Особенности формирования самоорганизующихся наноостровков при эпитаксии германия на профилированные кремниевые подложки в условиях электропереноса тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. Обзор литературы. Формирование структур с наноостровками ("квантовыми точками") германия на поверхности кремния при эпитаксии из молекулярных пучков

1.1. Особенности энергетического спектра электронных и 14 дырочных состояний в низкоразмерных системах

1.2. Классификация гетерограниц по типу разрыва локальной 22 зонной структуры

1.3. Механизмы роста пленок в гетероэпитаксиальных 24 системах

1.4. Особенности процесса самоорганизации поверхности в 27 системе кремний-германий

1.5. Самоформирование системы наноостровков при 28 эпитаксии ве на 81(001)

1.6. Морфологические перестройки поверхности при 38 эпитаксии германия на 81(111)

1.7. Влияние условий роста на фотолюминесценцию структур 41 с "квантовыми точками" германия в кремнии

1.8. Перестройка поверхности монокристаллов тугоплавких и 44 переходных металлов под действием сил электро- и термопереноса

1.9. Особенности перестройки вицинальных поверхностей ^ 81(111) при отжиге прямым пропусканием электрического тока

1.10. Постановка задачи. Обоснование структуры диссертации

ГЛАВА 2. Приготовление образцов и методики их исследования

2.1. Формирование наноостровков германия на поверхностях 56 81(001) и 81(111)

2.2. Установка для исследования перестройки поверхности 57 кремния при отжиге кристаллов прямым пропусканием электрического тока

2.3. Исследование процессов формирования наноостровков 65 германия на кремнии в условиях электропереноса

2.3.1. Описание экспериментальной установки

2.3.2. Получение рабочего вакуума

2.3.3. Калибровка молекулярных источников

2.3.4. Оценка зависимости скорости роста пленки германия от 72 температуры молекулярного источника

2.4. Экспериментальные образцы

2.5. Исследование топографии поверхности полученных 76 структур

2.6. Измерение спектров фотолюминесценции Оех81].х 79 структур и исследование взаимной диффузии 81 и ве в процессе эпитаксиального роста и послеростового отжига образцов

ГЛАВА 3. Самоформирование наноостровков при эпитаксии ве на поверхности 81(001) и 81(111)

3.1. Экспериментальные образцы

3.2. Результаты исследования топографии поверхности 83 полученных образцов

3.3. Оценка минимально достижимого размера островка в 97 системе германий-кремний

3.4. Спектры низкотемпературной фотолюминесценции 104 полученных структур

3.5. Выводы

ГЛАВА 4. Перестройка поверхности вицинальных граней 108 Si(lll) при отжиге кристаллов прямым пропусканием электрического тока в поле градиента температуры

4.1. Отжиг кристаллов прямым пропусканием переменного 109 тока в поле градиента температуры

4.2. Отжиг кристаллов прямым пропусканием постоянного 112 тока в поле градиента температуры

4.3. Отработка лабораторной технологии формирования 119 подложек с заданным профилем ступенчатой структуры

4.4. Выводы

ГЛАВА 5. Особенности формирования наноостровков Ge 131 пи эпитаксии на профилированных подложках Si(lll)

5.1. Эксперимент

5.2. Результаты

5.3. Спектры фотолюминесценции полученных структур

5.4. Выводы

Актуальность работы. Самоформирование системы наноостровков ("квантовых точек") германия на поверхности кремния в процессе эпитаксии из молекулярных пучков (МПЭ) в последние годы является объектом повышенного внимания исследователей. Структуры с квантовыми точками (КТ) на основе кремния и германия считаются перспективными в области оптоэлектроники, а также для реализации на их основе одноэлектронных устройств, способных стабильно работать при комнатных температурах (элементы памяти, одноэлектронные транзисторы и др.). Кроме того, данная система удобна для теоретического и экспериментального изучения механизмов формирования островков в процессе гетероэпитаксии в полупроводниковых системах со значительным несоответствием параметров кристаллических решеток.

Несмотря на большое число экспериментальных работ, направленных на исследование процесса формирования и эволюции островков ве на подложках 81 различной кристаллографической ориентации, задача создания структур с КТ как элементной базы приборов нового поколения пока еще далека от своего окончательного решения. Основные проблемы, препятствующие получению качественных структур с квантовыми точками, заключаются в больших размерах самоформирующихся островков, не позволяющих проявляться квантовым свойствам системы, а также случайном характере локализации островков в плоскости гетероперехода пленка-подложка. В связи с этим актуальными являются работы, направленные на изучение возможности дополнительного влияния на процессы самоорганизации поверхности с целью прогнозируемого получения структур с требуемыми свойствами.

Один из возможных путей улучшения геометрических параметров самоорганизующихся наноостровков, таких как форма, размер и однородность по размерам, плотность расположения, степень пространственной упорядоченности, связан с созданием на кремниевой подложке мест преимущественного зарождения островков, формирующихся в результате частичной релаксации упругоо /1 о напряженной пленки германия. С этой целью используются подложки с литографически сформированным на поверхности рисунком в виде окон или меза-полосок. Однако использование литографии требует проведения ряда операций вне вакуумной камеры установки МПЭ, создавая определенные проблемы для последующего эпитаксиального процесса. Кроме того, физические пределы разрешения литографии позволяют получать только разреженные массивы наноостровков. Одной из альтернативных представляется идея повышения пространственной упорядоченности наноостровков за счет использования естественной ступенчатой структуры поверхности вицинальных граней кристаллов. Данный подход широко распространен для соединений группы А3В5 и практически не исследован для системы Ge-Si.

В то же время достаточно хорошо известен эффект перестройки поверхности вицинальных граней при отжиге кристаллов пропусканием постоянного тока. Однако к моменту выполнения данной работы не было опубликовано ни одной статьи, в которой бы исследовалась возможность использования отмеченного эффекта с целью создания подложек с заданным профилем ступенчатой структуры (профилировнных подложек) для последущей эпитаксии германия.

Механизмы самоорганизации кристаллических поверхностей определяются энергетикой процессов и кинетикой их протекания. Если энергетика процесса в основном задана несоответствием параметров кристаллических решеток пленки и подложки для данной толщины эпитаксиальной пленки, то роль кинетики в формировании островков становится определяющей. Поэтому дополнительным фактором, способным оказать воздействие на характер формирования и локализации островков, может являться создание неравновесных направленных диффузионных потоков адатомов, вызванных, например, эффектом электромиграции. Отсутствие работ по изучению формирования наноостровков германия на профилированной поверхности кремния в процессе электромиграции явилось основным стимулом для проведения данных исследований.

Основной целью диссертационной работы является экспериментальное исследование особенностей самоорганизации наноостровков в зависимости от условий формирования, а также поиск путей создания высокоупорядоченных структур с квантовыми точками германия на поверхности кремния. Достижение этой цели включает в себя решение следующих задач: исследование зависимости размеров и формы самоорганизующихся островков ве на поверхностях 81(001) и 81(111) от количества осажденного германия, температуры роста и времени послеростового отжига образцов. Определение оптимальных условий получения массивов наноостровков с высокой плотностью расположения и малой неоднородностью по размерам; экспериментальное исследование особенностей формирования наноостровков ве на 81 в условиях электромиграции адатомов ве. Определение принципиальной возможности влияния дополнительной внешней силы электропереноса на процесс самоорганизации трехмерных островков; изучение возможности создания пространственно упорядоченных массивов наноостровков при эпитаксии ве на профилированные кремниевые подложки. Исследование зависимости пространственных характеристик (размеров, формы, степени упорядоченности) наноостровков от морфологии поверхности профилированной подложки и технологических режимов роста пленки германия.

Научная новизна выполненных исследований заключается в том, что впервые:

1. Показано, что на начальной стадии самоорганизации пленки ве на вицинальной поверхности 81(001) образуется структура в виде эшелонов наноступеней, размеры которых зависят от толщины напыленного слоя ве.

2. Исходя из особенностей образования наноступеней Ое на поверхности 81(001), проведен расчет упругой силы, вызывающей направленное перемещение адатомов Ое, и определен минимальный размер островков с1, формирующихся при переходе от двумерной к трехмерной стадии роста пленки > 60 нм). g

Показано, что величина упругой силы Реш составляет ~ 10" дин/атом, что на два порядка превышает силу, вызванную градиентом химического потенциала и приводящую к развитию "естественной шероховатости" на поверхности монокристаллов.

3. Показано, что для уменьшения размера самоформирующихся островков при увеличении плотности и упорядочения их расположения необходимо дополнительное воздействие на процесс самоорганизации пленки ве за счет увеличения неравновесной составляющей диффузионной части процесса, а также образование мест преимущественного зарождения островков.

4. Показано, что в качестве мест преимущественного зарождения и локализации самоорганизующихся островков германия могут быть использованы эшелоны ступеней, формирующиеся в результате процессов электро- и термомиграции атомов кремния на вицинальных поверхностях Si(l 11).

5. Исследование особенностей перестройки поверхности вицинальных граней (111) кремния при резистивном отжиге кристаллов в поле градиента температуры позволило установить основные величины, характеризующие процессы электро-термопереноса атомов, в частности определить величину эффективного заряда z* и теплоту переноса Q* атома кремния, что, в свою очередь, позволило определить функциональную зависимость размеров формирующихся наноступеней от времени отжига.

6. Показано, что в случае эпитаксии германия на профилированные подложки Si(lll) образование островков происходит строго вдоль фронта наноступеней подложки, а размеры островков определяются эффективной толщиной осажденной пленки и шириной террас наноступеней.

7. Показана возможность получения высокоупорядоченных структур с GeSi наноостровками размерами (10 . 20) нм и плотностью их

11 7 расположения до 1-10 см" при эпитаксии Ge на профилированные подложки Si (111) с размерами террас наноступеней (50 . 100) нм в условиях электромиграции адатомов по направлению к фронту наноступеней подложки.

Научно-практическое значение результатов работы заключается в том, что:

1. Разработана технология формирования профилированных кремниевых (111) подложек, позволяющая получать периодический ступенчатый профиль топографии поверхности без применения литографии, что повышает качество границы раздела при последующей эпитаксии германия, позволяет преодолеть дифракционный предел разрешения литографических методов, а также существенно упрощает и удешевляет данный процесс.

2. Показана принципиальная возможность контролируемого воздействия на размеры, форму и степень пространственной упорядоченности самоформирующихся наноостровков германия на поверхности кремния за счет использования профилированных подложек и введения дополнительной силы электропереноса.

3. Отработана методика получения высокоупорядоченных структур с наноостровками германия, размеры которых сравнимы с длиной волны де-Бройля носителей заряда для гетеросистемы Ge-Si и не превышают 20 нм. Поверхностная плотность самоорганизующихся островков составляет при этом ~ МО11 см"2.

4. Результаты исследований использовались и используются в учебном процессе: лекционных курсах по дисциплинам "Электроника и микроэлектроника", "Квантовые структуры пониженной размерности", "Физические основы наноэлектроники", в лабораторных работах по курсу "Автоматизация процессов электронной технологии", при разработке курсовых и дипломных проектов, а также в электронном учебнике, созданном в рамках программы Минобразования РФ "Высокие технологии в образовании".

Достоверность результатов работы обусловлена проведением экспериментов в условиях сверхвысокого и высокого вакуума с диагностикой состояния поверхности в режиме in situ методом дифракции быстрых электронов, подтверждается данными тестирования используемых для диагностики поверхности атомно-силового и сканирующего туннельного микроскопа на образцах с известной морфологией (в случае исследований на воздухе), повторяемостью полученных результатов при сканировании по различным направлениям, использованием тестовых образцов (исследования методом электронной Оже-спектроскопии), а также соответствием полученных результатов данным других исследовательских групп.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Размер самоорганизующихся островков германия на кремнии при гетероэпитаксии из молекулярных пучков определяется не только минимизацией энергии гетеросистемы, но и особенностями кинетики диффузионных процессов, что в совокупности затрудняет получение островков с размерами, соответствующими условиям размерного квантования энергетического спектра.

2. Совершенные по кристаллической структуре островки размерами менее 20 нм, соответствующие условиям размерного квантования, можно получать при температурах эпитаксии, превышающих 500°С, за счет усиления неравновесной анизотропно-диффузионной составляющей процесса самоорганизации при использовании эффекта электромиграции адатомов германия на поверхности кремния.

3. Высокая степень упорядочения вдоль кристаллографического направления [121] и поверхностная плотность расположения

11 2 островков германия до 1-10 см" обеспечиваются формированием островков на поверхности профилированной подложки 81(111) при воздействии на адатомы германия силой электропереноса о сравнимой с упругой силой {Ре1ес1 ~ 10" дин/атом).

4. Использование эффекта объединения ступеней в условиях электро-термомиграции атомов кремния позволяет получать профилированные подложки Si(lll) с равномерно расположенными ступенями с шириной террас от 50 нм до 15 мкм.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались на 9 международных и Российских научно-технических конференциях и совещаниях, в том числе на:

Всероссийском совещании "Зондовая микроскопия - 99", Н.Новгород, 1999;

Всероссийском совещании "Нанофотоника - 99", Н.Новгород, 1999;

- II Республиканской конференции по физической электронике, Ташкент, Узбекистан, 1999;

Всероссийском совещании "Зондовая микроскопия - 2000", Н.Новгород, 2000;

- Международной конференции "Фундаментальные проблемы физики - 2000", Саратов, Россия, 2000;

- Международной конференции "Fundamental Aspects of Surface Science", Castelvecchio Pascoli, Italy, 2000;

Всероссийском совещании "Нанофотоника - 02", Н.Новгород, 2002;

- Международной конференции "ICSNN - 2002", Toulouse, France, 2002;

- Международной конференции "EPS - 12: Trends in Physics", Budapest, Hungary, 2002.

По материалам диссертации опубликовано 14 работ, из них 6 - в рецензируемых периодических изданиях РАН. Список публикаций приведен в конце диссертационной работы.

Основные результаты опубликованы в следующих работах:

1. М.В. Байзер, В.Ю. Витухин, И.В. Закурдаев, С.Ю. Садофьев, М.М. Рзаев. Наблюдение пленок Ge, напыленных на подложку Si, методом воздушной СТМ // Материалы Всероссийского совещания "Зондовая микроскопия - 99", Н.Новгород, 1999. С. 176 - 179.

2. Ю.Г. Садофьев, К.В. Малахов, М.М. Рзаев, М.В. Байзер, С.Ю. Садофьев, П.А. Трубенко. Исследование нульмерных Si-Ge структур // Материалы Совещания "Нанофотоника-99", Н.Новгород, 1999, С. 90-93.

3. М.В. Байзер, И.В. Закурдаев, С.Ю. Садофьев, М.М. Рзаев. Исследование процесса распада упруго-напряженной пленки в системе Si/Ge // Материалы II Республиканской конференции по физической электронике, Ташкент, 1999, С. 97.

4. Ю.Г. Садофьев, Т.М. Бурбаев, В.А. Курбатов, М.М. Рзаев, В.А. Цветков, М.В. Байзер, С.Ю. Садофьев, Ю.В. Ларионов. Исследование нуль-мерных Si-Ge-структур // Изв. РАН. Сер. физ., том 64, №2, 2000, С. 273-280.

5. И.В. Закурдаев, С.Ю. Садофьев, М.М. Рзаев. Исследование процесса распада упруго-напряженной пленки в системе SiGe // Материалы Всероссийского совещания "Зондовая микроскопия - 2000", Н.Новгород, 2000. С. 163 - 165.

6. И.В. Закурдаев, М.В. Байзер, С.Ю. Садофьев, М.М. Рзаев. Исследование процесса распада упругонапряженной пленки германия на поверхности кремния // ФТП, том 34, вып. 5, 2000, С. 607-611.

7. М.В. Байзер, С.Ю. Садофьев, И.В. Закурдаев, М.М. Рзаев, П.А. Трубенко. Сравнительные СТМ- и АСМ-наблюдения морфологии тонких пленок германия, напыленных на подложку кремния // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, №7, 2000, С. 83 - 87.

8. И.В. Закурдаев, А.И. Руденко, С.Ю. Садофьев, К.В. Шемарин. Особенности перестройки вицинальной поверхности Si(lll) при отжиге прямым пропусканием электрического тока в поле градиента температуры // Материалы конференции "Фундаментальные проблемы физики - 2000", Саратов, 2000, С. 82.

9. И.В. Закурдаев, С.Ю. Садофьев, М.М. Рзаев. Начальные стадии эволюции морфологии поверхности в системе Ge/Si(001) при синтезе из молекулярных пучков // Материалы конференции "Фундаментальные проблемы физики - 2000", Саратов, 2000, С. 83.

10. И.В. Закурдаев, С.Ю. Садофьев. Процессы электро-термомиграции на поверхности Si(lll) и образование кластеров Ge // Вестник РГРТА, вып 9, 2001, С. 130- 136.

11. С.Ю. Садофьев, И.В. Закурдаев. Особенности формирования наноостровков Ge при эпитаксии на профилированные подложки Si(lll) в условиях электропереноса // Материалы Совещания "Нанофотоника-02", Н.Новгород, 2002, С. 180 - 183.

12. И.В. Закурдаев, С.Ю. Садофьев, А.О. Погосов. Самоформирование системы высокоупорядоченных наноостровков германия при эпитаксии на профилированные кремниевые (111) подложки в условиях электропереноса // Письма в ЖЭТФ, том 75, вып.2, 2002, С. 100-102.

13. I. Zakourdaev, S. Sadofyev. Self-organization of Ge islands on Si(lll) profiled surfaces under electromigration conditions // Proceeding of International Conference on Superlattices, Nano-Structures and Nano-Devices "ICSNN - 2002", Toulouse, France, 2002, P. 128.

14. I.V. Zakourdaev, S.Yu. Sadofyev. The step bands' influence on the form and ordering of self-assembled Ge islands on vicinal Si(lll) surfaces // Proceeding of 12th General Meeting of the European Physical Society "Trends in Physics", Budapest, Hungary, 2002, P. 390.

В заключение автор считает своей приятной обязанностью выразить глубокую признательность научному руководителю И.В. Закурдаеву за общее руководство работой и чуткое отношение, коллективу кафедры ПЭл Рязанской государственной радиотехнической академии за моральную поддержку и постоянное внимание к работе, сотрудникам Физического института им. П.Н. Лебедева РАН М.М. Рзаеву, А.О. Погосову, В.А. Курбатову, Т.М. Бурбаеву за плодотворные дискуссии помощь в работе, а также всем своим соавторам.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Целью диссертационной работы являлось экспериментальное исследование особенностей самоорганизации островков германия на поверхности кремния в зависимости от условий формирования гетероструктур, а также поиск путей создания систем высокоупорядоченных наноостровков малых размеров и высокой плотности расположения, соответствующих условиям квантования энергетического спектра и перспективных для ряда приборных приложений в изделиях микро- и оптоэлектроники.

В работе было проведено исследование зависимости размеров и формы самоорганизующихся островков ве на 81(001) и 81(111) от количества осажденного германия, температуры роста и времени послеростового отжига образца при косвенном радиационном нагреве подложки.

Выполнено экспериментальное исследование особенностей формирования наноостровков ве на 81(111) в случае резистивного нагрева подложки пропусканием постоянного и переменного тока.

Исследованы особенности перестройки вицинальных граней поверхности 81(111) при отжиге кристаллов пропусканием тока в поле градиента температуры. На основе использования эффекта электромиграции разработана лабораторная технология формирования профилированных кремниевых подложек с равномерно расположенными эшелонами ступеней, размеры которых могут варьироваться в диапазоне от 50 нм до 15 мкм и более.

Исследованы особенности процесса самоформирования наноостровков при эпитаксии на профилированные подложки, в том числе при проведении процесса осаждения германия и последующего отжига структур в условиях электромиграции.

1. Сейсян Р.П. Экситон в низкоразмерных гетеросистемах // Соросовский образовательный журнал, том 7, №4, 2001, с. 90-97.

2. Шик А.Я. Квантовые нити // Соросовский образовательный журнал, №5,1997, с. 87-92.

3. Кульбачинский В.А. Полупроводниковые квантовые точки // Соросовский образовательный журнал, том 7, №4, 2001, с. 98-104.

4. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры / Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А. и др. // ФТП, том 32, №4, 1998, с. 385-409.

5. Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки: Пер. с англ. М.: Мир, 1989, 240 с.

6. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры.: Пер. с англ. / Под ред. Л. Ченга, К. Плога. М.: Мир, 1989, 584 с.

7. Двуреченский А.В., Якимов А.И. Квантовые точки 2 типа в системе Ge/Si // ФТП, том 35, вып. 9, 2001, с. 1143-1153.

8. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП, том 32, №1, 1998, с. 3-18.

9. Bean John С. Silicon-based Semiconductor Heterostructures: Column IV Bandgap Engineering // Proceedings of IEEE, vol. 80, no. 4, 1992, p. 571-587.

10. Кремний-германиевые наноструктуры с квантовыми точками: механизмы образования и электрические свойства / Пчеляков О.П., Болховитянов Ю.Б., Двуреченский А.В. и др. // ФТП, том 34, вып. 11,2000, с. 1281-1299.

11. Hiroo Omi, Toshio Ogino. Self-organization of nanoscale Ge islands in Si/Ge/Si(l 13) multilayers // Applied Surface Science, vol. 130-132, 1998, p. 781-785.

12. Eaglesham D.J., Cerullo M. Dislocation-Free Stranski-Krastanow Growth of Ge on Si(100) // Physical Review Letters, vol. 64, no. 16, 1990, p.1943-1946.

13. Mo Y.-W., Savage D.E., Swartzentruber B.S., Lagally M.G. Kinetic Pathway in Straski-Krastanov Growth of Ge on Si(001) // Physical Review Letters, vol. 65, no. 8, 1990, p.1020-1023.

14. Исследование самоорганизующихся островков Ge на Si(100) с помощью атомно-силового микроскопа / Красильник З.Ф., Новиков

15. A.В., Постников В.В. и др. // Материалы Всероссийского совещания "Наноструктуры на основе кремния и германия", Н. Новгород, 1998, с.186-187.

16. Фотолюминесценция наноостровков германия в кремнии / Алешкин

17. B.Я., Бекин Н.А., Калугин Н.П. и др. // Материалы Всероссийского совещания "Наноструктуры на основе кремния и германия". Н. Новгород, 1998, с. 61-66.

18. Shape Transition of Germanium Nanocrystals on a Silicon (001) Surface from Piramids to Domes / Medeiros-Ribeiro G., Bratkovski A.M., Kamins T.I. at al.// Science, vol. 279, 1998, pp. 353-355.

19. Ide Т., Sakai A., Shimizu K. Nanometer-scale imaging of strain in Ge island on Si(001) surface // Thin Solid Films, vol. 357, 1999, p.22-25.

20. Transition from "dome" to "pyramid" shape of self-assembled GeSi islands / Vostokov N.V., Dolgov I.V., Drozdov Yu.N. at al. // Journal of Crystal Growth, vol. 209, 2000, pp. 302-305.

21. Талочкин А.Б., Марков В.А., Никифоров А.И., Ефанов А.В. Рамановский Е0 резонанс квантовых точек германия в Si/Ge/Si структурах // Материалы Всероссийского совещания "Наноструктуры на основе кремния и германия". Н. Новгород, 1998, с. 71-79.

22. Self-organized germanium quantum dots grown by molecular-beam epitaxy on Si(100) / Jiang Z., Zhu H., Lu F. et al. // Thin Solid Films, vol. 321, 1998, p. 60-64.

23. Особенности роста квантовых точек InAs на вицинальной поверхности GaAs (001), разориентированной в направлении 010. / Евтихиев В.П., Токранов В.Е., Крыжановский А.К. и др. // ФТП, 1998, том 32, №7, с. 860-865.

24. Zhu J., Brunner К., Abstreiter G. Two-dimensional ordering of self-assembled Ge island on vicinal Si(001) surfaces // Applied Physics Letters, vol. 73, 1998, p. 620-624.

25. Long-range lines of self-assembled Ge islands on a flat Si(001) surface / Schmidt O.G., Jin-Phillipp N.Y., Lange C. // Applied Physics Letters, vol. 77, No. 25, 2000, p. 4139-4141.

26. Kim E.S., Usami N., Shiraki Ya. Selective epitaxial growth of dot structures on patterned Si substrates by gas sourse molecular beam epitaxy // Semicond. Sci. Technol., vol. 14, 1999, p. 257-265.

27. Controlled arrangement of self-organized Ge islands on patterned Si(001) substrates / Jin G., Liu J.L., Thomas S.G. et al. // Applied Physics Letters, vol. 75, №18, 1999, p. 2752-2754.

28. Scanning tunneling microscopy studies of Ge/Si films on Si(l 11): From layer by laer to quantum dots / Motta N., Sgarlata A., Calarco R. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B, vol. 16(3), 1998, p. 1555-1559.

29. Lobo A., Gokhale S., Kulkarni S. Surface morphology and electronic structure of Ge/Si(l 11) 7x7 system // Applied Surface Science, vol. 173,2001, p. 270-281.

30. Фотолюминесценция структур с GeSi/Si(001) самоорганизующими наноостровками / Востоков Н.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф. и др. // Материалы Совещания "Нанофотоника 2002", Н.Новгород,2002, с. 14-17.

31. Самоорганизующиеся наноостровки германия в кремнии, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии / Алешкин В.Я., Бекин Н.А., Калугин Н.Г и др. // Письма в ЖЭТФ, том 67, вып.1, 1997, с. 46-50.

32. Оптические свойства монослоев германия на кремнии / Бурбаев Т.М., Заварицкая Т.Н., Курбатов В.А. и др. // ФТП, том 35, вып. 8, 2001, с. 979-984.

33. Photoluminescence of ultrasmall Ge quantum dots grown by molecular-beam epitaxy at low temperatures / Dashiell M. W., Denker U., Muller C. et al. // Applied Physics Letters, vol. 80, no.7, 2002, 1279-1281.

34. RHEED studies of nucleation of Ge islands on Si(001) and optical properties of ultra-small Ge quantum dots / Markov V.A., Cheng H.H., Chin-ta Chia et al. // Thin Solid Films, vol. 369, 2000, p. 79-83.

35. Шуппе Г.Н., Закурдаев И.В. Процессы массопереноса и изменения структуры поверхности кристаллов. Явления электро- и термопереноса вещества. М.: ЦНИИ "Электроника", ч.2, вып. 11 (965), 1983,60 с.

36. Закурдаев И.В. Изменения геометрии и эмиссионных параметров поверхности кристаллов при направленных процессах переноса массы //Изв. АН СССР. Сер. физ., 1976, том 40, №8, с. 1554-1560.

37. Латышев А.В., Асеев А.Л. Моноатомные ступени на поверхности кремния // Успехи физических наук, том 168 (10), 1998, с. 11171127.

38. Tokumoto Н., Miki К., Murakami Н., Kajimura К. Heating-current-induced step motion on Si(lll) surface by scanning tunneling microscopy// J. Vac. Sci. Technol. B, vol. 9(2), 1991, p. 699-702.

39. Real-time observation of step motion on Si (111) surface by scanning tunneling microscopy / Tokumoto H., Miki K., Morita Y. et al. // Ultramicroscopy, vol. 42-44, 1992, p. 816-823.

40. Yang Y.- N., Fu Elain S., Williams Ellen D. An STM study of current-induced step bunching on Si(lll) // Surface Science, vol. 356, 1996, p. 101-111.

41. Suzuki M., Kudoh Y., Homma Y., Kaneko R. Monoatomic step observation on Si(lll) surfaces by force microscopy in air // Applied Physics Letters, vol. 58 (20), 1991, p. 2225-2227.

42. Stoyanov S. Electromigration Induced Step Bunching on Si Surfaces -How Does it Depend on the Temperature and Heating Current Direction? // Japanese Journal of Applied Physics, vol. 30, no. 1, 1991, p. 1-6.

43. Shwoebel R.L., Shipsey E.J. Step Motion on Crystal Surfaces // Journal of Applied Physics, vol. 37, no. 10, 1966, p. 3682-3686.

44. Технология тонких пленок (справочник). Под ред. Майссел JL, Глэнг Р. // Т 1. М., Советское радио, 1977, 664 с.

45. Приборы локального зондирования поверхности / Васильев С.Н., Казанцев Д.В., Моисеев Ю.Н и др. // Электронная промышленность, №10, 1993, с. 29-33.

46. Быков В.А., Лазарев М.И., Саунин С.А. Сканирующая зондовая микроскопия для науки и промышленности. // Электроника: Наука, Технология, Бизнес, №5, 1997, с. 7-14.

47. Бухараев А.А., Овчинников Д.В., Бухараева А.А. Диагностика поверхности с помощью сканирующей силовой микроскопии // Заводская лаборатория, №5, 1997, с. 10-27.

48. Нанорельеф окисленной поверхности скола решетки чередующихся гетерослоев Gao.7Alo.3As и GaAs / Анкудинов А.В., Евтихиев В.П., Токранов В.Е. и др. // ФТП, том 33, вып. 5, 1999, с. 594-597.

49. Бухараев А.А. Диагностика поверхности с помощью сканирующей туннельной микроскопии // Заводская лаборатория, том 60, №10, 1994, с. 15-25.

50. Формирование квантовых точек CdSe на поверхности ZnSe и их исследование методом сканирующей туннельной микроскопии / Байзер М.В., Витухин В.Ю., Закурдаев И.В. и др. // Поверхность, №7, 1999, с.61-63.

51. Гегузин Я.Е., Кагановский Ю.С. Диффузионные процессы на поверхности кристалла. М.: Энергоатомиздат, 1984, 128 с.

52. Марченко В.И., Паршин А.Я. Об упругих свойствах поверхности кристаллов // ЖЭТФ, том 79(1), вып. 1(7), 1980, с. 257-260.

53. Tersoff J., Phang Y.H., Zhang Zhenyu, Lagally M.G. Step-Bunching Instability of Vicinal Surfaces under Stress // Physical Review Letters, vol. 75, no. 14, 1995, p. 2730-2733.

54. Liu F., Tersoff J., Lagally M.G. Self-Organization of Steps in Growth of Strained Films on Vicinal Substrates // Physical Review Letters, vol. 80, No. 6, 1998, p. 1268-1271.

55. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Справочник. Киев: Наукова думка, 1975, 704 с.

56. Teichert C., Bean J.C., Lagally M.G. Self-organized nanostructures in Sii.xGex films on Si(001) // Applied Physics, A 67, 1998, p. 675-685.

57. Evolution of Ge/Si(100) islands: Island size and temperature dependence / Chaparro S.A., Zhang Y., Drucker J. et al.// Journal of Applied Physics, vol. 87, No. 5, 2000, p. 2245-2254.

58. Белащенко Д.К. Явления переноса в жидких металлах и полупроводниках. М.: Атомиздат, 1970, 400 с.

59. Фикс В.Б. Ионная проводимость в металлах и полупроводниках. -М.: Наука, 1969, 296 с.

60. Драбл Дж., Голдсмид Г. Теплопроводность полупроводников: Пер. с англ. -М.: Иностранная литература, 1963, 266 с

61. Bimberg D., Grundmann М., Ledentsov N.N. Quantum Dot Heterostructures. West Sussex, England: John Wiley & Sons Ltd, 1999, 325 p.

62. Садофьев Ю.Г. Особенности получения и фотоэлектрические свойства длиннопериодных напряженных сверхрешеток Si-GeSi // Изв. РАН. Сер. физ., том 63, №2, 1999, с. 249-254.

63. Jin G., Tang Y.S., Liu J.L., Wang K.L. Growth and study of self-organized Ge quantum wires on Si(lll) substrates // Applied Physics Letters, vol. 74, No. 17, 1999, p. 2471-2473.a 5SÔ0 X -Ol