Предвзрывные процессы, инициированные действием контактного электрического поля в кристаллах азида серебра тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

На правах рукописи

"и°иьа7Э4 ДОБРЫНИН Дмитрий Владимирович 3 — ь ,

О Ч 2007

ПРЕДВЗРЫВНЫЕ ПРОЦЕССЫ, ИНИЦИИРОВАННЫЕ ДЕЙСТВИЕМ КОНТАКТНОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ В КРИСТАЛЛАХ АЗИДА СЕРЕБРА

Специальность 02 00 04 "Физическая химия"

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Кемерово 2007

003069794

Работа выполнена на кафедре химии твердого тела

ГОУ ВПО "Кемеровский государственный университет"

Научные руководители доктор физико-математических наук, про

фессор

Крашенинин Виктор Иванович

кандидат физико-математических наук, доцент

Кузьмина Лариса Владимировна

Официальные оппоненты доктор физико-математических наук, про-

фессор, заслуженный деятель науки РФ Лисицын Виктор Михайлович

кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник Белокуров Геннадии Михайлович

Ведущая организация

Кемеровский филиал института "Химии твердого тела и механохимии" СО РАН

Защита диссертации состоится 25 мая 2007 г в 10— часов на заседании совета по защите диссертаций Д 212 088 03 в ГОУ ВПО "Кемеровский государственный университет"

(650043, г Кемерово, ул Красная, 6)

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ГОУ ВПО "Кемеровский государственный университет" Автореферат разослан 17 апреля 2007 г Ученый секретарь совета Д 212 088 03

доктор химических наук, профессор Е И Кагакин

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность

Азиды тяжелых металлов (ATM) являются неустойчивыми соединениями, особенностью которых является высокая энергонасыщенность При внешних неконтролируемых воздействиях различной природы, во время эксплуатации, при транспортировке или хранении изделий в состав которых входят ATM, процессы старения могут значительно ускоряться, следствием чего является отказ работы изделия, что принципиально ограничивает область применения азидов тяжелых металлов и нередко влечет за собой значительный материальный ущерб В связи с чем, приобретают актуальность вопросы управления реакционной способностью и стабильностью энергетических материалов

К наиболее распространенным и трудным в обнаружении и контроле факторам, влияющим на работу изделий, где применяются ATM, все больший интерес представляют электромагнитные поля неконтролируемого происхождения, например, различные проявления статического электричества, излучения мощных электротехнических и радиотехнических устройств, а также действие различных техногенных источников Процессы, протекающие в ATM при действии электрического поля, изучены достаточно хорошо, однако, остается открытым вопрос относительно их механизма Так, для электрического поля установлено, что постоянное и переменное поля способны запускать как реакцию медленного разложения, так и взрывного Интересными также являются эффекты влияния бесконтактных электромагнитных полей, которые в силу своей энергетики ранее вообще не рассматривались, однако, как оказалось, по эффективности воздействия могут даже превосходить сильные поля

В качестве объектов исследования были выбраны нитевидные кристаллы азида серебра, так как они являются модельными объектами химии твердого тела и, кроме того, физико-химические свойства данных материалов достаточно хорошо изучены

Целью работы является изучение основных закономерностей и развитие модельных представлений процесса перехода реакции медленного электрополевого разложения во взрывное в кристаллах азида серебра

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи'

1) получение экспериментальных данных, описывающих кинетику предвзрывных процессов (анализ предвзрывной проводимости, изменения дефектной структуры и кинетики внешнего газовыделения),

2) исследование стрикционных явлений при действии электрического поля,

3) разработка методов измерения и управления взрывной чувствительностью образцов

Защищаемые положения:

1) переходу реакции во взрыв в кристаллах азида серебра предшествует генерация неравновесных электронов и дырок в результате реакции медленного разложения в анионной подрешетке,

2) модель перехода реакции медленного разложения во взрывное в кристаллах азида серебра,

3) методы управления взрывной чувствительностью кристаллов азида серебра электромагнитными и упругими полями

Научная новизна:

- предложена модель перехода медленного разложения азида серебра во взрывное в режиме инжекции основных носителей заряда, включающая несколько последовательных стадий,

- впервые обнаружено влияние слабого бесконтактного электрического поля (Е~105-102В/см) на взрывную чувствительность азида серебра,

- впервые обнаружена гигантская электрострикция кристаллов азида серебра (максимальное изменение размеров кристаллов соответствует значению ДС/1=(1,6±0,5) 102,

- предложены методы управления стабильностью и взрывной чувствительностью кристаллов азида серебра электромагнитными и упругими полями Практическая значимость работы определяется возможностью использования полученных экспериментальных данных для целенаправленного изменения взрывной чувствительности взрывчатых веществ к действию постоянного электрического поля

Апробация работы

Материалы диссертации доложены на ХЬ, ХЫ1 Международных научных студенческих конференциях «Студент и научно-технический прогресс» (г Новосибирск, 2002, 2004), на IX Международной конференции «Физико-химические процессы в неорганических материалах» (г Кемерово, 2004), на XXIX, XXII конференциях студентов и молодых ученых Кемеровского государственного университета (г Кемерово, 2002, 2005), на II Всероссийской конференции "Энергетические конденсированные системы" (г Черноголовка, 2004), на Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехноло-гии» (г Кисловодск, 2004,2005,2006 гг) Публикации

Результаты проведенных исследований изложены в 15 работах, из них в реферируемых изданиях- 2 Список публикаций, содержащий основные работы, приведен в конце автореферата Объем и структура работы

Диссертация состоит из четырех глав, введения, заключения и списка цитируемой литературы, содержащего 135 наименования В заключении приведены основные результаты и выводы Работа изложена на 165 страницах машинописного текста и содержит 69 рисунков, 11 таблиц

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обсуждается актуальность проблемы, излагаются защищаемые положения, определены цель и задачи работы, приводится структура диссертации

В первой главе представлены литературные данные по исследованиям проводимости, электронного и ионного переноса, особенностям реакционной способности Описаны энергетическая структура, кристаллическая решетка и некоторые физико-химические свойства азида серебра Проведен анализ механизмов взрывного разложения азида серебра Перечислены методы измерения взрывной чувствительности взрывчатых веществ Анализ литературных данных позволил сделать постановку задачи диссертационного исследования

Во второй главе представлены методики выращивания кристаллов азида серебра, способы приготовления образцов и экспериментальных ячеек для исследования пластической деформации, реакции медленного разложения, проводимости, методики проведения измерений и анализ ошибок измерения

Исследование дислокационной структуры азида серебра осуществляли методами порошковых фигур и ямок травления. Анализ газообразных продуктов разложения кристаллов азида серебра проводили методом Хилла, внешнего газовыделения и торцевого газа

Азид серебра является высокоомным материалом и для измерения проводимости обычно используют приборы с высоким входным сопротивлением, что не позволяет измерять быстропротекающие процессы Поэтому для исследования проводимости в предвзрывной области нами была разработана установка, в которой использовалась широкополосная линия задержки сигнала, позволяющая измерять кинетику тока за 3,5 мкс до взрыва

В третьей главе представлена разработанная нами методика определения взрывной чувствительности для конкретного случая переход медленного электрополевого разложения во взрывное В настоящее время "взрывная чувствительность" используется в качестве технологического параметра, в который не вкладывается физического смысла В данной работе для определения взрывной чувствительности в качестве объектов использовались нитевидные кристаллы азида серебра, физические свойства которых к настоящему времени достаточно подробно изучены (рис 1) Кроме того, за последние два десятилетия в лабораториях кафедры химии твердого тела Кемеровского госуниверситета исследование медленного

[010]

^ (001) [100]

[001]

Рис 1 Индексы граней и кристаллографических направлений азида серебра

разложения ATM позволило сформулировать модельные представления физико-химических процессов, протекающих в кристаллах и имеющих цепной характер

Для определения "взрывной чувствительности" изучали процесс перехода реакции во взрыв при действии контактного электрического поля, а также оценивали влияние на чувствительность образцов следующих факторов действие электромагнитных полей, ультразвук, механическое нагружение, облучение светом с длиной волны в области собственного поглощения

Первой стадией медленного электрополевого разложения азида серебра является инжекция дырок через специально подобранный контакт, при этом уровень инжекции определяет скорость медленного разложения Поскольку в наших условиях медленное разложение переходит во взрыв, то следует предположить, что время задержки взрыва должно зависеть определенным образом от уровня инжекции и материала контактов

В нашем случае мы имеем выпрямляющий контакт металла с полупроводником р-типа Простая теория Шотгки в основном позволяет понять тенденцию изменения контактных условий, в нашем случае высота барьера для дырок, при отсутствии предварительной обработки поверхности, будет соответствовать разности работ выхода металла и азида серебра <pAg=4,3 эВ, <Роа=3,96 эВ, фь = 3,8 эВ, q>Ag№= 4,6 эВ, а также констатировать следующий факт в данном ряде уровень инжекции дырок уменьшается

Чтобы определить влияние материала контакта, мы выбирали напряженность инициирующего поля таким образом, чтобы время задержки взрыва составляло порядка 350 с Данные обобщены в таблице 1

Из таблицы 1 видно уменьшение взрывной чувствительности в ряду Ag->Ga-Mn

Таблица 1

Изменение напряженности контактного электрического потя от материла электродов, при времени задержки взрыва 350 с

Материал контакта Напряженность, кВ/см 9,-фт, эВ

серебро 1,5 0,3

галлий 3,0 0,64

индий 5,0 0,8

Взрывную чувствительность определим как время задержки взрыва, при котором с достоверностью 50 % можно фиксировать факт взрыва образца, определяемого по вспышке или звуковому сигналу

Измерение времени задержки взрыва имеет ряд особенностей, обусловленных, прежде всего, вероятностным характером взрывного разложения, в большей степени в области малых напряженностей Сложности связаны с трудоемкостью эксперимента и анализом полученных данных, т к измеряемая величина времени задержки взрыва содержит вероятностную компоненту, и как показали эксперименты, зависит от биографии образца Поэтому предлагается для учета всех указанных параметров принять в качестве эталонного - время задержки взрыва при напряженности контактного электрического поля 300 В на 1 мм (ва-А§Ыз), т к эта напряженность поля соответствует при вероятности 50 % времени задержки взрыва - 350 с Если взрывная чувствительность - это время, необходимое для перехода медленного разложения во взрывное, тогда величина, обратная этому времени, пропорциональна максимальной скорости процесса, после которого реакция переходит во взрыв Температурный коэффициент, определенный из тангенса угла наклона зависимости логарифма обратного времени задержки взрыва от обратной температуры, составляет величину порядка 0,095 эВ, такое значение температурного коэффициента характерно для

Изучение взрывной

чувствительности проводили в различных вариантах действия электрического поля постоянного и переменного (50 Гц), контактного и полуконтактного (с кристаллом контактировал анод) Установлено, что в полуконтактном варианте кристаллы взрываются только в переменном поле Выбор частоты обусловлен тем, что минимальное время задержки взрыва

электронных процессов (рис 2)

I 1п(1/Г.,.),(с')

-4 1

0,2 0,25 0,3 0,35 0,4 (1/Т) Ю!, (С0)1

Рис 2 Зависимость логарифма обратного времени задержки взрыва от обратной температуры в кристаллах азида серебра для системы Ga-AgNз-Ga (Е=300 В/мм)

соответствует частоте 50 Гц, Кроме того, максимум скорости медленного электрополевого разложения также соответствует частоте 50Гц.

Экспериментально получены и обработаны зависимости вероятности взрывного разложения от напряженности контактного и г юлу контактно го электрического полей для различных времен и вариантов обработки (рис. 3.), которые схожи между собой но виду, из чего можно сделать предположение о едином характере процессов, инициирующих взрыв.

Установленным экспериментальным фактом является то, что в реакционных областях (РО) при воздействии электрического поля, УФ и у облучения, а также после обработки быстрыми электронами, происходит разложение в анионной подрешегке с образованием в приповерхностной области продукта, который при различных видах анализа (масс пектромеприч ее кого, волю мометри1чес кого) определен как Н,, а также происходит генерация неравновесных алейронов и дырок [ I ].

Рис 3. Зависимость вероятности взрыва, от напряженности постоянного контактного (а) и переменного (50 Гц) контактного (б), полуконтактною (в) электрических полей и времени задержки взрыва нормированного к единице

Генерация неравновесных электронов и дырок в РО сопровождается процессом рекомбинации, который действует наиболее эффективно вне РО В этом случае длина диффузии (I) определяется известным соотношением

где Б- коэффициент диффузии (м2 с"1), тг- время рекомбинации (с)

Таким образом, при увеличении плотности дислокаций в 2-3 раза происходит увеличение перекрывания облаков, образованных неравновесными носителями заряда, что однозначно приводит к увеличению проводимости всего образца

Исследование проводимости при действии контактного электрического поля в режиме фиксирования макрокинетики и в предвзрывной области позволило установить порядок протекающих токов в образцах, что качественно совпадает с результатами, полученными ранее для монокристаллов азида серебра Кинетика проводимости плавно нарастает до максимального значения (ст~1,8 10"70м"'), затем за 1,5 мкс до взрыва происходит резкий скачок (рис 4 )

При проведении работ отмечен факт того, что несколько образцов в серии имеют аномально большие отклонения взрывной чувствительности Также за время проведения экспериментов отмечено несколько случаев самопроизвольного взрыва образцов после обработки контактным электрическим полем Из этого следует, что время развития реакции после окончания воздействия несравнимо со временем рекомбинации, определяемое известным соот-

НОт Г)1Д,

(1)

б1 Го) Ю'Ом 1

ношением

430 в

(2)

00 В ч*'

где К- концентрация центров рекомбинации <10псм°, ит- тепловая скорость носителей заряда = 107см/с, а г- сечение захвата для нейтрального центра - 1015 см2

Рис 4 Зависимость проводимости от

времени

Оцененное таким образом время рекомбинации будет не более 10"9 с, что не сравнимо со временем, после которого наблюдается реакция при выключении электрического поля, а тем более с фактом самопроизвольного взрыва через 30 -300 с

Факт самопроизвольного взрыва можно объяснить цепным характером реакции Кроме того, после снятия напряжения на образце, объемные заряды, образованные инжектированными дырками, должны исчезнуть вследствие деполяризации за время порядка времени пролета

При и = 300 В, Ь = 1 мм, = 10 см2В''с1 [2] получим 1СГ6с Визуальные наблюдения показали, что во время действия контактного электрического поля (рис 5 ) количество мест газовыделения и, следовательно, РО постепенно увеличивается Следует отметить, что газ выделяется спустя =60 с после включения поля из определенных областей с наибольшей интенсивностью непосредственно перед взрывом Также отмечено, что РО пространственно совпадают с ямками травления Таким образом, мы наблюдаем, что во время действия поля увеличивается плотность дислокаций

При протекании электрополевого разложения за несколько секунд до взрыва у кристалла, приклеенного за оба конца, наблюдается изгиб над подложкой Чтобы определить количественно величину изменения размера образца при действии контактного электрического поля (3 кВ/см), использовали кристаллы (С=1 см), приклеенные за один конец Изменение размеров оценивали при помощи окуляра-микрометра Величина относительного изменения линейного размера образца ЛСД. вдоль направления [001], измеренное за 2 с до взрыва, составила значение (1,6+0,5) 10"2

Известно, что в бесконтактном электрическом поле как и в контактном, медленное разложение протекает совершенно одинаково, это следует из анализа кинетики скорости внешнего газовыделения и пост-процессов, однако в полуконтактном варианте при прочих равных условиях не происходит заметного ускорения реакции Наблюдения показали, что в полуконтактном варианте количество мест газовыделения является постоянным Подобный результат наблюдается и

при использовании метода ямок правления: после выдержки образца в полуконтактном электрическом поле в течение часа количество ямок травления остается прежним.

Это свидетельствует о том, что неизменной остается плотность дислокаций. Известно, что галлиевый контакт является стопором для краевых дислокаций, таким образом, можно предположить, что свободный конец кристалла является стоком для новых дислокаций, образующихся во время действия электрического поля. Исследования Кузьминой Л.В. [3] показали, что время образования стопоров дня свежев веденной дислокации составляет ==60 с. Время, необходимое для выхода дислокации из кристалла, можно оценить по соотношению (3) при этом: ц = 10" 4 смгВ''с'! - подвижность дислокации; Ь=0,1 см - максимальная длина пролета; и~300 В - напряжение. Оцененное таким образом время составляет ~ 0,3 с, что на

два порядка меньше, чем время, необходимое для образования стопора. Таким образом, отсутствие взрыва в полу контактном варианте можно объяснить тем, что в кристалле не происходит накопления новых дислокаций и, как следствие, не происходит образования новых РО.

В случае действия переменного полу кон гакгного электрического поля стимулирование реакции может происходить за счет закрепления дислокации в кристалле. Действительно, используя соотношение (3) можно оценить длину пробега дислокации за время полупериода действия напряжения, при этом эффективное значение напряжения за полупериод=525 В;т=0,01 с-время

10 с

60е

180 с

В^рын

Рис. 5 Фотоснимки внешнего 1а_ющ.1 деления при действии контактного электрического поля (Е = 3 кВ/с.м) (а); с указанием пространственного положения мест гачовы деления (б): о- место гаювьщеленнА

полупериода, р.=10"* см2В 'сподвижность дислокации Тогда максимальное отклонение дислокации от своего положения составит не более 2 10"2 см, что по размеру сопоставимо с размером ямки травления Можно предположить, что в этом случае дислокации успевают закрепиться на стопорах и они участвуют в образовании новых РО

Полученные результаты позволяют высказать некоторые модельные представления перехода медленного элекгрополевого разложения во взрывное в кристаллах азида серебра Предположим, что время задержки взрыва (тв,в) определяется последовательно происходящими стадиями медленного разложения Тогда V (4)

где Т]- время распространения объемного положительного заряда по межэлектродному пространству, которое определяется временем пролета инжектированных дырок от анода до катода Предполагая, что напряженность электрического поля в межэлекгродном пространстве является постоянной, т е Е(х) =и/Ь=ЗкВ/см, тогда это время будет соответствовать времени пролета ~ 3 10"6 с, оцененное по соотношению (3)

Т2- Время, необходимое для выхода скорости реакции в анионной подрешет-ке на стационар Грубо это время можно оценить по скорости внешнего газовыделения, для 3 кВ/см оно составляет величину порядка 1 минуты

Тз- Время, необходимое для образования новых дислокаций Приблизительно можно считать, что новые дислокации появляются при выходе скорости реакции на стационар, но скорость их появления, а значит и время т3 из наших данных определить невозможно Однако скорость образования суперплоскости в кристаллической решетке при механическом воздействии совпадает со скоростью звука, а значит этим временем можно пренебречь Будем считать, что образование дислокаций происходит в момент времени т2, т е при выходе реакции на стационар дислокации образуются мгновенно

Т4-Время образования РО для новой дислокации Это время составляет величину порядка 1 мин [3]

Т5- Развитие реакции в новой РО происходит с большей скоростью, чем в тех, которые были изначально Используемый в работе, один из вариантов волю-мометрического метода позволяет лишь с достоверностью сказать, что время выхода реакции на стационар составляет не более 0,5 мин Очевидно, что дырки, равновесные и инжектированные попадают в новые РО не только из объема образца, но и из соседних РО, таким образом, обогащая друг друга генерируемыми в химической реакции электронами и дырками, следовательно, ускоряя химическую реакцию

Таким образом, минимальное время задержки взрыва будет определяться суммой ТЮВ=Т2+Т4+Т5 и составит величину не менее 2,5 мин, что неплохо согласуется с экспериментальными данными Действительно, при среднем времени задержки взрыва 6,5 мин оно составляет 2,5 мин

В нашем случае взрывная чувствительность - это, по существу, время перехода медленного разложения во взрывное и поскольку, мы предполагаем, что это последовательные стадии, то изменение скорости одной из этих стадий должно привести к прогнозируемым изменениям взрывной чувствительности Выясним, насколько важна четвертая стадия"7

Известно [3], что время образования РО (т4) при введении в кристалл AgNз "свежей" дислокации, определяется количеством примесей Чтобы выяснить, является ли 4 стадия звеном общего аддитивного процесса, проведем следующий эксперимент, схема которого приведена ниже

В первом периоде выводим краевые дислокации из кристалла с помощью магнитного поля

Второй период - электроочистка Время этого процесса и определяет скорость образования РО для свежевведенной дислокации в третьем периоде

Четвертый период - это выдержка образца, необходимая для образования новых РО на свежевведенных дислокациях После этих процедур плотность дислокаций в кристалле равна исходной (— 5 103 см2), которая соответствует плотно-12 з 4

МапТитнае пол"^)^СКТри,)СС*ое< Механичсскс!* -*1!*- ^

1000Э поле 100 В/см нагружгние Этсирическое

поле 3 кВ/см

сти РО, т е получаем образец идентичный исходному, но с меньшей концентрацией примеси Такие образцы имеют низкую взрывную чувствительность Время тмв составило величину более 60 минут Таким образом, при переходе медленного разложения во взрывное система проходит ряд последовательных стадий, одна из которых - увеличение плотности дислокаций и образование новых РО

Четвертая глава посвящена методам управления взрывной чувствительностью при помощи воздействия на носители заряда и дефектную структуру кристаллов азида серебра бесконтактным электрическим, магнитным полями и обработкой ультразвуком

Очевидно, что слабым поперечным полем можно управлять и взрывной чувствительностью, поскольку медленное разложение предшествует взрыву

Одним из способов управления скоростью твердофазной реакцией разложения является изменение, каким- либо образом приповерхностного изгиба зон в РО Наиболее простой способ - использование бесконтактного электрического поля, вектор напряженности которого параллелен вектору касательной к линии дислокаций В этом случае внешнее электрическое поле в зависимости от его направления либо складывается, либо вычитается с полем приповерхностного объемного заряда (рис 6 )

Если слой объемного заряда принять равным 5 мкм (данная величина определяется глубиной выделения газообразного продукта твердофазной реакции разложения при растворении кристалла), а приповерхностный изгиб зон (ДЕз^Л эВ, то напряженность поля объемного заряда (Ега)~ 200 В/см Таким образом, напряженность внешнего поля (Евп) должна быть порядка 200 В/см Кроме того, в режиме инжекции основных носителей заряда (дырок) концентрация их, согласно статистики Больцмана, определя-

Рис 6 Энергетическая диаграмма при- ется положением квазиуровня Ферми поверхностного слоя азида серебра [1]

, зона проводимости

Ее

+ -

+

+

Еу

+

валентная зона

е..

Fp=kTln(N/p) (5)

С другой стороны, концентрацию инжектированных дырок можно оценить либо для плоско- параллельной, либо для планарной геометрии образцов Поскольку, используемая в экспериментах геометрия является промежуточной, то будем ориентироваться на два крайних случая Плоско- параллельная геометрия [4]

р,=9ЕЕПУв (6)

8 eL2

Планарная геометрия [5]

р2=2 ееоквЩеЩ-' (7) где 9- коэффициент прилипания, h=30 мкм - толщина кристалла. Коэффициент прилипания можно оценить по отношению дрейфовой подвижности носителей заряда в условиях сильного захвата (цдр~ 10 cm2B"V) к холловской (дх=1600см2В'1с'1 [6])

М,

При напряженности 3 кВ/см и допущении, что эффективная масса дырки равна массе покоя электрона, получаем

Fpi=0,39 эВ, Fp2-0,06oB Если считать, что в азиде серебра относительный уровень Ферми Fo=0,9-0,7 эВ, то инжекция дырок приводит к существенному понижению квазиуровня Ферми Таким образом, падение внешнего напряжения в слое приповерхностного объемного заряда для обеспечения условий дрейфа дырок в РО должно быть меньше 0,1 В и, следовательно, напряженность внешнего поля меньше 200 В/см Кроме того, неизвестно распределение напряжения между образцом и воздушными слоями Учет этого факта также приводит к неконтролируемому нами уменьшению падения напряжения на образце, а значит и к увеличению напряженности внешнего электрического поля

На рис 7 приведена зависимость взрывной чувствительности азида серебра по отношению к действию постоянного контактного электрического поля (ЗкВ/см) от напряженности бесконтактного поперечного электрического поля Наблюдается пик (минимум на кривой 2 рис 7) - резкое увеличение взрывной чувствительности при Е =100-150 В/см Как и предполагали, этот пик появляется только при одной полярности, когда над поверхностью, на которой расположены галлиевые контакты, т е над поверхностью, где расположены РО, находился отрицательный электрод В этой геометрии вектор напряженности внешнего бесконтактного электрического поля направлен противоположно вектору напряженности поля приповерхностного объемного заряда, что приведет к уменьшению приповерхностного изгиба зон, выходу дырок в РО и развитию химического процесса, который сопровождается генерацией электронов и дырок Величина напряженности бесконтактного электрического поля, при которой наблюдается максимум взрывной чувствитель-

при больших Е„, образцы не взрывались

101 10° 101 102 103

/#£„<„, (В/см)

Рис 7 Зависимость взрывной чувствительности азида серебра по отношению к действию постоянного контактного электрического поля (Е=3 кВ/см) от напряженности бесконтактного поперечного электрического поля

1- в случае попожительной полярности верхней обкладки,

2- в случае огрицательной полярности верхней обкладки,

3-линия, характеризующая вечичину времени задержки взрыва без действия поперечного бесконтактного электрического поля

ности меньше, чем 200 В/см Дальнейшее увеличение поля приводит к уменьшению взрывной чувствительности При исследовании медленного разложения в скрещенных полях данный факт связывают с ионной диффузионно- дрейфовой стадией, а именно с реконструкцией барьера для выхода дырок в РО Это связано со следующими обстоятельствами При включении полей дырки, как более подвижные, чем междоузельные катионы серебра (А£,+) попадают в РО быстрее (подвижности дырок

и Ag¡+ различаются более чем на 8 порядков) Развитие реакции сопровождается генерацией электронов и дырок, что приводит к разгибу зон в приповерхностной области кристалла и последующему дрейфу к поверхности во внешнем бесконтактном электрическом поле, что приводит к восстановлению изгиба зон, то есть восстановлению энергетического барьера для выхода дырок в РО и прекращению реакции Чем больше внешнее напряжение, тем больше вероятность описанного процесса

В физике полупроводников известно соотношение для напряженности электрического поля Екр, когда дрейфовой составляющей тока можно пренебречь по отношению с диффузионной составляющей

(8)

** I

где Цр=1600 см2В"'с' - подвижность носителей заряда [6], Ьр- длина диффузии (см), тг- время рекомбинации (с)

Определим коэффициент диффузии по соотношению Эйнштейна, а время рекомбинации по соотношению (2), получим Екр =40 В/см

Наиболее значимым фактом является резкое уменьшение взрывной чувствительности в области напряженностей электрического поля 10*5-10"2 В/см Чем меньше значение напряженности, тем соответственно меньше скорость дрейфа и меньше влияние этого поля на взрывную чувствительность Однако наблюдаем противоположный эффект Можно предположить, что механизм действия слабых электрических полей на реагенты химической реакции изменяется

Также в настоящей работе получены экспериментальные данные, указывающие на связь взрывной чувствительности с дефектной структурой кристаллов азида серебра

Известно [7], что если вектор напряженности магнитного поля перпендикулярен к касательной линии дислокации, то такие дислокации выводятся магнитным полем на поверхность кристалла Помещая кристаллы в магнитное поле (ЗкЭ), направленное вдоль оси [001], мы осуществили вывод дислокаций с рабочей грани и получили кристаллы, которые в течение 40 минут в контактном элек-

трическом поле (300 В/мм) не претерпевали взрывное разложение Очевидно, за это время образовались новые дислокации и соответственно РО

Применив метод вывода дислокаций с грани (010) и, проведя электроочистку [3], получили образцы, способные взрываться только после 1 часа воздействия контактным электрическим полем напряженностью 300 В/мм

Помещая кристаллы в скрещенные магнитные поля, мы достигли одновременного вывода дислокаций с граней (110) и (010) и получили образцы, которые взрывались после 2 часов воздействия контактным электрическим полем Таким образом, установлено что, изменяя плотность дислокаций и концентрацию заряженных дефектов указанными методами, можно значительно снизить взрывную чувствительность

Еще одним способом влияния на взрывную чувствительность кристаллов азида серебра является предварительная обработка ультразвуком, поскольку такое воздействие изменяет плотность дислокаций Действительно мы получили полиэкстремальные зависимости изменения плотности дислокаций и времени задержки взрыва от времени обработки ультразвуком

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ:

1 Захаров, В Ю Физико-химические процессы в азидах тяжелых металлов и дислокационная структура / В Ю Захаров, В И Крашенинин, Е Г Газенаур, А И Гасанов, В И Якунина//Известия вузов Физика -2002 -№6 - С 17-21

2 Крашенинин, В И Способ визуального определения дрейфовой подвижности в азидах тяжелых металлов / В И Крашенинин, Е Г. Газенаур, А Ю Сталинин// Патент RU2080688 1997 Бюл №15 - С 1-8

3 Крашенинин, В И Влияние магнитных полей на образование реакционных областей в кристаллах азида серебра / В И Крашенинин, Л В Кузьмина, М А Дорохов, Д В Добрынин//Химическая технология -2005 -№12 - С 8-10

4 Ламперт, М Инжекционные токи в твердых телах / М Ламперт, П Марк И М Мир, 1973 -416 с

5 Geurst, J A Theory of space - charge - limited currents in thin semiconductor layers /J A Geurst//Phys StatusSohdi, 1966 -№15 -P 107-118

6 Картужанский, A J! Подвижность носителей заряда в азиде серебра /АЛ Картужанский, В И Крашенинин, Л В Кузьмина, А Ю Сталинин // Письма ЖТФ 1994 -Т 20 -В 8 -С 1-3

7 Крашенинин, В И Реакционная способность и дислокационная структура кристаллов азидов серебра и свинца в переменном магнитном поле / В И Крашенинин, Л В Кузьмина, М А Дорохов // Фундаментальные проблемы современного материаловедения -2004 -№2 -С 92-95

8. ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1 Разработана методика измерения взрывной чувствительности кристаллов азида серебра при действии постоянного электрического поля

2 Экспериментально установлено, что взрывному разложению кристаллов азида серебра предшествует резкое увеличение скорости внешнего газовы-дения, электрической проводимости, а также изменение линейных размеров образцов

3 Обнаружена гигантская электрострикция кристаллов азида серебра Максимальное изменение размеров кристаллов соответствует значению ДСД>=(1,6±0,5) 10 2

4 На основе полученных экспериментальных данных предложена непротиворечивая модель перехода реакции медленного электрополевого разложения во взрывное, представляющая ряд последовательных стадий ин-жекция основных носителей заряда (дырок), развитие реакции в реакционных областях, генерация новых дислокаций и образование новых реакционных областей, развитие реакции в новых реакционных областях. Это позволило предсказать минимальное время (2 мин 30 с) перехода медленного электрополевого разложения во взрывное в кристаллах азида серебра

5 Экспериментально установлен факт отсутствия перехода медленного разложения во взрывное при действии постоянного электрического поля в полуконтактном варианте, при этом не наблюдается генерации новых дислокаций, а, следовательно, образования новых реакционных областей, что не противоречит предложенной модели При действии переменного электрического поля (50 Гц) в полуконтактном варианте наблюдается переход медленного разложения во взрывное, которому предшествует образование новых реакционных областей, что связано с закреплением дислокаций на стопорах

6 Разработаны новые методы управления стабильностью и взрывной чувствительностью кристаллов азида серебра с помощью электрических (Е=10"5 —102 В/см), магнитных (Н =0,3 Тл) и упругих полей

СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

1 Добрынин, Д В Взрывное разложение азида серебра в контактном электрическом поле / Д В Добрынин // Тез докл XXIX конф студентов и молодых ученых КемГУ - Кемерово, 2002. - С 320

2 Добрынин, Д В Разложение азидов тяжелых металлов в постоянном и переменном магнитных полях / Д В Добрынин, Ю В Соловьева, M А Дорохов // Мат-лы XL Междунар науч студ конф «Студент и научно- технический прогресс» - Новосибирск, 2002 - С 194

3 Добрынин, Д В Влияние ультразвука и УФ облучения на взрывное очувстле-ние кристаллов азида серебра / Д В Добрынин, Я Ю Шохин // Мат-лы XLI Междунар науч студ конф «Студент и научно- технический прогресс» - Новосибирск, 2003.-С 122

4 Храмченко, В Е Физико- химические процессы в кристаллах азида серебра инициированные постоянным электрическим полем / В Е Храмченко, Д В Добрынин // Тез докл Второй обл научн конф «Молодые ученые- Кузбассу» -Кемерово, 2003-С 158

5 Добрынин, Д В Влияние механических нагрузок на взрывное очувствление кристаллов азидов тяжелых металлов / Д В Добрынин, С А Михайлов // Мат-лы XLII Междунар науч студ конф «Студент и научно- технический прогресс» -Новосибирск, 2004-С 162

6 Добрынин, Д В Влияние механического нагружения на взрывное очувствление азида серебра / Д В Добрынин, С А Михайлов // Сб трудов студ и мол ученых КемГУ, посвящен 50-летию КемГУ, 2004 - Т 2 -Вып 5 -С 273-275

7 Крашенинин, В И Управление взрывной чувствительностью азидов тяжелых металлов / В И Крашенинин, Л В Кузьмина, Д В Добрынин // Тез докл II Всероссийской конференции «Энергетические конденсированные системы» - Черноголовка, 2004 -С 47-48

8 Крашенинин, В И Роль дефектной структуры во взрывном разложении кристаллов азидов тяжелых металлов / В И Крашенинин, Л В Кузьмина, Д В Доб-

рынин // Мат-лы 9 междунар конф «Физико-химические процессы в неорганических материалах» - Кемерово - 2004 -Т 2-С 428-431

9 Добрынин, Д В Особенности предвзрывных процессов в азвде серебра / Д В Добрынин, С. А Михайлов, М Н Петрищев // Сб трудов студ и мол ученых, посвященный 60- летию Победы в ВОВ - Кемерово, 2005 -Т.З -Вып 6 -С 211214.

10 Добрынин, Д В Влияние ультразвука на реакционную способность кристаллов азида серебра / Д В Добрынин, М А Дорохов, А Ю. Стряпунин//Сб трудов студ и мол ученых, посвященный 60- летию Победы в ВОВ -Кемерово, 2005 -Т 3 —Вып 6,-С 218-219

11 Кузьмина, Л В Механоактивация взрывной чувствительности нитевидных кристаллов азида серебра / Л В Кузьмина, Д В Добрынин // Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии - IV Международная конференция Кисловодск, 2004-С 193-196

12 Кузьмина, Л В Предвзрывные процессы в кристаллах азида серебра инициированные действием контактного электрического поля / Л В Кузьмина, Д В Добрынин, М Н Петрищев // Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии. V Международная конференция -Кисловодск, 2005 — С 98-99

13 Крашенинин, В И Влияние магнитных полей на образование реакционных областей в кристаллах азида серебра / В И Крашенинин, Л В Кузьмина, Д В. Добрынин, М А Дорохов//Химическая технология -2005 -№12 -С 8-10

14 Крашенинин, В И Физико-химические свойства кристаллов азида серебра, выращенные в постоянном магнитном поле / В И Крашенинин, Л В Кузьмина, Д В Добрынин, М А Дорохов//Материаловедение-2005-№ 11 С 17-21

15 Кузьмина, Л В Влияние ультразвука на дислокационную структуру и процесс разложения кристаллов азида серебра / Л В Кузьмина, В И Крашенинин, Д В Добрынин, М А Дорохов // Деформация и разрушение материалов - 2006 - № 2 -С 30-32

Подписано к печати 17 04 2007 г Формат 60x84 1/16 .

Печать офсетная Печ л 1,25 Уч-изд л 1,25 Тираж 100 экз Заказ № 40/д26^> ГОУ ВПО "Кемеровский государственный университет"

650043, Кемерово, ул Красная, 6 Отпечатано в типографии издательства «Кузбассвузиздат» 650043, Кемерово, ул Ермака, 7

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Физико-химические свойства азида серебра

1.2. Кристаллическая структура азида серебра

1.3. Дефектная структура азида серебра

1.3.1. Общая характеристика дефектов

1.3.2. Линейные дефекты кристаллической структуры азида серебра

1.4. Энергетическая структура азида серебра

1.5. Реакционная способность и пластические свойства ATM

1.6. Особенности протекания электрического тока в ATM

1.7. Некоторые модели взрывного разложения ATM при действии 63 различных физических полей

1.8. Чувствительность к взрыву взрывчатого вещества. Постановка 70 задачи исследования.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1. Синтез и выращивание объектов исследования

2.2. Приготовление образцов и техника экспериментов

2.2.1. Методы исследования продуктов разложения

2.2.2.Методы исследования дислокационной структуры

2.2.3. Методы исследования проводимости

2.3. Учет систематической ошибки при проведении измерений

ГЛАВА 3. МЕДЛЕННОЕ И ВЗРЫВНОЕ РАЗЛОЖЕНИЕ, ИНИЦИИРОВАННОЕ КОНТАКТНЫМ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПОЛЕМ В КРИСТАЛЛАХ АЗИДА СЕРЕБРА

3.1. Определение условий перехода реакции во взрыв при действии 90 электрического поля

3.1.1. Исследование токовых зависимостей

3.1.2. Определение взрывной чувствительности, ее зависимость от частоты электрического поля и температуры

3.1.3. Влияние материала контакта на время задержки взрыва

3.1.4. Микроскопическое исследование РО

3.2. Исследование процессов дефектообразования и образования металла, сопровождающих медленное разложение

3.3. Влияние межэлектродного расстояния на взрывную чувствительность

3.4. Теоретические представления перехода медленного разложения во взрывное в ATM

3.4.1 О природе реакционных областей

3.4.2 Модель перехода реакции во взрыв

3.5. Экспериментальная проверка модели перехода медленного разложения во взрыв

Основные результаты главы

ГЛАВА 4. УПРАВЛЕНИЕ ВЗРЫВНОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬЮ РАЗЛИЧНЫМИ ФИЗИЧЕСКИМИ ПОЛЯМИ

4.1. Управление взрывной чувствительностью кристаллов азида серебра бесконтактным электрическим и магнитным полями

4.2. Управление взрывной чувствительностью кристаллов азида серебра путем изменения дефектной структуры

Основной задачей, стоящей перед химией твердого тела и материаловедением систем со сложным химическим составом, является разработка научных основ теории стабильности и реакционной способности данных материалов.

Азиды тяжелых металлов (ATM) являются неустойчивыми соединениями, особенностью которых является высокая энергонасыщенность, проявляющаяся в том, что при внешних воздействиях различной природы, во время эксплуатации, при транспортировке или хранении, процессы старения могут значительно ускоряться, следствием чего является отказ работы изделия, что принципиально ограничивает область применения ATM и нередко влечет за собой значительный материальный ущерб.

Поиск путей повышения стабильности ATM к неконтролируемым внешним воздействиям определяет практическую значимость работы. Эта задача решается на протяжении нескольких последних десятилетий.

К наиболее распространенным и трудным в обнаружении и контроле факторам, влияющим на работу изделий, где применяются ATM все больший интерес представляют электромагнитные поля неконтролируемого происхождения, например, различные проявления статического электричества, излучения мощных электротехнических и радиотехнических устройств, а также действие различных техногенных источников. В настоящее время остается открытым вопрос относительно механизма процессов, протекающих в ATM при действии электрического поля. Так для электрического поля установлено [1, 2], что постоянное и переменное поля способны инициировать, как реакцию медленного разложения, так и взрывного.

Исследования медленного разложения кристаллов азида серебра инициированного действием постоянного электрического поля, показали, что реакция в анионной подрешетке сопровождается генерацией неравновесных электронов и дырок, и при снятии напряжения, подаваемого на кристалл в контактном варианте, химическая реакция и сопровождающие ее процессы наблюдаются в течении 25^30 минут [4]. Пост-процессы электрополевого разложения азида серебра сопровождаются генерацией электрон-дырочных пар в реакционных областях, которые совпадают с местами выхода краевых дислокаций на поверхность кристалла. Было показано, что в объеме кристалла реакция медленного разложения в анионной подрешетке останавливается на стадии образования промежуточного продукта, предположительно N6 [5].

Прямое экспериментальное изучение явлений, связанных с совместным действием различных физических полей на инициирование реакции взрывного разложения контактным электрическим полем может оказаться полезным в решении проблем чувствительности и стабильности данных материалов. Для выяснения механизма разложения и поиска путей повышения устойчивости AgN3 к данным видам воздействия целесообразно исследовать начальные стадии процесса.

К настоящему времени вопросы, связанные как с механизмом медленного разложения, так и перехода реакции в самоускоряющейся режим в азиде серебра при действии электрического поля являются спорными. Выявление общих закономерностей разложения азида серебра под действием постоянных и переменных электрических полей внесет вклад в разработку и понимание механизма разложения ATM.

В качестве объекта исследования выбран азид серебра — традиционный модельный объект химии твердого тела, обладающий целым рядом уникальных свойств, обуславливающих постоянное внимание ученых.

Целью работы является: изучение основных закономерностей и развитие модельных представлений процесса перехода реакции медленного электрополевого разложения во взрывное в кристаллах азида серебра.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

1) получение экспериментальных данных, описывающих кинетику предвзрывных процессов (анализ предвзрывной проводимости, изменения дефектной структуры и кинетики внешнего газовыделения);

2) исследование стрикционных явлений при действии электрического поля;

3) разработка методов измерения и управления взрывной чувствительностью образцов.

Защищаемые положения:

1) переходу реакции во взрыв в кристаллах азида серебра предшествует генерация неравновесных электронов и дырок в результате реакции медленного разложения в анионной подрешетке;

2) модель перехода реакции медленного разложения во взрывное в кристаллах азида серебра;

3) методы управления взрывной чувствительностью кристаллов азида серебра электромагнитными и упругими полями. Научная новизна работы:

• предложена модель перехода медленного разложения азида серебра во взрывное в режиме инжекции основных носителей заряда, включающая несколько последовательных стадий;

• впервые обнаружено влияние слабого бесконтактного электрического поля (Е-КГ-НО"" В/см) на взрывную чувствительность азида серебра;

• впервые обнаружена гигантская электрострикция кристаллов азида серебра (максимальное изменение размеров кристаллов соответствует значению АМ=(1,6±0,5>10"2;

• предложены методы управления стабильностью и взрывной чувствительностью кристаллов азида серебра электромагнитными и упругими полями.

Практическая значимость работы определяется возможностью использования полученных экспериментальных данных для целенаправленного изменения взрывной чувствительности по отношению к действию постоянного электрического поля. Апробация работы

Материалы диссертации доложены на ХЬ, ХЫ1 Международных научных студенческих конференциях «Студент и научно-технический прогресс» (г. Новосибирск, 2002, 2004гг.); на IX Международной конференции «Физико-химические процессы в неорганических материалах» (г. Кемерово, 2004 г.); на XXIX, XXII конференциях студентов и молодых ученых Кемеровского государственного университета (г. Кемерово, 20022005 гг.); на II Всероссийской конференции "Энергетические конденсированные системы" (г. Черноголовка, 2004 г.); на Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (г. Кисловодск, 2004, 2005, 2006);

Объем и структура работы;

Представляемая работа состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы, содержащего 135 наименований. В заключении приведены основные результаты и выводы. Работа изложена на 165 страницах машинописного текста и содержит 69 рисунков, 11 таблиц.

В первой главе представлены литературные данные по исследованиям ионного и электронного переноса, особенностям реакционной способности. Описаны энергетическая структура, кристаллическая решетка и некоторые физико-химические свойства азида серебра. Проведен анализ механизмов взрывного разложения азида серебра.

Во второй главе представлены методики выращивания кристаллов азида серебра, способы приготовления образцов и экспериментальных ячеек для исследования пластической деформации, реакции медленного разложения, проводимости, методики проведения измерений и анализ ошибок измерения.

Исследование дислокационной структуры азида серебра осуществляли методами порошковых фигур и ямок травления. Анализ газообразных продуктов разложения кристаллов азида серебра проводили методом Хилла и внешнего газовыделения.

Азид серебра является высокоомным: материалом и для измерения проводимости обычно используют приборы с высоким входным сопротивлением, что не позволяет измерять быстропротекающие процессы. Поэтому для исследования проводимости в предвзрывной области нами была разработана установка, в которой использовалась широкополосная линия задержки сигнала, позволяющая измерять кинетику тока за 3,5 мкс до взрыва.

В третьей главе представлены результаты исследования физико-химических процессов, инициированных в кристаллах азида серебра электрополевым воздействием. Показано, что реакция взрывного разложения азида серебра сопровождается генерацией дислокаций и стрикционными процессами. Переход реакции во взрыв обусловлен образованием новых РО, что приводит к изменению равновесия между процессами генерации носителей заряда и их рекомбинации. Данный факт подтверждается кинетикой предвзрывного тока, возможностью инициирования реакции взрывного разложения в условиях монополярной инжекции, в полуконтактном варианте и после энергетической обработки, что являлось причиной самопроизвольного взрыва образцов. Обнаруженные металлические дендриты не оказывают решающего воздействия на процесс перехода реакции во взрыв.

Четвертая глава посвящена методам управления взрывной чувствительностью при помощи воздействия на носители заряда и дефектную структуру кристаллов азида серебра бесконтактным электрическим, магнитным полями и обработкой ультразвуком.

11

Автор считает своим приятным долгом выразить признательность и глубокую благодарность: научному руководителю доктору физико-математических наук, доценту Крашенинину Виктору Ивановичу; кандидату физико-математических наук, доценту Кузьминой Л.В.; доктору химических наук, профессору, чл. - корр. РАН Захарову Ю.А., а также, к.ф-м.н. Дорохову М.А., Бардиной И.И., Нестерюк Л.С., Бурсову С.Н. за помощь в выполнении и обсуждении элементов работы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Разработана методика измерения взрывной чувствительности кристаллов азида серебра при действии постоянного электрического поля.

2. Экспериментально установлено, что взрывному разложению кристаллов азида серебра предшествует резкое увеличение скорости внешнего газовыделения, электрической проводимости, а также изменение линейных размеров образцов.

3. Обнаружена гигантская электрострикция кристаллов азида серебра. Максимальное изменение размеров кристаллов соответствует значению

Ае/е=(1,6±0,5)-10"2.

4. На основе полученных экспериментальных данных предложена непротиворечивая модель перехода реакции медленного электрополевого разложения во взрывное, представляющая ряд последовательных стадий: инжекция основных носителей заряда (дырок); развитие реакции в реакционных областях; генерация новых дислокаций и образование новых реакционных областей; развитие реакции в новых реакционных областях. Это позволило предсказать минимальное время (2 мин 30 с) перехода медленного электрополевого разложения во взрывное в кристаллах азида серебра.

5. Экспериментально установлен факт отсутствия перехода медленного разложения во взрывное при действии постоянного электрического поля в полу контактном варианте, при этом не наблюдается генерации новых дислокаций, а, следовательно, образования новых реакционных областей, что не противоречит предложенной модели. При действии переменного электрического поля (50 Гц) в полу контактном варианте наблюдается переход медленного разложения во взрывное, которому предшествует образование новых реакционных областей, что связано с закреплением дислокаций на стопорах.

6. Разработаны новые методы управления стабильностью и взрывной чувствительностью кристаллов азида серебра с помощью электрических

5 2

Е=Т0" +10 В/см), магнитных (Н ~0,3 Тл) и упругих полей.

1. Багал, Л. И. Химия и технология инициирующих взрывчатых веществ / Л. И. Багал. М.: Машиностроение, 1975. - 456 с.

2. Energetic Materials. Physics and chemistry of inorganic azides / Ed. by Fair H. D., Walker B. F. New York: Plenum Press, 1977. - Vol. 1 -503p.

3. Янг, Д. А. Кинетика разложения твердых веществ / Д. А. Янг. М.: Мир, 1969.-263 с.

4. Крашенинин, В. И. Электрополевое разложение азида серебра: влияние поперечных электрического и магнитного полей / В. И. Крашенинин, Л. В. Кузьмина, В. Ю. Захаров, А. Ю. Сталинин // Химическая физика. 1995. - Т. 14. - №4. - С. 126- 135.

5. Захаров, В. Ю. Медленное разложение азидов тяжелых металлов / В. Ю. Захаров, В. И. Крашенинин, Е. Г. Газенаур, А. И. Гасанов, В. И. Якунина // Боеприпасы. 2001. - № 4. - С. 61-67.

6. Боуден, Ф. Быстрые реакции в твердых телах / Ф. Боудеи, А. Иоффе. М.: Изд. иностранной литературы, 1962. - 243 с.

7. Химическая энциклопедия / Под ред. И. Л. Кнунянца. М.: Изд. Советская энциклопедия, 1988. - Т. 1. - 623 с.

8. Краткая химическая энциклопедия / Под ред. И. Л. Кнунянца. М.: Изд. Советская энциклопедия, 1961. - Т. 1. - 1262 с.

9. Evans, В. L. Physics and chemistry of inorganic azides / B. L. Evans, P. Gray, A. D. Yoffe // Chem. Rev. 1959. - V. 59. - № 4. - P. 515-569.

10. Gray, P. Chemistry of inorganic azides / P. Grey // Quart. Rev. Chem. 1963.-V. 17. -№ 1.-P. 771-793.

11. Muller, U. Strukturchmie der azide / U. Muller // Z. Anorg. Allg. Chem. 1972. - V. 392. - № 2. - P. 97-192.

12. West, С. D. The structure of silver azide / C. D. West // Cristallogr. -1965. -V. 95.-P. 421-425.

13. Guo-Cong, Guo. Structure refinement and Raman spectrum of silver aside/ Guo-Cong Guo, Quan-Ming Wang, C.W. Мак. Thomas // J. Chem. Cryst. 1999,-Vol. 29,-№ 5,-P. 561-564.

14. Куракин, С. И. Фотоиндуцированный фазовый переход в азиде серебра/ С. И. Куракин, В. М. Пугачев // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1993,-Т. 29.-№ 8,-С. 1105-1108.

15. Сидорин, Ю. Ю. Влияние методики синтеза на терморастад и электрофизические характеристики азида серебра/ Ю. Ю. Сидорин, Ю. Р. Морейнс // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1987,- Т. 23,- № 10.-С. 1752-1753.

16. Куракин, С. И. Морфологические аспекты кристаллов азида серебра / С.И. Куракин // Рукопись деп. ВИНИТИ от 11.06.88 № 916388В,- 24 с.

17. Малышев, В. М. Серебро / В. М. Малышев, Д. В. Румянцев. М.: Металлургия, 1987 - 320 с.

18. Овчаренко, В. И. Молекулярные ферромагнетики/ В. И. Овчаренко, Р. 3. Сагдеев // Успехи химии. 1999,- Т.68,- № 5,- С. 381-400.

19. Кравченко, Н. Г. К вопросу о разложении азидов металлов / Н. Г. Кравченко // Мат-лы декабрьской конференции молодых ученых Кемгу Кемерово, 2004. С. 184-188

20. Gora, Т. Charge Distribution of the Azide Ion/ T. Gora, P. J. Kemmey // J. Chem. Phys. 1972,-Vol. 57,-№ 8,-P. 3579-3581.

21. Bilz, H. What is so special about the silver ion and its motion / H. Bilz // Cryst. Tatt. Def. and Amorph. Mat. 1985. - Vol. 12.- P. 3 1-40.

22. Захаров, Ю. А. Энергетика и природа электронных зон азида серебра / Ю. А. Захаров, JT. В. Колесников, А. Е. Черкашин // Неорганические материалы. 1978. - Т. 14. - № 7. - С. 1283 - 1288.

23. Sawkill, J. Nucleation in silver aside an investigation by electron microscopy and diffraction/ J. Sawkill // Proc. Roy. Soc. 1955 - Vol. 229.-№ 1176,-P. 135-142.

24. Marr, H. E. The unit-cell dimension of silver aside/ H. E. Marr, R. H. Stanford//Acta Crystall. 1962.-Vol. 15.-P. 1313.

25. Сидорин, Ю. Ю. Структурные исследования азидов тяжелых металлов/ Ю. Ю. Сидорин, В. М. Пугачев, Г. М. Диамант // Рукопись деп. в ВИНИТИ от 29.12.85. № 9016 В.- 24 с.

26. Guo-Cong, Guo. Structure refinement and Raman spectrum of silver aside/ Guo-Cong Guo, Quan-Ming Wang, C. W. Mak. Thomas // J. Chem. Cryst. 1999.- Vol. 29,- № 5,- P. 561-564.

27. Куракин, С. И. Фотоиндуцированный фазовый переход в азиде серебра/ С. И. Куракин, В. М. Пугачев // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1993,-Т. 29,-№ 8.-С. 1105-1108.

28. Блейкмор, Дж. Физика твердого тела/ Дж. Блейкмор. М.: Мир, 1988.-606 с.

29. Shottky, W. Uber der mechanismus der ionenbewegung in festen electroliten / W. Shottky // Phys. Chem. 1935. - № 4. - P. 235-240.

30. Frenkel, J. Uber der Warmebewegung in festen und flussigen korper /J. Frenkel // Zs. Fur Physik. 1926. - V. 35. - № 819. - P. 659-666.

31. Болдырев, В. В. Влияние дефектов в кристаллах на скорость термического разложения твердых веществ/ В. В. Болдырев. Томск: ТГГУ, 1963.-248 с.

32. Крегер, Ф. Химия несовершенных кристаллов/ Ф. Крегер. М: Мир, 1969.-656 с.

33. Химия твердого тела / Под ред. В. Гарнера. М: Ин. лит, 1962. -544 с.

34. Захаров, Ю. А. Точечные дефекты и ионная электропроводность в азиде свинца / Ю. А. Захаров, С. П. Баклыков, Г. Т. Шечков // Изв. АН СССР, серия Неорган, материалы. 1980. - Т. 16. - № 1. - С. 62-67.

35. Рябых, С. М. Радиационно-химическое разложение азидов тяжелых металлов как гетерогенный процесс / С. М. Рябых // Химическая физика,- 1985.-Т. 4.-№ 12.-С. 1654-1661.

36. Рябых, С. М. Особенности радиолиза инициирующих взрывчатых веществ / С. М. Рябых // Химия высоких энергий. 1988. - Т. 22. -№5.-С. 387-397.

37. Захаров, Ю. А. Ионный и электронно-дырочный токоперенос в азиде серебра / Ю. А. Захаров, В. К. Гасьмаев, С. П. Баклыков, Ю. Р. Морейнс // Физическая химия. 1978. - Т. 52. - В. 8. - С. 2076-2078.

38. Захаров, Ю. А. О механизме процесса ядрообразования при термическом разложении азида серебра / Ю. А. Захаров, В. К. Гасьмаев, Л. В. Колесников // Журнал физической химии. 1976. - Т. 50.-№7.-С. 1669-1673.

39. Сидорин, Ю. Ю. Структурные исследования азидов тяжелых металлов/ Ю. Ю. Сидорин, В. М. Пугачев, Г. М. Диамант // Рукопись Деп. ВИНИТИ, от 11.12.85. №9016 - В85.

40. Гасьмаев, В. К. Характер электропроводности и термическое разложение азида серебра / В. К. Гасьмаев, Ю. А. Захаров // Физическая химия. 1972. - Т. 46. - В. 11. - С. 2967.

41. Сангвал, К. Травление кристаллов. Теория, эксперимент, применение К. Сангвал. -М.: Мир, 1990. 496 с.

42. Bullough, R. Kinetik of migration point defects in dislokation / R. Bullough, R. Newman // Rep. Prog. Phys. 1970. - V. 33. - № 22. - P. 101-130.

43. Коттрелл, A. X. Дислокации и пластическое течение в кристаллах / А. X. Коттрелл. М: Мет. Изд., 1958. - 268 с.

44. Иванов, Ф. И. Роль структурно-деформационных дефектов в процессах, протекающих при фото и электрополевом воздействии в азидах тяжелых металлов / Ф. И. Иванов // Изв. СО АН СССР, серия хим. наук. 1985. - № 11.-В. 4.-С. 63.

45. Фридель, Ж. Дислокации // Ж. Фридель. М: Мир, 1967. - 643 с.

46. McLaren, А. С. The optical and electrical properties of silver azide and their relation to its decomposition/ A. C. McLaren, G. T. Rogers // Proc. Roy. Soc.- 1957.- Vol. 240,-P. 484-4898.

47. Гордиенко, А. Б. Энергетическая зонная структура азида серебра/ А. Б. Гордиенко, Ю. Н. Журавлев, А. С. Поплавной // Изв. Вузов. Физика,- 1992,-Т. 1.-№2.-С. 38-43.

48. Захаров, Ю. А. Энергетика и природа энергетических зон азида серебра / Ю. А. Захаров, Л. В. Колесников, А. Е. Черкашин Н Изв. АН СССР, сер. Неорг. материалы. 1979. - Т. 14. -№ 7. - С. 1283-1288.

49. Захаров, Ю. А. Структура энергетических зон и природа некоторых электронных переходов в азиде свинца / Ю. А. Захаров, J1. В. Колесников, А. Е. Черкашин, С. П. Баклыков // Журнал оптика и спектроскопия. 1978. - Т. 45. - В. 4. - С. 725-730.

50. Захаров, Ю. А. Исследование методом внешней фотохимии азида серебра / Ю. А. Захаров, С. В. Кащеев, Л. В. Колесников, А. Е. Черкашин // Изв. Вузов, физика. 1975. - Т. 44. - № 6. - С. 44-50.

51. Захаров, Ю. А. Исследование электронных состояний в азидах тяжелых металлов методом внешней фотоэмиссии электронов / Ю. А. Захаров, Г. М. Федотов // Рукопись деп. ВИНИТИ. 1977. - № 3235-77.-С. 38.

52. Мс Laren, А. С. The optical and electrical properties of AgN3 and their relation to its decomposion / A. C. Mc Laren, G. T. Rogers // Proc. Roy. Soc. 1958. - V. 246. - P. 250-253.

53. Адуев, Б. П. Предвзрывная люминесценция азида свинца / Б. П. Адуев, Э. Д. Алукер, Г. М. Белокуров, А. Н. Дробчик, А. Г. Кречетов, М. М. Кукля, А. Б. Кунц, А. Ю. Митрофанов, Э. X. Юнк // Изв. Вузов, физика. -2000. Т. 43. -№ 3. - С. 17-22.

54. Pisani, С. Hartree-Fock ab initio treatment of crystalline systems / C. Pisani, R. Dovesi, C. Roetti // Lecture Notes in Chemistry. Springer Veriag, Heidelberg, 1988. V. 48. - P. 215.

55. Dovesi, R. CRYSTAL 92 / R. Dovesi, C. Roetti, V. R. Saunders. // User Documentation, University of Torino and SERC Daresbury Laboratory, 1992.

56. Durand, P., Barthelat J.C.// Chem. Phys. Lett. 1974. - V.27. - P. 191.

57. Гордиенко, А. Б. Электронная структура азидов металлов / А. Б. Гордиенко, Ю. Н. Журавлев, А. С. Поплавной // 6 Междун. конф. "Радиационные гетерогенные процессы". Кемерово: КемГУ,-Тезисы докладов, 1995. - Ч. 1. - С. 21-22.

58. Кригер, В. Г. Анализ ионной проводимости азида серебра / В. Г. Кригер, О. Л. Колпаков, А. В. Ханефт // Сб. научн. Трудов "Кинетикаи механизм реакций в твердой фазе". Кемерово: КемГУ, 1982. 1. C. 92.

59. Robbilard, J. J. Possible use of certain metallic azides for development of fled controlleddry photografic process / J. J. Robbilard // J. Photograf. Sci.- 1971,-V. 19.-P. 25-37.

60. Иванов, Ф. И. Дислокационная структура и некоторые физико-химические свойства НК азидов тяжелых металлов / Ф. И. Иванов, М. А. Лукин, Г. В. Назарова // Матер. 3 Всесоюз. конф. "Нитевидные кристаллы для новой техники". Воронеж, 1979.-С. 181-184.

61. Fox, P.G. Slow thermal decomposition / P. G. Fox, R. W. Hutchinson / In: Energetic materials. New York, Plenum Press, 1977. - V. 1. - P. 251-284.

62. Gora, T. Electronic structure of the azide ion and metal azide / T. Gora,

63. D. S. Downs, P. J. Kemmey, J. Sharma // In: Energetic materials. New-York, Plenum Press, 1977. - V. l. - P. 193-250.

64. Кузьмина, Л. В. Разложение азидов серебра и свинца в электрическом и магнитном полях. Дисс.к.ф.-м.н. 02.00.04. -Кемерово, 1998.- 149 с.

65. Авакумов, Е. Г. Механические методы активации химических процессов / Е. Г.Авакумов. Новосибирск: Наука, 1986 305 с.

66. Кабанов, А. А. Влияние электрического поля на термическое разложение твердых веществ / А. А. Кабанов, Е. М. Зингель // Успехи химии. 1975. - Т.44. - №7. - С. 1194-1216.

67. Рябых, С. М. Особенности кинетики радиационно-химического разложения азидов тяжелых металлов / С. М. Рябых // Химия высоких энергий.- 1992.-Т. 26.-№ 1.-С. 54-58.

68. Захаров, Ю. А. Холловская подвижность носителей заряда в азиде серебра / Ю. А. Захаров, Ю. Ю. Сидорин, Е. В. Кучис // Неорг. мат. 1979. Т. 15. №8. С.1397-1401.

69. Шалимова, К. В. Физика полупроводников / К. В. Шалимова. М.: Энергоатомиздат, 1985. 392 с.

70. Сидорин, Ю. Ю. Явления переноса заряда в процессе термического разложения азида серебра / Ю. Ю Сидорин // В кн.: Кинетика и механизм реакций в твердых телах. Кемерово, КемГУ, 1982. -С. 147-150.

71. Сидорин, Ю. Ю Характер переноса носителей заряда в азиде серебра / Ю. Ю. Сидорин, Ю. А. Захаров, Е. В. Кучис // Рукопись деп. ВИНИТИ,- 1981. №23 - 82. 20 с.

72. Гасьмаев, В. К. О механизме роста ядер металла при термораспаде азида серебра / В. К. Гасьмаев, Ю. А. Захаров, В. А. Мешков // ЖФХ -1976,- Т. 50. № 7,- С.1679 - 1683.

73. Кригер, В. Г. Анализ изотерм относительной проводимости к определению констант рекомбинации дефектов по Шоттки в азиде свинца / В. Г. Кригер, А. В. Ханефт // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1987- Т. 23. - № 5. - С.793-796

74. Кригер, В. Г. Влияние разложения на температурную зависимость проводимости азида свинца / В. Г. Кригер, О. Л. Колпаков, А. В. Ханефт // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1988. - Т.24. № 7.- С. 1226-1227.

75. Захаров, Ю. А. Ионный и электрон дырочный перенос в азиде серебра / Ю. А. Захаров, В. К. Гасьмаев, С. П. Баклыков, Ю. Р. Морейнс // Ж. физ. химии,- 1978.- Т.52,- № 8. -С.2076-2078.

76. Захаров, Ю. А. Характер электропроводности и термическое разложение азида серебра / Ю. А. Захаров, В. К. Гасьмаев /7 Ж. физ. химии,- 1972.-Т.46.-№11. С. 2967.

77. Сухушин, Ю. Н. Исследование физико химических процессов а азидах тяжелых металлов в сильных электрических полях. Дис. канд. физ.-мат. наук. Кемерово, 1984.-210 с.

78. Ламперт, М. Инжекционные токи в твердых телах / М. Ламперт, П. Марк // М.: Мир, 1973. 416 с.

79. Фок, М. В. Обобщение и экспериментальная проверка теории ионизационных доменов / М. В. Фок, Э. В. Девятых, Е. Ю. Львова // Труды ФИ АН СССР. 1982. - Т. 97. С. 184.

80. Сапрыкин, А. Е. Природа неравновесной проводимости азида серебра / А. Е. Сапрыкин, Ю. Н. Сухушин, Г. М. Диамант // Рукопись деп. в ВИНИТИ. 1989. - №2255-В89. - 32 с.

81. Starbov, N. Photographic sensitivity and surface potential of silver bromide / N. Starbov, A. Buroff, J. Malinowski // J. Photogr. Sei. 1975. V.23.- №2. -P. 44-50.

82. Губанов, А. И. Теория выпрямляющего действия полупроводников / А. И. Губанов // М. Гос. Изд.-технико теорет. лит, 1956. - 348 с.

83. Кригер, В. Г. Влияние предварительного облучения на порог инициирования азидов тяжелых металлов импульсным излучением

84. В. Г. Кригер, А. В. Каленский, В. П. Ципилев, В. В. Коньков // Тез. докл. международной конференции ФХП 8. Кемерово, 2001. Т. 2. С. 75.

85. Крашенинин, В. И. Инжекционные токи в некоторых азидах тяжелых металлов / В. И. Крашенинин, Ю. Н. Сухушин, Ю. А. Захаров // Изв. АН СССР, сер. Неорг. Материалы. 1987. - Т. 23. - №9. - С. 1567 - 1569.

86. Сидорин, Ю. Ю. Характер переноса носителей заряда в азиде серебра / Ю.Ю. Сидорин, Ю. А. Захаров, Е. В. Кучис //Рукопись деп. ВИНИТИ.- 1982. №123-82. С. 24

87. Корнюшин, К). В. Нарушение закона Ома в примесных полупроводниках в слабых электрических полях / Ю. В. Корнюшин // ФТП. 1967.- Т.1.- №8.- С.1274-1276.

88. Сидорин, Ю. Ю. Термостимулированная проводимость в азиде серебра / Ю. Ю. Сидорин // ЖФХ. 1982. - Т. ЬУ1. - №7. - СЛ 8181819.

89. Захаров, В. Ю. Физико-химические процессы, инициированные действием электрического поля в кристаллах азидов серебра и свинца. Дис. . канд. ф.-м.наук. Кемерово. 1997. - 120 с.

90. Алукер, Э. Д. Модель взрывного разложения азидов тяжелых металлов / Э. Д. Алукер, Б. П. Адуев, Г. М. Белокуров, А. Н. Дробчик, Ю. А. Захаров, А. Г. Кречетов, А. Ю. Митрофанов // Рукопись деп. ВИНИТИ Изд. ТГУ Томск. 1999. - №10.

91. Адуев, Б. П. Исследование взрывного разложения азида серебра методами спектроскопии с высоким временным разрешением / Б. П. Адуев, Э. Д. Алукер, Г. М. Белокуров, Ю. А. Захаров, А. Г. Кречетов // Изв. ВУЗов, физика. 1996. - Т.39. - №11 - С. 162-175.

92. Кригер, В. Г. Модель разветвленной цепной реакции разложения азида серебра с ингибированием продуктами реакции / В. Г. Кригер, А. В. Каленский //Из тезисов докладов МК ФХПвНМ-8, 2001. Т.2 -С. 68-69.

93. Кригер, В. Г. Кинетика фотопроцессов в системах с ростом центров рекомбинации / В. Г. Кригер, А. В. Каленский, В. В. Вельк, О. Л. Колпаков // ЖниПФ. 2000,- Т. 45. - № 4 - С. 7 - 13.

94. Кригер, В. Г. Кинетические модели импульсного инициирования азидов тяжелых металлов / В. Г. Кригер, А. В. Каленский // ФХП-7: Тез. докл. международной конференции. Ч. 2. Кемерово, 1998 -С. 65.

95. Захаров, Ю. А. Предвзрывные явления в азидах тяжелых металлов / Ю. А. Захаров, Э. Д. Алукер, Б. П. Адуев, Г. М. Белокуров,

96. A. Г. Кречетов. -М. : ЦЭИ «Химмаш», 2002. 115 с.

97. Крашенинин, В. И. О продуктах медленного разложения азидов свинца и серебра / В. И. Крашенинин, Е. Г. Газенаур, А. И. Гасанов и др.// Рукопись деп. в ВИНИТИ. 2000. - № 2662-ВОО. - 19 с.

98. Картужанский, А. Л. Полевое смещение промежуточных продуктов разложения азидов тяжелых металлов / А. Л. Картужанский,

99. B. И. Крашенинин, Л. В. Кузьмина, А. Ю. Сталинин // Письма в ЖТФ. 1993.-Т. 19.-В. 16.-С. 59-61.

100. Крашенинин, В. И. Управление процессами медленного разложения в азидах серебра и свинца электрическим и магнитным полями: Дис.докт. физ. -мат. наук. Кемерово, - 1999. - 234 с.

101. Сапрыкин, А.Е. К вопросу о собственной проводимости нитевидных кристаллов азида серебра/А.Е. Сапрыкин, В.И. Крашенинин, Ю.Н. Сухушин, И.И. Бардина // Рукопись деп. ВИНИТИ.- 1988. №42-В88.~ С. 38

102. Крашенинин, В. И. Влияние электрического поля на пост-процессы разложения, инициированные облучением в азидах серебра и свинца / В. И. Крашенинин, Е. Г. Газенаур, Н. П. Суднева // ЖНиПФ. 2002. -№4.-С. 48-53.

103. Иванов, Ф.И. О выращивании нитевидных кристаллов азидов серебра и свинца/ Ф.И. Иванов, Л.Б. Зуев, М.А. Лукин, В.Д. Мальцев //Кристаллография.- 1983.-Т. 28.-№ 1.-С. 194-195.

104. Као, К. Перенос электронов в твердых телах/ К. Као, В. Хуан г // 4.1.-М.: Мир, 1984.- 352 с.

105. Heal, Н. G. A microgazometric procedure / Н. G. Heal // Nature. -1953.-V. 172.-P. 30.

106. Бонч-Бруевич, В. Л. Физика полупроводников. / В. Л. Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников М.: Наука, 1977. - 672 с.

107. Смит, Р. Полупроводники / Р. Смит М.: Мир, 1982. - 560 с.

108. Хейман Р. Б. Растворение кристаллов / Р. Б. Хейман Л.: Недра, 1979.-269 с.

109. Сидорин, Ю. Ю. Электрофизические методы исследования в химии твердого тела/ Ю. Ю. Сидорин //Уч. пособие.- Кемерово.: ККИ, 1989.-104с.

110. Новицкий, П. В. Оценка погрешностей результатов измерений /П. В. Новицкий, И. А. Зограф Л.: Энергоатомиздат, 1991.-141 С.

111. Bowden, F. P. The explosion of silver azide in an electric field / F. P. Bowden, A. C. Mc Laren // Proc. Roy. Soc. 1958. - V. 246. -P. 197- 199.

112. Jang, J. B. Electron induced decomposition and time - dependent breakdown of ionic solids: An experimental study on silver azide crystals / J. B. Jang, M. M. Chaudhri // J. Phys. Rev. B: Condens. Matter. - 1984. V. 30. №10. P. 6154-6164.

113. Носков, M. Д. Моделирование развития разряда в объемно -заряженном диэлектрике / М. Д. Носков, А. С. Малиновский, Ч. М. Кук, К. А. Урайт, А. Й. Шваб // ЖТФ. 2002. Т. 72. В. 4. С. 107 - 112

114. Сапрыкин, А. Е. Природа неравновесной проводимости азида серебра / А. Е. Сапрыкин, Ю. Н, Сухушин, Г. М. Диамант // Рукопись деп. ВИНИТИ.- 1989,- №2255-В89. -С. 28.

115. Крашенинин, В. И. Время формирования вакансионного кластера / В. И. Крашенинин, Л. В. Кузьмина, В. Е. Иващенко // Физико-химические процессы в неорганических материалах: Тезисы докладов Международной конференции. Кемерово, 1998. - Ч. 1. - С. 127.

116. Гасанова, В. И Низкотемпературное термическое разложение кристаллов азида серебра Дис. . к.ф.-м.н. Кемерово, 2004. 126 с.

117. Захаров, В. Ю. Физико-химические процессы в азидах тяжелых металлов и дислокационная структура / В. Ю. Захаров, В. И. Крашенинин, Е. Г. Газенаур, А. И. Гасанов, В. И. Якунина //Известия Вузов. Физика. 2002. - Т. 45. - №6. - С. 17-21.

118. Николаев, В. И. Электропластический эффект в поляризованных сигнетоэлектрических кристаллах NaN02/ В. И. Николаев, Н. А. Перцев, Б. И. Смирнов // ФТТ. 1991. - Т. 33. - В. 1. - С. 93.

119. Куксенко, В. С. Механоэлектрические явления в природных диэлектриках / В. С. Куксенко, X. Ф. Махмудов // Письма в ЖТФ. -1997. -Т. 23. -№. 3. С. 89-94.

120. Хон, Ю. А. Динамические конфигурационные возбуждения и поляризация диэлектриков под нагрузкой / Ю. А. Хон // Письма в ЖТФ. 1998. - Т. 24. - № 7. - С. 79 - 82.

121. Варенцов, Е. А. Механоэмиссия и механохимия молекулярных органических кристаллов / Е. А. Варенцов, Ю. А. Хрусталев // Успехи химии. 1995. -Т. 64 -В. 8. -С. 834-849.

122. Лисицын В. М. Первичные процессы взрывного разложения азидов тяжелых металлов при импульсном воздействии / В. М. Лисицын, В. И. Олешко, В. П. Ципилев // Изв.ВУЗов. 2005. - Т. - №2. - С. 3-10.

123. Островский И.В., Стебленко Л.П., Надточий А.Б. // ФТГ1. 2000. Т.34. В.З. С.257-260.

124. Крашенинин В. И., Газенаур Е. Г., Сталинин А. Ю. Способ визуально определения дрейфовой подвижности в азидах тяжелых металлов // Патент RU2080688 1997. Бюл. № 15. С. 1-8.

125. Кук, М. А. Наука о промышленных взрывчатых веществах / М. А. Кук. М.: Недра, 1980. - 453 с.

126. Zakharov, V. Yu. Role of defective structure in decomposition of azides of heavy metals / V. Yu. Zakharov, V. I. Krasheninin, L. V. Kuzmina, A. I.

127. Gasanov, V. I. Yakunina // China-Russia Seminar on nonequilibrium phase transition under ultra-condition (NEP-TUC). Abstracts. P. R. China: Yanshan University, 2001. - P. 18.

128. Сухушин, Ю. H. Общие закономерности разложения твердых веществ в электрическом поле / Ю. Н. Сухушин, Ю. А. Захаров // В кн.: Кинетика и механизм химических реакций в твердом теле. ИХФ АН СССР. Черноголовка, 1981. С. 152-161.

129. Храмченко, В. Е. Реакционная способность и пластическая деформация, стимулированные электрическим и магнитным полями в кристаллах азидов серебра и свинца. Дисс.к.ф.-м.н. 02.00.04. -Кемерово, 2003. 116 с.

130. Шикин, В. Б. Заряженные дислокации в полупроводниковых кристаллах / В. Б. Шикин, Ю. В. Шикина // УФН. 1995. - Т. 165. -№ 8. - С. 887-917.

131. Тяпунина, Н. А. Заряженные дислокации и свойства щелочногалоидных кристаллов / Н. А. Тяпунина, Э. П. Белозерова // УФН. 1988. - Т. 156. - Вып. 4. - С. 683 - 717.

132. Гасанов, А.И. Физико-химические процессы, инициированные электрическим полем и у-облучением в кристаллах азида серебра. Дисс.к.ф.-м.н. 02.00.04. Кемерово, 2004. - 130 с.

133. Крашенинин, В. И. Влияние магнитных полей на образование реакционных областей в кристаллах азида серебра / В. И. Крашенинин, J1. В. Кузьмина, М. А. Дорохов, Д. В. Добрынин // Химическая технология. 2005. - № 12. - С. 8-10.

134. Geurst, J. A. Theory of space charge - limited currents in thin semiconductor layers/ J. A. Geurst //Phys. Status Solidi. - 1966. - № 15. -P. 107-118.