Полупроводниковые структуры для волоконно-оптических линий связи, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии и его разновидностями тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.01 ВАК РФ

Введение.

Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

Введение.

1.1. Существующие методики и подходы получения длинноволнового излучения на основе In(Ga, Al)As/Ga(Al)As.

1.2. Многослойные структуры In(Ga)As/GaAs с квантовыми точками.

1.3. Гетероструктуры на основе InAs/Si.

Глава 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДИКИ.

2.1. Метод молекулярно-пучковой эпитаксии.

2.2. Экспериментальная установка молекулярно-пучковой эпитаксии ЭП 1203.

2.3. Предростовая химическая подготовка пластин арсенида галлия и кремния.

2.4. Комплекс регистрации и анализа картин дифракции быстрых электронов на отражение.

2.5. Методики выращивания полупроводниковых соединений А3В5 на установке молекулярно-пучковой эпитаксии ЭП1203.

2.6. Структуры для измерений методами трансмиссионной электронной микроскопии и фотолюминесценции.

Глава 3. МНОГОСЛОЙНЫЕ СТРУКТУРЫ InAs/GaAs С КВАНТОВЫМИ

ТОЧКАМИ.

Введение.

3.1. Численное моделирование роста многослойных структур с квантовыми точками на основе эластичного взаимодействия.

ОГЛАВЛЕНИЕ

3.2. Влияние ростовой моды на оптические свойства многослойных систем InAs/GaAs с квантовыми точками.

3.3. Влияние технологических параметров на структурные и оптические свойства InAs/GaAs многослойных систем.

3.4. Влияние вицинальности поверхности на оптические свойства.

Глава 4. АЛЬТЕРНАТИВНЫЕ ПОДХОДЫ ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ СТРУКТУР ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ДЛИННОВОЛНОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ (В ДИАПАЗОНЕ 1.3 - 1.55 МКМ) В СИСТЕМЕ In(Ga)As/GaAs.

Введение.

4.1. Влияние ростовых параметров на электронную структуру и оптические свойства квантовых точек в гетероструктурах InGaAs/GaAs.

4.2. Оптические свойства In(Ga)As/GaAs структур, выращенные при пониженной температуре роста.

Глава 5. ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ InAs/Si С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ.

Введение.

5.1. Влияние технологических параметров на механизм роста InAs КТ на поверхности Si(100).

5.2. Оптические свойства InAs квантовых точек на поверхности Si(100).

5.3. Структурная композиция системы Si/InAs/Si после отжига.

5.4. Структурные свойства многослойных систем InAs/si с квантовыми точками.ЛОЗ

Долгое время КТ пытались получать «искусственным путем», например, путем селективного травления структур с квантовыми ямами, роста на профилированных подложках или конденсации в стеклянных матрицах [2]. Однако, полученные структуры обладали чрезвычайно низким кристаллографическим качеством, плохо воспроизводимыми физическими свойствами, резко ограничивающим их возможные применения в качестве приборных структур. Качественный прорыв в данной области произошел при использовании эффектов самоорганизации [3] полупроводниковых наноструктур в гетероэпитаксиальных полупроводниковых системах.

Наиболее значительным способом получения таких структур является «путь природы»: использование процессов самоорганизации поверхности, происходящее при гетероэпитаксиальном росте в рассогласованных по параметру решетки системах [4,5]. Низкоразмерные структуры: квантовые проволоки и квантовые точки, — образующиеся в результате распада напряженного псевдоморфного слоя на границе раздела подобных полупроводников, открывают пути к созданию элементной базы оптоэлектронных приборов нового поколения [6,7], а также позволяют моделировать и изучать свойства так называемых «искусственных атомов» [8].

В настоящее время достигнут определенный прогресс в теории образования наноструктур [9], что, наряду с обнаруженными эффектами упорядочения квантово-размерных образований в различных системах непосредственно при молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ), позволяет надеяться на получение низкоразмерных структур с заранее заданными геометрическими свойствами путем варьирования как технологических параметров — температуры подложки, скоростей роста, соотношения потоков, степенью разориентированности подложки; так и выбором ростовой моды — субмонослойная МПЭ, атомно-послойная МПЭ и т.д. С помощью МПЭ уже были реализованы гетероструктуры с квантовыми точками в системах А3В5 с высоким кристаллическим совершенством, высоким квантовым выходом излучательной 6— ВВЕДЕНИЕ рекомбинации и высокой однородностью по размерам. В полученных структурах были впервые продемонстрированы уникальные физические свойства, ожидавшиеся для идеальных квантовых точек в течение многих лет, исследованы электронный спектр квантовых точек, эффекты, связанные с энергетической релаксацией и излучательной рекомбинацией неравновесных носителей и получены первые оптоэлектронные приборы, такие как инжекционные гетеролазеры на квантовых точках с рекордными характеристиками [1].

Основной целью диссертационной работы являлась разработка новых методик выращивания и подходов для создания воспроизводимой технологии на основе молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) полупроводниковых структур с квантовыми точками (КТ) InAs на поверхности GaAs и Si в качестве элементной базы оптоэлектронных приборов для волоконно-оптических линий связи.

Для достижения указанной цели решались следующие задачи:

1. Проведение теоретического исследования процессов формирования наноостровков в многослойных системах на основе теории эластичного взаимодействия, с последующим применением результатов к системе InAs/GaAs.

2. Исследование закономерностей эпитаксиального роста и влияния технологических факторов на оптические и структурные свойства многослойных систем InAs/GaAs с КТ.

3. Исследование влияния разновидностей метода МПЭ на оптические и структурные свойства многослойных систем InAs/GaAs с КТ, оптимизация технологических параметров для получения эффективного длинноволнового фотолюминесцентного (ФЛ) излучения от подобных структур. 7— ВВЕДЕНИЕ

4. Разработка методик получения длинноволнового излучения 1.55 мкм и более на основе низкотемпературного роста в системе InAs/GaAs.

5. Исследование процессов гетереоэпитаксиального роста в системе InAs/Si, а также их структурных и оптических свойств.

6. Исследование влияния термического отжига на свойства структуры InAs/Si.

7. Исследование возможности реализации многослойных структур в системе InAs/Si.

Научная новизна и практическая значимость работы состоит в следующем:

1. Предложена теоретическая модель, объясняющая поведение наноостровков в напряженных многослойных гетеросистемах, подтверждаемая экспериментальными данными. Результаты моделирования использованы для создания активной области светоизлучающих приборов на длину волны в районе 1.3 мкм

2. Предложена новая методика выращивания полупроводниковых соединений — комбинация традиционной молекулярно-пучковой эпитаксии и субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии, позволившая достичь диапазона излучения 1.3 - 1.4 мкм от многослойных InAs/GaAs структур с КТ.

3. Реализована методика выращивания относительно больших и бездефектных InAs КТ, основанная на заращивании слоя с КТ твердым раствором InGaAs с предварительным прерыванием роста. В этой системе также получено длинноволновое излучение на длине волны 1.3 мкм.

4. Для получения излучения с длиной волны 1.55 мкм и более реализованы подходы, основанные на выращивании квантовых точек и квантовых ям при пониженной температуре подложки с скорости осаждения. 8— ВВЕДЕНИЕ

5. Исследованы закономерности роста в гетероэпитаксиальной системе с большим рассогласованием параметров решетки — InAs/Si. Показано, что независимо от выбора механизма роста: Странски-Крастанова либо Фольмера-Вебера -— в этой системе возможно получение ФЛ излучения на длине волны 1.3 мкм при применении термического отжига.

6. Исследованы структурные свойства многослойных структур InAs/Si с КТ. Таким образом, в работе проведено комплексное исследование различных технологий, методов и подходов направленных на разработку основ создания полупроводниковых приборов, предназначенных для применения в качестве светоизлучающих приборов в оптоволоконных линиях связи.

Основные научные положения, выносимые на защиту:

На защиту выносятся новые физические методы и подходы, позволившие получить следующие научные результаты:

1. Новая методика выращивания полупроводниковых многослойных структур в системе с InGaAs КТ — комбинация МПЭ и СМСЭ позволяет получать длину волны излучения в районе 1.3-1.4 мкм при комнатной температуре.

2. Результаты исследований образцов с InAs/GaAs КТ оказывают значительное влияние технологических параметров (толщина спейсера, количество индия, вицинальностъ поверхности) на оптические и структурные свойства многослойных структур.

3. Выращивание In(Ga)As/GaAs структур при пониженной температуре подложки и пониженной скорости роста приводят к появлению излучения в районе 1.55 мкм.

4. При оптимизированной технологической процедуре выращивания структуры вне зависимости от механизма образования квантовых точек в 9— ВВЕДЕНИЕ гетероэпитаксиальной системе InAs/Si (Фольмера - Вебера или Странски -Крастанова) в спектрах люминесценции наблюдается пик в районе 1.3 мкм. 5. При выращивании многослойных структур InAs/Si с КТ возможно получение качественных слоев с низкой концентрацией дефектов с количектвом слоев КТ до 6.

Личный вклад автора заключается в разработке методик проведения исследований, участии в получении экспериментальных и теоретических данных, обобщении и анализе полученных результатов.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на международных конференциях и симпозиумах:

8, 9 International Symposiums "Nanostructures: Physics and Technology (StPetersburg, Russia, 2000,2001);

5th International Conference on Solid Films and Surfaces ICSFS-10 (Princeton, USA, 2000)

11th European Workshop on Molecular Beam Epitaxy (Euro-MBE, Hinterzarten, Germany, 2001), а также на научных семинарах в Technische Universitat Munchen, Germany, Technische Universitat Berlin, Germany, Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik Halle/Saale, Germany.

Публикации. Основные результаты исследований опубликованы в 23 печатных работах [54-64,72,73,77-86].

Структура работы. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав и заключения. Общий объем диссертации - 131 страниц основного текста, включая 39 рисунков, 3 таблицы и список литературы из 92 наименований.

116— ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Технического Института им. А.Ф.Иоффе РАН к.ф.м.н. А.Ф.Цацульникову, и к.ф.м.н. Б.В.Воловику за плодотворную совместную работу а также Директору Института Аналитического Приборостроения РАН профессору д.т.н. В.Е.Курочкину и заместителю Директора Института Аналитического Приборостроения РАН профессору д.ф.м.н. АО.Голубку за создание благоприятной обстановки для работы по теме диссертационной работы.

117 —

1. Ж.И.Алферов. История и будущее полупроводниковых гетероструктур. ФТП, 1998, т.32, вып.1, с.3-18.

2. E.Yablonovitch. "Inhibited spontaneous emission in solid-state physics and electronics", Phys.Rev.Lett., 1987, v.58, N 20, p.2059-2062.

3. H.Haken. "Information and Self-Organization. A Macroscopic Approach to Complex Systems", 2nded.,. Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg, 1999, p.210.

4. L. Goldstein, F. Glas, J. Y. Marzin, M. N. Charasse, G. Le Roux, "Growth by molecular beam epitaxy and characterization of InAs/GaAs strained-layer superlattices", Appl.Phys.Lett., 1985, v. 47, p. 1099-1101.

5. Y.-W.Mo, В.S.Swartzentruber, R.Kariotis, M.B.Webb, M.G.Lagally. Growth and equilibrium structures in the epitaxy of Si on Si(001). Phys.Rev.Lett., 1989, V.63, P.2393.

6. НН.Леденцов, В.М.Устинов, В.А.Щукин, П.С.Копьев, Ж.И.Алферов, Д.Бимберг. "Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры. Обзор" ФТП, т.32, №4,1998, с.385-410.118— СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

7. V.A.Shchukin, N.N.Ledentsov, M.Grundmaim, P.S.Kop'ev, D.Bimberg. "Spontaneous ordering of arrays of coherent strained islands", Phys.Rev.Lett., v.75,1995, p.2968-2971.

8. S.Sato and S.Satoh, 1.21 jam Continuous-Wave Operation of Highly Strained GalnAs Quantum Well Lasers on GaAs Substrates. Jpn. J. Appl.Phys. 38, L990 (1999)

9. N.N.Ledentsov, M.Grundmann, N.Kirstaedter, O.Schmidt, R.Heitz, J.Bohrer, D.Bimberg, V.M.Ustinov, V.A.Shchukin, P.S.Kop'ev, Zh.I.Alferov, S.S.Ruvimov, A.O.Kosogov, P.Werner, U.Richter, U.Gosele, J.Heydenreich. Sol. St. Electron., 40,785 (1996)

10. R.P.Mirin, J.P.Ibbetson, K.Nishi, A.S.Gossard, J.E.Bowers. 1.3 mu m photoluminescence from InGaAs quantum dots on GaAs Appl. Phys. Lett., 67,3795 (1995)

11. Baklenov, D. L. Huffaker, A. Anselm, D. G. Deppe, and B. G. Streetman. Influence of A1 content on formation of InAlGaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy. Appl. Phys. Lett., 72, p.6362-6364 (1997)

12. D.L.Huffaker and D.G.Deppe. Electroluminescence efficiency of 1.3 mu m wavelength InGaAs/GaAs quantum dots. Appl. Phys. Lett, 73, 520 (1998)

13. M.Kondow, KUomi, A.Niwa, T.Kitatani, S.Watahiki, Y.Yazawa. GalnNAs: A Novel Material for Long-Wavelength-Range Laser Diodes with Excellent High-Temperature Performance Japan. J. Appl. Phys., 35,1273 (1996).

14. G.E.Cirlin, V.G.Dubrovskii, V.N.Petrov, N.K.Polyakov, N.P.Korneeva, V.N.Demidov,

15. A.O.Golubok, S.A.Masalov, D.V.Kurochkin, O.M.Gorbenko, N.I.Komyak, V.M.Ustinov, A.Yu.Egorov, A.R.Kovsh, M.V.Maximov, A.F.Tsatusul'nikov,

16. B.V.Volovik, A.E.Zhukov, P.S.Kop'ev, ZhJ.Alferov, N.N.Ledentsov, M.Grundmann, D.Bimberg. MBE growth of InAs quantum dots on Silicon. Semicond.Sci.Technol, 13, 1262 (1998).

17. D.L.Huffaker, G.Park, Z.Zou, O.B.Shchekin, D.G.Deppe. 1.3 mkm room-temperature GaAs-based quantum-dot laser. Appl. Phys. Lett., 73,2564 (1998)119— СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

18. Г.Э.Цырлин, В.Н.Петров, С.А.Масалов, А.О.Голубок. Самоорганизация квантовых точек в многослойных структурах InAs/GaAs и InGaAs/GaAs при субмонослойной эпитаксии. ФТП, 1999, т.ЗЗ, вып.6, с. 733-737.

19. Tersoff J., Teichert С., Lagally M.G. Self-Organization in Growth of Quantum Dot Superlattices. Phys. Rev. Lett.,. 1996, V.76, P. 1675-1678.

20. Г.Э.Цырлин, В.Н.Петров, С.А.Масалов, А.О.Голубок. Самоорганизация квантовых точек в многослойных структурах InAs/GaAs и InGaAs/GaAs при субмонослойной эпитаксии. ФТП, 1999, т.ЗЗ, вып. 6, с. 733-737.

21. Г.Э.Цырлин, В.Н.Петров, С.А.Масалов, А.О.Голубок, Н.Н.Леденцов. Самоорганизация квантовых точек в многослойных структурах InAs/GaAs и InGaAs/GaAs при субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии. Письма в ЖТФ, 1997, т.23, вып.22, с.80-84.

22. Schukin А.А., Bimberg D., Malyshkin V.G., Ledentsov N.N. Vertical correlations and anticorrelations in multisheet arrays of two-dimensional islands. Phys.Rev.B 1998. V.57. P. 12262-12274.

23. К.АВалиев. II Перспективные Технологии, 1999, T.6(3), C.l.

24. В.А.Иошкин, А.АОрликовский, С.Р.Октябрьский, А.В.Квинт, Е.Ю.Довьщенко. Труды ФТИАН. М„ Наука, 1994, Т.8, С.58-102.

25. J.M.Gerard, J.Carbol, B.Sermage. InAs quantum boxes: Highly efficient radiative traps for light emitting devices on Si. ApplPhis.Lett., 1996, V.68(22), P.3123-3125.121— СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

26. R.R.Linder, J.Philips, O.Qasaimeh, X.F.Liu, S.Krishna, P.Bhattacharya, J.C.Jiang. Self-organized Ino.4Gao.6As quantum-dot lasers grown on Si substrates. Appl.Phis.Lett1999, V. 74(10), P. 1355-1357.

27. AG.Cullis, L.T.Canham, P.D.J.Calcott. The structural and luminescence properties of porous silicon. J. Appl Phys. 1997, v.82, p.909-965.

28. K.Eberl, K.Brunner, W. Winter. Thin Solid Films 294,98 (1997).

29. S.Coffa, G.Franzo, F.Priolo. MRS Bulletin 23(4), 25 (1998).

30. N.N.Ledentsov. Proc. 23th Int. Conf. Phys. Semiconductors, Berlin, 1996, Ed.by M.Scheffler and R.Zimmermann (World Scientific, Singapoure, 1996), Y.l, P. 19-22.

31. Г.Э.Цырлин, В.Н.Петров, В.Г.Дубровский, С.А.Масалов, А.О.Голубок, Н.И.Комяк, Н.Н.Леденцов, Ж.И.Алферов, Д.Бимберг. Получение InAs квантовых точек на кремнии. Письма вЖТФ, 1998, т.24, вып.8, с.10-15.

32. G.E.Cirlin, V.G.Dubrovskii, V.N.Petrov, N.K.Polyakov, N.P.Korneeva, V.N.Demidov, A.O.Golubok, S.AMasalov, D.V.Kurochkin, O.M.Gorbenko, N.I.Komyak, V.M.Ustinov, A.Yu.Egorov, A.R.Kovsh, M.V.Maximov, A.F.Tsatsul'nikov,122— СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

33. B.V.Volovik, A.E.Zhukov, P.S.Kop'ev, Zh.I.Alferov, N.N.Ledentsov, M.Grundmann, D.Bimberg. Formation of InAs quantum dots on a silicon (100) surface. Semicond. Sci. Technol. IOP Published Ltd. UK v. 13 (1998) p. 1262-1265.

34. N.D.Zakharov, P.Werner, R.Heitz, D.Bimberg, N.N.Ledentsov, V.M.Ustinov, D.V.Denisov, B.V.Volovik, ZhJ.AIferov, G.E.Cirlin. Structure of InAs inclusions in Si matrix. Abstracts MRS Fall Meeting November 29-December 3, 1999, Boston, USA, 17.14 (p. 175).

35. А.Е.Жуков, А.Ю.Егоров, АР.Ковш, B.M.Устинов, Н.Н.Леденцов, М.В.Максимов,

36. A.Ф.Цацульников, Б.В.Воловик, П.С.Копьев, Ж.И.Алферов. Влияние условий выращивания на формирование и люминесцентные свойства квантовых точек InGaAs в матрице Si. ФТП1999, т.ЗЗ, вып.2, с. 194-197.

37. В.Б.Губанов, Г.М.Гурьянов, В.Н.Демидов, В.Г.Дубровский, Н.П.Корнеева,

38. B.Н.Петров, Н.К.Поляков, Ю.Б.Самсоненко, Г.Э.Цырлин. "Некотроые методические вопросы экспериментальной работы на установке ЭП1203". Научное приборостроение, т.6, № 1/2,1996, с.3-17.

39. M.A.Herman, Н. Sitter. Molecular beam epitaxy. Fundamentals and current status. Berlin; Springer-Verlag, 1989. p.386.

40. P.J.Dobson, B.A.Joyce, J.ANeave, J.Zhang. J. Cryst. Growth. 1987. vol. 87. p.l.

41. AP.Senichkin, A.S.Bugaev, R.A.Molchanovski. Abstracts of 1st Intern. Symposium "Nanostructures: Physics and Technology". StPetersburg, Russia, 1993. p. 102.

42. Г.М.Гурьянов, В.Н.Демидов, Н.П.Корнеева, В.Н.Петров, Ю.Б.Самсоненко, Г.Э.Цырлин. Система регистрации и анализа картин дифракции быстрых электронов на отражение. ЖТФ, 1997, т.67. вып.8, с. 111-116.

43. Г.Э.Цырлин, ШХКорнеева, В.Н.Демидов, Н.К.Поляков, В.Н.Петров, Н.Н.Леденцов. Исследование перехода от двухмерного к трехмерному росту в системе InAs/GaAs с помощью дифракции быстрых электронов на отражение, ФТП, 1997, т.31, вып. 10, с. 1230-1233.

44. A.F. Phillips, S.J. Sweeney, A.R. Adams, P.J.A.Thijs, IEEE J. of Selected topics in Quantum Electronics 5,401 (1999), и ссылки в этой работе.

45. В.А.Егоров, Г.Э.Цырлин. Численное моделирование особенностей формирования многослойных структур с квантовыми точками при молекулярно-пучковой эпитаксии. Письма в ЖТФ, 2000, т.26, вып.5, с.86-94.124 — СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

46. H.Новгород, 20-23 марта 2000 г., Институт физики микроструктур РАН, с.58-61.

47. Г.Э.Цырлин, НК.Поляков, В.А.Егоров, В.НПетров, Б.В.Воловик, Д.С.Сизов,

48. A.Ф.Цацульников, В.М.Устинов. Многослойные структуры с квантовыми точками в системе InAs/GaAs, излучающие на длине волны 1.3 мкм. Письма в ЖТФ, 2000, т.26, вып. 10, с.46-52.

49. В.А.Егоров, В.Н.Петров, НХПоляков, Г.Э.Цырлин, Б.В.Воловик, А.Е.Жуков,

50. B.М.Устинов. Фотолюминесценция многослойных структур с квантовыми точками InAs/GaAs в диапазоне длин волн 1.3-1.4 цт. Письма в ЖТФ, 2000, т.26, вып. 14, с. 84-90.

51. V.A.Egorov, V.N.Petrov, N.K.Polyakov, G.E.Cirlin, B.V.Volovik, A.E.Zhukov,

52. Б.В.Воловик, Д.С.Сизов, А.Ф.Цацульников, Ю.Г.Мусихин, Н.Н.Леденцов,

53. B.М.Устинов, В.А.Егоров, В.Н.Петров, Н.К.Поляков, Г.Э.Цырлин. Излучение на1.3-1.4 мкм в структурах с массивами связанных квантовых точек, выращенных методом субмонослойнойэпитаксии. ФТП, 2000, т.34, вып.И, с. 1368-1372.125— СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

54. Maradudin A.A., Wallis R.F. Surf. Sci. 1980, V.91, P. 423.

55. Г.Э.Цырлин, АО.Голубок, С.Я.Типисев, Н.Н.Леденцов, Г.М.Гурьянов. Квантовые точки InAs/GaAs, полученные методом субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии. ФТП, 1995, т.29, N9, с. 1697-1701.

56. Г.Э.Цырлин, В.НПетров, В.Г.Дубровский, Н.К.Поляков, С.Я.Типисев,

57. A.О.Голубок, Н.НЛеденцов. Формирование наноструктур InGaAs/GaAs методами субмонослойного напыления из молекулярных пучков. ФТП, 1997, т.31, вып. 8, с.902-907.

58. Б.В.Воловик, А.Ф.Цацульников, Д.АБедарев, А.Ю.Егоров, АЕ.Жуков, А.Р.Ковш, Н.Н.Леденцов, М.В.Максимов, Н.А.Малеев, Ю.Г.Мусихин, А.А.Суворова,

59. B.М.Устинов, П.С.Копьев, Ж.И.Алферов, Д.Бимберг, П.Вернер. Длинноволновое излучение в структурах с квантовыми точками, полученными при стимулированном распаде твердого раствора на напряженных островках. ФТП, 1999, т.ЗЗ, с.990-995.

60. А.Ф.Цацульников, А.Ю.Егоров, А.Е.Жуков, А.Р.Ковш, В.М.Устинов, Н.Н.Леденцов, М.В.Максимов, А.В.Сахаров, А.А.Суворова, П.С.Копьев, Ж.И.Алфёров, Д.Бимберг. Модуляция потенциала квантовой ямы с помощью массива квантовых точек. ФТП, 1997, т.31, с. 109-113.

61. А.А.Тонких, В.АЕгоров, Н.К.Поляков, Г.Э.Цырлин, Б.В.Воловик, НА.Черкашин, В.М.Устинов. Влияние ростовых параметров на электронную структуру квантовых точек в гетероструктурах InGaAs/GaAs. Письма в ЖТФ, в печати.

62. В.АЕгоров, А.А.Тонких, Н.К.Поляков, Г.Э.Цырлин, Н.В.Крыжановская, Д.С.Сизов, В.М.Устинов. Фотолюминесценция в системе InGaAs/GaAs с квантовыми точками и квантовыми ямами в диапазоне длин волн 1.55мкм. Письма в ЖТФ, в печати.127— СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

63. M.V.Maximov, AF.Tsatsurnikov, B.V.Volovik, D.A.Bedarev, A.Yu.Egorov,

64. В.НЛетров, Н.К.Поляков, В.А.Егоров, Г.Э.Цырлин, Н.Д.Захаров, П.Вернер,

65. B.М.Устинов, Д.В.Денисов, Н.Н.Леденцов, Ж.И.Алферов. Исследование многослойных структур с InAs нанообъектами в кремниевой матрице методом трансмиссионной электронной микроскопии. ФТП, 2000, т.34, вып.7, с.838-843.

66. G.E.Cirlin, N.K.Polyakov, V.N.Petrov, V.AEgorov, D.V.Denisov, B.V.Volovik, V.M.Ustinov, Zhi.Alferov, N.N.Ledentsov, R.Heitz, D.Bimberg, N.D.Zakharov,129 — СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

67. P.Werner, U.Gosele. Incorporation of InAs nanostructures in a silicon matrix: growth, structure and optical properties. Materials Science and Engineering В v.80/1-3, pp 108111 (2001).

68. G.E.Cirlin, V.G.Dubrovskii, V.N.Petrov, N.K.Polyakov, N.P.Komeeva, V.N.Demidov,

69. A.O.Golubok, S.AMasalov, D.V.Kurochkin, O.M.Gorbenko, N.I.Komyak, V.M.Ustinov, AYu.Egorov, A.R.Kovsh, M.V.Maximov, A.F.Tsatusul'nikov,

70. B.V.Volovik, A.E.Zhukov, P.S.Kop'ev, Zh.I.Alferov, N.N.Ledentsov, M.Grundmann, D.Bimberg. "Formation of InAs quantum dots on a silicon (100) surface", Semicond.Sci.Technol., v.13,1998, p. 1262-1265.

71. Г.Э.Цырлин, В.НЛетров, Н.К.Поляков, С.А.Масалов, А.О.Голубок, Д.В.Денисов, Ю.А.Кудрявцев, Б.Я.Бер, В.М.Устинов. Особенности роста кремния на Si(100) в атмосфере мышьяка при молекулярно-пучковой эпитаксии. ФТП, 1999, т.ЗЗ, вып. 10, с. 1158-1163.

72. G.E.Cirlin, V.G.Dubrovskii, V.N.Petrov, N.K.Polyakov, N.P.Korneeva, V.N.Demidov,

73. A.O.Golubok, S.A.Masalov, D.V.Kurochkin, O.M.Gorbenko, N.I.Komyak, V.M.Ustinov, A.Yu.Egorov, A.R.Kovsh, M.V.Maximov, A.F.Tsatsurnikov,

74. B.V.Volovik, A.E.Zhukov, P.S.Kop'ev, Zh.I.Alferov, N.N.Ledentsov, M.Grundmann, D.Bimberg. Formation of InAs quantum dots on a silicon (100) surface. Semicond. Science and Technol. 1998,13, p. 1262-1265.