Особенности физических свойств пленочных материалов для магнитной и магнитооптической памяти тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.11 ВАК РФ

,1 !Л14пШ!

на правах рукописи

Середкин Виталий Александрович

ОСОБЕННОСТИ ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПЛЕНОЧНЫХ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ МАГНИТНОЙ И МАГНИТООПТИЧЕСКОЙ ПАМЯТИ

01.04.11 - физика магнитных явлений

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Красноярск 2004

Работа выполнена в Институте физик» им. Л.В.Киренского

СО РАН

Научный руководитель: кандидат физико-математических наук

Фролов Г.И.

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук

Архипкин В.Г. кандидат физико-математических наук

Чернов В.К.

Ведущая организация: Институт автоматики и электрометрии Сибирского Отделения Российской Академии Наук (СО РАН), г. Новосибирск

Защита состоится

_.2004 г. в_часов на заседании специализированного совета Д 003.55.02 при Институте физики им. Л.В.Киренского СО РАН по адресу: 660036 Красноярск, Академгородок, ИФСОРАН

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института физики им. Л.В.Киренского СО РАН

Автореферат разослан

" 2004 года

Ученый секретарь диссертационного совета //

доктор физико-математических наук

Аплеснин С.С.

Общая характеристика работы

Актуальность темы. В последнее время большое внимание уделяется поиску возможности существенного повышения пропускной способности информационных систем путем использования оптических методов обработки информации. Однако использование оптоэлектронных систем, имеющих существенные преимущества по сравнению с обычными электронными системами, во многих случаях сдерживается отсутствием эффективных оптических сред, обладающих достаточно полным комплексом необходимых характеристик. Например, фотоэмульсионные среды не допускают многократной перезаписи, электроннооптические преобразователи не обеспечивают высокой плотности записи и др.

Одним из путей повышения пропускной способности является поиск перспективных регистрирующих материалов, обеспечивающих высокую плотность и скорость записи, неразрушающее считывание, а также практически неограниченное число циклов перезаписи с возможностью оперативной обработки больших объемов информации, являются тонкие магнитные пленки (МП) различных классов.

Основы реверсивной оптической памяти были заложены в 1975-1985 гг., когда была обнаружена перпендикулярная магнитная анизотропия в пленках МпБ1 и в аморфных пленках сплавов редкая земля - переходной металл (РЗМ-ПМ). В результате интенсивных исследований этих материалов были созданы реверсивные магнитооптические запоминающие устройства (ЗУ) с плотностью записи — 108 бит/см2 термомагаитным способом (ТМЗ). В настоящее время магнитооптические ЗУ заняли достойную нишу на рынке сбыта вычислительной техники. При этом на повестку" дня стал вопрос об утучшении параметров магнитооптических дисков (МОД) -уменьшения энергопотребления при запнси/стиргшш информации, увеличения отношения сигнал/шум, быстродействия, архивоспособности и др., чтобы они могли успешно конкурировать с имеющимися новыми разработками магнитооптических ЗУ.

В связи с этим возрастает интерес к дальнейшему изучению фотоин-дуцпрованных процессов в твердом теле, лежащих в основе процессов записи/стирания термомагнитным способом информации, и к созданию маг-нитопленочных материалов с новыми свойствами, максимально удовлетворяющими требованиям современной техники. Для решения этой задачи могут быть использованы как магнитопленочные материалы с неоднородной структурой (аморфное и нанокристаллическое состояние), так и многослойные пленочные структуры, в которых необычные магнитные свойства возникают за счет эффектов взаимодействия между слоями. Оба подхода были использованы в данной работе, что определяет ее актуальность и научную значимость.

РОС

3 '

Цель работы. Изучение особенностей механизмов термомагнитной записи информации в аморфных ферримагнитных пленках и в пленочных структурах с однонаправленной (ОА) обменной анизотропией, установить их корреляцию с магнитными свойствами исследуемых получаемых пленок и пленочных структур. Достижение поставленной цели потребовало решения следующих задач:

1. Исследовать особенности процессов термомагнитной записи дискретной и аналоговой информации на пленках TbFc, DyCo с перпендикулярной магнитной анизотропией.

2. Исследовать особенности формирования микродоменных структур при локальном воздействии на систему пленка-подложка импульсов светового излучения различной формы и длительности.

3. Исследовать процессы перемагничивания и особенности термомагнитной записи на двухслойных пленках MnNiFc-NiFc и РЗМ-ПМ/NiFc с однонаправленной обменной анизотропией.

Данные положения» совместно с конкретными экспериментальными результатами и сформулированными на их основе выводами» выносятся автором на защиту.

Научная новизна

1. Впервые разработаны физические принципы и получены магнитооптические материалы для записи аналоговой информации.

2. Проведено численное и экспериментальное исследование особенностей ТМЗ информации в аморфных ферримагнитных пленках при воздействии коротких импульсов лазерного излучения показана зависимость энергетической чувствительности от формы и длительности световых импульсов записи/стирания.

3. Влорпыз обнаружена одпокгпрйвлегшги гниютрспна в сбматссгязон-

ной ферригферромагнитной пленочной структуре с ортогональным расположением эффективных намагииченностей в слоях, предложен один из механизмов ее формирования,

4. Исследованы особенности термомагнитной записи информации в пленочных структурах с однонаправленной обменной магнитной анизотропией. '

Практическая ценность

1. Разработана многослойная магнитооптическая структура для термомагнитной записи информации и создан макет магнитооптического диска с рабочими параметрами, отвечающими международным стандартам ISO.

2. На базе разработанного термомагнитного метода записи аналоговой информации создан прибор для визуализации и фотометрирования световых импульсных излучений в диапазоне длин волн 200-2500 нм в реальном масштабе времени.

3. Предложен новый механизм ТМЗ информации в аморфных ферримаг-

нитных пленках при температурах много меньших температуры Кюри. 4. Предложен новый принцип ТМЗ информации на пленочных структурах РЗМ-ПМ/NiFe с однонаправленной анизотропией, позволяющий уменьшить энергозатраты при записи/стирании более чем в 100 раз.

Апробация работы

Основные результаты диссертационной работы представлялись на конференциях и школах-семинарах различного уровня: IX Всесоюзная школа-семинар "Новые магнитные материалы для микроэлектроники", 1984г., Саранск; Международный симпозиум "Поверхностные волны в твердых телах и слоистых структурах", 1986г., Новосибирск; XXII Всесоюзная конференция по физике магнитных явлений, 1988 г., Калинин; XI Всесоюзная школа-семинар "Новые магнитные материалы микроэлектроники", 1988г., Ташкент; VII Всесоюзная конференция "Проблемы магнитных измерений и магнитоизмерителъной аппаратуры", 1990г., Ленинград; I Байкальская международная конференция. "Магнитные материалы" (BICMM) 2001г., Иркутск; "Новые магнитные материалы для микроэлектроники". Международная школа-семинар, 2002г., Москва. "Новые магнитные материалы для микроэлектроники" Международная школа-семинар, 2004г., Москва; Euro-asian symposium "Trends in magnetism", Krasnoyarsk, Russia.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, четырех глав, приложения и заключения. Общий объем работы изложен на /¿Рстршшрх, включая ¿^рисунков и таблицы. Библиография включает в себя /те наименований.

Содержание работы

Во введении обоснована актуальность темы исследования, сформулированы задачи, показана практическая значимость проведенных исследований.

Глава I. Особенности магнитных и магнитооптических свойств пленочных систем для термомагнитного формирования микродоменных структур.

В первой главе приведен анализ имеющихся литературных данных по теоретическим и экспериментальным исследованиям аморфных ферри-магнитных пленок РЗМ-ПМ в области компенсационных составов с перпендикулярной магнитной анизотропией и некоторых многослойных маг-нитопленочных структур, в том числе и структур с обменным взаимодействием. При этом основное внимание уделялось исследованию основных, с точки зрения термомагнитной записи, структурных, магнитных, магнитооптических свойств пленок РЗМ-ПМ, процессам ТМЗ в них, а также

технологическим методам получения многослойных пленочных структур. В частности, большое внимание в рассматриваемых работах уделяется кристаллической структуре, магнитном) упорядочению в сплавах РЗМ-ПМ, температуре Кюри, магнитной анизотропии, коэрцитивной силе и др. Показано, что особенности магнитных свойств аморфных пленок РЗ-ПМ определяются: 1) свойствами входящих в состав компонентов и их соотношением; 2) спецификой аморфного состояния; 3) технологическими условиями получения.

Показано, что аморфное состояние сплавов РЗМ-ПМ имеет ряд преимуществ по сравнению с другими аморфными системами, т.к. не требует включения в состав стеклообразующей компоненты для стабилизации аморфной фазы; отличается высокой термостабильностью; легко реализуется в пленочном состоянии без криогенных температур; может быть получено в широком интервале составов. Считается, что его возникновение обеспечивается большим различием в размерах атомов РЗ и ПМ. Большое количество работ посвящено исследованиям магнитооптических (МО) свойств пленок РЗМ-ПМ (в том числе многослойных) с целью получения ич максимальных значений. В большинстве случаев исследуется полярный МО эффект Керра.

Как следует из анализа опубликованных материалов, магнитопле-ночные структуры РЗМ-ПМ являются пригодными (на данном этапе) для использования в реверсивных магнитооптических ЗУ с записью и стиранием информации термомагнитным способом, в то же время ряд вопросов остались вне внимания исследователей (влияние длительности и формы импульсов лазерного излучения на энергетический порог ТМЗ, изучение возможности записи аналоговой информации, изучение возможности использования многослойных структур с обменным взаимодействием и

др).

Глава. 2. Термоматнтая запясь на пленочных сплавах редкоземельных и переходных металлов.

Во второй главе приведены результаты экспериментальных исследований по использованию ферримагнитных пленок P3M-riM(lЪFc,DyCo) для термомагнитной записи дискретной и аналоговой информации, а также для визуализации локальных неоднородностей магнитных и температур -ных полей.

Принцип термомагнитной записи заключается в нагреве локальных участков среды до пороговых температур в присутствии внешнего подмаг-ничивающего поля записи (Н3). Считывание магнитооптическое (эффекты Керра и Фарадея). Это направление создания устройств внешней памяти получило название - магнитооптическая память.

Если локальные участки носителя имеют только два устойчивых состояния намагниченности, то запись производится двоичным кодом (за-

пись информации дискретного вида). При этом возможна пороговая регистрация информации: во всех точках, где интенсивность света превышает некоторое пороговое значение, происходит переключение намагниченности в соответствии с подмагничивающим полем. Для записи дискретной информации в работе использовались однослойные и многослойные пленки РЗМ-ПМ с прямоугольной петлей гистерезиса.

Длительность светового излучения в процессе записи изменялась в пределах Ю"3- 10'" с. Проведен расчет необходимой энергии для нагрева локального участка пленки сплава ТЬИс до температуры Кюри (Гс «=> 150°С). Например при длительности импульса засветки = 10*8с необхо-димаяэнергия £ = Л • 5 *10'3 Дж/см2. В работе проведены эксперименты по термомагнитной записи информации на пленках ТЬ-Бе толщиной 40 нм. Использовался лазер мощностью 10 мвт, /„ ** 10 не. Получена энергетическая чувствительность ■» 10'2 Дж/см2. Так как в расчетах не учитывались потери на отражение и прохождение света, то сравнение экспериментальных данных можно считать удовлетворительным.

Пример записанной на пленках РЗМ-ПМ дискретной информации приведен на рис.1.

По результатам проведенных исследований были созданы макеты МО дисков и осуществлена ТМЗ битовой информации. Полученные макеты многослойных магнитооптических дисков использовались дтя отработки систем записи и считывания информации в цифровых устройствах специального назначения в ИАиЭМ СО РАН, г. Новосибирск и Институте химической физики РАН, г. Москва, НИИ "Полюс", г. Москва.

В отличие от дискретной, аналоговая запись предполагает запоминание различных уровней световой энергии в каждой точке изображения, т.е. передачу полутонов. Такая запись возможна, когда локальные участки магнитной среды имеют непрерывный ряд устойчивых состояний. Дтя осуществления термомагнитной записи аналоговой информации нами были получены РЗМ-ПМ пленки с "наклонной" петлей гистерезиса, в кото-

рых величина магнитного момента прямо пропорциональна амплитуде внешнего магнитного поля, а коэрцитивная сила линейно уменьшается с ростом температуры. При этом М и Нс совпадают по величине для предельной и частной петель гистерезиса (рис. 2, а,б). Для пленок в размагниченном состоянии увеличение внешнего магнитного поля Н (Н || ОЛН) вплоть до Н - Нс не приводит к изменению эффективной намагниченности (отрезок ОА). Дальнейшее }величение поля сопровождается линейным ростом намагниченности (АВ). При снятии поля достигнутое значение Мне изменяется (ВС). Частные и предельная петли гистерезиса отличаются только "раскрытием" по оси М.

Рис.2. Петли гистерезиса пленок Tboj>4Feo.76'. а - предельная и частные петли при Т" const; б - предельные петли при температурах Tt = 20 (1), Т; = 60(2), Тз = 95°С 13).

При увеличении температуры величина раскрытия предельной петли гистерезиса по оси Н уменьшается, а форма ее сохраняется (кривые 1-3 на рис.2,6). Ошегим также, что если при Г ™ Т/ и Я » #„ пленка находится в состоянии А (рис.2,6), то при увеличении температуры Т « 7} она переходит в состояние А' . Уменьшение температуры до Т = ¡Г/ не переводит магнитною систему ТМП обратно в состояние А, состоят» А1 сохраняется.

При этом увеличение внешнего магнитного поля не меняет величин}' относительной намагниченности (отрезок АВ) до тех пор, пока мы не дойдем до предельной петли гистерезиса (точка В), а при уменьшении поля до нуля магнитная система оказывается в состоянии

Проведен также математический анализ процесса ТМЗ аналоговой информации на таких пленках. Для интерпретации использовалась модель высокоанизотропных слабовзаимодействующих областей малых размеров (- 150-300 нм).

Вид тонального магнитооптического изображения, записанного на пленке ТЬ-Бе при положениях анализатора +3,5°(а), 0(6) и -3,5°(в) приведен на рис.3.

Рис.3. Вид тонального магнитооптического изображения, записанного на атенке TbFe при положениях анализатора +3,5°(а), 0(6) и -3,5°(в).

Для увеличения МО эффектов (контраста), при использовании по-

Рис.4

500 600 700 SOO 900 X, им

Подложка

SiO GeO

D)TeCo

SIO GcO

DyFtCo

SiO GeO

500 <500 700 800 900 к, им

ренционными диэлектрическими (SiO.GcO) слоями. Соответствующие

а о в

Рис.5. Доменная структура пленок РЗМ-ПМ после термомагнитиого копирования , остаточного состояния лент после их предварительного размагничивания: а - В 450^-12: б -ORWO; в-BASF.

Показана связь микродоменной структуры магнитных носителей информации с их эксплуатационными характеристиками.

Были проведены исследования структуры оптических излучений лазеров в невидимой области оптического спектра (рис.6)

На рис.7 приведено изображение пространственного распределения ИК излучения лазера в дальней зоне сигнальной волны - без

фазовой пластинки (а), с фазовой пластинкой (б) и обращенной волны - без фазовой пластинки (в), с фазовой пластинкой (г) при обращении волнового фронта.

Таким образом можно сделать вывод, что использование пленок РЗМ-ПМ с перпендикулярной магнитной анизотропией открывает широкие возможности создания устройств для оптической обработки информации.

Глава 3. Особенности записи информации на плепках РЗМ-ПМ импульсами светового излучения

В третьей главе приведены результаты расчетов динамики температуры в системе пленка-подложка при воздействии на пленку импульсов лазерного излучения различной формы и длительности. Проведено сопоставление расчетов с экспериментальными данными. Показано, что при длительности импульса -10"* с основным механизмом записи информации на магнитных пленках РЗМ-ПМ является термомагнитный. При более коротких импульсах эффект увеличения энергетической чувствительности при запи-

си, наблюдаемый экспериментально, объяснить термомагнитным механизмом не предоставляется возможным. Оценка энергетической чувствительности связана с нахождением температурного паля, возникающего в облученном участке образца, которое играет роль переходной физической модели записываемого изображения (как дискретного, так и аналогового).

При взаимодействии лазерного излучения с веществом пленки часть энергии поглощается, что приводит в общем случае к возникновению пространственно-неоднородного и нестационарного распределения термодинамических параметров. Изучение этого взаимодействия, в нашем случае, основывалось на предположении, что лазерный импульс может рассматриваться как тепловой источник. В этом случае, в пренебрежении вязкостью и гидродинамической скоростью вещества пленки, условие баланса тепла (уравнение теплопроводности) имеет вид

pT!*~kV2T+Q(r,t) (1)

В (1) р" р(Г, t) - плотность веществапленки; S *» S(f, t) - энтропия единицы обЁЕмф* (Г ,t) - температура; к - теплопроводность, которая в дальнейшем считается постоянной; Q(K, t)- количество тепла, выделяемое лазерным импульсом в единице объема пленки в единицу времени.

В работе рассмотрены различные механизмы передачи тепла, соответственно и различные варианты упрощения уравнения (1). Распределение плотности энергии в поперечном сечении лазерного излучения в расчетах принималось гауссовским. Приведена оценка основных термодинамических параметров взаимодействия лазерного ихтучения с пленкой в случае Т" 3- 10""с и поглощаемой в объеме V ш Я?уА энергии ДU" 5"10" 12 Дж для различных термодинамических процессов.

В случае взохорнческого процесса. Дм h «* ho. (а-10"5 град'1;

£ = 3-Ю1' Н/м2) имеем:

AT и hU/pVC ж 20° (2)

Р--Еа\Т"-600 кг/см2 (3)

Знак (-) в (3) означает, что давление направлено внутрь объема V.

Для случая изобарического процесса (Р а const) имеем:

AT~AV/pVC"2 0е (4)

(5)

В случае изотермического процесса (Т = Т0):

Р - Е(Шг,д - 6-104 кг/см2 (6)

ИГ* (7)

hQ V EV 11

и вьшолняется соотношение:

AU=

А/) 2/)л

РК

(8)

В случае адиабатического процесса (S = const) и при условии \Ah[%i<( 1 и \ATVTo« 1 имеем:

ПШ

AT*

= 4, ГС

(9)

/>~-4,3-104кг/см2; ^ = 1,3-10":

"О

4 (Отрицательное значение величины А1г/кп соответств} ет адиабатнческо-! му сжатию).

И выполняется также соотношение: - '

Д11« ~РУ (10)

0

Как следует из приведенного рассмотрения для численных параметров Г и А11 средние достижимые температуры АТ « Тс- Это означает, что механизм ТМЗ в указанной области параметров Т и А11 отсутствует.

Для объяснения возможности записи при АТ « Тс использованы маг-нитоулругие константы пленок РЗМ-ПМ. Проведены оценки магаптоупру-гой энергии и = - АьР вызванной давлением, т.е. величина и должна быть сравнима с энергией одноосной магнитной анизотропии Ки. Из расчета следу ет, что необходимое давление Р - /Г/Я5 » 103 кГ/см5. Таким образом, при облучении локального участка коротким импульсом оптического излучения при определенных значениях энергии можно практически без нагрева получить в нем давления, достаточные для компенсации энергии магнитной анизотропии. В результате произойдет его перемагничнвание. Такой способ записи в работе назван упругомагнитной записью (УМЗ).

Из предложенной модели можно сделать следующие два вывода:

1. Запись информации на пленках ПМ-РЗМ можно проводить при постоянной температуре, накладывая на них определенное статическое давление,

2.В диапазоне длительностей импульсов световых и з л у ч еГйгмШ"8!! о 10"" с энергетическая чувствительность среды Е„\„ будет тем выше чем короче импульс излучения.

Эти выводы были нами экспериментально проверены. На рис.8 представлен пример записи немагнитным наконечником на пленке ТЬБе.

При изменении длительности лазерного импульса, нами экспериментально были получены следующие энергетические значения по чувствительности:

Рис.8. Запись на пленке ТЪИе, произведенная немагнитным наконечником.

(А = 1,06 мкм) г= 10"7 с; Етш''=2-Шг Дж/см2 (Л = 0,35 мкм) г= 2-Ю'8 с; Ет,Г'>= З Ю"3 Дж/см2 (Л = 0,53 мкм) V 310" с; Еы„"> = 410"4 Дж/см2

(И)

Отметим, что использование явления УМЗ повышает функциональные возможности устройств оптической памяти на пленках РЗМ-ПМ, т.к. при этом значительно сокращается время цикла запись/стирание, и увеличивается их количество без изменения магнитных и магнитооптических характеристик пленок.

В рамках задач диссертационной работы рассмотрены также вопросы математического моделирования процесса термомагнитной записи в пленках РЗМ-ПМ. При этом процесс ТМЗ описывается в две ступени:

1. Расчет пространственно-временного распределения температуры в тонкой металлической пленке при воздействии импульсного лазерного излучения.

2. Расчет устойчивых доменных структур в магнитной пленке при воздействии лазерного излучения и слабого магнитного поля.

В данной работе приведены также результаты расчетов динамики температуры в системе пленка-подложка при воздействии на пленку пико- и наносекундных импульсов различной временной формы. Проведен численный анализ устойчивых состояний в двумерных магнитных системах при неоднородном нагреве в присутствии слабого внешнего магнитного поля, дипольного взаимодействия и др.

Показано, что в системе с обменным и дипольным взаимодействиями в качестве основного состояния при 1 <\J\/D<4(D -константа диполь-ного взаимодействия) реализуется решетка из макровихрей. Дипольные взаимодействия в двумерной системе создают анизотропию типа "легкая плоскость'1.

При учете наведенной магнитной анизотропии АГ<Д)о < 4 динамически устойчивыми состояниями остаются плоские структуры. При 5 > | Ко

|/£>о > 4 плоские структуры переходят в неоднородную наклонную фазу. При KJDq > 5 динамически устойчивыми являются перпендикулярные магнитные структуры. Показано, что процесс образования перпендикулярных доменных структур имеет место при \J \!D<¡ < 5. При | J |/Д) > 5 много-доменные структуры в численном эксперименте не образовывались. Рассмотрен процесс образования устойчивых структур в различных областях параметров модели при неоднородном нагреве в присутствии слабого внешнего магнитного поля. Показано, что в области параметров

процесс перемагничивания приводит к образованию неоднородных случайных структур. Это обстоятельство необходимо учитывать при изучения процессов оптической записи в магнитооптических носителях.

Глава 4. Термомагнитная запись информации па пленочных структурах с однонаправленной анизотропией.

В четвертой главе приведены результаты теоретического исследования влияния магнитного поля на доменную структуру двухслойных магнитных пленках NiFe/NiFeMn с ферро-антиферромагаитным обменным взаимодействием, обладающих однонаправленной анизотропией (ОА) без учета и с учетом одноосной анизотропии (Д) ферромагнитной пленки.

Было получено распределение намагниченности как по толщине пленки, так и в плоскости ФП. Показано, что кривые перемагничивания таких пленок, в отсутствии одноосной анизотропии, носят безгистерезисный ха-■ рактер.

Проведены также исследования доменной структуры и процессов пе-ремагничивания пленок, обладающих одновременно однонаправленной и одноосной анизотропией. Пространственное распределение спинов и' внешнего магнитного поля Я, используемое в расчетах, приведено на рис.9.

Принято, что спины на нижней поверхности ФП (г ■* 0) жестко закреплены.

В результате показано, что для полей h, когда фт^О, вдоль толщины домена образуется спиральная конфигурация спиновой системы типа бло-ховской стенки, в которой угол (р{г) постепенно изменяется от значения лприг^Одо <р=<рт при z = L.

На таких структурах Глазером А.А. была показана принципиальная возможность термомагнитной записи доменов с помощью нагретой иглы.

Нами проведены эксперименты по формированию микродоменных структур в слое NiFe путем термомагнитной записи соответствующих доменных конфигураций импульсами светового ихтучения. Исследованы особенности их статического и импульсного перемагничивания.

Используя явление стабилизации доменной структуры в пленках NiFe/NiFeMn, а также зависимость AH(l,h) были проведены исследования по возможности формирования "низкокоэрцитивных каналов" (НК) для продвижения плоских магнитных доменов (ПМД) с малыми полями управления и более широкими функциональными возможностями (реверсивное и однонаправленное движение ПМД в НК в зависимости от их ширины и толщины ФП). При этом, варьируя толщиной ферромагнитного слоя (ФС) и шириной НК можно сознательно задавать необходимое положение петли гистерезиса на оси полей, т.е. выбирать требуемый режим по величине управляющих полей.

В настоящей главе приведены также результаты исследований впервые полученных нами двухслойных пленочных структур TbFe/NiFe DyCo/NiFe с ортогональной ориентацией эффективных намагниченностей в слоях, обладающих однонаправленной анизотропией (см. рис. 10).

Показано, что взаимодействие между слоями в таких системах носит также обменный характер. Исследовано влияние однонаправленной анизотропии на процессы квазистатического перемагничивания и спектры спин-волнового резонанса (СВР). Показан значительный вклад механиз-

] ' н

Рис. 10. Поперечный разрез (а) и типичная петля гистерезиса (б) исследуемых образцов. .

мов вращения магнитного момента в ФП при перемагничивании под малыми углами к оси ОА и проведен анализ полученных результатов на ос-' нове модели когерентного вращения. Обнаружена инверсия направления ОА в пленке NiFe при перемагничивании слоя РЗМ-ПМ Поведенные исследования методами спин-волнового и ферромагнитного резонанса показали, что слой ферримагнетика DyCo(TbFe), характеризующийся интегральной перпендикулярной магнитной анизотропией, представляет собой гетерофазную нанокристаллическую систему, состоящую как минимум из двух фаз Ф1 и Фг (рис.11). Вектор намагниченности подрешетки М металла одной из составляющих гетерофазного ферримаг-нитного сплава параллелен плоскости пленки. Наличие обменного взаимодействия между намагниченностью слоя NiFe и плоскостной составляющей вектора намагниченности гетерофазного слоя РЗМ-ПМ Ф2, на наш взгляд, является причиной существования однонаправленной анизотропии в таких системах, которая и в данном случае имеет обменную

Рис.11. Предполагаемая конфигурация векторов намагниченности фаз. Ф( и Ф^ ~ в системе РЗМ-ПМ/№Ре.

природу.

Для анализа квазистатического перемагничнвания такой структуры проведен расчет петель гистерезиса по теории когерентного вращения намагниченности. Показано, что эта модель хорошо объясняет угловые зависимости петель гистерезиса.

Проведены также температурные исследования зависимостей коэрцитивной силы Нс и поля смещения ЛИ для двухслойных структур (РЗМ-пМ)/№Рс с однонаправленной анизотропией в диапазоне температур от 20 до 230®С. Соответствующие зависимости приведены нарис. 12.

Рис.12. Температурные зависимости Нс и Ш пленок 1>уСо/№Ре с обменной 'однонаправленной анизотропией. Для пленочных структур ТЬРс/№Ре наблюдаемые зависимости аналогичны.

0 50 100 150 200 Т.'С

1 дн 111 1 » IV

\г „

Нс-4 СГ — t | 1 \ » \ • 1 « • •

Показано, что при температурах 100 - 190оС (область Ш) обменное взаимодействие между слоями РЗМ-ПМ и №Бе еще сохраняется, а коэрцитивная сила РЗМ-ПМ слоя с температурой уменьшается до такой величины, что энергии обменного взаимодействия между слоями достаточно, чтобы при перемагничивании №Ре слоя в его плоскости происходило пе-ремагиичивание РЗМ-ПМ слоя нормально плоскости. Именно этот факт положен в основу принципа термомагнитной записи и стирания информации в двухслойных структурах (P3M-TlM)/NiFe с обменной однонаправленной анизотропией.

Таким образом, на этом основании, впервые была осуществлена запись магнитооптической информации в РЗМ-ПМ слое импульсами оптического излучения с использованием энергии обменного взаимодейсрия с №Бе слоем, позволяющей более чем на два порядка снизить энергетические затраты на процессы записи/стирания информации.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Впервые осуществлена термомагнитная запись полутоновых оптических изображений на аморфных пленках РЗМ-ПМ с перпендикулярной магнитной анизотропией. Для объяснения процесса записи предложена структурная модель пленки, состоящей из ансамбля высокоанизотропных сла-бовзаимодействующих областей (магнитных микродоменов) размером ~ 50 нм.

2. Проведены численные и экспериментальные исследования влияния длительности и формы импульсов светового излучения на процессы термомагнитной записи информации в пленках РЗМ-ПМ. Показано, что при длительности импульса Г„ > 10"'с основным механизмом записи является запись в области температуры Кюри. При = 10'8- 10'"с обнаружен новый механизм записи, в основе которого лежат упругомагкитаые эффекты;

энергетическая чувствительность данного механизма примерно на два порядка выше чем при записи в точке Кюри.

3. Проведено теоретическое и экспериметальноо исследование влияния магнитного поля на доменную структуру двухслойных пленок №Рс/№РсМп с однонаправленной анизотропией для случаев отсутствия и наличия одноосной анизотропии в слое №Бе.

4. Осуществлено формирование микродоменных структур в слое №Бе путем термомагнитной записи "соответствующих доменных конфигураций. Показана возможность создания "каналов" для продвижения плоских магнитных доменов и исследованы особенности их статического и импульсного перемагничивания.

5. Впервые обнаружена обменная однонаправленная анизотропия в магни-томягком слое в двухслойных ферро-ферримагнитных пленочных структурах БуСо/№Ре(ТЬРе/№Ре) с ортогональной ориентацией осей легкого намагничивания. Предложен механизм формирования этой анизотропии. Ис-

следованы особенности квазистатического перемагничивания этих структур-

6. Впервые показана возможность термомагнитной записи информации в двухслойных пленках РЗМ-ПМ/NiFe с использованием энергии обменного взаимодействия меду слоями. При этом энергетические затраты на процессы записи/стирания снижаются более чем на два порядка.

7. В результате проведенных исследований создан макет магнитооптического диска на основе аморфных пленок РЗМ-ПМ. Создан прибор для регистрации пространственного распределения интенсивности оптических излучений в большом динамическом и спектральном диапазонах в реальном масштабе времени.

Материалы диссертации опубликованы в следующих работах

1. Ерухимов М.Ш., Середкин В.А Влияние магнитного поля на доменную структур) пленок с однонаправленной анизотропией // ФММ.-1977.-Т.44, В.4.-С.757-761.

2. Ерухимов М.Ш., Середкин ВА, Яковчук В.Ю. Доменная структура и перемагничивание пленок с однонаправленной и одноосной анизотропией // ФММ- 1981.-Т.52, В.1.-С.57-62.

3. Середкин В.А., Фролов Т.Н., Яковчук В.Ю. Однонаправленная магнитная анизотропия в слоистой атеночной стр)ктуре NiFe/TbFe // Письма в ЖТФ.-1983.-Т.9,В.23.-С.1446-1449.

4. Середкин ВА, Фролов Г.И., Яковчук В.Ю. Термомагнитная запись полутоновых оптических изображений на пленках R-Fe (R-Tb,Dy) // ЖТФ.-1984.-Т.54, В.6 -СЛ183-1186.

5. Середкин ВА, Буркова Л.В., Ерухимов М.Ш., Фролов Г.И., Яковчук В.Ю. Термомагнитная запись аналоговой информации па пленках R-Fe

(R-Tb,Fe) // ЖТФ.-1985.-Т.55.В.4.-С.707-713.

6. Попов Г.В., Середкин ВА, Фролов Г.И., Яковчук В.Ю. Статическое пе-ремагничивание аморфных пленок DyCo // ФММ.-1990, №2.-С.61-70.

7. Александров К.С., Болотских Л.Т., Попков В.Г., Середкин В.А., Попов А.К., Фролов Г.И., Яковчук В.Ю. Исследование качества обращения волнового фронта ИК излучения методом термомагнитной записи изображения // ДАН.-198б.-Т.286,В.З.-С.610-б12.

8. Середкин В.А., Фролов Г.И., Яковчук В.Ю. Квазистатическое перемаг-ни-чивание пленок с ферро-ферримагнитным обменным взаимодействием // ФММ.-1987.-Т.63, В.З.-С.457-462.

9. Александров К.С.. Середкин ВА, Фролов Г.И., Яковчук В.Ю. Оптическая запись в аморфных ферримагнитных пленках // Автоматрия.-1988.-№4.-С.59-67.

10. Берман ГЛ., Фролов Г.И., Середкин ВА, Яковчук В.Ю. Analisis ofib-tcraction of laser radiation puises with metal magnetostrictive film // Solid

State Commumcations. - 1988/-T.67,№ 12. - P.1203-1207.

11. Белошапкин В.В., Берман ГЛ., Третьяков А.Г., Середкин В.А, Фролов ГЛ., Цыбина Ж.Б» Процессы структурообразоваыия и термомагнитная запись в двумерных магнитных системах // ФТТ.-1991.-Т.ЗЗ, №9.- С.2554-2560.

12. Исхаков Р.С., Яковчук В.Ю., Столяр СВ., Чеканова Л. А., Середкин

В А Ферромагнитный и спин-волновой резонанс в двухслойных пленках Nio.*Feo.2/Dyi-,Cot //ФТГ.-2001.-Т.43,В.8.-С. 1462-1467.

13. Исхаков Р.С., Середкин ВА, Столяр СВ., Чеканова ЛА, Яковчук В.Ю.' Спин-волновой резонанс в трехслойных пленках NiFe/DyxCoi.x/NiFe как метод регистрации неоднородностей структуры аморфных слоев Dy»Co,., // Письма в ЖЭТФ.-2002.-Т.76, В. 11 .-С.779-783.

14. Середкин ВА, Исхаков Р.С, Яковчук В.Ю., Столяр СВ., Мягков В.Г. Однонаправленная анизотропия в пленочных системах (RE - TM)/NiFe //ФТТ.-2003.-Т.45.В.5.-С882-886.

15. Середкин В.А., Столяр СВ., Фролов Г.И., Яковчук В.Ю/ Термомагнитная запись и стирание информации в пленочных структурах DyCo/NtFe(TbFc/NiFe) // Письма в ЖГФ.-2004/- ТЗ 0, В. 19/- С.46-52.

16. Яковчух В.Ю.; Середкин ВА, Фролов Г,И. Магнитный носитель информации А.с № 1124381 по заявке № 3526108, СССР, 1984.

Подписано в печать 22.06.2004 г. Формат 60 х 84/16 Усл. п.л. 1. Тираж 60 экз. Заказ № 32

Отпечатано в типографии Института Физики СО РАН.

«• 17093

ВВЕДЕНИЕ.

Глава I. Особенности магнитных и магнитооптических свойств пленочных систем для термомагнитного формирования микродоменных структур

1.1. Магнитное упорядочение и структура в сплавах РЗМ-ПМ.

1.2. Физические свойства.

1.2.1. Намагниченность.

1.2.2. Температура Кюри.

1.2.3. Перпендикулярная анизотроия.

1.2.4. Коэрцитивная сила.

1.3. Магнитооптические свойства.

1.4. Термомагнитная запись в пленках РЗМ-ПМ.

Постановка задачи.

Глава. 2. Термомагнитная запись на пленочных сплавах редкоземельных и переходных металлов.

2.1. Общие положения

2.2. Основные требования к средам для магнитооптической памяти.

2.2.1 Энергетическая чувствительность.

2.2.2. Магнитооптическое считывание.

2.2.3. Дополнительные требования.

2.3. Выбор материала для пленок РЗМ-ПМ.

2.3.1. Технология получения пленок сплавов.

2.4. Запись дискретной информации.

2.5. Увеличение полярного эффекта Керра в многослойных структурах P3M-riM/GeO(SiO).

2.6. Термомагнитная запись аналоговой информации.

2.6.1. Петли гистерезиса.

2.6.2. Экспериментальная часть.

2.6.3. Визуализация магнитных полей рассеяния.

2.6.4. Регистрация оптических излучений.

Глава 3. Особенности записи информации на пленках РЗМ-ПМ импульсами светового излучения

3.1. Расчет энергетической чувствительности при записи импульсами светового излучения.

3.1.1. Упруго-магнитная запись.

3.2. Эффекты температурного воздействия импульсов оптического излучения на пленки РЗМ-ПМ.

3.2.1. Моделирование процесса термомагнитной записи.

3.3. Расчет динамики температуры.

3.4. Численный анализ устойчивых состояний в двумерных магнитных системах.

3.4.1. Описание модели и численного метода.

3.4.2. Структурные состояния при отсутствии температурного нагрева и перемагничивающего поля.

3.4.3. Характерные структуры, возникающие при неоднородном нагреве во внешнем магнитном поле.

Глава 4. Термомагнитная запись информации на пленочных структурах с однонаправленной анизотропией

4.1. Доменная структура и перемагничивание пленок MnNiFe с одноосной и однонаправленной анизотропией.

4.2. Формирование каналов продвижения плоских магнитных доменов в пленках NiFe/NiFeMn.

4.3. Двухслойные пленочные структуры DyCo/NiFe (TbFe/NiFe) с однонаправленной анизотропией для термомагнитной записи информации.

4.3.1. Механизм формирования однонаправленной анизотропии в пленках РЗМ-ПМ/NiFe.

4.3.2. Перемагничивание двухслойных пленок РЗМ-ПМ/NiFe с обменным взаимодействием.

4.3.3. Запись информации в пленках РЗМ-ПМ/NiFe с однонаправленной магнитной анизотропией.

Интерес к пленочным сплавам редкоземельных и переходных металлов (РЗМ-ПМ) вызван рядом особенностей их свойств, связанных с их аморфным состоянием (большие значения перпендикулярной магнитной анизотропии (ПМА) и магнитооптических эффектов, низкие значения температуры Кюри, малые размеры устойчивых доменов и др.), а также возможностью их практического использования.

Публикацией статьи [1], посвященной изучению свойств аморфных пленок GdCo и GdFe, было положено начало интенсивных исследований аморфных пленок РЗМ-ПМ. Значительная часть опубликованных работ по изучению интерметаллических соединений РЗМ-ПМ посвящена их магнитным, структурным, магнитооптическим и др. свойствам. Однако, несмотря на огромное количество теоретического и экспериментального материала, физическое понимание некоторых особенностей этих свойств и в настоящее время находится на достаточно низком уровне. Например, теоретическое описание электронной структуры этих соединений сталкивается с трудностями, обусловленными наличием в них электронов, различающихся по степени локализации - полностью коллективизированных s- и р- электронов, частично локализованных d-электронов, а также 4£электронов, которые, как полагают, сохраняют в рассматриваемых соединениях локализацию, а также многослойных структур РЗМ-ПМ с обменным взаимодействием.

На начальном этапе изучения аморфных пленок РЗМ-ПМ эти пленки исследовались как новый класс аморфных сплавов, и большинство работ было посвящено выявлению особенностей магнитных свойств образцов в зависимости от различных комбинаций компонентов РЗ и ПМ во всем возможном интервале составов [2-5], которые непосредственно связаны с природой аморфного магнетизма. Показано, что характерным для соединений РЗМ-ПМ является существование определенного интервала составов, в котором возможно получение аморфного состояния. Пленочная технология позволяет сравнительно легко получать такие образцы с изменяющимися в широких пределах физическими свойствами. Этот факт представляет научный интерес, так как дает возможность исследовать магнетизм неупорядоченных систем, а также проводить сравнительный анализ магнитных свойств в аморфном и кристаллическом состоянии.

Обнаружение в этих пленках перпендикулярной анизотропии и ее дальнейшее исследование показали перспективы практического использования. Поэтому специфика и направленность последующих работ все в большей степени определялись прикладными задачами. В настоящее время основная масса опубликованных работ рассматривает связь между магнитными и магнитооптическими (МО) свойствами аморфных пленок РЗ-ПМ и их техническими характеристиками. Все это можно считать вполне обоснованным, т.к. в 1976 году японскими специалистами осуществлена термомагнитная запись на аморфных пленках РЗ-ПМ [6], а уже в 1980 году ими был создан опытный образец магнитооптического диска, в котором средой памяти служил аморфный слой GdTbFe [7]. В свою очередь вопросы практического использования выдвигают на первый план задачу наиболее полного всестороннего изучения некоторых свойств, непосредственно связаных с процессами записи, считывания и хранения МО информации: основного состояния; особенностей релаксационных процессов; природы перпендикулярной анизотропии; магнитооптических эффектов; коэрцитивности; температуры Кюри; процессов импульсного перемагничивания локальных участков и др.

Обширный экспериментальный материал, накопленный за 25-30 лет, делает целесообразным краткое рассмотрение основных особенностей магнитных и МО свойств аморфных пленок РЗМ-ПМ и выявление физических закономерностей, обусловленных спецификой аморфного состояния и входящих в их состав компонентов, а также вопросов записи и стирания в них дискретной (битовой) МО информации [8]. Однако, при этом в тени остаются исследования по взаимодействию импульсных оптических излучений с пленками РЗМ-ПМ фотоиндуцированных процессов), исследования влияния длительности световых импульсов на механизмы записи, а также возможности записи информации аналогового вида.

Интересными как с фундаментальной, так и с прикладной точки зрения, на наш взгляд, являются многослойные структуры РЗМ-ПМ/ПМ с обменным взаимодействием и ортогональной ориентацией эффективных намагниченностей в слоях, комплексные исследования которых являются также актуальными. Следует особо отметить, что исследования таких магнитопленочных систем на сегодняшний день, в том числе и за рубежом, отсутствуют.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Впервые осуществлена запись полутоновых оптических изображений на пленках RFe(R-Tb,Dy) с перпендикулярной анизотропией. Для интерпретации использовалась модель высоко анизотропных слабовзаимодействующих областей малых размеров (~ 150-300 нм).

2. Для пленок редкоземельных и переходных металлов с учетом подложки проведены расчеты динамики температуры при воздействии импульсами светового излучения различной временной формы и длительности. Показано, что при длительности импульса ти > 10"8 основным механизмом записи информации является термомагнитная запись в области температуры Кюри. Проведены эксперименты по записи.

3. Обнаружен новый механизм записи информации при температурах много меньших температуры Кюри, при этом основной вклад в процесс записи вносит магнитоупругая энергия магнитострикционных пленок редкоземельных и переходных металлов. Этот механизм записи назван термоупругомагнитным (УМЗ).

4. Проведено теоретическое исследование влияния магнитного поля на доменную структуру магнитных пленок NiFe/NiFeMn с однонаправленной анизотропией без учета и с учетом одноосной анизотропии ферромагнитной пленки.

5. Осуществлено формирование микродоменных структур в NiFe слое путем записи соответствующих доменных конфигураций в пленках NiFe/NiFeMn с однонаправленной анизотропией. Показана возможность создания "каналов" для продвижения плоских магнитных доменов и исследованы особенности их статического и импульсного перемагничивания.

6. Впервые были получены двухслойные пленки (Tb,Dy-Fe,Co)/NiFe с ортогональной ориентацией осей легкого намагничивания в слоях, обладающие однонаправленной магнитной анизотропией. Показано, что взаимодействие в таких системах носит обменный характер. Исследовано влияние однонаправленной анизотропии на процессы квазистатического перемагничивания и спектры спин-волнового резонанса. Обнаружена инверсия направления однонаправленной анизотропии в пленке NiFe при перемагничивании слоя редкоземельного и переходного металла. Показан значительный вклад механизмов вращения магнитного момента в ферромагнитной пленке при перемагничивании под углом к оси однонаправленной анизотропии и проведен анализ полученных результатов на основе модели когерентного вращения.

7. Впервые осуществлена запись магнитооптической информации в жестком слое импульсами оптического излучения с использованием энергии обменного взаимодействия с NiFe слоем, позволяющей более чем в сто раз снизить энергетические затраты на процессы записи и стирании информации.

Автор выражает благодарность всем, кто помогал в написании работы, за полезные дискуссии при обсуждении результатов, соавторов статей и особо Фролову Г.И. за предложенную тему исследований и научное руководство, Яковчуку В.Ю. за получение образцов и помощь в исследованиях, Ерухимову М.Ш., Попову Г.В., Исхакову Р.С., Столяру С.В., Чекановой J1.A., Л.В.Бурковой, как соавторам публикаций и проведения экспериментов, Квеглис Л.И., Бондаренко Г.В., Мягкову В.Г. за помощь в анализе исследованных образцов, а также многим другим коллегам и друзьям.

Особую благодарность автор выражает фонду РФФИ за финансовую поддержку по грантам № 98-02-16139 и № 04-02-19099 при проведении научных исследований.

1. Chaudhary P., Cuomo J.J., Gambino R.J. Amorphous metallic films for magneto-optic applications. // J, Appl. Phys. -1973. -V.22, N7. -P. 337-339.

2. Rhyne J.J., Pickart S.J., Alperin H.A. Magnetism in amorphous terbium-iron. // AIP Conf. Proc. -1973. N18. -P. 563- 577.

3. Lee K., Heiman N. Magnetism in rare earth-transition metal amorphous alloy films. // AIP Conf. Proc. -1974. N24. -P. 108-109.

4. Heiman N., Lee K., Potter P.J. // Exchange coupling in amorphous rare earth-iron alloys. // AIP Conf. Proc. -1976. N29. -P. 130-135.

5. Cargill G.S. Magnetism in amorphous metals and alloys. // Physica B, -1977. -V.91. -P. 177-178.

6. Mimura Y., Imamura N., Kobayashi T. Curie point writing in amorphous magnetic films. // Jap. J. Appl. Phys. -1976. -V.15, N5. -P. 933-934.

7. Imamura N., Ota C. Experimental study of magneto-optical disk exerciser with the laser diode and amorphous magnetic thin films. // Jap. J. Appl. Phys. -1980. -V.19, N12. -P. L731, L734.

8. Майклджон У.М. Магнитооптическая запись //ТИИЭР, 1986, T.74, N11, С.112-125.

9. Физика и химия редкоземельных элементов. Под ред. Гшнейдера К., Аринга Л. Справочник.- 1981. 336 с.

10. Taylor R.C., Gangulee A. Magnetic properties of amorphous GdFeB and GdCoB alloys. // J. Appl. Phys. -1982. -V.53, N3. -P. 2341-2343.

11. Cargill G.S. Perromagnetism in amorphous solids. // AIP Conf. Proc. -1974. N24. -P. 138-144.

12. Cargill G.S. Short-range order in amorphous GdFe2. // AIP Conf. Proc. -1973. -N18. P. 631635.

13. Rhyne J.J., Pickart S.J., Alperin H.A. Direct observation of an amorphous spin-polarization distribution. // Phys. Rev. Lett. -1972. -V.29, N23. -P. 1562-1564.

14. Rhyne J.J., Schelleng J.H., Koon N.C. Anomalous magnetization of amorphous TbFe2, GdFe2 and YFe2. // Phys. Rev. B. -1974. -V.10, N11. -P. 4672-4679.

15. Хандрих К., Кобе С. Аморфные ферро- и ферримагнетики. М.: Мир. - 1982. 293 е.

16. McGuire Т.Р., Hartmann М. Magneto-optic properties of amorphous Tb-Co films. // IEEE Trans. Magn. -1986. -V. MAG~22,N5. -P. 1224-1226.

17. Rhyne J.J., Glinka C.J. Critical behaviour and magnetic ordering in amorphous TbFe2. // J. Appl. Phys. -1984. -V.55, N6. -P. 1691-1693.

18. Hoffmann H., Owen A.J., Schropf F. Electron microscopy of evaporated and sputtered Gd/Co and Ho/Co films. // Phys. Stat. Sol. (a). -1979. -V.52, K2, -P. 161-174.

19. Malmhall R., Chen T. Thickness dependence of magnetic hys-teretic properties of rf-sputtered amorphous Tb-Fe alloy thin films. // J. Appl. Phys. -1982. -V.53, N11. -P. 7843-7845.

20. Leamy H.J., Dirks A.G. Microstructure and magnetism in amorphous rare-earth-transit ion-metal thin films. II. Magnetic anisotropy. // J. Appl. Phys. -1979. -V.50, N4. -P. 2871-2882.

21. Ohkoshi M., Harada M., Tokunaga Т., Honda S., Kusuda T. Effect of Ar pressure and substrate bias on magnetic properties and microstructure in amorphous TbCo sputtered films. // IEEE Trans. Magn. -1985. -V. MAG-21, N5. -P. 1635-1637.

22. Dirks A.G., Gysbers J.R.M. Crystallization of amorphous rare earth-iron and transition metal-boron thin films. // Thin Sol. Films. -1979. -V.58, N2. -P. 333-337.

23. Hong M., Gyorgy E.M., van Dover R.B., Nakahara S., Bacon D.P., Galagher P.K. dc magnetron- and diode-sputtered polycrystalline Fe and amorphous Tb(FeCo) films: Morphology and. magnetic properties. II J. Appi, Phys. -1986. -V.59, N2. -P. 551-556.

24. Kobayashi H., Ono Т., Tsushima A., Suzuki T. Large uniaxial magnetic anisotropy in amorphous Tb-Fe evaporated thin films. II Appl. Phys. Lett. -1983. -V.43, N4. -P. 389-390.

25. Sato R., Saito N., Togami Y. Magnetic anisotropy of amorphous Gd-R-Co (R = Tb, Dy, Ho, Er) films. // Jap. J. Appl. Phys. -1985. -V.24, N4. -P. L266-L268.

26. Katayama Т., Miyazaki M., Nishihara Y., Shibata T. Substrate bias voltage dependences of magnetic properties in amorphous Tb-Fe films. // J. Magn. Bagn. Mater. -1983. -V.35, N1-3. -P. 235-237.

27. Mizoguchi Т., Cargill G.S. Magnetic anisotropy from dipolar interactions in amorphous femmagnetic alloys. // J. Appl. Phys. -1979. -V.50, N5. -P. 3570-3582.

28. Roberts G.E., Wilson W.L., Bourne H.C. Magnetic properties of Ho-Co, Dy-Co, and Gd-Fe amorphous films prepared by dual-source evaporation. // IEEE Trans. Magn. -1977. -V.MAG-13, N5.-P. 1535-1537.

29. Maksymowicz L.J., Dargel L., Lubecka M., Рука M. Pair ordering and perpendicular anisotropy in RE-TM amorphous thin films. // J. Magn. Magn. Mater.-1983. -V.35, N1-3. -P. 281-282.

30. Wang Y.J., Cat H., Tang Q., Yang K.M., Li J.Y., Wang J.L. // The annealing effect and the origin of perpendicular anisotropy in amorphous GdTbFe films. II J. Magn- Magn. Mater. -1987. -V.66, N1. -P. 84-90.

31. Yoshino S., Takagi H., Tsunashina Sh., Masuda M., Uchiyama S. Perpendicular magnetic anisotropy of TbCo films. // Jap. J. Appl. Phys. -1984. -V.23, N2. -P. 188-191.

32. Bernstein P. The magnetization of thin films with perpendicular anisotropy and columnar microstructures. // J. Appl. Phys. -1982. -V.53,N11. -P. 8052-8054.

33. Egami Т., Graham C,D., Dmowski W., Zhou P., Flanders P.J., Marinero E.E., Notarys H., Robinson C. Aniaotropy and coer-civity of amorphous RE-TM films. // IEEE Trans. Magn. -1987. -V.MAG-23, N5. -P. 2269-2271.

34. O'Handley R.C. New model for magnetism in disordered materials. // J. Appl. Phys. -1987. -V.61, N8. -P. 3225-3227.

35. Takagi H., Tsunashima S., Uchiyama S., Fujii T. Stress induced anisotropy in атофЬоиз Gd-Fe and Tb-Fe sputtered films. // J. Appl. Phys. -1979. -V.50, N3. -P. 1642-1644.

36. Konishi H., Kuriki Sh., Matsurooto G. Stress contribution to the perpendicular anisotropy in evaporated Gd-Fe amorphous films. // Jap. J. Appl. Phys. -1980. -V.19, N5. -P. 1009-1010.

37. Szymczak H., Zuberek R. Models of stress-induced anisotropy and magnetostriction in metallic glasses. // IEEE Trans. Magn. -1987. -V.MAG-23, N5. -P. 2551-2553.

38. Hashimoto S., Ochiai Y., Kaneko M., Watanabe K., Aso K. Magnetic properties and influence of nitrogen in sputtered TbFeCo films. // IEEE Trans. Magn. -1987. -V.MAG-23, N5. -P. 22782280.

39. Luborsky F.E., Furey J.T., Skoda R.E., Wagner B.C. Stabilit of amorphous transition metal-rare earth films for magneto-optic recording. // IEEE Trans. Magn.-1985.-V.MAG-21, N5.-P. 1618-623.

40. Tao L.J., Kirkpatric S., Gambino R.J., Cuomo J.J. Charge transfer and the magnetic properties of amorphous Gdo.33Coo.67 H Sol. Stat. Comm. -1973. -V.13,N9. -P. 1491-1494.

41. Masui S., Kobayashi Т., Tsunashima S., Uchiyama S.,Sumiyama K., Nakamura Y. Magnetic and magneto-optic properties of amorphous Gd-Fe-Co and Gd-Fe-Co-Bi films. // IEEE Trans. Magn. -1984. -V.MAG-20, N5. -P. 1036-1038.

42. Mimura Y., Imamura N. Magnetic properties of amorphous Tb-Fe thin films prepared by rf sputtering. // Appl. Phya. Lett. -1976. -V.28, N12. -P. 746-748.

43. Mimura Y., Imamura N. Magnetic properties of amorphous Dy-Fe alloy films. // Jap. J. Appl. Phys. -1976. -V.15.N5. P. 937-938.

44. Taylor R.C., Gangulee A. Magnetization and magnetic aniso-tropy in evaporated GdCo amorphous films. // J. Appl. Phys. -1976. -V.47, N10. P. 4666-4668.

45. Mimura Y., Imamura N., Kobayashi T. Magnetic properties and Curie point writing in amorphous metallic films. // IEEE Trans. Magn. -1976. -V.MAG-12, N6. -P. 779-781.

46. Mimura Y., Imamura N., Kobayashi Т., Okada A., Kushiro Y. Magnetic properties of amorphous alloy films of Fe with Gd, Tb, Dy, Ho or Er. // J. Appl. Phys.-1978.-V.49, N3.-P. 12081214.

47. Sunago K., Matsushita S., Sakurai Y. Thermomagnetic writin in Tb-Fe films. // IEEE Trans. Magn. -1976. -V.MAG-12, N6. -P. 776-778.

48. Kaneyoshi Т. A basis of amorphous ferrimagnets. II IEEE Trans. Magn. -1987. -V.MAG-23, N5. -P.2987-2989.

49. Heiman N., Kazama N., Kyser D.P., Minkiewicz V.J. Effect of substrate bias and annealing on the properties of amorphous alloys films of Gd-Co, Gd-Fe, and Gd-Co-x (x = Mo, Cu, Au). II J. Appl. Phys. -1978. -V.49. N1. P. 366-375.

50. Tsujimbfco H.,Shouji M., Sakurai Y. Magnetic and magneto-optic properties of amorphous TbFeCo magnetic films. // IEEE Trans. Magn. -1983. -V.MAG-19, N5. -P. 1757-1759.

51. Chen C.T., Wilson W.L., Roberts G.E. Magnetic Properties of bias-sputtered Gd-Co-Fe amorphous films with uniaxial perpendicular anisotropy. // J. Appl. Phys. 1978. -V.49, N3. -P. 1756-1758.

52. Pukamichi K., Satoh Y., Komatsu H. The Curie temperature and density of Fe2R amorphous alloys. // IEEE Trans. Magn. -1987. -V. MAG-23, N5. -P. 2548-2550.

53. Heiman N., Lee K., Potter R.J., Kirkpatrick S. Modified mean-field model for rare-earth-iron amorphous alloys. // J. Appl. Phys. -1976. -V.47, N6. -P. 2634-2638.

54. Harris R., Plischke M., Zuckermann M.J. New model for amorphous magnetism. // Phys. Rev. Lett. -1973. -V.31, N3. -P. 160-162.

55. Heiman N., Lee K. Magnetic properties of Ho-Co and Ho-Fe amorphous films. // Phys. Rev. Lett. -1974. -V. 33, -P. 778-781.

56. Biesterbos J.W.M. Properties of amorphous rare earth-transition metal thin films relevant to thermomagnetic recording. // J. de Phys. -1979. -coll. C5. -V.40, N5.-P. 274-279.

57. Imamura N., Tanaka S., Tanaka P., Nagao Y. Magneto-optical recording on amorphous films. // IEEE Trans. Magn. -1985. -V.MAG-21, N5. -P. 1607-1612.

58. Kryder M.H., Shieh H.-P., Harston D.K. Control of parameters in rare earth-transition metal alloys for magneto-optical recording media. // IEEE Trans. Magn. -1987.-V.MAG-23, Nl.-P.165-167.

59. Van-Dover R.B., Hong M., Gyorgy B.M., Dillon J.F., Albiston S.D. Intrinsic anisotropy of TbFe films prepared by magnetron co-sputtering. // J. Appl. Phys. -1985. -V.57, N8. -P. 3897-3899.

60. Okamine S., Ohta N., Sugita Y. Perpendicular anisotropy in rare earth-transition metal amorphous films prepared by dual ion beam sputtering. // IEEE Trans. Magn. -1985. -V.MAG-21, N5.-P. 1641-1643.

61. Nishihara Y., Katayama Т., Yamaguchi Y., Ogawa Sh., Tsushima T. Anisotropic distribution of atomic pairs, induced by the preferential resputtering effect in amorphous GdFe and GdCo films. // Jap. J. Appl. Phys. -1978. -V.17, N6. -P. 1083-1088.

62. Imamura N., Mimura Y., Kobayashi T. Magnetic writing on co-evaporated Tb-Fe alloy films. Jap. J. Appl. Phys., 1976, v.15. N1, P.179-180.

63. Takayama S., Kirino P., Suzuki Y., Okamine S., Ohta N. Magneto-optical recording media of Gd based amorphous alloy systems with high Kerr rotation. // IEEE Trans. Magn. -1987. -V.MAG-23, N5.-P. 2611-2613.

64. Suzuki Y., Takayama Sh., Kirino P., Ohta N. Single ion model for perpendicular magnetic anisotropy in RE-TM amorphous films. // IEEE Trans. Magn. -1987.-V. MAG-23, N5.-P.2275-2277.

65. Biesterbos J.W.M., Dirks A.G., Faria M.A.J., Crundy P.J. Micro structure and magnetic properties of amorphous Tb-Fe(02) thin films. // Thin Sol. Films. -1979. -V.58, N2. -P.259-263.

66. Niihara Т., Takayama S., Sugita Y. Perpendicular anisotropy in Tb-Fe and Tb-Co amorphous films sputtered in H2 added Ar gas. // IEEE Trans. Magn. -1985. -V.MAG-21, N5. -P. 1638-1640.

67. Heitmann H., Spruijt A.M.J., Willich P., Wilting H. Influence of nitrogen, oxygen, and water on magnetic properties of dc magnetron sputtered GdTbFe films.// J. Appl. Phys. -1987. -V.61, N8. -P. 3343-3345.

68. Katayama Т., Hirano M., Koizumi Y., Kawanishi K., Tsushima T. Different origin of the perpendicular anisotropy in amorphous Gd-Fe from Gd-Co films. // IEEE Trans. Magn. -1977. -V.MAG-1 3, N5. -P. 1603-1605.

69. Tanaka Sh., Imamura N. The thermo-magnetic writing and erasing properties and Kerr rotation angle of amorphous TbFe thin films. // IEEE Trans. Magn. -1983.-V.MAG-19, N5. -P. 1751-1753.

70. Suzuki Т., Ichinose H., Aoyagi E. Microstructure and magae-tic properties of sputter-deposited Ho-Co alloy thin films with perpendicular magnetic anisotropy. // Jap. J. Appl. Phys. -1984. -V. 23,N5. -P. 585-592.

71. Muller H.-R., Perthel R. Model calculations for the anisotropy formation by reaputtering processes during the growth of amorphous Gd-Co films. // Phys. Stat. Sol. (b). -1978. -V.87, N1. -P. 203-211.

72. Yasugi Sh.-i, Honda Sh., Ohkoshi M., Kusuda T. Cross-sectional structures and depth profiles in bias sputtered GdCo films. // J. Appl. Phys. -1981. -V.52, N3. -P. 2298-2300.

73. Matsushita Sh., Sunago K., Sakurai Y. Thermoffiagnetic writing in Ho-Co films. // Jap. J. Appl. Phys. -1975. -V.14, N11. -P. 1851-1852.

74. Chen M.Ch., Alien R. Hysteresis curves and magnetization processes in a model for an amorphous magnet with random uniaxial anisotropy. // J. Appl. Phys. -1977. -V.48, N7. -P. 29872991.

75. Gaunt P. Temperature dependence of the magnetic properties of ferromagnetic amorphous alloys. //Phys. Rev. -1979. -V.19,N1. -P. 521-524.

76. Pickart S.J., Rhyne J.J., Alperin H.A. Anomalous small-angle magnetic scattering from amorphous TbFe2 and YF2. // Phys. Rev. Lett. -1974. -V.33, N7. -P. 424-427.

77. Urner-Wille M. Faraday rotation of amorphous TbFe and TbFeSn-films. // IEEE Trans. Magn. -1981. -V.MAG-17, N6. -P. 214-216.

78. Tanaka Sh., Imamura N. The thermo-magnetic writing and erasing properties and Kerr rotation angle of amorphous RE-Fe thin films. // J. Magn. Magn. Mater.-1983. -V.35, N1-3. -P.205-207.

79. Togami Y., Sato R., Saito N., Shibayama M. Magneto-optical Kerr effect in amorphous RE-Co-Fe films. // Jap. J. Appl. Phys. -1985. -V.24, N1. -P. 106-107.

80. Togami Y., Saito N., Okamoto K. Anisotropy dispersion and its influence on magneto-optical effect in rare-earth transition-metal amorphous films. // J, Appl. Phys. -1986. -V.60, N10. -P. 36913695.

81. McGuire T.R., Gambino R.J., Bell A.E., Sprokel G.J. Magneto-optic properties of amorphous Tb-Fe films. // Abstract book Int. Conf. Magn. -1985. -San Francisco, USA. -P .166-167.

82. Shirakawa Т., Nakajima У., Okamoto K., Matsushita S., Sakurai Y. The Kerr and Hall effect in amorphous magnetic film. // AIP Conf. Proc. -1976, N34. -P. 349-351.

83. Prinz G.A., Forester D.W., Krebs J. J., Maisch W.G. Magneto-optical characterization of Fe and Co-based alloy films. // J. Magn. Magn. Mater. -1980. -V. 15-18. -P. 779-781.

84. Gambino R.J., McGuire T.R., Plaskett T.S., Reim W. Composition and wavelength dependence of the Faraday rotation of amorphous gadolinium alloys. // IEEE Trans.Magn. -1986. -V.MAG-22, N5. -P. 1227-1229.

85. McGuire Т.К., Hartmann M. Magneto-optical properties of amorphous alloy films. // IEEE Trans. Magn. -1985. -V.MAG-21, N5. -P. 1644-1646.

86. Sato K., Togami Y. Magneto-optical spectra of RF-sputtered amorphous Gd-Co and Gd-Fe films. // J. Magn. Magn. Mater. -1983. -V.35, N1-3. -P. 181-182.

87. Mu Lu, Young-joon Choe, Tsunashima Sh., Uchiyama S. Magnetic anisotropy and magneto-optic Kerr spectra of amorphous Ho-Co thin films. // Jap. J. Appl. Phys. -1987. -V.26, N7. -P. 1073-1076.

88. Tsunashima S., Nakamura M., Ishida Т., Uchiyama S. Magneto-optic Kerr effect of amorphous Gd-Fe films. // IEEE Trans. Magn. -1987. -V.MAG-23, N5. -P. 3205-3207.

89. Киттель Ч. Физика ферромагнитных областей М.: ИЛ., 1951. 234 с.

90. Буркова Л.В., Фролов Г.И. Физические свойства и применение пленок Tb-Fe // Препринт ИФ СО АН СССР, N 352Ф, часть 1.-Красноярск.-1985,- 42 с.

91. Буркова Л.В., Фролов Г.И. Физические свойства и применение пленок Tb-Fe // Препринт ИФ СО АН СССР, N 353Ф, часть И.-Красноярск.-1985. 46 с.

92. Chen D. Magnetik materials for optical recording // Appl. Opt. 1974. - V. 13,1. N3. -P. 767-778.

93. Коген P.B., Мецрих Р.С. Носители информации для магнитооптичких запоминающих устройств //Зарубежная радиоэлектроника. 1973. N 11. -С. 84-96.

94. Chen Т., Cheng D., Charlan G.B. An investigation of amorphous Tb-Fe thin films for magneto-optic memory application //IEEE Trans, on Mag. -1980. -V. 16, N5. -P. 1194-1196.

95. Яковчук В.Ю., Середкин B.A., Фролов Г.И. Магнитный носитель информации // А.С. №1124381. (СССР). -1984.

96. Яковчук В.Ю., Середкин В.А., Фролов Г.И. Магнитный носитель информации // Патент № 2074574. -1997

97. Berman G.P., Frolov G.I., Seredkin V.A., Yakovchuk V.Yu. Analysis of interaction of laser radiation-pulses with metall magnetostrictive film // Sol.Stat.Comm.-V.67, N.12.-P.1203-1207.

98. Середкин B.A., Фролов Г.И., Яковчук В.Ю. Термомагнитная запись полутоновых оптических изображений на пленках R-Fe (R-Tb,Dy) // ЖТФ.-1984.-Т.54, В.6-C.l 183-1186.

99. Середкин В.А., Буркова JI.B., Ерухимов М.Ш., Фролов Г.И., Яковчук В.Ю. Термомагнитная запись аналоговой информации на пленках R-Fe (R-Tb,Fe) // ЖТФ.- 1985.-Т.55, В.4.- С.707-713.

100. Hafner D., Hoffmann Н. Microscoopic and macroscopic inhomogeneity of magnetization and anisotropy in amorphous rare earth/transition metal films // Phys. St. Sol.(a) -1979. -T. 52. -P. 549-558.

101. Берман Г.П., Середкин В.А., Фролов Г.И., Яковчук В.Ю. Запись информации в аморфных пленках РЗМ-ПМ импульсами светового излучения // сб. трудов "Аморфные пленочные сплавы переходных и редкоземельных металлов".-Красноярск.-1988.-С.134-150.

102. Введенский B.C., Середкин В.А., Яковчук В.Ю. Термомагнитная запись на пленках Tb-Fe // сб. трудов "Совершенствование технической базы, организации и планирования и радиовещания". -М. -1984.-С.53-54.

103. Введенский B.C., Середкин В.А., Фролов Г.И., Яковчук В.Ю. Магнитооптическая запись на аморфных пленках Tb-Fe // сб. трудов "Основные вопросы в технике магнитной залиси".-Вильнюс.-1984.-С.49-50.

104. Соколов А. Оптические свойства металлов. М.: ГИФМЛ.- 1961. 464 с.

105. Крылова Т.Н. Интерференционные покрытия. JI: Машиностроение.- 1973. -224 с.

106. Болотин Г.А. // ФММ. -1991. -№ 6. -С.197-199.

107. Prinz G.A., Krebs J.J, Forester D.W. et al. // J. Magn. Magn. Mater. -1980. V.15-18.-P. 779781.

108. Моносов Я.А. Реверсивная гетерогенная среда для записи изображений на основе перегруппировки наполнителя // Препринт №13(296).-М.: -1980. -34 С.

109. Коледов В. В. Эффекты воздействия магнитного поля на гетерогенную диэлектрическую среду для записи оптической информации // Канд. дисс.- М.: -1985. -103 С.

110. Юпокин JI.M., Фабриков В.А., Хромов А.В. // Письма ЖЭТФ. -1968. -N.8. С. 406-408.

111. Абакумов Б.И., Байкова Н.Д., Гурари M.JI. и др. О механизме аналоговой термомагнитной записи на MnBi пленках // Магнитные элементы автоматики и вычислительной техники. 79: тез. докл. - М.: -Наука.- 1979. - С.6-8.

112. Середкин В.А., Фролов Г.И., Яковчук В.Ю. Термомагнитная запись полутоновых оптических изображений на пленках RРе (R-Tb, Dy) // ЖТФ. -1984. -Т.54, N 6. -С.1183-1185.

113. Игнатченко В.А., Фролов Г.И., Середкин В.А. и др. Изучение локальных магнитных неоднородностей в носителях информации // Магнитные материалы для радиоэлектроники -82: тез. докл. Красноярск.-1982. -С. 70-76.

114. Jeamy H.J., Dirks A.G. Microstructure and magnetism in amorphous rare-earth-transition-metal thin films, I. Microstructure // J. Appl. Phys. -1978. -V.49, N6. -P. 3430-3438.

115. Thiele A.A.The Theory of cylindrical magnetic domains // Bell Syst. Tech. J. 1969. -V. 48, N10. -P. 3287-3385.

116. Балбашов A.M., Червоненкис А.Я. Магнитные материалы для микроэлектроники // М.: -Энергия. -1979. -С. 207-208.

117. Гринин Э.Ф., Середкин В.А., Фролов Г.И. Визуализация полей рассеяния на магнитных лентах и дисках // Автоматизация и механизация процессов производства и управления: тез. докл. Каунас.- 1980. - Т.1. -С. 82-83.

118. Александров К.С., Болотских Л.Т., Попков В.Г., Попов А.К., Середкин В.А., Фролов Г.И., Яковчук Ю.В. Исследование качества обращения волнового фронта ИК-излучения методом термомагнитной записи изображения // ДАН. -1986. Т. 286, N 3. -610-612.

119. Буркова Л.В., Фролов Г.И. Аморфные пленки TbFe перспективный материал для электронной техники // Зарубежная электронная техника. - 1987. -Т. 9. - С. 3-68.

120. Фролов Г.И., Середкин В.А., Яковчук В.Ю. Термомагнитная запись на пленочных сплавах переходных и редкоземельных металлов // Препринт N 368Ф.- Красноярск, ИФ СО АН СССР,- 1985.- 48 с.

121. Shin S.-C. Thermal analysis of magneto-optical thin films under laser irradiation // J. Mag. and Magn. Mat.- 1985- V. 61, P. 301-306.

122. Ландау Л.Д., Лифшиц М.Ш. Теория упругости. М.: Наука. - Т.7. -1985. 283с.

123. Берман Г.П., Фролов Г.И., Середкин В.А., Яковчук В.Ю. Новый механизм оптической записи в аморфных ферримагнитных пленках // Письма в ЖТФ.-1988.-Т.14, В.11.-С1029-1032.

124. Александров К.С. Середкин В.А., Фролов Г.И., Яковчук В.Ю. Оптическая запись в аморфных ферримагнитных пленках // Автометрия.-1988.-№4.-С.59-67.

125. Белошапкин В.В., Берман Г.П., Третьяков А.Г., Середкин В.А., Фролов Г.И., Цыбина Ж.Б. Процессы структурообразования и термомагнитная запись в двумерных магнитных системах // ФТТ.-1991.-Т.ЗЗ, №9.- С.2554-2560.

126. Белошапкин В.В., Засславский Г.М., Третьяков А.Г. Регулярные и стохастические состояния спиральной структуры во внешнем поле // ФНТ.- 1986.- Т.12,- С.733-738.

127. Белобров П.И., Гехт Р.С., Игнатченко В.А. Основное состояние в системах с ди-польным взаимодействием // ЖЭТФ,- 1983.- Т.84.- С.1097-1001.

128. Белобров П.И., Воеводин В.А., Игнатченко В.А. Основное состояние дипольной системы в плоской ромбической решетке // ЖЭТФ. 1985.- Т.88.- С.889-894.

129. Meiklejohn W.H., Bean С.Р. New magnetic anisotropy // Phys.Rew.-1956.-V.102, N5.-P.1413-1414.

130. Meiklejohn W.H., Bean C.P. New magnetic anisotropy // Phys.Rew.-1957.-N3.- P.904-913.

131. Глазер А.А., Потапов А.П., ТагировР.И., Шур Я.С. Обменная анизотропия в тонких магнитных пленках // ФТТ.-1966.-Т.8, №10.-С.3022-3031.

132. Йелон А. Взаимодействие в многослойных пленочных магнитных структурах. В кн. Физика тонких пленок. М.: Мир.-1973.- С.228-333.

133. Ерухимов М.Ш., Середкин В.А. Влияние магнитного поля на доменную структуру пленок с однонаправленной анизотропией // ФММ.-1977.-Т.44, в.4,- С.757-760.

134. Ерухимов М.Ш., Середкин В.А., Яковчук В.Ю. Доменная структура и перемагничивание пленок с однонаправленной и одноосной анизотропией // ФММ.-1981.-Т.52,в.1.-С57-62.

135. Jakobs J.S., Bean С.Р. Fine particles,thin films and exange anisotropy // Magnetism, N-Y/Ld.-1963.-V.3.- P.271-344.

136. Саланский H.M., Ерухимов М.Ш. Физические свойства и применение магнитных пленок. Изд.Наука, Сибирское отделение. Новосибирск-1975.223с.

137. Глазер А.А., Тагиров Р.И., Потапов А.П. О стабилизации ферромагнитной доменной структуры в тонких пленках с обменной анизотропией // ФММ. 1968. - Т.26. - С. 289-297.

138. Саланский Н.М., Бурмакин В.А., Середкин В.А. Стабилизация микодоменных конфигураций в двухслойных магнитных пленках // ЖЭТФ/ 1973. - Т.65, В.5. -С.2023-2025.

139. Глазер А.А., Потапов А.П., Тагиров Р.И. Термомагнитная запись на пленке магранец-пермаллой с обменной анизотропией // Письма в ЖЭТФ. -1972. -Т.15, В.7. -С.368-370.

140. Середкин В.А., Ерухимов М.Ш., Жигалов B.C., Яковчук В.Ю. Каналы продвижения в пленках Fe-SiO и NiFe-NiFeMn //в сб.: Магнитные материалы для радиоэлектроники. Красноярск.-1982.-С.56-69.

141. Середкин В.А., Фролов Г.И., Яковчук В.Ю. Однонаправленная магнитная анизотропия в слоистой пленочной структуре NiFe/TbFe // Письма в ЖТФ.-1983.-Т.9, в.23.-С.1446Л448.

142. Середкин В,А., Исхаков Р.С., Яковчук В.Ю., Столяр С.В., Мягков В.Г. Однонаправленная анизотропия в пленочных системах (RE TM)/NiFe //ФТТ.-2003.-Т.45,в.5.-С.882-886.

143. Исхаков Р.С., Яковчук В.Ю., Столяр С.В., Чеканова J1.A., Середкин В.А. Ферромагнитный и спин-волновой резонанс в двухслойных пленках Nio.eFeoy Dyi.xCox // ФТТ.-2001.-Т.43, в.8. -С. 1462-1467.

144. Середкин В.А., Фролов Г.И., Яковчук В.Ю. Квазистатическое перемагничивание пленок с ферро-ферримагнитным обменным взаимодействием // ФММ.-1987.-Т.63,В.3,-С.457-462.

145. Глазер А.А., Потапов А.П., Тагиров Р.И. и др. Температурная зависимость магнитных свойств тонких пленок пермаллой-марганец с обменной анизотропией. Изв. АН СССР, сер. физ.- 1967.- Т.31.- С. 735-738.

146. Середкин В.А., Столяр С.В., Фролов Г.И., Яковчук В.Ю. Термомагнитная запись и стирание информации в пленочных структурах DyCo/NiFe(TbFe/NiFe) // Письма в ЖТФ.-2004. Т.ЗО, В. 19. - С.46-52.