Разработка способов исследования слоистых структур монолитных интегральных приборов СВЧ на основе спектроскопии и эллипсометрии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.05 ВАК РФ

Введение

1 Обзор способов изучения молекулярной структуры, электрофизических характеристик, относительных атомных концентраций и толщин поверхностных пленок материалов и многослойных структур микроэлектронных устройств па основе оптических методов и метода количественной оже- 14 спектроскопии

2 Разработка способов исследования молекулярной структуры слоистых сред монолитных интегральных приборов СВЧ на основе методов ИК-спектроскопии

2.1 Изучение колебательных спектров поглощения пленок 8102, полученных различными технологическими приемами и подвергнутых импульсному отжигу

2.2 Изучение колебательных спектров поглощения пленок нитрида кремния, подвергнутых воздействию окислительной 36 среды

2.3 Изучение колебательных спектров поглощения и оптических постоянных пленок поликристаллического кремния, легированных азотом и кислородом методами ИК-спектроскопии пропускания и эллипсометрии

2.4 Изучение оптического поглощения пленок карбида кремния в инфракрасной области спектра

2.5 Исследование колебательных спектров поглощения пленок нитрида алюминия, прошедших различные температурные обработки

3 Разработка способов исследования и контроля геометрических и электрофизических характеристик слоев структур монолитных интегральных приборов СВЧ на основе оптической спектроскопии и эллипсометрии

3.1 Пропускание в видимой и инфракрасной областях Спектра сильно легированных пленок кремния, свободных от подлож- 73 ки

3.2 Исследование возможности определения толщины сильно легированных слоев кремния по спектрам отражения методом Фурье-спектрометрии в далекой инфракрасной области

3.3 Исследование возможности определения толщины переходного слоя в кремниевых «п - i%> структурах по спектрам отражения в инфракрасной области

3.4 Исследование возможности определения электрофизических параметров слоев поликристаллического кремния, сильно легированного мышьяком, по спектрам отражения и амплитудно-фазовым характеристикам отраженного света в далекой инфракрасной области

3.5 Определение оптических постоянных и исследование возможности использования спектров отражения для контроля процесса образования пленок силицида платины

3.6 Применение метода эллипсометрии для оценки качества геттерирующих полупроводниковых слоев Si и структурного совершенства полупроводниковых слоев GaAs

3.7 Исследование возможности раздельного определения толщины пленок двуокиси кремния и нитрида кремния в двухслойной системе «двуокись кремния - нитрид кремния» по колебательным спектрам поглощения 106 4 Разработка способов исследования и контроля относительных атомных концентраций и толщин поверхностных пленок структур в технологии монолитных интегральных приборов

СВЧ на основе метода количественной электронной оже-спектроскопии

Актуальность темы

Современная СВЧ-электроника основана на использовании монолитных интегральных приборов СВЧ (МИЛ СВЧ). В технологии МИЛ СВЧ находят широкое применение слоистые структуры, состоящие из однородных слоев или слоев, свойства которых меняются по толщине.

Как правило, такими слоями являются диэлектрические, полупроводниковые эпитаксиальные и поликристаллические, а также металлические пленки.

Эффективными методами исследования пленок являются:

- инфракрасная спектроскопия, основанная на резонансном поглощении излучения молекулами вещества;

- оже-электронная спектроскопия, в основе которой лежит анализ энергетического спектра оже-электронов;

- эллипсометрия, основанная на анализе амплитудно-фазовых характеристик отраженного света.

Известные достоинства перечисленных методов, такие как высокая чувствительность к параметрам исследуемых систем, экспрессность, невозму-щающий характер воздействия на объект исследования делают их весьма привлекательными и объясняют их широкое применение при исследовании полупроводниковых, диэлектрических и металлических пленок.

Благодаря появлению технологии МИП СВЧ и в связи с практическими потребностями, появились объекты для исследования: геттерирующие слои кремния, имплантированного аргоном, и пленки карбида кремния, пленки окиси и двуокиси кремния, полученные в специфических для технологии МИП СВЧ режимах, пленки нитрида алюминия, полученные различными технологическими приемами.

При синтезе монолитных интегральных структур возникает необходимость исследования процесса окисления пленок нитрида кремния, а также изучения влияния импульсного отжига на молекулярную структуру пленок двуокиси кремния, полученных различными технологическими приемами.

В технологии МИП СВЧ возникает необходимость синтеза нового класса кремниевых пленок SIPOS, легированных кислородом и азотом. Изучение молекулярного состава указанных пленок, определение оптических постоянных является необходимым как для отработки технологии их получения, так и для последующего контроля качества.

Для технологии МИП СВЧ требуется разработка методик неразрушаю-щего контроля свободных от подложки пленок кремния, сильно легированного бором, а также одновременное определение толщины диэлектрических слоев двуокиси кремния и нитрида кремния в двойной слоистой структуре «Sfo2 -на рабочих кремниевых структурах.

Другой аспект рассматриваемой проблемы связан с изучением возможности применения методов эллипсометрии, ИК-спектроскопии и оже-электронной спектроскопии для: оценки структурного совершенства поверхности и ионно-имплантированных кремнием слоев в структурах на основе арсенида галлия; исследования поликремниевых структур сильно легированных мышьяком; контроля процесса образования пленок силицида платины; неразрушаюгцего определения геометрических и электрофизических параметров сильно легированных слоев в кремнии; экспрессной неразрушаюш;ей оценки толщины переходного слоя в структурах «эпитаксиальный слой - скрытый слой»;

- количественной оценки относительных атомных концентраций гомогенных структур, а также относительных атомных концентраций и толщины пленочных структур МИП СВЧ.

Следует отметить, что:

1) молекулярная структура пленок ЗЮг, 81зМ4 исследовалась многими авторами, однако указанные пленки, полученные с учетом особенностей технологии МИП СВЧ, ранее не исследовались. Не исследовалось и влияние технологических условий на молекулярную структуру указанных пленок;

2) нитрид алюминия исследовался многими авторами в виде прессованных таблеток. В пленочном виде на кремнии нитрид алюминия ранее не исследовался;

3) исследование карбида кремния (81С) проводилось рядом авторов у нас в стране и за рубежом. В основном изучались спектры люминесценции, а также проводились рентгеноструктурные и электронографические исследования. Информация, по спектрам поглощения 81С неоднозначна, молекулярные характеристики многими авторами были получены расчетными методами квантовой химии;

4) толщина пленок 8102 и ЯМЙ в двухслойной системе традиционно определяется методом эллипсометрии с использованием номограмм, рассчитанных с учетом заведомо известных оптических постоянных как пленок, так и подложки, на которую они нанесены, что в реальном технологическом процессе не достигается. В последнее время разработан метод эллипсометрии с использованием иммерсионных жидкостей (В.А.Швец, ИФП СО РАН). При этом точность определения толщины пленок гораздо выше, чем с использованием номограмм. Однако подобные измерения можно проводить только на спутниках. Кроме того, метод является довольно трудоемким - структуры после проведения измерений необходимо химически обрабатывать, что является недопустимым для реального технологического процесса;

5) толщина свободных от подложки пленок кремния, сильно легированных бором, нашедших в технологии широкое применение в качестве мембран рентгеношаблонов, определяется с помощью микроскопа типа МИИ-4. Метод является неразрушающим и экспрессным, однако при этом требуется, с одной стороны - качественная юстировка микроскопа, а с другой стороны - высокая квалификация оператора. При этом возрастает субъективная погрешность в определении толщины пленок. Кроме того, при определении толщины предполагается заранее известным показатель преломления пленок, что является не вполне корректным, поскольку показатель преломления пленок может изменяться в широких пределах от процесса к процессу;

6) толш;ина сильно легированных слоев кремния и оценка толгцины переходного слоя определяется общеизвестными методами косого и сферического шлифа в сочетании с зондовыми методами измерения поверхностного и удельного сопротивления. Некоторыми исследователями для оценки толщины переходного слоя использовался метод ИК-эллипсометрии (X = 10,6 мкм), но в этом случае измерения проводились на специально подготовленных образцах, в то время как в технологическом процессе существует необходимость определения упомянутых величин на рабочих структурах;

7) поскольку пленки поликремния, сильно легированного мышьяком, были синтезированы в технологии МИП СВЧ впервые, информация об их исследовании не обнаружена в отечественной и зарубежной литературе;

8) слои силицида платины ранее исследовались электрофизическими методами у нас в стране и за рубежом.

Информация об исследовании оптическими методами пленок силицида платины отсутствует;

9) слои кремния, имплантированного ионами аргона, в диапазоне энергий (от 20 до 40 кэВ) изучались A.C. Мардежовым (ИФП СО РАН) методом эллип-сометрии в видимой области спектра.

Информация по изучению названных слоев, имплантированных ионами аргона при высоких энергиях (более 40 кэВ) и больших дозах легирования отсутствует.

Отсутствует также информация по исследованию слоев арсенида галлия, облученного ионами кремния, методом эллипсометрии в видимой области спектра;

10) методические основы количественной оже-электронной спектроскопии разработаны В.А.Гореликом (НИТИ, г.Рязань). Им же с сотрудниками предложены методики проведения анализа реальной поверхности кремния и арсенида галлия, а также оценка стехиометрии кварца методом количественной оже-электронной спектроскопии.

Информация по применению метода количественной оже-спектроскопии применительно к структурам, получаемым в технологии МИП СВЧ (силицид платины, GaAs - Ti - Au), отсутствует.

Разработками методов исследования и контроля материалов и структур занимались группы ученых Москвы (НПО «Пульсар», HPffl молекулярной электроники), Ленинграда (НИИ интроскопии, физико-технический институт, НПО «Светлана»), Минска (Институт физики полупроводников, политехнический институт, НПО «Интеграл»), Киева (Институт физики полупроводников. Институт проблем материаловедения), Новосибирска (ИФП СО АН СССР). В этом направлении достигнуты серьезные успехи. Однако в связи с усложнением технологии производства, возрастанием степени интеграции элементов интегральных схем, уменьщением толщины диэлектрических, металлических и полупроводниковых структур перед исследователем, материаловедом, технологом стоит задача как совершенствования известных, так и разработки новых методов и методик для исследования и диагностики создаваемых структур.

Особенно это необходимо при создании монолитных интегральных приборов СВЧ (МИП СЕЧ). Типичная структура МИП СВЧ приведена на рисунке 1. Возрастание трудоемкости и финансовых затрат на производство еще более усложняет создавшуюся ситуацию.

Основные требования, предъявляемые к методам исследования и контроля качества структур современной технологии, заключаются в следующем.

Методы должны быть:

• бесконтактными, поскольку механический контакт с исследуемой структурой может провести к разрушению исследуемой структуры в точке контакта, а также к изменению характеристик исследуемого объекта, что неизбежно может привести к ложному результату;

• невозмущающими, поскольку под воздействием собственного электромагнитного, теплового и прочих полей может произойти как временное, так и необратимое изменение электрофизических и структурных характеристик исследуемого объекта;

• неразрушающими (по возможности), поскольку разрушение исследуемого объекта делает невозможным его дальнейшее использование в технологии.

Проведение же исследований на образцах-спутниках дает лишь косвенную, а для современной технологии зачастую ложную информацию об исследуемом объекте. К методам, используемым для контроля технологии, предъявляется еще одно требование - это экспрессностъ, поскольку технологический цикл создания интегральных приборов предполагает малый межоперационный временной промежуток, для того чтобы избежать осаждения на поверхность нежелательных примесей, а также образования нежелательных поверхностных пленок на технологической структуре.

Как подсказывает опыт работы многих ученых как в России, так и за рубежом, требованиям, отмеченным выше, наиболее удовлетворяют оптическая и электронная спектроскопия и эллипсометрия.

В связи с задачами, поставленными технологией интегральных приборов СВЧ, возникла острая необходимость исследования возможности методов оптической спектроскопии и эллипсометрии видимого и инфракрасного диапазонов электромагнитного излучения, а также метода электронной оже-спектроскопии с целью создания методов диагностики качества структур интегральных приборов.

Для проведения подобных исследований возникла необходимость разработки программного обеспечения для расчета оптических функций исследуемых объектов (зависимость показателя преломления и показателя поглощения от волнового числа или длины волны), а также для проведения количественного анализа методом электронной оже-спектроскопии.

Все это и определило цель настоящей работы.

Зпитаксиальныс структуры ип

5КЭФ 1.0/в 1 р п п'

АА2 терм

Ионная имплантация В

813М,

5! 0

2 пир пег В

8Ю„ р п п 1

•4-1—г-1*.* . V

Г п п'

ЗГд<10''см' р п и

3\0

81 к 0

8'10,

Р5 п л. ' » ,

Р п /Г

-----, -1

А5 р р п

БСС

810 2 пир 81 i t-F 1 —у 810,. п

8 Ю

2 пироп

5 Ю 0 / 2 пр jet В

8 2 пироп

51

Аз

Р Р-и 7

8Г

810,

Л Л Л и

Контакт к оспе Контакт к хмшнтсру п 7 п и

10

Кч! и 'кптр

Рисунок 1 - Технологическая схема изготовления транзисторных структур со ступенчатыми электродами

2 пиа 7 2 пир Л 8

Цель работы - разработка способов исследования слоистых структур монолитных интегральных приборов СВЧ на основе методов оптической и оже-электронной спектроскопии и эллипсометрии.

Указанная цель достигается путем решения следуюш;их задач.

1. Изучение колебательных спектров поглощения пленок:

- двуокиси кремния, полученных различными технологическими приемами и подвергнутых импульсному отжигу;

- нитрида кремния, подвергнутых воздействию окислительной среды, методами ИК-спектроскопии и эллипсометрии;

- нитрида алюминия при высокотемпературных обработках;

- SIPOS (N2) и SIPOS (02), также их оптических постоянных методами ИК-спектроскопии пропускания и эллипсометрии;

- карбида кремния в инфракрасной области спектра.

2. Исследование возможности использования спектров отражения, пропускания и амплитудно-фазовых характеристик отражения в видимой и инфракрасной области спектра для определения электрофизических параметров, толщины и контроля процесса образования:

- сильнолегированных пленок кремния, свободных от подложки;

- сильнолегированных слоев кремния в кремниевой подложке по спектрам отражения методом Фурье-спектрометрии;

- переходного слоя в кремниевых «п - п'1А» структурах;

- слоев поликристаллического кремния, сильно легированного мышьяком;

- слоев силицида платины;

- геттерирующих полупроводниковых слоев кремния, ионно-имплантированного аргоном;

- полупроводниковых слоев арсенида галлия, легированного кремнием;

- пленок двуокиси кремния и нитрида кремния в двухслойной системе «двуокись кремния - нитрид кремния».

3. Исследование возможности контроля относительных атомных концентраций и толщины поверхностных пленок структур в технологии МИП СВЧ на основе метода количественной оже-спектроскопии.

Научная новизна

Научная новизна диссертационной работы заключается в поиске и разработке новых способов исследования слоистых структур МИП СВЧ с использованием методов оптической и электронной оже-спектроскопии, а также эллип-сометрии в видимой и ИК-областях спектра.

При этом впервые:

1) применены методы оптической спектроскопии, Фурье-спектрометрии и количественной оже-электронной спектроскопии в далекой ИК-области спектра, а также эллипсометрии в видимой и далекой ИК-области спектра для исследования слоистых структур МИП СВЧ.

Предложены и экспериментально реализованы способы проведения исследования с применением указанных методов;

2) в ходе проведенных исследований получены следующие результаты;

- методами ИК-спектроскопии оценена молекулярная структура диэлектрических слоев на кремниевой подложке (SIO2, SI3N4, AIN), полученных различными технологическими приемами, характерными для технологии МИП СВЧ, и подвергнутых действию окислительной среды и различным видам отжига;

- методами ИК-спектроскопии и эллипсометрии оценены оптические характеристики поликристаллических пленок кремния, сильно легированных мышьяком, а также легированных кислородом (SIPOS (О2)) и азотом (SIPOS (N2));

- в ИК-спектрах слоев карбида кремния экспериментально обнаружена полоса поглощения в области волновых чисел 800 см'\ отнесенная автором к валентному колебанию связи Si-C; в приближении модели гармонического осциллятора проведена количественная оценка величины силовой постоянной связи Si-C; предложен и экспериментально реализован неразрушающий метод экспрессной оценки качества образования геттерирующих слоев SIC; методом эллипсометрии предложены и экспериментально реализованы способы оценки качества геттерирующих слоев кремния, ионно-имплантированного аргоном, и слоев арсенида галлия, ионно-имплантированного кремнием;

3) на основе методов оптической спектроскопии, Фурье-спектрометрии в далекой ИК-области и эллипсометрии предложены и экспериментально реализованы способы неразрушающего, невозмущающего, бесконтактного и экспрессного определения толщины, оптических и электрофизических характеристик: сильно легированного слоя кремния в кремниевой подложке; переходной области в кремниевых структурах «эпитаксиальный слой - скрытый слой»; свободных от подложки пленок кремния, сильно легированных бором; слоев силицида платины;

4) на основе метода количественной оже-электронной спектроскопии предложен способ исследования и определения относительных атомных концентраций и толщины слоев структур, применяемых в технологии МИП СВЧ; поверхности кремния, алюминия, бора, титана, силицида платины, арсенида галлия для различных технологических режимов; металлизации на кремнии и арсениде галлия.

Практическая значимость работы

Предложены и экспериментально реализованы способы:

1) неразрушающего, невозмущающего, бесконтактного и экспрессного определения толщины слоев структур методом оптической спектроскопии и эллипсометрии: а) сильнолегированного слоя кремния в кремниевой подложке; б) переходной области в кремниевых структурах «эпитаксиальный слой - скрытый слой»; в) свободных от подложки пленок кремния, сильно легированных бором; г) пленок двуокиси кремния и нитрида кремния в двухслойной системе «двуокись кремния - нитрид кремния»;

2) количественной оже-электронной спектроскопии для определения относительных атомных концентраций и толщины слоев: а) на поверхности кремния, арсенида галлия, алюминия, бора, титана, силицида платины для различных технологических режимов; б) металлизации на кремнии и арсениде галлия;

3) неразрушающей экспрессной оценки качества образования геттери-рующих слоев SiC на основе метода ИК-спектроскопии;

4) оценки качества геттерирующих слоев кремния, ионно- имплантированного аргоном, и слоев арсенида галлия, ионно-имплантированного кремнием на основе метода эллипсометрии;

5) неразрушающий бесконтактный экспрессный способ оценки качества образования слоев силицида платины методами ИК-спектроскопии и эллипсо-метрии.

Результаты научных исследований были использованы при выполнении тридцати восьми НИОКР по Программам развития твердотельной микроэлектроники и внедрены в технологические процессы изготовления приборов.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Разработан и внедрен в производство комплекс способов исследования слоистых структур монолитных интегральных приборов СВЧ на основе методов оптической спектроскопии и эллипсометрии.

2. Установлено, что оптическая спектроскопия и эллипсометрия являются универсальными методами при исследовании молекулярного состава аморфных и кристаллических диэлектрических, а также полупроводниковых структур (Si02, AIN, SIP0S(02) и SIP0S(N2)) в технологии монолитных интегральных приборов СВЧ (МИП СВЧ).

3. Методами инфракрасной спектроскопии и эллипсометрии:

- установлено влияние импульсного отжига на молекулярную структуру пленок Si02, полученных различными технологическими приемами;

- предложена феноменологическая модель процесса окисления пленок

Si3N4;

- экспериментально установлено существование полосы поглощения Si-С в карбиде кремния, предложен и экспериментально реализован критерий оценки качества образования слоев карбида кремния.

4. Предложены и экспериментально реализованы способы бесконтактного, невозмущающего, неразрушаюгцего определения толщины с использованием методов Фурье-спектрометрии и инфракрасной спектроскопии в далекой и средней инфракрасных областях спектра:

- сильно легированных бором пленок кремния, свободных от подложки;

- пленок ЗЮг и 81зМ4 в системе « ЗЮг - 81зМ4» на рабочих структурах;

- сильнолегированного слоя кремния в кремниевой подложке;

- переходной области на границе раздела структуры «эпитаксиальный слой - скрытый слой» при эпитаксиальном наращивании кремния.

5. Показана принципиальная возможность использования оптической спектроскопии и эллипсометрии при определении электрофизических характеристик и толщины пленок поликристаллического кремния, сильно легированного мышьяком, а также для контроля процесса образования пленок силицида платины (Р181).

6. Предложены и экспериментально реализованы:

- эллипсометрический способ исследования качества геттерирующего слоя и структурного совершенства полупроводниковых слоев в технологии МИПСВЧ;

- метод количественной электронной оже-спектроскопии диэлектрических, полупроводниковых и металлических слоев для структур МИП СВЧ.

Апробация работы

Научные результаты, включенные в диссертацию, представлялись на:

•двух областных научно-технических конференциях, посвященных Дню советской науки и Дню радио (1983 - 1984г., г. Новосибирск);

•Всесоюзной конференции «Аналитические методы исследования материалов и изделий микроэлектроники» (1991г., г. Кишинев);

•Всероссийской научно-технической конференции «Методы и средства измерений физических величин» (1999г., г. Н.- Новгород);

•Всероссийской научно-технической конференции «Методы и средства измерений» (2000г., г. П.- Новгород);

• ежегодных научно-технических конференциях «Современные проблемы геодезии и оптики» СГГА (1995-2001г., г. Новосибирск);

•Четвертом Сибирском конгрессе по прикладной и индустриальной математике (ИНПРИМ-2000), посвященном памяти М.А.Лаврентьева (1900-1980) (2000г., г. Новосибирск);

• научно-технических советах по ЕИР «Оазис-3» и поисковой ЕСИР «Оазис-5» предприятия ОАО «Октава» (1987 - 1992г., г. Новосибирск).

Публикации

По теме диссертации опубликовано 24 печатных работы, в том числе: тезисы докладов на одной Всесоюзной конференции, двух Всероссийских конференциях, на Четвертом Сибирском конгрессе по прикладной и индустриальной математике, посвященном памяти М.А. Лаврентьева (1900-1980), двух областных научно-технических конференциях, посвященных Дню советской науки и Дню радио, двух научно-технических конференциях СГГА, один зарегистрированный научно-технический отчет по ОКР. Список опубликованных работ приведен в конце автореферата.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех разделов, заключения и трёх приложений, изложена на 151 странице машинописного текста, содержит 54 рисунка, 19 таблиц и библиографию из 148 наименований.

Заключение

В диссертации найдены и разработаны новые способы исследования слоистых структур монолитных интегральных приборов СВЧ на основе кремния и арсенида галлия с использованием методов оптической, оже-электронной спектроскопии, а также эллипсометрии и получены следующие основные результаты.

1. Проведены исследования оптических методов анализа слоистых структур, позволившие выбрать для конкретных многослойных структур монолитных интегральных приборов СВЧ при их разработках неразрушающие методы: оптическую спектроскопию и эллипсометрию в видимой и ИК-областях спектра.

Доказана целесообразность применения количественной электронной оже-спектроскопии для определения относительных атомных концентраций и толщины пленочных гомогенных структур в технологии монолитных интегральных приборов СВЧ.

2. В ходе исследования получены новые результаты:

1) впервые методами ИК-спектроскопии исследована молекулярная структура диэлектрических слоев на кремниевой подложке (Sfo2, S^зN4, A1N), полученных различными технологическими приемами, используемыми в технологии монолитных интегральных приборов СВЧ на основе кремния и ар-сенида галлия, и подвергнутых действию окислительной среды и различных видов отжига;

2) методами ПК - спектроскопии и эллипсометрии исследованы оптические характеристики поликристаллических слоев кремния, сильно легированных мышьяком, а также легированных кислородом (SIPOS (О2)) и азотом (SIPOS (N2)) в процессе их получения и при технологических обработках;

3) в инфракрасных спектрах слоев карбида кремния впервые экспериментально обнаружена полоса поглощения в области волновых чисел 800 см"\ отнесенная автором к валентным колебаниям связи Si-C; в приближении модели гармонического осциллятора проведена оценка величины силовой постоянной связи Si-C; ее значение составило 318 Н-м"';

4) на основе метода ИК-спектроскопии предложен и экспериментально реализован экспрессный способ неразрушающей, невозмущающей, бесконтактной оценки процесса образования геттерирующих слоев SIC;

5) методом эллипсометрии с иммерсией определены оптические постоянные слоев карбида кремния;

6) методом эллипсометрии предложены и экспериментально реализованы способы оценки состояния геттерирующих слоев кремния, ионно-имплантированного аргоном, и слоев арсенида галлия, ионно-имплантированного кремнием;

7) предложен и экспериментально реализован способ раздельного определения толщины пленок двуокиси кремния и нитрида кремния в двухслойных системах «двуокись кремния - нитрид кремния» по колебательным спектрам отражения на рабочих структурах монолитных интегральных приборов СВЧ;

8) на основе метода оптической спектроскопии, Фурье - спектрометрии и эллипсометрии в видимой и инфракрасной области спектра предложены и экспериментально реализованы способы неразрушающего, невозму-щающего, бесконтактного и экспрессного определения толщины, оптических и электрофизических характеристик:

• сильнолегированного слоя кремния в кремниевой подложке;

• переходной области в кремниевых «п - п"А» структурах;

• свободных пленок кремния, сильно легированных бором;

• слоев силицида платины;

• слоев поликристаллического кремния, сильно легированного мышьяком.

3. Разработаны неразрушающие, невозмущающие, бесконтактные методики исследования молекулярной структуры многослойных монолитных интегральных приборов СВЧ, а также определения геометрических и электрофизических характеристик слоев, позволившие решить ряд задач, возникающих при синтезе слоев двуокиси кремния, нитрида кремния, нитрида алюминия, карбида кремния, силицида платины, поликристаллических пленок кремния, легированных азотом (SIPOS (N2)) и кислородом (SIPOS (О2)) и диэлектрических структур, полученных различными методами, а также при разработке процессов получения полупроводниковых слоев и транзисторных структур, при создании СВЧ монолитных приборов.

4. Для проведения исследования слоистых структур монолитных интегральных приборов СВЧ методами оптической и электронной оже-спектроскопии, Фурье-спектрометрии, а также эллипсометрии в видимой и ИК-области автором совместно с сотрудниками лаборатории физических методов исследования ОАО «Октава» Коробовой Т.Б., Балиным В.И., Фурманом М.Л. были проведены разработки:

• устройств для проведения иммерсионных эллипсометрических измерений и автоматизированной обработки результатов эллипсометрических измерений на базе ЭВМ «Электроника-В»;

• приставок отражения для спектрофотометров ИКС-29 и СФ-26, а также нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) для ИКС-29;

• лабораторных макетов: автоматизированного Фурье-спектрометра для дальней ИК-области спектра (совместно с Азовским оптико-механическим заводом), инфракрасного эллипсомещра для дальней ИК-области спектра (совместно с Мардежовым A.C., Швецом В.А., Хасановым Т., ИФП СО РАН) и установки для проведения электронной оже-спектроскопии на базе встраиваемого оже-спектрометра ИОС-003 (совместно с ИФП и ИЯФ СО РАН)

Автору принадлежит руководство работами, постановка задачи, составление технических заданий и непосредственное участие испытаниях и экспериментальном исследовании характеристик разрабатываемых устройств).

5. Результаты проведенных исследований позволили при разработке на предприятии конкретных монолитных интегральных приборов СВЧ обеспечить получение параметров этих приборов на современном уровне.

Таким образом, цель, поставленная в работе, достигнута.

1. Вудроф Д., Делчер Т. Современные методы исследования поверхности.- М.: Мир, 1989. -564 с.

2. Фелдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и твердых пленок.- М.: Мир, 1989. -344 с.

3. Черепин В.Т., Васильев М.А. Методы и приборы для анализа поверхности материалов.- Киев: Наукова Думка, 1982. 400с.

4. Мардежов A.C. Исследование неоднородных полупроводниковых структур методом эллипсометрии: Автореф. дис. канд. ф.-м. наук. Новосибирск, 1980. -19 с.

5. Швец В.А. Развитие метода эллипсометрии для исследования неоднородных слоистых структур: Автореф. дис. канд. ф.-м. наук. Новосибирск, 1988.-17 с.

6. Колешко В.М., Гойденко П.П., Буйко Л.Д. Контроль в технологии микроэлектроники.- Минск: Наука и техника, 1979. -312 с.

7. Ковтонюк Н.Ф., Концевой Ю.А. Измерение параметров полупроводниковых материалов.- М.: Металлургия, 1970. -432 с.

8. Батавии В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур.- М.: Радио и связь, 1985. -284 с.

9. Резвый P.P. Эллипсометрия в микроэлектронике.- М.: Радио и связь, 1983. -120 с.

10. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов.- М.: Высшая школа, 1987. -239 с.

11. Раков A.B. Спектрофотометрия тонкопленочных полупроводниковых структур.- М.: Сов. радио, 1975. -176 с.

12. Измерения и контроль в микроэлектронике/ Н.Д. Дубовой, В.И. Осокин, А.С.Очков и др. М.: Высш. шк., 1984. -367 с.

13. Воробьев Ю.В., Добровольский В.Н., Стриха В.И. Методы исследования полупроводников.- Киев: Выш. шк., 1988. -232 с.

14. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред.- М.: Наука, 1992. -664 с.

15. Бредов М.М., Румянцев В.В., Топтыгин И.Н. Классическая электродинамика.- М.: Наука, 1985.-400 с.

16. Соболев В.В., Немошколенко В.В. Методы вычислительной физики. Электронная структура полупроводников.- Киев. Наукова думка, 1988.-424 с.

17. Альперович Л.И. Метод дисперсионных соотношений и его применениедля определения оптических характеристик. Душанбе:Ирфон, 1973.-46с.

18. Robinson Т.е. Optical constant in solid state //Proc.Phys.Soc, 1952. V.658.1. P.910.

19. Bode H. Network Analysis and Feedback Amplifier Design. Prins eyon. New1. York, 1945.

20. Боголюбов H.H., Медведев Б.В., Поливанов M.K. Вопросы теории дисперсионных соотношений.- М.: Гос.изд-во физ.-мат. Лит., 1956.-203 с.

21. Нуссенцвейг Х.М. Причинность и дисперсионные соотношения.- М.: Мир, 1976.-464 с.

22. Соболев В.В., Алексеева CA., Донецких В.И. Расчеты оптических функций полупроводников по соотношениям Крамерса-Кронига.- Кишинев: Штини-ца, 1976.-123 с.

23. Герцберг Г. Спектры и строение двухатомных молекул.- М.: ИЛ, 1949.

24. Вильсон е., Демиус Дж., Кросс П. Теория колебательных спектров молекул.- М.: ИЛ, 1960.

25. Накамото К. ИК-спектры и спектры KP неорганических и координационных соединений.- М.: Мир, 1991.

26. Ельяшевич М.А. Атомная и молекулярная спектроскопия. М.: Физматгиз, 1962.

27. Свердлов Л.М., Ковнер М.А., Крайнов Е.П. Колебательные спектры многоатомных молекул.- М.: Наука, 1970. -559 с.

28. Грибов Л.А. Введение в молекулярную спектроскопию.- М.: Наука, 1976.

29. Колебания молекул/ М.В. Волькенштейн, Л.А.Грибов, М.А.Ельяшевич, Б.И.Степанов М.: Наука, 1972. -699с.

30. Мальцев A.A. Молекулярная спектроскопия.- М.: Изд-во Моск. ун-та, 1980.257 с.

31. Браун П.А. Киселев A.A. Введение в теорию молекулярных спектров.- Л.: Изд-во Ленингр. Ун-та, 1983.-302с.

32. Бахшиев Н.Г. Введение в молекулярную спектроскопию.- Л.: Изд-во Ле-нингр.ун-та, 1987.-310 с.

33. Тюлин В.И. Колебательные и враш;ательные спектры многоатомных молекул.- М.: Изд-во Моск. ун-та, 1987.-187 с.

34. Киселев A.A., Лянцев A.B. Квантово-механическая теория возмущений (диаграммный метод).- Л.: Изд-во Ленингр. Ун-та, 1989.-232 с.

35. Смит А. Прикладная Ж-спектроскопия.- М.: Мир, 1982.-211 с.

36. Бенуэл К. Основы молекулярной спектроскопии.- М.: Мир, 1985.-242 с.

37. Пеннер П., Коулмен М., Кённи Дж. Теория колебательной спектроскопии. Приложение к полимерным материалам.- М.: Мир, 1986.-525 с.

38. Кизель В. А. Практическая молекулярная спектроскопия.- М.: Изд-во МФТИ, 1998.-232 с.

39. Кутолин CA. Измерение оптических свойств поликристаллического A1N в области 0,1-25 мкм //Неорган, материалы. 1973. - Т.9. - N.6. - С.964.

40. Эдельман Ф.Л. Структура компонентов СБИС. Новосибирск: Наука. -1980.-300 с.

41. Нитрид кремния в электронике / Гриценко В.А., В.И.Белый, Л.Л.Васильева и др. Новосибирск: Наука. - 1982. - 200 с.

42. Отс К.В. Стабильность пленок SIPOS //Электронная техника.-1984.- Сер.6.-Вьш.11.- С42-45.

43. Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника.- М.: Мир, 1976.-431 с.

44. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках.- М.: Мир, 1973.-456 с.

45. Кухарский A.A., Субасшиев В.К. Определение некоторых параметров сильнолегированных полупроводников из спектрального хода коэффициента отражения //Физика твердого тела. 1966. Т.8, вып .3. - С. 343 - 400.

46. Пожела Ю.К. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках. -М.:Наука, 1977.-367 с.

47. Швец В.А. О возможности применения комплексных коэффициентов отражения методом эллипсометрии //Оптика и спектроскопия.- 1983.- Т.55. -С.558-560.

48. Основы эллипсометрии/А.В.Ржанов, К.К.Свиташев, А.И.Семененко и др.-Новосибирск: Наука, 1979.-422 с.

49. Эллипсометрия. Аннотированный библиографический указатель отечественной и иностранной литературы за 1975-1979 гг.- Новосибирск: ИФП СО АН СССР, 1985 -317 с.

50. Эллипсометрия. Аннотированный библиографический указатель отечественной и иностранной литературы за 1980-1984 гг. Ч.1- Новосибирск: ИФП СО АН СССР, 1985 .-196 с.

51. Эллипсометрия. Аннотированный библиографический указатель отечественной и иностранной литературы за 1980-1984 гг.Ч.2 Новосибирск: ИФП СО АН СССР, 1985 -189 с.

52. Любинская Р.И., Мардежов А.С., Швец В.А. Исследование неоднородных структур с использованием иммерсионных эллипсометрических измерений //Эллипсометрия: теория, методы, приложения. Новосибирск; 1987.- С.59-67.

53. Charmet J.C, de Gennec P.O. Eliipsometric formulas for an homogeneous layer with arbitrary refractive-index profile //J.Opt.Amer.Soc.-1983.- V.73.- N.12. -P. 1777-1784.

54. Пшеницын В.И., Храмцовский И.А. Новый подход к эллипсометрии реальной поверхности оптических материалов //Эллипсометрия: теория, методы, приложения. Новосибирск, 1987.- С.8-14.

55. Эллипсометрия на основе сходящегося пучка света/К.К. Свиташев, А.И. Семененко, Л.В. Семененко, В.К. Соколов //Оптика и спектроскопия.- 1973.-T.34.-N.5.- С.941-945.

56. Семененко А.И. К теории метода эллипсометрии. Влияние немонохроматичности источника излучения на точность метода //Оптика и спектроскопия.- 1979.- Т.39.- N.5.- С.967-972.

57. К вопросу определения оптических постоянных в далекой ИК-области спек-тра/А.С.Мардежов,К.К.Свиташев,А.И.Семененко и др. /Микроэлектроника.-1977.- Т.6.- N.5 .-C.427-436.

58. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции, /под ред.Дж.Поута, К.Ти, Дж.Мейера.- М.: Мир, 1982.-576 с.

59. Pimbley J.M., Katz W. Infrared optical constants of PtSi //Appl.Phys.Lett.-1984.-V.42(ll).-P.984-986.

60. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской электронной спектроскопии /Под ред. Д.Бриггса, М.П.Сиха.- М.: Мир.- 1987. -600 с.

61. Зенгуил Э. Физика поверхности.- М.: Мир.- 1990. -536 с.

62. Бехштедт Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников.- М.: Мир.- 1990. -484 с.

63. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел /Под ред. Л.Фримэнса, Дж. Вэнника и В.Декейсера.- М.:Мир.- 1987.

64. Блиев A.n., Нартикоев P.K. Физика поверхности и поверхностных явлений. -Владикавказ.- 1992.

65. Бузанева Е.В. Влияние легирования поверхности n-Si(lll) гадолинием на трехфазное взаимодействие Al с Si и распределение примесей в структурах Al-n-Si //Поверхность.- 1984.- N.12.- С.85-91.

66. Лифшиц В.Г. Формирование пленок нитрида кремния при имплантации ионов азота в Si(lll) по данным ЭОС и спектроскопии ХПЭ. //Поверхность.-1984.-N.12.- С.76-84.

67. Кунаев СВ. Об анализе слоев S^зN4 методом ОЭС в сочетании с ионным травлением. //Поверхность.- 1984- N.7.- С. 103-106.

68. Максимов Н.К. Послойный оже-анализ систем металл-арсенид галлия. //Поверхность.- 1984.-N.il.- С. 101-104.

69. Олевский СС. Совместное использование переходных областей металл-полупроводник. //Физика и химия обработки материалов.- 1983.- N.2.-С109-112.

70. Игнатьев A.C. ОЭС тонких пленок силицидов платины на кремнии. //Журн. техн. физики.- 1984.- Т.54.- N.6.- С1212-1214.

71. Бурмака Л. С Исследование состава поверхностных слоев элементов интегральных микросхем методом ЭОС// Электр, техника.- 1982.- Сер.6.- N.4.-С.64-66.

72. Куваев A.A. Исследование анодного окисления GaAs методами эллипсометрии и электронной же-спектроскопии //Электр, техника.- 1984.-Сер.6.- N. 8.-С.24-29.

73. Методы анализа состояния поверхности микросхем // Microwaves and RP-1984.-V.23.-N.13.-P.96-97, 99, 101, 145-145.

74. Каспарян P.M. Применение электронной оже-спектроскопии для исследования операции термического отжига структуры AI-SIO2-Sl //Электр, пром.-1984.- N. 2.- С.52-53.

75. Вараскин В.А. исследование химического состава приповерхностных слоев арсенида галлия методом оже-спектроскопии //Электр, пром.- 1984.- N.2.-С.11-13.

76. Hasafuji Y. and Kajiwere J. Nitridation of silicon and Oxidized-silicon //J.Electrochem.Soc- 1982.- V.129.-N.9.- P.2102-2108.

77. Kortnan C.S. et al. Etching characteristics ofpolisilicon, Ж2 and M0SI2 in NF3 and SFe plasmas //Solid State Technology.- January.- 1983- V.2.- N.I.- P.115-123.

78. Горелик В.A. Применение количественной оже-спектроскопии для анализа реальной поверхности кремния //Электр, пром.- 1984.- N.2.- С.55.

79. У гай Я. А. Исследование влияния состояния поверхности кремния на электрические свойства контакта металл-полупроводник //Электр, техника.-1982.-Сер.2.- N.3.-C.55-60.

80. Бондарь Д.М. Выбор оптимальных условий ионно-химической обработки с помощью оже-спектрального анализа поверхности //Электр, пром. 1984.-N.2.-C.60-61.

81. Баталов Б.В. Метод количественного анализа легирующих примесей в кремнии на основе применения электронной оже-спектроскопии и рентгено-спектрального микроанализа //Микроэлектроника.- 1985- T.14.-N.1.- С.72-76.

82. Tippen C.G. et al. AES and XPS studies surface films deposited during the plasma ething of silicon dioxide layers //Surfase and Interfase Anal.- 1984 V6.-N.6.-P.267-273.

83. Helloway P.H., Bhattacharya B.S. Preferential spullering of PtSi, NiSi and AgAu //J.Vac.Sci.Technol.-1982.- Vol.20.- P.kl5-k20.

84. Вдовенков A.A., Городысский М.И., Когут Л.В. Диагностика пленок алюминия и золота при термокомпрессионной сварке в производстве ИС //Электр, техника. 1987.-Сер.8. - Вьш.3(126). - С.47-50.

85. Саранин А.А., Лифшиц В.Г. Изучение тонких слоев окислов кремния методом электронной Оже-спектроскопии и спектроскопии характеристических потерь энергии электронов //Поверхность.- 1986.- N.2.- С.48 -56.

86. Е.В.Мельнева, А.А.Свентицкий. Технологическое применение электронной оже-спектроскопии //Обзоры по электр. технике. 1990.- Сер.7.-Вып.9(1 534).- 59с.

87. Le Hericy J., Langeron J.P. //Analysis.- 1982. V.9.- No.5. - P. 175-186.

88. AUie'G., Blanc E., Dufayard D. Et al. Etude, experimentale de l'influence d'inci-dence des electrons primaires zur le rendement de l'emission Anger //Surface Sci.- 1974.-V.46.-N.1.-P. 188-196.

89. Протопопов О.Д. Методы электронной спектроскопии //Обзоры по электр. технике. -1977.- Сер.6.- Вып. 16.

90. Palmberg Р. Quantitative Anger electron spectroscopy using elemental sensitivity factors // Journal ofVacuum Sciense and Technology. 1976.-V.13.- N.I.- P.214-218.

91. Meyer P., Vrakking J.J. Quantitative aspects of Anger electron spectroscopy //Surface Science.- 1972.- V.33.- N.2.- P.271-294.

92. Chang C.C. General formalizm for quantitative Anger analysis //Surface Sciense.-1975.- V.48.- P.9-21.

93. Davis L.E., Mac-Donald N.C., Palmberg P.W., Riach G.E., Weber R.E. Handbook of Anger electron spectroscopy, Minnesota, Physical Electronics Industries Inc.- 1976.-N. 1.-252 p.

94. Hall P.M., Morabito J.M., Conley D.K. Relative sensitivity factors for quantitative Anger analysis of binary alloys //Surface Sciense.- 1977.- V.62.- P. 1-20.

95. Hollowway P.H. Quantitative Anger analysis of homogeneous binary alloys: chromium in gold. // Surface Sciense.- 1977.- V.66.- P. 479-494.

96. Hall P.M., Morabito J.M. Quantitative Anger analysis of gold-copper-oxigen and gold-nickel-oxigen surfaces using relative Sensitivity factors // Surface Sciense.-1977.-V.67.- P.373-392.

97. Крючков Ю.И. Контроль качества пленок двуокиси кремния, подвергнутых импульсному отжигу по инфракрасным спектрам поглощения. //Методы и средства измерений физических величин. Ч.1 /Нижегород. гос. техн. ун. -Н.-Новгород.- 1999.- С. 14.

98. Kiele A.J., Heung L.K. and other. Oxidation Rehaviour of Hot Pressed SiANA //J. Amer.Ceram.Soc.- 1975.- V.58.- N.1-2.- P.17-23.

99. Horton R.M. Oxidation Kinetics of Powdered Silicon Nitride //J.Amer. Ce-ram.Soc- 1969.- V.52.-N. 3.- P.121-124.

100. Гузман И.Я. Кинетика окисления нитрида и оксинитрида кремния //Огнеупоры.- 1974.- № 2.- С.47-52.

101. Tripp W.C., Graham Н.С. Oxidation of Si3N4 in the Range 1300-1500°C //J.Amer.Ceram.Sos.- 1976 V.59.- N. 9-10.- P.399-403.

102. Franz J. Formation of Silicon Dioxide from Silicon Nitride //React.Sohds.Proc.Int.Simp, 7 th. Bristol. P.303-314.

103. Храмова Л.В. и др. Окисление аморфных слоев кремния //Неорган, материалы.- 1980. -Т. 16. -№ 8.- С. 1420-1426.

104. Крючков Ю.И. Определение толщины двухслойной пленочной системы «двуокись кремния нитрид кремния» по инфракрасным спектрам//Вестн. СГГА.- 2001 .-Вьш.6.- С. 174-178.

105. Крючков Ю.И. Оценка характеристик пленок SIPOS методами ИК-спектроскопии и эллипсометрии //Методы и средства измерений. Ч.1: Тез. докл. Второй Всерос. конф.- Н.-Новгород, 2000.- С. 12-13.

106. Свердлова О.В. Электронные спектры в органической химии.- Л.: Химия, 1985. -200 с.

107. Курносов А.И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем -М.: Высш. шк.- 1980.-327 с.

108. ПО. Пасынков В.В., Сорокин B.C. Материалы электронной техники.- М.: Высш. шк.- 1986. -367 с.

109. Готра З.Ю. Справочник по технологии микроэлектронных устройств.-Львов: Каменяр 1986.-287с.

110. Крючков Ю.И. Контроль образования пленки карбида кремния по инфракрасным спектрам поглощения //Методы и средства измерений.-Ч. 1 .-Тез.докл. второй Всерос. конф. Н.-Новгород.- 2000.- С. 13.

111. Оптические свойства полупроводников/ В.И. Гавриленко, А.М.Грехов, Д.В.Корбуляк, В.Г. Литовченко Киев: Наукова Думка.- 1987.-607 с.

112. Крючков Ю.И. Оценка величины силовой постоянной молекулы SiC по данным спектроскопии инфракрасного поглощения //Соврем, проблемы геодезии и оптики : Тез. докл. Новосибирск: СГГА.- 2001 . - С. 199.

113. Крючков Ю.И. Применение ИК-спектроскопии при анализе молекулярного состава пленок SiO и A1N, полученных различными способами

114. Современные проблемы геодезии и оптики. 51-я науч.-техн. конф.: Тез.докл. Новосибирск: СГГА.- 2001.- С.201.

115. Крючков Ю.И., Коробова Т.Б., ЧесноковВ.В. Исследование методами спектроскопии видимой и инфракрасной области пленок нитрида алюминия при высокотемпературных обработках //Вести. СГГА. Новосибирск, 2001 (в печати).

116. Миркин Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов.- М.: Физматгиз, 1961.

117. Lawson К.Е. Infrared Absoption in Inorganic substances.- New York.- 1961.

118. Славников B.C. Пленки нитрида алюминия, получаемые реактивным распылением //Электронная техника.- Сер. Материалы.- 1973.- Вып.8.- С.48.

119. Корзо В.Ф. Оптические и электрические свойства некристаллических пленок AI2O3 //Неорган, материалы.- 1976.- Т. 12.- N.7.- С. 1224.

120. Коробейничева И.К. Метод инфракрасной спектроскопии в структурных исследованиях. Новосибирск, 1977.- 56 с.

121. Крючков Ю.И., Коробова Т.Б. Оптические методы определения сильно легированных пленок //Вести. СГГА.- 1977.- Вып.1. С.112-116.

122. Крючков Ю.И. Методика неразрушающего контроля толщины мембран рентгеношаблонов //Методы и средства измерений физ. величин: Тез.докл. IV Всеросс. научно-техн. конф.- Ч.1.- Н.-Новгород, 1999.- С. 15.

123. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников.- М.: Наука.- 1977. -366 с.

124. Крючков Ю.И. Неразрушающий бесконтактный метод определения толщины сильнолегированных диффузионных и ионно-имплантированных слоев кремния //Соврем, проблемы геодезии и оптики: Тез.докл. Новосибирск, СГГА.-2000.-С. 152.

125. Крючков Ю.И. К вопросу о неразрущающем определении толщины сильнолегированных слоев кремния //Вести. СГГА.- 2001.- Вып. 6.- С.60 -63 .

126. Irvin Y.C. Resistivity of Bulk Silicon of Diffusen Layers in Silicon //The Bell System Technical Youmal.- New York.- 1962.- V.XLI.- N.2.- P.387-410.

127. Крючков Ю.И. Оценка толщины переходной области в «п nA» кремниевых структурах //Соврем, проблемы геодезии и оптики: Тез.докл. Новосибирск, СГГА,- 2001.- С. 169.

128. Крючков Ю.И., Коробова Т.Б., Чесноков В.В. Неразрушающее определение электрофизических параметров полупроводниковых структур оптическими методами //Вести. СГГА.- Новосибирск.- 2001 (в печати).

129. Schumann Р.А. Plasma resonance calibration curves for silicon, germanium and gallium arsenide //Sol.St.Technology.- 1970.- V.13.-N.1.- P.50-52.

130. Библиотека математических таблиц. Таблицы вероятностных функций. Т.1,2//ВЦАНСССК

131. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.- М.:Высш. шк.- 1986. -368 с.

132. Пичугин И.Г., Таиров Ю.П. Технология полупроводниковых приборов.-М.: Высш. шк.- 1984. -288 с.

133. Крючков Ю.И. Использование соотношений Крамерса-Кронига для определения оптических и электрофизических характеристик поверхности твердых тел //Вести. СГГА.- Новосибирск.- 2000.- С. 126-129.

134. Aspens D.E., Studna А.А. Dielectric functions and optical parameters of Si, Ge, GaAs, GaSb, InP, InAs and InSb from 1,5 to 6,0 eV //Phys.Rev. B.-1983.-V.27, N.2.-P.985-1009.

135. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС- М.: Мир.- 1986. -176 с.

136. Контроль пленок силицида платины при разработке и производстве БИС/

137. B. И.Балин, М.Л.Фурман, Ю.И.Крючков, Л. А.Бондарева//Новосибирск: XXVI обл. научно-техн. конф., посвящ. Дню радио: Тез. докл.- 1983.- Ч.1.1. C. 40-41.

138. Крючков Ю.И., Балин В.И. Спектрофотометрическое определение толщины пленок силицида платины в технологии БИС ПИЗУ // XXVII обл. научно-техн. конф., посвящ. Дню Сов. Науки и Дню радио: Тез. докл.- Новосибирск, 1984.- С.30-31.

139. Горелик В.А., Протопопов О.Д. Количественная оже-спектроскопия гомогенных систем:Обзоры по электр. технике. Сер.7. -1978.-44 с. Вып. 18.

140. Горелик В.А. Формализация метода количественной спектроскопии //Электр, пром.- 1978.- N.11-12.- С.47-52,

141. Барабашов М.Ю., Горелик В.А., Протопопов О.Д. Количественный оже-анализ гомогеных систем //Электр, техника.- 1980.- Сер.8.- Вып.2(80)-3(81).-С. 141-152.

142. Seah М.Р., Dench W.A. Quantitative Electron Spectroscopy of Sufaces: a Stan-dart data base for electron in inelastic mean free paths in solids //Surf And Interf Anal- 1 979. V.l. -N. l.

143. Крючков Ю.И. Количественная оже-электронная спектроскопия в технологии монолитных интегральных приборов СВЧ (МИП СВЧ) //Соврем, проблемы геодезии и оптики: Тез. докл.- Новосибирск: СГГА- 2001.- С.200.