Разработка и применение планарных кремниевых детекторов для экспериментов с высокими радиационными потоками тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.23 ВАК РФ

Введение.

Глава 1. Кремниевые детекторы и современные требования для их применения в физике высоких энергий.

1.1. Высокоомный монокристаллический кремний - основной материал для изготовления детекторов.

1.2. Основные принципы работы кремниевых планарных детекторов.

1.3. Основные параметры кремниевых планарных детекторов.

1.3.1. Темповой ток.

1.3.2. Напряжение полного обеднения детектора.

1.3.3. Ёмкость детектора.

1.3.4. Напряжение пробоя детектора.

1.3.5. Последовательное сопротивление детектора.

1.3.6. Быстродействие кремниевого детектора.

1.3.7. Энергетическое разрешение детектора. 17 1.4 Стриповые кремниевые детекторы.

1.5. Радиационные повреждения кремниевых детекторов.

1.6. Выводы.

Глава 2. Исследование и выбор кремния для изготовления детекторов по планарной технологии.

2.1. Основные процессы планарной технологии кремниевых детекторов.

2.2. Исходные параметры кремния п-типа проводимости.

2.3. Влияние высокотемпературных технологических операций на 29 параметры кремния.

2.4. Параметры кремния после облучения быстрыми нейтронами.

2.4.1, Время жизни носителей заряда.

2.4.2. Основные типы радиационных дефектов в объёме кремния.

2.5. Выводы.

Глава 3. Кремниевые детекторы до обпучтяя и после облучения быстрыми нейтронами.

3.1. Методика облучения детекторов.

3.2. Методика измерения основных параметров детекторов.

3.2.1. Статические характеристики - (С-У,

3.2.2. Динамические характеристики детекторов.

3.2.3. Технологические параметры детекторов.

3.3. Особенности методики измерения параметров детекторов после облучения.

3.3.1. Эффект разогрева и тепловой пробой детектора.

3.3.2. Эффект самоотжига облучённых детекторов.

3.3.3. Рост объёмного тока детектора при облучении.

3.3.4. Уменьшение эффективности сбора заряда в облучённых детекторах.

3.4. Инверсия типа объёмной проводимости п-кремния после облучения детекторов быстрыми нейтронами.

3.4.1. Прямой метод определения «точки инверсии» типа объёмной проводимости.

3.4.2. Измерение величины заряда ионизации для детекторов до и после инверсии.

3.5. Выводы.

Глава 4. Разработка серийных кремниевых детекторов для торцевой предливневой части (ПЧ) электромагнитного калориметра установки CMS.

4.1, Топология серийных стриповых детекторов.

4.2, Зависимость напряжения электрического пробоя от качества поверхности кремниевых пластин и типа кристаллографической ориентации.

4.3, Влияние толщины п+ омического контакта на параметры детектора.

4.4, Темновые токи и шумы необлучённых и облучённых детекторов.

4.5, Напряжение полного обеднения и рабочее напряжение детектора в зависимости от флюенса быстрых нейтронов и протонов.

4.6, Эффективность собирания заряда (ССЕ) ионизации в необлучённых и облучённых детекторах.

4.6.1. Зависимость ССЕ от напряжения,

4.6.2. Геометрическая однородность ССЕ.

4.7, Выводы.

Глава 5. Исследование прототипов предливневой части на основе стриповых кремниевых детекторов для установки CMS.

5.1. Назначение и основные параметры торцевой предливневой части 80 калориметра.

5.2. Выбор толщины поглотителя.

5.3. Микромодуль детектора и схема включения с электроникой.

5.4. Исследование прототипов предливневой части (ПЧ) калориметра на пучках заряженных частиц.

5.4.1. Прототип ПЧ для калориметра SHASHLIK.

5.4.2. Прототип ПЧ для калориметра на основе монокристаллов PbW04.

5.5. Выводы. 90 Заключение. 90 Список литературы, в диссертации описаны исследования, выполненные автором в Объединённом институте ядерных исследований (г.Дубна). Основные результаты этих исследований опубликованы в работах /1-А9/. Проведённый цикл работ посвящен разработке планарных кремниевых детекторов для применения в экспериментах с высокими радиационными потоками.

Развитие кремниевых детекторов происходило параллельно с развитием и совершенствованием транзисторов и микросхем. Изобретение транзистора (1948 год) и создание теории транзисторов W.Shockley, J.Bardin, W.Brattein было удостоено Нобелевской премии в 1956 году. Разработка полупроводниковой электроники на основе транзисторов потребовала развития и создания новых направлений в науке и технике. Первые транзисторы изготавливались методом "сплавной технологии", затем была создана планарная технология на основе диффузионных процессов легирования. После этого было предложено создавать области с повышенной концентрацией различных химических элементов методом ионной имплантации или ионного легирования полупроводниковых (п/п) материалов. Для ионного легирования были разработаны ионно-лучевые установки (ИЛУ). ИЛУ - это ионные ускорители с большим током в несколько десятков мкА и с высокой однородностью при сканировании по п/п пластине. Обычно энергия ускоренных ионов в таких ИЛУ находится в диапазоне 104-150 кэВ, при этом создаются легированные области глубиной не более 1 мкм на кремнии. Для создания легированных слоев на глубину в несколько микрон применяются установки с энергией выше 1 МэВ, это очень дорогие установки. Измерение профиля легирования потребовало создания аналитического оборудования для элементного анализа в виде установок ВИМС (вторичная ионная масспектроскопия). Для исследования профиля концентрации и типа электрически активных центров в полупроводниках было разработано и создано направление в физике п/п - релаксационная ёмкостная спектроскопия глубоких уровней (DLTS).

Создание микроэлектронной технологии и появление на мировом рынке по коммерчески доступным ценам монокристаллов (Wacker - Германия, Topsiii - Дания, Shinitsu - ЯпонияА в СССР - ЗТМК, Запорожье), так называемого "детекторного кремния", позволило разрабатывать и изготавливать современные планарные кремниевые детекторы. Для экспериментов CMS и ATLAS на ускорительном комплексе LHC (CERN) необходимо более 300 мА активной площади кремниевых детекторов - это на порядок больше, чем было разработано и изготовлено во всем мире прежде. "Детекторный кремний" - это высокоомный кремний с удельным сопротивлением р > 1 кОмхсм и временем жизни носителей заряда х>1 мсек, получаемый методом "бестигельной зонной плавки - БЗП-кремний" (термин принятый у нас) или в английском варианте - FZ (float zone)-silicon.

С изобретением в 1952 году метода зонной очистки Ge в горизонтальном тигле (W.Pfann)'AA' и затем с предложенным (Р.Кеск, M.Golay)''"A в 1953 году ещё более оригинальным методом БЗП или "плавающей зоны" стало возможным получение монокристаллов, пригодных для изготовления детекторов. Монокристаллы кремния выращивают и очищают от примесей в вертикальном положении без контакта жидкой фазы со стенками реактора. Расплавленная зона кремния висит между верхней и нижней твердыми частями кристалла внутри высокочастотного индуктора-нагревателя с меньшим диаметром, чем у кристалла. С появлением монокристаллического кремния с удельным сопротивлением больше 1 кОмхсм стало возможным изготавливать детекторы с обедненной областью (область с электрическим полем внутри детектора) 100А-500 мкм для применения сначала в ядерной физике (альфа-, гамма-, ионная - спектроскопия, детектирование электронов, нейтронные счетчики), а затем и в физике высоких энергий (ФВЭ) появились п/п координатные детекторы. Степень чистоты такого материала равняется 12 порядкам по электрически активным примесям (бор и фосфор ), т.е. на 10'А атомов Si должно быть по 1 атому бора и фосфора.

После обнаружения в 1951 г. K.G. McKay факта детектирования альфа-частиц на Ge (р-п)-переходе п/п детекторы навсегда вошли в физические центры для измерения ионизирующих излучений.

Одним из первых экспериментов в ФВЭ, в котором применялись кремниевые детекторы (поверхностно-барьерные), был эксперимент по измерению дифференциального сечения упругого р-р рассеяния, выполненный физиками ОИЯИ и ИФВЭ на У-70 (Протвино). Первые кремниевью детекторы изготавливались с переходом на основе поверхностного барьера, приборы такого типа можно было делать в физических лабораториях. Большой вклад в развитие приборов этого класса был внесен физиками таких центров как; ORNL (Oak-Ridge, USA), Shlumberger (France) и в СССР: РНИИРП (Рига), ОИЯИ-ЛЯП (Дубна, группа Осипенко Б.П.), ФТИ им.Иоффе (Ленинград, группа Строкан Н.Б.) и др., поверхностно-барьерные детекторы применяются в экспериментах и сегодня.

Следующий шаг в направлении к планарной технологии был сделан в 60-е годы, когда стали изготавливать детекторы со сплавными и диффузионными переходами (в это же время по такой технологии выпускались транзисторы), применяя технологические операции групповой обработки кристаллов. В (70-А80гг) степень интеграции микросхем возросла в тысячи раз, совершенствовались технологические процессы, резко выросли требования к качеству пластин (большой диаметр, малое число дефектов, суперполировка поверхности). Для изготовления высоковольтных приборов на мировом рынке появился коммерчески доступный кремний с высоким удельным сопротивлением и диаметром до 100 мм, т.е. со стороны материаловедения и технологии были созданы все предпосылки для разработки и изготовления планарных детекторов с большой площадью, оставалось, чтобы кто-то из физиков обратил на это внимание.

Открытие в 1976 году очарованных частиц'"*А с пробегом I мм от вершины взаимодействия стимулировали разработку трековых детекторов с высоким пространственным разрешением порядка 10 мкм.

В начале 80-х годов возник новый класс п/п детекторов - микрополосковые или микростриповые координатные детекторы, которые стали изготавливаться по планарной технологии. О проблемах и особенностях изготовления планарных кремниевых детекторов было опубликовано в работе немецким физиком J.Kemmer с группой коллег и с тех пор часто употребляется термин "Технология Кеммера".

В работе''''А' было экспериментально измерено координатное разрешение стрипового детектора с применением метода ёмкостного деления заряда с целью экономии электроники, шаг стрипов был равен 40 мкм, считьшался каждый 5-й стрип, координатное разрешение (сигма) составило 11мкм.

Затем было получено разрешение 5 мкм на плоскость''АА, при этом применялся детектор с шагом стрипов 20 мкм и считывался сигнал с каждого 3-го стрипа.

Одним из первых физических экспериментов, в котором использовались стриповые детекторы, был эксперимент NA11/NA32 (CERN). В этом эксперименте для изучения процессов рождения и распада очарованных частиц применялся вершинный детектор из 8 плоскостей стриповых детекторов . Этот детектор был важной частью спектрометра коллаборации AC CM OR и проработал в 1982-1985 гг. на пучке пионов с Е=200 ГэВ, позволив получить важную физическую информацию. За время эксперимента через детекторы с чувствительной площадью 24x36 ммА прошло более ю'а частиц и детекторы остались работоспособными. Детекторы были изготовлены на пластинах кремния п-типа диаметром 51 мм, толщиной 280 мкм , с удельным сопротивлением 3 кОмхсм в заключении краткого введения необходимо напомнить об особенностях и сложности технологии детекторов для современных экспериментов. Как правило, детектор размещается один на пластине диаметром 100 мм или два детектора на пластине 150 мм. Это означает, что прибор должен быть без дефектов, т.к. при наличии дефекта в брак идёт вся пластина. Можно сказать о детекторе с размерами 60x60 ммА, что этот прибор эквивалентен одному электронному чипу со сверх большими размерами, расположенному на всей пластине. Микроэлектронные кристаллы имеют обычно площадь порядка (О, HI) смА и обычно на одной кремниевой пластине располагаются сотни чипов интегральных схем (ИС). Наличие на пластине большого числа отдельных чипов позволяет выбраковывать отдельные кристаллы, но не всю пластину. Конечно, с точки зрения топологии, микросхемы (большое количество слоев и субмикронные размеры элементов микросхем) более сложные приборы по сравнению с детекторами. С другой стороны, при более простой топологии детектора по сравнению со СБИС, есть специфические требования к большим детекторам с площадью (30-40) смА, которые никогда ранее в микроэлектронной технологии не решались. К таким требованиям можно отнести:

- комплект фотошаблонов обязан быть бездефектным, т.к. один детектор на пластине;

- кремниевые пластины должны быть бездефектны с обеих сторон, так как для детектора весь объём пластины является рабочим в отличие от подложек для ИС;

- создание методами планарной технологии (р-п)-переходов с низкими токами утечки и большими линейными размерами (стрипы длиной б-т-7 см);

- высокие (до 500 В) пробивные напряжения (р-п)-переходов с большой площадью,

- работоспособность детекторов после инверсии типа объёмной проводимости в результате воздействия радиационных полей.

Актуальность проблемы.

Создаваемые крупные экспериментальные установки, такие как CMS и ATLAS на ускорителе LHC (CERN, Женева), ориентированы на широкое применение планарных кремниевых детекторов в условиях высоких радиационных потоков. Поэтому, разработке кремниевых детекторов, способных работать при радиационных повреждениях, было уделено значительное внимание в данной диссертационной работе. Приведённые выше положения и существующие проблемы создания и применения кремниевых планарных детекторов в современных физических экспериментах определяют актуальность данной работы.

На защиту выносятся следующие результаты:

- Результаты исследований термостойкости и радиационной стойкости вьюокоомного БЗП-кремния п-типа проводимости, изготовленного разными фирмами.

- Результаты исследований радиационной стойкости опытных детекторов.

- Методы измерения параметров необлучённых и облучённых детекторов.

- Впервые предложенные экспериментальные методы:

- определение точки инверсии типа объёмной проводимости детектора;

- измерение потока быстрых нейтронов (адронов) с помощью кремниевых детекторов.

- Обоснование выбора материала для изготовления серийных детекторов.

- Конструкцию серийного стрипового кремниевого детектора для предливневой части установки CMS.

- Результаты исследований разработанных серийных стриповых детекторов.

- Результаты исследований на пучках заряженных частиц прототипов предливневой части CMS, разработанных на основе кремниевых стриповых детекторов.

Основные результаты докладывались и обсуждались на следующих коференциях и совещаниях:

• V-ый проблемный семинар "Физика и техника полупроводниковых детекторов", Гатчина, ЛИЯФ, 1990г.

• "International workshop on Radiation Damage in Silicon", Oak Ridge, USA, 22-24 February 1991.

• "Large Scale Application and Radiation Hardness of Silicon Detectors", Firence, Italy, 1991, 1992, 1993 годы.

• "Workshop on Large Scale Application and Radiation Hardness of Silicon Detectors in High Energy Physics", Минск, 1-4 October, 1991r.

• Рабочее совещание ROSE-RD48,CERN, 1995г.

• "Annual RDMS CMS Collaboration Meeting", CERN, 1995, 1996, 1997.

• 8A European Symposium on Semiconductor Detectors "New Developments pn Radiation Detectors", ShIossElmau, 14-17 June, 1998.

• 1999 IEEE "Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference", Seatl, USA, October 1999.

• 2000 IEEE "Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference", Lyon, France, 15-20 October 2000.

• CMS/ECAL/PRESHOWER "Silicon Sensors Procurement Readiness Review", CERN, July 5-6, 2001.

В заключение автор выражает гдубокую благодарность своему научному руководителю -доктору ф.м.н., профессору Голутвину И.А. за постановку актуальной проблемы, постоянный интерес к данной работе и обсуждение результатов.

Автор искренне благодарит доктора ф.м.н., профессора Граменицкого И.М. за постоянную поддержку при написании данной диссертации.

Автор благодарен сотрудникам ЛФЧ ОИЯИ Зубареву Е.В., Лустову Н.М., Мойсензу П.В., Черемухину АН., Уркинбаеву АР., сотрудникам ЛНФ ОИЯИ Голикову В.В., Кулагину E.H., сотрудникам CERN (Женева) P.Bloch и A.Peisert за совместную работу в получении и обсуждении экспериментальных результатов, представленных в данной диссертации.

Автор выражает благодарность экспертам вьюочайшегого уровня из НИИМВ (Зеленоград) Голубкову C A , Егорову H.H., Козлову Ю.Ф., Сидорову А.И. за очень интересное и плодотворное сотрудничество по разработке и исследованию кремниевых детекторов.

Автор благодарен сотруднику ЛФЧ ОИЯИ Горбунову Н.В. за неоценимую помощь при редактировании и оформлении диссертации.

Заключение. д

1. Проведены исследования радиационной стойкости БЗП кремния п-типа и опытных детекторов, изготовленных на его основе:

- определены типы структурных дефектов в исходном кремнии;

- исследованы глубокие центры, образующиеся при вьюокотемпературных технологических операциях и при облучении быстрыми нейтронами;

- впервые обнаружено различие в результатах измерения типа проводимости кремния, облучённого нейтронами, методом Холла (при отсутствии внешнего электрического поля) и при измерении на детекторах (при наличии электрического поля) и дано объяснение этого эффекта;

- впервые предложен и проверен прямой метод определения «точки инверсии» типа объёмной проводимости кремния в процессе облучения быстрыми нейтронами, основанный на измерении ёмкости детектора;

- для проведения разработки, исследования и сборки кремниевых детекторов в ЛФЧ ОИЯИ создана технологическая лаборатория с классом чистоты 100 и разработаны методы и аппаратура контроля параметров кремниевых детекторов.

2. На основе проведённых исследований и разработок опытных образцов разработаны стриповые кремниевые детекторы площадью 40 смА для предливневой части установки CMS. Освоено изготовление детекторов в опытном производстве НИИМВ (г. Зеленоград). К настоящему времени суммарная чувствительная площадь изготовленных детекторов составляет более 2 мА.

3. Проведены полномасштабные исследования серийно изготавливаемых детекторов:

- экспериментально установлено, что серийные детекторы после облучения нейтронами и протонами при флюенсе свыше 10 см'А работают без электрического пробоя до 1000 В;

- величина обратного тока стрипа определяется объёмной компонентой термогенерационного тока и линейно зависит от флюенса;

- измеренный уровень шумов облучённых детекторов при постоянной времени формировки 35 НС даёт отношение сигнал/шум, равное 8 для m.i.p., что позволит проводить калибровку энергетической шкалы предливневой части калориметра с помощью мюонов во время набора данных.

4. На основе серийно изготавливаемых кремниевых стриповых детекторов созданы и исследованы прототипы предливневой части для установки CMS. Энергетическое разрешение электромагнитного калориметра на основе кристаллов PWO вместе с предливневой частью составляет ОЕ/Е = 2.5%/VE Ф 0.200/Е Ф 0.5%, что является рекордным в настоящее время.

1. AE.Cheremukhin, N.Zamiatin et al., "Investigation of silicon planar detectors for collider experiments", preprint E13-94-247, Dubna 1994.

2. I.A.Golutvin, N.Zamiatin et al., "Radiation hardness of silicon detectors for collider experiments", preprint El4-95-97, Dubna 1995.

3. T.Angelescu, N.Zamiatin et al., "Radiation hardness studies on silicon detectors in fast neutron fields", NIM, A357 (1995) 55-63.

4. Т.И.Балалыкина, Н.ИЗамятин и др., "Чистая зона" для разработки полупроводниковых детекторов в ЛСВЭ ОИЯИ", сообщение ОИЯИ, Дубна, Р13-98-6.

5. P.Bloch, N.Zamiatin et al., "High voltage performance of silicon detectors irradiated under bias", NIM, vol.A 439 344-348 (2000).

6. P.Aspel, N.Zamiatin et al., "Energy and spatial resolution of a Shashlik calorimeter and a silicon preshower detector", NIM, A3 76 (1996) 17-28.

7. P.Aspel, N.Zamiatin et al., "Beam test results of a Shashlik calorimeter in a high magnetic field", NIM, A376 (1996) 361-367.

8. A.D.Avezov, N.Zamiatin et al., "The Muons Registration Efficiency of the CMS ECAL Preshower in the Integrated Test", сообщение ОИЯИ, Дубна, El-2000-6.

9. Ph.Bloch, N.Zamiatin et al., "Investigation ofthe charge collection for strongly irradiated silicon strip detectors ofthe CMS ECAL Preshower", Particles and Nuclei, Letters, 2001, 4(107)-2001, p.25.

10. Pfann W. G., Journ. Metals (N. Y.), 4, 747. (1953).

11. Keck P.H., Golay M.J.E., Phys.Rev., 89,1297 (1953).

12. K.G.McKay, Phys.Rev. 84 (1951), 829.

13. G.G.Beznogikh, et al. imW, S.B.Nurashev and V.L.Solovianov. ЛНЕР/, "The Slope Parameter of the Differential Cross-Section of Elastic p-p Scattering in Energy Range 12-70 GeV", Physics Letters, V.30B, N4, p.279, 1969.

14. G.Goldhaber et al., Phys.rev.Lett., 37 (1976) 255.

15. J.Kemmer, NIM, 169 (1980) 499.

16. J.B.A.England, B.D.Hyams, L.Hutbeling, J.C.Vermeulen and P.Weilhammer, NIM, 185 (1981)43.

17. B.Hyams, U.Kotz, E.Belan, R.Klanner, G.Lutz, E.Neugebauer, A.Wylie and J.Kemmer, NIM, 205 (1983) 99.

18. R.Railey et al. NIM, 226 (1984) 56.

19. H.DietI et al. NIM, A253 (1987) 460.

20. SBraibant et al., CERN, CMS NOTE, 2000/011.

21. Н.П.Афанасьева, Е.М.Вербицкая, В.К.Еремин, Н.Б.Строкан, Е.В.Шокина. Препринт ЛИЯФ им. Б.П.Константинова, 1187-1986г, Ленинград.

22. The CMS E C AL Group "The Electromagnetic Calorimeter Project Technical Design Report", CERN/LHCC 97-33.

23. M.Caccia et al. NIM, A260 (1987) 124.

24. P.HoU et al. IEEE Trans.NS V.36, 1 (1989) 551.

25. J.Kemmer and G.Lutz. NIM, A273(1988) 588.

26. F.Lemeiileur et a!., preprint CERN/ECP 91-21

27. A.I.Voytov, V.M.Nazarov, V.A.Poyarkov, V.F.Peresedov, JINK Preprint R3-86-155, Dubna, 1982.

28. AP.Cheplakov et al., NIM, A411(1998) 330-336.

29. P.Aspel et al., "Delta: A charge sensitive front-end amplifier with switched gain for low noise, large dynamic range silicon detector readouf, presented at the 8* Pisa Meeting on Advanced Detectors, May 2000, Isola d'Elba, submitted to NIM.

30. G.Lindstrom et al., ROSE/TN/2000-03.

31. L.Evensen et al., NIM, A337, 1993, 44-52.

32. M.DaRold et al., IEEE Trans.Nucl.Sci. vol.46,4,1999, 1215-1223.

33. O.Militaru et al., NIM, voI.A439, 2000, 262-269.

34. Ajeet Rohatgi and P.Rai-Choudhury, IEEE Trans.El.Dev., vol.ED3 1, no 5, pp.596-600,1984.

35. Голиков B.B., Н.И.Замятин и др., "Экспериментальный метод определения инверсии п-типа проводимости кремния при облучении быстрыми нейтронами", сообщение ОИЯИ, принято к публикации, декабрь 2001.

36. Ph.Bloch, N.Zamiatin et al., "Silicon sensors for the CMS Preshower Detector", accepted for publication in NIM, vol. A April 2001.

37. Ph.Bloch, N.Zamiarin et al., "Performance Study of Non-Irradiated Prototype Silicon Preshower Samplers for CMS ", CMS TN-2000/042.

38. Ph.Bloch, N.Zamiatin et al., "Investigation of the charge collection for strongly irradiated Silicon strip detectors of the CMS ECAL Preshower", CMS TN-2000/062.

39. F.Anghinolfi et al.,IEEE Trans.Nucl.Sci., 44, No.3(1997) 298-302.

40. Ph.Bloch, N.Zamiatin et al., "Does Radiation Improve Silicon Detectors", CMS CR-1999/032.

41. Ph.Bloch, N.Zamiatin et al., "Investigation od Silicon Sensor Quality as a Function of the Ohmic Side Processing Technology", CMS CR-2000/014, submitted to IEEE Trans.Nucl. Science, April 2001.

42. CERN/LHCC 98-39, LEB Status Report/RD48, 21 October 1998.

43. C.Leroy et al, "Study of charge transport in non-irradiated and irradiated silicon detectors". Report CERN-EP 98-105.

44. E.Segre, "Experimental Nuclear Physics", Vol 1, New-York-London, 1953.

45. L.Borrello et.al., "Study ofEdge Effects in the Breakdown Process of p+ on n-bulk Silicon Diodes", CERN CMS CR 1998-014.

46. C.Leroy et.al., "Study of charge collection and noise in non-irradiated and irradiated silicon detectors", NIM, A399(1997) 289-296.

47. D.Barney, "A Pedagogical Introduction to the CMS Electromagnetic Calorimeter", CERN CMS CR 1998-004.

48. CMS Tracker Technical Design Report, CMS TDR 5 CERN/LHCC98-6, April 1998.

49. ATLAS Inner Detector Technical Design л&роП, ATLAS TDR 4,5 CERN/LHCC97-16,30,л April 1997.

50. AG.Tonelli et.al., NIM, A386(1997) 129-137.