Процессы излучательной рекомбинации в пленках оксида цинка и гетероструктурах на их основе тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ М В ЛОМОНОСОВА ИНСТИТУТ ПРОБЛЕМ ТЕХНОЛОГИИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ РАН

ПРОЦЕССЫ ИЗЛУЧАТЕЛЬНОЙ РЕКОМБИНАЦИИ В ПЛЕНКАХ ОКСИДА ЦИНКА И ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ИХ ОСНОВЕ

Специальность 01.04.10 - Физика полупроводников

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

На правах рукописи

АЛИВОВ Яхия Ибрагимович

Москва 2005

Работа выполнена на Физическом факультете Московского государственного университета имени М В Ломоносова и в Институте проблем технологии микроэлектроники РАН

Научный руководитель кандидат физико-математических наук, доцент ЧУКИЧЕВ Михаил Васильевич

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук ГЕОРГОБИАНИ Анатолий Неофитович доктор физико-математических наук МАНЯХИН Федор Иванович

Ведущая организация Физико-технический институт имени И А Иоффе РАН, Санкт-Петербург

£> С?

диссертационного совета Д 501 001 /и при физическом факультете Московского государственного университета имени М В Ломоносова по адресу 119992, Москва, Ленинские горы, МГУ, Физический Факультет, криогенный корпус, аудитория 2-05а

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке физического факультета Московского государственного университета имени М В Ломоносова

Автореферат разослан

Ученый секретарь

диссертационного совета Д 501.001 70, доктор физико-математических наук,

Г С Плотников

Общая характеристика работы.

Актуальность темы диссертации.

Оксид цинка ^пО), широкозонный полупроводник, до недавнего времени представлявший интерес как материал с хорошими пьезоэлектрическими свойствами (с самым большим коэффициентом электромеханической связи из всех полупроводников), в последнее время привлек внимание как перспективный материал для создания синих и ( ультрафиолетовых излучателей света Это объясняется тем, что, оксид цинка, являясь

аналогом <ЗаК - полупроводника, широко используемого сегодня для создания светоизлучающих струюур в этой области спектра, в то же время обладает рядом существенных преимуществ, среди которых

- большая энергия связи экситона (~60 мэВ),

- простота получения пленок и кристаллов и, следовательно, экономическая выгода при массовом производстве приборов на основе ХпО,

- высокая радиационная стойкость,

- высокий квантовый выход люминесценции

Однако, на пути внедрения этого материала в производство стоит много проблем Несмотря на десятилетия исследований многие основные физические свойства оксида цинка остаются все еще необъясненными, что создает трудности для получения пленок и кристаллов с заранее заданными свойствами В частности, нет единой точки зрения на природу естественной электронной проводимости нелегированных пленок и кристаллов 2пО одними авторами это приписывается собственным дефектам (вакансиям кислорода или междоузельным атомам), другими - примесям водорода, всегда присутствующим при всех методах выращивания и неконтролируемо проникающим в кристалл вследствие большой его подвижности Нет единой точки зрения и на природу зеленой полосы, всегда присутствующей в спектре люминесценции гпО, независимо ни от условий выращивания, I ни от последующей обработки Одними авторами эта полоса приписывается однократно

заряженным вакансиям кислорода, другими - центрам меди

Самой главной проблемой, пожалуй, которую нужно решить, чтобы сделать возможным внедрение гпО в производство для создания полупроводниковых приборов, -это получение р-типа проводимости Хотя в последнее время сделан большой прогресс в этом направлении - выращены пленки ЖпО р-типа проводимости путем легирования элементами V группы, однако, технология получения высококачественных пленок ХпО р-типа проводимости пока отсутствует Кроме этого, имеет место трудность воспроизведения

РОС. НАЦИОНАЛЬНАЯ| БИБЛИОТЕКА I з С.ПетерДя

О»

уже достигнутых результатов Следует отметить, что первая работа по получению р-типа проводимости в ZnO появилась только недавно, в 1997 году

Особый практический интерес представляет собой исследование р-п гетеропереходов на основе 2пО Такие гетероструктуры обычно получаются путем эпитаксиального выращивания ZnO п-типа проводимости на других полупроводниках р-типа проводимости с близкими параметрами кристаллической решетки Однако, такие структуры изучены очень мало

Об актуальности проблемы исследования 2пО говорит и тот факт, что в 2000 году учрежден специальный Международный семинар по гпО1 для объединения усилий в деле их решения проблем, связанных с материалами на основе 2пО.

Цель работы.

Целью диссертационной работы было исследование люминесцентных свойств пленок 2п0, полученных при разных технологических условиях (условия синтеза, типы подложек, легирование), и гетеропереходов на их основе Для достижения поставленной цели были сформулированы следующие задачи:

• получение поликристаллических пленок оксида цинка путем термического окисления металлических слоев цинка и исследование их кристаллографических, электрофизических и люминесцентных свойств в зависимости от условий окисления -температуры, давления кислорода и типа подложки,

• исследование катодолюминесценции гетероэпитаксиальных ^пенок^пО, выращенных методом химических транспортных реакций на буферноОа1Ч, полученно/б^на сапфире путем осаждения из металлорганических соединений,

• проведение имплантации пленок 2пО Ста ионами азота и исследование их люминесцентных и электрических свойств в зависимости от дозы ионов азота,

• получение р-п гетеропереходов п-2пО/р-ОаК и п-2пО/р-АЮаК путем эпитаксиального выращивания 2пО ва на ОаК и АЮаИ соответственно, и исследование их вольт-амперных и электролюминесцентных свойств

Научная новизна.

Впервые исследованы зависимости кристаллографических, электрофизических и люминесцентных свойств поликристаллических пленок оксида цинка, полученных путем

1 1 и 2-й Международные семинары по 2пО прошли в г Дейтон, шт Огайо, США в 2000 и 2002 годах соответственно, а 3-й семинар прошел в г Сендай, Япония, 5-8 октября 2004 года

окисления металлических слоев цинка в широком диапазоне технологических условий -температуры, давления кислорода и типов подложек Определены оптимальные условия, необходимые для получения высококачественных пленок оксида цинка

Впервые получены гетероэпитаксиальные структуры 2пО/Оа№а-АЬОз и 7пО/а-АЬОз методом химического транспорта в проточном реакторе пониженного давления и проведены сравнительные исследования их катодолюминесцентных свойств Показано, что пленки гпО, выращенные на СЫЧ подложке, обладают значительно более высоким квантовым выходом люминесценции по сравнению с пленками, выращенными непосредственно на а-АЬОз подложке, что может быть объяснено более высоким совершенством их кристаллической структуры Обнаружена высокая стойкость пленок ZnO в гетероструктурах 2пО/ОаМ/а-А12Оз подвергнутых к достаточно длительной термобработке при 750 С в атмосфере кислорода

Проведена имплантация пленок 2п0 ва азотом и исследованы их электрофизические и люминесцентные свойства Обнаружено резкое увеличение (на 8-9 порядков) удельного сопротивления пленок после имплантации, при этом «эффект изоляции» термостабилен до 800 °С Показана возможность использования этого эффекта для создания структур металл-диэлектрик-полупроводник В спектрах катодолюминесценции имплантированных образцов наблюдаются новые полосы с максимумами 570 и 407 нм, природа которых объясняется образованием радиационных дефектов и достаточно большого количества акцепторных центров с участием легированного азота

Впервые получены гетероструктуры п-гпО ОаУр-СаИ и п-7.п0 Оа/р-А1о пОаоввТЧ'Л^ и исследованы их электролюминесцентные свойства

Практическое значение.

Установленная связь между технологическими условиями изготовления и свойствами поликристаллических пленок ХпО, полученных при окислении металлических слоев цинка, может быть использована для получения таких пленок с заданными свойствами Результаты исследований 2п0, полученных на буферном слое СгаТЧ, также могут быть исрользованы для получения высокосовершенных эпитаксиальных пленок ТпО

Исследования влияния меди на спектр люминесценции ХпО могут иметь фундаментальный интерес для понимания механизмов излучательных процессов в этом материале

Обнаруженный термостабильный «эффект изоляции» в имплантированных азотом пленках 2п0 (За, а также последующее получение диодов типа металл-диэлектрик-

полупроводник на основе этого эффекта, могут служить основой для создания различных

приборных структур

Результаты исследований гетеропереходов n-ZnO Ga/p-GaN Mg и n-ZnO Ga/p-

Alo ííGao gsN Mg показывают возможность создания светоизлучающих структур на основе

таких гетеропереходов

Основные положения, выносимые на защиту.

• Установление однозначной связи между кристаллическими, электрическими и люминесцентными свойствами пленок ZnO и технологическими условиями окисления металлических слоев цинка

• Использование GaN в качестве буферного слоя при выращивании эпитаксиальных пленок ZnO методом химического транспорта приводит к резкому улучшению структурного совершенства таких пленок по сравнению с пленками, выращенными без буферного слоя непосредственно на сапфире Обнаружена термостойкость таких пленок к длительному высокотемпературному отжигу

• В пленках ZnO Ga, имплантированных ионами азота, обнаружен термостабильный «эффект изоляции» после имплантации азотом, который на основе исследований спектров катодолюминесценции образцов объясняется компенсацией электронной проводимости, введенной в процессе имплантации акцепторами

• Показана возможность использования «эффекта изоляции» для создания структур металл-диэлектрик-полупроводник, которые обладают выпрямительными свойствами, при приложении прямого напряжения излучают свет в ультрафиолетовой области спектра с максимумом при 390 нм

• Получен р-n гетеропереход типа ZnOGa/GaN Mg, при прямом смещении излучающий свет в фиолетовой области спектра с максимумом 430 нм

• Получен р-n гетеропереход типа ZnO Ga/Al0 ^Gao ggN Mg, излучающий свет в ультрафиолетовой области спектра с максимумом 390 нм, при прямом его смещении

Апробация работы.

Основные результаты работы докладывались на следующих конференциях

1 14 и 15-й Международный симпозиумы «Тонкие пленки в оптике и электронике», Харьков в 2002 и 2003 годах,

2 2nd International Workshop on Zinc Oxide, Dayton, USA, 2002,

3 International Semiconductor Device Research Symposium, Washington, D С , 2003,

4 Международная конференция «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах», Махачкала, 2002

5 International Conference "Nano and Giga Challenges in Microelectronics Research and Opportunities in Russia", Moscow, Russia, 2002

6 22nd International Conference on Defects in Semiconductors, Aarhus, Denmark, 2003,

7 1 и 2-ая Всероссийская конференции «Нитриды, галлия, индия и алюминия», соответственно - Москва, 2002 и Санкт-Петербург, 2003

8 The 8"1 International Conference on Electronic Materials Xi'an, China, 2002,

9 Международная конференция по люминесценции, посвященная 110-летию со дня рождения В А Вавилова, ФИАН, Москва, 2001

Публикации. Материалы диссертации опубликованы в 15 статьях в реферируемых научных журналах, материалах трех конференций, и в тезисах докладов девяти конференций

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, основных выводов и списка цитируемой литературы Объем диссертации составляет 132 страниц, в том числе 45 рисунков, 6 таблиц, процитировано 192 названий литературы

Краткое содержание работы.

Во Введении дается общая характеристика работы, обосновываются актуальность темы диссертации, основные задачи, новизна и положения, выносимые на защиту

В Главе 1 приведен литературный обзор по тем направлениям исследований оксида цинка, которые непосредственно связаны с темой диссертации Подробно рассмотрены работы по выращиванию пленок ZnO разными методами, изменению типа проводимости, а также получению р-n гетеропереходов на основе этого материала

Глава 2 посвящена экспериментальным методам, использованным в работе для приготовления образцов и их исследования Подробно описываются метод катодолюминесценции, установка, на которой проводилась катодолюминесценция, получение поликристаллических пленок оксида цинка методом окисления металлических слоев цинка, метод химических транспортных реакций в проточном реакторе пониженного давления для выращивания эпитаксиальных пленок ZnO, проведение имплантации образцов ZnO Ga азотом и их последующего отжига, получение гетеропереходов n-ZnO Ga/p-GaN Mg

и п-2пО (За/р-А1о пбао 88N М£ Описаны также условия проведения диффузии меди в кристаллы 2пО, измерения вольт-амперных характеристик и электролюминесцентных свойств

В Главе 3 описываются результаты исследований катодолюминесцентных свойств пленок 2п0, полученных разными методами

В §3 1 рассматриваются пленки, полученные окислением металлических пленок цинка, напыленных электронно-лучевым испарением мищени на подложки кремний, сапфир и кварц Исследованы зависимости кристаллографических, электрических и люминесцентных свойств полученных пленок 2пО от условий окисления: температуры, давления в реакторе, и типа подложки Температура окисления менялась в диапазоне 400900 °С, а давление в диапазоне 760-Ю"5 торр Исследование зависимости свойств пленок от давления кислорода проводилось при постоянной температуре окисления образца 800°С Окисление проводилось как на воздухе, так и в атмосфере чистого кислорода Обнаружено, что все пленки ХпО, независимо от типа подложки и условий окисления, имеют поликристаллическую структуру без преимущественной ориентации зерен Морфология пленок, как показали исследования методом атомно-Силовой микроскопии, значительно улучшается с уменьшением давления О2 в камере окисления Интенсивность краевой ультрафиолетовой полосы (1=380 нм при 300 К) спектра катодолюминесценции растет, а её полуширина уменьшается с увеличением температуры окисления и с уменьшением давления кислорода в камере Эти данные свидетельствуют о возрастании степени совершенства кристаллической структуры пленок при изменении режима окисления в выше указанном направлении Удельное сопротивление пленок растет с температурой окисления и для 400 и 900°С равно 3 8МО2 и 6 02 Ю4Ом см соответственно С уменьшением давления 02 удельное сопротивление пленок менялось незначительно

§3 2 посвящен результатам сравнительных исследований катодолюминесцентных свойств гетероэпитаксиальных структур гпО/ваМ/а-АЬОз и 2пО/а-А12Оз, полученных методом химического транспорта Обнаружено, что квантовый выход люминесценции пленок 2пО, полученных на буферном слое ва!4!, гораздо больше, чем эта же величина у пленок 2пО, выращенных непосредственно на сапфире Это объясняется хорошим кристаллографическим согласованием решеток 2пО и Оа'Ы, по сравнению с решеткой а-АЬОз (несоответствие параметров составляет 1 8% и 38% соответственно), вследствие чего в приграничной области гетероперехода образуется меньшее количество дефектов и дислокаций, которые служат центрами безызлучательной рекомбинации Обнаружена также

высокая стабильность люминесцентных свойств гетеросгруктур /пО/ОаШх-АЬОэ при длительном высокотемпературном отжиге

В Главе 4 приведены результаты исследований пленок ZnO легированных разными элементами В §4.1 рассматривались пленки ТпО, легированные медью в процессе термической диффузии Обнаружено, что легирование медью приводит к значительному увеличению (более чем в 4 раза) интенсивности зеленой полосы люминесценции исходных образцов Кроме того, при 4,2К зеленая полоса люминесценции в образцах, легированных медью, имеет более ярко выраженную фононную структуру (с периодом, равным энергии продольных оптических фононов с Ш=72 мэВ), чем в образцах без меди На основании результатов исследований делается вывод о причастности меди к природе зеленой полосы люминесценции ХпО В §4 2 излагаются результаты исследований пленок ТпО ва, имплантированных азотом Исследовалась зависимость этих свойств от дозы ионов и от температуры отжига Обнаружено сильное увеличение удельного сопротивления имплантированного азотом слоя пленки (на 8-9 порядков), практически превращающего этот слой в изолятор, и что самое главное, этот «эффект изоляции» сохраняеся при высокотемпературном отжиге вплоть до температуры отжига 800 °С В спектрах КЛ имплантированных образцов наблюдаются новые полосы с максимумами 570 и 407 нм, которые на основе анализа зависимости интенсивности и спектрального положения этих полос от температуры КЛ и от термоотжига образцов приписываются излучательным переходам на радиационных дефектах и донорно-акцепторных парах На основе «эффекта изоляции» создана структура типа металл-диэлектрик-полупроводник, которая обладает выпрямляющими свойствами При приложении прямого смещения к структуре наблюдается электролюминесценция, спектр которой состоит из ультрафиолетовой полосы с максимумом при 389 нм При этом форма спектра почти полностью повторяет форму спектра КЛ исходного образца

Глава V посвящена получению и исследованию светодиодов на основе гетеропереходов типа п-7пО Оа/р-СгаЫ и п-7,пО ва/р-АЬ ^бао 88N М§

В гетеропереходах п-2пО Са/р-СаН\^, полученных на подложке (0001) А12Оз, при прямом смещении гетероперехода обнаружена электролюминесценция, спектр которой состоял из фиолетовой полосы с максимумом при 430 нм, зависимость интенсивности от тока инжекции при этом имеет вид, характерный для светодиодов На основе сравнения спектров электролюминесценции и катодолюминесценции слоев гетероперехода делается вывод о том, что имеет место инжекция электронов из области ХпО в область ваИ и их последующая излучательная рекомбинация с дырками Отметим, что полоса люминесценции

в области 410-450 нм, которая всегда наблюдается в легированных слоях ОаМ, как правило, приписываеся либо переходам зона проводимости - акцептор, либо переходам донор - акцептор

Гетеропереходы п-7пО Оа/р-А10 пСги) ««И Ми, получались на подложке ЯЮ-бН, также наблюдалась инжекционная электролюминесценция, спектр которой состоял из ультрафиолетовой полосы с максимумом при 390 нм, при этом свечение оставалось устойчивым вплоть до температуры образца 500 °К Сравнение спектров электролюминесценции гетероперехода и катодолюминесценции образующих его пленок позволяет сделать вывод о том, что излучение происходит в основном в области 2пО Из сравнения этих спектров и из зависимости излучательных свойств этого гетероперехода от температуры можно также заключить, что механизмом электролюминесценции в нем является излучательная рекомбинация экситонов

Выводы

1 Получены поликристаллические пленки оксида цинка окислением металлических слоев цинка, нанесенных термическим напылением на разные подложки и исследованы зависимости их кристаллических, электрофизических и люминесцентных свойств от условий окисления - температуры, давления кислорода Показано, интенсивность краевой ультрафиолетовой полосы в спектрах КЛ растет, а её полуширина уменьшается с увеличением температуры окисления и с уменьшением давления кислорода в камере, и таким образом, свидетельствует об улучшении кристаллических и люминесцентных свойств пленок в этих условиях

2 Впервые выращены гетероэпитаксиальные структуры 2пО/ОаМ/а-АЬОз и Zn0/а-Al20з методом химических транспортных реакций и исследованы их катодолюминесцентные свойства

3 Показано, что пленки 7пО, выращенные на буферном слое ОаМ, обладают более высоким квантовым выходом люминесценции по сравнению с пленками Хг\0, выращенными непосредственно на а-АЬОз Обнаружена высокая стабильность люминесцентных свойств гетероэпитаксиальных структур 7п0/0аМ/а-А120з к достаточно длительной высокотемпературной обработке при 750 °С в атмосфере кислорода Данные экспериментов объясняются более высоким совершенством пленок 2пО/ОаН/а-АЬОз по сравнению с пленками 2пО/а-А12Оз вследствие малого расхождения параметров решеток гпО с ваИ (1 8%) по сравнению с а-А1203 (38 %)

Исследования по термической диффузии меди в пленки 7,пО свидетельствуют о причастности меди к образованию зеленой полосы в спектре люминесценции 2пО Показано, также, что центры меди являются ответственными за фононную структуру зеленой полосы люминесценции 2пО, которая из-за сильного электрон-фононного взаимодействия разрешается только при низких температурах

Проведена имплантация пленок 2пО ва азотом и исследованы их электрофизические и люминесцентные свойства Обнаружено резкое увеличение удельного сопротивления имплантированного азотом слоя пленки (на 8-9 порядков) Этот эффект термостабилен до температур 800 °С В спектрах катодолюминесценции этих образцов появляются новые полоса с максимумом 407 нм, которая остается после отжига и объясняется образованием большого количества акцепторов с участием введенного азота

Показана возможность использования «эффекта изоляции» для создания структур типа металл-диэлектрик-полупроводник с диодными свойствами Измерения вольтамперных характеристик полученных структур показали достаточно хорошие выпрямляющие свойства, при приложении прямого смещения наблюдалась электролюминесценция в ультрафиолетовой области спектра с максимумом при 389 нм

Получены гетеропереходы типа п-2пО Са/р-ОаЫ М^ последовательным эпитаксиальным выращиванием соответствующих слоев на сапфире Обнаружены выпрямляющие свойства гетероперехода, при прямом смещении наблюдается электролюминесценция в фиолетовой области спектра с максимумом при 430 нм Сравнение спектров электролюминесценции и катодолюминесценции пленок позволяет сделать вывод о том, что преимущественно имеет место инжекция электронов из области п-2пО в область р-ОаЫ гетероперехода Получены гетероструктуры п-2п0 ва/р-АЬ иОао «аМ последовательным

эпитаксиальным выращиванием соответствующих слоев на подложке 6Н-81С Обнаружены выпрямляющие свойства гетероперехода, при прямом смещении наблюдается электролюминесценция в ультрафиолетовой области спектра с максимумом при 390 нм, которое остается стабильным до температур 500 К Сравнение спектров электролюминесценции и катодолюминесценции пленок позволяет сделать вывод о том, что преимущественно имеет место инжекция дырок из области р-А10 l2Gao88N в область п-2пО гетероперехода и излучение происходит в результате аннигиляции экситонов

Результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1 М В Чукичев, Я И Аливов, С Д Колониус Катодолюминесценция поликристаллических пленок ZnO, полученных окислением металлических слоев 2п. Поверхность, N.5, 2002, стр 91-94

2 М V Chukichev and Ya I Alivov Polycrystallme ZnO films and quantum confinement effects in them. Physics of Low Dimensional Structures V 9/10,2002, pp 1-6

3 I Alivov, A V Chernykh, M V Chukichev, and R Y Korotkov Thin polycrystallme zinc oxide films obtained by oxidation of metallic ztnc films, Thin Solid Films V 473, pp 241-247 (2005)

4MB Чукичев, Б M Атаев, В В Мамедов, Я И Аливов, И И Ходос Катодолюминесценция гетероэпитаксиальных структур ZnO/GaN/a-Al/Уз, полученных методом химического транспорта. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, стр 1052-1055

5 Б М Атаев, М В Чукичев, В В Мамедов, Я И Аливов, И И Ходос Исследование катодолюминесцентных свойств гетероэпитаксиальных структур ZnO/GaN/a-AtiOi, полученных методом химического транспорта Труды 14-го Международного симпозиума «Тонкие пленки в оптике и электронике» — Харьков 2002, стр 109-112

6 М В Чукичев, Я И Аливов, Б М Атаев, С Д Колониус Влияние меди, введенной в npotfecce термической диффузии, на люминесцентные свойства оксида цинка Поверхность, N 5, стр 70-73, 2003

7 Я И Аливов, М В Чукичев, В А Никитенко, Зеленая полоса люминесценции пленок оксида цинка, легированных медью в процессе термической диффузии Физика и техника полупроводников, том 38, стр 34-38, 2004

8 Ya I Alivov, D С Look, В М Ataev, М V Chukichev, V V Mamedov, V I Zinenko, Yu A Agafonov Fabrication of ZnO-based metal-insulator-semiconductor diodes by ion implantation. Solid State Electronics V 48, pp 2343-2347 (2004)

9 Ya I Alivov, D С Look, M V Chukichev, В M Ataev, V A Nikitenko, V I Zinenko, Yu A Agafonov, ZnO-based MIS diodes prepared by ion implantation, Physics of Low Dimensional Structures, V 1/2, pp.83-85, 2004.

10 Я И Аливов, С Д Колониус, М В Чукичев Впияние отжига на спектр католюминесценции пленок ZnOGa, имплантированных азотом Известия РАН, Серия физическая том68,N9, С 1374-1376,2004

11 Я И Аливов, А Н Грузинцев Механизм гистерезиса на вольт-нркостной характеристике светоизлучающих структур на основе ZnSMn, Микроэлектроника, том 29, стр 211-216,2000

12 Ya I Alivov, J Е Van Nostrand, D С Look, M V Chukichev, and В M Ataev Observation of 430-nm Electroluminescence from ZnO/GaN heterojunction light-emitting diodes, Applied Physics Letters, V. 83, pp 2943-2945, 2003

13 Б M Атаев, Я И Аливов, В В Мамедов, С Ш Махмудов, Б А Магомедов Особенности получения и некоторые свойства гетероперехода n-ZnO Ga'p-GaN'Mg'a-AI2O3,, Физика и техника полупроводников, том 38, стр 699-671,2004

14 Б М Атаев, Я И Аливов, В В Мамедов, А М Багамадова, А К Омаев, С Ш Махмудов, Б А Магомедов, Формирование и некоторые свойства гетероперехода п-ZnO Ga/p-GaNMg/a-AljOi, Труды 15-го Международного симпозиума «Тонкие пленки в оптике и электронике» — Харьков 2002, стр 109-112

15 В М Ataev, Ya Т Alivov, V A Nikitenko, М V Chukichev, V V Mamedov, S Sh Makhmudov, n-ZnO/p-GaN heterojunction as a promising light-emitting system, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials V 5, No 4, p 899 - 902, 2003

16 Ya I Alivov, E V Kalinina, D С Look, В M Ataev, M V Chukichev, D M Bagnall, A E Cherenkov, А К Omaev Fabrication and characterization of n-ZnO'p-AIGaN heterojunction light-emitting diodes on 6H-S1C substrates, Applied Physics Letters, V 83, pp 4719-4921, 2003

17 D M Bagnall, Ya I Alivov, E V Kalinina, D С Look, В M Ataev, M V Chukichev,

V A Nikitenko, A E Cherenkov, А К Omaev, ZnO/AlGaN ultraviolet light emitting diodes, Mat Res Soc Symp Proc Vol 798, Y3 9 1-Y3 9 6, 2003

18 D С Look, В Claflin, Ya I Alivov, and S J Park, The future ofZnO light emitters, Physica Status Solidi (c) Vol 201, pp 2203-2215 (2004)

Тезисы докладов

1 Ya I Alivov, В M Ataev, M V Chukichev , V V Mamedov , V I Zinenko, Yu A Agafonov, A N Pustovit, The Properties of ZnO:Ga Films Implanted With N* Ions, 2nd International Workshop on Zinc Oxide, Dayton, USA, October 23-25, 2002 p 83

2 Ya I Alivov, В M Ataev, M V Chukichev, V V Mamedov, V I Zinenko, A N Pustovit Conduction Type Inversion in ZnO.Ga Films Implanted With N*, The 8Л International Conference on Electronic Materials Xi'an, China, June 10-14, 2002, p 156

3 Ya I Alivov, В M Ataev, D P Norton, M V Chukichev, V A Nikitenko, V V Mamedov,

V I Zinenko, Yu A Agafonov, A N Pustovit, Comparative studies of non-doped and Ga-doped ZnO films implanted with N* ions, Book of Abstracts II, 22nd International Conference on Defects in Semiconductors, Aarhus, Denmark, July 28 - August 1, 2003

4 Ya I Alivov, D С Look, M V Chukichev, В M Ataev, V A Nikitenko, V I Zinenko, Yu A Agafonov, ZnO-based MIS diodes prepared by ion implantation, 11th International conference on И-VI compounds, Niagara Falls, NY, September 22-26, 2003

5 Ya I Alivov, D С Look, В M Ataev, M V Chukichev, V A Nikitenko, V V Mamedov,

V I Zinenko, Yu A Agafonov ZnO-based metal-insulator-semiconductor UV light-emitting diodes prepared by ion implantation, Proceedings of 2003 International Semiconductor Device Research Symposium, Washington, D С , December 10-12, 2003, pp 9-10

6 И Аливов, Д С Лук, Дж Е Ван Ностранд, М В Чукичев, Б М Атаев, п-р переходы и светоизлучающие диоды на основе ZnO и GaN 2-ая Всероссийская конференция «Нитриды, галлия, индия и алюминия», 3-4 февраля 2003 года, Санкт-Петербург, стр 97

Я И Аливов, М В Чукичев, Б М Атаев, Рекомбипациопное излучение высокосовершенных пленок 2п0 при больших плотностях неравновесных носителей. Международная конференция «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах», 11-14 сентября 2002, Махачкала, Россия стр 304-305

Для заметок

Для заметок

Для заметок

j

i

j

i

í

I

ь

J

í

I

I

I

I

I

I

i

i

t

I

)

t

¡

I

»21898

РНБ Русский фонд

2006-4 18984

Заказ № 1780 Подписано в печать 26.09.05 Тираж 100 экз. Усл. пл. 0,55

-С \\ ООО "Цифровичок", тел. (095) 797-75-76 "у) www.cfr.ru; е-тт1:т/о@с/г.ги

ОГЛАВЛЕНИЕ.

ВВЕДЕНИЕ.

Глава I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

§1.1. Общая характеристика оксида цинка.

§1.2, Зонная структура.

§1.3. Основные электрофизические и оптические свойства.

§1.4. Фото- и катодолюминесценция.

§1.5. Методы получения пленок ZnO.

§1.6. Гетероэпитаксия.

§1.7. Зеленая полоса люминесценции пленок и кристаллов ZnO, легированных медью.

§1.8. Пленки ZnO, легированные и солегированные азотом.

§ 1.9. P-N гетеропереходы на основе ZnO.

Глава II. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

§2.1. Особенности электронного возбуждения.

§2.2. Описание экспериментальной установки.

§2.3. Метод газофазной эпитаксии для выращивания эпитаксиальных. пленок оксида цинка.

§2.4. Получение поликристаллических пленок ZnO методом окисления металлических слоев цинка.

§2.5. Подготовка образцов для исследований.

Глава III. КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПЛЕНОК ОКСИДА ЦИНКА,

ПОЛУЧЕННЫХ РАЗНЫМИ МЕТОДОАМИ.

§3.1. Катодолюминесценция поликристаллических пленок ZnO, полученных термическим окислением металлических слоев цинка.

§3.2. Катодолюминесценция гетероэпитаксиальных структур

ZnO/GaN/a-AbOj, полученных методом химического транспорта.

Глава VI. СВОЙСТВА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК

ОКСИДА ЦИНКА, ЛЕГИРОВАННЫХ РАЗНЫМИ ПРИМЕСЯМИ.

§4.1. Пленки оксида цинка, легированные медью путем термической диффузии.

§4.2. Пленки оксида цинка, легированные галлием в процессе роста и имплантированные азотом.

§4.3. Структуры металл-диэлектрик-полупроводник.

Глава V. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА P-N

ГЕТЕРОПЕРХОДОВ НА ОСНОВЕ ZnO.

§5.1. Гетеропереходы типа n-ZnO/p-GaN.

§5.2. Гетеропереходы типа n-ZnO/p-Alo.uGao.sgN.

ВЫВОДЫ.

Оксид цинка (ZnO), широкозонный полупроводник до недавнего времени представлявший интерес как материал с хорошими пьезоэлектрическими свойствами (с самым большим коэффициентом электромеханической связи из всех известных полупроводников), в последнее время привлек внимание исследователей как перспективный материал для создания синих и ультрафиолетовых излучателей света. Это объясняется тем, что, он, являясь физическим аналогом нитридом галлия (GaN) - полупроводника, широко используемого в настоящее время сегодня для создания светоизлучающих структур в этой области спектра, в то же время ZnO обладает рядом существенных преимуществ, среди которых:

- большая энергия связи экситона ~60 мэВ (против ~25 мэВ в GaN),

- простота получения пленок и кристаллов и, следовательно, экономическая выгода создания приборов на основе ZnO,

- высокая радиационная стойкость,

- высокий квантовый выход люминесценции,

- возможность химического травления простыми реактивами,

Однако, на пути внедрения этого материала в производство стоит ещё много проблем. Несмотря на десятилетия исследований многие основные физические свойства оксида цинка остаются все еще необъясненными, что создает трудности для получения кристаллов с заранее заданными свойствами. В частности, нет единой точки зрения на природу естественной электронной проводимости нелегированных пленок и кристаллов ZnO: одними авторами это приписывается собственным дефектам (вакансиям кислорода или междоузельному цинку), другими - примесям водорода, всегда присутствующим при всех используемых в настоящее время методах выращивания и неконтролируемо проникающим в кристалл вследствие большой его подвижности. Нет единой точки зрения и на природу зеленой полосы, всегда присутствующей в спектре люминесценции ZnO, независимо ни от условий выращивания, и ни от последующей обработки. Одними авторами эта полоса приписывается однократно заряженным вакансиям кислорода, другими - центрам меди.

Самой главной проблемой, пожалуй, которую нужно решить, чтобы сделать возможным внедрение ZnO в производство для создания полупроводниковых приборов, это получение р-типа проводимости. Хотя в последнее время сделан большой прогресс в этом направлении - выращены пленки ZnO р-типа проводимости путем легирования элементами V группы, однако, технология получения высококачественных пленок ZnO р-типа проводимости пока отсутствует. Кроме этого, имеет место трудность воспроизведения уже достигнутых результатов. Следует отметить, что, вообще, первая работа по получению р-типа проводимости в ZnO появилась только недавно, в 1997 году.

Особый практический интерес представляет собой исследование р-п гетеропереходов на основе ZnO. Такие гетероструктуры обычно получаются путем эпитаксиального выращивания ZnO n-типа проводимости на других полупроводниках р-типа проводимости с близкими параметрами кристаллической решетки. Однако, такие структуры изучены очень мало.

Об актуальности проблемы исследования ZnO говорит и тот факт, что в 2000 году учрежден специальный Международный семинар по ZnO1 для регулярных встреч ученых всего мира, чтобы обсуждать стоящие вопросы и объединить усилия в деле их решения.

Цель работы.

Целью диссертационной работы было исследование люминесцентных свойств пленок ZnO, полученных при разных технологических условиях (условия синтеза, типы подложек, легирование), и гетеропереходов на их основе. Для достижения поставленной цели были сформулированы следующие задачи:

• получение поликристаллических пленок оксида цинка путем термического окисления металлических слоев цинка и исследование их кристаллических, электрофизических и люминесцентных свойств в зависимости от условий окисления - температуры, давления кислорода и типа подложки;

• исследование катодолюминесцентных свойств гетероэпитаксиальных пленок ZnO, выращенных методом химических транспортных реакций на пленках GaN, полученных на сапфире путем осаждения из металлорганических соединений;

• проведение имплантации пленок ZnO'.Ga ионами азота и исследование их люминесцентных и электрических свойств в зависимости от дозы;

11 и 2-й Международные семинары по ZnO прошли в г. Дейтон, шт. Огайо, США в 2000 и 2002 годах, соответственно, а 3-й семинар прошел в г. Сендай, Япония, 5-8 октября 2004 года

• получение р-n гетеропереходов n-ZnO/p-GaN и n-ZnO/p-AlGaN путем эпитаксиального выращивания ZnO:Ga на GaN:Mg и AlGaN:Mg , соответственно, и исследование их вольт-амперных и электролюминесцентных свойств.

Научная новизна.

Исследованы зависимости кристаллических, электрофизических и люминесцентных свойств поликристаллических пленок оксида цинка, полученных путем окисления металлических слоев цинка, в широком диапазоне технологических условий -температуры, давления кислорода и типа подложки. Определены оптимальные условия, необходимые для получения высококачественных пленок оксида цинка.

Получены гетероэпитаксиальные структуры ZnO/GaN/a-АЬОз и ZnO/a-АЬОз методом химического транспорта в проточном реакторе пониженного давления и проведены сравнительные исследования их катодолюминесцентных свойств. Показано, что пленки ZnO, выращенные на GaN подложке, обладают значительно более высоким квантовым выходом люминесценции по сравнению с пленками, выращенными непосредственно на а-АЬОз подложке, что может быть объяснено более высоким совершенством их кристаллической структуры. Обнаружена высокая термическая стойкость пленок ZnO в гетероструктурах Zn0/GaN/a-Al203 подвергнутых к достаточно длительному отжигу при 750 С в атмосфере кислорода.

Проведена имплантация пленок ZnO:Ga азотом и исследованы их электрофизические и люминесцентные свойства. Обнаружено резкое увеличение (на 8-9 порядков) удельного сопротивления пленок после имплантации, при этом «эффект изоляции» термостабилен до 800 °С. Показана возможность использования этого эффекта для создания структур металл-диэлектрик-полупроводник. В спектрах катодолюминесценции имплантированных образцов наблюдаются новые полосы с максимумами 570 и 407 нм, природа которых объясняется образованием радиационных дефектов и достаточно большого количества акцепторных центров с участием легированного азота.

Получены гетероструктуры n-ZnO:Ga/p-GaN:Mg и n-ZnOiGa/p-Alo.nGao.ssNiMg и исследованы их электролюминесцентные свойства.

Практическое значение.

Установленная связь между технологическими условиями изготовления и свойствами поликристаллических пленок ZnO, полученных при окислении металлических слоев цинка, может быть использовано для получения таких пленок с заданными свойствами. Результаты исследований ZnO, полученных на буферном слое GaN, также могут быть применены для получения высокосовершенных эпитаксиальных пленок ZnO.

Исследования влияния меди на спектр люминесценции ZnO могут иметь фундаментальный интерес для понимания примесных механизмов излучательных процессов в этом материале.

Обнаруженный термостабильный «эффект изоляции» имплантированного азотом пленок ZnO:Ga, а также последующее получение диода металл-диэлектрик-полупроводник на основе этого эффекта, могут быть применены для создания прибора на основе подобных структур.

Результаты исследований гетеропереходов n-ZnO:Ga/p-GaN:Mg и n-ZnO:Ga/p-Alo.i2Gao 88N:Mg показывают возможность создания светоизлучающих структур на основе таких гетеропереходов.

Основные положения, выносимые на защиту.

• Установлена однозначная связь между кристаллическими, электрическими и люминесцентными свойствами пленок ZnO и технологическими условиями окисления металлических слоев цинка.

• Использование GaN в качестве буферного слоя при выращивании эпитаксиальных пленок ZnO методом химического транспорта приводит к резкому улучшению структурного совершенства таких пленок по сравнению с пленками, выращенными без буферного слоя, непосредственно на сапфире. Обнаружена термостойкость таких пленок к длительному высокотемпературному отжигу.

• В пленках ZnO:Ga обнаружен термостабильный «эффект изоляции» после имплантации азотом, который на основе исследований спектров катодолюминесценции образцов объясняется компенсацией создаваемой донорами электронной проводимости, введенными в процессе имплантации акцепторами.

• Показана возможность использования «эффекта изоляции» для создания структур металл-диэлектрик-полупроводник, которые обладают выпрямительными свойствами и при приложении прямого напряжения излучают излучают свет в ультрафиолетовой области спектра с максимумом интенсивности при 390 нм.

• Получен n-р гетеропереход типа n-ZnO:Ga/p-GaN:Mg, который при прямом его смещении излучает свет в фиолетовой области спектра с максимумом интенсивности при 430 нм при 300 К.

• Получен n-р гетеропереход типа n-ZnO:Ga/p-AIo.i2Gao.88N:Mg, который при прямом его смещении излучает свет в ультрафиолетовой области спектра с максимумом интенсивности при 390 нм при 300 и 500 К.

Апробация работы

Основные результаты работы докладывались на следующих конференциях:

1. 14 и 15-й Международный симпозиумы «Тонкие пленки в оптике и электронике», Харьков, соответственно 2002 и 2003;

2. 2nd International Workshop on Zinc Oxide, Dayton, USA, 2002;

3. International Semiconductor Device Research Symposium, Washington, D.C., 2003;

4. Международная конференция «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах», Махачкала, 2002

5. International Conference "Nano and Giga Challenges in Microelectronics Research and Opportunities in Russia", Moscow, Russia, 2002

6. 22nd International Conference on Defects in Semiconductors, Aarhus, Denmark, 2003;

7. 1 и 2-ая Всероссийская конференции «Нитриды, галлия, индия и алюминия», соответственно - Москва, 2002 и Санкт-Петербург, 2003

8. The 8th International Conference on Electronic Materials Xi'an, China, 2002;

9. Международная конференция по люминесценции, посвященная 110-летию со дня рождения В. А. Вавилова, ФИАН, Москва, 2001.

Публикации, Материалы диссертации опубликованы в 18 статьях в реферируемых научных журналах и материалах конференций и в 9 тезисах докладов.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав,

Выводы

1. Получены поликристаллические пленки оксида цинка окислением металлических слоев цинка, нанесенных термическим напылением на разные подложки и исследованы зависимости их кристаллических, электрофизических и люминесцентных свойств от условий окисления - температуры, давления кислорода. Показано, интенсивность краевой ультрафиолетовой полосы в спектрах KJI растет, а её полуширина уменьшается с увеличением температуры окисления и с уменьшением давления кислорода в камере, и таким образом, свидетельствует об улучшении кристаллических и люминесцентных свойств пленок в этих условиях.

2. Впервые выращены гетероэпитаксиальные структуры ZnO/GaN/a-АЬОз и ZnO/a-АЬОз методом химических транспортных реакций и исследованы их катодолюминесцентные свойства.

3. Показано, что пленки ZnO, выращенные на буферном слое GaN, обладают более высоким квантовым выходом люминесценции по сравнению с пленками ZnO, выращенными непосредственно на а-АЬОз. Обнаружена высокая стабильность люминесцентных свойств гетероэпитаксиальных структур ZnO/GaN/a-АЬОз к достаточно длительной высокотемпературной обработке при 750 °С в атмосфере кислорода. Данные экспериментов объясняются более высоким совершенством пленок ZnO/GaN/a-АЬОз по сравнению с пленками ZnO/a-АЬОз вследствие малого расхождения параметров решеток ZnO с GaN (1.8%) по сравнению с а-А120з (38 %)

4. Исследования по термической диффузии меди в пленки ZnO свидетельствуют о причастности меди к образованию зеленой полосы в спектре люминесценции ZnO. Показано, также, что центры меди являются ответственными за фононную структуру зеленой полосы люминесценции ZnO, которая из-за сильного электрон-фононного взаимодействия разрешается только при низких температурах.

5. Проведена имплантация пленок ZnO:Ga азотом и исследованы их электрофизические и люминесцентные свойства. Обнаружено резкое увеличение удельного сопротивления имплантированного азотом слоя пленки (на 8-9 порядков). Этот эффект термостабилен до температур 800 °С. В спектрах катодолюминесценции этих образцов появляются новые полоса с максимумом 407 нм, которая остается после отжига и объясняется образованием большого количества акцепторов с участием введенного азота.

6. Показана возможность использования «эффекта изоляции» для создания структур типа металл-диэлектрик-полупроводник с диодными свойствами. Измерения вольтамперных характеристик полученных структур показали достаточно хорошие выпрямляющие свойства, при приложении прямого смещения наблюдалась электролюминесценция в ультрафиолетовой области спектра с максимумом при 389 нм.

7. Получены гетеропереходы типа n-ZnO:Ga/p-GaN:Mg последовательным эпитаксиальным выращиванием соответствующих слоев на сапфире. Обнаружены выпрямляющие свойства гетероперехода, при прямом смещении наблюдается электролюминесценция в фиолетовой области спектра с максимумом при 430 нм. Сравнение спектров электролюминесценции и катодолюминесценции пленок позволяет сделать вывод о том, что преимущественно имеет место инжекция электронов из области n-ZnO в область p-GaN гетероперехода.

8. Получены гетероструктуры n-ZnO:Ga/p-Al<mGao.88N:Mg последовательным эпитаксиальным выращиванием соответствующих слоев на подложке 6H-SiC. Обнаружены выпрямляющие свойства гетероперехода, при прямом смещении наблюдается электролюминесценция в ультрафиолетовой области спектра с максимумом при 390 нм, которое остается стабильным до температур 500 К. Сравнение спектров электролюминесценции и катодолюминесценции пленок позволяет сделать вывод о том, что преимущественно имеет место инжекция дырок из области p-Alo.i2Gao.88N:Mg в область n-ZnO гетероперехода излучение происходит в результате аннигиляции экситонов.

Заключение

В заключение считаю своим приятным долгим поблагодарить своего научного руководителя, доцента МГУ к. ф.-м. н. Михаил Васильевича Чукичева, за помощь, без которой выполнение диссертаци было бы невозможно. Хочу также поблагодарить научных сотрудников Института проблем технологии микроэлектроники РАН В. Т. Волкова, А. В. Черныха, В. И. Зиненко, В. С. Аврутина и многих других, которые оказали мне помощь на разных этапах работы. Очень также признателен сотрудникам Лаборатории роста и структуры кристаллов Института физики Дагестанского научного центра РАН (зав. лаб. д. ф.-м. н. Б. М. Атаев) за выращенные образцы и за плодотворное обсуждение результатов работы.

1. Landolt-Bomstein. Springer-Verlag, Berlin/Heidelberg/New York, 1980, New Series, III/22a.

2. И. П. Кузьмина, В. А. Никитенко. Окись цинка. Получение и оптические свойства. М.: Наука. 1984.167

3. Y. S. Park, С. W. Litton, Т. С. Collins, and D. С. Reynolds, Exciton Spectrum of ZnO, Phys. Rev. V. 143, pp. 512-519 (1966)

4. D.G. Tomas, The exciton spectrum of zinc oxide, J. Phys. Chem. Solids, 1960, V. 15, pp. 86-96.

5. Joseph L. Birman, Polarization of fluorescence in CdS and ZnS single crystals, Phys. Rev. Lett., 1959, V. 2, pp. 157-159

6. Walter R.L. Lambrecht, Anna V. Rodina, Sukit Limpijumnong, B. Segall,l and Bruno K. Meyer, Valence-band ordering and magneto-optic exciton fine structure in ZnO, Phys Rev. B, 2002, V. 65, pp. 75207-75218

7. D. C. Reynolds, D. C. Look, B. Jogai, C. W. Litton, G. Cantwell, and W. C. Harsch Valence-band ordering in ZnO, Phys. Rev. B, 1999, V.60, pp. 2340-2344

8. A. F. Kohan, G. Ceder, D. Morgan, Chris G. Van de Walle, First-principles study of native point defects in ZnO, Phys. Rev. B, 2000, V. 61, p. 15019

9. D. C. Look, J. W. Hemsky, and J. R. Sizelove. Residual native shallow donor in ZnO. Phys. Rev. Lett. 1998, V.82, pp. 2552-2555

10. Chris G. Van de Walle, Hydrogen as a Cause of Doping in Zinc Oxide, Phys. Rev. Lett., 2000, V. 85, pp. 1012-1015

11. Chris G. Van de Walle, Defect analysis and engineering in ZnO, V. 308-310, 2001, pp. 899-903i

12. Detlev M. Hoftnann, Albrecht Hofstaetter, Frank Leiter, Huijuan Zhou, Frank Henecker, Bruno K. Meyer, Sergei B. Orlinskii, Jan Schmidt, Pavel G. Baranov, Hydrogen: A Relevant Shallow Donor in Zinc Oxide, Phys. Rev. Lett., 2002, V. 88, pp. 45504-45507

13. К. Ip, М. Е. Overberg, Y. W. Heo, D. P. Norton, S. J. Pearton, S. O. Kucheyev, C. Jagadish, J. S. Williams, R. G. Wilson, and J. M. Zavada, Thermal stability of ion-implanted hydrogen in ZnO, Appl. Phys. Lett., 2002, V. 81, pp. 3996-3998

14. M. D. Mc.Cluskey, S. J. Jokela, К. K. Zhuravlev, P. J. Simpson, K. G. Lynn. Infrared spectroscopy of hydrogen in ZnO. Appl. Phys. Lett., 2002, V. 81, pp. 3807-3809

15. D. C. Look, C. Cokun, B. Claflin and G. C. Farlow, Electrical and optical properties of defects and impurities in ZnO, V. 340-342,2003, pp. 32-38

16. N.Y. Garces, N.C. Giles, L.E. Halliburton, G. Cantwell, D.B. Eason, D.C. Reynolds, D.C.Look. Production of nitrogen acceptors in ZnO by thermal annealing. Appl. Phys. Lett., 2002, V. 80, pp.1334-1336

17. D. C. Look, R. L. Jones, J. R. Sizelove, N. Y. Garces, N. C. Giles, and L. E. Halliburton, The path to ZnO devices: donor and acceptor dynamics, Phys. Stat. Solidi (a), V. 195, 2004, pp. 171-177.

18. В.А.Никитенко. Люминесценция и ЭПР оксида цинка, ЖПС, 1992, т. 52, с. 361-385

19. Meng Chen, Zhiliang Pei, Wang Xi, Cao Sun, and Lishi Wen, Transparent Conductive Oxide Semiconductor ZnO. Al Films Produced by Magnetron Reactive Sputtering, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 2001, V. 666, F.l.2-1.5.

20. В. M. Ataev, A. M. Bagamadova, A. M. Djabrailov, V. V. Mamedov, R. A. Rabadanov, Highly conductive and transparant Ga-doped epitaxial ZnO films on sapphire by CVD. Thin Solid Films, 1995, V. 260, pp. 19-22

21. Hiroyuki Kato, Michihiro Sano, Kazuhiro Miyamoto and Takafumi Yao, Growth and characterization of Ga-doped ZnO layers on a-plane sapphire substrates grown by molecular beam epitaxy, J. Cryst. Growth, 2002, V. 237-239, pp. 496-499

22. H. J. Ко, Y. F. Chen, S. K. Hong, H. Wenisch, T. Yao, and D. C. Look, Ga-doped ZnO films grown on GaN templates by plasma-assisted molecular-beam epitaxy, Appl. Phys. Lett., 2000, V. 77, pp. 3761-3763

23. В. M. Ataev, A. M. Bagamadova, V. V. Mamedov, A. K. Omaev, R. A. Rabadanov. Highly conductive and transparant thin ZnO films prepared in situ in low pressure system, J. Cryst. Growth, 1999, V. 198-199,1222-1225

24. Satoshi Masuda, Ken Kitamura, Yoshihiro Okumura, Shigehiro Miyatake, Hitoshi Tabata, and Tomoji Kawai, Transparent thin film transistors using ZnO as an active channel layer and their electrical properties, J. Appl. Phys., 2003, V. 93, pp. 1624-1630

25. R. L. Hoffman, B. J. Norris, and J. F. Wager, ZnO-based transparent thin-film transistors, Appl. Phys. Lett., 2003, V. 82, pp. 733-735.

26. Yutaka Ohya, Tsukasa Niwa, Takayuki Ban and Yasutaka Takahashi, Thin Film Transistor of ZnO Fabricated by Chemical Solution Deposition, Jpn. J. Appl. Phys., 2001, V. 40, pp. 297-298

27. M. K. Jayaraj, A. D. Draeseke, J. Tate, R. L. Hoffman, and J. F. Wager, Transparent p-n Heterojunction Thin Film Diodes (n-Zn0/p-CuY02.Ca), Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 2001, V. 666, F4.1-4.4

28. D. C. Look, Recent advances in ZnO materials and devices, Materials Science and Engineering B, 2001, V. 80, pp. 383-386

29. Т. В. Бутхузи, A. H. Георгобиани, E. Зада-Улы, Б. Т. Эльтазаров, Т. Г. Хулордава, Люминесценция монокристаллических слоев окиси цинка п- и р- типа проводимости, Труды ФИАН, 1987, том 182, стр. 140-18

30. Т. V. Butkhuzi, М.М. Sharvashidze, N.M. Gamkrelidze, Kh.V. Gelovani, T.G. Khulordava, N.P. Kekelidze, and E.E. Kekelidze, Semicond. Sci. Technol., 2001, V. 16, 575-578

31. A. H. Георгобиани, M. Б. Котляровский, В. В. Кидалов, И. В. Рогозин, Структуры ZnO/ZnSe, полученные радикало-лучевой эпитаксии. Неорганические материалы, 1997, том 33, стр. 232-235

32. Kazunori Minegishi.Yasushi Koiwai,Yukinobu Kikuchi, Koji Yano, Masanobu Kasuga and Azuma Shimizu, Growth of p-type Zinc Oxide Films by Chemical Vapor Deposition, Jpn. J. Appl. Phys., 1997, V. 38, Part 2, pp. L1453-L1456

33. Mathew Joseph, Hitoshi Tabata and Tomoji Kawai, p-Type Electrical Conduction in ZnO Thin Films by Ga and N Codoping, Jpn. J. Appl. Phys., 1999, Vol.38, Part 2, pp. LI 205-L1208

34. Y. R. Ryu, S. Zhu, D. C. Look, J. M. Wrobel, H. M. Jeong and H. W. White, Synthesis of p-type ZnO films, J. Ciyst. Growth, 2000, V. 216, pp. 330-333

35. Y. R. Ryu, W. J. Kim and H. W. White, Fabrication of homostructural ZnO p-n junctions, J. Cryst. Growth, 2000, V. 216, pp. 334-337

36. M. Joseph, H. Tabata, H. Saeki, K. Ueda, and T. Kawai, Fabrication of the low-resistive p-type ZnO by codoping method, Physica B, 2001, V. 302-303, pp.140-143

37. Xin-Li Guo, Hitoshi Tabata and Tomoji Kawai, Pulsed laser reactive deposition of p-type ZnO film enhanced by an electron cyclotron resonance source, J. Cryst. Growth, 2001, V. 223, pp.135-138

38. A.B.M.A. Ashrafi, I. Suemune, H. Kumano, and S. Tanaka, Nitrogen-Dopedp-Type ZnO Layers Prepared with H20 Vapor-Assisted Metalorganic Molecular-Beam Epitaxy. Jpn. J. Appl. Phys. 2002, V. 41, L1281-L1284

39. Gang Xiong, John Wilkinson, Brian Mischuck, S. Tiizemen, К. B. Ucer, and R. T. Williams, Control of p- and n-type conductivity in sputter deposition of undoped ZnO. Appl. Phys. Lett., 2002, V. 80, pp. 1195-1197

40. D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell, Characterization of homoepitaxial p-type ZnO grown by molecular beam epitaxy, Appl. Phys. Lett., 2002, V. 81, pp. 1830-1832

41. X. Li, Y. Yan, T.A. Gessert, C.L. Perkins, D. Young, C. DeHart, M. Young, and T.J. Coutts, J. Vac. Sci. Technol. A, 2003, V. 21, pp. 1342-1345

42. J. F. Rommeluere, L. Svob, F. Jomard, J. Mimila-Arroyo, A. Lusson, V. Sallet, and Y. Marfaing, Electrical activity of nitrogen acceptors in ZnO Jilms grown by metalorganic vapor phase epitaxy, Appl. Phys. Lett., 2003, V. 83, pp. 287-289.

43. K.H. Bang, D-K. Hwang, M-C. Park, Y-D. Ко, I. Yun, and J-M. Myoung, Appl. Surf. Sci. 2003, V. 210, pp. 177-180

44. B.S. Li, Y.C. Liu, Z.Z. Zhi, D.Z. Shen, Y.M. Lu, J.Y. Zhang, X.W. Fan, R.X. Mu, and D.O. Henderson, J. Mater. Res., 2003, V. 18, pp. 8-11

45. A. V. Singh, R. M. Mehra, A. Wakahara, and A. Yoshida, p-type conduction in codoped ZnO thin Jilms, J. Appl. Phys, 2003, V. 93, pp. 396-399

46. J. Huang, Z. Ye, H. Chen, B. Zhao, and L. Wang, Growth ofN-doped p-type ZnO films using ammonia as dopant source gas, J. Mater. Sci. Lett. 2003, V. 22, pp. 249-252

47. Y. R. Ryu, T. S. Lee, and H. W. White, Properties of arsenic-doped p-type ZnO grown by hybrid beam deposition, Appl. Phys. Lett., 2003, V. 83, pp. 87-89

48. Kyoung-Kook Kirn, Hyun-Sik Kim, Dae-Kue Hwang, Jae-Hong Lim, and Seong-Ju Park, Realization of p-type ZnO thin films via phosphorus doping and thermal activation of the dopant, Appl. Phys. Lett., 2003, V. 83, pp. 63-65

49. J. Lu, Y. Zhang, Z.Ye, L. Wang, B. Zhao, and J. Huang, p-type ZnO films deposited by DC reactive magnetron sputtering at different ammonia concentrations, Mater. Lett. 2003, V. 57, pp. 3311-3313

50. J. Wang, G. Du, B. Zhao, X. Yang, Y. Zhang, Y. Ma, D. Liu, Y. Chang, H. Wang, H. Yang, and S. Yang, Epitaxial growth of NH3-doped ZnO thin films on <1224> oriented sapphire substrates, J. Ciyst. Growth, 2003, V. 255, pp. 293-296

51. C. Wang, Z. Ji, K. Liu, Y. Xiang, and Z. Ye, p-Type ZnO thin films prepared by oxidation of Zn3N2 thin films deposited by DC magnetron sputtering, J. Crystal Growth, 2003, V. 259, pp.279-282

52. J. M. Bian, X. M. Li, X. D. Gao, W. D. Yu, and L. D. Chen, Deposition and electrical properties ofN-In codoped p-type ZnO fdms by ultrasonic spray pyrolysis, Appl. Phys. Lett., 2004, V. 84, pp. 541-543.

53. A. Tsukazaki, H. Saito, K. Tamura, M. Ohtani, H. Koinuma, M. Sumiya, S. Fuke, T. Fukumura, and M. Kawasaki. Systematic examination of carrier polarity in composition spread ZnO thin fdms codoped with Ga and N. Appl. Phys. Lett., 2002, V. 81, p. 235-237

54. K. Iwata, P. Fons, A. Yamada, K. Matsubara and S. Niki, Nitrogen-induced defects in ZnO: N grown on sapphire substrate by gas source MBE. J. Cryst. Growth, 2000, V. 209, pp. 526-529

55. Xin-Li Guo, Hitoshi Tabata and Tomoji Kawai, Epitaxial growth and optoelectronic properties of nitrogen-doped ZnO fdms on AI2O3 substrate, J. Cryst. Growth, 2002, V. 237-239, pp. 544-547

56. S. Yamauchi, Y. Goto, T. Harm, Photoluminescence studies of undoped and nitrogen-doped ZnO layers grown by plasma-assisted epitaxy, Journal of Crystal Growth, 2004, V. 260,pp.1-6

57. M. K. Ryu, S. H. Lee, and M. S. Jang, Postgrowth annealing effect on structural and optical properties of ZnO fdms grown on GaAs substrates by the radio frequency magnetron sputtering technique, J. Appl. Phys., 2002, V. 92,, pp. 158-158

58. C. Morhain, M. Teisseire, S. Verzian, F. Viguer*, F. Raymond, P. Lorenzini, J. Guion, G. Neu, and J.-P. Faurie, Spectroscopy of Excitons, Bound Excitons and Impurities in h-ZnO Epilayers, Phys. Stat. Solidi (b), 2002, V. 229, pp. 881-885

59. Y. W. Heo, S. J. Park, K. Ip, S. J. Pearton, and D. P. Norton. Transport properties of phosphorus-doped ZnO thin films, Appl. Phys. Lett., 2003, V. 83, pp. 1128-1130.

60. Eun-Cheol Lee, Y.-S. Kim, Y.-G. Jin, and K. J. Chang, Compensation mechanism for N acceptors in ZnO, Phys Rev B, 2001, V. 64, pp. 85120-85125

61. С. H. Park, S. B. Zhang, and Su-Huai Wei, Origin of p-type doping difficulty in ZnO: The impurity perspective, Phys. Rev. B, 2002, V. 66, pp. 73202-73207

62. Yanfa Yan, S. B. Zhang, S. T. Pantelides, Control of Doping by Impurity Chemical Potentials: Predictions for p-Type ZnO, Phys. Rev. Lett., 2001, V. 86, pp. 5723-5726

63. Eun-Cheol Lee, Y. -S. Kim, Y. -G. Jin and K. J. Chang, First-principles study of the compensation mechanism in N-doped ZnO, Physica B, 2001, V. 308-310, pp. 912-915

64. S. B. Zhang, S.-H. Wei, and Alex Zunger, Intrinsic n-type versus p-type doping asymmetry and the defect Phys. of ZnO, Phys. Rev B, 2001, V. 63, pp.75205-75209

65. Tetsuya Yamamoto and Hiroshi Katayama-Yoshida, Solution Using a Codoping Method to Unipolarity for the Fabrication of p-Type ZnO, Jpn. J. Appl. Phys., 1999, Vol.38, Part 2, pp. L166-L169

66. D.C. Look and B. Claflin, P-type doping and devices based on ZnO. Phys. Stat. Sol., 2004, V. 241, p 624-630

67. M. A. L. Johnson, Shizuo Fujita, W. H. Rowland, JR., W. C. Hughes, J. W. Cook, JR., and J. F. Schetzina, MBE growth and properties of ZnO on supphire and SiC substrates, J. Electron. Materials, 1996, V. 25, pp. 855- 862.

68. R. Dingle, Luminescent transitions associated with divalent copper impurities and green emission from semiconducting zinc oxide, Phys. Rev. Lett., 1969, V. 23, pp. 579-581.

69. R. Kuhnert and R. Helbig, Vibronic structure of the green photoluminescence due to copper impurities in ZnO, J. Luminescence, 1981, V. 26, pp. 203-206

70. P. J. Dean, D. J. Robbins, S. G. Bishop, J. A. Savage and P. Porteous, The optical properties of copper in zinc oxide, J. Phys. C, 1981, V. 14, pp. 2847-2858

71. D. J. Robbins, D. C. Herberts and P. J. Dean, The origin of the а, Д у blue no-phonon transitions in ZnO. Cu a deep-level problem, J. Phys. C., 1981, V. 14, pp. 2959-2870

72. Immanuel J.Broser, Rudolf K. F. Germer, Hans-Joachim E. Shulz and Klaus P. Wisnewski. Fine structure and Zeeman effect of the excited state of the green emitting copper center in zinc oxide. Solid State Eelectronics, 1978, V. 21, pp. 1597-1602

73. N. Y. Garces, L. Wang, L. Bai, N. C. Giles, L. E. Halliburton, and G. Cantwell, Role of copper in the green luminescence from ZnO crystals, Appl. Phys. Lett., 2002, V. 81, pp. 622-624

74. В.И.Соколов. Водородоподобиые возбуждения примесей переходных Sd-элементов в полупроводниках, Физика и техника полупроводников, 1994, т. 28, стр. 545-554

75. К. Vanheusden, W. L. Warren, С. Н. Seager, D. R. Tallant, J. A. Voigt, and В. E. Gnade, Mechanisms behind green photoluminescence in ZnO phosphor powders. J. Appl. Phys., 1996, V. 79, pp. 7983; Appl. Phys. Lett, 1995, V. 68, pp. 403-405

76. M. Liu, A. H. Kitai and P. Mascher, Point defects and luminescence centres in zinc oxide and zinc oxide doped with manganese. J. of Luminescence, 1992, V. 54, pp. 35-42

77. A. van Dijken, E. A. Meulenkamp, D. Vanmaekelbergh and A. Meijerink, Identification of the transition responsible for the visible emission in ZnO using quantum size effects, J. Luminescence, 2000, V. 90, pp.123-126

78. X. L. Wu, G. G. Siu, C. L. Fu, and H. C. Ong, Photoluminescence and cathodoluminescence studies of stoichiometric and oxygen-deficient ZnO films, Appl. Phys. Lett., 2001, V. 78, pp. 2285-2287

79. F. Leiter, H. Zhou, F. Henecker, A. Hofstaetter, D.M. Hofmann, B.K. Meyer, Magnetic resonance experiments on the green emission in undoped ZnO crystals, Physica B, 2001, V. 308-310, pp. 908-911

80. D. С. Reynolds, D. С. Look, and B. Jogai, Fine structure on the green band in ZnO, J. Appl. Phys., 2001, V. 89, pp. 6189-6191

81. Hong Seong Kang, Jeong Seok Kang, Jae Won Kim, and Sang Yeol Lee, Annealing effect on the property of ultraviolet and green emissions of ZnO thin films, J. Appl. Phys. 2004, V. 95, pp. 1246-1250

82. S. A. Studenikin, Nickolay Golego, and Michael Cocivera, Fabrication of green and orange photoluminescent, undoped ZnO films using spray pyrolysis, J. Appl. Phys., 1998, V. 84, pp. 2287-2294.

83. P. Zu, Z. K. Tang, G. K. L. Wong, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma and Y. Segawa, Ultraviolet spontaneous and stimulated emissions from ZnO microcrystallite thin films at room temperature, Solid State Comm., 1997, V. 103, pp. 459-462

84. Z. K. Tang, G. K. L. Wong, P. Yu, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segawa, Room-temperature ultraviolet laser emission from self-assembled ZnO microcrystallite thin films Appl. Phys. Lett., 1998, V. 72, pp. 3270-3272

85. D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Zhu, T. Yao, M. Y. Shen, and T. Goto, High temperature excitonic stimulated emission from ZnO epitaxial layers. Appl. Phys. Lett., 1998, V. 73, pp. 1038-1040

86. Дж. Панков, Оптические процессы в полупроводниках, «Мир», Москва, 1973

87. D. C. Reynolds, C. W. Litton, and Т. C. Collins, Zeeman Effects in the Edge Emission and Absorption of ZnO, Phys. Rev., 1965, V. 140, pp. A1726-A1734

88. D. C. Reynolds, D. C. Look, B. Jogai, C. W. Litton, Т. C. Collins, W. Harsch, and G. Cantwell. Neutral-donor-bound-exciton complexes in ZnO crystals, Phys. Rev.,1998, V.57,pp.12151-12155

89. В.В.Сердюк, Ю.Ф.Ваксман. Люминесценция полупроводников. «Выща школа», Киев, 1988.

90. Aishi Yamamoto, Kensuke Miyajima, Takenari Goto, Hang Ju Ко and Takafumi Yao, Dynamics of newly observed biexcitons in ZnO epitaxial thin films, J. of Luminescence, 2001, V. 94-95, pp. 373-377

91. J. M. Hvam. Exciton-exciton interaction and laser emission in high purity ZnO. Solid State Comm., 1973, V. 12, pp. 95-97.

92. H. Morko<?, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies. J. Appl. Phys., 1994, V. 76, pp. 1363-1397

93. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, GaN: Processing, defects, and devices, J. Appl. Phys., 1999, V. 86, pp. 1-78

94. S. J. Pearton, D. P. Norton, K. Ip, Y. W. Heo and T. Steiner, Recent progress in processing and properties of ZnO, Progress in Materials Science, 2005, V. 50, pp. 293340

95. И. Броудай, Дж. Мерей. Физические основы микротехнологии, «Мир», Москва, 1985

96. И. П. Калинкин, В. Б. Алесковский, А. В. Симашкович. Эпитаксиальные пленки AnBvl, Издательство Ленинградского Университета, Ленинград, 1978.

97. Абдуев А.Х., Атаев Б.М., Багамадова A.M., Изв.АН СССР, Осаждение совершенных эпитаксиальных слоев оксида цинка на сапфире, Неорган, материалы, 1987, N.11 1928-1930

98. Б. М. Атаев, А. М. Багамодова, В. В. Мамедов, А. К. Омаев, М. М. Маммаев. Выращивание эпитаксиальных слоев ZnO методом химических транспортных реакций с использованием плазмы высокочастотного разряда. Поверхность, 2003, N. 10, стр. 83-85.

99. Р.А. Рабаданов, С. А. Семилетов, 3. А. Магомедов, Структура и свойства монокристаллических слоев окиси цинка, ФТТ, 1979, т. 12, с. 1431-1436

100. К. Kobayashi, Т. Matsubara, S. Matsushima, S. Shirakata, S. Isomura and G. Okada. Preparation of c-axis oriented ZnO films by low-pressure organometallic chemical vapor deposition, Thin Solid Films, V. 266,1995, pp. 106-109

101. S. Choopun, R. D. Vispute, W. Noch, A. Balsamo, R. P. Sharma, T. Venkatesan, A. Iliadis, and D. C. Look. Oxygen pressure-tuned epitaxy and optoelectronic properties of laser-deposited ZnO films on sapphire. Appl. Phys. Lett., 1999, V.75, pp. 3947-3950

102. Shunichi Hayamizu, Hitoshi Tabata, Hidekazu Tanaka, and Tomoji Kawai, Preparation of crystallized zinc oxide films on amorphous glass substrates by pulsed laser deposition, J. Appl. Phys., 1996, V. 80, pp. 787-790

103. Y. F. Lu, H. Q. Ni, Z. H. Mai, and Z. M. Ren, The effects of thermal annealing on ZnO thin films grown by pulsed laser deposition, J. Appl. Phys., 2000, V. 88, pp. 498-502

104. Yefan Chen, D. M. Bagnall, Hang-jun Koh, Ki-tae Park, Kenji Hiraga, Ziqiang Zhu, and Takafumi Yao. Plasma assisted molecular beam epitaxy of ZnO on с -plane sapphire: Growth and characterization. J. Appl. Phys., 1998, V. 84, pp. 3912-3915

105. S. A. Studenikin, Michael Cocivera, W. Kellner and H. Pascher, Band-edge photoluminescence in polycrystalline ZnO films at 1.7 K,3. of Luminescence, 2000, V. 91, pp. 223-226

106. Lubomir Spanhel and Marc A. Anderson, Semiconductor clusters in the sol-gel process: quantized aggregation, gelation, and crystal growth in concentrated zinc oxide colloids, J. Am. Chem. Soc., 1991, V. 113, pp 2826 2833

107. Д.А.Димова-Алякова, М.М.Малов, В.А.Дмитриев, В. Д. Черный, М.Н. Мендаков, Электрофизические свойства пленок окиси цинка, полученных окислением слоев цинка и селенида цинка, Труды МЭИ, 1974, вып. 192

108. Sunglae Cho, Jing Ma, Yunki Kim, Yi Sun, George K. L. Wong, and John B. Ketterson, Photoluminescence and ultraviolet losing of polycrystalline ZnO thin films prepared by the oxidation of the metallic Zn. Appl. Phys. Lett. 1999, V. 75, pp. 2761-2763

109. S. J. Chen, Y. C. Liu, J. G. Ma, D. X. Zhao, Z. Z. Zhi, Y. M. Lu, J. Y. Zhang, D. Z. Shen and X. W. Fan, High-quality ZnO thin films prepared by two-step thermal oxidation of the metallic Zn, J. of Ciystal Growth, 2002, V. 240, pp. 463-466

110. Y. G. Wang, S. P. Lau, H. W. Lee, S. F. Yu, В. К. Tay, X. H. Zhang, and H. H. Hng, Photoluminescence study of ZnO films prepared by thermal oxidation ofZn metallic films in air, J. Appl. Phys., 2003, V. 94, pp. 354-358

111. H. Cao,Y. G. Zhao, S. Т. Ho, E. W. Seelig, Q. H. Wang, and R. P. H. Chang. Random Laser Action in Semiconductor Powder. Phys. Rev. Lett., 1999, V. 82, pp. 2278-2281

112. Anirban Mitra and R. K. Thareja, Photoluminescence and ultraviolet laser emission from nanocrystalline ZnO thin films. J. Appl. Phys., 2001, V. 89, pp. 2025-2028

113. H. Cao, Y. G. Zhao, H. C. Ong, S. T. Ho, J. Y. Dai, J. Y. Wu, and R. P. H. Chang, Ultraviolet losing in resonators formed by scattering in semiconductor polycrystalline films, Appl. Phys. Lett., 1998, V 73, pp. 3656-3659

114. K. Ogata, T. Kawanishi, K. Maejima, K. Sakurai, Sz. Fujita and Sg. Fuj'ita, ZnO growth using homoepitaxial technique on sapphire and Si substrates by metalorganic vapor phase epitax, J. Crystal Growth, 2002, V. 237-239, pp. 553

115. Y. R. Ryu, S. Zhu, J. D. Budai, H. R. Chandrasekhar, P. F. Miceli, and H. W. White, Optical and structural properties of ZnO films deposited on GaAs by pulsed laser deposition. J. Appl. Phys., 2000, V. 88, pp. 201-204

116. Yefan Chen, Hang-Ju Ко, Soon-Ku Hong, and Takafumi Yao, Layer-by-layer growth of ZnO epilayer on Al20j(0001) by using a MgO buffer layer, Appl. Phys. Lett., 1999, V. 76, pp. 559-561

117. Б. M. Атаев, И. К. Камилов, А. М. Багамадова, В. В. Мамедов, А. К. Омаев, М. X. Рабаданов. Получение эпитаксиальных слоев оксида цинка на неориентирующих подложках. Журнал технической физики. 1999, Том 69, стр. 138-140.127

118. Ю. Г. Шредер, Ю. Т. Ребане, В. А. Зыков, В. Г. Сидоров. Широкозонные полупроводники. «Наука», Санкт-Петербург, 2001.

119. Soon-Ku Hong, Hang-Ju Ко, Yefan Chen and Takafiimi Yao, Defect characterization in epitaxial ZnO/epi-GaN/A^Os heterostructures: transmission electron microscopy and triple-axis X-ray diffractometry, J. Crystal Growth, 2000, V. 209, p. 537

120. H. J. Ко, Y. F. Chen, T. Yao, K. Miyajima, A. Yamamoto, and T. Goto. Biexciton emission from high-quality ZnO fdms grown on epitaxial GaN by plasma-assisted molecular-beam epitaxy. Appl. Phys. Lett., 2000, V. 77, pp. 537-539

121. T. Detchprohm, K. Hiramatsu, H. Amano, and I. Akasaki, Hydride vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN fdm using a ZnO buffer layer. Appl. Phys. Lett., 1992, V. 61, pp. 2688-2690; J. of Crystal Growth, 1993, V. 128, pp. 384

122. Yasuo Kanai, Admittance Spectroscopy of Си-Doped ZnO Crystals, Jpn. J. Appl. Phys. 1991, V. 30, Part 1, pp. 703-706

123. G. Muller, Optical and electrical spectroscopy of zinc oxide crystals simultaneously doped with copper and donors, Phys. Stat. Sol. (b), 1976, V. 76, pp. 525-532.

124. Никитенко В. А., Малов M. M., Казанджиев С. А., Димова-Алякова Д. И. Оптические и фотоэлектрические свойства ZnO в видимой области спектра. Журн5л прикладной спектроскопии, 1977, т. 26, стр. 322-336.

125. A.L. Cai, J.F. Muth, M.J. Ree, H.L. Porter, С. Jin, and J. Narayan, Effect of Growth Temperature and Annealing on ZnO, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 2003, V. 744, M5.13

126. Takashi Sekiguchi, Naoki Ohashi and Yoshihiro Terada, Effect of Hydrogenation on ZnO Luminescence, Jpn. J. Appl. Phys., 1997, V. 36, pp. L289-L291

127. Xin-Li Guo, Jae-Hyoung Choi, Hitoshi Tabata and Tomoji Kawai, Fabrication and Optoelectronic Properties of a Transparent ZnO Homostructural Light-Emitting Diode, Jpn. J. Appl. Phys., 2001, Vol. 40, Part 2, L177-L180

128. M. Miyakawa, K. Ueda, H. Hosono, Carrier control in transparent semiconducting oxide thin fdms by ion implantation: MglnzO4 an ZnO Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 191,173 (2002)

129. B. J. Pierce and R. L. Hengehold, Depth-resolved cathodoluminescence of ion-implanted layers in zinc oxide, J. Appl, Phys., 1976, V. 47, pp. 644-651

130. E. Sonder, R. A. Zuhr, and R. E. Valiga, Annealing of damage and stability of implanted ions in ZnO crystals, J. Appl. Phys, 1988, V.64, pp. 1140-1144

131. B. W. Thomas and D. Walsh, Anneal chracteristics of ion-implanted ZnO, J. Phys. D., 1973, V. 6, pp. 612-615

132. M. Schilling, R. Helbig, G. Pensl, Bound exciton luminescence of Ar- and Al-implanted ZnO, J. Luminescence, 1985, V. 33, pp. 201-212

133. Алферов Ж. И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур, ФТП, 1998, т. 32, стр. 3-18.

134. А. Милне, и Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы метал-полупроводник, «Мир», Москва, 1975.

135. Т. Aoki, Y. Hatanaka, and D.C. Look, ZnO diode fabricated by excimer-laser doping. Appl. Phys. Lett., 2000, V. 76, pp. 3257-3258.

136. И. Т. Драпак, Видимое излучение гетероперехода ZnO-Cu20, Физика и техника полупроводников, 1967, т. 2, стр. 614-616

137. А. Е. Цуркан, Н. Д. Федотова, JI. В. Кичерман, П. Г. Пасько, Инжекционная электролюминесценция в гетеропереходах n-ZnO p-ZnTe, Физика и техника полупроводников, 1975, т. 6, стр. 1183-1185

138. Julio A. Aranovich, Dolores Golmayo, Alan L. Fahrenbruch, and Richard H. Bube, Photovoltaic properties of ZnO/CdTe heterojunctions prepared by spray pyrolysis, J. Appl. Phys., 1980, V. 51, pp. 4260-4268

139. H. Hosono, H. Ohta, K. Hayashi, M. Orita and M. Hirano, Near-UV emitting diodes based on a transparent p-n junction composed of heteroepitaxially grown p-SrCu2O2 and n-ZnO, J. Crystal Growth, 2002, V. 237-239, pp. 503-506

140. Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Полушина И.К., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Фотоэлектрические явления в гетероструктурах ZnO: Al-p-Si, ФТП, 2003, т. 37, стр. 1329

141. I-S. Jeong, J-H. Kim, and S. Im, Ultraviolet-enhanced photodiode employing n-ZnO/p-Si structure, Appl. Phys. Lett., 2003, V. 83, pp. 2946-2948.129

142. C.H. Park, I.S. Jeong, J.H. Kim, and S. Im, Spectral responsivity and quantum efficiency of n-ZnO/p-Si photodiode fully isolated by ion-beam treatment, Appl. Phys. Lett., 2003, V. 82, pp. 3973-3975

143. Qing-Xuan Yu, Bo Xu, Qi-Hong Wu, Yuan Liao, Guan-Zhong Wang, Rong-Chuan Fang, Hsin-Ying Lee and Ching-Ting Lee, Optical properties of ZnO/GaN heterostructure and its near-ultraviolet light-emitting diode, Appl. Phys. Lett., 2003, V. 83, pp. 4713-4715

144. Четверикова И. Ф. Катодолюминесценция нитрида галлия, поученного гидридно-хлоридным методом на сапфире. Диссертация на соискание ученой степени к.ф-м.наук, Москва, МГУ, 1998

145. М.В.Чукичев, Я.И.Аливов, СД.Колониус. Катодолюминесценция поликристаллических пленок ZnO, полученных окислением металлических слоев Zn. Поверхность, 2002, N.5, стр. 91-94.

146. M.V.Chukichev and Ya.I.Alivov. Polycrystalline ZnO films and quantum confinement effects in them. Physics of Low Dimensional Structures, 2002, V. 9/10, pp. 1-6.

147. I. Alivov, A. V. Chernikh, M. V. Chukichev, and R. Y. Korotkov High quality polycrystalline ZnO films obtained by oxidation of metallic Zn films on various substrates, Thin Solid Films, 2004, (accepted)

148. М.В.Чукичев, Б.М.Атаев, В.В.Мамедов, Я.И.Аливов, И.И.Ходос. Катодолюминесценция гетероэпитаксиальных структур ZnO/GaWa-Al2Oi, полученных методом химического транспорта. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, стр. 1052-1055,

149. М.В.Чукичев, Я.И.Аливов, Б.М.Атаев, СД.Колониус. Влияние меди, введенной в процессе термической диффузии, на люминесцентные свойства оксида цинка. Поверхность, 2003, N.5, стр. 70-73

150. Я.И.Аливов, М.В.Чукичев, В.А.Никитенко, Зеленая полоса люминесценции пленок оксида цинка, легированных медью в процессе термической диффузии. Физика и техника полупроводников, 2004, том. 38, стр. 34-38

151. М.В.Чукичев, Б.М.Атаев, В.В.Мамедов, Я.И.Аливов, Влияние меди на спектр люминесценции ZnO, Международная конференция по люминесценции, посвященная 110-летию со дня рождения В. А. Вавилова, ФИАН, Москва, 2001, стр. 231

152. Ya.I. Alivov, В.М. Ataev, M.V. Chukichev , V.V. Mamedov , V.I. Zinenko, Yu.A.Agafonov, A.N. Pustovit, The Properties ofZnO.Ga Films Implanted With N* Ions, 2nd International Workshop on Zinc Oxide, Dayton, USA, October 23-25,2002 p.83

153. Ya.I. Alivov, B.M. Ataev, M.V. Chukichev, V.V. Mamedov, V.I. Zinenko, A.N. Pustovit. Conduction Type Inversion in ZnO.Ga Films Implanted With bt, The 8th International Conference on Electronic Materials Xi'an, China, June 10-14,2002, p. 156

154. Ya. I. Alivov, D. C. Look, В. M. Ataev, M. V. Chukichev, V. V. Mamedov, V. I. Zinenko, Yu. A. Agafonov. Fabrication of ZnO-based metal-insulator-semiconductor diodes by ion implantation, Solid State Electronics, 2004, V. 48, pp. 2343-2346

155. Ya. I. Alivov, D. C. Look, M. V. Chukichev, В. M. Ataev, V. A. Nikitenko, V. I. Zinenko, Yu. A. Agafonov, ZnO-based MIS diodes prepared by ion implantation, Physics of Low Dimensional Structures, 2004, V. 1/2, pp.83-85.

156. Я.И.Аливов, А.Н.Грузинцев. Механизм гистерезиса на вольт-яркостной характеристике светоизлучающих структур на основе ZnS:Mn, Микроэлектроника, 2000, том. 29, стр. 211-216

157. Ya. I. Alivov, D. С. Look, М. V. Chukichev, В. М. Ataev, V. A. Nikitenko, V. I. Zinenko, Yu. A. Agafonov, ZnO-based MIS diodes prepared by ion implantation, 11th International conference on II-VI compounds, Niagara Falls, NY, September 22-26,2003.

158. Электролюминесцентные источники света. Под редакцией И.К.Верещагина, «Энергоатомиздат», Москва, 1990.

159. Clifford Lawther, A General Model for Widegap MIS Light-Emitting Diodes, Jpn. J. Appl. Phys., 1979, V. 18, pp. 846-847

160. Tadathugu Minami, Mamoru Tanigava, Masamichi Yamanishi and Takao Kawamura, Observation of Ultraviolet-Luminescence from the ZnO MIS Diodes. Jpn. J. Appl. Phys., 1974, V. 13, pp. 1475-1476

161. Azuma Shimizu, Minoru Kanbara, Makoto Hada and Masanobu Kasuga, ZnO Green Light Emitting Diode. Jpn. J. Appl. Phys., 1978, V. 17, pp. 1435-1436131

162. И. Аливов, Д. С. Лук, Дж. Е. Ван Ностранд, М. В. Чукичев, Б. М. Атаев, п-р переходы и светоизлучающие диоды на основе ZnO и GaN. 2-ая Всероссийская конференция «Нитриды, галлия, индия и алюминия», 3-4 февраля 2003 года, Санкт-Петербург, стр. 97

163. Ya.I.Alivov, J.E. Van Nostrand, D.C. Look, M.V. Chukichev, and B.M. Ataev. Observation of430-nm Electroluminescence from ZnO/GaN heterojunction light-emitting diodes, Applied Physics Letters, 2003, V. 83, pp. 2943-2945

164. Б.М.Атаев, Я.И.Аливов, B.B. Мамедов, С.Ш. Махмудов, Б.А. Магомедов Особенности получения и некоторые свойства гетероперехода n-ZnO:Ga/p-GaN-.Mg/a-AhOb, Физика и техника полупроводников, 2004, том. 38, стр. 699-671

165. D. M. Bagnall, Ya. I. Alivov, E. V. Kalinina, D. C. Look, В. M. Ataev, M. V. Chukichev, VA.Nikitenko, A.E.Cherenkov, A.K.Omaev, ZnO/AIGaN ultraviolet light emitting diodes, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2003, Vol.798, pp. Y3.9.1-Y3.9.6

166. D.C. Look, B. Claflin, Ya.LAlivov, and S.J. Park, The future of ZnO light emitters, Physica Status Solidi (a), 2004, V.201, pp. 2203-2212.

167. В. M. Ataev, Ya. I. Alivov, V. A. Nikitenko, M. V. Chukichev, V. V. Mamedov, S. Sh. Makhmudov, n-ZnO/p-GaN heterojunction as a promising light-emitting system, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 2003, V. 5, No. 4, pp. 899 902