Оптические явления при разогреве дырок в полупроводниках и размерно-квантованных гетероструктурах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

На правах рукописи

РГ6 од

о о ¡¡г;- ДОНЕЦКИЙ Дмитрий Владимирович

ОПТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ ПРИ РАЗОГРЕВЕ ДЫРОК В ПОЛУПРОВОДНИКАХ И РАЗМЕРНО-КВАНТОВАННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ

(01.04.10 - физика полупроводников н диэлектриков)

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Санкт-Петербург 1996 г.

; Работа выполнена в Санкт-Петербургском Государственном Техническом Университете

Научный руководитель:

доктор физико-математических наук, профессор,

Лауреат Государственной премии СССР Л.В.Воробьев

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук,

профессор П.С.Копьев

доктор физико-математических наук, профессор,

Заслуженный деятель науки и техники. РФ Ю.И.Ухаиов

Ведущая организация -

Санкт-Петербургский Государственный Университет

Защита состоится 14 июня 1996 г. в ¿¿^ часов на заседании диссертационного совета K063.3S.10 в Санкт-Петербургском Государственном Техническом Университете по адресу: 195251, Санкт-Петербург, Политехническая ул., д.29, II корп., аул-____

С диссертацией можно ознакомиться в фундаментальной библиотеке Технического Университета.

Автореферат разослан " М. " мая 1990 г.

Ученый секретарь

диссертационного совета,

кандидат физико-математических наук,

доцент ОА.Подсвиров

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Диссертационная работа посвящена исследованию оптических яплсний, связанных с межподзонными (МП) переходами горячих дырок в алмазоподобнмх полупроводниках (на примере Се) и размерно-квантованных гетероструктурах (РГ) на основе твердых растворов СлАх/АЮаЛа и СГе/Се5/. Разогрев дырок осуществлялся сильным электрическим полем, в гетероструктурах поле прикладывалось в плоскости квантовых ям (КЯ).

Актуальность темы. Вклад свободных носителей заряда (НЗ) в оптические постоянные полупроводниковых материалов становится заметен в инфракрасной (ИК) н дальней ИК областях спектра. Исследования оптических явлений при их разогреве начались с конца 00-х годов. Было обнаружено, что разогрев и дрейф свободных НЗ уже в относительно слабых электрических полях Е - 200 В/см приводят к изменению диэлектрической проницаемости (ДП). В неравновесных условиях НЗ позволяют получить информацию об особенностях закона дисперсии, механизмах релаксации энергии. С практической точки зрения в первую очередь привлекает малоинерционность явлений разогрева ( - 10"10 с и лучше), отличительным достоинством модуляторов ИК излучения на горячих НЗ является возможность их согласования с генератором поля в широкой полосе частот. Из-за сложной структуры валентной зоны большинства распространенных полупроводников возможны прямые переходы дырок между подзонами. По этой

причине вклад дырок в поглощение и преломление света оказывается значительно

!

большим по сравнению со вкладом электронов.

Ярким событием начала 80-х годов в физике полупроводников явилось создание целого ряда источников стимулированного излучения на горячих дырках в Се. Преимущество таких лазеров заключается в возможности перестройки длины волны излучения X в несколько раз при изменении величин электрического и магнитного полей. Одним из самых мощных источников этого типа является лазер

дальнего ИК диапазона на МП переходах дырок в Се в скрещенных полях. Нозможносги его практического использования были ограничены из-за широкой полосы излучения: ЛХ/Х -0.2; необходимо было полунить узкую линию генерации.

Главным объектом исследований физики полупроводников последнего десятилетия являются размерно-квантованные гетероструктуры (РГ). Их изучение открывает возможности генерации и модуляции излучения на новых принципах. Исследованию эффектов на горячих НЗ в структурах с пониженной размерностью в продольном электрическом поле посвящено большое число публикаций, но практически во всех из них исследовались РГ со свободными электронами. Это объясняется сравнительной легкостью разогрева последних из-за более высокой подвижности в структурах А3В5, значительно меньшей скорости потерь эиергии по сравнению с дырками. Работ по разогреву дырок в РГ было очень мало. Однако, оптические явления, связанные с МП переходами горячих дырок в КЯ представляют интерес благодаря сложной структуре закона дисперсия; для приборных применений привлекательна возможность взаимодействия дырок со светом, поляризованным в плоскости РГ.

В настоящее время физика горячих НЗ - быстро развивающееся направление. Малые размеры современных полупроводниковых приборов приводят к большой величине электрического поля в них « значительной роли эффектов разогрева.

Основные задачи работы можно разделить на три группы: 1) обнаружение и исследование новых эффектов па горячих НЗ, связанных с разогревом и дрейфом дырок в алмазоподобиых полупроводниках (на примере Се) в сильном электрическом поле:

- изменения тензора диэлектрической проницаемости (ДП),

- анизотропии тензора ДП,

- увлечения света током дырок;

II) исследование генерации стимулированного излучения лазера на МП переходах горячих дырок в Се в узкополосиом режиме:

- достижение узкополосного режима генерации,

- разработка узкополосного лазера с возможностью дискретной перестройки

длины волны излучения изменением полей,

- демонстрация возможности практического применения лазера на МП

переходах дырок в Ge на примере исследования циклотронного резонанса

(ЦР) при разогреве электронов в InStr, Ш) исследование МП переходов горячих дырок в РГ в продольном слоям электрическом поле:

- обнаружение спонтанного излучения горячих дырок и исследование его

спектра,

- исследование изменения поглощения света в РГ при разогреве дырок по

модуляции поляризованного излучения лазера на p-Ge.

Научная новизна работы.

1. Впервые экспериментально обнаружены и исследованы новые эффекты, связанные с изменением тензора ДП алмазоподобных полупроводников п электрическом поле (на примере Се). Эффекты обусловлены виртуальными МП переходами дырок при их разогреве и дрейфе. Проведен теоретический анализ вклада дырок в изменение тензора ДП и появление его анизотропии в электрическом поле.

2. Показана возможность использования диэлектрических зеркал с небольшим числом слоев в качестве селектирующего элемента узкополосного лазера на МП переходах горячих дырок в Ge. Показана возможность дискретной перестройки узкой линии излучения изменением прикладываемых полей; подтвержден однородный характер уширения.

- А -

3. Впервые обнаружено и исследовано спонтанное излучение горячих дырок а РГ. В спектре излучения обнаружены пики, которые связаны с особенностями Ван Хова приведенной плотности состояний при прямых МП переходах дырок.

4. Впервые экспериментально исследовано изменение поглощения света при разогреве квазидвумерных дырок. Показано, что изменение поглощения также связано с прямыми МП переходами дырок при их разогреве; обнаружены значительные изменения поглощения для света, поляризованного как перпендикулярно, так и в плоскости КЯ.

Практическая ценность работы. Разработан ряд методик и установок для упомянутых выше исследований, а именно:

- методика для измерения линейных по электрическому полю вкладов в тензор

ДП с использованием интерферометра Маха-Цендера;

- методика селекции длин волн с помощью диэлектрических зеркал лазера на

МП переходах дырок в. Get сконструирован лазер с шириной линии

АХ < 0.2 мкм; ЛиЗер с возможностью дискретной перестройки длины волны

излучения в диапазоне ijf 77- 204 мкм изменением приложенных полей;

- методика наблюдения дальнего ИК излучения при разогреве НЗ короткими

(- 0.2 мкс) импульсами сильного 'электрического ноля;

- методика измерения спектра излучения в диапазоне энергий квантов света

hv - 4 - 17 мэВ с помощью перестраиваемого фильтра на ЦР электронов в

InSb и широкополосного фотодетектора Ge<Ca>. Показана возможность использования лазера на МП переходах горячих дырок в Get для этого разработаны методики измерения:

- магнитопропускания в конфигурациях Фогта и Фарадея по двухлучевой

схеме, ~

- модуляции излучения лазера структурами в импульсном электрическом поле.

э -

Основные положения, выносимые на защиту;

1. В средней ИК области спектра изменение показателя преломления p-Ge и появление его анизотропии в электрическом поле определяются совместным действием разогрева и дрейфа дырок и сложной структуры валентной зоны.

2. Экспериментально показано, что эффект увлечения света током в р-Са связан со вкладом виртуальных МП переходов дырок.

3. Разработаны физико-технические принципы достижения узкополосного режима генерации лазера на МП переходах горячих дырок в Се с возможностью дискретной перестройки длины волны излучения изменением приложенных электрического и магнитного полей.

4. Пикн в спектрах дальнего ИК излучения- горячих дырок в размерно-квантованных гетероструктурах связаны с особенностями приведенной плотности состояний при их МП переходах.

5. Основной вклад в изменение поглощения света в области особенности приведенной плотности состояний размерно-квантованными гетероструктурами р - типа в электрическом поле связан с МП переходами дырок при вх разогреве.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались на 12 международных н S российских конференциях, семинарах н симпозиумах. Основные из них: "HOTEL - 90" (Вильнюс, 1890); 16th (Switzerland, 1991) and 20th (USA, 1995) International Conference on Infrared and Sub-millimeter Waves; International Semiconductor Device Research Symposiums, Charlottesville, USA (1991 and 1993); 8th (Oxford,1993( and 9th (Chicago, 1695) International Conferences on Hot Carriers ta Semiconductors; 1-я (Н.Новгород, 1993) и 2-я (СПетербург, 1996) Российские конференции по физике полупроводников; Conference on Laser and Elec-trooptics - CLEO (Anaheim, USA, 1894); International Symposiums "Nanostnictures: Physics and Technology", SLPetersburg (1994 and 1995); 9th Symposium on Ultrafast Phenomena In Semiconductors (Vilnius, 1995).

Публикации. По материалам диссертации имеется 27 публикаций, из них 7 журнальных статей.

Структура н объем лиссертаиии. Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения и списка цитируемой литературы, включающего 100 наименований; содержит 133 страниц машинописного текста, в том числе 39 рисунков.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во Введении обоснована актуальность темы, сформулированы основные задачи работы, показана ее научная новизна и практическая значимость результатов, даны сведения о структуре и содержании работы п приведены положения, выносимые на защиту.

Глава 1 посвящена нзучеак» вещественной части ДП алмазоподобиых полупроводников, связанной с горячими дырками (на примере Се). В равновесных условиях тензор ДП в полупроводниках с кубической симметрией, к которым принадлежит Се, вырождается а скаляр; полупроводник является оптически изотропным. Нами впервые на эксперименте была обнаружена зависимость показателя преломления р-йе от электрического поля и показано, что при этом кристалл становится оптически одноосным, т.е. показатели преломления для поляризаций света е 11 Е и е X Е различаются. Показано, что эти явления обусловлены совместно сложной структурой валентной зоны и разогревом я дрейфом дырок.

В работе проанализированы вклады как МЗ, так а ВЗ переходов дырок. Основным приближением расчета являлось представление функций распределения (ФР) горячих дырок в виде смещенных больцмаяовсхих. Показано, что для ВЗ

переходов вклад ТД в элехтрооптвческнй эффект связан с гофрировкой изоэнергэ-тических поверхностей; вклад ЛД определяется их непараболичностью, причем для p-Ge он • мал. Выражение для вклада МП переходов в анизотропию показателя преломления {АпН - An') было получено через соотиошенне Крамерса-Кронига; ее знак и величина зависят от частоты света и электрического поля. Расчет показал, что вклад МП переходов п связанную с дырками часть показателя преломления оказался определяющим, тогда как вклад в анизотропию этой части зависит от ориентации дрейфовой скорости. Для Удр||[110] преобладает МП вклад в анизотропию, причем {АпЧ - Лп') зависит от поля немонотонно. Для v^ || 1100], напротив, основную роль играет ВЗ вклад ТД, связанный с гофрировкой. Показано, что как в случае ВЗ, так н в случае МП переходов в слабых полях электрооптический эффект квадратичен по полю. Это позволило его назвать эффектом Керра на горячих дырках.

Ориентация поля в кристалле Ge была выбрана близкой к направлению [110]. Для измерения изменения показателя преломления в электрическом поле исследовалась модуляция лазерного излучейШ^'с" длиной волны X = 10.6 мкм в образце, грани которого образовывали интерферометр Фабри-Перо. Изменением рабочей точки интерферометра удалось разделяй.' вклады в модуляцию за счет изменения поглощения н изменения показа*еля преломления. Для изучения оптической анизотропии исследовалась эллиптичность циркулярно поляризованного излучения, прошедшего через кристалл. Обнаружено изменение знака анизотропии с ростом поля; получено хорошее согласие с результатами расчета.

Далее рассмотрен эффект увлечения фотонов током дырок. Эффект является обратным по отношению к хорошо известному эффекту увлечения НЗ фотонами и связан с пространственной дисперсией тензора ДП, когда необходимо учитывать конечность величины волнового вектора света. Ранее аналогичный эффект наблюдал Т.Мосс на установке с кольцевым лазером, однако, oii: имел другую природу. ф.Т.Васько обратил внимание, что при переходе в дАийноволновую

область благодаря МП виртуальным переходам дырок этот эффект оказывается на 4-6 порядков большим по сравнению с эффектом на электронах, который обнаружил Т.Мосс и его можно наблюдать с помощью обычных методик.

При учете волнового вектора света q МИ переходы уже не будут строго вертикальными, по в равновесных условиях вероятности переходов для обоих направлений света будут одинаковы из-за симметрии ФР. При наличии дрейфа возникает асимметрия, и в показателе преломления ял появляется слагаемое, пропорциональное току j: пл - (qj).

Нами указанный эффект был обнаружен экспериментально и измерен на длине волны X — 10.6 мкм. Для исключения квадратичных по полю эффектов использовался интерферометр Маха-Цендера. Наблюдаемый эффект в 4 раза превышал оценку величины эффекта снизу, сделанную Ф.Т.Васько в рамках высокочастотного приближения, при котором энергией дырок пренебрегалось. Это предположение плохо выполнялось в условиях эксперимента; обнаруженное суперлинейное по току возрастание эффекта с полем можно объяснить ростом дырочной температуры. К тому же должен приводить учет непараболичности подзоны ЛД, отсутствующий в оценке. С учетом этих замечаний можно говорить о качественном согласии эксперимента и теоретической оценки.

Хотя исследования проведены для дырочного германия, механизмы изменения □/,(£) и появления анизотропии, описанные выше, являются общими для алмазоподобных полупроводников р-типа.

Глава |1. В этой части работы рассматривается использование МП переходов дырок в Ge для генерации излучения дальнего ИК диапазона. Инверсия населенности нодзоч возможна благодаря различному характеру разогрева ЛД и ТД в скрещенных электрическом и магнитном полях при низких температурах, когда основным механизмом потерь энергии является рассеяние с испусканием оптических фоиочов. Существенное сужение спектра излучения лазера на МП

переходах возможно при использовании селективного резонатора; для достижения узкополосного режима генерации в работе предложено использование диэлектрических зеркал с малым числом слоев. Показано, что необходимый коэффициент отражения может быть достигнут при использовании всего двух пар слоев, представляющих собой четвертьволновые пластины с сильно отличающимися показателями преломления, такими как Si и тефлон. Показано, что с помощью такого селектора мод можно получить единственную узкую полосу в спектре с шириной ЛХ/Х - 10"2; для многих применений этого оказывается достаточно. При использовании дополнительной селекции получена линия излучения с шириной АХ/Х < 2-Ю-3.

Исследование генерации лазера в узкополосном режиме показало, что интегральная мощность уменьшается незначительно, что означает увеличение спектральной плотности мощности более чем на 2 порядка и подтверждает однородный характер уширення.

Особенностью явления является возможность генерации в двух областях спектра: X = 70 - 130 и 150 - 210 мкм. Предложен резонатор, обеспечивающий селекцию одновременно двух длин волп, единственных в каждом из этих диапазонов. Была продемонстрирована возможность дискретной перестройки длины волны излучения лазера с таким резонатором изменением величин полей.

Узкополосный лазер был использован для исследования циклотронного резонанса электронов в InSb в конфигурации Фарадея и в конфигурации Фогта при их разогреве в продольных электрическом и магнитном полях. Ранее аналогичные исследования проводились с помощью газовых лазеров. Из-за сильной непараболичности InSb наблюдались несколько пиков ЦР. Увеличение интенсивности излучения приводило к исчезновению примесного пика из-за насыщения переходов. Греющее электрическое поле приводило к ионизации примесей и исчезновению связанного с ними пика, возникновению новог-' пика, соответствующего переходам электронов со следующего уровня Ландау;

наблюдались также увеличение правой полуширины пиков при разогреве электронов н увеличение плазменного сдвига частоты резонанса при межзонном пробое.

Глава III посвящена исследованию МП переходов горячих дырок в РГ на основе твердых растворов GaAs/Al05Ga05As и Ge/Ge0gjSi00^. Разогрев дырок осуществлялся продольным слоям электрическим полем.

В первой части главы изложены результаты исследования спонтанного излучения горячих дырок. Спектр излучения был получен с помощью перестраиваемого фильтра на ЦР из n-InSb в полосе чувствительности широкополосного фотодетехтора из Ge<Ga>. Аппаратная функция такого спектрометра была измерена с помощью излучения абсолютно черного тела.

Предварительный анализ спектра излучения дырок из структур GaAs/AlosGäo.sAs проводился с использованием расчетов кривых дисперсии подзон, проведенных В.Я.Алешкиным с учетом гофрировки и конечности глубины КЯ. В спектре излучения наблюдаАись ярко выраженный пик, соответствующий особенности приведенной плотности состояний для переходов между подзонами 3-2; плечи, соответствующие переходам между подзонами 2-1иЗ-1,4-1. Расчет вероятностей переходов был проведен Л.Е.Голубом; получено согласие эксперимента и расчета.

Аналогичные результаты получены для структур Ge/Geo.gjSio.o/- в спектре излучения обнаружен ярко выраженный пик и плечо, которые могут быть связаны С переходами 3 - 2 и 2 - 1 соответственно. Анализ спектра в этом случае проводился с помощью кривых дисперсии, рассчитанных В.ЯЛлешкиным с учетом механических напряжений в структуре. Совпадение положения наблюдаемых особенностей в спектре излучения с расчетными хуже, чем для структур GaAs/AlGaAs, однако, расчетный закон дисперсии достаточно сильно зависит от

величины механических напряжений в структуре Се/Се51, которая точно не известна.

Во второй части главы изложены результаты исследования изменения поглощения света па МП переходах при разогреве дырок в КЯ на основе структур GaAsyAJo.sGa0.sAs по модуляции поляризованного излучения лазера на МП переходах горячих дырок в Се. Энергия квантов лазера составляла величину, соответствующую области пика приведенной плотности состояний для переходов 1-3. Наблюдалось отрицательное изменение поглощения света (просветление) с ростом электрического поля, обнаружены значительные изменения поглощения для света, поляризованного как в плоскости КЯ, тах в параллельно направлению роста. Получено согласие с результатами расчета вероятности переходов для этих поляризаций.

Для выяснения динамики теплового разогрева структуры (гаАв/ЛЮаМ в течение импульса электрического поля было решено численно ¡»линейно? уравнение теплопроводности. Результаты показали, что в условиях эксперимента температура решетки к концу импульса не превышала 15 К. Согласно оценкам, в этих же условиях температура дырок составляла - 80 К.

В Заключении кратко сформулированы основные результаты, полученные в работе.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

Все описанные в работе явленея связаны с МП переходами дырок. На примере Се на ддяне волны А = 10.0 икм обнаружены три новых эффекта, связанных с разогревом п дрейфом дырок в полупроводниках с алмазоподобной структурой валентной зоны:

- изменение показателя преломления при разогреве дырох;

- возникновение индуцированной электрическим полем анизотропии

показателя преломления при разогреве дырок;

- эффект увлечения фотонов током дырок, проявляющийся в появлении в

показателе преломления слагаемого, зависящего от направления тока.

Показано, что изменение показателя преломления определяется виртуальными МП переходами дырок. Показано, что в малых полях анизотропия показателя преломления квадратична по полю, что позволило его назвать электрооптическим эффектом Керра на горячих дырках. Показано, что преобладание вклада в эффект МП или ВЗ переходов в Се определяется ориентацией приложенного поля относительно кристаллографических направлений: для направлений типа [110], - МП переходами, для направлений типа 1100] - ВЗ переходами тяжелых дырок из-за гофрировки их изоэнергетических поверхностей; обнаружено, что в Се вклад ЛД, определяемый непараболичностью, мал. Эксперименты проведены ара направлении поля, близком к [110]; наблюдается изменение знака анизотропии при увеличении поля, получено хорошее согласие с результатами теоретического анализа.

В работе исследована генерация лазера дальнего ИК диапазона на МП перекодах горячих дырок в Се в узкополосном режиме; обнаружено, что мощность излучения в узкополосном режиме практически не уменьшается, что подтверждает однородный характер уширения. Измеренная ширина огибающей спектра излучения АЛ. не превышала 0.2 мкм, что означает увеличение спектральной плотности мощности более чем на два порядка. Селекция мод осуществлялась с помощью диэлектрического зеркала, показана возможность дискретной перестройки длины волны излучения лазера с таким резонатором изменением приложенных электрического и магнитного полей. С помощью такого лазера проведены исследования ЦР электронов в в конфигурации Фарадея, а также

при разогреве электронов в продольных электрическом и магнитном полях в конфигурации Фогта.

Исследованы спонтанное излучение н изменение поглощения при разогреве дырок, связанные с и* прямыми МП переходами в РГ GaAs/AJGaAs и Ge/GeSl в продольном слоям электрическом поле, В спектре спонтанного излучения обнаружены пики, соответствующие особенностям Ван Хова приведенной плотности состояний. Исследовано изменение поглощения света при разогреве дырок в РГ GaAs/AlGaAs по модуляции излучения лазера на МП переходах дырок в Ge для двух поляризаций света. Получено согласие с результатами расчета.

Основные результаты опубликованы в следующих работах:

1. Л.Е.Воробьев, Д.ВДонецкий, В.И.Стафеев, ДА-Фнрсов. Увлечение фотонов током дырок в германии. Всесоюзн. шк.-сем. "Взаимодействие электромагнитных волн с полупроводниками и полупроводннково-диэлектрнческим структурами", Саратов, 1988, Тез. докл., ч.2, с.24-25.

2. Л.Е,Воробьев, Т.П.Дереза, Д.В.Донецкнй, ДА.Фирсов, В.И.Стафеез. Индуцированное дрейфом и разогревом дыро^доменение показателя преломления германия. Там же, с.247-248. . .. .

3. В.САнтюшнн, Л.Е,Воробьев, С.Н.Данилов, Д.В.Донецкий, ДА.Фирсов, ВА.Калиннн, Ю.В.Кочегаров. Узкополосный квантовый генератор субмиллиметрового диапазона на горячих дырках в германии с селективным резонатором. Конф. "HOTEL - 90", Вильнюс, 1990, тез.докл., с.32.

4. Л.Е.Воробьев, С.Н.Данилод, Д.В Донецкий, ДА.Фирсов, Ю.В.Кочегаров, Е.В.Евсеева, ВАКалиннн, М.В.Коняхнн, И.В.Лукинская. Характеристики полупроводникового лазера с полуконфокальным резонатором на горячих дырках в германии. Там же, с.ЗЗ.

5. LE.Vorobjev, S.N.Danilov, D.V.Donetsky, DA.Firsov, Yu.V.Kochegnrov, V.I.Stafeev. Narrowband tunable sab-mlltimeter hot hole semiconductor laser. I'-. c. of

10th Intern. Coní. on Infrared and Sub-millimeter Waves. Lausanne, Switzerland, 1991,' p.170-177.

6. L.E.VorobJev, S.N.DanlIov, D.V.Donetsky, D-A.Firsov, Yu.V.Kochegarov, V.I.Stafeev. Injectionless semiconductor narrowband tunable far-infrared laser. Proc. of 1991 Intern. Semiconductor Research Symposium. Charlottesville, USA, December 1991, p.387-389.

7. Л.Е.Воробьев, Д.ВДонецкий, В.И.Стафеев, ДА.фирсов. Полупроводниковый квантовый генератор субмиллиметрового излучения и его использование для контроля параметров. 4 Всесоюзи. коиф. "Применение лазеров в технологии к системах передачи и обработки информации". Киев, 1991, тез. докл., с.64-65.

8. Л.Е.Воробьев, С.Н Данилов, Д.В Донецкий, В.И.Стафеев, Д-А-Фирсов, Ю.В.Кочегаров. Квантовый генератор субмиллиметрового излучения. - Сем. "Нелинейные ВЧ явления в полупроводниках и полупроводниковых структурах". Навои, 1991, тез. докл., с.23.

9. Л.Е.Воробьев, С.НДанилов, Д.ВДонецкий, В.И.Стафеев, ДА.Фирсов, Ю.В.Кочегаров. Безннжекциоиный узкополосный лазер дальнего ИК диапазона на горячих дырках и его использование для исследования примесного пробоя. Ф'ГП, т.27, в.1 (1993), с.146-155.

10. I_E.Vorobjev, S.N.Danilov, D.V.Donetsky, DA.FIrsov, Yu.V.Kochegarov. Injectionless FIR laser on intersubband transitions of hot holes in germanium. Proc. of 8th Int. Conf. on Hot Carriers In Semlcond. Oxford, UK, August 1993, p.ThuP46.

11. Л.Е.Воробьев, C.H Данилов, Д.В Донецкий, В.И.Стафеев, ДА-Фнрсов, Ю.В.Кочегаров. Безинжекционные лазеры дальнего ИК диапазона на межподзонных переходах горячих замагничеиных дырок в германии. 1 Росс. коиф. по физике полупроводников. Н.Новгород, 1993, тез. докл., с.208.

12. Л.Е.Воробьев, Д.ВДонецкий, В.И.Стафеев, ДА.фирсов. Индуцированное током и разогревом дырок изменение диэлектрической проницаемости германия. Там же, с.276.

13. L.E.VorobJev, S.N.Danllov, D.V.Donetsky, D-A-Flrsov, Yu.V.Kochegarov, V.I.Stafeev. Narrowband tunable submlllimeter bot hole Injectlonless semiconductor laser and Its use for cyclotron resonance Investigations. Opt. and Quant. Electronics, v.25, N10 (1093), p.705-721.

14. L.E.VorobJev, S.N.Danllov, D.V.Donetsky, D-A.Flrsov, Yu.V.Kochegarov. Narrowband tunable semiconductor FIR bot hole laser and its use for investigations of semiconductors. Conf. on Laser and Electrooptics. Anaheim, USA, May 1994, OSA Technical Digest Series, v.8, p.219.

15. L.E.VorobJev, S.N.Danllov, D.V.Donetsky, D-A-Firsov, EA.ZIbik, E.Towe, D.Sun, A.Kastalsky. Optical phenomena under heating of 2D electrons and holes In electric field in MQW GaAs-AlGaAs. St.Petersburg, June 1994, Abstracts of Intern. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", p.17-21.

16. Л.Е.Воробьев, Д.В.Донецкий, ДА.Фирсов. Электрооптический эффехт иа горячих дырках. Письма в ЖЭТФ, т.59, в.12 (1994) с.832-838.

17. L.E.VorobJev, D.V.Donetsky, A.Kastalsky. FIR spontaneous hot hole emission la multiple quantum wells. St.Petersburg, June 1995, Abstracts of Intern. Sympos. "Nanostructures: Physics and Technology", p.221-225.

18. L.E.VorobJev, S.N.Danllov, D.V.Donetsky, D.A.Flrsov, E-A-Ztblk. Optical interaction with hot carriers In GaAs-AlGaAs quantum well structures. Conf. on Laser and Electrooptics CLEO/Paclflc Rlm'95, Japan, July 1995.

19. L.E.Vorobjev, S.N.Danllov, D.V.Donetsky, D-A-Flrsov, EA.ZIblk, E.Towe, D.Sun,. A.Kastalsky. Optical phenomena connected with hot carrier Intersubband transitions In MQW GaAs-AlGaAs. Abstract of 9th Conf. on Hot Carriers In Semicond. Chicago, July-August 1995, USA.

20. L.E.Vorobjev, D.V.Donetsky, A.Kasta!sky. Hot hole spontaneous FIR emission In multiple quantum wells. Abstracts of 9lh Symp. on Ultrafast Phenomena In Semiconductors. Vilnius, September 1995, p.33.

21. Л.Е.Воробьев, С.НДанилов, Д.ВДонецкий, Ю.В.Кочегаров, ДА.Фирсов. Использование субмиллиметровых лазеров на горячих дырках в Ge для метрики узкозонных полупроводников. Дефектоскопия, в.8 (1995), с.94-97.

22. Л.Е.Воробьев, Д.£.Донецкий, А.КастальскнЛ. Длинноволновое излучение при разогреве дырок продольным электрическим полем в квантовых ямах гетероструктур GaAs-AlGaAs. ФТП, т.20, в.10 (1995), с.1771-1782.

23. S.Farjamt Shayesteh, T.Dumclov, Т J.Parker, G.MirJaiili, A.Kastalsky, L.E.Vorobjev, D.V.Donetsky. Far Infrared optical properties and far Infrared hot hole emission of p-doped GaAs/Al0,3Ga0.jAs multiple quantum wells. Proc. of 20th Int. Conf. on Inlrared and Millimeter Waves, USA, 1995.

24. L.E.Vorobjev, S.N.Danilov, D.V.Donetsky, DA.Firsov, Yu.V.Kochegarov, VA.Shalygin. Generation and modulation of infrared light by hot carriers in Ge and GaAs/AlGaAs structures. Proc. of 1095 Int. Senile. Device Research Symposium. Charlottesville, USA, December 1995, v.I, p.273.

25. L.E.Vorobjev, D.V.Donetsky, A.Kastalsky. Hot hole spontaneous FIR emission in multiple quantum wells. Lithuanian Journal of Physics, v.35, N5-6 (1995), p.502-506.

26. S.Faijaroi Shayesteh, T.Dumeiov, TJ.Parker, G.MirJaiili, L.E.Vorobjev, D.V.Donetsky, A.Kastalsky. Far infrared spectra of reflectivity, transmission and hot hole emission,in p-doped GaAs/Alo.sGao 5AS multiple quantum wells. Semicond. Science and Technol., v.ll (1996), p. 323.

27. Л.Е.Воробьев, В.Я-Алешкин, ОА.Кузнецов, Л.К.Орлов, Л.Е.Голуб, Д.В Донецкий, A.Kastalsky. Межподзоиное излучения горячих дырок в квантовых ямах гетероструктур GaAs/AlGaAs и Ge/GeSi. 2 Росс. конф. по физике полупроводников, С.Петербург, февраль 1996, тез. докл., ч.1, с. 164.