Определение неоднородностей проводимости и фотопроводимости полупроводниковых пластин по взаимодействию с миллиметровыми и субмиллиметровыми волнами тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I.

О НЕОДНОРОДНОСТЯХ ПРОВОДИМОСТИ И ФОТОПРОВОДИМОСТИ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИНАХ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ).

§1. Виды неоднородностей проводимости.

§2. Флюктуации концентрации примесей и их влияние на параметры полупроводниковых приборов.

§3. Методы определения проводимости и ее неоднородностей в полупроводниковых пластинах. а. Контактные методы. б. Оптические методы. в. СВЧ методы. г. Квазиоптические методы.

§4. Особенности определения времен релаксации фотопроводимости, связанных с нео^од(^^р,9т>ю распределения рекомбинационных центров. " ^• >

ГЛАВА II.

ОПРЕДЕЛЕНИЕ НЕОДНОРОДНОСТЕЙ ПРОВОДИМОСТИ ВЫСОКООМНОЙ ПЛАСТИНЫ В ОТКРЫТОМ РЕЗОНАТОРЕ.

§1. Сущность способа.

§2. Электрическое поле в пластине, находящейся в резонаторе.

§3. Соотношения, связывающие профиль проводимости с параметрами резонатора.

§4. О компьютерной программе расчета флюктуаций проводимости.

§5. Результаты и их обсуждение.

§6. Блок — схема установки для реализации способа.

§7. Выводы.

ГЛАВА III.

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПРОФИЛЯ ПРОВОДИМОСТИ ЛЕГИРОВАННЫХ ПЛАСТИН ПО ОТРАЖЕНИЮ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ВОЛНЫ ОТ СТРУКТУРЫ ПЛАСТИНА

ЗАЗОР-ЗЕРКАЛО.

§1. Влияние поглощения на электрическое поле стоячей волны в пластине.

§2. Аппроксимация профиля проводимости слабо легированных пдастин.

§3. Аппроксимация профиля проводимости путем последовательных приближений.

§4. Флюктуации проводимости вблизи поверхности пластины.

§5. Результаты и их обсуждение.

§6. Схема установки для реализации метода.

§7. Выводы.

ГЛАВА IV.

ОПРЕДЕЛЕНИЕ СЛОЕВОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ФОТОПРОВОДИМОСТИ И ВРЕМЕНИ ЕЕ РЕЛАКСАЦИИ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИНАХ.

§1. Неоднородность, связанная с рекомбинацией неравновесных носителей заряда на поверхности.

§2. Неоднородность, связанная с флюктуациями времени жизни неравновесных носителей заряда в объеме.

§3. Особенности методики определения неоднородности фотоэлектрических параметров при модуляции фотопроводимости.

§4. Результаты и их анализ. а. Фотопроводимость. б. Время релаксации фотопроводимости.

§5. Выводы.

Практически все, что нас окружает, представляет неоднородные среды. Неоднородности отличаются как по физической природе, так и по размерам. Например, размеры неоднородностей плотности могут меняться от многих километров при исследовании космических объектов до долей ангстрема при исследованиях атомов. Лишь в отдельных случаях измерения параметров неоднородностей могут быть проведены непосредственно. Например, для изучения неоднородностей распределения примесей в полупроводниках применяется шлифовка, травление и измерения проводимости контактными методами. Однако в ряде случаев более предпочтительно, а иногда и единственно возможно, исследование неоднородностей проводить путем бесконтактных неразрушающих измерений. В зависимости от характера неоднородности исследуются взаимодействия с электромагнитной или акустической волной, с потоками различных частиц и т.п. Если, например, неоднородность проявляется в диэлектрической проницаемости, то информативными являются исследования взаимодействия с электромагнитной волной (отражение, пропускание, дифракция и т.п.). Аналитические выражения, связывающие отклик системы с ее параметрами, были получены лишь для отдельных частных случаев. Например, в книге [1] (рассмотрено несколько видов одномерных неоднородностей в полубесконечном пространстве, параметры которых могут быть определены аналитически по спектрам отражения).

Задача определения параметров неоднородной среды по ее отклику на внешнее воздействие, называемая обратной задачей, в общем виде является чрезвычайно сложной и не имеющей однозначного решения. Поэтому в каждом конкретном случае делаются те или иные дополнительные предположения. В этом направлении, связанном с решением обратных задач, начало которому было положено акад. Тихоновым А.Н. [2], интенсивно работают как физики различных специализаций, так и математики (см., например, [3] —[7]), недавно начат выпуск специального европейского журнала Inverse Problems.

Решение упомянутых выше задач связано с большим объемом численных расчетов и оказалось возможным только благодаря появлению быстродействующих компьютеров.

Постановка задачи. Величина и характер распределения равновесной, а также неравновесной проводимости по объему полупроводниковых пластин в первую очередь определяют эффективность большинства изготавливаемых из них приборов и устройств. Поэтому контроль этих параметров, в особенности неразрушающими бесконтактными методами, имеет важное практическое значение. К настоящему времени разработаны различные неразрушающие бесконтактные методы для контроля неоднородностей сильно легированных слоев вблизи поверхности полупроводниковых пластин. Предложены также бесконтактные методы для раздельного определения объемного времени жизни и скорости поверхностной рекомбинации неравновесных носителей тока. Однако сведения о возможности контроля неоднородностей как равновесной, так и неравновесной проводимости высокоомных и слабо проводящих полупроводниковых пластин неразрушающими бесконтактными методами крайне скудны и недостаточны для их практической реализации.

Цель настоящей работы — разработка неразрушающего бесконтактного способа определения зависимостей проводимости и фотопроводимости от расстояния до поверхности слабо проводящих полупроводниковых пластин по их взаимодействию с электромагнитными волнами миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов. Другими словами, цель работы — решить обратную задачу по восстановлению профилей проводимости и фотопроводимости полупроводниковых пластин в одномерном приближениии на основании данных измерений ее взаимодействия с электромагнитными волнами. В частности, целью работы было путем компьютерного моделирования оценить влияние различных экспериментальных погрешностей на точность восстановления профилей проводимости и фотопроводимости полупроводниковых пластин разрабатываемым способом.

Научная новизна. На примере кремния показана возможность решения обратной задачи, состоящей в определении слоевой неоднородности проводимости и фотопроводимости слабо поглощающих полупроводниковых пластин по взаимодействию с электромагнитными волнами миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов.

Положения. выносимые на защиту. Предложен новый бесконтактный неразрушающий метод определения профилей проводимости и фотопроводимости по толщине высокоомных и слабо проводящих полупроводниковых пластин. Способ основан на измерениях поглощения пластиной в поле стоячей электромагнитной волны при нескольких частотах, при которых ее оптическая толщина кратна полуцелому числу полуволн. Эти измерения должны проводиться для 4-х положений пластины, при которых разность фаз между интерферирующими волнами на поверхности кратна 90°. Показано, что такие измерения позволяют определить коэффициенты разложения в ряд Фурье зависимостей проводимости или фотопроводимости от расстояния до поверхности пластины и, соответственно, восстановить эти зависимости.

В рамках разработанного способа путем компьютерного моделирования взаимодействия исследуемой пластины с электромагнитными волнами миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов получены следующие новые результаты, выносимые на защиту:

1. Показано, что профиль проводимости высокоомной пластины может быть восстановлен по измереням добротности или коэффициента пропускания открытого конфокального или полуконфокального резонатора.

2. Установлено, что профиль проводимости слабо проводящей пластины может быть восстановлен по измереням коэффициента отражения от структуры исследуемая пластина — воздушный зазор — зеркало.

3. Показано, что профили фотопроводимости и времени релаксации фотопроводимости выокоомных пластин могут быть восстановлены по измереням глубины модуляции коэффициента пропускания открытого резонатора на частоте модуляции интенсивности света, падающего на пластину.

4. Разработана программа на языке Фортран, позволяющая в одномерном приближении вычислять параметры открытого резонатора с исследуемой неоднородной пластиной, т.е. моделировть эксперимент, и восстанавливать профили проводимости или фотопроводимости по данным измерений или компьютерного моделирования.

5. Путем расчетов по разработанной программе применительно к кремнию проведены оценки области применимости способа и влияния различных экспериментальных погрешностей на точность восстановления профилей проводимости или фотопроводимости. Это позволило определить требования к параметрам установок и точности обработки поверхностей пластин, необходимых для реализации рассматриваемого способа.

Практическая ценность работы. Применение предложенного бесконтактного неразрушающего метода определения слоевой неоднородности проводимости и фотопроводимости полупроводников представляет интерес для контроля пластин, используемых для изготовления фотопреобразователей солнечной энергии, оптоуправляемых устройств миллиметрового диапазона, силовых приборов, датчиков ионизирующих излучений и других полупроводниковых приборов, параметры которых определяются объемными свойствами.

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались: на Всероссийских школах — семинарах "Физика и применение микроволн", "Волновые явления в неоднородных средах" (Красновидово, Моск.обл. 1997, 1998, 1999 гг), VII и VIII международных конференциях "СВЧ —техника и телекоммуникационные технологии" (Севастополь. 1997, 1998 г), XI Международной зимней школе "СВЧ электроника и радиофизика" (Саратов, 1999 г), Российской конференции "Кремний 2000" (Москва 2000 г), а также на семинарах кафедры физики полупроводников физического факультета МГУ. Основные результаты диссертации опубликованы в 10 работах, список которых приведен в конце диссертации.

Содержание диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и приложения.

§ 5. Выводы.

1. Установлена возможность восстановления профиля фотопроводимости по толщине высокоомных полупроводниковых пластин. Методика основана на измерении глубины модуляции коэффициента пропускания открытого резонатора, в котором помещена исследуемая пластина, освещаемая модулированным по интенсивности светом.

Показано, что для восстановления профиля фотопроводимости требования к точности установки пластины в резонаторе и качеству

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

Предложен бесконтактный неразрушающий способ определения зависимости проводимости о полупроводниковой пластины от расстояния X до ее поверхности. Способ основан на измерении поглощаемой пластиной мощности электромагнитных волн, падающих перпендикулярно на ее противоположные поверхности. При этом частоты выбираются такими, чтобы оптическая толщина пластины была кратна целому числу полуволн. Показано, что такие измерения при 4-х положениях пластины, при которых разность фаз между интерферирующими волнами на ее поверхностях кратна 90°, позволяют определить приближенные значения коэффициентов разложения зависимости а(Х) в ряд Фурье, соответствующих данной длине волны. Тем самым показана возможность решения обратной задачи, состоящей в восстановлении профиля проводимости по толщине пластины.

В рамках разработанного способа путем компьютерного моделирования взаимодействия исследуемой пластины с электромагнитными волнами миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов получены следующие новые результаты:

1. Установлено, что в случае высокоомной пластины способ может быть реализован путем помещения пластины в область перетяжки открытого конфокального или полуконфокального резонатора и измерении его добротности или коэффициента пропускания при упомянутых выше условиях.

2. Показано, что в случае легированной пластины способ может быть реализован путем измерений отражения от структуры исследуемая пластина — воздушный промежуток — зеркало. Установлено, что расчет профиля проводимости путем последовательных приближений позволяет расширить диапазон применимости рассматриваемого способа в сторону более низких сопротивлений (с поверхностным сопротивлением до 300 Ом/О).

3. Показано, что способ может быть использован для восстановления профилей фотопроводимости и времени релаксации фотопроводимости высокоомной (слабо поглощающей) пластины по измерениям глубины модуляции коэффициента пропускания открытого резонатора на частоте модуляции интенсивности света, падающего на пластину. Отмечено, что восстановление профилей фотопроводимости и времени ее релаксации рассматриваемым способом, в отличие от известных бесконтактных способов, возможно вне зависимости от механизма рекомбинации неравновесных носителей заряда.

Установлено, что для восстановления профиля фотопроводимости требования к точности установления пластины в резонаторе и к качеству обработки ее поверхностей существенно менее жесткие, чем для восстановления профиля проводимости высокоомных пластин.

4. Рассмотрен случай, когда неоднородность проводимости или фотопроводимости сосредоточены вблизи одной из поверхностей пластины. Показано, что точность восстановления профилей таких неоднородностей может быть значительно увеличена по сравнению со стандартным разложением в ряд Фурье вблизи поверхности на толщине, равной примерно половине периода высшей гармоники.

5. Разработана программа на языке Фортран, позволяющая в одномерном приближении моделировать рассматриваемое взаимодействие электромагнитных волн миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов с неоднородной полупроводниковой пластиной и восстанавливать профили проводимости и фотопроводимости по данным измерений или компьютерного эксперимента.

Предложена модель одномерного резонатора, одна или обе стенки которого представляют собой четверть волновые диэлектрические пластинки. Применение этой модели позволило существенно упростить расчеты взаимодействия электромагнитных волн с неоднородной по толщине полупроводниковой пластиной.

6. Для пластин кремния путем расчетов по разработанной программе проведены оценки области применимости способа и влияния различных факторов на его точность (влияние неточности установки пластины в поле стоячей волны, отклонения от параллельности поверхностей пластины, их шероховатость, влияние кривизны фазового фронта, точность измерений). Это позволило определить требования к параметрам установок и точности обработки поверхностей пластин, необходимых для реализации рассматриваемого способа.

СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ.

Гусева Е.А.—в девичестве Форш Е.А.)

1. О.Г. Кошелев, Е.А. Форш. Диагностика неоднородностей проводимости полупроводниковых пластин по отражению электромагнитных волн. // Труды VI Всероссийской школы — семинара "Физика и применение микроволн". С.36 —37. Красновидово. 1997.

2. О.Г. Кошелев, Е.А. Форш. Бесконтактный метод контроля неоднородностей проводимости полупроводниковых пластин. // Материалы 7 —й Международной Крымской Микроволновой Конференции КрыМиКо'97. С.636-637. Севастополь. 1997.

3. О.Г. Кошелев, Е.А. Форш. Контроль неоднородностей проводимости вблизи поверхности легированных полупроводниковых пластин. // Труды VI Всероссийской школы — семинара "Волновые явления в неоднородных средах". С. 114-115. Красновидово. 1998.

4. О.Г. Кошелев, Е.А. Форш. Контроль неоднородностей проводимости вблизи поверхности легированных полупроводниковых пластин. // Изв. РАН. Т.62. N12. С.2422 — 2427. 1998.

5. О.Г. Кошелев, Е.А. Форш. Определение неоднородностей проводимости полупроводниковых пластин по измерениям отражения и пропускания. // Материалы 8 —й Международной Крымской Микроволновой Конференции КрыМиКо'98. Т.2. С.674 —676. Севастополь. 1998.

6. О.Г. Кошелев, Е.А. Форш. О взаимодействии микроволн со структурой полупроводниковая пластина — зеркало. // Вестник МГУ. Серия 3. Физика. Астрономия. N1. С.65-67. 1999.

7. О.Г. Кошелев, Е.А. Форш. Бесконтактный способ определения неоднородностей времени релаксации неравновесных носителей в полупроводниковых пластинах. // Тезисы докладов XI Международной зимней школы по СВЧ электронике и радиофизике. С.39. Саратов. 1999.

1. A.M. Бреховских. Волны в слоистых средах. // М. Наука. 1973.

2. А.Н. Тихонов, В.Я. Арсенин. Методы решения некорректных задач. // М. Наука. 1986.

3. В.Е. Куницын, И.А. Нестеров. Реконструкция профиля электронной концентрации для плазменных слоев различной величины по данным радиозондирования. // Вестник МГУ. Физика. Астрономия. 1997. Сер.З. N5. С.17 —21.

4. Б.Н. Захарьев, A.A. Сузько. Потенциалы и квантовое рассеяние: Прямая и обратная задачи. // М. Энергоатомиздат. 1985.

5. А.Д. Петровский. Радиоволновые методы в подземной геофизике. // М. Изд. Недра. 1971.

6. В.Б. Гласко. Обратные задачи математической физики. // Изд. МГУ.1984.

7. A.B. Гончарский, A.M. Черепащук, А.Г. Ягола. Численные методы решения обратных задач астрофизики. // М. Наука. 1978.

8. К. Рейви. Дефекты и примеси в Si. // М. Мир. 1984.

9. Н. Bleichner, Е. Nordlander, G. Feidler and P.A. Tove. Flying —Spot Scanning for the Separate Mapping of Resistivity and Minority—Carrier Lifetime in Silicon. // Solid State Electronics. 1986. V.29. N8. P.779-786.

10. A. Hara. Effects of Grown —in Hydrogen on Lifetime of Czochralski Silicon Crystals. // Jap. J. Appl. Phys. 1995. V.34. N10. P.5483-5489.

11. А.Г. Левашкин, A.C. Петров, Г.И. Тюльков. Резонатор для измерения удельного сопротивления полупроводниковых образцов. // ПТЭ. 1982. N5. С. 187-189.

12. В.М. Бардин. Надежность силовых полупроводниковых приборов. // М. Энергия. 1978.

13. Т.Т. Мнацаканов. Теория вольт — амперной характеристики силовых р —п переходов и приборов на их основе. // Радиотехника и электроника. 1977. Т.22. N2. С.366-373.

14. Т.Т. Мнацаканов. Об оптимизации параметров полупроводниковых приборов большой площади. // Радиотехника и электроника. 1978. Т.23. N12. С.2612 —2615.

15. Н.Б. Строкан, Н.И. Тиснек, В.Ф. Афанасьев. Статистический метод контроля однородности параметров полупроводниковых материалов. // ПТЭ. 1968. N5. С.211-214.

16. V.V. Parshin. Dielectric materials for gyrotron output Windows. // Int. J. of Infrared and MM waves. 1994. V.15. N2. P.339-348.

17. Hing-Loi A. Hung, P. Polak -Dingels, K.J. Webb, T. Smith, H.C. Huang, Chi H. Lee. Millimeter—wave Monolithic Integrated Circuit Characterization by a Picosecond Optoelectronic Technique. // IEEE. 1989. V.MTT — 37. N8. P. 1223-1230.

18. Chi H. Lee, P.S. Мак, A.P. DeFonzo. Millimeter wave integrated circuit devices based on optoelectronic control. // SPIE. 1981. V.317. Integrated Optics and Millimeter and Microwave Integrated Circuits. P.219 —225.

19. A. Rosen, M. Caulton, P. Stabile, A. Gombar, W. Janton, C.P. Wu, C.W. Magee. Silicon technology applicable to monolithic millimeter wave sources. // SPIE. 1981. V.317. Integrated Optics and Millimeter and Microwave Integrated Circuits. P.226-231.

20. И.Б. Вендик, С.Ш. Геворкян, Г.С. Хижа. Оптически управляемые полупроводниковые СВЧ устройства. // Зарубежная радиоэлектроника. 1987. Вып.9. С. 10-22.

21. А. Фархат. Антенны миллиметровых волн с голографическим сканированием. // Радиоэлектроника за рубежом. 1981. N6. С.1 — 4.

22. С.Г. Конников. Электронно — зондовые методы исследования полупроводниковых материалов. // М. Энергия. 1978.

23. В.В. Батавин, Ю.А. Концевой, Ю.В. Федорович. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. // М. Радио и связь. 1985.

24. Л.П. Павлов. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. // М. Высшая школа. 1987.

25. Annual Book of ASTM Standarts. part 43. Electronics. 1977.

26. Т. Abe, Y. Nishi. Non — Destructive Measurement of Surface Concentrations and Junction Depths of Diffused Semiconductor Layers. // Japan J. Appl. Phys. 1968. V.7. N4. P.397 403.

27. Г.Б. Галиев, В.В. Капаев, В.Г. Мокеров. Определение распределения концентраций заряженной примеси и дефектности в ионно — легированных слоях кремния методом электроотражения. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1983. Вып.З. С.74 —81.

28. S. Narayanan, S.R. Wenham, М. Green. 17.8 —Percent Efficiency Polycrystalline Silicon Solar Cells. // IEEE. Trans, on Electron Devices. 1990. V.37. N2. P.382 —384.

29. Л.С. Берман. Емкостные методы исследования полупроводников. // Наука Л. 1972.

30. Е.Е. Gardner, W. Kappallo and C.R. Gordon. Measurement of Diffused Semiconductor Surface Concentrations by Infrared Plasma Reflection. // Appl. Phys. Letters. 1966. V.9. N12. P.432-434.

31. H.H. Wagner, R.R. Schaefer. Contactless Probing of Semiconductor Dopant Profile Parametrs by IR Spectroscopy. // Appl. Phys. 1981. V.50. N4. P.2697 — 2704.

32. H. Engstrom. Infrared Reflectivity and Transmissivity of Boron — Implanted, Laser Annealed Silicon. // Appl. Phys. 1980. V.51. N10. P.5245-5249.

33. Д.А. Усанов, П.В. Буренин. Численный метод нахождения распределения концентрации примеси в неоднородных полупроводниковых слоях по их спектрам отражения. // Микроэлектроника. 1975. Т.4. N2. С. 140-145.

34. S. М. Sze, J.С. Irvin. Resistivity, Mobility and Impurity Levels in GaAs, Ge, and Si at 300°K. // Solid-State Electronics. 1968. V.ll. P.599-602.

35. A.A. Демьянов, М.Г. Семенов. Измерение диэлектрических параметров жидкостей в диапазоне миллиметровых волн. // ПТЭ. 1971. N4. С. 154-156.

36. В.В. Мериакри, И.П. Никитин, Б.А. Мурмужев, Е.Е. Чигряй. Влагометрия миллиметрового диапазона волн. // Труды V Всероссийской школы — семинара "физика и применение микроволн". Красновидово. Московская область. 1995. С.7—10.

37. A.B. Козарь, Ю.А. Пирогов. Отражение СВЧ —сигнала от полупроводниковой пластины конечной толщины. // Вестник МГУ. Физика. Астрономия. 1972. Сер.З. N5-6. С.573-575.

38. М.Н. Бергер, Б.Ю. Капилевич. Прямоугольные волноводы с диэлектриками. // М. Сов. радио. 1973.

39. В.В. Гладун, В.П. Моденов, Ю.А. Пирогов. Влияние частичного диэлектрического заполнения на постоянную распространения прямоугольного волновода. // Препринт. МГУ. Физ. фак. N13/1983.

40. В.В. Гладун, B.C. Колесников, В.П. Моденов, Ю.А. Пирогов. Резонансно —дифракционные свойства диэлектрического параллелепипеда в прямоугольном волноводе. // Изв. Вузов. Радиофизика. 1986. Т.29. N12. С.1509— 1511.

41. В.В. Борщевский, B.C. Колесников, В.П. Моденов, Ю.А. Пирогов. Резонансные свойства диэлектрической призмы в прямоугольном волноводе. // Радиотехника. 1985. N2. С.78 —79.

42. В.В. Борщевский. Диэлектрические и фотопроводящие свойства легированных сплавов Pb i xSnxTe при низких температурах на сверхвысоких частотах. // Дис. канд. физ. —мат. наук. МГУ. Физ. фак. 1986.

43. Л.Н. Ионов. Измерение комплексной проводимости полупроводников на сверхвысоких частотах. // ПТЭ. 1971. N4. С.157 —160.

44. С.Э. Саав. Исследование затухания СВЧ в совершенных монокристаллах Si и YAG. // Дипл. раб. МГУ. физ. фак. 1987.

45. И.М. Бузин. Динамический метод измерения добротности СВЧ резонаторов. // ПТЭ. 1971. N1. С.160-161.

46. И.М. Бузин, И.М. Ангелов. Динамический метод измерения добротности диэлектрических резонаторов и тангенса угла диэлектрических потерь сегнетоэлектриков в диапазоне дециметровых волн. // ПТЭ. 1974. N4. С. 114-115.

47. С.П. Вятчанин, A.B. Тимашов. Простой метод измерения добротностей СВЧ-резонаторов. // ПТЭ. 1983. N4. С. 145-146.

48. Ю.Е. Гордиенко, Ю.И. Гуд, В.В. Старостенко. Измерительные преобразователи для неразрушающего контроля электропроводностипленок в эпитаксиальных структурах п — n + — типа. / / Электронная техника. 1974. Сер.8. Вып.9(27). С.112-117.

49. Ю.Е. Гордиенко, В.В. Старостенко, С.С. Бурдукова, Л.И. Свидерская. Расширение диапазона СВЧ —измерений удельного сопротивления полупроводников. // Электронная техника. 1974. Сер.8. Вып. 11(29). С.35 —41.

50. Электромагнитные методы измерения, контроля и исследования свойств материалов. Сборник статей. // Изд —во Томского университета. Томск. 1982.

51. В.Б. Ахманаев, Ю.В. Медведев, А.С. Петров. Прибор для измерения удельного сопротивления и времени жизни неравновесных носителей тока высокоомных полупроводниковых материалов ИПК—1. // ПТЭ. 1975. N5. С.257.

52. Г.Н. Данилов, Ю.В. Медведев, А.С. Петров. Установка для бесконтактного измерения неоднородности параметров полупроводниковых материалов и диэлектриков. // ПТЭ. 1973. N3. С.224 — 227.

53. Г.Н. Данилов, Ю.В. Лисюк, Ю.В. Медведев. Сверхвысокочастотный резонатор для бесконтактного измерения распределения удельного сопротивления полупроводниковых пластин с высоким пространственным разрешением. // ПТЭ. 1984. N3. С.206-208.

54. Магди Фахим, Ю.А. Пирогов. Метод переменной нагрузки в СВЧ — диагностике неоднородных сред. // Вестник МГУ. 1982. Т.23. N3. С.51 — 54.

55. Н. Kogelnik and Т. Li. Laser Beams and Resonators. // Appl.Optics. 1966. V.5. N10. P. 1550- 1567.

56. P.F. Goldsmith. Quasioptical techniques. // Proc. IEEE. 1992. V.80. N11. P. 1729.

57. И.И. Еру. Терагерцная техника и технология: современное состояние, тенденции развития и перспективы практического применения. // Успехи современной радиоэлектроники. 1997. N3. С.51 —77.

58. Измерения на миллиметровых и субмиллиметровых волнах. Методы и техника. Под ред. P.A. Валитова и Б.И. Макаренко. // М. Радио и связь. 1984.

59. Л.Н. Вершинина, В.В. Шевченко. Квазиоптические тракты субмиллиметрового диапазона длин волн. // ПТЭ. 1971. N4. С. 147— 149.

60. В.Н. Аплеталин, В.В. Мериакри, Е.Е. Чигряй. Квазиоптическая методика измерения комплексной диэлектрической проницаемости. // Радиотехника и электроника. 1971. Т.16. N1. С.178—181.

61. В.В. Паршин. Разработка прецезионных методов исследования диэлектрических свойств материалов в микроволновом диапазоне длин волн. // Сборник отчетов по научным проектам МНТП России "Физика микроволн". 1996. С.93 — 95.

62. М.Б. Голант, З.Т. Алексеенко, З.С. Короткова, A.A. Аункина, A.A. Негирев, О.П. Петрова, Т.Б. Реброва, B.C. Савельев. Широкодиапазонные генераторы субмиллиметрового диапазона волн. // ПТЭ. 1969. N3. С.231 — 232.

63. С.Н. Власов, Е.В. Колосова, А.Б. Мазур, В.В. Паршин. Об измерении диэлектрической проницаемости резонансным методом. // Изв. Вузов. Радиофизика. 1996. Т.39. N5. С.615-623.

64. Ю.А. Дрягин, В.В. Паршин. Способ определения диэлектрической проницаемости и тангенса угла потерь диэлектрика. // Автор, свидетельство SU. 1990. 1539681 AI. (51) 5 G 01 R 27/26. Бюл.Ы.4.

65. К.Н. Breeden, J.B. Langley. Fabry —Perot Cavity for Dielectric Measurements. // The Review of Scientific Instruments. 1969. V.40. N9. P. 1162.

66. Janus E. Degenford. A Quasi Optic Technique for Measuring Dielectric Loss Tangents. // IEEE. Transactions of Instrumentation and Measurement. 1968. V.IM-17. N4. P.413-417.

67. A.L. Cullen, P.K. Yn. The Accurate Measurement of Permittivity by Means of an Open Resonator. // Proc. Royal. Soc. London A. 1971. V.325. N1563. P.493 — 509.

68. Д.Г. Афонин, E.P. Канунов, А.П. Сухоруков. О диагностике сверхпроводников в открытом резонаторе. // Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. Вып. 12 С.23 — 25.

69. Д.Г. Афонин, В.И. Ктиторов. О нахождении амплитуды поля в открытых резонаторах. // Вестник МГУ. Физика. Астрономия. 1972. N4. С.448 —452.

70. Б.А. Андреев, В.В. Паршин, В.Б. Шмагин, Г.П. Котерева, R. Heidinger. Кремний с минимальными диэлектрическими потерями в миллиметровом диапазоне волн. // Неорганические материалы. 1997. Т.ЗЗ. N11. С.1-4.

71. Yu.A. Dryagin, V.V. Parshin. A Method to Measure Dielectric Parameters in 5 — 0.5 Millimeter Wavelength Band. // Int. J. of Infrared and MM waves. 1992. V.13. N7. P. 1023-1032.

72. C. Fujihira, M. Morin, H. Hashizume, J. Friedt, Y. Nakai, M. Hirose. Carrier Lifetime Measurements by Microwave Photoconductive Decay Method at Low Injection Levels. // Jpn. J. Appl. Phys. 1993. V.32. Part 2. N9B. P.L1362 —L1364.

73. B.A. Заварицкая, A.B. Кудинов, B.A. Миляев, B.A. Никитин, A.M. Прохоров, A.B. Ширков. Исследование рекомбинации неравновесных носителей в кремнии методом СВЧ. // ФТП. 1984. Т. 18. Вып. 12. С.2160-2165.

74. G. Schlichthorl, G. Beck, J. Lilie, H. Tributsch. Microwave photoconductivity scanning microscope studies of silicon surfaces. // Rev. Scl. Instrum. 1989. V.60. N9. P.2992-3003.

75. И.В. Алтухов, Я.Е. Покровский, О.И. Смирнова, В.П. Синие. Бесконтактный СВЧ метод исследования кинетики примесной фотопроводимости в кремнии. // ФТП. 1990. Т.24. Вып.6. С.1134—1136.

76. J. Waldmeyer. A contactless method for determination of carrier lifetime, surface recombination velocity, and diffusion coefficient in semiconductors. // Appl. Phys. 1988. V.63. N6. P. 1977-1983.

77. T. Warabisako, T. Saiton, T. Motooka and T. Tokuyama. Contactless Measurement of Wafer Lifetime by Free Carrier Infrared Absorption. // Jap. J. Appl. Phys. 1983. V.22. Suppl.l. P.557-560. Proc. 14 Conf. Solid State Devices. Tokyo. 24-26 Aug. 1982.

78. B.B. Григорьев, В.В. Зуев, M.M. Мехтиев, A.H. Петровский, A.О. Сальник. О влиянии рекомбинации носителей заряда на параметры сигнала в методе фотодефлекционной спектроскопии. // ФТП. 1990. Т.24. Вып. 11. С.2031-2034.

79. В.В. Зуев, М.М. Мехтиев, Д.О. Мухин, А.Н. Петровский, А.О. Сальник. Импульсная фотодефлекционная спектроскопия полупроводников: теория и эксперимент. // Препринт. МИФИ. N031 — 90. 1990.

80. Z. Wang, Y. Chu. Use of microwave photoconductivity to measure semiconductor properties. // Sol. St. Electronics. 1991. V.34. N7. P.735-740.

81. M. Ichimura, H. Tajiri, Y. Morita, N. Yamada, A. Usami. Excess carrier lifetime of 3C —SiC measured by microwave photoconductivity decay method. // Appl. Phys. Letters. 1997. V.70. N13. P.1745-1747.

82. Keung L. Luke, Li—Jen Cheng. A Chemical/Microwave Technique for the Measurement of Bulk Minority Carrier Lifetime in Silicon Wafers. // Electrochem. Soc.: Solid State Science and Technology. 1988. V.135. N4. P.957 —961.

83. Л.Н. Гостищев, В.Г. Любивый. Устройство для измерения жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых материалах. // Авт. свидетельство. 1982. (И) 983595 51. М. Кл3. G 01 R 31/26. Н 01 L 21/66.

84. М. Schofthaler, R. Brendel. Sensitivity and transient response of microwave reflection measurements. // Appl. Phys. 1995. V.77. N7. P.3162 — 3173.

85. C. Swiatkowski, A. Sanders, K.D. Buhre, M. Kunst. Charge — carrier kinetics in semiconductors by microwave conductivity measurements. // Appl. Phys. 1995. V.78. N3. P.1763-1775.

86. Ю.Е. Гордиенко, Ю.А. Дудкин, Б.Г. Бородин, ДА. Федотов. Установка для безэлектродного измерения времени жизни носителей заряда в полупроводниках. // ПТЭ. 1983. N2. С.204-207.

87. Ю.А. Аношин, В.М. Базин, А.С. Даревский. Бесконтактное измерение рекомбинационных параметров кремниевых структур и высокоэффективных солнечных элементов модуляционным СВЧ методом. // ЖТФ. 1989. Т.59. Вып.6. С.165-166.

88. M.Y. Ghannam, S.F. Mahmoud, J.F. Nijs. Optimum sensitivity and two — dimensional modeling of microwave detected photoconductance decay carrier lifetime measurement. // Appl. Phys. 1997. V.81. N6. P.2665-2673.

89. A. Sanders, M. Kunst. Characterization of Silicon Wafers by Transient Microwave Photoconductivity Measurements. // Sol. St. Electronics. 1991. V.34. N9. P. 1007-1015.

90. A. Buczkowski, Z.J. Radzimsci, G.A. Rozgonyi and F. Shimura. Bulk and surface components of recombination lifetime based on a two —laser microwave reflection technique. // Appl. Phys. 1991. V.69. N9. P.6495-6499.