Получение и исследование перестраиваемой генерации на кристаллах LiF:F-2 при мощном лазерном и ламповом возбуждении тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.04 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

Глава I. ПЕРЕСТРАИВАЕМЫЕ ЛАЗЕРЫ ВИДИМОГО И БЛИЖНЕГО.

ИК - ДИАПАЗОНОВ

§ 1,1. Лазеры на растворах органических красителей и полупроводниковые лазеры

§ 1.2. Перестраиваемые лазеры на основе кристаллов

§ 1.3. Радиационно-окрашенные кристаллы . : их свойства и перестраиваемые лазеры.на их основе

Глава П. СПЕКТРАЛЬНО-ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ И ГЕНЕРАЦИОННЫЕ

ХАРАКТЕРИСТИКИ КРИСТАЛЛОВ l/F:F~

§ 2.1. Спектрально-люминесцентные характеристики кристаллов /./{*:Fq при низких плотностях возбуждения

§ 2.2. Кинетика люминесценции и генерации кристаллов. /у . Нелинейная зависимость интенсивности -люминесценции ЦО при мощном возбуждении на Я. = 0,694 мкм .»

§ 2.3. Усилители на кристаллах LiP- fА

§ 2.4. Абсорбционные характеристики кристаллов

Л//7'Р~е при высокоинтенсивном возбуждении

§ 2.5. Генерационные характеристики лазеров на кристаллах Lif - в неселективном резонаторе при высоких уровнях возбуждения . ^

Глава Ш. МОЩНЫЕ ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫЕ ПЕРЕСТРАИВАЕМЫЕ

ЛАЗЕРЫ НА КРИСТАЛЛАХ UF-Fl

§ 3.1. Генерационные характеристики кристаллов UF'Fl при различных схемах поперечного возбуждения

§ 3.2. Выбор схемы селективного резонатора

§ 3.3. Высокоэффективный перестраиваемый лазер на кристалле Z/A/f с моноимпульсной накачкой

Глава 1У. ПЕРЕСТРАИВАЕМЫЕ ЛАЗЕРЫ НА КРИСТАЛЛАХ/-/^"

С НАКАЧКОЙ ИМПУЛЬСНЫМИ ЛАМПАМИ

§ 4.1. Усиление и генерация на кристаллах L/^-F^ при ламповом возбуждении и комнатной температуре

§ 4.2. Спектрально-кинетические и энергетические особенности частотно-периодического режима генерации лазера на кристалле Z//^-/^" при ламповой накачке

§ 4.3. Теоретический расчёт параметров генерации лампового лазера на кристаллах LiF-F^ в условиях широкополосного возбуждения

Создание новых типов лазеров является одной из непреходящих задач квантовой электроники. Это направление в первую очередь включает разработку и исследование лазерных систем с использованием новых активных сред.

С середины 70-х годов началось интенсивное исследование перестраиваемых лазеров на основе кристаллов с центрами окраски (ЦО), преимущественно щелочногалоидных (ЩГК). Уже первые выполненные в этом направлении работы позволили сделать вывод о том, что лазеры на таких средах могут быть вполне конкурентоспособными по отношению к другим источникам перестраиваемого излучения прежде всего в видимой и ближней ИК-области спектра. Они обладают относительно небольшими порогами генерации: работают как в импульсном, так и в непрерывном режимах. Возможны высокоэффективное сужение линии генерации этих лазеров с высокой стабильностью по частоте и по мощности, плавная перестройка длины волны излучения в широком спект -ральном диапазоне /I/.

К началу наших исследований (1980 год) работы по перестраиваемым лазерам на кристаллах с ЦО велись в нескольких группах в Со -ветском Союзе и за рубежом. Следует отметить, что исследования зарубежных учёных до последнего времени относятся, в основном, к лазерам на примесных (/^д (П), f^ (П) и т.д.) центрах в ЩГК, эффективно работающих при криогенных температурах /2-4/•

При использовании различных типов ЦО в кристаллических матрицах созданы лазеры, перекрывающие спектральный диапазон 0,67-3,65 мкм /5/. Область плавной перестройки для отдельных лазеров этого типа доходит до 3-4 тыс.см"1 /6/. При возбуждении непрерывными криптоновым, аргоновым или Ш?:МР+ - лазерами достигнута мощ -ность генерации порядка 2 Вт /7/. В импульсном режиме при воз -буждении ламповым лазером на красителях /8/, азотным /9/, лазе -рами на парах меди /10/, на стекле и гранате с неодимом /II/ получена мощность в импульсе 20 кВт. Реализованы РОС- /12,13/ и пи-косекундные лазеры /7/.

Главной особенностью исследований генерации на ЩПС с ЦО,проводящихся в Советском Союзе, является ориентация на разработку перестраиваемых лазеров, работающих при комнатных температурах. Такие источники были созданы на основе радиационно-окрашенных кристаллов LF , A/aF как при непрерывном /IV» так и импульсном (в том числе, пикосекундном /15,16/) возбуждении излучением лазеров на рубине /17,18/, стекле и гранате с неодимом /19,20/.

Среди новых материалов для перестраиваемых лазеров на кристаллах с ЦО одним из наиболее популярных является фтористый литий. Это связано не только с его относительной доступностью. В ряду ЩГК L/F выгодно отличается своими физико-химическими свойствами, что обеспечивает достаточно высокие эксплуатационные характеристики активных элементов. Технология радиационного окрашивания кристаллов LiF позволяет получать лазерные среды, обеспечивающие перестраиваемую генерацию в диапазонах 0,62 - 0,75 мкм (L/F : /J), 0,82 - 1,1 мкм (l/Fi (F2-~Fp ) и 1,08 - 1,25 мкм /21/.

До наших исследований в качестве источников накачки лазеров на кристаллах с ЦО использовались преимущественно промышленные лазеры типа ЛТИПЧ с энергией в импульсе до 100 мДж. При этом энергия генерации лазеров на кристаллах LiF: Fg достигает 30 мДж в неселективном резонаторе /I/. С целью увеличения эффективности преобразования излучения накачки и повышения энергии перестраи -ваемого излучения представляет интерес исследовать генерационные характеристики лазеров на LiF:Fs при возможно более высоких (до ~ I Дж) уровнях возбуждения. Кроме того, созданные ранее перестраиваемые лазеры на кристаллах 1/Р- обладали либо довольно высокой эффективностью преобразования излучения накачки (-12%) при относительно широкой линии генерации («6,5 см~*) /22/, либо обеспечивали узкую линию перестраиваемой генерации (~0,01 см"1), но с низкой эффективностью преобразования (< 0,6%) /23/.

Впервые генерация вынужденного излучения ЦО в кристаллах была получена при ламповом возбуждении на кристалле ЖСЕ-Яс с F^ центрами ещё в середине 60-х годов /24/. Подобный эксперимент удалось повторить в 1981 году сотрудникам Ганноверского университета /25/. Однако, в обоих случаях генерация при ламповом возбуждении была получена при охлаждении активного элемента до азотных температур. Сообщения о лазерах с ламповой накачкой на кристаллах с ЦО, работающих при комнатных температурах, до наших работ в литературе отсутствовали. В то же время необходимость создания та -ких систем диктуется рядом практических задач, прежде всего, за -дачами внутрирезонаторной лазерной спектроскопии (BPJIC) в области спектра вблизи I мкм.

Цель диссертационной работы - исследование спектрально-энергетических характеристик кристаллов l/f7с/^" - центрами окраски при мощном лазерном и ламповом возбуждении и создание на этой основе высокоэффективных перестраиваемых лазеров ближнего ИК-диапа-зона.

Для достижения поставленной цели потребовалось решить следующий комплекс взаимосвязанных задач:

- изучение спектрально-люминесцентных и генерационных характеристик кристаллов 1/F-- в условиях высокоинтенсивного селективного возбуждения;

- поиск и оптимизация схем дисперсионных резонаторов, обес -печивающих получение достаточно узких (~0,1 см"1) линий перестраиваемого излучения лазеров на кристаллах с ЦО с высокой эффективностью (~20%) преобразования накачки;

- исследование путей реализации режима вынужденного излуче -ния ЦО в кристаллах, возбуждаемых импульсными лампами при комнатных температурах.

Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В диссертационной работе выполнен комплекс исследований спектрально-люминесцентных и генерационных характеристик радиа-ционно-окрашенных кристаллов LiF с F% - центрами окраски при различных условиях возбуждения и параметрах используемых резонаторов с целью создания и оптимизации высокоэффективных перестраиваемых лазеров ближнего ИК-диапазона. Результаты выполненных исследований обобщены в конце каждой главы. Здесь приведем лишь краткие выводы.

1. Исследованы спектрально-люминесцентные и генерационные характеристики радиационно-окрашенных кристаллов LiF : Fг при комнатных и низких (77 К) температурах и различных уровнях воз -буждения. Определены спектры возбуждения основных типов ДО и границы спектральной фильтрации неселективного излучения, обеспечивающие получение генерации при ламповой накачке.

Обнаружена нелинейная зависимость интенсивности люминесценции /у - ЦО от плотности мощности возбуждения на длине волны 0,694 мкм, обусловленная механизмом межцентровой передачи энергии в условиях высокоинтенсивной накачки.

Сделаны практические рекомендации по оптимизации режимов работы системы "задающий генератор - усилитель" на кристаллах///': F~, Коэффициент усиления системы "задающий генератор - усилитель" при плотности мощности входного сигнала ~ 5*10^ Вт/см2 достигает 25 Дб.

2. Исследованы энергетические характеристики лазеров на кристаллах LiF:f~ при высокоинтенсивном возбуждении на Я = 1,06 мкм. Показано, что существуют экстремумы в зависимостях энергии

- II3 генерации и эффективности преобразования накачки от плотности мощности возбуждения. При оптимизации плотности мощности возбуждения и параметров неселективного резонатора достигнуты рекорд -ные значения энергии генерации и коэффициента преобразования энергии накачки, падающей на активный элемент, — 0,225 Дж и 43 %, соответственно.

3. Исследованы схемы поперечного возбуждения активных эле -ментов на основе LiF: с малым коэффициентом поглощения на длине волны накачки. Эффективность применения таких схем сравнима с эффективностью квазипродольной схемы возбуждения. Кроме того, эти схемы обеспечивают полную развязку каналов накачки и ге -нерации и практически однородное распределение поля генерации при неоднородном распределении поля возбуждающего импульса.

4. На основе исследования различных схем возбуждения крис -таллов LiF' F^ - ЦО, дисперсионных резонаторов и их оптимизации разработан макет высокоэффективного широкодиапазонного перестраиваемого лазера с уникальной для лазеров данного типа совокупностью спектрально-энергетических характеристик: ширина линии перестраи -ваемой генерации ~ 0,05 см""*, энергия генерации ~3?мДж, спектральный диапазон перестройки — 1,09 - 1,24 мкм, эффективность преобразования энергии накачки в максимуме перестроечной кривой

- 18

5. Определены условия реализации режима вынужденного излучения на кристаллах с ЦО при накачке импульсными лампами и комнатных температурах и на этой основе впервые создан работающий при комнатной температуре лазер с ламповой накачкой на кристаллах LiFi Fg , плавно перестраиваемый в диапазоне 1,10 - 1,23 мкм со спектральной яркостью ~ 10^ Вт/см2. Энергия генерации в неселективном резонаторе ^ 40 мДж. Выяснены спектрально-энергетические параметры излучения накачки, необходимые для эффективной и ста -бильной работы такого лазера. Предложена и рассмотрена теорети -ческая модель генерации таких лазеров. Продемонстрировано удов -летворительное соответствие результатов численного расчета с данными проведенных экспериментов. ххх х

По результатам проведенных исследований в настоящее время в СКТБ с ОП ИФ АН БССР заканчивается опытно-конструкторская разработка лазера на кристаллах с ЦО, серийный выпуск которого запланирован на Минском опытно-производственном предприятии НТО АН СССР с 1986 года. Использование результатов выполненных исследований на БелОМО позволило получить экономический эффект в сумме 262 тыс.рублей.

- 115

1. Гусев Ю.Л., Маренников С.И., Чеботаев В.П. Перестраивав -мые лазеры на центрах окраски. - Известия АН СССР. Сер.физ., 1980, т.44, № 10, с.2018-2028.

2. Mollenauer L.F., Olson D.H. A Broadly Tunable CW Laser Using Color Center.- Appl. Phys. Lett., 1974, v.24, И 8, p.386-388.

3. Mollenauer L.F., Olson D.H. Broadly Tunable Lasers Using Color Center.- J. Appl. Phys., 1975, v.46, N 17, p.3109-3118.

4. Litfin G., Beigang R., Welling H. Tunable CW Laser Operation in Fg(II) Type Color Center Crystals.- Appl. Phys. Lett., 1977, v.31, H 6, p.381-382.

5. Gellermann W., Koch K.P., Luty P. Recent Progress Color Center Lasers.- Laser Focus, 1982, v. 18, N 4, p.71-75»

6. Mollenauer L.F. Dye-like Lasers for the 0,9-2yvm Region Using Fg -centers in Alkali Halides.- Opt* Lett., 1977, v. 1, N 5, p.164-165.7• Mollenauer L.F., Bloom D.M. Color Center Laser Generates

7. Picosecond Pulses and Several Watts CW over the 1,24-1,45/tm*-Opt. Lett., 1979, v.4, No 8, p.247-249.

8. Beigang R. Color Center Laser Pumped by a Flashlamp-puraped Dye Laser.- Opt. Commun., 1980, v.34, H 2, p.249-251.

9. Jackson D.J., Lawler J.E., Hansch T.W. Broadly Tunable Pulsed Laser for the Infrared Using Color Centers.- Opt. Commun., 1979» v.29, N 3, p.357-360.

10. German K., Karras T.W. Proc. Int. Conf. on Lasers, 1979, edited by V.Concoran.

11. Subdo A.S., Loy M.M.T., Roland P.A., Beigang R. High Peak Power F^(II) Color Center Laser for Time-resolved Infrared Spectroscopy.- Opt. Commun., 1981, v.37, N 6, p.417-420.

12. Bjorklund G.C., Mollenauer L.F., lomlinson W.J.- Distributed Feedback Рд-center Lasers for the 2 to 3/£m.~ Opt. Commun., 1976, v.18, ¥ 1, p.17-18.

13. Kurobori Т., Takenchi Ж. A Hovel Distributed Feedback Colour Centre Laser.- Optica Acta, 1983, v.30, U 10, p.1363-1366.

14. Гусев Ю.Л., Кирпичников А.В., Круглов С.В., Маренников С.И.-Непрерывный перестраиваемый в спектральной области 0,86-1мкм лазер на /^-центрах окраски в кристалле UF работающий при комнатной температуре. Квантовая электроника, 1980,т.7, № 5, c.II25-II27.

15. Басиев Т.Т., Воробьев Н.С., Миров С.Б., Осико В.В.,Пашинин П.П., Постовалов В.Е., Прохоров A.M. Исследование пикосе-кундной генерации на -центрах окраски в кристалле LiFс перестраиваемой частотой. Письма в ЖЭТФ, 1980, т.31, вып.5, с.316-320.

16. Лисицын В.Н., Пестряков Е.В., Трунов В.И., Гусев Ю.Л. Генерация пикосекундных импульсов на /^"-центрах окраски в диапазоне 1,1-1,2мкм.Письма в 1ТФ, 1981,т.7,вып.7, с.396-399.

17. Гусев Ю.Л., Маренников С.И., Чеботаев В.П. Генерация на F^vl F~ центрах окраски в кристалле Lif в спектральной области 0,88-1,25 мкм. - Письма в ЖТФ,1977, т.3,вып.7,с.305-307

18. Басиев Т.Т., Воронько Ю.К., Миров С.Б., Осико В.В.,Прохоровг-,+

19. A.M. Кинетика накопления и генерация центров в кристалле//^^). -Письма в ЖЭТФ,1979, т.30,вып.Ю,с.661-665.

20. Басиев Т.Т., Воронько Ю.К., Миров С.Б., Осико В.В.,Прохоров A.M. Твердотельные перестраиваемые лазеры на центрах окраски в ионных кристаллах. - Известия АН СССР. Сер.физ.,1982, т.46, № 8, с.1600-1610.

21. Басиев Т.Т., Воронько Ю.К., Миров С.Б., Осико В.В. Прохоров A.M., Соскин М.С., Тараненко В.Б. Эффективные перестраиваемые лазеры на основе кристаллов . - Квантовая электроника, 1982, т.9, № 8, с.I741-1743.

22. Гусев Ю.Л., Кирпичников А.В., Маренников С.И. Исследование спектральных характеристик импульсного лазера на F&- центрах окраски, перестраиваемого по частоте в диапазоне 1,1-1,26 мкм.-Квантовая электроника, 1979, т.6, № 12, с.2623-2625.

23. Fritz В., Menke F. Laser Effect in KOI with I*A(Li) Centers. -Solid State Corns., 1965, v.3, p.61-63.

24. Welling H.t Wandt D., Litfin G. New Developments in Pulsed Center Laser.- 4th Int. Conf. on Lasers and their Appl.,1981, Leipzig, GDR, p.92.

25. Карпушко Ф.В., Морозов В.П., Синицын Г.В. Исследование характеристик генерации лазеров на /^-центрах в ЫР .-Тезисы докладов Ш Всесоюзной конференции "Оптика лазеров", январь1982, Ленинград, 1982, с.14.

26. Войтик Л.А., Морозов В.П., Саскевич Н.А., Чепурной В.А. -Спектрально-люминесцентные и генерационные характеристики /J, /^-центров окраски ъ ЦР .-Тезисы докладов Ш Всесоюз.конф. "Оптика лазеров", январь 1982, Ленинград, 1982, с.15.

27. Вой тик JI.A., Морозов В.П. Исследование спектра льно-люминес-центных характеристик кристаллов с ЦО при температуре жидкого азота. - Тезисы докладов УП республиканской конференции молодых ученых. Минск, 1982, с.50.

28. Войтик JI.A., Морозов В.П. Спектрально-люминесцентные характеристики кристаллов L/F: при мощном возбуждении на Л = 0,694 мкм. - ЖПС, 1984, т.40, № 4, с.680. Статья депонирована в ВИНИТИ, per.№6454-83. Деп."

29. Морозов В.П. Оптимизация резонатора мощного лазера на кристалле L/F: F~- ЦО. - Тезисы докладов У1 конференции молодых ученых Литвы, Вильнюс, 1983, с.75.

30. Карпушко Ф.В., Морозов В.П. Исследование энергетических характеристик лазеров на Fr~ при мощном поперечном возбуждении. - ЖПС, 1984, т.42, № 4, с.656-658.

31. Карпушко Ф.В., Морозов В.П., Синицын Г.В. Усиление и генерация на кристаллах UiF:Fq- ЦО при комнатной температуреи ламповом возбуждении. Препринт Н2 316 ИФ АН БССР, Минск,35# 1983, 16 с.

32. Карпушко Ф.В.,Морозов В.П.,Синицын Г.В. -Генерация вынужденного излучения на кристаллах l/F.-F~- ЦО с ламповой накачкой при комнатной температуре. Письма в ЖТФ,1984, т.Ю,с.656-658.

33. Зб# Басиев Т.Т., Карпушко Ф.В., Миров С.Б., Морозов В.П., Саеке-вич Н.А., Синицын Г.В., Тараненко В.Б., Шкадаревич А.П. -Энергетические и спектральные характеристики лазеров на LiF\ fj) и при высоких интенсивноетях накачки.

34. Анохов С.П., Марусий Т.Я., Соскин М.С. Перестраиваемые лазеры. - М.,"Радио и связь", 1982, 360 с.

35. Батырев В.А., Карпушко Ф.В., Синицын Г.В., Рубанов А.С. -О характере управления спектром генерации в дисперсионном резонаторе с интерферометром селектором. - В сб."Лазеры с перестраиваемой частотой", Киев, 1973, с.28

36. Справочник по лазерам. Под ред.Прохорова A.M. М., "Советское радио", 1978, 904 с.

37. Быковский Ф.А., Ерко А.И., Ларкин А.И. Полупроводниковый лазер с голографическим селектором. - Квантовая электроника,1979, т.6, Ш 2, с.386-387.

38. Johnson L.E., Dietz R.E., Guggenheim H.J. Optical Maser2+

39. Oscillation from Hi in MgP2 Involving Simultaneous Emission of Phonons.- Phys. Rev. Lett., 1963, v.11, U 7, p.318-3 20.

40. Johnson L.E., Dietz R.E., Guggenheim H.J. Spontaneous and2+

41. Stimulated Emission from Co Ions in MgPg and ZnP2*~ Appl. Phys. Lett., 1964, v.5, p.21-23.

42. Johnson L.E., Guggenheim H.J, Phonon-Terminated Coherent Emission from V2+ Ions in MgFg.- J. Appl. Phys., 1967, v. 38, S 12, p.4837-4839.

43. Walling J.C., Peterson O.G., Jenssen H.P., Morris R.C., O'Dell E.W. Tunable Alexandrite Lasers.- IEEE J. Quant'. Electr., 1980, v. QE-16, N 12, p.1302-1314.

44. Shand М.Ь., Walling J.С. A Tunable Emeraled Laser.- IEEE J. Quant. Electr., 1982, v. 18, N 11, p.1829-1830.

45. Moulton P.P. Ti-Doped Sapphire: Tunable Solid State Laser.-Optics News, 1982, N 6, p.9.

46. Севастьянов Б.К., Ремигайло Ю.Л., Орехова В.П., Матросов В.Н., Букин Г.В. Перестройка частоты оптической генерации и спектроскопические характеристики александрита. - Изв.АН СССР,сер. физ., 1981, т.45, NT8, с.1429-1434.

47. Пестряков Е.В., Трунов В.И., Матросов В.Н. Источники перестраиваемого излучения на основе лазера на александрите.

48. В кн."Перестраиваемые по частоте лазеры", под ред.В.П.Чебо-таева, Новосибирск, НТФ СО АН СССР, 1984, с.26-33.

49. Struve В., Huber G., Laptev V.V., Shcherbakov I.A., Zhari-kov E.V. Tunable Room-Temperature GW Action in Cr3+s GdScGa-Garnet.- Appl. Phys. (B), 1983, v.30, p.117-120.

50. Жариков Е.В., Ильичев H.H., Калитин С.П., Лаптев В.В., Мамо-тин А.Н., Осико В.В., Остроумов В.Г., Пашинин П.П., Прохоров

51. Круглик Г.С., Скрипко Г.А., Шкадаревич А.П. Перестраиваемые лазеры на активированных кристаллах. - Учебно-методи -ческое пособие. Минск, БПИ, 1984, 32с.

52. Brauch U., Durr U. KZnFyC^* a Tunable Solid State Laser.-Optics Coramun., 1984, v.49, N 1, p.61-64.

53. Центры окраски в ионных кристаллах. М., Иностранная литература, 1958, 341 с.

54. Парфианович И.А., Пензина Э.Э. Электронные центры окраски в ионных кристаллах. - Иркутск, 1977, 208 с.

55. Beigang R., Litfin G., Welling H. Frequency Behaviour and Linewidth of CW Single Mode Color Center Laser.- Opt. Commun., 1977, v.22, N 3, p.269-271.

56. Архангельская В.А., Федоров А.А., Феофилов П.П. Люминес -ценция и вынужденное излучение Мд-центров окраски в кристаллах типа флюорита. - Известия АН СССР. Сер.физ.,1979, т.43, Ш 6, c.III9-II24.

57. Архангельская В.А. Люминесценция, термо-, и фотохимия возмущенных центров окраски в кристаллах типа флюорита со ще -лочными примесями. - Известия АН СССР. Сер.физ., 1982, т.46, № 2, с.295-299.

58. Mollenauer L.F., Bloom D.M., Del Gandio A.M. Broadly-Tunable CW Lasers Using F^ Centers for the 1.26-1.48 and 0.82-1.07 m Bands.- Opt. Lett., 1978, v.3, И 2, p.48-50.

59. Архангельская В.А., Феофилов П.П. Перестраиваемые лазеры в ионных кристаллах (обзор). Квантовая электроника, 1980, т.7, Ш 6, C.II4I-II60.

60. Mollenauer L.F. Laser Active, Defect Stabilized F^ Center in NaF:OH~" and Dynamics of Defect-Stabilized Center Formation.- Opt. Lett., 1981, v.6, N 7, p.342-344.

61. Gellermann W., Luty F., Koch K.P., Litfin G. F^ Center Stabilization and Tunable Laser Operation in 0H"*-Doped Alkali Halides.- Phys. State Solidi(A), 1980; v.57, N 1, p.411-418.

62. Хулугуров B.M., Лобанов Б.Д. Генерация на центрах окраски в кристаллах I/ F -ОН при 300 К в спектральной области 0,84-1,13 мкм. - Письма в ЖТФ, 1978, т.4, вып.24, с.1471-74.

63. Лобанов Б.Д., Максимова Н.Т., Хулугуров В.М., Парфианович

64. И.А. Радиационно-наведенные оксидральные комплексы в кристаллах LiF -ОН- ФТТ, 1980,т.22,вып.I, с.283-285.

65. Соболев Л.М., Пензина Э.Э., Мецик В.В., Макушев К.А. Фотолюминесценция монокристаллов LiFrM*\ - ЖПС, 1983, т.38,4, с.653-657.

66. Schneader I., Marquardt C.L. Tunable Continuous-Wave Laser Action of (Fg)^ Center in Lithium Doped KC1.- Opt. Lett., 1980, v.5, H 6, p.214-215.

67. Schneider I., Marrone M.J. Continuous-Wave Laser Action (Fg)A Centers in Sodium-doped KC1 Crystals.- Opt. Lett., 1979, v.4, П 12, p.390-392.

68. Гусев ЮЛ., Кирпичников А.В., Коноплин С.Н., Маренников С.И. Генерация на II) - центрах окраски в кристалле NaF Квантовая электроника, 1981, т.8, Ш б, с.1376-1377.

69. Gellermann W., Luty F., Pollock C.R. Optical Properties and Stable Broadly Tunable CW Laser Operation of Hew FA-type Centers in Tl-doped Alkali Halides.- Opt. Commun., 1981, v.39, N 6, p.391-395.

70. Guenter B.D. Tunable Lasers An Overview.- IEEE Quant. Electronics, 1982, v. 18, H 8, p.1179-1184.

71. Михнов С.А., Войтович А.П., Кононов В.А., Усков В.И., Грин-кевич В.Э. Генерация перестраиваемого по частоте излучения на кристалле сапфира с центрами окраски. - Препринт Ш 365 1 Институт физики АН БССР, Минск, 1985.

72. Гусев Ю.Л., Коноплин С.Н., Маренников С.И. Генерация когерентного излучения на - центрах в монокристалле ИF .Квантовая электроника, 1977, т.4, Ш 9, с.2024-2025.

73. Гусев Ю.Л., Коноплин С.Н., Кирпичников А.В., Маренников С.И. Генерация перестраиваемого по частоте излучения на Ff-центрах окраски. - Труды У1 Вавиловской конференции "Нелинейная оптика", Новосибирск, МТФ СО АН СССР, 979, ч.1,с.257.

74. Вербовский В.И., Клементьев В.М., Печерский Ю.Л. Удвоение частоты излучения непрерывного перестраиваемого лазера на центрах окраски. - В кн."Лазеры с перестраиваемой частотой", под ред.В.П.Чеботаева, Новосибирск, 1980, с.

75. ВЭ.Барейка В., Ликчюс Г., Камалов В.Ф., Коротеев Н.И., Пискар-скас А.С., Сируткайтис В. Пикосекундная генерация лазера на центрах окраски; динамика F*- центров при пикосекунд-ном облучении. -Письма в ЖТФ, 1980,т.6, вып.II, с.697-700.

76. Басиев Т.Т., Воронько Ю.К., Кирпиченкова Е.О., Миров С.Б., Осико В.В. Превращения центров окраски в кристаллах ///* под действием лазерного излучения. - Краткие сообщения по физике, 1982, Ш 3, с.3-9.

77. Русов В.А., Степенов А.И., Тарасов А.А. Использование пассивных затворов для генерации цуга наносекундных импульсов лазером на неодимовом стекле. - Квантовая электроника, 1982, т.9, № 10, с.2106-2108.

78. Mollenauer L.F., Bjorklund G.C., Tohilinson W.J. Production of Stabilized Coloration in Alkali Halides by Two Photo-absorption Properties.- Phys. Rev. Lett., 1975, v.35, N 24, p. 1662-1665.

79. Басиев Т.Т., Миров С.Б., Прохоров A.M. Импульсно-периоди-ческий перестраиваемый лазер на кристалле 1/F с F£ - центрами, возбуждаемый излучением второй гармоники лазера на гранате с Ji/d3* .- ДАН СССР, 1979, т.246, № I, с.72-74.

80. Гусев Ю.Л., Круглов С.Н., Кирпичников А.В., Маренников С.И.п+

81. Исследование энергетических характеристик лазера на гл -центрах и образование активных центров под действием лазерного излучения. ЖТФ, 1980, т.50, вып.1, с.210-2X2.

82. Саскевич Н.А. Генерационные характеристики лазеров на кристаллах J*iF-'(Рл). - Препринт № ИФ АН БССР,Минск, 1985, с

83. Litfin G., Wandt D., Huhn D. Flashlamp Pumped Color Center Lasers.- Opt. Commun., 1983, v.48, N 4, p.270-274.

84. Nahum J., Weigand D.A. Optical Properties of Some of F-Aggregate Centers in LiF.- Phys. Rev., 1967, v.154, N 3, p.817-830.

85. Михнов С.А., Страцкевич Л.И., 1юппенен В.П., Шкадаревич А.П. -Стабильность лазерных элементов на основе J./FР& в условиях ультрафиолетового облучения. ЖПС, 1983, т.39, № с. 552-556.

86. Григоров В.А., Горбовский В.Е., Мартынович Е.Ф., Мысовский С.Н. Спектры генерации и внутрицентровые характеристики активной среды lif- Fq , - Письма в ЖТФ, 1979, т.5,вып.23, с.1431-1434.

87. Григоров В.А., Мартынович Е.Ф. Спектральные коэффициенты Эйнштейна F& - центров окраски фторида лития. - Письма в ЖТФ, 1982, т.8, вып.6, с.341-343.

88. Мартынович Е.Ф., Григоров В.А., Горбовский В.Е., Мысовский С.Н. Инфракрасная спектроскопия и вынужденное испускание центров окраски. ЖПС, 1983, т.39, № 3, с.419-423.

89. Григоров В.А., Мартынович Е.Ф. Люминесценция и оптическое поглощение Fg -центров окраски в Оптика и спектроскопия, 1980, т.49, №. 4, с.728-732.- 127

90. ЮЗ. Гусев Ю.Л.,Кирпичников А.В., Коноплин С.Н., Маренников С.И.- Генерация перестраиваемого по частоте излучения на F/-центрах окраски. Препринт й 43 ИТФ СО АН СССР, Новоси -бирок 1979, с.2.

91. Bosi L., Bussolati С., Spinolo G. Lifetime of the F*

92. Center in LiF.- Phys. Lett., 1970, V.37A, IT 3, p.159-160.

93. Ахманов С.А., Гадонас P., Данелюс P., Камалов В.Ф., Kopo-теев Н.И., Пискарскас А.С., Свирко Ю.П. Спектроскопия возбужденных состояний и пикосекундная релаксация в F -центрах.- Письма в 1ЭТФ, 1981, т.34, вып.9, с.504-508.

94. Камалов В.Ф., Свирко Ю.П. Оптические нелинейные восприимчивости F - центров. - Квантовая электроника,1982, т.9,1. Ш I, с.618-620.

95. Яулугуров В.М., Иванов Н.А., Синица Л.Н., Сердюков В.И. -Квазинепрерывная генерация вынужденного излучения центров в кристалле . Оптика и спектроскопия, 1981, т.50, вып.4, с.801-802.

96. Врацкий В.А., Колеров А.Н., Кузьмина Е.Е., Ледянкин С.А. -Внутрирезона торный лазерный спектроанализатор на F центрах окраски в кристалле Л/F . - ЖПС, т.39, № 2, с.338-3.40.

97. Врацкий В.А., Колеров А.Н., Кузьмина Е.Е. Лазер на центрах окраски с ламповой накачкой. - Квантовая электроника, 1984, т.И, № 4, с.817-818.

98. Адуев Б.П., Вайсбурд Д.И., Москалев В.А. Создание и превращение , центров в кристаллах Л/F при импульсном облучении плотными пучками электронов. - Письма в ЖТФ, 1981, т.7, вып.13, с.791-794.

99. Nahum J. Optical Properties and Mechanism of Formationof Some F-aggregate Centers in LiF.- Phys. Rev., 1967, ▼.158, N 3, p.814-825.

100. Самсон A.M. Рэзананснае свячэнне канечных абъёмау.- Весц1 АН БССР, сер.ф!з.-тэх.навук, 1959, № 3, с.16-29.

101. Левин М.Б., Черкасов А.С., Широков В.И. Исследование генерационных свойств смесей родаминовых растворов. - Оптика и спектроскопия, 1975, т.38, № I , с.150-153.

102. Соме Л.Н., Тарасов А.А. Термические деформации активных элементов лазера на центрах окраски. - Квант.электроника, 1979, т.б, № 12, с.2546-2551.

103. Апанасевич П.А., Орлович В.А. Вынужденное комбинационное рассеяние в резонаторе при поперечной накачке. - ЖПС, 1974, т.21, К» 4, с.613-620.

104. Михнов С.А., Ракуш В.В., йоппенен В.П., Асаенок Н.А. 0 возможности повышения КПД лазеров на кристалле JLiFiPz за счет технологии радиационного окрашивания. - ЖПС,т.40,№5,с.750-54.

105. Борн М., Вольф Э. Основы оптики. - М., Наука, 1973.

106. Качмарек Ф. Введение в физику лазеров. - М.,Мир,2981,540с.

107. Aegerter М., Luty P. The Pg Center in KCI Crystals.-Phys. State Solidi(B), 1971, v.43, N 2, p.245-261.

108. Грасюк A.3., Поновлеев В.И., Рагульский В.В., Фазуллов Ф.С.Уве личение яркости излучения с помощью Бриллюэновского лазера. Квант.электроника, 1971, № I, с.70-78.

109. Соскин М.С., Тараненко В.Б. Топографический селектор пол -ного внутреннего отражения для лазеров с перестраиваемой частотой. - Квант.электроника, 1977, т.4, № 3, с.536-543.

110. Ананьев Ю.А. Оптические резонаторы и проблема расходимости лазерного излучения. - М., Наука, 1979, 328 с.

111. Баев В.М., Беликова Т.П., Свириденков Э.А., Сучков А.Ф. -Внутрирезонаторная спектроскопия с использованием лазеров непрерывного и квазинепрерывного действия. ЖЭТФ, 1978,т.74, На X, с.43-56.

112. Воронкова Е.М., Гречушников Б.Н., Дистлер Г.И., Петров И.П,-Оптические материалы для инфракрасной физики. М., Наука, 1965.

113. Осадько И.С. Исследование электронно-колебательного взаи -модействия со структурными спектрами примесных центров. -УФН, 1979, т.128, № I, с.31-66.

114. Степанов Б.И., Грибковский В.П. Введение в теорию люминесценции. - Минск, 1963.

115. Степанов Б.И. Методы расчета оптических квантовых генера -торов на органических красителях при монохроматическом воз -буждении. - Препринт Института физики АН БССР, 1968, 56 с.

116. Степанов Б.И. Расчет мощности генерации органических красителей при монохроматическом возбуждении. - 1ПС, 1968, т.9,№2, с.216- 225;

117. Методы расчета оптических квантовых генераторов. Под ред. Б.И.Степанов, т.2. Минск, Наука и техника, 1968, 656 с.