Полупроводниковые перестраиваемые лазеры среднего и дальнего ИК диапазона тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА. I. Катодолюминесценция узкозонных полупроводил ков.

1.1. Некоторые физические свойства твердых растворов халькогенидов свинца-олова.

1.2. Электроннолучевая установка и методика исследования.

1.3. Излучательная рекомбинация в халькогенидах свинца-олова.

1.3.1. Элементы теории спонтанного и вынужденного излучения при рекомбинации свободных электронов и дырок.

1.3.2. Влияние исходной концентрации носителей и уровня возбуждения на спектр рекомбинационного излучения.

1.3.3. Температурная зависимость спектра излучения.

1.3.4. Квантовая эффективность узкозонных твердых растворов.

1.4# Лазерное излучение халькогенидов свинца-олова при электронной накачке.

1.4.1. Потери при преобразовании энергии накачки в узкозонных полупроводниках.

1.4.2. Генерация излучения сульфида-селенида свинца теллурида и селенида свинца-олова (4-28 мкм).

1.4.3# Излучение изопериодического ряда твердых растворов теллурида-селенида свинца-олова.

1,5. Катодолюминесценция теллурида кадмия-ртути.

Выводы к главе I.,.

ГЛАВА. П. Лазерное излучение гетероструктур из халькогенидов свинца-олова.

2.1. Инжекционные лазеры на узкозонных полупроводниках. .•••••••.•.••••••••.

2.2. Методика отбора кристаллов и пленок для активной среды.••••••••••

2.3. Фотостимулированный метод эпитаксиального выращивания гетероструктур.•••••••••••••••.•••••••.

2.4. Технология изготовления инжекционных лазеров.

2.5. Свойства вынужденного излучения (спектр,поляризация, направленность).,.,.,.,.

2.6. Порог и мощность лазерного излучения.

2.7. Влияние поглощения свободными носителями на генерацию в узкозонных полупроводниках.

Выводы к главе П.••••.•••••••.•••••»•••.•••••«••.

ГЛАВА Ш. Перестройка частоты излучения длинноволновых инжекционных лазеров и спектрометр на их основе.

3.1. Классические и линейные лазерные методы ИК спектроскопии.

3.2. Методы перестройки частоты полупроводниковых лазеров •••••••.

3.3. Исследование перестроечной характеристики.

3.3.1 „Температурный сдвиг излучения лазерных диодов с разным составом активной области.

3.3.2„Расширение областей плавной перестройки при комбинированном воздействии температуры и магнитного поля.

3.4. Быстродействующий спектрометр высокого разрешения на инжекционных лазерах.

3*4.1. Оптическая схема.

3.4.2. Разрешающая способность лазерного спектрометра при быстрой перестройке частоты.

3.4.3. О градуировке лазерного спектрометра.

Выводы к главе Ш.

ГЛАВА 1У. Диодная лазерная спектроскопия некоторых высокосимметричных молекул.

4.1. О задачах лазерной ИК спектроскопии.

4.2. Спектры эталонных газов по сверхвысоким разрешением.

4.2*1. Ширина и форма спектральных линий паров воды и аммиака при разных давлениях.

4.2.2. Тонкая структура спектра полос поглощения аммиака и бензола. •••••••••••••»••••••.••

4.3. Спектроскопия переохлаяоденных газов.

4.3.1. Особенности спектров молекул с симметрией сферического волчка.

4.3.2. Лазерный спектрометр для исследования переохлажденных газов. Методика исследования.

4.3.3. Изотопическая структура спектра полосы гексафто-рида вольфрама.

Выводы к главе 1У.

Актуальность темы. Перестраиваемые инжекционные лазеры среднего и дальнего инфракрасного диапазона находят широкое применение в ИК спектроскопии высокого разрешения. Развитие исследовелий по физике и технологии полупроводников с узкой запрещенной зоной, лазерных диодов на их основе и применение последних позволило радикально увеличить спектральное разрешение чувствительность спектрального анализа то регистрация примеси на уровне ~10 г ), быстродействие (~10~^с) и локальность методов спектроскопии в области длин волн 3-30 мкм. Методы лазерной спектроскопии высокого разрешения с применением длинноволновых инжекционных лазеров (ИЛ) открыли принципиально новые возможности в молекулярной спектроскопии при исследовании газов с доплеровским и субдопле-ровским уширением спектральных линий, позволив разрешить тонкую и сверхтонкую структуру ИК спектров молекул и, тем самым, детально изучать их строение. Весьма перспективно применение перестраиваемых инжекционных лазеров в аналитических измерениях, для изучения кинетики химических реакций, фотохимии, метрологии и др.

Инжекционный лазер по спектральной плотности мощности и яркости на много порядков превосходит тепловые источники излучения, низкой спектральной плотностью которых ограничивается разрешение в классической ИК спектроскопии. Например, лазерный диод из теллурида свинца-олова, излучающий на длине волны 10 мкм мощностью всего 10 мкВт обладает спектральной плотностью мощности на девять порядков выше, чем абсолютно черное тело с температурой 2000 К. Для получения такой мощности в полосе лазера потребовалось бы абсолютно черное тело с отверстием в полости около метра в диаметре.

Дальнейшему расширению области применения перестраиваемых ИЛ способствуют такие их уникальные качества, как возможность получения с помощью твердых растворов генерации с заданп т ной длиной волны, высокая монохроматичность ( до 10 см ), большой диапазон перестройки (>100 см-''"), простота и легкость частотной и амплитудной модуляции, высокая стабильность, мал о лая площадь излучающей области ( ~ 10 см ), компактность и др. Благодаря этим отличительным чертам, перечень которых далеко не полон, разработан промышленный ИК спектрометр на инфекционных лазерах с разрешением, превышающим классические ИК спектрометры на несколько порядков. Большинство работ по молекулярной спектроскопии высокого разрешения как за рубежом, так и у нас в стране выполняются с применением перестраиваемых длинноволновых инжекционных лазеров.

В настоящее время применение полупроводниковых лазеров из халькогенидов свинца-олова выходит за рамки научны}: спектроскопических лабораторий. Такие лазеры уже начинают использоваться в промышленности для контроля чистоты веществ в технологических процессах и для контроля загрязнения атмосферы.

Когда в 60-х годах были созданы лазеры, сразу стало очевидным, что этот новый прибор станет уникальным источником излучения для спектроскопии. Однако первоначально, вплоть до 1970 г., диапазон плавной перестройки был ограничен, как правило, величиной порядка 0,1 см--'- в области отдельных дискретных линий газового лазера. У полупроводниковых лазеров область плавной перестройки на порядок больше, а линия генерации перестраивается на сотни см-^. С этой точки зрения полупроводниковые лазеры имеют явное преимущество. Тем не менее, идея использования перестраиваемых полупроводниковых лазеров среда альтернативных решений далеко не сразу проложила себе дорогу. Ряд обстоятельств сдерживающе влиял на развитие длинноволновых полупроводниковых лазеров. Среди них опасения никзой монохроматичности, что, например, имеет место в лазерах на арсениде галлия с широким резонатором; трудности в осовении технологии получения совершенных кристаллов и пленок твердых растворов халькогенидов свинца-олова; опасения, что сильная перестройка, присущая полупроводниковым лазерам, приведет к неконтролируемым спектральным смещениям за время регистрации.

Развитие полупроводниковых лазеров связано с работами советских физиков, академиков Н.Г.Басова, Б.М.Вула, К.И.Алферова и их сотрудников. Отечественным ученым принадлежит сама идея полупроводниковых лазеров /1-3/, основные идеи их совершенствования и создание лазера на гетероструктурах с электрическим и оптическим ограничением, разработка лазеров на многокомпонентных системах /4-8/.

Первый ИЛ был создан в 1962 г. на арсениде галлия и излучал в ближней ИК области. В последующие годы основные работы были выполнены на основе лазеров из арсенида галлия и твердых растворов АщВу.

К моменту начала нашей работы в стране не существовало длинноволнового лазера на основе узкозонных твердых растворов халькогенидов свинца-олова, да и сама технология этих полупроводников находилась в зачаточном состоянии . Впервые внимание к исследованию рекомбинационного излучения халькогенидов свинца было привлечено в 1953 г., когда в работе, выполненной под руководством Л.Н.Курбатова,наблюдалась инфракрасная фотолюминесценция поликристаллических слоев сернистого свинца /52/. Дальнейшие исследования были выполнены на монокристаллах. Первыее наши исследования рекомбинационного излучения халькогенидов свинца, начатые почти одновременно с работами в Массачусетоком технологическом институте в США /9-13/, относятся к 1965 году, когда при электроннолучевом возбуждении был исследован ряд кристаллов АщВу, АдВур А.1уВу1 / 4,15,252-260/ и получен впервые лазерный режим с дискретно изменяемой длиной волны на твердых растворах сульфида-се-ленида свинца в диапазоне 4-6,5 мкм. ИД на этом соединении были реализованы в СССР Н.С.Барышевым с сотрудниками /120155/.Работа получила дальнейшее развитие в 1971 г., когда удалось реализовать лазерное излучение на длине волны 10 мкм и выше на более узкозонных твердых растворах теллурида и селенида свинца-олова /18,17/.

Хотя длинноволновые инжекционные лазеры были созданы впервые за рубежом и параллельно велась работа по фундаментальным о с» о исследованиям полупроводников с узкой пшринои запрещенной зоны и перестраиваемым лазерам на их основе А.П.Шотовым с сотрудниками, многие вопросы излучательной рекомбинации,особенностей генерации вынужденного излучения в узкозонных полупроводниках были исследованы недостаточно. Разработка отечественных длинноволновых (10 мкм и выше) инжекционных лазеров на гетероструктурах потребовала решения этих задач. Вопрос о лазерах дальнего ИК диапазона также был разработан недостаточно. Предстояло расширить спектральный диапазон ИЛ в длинноволновую область за ранее достигнутый рубеж 32 мкм, что связано с преодолением ряда трудностей технологического и принципиального характера.

Использование инжекционных лазеров в спектроскопии тесно связано с когерентными свойствами, модовой структурой и перестроечной характеристикой. Представляет интерес вопрос о совершенствовании перестроечной характеристики с целью сокращения и устранения спектральных разрывов в перестроечной характеристике и разработке перестраиваемых полупроводниковых лазеров с комбинированной перестройкой, обладающих более широкой областью плавной перестройки. Эти исследования закончились созданием макета лазерного спектрометра.

С помощью разработанного макета спектрометра на инжекцион-ных лазерах наблюдается, например, в спектре гексафторида серы и бензола, сотни диний на спектральном участке I см""^. Подобные исследования тонкой структуры молекулярных спектров и их расшифровка являются ключом к пониманию деталей строения молекул и относятся к задачам целых спектральных лабораторий. Мы сосредоточили свои усилия на получении и исследовании тонкой и изотопической структуры ИК спектра гексафторидов некоторых тяжелых элементов. Эта задача, - разрешение тонкой структуры спектра молекул с симметрией сферического волчка, - не могла быть решена методами классической спектроскопии и в отношении гексафторида урана представляет потенциальный практический интерес. Хотя аналогичные исследования были проведены в США, необходимость их постановки была продиктована отсутствием литературных данных по изотопическому сдвигу в спектре гексафторида урана. Более того Госдепартаментом США введено эмбарго на поставки лазеров соответствующего диапазона ( 16 мкм).

Цель настоящей работы состояла в получении лазерного излучения в узкозонных твердых растворах халькогенидов свинца-олова, создании на их основе лазеров с изменяемой длиной волны и последующим применением их в ИК спектроскопии высокого разрешения. Для этого необходимо было изучить излучательную рекомбинацию в этих соединениях /19-23/, создать методы контроля, в частности, по квантовому выходу; разработать длинноволновые инжекционные лазеры /24-33, 250-251/.

Постановка задачи включала исследование особенностей лазерного излучения в узкозонных полупроводника /34/, методов перестройки и перестроечной характеристики /35,36/. В качестве применения было избрано исследование методами лазерной спектроскопии /37,44/ тонкой и изотопической структуры ИК спектра гексафтори-дов некоторых тяжелых элементов /45-48/.

Защищаемые положения и их новизна

1. Систематические исследования рекомбинационного излучения полупроводников с узкой запрещенной зоной, - халькогенидов свинца-олова, - в широком интервале концентраций носителей, температур, уровней возбуждения и составов твердых растворов. В результате этих исследований установлены основные закономерности и природа излучательной рекомбинации в узкозонных твердых растворах А£уВур

Исследования носят приоритетный характер.

2. Экспериментальные и теоретические исследования особенностей генерации вынужденного излучения узкозонных полупроводников. Реализация длинноволнового лазерного излучения ( 4-28 мкм) с изменяемой длиной волны при электронном возбуждении. Создание и исследование длинноволновых инжекционных лазеров на гетеро-структурах среднего и дальнего ИК диапазона (10-46 мкм).

Впервые получена генерация вынужденного излучения в твердых растворах сульфида-селенида свинца с дискретно изменяемой длиной волны и четырехкомпонентных твердых растворах селенида-теллури-да свинца-олова.

Впервые разработаны ИЛ дальнего Ж диапазона с длиной волны свыше -32 мкм С до 46 мкм).

Впервые предложена модель для объяснения особенностей генерации вынужденного излучения узкозонных полупроводников, основанная на доминирующей роли потерь на свободных носителях в длинноволновых лазерах.

3. Реализация высокого разрешения ( КГ^см""*) в молекулярной спектроскопии с применением длинноволновых перестраиваемых инжекционных лазеров и разработка быстродействующего ИК спектроя —т метра с.разрешением лучше, чем 10 ,см А в области спектра 2002500 см"1*

Впервые детально исследована перестроечная характеристика полупроводниковых лазеров при комбинированном воздействии тока и магнитного поля с целью устранения спектральных разрывов в перестроечной характеристике.

Впервые получены Ж спектры молекул методом диодной лазерной спектроскопии в дальней ИК области,

4. Разработка макета лазерного спектрометра дщя исследования переохлажденных газов с использованием импульсной сверхзвуковой струи. Разрешение с его помощью тонкой и изотопической структуры ИК спектров молекул с симметрией сферического всшчка-гексафторидов серы, вольфрама и урана.

Результаты по изотопическому сдвигу в спектре гексафторида урана ранее опубликованы не были.

Практическая значимость работы. Один из главных практических результатов работы заключается во внедрении разработанного лазерного спектрометра в Ленинградском оптико-механическом объединении. Разработка заводского прибора такого типа повысит уровень спектрального приборостроения в СССР. Разрешение спектрометра на несколько порядков превышает лабораторные дифракционные ИКС и достигает Ю^см"1 при быстродействии Ю^с/см"1 в спектральном диапазоне 6-46 мкм. По своей разрешеющей способности он не уступает спектрометру, выпускаемому американской фирмой ЗресНа , но . превышает по спектральному диапазону.

Можно отметить практическую нацравленность наших исследований катодолюминесценции. В частности, был разработан метод люминесцентного контроля и отбора кристаллов и пленок халькоге-нидов свинца-олова для активной среды инжекционных лазеров.

Непосредственное практическое значение имеет разработка инжекционных лазеров на халькогенидах свинца-олова и исследование их перестроечных характеристик. Лазеры из гетероструктур, полученных методом фотостимулированной газовой эпитаксии, зарекомендовали себя надежно работающими приборами. Для примера можно сослаться на их использование в исследованиях по лазерной спектроскопии в Физическом институте АН СССР /49/, Институте спектроскопии АН СССР в лаборатории спектрального приборостроения /39,41,44/ в Институте атомной энергии.

Потенциально важную роль для лазерного разделения изотопов играют наши исследования по лазерной спектроскопии гексафтори-дов тяжелых элементов, особенно измерение изотопического сдвига в молекулярном спектре гексафторида урана для двух изотопов урана

238Ц и 235 и выполненных совместно и по предложению ИАЭ.

Выводы

1. Исследована ширина и форма спектральных линий 22"*~2Q и Ij-f-0o полосы"^ ( 5,5 мкм) молекулы воды с изменением давления и получена гауссова форма линии при низком давлении ( доплеровс-кое уширение). Тем самым было реализовано в СССР ( ноябрь 1977 г.) сверхвысокое разрешение ( по расчету 10"^ см""*) в молекулярной спектроскопии с применением инжекционных лазеров.

2. Исследована тонкая структура спектров полос поглощения некоторых молекул типа симметричного волчка. Разрешена тонкая структура aQ. ( 932 см"*) и ¿0. ( 965 см"*) - ветвей в спектре полосы ( 10 мкм) молекулы аммиака и получена сериальная зависимость в спектре полосы У^ ( 690 см"*) молекулы бензола. Спектральное положение линий в серии, вызванной расщеплением по К в переходе Р(36), подчиняется квадратичной зависимости У-Уо^/С2, , а интенсивность в серии распределена с периодичностью, равной 6. Последнее сразу выявляет симметрию молекулы бензола. Литературные сведения о наблюдении . тонкой структуры спектра бензола отсутствуют.

3. Создан совместно с ИАЭ макет спектрометра на ИЛ для спектроскопии переохлажденных газов в импульсной струе, что позволило исследовать структуру спектра поглощения тяжелых молекул с симметрией сферического волчка. Изучена тонкая и изотопическая структура спектра полосы переохлажденных гексафторидов серы 948 см"*)и вольфрама (713 см~*).

В спектре гексафторида серы разрешена тонкая структура,вызванная расщеплением вращательных уровней молекул типа сферических волчков: измерена вращательная температура по сужению Q- ветви ( Т = 35 К) и качественно показано уменьшение колебательной температуры.

- 257

В спектре гексафторида вольфрама разрешена изотопическая структура. В спектре полосы наблюдается четыре 0. -ветви, соответствующие изотопам вольфрама с массой М = 186,184,183 и 182 а.е.м. Изотопический сдвиг 0- ввтви пропорционален изменению массы тяжелого элемента, а интенсивность - содержанию изотопа в смеси.

Измерен изотопический сдвиг в спектре гексафторида урана в полосе У$ ( 16 мкм). Спектральное положение 0-ветвей соответственно для изотопов с М = 238 и 235 а.е.м. составляет 627,680 см1 и 628,330 см~^ и ранее опубликовано не было. Для определения абсолютного спектрального положения линий в спектрах поглощения были использованы эталонные газы - углекислый газ и аммиак.

4. Впервые получены ИК спектры молекул методом диодной лазерной спектроскопии в дальней Ж области. Получены вращательные спектры молекулы воды с разрешением 10~4см~* в области 41 мкм, и тонкая структура спектра полосы крутильных колебаний молекулы метанола в области 35 мкм.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Резюмируя содержание диссертации, приведем основные достигнутые результаты.

1. Впервые и систематически исследовано спонтанное реком-бинационное излучение полупроводников с узкой запрещенной зоной на основе твердых растворов халькогенвдов свинца-олова. Иссле дована катодолюминесценция теллурида и селенида свинца-олова разного состава, изучена форма спектра, зависимость полуширины и смещение спектра от температуры (10 - 300 К); исходной концентрацией носителей ( Ю16 - 1019см"3 ) и уровня возбуждения. Установлены основные закономерности и природа излучательной рекомбинации в узкозонных полупроводниках А^уВу^. Показано, что в рассматриваемых кристаллах, обладающих необычно высокой диэлектрической проницаемостью, наблюдается непосредственная рекомбинация свободных электронов и дырок с сохранением правил отбора по квазиимпульсу в широком интервале температур и концентраций.

2. Получено и исследовано длинноволновое (4-28 мкм) лазерное излучение с изменяемой длиной волны при использовании твердых растворов халькогенидов свинца-олова и электронно-лучевого возбуздения. Лазерный режим в халькогенидах свинца (3,9; 5,5; 6,5 мкм) реализован в 1965 году, а в более узкозонных теллури-дах и селенидах свинца-олова (10 мкм и выше) в 1971 году.Впервые наблкщадись генерация вынувденного излучения сульфида-се-ленида свинца и изопериодического ряда четъфехкомпонентных твердых растворов селенида-теллурида свинца-олова.

3. Созданы и исследованы длинноволновые (5-46 мкм) инжек-ционные лазеры на гетероструктурах из халькогенидов свинца-олова. ИЛ дальнего ИК диапазона с длиной волны выше 32 мкм получены впервые. Для разработки лазеров использована методика катододююмесцентного отбора узкозонных полупроводников и технология фотостш^улированной газовой эпитаксии соединений АдоВ^, разработанная в ФИАН. В гетероструктурах, полученных фотости-мулированиой эпитаксией, размытие гетероструктур зависит от освещенности и составляет 3-15 мкм. Образование промежуточного слоя с градиентом состава смягчает напряжения несоответствия периодов решетки, ИЛ на их основе отличаются надежностью в работе.

Свойства длинноволновых лазеров ( пороги, мощность,максимальная рабочая температура) оказываются зависящими от длины водны. Внутренняя квантовая эффективность не превышает 10-15% и её повышение составляет один из главных резервов совершенствования лазеров на основе узкозонных полупроводников.

4. Предложена модель для объяснения особенностей генерации вынужденного излучения узкозонных полупроводников, основанная на признании доминирующей роли потерь на свободных носителях в длинноволновых лазерах. Теоретическая зависимость максимальной рабочей температуры генерации от частоты излучения находится в удовлетворительном согласии с экспериментальными данными. По нашим оценкам для лазеров с длинйй волны 10 мкм предельные температуры лежат в области комнатных. Показано, что оптимальная концентрация равновесных носителей, соответствующая пороговой накачке уменьшается с ростом длины волны. Таким образом для создания длинноволновых лазеров может оказаться нецелесообразным использование сильнолегированных кристаллов*

5. Реализовано высокое (10"^см"^) разрешение в молекулярной спектроскопии с применением разработанных длинноволновых ИЛ. На основе исследования перестройки частоты лазерного излучения в импульсном режиме создан макет ИК спектрометра на ИЛ с разрешением 10~^см~* и быстродействием 10""^с/см~* на область спектра 6-46 мкм. В спектрометре использована температурная перестройка ( 100 см""*) и быстрая развертка спектра под действием тока накачки. Установлено, что применение комбинированной перестройки с сильно отличающимся отношением скоростей смещения моды и контура усиления для параметров воздействия позволяет устранить разрывы в перестроечной характеристике. При комбинированном воздействии температуры и магнитного поля ( до 10 кЭ) с применением одного ИЛ с обычным резонатором Фабри-Перо практически полностью перекрыт диапазон 20 см в области 620-640 см"1 Без магнитного поля перекрытие диапазона областями перестройки наиболее интенсивных мод не превышает 20$. С применением разработанного лазерного спектрометра разрешена тонкая и изотопическая структура спектра некоторых высокосимметричных молекул.

6. В методических целях исследованы вращательно-колебатель-ные спектры молекул некоторых эталонных газов. Получена структура а О. - (932 см"1) и ¿0- - (965 см"*) ветвей полосы У^ молекул аммиака и разрешена сериальная зависимость в спектре & - ветви полосы У^ (690 см"*) молекулы бензола. Вид сериальной зависимости позволяет сразу определить тип симметрии молекул бензола. Литературные сведения о наблюдении тонкой структуры спектра бензола отсутствуют.

Метод диодной лазерной спектроскопии применен для исследования переохлавденных газов в импульсной сверхзвуковой струе, что позволило наблюдать тонкую и изотопическую структуру спектра поглощения тяжелых молекул с симметрией сферического волчка. Исследования были проведены совместно с ИАЭ. Исследована структура спектра полосы Уз гексафторидов серы ( 948 см ), вольфрама ( 714 см"*) и урана ( 627 см"*). Исследования более легкой молекулы гексафторида серы, в спектре которой тонкая структура представлена и при комнатной температуре, носили методический характер. Была разрешена тонкая структура и цо ширине Q-ветви оценена вращательная температура переохлажденного газа. В спектре гексафторида вольфрама при переохлаждении газа разрешена изотопическая структура, состоящая из четырех 0,-ветвей, соответствующих изотопам вольфрама в природной смеси.

Измерен изотопический сдвиг в спектре гексафторида урана. Спектральное положение Q. - ветвей соответственно для изотопов урана с М = 238 а.е.м. и М = 235 а.е.м. составляет 627,680 см~* и 628, 330 см~* и ранее опубликовано не было.

Впервые получены Щ спектры молекул методом диодной лазерной спектроскопии в дальней ИК области. Наблюдались вращательные спектры молекул воды со сверхвысоким разрешением 10~^см~* в области 41 мкм.и спектра полосы Уз метанола(35 мкм).

В заключении автор приносит свою искреннюю и глубокую благодарность члену-корреспоцденту АН СССР Леониду Николаевичу Цурбатову за предложенное направление, постоянную поддержку, интерес к работе и активное участие в ней на всех ее стадиях.

Автор благодарен и признателен своим бывшим аспирантам С.М.Караваеву и С.Д. Сиваченко, а также А.Л.Цурбатову и М.В.Шубину за многолетнюю совместную деятельность; пользуясь случаем выражаю благодарность коллегам А.И.Дирочке, Н.В. Сороко-Новиц-кому,С.С.Шахиджанову за обсуждение и дружескую поддержку и многим сотрудникам НИИ прикладной физики, без чьей бескорыстной помощи и содействия данная работа была невозможна.

Автор считает своим долгом выразить благодарность академику Б.М«,Вулу за поддержку работ по лазерным гетероструктурам на халькогенидах свинца. Выражаю искреннюю благодарность старшему научному сотруднику ШАН к.х.н. Г.А.Калюжной и к.т±н. Ю.И.Гориной, а также доценту Черновицкого университета к.ф-м.н.

П.М.Старику за многолетнее сотрудничество в деле инжекционных лазеров на гетероструктурах из теллурида свинца-олова, старшему научному сотруднику ШШ к.т.н. С.Н.Максимовскому и И.П.Ре-вокатовой, а также к.ф-м.н. И.С.Аверьянову и Б.П.Пырегову за сотрудничество в создании лазерных диодов на селенидах свинца-олова.

Автор благодарен академику И.К.Кикоину за предложение провести совместные спектроскопические исследования в Институте атомной энергии, используя разработанный спектрометр на инжекционных лазерах. Выражаю благодарность старшему научному сотруднику к.ф-м.н. Г.С.Баронову и заведующему лабораторией д.ф-м.н. А.И.Карчевскоьфг, с которыми проведены исследования по спектроскопии переохлажденных газов и определению изотопического сдвига в молекулярном спектре гексафторидов вольфрама и урана.

1. Басов Н.Г., Вул Б.М., Попов Ю.М. Квантовомеханические полупроводниковые генераторы и усилители электромагнитных колебаний. - ШЭТФ, 1959, 37, с. 587-588.

2. Басов Н.Г., Крохин О.Н., Попов Ю.М. Получение состояний с отрицательной температурой в р-п переходах вырожденных полупроводников. ЖЭТФ, 1961, 40, с. 1979-1880.

3. Багаев B.C., Басов Н.Г., Вул Б.М., Копыловский Б.Д., Крохин О.Н., Попов Ю.М., Маркин Е.П., Хвощев А.Н., Шотов А.П. Полупроводниковый квантовый генератор на р-п переходе в GaAя. ДАН СССР, 1963, т. 150, № 2, с. 275-278.

4. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Корольков В.Н., Портной Е.Л., Третьяков Д.Н. Инжекционные свойства гетеролазеров n-Al^Ga^^As-p-GaAs. ФТП, 1968, т. 2, с. I0I6-I0I7.

5. Алферов Ж.Н., Андреев В.М., Корольков В.Н., Портной Е.Л., Третьяков Д.Н. Когерентное излучение в эпитаксиальных структурах с гетеропереходами в системе AlAs-GaAs. ФТП, 1968, т. 2, с. 1545-1547.

6. Алферов Ж.Н., Андреев В.М., Портной Е.Л., Трукин М.К. Инжекционные лазеры на основе гетеропереходов в системе AlAs GaAs с низким порогом генерации при комнатной температуре. - ФТП, 1969, т. 3, с. 1328-1332.

7. Богатов А.П., Долгинов Л.М., Дружинина Л.В., Елисеев П.Г., Свердлов Б.Н., Шевченко Е.Г. Гетеролазеры на основе твердых растворов ьу^-з^у^-у и AlxGa1xAs1-ySby. -Квантовая электроника, 1974, т. I, с. 2294.

8. Богданкевич O.B., Дарзнек С.А., Елисеев П.Г. Полупроводниковые лазеры, 1976, Москва, Наука, 415с. Елисеев П.Г. Введение в физику инжекционных лазеров, 1983, Москва, Наука, 294с.

9. Butler J.F., Calawa A.R., Phelan R.J., Harman Т.О., Straußs A.J. and Rediker R.H. PbTe diode laser.-Appl. Ehys. Lett., 1964, v. 5, №4, pp. 75-77.

10. Butler J.F., Calawa A.R., Phelan R.J., Strauss A.J. and Rediker R.H. PbSe diode laser.-Solid State Comm, 1964, v. 2, № 10, pp. 303-304.

11. Butler J.P. and Calawa A.R. PbS diode laser»-Jour, of Electrohemical Soc., 1965, v. 112, № 10, pp. 1056-1057.

12. Butler J.F., Calawa A.R. and Harman Т.О. Diode lasers of Pb1-ySnySe and Fb^Sn^Te.- Appl. Phys. Lett., 1966, № 9, pp. 427-429.

13. Melngailis I. Jour. Phys. Colloq. 0-4 (Suppe), 1968, N3 11, PP. 84-94.

14. Курбатов JI.H., Бритов А.Д., Мащенко В.Е., Мочалкин H.H. Ре-комбинационное излучение сульфида свинца. -ФТП, 1967, т. I, с. I008-1012.

15. Курбатов Л.Н., Бритов А.Д., Аверьянов И.С., Мащенко В.Е., Мочалкин H.H., Дирочка А.И. Генерация когерентного излучения в Fb^-sSe^. в диапазоне 3,9-6,5 мкм.-ФТП, 1968, т. 2,с. 1000-1003. 16. Shotov А.Р.

16. Supp J. Japan Soc. Appl. Ehys., 1973, 42, 282.

17. Курбатов JI.H., Бритов А.Д., Дирочка А.И., Козина Г.С., Мочалкин H.H., Аверьянов И.С., Старик П.М. Стимулированное излучение FbSnTe и FbSnSe в области 10 мкм.-Квантовая электроника, 1972, 3(9), с, 97-99.

18. Курбатов Л.Н., Бритов А.Д., Караваев С.М. Катодолюминес-ценция PbSnSe -ФТП, 1975, т. 9, с. I588-I59I.

19. Бритов А.Д., Караваев С.М., Курбатов А.Л. Катодолюминес-ценция теллурида свинца-олова.-Труды 1У Всесоюзного симпозиума "Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы", 1975, Львов, часть У, с. 15-17.

20. Курбатов Л.Н., Бритов А.Д., Караваев С.М. Температурные и концентрационные зависимости спонтанного излучения FbSnTe .-ЯГП, 1976, т. 10,с.250-255.

21. Калшная Г.А., Мамедов Т.С., Киселева К.В., Бритов А.Д. Свойства эпитаксиальных слоев твердых растворов FbSnTe, легированных индием.- Изв. АН СССР, сер, хим., 1979,т. 15, № 2,

22. Курбатов Л.Н., Бритов А.Д., Караваев С.М., Калюжная Г.А., Старик П.М. Лазерное излучение гетероструктур PbSnTe -РЬТе, — Труды 1У Всесоюзного симпозиума "Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы1/ 1975, Львов, часть У, с, 25-28.

23. Курбатов Л.Н., Бритов А.Д., Калюжная Г.А., Караваев С.М., Горина Ю.И., Старик П.М. Гетеролазеры PbSnTe-FbTeс длиной волны 10 мкм.— Квантовая электроника, 1975, т. 2,с. 2084-2087.

24. Бритов А.Д., Караваев С.М,, Калюжная Г.А., Горина Ю.И., Курбатов А.Л., Киселева К.В., Старик П.М. Лазерные диоды на основе FbSnTe на область 5-15 мкм. Квантовая электроника, 1976, т. 10, с. 2238-2241.

25. Бритов А.Д., Пенин H.A., Максимовский С.Н., Караваев С.М., Ревокатова И.П., Курбатов А.Л., Аверьянов И.С., Пырегов Б.П. Перестраиваемый гетеролазер FbSnSe-FbSe. — Квантовая электроника, 1976, т. 3, с. 2513-2515.

26. Курбатов Л.Н., Бритов А.Д., Караваев С.М., Калюжная Г.А., Николаев М.И., Пелевин О.В., Гирич Б.Г., Терехович Т.Ф. Излучение двойных гетероструктур РЬТе-РЫЗпТе-ЕЬТе. -Квантовая электроника, 1977, т. 4, с. 428-429.

27. Старик П.М., Бритов А.Д., Лучицкий P.M., Лотоцкая В.Б., Микитюк В.И., Караваев С.М. Узкозонные твердые растворы FbSnSeTe с неизменным параметром решетки.—ФТП, 1978, т. 12,' с. 2273-2275.

28. Курбатов А.Л., Шубин М.В., Старик П.М., Бритов А.Д., Полякова Н.Д. Перестраиваемые инжекционные лазеры на основе твердых растворов халькогенедов свинца-олова.-Труды

29. У Всесоюзного симпозиума " Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллыJr 1980, Львов, часть I, с. 200-207.

30. Курбатов А.Л., Шубин М.В., Старик П.М., Лучицкий P.M., Бритов А.Д., Полякова Н.Д. Инжекционные лазера из FbSnTe, полученные диффузией Sb.- Квантовая электроника, 1981,т. 2, с. 430-432.

31. Курбатов JI.H., Караваев С.М., Бритов А.Д. О некоторых особенностях генерации когерентного излучения в узкозонных полупроводниках. Квантовая электроника, 1978, т. 5, с. 1368-1370.

32. Бритов А.Д., Караваев С.М., Сиваченко С.Д., Курбатов А.Л., Калюжная Г.А., Максимовский С.Н. Перестройка мод лазерных диодов на основе халькогенидов свинца-олова в импульсном режиме. Квантовая электроника, 1977, т. 4, с. 19992001.

33. Баронов Г.С., Бритов А.Д., Караваев С.М., Мерзляков A.B., Сиваченко С.Д. Комбинированное воздействие температуры и магнитного поля на спектры генерации длинноволновых лазерных диодов. Квантовая электроника, 1981, т. 10, с. 22282231.

34. Курбатов Л.К., Бритов А.Д., Караваев С.М., Сиваченко С.Д. Полупроводниковые перестраиваемые лазеры для ИК спектроскопии. X Всесоюзная конференция по когерентной и нелинейной оптике. Л., 1978, Тезисы, ч. П, с. 58; Изв.

35. АН СССР, сер. физ., 1979, 43, с. 424-427.

36. Балашов Е.И., Бритов А.Д., Караваев С.М., Курбатов А.Л., Шубин М.В. Применение перестраиваемых инжекционных лазеров в ИК спектроскопии. Оптико-механическая промышленность, 1982, № 4, с. 12-16.

37. Курбатов Л.Н., Бритов А.Д., Караваев С.М., Сиваченко С.Д., Максимовский С.Н., Старик П.М. Лазерная спектроскопия дальнего ИК диапазона. XIX Всесоюзный съезд по спектроскопии, 1983, Томск, доклад.

38. Курбатов Л.Н., Бритов А.Д., Караваев С.М., Сиваченко С.Д., Максимовский С.Н., Старик П.М., Аверьянов И.С., Пырегов Б.П. Инжекционные лазеры для спектроскопии дальнего ИК диапазона.-Квантовая электроника, 1984.

39. Галкин Л.Н., Королев И.В. Рекомбинационное излучение сернистого свинца. ДАН СССР, 1953, 92, с. 529-530.

40. Dimmock Т.О., Melngailis J., Strauss А.Т. Band structure and laser action in PbSnTe. Phys. Eev. Lett., 1966, 16, pp. 1193-1W.

41. Гуреев Д.М., Даварашвили О.И., Засавицкий И.И., Мацокашви-ли Б.Н., Шотов А.П. Фотолюминесценция полупроводниковых эпитаксиальных слоев FbSnTe и FbSnSe. ФТП, 1975, 10, с. 1902-1904.

42. Гуреев Д.М., Засавицкий И.И., Мацог.ашвили Б.Н., Шотов А.П. Излучательная рекомбинация в твердых растворах FbSnTe. -ФТП, 1978, т. 12, с. 1743-1749.

43. Гуреев Д.М., Даварашвили О.И., Засавицкий И.И., Мацокашви-ли Б.Н., Шотов А.П. Излучательная рекомбинация в эпитаксиальных слоях PbSnSe. ФТП, 1979, т. 13, с. 1752-1755.

44. Юнович А.Э., Тен В.П., Федоров М.С., Храмцов А.П. Вынужденное излучение тонких пленок халькогенидов свинца при фотовозбуждении. ФТП, 1975, т. 9, вып. 5, с. 904-906.

45. Айтикиева Т.Д., Аленберг В.Б., Дрозд И.А., Юнович А.Э. Излучательная рекомбинация твердых растворов FbSnTeS , ФТП, 1983, в. 2, с. 339-341.

46. Lawson W.D. A Method of growing single crystals cead telluride and lead selenide. J. Appl. Fhys., 1951, 22,p. 1444-1447. Oxigen-free single crystals of lead telluride, selenide and sulfide. J. Appl. Fhys., 1952, 23, p. 495-496.

47. Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнова А.И. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца,1968, М.: Наука.

48. Абрикосов И.Х., Шелимова Л.Е. Полупроводниковые материалы на основе соединений А3В5. 1976, М., Наука. 195с.

49. PbSnSe alloys. Fhys. Rev., 1967, 157, p. 608-611. 65* Calawa A.R. Small Band gap lasers and their uses in spectroscopy. - J. Luminescence, 1973, 7, P. 477-500.

50. Herman Т.О. Narrow gap semiconductor lasers. J. Phys. Chem. Sos. (Suppl) 1971, 32, p. 363-382.

51. Antcliffe G.A., Parker S.G. Characteristics of tunable PbSnTe junction lasers in the 8-12 um region. J. Appl. Phys., 1973, 44, p. 4145-4160.

52. Зломанов В.П., Лихтер А.И., Пель Э.Г., Тананаева О.И. Электрические свойства монокристаллов PbSnTe при высоком давлении. ФТП, 1975, 9, с. 1396-1398.

53. Martinez G., Balkanski М. Band crossing in PbSnSe under hydrostatic pressure. Solid State Com., 1972, 10,p. 721-725.

54. Сизов Ф.Ф., Лашкарев Т.В., Радченко М.В., Орлецкий В.Б. Температурная зависимость подвижности в твердом растворе Pb0>82Sn0>18Te. ФТП, 1976, 10, с. 393-396.

55. Zemel F.N., Tensen T.D., Schooler R.B. Electrical and optical properties of epitaxial film of PbSe, FbTe a SnTe. Phys. Hev., 1965, 140. A330-342.

56. Aziza A., Amzallag F., Balkanski M. Free electron effective mass in PbSe and FbSnSe mixed crystals. Sol. State Com., 1970, 8, p. 873-877.

57. Dionne G., Wolley J.C. Optical properties of some FbSnTe alloys determined from infrared plasma reflectivity measurements. Ehys. Rev. B, 1972, 6, p. 3898-3913.

58. Шотов А.П., Кучеренко И.В., Королев Ю.И., Чижевский Е.Г. Электрические свойства кристаллов PbSnSe, выращенных из паровой фазы. ФТП, 1972, б, с. I508-I5I3.

59. Орлецкий В.Б., Сизов Ф.Ф., Лашкарев Г.В., Товстюк К.Д. Определение некоторых параметров зонной структуры твердых растворов FbSnTe . ФТП, 1975, 9, с. 269-281.

60. Martinez G. Band inversion in FbSnSe alloys under hydrostatic pressure. II Galvanomagnetic properties. Phys. Rev. B, 1973, 8, p. 4686-4692.

61. Melngailis J., Harman Т.О., Mavroides J.G., Dimmock J.O. Shuhnilcov-de Haas measurements in PbSnTe.-Phys. Hev. B, 1971, 3, p. 370-375.

62. Melngailis J., Harman Т.О., Keroan W.C. Sftubnikov-de Haas measurements in PbSnSe. Ehys. Rev. B, 1972, 5, p. 2250-2257.

63. Tennant W.E., Gape J.A. Ear infrared reflectivity studies of dielectric function of PbSnTe epitaxial film. Appl. Phys. Lett., 1975, 26, p. 694-696.

64. Burstein E., Wheeler R., Lemel J.N.-Proc. Int. Conf. Phys. Semicond., 1964, Paris, Dunod,p.1065.

65. Q3* Иванов В.И., Кучеренко И.В., Моисеенко В.Н., Тактакишви-ли М.С., Шотов А.П. Исследование осцилляции Шубникова-де Гааза в кристаллах PbSnSe (х=0,06). ФТП, 1975, 9, с. 690-696.

66. Hoff G.F., Dixon I.E. Electrical properties of PbSnSe semiconducting alloys. Sol. State Com., 1972, 10, p.433-437*85« Martinez G. Band structure in PbSnSe alloys under hudro-static pressure. Ill Laser Bnission.-Ehys. Rev. Bt 1973» 8, p. 4693-4707.

67. Цидильковский И.М. Электроны и дырки в полупроводниках. -М., Наука, 640с.

68. Dimmock J.O., К.P. theory for the conduction and valence band of PbSnTe and PbSnSe alloys. J. Phys. Ghem. Sos. (SuppX), 1971, 32, p. 319*

69. Ramage J.C., Stradling R.A., Azira A. Far infrared cyclotron abseption in n-type PbSnSe. - J. Physics C. Solid State Ehys., 1975, 8,p.1731-1736.

70. Ramage J.C., Tidey R.J., Stradling R.A. The temperature dependence of the reflectivity of p-type FbSnQJa. J. Physics D: Appl. Fhys., 1975» 8, p. 1918-1922.

71. Korn D.M., Braunstein R. Infrared reflectivity studies of p-type FbSnTe.-Phys. Stat. Sol. (Ъ), 1972, 50, p. 77-82.

72. Кучеренко И.В., Тактакишвили М.С., Шотов А.П. Определение эффективной массы дырок в FbSnSe из измерений эффекта Нернста-Эттинсгаузена. -ФТП, 1973, 7,с.822-824.

73. Сизов Ф.Ф., Лашкарев Г.В., Орлецкий В.Б., Григорович Е.Т. Эффект Фарадея в твердом растворе PbSnSe р-типа. ФТП, 1974, 8, с. 2074-2079.

74. Martinez G. Band inversion of PbSnSe alloys under hydrostatic pressure. I. Theoretical band structure analysis.-Fhys. Rev. B, 1973, 8, p. 4678-4685.

75. Tauber R.N., Cadoff В. Thermal and optical energy gaps in FbSnTe. J. Appl. Phys., 1967, 38, p. 3714-3720.

76. Драбкин И.А., Нельсон И.В. Инфракрасное поглощение в сплавах FbSnTe р-типа. ФТП, 1972, 6, с. 1046-1049.

77. Ocio M,, Albany H.J. Two valence band evidence and thermal energy gap in PbSnTe. Phys. Lett., 1968,27A, p. 72-73*

78. Parada N.T., Praft G.W. New model for vacancy states in PbTe.-Phys. Rev. Lett., 1969, 22, p. 180.

79. Wolf P. Stimulated enission of plusmons in narrow-gap semiconductors. J. Phys. Ghem. Sol» (Supp ), 1971, 32, p. 197-207*

80. Драбкин И.А., Морговский Л.Я., Нельсон И.В., Равич Ю.В. Собственное поглощение света в области непараболичности зон в PbTe и твердых растворах PbSnTe . ФТП, 1972, 7,с. 1323-1327.

81. Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлек-троника, 1976, Москва, "Мир", с. 369-399.

82. Cross P.S., Oldham W.G. Monolithic measurement of optical gain and absorption in PbTe. J. Appl. Phys., 1975, 46, P. 952-954.

83. Власенко А.И., Орлецкий В.Б., Любченко А.В., Прокопчук Л.Ф.,1. PbSnTe,

84. Stern F. Elementary theory of the optical properties of solids. Soc. State Phys., 1963, 15,p300.

85. Басов Н.Г., Крохин O.H., Попов Ю.М. Генерация, усиление и индикация инфракрасного и оптического излучений с помощью квантовых систем. УФН, I960, 72,с.164.

86. Pilkuhu М.Н. !Ehe ingection laser. Phys. Stat. Sol., 1963, 25,p.9 .

87. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. 1973, М., Мир , 456с.

88. Anderson W.W. Gain-Frequency-Current relation for PbSnTe double heterostructure lasers. IEEE J. of Quantum Electronics QE-13, 1977, p. 532-543.

89. Hinkley E.D., Kelley P.L. Detection of air pollutants with tunable diode lasers. Science, 1971, 171 ,p.635-639.

90. Киреев П.С. Физика полупроводников. 1975, М., Высшая школа 9 584с.

91. Varshni Y.P. Temperature dependence of the energy gap in semiconductors. Physica, 1967, 34-,p.149-154•

92. Bumke W.P. Optical transitions involving impurities in semiconductors. Phys. Rev., 1963, 132,p.1998-2002.

93. Барышев H.C. Неравновесные процессы в полупроводникахс малой шириной запрещенной зоны:. Докторская диссертация, автореферат, 1970, Ленинград.

94. Melngailis J., Harman Т.О. Photoconductivity in single-crystal PbSnTe. Appl. Phys. Lett., 1968, 13,p.180-183.

95. Афанасьева E.A., Ибразимов H., Шотов А.П. 0 рекомбинации неравновесных носителей в PbSnSe (у=0,06). ФТП, 1973, в. 6, с. II33-II40.

96. Богданкевич О.В., Дарзнек С.А., Елисеев П.Г. Полупроводниковые лазеры. 1976, М., Наука, с.24-26.

97. Beattic A.R., Landsberg P.J. Anger effect in semiconductors. Proc. Rog. Soc., 1959,p.A249.

98. Барышев H.C., Урицкий З.И. К теории мевдузонной ударной рекомбинации в полупроводниках. ФТТ, 1961, 3, с. 28612864.

99. Барышев Н.С., Штивельман К.Я. Рекомбинационные процессы в монокристаллах соединений группы сернистого свинца. -ФТП, 1967, I ,с.172-177.127« Hall R.H. Electron-hole recombination in germanium.-Ehys.Rev., 1952, p. 87, 387.

100. Барышев H.C. Междузонная плазменная рекомбинация носителей тока в Cd^Hg^^Te Труды 1У Всесоюзного симпозиума "Полупроводники с узкой запрещённой зоной и полуметаллы", 1975, Львов, ч.У, с.7-9.

101. Воробьёв Л.Е., Осокин Ф.И., Стафеев В.И., Тулупенко В.Н. Обнаружение генерации длинноволнового ИК излучения горячими дырками в германии в скрещенных электрическом и магнитном полях.- Письма в ЖЭТФ, 1982, 35, с. 360-362.

102. Hinlrley E.D., Freed О. Direct observation of the Lo-rentssion line shape as limited by quantum phase noise in a laser above threshold.- Phys.Rev.Lett., 1969» 23, p. 277-281.

103. Даварашвили О.И., Долгинов Л.М., Елисеев П.Г., Заса-вицкий И.И., Шотов А.П. Многокомпонентные твёрдые раствори соединений A^Bg.- Квантовая электроника, 1977,4, с.904-908.

104. Смит Р. Полупроводники, 1982, Мир, М.

105. Elliot С.Т., Melngailis J., Harman Т.О., Foyt A.G. Carrier freeze ottt aud acceptor energies in p-type HgCdTe.- J.Pbys.Ghem.Sol., 1972, 33, P.1527-1531.

106. Мальцева В.А. Исследование фотолюминесценции сплавов n-Cd^Hg^^Te (х = 0,3). Кандидатская диссертация, автореферат, 1982, Ленинград.135« Butler J.P., Harman Т.О. Long-wavelength infrared PbSnTe diode lasers.-Appl. Phys. Lett., 1968, 12, p.347-349.

107. Lo W. Cd-diffused PbSnTe lasers with high ontput power. Appl. Phys. Lett., 1976, 28,£.154~156.

108. Grisar R., Riedel W.G., Preier M. Properties of diffused PbSnSe homojunction diode lasers.

109. EE Quantum electronics, 1981, QE-17,p.586-592.

110. Donnelly J.P., Calawa A.R., Harman T.C., Foyt A.G., Lindley W.T. PbSnTe photovoltaic diodes and diode lasers prodused by proton bombardment. Sol. State Electron. 1972, 15, p.403-407.

111. Hill W., Calawa A.R., Harman T.C. Laser ewission from metall-semiconductor barriers on PbTe and PbSnTe (x=0,2). -Appl. Phys. Lett., 1970, 16,p.375-377.

112. Walpole J.N., Calawa A.E., Ralston R.W., Harman T.C. High-power output in PbSnTe diode lasers with improved mirror Qaality. J. Appl. Phys., 1973, 44, p. 2905-2907.

113. Ralston R.W., Walpole J.N., Calawa A.R., Harman T.C.,

114. Mc Vittie J.P. High cw output power in stripe geometry PbS diode lasers. J. Appl. Phys., 1974 , 45,£,.1323-1325«

115. Tomasetta L.R., Fonstad C.G. Threshold reduction in PbSnTe laser diodes through the use of double hetero-¿junction geometries. Appl. Phys. Lett., 1974 , 25,p. 440-442.

116. Groves S.H., Nill K.W., Strauss A.T. Double hetero-structure PbTe-PbSnTe-PbTe lasers with CW operation at 77K. Appl. Phys. Lett., 1974, 25,p.331-333.

117. Tomasetta L.R., Fonstad C.G. Thallium and indium doped PbSnTe by liquid phase epitaxy. Mater. Rev. Bull., 1974, 9,P.799-802.149« Walpole J.N., Calawa A.R., Harman T.C., Groves S.H.

118. Double-heterostructure PbSnTe lasers grown by molecular -beam epitaxy with cw operation up to 114K. Appl. Phys. Lett., 1976, 28,p.552-554.

119. Шотов А.П., Вяткин К.В., Синятинский А.Л. Инжекцион-ные лазеры с двойной гетероструктурой на основе PbSnTe, изготовленные методом молекулярной эпитаксии. Письма Ш, 1980, т. 6,е.983-986.

120. Вяткин К.В. Создание полупроводниковых ИК лазеров на основе PbSnSe методом молекулярной эпитаксии ("горячей стенки") и исследование их характеристик.-Автореферат кандидатской диссертации, Москва, 1982.

121. Melngailis J. Advauces in narrow gap semiconductor infrared devices.-Int. Conf. Narrow Gap Semic., 1977, Warsawa.153.1.ttice-Matched PbSnTe-PbTeSe Ш laser Diodes operating to 166 K. Proc. Int. Electron.Devices Conf., 1979, IEEE Hew York ,p.130-132.

122. Eolstan R.W., Melngailes J., Calawa A.R., Lindley W.T. Stripe-geometry PbSnTe Diode lasers. IEEE Quant. Electron., 1973, Q&-9,p.350-356.155* Lachos J.H., Ripper J.E. Resonant modes of GaAs

123. Junction Laser. IEEE Quant. Electron., 1969, QE-5,p. 29-37.

124. Kasemset D., Botter S., Ponstad C.G. PbSnTe/PbTeSe Lattice-Matched buried Heterostructur lasers with cw single Mode Output. IEEE Electron. Dev. Lett., 1980, v. EDL-1,p.75-78.157* Walpole J.N,, Calawa A.R., Chinn S.E., Harman T.C.

125. Distributed feedback Fb^^^^Sn^Te double-heterostructure lasers. « Appl. Phys. Lett., 197&, 29,p.307-309.

126. Walpole J.N., Calawa A.R., Chinn S.R., Harman T.C.

127. CW operation of distributed feedback Fb^xSnxTe lasers. -Appl. Phys. Lett., 1977, 30,p.524-526,

128. Hsieh H.H., Fonstad C.G. Liquid-Phase Epitaxy Grown FbSnTe distributed feedback laser diodes with broad continuous single mode timing range. - IEEE Quant. Electron., 1980, QE-16, p. 1039-1044.

129. Lo W., Montgomery G.P., Sweets D.E. Ingot-nucleated Fb^^Sr^Te diode lasers. J. Appl. Fhys., 1976, 47,p.267-271 •

130. Lo W., Gifford F.E. Contact Reliability Studies on Lead-Solt diode lasers. J. Electronic Sosiety, 1980, 127,ji .1372-1375.

131. Lo W. Highly reliable contacts for lead-salt diode lasers. J. Appl. Fhys., 1981, 52,p.900-902.163* Preier H. Recent advances in lead-chalcogenide diode lasers. J. Appl. Fhys. by Springer-Verlag, 1979, 20,тр.189-206.

132. Loshihawa M., Shinohara K., Jeda R. Continuons operation over 1500 h of a FbTe/PbSnTe double-heterostructure laser at 77 K. Appl. Fhys. Lett., 1977, 31,p.699-701.

133. Шотов А.П., Кучеренко Й.В., Королев Ю.Н., Чижевский Е.Г. Электрические свойства кристаллов PbSnSe, выращенных из паровой фазы. ФТП, 1972, № 6, в. 8, с. I508-I5I3.

134. Курбатов А.Л., Шубин М.В., Старик П.М., Лучицкий P.M., Бритов А.Д., Полчкова Н.Д. Лазерные диоды из PbGeTe. -ФТП, 1981, 15, I, с. 202-203.

135. Гейман К.И., Засавицкий И.И., Матвеенко А.В., Шотов А.П. Гетеролазеры на основе PbSnTe, получаемые методом мгновенного испарения в вакууме. ФГП, 1979, 13, с. 887890.

136. Шотов А.П., Вяткин К.В. ДГС лазеры на основе PbSnSe, работающие в непрерывном режиме при 80 К. Письма ЖЭТФ, 1980, 6, с. I199-1202.

137. Ьо W. PbSnTe homojunction lasers with cw frequency tuning range of 216 cm""1 near 8 urn. IEEE Quant. Electron., 1977, QE-13, p. 591-595.

138. Hinkley E.D., Rui R.T., Hill K.W., Butler J.F. Long-path monitoring: advanced instrumentation with a tunable diode laser. Appl. Opt., 1976, 15, p. 1653-1656.

139. Loshihawa M., Koseto M., Ieda R. Conf. Lasers Electro-Optical Systems. 1978, San-Diego, Calif, IEEE/OSA.

140. Вяткин К.В., Шотов А.П. Оптические свойства эпитаксиаль-ных пленок PbSe. ФТП, 1980, 14, с. I33I-I334.

141. Preier H., Bleicher M., Riedel W., Maier M Double hete-rostructure PbS-PbS^^Se^-PbS laser diodes with cw operation up to 96K.- J.Appl.Phys.t 1976, 28, p.669.

142. Pceier H., Bleicher M., RiedelW., Maier M. Double-hete-rostructure PbS-PbSe-PbS lasers with cw operation up to 120 K.- Appl.Phys.Lett.,1976, 47, p. 5476-5477.

143. Preier H., Bleicher M., Riedel W., Pfeiffer H. Maier M.Peltier tooled PbSe double-heterostructure lasers for IR cas spectroscopy.- J.Appl.Phys., 1977, 12, p. 277-281.

144. Harman T.C., Calawa R.W., Melngailis J., Dimmock J.O. Temperature and compositional of laser emission in Pb1-xSn2.Se.- Appl.Phys.Lett., 1969, 14, p. 333-334.

145. Мосс Т., Баррел Г., Эллиз Б. Полупроводниковая оптоэлект-роника, 1976, М., Мир, 431с.179* Feedback laser with Broad loutinions tuning range.

146. Proc. of Int.Electron. Devices Conf. IEEE, N.Y.,1979,P* 126-129.

147. Horicoshi Y., Kawashima M., Saito H. PbSnSeTe-PbSeTe lattice matched double heterostructure lasers.- Jap .J. Appl.Phys., 1982 , 21, p. 77-84.

148. Шотов А.П., Даварашвили О.И. Эпитаксиальные слои PbSnTeи PbSnSe .- Изв. АН ССР, сер. Неорганические материалы, 1977, 13, р. 610-612.

149. Carpernter R., Hamar M.F., Bickley W.P., Eddolls P.V.1.frared Physics, 1977» 18,p.610.

150. Tomasetta L.R., Fonstad C.G. Liquid phase epitaxial of laser heterostructure in PbSnTe, Appl. Phys. Lett., 1974, 24, p. 569.

151. Rodot M. Преципитаты в PbTe . 1У симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. - Новосибирск, 1975, доклад.

152. Гинзбург B.JI., 1^хадзе А.А. Волны в магнитоактивной плазме, 1975, М., Мир, 255с.

153. Инфракрасная спектроскопия высокого разрешения. Сборник, 1972, М., Мир, с. 3, 351с.

154. Лазерная спектроскопия атомов и молекул. Сборник под редакцией Вальтера Г. 1979, М., Мир, с. 155-235.

155. Hinkley E.D. High-resolution infrared spectroscopy with tunable diode laser. Appl. Phys. Lett., 1970, 16,p. 351-353«

156. Siahatgar S., Hochuli V.E. Display of 8521-A line of cesium utilizing a swept GaAs laser. IEEE 1969,1. P. 295-297.

157. Быковский Ю.А., Величанский В.Л., Гончаров И.Г., Mac-лов В.А., Никитин В.В. Импульсный полупроводниковый лазер в качестве спектроскопа высокого разрешения. Оптика и спектроскопия, 1971, 30,с.508-510.

158. Летохов B.C. Проблемы лазерной спектроскопии.-УВД, 1976, 118, с. 199-250.

159. Воробьев Л.Е., Осокин Ф.И., Стафеев В.И., Тулупенко В.Нг Письма ЖЭТФ, 1981, 34, с. 125.

160. Воробьев Л.Е., Осокин Ф.И., Стафеев В.И., Зулупенко В.Н. Полупроводниковый ОКТ на горячих дырках на дальнюю ИК область.-XI конференция по когерентной и нелинейной оптике. Тезисы, Ереван, 1982, ч. I, с. 62-63.

161. Баканов Д.Г., фликов А.О., Одинцов А.И., Федосеев А.И. Новые лазерные переходы в молекуле СО^. XI конференция по когерентной и нелинейной оптике. Тезисы, Ереван, 1982, ч. I, с. 43-44.

162. Ptiero I. ИК лазеры на свободных электронах.

163. XI конференция по когерентной и нелинейной оптике, 1982, Ереван, доклад; Appl. Phys. Lett., В. 28, 1982,.?.15»

164. Besson T.M., Paul W., Calawa A.B. Tuning of PbSe lasers by hydrostatic pressure from 8 too 23 Jim. Phys. Rev., 1968, 173, P. 699-713.

165. Засавицкий И.И., Лихтер А.И., Пель Э.Г., Шотов А.П. Перестройка частоты излучения ИЛ на основе PbSe при гидростатическом давлении. ФТП, 1972, 6, с. 2206-2210.

166. Засавицкий И. И., Мацонашвили Б.Н., Погодин В. И., Шотов А.П. Влияние гидростатического давления на спектры излучения лазеров PbSnSe. ФТП, 1974, 8, с. 732-736.

167. Nill K.W., Blum F.A., Calawa A.R., Harman Т.О. High resolution spectroscopy using magnetic-field-tuned semiconductors laser. Appl. Phys. Lett., 1972, 21 ,p.132-134.

168. Calawa A.R., Dimmock J.O., Harman J.C., Melngailis J. Magnetic field dependence of laser emission in PbSnSe diodes. Phys. Rev Lett., 1969, 23,p.7-10.

169. Flicker H., Nereson N. Increased tuning range of PbSnSe diode lasers using small magnetic fields. IEEE, Q&-12, 1976, p. 326-330.

170. Засавицкий И.И., Мацонашвили Б.Н., Шотов А.П. Влияние магнитного поля на спонтанное и когерентное излучение р-п переходов в PbSe. ФТП, 1972, б, с. 1288-1293.

171. Засавицкий И.И. Излучение полупроводниковых лазеров в сильных магнитных полях и при высоких гидростатических давлениях. Сборник " Оптические свойства полупроводников1.' Труды ШАН, М., 1974, 75с.

172. Косичкин Ю.В., Надеждинский А. И. Диодная лазерная спектроскопия. XI конференция по когерентной и нелинейной оптике, 1982, Ереван. Тезисы, с. 824-825.

173. Засавицкий И.И., Косичкин Ю.В., Перов А.Н., Поляков Ю.А., Широков A.M., Шотов А.П. Методические вопросы применения полупроводниковых ИЛ в ИК спектроскопии высокого разрешения, 1981, препринт ФИАН № 150, М.

174. Eng E.S., Butler J.F., Linden K.J. Tunable diode laser spectroscopy: an invited review. Opt. Engineering, 1980, 19, p. 945-958.

175. Wells J.S., Petersech R.F., Maki A.G. Heterodyne frequency measurements with a tunable diode laser COg laser spectrometers specroscopic reference frequencies in the 9,5 jam band of carbonyl sulfide. - Appl. Opt., 1979, 18» p. 3567-3573.

176. Nill K.W. Spectroscopy with tunable laser diodes. -Laser focus, 1977, 2,p.37.213* Nagai R. Kawaguchi et al.

177. J. Molec. Spectroscopy, 1980, 84,p.197.

178. Wahlen M., Sag R.S., Nill K.W. Tunable diode laser14spectroscopy of COg : absorftion coefficients and analytical applications. Appl. Opt., 1977, 16, p. 2350-2352.

179. Jenson R.J., Robinson С.Р. Progress in laser enrichment at losAlamos, Development in uranium enrichment, 1977, Manson, Benedict, 73, ^ 69,p.76.217» Nill K.W. Spectroscopy with tunabe laser diodes. -Laser Focus, 1977, 2,p.32-37.

180. Hill K.W. Spectroscopy with tunabe laser diodes. -Laser Focus, 1977» 2,p.37.

181. Hinkley E.D. Laser spectroscopic instrumentation and techniques s long-path monitoring Ъу resonance absorption. Optical and Quantum Elect., 1976, 8,1. P.155-167.

182. Веденева Г.В., Засавицкий И.И., Колошников В.Г., Цури-цын Ю.А., Шотов А.П. Применение импульсного лазера на основе PbSnSe (х=0,045) для спектроскопии высокого разрешения молекулы аммиака. Письма ЖГФ, 1978, 4,с.927-931.

183. Анзин В. Б., Глушков М.В., Горина Ю.И., Калюжная Г. А., Ко-сичкин Ю.В., Надеждинский А.И. Применение инжекционных лазеров на основе Pb1-xSnxTe в спектроскопии высокого разрешения. Краткие сообщения по физике, препринт ФИАН, 1978, 4, с.18-22.

184. Герцберг Г. Колебательные и вращательные спектры многоатомных молекул. 1949, М.-Л., ИЛ, 647с.228« Icnes К. Infrared-microwave Two-photon spectroscopywith 13с160 and 12q13q2 of the У^ band of ammonia.-J.Appl.Phys., 1978, 15, p. 261—264«

185. Freund S.U., Oka T. Infrared-microwave two-photon spectroscopy: The V^, band of NH^.- Ibys.Rev., 1975,1. A 13, P. 2178-2190.

186. Chimizu F. Stark spectroscopy of NH^ ^ band by 10 um 002 and N20 lasers.- J.Chem.Phys., 1970, 52, 3572-3576.

187. Cordon H.R., McCubbin Т.К. The 15-micron bands of C^O^6 J.Molec. spectroscopy, 1965, 18, p. 73-82.

188. McDowell R S., Galbraith H., Cantrell C.D., Nereson N.G., Hinkloy E.D. The У3 branch of SFg at higt resolution! assignment of the level pumped by P(16) of COg laser J.Molec. spectroscopy, 1977, 63, p. 288-298.

189. Loete M., Clairon A., Frichet A., McDowell R.S.,

190. Calbrath H.W., Hilico J.S., Horetbailly J., Henry L.

191. Constants spectrales de la bande V3 de la molecule32s™ calculees a partir du spectra d*adsorption satu-6ree C.R. Acad.Sciense, 1977, Paris, B285, p.175-178.

192. Travis P.N. et al. Infrared spectroscopy of supercooled gases.- Chem.Phys.Lett., 1977, 45, p. 287-290.

193. Тен В.П., Юнович А.Э. Температурная зависимость спектров фотолюминесценции монокристаллов селенида свинца". ФТП, 1976, т. 10, в. 5, с. 866-870.

194. Галески Ф., Дрозд И.А., Лебедева Л.Я., Тен В.П., Юнович А.Э Вынужденное излучение тонких пленок PbSe при комнатной температуре. ФТП, 1977, т. II, в. 3, с. 568-570.

195. Юнович А.Э., Аверюшкин A.C., Дрозд И.А., Огнева В.Г. Зависимость вынужденного излучения тонких пленокот температуры в интервале 50 300 К. - ФТП, 1979, т. 13, в. 9, с. 1694-1700.

196. Galeski F., Tunovich А.Е., Herrmann К.Н., Kostial Н., Hechenberg I., Schäfer P. Stimulated Emission, Absorption Spectra and Recombination in Epitaxial PbTe. Phys. Stat. Sol. (b), v. 88, № 2, p. 675-681.

197. Галески Ф., Максимовский C.H., Ревокатова И.П., Селезнева М.А., Юнович А.Э. Излучательная рекомбинация и вццеле-ния второй фазы в эпитаксиальных пленках теллурида свинца. Электрон, техника, сер. 6, материалы, 1980, в.1/138/ä с. 75-81.

198. Аленберг В.Б., Айтикеева Т.Д., Дрозд И.А., Юнович А.Э. Излучательная рекомбинация четверных твердых растворов "Pb1-xSnxTel-ySy* ~ Материалы У Всесоюзн. симп. по полу-проводн. с узкой залрещ. зоной и полуметаллам, Львов, 1980, ч. I, с. 182-184»

199. Приборы с зарядовой связью. Сборник под редакцией Бар-баД.Ф. 1982, М., Мир, с. 84.

200. Сомсиков А.И., Бритов А.Д., Засавицкий И.И., Колошников В.Г., Курбатов А.Л., Цурицын Ю.А., Лебедев Е.И., Шо-тов А.П. Промышленный лазерный спектрометр ИКЛС.

201. XIX съезд спектроскопистов, июнь, 1983, Томск, тезисы, ч. б, с. 115.24.5. Kauppineu J., Kärkkäinen Т., Kyrö Е. High-resolution spectrum of water vapor between 30 and 720 cm""'', -J. Molec. spectroscopy, 1978, 71,p.15-45.

202. Шотов А.П., Даварашвили О.И., Бабушкин A.B. Лазерные гете-роструктуры на основе твердых растворов FbSnSeTe . Письма ЖЭТФ, 1979, 5, с. 1488.

203. Hill K.W., Blum P.A,, Calawa A.K., Harman Т.О. Infrared spectroscopy of CO using a tunable PbSSe diode laser.-Appl. Bays. Lett., 1971, 19,P.79-82.

204. Lo W., Sweets D. Diffused homojunction lead-sulfide-selenide diodes with 140 К laser operation. Appl. Phys. Lett., 1978, 33,p.938-940.

205. Linden K.J., Hill K.W., Butler J.F. PbSSe and PbSnSe lasers single heterostructure laser with 4,1-12,7 pm tuning range afove 77 K. IEEE Quantum Electron, 1977, QE-13, p. 720-725.

206. Цурбатов Л.Н., Мащенко В.Е., Мочалкин Н.Н., Бритов А.Д. Когерентное излучение . GaAs и CdTe при электроннолучевом возбузвдении.- Всесоюзная конференция по А3 В5 , 1965, Баку, АН Азерб. ССР, тезисы, с. 5.

207. Курбатов Л.Н., Мащенко В.Е., Мочалкин Н.Н., Бритов А.Д. Когерентное излучение связанных экситонов сульфида кадмия.-Рад. и электрон., 1967, 12, №7, с. I298-I30I.

208. Курбатов Л.Н., Гросс Е.Ф., Мащенко В.Е., Разбирин B.C., Мочалкин H.H., Бритов А.Д. Когерентное излучение свободных экситонов в CdSe . Phys. Stat. Sol., 1968,26, p. K139-W3.

209. Курбатов Л.Н., Мочалкин H.H., Бритов А.Д. Катодолюминес-ценция арсенида галлия. ФТП, 1970, 4, с. 62-70.

210. Курбатов Л.Н., Бритов А.Д., Мочалкин H.H. Температурные зависимости излучения FbS , ФТП, 1970, 4, с. 120-124.

211. Курбатов Л.Н., Огороднин А.Н., Дирочка А.И., Мочалкин H.H., Бритов А.Д. Рекомбинационное излучение селенеда индия. -ФТП, 1970, 7, с. I40I-I402.

212. Курбатов Л.Н., Дирочка А.И., Бритов А.Д., Власов А.Н., Мочалкин H.H., Сороко-Новицкий Н.В. Стимулированное излучение моноселенида индия при электронном возбуждении. ФТП, 1971, 5, с. 563-565.

213. Косичкин Ю.В., Крюков П.В., Надеждинский А.И. Применение перестраиваемых диодных лазеров для исследования тонкой структуры колебательных уровней сферических молекул.

214. X Всесоюзная конференция по когерентной и нелинейной оптике. Тезисы, 1980, Киев, с. 91-92.

215. Кузнецов А.И. Разработка и создание автоматизированной системы управления и обработки информации для диодной лазерной спектроскопии.-Автореферат кандидатской диссертации, 1983. Москва.

216. Косичкин Ю.В., Надеждинский А.И., Перов А.Н., Степанов Е.В. Разрешение импульсной диодной лазерной спектроскопии среднего ИК диапазона.-XI Всесоюзная конференция по когерентной и нелинейной оптике. Тезисы, 1982, Ереван, с. 826-827.

217. Крюков П.В., Надеждинский А.И. Диодный лазер среднего ИК диапазона с внешним резонатором.- XI Всесоюзная конференция по когерентной и нелинейной оптике. Тезисы, 1982, Ереван, с. 828-829.

218. Крюков П.В. Диодная лазерная спектроскопия сферических молекул 311^ и СР^» Автореферат кандидатской диссертации, 1983, Москва.