Рассеяние ионов поверхностью монокристалла сложного состава тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.04 ВАК РФ

РГЗ од

АКАДЕМИЯ НАУК РЕСПУБЛИКИ УЗБЕКИСТАН ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОНИКИ им. У. А. АРИФОВА

На правах рукописи УДК 537.534

ЯДГАРОВ ИШМУМИН ДЖАББАРОВИЧ

РАССЕЯНИЕ ИОНОВ ПОВЕРХНОСТЬЮ МОНОКРИСТАЛЛА СЛОЖНОГО СОСТАВА

Специальность 01.04.04 - Физическая электроника

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

ТАШКЕНТ - 1993 г.

Работа выполнена в Институте Электроники им.У. А. Арифова Академии Наук Республики Узбекистан

Научные руководители: Член - корреспондент АН РУз, доктор

физико-математических наук, профессор ТУРАЕВ Н. Ю.

Кандидат физико-математических наук МУРАШОВ A.A.

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук

ПУГАЧЕВА Т.С.

Кандидат физико-математических наук БАКЛИЦКИИ Б. Е.

Ведущая организация: Ташкентский Государственный Университет

физический факультет

Защита состоится (С_ 1993 г. в _часов

на заседании Специализированного Совета Д 015.23.21 в Институте электроники им. У. А. Арифова АН РУз по адресу: 700143. Ташкент ГСП, Академгородок.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института электроники им. У. А.Арифова АН РУз

Автореферат разослан "¿V " ^S_1993 года.

УЧЕНЬИ СЕКРЕТАРЬ Специализированного совета Д 015.23.21.

лектор физико-математических наук fi ИЛЬЯСОБ А. 3.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. В последнее время активно развивается исследование материалов и соединений сложного состава, в частности, соединений, обладающих высокотемпературной сверхпроводимостью В'ГСП.

Изучение механизмов поверхностных явлений на атомарном уровне

в таких материалах - это качественно новый этап развития физики

*

и химии поверхностных явлений.

Состав и структура поверхности во многом определяют сопротивление твердого тела внешним химическим, механическим и другим воздействием, а также активность различных физико - химических процессов, протекающих на этой поверхности. В этой связи особое значение приобретают диагностические исследования поверхности. Одним из методов диагностики состава, структуры и свойств исследуемых веществ является рассеяние ионов средних энергий поверхностью твердого тела. Малоугловое рассеяние ионов открывает новые перспективы в фундаментальном исследовании поверхности твердого тела сложного состава, а также в.изготовлении элементов интегральных схем микроэлектроники, новых ВТСП материалов современной технологии.

Исследование элементного состава и структуры металлических сплавов, полупроводниковых и сверхпроводниковых соединений связано с тем, что изменение элементного состава и структуры таких материалов приводит к резкому изменению их физико-химических свойств. В частности, необходимость тщательного исследования кристаллической структуры высокотемпературных сверхпроводящих керамик в первую очередь стимулируется тем, что еще не выяснены механизмь? ответственные

« _

за сверхпроводимость в таких материалах.

В связи с возникновением острой потребности в знаниях ; еальноЗ

атомной структуры и химического состава самой верхней поверхностной плоскости и приповерхностных слоев исследования наличия и расположения атомных ступенек на поверхности монокристалла является актуальным.

Наличие сложной кристаллической структуры многокомпонентных соединений, изменяющимся вследствии преимущественного распыления, и нерэгулярной структуры не позволяет применения аналитических методов и альтернативным методом становится метод математического моделирования на ЭВМ, позволяющий проводить более детальное исследование рассеяния ионов на поверхности монокристаллов сложного состава.

Целью настоящей диссертационной работы явилось исследование •механизмов малоуглового коррелированного рассеяния ионов средних энергий на поверхности монокристаллов сложных соединений, которое потребовало решить следующие задачи:

1. Разработать программы моделирования на ЭВМ процессов рассеяния ионов поверхностью монокристаллов сложного состава.

2. Исследовать степени разупорядоченкя структуры монокристаллических сплавов.

3. Исследовать возможности применения метода ионного рассеяния для диагностики и контроля локального состава, структуры и состояния поверхности сложных соединений.

4. Изучение влияния атомных ступенек на поверхности монокристалла сложного состава на угловые и энергетических распределения рассеянных ионов.

Научная новизна работы заключается в том, что в ней впервые:

1. Разработана и создана программа моделирования на ЭВМ процесса скользящего рассеяния ионов на поверхности' монокристаллов

сложного состава с идеальной и нерегулярной структурой.

2. "Показано, что анализ угловых и энергетических распределен¡1/1 рассеянных ионов дает возможность определить блихний порядск ? упорядочивавшихся сплавах.

3. Показаны возможности применения метода ионного расселяй г для диагностики и контроля локального состава, структуры и состоя ния поверхностей сложных соединений.

4. Исследовано рассеяние ионов различными атомными ступенька;«) на поверхности монокристаллов сложного состава и показано, чгс сравнение экспериментально измеренных и рассчитанных энергетических спектров* рассеянных ионов дает возможность определить наличие, размеры и сорта атомных ступенек, образуемых на поверхности монокристалла сложного состава.

5. Приведены результаты малоуглового рассеяния ионов разинь масс поверхностью монокристаллического образца сверхпроводящей ит-триевой керамики и показаны особенности рассеяния тяжелых ионов на таких образцах.

Научная и практическая ценность работы. Результаты полученные в работе можно использовать для определения ближнего порядка в упорядочивающихся сплавах.

Сопоставление полученных результатов рассеяния ионов атомными ступеньками на поверхности многокомпонентного монокристалла с анало-гичными экспериментальными данными позволяет определить степени совершенства поверхности материалов.

Проведенное исследование показывает, что ионно-рассеивательнзя спектроскопия может быть использована для диагностики и контроля локального состава и структуры" поверхностей сложных соединений.

Результаты работы по исследованию сверхпроводящих керамик

могут быть полезными при объяснении изменения физико-химических свойств ВТСП материалов. ;

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Разработка алгоритма и программы моделирования на ЭВМ процесса скользящего рассеяния ионов на поверхности монокристаллов сложного состава.

2. Утверждение о том, что степени упорядоченных сплавов сказывается на характеристиках рассеянных ионов.

3. Вывод о том, что угловые и энергетические распределения рассеянных ионов позволяет определить локальный состав и структуру поверхности монокристаллов сложного состава.

4. Утверждение о том, что траектория рассеянных ионов сильно зависит от степени совершенства поверхности монокристаллов.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на:

- Всесоюзном симпозиуме по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела памяти У. А.Арифова (Ташкент, 19893;

- IX и X Всесоюзных конференциях по взаимодействию атомных частиц с твердым телом (Москва, 1989 и 1991);

- XXI Всесоюзной конференции по эмиссионной электронике (Ленинград, 1990);

- Всесоюзном'совещании-семинаре по диагностике поверхности ионными пучками СОдесса, 1990);

- VII и X Всесоюзных семинарах по рассеянию атомных частиц поверхностью твердого тела (Термез,'1988; Чирчик, 1990);

- XII Международном вакуумном конгрессе, VIII Международной конференции по поверхности твердых тел (Голландия, 1992).

Публикации. Основное содержание диссертации изложено в публикациях, список которых приведен в конце автореферата.

Объем работы. Диссертация состоит иэ введения, четырех глав, заключения, 45 рисунков, 1 таблицы библиографии С90 наименований) и содержит 115 страниц машинописного текста.

СОДЕРЖАНИЕ РАбОТЫ

Во введении обосновывается актуальность выбранной темы, сформулирована цель исследования, приведены научная новизна, научная и практическая ценность работы, представлены основные положения, выносимые на защиту.

В первой главе дан краткий обзор экспериментальных и теоретических исследований рассеяния ионов поверхностью монокристалла сложного состава.

Рассмотрены работы по исследованию рассеяния ненов поверхностью монокристаллов как металлических сплавов, так и полупроводниковых соединений. Проведен сравнительный анализ метода ионно-рассеива-тельной спектроскопии СИРС) с другими методами, применяемые для анализа состава исследуемых веществ. Отмечается, что по сравнению с другими методами метод ИРС является очень чувствительным для анализа состава самых поверхностных слоев.

Часть работ посвящена исследованию кристаллической структуры и свойств высокотемпературных сверхпроводников СВТСГО. Несмотря на всестороннее изучение свойств и структуры ВТСП - материалов еще не выяснены механизмы, ответственные аа сверхпроводимость в таких материалах. Тем не менее установлено, что величина критической температуры То, т. е. температуры перехода в 'сверхпроводящее состояние иттриевой керамики YBaaCuа0? сильно зависит от содержания кисло-

рзда в базисной ССи -'03 плоскости. ВТСП керамики типа УВа Си О

^ 2 3 7-Х

является фазой переменного состава не только по кислороду, но и по остальным элементам. Имеются малочисленные работы для определения элементного состава ВТСП-материалов методом ИРС.

Приведены также результаты тех работ, в которых рассмотрены рассеяния ионов средних энергий ступенчатой поверхностью монокристаллов. В этих работах показано, что метод ИРС успешно применяется для определения наличия атомных ступенек на поверхности монокристаллов.

Из обзора следует, что в предыдущих работах показаны возможности метода ИРС для определения в основном элементного состава многокомпонентных материалов. Тем не менее свойство многих твердых тел •зависит не только от состава, а также от их структуры (например, фазовые переходы в сплавах и ВТСП-материалах). Практически не имеются ни теоретические и ни экспериментальные работы по исследованию скользящего рассеяния ионов-.как идеальной, так и нерегулярной поверхностью монокристаллов сложного состава. Исходя из анализа литературы, в конце главы сформулирована постановка задачи диссертационной работы.

Во второй главе изложена методика моделирования процесса рассеяния ионов средних энергий поверхностью монокристалла сложного состава.

Для ионов средних энергий ион-атомные столкновения на поверхности твердого тела можно рассматривать как последовательность изолированных взаимодействий двух частиц. Взаимодействие двух частиц описывалось в приближении парного столкновения. В этом приближении траекторий иона до и после столкновения заменяются прямолинейными отрезками, являющимся асимптотами к его траектории в лабораторной

системе координат. В расчетах использован отталкивательный потенциал взаимодействия, полученный сопряжением обратноквадратичнсй аппроксимацией потенциала Фирсова с потенциалом Борна-Майера. Считалось, что потери энергии частиц происходят в результате как упругих, так и неупругих столкновений. Неупругие потери энергии

считались локальными, вычислялись по формуле Фирсова, модифицн-

»

рованной Кишиневским и были включены в кинематику столкновения дв>х частиц.

Приведены построение модели многокомпонентных монокристаллов и процедура поиска атомов, с которыми происходят взаимодействия падающего иона. Построение модели атомных цепочек на поверхности монокристаллов сложного состава гораздо сложнее, чем в случае одноком-понентных монокристаллов. Однако найдены общие закономерности и подробно приведены алгоритмы построения тех или иных атомных рядов па гранях C001D монокристаллов СизАи, GaP и на гранях (020), (110), (001) монокристалла иттриевой керамики УВагСиз07 х. В случае построения атомных цепочек, состоящих из разносортных атомов с разными межатомными расстояниями, координата и стзрт атомов, задавались перед каждым возможным столкновением падающего иона. Рассмотрены модели полубесконечной моноатомной ступеньки, образующаяся в направлении <110> на грани (ООП GaP и в направлении <001> на грани (100) YBa Си О

2 3 7-Х

Алгоритм взаимодействия иона с поверхностью' многокомпонентных монокристаллов реализован программой написанной на языках Фортран и Бейсик. Расчеты на основе этих программ производились на компьюте-pax типа IBM (386), (486). Данные расчета хранились в файлах данных на жестких и гибких дисках. При необходимости на основе зт.-.х данных могут быть построены графические зависимости с помощью пакета

ОЕАРНЕИ. В конце главы приведена блок-схема и показаны возможности созданной программы.

В третьей главе описаны результаты исследования скользящего рассеяния ионов поверхностью монокристалла сплавов и полупроводниковых соединений.

Исследовано рассеяние ионов Аг+ с Ео=5 кэВ поверхностью упорядоченного монокристаллического сплава СизАи (100). В этом случае • вдоль направления <100> цепочки содержат либо только атомы Си, либо только атомы Аи, а в цепочках вдоль направления <110> атомы Си и Аи чередуются. Энергетические зависимости ЕСб) ионов, рассеянных цепочками атомов Си и Аи в направлении <100>, четко разделены и состоят, как обычно, из ветвей квазиодно- и квазидвукратного рассеяний, причем в случае рассеяния на цепочке Аи интервал возможных углов рассеяния овала ЕС б) уже, а сам овал расположен вше чем в случае Си.

В случае смешанной цепочки упорядоченное чередование атомов Аи и Си в направлении <110> приводит к вознийновению характерного овала рассеянных ионов Е(б) резко отличающегося от овалов однородной цепочки атомов Аи и Си. В этом случае на овале появляется излом; ветвь квазидвукратного рассеяния сменяется ветвью квазитрехкратного рассеяния на последовательности атомов Аи-Си-Аи с основным отклонением на атоме Си, приводящим к значительным потерям энергии. В угловом распределении ионов в области, соответствующей излому на овале, появляется дополнительный максимум между максимумами, соответствующими предельным значениям углов рассеяния, а само распределение резко уширяется. Из расчета следует, что наличие дополнительного максимума обусловлено радужным эффектом, связанным с усилением рассеяния частиц вблизи границы конуса тени атома Аи в направлении к ближайшему атому Си в узкой области прицельных параметров вдоль цепочки.

-11- .

Таким образом, показано, что интрепретация угловых распределений и энергетических зависимостей ионов рассеянных под скользящими углами дает возможность судить о составе и упорядоченном расположении атомов на поверхности монокристаллов сложного состава.

Описано влияние неупорядоченной фазы СизАи, на угловые и энергетические распределения рассеянных ионов. Известно, что сплав СизАи при температуре вше - 400°С переходит из упорядоченного состояния в неупорядоченную, в котором наблюдается изменение ряда его свойств. Атомньтэ цепочки в направлении <110> грани (100) неупорядоченного сплава СизАи моделировались чередующей последовательностью атомов Си и Аи один из которых встречается дважды или более раз подряд. В этом случае и энергетические овалы и угловые распределения резко изменяются чем в случае упорядоченного сплава. Когда в цепочке располагаются два или более одинаковых атома, характерный излом, наблюдаемый на овале Е(е) для смешанной цепочки упорядоченного сплава, перерастет в дополнительный овал, расположенный ниже (когда по соседству расположены одинаковые атомы Си) или выше (когда по соседству расположены одинаковые атомы Аи ) основного. Этому дополнительному овалу соответствуют два дополнительных максимума в угловом распределении рассеянных ионов.

Относительная величина дополнительных максимумов оказалась зависящей от числа рядом расположенных одинаковых атомов в цепочке. Сопоставление угловых и энергетических распределений ионов, рассеянных поверхностью упорядочивающегося сплава с аналогичными распределениями для чистых мишеней из атомов-компонентов сплава, дает возможность заключить, что в чередующейся последовательности атомов сплава два или более соседних атомов одинаковые. Показано, что полученные результаты могут быть использованы для определения ближнего порядка в упорядочивающихся сплавах.

Приведены результаты сравнительного исследования рассеяния •'.нов идеальной и нерегулярной поверхностью и монокристаллических полупроводниковых соединений GaAs и GaP. Экспериментально измеренные п расчетные энергетические спектры ионов Ne+ с Ео=5кэВ, рассеянных поверхностью GaAs С100) <110> при угле скольжения у/=15° хорошо согласуются по положениям пиков. В области больших углов рассеяния С6-50° и 70°) несмотря на близких масс атомов мишени, пики Ga и As четко разделяются.

Отмечается, что из-за послойного расположения атомов разного сорта и особой структуры GaAs энергетические спектры ионов, рассеянных совершенной поверхностью ÁsCOQD должны содержать для нэп-правления <Г10> пики As и Ga, а для направления <110> - только пики As. Экспериментально обнаруженный небольшой пик, в виде уступа, соответствующий атомам Ga в энергетическом спектре для направления <Г10> объяснен обеднением As на поверхности, т. е. образованием на ней атомных ступенек, которые приводят к возможности рассеяния на атомах Ga, расположенных во втором слое. Показано, что сравнение относительных интенсивиостей пиков однократного рассеяния на атомах As и Ga вместе с компьютерной идентификацией позволяет определить концентрацию и пространственную протяженность атомных ступенек, ■ образуемых на облучаемой поверхности Ga As С1003.

В четвертой главе исследованы особенности скользящего рассеяния ионов поверхностью ВТСП материалов.

Приведены результаты исследования малоуглового коррелированного рассеяния ионов средних энергий на различных направлениях граней (020) и (110) иттриевой керамики УВа2Сиэ07_х.

Ка рис. 1а изображены зависимости энергии Е ионов Аг+ с Ео=5 кэВ от угла рассеяния В при угле скольжения у = 15°, рассеянных цепочками кислорода (1), бария (2) и иттрия (3) на грани (020) <100).

-13- .

YBaaCu307 ¡[. Аналогичные зависимости для цепочек атомов кислорода 0з-0в С4) и смешанных цепочек Y-Ba С5) на грани (020), но в направлении <001> изображены на рис 16. На рис. 1в приведены зависимости ЕСб) для смешанных цепочек Cut -0( - ОК6) и Y-Ba С7) на грани (110) <001>. Видно, что в отличие от однокомпонентных мишеней в случае сложных соединений наблюдается не одна, а несколько зависимостей ECS), характеризующих каждый из компонентов в отдельности. Вследствие обратного соотношения масс сталкивающихся частиц (масса

налетающего иона ш .больше массы атома мишени m и u = m /т <1) на 1 2*21

рис. 1а зависимость ЕСб) для цепочек атомов кислорода 1 существенно отличается от аналогичных зависимостей 2 и 3 для прямого соотношения масс сталкивающихся частиц. В случае рассеяние цепочке атомов кислорода в энергетическом спектре появляются дополнительные пики к пикам кваэиодно- и квазидвукратного рассеяния, обусловленные возникновением новых типов траекторий.

Рассеяние ионов Аг+ на цепочках атомов кислорода наблюдается в очень узком интервале возможных углов 9, а полуширины пиков в энергетическом спектре увеличиваются.

Кривая 4 на рис. 16, изображает зависимость ЕСб), соответвуюцую рассеянию ионоз Аг+ на цепочке атомов кислорода 0з и 0я с разными расстояниями между атомами 0 - 0з и 0з - 0з Срис. 1,6). Из-за наличия двух разных расстояний в цепочке зависимость ЕСб) существенно усложняется: появляются небольшой замкнутый овал, обусловленный К0-и КД-рассеянием на атомах 0з - 0з и две смещенные относительно друг яруга Сиз-эа разного взаимного расположения атомов 0з я 09) зависимости ЕСб) для пар атомов Оа~ 0з и 0з~ 0в. Это приводит к появлению в угловом и энергетическом распределениях ряда дополнительных пиков, часть из которых сливается друг с другом. В зависимости 5 на рис. 16, относящейся к смешанной цепочке из атомов Y-Ba, имеются ветви.

а

< ioo> -• 1

О

(020) 6аО—и—о г 40-0—0 з

5 С001>

. Os 03

•-#-•—• 4

(020) 0Н]-^ 5

<004 >

Са-0-сиг

(110)

6

0-0-а-0 7

80 0,град

Рис.1.

соответствующие КО- и КД-рассеянис на парах атомов Ва-Ва, Y-Ba и Ea-Y. Области возможных углов рассеяния для этих ветвей зависимости ЕС б) разные и определяются расстояниями между атомами к их взаимным расположением.

Рассеяние ионов на смешанных цепочках атомов Си -О-Сиг при данных условиях происходит в основном на атомах Си, а ?>томы 0j вносят лишь незначительный вклад (кривая 6 на рис. 1в).

ТаТГЧ*' nrvt-'i^'iiT'-i тгтп ^»-i-icTiT'r-oo .'t-гд Frfl") nmj -

веденные на рис.1, можно, во первых, различить рассеяние на смешанных и простых цепочках Скривые 2, 3 и 5 рис. 1а,<5), во-вторых, установить различия в расстояниях между атомами цепочки (кривые 1 и 4 на рис. 1а,(5) и, в-третьих, установить различия между составами смешанных* цепочек (кривые 6 и 7 на рис. 1в).

Исследованы особенности рассеяния тяжелых ионов поверхностью

»

монокристалла сложного состава и прослежено влияние изменения массы бомбардирующих» ионов (Ке+,А2+,Кг+,Хе+,1?п+) на овалы зависимости Е(0), угловые и энергетические распределения рассеянных частиц поверхностью УВагСиз07 х (020) <100>. При прочих равных условиях с • увеличением массы ионов интервал возможных углов рассеяния более сужается, ветви КО и КД - рассеяний зависимости ЕСб) более разделяются, а полуширины пиков в энергетическом спектре увеличиваются. Более того, в рассмотренном случае (у>=15°, Ео=5кэВ) при переходе к ионам Хе+ в угловых и энергетических распределениях (в=2у/) исчезают пики рассеяния от атомов кислорода, а при переходе к более тяжелым ионам Кп+ исчезают пики рассеяния от атомов истрия из-за обратного соотношения масс сталкивающихся частиц. •

Таким образом,показано, что при определении упорядоченности атомных цепочек на поверхности монокристалла сложного состава для четкого разделения пиков в энергетическом спектре лучше использовать более тяжелые ионы. В тоже время в случае тяжелых ионов в спектре исчезают пики, рассеяния от легких элементов, в частности, от кислорода.

Рассмотрено рассеяние ионов базисной (Си-0) плоскостью ит-триевой керамики УВа2Сиз07х(001). Как следует из обзора1 электрофизические свойства иттриевой керамики сильно зависят от содержания атомов кислорода в базисной (Си-0) плоскости. Приведены результаты исследования рассеяния ионов Не+ с Ео=5кэВ и щ =15° базисной плоскости (001)-сверхпроводящего (УВа2Сиз0?) и несверхпроходящего

СУВа2СизОв) монокристалла. Отметим, что в случае УВагСиз07С001) в направлении <100> возможно рассеяние и на атомной цепочке Си и на цепочке 0, а в направлении <010> изолированные атомные цепочки кислорода отсутствует и поэтому возможно рассеяние на смешанной цепочке Си - 0 и на цепочке Ва, расположенной во втором слое и незатененной в этом направлении поверхностными атомами 0. Результаты исследования показали, что наличие кислородных цепочек явно проявляется на энергетических и угловых характеристиках ионов, рассеянных в направлении <100>. В случае несверхпроводящего монокристалла УВагСизОеС001) в базисной плоскости атомы кислорода отсутствуют, в обоих направлениях остаются только цепочки Си и Ва. В этом случае, овал, соответствующий рассеянию на атомах кислорода, отсутствует, и наблюдаются одинаковые овалы ЕС6) для обоих направлений. Оказалось, что наличие кислорода в базисной плоскости сильно сказывается в овалах ЕСб) и оно приводит к появлению дополнительных пиков в угловых и энергетических распределениях.

На основе этих исследований разработана методика определения содержания кислорода в базисной плоскости иттриевой керамики.

Приведены результаты скользящего рассеяния ионов атомными ступеньками, образуемыми на поверхности многокомпонентного монокристалла УВа Си 0

1 2 3 7-Х

В заключении приводятся основные результаты и выводы, полученные в работе.

Основные результаты и выводы диссертации состоят в следующем.

' 1. Разработан алгоритм и создана программа моделирования на ЭВМ процесса скользящего рассеяния ионов на поверхности монокристаллов сложного состава с идеальной и нерегулярной структурой. С дальнейшим усовершенствованием его можно использовать для исследования образования атонов отдачи на поверхности многокомпонентных материалов.

• -17- .

2. Исследовано рассеяние ионов на упорядоченных и неупорядоченных структурах монокристаллов сплавов. Показано, что анализ угловых и энергетических распределений рассеянных ионов дает возможность определить ближний порядок в упорядочивающихся сплавах.

3. Проведено комплексное сравнительное исследование рассеяния ионов на разных гранях ВТСП -монокристаллов и показано, что малоугловая ионно-рассеивательная спектроскопия является хорошим инструментом для диагностики и контроля состава, структуры и состояния поверхностей сложных соединений.

4. Исследовано рассеяние ионов различными атомными ступеньками, на поверхности монокристалла сложного состава и показаны возможности определения наличия, размера и сорта атомных ступенек на таких поверхностях.

5. Исследовано рассеяние ионов на базисной плоскости иттриевсй керамики и предложена методика определения наличия кислорода на ней.

СПИСОК ПУБЛИКАЦИИ

1. -Джурахалов A.A., Парилис Э. С., Тураев Н. Ю., Угаров Ф. Ф., Ядгаров И. Д. Скользящее рассеяния ионов поверхностью монокристалла сложного состава.//Взаимодействие атомных частиц с поверхностью твердого тела: Тез. докл. симпозиума, посвященного памяти акад. АН УзССР У. А. Арифова. - Ташкент, 198Э. - С. 36-37.

2. Джурахалов A.A., Тураев Н. Ю., Умаров Ф. Ф., Ядгаров И. Д. Скользящее рассеяния ионов поверхностью монокристалла сложного состава. //Взаимодействие атомных частиц с поверхностью твердого телам: Материалы IX Всесоюзной конференции - М., 1989.- Т. 1.4.1 -С. 6-9.

3. Джурахалов A.A., Тураев Н. Ю., Умаров Ф. Ф., Ядгаров И. Д. Скользящее рассэяже ионов поверхностью мсвсхрясталла сясгзгсгс

состава. // Изв. АН СССР Сер. физ.-1990.-Т. 7. - С. 1250-1253.

4. -Джурахалов А. А., Парилис Э. С., Тураев Н. Ю., Умаров Ф. Ф., Ядгаров И. Д. Особенности рассеяния тяжелых ионов поверхностью монокристаллов сложного состава и нерегулярной структуры. // Тез. докл. XXI Всесоюзной конференции по эмисионной электронике -Л., 1990г., С. 167.

5. Джурахалов А. А., Парилис Э. С., Тураев Н. Ю., Ядгаров И. Д. Рассеяние ионов на поверхности сложных соединений с нерегулярной структурой. // Взаимодействие атомных частиц с твердым телом: Материалы X Всесоюзной конференции - М., 1991. Т. 1. -С.53-55.

6. Джурахалов А. А., Парилис Э. С., Тураев Н. Ю., Умаров Ф. Ф., Ядгаров И.Д. Особенности рассеяния тяжелых ионов поверхностью монокристалла сложного состава // Изв. АН СССР. Сер. физ.-1991. -Т. 12 - С.2405-2408.

7. DzhurahaloY А. А.Teshabaeva N. A. Yadgarov I.D. Grazing ion scaterig and sputteríng of single crustals of comlex composition. // Abstráete of papers of the 12 th Intern. Vacuum

Congress and Sth Intern.Conf. on Solid Surface

-19-

МУРРАКАБ ТАРКИБЛИ МОНОКРИСТАЛЛАР СИРТИДАН ИОНЛАРНИНГ СОЧИЛИШИ Ядгаров Ишмумин Джаббарович Кискача маэмуни

Мурракаб таркибли монокристалларнинг идеал ва ноидеал снртидзк ионларнинг сочилиш жараёнини урганадиган Э){Мга мулжалланган дастур яратнлган.

Ионларнинг сочилиш услуби ёрдакида металл котишали монокриз-талл сиртида атомларнинг якин жойланиш тартиби, .ярим утказгкчли бирикмалар СваР, БаАз) да сиртнинг идеал ва ноидеал тузшшшга эга эканлигн урганилган. Бу уолуд билан скори температурали ута утка-зувчан материал (УВагСиз07 ) нинг эса нафакат таркиби, балки структурасини хам тадчиц цилиш имкониятлари курсатилган. Юцори температурали ута утказувган материалларнинг физик хусусняти унинг тар кибидаги кислород атомининг микдори ва жойлашиш урнига догтщ. Шу-нинг учун кислороднинг асос текислигида (С^-О) мавжудлигини ва ми^ -дорини аницлаш услуби ишлаб чи^илган.

Олинган маьлумотлар шуни курсатадики,. ионлар сиртдан сочилиш услуби мурракаб таркибли монокристаллар таркибини ва структурасини ани^лаш имконини беради.

ION SCATTERING BY SURFACE OF MONOCRYSTAL WITH COMPLEX COMPOSITION Yadgarov I. D.

Summary

A computer program for simulation of grazing ion scattering on surface of complex compositions monocrystal with regular and unregular structure have been worked out. It has been shown that an analysis of angular and energy distributions of scattered ions gives the possibility to determine a near order in ordered alloys. Ion scattering by different atomic steps on surface of semiconductive compounds CGaP and GaAs) have been studied.

The results for small angle scattering of ions with different masses by surface of a monocrystal sample of superconductive yttrium ceramics CYBaaCu307_x) are given.

The study carried on shows that ion scattering spectroscopy, can be used for diagnostics and control of a local composition and surface structure of complex compounds.