовых напряжений при условии взаимно перпендикулярной ориентации постоянного и микроволнового полей и их значений соответствующих §-фактору вблизи значения 2. Резонанс отсутствует при параллельной ориентации полей. Данный результат, демонстрирующий наличие спинового резонанса, подтверждает г.'чн-зависимую природу эффекта влияния магнитного поля на величину стартовых напряжчннй.

Рис. 2 Зависимость величины эффекта изменения 40

стартовых напряжений, от индукции магнитного поля 30 Кривая (1) соответствует выдержки только в 20

постоянном поле, кривая (2) _ - совместное действие — ю взаимно перпендикулярных < постоянного и о

микроволнового магнитных полей, точка (3) - о

совместное действие постоянного и параллельного _2о ему микроволнового полей Величина эффекта А в |о«|

рассчитывалась по формуле: A=JOO%*(xsr(B) - TsT)/ts¡-, где т„ и т.„(В) - величины стартовых напряжений до и после обработки магнитным полем

На основе имеющихся в литературе теоретических расчетов состояния кислорода в ядре дислокации нами была предложена предварительная модель, объясняющую наши экспериментальные результаты В этой модели предполагается, что магнитное поле, меняя спиновое состояние термически возбужденной пары электронов, образующих ковалентную связь кислорода с атомом кремния в ядре дислокации, способствует «переключению» кислородного комплекса в другую конфигурацию При этом происходит изменение пиннинга дислокации кислородными атомами, что выявляется измерением величины стартовых напряжений для их движения

Четвертая глава касается исследований излучательной и безизлучательной рекомбинации носителей на дислокациях в кремнии и роли примеси в этих процессах Приводятся результаты комплексного исследования методами DLTS и люминесценции влияния декорирования никелем, гетерирования и водородной пассивации на глубокие центры и центры излучения пластически деформированного кремния Было показано, что после гетерирования или водородной пассивации (Рис 3) происходит сильное уменьшение концентрации всех ценгров регистрируемых DLTS, в гом числе и тех, концешрацию которых нельзя существенно уменьшить, применяя [ермический отжиг [3] Уменьшение концентрации глубоких уровней сопровождалось сильным увеличением интенсивности дислокационной люминесценции (Рис 4) И наоборот, при увеличении числа DLTS центров после декорирования дислокаций Ni, наблюдалось тушение дислокационного излучения Эти экспериментальные результаты доказывают, что центры, ответственные за дислокационную люминесценцию в кремнии, не дают

13

т [к] ТЕК]

Рис 3 Спектры 01.Т5 пластически деформированного кремния п- (слева) ир-типа (справа)

существенного вклада в наблюдаемый нами ОЬТБ сигнал как в п- так и р- типе, а также то, что глубокие центры являются центрами эффективной безизлучательной рекомбинации носителей.

Продемонстрировано, что последовательное применение методов алюминиевого и фосфорного гетерирования, а также водородной пассивации позволяет уменьшить полную концентрацию детектируемых в ОЬТБ дефектов с глубокими уровнями ниже 4 104 см'1 на единицу длины дислокации Это привело к значительному увеличению квантового выхода дислокационной люминесценции в области высоких температур, и позволило впервые создать кремниевый светодиод, дающий излучение в области 1.6 мкм с внешней квантовой эффективностью порядка 0 1% и характерными временами короче 0 5 мке, что по комбинации параметров превосходит все известные из литературы кремниевые светодиоды, работающие в спектральной области, приемлемой для использования оптоэлектронных устройств внутри кремниевых чипов.

Было показано, что с ростом температуры из всех линий дислокационной люминесценции Э1-04 преобладающей становиться сильно уширенная низкоэнергетическая линия 01, положение которой (как и 02) меняется синхронно с изменением ширины запрещенной зоны Излучение, соответствующее зона-зонным переходам, и обычно наблюдаемое в районе I 1 эВ, полностью отсутствовало в наших дислокационных р-п структурах. Это означает, что характерное время излучательной рекомбинации на дислокациях гораздо короче, чем время излучательной зона-зонной рекомбинации свободных электронов и дырок, что было подтверждено нами прямыми

T [KJ Energy [eVJ

Рис 4 Слева представчены температурные зависимости интегральной дислокационной люминесценции Справа показаны спектрачьные зависимости фототока (А) и пюминесценции (В) дислокационных и бездисюкационныхр-п структур

измерениями времен отклика излучательной способностей р-n структур, показавшими, что tr<0.5 мкс. Интенсивность излучения наших дислокационных светодиодов при комнатной температуре была прямо пропорциональна мощности накачки, в то время как при более низких температурах имелась тенденция к насыщению.

Создание эффективных светоизлучающих дислокационных р-п структур и проведение спектральных измерений их фототока (Рис 4) впервые позволило произвести оценку концентрации D1(D2) центров дислокационной люминесценции В наших образцах с плотностью дислокаций (3-5)х108см"2 она составила ND|=(3-5)х1014см"3 Новым фактом, обнаруженным в нашей работе, является наблюдение в спектральных зависимостях фототока отчетливых ступенек (Рис 4), хорошо коррелирующих по энергии с линиями дислокационной люминесценции D1 и D2 Энергетическое совпадение ступенек в фототоке и полос люминесценции Dl - D2 означает, что и те и другие соответствуют без-фононным переходам Это означает, что центры Dl - D2 соответствуют достаточно глубоким состояниям с сильно локализованными волновым функциями, имеющими достаточно большую ширину в к-пространстве, так что вероятность безфононных переходов на этих центрах существенно превышает вероятность электронных переходов с участием фононов

Новый, обнаруженный нами факт, состоящий в том, что D1 и 02-центры, доминирующие в дислокационной люминесценции при высоких температурах, не

наблюдаются в ОЬТЙ спектрах, хотя их концентрация существенно выше порога чувствительности данного метода, а также совокупность других полученных в работе данных, позволили нам провести анализ нескольких, известных из литературы, моделей строения 01ф2) центров Было показано, что модель, впервые представленная в работе [6] позволяет непротиворечиво объяснить имеющиеся экспериментальные результаты.

В заключении суммируются результаты проведенных исследований

Основные выводы и результаты работы

1 Установлена обратная взаимосвязь между концентрацией дефектов с глубокими »

(

электронными состояниями на дислокациях в кремнии, детектируемых методом Оиге, и квантовым выходом дислокационной люминесценции Э1, 02. Показано,

«

что уменьшение концентрации дефектов, детектируемых методом 01,Т8, достигнутое применением гетерирования или водородной пассивации, приводит к значительному увеличению квантового выхода дислокационной люминесценции в области высоких температур Наоборот, увеличение концентрации глубоких дефектов после декорирования дислокаций N1 вызывает падение квантового выхода дислокационной люминесценции

2 В результате проведенных исследований удалось впервые создать кремниевый светодиод, дающий излучение в области 1 6 мкм с внешней эффективностью порядка 0 1% при комнатной температуре и характерными временами отклика короче 0 5 мкс, что по комбинации параметров превосходит все известные из литературы кремниевые светодиоды, работающие в области длин волн, приемлемой для создания фотонной логики внутри кремниевых чипов

3 Измерены спектры возбуждения фототока дислокационных р-п структур, и из них А вычислены спектры оптического поглощения дислокаций в кремнии. В спектрах фототока и оптического поглощения впервые удалось наблюдать полосы,

*

соответствующие по энергетическому положению дислокационной люминесценции 01 и 02 Из этих измерений впервые удалось оценить концентрацию центров люминесценции В1(В2).

4 Анализ полученных результатов по измерениям ОЬТБ, зависимостей дислокационной люминесценции от температуры и интенсивности накачки, а также фототока дислокационных р-п структур, позволил показать, что центры, ответственные за дислокационную люминесценцию в кремнии, не дают вклада в

наблюдаемые спектры DLTS Полученные результаты дают существенные дополнительные аргументы в пользу модели для процессов рекомбинации неосновных носителей на дислокациях, предложенной ранее в [6]

5 Обнаружено, что магнитное поле способно влиять на величину стартовых напряжений для движения дислокаций в кремнии выращенном методом Чохральского и обусловленных захваченным на дислокации кислородом Обнаружено, что экспозиция образцов с дислокациями в статическом магнитном поле порядка 2Т при комнатной температуре приводит к существенному (в два раза) уменьшению стартовых напряжений для их движения. В тоже время, обработка этих образцов при комнатной температуре в СВЧ поле в условиях спинового резонанса, соответствующего g-фактору 2 0 приводит, наоборот, к возрастанию стартовых напряжений.

6 Показано, что влияние магнитного поля на стартовые напряжения для движения дислокаций обусловлено его влиянием на состояние кислорода, который предварительно был накоплен дислокациями в результате термообработки при высокой (600С) температуре, и практически не оказывает влияние на процесс последующего его накопления при термообработках Таким образом, показано наличие спин-зависимых реакций кислорода на дислокациях в кремнии

Результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1 М В Бадылевич, Ю Л Иунин, В В Кведер, В И Орлов, Ю А Осипьян, Влияние магнитного поля на стартовые напряжения и подвижность индивидуальных дислокаций в кремнии//ЖЭТФ, т 124, вып 3(9), с 663(2003)

2 V Kveder, М Badylevich, Е Stemman, A Izotov, М Seibt, W.Schröter, Room-Temperature Silicon Light Emitting Diodes Based on Dislocation Luminescence // Applied Physics Letters, v 84, N12, p 2106 (2004)

3 V Kveder, M Badylevich, W Schröter, M Seibt, E Steinman, A Izotov, Silicon light-emitting diodes based on dislocation-related luminescence // Physica Status Solidi (a), 202, N5, p 901 (2005)

4 M Badylevich, Yu lunin , V Kveder, V Orlov, Yu Osipyan, Influence of Magnetic Field on the Critical Stress and Dislocation Mobility in Silicon // Solid State Phenomena, Vols. 95-96, p 433 (2004)

5 MV Badylevich, V I Orlov, V.V. Kveder, Yu A. Ossipyan, Spin-Resonant Change of Unlocking Stress for Dislocations in Silicon // Physica Status Solidi (c), 2, N6, p. 1869 (2005)

6. V. Orlov, YuL Iunm, M V Badylevich, О Lysytskiy, H. Richter, Influence of Nitrogen on Dislocation Mobility in Czochralski Silicon // Solid State Phenomena, Vols 95-96 p. 465(2004)

Цитируемая литература.

[1] H Alexander, "Dislocations" // Material Scicncc and Technology (Eds R W Cahn, P Haasen, E J Kramer), vol 4 Electronic Structure and Properties of Semiconductors, VCH Wemheim, 1991

[2] V Kveder, T Sekiguchi, К Sumino, Electronic states associated with dislocations in p-type silicon studied by means of electric-dipole spin resonance and deep-level transient spectroscopy // Phys Rev B, 51(23) 16721(1995)

[3] V V. Kveder, Yu.A. Osipyan, W Schröter, G Zoth, On the energy spectrum of dislocations in silicon //Phys Stat Sol (a), 72, 701 (1982)

[4] H А Дроздов, А А Патрин, В Д Ткачев, Рекомбинационное излучение на дислокациях в кремнии // Письма в ЖЭТФ, т 23, вып. 11,651 (1976)

[5] R Sauer, Ch Kisielowski-Kemmench, Н Alexander, Dissociation-width-dependent radiative recombination of electrons and holes at widely split dislocations m silicon // Phys Rev Letters, 57, 1472(1986)

[6] V V Kveder, E A Steinman, S A Shevchenko, H G Grimmeiss, Dislocation-related electroluminescence at room temperature in plastically deformed silicon // Phys Rev B, 51(16), 10520(1995)

[7] A R Chandhun, J P Patel, L G Rubin, Velocities and densities of dislocations in germanium and other semiconductor crystals//J Appl Phys , 33(8), 2736 (1962)

[8] В H Ерофеев, В И Никитенко, Сопоставление экспериментальных данных и теории подвижности дислокаций в кремнии // ЖЭТФ, 60 (5), 1780 (1971)

[9] Петухов Б.В., Сухарев В.Я. О влиянии упругих полей точечных дефектов на подвижность дислокаций в кристаллическом рельефе // ФТТ, 23(4), 1093 (1981)

[10] Петухов Б В Об эффекте разупрочнения материалов примесями // Письма в ЖТФ, 8(14), 833(1982)

[11] Петухов Б В. О стартовых напряжениях при движении дислокаций в потенциальном рельефе кристаллической решетки //ФТТ, 24(2), 439 (1982)

[12] S Senkader, К Jurkschat, D Gambaro, R Falster, Р Wilshaw, On the locking of dislocations by oxygen in silicon // Philosophical Magazine A, 81 (3), 759 (2001)

i.

i

I

í

I

I ]

1106 8 4

РЫБ Русский фонд

2006-4 8443

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР. ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ.

§1.1 Дислокации в кремнии и роль примесей в формировании их свойств.

§1.1.1 Особенности использования DLTS-спектроскопии для исследования дислокаций в кремнии.

§1.1.2 Захват и эмиссия носителей заряда на протяженных дефектах: эффект кулоновского барьера и туннелирования между состояниями.

§1.1.3 Качественные критерии для определения типа состояний по поведению DLTS-спектров.

§1.1.4 Экспериментальные результаты изучения дислокационных уровней при помощи метода DLTS.

§1.1.5 Излучательная рекомбинация носителей в пластически деформированном кремнии («дислокационная люминесценция»).

§ 1.1.6 Влияние дислокационной предыстории на электронные свойства дислокаций.

§1.2 Роль спиновой подсистемы при взаимодействии структурных дефектов в твердых телах (спин-зависимые реакции дефектов).

§1.2.1 Общие принципы протекания спин-зависимых реакций

§ 1.2.2 Обзор результатов по «магнито-пластическим эффектам»

§1.3 Подвижность и стартовые напряжения для движения дислокаций в кремнии.

§1.4. Выводы и постановка задачи

ГЛАВА 2. МЕТОДИЧЕСКИЕ ВОПРОСЫ ИССЛЕДОВАНИЯ.

§2.1 Исходные характеристики образцов использованных в работе.

§2.2 Измерения подвижности и стартовых напряжений для движения индивидуальных дислокаций.

§2.3 Приготовление образцов с высокой плотноситью дислокаций для исследования методами DLTS и люминесценции. Проведение алюминиевого и фосфорного гетерирования и водородной пассивации.

§2.4 Измерения DLTS.

§2.5 Измерения люминесценции и LBIC.

ГЛАВА 3. ИЗУЧЕНИЕ СПИН-ЗАВИСИМЫХ ПРОЦЕССОВ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ДИСЛОКАЦИЙ С КИСЛОРОДОМ В КРЕМНИИ.

§3.1 Влияние постоянного магнитного поля на стартовые напряжения для движения индивидуальных дислокаций.

§3.2 Влияние термической предыстории дислокаций на величину эффекта изменения стартовых напряжений дислокаций после действия магнитного поля.

§3.3 Совместное влияние постоянного и микроволнового магнитных полей на величину стартовых напряжений для движения индивидуальных дислокаций в Cz-Si.

§3.4 Интерпретация экспериментальных результатов представленных в главе 3.

ГЛАВА 4. РОЛЬ ПРИМЕСИ В ИЗЛУЧАТЕЛЬНОЙ И БЕЗИЗЛУЧАТЕЛЬНОЙ РЕКОМБИНАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ НА ДИСЛОКАЦИЯХ.

§4.1 Изменение концентрации глубоких уровней и интенсивности люминесценции после гетерирования алюминием пластически деформированного кремния.

§4.2 Влияние на фотолюминесценцию декорированием дислокаций примесью Ni.

§4.3 Влияние водородного пассивирования и фосфорного гетерирования на квантовую эффективность дислокационной люминисценции и спектры DLTS дислокаций.

§4.4.1 Исследование электролюминесценции в дислокационных р-п структурах.

§4.4.2 Спектры излучения, эффективность, характерное время отклика и спектры оптического поглощения наших дислокационных светодиодов.

§4.5 Обсуждение результатов представленных в главе 4.

Кремний является основой современной микроэлектроники и солнечной энергетики и такая ситуация сохранится еще как минимум 10 лет. Бурное развитие кремниевой микроэлектроники во многом обеспечивается успехами в области «инженерии дефектов» в кремнии, основанной на понимании процессов генерации, диффузии и взаимодействия различных собственных и примесных дефектов. Современная «инженерия дефектов» позволяет не только управлять свойствами материала, но и создавать новые объекты, интересные как с точки зрения фундаментальной физики, так и для дальнейшего развития микроэлектроники. В частности, используя процессы самоорганизации в системе собственных и примесных дефектов можно контролируемым образом создавать новые нано-структурные объекты различной размерности в объеме или на поверхности кремния, с новыми интересными свойствами.

В последние несколько лет в области инженерии дефектов в кремнии особенно возрос интерес к исследованию процессов взаимодействия таких дефектов, как дислокаций, с другими собственными и примесными дефектами и их влиянию на электронные свойства дислокаций. Это обусловлено рядом причин: С точки зрения дальнейшего развития кремниевой микроэлектроники сейчас возникли новые актуальные фундаментальные задачи, направленные на исследования перспектив использования внутри кремниевых чипов оптоэлектронных компонентов. Для этого требуется создание светодиодов (а еще лучше — инжекционных лазеров) излучающих свет с длиной волны порядка 1.3-1.6мкм, совместимых с кремниевой технологией. Одним из путей решения этой проблемы является использование дислокационной люминесценции.

Другой причиной является широкое использование дешевого поликристаллического кремния для изготовления солнечных элементов.

Дислокации как в границах зерен, так и в самих зернах этого материла сильно влияют на время жизни неосновных носителей тока и во многом определяют энергетический выход солнечных батарей. Поэтому очень актуальны исследования, направленные на достижение фундаментального понимания процессов рекомбинации носителей тока на дислокациях и поиск методов, позволяющих модифицировать электронные свойства дислокаций и снизить скорость рекомбинации на них. Третья причина актуальности исследований процессов взаимодействия дислокаций с примесями связана с широким использованием дислокаций для гетерирования вредных примесей в микроэлектронных технологиях. При этом возникает последующая задача закрепления дислокаций с целью избежать их открепления, размножения и проникновения в активные области интегральных схем во время технологических операций в процессе производства.

Для решения этих актуальных проблем необходимо понимание фундаментальных аспектов процессов взаимодействия дислокаций с примесными дефектами. Не смотря на продолжительные исследования в этой области, остается не решенным ряд важных вопросов, без понимания которых затруднительно решение вышеописанных проблем. Коротко рассмотрим некоторые из этих вопросов.

На сегодняшний день хорошо известно существование дислокационной люминесценции D1-D4. В настоящий момент природа D3/D4 люминесценции представляется относительно ясной, тогда как природа D1/D2 люминесценции, перспективной для создания кремниевых светодиодов, пока далека от полного понимания. В частности, до начала данной работы не было представления даже о порядге величины концентрации этих центров. Также не до конца ясна роль примесей в формировании центров излучательной и безизлучательной рекомбинации носителей на дислокациях. Было непонятно, связаны ли как-то энергетические дислокационные уровни, регистрируемые при нестационарных емкостных измерениях (DLTS) с дислокационной люминесценцией. Дислокационное излучение, наблюдаемое различными авторами, имело при комнатной температуре крайне низкий квантовый выход (не более 10-6). Для создания эффективных светоизлучающих элементов на его основе необходимо было исследовать возможности увеличения квантового выхода дислокационной люминесценции (т.е. увеличения доли излучательных переходов, по сравнению с безизлучательными).

Другим фундаментальным вопросом, касающимся взаимодействия дислокаций с примесными атомами, является характер этого взаимодействия, а именно: сводится ли оно лишь к взаимодействию примеси с полями деформаций вокруг дислокаций, или в ядре дислокации происходят специфические твердотельные химические реакции примесей. Во втором случае можно ожидать наличие спин-зависимых стадий реакций, т.е. возникает возможность менять ход процесса взаимодействия примеси с дислокациями приложением магнитных полей. Различные спин-зависимые реакции дефектов хорошо известны в щелочно-галлоидных кристаллах, однако в кремнии до начала данной работы не проводилось систематических исследований подобных эффектов. Обнаружение и исследования спин-зависимых стадий в процессе взаимодействия дислокаций и примеси, возможно, позволит разработать принципиально новые методы управления этими процессами, что является важными для современной инженерии дефектов в кремнии. Известно, что примесь играет очень важную роль в формировании свойств полупроводников. Если удастся понять как в кремнии через спиновую подсистему можно влиять на ее взаимодействие с другими дефектами, например дислокациями, то станет возможно изменение существующих и получение новых свойств этого материала. Примером процесса взаимодействия дислокаций в кремнии с примесью, обнаружение спин-зависимых стадий которого не противоречит физическим аспектам, является пиннинг дислокаций, определяемый их взаимодействием с кислородом.

Все вышеизложенное и определяет актуальность работы по исследованию роли примеси в формировании электронных свойств и пиннинга дислокаций в кремнии

Основной задачей данной работы было изучение влияния взаимодействия дислокаций с некоторыми примесными атомами на формирование электрических свойств дислокаций в кремнии и их пиннинг. Задача настоящей работы состояла в следующем:

• Провести методами нестационарной емкостной спектроскопии (DLTS) и люминесценции комплексное исследование взаимосвязи глубоких центров, проявляющихся в DLTS с центрами ответственными за дислокационную люминесценцию в пластически деформированном кремнии.

• Исследовать роль некоторых примесных атомов в формировании энергетических уровней, дислокационной люминесценции и безизлучательной рекомбинации на дислокациях в кремнии.

• Произвести оценку концентрации центров дислокационной люминесценции Dl, D2.

• Выяснить возможность создания эффективных светодиодов на основе дислокационной люминесценции и исследовать их характеристики.

• Установить, влияет ли магнитное поле на процесс пиннинга дислокаций в кремнии, определяемый их взаимодействием с кислородом и тем самым выяснить наличие спин-зависимых процессов при взаимодействии кислорода с дислокациями в кремнии.

В данной работе, впервые была исследована взаимосвязь между концентрацией глубоких дислокационных электронных состояний, детектируемых методом DLTS в кремнии как п- , так и р-типа, и квантовым выходом дислокационной люминесценции. Показано, что последовательное применение гетерирования и водородной пассивации, приводящее к 8 сильному уменьшению концентрации глубоких дислокационных электронных состояний, детектируемых методом DLTS, сопровождается значительным (на несколько порядков) увеличением квантового выхода дислокационной люминесценции в области высоких (вплоть до комнатной) температур. Полученные данные свидетельствуют о том, что центры, ответственные за дислокационную люминесценцию в кремнии, не дают вклада в наблюдаемые спектры DLTS.

Впервые были изготовлены кремниевые светоизлучающие р-п структуры на основе дислокационной электролюминесценции, имеющие достаточно высокую (порядка 0.1%) внешнюю квантовую эффективность при комнатной температуре. Из измерений спектров фототока этих структур впервые удалось оценить концентрацию центров люминесценции D1(D2).

Впервые было обнаружено и исследовано влияние магнитного поля на стартовые напряжения для движения индивидуальных дислокаций в кремнии. Было показано, что величина эффекта зависит от количества кислорода, предварительно собранного дислокациями. Таким образом, было показано наличие спин-зависимых реакций кислорода на дислокациях Основные положения работы, выносимые на защиту:

1. Установлена обратная взаимосвязь между концентрацией дефектов с глубокими электронными состояниями на дислокациях в кремнии, детектируемых методом DLTS, и квантовым выходом дислокационной люминесценции Dl, D2. Показано, что уменьшение концентрации дефектов, детектируемых методом DLTS, достигнутое применением гетерирования или водородной пассивации, приводит к значительному увеличению квантового выхода дислокационной люминесценции в области высоких температур. Наоборот, увеличение концентрации глубоких дефектов после декорирования дислокаций Ni вызывает падение квантового выхода дислокационной люминесценции.

2. В спектральной зависимости фототока дислокационных р-n структур обнаружены полосы возбуждения, соответствующие по энергетическому положению дислокационной люминесценции D1 и D2. Из этих измерений впервые удалось оценить по порядку величины концентрацию центров люминесценции D1(D2).

3. Анализ полученных результатов по измерениям DLTS, зависимостей дислокационной люминесценции от температуры и интенсивности накачки, а также фототока дислокационных р-n структур показал, что центры, ответственные за дислокационную люминесценцию в кремнии, не дают вклада в наблюдаемые нами спектры DLTS и сделать определенные выводы о модели и природе D1(D2) люминесценции в кремнии.

4. Показано, что магнитное поле способно влиять на величину стартовых напряжений для движения дислокаций в кремнии выращенном методом Чохральского и обусловленных захваченным на дислокации кислородом. Показано, что магнитное поле влияет на кислород, который предварительно был накоплен дислокациями и практически не оказывает влияние на процесс его последующего накопления. Таким образом, показано наличие спин-зависимых реакций кислорода на дислокациях в кремнии.

Диссертация состоит из введения, 4 глав, заключения, основных выводов и списка цитируемой литературы (189 наименований). Объем диссертации составляет 168 страниц, в том числе 43 рисунков.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ. ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ

Результаты отдельных этапов работы описаны в конце соответствующих глав. Резюмируя изложенное, основные выводы работы формулируются следующим образом:

1. Установлена обратная взаимосвязь между концентрацией дефектов с глубокими электронными состояниями на дислокациях в кремнии, детектируемых методом DLTS, и квантовым выходом дислокационной люминесценции Dl, D2. Показано, что уменьшение концентрации дефектов, детектируемых методом DLTS, достигнутое применением гетерирования или водородной пассивации, приводит к значительному увеличению квантового выхода дислокационной люминесценции в области высоких температур. Наоборот, увеличение концентрации глубоких дефектов после декорирования дислокаций Ni вызывает падение квантового выхода дислокационной люминесценции.

2. В результате проведенных исследований удалось впервые создать кремниевый светодиод, дающий излучение в области 1.6 мкм с внешней эффективностью порядка 0.1% при комнатной температуре и характерными временами отклика короче 0.5 мкс, что по комбинации параметров превосходит все известные из литературы кремниевые светодиоды, работающие в области длин волн, приемлемой для создания фотонной логики внутри кремниевых чипов.

3. Измерены спектры возбуждения фототока дислокационных р-n структур, и из них вычислены спектры оптического поглощения дислокаций в кремнии. В спектрах фототока и оптического поглощения впервые удалось наблюдать полосы, соответствующие по энергетическому положению дислокационной люминесценции D1 и D2. Из этих измерений впервые удалось оценить концентрацию центров люминесценции D1(D2).

4. Анализ полученных результатов по измерениям DLTS, зависимостей дислокационной люминесценции от температуры и интенсивности накачки, а также фототока дислокационных р-n структур, позволил показать, что центры, ответственные за дислокационную люминесценцию в кремнии, не дают вклада в наблюдаемые спектры DLTS. Полученные результаты дают существенные дополнительные аргументы в пользу модели для процессов рекомбинации неосновных носителей на дислокациях, предложенной ранее в [42 и 50]

5. Обнаружено, что магнитное поле способно влиять на величину стартовых напряжений для движения дислокаций в кремнии выращенном методом Чохральского и обусловленных захваченным на дислокации кислородом. Обнаружено, что экспозиция образцов с дислокациями в статическом магнитном поле порядка 2Т при комнатной температуре приводит к существенному (в два раза) уменьшению стартовых напряжений для их движения. В тоже время, обработка этих образцов при комнатной температуре в СВЧ поле в условиях спинового резонанса, соответствующего g-фактору 2.0 приводит, наоборот, к возрастанию стартовых напряжений.

6. Показано, что влияние магнитного поля на стартовые напряжения для движения дислокаций обусловлено его влиянием на состояние кислорода, который предварительно был накоплен дислокациями в результате термообработки при высокой (600С) температуре, и практически не оказывает влияние на процесс последующего его накопления при термообработках. Таким образом, показано наличие спин-зависимых реакций кислорода на дислокациях в кремнии.

В заключении хочу выразить искреннюю благодарность своему научному руководителю В.В. Кведеру за предложенную интересную тему работы, ценные советы, внимание и помощь в процессе ее выполнения. Также выражаю признательность В.И. Орлову за помощь в организации

150 работы и обучению новым методикам. Благодарю всех соавторов работ, а также сотрудников лаборатории спектроскопии дефектных структур ИФТТ РАН и других участников семинара «Физика дефектов» за плодотворное обсуждение результатов.

1. H.Alexander, "Dislocations" in Material Science and Technology (Eds. R.W.Cahn, P.Haasen, E.J.Kramer), vol.4: Electronic Structure and Properties of Semiconductors, VCH Weinheim, 1991

2. S. Marklund, Energy levels of intrinsic and extrinsic stacking faults // Phys.Stat.Sol.(b), 108, 97 (1981)

3. H. Teichler // Inst.Phys.Conf.Ser. 104, 57 (1989)

4. B.A. Гражулис, B.B. Кведер, В.Ю. Мухина, Ю.А. Осипьян, Исследование высокочастотной проводимости дислокаций в кремнии // Письма в ЖЭТФ, 24, 164(1976)

5. M.Brohl, M.Dressel, H.W.Helberg, H.Alexander, Microwave conductivity investigations of plastically deformed silicon // Phil.Mag. B61, 97 (1990)

6. E.I. Rashba, V.I. Sheka, Electric-Dipole Spin Resonances in "Landau Level Spectroscopy" (Edited by G.Landwehr, E.I.Rashba), Elsevier Science Publishers B.V., 1991

7. V. Kveder, T. Sekiguchi, K. Sumino, Electronic states associated with dislocations in p-type silicon studied by means of electric-dipole spin resonance and deep-level transient spectroscopy // Phys. Rev. B, 51(23) 16721(1995)

8. Баженов A.B., Красильникова Л.Л., Поглощение света в поле упругих напряжений дислокаций в кремнии и арсениде галлия // ФТТ, т. 28 (1), 235 (1986)

9. D.V. Lang, J. Appl. Phys., Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors // 45 (7), 3014 (1974)

10. L.C. Kimerling, J.R. Patel, Defect states associated with dislocations in silicon // Appl. Phys. Lett., v. 34, 73 (1979)

11. V.V. Kveder, Yu.A. Osipyan, W. Schroter, G. Zoth, On the energy spectrum of dislocations in silicon // Phys. Stat. Sol. (a), 72, 701 (1982)

12. W. Schroter, J. Kronewitz, U. Gnauert, F. Riedel and M. Seibt, Bandlike and localized states at extended defects in silicon // Phys. Rev. В 52, 13726 (1995)152

13. W. Schroter, H. Hedemann ,V. Kveder, F. Riedel, Measurements of energy spectra of extended defects // J. Phys.: Condens. Matter 14, 13047-13059 (2002)

14. V.Kveder, W.Schroter, M.Seibt, A.Sattler, Electrical Activity of Dislocations in Si Decorated by Ni // Solid State Phenomena 82-84, 361-366 (2002)

15. H. Hedemann, W. Schroter, Deep-level transient-spectroscopy for localized states at extended defects in semiconductors // J. Phys. Ill France 7, 1389 (1997)

16. H. Hedemann, W. Schroter, Influence of electric field-enhanced emission on deep level transient spectra of bandlike extended defects: NiSi2-precipitates in silicon // Solid State Phenomena, 57-58, 293 (1997)

17. A. Sattler, H. Hedeman, A. Istratov, M. Seibt, W. Schroter, The nature of the electronic states of Cu3Si-precipitates in silicon // Solid State Phenomena, 63-64, 369 (1998)

18. F. Riedel, W. Schroter, Electrical and structural properties of nanoscale NiSi2 precipitates in silicon // Phys. Rev. B, 62, 7150 (2000)

19. P. Omling, E.R. Weber, L. Montelius, H. Alexander, J. Michel, Electrical properties of dislocations and point defects in plastically deformed silicon // Phys. Rev. B, v. 32 (10), 6571 (1985)

20. C. Kisielowski, J. Palm, B. Boiling, H. Alexander, Inhomogeneities in plastically deformed silicon single crystals. I. ESR and photo-ESR investigations of p- and n- doped silicon // Phys. Rev. В 44, 1588 (1991)

21. С. Kisielowski, E.R. Weber, Inhomogeneities in plastically deformed silicon single crystals. II. Deep-level transient spectroscopy investigations of p- and n-doped silicon // Phys. Rev. В 44,1600 (1991)

22. H.A. Дроздов, A.A. Патрин, В.Д. Ткачев, Рекомбинационное излучение на дислокациях в кремнии // Письма в ЖЭТФ, т. 23, вып. 11, 651 (1976)

23. N.A. Drozdov, A.A. Patrin, V.D. Tkachev, On the nature of the dislocation luminescence in silicon // Phys. Stat. Sol. (b) 83, K137 (1977)

24. M. Suezawa, K. Sumino, The nature of photoluminescence from plastically ^ deformed silicon // Phys. Stat. Sol. (a), 78, 639 (1983)

25. H. Alexander, С. Kisielowski-Kemmerich, E.R. Weber // Physica В, 116, 583 (1983)

26. R.H. Uebbing, P. Wagner, H. Baumgart, H.J. Queisser, Luminescence in slipped and dislocation-free laser-annealed silicon // Appl. Phys. Lett. 37, 1078 (1980)

27. A.H. Изотов, Э.А. Штейнман, Поляризация линий дислокационной люминесценции в кремнии // ФТТ, т.28 (4), 1015 (1986)

28. К. Weronek, Thesis Stuttgart (1992)

29. Yu.S. Lelikov, Yu.T. Rebane, S. Ruvimov, A.A. Sitnikova, D.V. Tarhin, Yu.G. Shreter // Phys. Stat. Sol (b), 172, 53 (1992)

30. R. Sauer, J. Weber, J. Stolz, E.R. Weber, K.-H. Kusters, H. Alexander, Dislocation-related luminescence in silicon // Appl. Phys. A, 36, 1 (1985)

31. M. Suezawa, K. Sumino, Photoluminescence from dislocated silicon crystals // J. Physique, 44, C4-133 (1983)

32. R.Sauer, Ch.Kisielowski-Kemmerich, H.Alexander, Dissociation-width-dependent radiative recombination of electrons and holes at widely split dislocations in silicon // Phys. Rev. Letters 57, 1472 (1986)

33. K. Wessel, H. Alexander, On the mobility of partial dislocations in Si // Phil. Mag. 35, 1523 (1977)

34. B.B. Кведер, А.И. Шалынин, Э.А. Штейнман, A.H. Изотов, Влияние расщепления дислокаций на величину g-фактора дырок в одномерной дислокационной зоне // ЖЭТФ, 110,1497 (1996)

35. Т. Sekiguchi, К. Sumino, Cathodoluminescence study on dislocations in silicon // J. Appl. Phys. 79, 3253 (1996)

36. V. Higgs, E.C. Lightowlers, S.Tajbakhsh, P.J. Wright, Cathodoluminescence imaging and spectroscopy of dislocations in Si and Sii.xGex alloys // Appl. Phys. Lett. 61 (9), 1087 (1992)

37. A.T. Blumenau, R. Jones, S. Oberg, P.R. Briddon, T. Frauenheim, Dislocation related photoluminescence in silicon // Phys. Rev. Lett. 87, 187404 (2001)

38. R. Jines, B.J. Coomer, J.P. Goss, S. Oeberg, P.R. Briddon, Intrinsic defects and the D1 to D4 optical bands detected in plastically deformed Si // Phys. Stat. Sol. (b), 222, 133 (2000)

39. S. Pizzini, M. Acciarri, E. Leoni, A. Le Donne, About the D1 and D2 dislocation luminescence and its correlation with oxygen segregation // Phys. Stat. Sol. (b), 222, 141 (2000)

40. A. Kenyon, E. Steinman, C. Pitt, D. Hole, V. Vdovin, The origin of the 0.78 eV luminescence band in dislocated silicon // J. Phys.: Condens. Matter, 16, S2843 (2004)

41. Э.А. Штейнман, Модификация центров дислокационной люминесценции в кремнии под влиянием кислорода // ФТТ, т.47 (1), 9 (2005)

42. V.V. Kveder, Е.А. Steinman, S.A. Shevchenko, H.G. Grimmeiss, Dislocation-related electroluminescence at room temperature in plastically deformed silicon // Phys. Rev. B, 51(16), 10520(1995)

43. L. Pavesi, Will silicon be the photonic material of the third millenium? // J. Phys.: Condens. Mater. 15, R1169 (2003)

44. E.O. Sveinbjornsson , J. Weber, Room temperature electroluminescence from dislocation-rich silicon // Appl. Phys. Lett., 69, 2686 (1996)

45. В.Г. Еременко, В.И. Никитенко, Е.Б. Якимов, Н.А. Ярыкин, Донорное действие дислокаций в монокристаллах n-Si, ФТП // т. 12(2), 273 (1978)

46. O.V. Kononchuk, V.I. Nikitenko, V.I. Orlov, E.B. Yakimov, Effect of dislocation loop size on the deep level transient spectrum in Si // Phys. Stat. Sol. (a), 145, K5 (1994)

47. S. Martinuzzi, I. Perichaud, J.J. Simon, External gettering by aluminium-silicon alloying observed from carrier recombination at dislocations in float zone silicon wafers // Appl. Phys. Lett. 70, 2744, (1997)

48. J.J. Simon, I. Perichaud, N. Burle, M. Pasquinelli, and S. Martinuzzi, Influence of phosphorus diffusion on the recombination strength of dislocations in float zone silicon wafers // J. Appl. Phys. 80, 4921 (1996)

49. V.Kveder, W.Schroter, A.Sattler, M.Seibt, Simulation of A1 and phosphorus-diffusion gettering in Si I I Materials Science&Engineering B71, 175-181 (2000)

50. V. Kveder, M. Kittler, W. Schroter, Recombination activity of contaminated dislocations in silicon: A model describing electron-beam-induced current contrast behavior // Phys. Rev. B, 63, 115208 (2001)

51. M.H. Золотухин, B.B. Кведер, Ю.А. Осипьян, Влияние водорода на дислокационные донорные и акцепторные состояния // ЖЭТФ, т. 82, вып. 6, 2068 (1982)

52. Ю.А. Осипьян, A.M. Ртищев, Э.А. Штейнман, Е.Б. Якимов, Н.А. Ярыкин, Взаимодействие дислокаций с водородом и кислородом в кремнии // ЖЭТФ, т. 82 (2), 509 (1982)

53. V.V. Kveder, R. Labusch, Yu. A. Ossipyan, The exodiffiision of hydrogen in dislocated crystalline silicon//Phys. Stat. Sol. (a), 84, 149 (1984)

54. V.V. Kveder, Yu.A. Osipyan, I.R. Sagdeev, A.I. Shalynin, M.N. Zolotukhin, The effect of Annealing and Hydrogenation on the Dislocation Conduction in Silicon // Phys. Stat. Sol. (a), 87, 657 (1985)

55. V. Higgs, M. Kittler, Influence of hydrogen on the electrical and optical activity of misfit dislocations in Si/SiGe epilayers // Appl. Phys. Lett., 65, 2804 (1994)

56. V. Higgs, M. Goulding, A. Brinklow, P. Kightley, Characterization of epitaxial and oxidation-induced stacking faults in silicon: The influence of transition-metal contamination// Appl. Phys. Lett., 60, 1369 (1992)

57. P.3. Сагдеев, T.B. Лешина, M.A. Камха // Изв. АН СССР. Сер. хим. 9, 2128 (1972)

58. Р.З. Сагдеев, К.М. Салихов, Т.В. Лешина, М.А. Камха, С.М. Шейн, Ю.Н. Молин, Влияние магнитного поля на радикальные реакции // Письма в ЖЭТФ 16, 7, 599 (1972)

59. И.А. Соколик, Е.Л. Франкевич, Влияние магнитных полей на фотопроцессы в органических твердых телах // УФН 111, 2,261 (1973)

60. Я.Б. Зельдович, A.JI. Бучаченко, E.JI. Франкевич, Молекулярно-спиновые эффекты в химии и молекулярной физике //УФН 155, 1,3 (1988)

61. A.JI. Бучаченко, Р.З. Сагдеев, К.М. Салихов. Магнитные и спиновые эффекты в химических реакциях. Наука, Новосибирск (1978). 296 с

62. A.L. Buchachenko, MIE versus CIE: Comparative Analysis of Magnetic and Classical Isotope Effects // Chem. Rev. 95, 7, 2507 (1995)

63. B. Brocklehurst//Nature 221, 921 (1969)

64. R. Kaptein, J.L. Oosterhoff, Chemically induced dynamic nuclear polarization II: (Relation with anomalous ESR spectra) // Chem. Phys. Lett. 4, 4, 195 (1969)

65. U.E. Steiner. T. Ulrich, Magnetic field effects in chemical kinetics and related phenomena//Chem. Rev. 89,1, 51 (1989)

66. A.L. Buchachenko, V.L. Berdindky, Spin catalysis of chemical reactions // J. Phys. Chem. 100,47, 18292 (1996)

67. JI.A. Чеботкевич, A.A. Урусовская, B.B. Ветер, А.Д. Ершов, Взаимодействие Блоховских стенок с дислокациями в слабых полях // ФТТ 9, 1093 (1967)

68. S. Hayashi, S. Takahashi, М. Yamamoto //. Phys. Lett. A 42, 171 (1972)

69. В.Я. Кравченко, О влиянии магнитного поля на электронное торможение дислокаций//Письма в ЖЭТФ 12, 11,551 (1970)

70. В.П. Лебедев, B.C. Крыловский, Электронное торможение дислокаций в алюминии в магнитном поле // ФТТ 27, 5, 1285 (1985)

71. J.M. Galligan, P.D. Goldman, L. Motowidlo, J. Pellegrino, Electron dislocation drag at low temperatures // J. Appl. Phys. 59, 3747 (1986)

72. J.M. Galligan, T.N. Lin, C.S. Pang, Electron-Dislocation Interaction in Copper // Phys. Rev. Lett. 38, 8, 405 (1977)

73. A.M. Гришин, E.A. Канер, Е.П. Фельдман, Электронное торможение дислокаций в магнитном поле // ЖЭТФ 70, 4, 1445 (1976)

74. М.И. Каганов, В.Я. Кравченко, В.Д. Нацик, Электронное торможение дислокаций в металлах // УФН 111,4, 655 (1973)

75. В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, Т.М. Перекалина, А.А. Урусовская, О движении дислокаций в кристаллах NaCl под действием постоянного магнитного поля // ФТТ 29,2, 467 (1987)

76. В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, O.JI. Казакова, Е.Ю. Михина, Е.А. Петржик, Магнитопластический эффект и спин-решеточная релаксация в системе дислокация парамагнитный центр // Письма в ЖЭТФ 63, 8, 628 (1996)

77. В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, Магнитопластический эффект в кристаллах LiF и продольная релаксация спинов // Письма в ЖЭТФ 70, 11, 749(1999)

78. Е.В. Даринская, Е.А. Петржик, С.А. Ерофеева, В.П. Кисель, Магнитопластический эффект в InSb // Письма в ЖЭТФ 70, 4, 298 (1999)

79. Yu. I. Golovin, R. В. Morgunov, and S. E. Zhulikov, The Role of Internal Mechanical Stresses in Dislocation Motion Stimulated by Magnetic Field // Crystallography Reports, Vol. 43, No. 4, 640 (1998)

80. Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, C.E. Жуликов, Кинетические особенности движения дислокаций в ионных кристаллах, стимулированного импульсом магнитного поля //Изв. РАН. Сер. физ. 61, 5, 965 (1997)

81. Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, С.Е. Жуликов, В.А. Киперман, Д.В. Лопатин, Дислокационное зондирование состояния дефектов решетки, возбужденных импульсом магнитного поля в ионных кристаллах // ФТТ 39, 4, 634 (1997)

82. Yu.I. Golovin, R.B. Morgunov, A.V. Tyutyunnik, The influence of permanent magnetic and alternative electric fields on dislocation dynamics in ionic crystals // Phys. Stat. Sol. (b) 189, 1, 75 (1995)

83. Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, B.E. Иванов, In situ исследования влияния магнитного поля на подвижность дислокаций в деформируемых монокристаллах КС1:Са // ФТТ 39,4, 630 (1997)

84. Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, Влияние постоянного магнитного поля на скорость макропластического течения ионных кристаллов // Письма в ЖЭТФ 61,7, 583(1995)

85. Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, С.Е. Жуликов, A.M. Карякин, Релаксационные явления при пластическом деформировании ионных кристаллов в постоянном магнитном поле // Изв. РАН. Сер. физ. 60, 9, 1731996)

86. А.А. Урусовская, В.И. Альшиц, А.Е. Смирнов, Н.Н. Беккауэр, О влиянии магнитного поля на предел текучести и кинетику макропластичности кристаллов LiF // Письма в ЖЭТФ 65, 6, 470 (1997)

87. В.И. Альшиц, Н.Н. Беккауэр, А.Е. Смирнов, А.А. Урусовская, Влияние магнитного поля на предел текучести NaCl // ЖЭТФ 115, 3, 951 (1999)

88. Б.И. Смирнов, Н.Н. Песчанская, В.И. Николаев, Магнитопластический эффект в сегнетоэлектрических кристаллах NaN02 // ФТТ 43, 12, 2154 (2001)

89. Электронные свойства дислокаций в полупроводниках / Под ред. Ю.А. Г Осипьяна. Эдиториал УРСС, М. (2000). 320 с

90. Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, М.В. Бадылевич, С.З. Шмурак, Оптическое гашение магнитопластического эффекта в кристаллах NaCl // ФТТ 39, 8,13891997)

91. Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, А.А. Дмитриевский, С.З. Шмурак, Влияние света на магнитостимулированную релаксацию внутренних напряжений в ионных кристаллах // Изв. АН СССР. Сер. физ. 62, 7, 1296 (1998)

92. Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, С.Е. Жуликов, А.А. Дмитриевский, Смещение максимума оптического гашения магнитопластического эффекта в кристаллах NaCl вызванное старением // Кристаллография 45, 4, 738 (2000)

93. Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, А.А. Баскаков, М.В. Бадылевич, С.З. Шмурак, Влияние магнитного поля на пластичность, фото- и электролюминесценцию монокристаллов ZnS 11 Письма в ЖЭТФ 69, 2, 114 (1999)

94. В.И. Алыииц, Е.В. Даринская, Е.Ю. Михина, Е.А. Петржик, О влиянии электрического поля на магнитопластический эффект в кристаллахNaCl // ФТТ35, 5,1397(1993)

95. В.И. Алыпиц, Е.В. Даринская, Е.Ю. Михина, Е.А. Петржик, Влияние электрического поля на подвижность дислокаций в магнитном поле // ФТТ 38, 8,2426(1996)

96. V. I. Alshits, Е. V. Darinskaya, О. L. Kazakova, Е. Yu. Mikhina and Е. А. Petrzhik, Magnetoplastic effect in non-magnetic crystals and internal friction // Journal of Alloys and Compounds V. 211-212, 548 (1994)

97. A.A. Урусовская, В.И. Алыпиц, H.H. Беккауэр, А.Е. Смирнов, Деформация кристаллов NaCl в условиях совместного действия магнитного и электрического полей // ФТТ 42, 2,267 (2000)

98. В.А. Макара, Л.П. Стебленко, Н.Я. Горидько, В.М. Кравченко, А.Н. Коломиец, О влиянии постоянного магнитного поля на электропластический эффект в кристаллах кремния // ФТТ 43, 3, 462 (2001)

99. А.А. Скворцов, Л.И. Гончар, A.M. Орлов, Динамика поверхностных дислокационных ансамблей в кремнии при наличии механических и магнитных возмущений // ФТТ 45, 4, 613 (2003)

100. А.А. Скворцов, A.M. Орлов, В.А. Фролов, Л.И. Гончар, О.В. Литвиненко, Влияние магнитного поля на акустическую эмиссию в дислокационном кремнии при токовых воздействиях // ФТТ 42, 10, 1814 (2000)

101. Е.Л. Франкевич, Е.И. Балабанов, Новый эффект увеличения фотопроводимости органических полупроводников в слабом магнитном поле // Письма в ЖЭТФ 1, 6, 33 (1965)

102. V.I. Lesin, V.P. Sakun, A.I. Pristupa, E.L. Frankevich, Reaction yield detected magnetic resonance spectra of intermediate pairs of triplet exitons // Phys. Stat. Sol. В 84, 2,513(1977)

103. E.L. Frankevich, M.M. Tribel, I.A. Sokolik, A.I. Pristupa, Magnetic-resonant modulation of photoconductivity of crystalline charge transfer complexes. Antracene-tetracyanbenzene//Phys. Stat. Sol. В 87, 1, 373 (1978)

104. ЕЛ. Франкевич, А.И. Приступа, В.М. Кобрянский, Новый эффект магиито-резонансиого изменения сопротивления органического полупроводника: слабо легированный полиацителен // Письма в ЖЭТФ 40, 1, 13 (1984)

105. R.C. Johnson, R.E. Merrifield, P. Avakian, R.B. Flippen, Effects of magnetic fields on the mutual annihilation of triplet excitons in molecular crystals // Phys. Rev. Lett. 19, 5, 285 (1967)

106. B.A. Гражулис, B.B. Кведер, Ю.А. Осипьян, Влияние спинового состояния дислокаций на проводимость кристаллов кремния // Письма в ЖЭТФ, 21 (12), 708-711, (1975)

107. В.В. Кведер, Ю.А. Осипьян, А.И. Шалынин, Спин-зависимая рекомбинация на дислокационных оборванных связях в кремнии // ЖЭТФ, 83(2), 699-714 (1982)

108. В.В. Кведер, Ю.А. Осипьян, А.И. Шалынин, Спин-зависимое изменение высокочастотной фотопроводимости кристаллов кремния с дислокациями // ЖЭТФ, 88(1), 309-317, (1985)

109. И.А. Коломиец, JI.C. Мима, В.И. Стриха, О.В. Третьяк, Спин-зависимый перенос тока в пластически деформированном кремнии // ФТП. 13,427 (1979)

110. V.V.Kveder, P.Omling, H.G.Grimmeiss, Yu.A.Osipian, Optically detected magnetic resonance of dislocations in silicon // Phys.Rev.B, 43(8),6569-6572, (1991).

111. P.Omling, V.Kveder, B.K.Meyer, K.Oettinger, U.Kaufmann, O.Kordina, Optically detected magnetic-resonance observervation of spin-dependent interdefect electron transfer in GaP:(V,S) system // Phys.Rev.B 47(19), 1252712531 (1993)

112. B.C. Cavenett // Adv. Phys. 30, 4, 475 (1981)161

113. П.Г. Баранов, Н.Г. Романов // Изв. АН СССР. Сер. физ. 50, 2, 224 (1986)

114. В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, Е.А. Петржик, "In situ" изучение магнитопластического эффекта в кристаллах NaCl методом непрерывного травления//ФТТ 33, 10,3001 (1991)

115. М.И. Молоцкий, Возможный механизм магнитопластического эффекта // ФТТ 33, 10,3112(1991)

116. М. Molotskii, V. Fleurov // Phil. Mag. Lett. 73, 1, 11 (1996)

117. Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, В.Е. Иванов, С.Е. Жуликов, А.А. Дмитриевский, Электронный парамагнитный резонанс в подсистеме структурных дефектов как фактор пластификации кристаллов NaCl // Письма в ЖЭТФ 68, 5,400(1998)

118. Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, В.Е. Иванов, А.А. Дмитриевский, Радиочастотные спектры парамагнитного резонанса, детектируемые по смещению дислокаций в кристаллах NaCl // ФТТ 41, 10, 1778 (1999)

119. Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, В.Е. Иванов, А.А. Дмитриевский, Эффекты разупрочнения ионных кристаллов, вызванные изменением спиновых состояний структурных дефектов в условиях парамагнитного резонанса // ЖЭТФ 117, 6, 1080 (2000)

120. Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, А.И. Тюрин, В.И. Иволгин, Магнитный резонанс в короткоживущих состояниях комплексов структурных дефектов, детектируемый по смещению дислокаций в кристаллах NaCl // Докл. АН 361, 3, 352 (1998)

121. Е.Л. Франкевич, А.И. Приступа, Магнитный резонанс возбужденных комплексов с переносом заряда, регистрируемый по флуоресценции при комнатной температуре // Письма в ЖЭТФ 24, 7, 397 (1976)

122. A.M. Орлов, А.А. Скворцов, Л.И. Гончар, Магнитосгимулированное изменение подвижности дислокаций в пластически деформированном кремнии п-типа // ФТТ 43, 7, 1207 (2001)

123. A.M. Орлов, А.А. Скворцов, А.А. Соловьев, Поведение дислокаций в кремнии при наличии механических и магнитных возмущений // ЖЭТФ, 123, 590 (2003)

124. М. Н. Левин, Б. А. Зон, Воздействие импульсных магнитных полей на кристаллы Cz-Si // ЖЭТФ 111, 1373 (1997)

125. А. А. Скворцов, А. М. Орлов, Л. И. Гончар, Влияние слабого магнитного поля на подвижность дислокаций в кремнии // ЖЭТФ 120, 134 (2001)

126. Хирт Дж., Лоте И. Теория дислокаций. М.: Атомиздат, 1972, 599 с

127. В.И. Никитенко, Подвижность дислокаций в потенциальном рельефе Пайерлса в кн. Динамика дислокаций, Киев: Наукова думка, 7 (1975)

128. N.F. Mott, F.R. Nabarro, Dislocation theory and transient creep // Rep. Conf. Strength of Solids, London, p.l (1947)

129. A.R. Chandhuri, J.P. Patel, L.G. Rubin, Velocities and densities of dislocations in germanium and other semiconductor crystals // J. Appl. Phys., 33(8), 2736(1962)

130. T. Suzuki, H. Kojima, Dislocation motion in silicon crystals as measured by the Lang X-ray technique // Acta Met., 14(8), 913 (1966)

131. В.И. Никитенко, B.H. Ерофеев, H.M. Надгорная, Исследование подвижности дислокаций в кремнии — в кн. Динамика дислокаций, Харьков: ФТИНТ АН УССР, 1968, с. 84

132. N.V. Erofeev, V.I. Nikitenko, V.B. Osvenskii, Effect of impurities in individual dislocation mobility in silicon // Phys. Stat. Sol., 35(1), 79 (1969)

133. B.H. Ерофеев, В.И. Никитенко, Подвижность дислокаций в кремнии, содержащем примеси замещения и внедрения // ФТТ, 13(1), 146 (1971)

134. В.Н. Ерофеев, В.И. Никитенко, Сопоставление экспериментальных данных и теории подвижности дислокаций в кремнии // ЖЭТФ, 60 (5), 1780 (1971)

135. V.C. Kannon, J. Washburn, Direct dislocation velocity measurements in silicon by X-ray topography //J. Appl. Phys., 41(9), 3589 (1970)

136. A. George, С. Escaravage, G. Champier, W. Schroter, Velocities of screw and 60°-dislocations in silicon // Phys. Stat. Sol. (b), 53(2), 483(1972)

137. J.R. Patel, F.E. Freeland, Change of dislocation velocity with Fermi level in silicon // Phys. Rev. Lett., 18(20), 833 (1967)

138. J. Lothe, J.R. Hirth, Dislocation Dynamics at low temperatures // Phys. Rev.B, 115(3), 543(1959)

139. A.T. Казанцев, В.JI. Покровский, Подвижность дислокаций в решетке с большими барьерами Пайерлса // ЖЭТФ, 58(2), 677 (1970)

140. В.И. Рыбин, А.Н. Орлов, Подвижность дислокаций в кристаллах с высоким пайерлсовским рельефом // ФТТ, 11(12) 3605 (1969)

141. Б.В. Петухов, О влиянии точечных дефектов на подвижность дислокаций в кристаллах с высокими барьерами Пайерлса// ФТТ, 13(5), 1445 (1971)

142. Б.В. Петухов, В.Л. Покровский, О влиянии заряженных примесей на подвижность дислокаций в кристаллах с высокими барьерами Пайерлса // ФТТ, 13(12), 3679 (1971)

143. H.L. Frisch, J.R. Patel, Chemical influence of holes and electrons on dislocation velocities in semiconductors // Phys. Rev. Lett, 18(12), 784 (1967)

144. J.R. Patel, L.R. Testardi, P.E. Freeland, Electronic effects on dislocation velocities in heavily doped silicon // Phys. Rev. B, 13(8), 3548 (1976)

145. P. Haasen, Kinkenbilung in geladenen Versetzungen // Phys. Stat. Sol. (a), 28(1), 145 (1975)

146. В.И. Альшиц, В.Л. Инденбом, Динамика дислокаций — в кн. Проблемы современной кристаллографии, М.: Наука, 1975, с. 218

147. J.R. Patel, P.E. Freeland, Burgers vector of dislocations generated for dislocation velocity measurements in semiconductors // J. Appl. Phys. 41(8), 2814 (1971)

148. И.Е. Бондаренко, В.Г. Еременко, В.И. Никитенко, Электронно-микроскопическое исследование особенностей движения дислокаций всильнолегированных кристаллах кремния // Доклады АН СССР, т. 229 (5), 1087

149. I.E. Bondarenko, V.J. Nikitenko, Effect of impurities on dislocation mobility in crystals with high peierls barriers // Acta cryst., v. A34, 242 (1978)

150. Орлов A.H. Взаимодействие атомов примеси с перегибами на движущихся дислокациях // ФТТ, 22(12), 3580 (1980)

151. Sun Z.C., Ке T.S. Interaction between a moving kink and the point defects migrating along the dislocation // Scr. Met., 15(7), 763 (1981)

152. Петухов Б.В., Сухарев В.Я. О влиянии упругих полей точечных дефектов на подвижность дислокаций в кристаллическом рельефе // ФТТ, 23(4), 1093(1981)

153. Петухов Б.В. Об эффекте разупрочнения материалов примесями // Письма в ЖТФ, 8(14), 833 (1982)

154. Петухов Б.В. О режимах движения дислокаций, контролируемых подвижностью солитонов // ФТТ, 25(6), 1822 (1983)

155. Петухов Б.В. О стартовых напряжениях при движении дислокаций в потенциальном рельефе кристаллической решетки // ФТТ, 24(2), 439 (1982)

156. Петухов Б.В., Влияние динамического старения дислокаций на деформационное поведение примесных полупроводников // ФТП, т 36 (2), 129 (2002)

157. Петухов Б.В., Различные типы динамики дислокаций как следствие их динамического старения // ЖТФ, т. 73 (7), 82 (2003)

158. Б.В. Петухов, Ю.Л. Иунин, В.И. Никитенко, Прочность идеального кристалла, дислокации и кинки // Известия РАН, сер. физическая, т. 67 (6), 759(2003)

159. I.E. Bondarenko, V.G. Eremenko, V.I. Nikitenko, E.B. Yakimov // The effect of thermal treatment on electrical activity and mobility of dislocations in Si, Phys. Stat. Sol. (a), 60, 341 (1980)

160. M.I. Heggie, R. Jones, A. Umerski, Ab initio total energy calculations of impurity pinning in silicon // Phys. Stat. Sol. (a) 138, 383 (1993)165

161. К. Sumino // Impurity reaction with dislocations in semiconductors, Phys. Stat. Sol. (a), 171,111 (1999)

162. K. Sumino, I. Yonenaga, Dislocation mobilities in c-Si // Properties of crystalline silicon, edited by R. Hull, INSPEC, London, UK, 113 (1999)

163. S. Senkader, K. Jurkschat, D. Gambaro, R. Falster, P. Wilshaw, On the locking of dislocations by oxygen in silicon // Phil. Mag. A, 81 (3), 759 (2001)

164. S. Senkader, P. Wilshaw, R. Falster Oxygen-dislocation interaction in silicon at temperatures below 700°C: Dislocation locking and oxygen diffusion // J. Appl. Phys., 89 (9), 4803 (2001)

165. S. Senkader, A. Giannattasio, R. Falster, P. Wilshaw, On the dislocation-oxygen interactions in Czochralski-grown Si: oxygen diffusion and binding at low temperatures // J. Phys. Condens. Matter, 14, 13141 (2002)

166. A. Giannattasio, S. Senkader, S. Azam, R. Falster, P. Wilshaw, The use of numerical simulation to predict the unlocking stress of dislocations in Cz-silicon wafers // Microelectronic Engineering, 70, 125 (2003)

167. A. Umerski, R. Jones, The interaction of oxygen with dislocation cores in silicon // Phil. Mag. A, 67, 905 (1993)

168. K. Sumino, M. Imai // Phil. Mag. A, 47, 753 (1983)

169. W. Schroter, M. Seibt, Solubility and diffusion of transition metal impurities in c-Si // Properties of crystalline silicon, edited by R. Hull, INSPEC, London, UK, 543 (1999)

170. D.V. Pons, Determination of the free energy level of deep centers, with application to GaAs // Appl. Phys. Lett., v.37, 413-415 (1980)

171. B.M. Бабич, Н.И. Блецкан, Е.Ф. Венгер, Кислород в монокристаллах кремния, К.: Интерпресс ЛТД, 1997, 240с.

172. J. С. Jr. Mikkelsen // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 59,19 (1986)

173. M. A. Green, J. Zhao, A. Wang, P.J. Reece and M Gal, Efficient silicon light-emitting diodes // Nature 412, 805 (2001)

174. W. Schroter, H. Cerva, Interaction of point defects with dislocations in silicon and germanium: electrical and optical effects // Solid State Phenomena 85-86, 67 (2002)

175. W. Schroter, V. Kveder, H. Hedemann, Electrical effects of point defect clouds at dislocations in silicon, studied by deep level transient spectroscopy // Sol. St. Phenomena 82-84,213 (2002)

176. M. Suezawa, Y. Sasaki, Y. Nishina, K. Sumino, Radiative recombination on dislocations in silicon crystals // Jpn. J. Appl. Phys. 20, L537 (1981)

177. Weronek K., Weber J., and Queisser H.J. // Phys.St.Sol. (a) 137, 543 (1993)

178. Steinman E.A. and Grimmeiss H.G., Dislocation-related luminescence properties of silicon // Semicond. Sci.Technol. 13, 124 (1998)

179. O.A. Feklisova, A.L. Parakhonsky, E.B. Yakimov, J. Weber, Dissociation of iron-related centers in Si stimulated by hydrogen // Mat. Sci. Eng. B, v. 71, 268 (2000)

180. A.L. Parakhonsky, E.B. Yakimov, D. Yang, Nitrogen effect on selfinterstitial generation in Czochralski silicon revealed by gold diffusion experiments // J. Appl. Phys., v. 90, 3642 (2001)

181. Баженов A.B., Кведер B.B., Красильникова JI.JI., Шалынин А.И., Поглощение света глубокими дислокационными состояниями в кремнии // ФТТ, т. 28(1), 230(1986)

182. Bahaa E.A.Saleh, Malvin Carl Teich, Fundamentals of Photonics (Chapter 12), John Wiley &Sons, INC. New York, 1991

183. М. В. Бадылевич, Ю. J1. Иунин, В. В. Кведер, В. И. Орлов, Ю. А. Осипьян; Влияние магнитного поля на стартовые напряжения и подвижность индивидуальных дислокаций в кремнии // ЖЭТФ, т. 124, вып. 3(9), с. 663 (2003)

184. V.Kveder, M.Badylevich, E.Steinman, A.Izotov, M.Seibt, W.Schroter; Room-Temperature Silicon Light Emitting Diodes Based on Dislocation Luminescence // Applied Physics Letters, v 84, N12, p. 2106 (2004)

185. M. Badylevich, Yu. Iunin., V. Kveder, V. Orlov, Yu. Osipyan, Influence of Magnetic Field on the Critical Stress arid Dislocation Mobility in Silicon // Solid State Phenomena, Vols. 95-96, p. 433 (2004)

186. V. Orlov, Yu.L. Iunin, M.V. Badylevich, O. Lysytskiy, H. Richter, Influence of Nitrogen on Dislocation Mobility in Czochralski Silicon // Solid State Phenomena, Vols. 95-96, p. 465 (2004)

187. V. Kveder, M. Badylevich, W.Schroter, M. Seibt, E. Steinman, A. Izotov, Silicon light-emitting diodes based on dislocation-related luminescence // Physica Status Solidi (a), 202, N5, p. 901 (2005)

188. M.V. Badylevich, V.I. Orlov, V.V. Kveder, Yu.A. Ossipyan, Spin-Resonant Change of Unlocking Stress for Dislocations in Silicon // Physica Status Solidi (c), 2, N6, p. 1869(2005)